Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5812417B2 - Annealing method, film manufacturing method, annealing apparatus and film manufacturing apparatus - Google Patents

Annealing method, film manufacturing method, annealing apparatus and film manufacturing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP5812417B2
JP5812417B2 JP2011289618A JP2011289618A JP5812417B2 JP 5812417 B2 JP5812417 B2 JP 5812417B2 JP 2011289618 A JP2011289618 A JP 2011289618A JP 2011289618 A JP2011289618 A JP 2011289618A JP 5812417 B2 JP5812417 B2 JP 5812417B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
annealing
film
transparent conductive
water vapor
conductive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011289618A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013140684A (en
Inventor
橋 正 泰 高
橋 正 泰 高
上 達 彦 石
上 達 彦 石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2011289618A priority Critical patent/JP5812417B2/en
Publication of JP2013140684A publication Critical patent/JP2013140684A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5812417B2 publication Critical patent/JP5812417B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Description

本発明は、基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール方法およびアニール装置に関する。また本発明は、基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造方法および膜製造装置に関する。   The present invention relates to an annealing method and an annealing apparatus for performing an annealing process by heating a transparent conductive film provided on a base film. Moreover, this invention relates to the film | membrane manufacturing method and film | membrane manufacturing apparatus which form a transparent conductive film on a base film.

導電性を有しながら透光性を示す透明導電膜、例えばインジウム錫酸化物(以下、ITO)からなる透明導電膜は、液晶表示装置や有機EL表示装置における透明電極や、タッチパネルセンサにおける検出用の透明導電パターンなどとして利用されている。透明導電膜は、不純物の少ない高品質の膜を得るため、一般に、真空環境下で成膜される。   A transparent conductive film that has conductivity and exhibits translucency, such as a transparent conductive film made of indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO), is used for detection of transparent electrodes in liquid crystal display devices and organic EL display devices, and touch panel sensors. It is used as a transparent conductive pattern. In order to obtain a high-quality film with few impurities, the transparent conductive film is generally formed in a vacuum environment.

透明電極や透明導電パターンの特性を高めるため、透明導電膜の電気抵抗率を低くすることや、透明導電膜の耐薬品性を高めることが期待されている。ここで耐薬品性とは、透明導電膜を溶解させることを意図していない薬品に対して透明導電膜が曝される場合の、透明導電膜の溶解のし難さのことである。透明導電膜の電気抵抗率や耐薬品性を決定する要因の1つとして、透明導電膜の結晶状態が挙げられる。例えば、多結晶状態の場合の方が、アモルファス状態の場合に比べて、インジウム錫酸化物などの透明導電膜の電気抵抗率が低くなるとともに耐薬品性が高くなることが知られている。このような特性を考慮して、特許文献1においては、基材上に成膜されたITO膜に対して180℃以上かつ1時間以上のアニール処理を施し、これによって、多結晶状態のITO膜を得ることが提案されている。   In order to improve the characteristics of the transparent electrode and the transparent conductive pattern, it is expected to lower the electrical resistivity of the transparent conductive film and to increase the chemical resistance of the transparent conductive film. Here, the chemical resistance refers to the difficulty in dissolving the transparent conductive film when the transparent conductive film is exposed to a chemical that is not intended to dissolve the transparent conductive film. One of the factors that determine the electrical resistivity and chemical resistance of the transparent conductive film is the crystal state of the transparent conductive film. For example, it is known that the electrical resistance of a transparent conductive film such as indium tin oxide is lower and the chemical resistance is higher in the polycrystalline state than in the amorphous state. In consideration of such characteristics, in Patent Document 1, the ITO film formed on the base material is subjected to annealing treatment at 180 ° C. or more for 1 hour or more, whereby a polycrystalline ITO film is obtained. It has been proposed to get

特開2003−16858号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-16858

透明導電膜を支持するための基材の種類は、表示装置やタッチパネルセンサ全体として求められる特性や、取り扱いの容易さなどを考慮して適宜選択される。ところで、様々な特性を検討した結果、耐熱性の低い基材が選択されることがある。この場合、成膜処理やアニール処理の際の温度が基材の耐熱温度によって制限されることになる。一般にアニール処理において、多結晶状態を得るために要する時間、すなわち結晶化に要する時間は、温度が低くなるほど長くなる。このため、耐熱性の低い基材が用いられる場合、アニール処理に要する時間が長くなり、この結果、生産効率が低くなってしまう。   The kind of the base material for supporting the transparent conductive film is appropriately selected in consideration of characteristics required for the display device and the touch panel sensor as a whole, ease of handling, and the like. By the way, as a result of examining various characteristics, a substrate having low heat resistance may be selected. In this case, the temperature during the film forming process or the annealing process is limited by the heat resistant temperature of the substrate. In general, in annealing, the time required to obtain a polycrystalline state, that is, the time required for crystallization becomes longer as the temperature becomes lower. For this reason, when a base material with low heat resistance is used, the time required for annealing treatment becomes long, and as a result, the production efficiency is lowered.

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るアニール方法およびアニール装置を提供することを目的とする。また本発明は、当該アニール方法を備えた膜製造方法、および当該アニール装置を備えた膜製造装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the annealing method and annealing apparatus which can solve such a subject effectively. Another object of the present invention is to provide a film manufacturing method including the annealing method and a film manufacturing apparatus including the annealing apparatus.

本発明は、基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール方法において、アニール室の内部の気体を外部に排出する排気工程と、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を1×10−4Pa以上に調整する水蒸気調整工程と、前記アニール室の内部において前記透明導電膜を所定のアニール温度で加熱する加熱工程と、を備えたことを特徴とするアニール方法である。 The present invention relates to an annealing method in which a transparent conductive film provided on a base film is heated to perform an annealing process, and an exhaust process for exhausting gas inside the annealing chamber to the outside, and water vapor inside the annealing chamber An annealing method comprising: a water vapor adjustment step of adjusting a partial pressure to 1 × 10 −4 Pa or more; and a heating step of heating the transparent conductive film at a predetermined annealing temperature inside the annealing chamber. It is.

本発明によるアニール方法の前記水蒸気調整工程において、前記アニール室の内部の水蒸気分圧が1〜40×10−4Paの範囲内に調整されてもよい。 In the water vapor adjusting step of the annealing method according to the present invention, the water vapor partial pressure inside the annealing chamber may be adjusted within a range of 1 to 40 × 10 −4 Pa.

本発明によるアニール方法において、好ましくは、前記アニール温度が、80〜120度の範囲内となっている。   In the annealing method according to the present invention, preferably, the annealing temperature is in the range of 80 to 120 degrees.

本発明によるアニール方法において、前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部の水蒸気の捕捉量を調整する水蒸気捕捉工程と、を含んでいてもよい。   In the annealing method according to the present invention, the water vapor adjustment step includes a measurement step of measuring a water vapor partial pressure inside the annealing chamber, and a trapping amount of water vapor inside the annealing chamber based on a measurement result in the measurement step. And a water vapor capturing step to be adjusted.

本発明によるアニール方法において、前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給工程と、を含んでいてもよい。   In the annealing method according to the present invention, the water vapor adjusting step includes a measuring step for measuring a water vapor partial pressure inside the annealing chamber, and a water vapor for supplying water vapor to the inside of the annealing chamber based on a measurement result in the measuring step. A supply step.

本発明は、基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造方法において、前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜工程と、前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール工程と、を備え、前記アニール工程は、上記記載のアニール方法からなることを特徴とする膜製造方法である。   The present invention relates to a film manufacturing method for forming a transparent conductive film on a base film, a film forming step for providing the transparent conductive film on the base film, and heating the transparent conductive film provided on the base film. And an annealing process for performing an annealing process, wherein the annealing process comprises the annealing method described above.

本発明による膜製造方法において、前記成膜工程は、成膜処理が実施される成膜室と、前記成膜室の内部の気体を外部に排出する成膜用排気機構と、を有する成膜装置によって実行され、前記アニール工程は、アニール処理が実施されるアニール室を有するアニール装置によって実行されてもよい。この場合、好ましくは、前記基材フィルムが前記成膜装置の前記成膜室から前記アニール装置の前記アニール室に至るまでの間、前記基材フィルムの周囲の雰囲気が真空状態に保たれている   In the film manufacturing method according to the present invention, the film forming step includes a film forming chamber in which a film forming process is performed, and a film forming exhaust mechanism that discharges a gas inside the film forming chamber to the outside. The annealing step may be performed by an annealing apparatus having an annealing chamber in which an annealing process is performed. In this case, preferably, the atmosphere around the base film is kept in a vacuum state from the film formation chamber of the film formation apparatus to the annealing chamber of the annealing apparatus.

本発明による膜製造方法において、前記アニール装置は、前記成膜装置の前記成膜室の内部でアニール処理を実施するよう構成されていてもよい。   In the film manufacturing method according to the present invention, the annealing apparatus may be configured to perform an annealing process inside the film forming chamber of the film forming apparatus.

本発明は、基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置において、アニール処理が実施されるアニール室と、前記アニール室の内部の気体を外部に排出するアニール用排気機構と、
前記アニール室の内部の水蒸気分圧を1×10−4Pa以上に調整する水蒸気調整機構と、前記アニール室の内部に設けられ、所定のアニール温度で前記透明導電膜を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とするアニール装置である。
The present invention relates to an annealing apparatus for performing an annealing process by heating a transparent conductive film provided on a base film, and discharging the gas inside the annealing chamber to the outside. An annealing mechanism for annealing;
A water vapor adjusting mechanism that adjusts the water vapor partial pressure inside the annealing chamber to 1 × 10 −4 Pa or more, a heating mechanism that is provided inside the annealing chamber and heats the transparent conductive film at a predetermined annealing temperature, An annealing apparatus characterized by comprising:

本発明は、基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造装置において、前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜処理を実施する成膜装置と、前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置と、を備え、前記アニール装置は、上記記載のアニール装置からなることを特徴とする膜製造装置である。   The present invention provides a film manufacturing apparatus for forming a transparent conductive film on a base film, a film forming apparatus for performing a film forming process for providing a transparent conductive film on the base film, and the base film. And an annealing apparatus for performing an annealing process by heating the transparent conductive film, wherein the annealing apparatus comprises the annealing apparatus described above.

本発明によれば、アニール処理の際、真空状態に保たれたアニール室において、水蒸気分圧が1×10−4Pa以上に維持されている。これによって、基材フィルム上に設けられた透明導電膜の結晶化を促進することができ、このため、アニール処理の温度が低い場合であっても、多結晶状態の透明導電膜を短時間で得ることができる。このことにより、耐熱性の低い基材フィルムが用いられる場合であっても、効率良く透明導電膜を製造することができる。 According to the present invention, during the annealing process, the partial pressure of water vapor is maintained at 1 × 10 −4 Pa or more in the annealing chamber kept in a vacuum state. Thus, crystallization of the transparent conductive film provided on the base film can be promoted. Therefore, even when the annealing temperature is low, the polycrystalline transparent conductive film can be formed in a short time. Can be obtained. Thereby, even if a base film with low heat resistance is used, a transparent conductive film can be produced efficiently.

図1は、本発明の第1の実施の形態における膜製造装置を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a film manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す膜製造装置の巻出装置を示す図。FIG. 2 is a view showing an unwinding device of the membrane manufacturing apparatus shown in FIG. 図3は、図1に示す膜製造装置の成膜装置を示す図。FIG. 3 is a view showing a film forming apparatus of the film manufacturing apparatus shown in FIG. 図4は、図1に示す膜製造装置のアニール装置を示す図。4 is a view showing an annealing apparatus of the film manufacturing apparatus shown in FIG. 図5は、図1に示す膜製造装置の巻取装置を示す図。FIG. 5 is a view showing a winding device of the film manufacturing apparatus shown in FIG. 1. 図6は、図3に示す成膜装置の水蒸気供給部を示す図。6 is a view showing a water vapor supply unit of the film forming apparatus shown in FIG. 図7は、図4に示すアニール装置の加熱機構を示す断面図。7 is a sectional view showing a heating mechanism of the annealing apparatus shown in FIG. 図8は、膜製造装置により製造された透明導電膜を含む積層体を示す断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a laminate including a transparent conductive film manufactured by a film manufacturing apparatus. 図9は、図8に示す積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing a touch panel sensor obtained by patterning the laminated body shown in FIG. 図10は、図8に示す積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを示す断面図。10 is a cross-sectional view showing a touch panel sensor obtained by patterning the laminate shown in FIG. 図11は、比較の形態における膜製造装置を示す図。FIG. 11 is a diagram showing a film manufacturing apparatus in a comparative form. 図12は、アニール装置の加熱機構の変形例を示す図。FIG. 12 is a view showing a modification of the heating mechanism of the annealing apparatus. 図13Aは、図12に示すシート加熱手段の一例を示す断面図。13A is a cross-sectional view showing an example of a sheet heating unit shown in FIG. 図13Bは、図12に示すシート加熱手段のその他の例を示す断面図。FIG. 13B is a cross-sectional view illustrating another example of the sheet heating unit illustrated in FIG. 12. 図14は、積層体の変形例を示す断面図。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a modified example of the laminate. 図15は、タッチパネルセンサの変形例を示す断面図。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a modification of the touch panel sensor. 図16は、本発明の第2の実施の形態における膜製造装置を示す図。FIG. 16 is a diagram showing a film manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図17は、図16に示す膜製造装置の成膜装置およびアニール装置を示す図。17 is a view showing a film forming apparatus and an annealing apparatus of the film manufacturing apparatus shown in FIG.

第1の実施の形態
以下、図1乃至図10を参照して、本発明の第1の実施の形態について説明する。はじめに図8を参照して、本実施の形態において製造される、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16を含む積層体18について説明する。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, with reference to FIG. 8, the laminated body 18 containing the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 manufactured in this Embodiment is demonstrated.

積層体
図8は、積層体18を示す断面図である。図8に示すように、積層体18は、基材フィルム11と、基材フィルム11上に形成された高屈折率膜14と、高屈折率膜14上に形成された低屈折率膜15と、低屈折率膜15上に形成された透明導電膜16と、を含んでいる。以下、基材フィルム11、高屈折率膜14、低屈折率膜15および透明導電膜16についてそれぞれ説明する。
Laminated Body FIG. 8 is a cross-sectional view showing the laminated body 18. As shown in FIG. 8, the laminate 18 includes a base film 11, a high refractive index film 14 formed on the base film 11, and a low refractive index film 15 formed on the high refractive index film 14. And a transparent conductive film 16 formed on the low refractive index film 15. Hereinafter, the base film 11, the high refractive index film 14, the low refractive index film 15, and the transparent conductive film 16 will be described.

(基材フィルム)
本実施の形態においては、基材フィルム11として、高い透光性を有する一方で、耐熱性が低く、このため高い熱負荷をかけることができないフィルムが用いられる。例えば、線膨張係数が大きく、このため高温環境下、例えば150℃以上の環境下に置くことができない非晶質ポリマーからなる合成樹脂層12を含むフィルムが用いられる。このような非晶質ポリマーとしては、例えばシクロオレフィンポリマー(COP)、環状オレフィン・コポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)、トリアセチルセルロース(TAC)、(ポリメチルメタクリレート(PMMA)などが挙げられる。特にシクロオレフィンポリマーは、高い透光性とともに低い吸湿性が実現されているため、好ましく用いられる。非晶質ポリマーからなる合成樹脂層12の厚みは、例えば25〜200μmの範囲内となっている。
(Base film)
In the present embodiment, the base film 11 is a film that has high translucency but low heat resistance and therefore cannot be subjected to high heat load. For example, a film including a synthetic resin layer 12 made of an amorphous polymer that has a large linear expansion coefficient and cannot be placed in a high temperature environment, for example, an environment of 150 ° C. or higher, is used. Examples of such an amorphous polymer include cycloolefin polymer (COP), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC), triacetyl cellulose (TAC), and (polymethyl methacrylate (PMMA). In particular, the cycloolefin polymer is preferably used because of its high translucency and low hygroscopicity, and the thickness of the synthetic resin layer 12 made of an amorphous polymer is, for example, in the range of 25 to 200 μm. .

なお図8に示すように、基材フィルム11は、合成樹脂層12上に設けられたハードコート層13をさらに含んでいてもよい。ハードコート層13は、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体(オリゴマー)が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。ハードコート層13としては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。このようなハードコート層13は、基材フィルム11の片側にのみ形成されていてもよく、若しくは図8に示すように、基材フィルム11の両側に形成されていてもよい。ハードコート層13の厚みは、例えば0.1〜10μmの範囲内となっている。   As shown in FIG. 8, the base film 11 may further include a hard coat layer 13 provided on the synthetic resin layer 12. The hard coat layer 13 is a layer provided for the purpose of preventing scratches and for the purpose of preventing the low molecular weight polymer (oligomer) from depositing and appearing cloudy in the interface between the layers. As the hard coat layer 13, for example, an acrylic resin is used. Such a hard coat layer 13 may be formed only on one side of the base film 11, or may be formed on both sides of the base film 11 as shown in FIG. 8. The thickness of the hard coat layer 13 is, for example, in the range of 0.1 to 10 μm.

(高屈折率膜および低屈折率膜)
高屈折率膜14は、透明導電膜16を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される膜であり、一方、低屈折率膜15は、透明導電膜16を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される膜である。このような高屈折率膜14および低屈折率膜15を基材フィルム11と透明導電膜16との間に設けることにより、積層体18における光の透過率や反射率を調整することができる。例えば、高屈折率膜14および低屈折率膜15は、後述するように積層体18の透明導電膜16がパターニングされてタッチパネルセンサの透明導電パターンとなる場合に、透明導電パターンが設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。
(High refractive index film and low refractive index film)
The high refractive index film 14 is a film made of a material having a higher refractive index than the material constituting the transparent conductive film 16, while the low refractive index film 15 is more than the material constituting the transparent conductive film 16. It is a film composed of a material having a low refractive index. By providing such a high refractive index film 14 and low refractive index film 15 between the base film 11 and the transparent conductive film 16, the light transmittance and reflectance of the laminate 18 can be adjusted. For example, the high refractive index film 14 and the low refractive index film 15 are provided with a transparent conductive pattern when the transparent conductive film 16 of the laminate 18 is patterned to become a transparent conductive pattern of the touch panel sensor, as will be described later. It can function as an index matching layer for reducing the difference in light transmittance and reflectance between the region and the region where the region is not provided.

高屈折率膜14を構成する材料としては、透明導電膜16を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化ニオブが用いられる。低屈折率膜15を構成する材料としては、透明導電膜16を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化珪素が用いられる。高屈折率膜14および低屈折率膜15の厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。   The material constituting the high refractive index film 14 is not particularly limited as long as it is a material having a higher refractive index than the material constituting the transparent conductive film 16. For example, niobium oxide is used. The material constituting the low refractive index film 15 is not particularly limited as long as it is a material having a lower refractive index than the material constituting the transparent conductive film 16, but silicon oxide is used, for example. The thicknesses of the high-refractive index film 14 and the low-refractive index film 15 are appropriately set according to the material used so that desired transmittance and reflectance can be achieved.

なお本実施の形態においては、上述の高屈折率膜14および低屈折率膜15が積層体18に含まれている例について説明するが、しかしながら、高屈折率膜14および低屈折率膜15は必ずしも設けられていなくてもよい。この場合、基材フィルム11上に透明導電膜16が設けられる。   In the present embodiment, an example in which the high refractive index film 14 and the low refractive index film 15 are included in the laminate 18 will be described. However, the high refractive index film 14 and the low refractive index film 15 are It does not necessarily have to be provided. In this case, the transparent conductive film 16 is provided on the base film 11.

(透明導電膜)
透明導電膜16を構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)などの金属酸化物が用いられる。本実施の形態および後述する実施例においては、透明導電膜16を構成する材料としてITOが用いられる場合について説明する。透明導電膜16の厚みは、透明電極または透明導電パターンにおける電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば18〜50nmの範囲内となっている。
(Transparent conductive film)
As a material constituting the transparent conductive film 16, a material having conductivity while exhibiting translucency is used. For example, a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) is used. In the present embodiment and examples to be described later, a case where ITO is used as a material constituting the transparent conductive film 16 will be described. Although the thickness of the transparent conductive film 16 is suitably set according to the specification of the electrical resistance in a transparent electrode or a transparent conductive pattern, it exists in the range of 18-50 nm, for example.

次に図1乃至図7を参照して、真空雰囲気の下で基材フィルム11上に透明導電膜16を形成するための膜製造装置10について説明する。はじめに図1を参照して、膜製造装置10全体について説明する。   Next, a film manufacturing apparatus 10 for forming the transparent conductive film 16 on the base film 11 under a vacuum atmosphere will be described with reference to FIGS. First, the entire film manufacturing apparatus 10 will be described with reference to FIG.

膜製造装置
図1に示すように、膜製造装置10は、基材フィルム11を巻き出す巻出装置20と、基材フィルム11上に透明導電膜16などの膜を設ける成膜装置30と、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16を加熱してアニール処理を実施するアニール装置40と、基材フィルム11および基材フィルム11上に形成された透明導電膜16などの膜を含む積層体18を巻き取る巻取装置50と、を備えている。以下、基材フィルム11および各装置20,30,40,50について、図2乃至図7を参照してそれぞれ説明する。
Film Manufacturing Device As shown in FIG. 1, the film manufacturing device 10 includes an unwinding device 20 for unwinding the base film 11, a film forming device 30 for providing a film such as the transparent conductive film 16 on the base film 11, An annealing apparatus 40 that performs annealing by heating the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 and a film such as the base film 11 and the transparent conductive film 16 formed on the base film 11 are included. And a winding device 50 that winds up the laminated body 18. Hereinafter, the base film 11 and the devices 20, 30, 40, and 50 will be described with reference to FIGS.

(巻出装置)
図2は、巻出装置20を示す図である。図2に示すように、巻出装置20は、回転自在に設けられ、基材フィルム11が巻き付けられたシャフト21と、シャフト21から巻き出された基材フィルム11を成膜装置30に向けて案内するガイドローラー29と、基材フィルム11に沿って設けられ、基材フィルム11を加熱する加熱機構22と、を備えている。巻出装置20においては、シャフト21から巻き出された基材フィルム11を加熱機構22によって加熱することにより、基材フィルム11に付着している水分や油分などの不純物を蒸発または昇華させ、これによって不純物を基材フィルム11から取り除くことができる。すなわち、いわゆる脱ガス処理を実施することができる。
(Unwinding device)
FIG. 2 is a diagram showing the unwinding device 20. As shown in FIG. 2, the unwinding device 20 is rotatably provided, and the shaft 21 around which the base film 11 is wound and the base film 11 unwound from the shaft 21 are directed toward the film forming device 30. A guide roller 29 for guiding and a heating mechanism 22 that is provided along the base film 11 and heats the base film 11 are provided. In the unwinding device 20, the substrate film 11 unwound from the shaft 21 is heated by the heating mechanism 22, thereby evaporating or sublimating impurities such as moisture and oil adhering to the substrate film 11. Thus, impurities can be removed from the base film 11. That is, a so-called degassing process can be performed.

脱ガス処理の際の加熱温度は、基材フィルム11を構成する材料の特性が大きく変化しないような温度である限り特に限定されないが、例えば50〜120℃の範囲内となっている。脱ガス処理を実施するための加熱機構22の具体的な構成は特に限定されないが、例えば図2に示すように、搬送されている基材フィルム11に沿って基材フィルム11の両側に設けられた一対のヒーター23によって加熱機構22が構成されている。   Although the heating temperature in the degassing process is not particularly limited as long as it is a temperature at which the characteristics of the material constituting the base film 11 do not change greatly, for example, it is in the range of 50 to 120 ° C. The specific configuration of the heating mechanism 22 for performing the degassing process is not particularly limited. For example, as illustrated in FIG. 2, the heating mechanism 22 is provided on both sides of the base film 11 along the transported base film 11. A pair of heaters 23 constitute a heating mechanism 22.

図2に示すように、巻出装置20は、巻出装置20内の気体を外部に排出する排気手段24をさらに備えている。これによって、基材フィルム11から発生した気体を迅速に外部に排出することができ、このことにより、脱ガス処理を効率良く実施することができる。また図2に示すように、成膜装置30の内部雰囲気を巻出装置20の内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブロードロックバルブ25が設けられていてもよい。これによって、基材フィルム11の巻回体を巻出装置20内に搬入するために巻出装置20を大気に対して開放する際に、成膜装置30内の真空度を維持することができる。   As shown in FIG. 2, the unwinding device 20 further includes an exhaust unit 24 that discharges the gas in the unwinding device 20 to the outside. As a result, the gas generated from the base film 11 can be quickly discharged to the outside, whereby the degassing process can be carried out efficiently. As shown in FIG. 2, a gate valve load lock valve 25 for shielding the internal atmosphere of the film forming apparatus 30 from the internal atmosphere of the unwinding apparatus 20 may be provided. Thus, when the unwinding device 20 is opened to the atmosphere in order to carry the wound body of the base film 11 into the unwinding device 20, the degree of vacuum in the film forming device 30 can be maintained. .

(成膜装置)
次に、巻出装置20の下流側に設けられた成膜装置30について説明する。成膜装置30による成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、CVDやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図3を参照して説明する。
(Deposition system)
Next, the film forming apparatus 30 provided on the downstream side of the unwinding apparatus 20 will be described. Various methods such as vacuum deposition, sputtering, CVD, and ion plating can be adopted as a film forming method by the film forming apparatus 30, but here, an example in which sputtering is used as a film forming method will be described with reference to FIG. explain.

図3に示すように、成膜装置30は、成膜処理が実施される成膜室36と、基材フィルム11が巻き付けられて搬送される成膜用搬送ドラム38と、搬送される基材フィルム11を案内するガイドローラー39と、成膜室36の内部の気体を外部に排出する成膜用真空排気機構37と、搬送されている基材フィルム11に対向するよう設けられ、基材フィルム11上に設けられる膜の原料となるターゲットと、を備えている。図3に示す例においては、ターゲットとして、高屈折率膜14の原料となる酸化ニオブからなる第1ターゲット31a、低屈折率膜15の原料となる珪素からなる第2ターゲット32aおよび第3ターゲット33a、および、透明導電膜16の原料となるITOからなる第4ターゲット34aが設けられている。なお低屈折率膜15は高屈折率膜14や透明導電膜16に比べて概して厚い膜となっており、このため、2つのターゲット32a,33aが用いられている。このような成膜装置30においては、はじめに成膜用真空排気機構37によって成膜室36の内部の気体を外部に排出し、これによって、成膜室36内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置(図示せず)によって成膜室36内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によってターゲットに放電電力を印加する。これによって、各ターゲットの材料からなる膜を基材フィルム11上に設けることができる。   As shown in FIG. 3, the film forming apparatus 30 includes a film forming chamber 36 in which a film forming process is performed, a film forming transport drum 38 around which the base film 11 is wound and transported, and a base material that is transported. A guide roller 39 for guiding the film 11, a vacuum evacuation mechanism 37 for exhausting the gas inside the film forming chamber 36 to the outside, and a base film provided so as to face the transported base film 11. 11 and a target that is a raw material of a film provided on the substrate 11. In the example shown in FIG. 3, as targets, a first target 31a made of niobium oxide as a raw material for the high refractive index film 14, a second target 32a and a third target 33a made of silicon as a raw material for the low refractive index film 15 are used. And the 4th target 34a which consists of ITO used as the raw material of the transparent conductive film 16 is provided. The low-refractive index film 15 is generally thicker than the high-refractive index film 14 and the transparent conductive film 16, and therefore two targets 32a and 33a are used. In such a film forming apparatus 30, first, the gas inside the film forming chamber 36 is discharged to the outside by the film forming vacuum evacuation mechanism 37, whereby the inside of the film forming chamber 36 is evacuated. Next, an inert gas such as argon is introduced into the film forming chamber 36 by an inert gas supply device (not shown), and then a discharge power is applied to the target by the discharge device. Thus, a film made of the material of each target can be provided on the base film 11.

図3に示すように、成膜装置30の成膜室36は、隔壁36aによって、第1ターゲット31aを含む第1領域31と、第2ターゲット32aを含む第2領域32と、第3ターゲット33aを含む第3領域33と、第4ターゲット34aを含む第4領域34と、その他の第5領域35と、に区画されていてもよい。また図3に示すように、成膜用真空排気機構37は、各領域31〜35にそれぞれ接続され、各領域31〜35の内部の気体を外部に排出する排気手段31b〜35bを含んでいてもよい。これによって、ターゲットごとにターゲットの周囲の雰囲気(真空度など)を調整することができ、このことにより、ターゲットごとに最適化された条件の下でスパッタリングを実施することができる。   As shown in FIG. 3, the film formation chamber 36 of the film formation apparatus 30 includes a first region 31 including a first target 31a, a second region 32 including a second target 32a, and a third target 33a by a partition wall 36a. May be partitioned into a third region 33 including the fourth region 34 including the fourth target 34 a, and other fifth regions 35. As shown in FIG. 3, the film-forming vacuum evacuation mechanism 37 includes exhaust means 31 b to 35 b that are connected to the respective regions 31 to 35 and exhaust the gas inside the regions 31 to 35 to the outside. Also good. Thereby, the atmosphere (vacuum degree etc.) around the target can be adjusted for each target, and thus, sputtering can be performed under conditions optimized for each target.

なお図3に示す例において、成膜用搬送ドラム38は、その表面が所定の成膜温度に調整されたものであってもよい。これによって、最適な温度条件下で基材フィルム11上に各種の膜14,15,16を成膜することができる。成膜用搬送ドラム38の表面を所定の成膜温度に調整するための具体的な構成が特に限られることはなく、例えば図示はしないが、成膜用搬送ドラム38の内部に設けられ、オイルなどの所定の温度媒体を循環させる媒体循環路と、温度媒体を成膜温度に調整する媒体調整手段とが用いられる。成膜温度は、基材フィルム11の耐熱性や、基材フィルム11上に設けられる各膜14,15,16の特性に応じて適宜設定されるが、例えば−20〜50℃の範囲内に設定される。   In the example shown in FIG. 3, the film forming conveyance drum 38 may have a surface adjusted to a predetermined film forming temperature. As a result, various films 14, 15 and 16 can be formed on the base film 11 under optimum temperature conditions. A specific configuration for adjusting the surface of the film-formation transport drum 38 to a predetermined film-formation temperature is not particularly limited. For example, although not illustrated, an oil film is provided inside the film-formation transport drum 38. A medium circulation path that circulates a predetermined temperature medium such as a medium and a medium adjusting unit that adjusts the temperature medium to a film forming temperature are used. The film formation temperature is appropriately set according to the heat resistance of the base film 11 and the characteristics of the films 14, 15, and 16 provided on the base film 11, for example, within a range of −20 to 50 ° C. Is set.

なお上述のように、高屈折率膜14および低屈折率膜15は必ずしも積層体18に含まれていなくてもよい。従って、高屈折率膜14および低屈折率膜15が基材フィルム11上に形成されない場合もある。この場合、成膜装置30の成膜室36には、高屈折率膜14および低屈折率膜15に関連する領域やターゲットなどが設けられていなくてもよい。すなわち、成膜装置30の成膜室36には、ITOのスパッタリングを実施するための領域およびそれに関連するターゲットや様々な手段が少なくとも設けられていればよい。この場合、ITOのスパッタリングを実施するための領域およびそれに関連するターゲットは、成膜装置30の任意の場所に設けられ得る。   As described above, the high refractive index film 14 and the low refractive index film 15 are not necessarily included in the stacked body 18. Therefore, the high refractive index film 14 and the low refractive index film 15 may not be formed on the base film 11. In this case, the film forming chamber 36 of the film forming apparatus 30 does not have to be provided with a region or a target related to the high refractive index film 14 and the low refractive index film 15. That is, the film forming chamber 36 of the film forming apparatus 30 only needs to be provided with at least a region for performing ITO sputtering, a target related thereto, and various means. In this case, the region for carrying out sputtering of ITO and the target related thereto can be provided in any place of the film forming apparatus 30.

次に、ITOのスパッタリングを実施するための第4領域34の構成について特に説明する。図3に示すように、第4領域34内には、第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の周囲の雰囲気に水蒸気を供給する水蒸気供給部34eと、第4領域34の水蒸気分圧を測定する測定部34cと、が設けられている。この場合、水蒸気供給部34eは、測定部34cによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて、制御部34dにより制御されてもよい。   Next, the configuration of the fourth region 34 for performing ITO sputtering will be particularly described. As shown in FIG. 3, in the fourth region 34, the water vapor supply unit 34 e that supplies water vapor to the atmosphere around the fourth target 34 a and the base film 11, and the water vapor partial pressure in the fourth region 34 are measured. And a measurement unit 34c. In this case, the water vapor supply unit 34e may be controlled by the control unit 34d based on the measurement result of the water vapor partial pressure by the measurement unit 34c.

従来、ITOの成膜処理において、雰囲気の水蒸気分圧を制御することによって、成膜されるITOの結晶状態を制御できることが知られている。例えば、成膜処理時の水蒸気分圧が非常に小さい場合、微細な結晶粒からなる多結晶状態のITO膜が得られ、また、水蒸気分圧を大きくするにつれて、得られる結晶粒が大きくなることが知られている。また、成膜処理時の水蒸気分圧をさらに大きくすると、アモルファス状態のITO膜が得られることが知られている。ここで本実施の形態によれば、上述の測定部34c、制御部34dおよび水蒸気供給部34eを用いることにより、成膜処理時の第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の周囲の水蒸気分圧を所望の値に調整することができる。このことにより、基材フィルム11に設けられる、ITOからなる透明導電膜16の結晶状態を制御することができる。   Conventionally, it is known that in the ITO film formation process, the crystal state of the ITO film formed can be controlled by controlling the water vapor partial pressure of the atmosphere. For example, if the partial pressure of water vapor during the film formation process is very small, a polycrystalline ITO film consisting of fine crystal grains can be obtained, and the crystal grains obtained increase as the partial pressure of water vapor increases. It has been known. Further, it is known that an amorphous ITO film can be obtained by further increasing the water vapor partial pressure during the film forming process. Here, according to the present embodiment, by using the measurement unit 34c, the control unit 34d, and the water vapor supply unit 34e described above, the water vapor partial pressure around the fourth target 34a and the base film 11 during the film forming process is reduced. It can be adjusted to a desired value. Thereby, the crystal state of the transparent conductive film 16 made of ITO provided on the base film 11 can be controlled.

水蒸気供給部34eの具体的な構成は特に限られないが、例えば図6に示すように、水蒸気供給部34eは、所定の蒸気圧で水蒸気が充填された供給タンク34hと、バルブ34iを介して供給タンク34hに接続され、第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の近傍まで延びる水蒸気供給管34fと、を有していてもよい。水蒸気供給管34fには、図6に示すように、水蒸気供給管34f内の水蒸気を吐出する複数の開口部34gが形成されており、これによって、第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の周囲の雰囲気に、圧力が調整された水蒸気を供給することができる。なお図6において一点鎖線で示すように、アルゴンなどの不活性ガスが所定の圧力で充填されたガスタンク34jがバルブ34kを介して水蒸気供給管34fにさらに接続されていてもよい。これによって、水蒸気とともに不活性ガスを第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の周囲の雰囲気に供給することができる。   Although the specific configuration of the water vapor supply unit 34e is not particularly limited, for example, as shown in FIG. 6, the water vapor supply unit 34e includes a supply tank 34h filled with water vapor at a predetermined vapor pressure and a valve 34i. A steam supply pipe 34f connected to the supply tank 34h and extending to the vicinity of the fourth target 34a and the base film 11 may be included. As shown in FIG. 6, the water vapor supply pipe 34 f is formed with a plurality of openings 34 g for discharging the water vapor in the water vapor supply pipe 34 f, whereby the surroundings of the fourth target 34 a and the base film 11 are formed. Water vapor whose pressure is adjusted can be supplied to the atmosphere. In addition, as shown with a dashed-dotted line in FIG. 6, the gas tank 34j with which inert gas, such as argon, was filled with the predetermined pressure may further be connected to the water vapor supply pipe 34f via the valve 34k. Thereby, an inert gas can be supplied together with water vapor to the atmosphere around the fourth target 34 a and the base film 11.

また図示はしないが、成膜室36の各領域31〜34において成膜される膜14〜16の原料となり得る成分を含むガス、例えば酸素ガスを各領域31〜34のターゲット31a〜34aおよび基材フィルム11の周囲に供給するガス供給機構がさらに設けられていてもよい。これによって、成膜条件のさらなる調整を行うことができ、このことにより、より効率的に高品質の膜14〜16を得ることができる。各領域31〜34にガスを供給する方法は特には限られないが、例えば第4領域34に酸素ガスを供給する場合、酸素ガスを供給するタンクを上述の水蒸気供給管34fにさらに接続することによって、酸素ガスを第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の周囲に供給してもよい。   Although not shown, a gas containing a component that can be a raw material for the films 14 to 16 formed in each of the regions 31 to 34 of the film forming chamber 36, for example, oxygen gas is used as the target 31 a to 34 a and the base of each region 31 to 34. A gas supply mechanism that supplies the material film 11 to the periphery thereof may be further provided. As a result, the film forming conditions can be further adjusted, whereby the high-quality films 14 to 16 can be obtained more efficiently. A method for supplying gas to each of the regions 31 to 34 is not particularly limited. For example, when oxygen gas is supplied to the fourth region 34, a tank for supplying oxygen gas is further connected to the above-described water vapor supply pipe 34f. Thus, oxygen gas may be supplied around the fourth target 34 a and the base film 11.

(アニール装置)
次に図4を参照して、成膜装置30の下流側に設けられたアニール装置40について説明する。図4に示すように、アニール装置40は、アニール処理が実施されるアニール室41と、搬送される基材フィルム11を案内するガイドローラー49と、アニール室41の内部の気体を外部に排出するアニール用排気機構42と、アニール室41の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整する水蒸気調整機構44と、アニール室41の内部に設けられ、所定のアニール温度で透明導電膜16を加熱する加熱機構45と、を備えている。図示はしないが、アニール処理中にアルゴンなどの不活性ガスをアニール室41内に導入する不活性ガス供給装置がアニール装置40に設けられていてもよい。なおアニール装置40および上述の成膜装置30は、基材フィルム11が成膜装置30の成膜室31からアニール装置40のアニール室41に至るまでの間、基材フィルム11の周囲の雰囲気が真空状態に保たれるよう構成されている。このため、真空状態の中で上述の成膜処理および後述するアニール処理を連続して実施することができる。
(Annealing equipment)
Next, with reference to FIG. 4, the annealing apparatus 40 provided in the downstream of the film-forming apparatus 30 is demonstrated. As shown in FIG. 4, the annealing apparatus 40 discharges the gas in the annealing chamber 41 to the outside, the annealing chamber 41 in which the annealing process is performed, the guide roller 49 that guides the substrate film 11 being conveyed. An annealing exhaust mechanism 42, a water vapor adjusting mechanism 44 for adjusting the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 within a predetermined range, and the annealing chamber 41 are provided to heat the transparent conductive film 16 at a predetermined annealing temperature. And a heating mechanism 45. Although not shown, the annealing apparatus 40 may be provided with an inert gas supply device that introduces an inert gas such as argon into the annealing chamber 41 during the annealing process. In the annealing apparatus 40 and the above-described film forming apparatus 30, the atmosphere around the base film 11 is in the range from the film forming chamber 31 of the film forming apparatus 30 to the annealing chamber 41 of the annealing apparatus 40. It is configured to be kept in a vacuum state. For this reason, the above-mentioned film-forming process and the annealing process mentioned later can be implemented continuously in a vacuum state.

本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、一例として後述する実施例での実験結果で支持されているように、アニール処理の際にアニール室41の内部に存在する水蒸気が、アニール後の透明導電膜16の特性に大きな影響を及ぼすことを見出した。具体的には、アニール処理の際にアニール室41の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整することにより、80〜120℃の範囲内の低いアニール温度であっても、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を有する多結晶状態の透明導電膜16を短時間で得ることができる、ということを見出した。このような効果は、従来の技術水準からは予測され得ない効果であると考える。   As a result of repeated extensive experiments conducted by the inventors of the present invention, water vapor present in the annealing chamber 41 during the annealing treatment is transparent after annealing, as supported by the experimental results in the examples described later as an example. It has been found that the characteristics of the conductive film 16 are greatly affected. Specifically, by adjusting the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 within a predetermined range during the annealing treatment, even when the annealing temperature is low within the range of 80 to 120 ° C., low electrical resistivity and It has been found that a polycrystalline transparent conductive film 16 having high chemical resistance can be obtained in a short time. Such an effect is considered to be an effect that cannot be predicted from the prior art.

以下、アニール装置40の各構成要素について説明する。   Hereinafter, each component of the annealing apparatus 40 will be described.

アニール用真空排気機構42としては、アニール処理の前にアニール室41の内部の気体をいったん外部に排出してアニール室41の内部雰囲気を真空状態にするための真空ポンプなどが用いられる。アニール用真空排気機構42としては、アニール処理の際に不純物が透明導電膜16に不適切に添加されないような真空度を達成することができるアニール用真空排気機構42が用いられるが、例えば、アニール室41の内部の全圧を1×10−3Pa以下にすることができるアニール用真空排気機構42が用いられる。以下の記述において、アニール室41内において水蒸気以外の気体による圧力が1×10−3Pa以下となっている状態を、アニール装置40における「真空状態」と称する。なお、所望の真空度を達成するために用いられる真空ポンプの台数や種類が限られることはなく、複数の真空ポンプが組み合わせて用いられ得る。 As the vacuum evacuation mechanism 42 for annealing, a vacuum pump or the like for exhausting the gas inside the annealing chamber 41 to the outside once before the annealing treatment to make the atmosphere inside the annealing chamber 41 into a vacuum state is used. The annealing evacuation mechanism 42 is an annealing evacuation mechanism 42 that can achieve a degree of vacuum so that impurities are not improperly added to the transparent conductive film 16 during the annealing process. An annealing vacuum evacuation mechanism 42 that can reduce the total pressure inside the chamber 41 to 1 × 10 −3 Pa or less is used. In the following description, a state in which the pressure by a gas other than water vapor is 1 × 10 −3 Pa or less in the annealing chamber 41 is referred to as “vacuum state” in the annealing apparatus 40. The number and types of vacuum pumps used to achieve a desired degree of vacuum are not limited, and a plurality of vacuum pumps can be used in combination.

水蒸気調整手段44は、図4に示すように、アニール室41の内部の水蒸気を凝縮または吸着させて捕捉する水蒸気捕捉部44cと、アニール室41の内部の水蒸気分圧を測定する測定部44aと、を含んでいる。水蒸気捕捉部44cは、アニール室41の内部の水蒸気分圧が例えば1×10−4Pa以上となるよう、より好ましくは3×10−4Pa以上となるよう、測定部44aによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて、制御部44bにより制御される。なお本実施の形態において、アニール処理の際の適切な水蒸気分圧に関して、下限の値だけでなく上限の値が定められていてもよい。例えば、水蒸気捕捉部44cは、アニール室41の内部の水蒸気分圧が40×10−4Pa以下となるよう、より好ましくは10×10−4Pa以下となるよう、制御部44bにより制御されてもよい。 As shown in FIG. 4, the water vapor adjusting means 44 includes a water vapor capturing part 44c that condenses or adsorbs the water vapor inside the annealing chamber 41 and captures it, and a measurement part 44a that measures the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41. , Including. The water vapor capturing part 44c has a water vapor partial pressure of the measuring part 44a so that the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 is, for example, 1 × 10 −4 Pa or more, more preferably 3 × 10 −4 Pa or more. Based on the measurement result, it is controlled by the controller 44b. In the present embodiment, not only the lower limit value but also the upper limit value may be set for an appropriate water vapor partial pressure during the annealing process. For example, the water vapor capturing unit 44c is controlled by the control unit 44b so that the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 is 40 × 10 −4 Pa or less, more preferably 10 × 10 −4 Pa or less. Also good.

水蒸気捕捉部44cの具体的な構成が特に限られることはないが、例えば水蒸気捕捉部44cは、水蒸気を凝縮させ得る程度の温度に調整された低温面を有するクライオパネルからなっている。クライオパネルは、図示はしないが、冷凍機によって所定の温度に冷却された低温パネルを含んでおり、この低温パネルによってアニール室41の内部に存在する気体を凝縮させることにより、気体が捕捉される。なお水蒸気は、酸素、窒素やアルゴンなどの気体に比べて比較的高温で凝縮する。このため、クライオパネルの低温パネルの温度を、酸素、窒素やアルゴンなどの気体は凝縮しないが水蒸気は凝縮する温度に調整することによって、アニール室41の内部に存在する気体のうち水蒸気のみを選択的に捕捉することができる。従って、クライオパネルの低温パネルの温度を適宜調整することにより、アニール室41の内部に存在する水蒸気のうち低温パネルに捕捉される水蒸気の量(捕捉量)を調整することができ、これによって、アニール室41の内部の水蒸気分圧を所望の値に調整することができる。   The specific configuration of the water vapor capturing unit 44c is not particularly limited. For example, the water vapor capturing unit 44c includes a cryopanel having a low-temperature surface adjusted to a temperature at which water vapor can be condensed. Although not shown, the cryopanel includes a low-temperature panel cooled to a predetermined temperature by a refrigerator, and the gas is captured by condensing the gas existing in the annealing chamber 41 by the low-temperature panel. . Water vapor condenses at a relatively high temperature compared to gases such as oxygen, nitrogen, and argon. For this reason, by adjusting the temperature of the cryopanel at a low temperature panel to a temperature at which gas such as oxygen, nitrogen and argon is not condensed but water vapor is condensed, only water vapor is selected from the gases existing in the annealing chamber 41. Can be captured. Therefore, by appropriately adjusting the temperature of the cryopanel of the cryopanel, the amount of water vapor (capture amount) captured by the low-temperature panel among the water vapor present in the annealing chamber 41 can be adjusted. The water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 can be adjusted to a desired value.

水蒸気分圧を測定する測定部44aの具体的な構成が特に限られることはないが、例えば測定部44aは、真空中に存在する気体の種類および各気体の圧力を計測する四重極ガス分析装置からなっている。   Although the specific configuration of the measurement unit 44a that measures the water vapor partial pressure is not particularly limited, for example, the measurement unit 44a performs a quadrupole gas analysis that measures the type of gas present in the vacuum and the pressure of each gas. It consists of a device.

加熱機構45の具体的な構成は、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16を均一に加熱することができる限りにおいて特に限定されるものではない。例えば加熱機構45は、成膜装置30の場合と同様に、基材フィルム11が巻き付けられるアニール用搬送ドラム46であって、その表面が所定のアニール温度に加熱されたアニール用搬送ドラム46を有している。アニール用搬送ドラム46の表面を加熱するための具体的な構成が特に限られることはない。例えば図7に示すように、アニール用搬送ドラム46が表面部分46aと中空部分46bとからなる場合、アニール用搬送ドラム46の表面部分46aを内側から加熱するドラム加熱手段47が設けられていてもよい。ドラム加熱手段47は、例えば、表面部分46aに隣接して設けられ、熱媒47bを循環させる熱媒循環路47aと、熱媒47bをアニール温度に加熱する熱媒加熱手段(図示せず)と、を含んでいる。その他、ドラム加熱手段47として、アニール用搬送ドラム46の内部に設けられた電熱線ヒーターなどが用いられてもよい。   The specific configuration of the heating mechanism 45 is not particularly limited as long as the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 can be uniformly heated. For example, the heating mechanism 45 includes an annealing transport drum 46 around which the base film 11 is wound, as in the film forming apparatus 30, and has an annealing transport drum 46 whose surface is heated to a predetermined annealing temperature. doing. The specific configuration for heating the surface of the annealing transport drum 46 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 7, when the annealing transport drum 46 includes a surface portion 46a and a hollow portion 46b, drum heating means 47 for heating the surface portion 46a of the annealing transport drum 46 from the inside may be provided. Good. The drum heating means 47 is provided, for example, adjacent to the surface portion 46a, and a heating medium circulation path 47a for circulating the heating medium 47b, and a heating medium heating means (not shown) for heating the heating medium 47b to the annealing temperature. , Including. In addition, as the drum heating unit 47, a heating wire heater or the like provided inside the annealing conveyance drum 46 may be used.

(巻取装置)
次に図5を参照して、巻取装置50について説明する。巻取装置50は、回転自在に設けられ、基材フィルム11および透明導電膜16などの膜を含む積層体18を巻き取るシャフト51と、シャフト51に向けて搬送される基材フィルム11を案内するガイドローラー59と、を備えている。また図5に示すように、巻取装置50の内部を真空状態に保つための排気手段52が設けられていてもよい。
(Winding device)
Next, the winding device 50 will be described with reference to FIG. The winding device 50 is rotatably provided, and guides the shaft 51 that winds up the laminate 18 including the base film 11 and the transparent conductive film 16, and the base film 11 that is conveyed toward the shaft 51. And a guide roller 59. Moreover, as shown in FIG. 5, the exhaust means 52 for keeping the inside of the winding device 50 in a vacuum state may be provided.

また、シャフト51近傍に、図5に示すニアローラー53が設けられていてもよい。ニアローラー53は、シャフト51に巻き取られている積層体18の最外面と、ニアローラー53のうちシャフト51に対向する面との間の距離が、積層体18の厚みよりもわずかに大きくなるよう構成されている。なお、シャフト51に巻き取られている積層体18の最外面の位置は、積層体18の巻き数が増えるにつれて変化する。この変化に対応するよう、ニアローラー53は移動可能に構成されている。このため、積層体18の巻き数に依らず、シャフト51に巻き取られている積層体18の最外面とニアローラー53との間の距離を常に一定に保つことができる。このようなニアローラー53を設けることにより、シャフト51に巻き取られる際の基材フィルム11にしわなどの凹凸が生じることを防ぐことができ、これによって、シャフト51に巻き取られている基材フィルム11同士が密着してしまう、いわゆるブロッキングが生じることを防ぐことができる。   Further, a near roller 53 shown in FIG. 5 may be provided in the vicinity of the shaft 51. In the near roller 53, the distance between the outermost surface of the laminate 18 wound around the shaft 51 and the surface of the near roller 53 facing the shaft 51 is slightly larger than the thickness of the laminate 18. It is configured as follows. It should be noted that the position of the outermost surface of the laminate 18 wound around the shaft 51 changes as the number of turns of the laminate 18 increases. The near roller 53 is configured to be movable so as to cope with this change. For this reason, the distance between the outermost surface of the laminated body 18 wound around the shaft 51 and the near roller 53 can be kept constant regardless of the number of windings of the laminated body 18. By providing such a near roller 53, it is possible to prevent the unevenness such as wrinkles from being generated in the base film 11 when being wound around the shaft 51, and thereby the base material wound around the shaft 51. It is possible to prevent so-called blocking that the films 11 are in close contact with each other.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、基材フィルム11上に形成された透明導電膜16を含む積層体18の製造方法について説明する。次に、積層体18をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。   Next, the operation and effect of the present embodiment having such a configuration will be described. Here, the manufacturing method of the laminated body 18 containing the transparent conductive film 16 formed on the base film 11 first is demonstrated. Next, a touch panel sensor obtained by patterning the laminate 18 will be described.

積層体の製造方法
(脱ガス工程)
はじめに、巻出装置20において、基材フィルム11が巻回されたシャフト21を準備し、次に、成膜装置30に向けて基材フィルム11を巻き出す。このとき、加熱機構22によって基材フィルム11を80〜120℃で加熱するとともに、排気手段24によって巻出装置20内の気体を外部に排出する。これによって、基材フィルム11に付着している水分や油分などの不純物が取り除かれる。
Laminate manufacturing method (degassing process)
First, in the unwinding device 20, the shaft 21 around which the base film 11 is wound is prepared, and then the base film 11 is unwound toward the film forming device 30. At this time, while heating the base film 11 at 80-120 degreeC with the heating mechanism 22, the gas in the unwinding apparatus 20 is discharged | emitted outside by the exhaust means 24. FIG. Thereby, impurities such as moisture and oil adhering to the base film 11 are removed.

(成膜工程)
次に、成膜装置30によって、基材フィルム11上に所望の膜を設ける成膜処理を実施する。成膜処理においては、はじめに、第1領域31において、スパッタリングによって、第1ターゲット31aを構成する原子を基材フィルム11上に付着させる。これによって、第1ターゲット31aを構成する酸化ニオブからなる高屈折率膜14が基材フィルム11上に設けられる。次に、第2領域32および第3領域33において、スパッタリングによって、第2ターゲット32aおよび第3ターゲット33aを構成する原子を基材フィルム11上に付着させる。これによって、第2ターゲット32aおよび第3ターゲット33aを構成する珪素からなる低屈折率膜15が高屈折率膜14上に設けられる。なお、スパッタリングの際の放電電力や放電時間、不活性ガスの分圧などの条件は、所望の膜厚や成膜用搬送ドラム38の回転速度などに応じて適宜設定される。
(Film formation process)
Next, a film forming process for providing a desired film on the base film 11 is performed by the film forming apparatus 30. In the film forming process, first, atoms constituting the first target 31 a are deposited on the base film 11 in the first region 31 by sputtering. Thereby, the high refractive index film 14 made of niobium oxide constituting the first target 31 a is provided on the base film 11. Next, in the second region 32 and the third region 33, atoms constituting the second target 32a and the third target 33a are attached on the base film 11 by sputtering. Thereby, the low refractive index film 15 made of silicon constituting the second target 32 a and the third target 33 a is provided on the high refractive index film 14. The conditions such as the discharge power, discharge time, and partial pressure of the inert gas during sputtering are appropriately set according to the desired film thickness, the rotation speed of the film-forming transport drum 38, and the like.

その後、第4領域34において、スパッタリングによって、第4ターゲット34aを構成する原子を低屈折率膜15上に付着させる。この場合、はじめに排気手段34bによって第4領域34の内部の気体を外部に排出し、これによって、第4領域34内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置(図示せず)によって第4領域34内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置(図示せず)によって第4ターゲット34aに放電電力を印加する。これによって、ITOなどの透明導電性材料からなる透明導電膜16を低屈折率膜15上に設けることができる。   Thereafter, in the fourth region 34, atoms constituting the fourth target 34a are deposited on the low refractive index film 15 by sputtering. In this case, first, the gas inside the fourth region 34 is discharged to the outside by the exhaust means 34b, and thereby the inside of the fourth region 34 is brought into a vacuum state. Next, an inert gas such as argon is introduced into the fourth region 34 by an inert gas supply device (not shown), and then discharge power is applied to the fourth target 34a by a discharge device (not shown). . Thus, the transparent conductive film 16 made of a transparent conductive material such as ITO can be provided on the low refractive index film 15.

好ましくは、透明導電膜16の成膜工程の際、成膜用搬送ドラム38によって基材フィルム11が所定の成膜温度、例えば−20〜50℃に調整される。   Preferably, during the film forming process of the transparent conductive film 16, the base film 11 is adjusted to a predetermined film forming temperature, for example, −20 to 50 ° C. by the film forming transport drum 38.

また好ましくは、透明導電膜16の成膜工程の際、水蒸気供給部34eによって第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の近傍に水蒸気を例えば数sccmで供給する。また、第4ターゲット34aおよび基材フィルム11の近傍に、透明導電膜16の原料となり得る成分を含むガス、例えば酸素ガスをさらに供給してもよい。これによって、成膜条件の最適化を行うことができ、このことにより、より効率的に高品質の透明導電膜16を得ることができる。この際の水蒸気分圧の値は、例えば3〜10×10−4Paの範囲内となっている。 Preferably, during the film forming process of the transparent conductive film 16, water vapor is supplied to the vicinity of the fourth target 34a and the base film 11 by, for example, several sccm by the water vapor supply unit 34e. Further, in the vicinity of the fourth target 34 a and the base film 11, a gas containing a component that can be a raw material for the transparent conductive film 16, for example, oxygen gas may be further supplied. As a result, the film formation conditions can be optimized, whereby the high-quality transparent conductive film 16 can be obtained more efficiently. At this time, the value of the water vapor partial pressure is, for example, in the range of 3 to 10 × 10 −4 Pa.

(アニール工程)
次に、アニール装置40によって、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16を加熱してアニール処理を実施する。アニール処理においては、はじめに、アニール用真空排気機構42によってアニール室41の内部の気体を外部に排出する(排気工程)。例えば、アニール室41の内部に存在する気体のうち水蒸気以外の気体による圧力が1×10−3Pa以下となるよう、アニール用真空排気機構42を駆動させる。その後、水蒸気調整機構44によって、アニール室41の内部の水蒸気分圧を1×10−4Pa〜40×10−4Paの範囲内に調整する(水蒸気調整工程)。水蒸気調整工程において、測定部44aは、アニール室41の内部の水蒸気分圧を測定する(測定工程)。また水蒸気捕捉部44cは、測定部44aによる測定結果(測定工程における測定結果)に基づいて、アニール室41の内部の水蒸気の捕捉量を調整する(水蒸気捕捉工程)。次に、アルゴンガスなどの不活性ガスを、全圧が1Pa以下となる範囲内でアニール室41に導入する。
(Annealing process)
Next, the annealing process is performed by heating the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 by the annealing device 40. In the annealing process, first, the gas inside the annealing chamber 41 is exhausted to the outside by the annealing vacuum exhaust mechanism 42 (exhaust process). For example, the annealing evacuation mechanism 42 is driven so that the pressure of a gas other than water vapor in the annealing chamber 41 is 1 × 10 −3 Pa or less. Thereafter, the steam adjusting mechanism 44 to adjust the internal water vapor partial pressure of the annealing chamber 41 in the range of 1 × 10 -4 Pa~40 × 10 -4 Pa ( steam adjustment step). In the water vapor adjustment step, the measurement unit 44a measures the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 (measurement step). Further, the water vapor capturing unit 44c adjusts the amount of water vapor trapped inside the annealing chamber 41 based on the measurement result (measurement result in the measurement process) by the measurement unit 44a (water vapor capturing step). Next, an inert gas such as argon gas is introduced into the annealing chamber 41 within a range where the total pressure is 1 Pa or less.

その後、アニール室41の内部において透明導電膜16を所定のアニール温度で加熱する(加熱工程)。アニール温度は、80〜120℃の範囲内の所定温度、例えば100℃に設定されている。透明導電膜16をアニール温度で加熱することにより、透明導電膜16の結晶化が進行する。これによって、得られる透明導電膜16の電気抵抗率を低くするとともに、耐薬品性を高くすることができる。   Thereafter, the transparent conductive film 16 is heated at a predetermined annealing temperature in the annealing chamber 41 (heating step). The annealing temperature is set to a predetermined temperature within the range of 80 to 120 ° C., for example, 100 ° C. By heating the transparent conductive film 16 at the annealing temperature, crystallization of the transparent conductive film 16 proceeds. Thereby, the electrical resistivity of the obtained transparent conductive film 16 can be lowered and the chemical resistance can be increased.

好ましくは、アニール処理の間、アニール用搬送ドラム46は連続的に回転されている。このため、アニール用搬送ドラム46の回転を停止させた上でアニール処理を実施する場合に比べて、アニール処理済みの透明導電膜16をより効率的に製造することができる。この場合、透明導電膜16が加熱される時間は、アニール用搬送ドラム46の回転周期に応じて決定される。例えば、図4に示すように透明導電膜16がアニール用搬送ドラム46のほぼ1周にわたって巻きつけられている場合、透明導電膜16は、アニール用搬送ドラム46が1周するのに要する時間の間だけアニール用搬送ドラム46によって加熱されることになる。例えばアニール用搬送ドラム46の回転周期が約10分/回転の場合、透明導電膜16は約10分間にわたって加熱される。   Preferably, the annealing transfer drum 46 is continuously rotated during the annealing process. For this reason, the transparent conductive film 16 that has been annealed can be more efficiently manufactured as compared with the case where the annealing process is performed after the rotation of the annealing transport drum 46 is stopped. In this case, the time during which the transparent conductive film 16 is heated is determined according to the rotation period of the annealing transport drum 46. For example, as shown in FIG. 4, when the transparent conductive film 16 is wound over almost one turn of the annealing transfer drum 46, the transparent conductive film 16 has a time required for one turn of the annealing transfer drum 46. It is heated by the conveying drum 46 for annealing only for the time. For example, when the rotation period of the annealing transfer drum 46 is about 10 minutes / rotation, the transparent conductive film 16 is heated for about 10 minutes.

なお、図1に示すように成膜装置30とアニール装置40とが直列に接続されており、また、アニール用搬送ドラム46の直径が予め定められている場合、アニール用搬送ドラム46の回転周期は、成膜装置30における基材フィルム11の搬送速度と一対一で対応している。例えばアニール用搬送ドラム46の円周長が約3mであり、回転速度が約10分/回転である場合、成膜装置30における基材フィルム11の搬送速度は約0.3m/分となっている。   As shown in FIG. 1, when the film forming apparatus 30 and the annealing apparatus 40 are connected in series and the diameter of the annealing transfer drum 46 is predetermined, the rotation cycle of the annealing transfer drum 46 is set. Corresponds one-to-one with the conveyance speed of the base film 11 in the film forming apparatus 30. For example, when the circumferential length of the annealing transfer drum 46 is about 3 m and the rotation speed is about 10 minutes / rotation, the transfer speed of the base film 11 in the film forming apparatus 30 is about 0.3 m / min. Yes.

(巻取工程)
その後、巻取装置50において、基材フィルム11と、基材フィルム11上に形成された透明導電膜16などの複数の膜と、を含む積層体18が、シャフト51によって巻き取られる。これによって、積層体18の巻回体が得られる。
(Winding process)
Thereafter, in the winding device 50, the laminate 18 including the base film 11 and a plurality of films such as the transparent conductive film 16 formed on the base film 11 is wound by the shaft 51. Thereby, a wound body of the laminate 18 is obtained.

タッチパネルセンサの製造方法
次に、積層体18の用途の一例として、積層体18をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。タッチパネルセンサ60は、液晶表示パネルや有機EL表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。タッチパネルセンサ60としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のタッチパネルセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のタッチパネルセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体18をパターニングすることによって静電容量方式のタッチパネルセンサ60を形成する例について、図9および図10を参照して説明する。図9は、タッチパネルセンサ60を示す平面図であり、図10は、図9に示すタッチパネルセンサ60の線X−Xに沿った断面図である。なお図9および図10においては、2つの積層体18をそれぞれ別個にパターニングすることにより、第1方向に延びる透明導電パターンを含むタッチパネルセンサと、第1方向に直交する第2方向に延びる透明導電パターンを含むタッチパネルセンサとをそれぞれ形成し、その後、2つのタッチパネルセンサを貼り合わせることにより、第1方向および第2方向に延びる透明導電パターンを含むタッチパネルセンサが得られる例について説明する。
Manufacturing method for a touch panel sensor Next, as an example of the application of the laminate 18, will be described touch panel sensor obtained by patterning a laminate 18. The touch panel sensor 60 is a sensor that is provided on the viewer side of a display panel such as a liquid crystal display panel or an organic EL display panel, and includes a transparent conductive pattern for detecting a contact position of a detection target such as a human body. As the touch panel sensor 60, a resistive touch panel sensor that detects a touch location based on a pressure from a detection target, or a capacitance type touch detection that detects a touch location based on static electricity from a detection target such as a human body. Various types of touch panel sensors and the like are known. Here, an example in which the capacitive touch panel sensor 60 is formed by patterning the stacked body 18 will be described with reference to FIGS. 9 and 10. To do. FIG. 9 is a plan view showing the touch panel sensor 60, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line XX of the touch panel sensor 60 shown in FIG. In FIGS. 9 and 10, the two stacked bodies 18 are separately patterned, so that the touch panel sensor including the transparent conductive pattern extending in the first direction and the transparent conductive extending in the second direction orthogonal to the first direction are used. An example in which a touch panel sensor including a transparent conductive pattern extending in a first direction and a second direction is obtained by forming a touch panel sensor including a pattern and then bonding the two touch panel sensors together will be described.

図10に示すように、タッチパネルセンサ60は、上側に位置する第1タッチパネルセンサ60Aと、下側に位置する第2タッチパネルセンサ60と、を含んでいる。第1タッチパネルセンサ60Aと第2タッチパネルセンサ60Bとは、例えば接着層19によって貼り合わされている。各タッチパネルセンサ60A,60Bは、基材フィルム11、高屈折率膜14および低屈折率膜15上に所定のパターンで設けられた複数の透明導電パターン62を有している。図9に示す例において、透明導電パターン62は、第1タッチパネルセンサ60Aに包含される横方向(第1方向)に延びるパターンと、第2タッチパネルセンサ60に包含される縦方向(第2方向)に延びるパターンとからなっている。なお図9において、下側に設けられた透明導電パターン62が点線で表されている。図10に示すように、各透明導電パターン62は、積層体18の透明導電膜16をパターニングすることにより得られるものである。透明導電膜16をパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。   As shown in FIG. 10, the touch panel sensor 60 includes a first touch panel sensor 60A located on the upper side and a second touch panel sensor 60 located on the lower side. The first touch panel sensor 60A and the second touch panel sensor 60B are bonded together by, for example, the adhesive layer 19. Each touch panel sensor 60A, 60B has a plurality of transparent conductive patterns 62 provided in a predetermined pattern on the base film 11, the high refractive index film 14, and the low refractive index film 15. In the example shown in FIG. 9, the transparent conductive pattern 62 includes a pattern extending in the horizontal direction (first direction) included in the first touch panel sensor 60 </ b> A and a vertical direction (second direction) included in the second touch panel sensor 60. The pattern extends to In FIG. 9, the transparent conductive pattern 62 provided on the lower side is represented by a dotted line. As shown in FIG. 10, each transparent conductive pattern 62 is obtained by patterning the transparent conductive film 16 of the laminate 18. As a method for patterning the transparent conductive film 16, for example, a photolithography method is used.

また図9に示すように、各タッチパネルセンサ60A,60Bは、各透明導電パターン62に接続された取出パターン64と、各取出パターン64に接続され、各透明導電パターン62からの信号を外部へ取り出すための端子部65と、をさらに有していてもよい。これら取出パターン64および端子部65は、タッチパネルセンサ60のうち表示パネルからの映像光が通過しない領域、いわゆる額縁領域に配置されている。このため、取出パターン64および端子部65を構成する材料が透明性を有する必要はない。従って、取出パターン64および端子部65は一般に、透明導電パターン62を構成する透明導電性材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。   As shown in FIG. 9, each touch panel sensor 60 </ b> A, 60 </ b> B is connected to each extraction pattern 64 connected to each transparent conductive pattern 62, and takes out a signal from each transparent conductive pattern 62 to the outside. And a terminal portion 65 may be further included. The extraction pattern 64 and the terminal portion 65 are arranged in a region of the touch panel sensor 60 where image light from the display panel does not pass, that is, a so-called frame region. For this reason, the material which comprises the extraction pattern 64 and the terminal part 65 does not need to have transparency. Therefore, the extraction pattern 64 and the terminal portion 65 are generally made of a metal material having a higher electrical conductivity than the transparent conductive material constituting the transparent conductive pattern 62.

このような取出パターン64および端子部65を形成する方法が特に限られることはなく、フォトリソグラフィー法や印刷法が適宜用いられる。例えば、はじめに積層体18の透明導電膜16上に金属材料層(図示せず)を形成し、次に、フォトリソグラフィー法を用いて金属材料層および透明導電膜16を順次または同時にエッチングすることにより、取出パターン64および端子部65と透明導電パターン62とが形成されてもよい。この場合、図10に示すように、取出パターン64と低屈折率膜15との間に透明導電パターン62が介在されていてもよい。これによって、透明導電パターン62からの信号を取り出す際の電気抵抗をより小さくすることができる。なお、表示パネルからの映像光が通過する領域にある透明導電パターン62上に残っている金属材料層を取り除くためのエッチングにおいては、エッチング液として、金属材料層のみを選択的に溶解させるエッチング液が用いられる。この場合、透明導電膜16には、当該エッチング液に対する高い耐薬品性を有していることが求められる。   The method of forming such extraction patterns 64 and terminal portions 65 is not particularly limited, and a photolithography method or a printing method is appropriately used. For example, a metal material layer (not shown) is first formed on the transparent conductive film 16 of the laminate 18, and then the metal material layer and the transparent conductive film 16 are sequentially or simultaneously etched using a photolithography method. The extraction pattern 64 and the terminal part 65 and the transparent conductive pattern 62 may be formed. In this case, as shown in FIG. 10, a transparent conductive pattern 62 may be interposed between the extraction pattern 64 and the low refractive index film 15. As a result, the electrical resistance at the time of taking out a signal from the transparent conductive pattern 62 can be further reduced. In the etching for removing the metal material layer remaining on the transparent conductive pattern 62 in the region through which the image light from the display panel passes, an etchant that selectively dissolves only the metal material layer is used as an etchant. Is used. In this case, the transparent conductive film 16 is required to have high chemical resistance against the etching solution.

本実施の形態によれば、上述のように、アニール処理の際、真空状態に保たれたアニール室41において、水蒸気分圧が1×10−4Pa以上に調整されている。これによって、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16の結晶化を促進することができ、このため、アニール温度が低い場合であっても、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を有する多結晶状態の透明導電膜16を短時間で得ることができる。このことにより、耐熱性の低い基材フィルム11が用いられる場合であっても、効率良く透明導電膜16を製造することができる。このため本実施の形態によれば、線膨張係数が大きい非晶質ポリマーなど、高温にすることによって特性が劣化する材料からなる合成樹脂層12を含む基材フィルム11を用いることが可能となっている。このことにより、シクロオレフィンポリマーなどの、耐熱性は低いが高い透光性とともに低い吸湿性を有する材料を用いることができる。 According to the present embodiment, as described above, the partial pressure of water vapor is adjusted to 1 × 10 −4 Pa or more in the annealing chamber 41 kept in a vacuum state during the annealing process. Thereby, crystallization of the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 can be promoted, and therefore, even when the annealing temperature is low, it has low electrical resistivity and high chemical resistance. A polycrystalline transparent conductive film 16 can be obtained in a short time. Thereby, even if it is a case where the base film 11 with low heat resistance is used, the transparent conductive film 16 can be manufactured efficiently. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to use the base film 11 including the synthetic resin layer 12 made of a material whose characteristics are deteriorated by increasing the temperature, such as an amorphous polymer having a large linear expansion coefficient. ing. This makes it possible to use a material that has low heat resistance but low light absorption as well as low heat resistance, such as a cycloolefin polymer.

比較の形態
次に、本実施の形態の効果を、比較の形態と比較して説明する。図11は、比較の形態における膜製造装置110を示す図である。
The comparative embodiment Next, the effect of this embodiment will be described in comparison with a comparative embodiment. FIG. 11 is a diagram showing a film manufacturing apparatus 110 according to a comparative embodiment.

図11に示す膜製造装置は、アニール装置におけるアニール処理の際の水蒸気分圧が1×10−4Pa以上に調整されていない点が異なるのみであり、他の構成は、図1乃至図10に示す第1の実施の形態と略同一である。図11に示す比較の形態において、図1乃至図10に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。 The film manufacturing apparatus shown in FIG. 11 is different only in that the water vapor partial pressure in the annealing process in the annealing apparatus is not adjusted to 1 × 10 −4 Pa or more. This is substantially the same as the first embodiment shown in FIG. In the comparison form shown in FIG. 11, the same parts as those in the first embodiment shown in FIGS.

図11に示す比較の形態による膜製造装置110において、アニール装置140は、水蒸気を含む全ての気体を外部に排出した状態でアニール処理を実施するよう構成されている。すなわち、アニール装置140は、アニール処理中の水蒸気分圧を1×10−4Pa以上に調整するようには構成されていない。例えば比較の形態においては、アニール処理中の水蒸気分圧が1×10−4Paよりも小さくなっており、また、水蒸気以外の気体による圧力が1×10−3Pa以下となっている。従って、比較の形態においては、アニール処理によって透明導電膜16を結晶化させるために要する時間が長くなっており、例えば1時間となっている。このため、図11に示すように成膜装置30とアニール装置140とが直列に接続されている場合、アニール装置140によるアニール処理を長時間にわたって透明導電膜16に対して施すため、アニール用搬送ドラム46の回転を一時的に停止させた上でアニール処理を実施することになる。若しくは、成膜装置30における基材フィルム11の搬送速度とアニール装置140における基材フィルム11の搬送速度とを一致させながら、アニール装置140における透明導電膜16の滞在時間を長くするため、図11に示すようにアニール装置140のアニール用搬送ドラム46の直径を大きくすることになる。前者のようにアニール用搬送ドラム46の回転を一時的に停止させる場合、透明導電膜16の生産効率が低下してしまう。一方、後者のようにアニール装置140のアニール用搬送ドラム46の直径を大きくする場合、アニール装置140の寸法が大きくなり、装置のレイアウトが困難になるとともに装置のコストが上昇してしまう。 In the film manufacturing apparatus 110 according to the comparative example shown in FIG. 11, the annealing apparatus 140 is configured to perform the annealing process in a state where all the gas including water vapor is discharged to the outside. That is, the annealing apparatus 140 is not configured to adjust the water vapor partial pressure during the annealing process to 1 × 10 −4 Pa or more. For example, in the comparative form, the partial pressure of water vapor during the annealing treatment is smaller than 1 × 10 −4 Pa, and the pressure due to a gas other than water vapor is 1 × 10 −3 Pa or less. Therefore, in the comparative form, the time required to crystallize the transparent conductive film 16 by the annealing process is long, for example, 1 hour. For this reason, as shown in FIG. 11, when the film forming apparatus 30 and the annealing apparatus 140 are connected in series, the annealing process by the annealing apparatus 140 is performed on the transparent conductive film 16 for a long time. The annealing process is performed after the rotation of the drum 46 is temporarily stopped. Alternatively, in order to increase the residence time of the transparent conductive film 16 in the annealing device 140 while matching the transport speed of the base film 11 in the film forming device 30 and the transport speed of the base film 11 in the annealing device 140, FIG. As shown, the diameter of the annealing transfer drum 46 of the annealing apparatus 140 is increased. When the rotation of the annealing transfer drum 46 is temporarily stopped as in the former case, the production efficiency of the transparent conductive film 16 is lowered. On the other hand, when the diameter of the annealing transfer drum 46 of the annealing apparatus 140 is increased as in the latter case, the dimensions of the annealing apparatus 140 are increased, which makes the layout of the apparatus difficult and increases the cost of the apparatus.

これに対して本実施の形態によれば、上述のように、アニール処理中の水蒸気分圧が1×10−4Pa以上に調整されるようアニール装置40が構成されている。このため、アニール温度が低い場合であっても、多結晶状態の透明導電膜16を短時間で得ることができる。すなわち、アニール装置40に透明導電膜16を長時間にわたって滞在させる必要がない。このため、アニール装置40のアニール用搬送ドラム46の直径を比較の形態の場合ほど大きくすることなく、成膜装置30における基材フィルム11の搬送速度とアニール装置40における基材フィルム11の搬送速度とを一致させることができる。このことにより、アニール装置40のレイアウトを容易にし、また、アニール装置40のコストを抑制することができる。 On the other hand, according to the present embodiment, as described above, the annealing apparatus 40 is configured so that the water vapor partial pressure during the annealing process is adjusted to 1 × 10 −4 Pa or more. Therefore, even when the annealing temperature is low, the polycrystalline transparent conductive film 16 can be obtained in a short time. That is, it is not necessary to make the transparent conductive film 16 stay in the annealing device 40 for a long time. Therefore, the conveying speed of the base film 11 in the film forming apparatus 30 and the conveying speed of the base film 11 in the annealing apparatus 40 are increased without increasing the diameter of the annealing transport drum 46 of the annealing apparatus 40 as in the comparative embodiment. Can be matched. As a result, the layout of the annealing apparatus 40 can be facilitated, and the cost of the annealing apparatus 40 can be suppressed.

なお本実施の形態において、アニール室41の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整する水蒸気調整機構44が、アニール室41の内部の水蒸気を凝縮または吸着させて捕捉する水蒸気捕捉部44cを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、水蒸気調整手段44は、図4において一点鎖線で示すように、水蒸気捕捉部44cに加えて、アニール室41に水蒸気を供給する水蒸気供給部44dを有していてもよい。この場合、はじめに水蒸気捕獲部44cが、アニール室41の内部の水蒸気を可能な限り捕捉し、これによってアニール室41の水蒸気分圧を可能な限りゼロに近づける。次に、水蒸気供給部44dが、アニール室41の内部に水蒸気を供給する(水蒸気供給工程)。この際、測定部44aによる水蒸気分圧の測定結果(測定工程における測定結果)に基づいて制御部44bが水蒸気供給部44dを制御することにより、アニール処理の際にアニール室41の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整することができる。水蒸気供給部44dの具体的な構成が特に限られることはないが、例えば、水蒸気供給部44dとして、図6に示す第1の実施の形態における水蒸気供給部34eと略同一のものが用いられ得る。また水蒸気供給部44dとして、図示はしないが、水蒸気供給源と、水蒸気供給源とアニール室41との間に配置され、水蒸気供給源からアニール室41へ供給される水蒸気の流量を調整するマスフローコントローラーと、の組合せが用いられてもよい。   In the present embodiment, the water vapor adjusting mechanism 44 that adjusts the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 within a predetermined range includes a water vapor capturing portion 44c that condenses or adsorbs water vapor inside the annealing chamber 41 and captures it. An example is shown. However, the present invention is not limited to this, and the water vapor adjusting means 44 has a water vapor supply unit 44d for supplying water vapor to the annealing chamber 41 in addition to the water vapor capturing unit 44c, as shown by a one-dot chain line in FIG. May be. In this case, the water vapor capturing unit 44c first captures the water vapor inside the annealing chamber 41 as much as possible, and thereby makes the water vapor partial pressure in the annealing chamber 41 as close to zero as possible. Next, the water vapor supply unit 44d supplies water vapor into the annealing chamber 41 (water vapor supply step). At this time, the control unit 44b controls the water vapor supply unit 44d based on the measurement result of the water vapor partial pressure by the measurement unit 44a (measurement result in the measurement process), so that the water vapor content inside the annealing chamber 41 during the annealing process. The pressure can be adjusted within a predetermined range. The specific configuration of the water vapor supply unit 44d is not particularly limited. For example, the water vapor supply unit 44d may be substantially the same as the water vapor supply unit 34e in the first embodiment shown in FIG. . Although not shown, the water vapor supply unit 44d is a mass flow controller that is disposed between the water vapor supply source and the water vapor supply source and the annealing chamber 41 and adjusts the flow rate of water vapor supplied from the water vapor supply source to the annealing chamber 41. A combination of and may also be used.

また本実施の形態において、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16を加熱するための加熱機構45が、基材フィルム11が巻き付けられるアニール用搬送ドラム46からなる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、例えば図12に示すように、加熱機構45が、搬送される基材フィルム11に沿って設けられ、基材フィルム11の搬送方向に平行に延びるシート加熱手段48を有していてもよい。この場合、シート加熱手段48は、図12に示すように基材フィルム11に沿って複数設けられていてもよい。   Moreover, in this Embodiment, the heating mechanism 45 for heating the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 showed the example which consists of the conveyance drum 46 for annealing around which the base film 11 is wound. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 12, a heating mechanism 45 is provided along the substrate film 11 to be conveyed, and is a sheet heating means that extends in parallel with the conveyance direction of the substrate film 11. 48 may be included. In this case, a plurality of sheet heating means 48 may be provided along the base film 11 as shown in FIG.

シート加熱手段48の具体的な構成は特に限定されるものではない。例えば図13Aに示すように、シート加熱手段48は、金属からなるシーズ部48aと、シーズ部48a内に配置され、ニクロム線などの抵抗体からなる発熱部48bと、を有するシーズヒーターであってもよい。なお図13Aにおいて一点鎖線で示すように、基材フィルム11の一側(透明導電膜16が設けられている側)だけでなく基材フィルム11の他側にもシート加熱手段48が配置されていてもよい。   The specific configuration of the sheet heating unit 48 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 13A, the sheet heating means 48 is a sheathed heater having a sheath portion 48a made of metal, and a heat generating portion 48b disposed in the sheath portion 48a and made of a resistor such as nichrome wire. Also good. 13A, sheet heating means 48 is disposed not only on one side of the base film 11 (the side on which the transparent conductive film 16 is provided) but also on the other side of the base film 11. May be.

また図13Bに示すように、シート加熱手段48は、基材フィルム11を加熱するための赤外線を放出する複数のランプ48cを有するものであってもよい。この場合、基材フィルム11とランプ48cとの間に、ランプ48cからの熱を均一化した上で基材フィルム11に伝導させるための中間板48eが介在されていてもよい。またランプ48cの近傍であって基材フィルム11とは反対の側に、ランプ48cからの赤外線を反射する反射板48dが設けられていてもよい。さらに、基材フィルム11の近傍であってランプ48cが設けられている側とは反対の側に、熱を基材フィルム11近傍の空間に閉じ込めるための遮蔽板48fが設けられていてもよい。   As shown in FIG. 13B, the sheet heating unit 48 may include a plurality of lamps 48 c that emit infrared rays for heating the base film 11. In this case, an intermediate plate 48e for making the heat from the lamp 48c uniform and conducting it to the base film 11 may be interposed between the base film 11 and the lamp 48c. Further, a reflector 48d that reflects infrared rays from the lamp 48c may be provided in the vicinity of the lamp 48c and on the side opposite to the base film 11. Further, a shielding plate 48f for confining heat in a space in the vicinity of the base film 11 may be provided on the side near the base film 11 and opposite to the side on which the lamp 48c is provided.

また本実施の形態において、膜製造装置10によって製造される積層体18の一例として、基材フィルム11の一方の側にのみ高屈折率膜14,低屈折率膜15および透明導電膜16が形成された積層体18を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図14に示すように、膜製造装置10が、基材フィルム11の一方の側および他方の側の両方にそれぞれ高屈折率膜14,低屈折率膜15および透明導電膜16が形成された積層体18を製造してもよい。図14に示す積層体18を製造する方法が特に限られることはない。例えば、はじめに、基材フィルム11を巻出装置20から成膜装置30およびアニール装置40を介して巻取装置50に搬送する間に、基材フィルム11の一方の側に成膜処理およびアニール処理を施し、これによって、基材フィルム11の一方の側に高屈折率膜14,低屈折率膜15および透明導電膜16を形成する。次に、一方の側に高屈折率膜14,低屈折率膜15および透明導電膜16が形成された基材フィルム11を、巻出装置20に搬入する。その後、再び基材フィルム11を巻出装置20から成膜装置30およびアニール装置40を介して巻取装置50に搬送する間に、基材フィルム11の他方の側に成膜処理およびアニール処理を施し、これによって、基材フィルム11の他方の側に高屈折率膜14,低屈折率膜15および透明導電膜16を形成する。このようにして、図14に示す積層体18が得られる。
若しくは、後述する第2の実施の形態で説明するように、成膜装置30がアニール装置40としても使用され得るように構成されている場合、巻出装置20とアニール装置40との間で基材フィルム11を複数回往復させる間に、基材フィルム11の一方の側および他方の側のそれぞれに対して成膜処理およびアニール処理を施してもよい。このようにして、図14に示す積層体18が得られる。
In the present embodiment, as an example of the laminate 18 manufactured by the film manufacturing apparatus 10, the high refractive index film 14, the low refractive index film 15, and the transparent conductive film 16 are formed only on one side of the base film 11. The laminated body 18 was shown. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 14, the film manufacturing apparatus 10 has a high refractive index film 14 and a low refractive index film 15 on both one side and the other side of the base film 11, respectively. And the laminated body 18 in which the transparent conductive film 16 was formed may be manufactured. The method for manufacturing the laminate 18 shown in FIG. 14 is not particularly limited. For example, first, while the base film 11 is transported from the unwinding device 20 to the winding device 50 via the film forming device 30 and the annealing device 40, the film forming process and the annealing process are performed on one side of the base film 11. Thus, the high refractive index film 14, the low refractive index film 15 and the transparent conductive film 16 are formed on one side of the base film 11. Next, the base film 11 having the high refractive index film 14, the low refractive index film 15 and the transparent conductive film 16 formed on one side is carried into the unwinding device 20. Thereafter, while the base film 11 is conveyed again from the unwinding device 20 to the winding device 50 via the film forming device 30 and the annealing device 40, the film forming process and the annealing process are performed on the other side of the base film 11. Thus, the high refractive index film 14, the low refractive index film 15 and the transparent conductive film 16 are formed on the other side of the base film 11. In this way, the laminate 18 shown in FIG. 14 is obtained.
Alternatively, when the film forming apparatus 30 is configured to be used as the annealing apparatus 40 as described in a second embodiment to be described later, a base is provided between the unwinding apparatus 20 and the annealing apparatus 40. While the material film 11 is reciprocated a plurality of times, a film forming process and an annealing process may be performed on each of one side and the other side of the base film 11. In this way, the laminate 18 shown in FIG. 14 is obtained.

図15は、図14に示す積層体18をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサ60の一例を示す図である。この場合、基材フィルム11の両側に透明導電膜16が形成されている。このため、例えば、基材フィルム11の一方の側の透明導電膜16をパターニングすることにより、横方向に延びる透明導電パターン62を形成し、基材フィルム11の他方の側の透明導電膜16をパターニングすることにより、縦方向に延びる透明導電パターン62を形成することができる。このように基材フィルム11の両側に透明導電膜16を設けることにより、様々なタイプのタッチパネルセンサ60を形成することが可能となる。   FIG. 15 is a diagram illustrating an example of the touch panel sensor 60 obtained by patterning the stacked body 18 illustrated in FIG. In this case, the transparent conductive film 16 is formed on both sides of the base film 11. Therefore, for example, by patterning the transparent conductive film 16 on one side of the base film 11, a transparent conductive pattern 62 extending in the lateral direction is formed, and the transparent conductive film 16 on the other side of the base film 11 is formed. By patterning, the transparent conductive pattern 62 extending in the vertical direction can be formed. Thus, by providing the transparent conductive film 16 on both sides of the base film 11, various types of touch panel sensors 60 can be formed.

第2の実施の形態
次に図16および図17を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。図16および図17に示す第2の実施の形態においては、成膜装置の成膜室、成膜用真空排気機構および成膜用搬送ドラムが、アニール装置のアニール室、アニール用真空排気機構およびアニール用搬送ドラムとしても利用される。すなわち成膜装置がアニール装置としても利用される。図16および図17に示す第2の実施の形態において、図1乃至図10に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
Second Embodiment Next, with reference to FIGS. 16 and 17, a second embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment shown in FIG. 16 and FIG. 17, the film forming chamber of the film forming apparatus, the film forming vacuum evacuation mechanism and the film forming transport drum are connected to the annealing chamber of the annealing apparatus, the vacuum evacuating mechanism for annealing, It is also used as a transfer drum for annealing. That is, the film forming apparatus is also used as an annealing apparatus. In the second embodiment shown in FIG. 16 and FIG. 17, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. 1 to FIG.

図16に示すように、本実施の形態による膜製造装置10は、巻出装置20と、巻出装置20に接続された成膜装置30と、成膜装置30に接続された巻取装置50と、を備えている。このうち成膜装置30は、図3に示す上述の第1の実施の形態の場合の成膜装置30と同様に、成膜室36と、成膜用搬送ドラム38と、ガイドローラー39と、各ターゲット31a,32a,33a,34aと、を備えている。このうち成膜用搬送ドラム38は、その表面が所定の温度に加熱されるよう構成されている。また各領域31〜34のうち少なくとも第4領域34には、第4領域34に水蒸気を供給する水蒸気供給部34eと、第4領域34の水蒸気分圧を測定する測定部34cと、測定部34cによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて水蒸気供給部34eを制御する制御部34dと、が設けられている。このため各領域31〜34のうち少なくとも第4領域34によれば、水蒸気供給部34eによって水蒸気を例えば数sccmで供給しながら成膜用搬送ドラム38によって透明導電膜16を加熱することにより、第1の実施の形態におけるアニール装置40によって実施されるアニール処理と同様の処理を透明導電膜16に対して実施することが可能となっている。   As shown in FIG. 16, the film manufacturing apparatus 10 according to the present embodiment includes an unwinding apparatus 20, a film forming apparatus 30 connected to the unwinding apparatus 20, and a winding apparatus 50 connected to the film forming apparatus 30. And. Among these, the film forming apparatus 30 is the same as the film forming apparatus 30 in the case of the first embodiment shown in FIG. 3, the film forming chamber 36, the film forming transport drum 38, the guide roller 39, Each target 31a, 32a, 33a, 34a is provided. Among these, the film-forming conveyance drum 38 is configured such that the surface thereof is heated to a predetermined temperature. In addition, at least the fourth region 34 among the regions 31 to 34 includes a water vapor supply unit 34e that supplies water vapor to the fourth region 34, a measurement unit 34c that measures the partial pressure of water vapor in the fourth region 34, and a measurement unit 34c. And a control unit 34d that controls the water vapor supply unit 34e based on the measurement result of the partial pressure of water vapor. For this reason, according to at least the fourth region 34 among the regions 31 to 34, the transparent conductive film 16 is heated by the film-formation transport drum 38 while the water vapor is supplied by the water vapor supply unit 34e at, for example, several sccm. The same process as the annealing process performed by the annealing apparatus 40 in the first embodiment can be performed on the transparent conductive film 16.

本実施の形態においては、このように成膜装置30の少なくとも一部を、第1の実施の形態におけるアニール装置40としても利用することを特徴とする。この場合、図17に示すように、成膜装置30の成膜室36、成膜用真空排気機構37および成膜用搬送ドラム38が、アニール装置40のアニール室41、アニール用真空排気機構42およびアニール用搬送ドラム46を兼ねている。また、成膜装置30の測定部34c,制御部34dおよび水蒸気供給部34eによって、アニール室41の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整するための上述の水蒸気調整機構44が構成されている。   The present embodiment is characterized in that at least a part of the film forming apparatus 30 is also used as the annealing apparatus 40 in the first embodiment. In this case, as shown in FIG. 17, the film formation chamber 36 of the film formation apparatus 30, the film formation vacuum evacuation mechanism 37, and the film formation transfer drum 38 include the annealing chamber 41 of the annealing apparatus 40 and the vacuum exhaust mechanism 42 for annealing. It also serves as an annealing transfer drum 46. In addition, the measurement unit 34c, the control unit 34d, and the water vapor supply unit 34e of the film forming apparatus 30 constitute the above-described water vapor adjustment mechanism 44 for adjusting the water vapor partial pressure inside the annealing chamber 41 within a predetermined range. .

なお図17においては、測定部34c,制御部34dおよび水蒸気供給部34eの組み合わせが第4領域34にのみ設けられている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、測定部34c,制御部34dおよび水蒸気供給部34eがさらにその他の領域31,32,33,35にも設けられていてもよい。これによって、第1の実施の形態におけるアニール装置40によって実施されるアニール処理を、成膜装置30の各領域31〜35において実施することが可能となる。   FIG. 17 shows an example in which the combination of the measurement unit 34c, the control unit 34d, and the water vapor supply unit 34e is provided only in the fourth region 34. However, the present invention is not limited to this, and the measurement unit 34c, the control unit 34d, and the water vapor supply unit 34e may be further provided in the other regions 31, 32, 33, and 35. Thereby, the annealing process performed by the annealing apparatus 40 in the first embodiment can be performed in each of the regions 31 to 35 of the film forming apparatus 30.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、基材フィルム11上に形成された透明導電膜16を含む積層体18の製造方法について説明する。   Next, the operation and effect of the present embodiment having such a configuration will be described. Here, the manufacturing method of the laminated body 18 containing the transparent conductive film 16 formed on the base film 11 is demonstrated.

(脱ガス工程および成膜工程)
はじめに、巻出装置20において、基材フィルム11が巻回されたシャフト21を準備し、次に、第1方向(図16における右方向)へ基材フィルム11を搬送しながら、基材フィルム11に対する脱ガス処理を実施する。その後、成膜装置30において、第1方向へ基材フィルム11を搬送しながら、基材フィルム11上に膜14,15,16を設ける成膜処理を実施する。これらの脱ガス処理および成膜処理は、上述の第1の実施の形態における脱ガス処理および成膜処理と略同一であるので、詳細な説明を省略する。
(Degassing process and film forming process)
First, in the unwinding device 20, the shaft 21 around which the base film 11 is wound is prepared, and then the base film 11 is conveyed while transporting the base film 11 in the first direction (the right direction in FIG. 16). Perform degassing treatment for Thereafter, in the film forming apparatus 30, a film forming process for providing the films 14, 15, and 16 on the base film 11 is performed while the base film 11 is conveyed in the first direction. Since the degassing process and the film forming process are substantially the same as the degassing process and the film forming process in the first embodiment described above, detailed description thereof will be omitted.

その後、成膜処理を経た基材フィルム11が、巻取装置50においてシャフト51によって一旦巻き取られる。その後、今度はシャフト51の回転方向を反転させ、これによって、基材フィルム11を上記第1方向とは逆の第2方向(図16における左方向)へ搬送する。   Thereafter, the base film 11 that has undergone the film forming process is temporarily wound by the shaft 51 in the winding device 50. Then, this time, the rotation direction of the shaft 51 is reversed, whereby the base film 11 is conveyed in a second direction (left direction in FIG. 16) opposite to the first direction.

(アニール工程)
次に、第2方向へ基材フィルム11を搬送しながら、成膜装置30と兼用のアニール装置40によって、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16を加熱してアニール処理を実施する。アニール処理においては、はじめに、成膜用真空排気機構37の排気手段34bによって第4領域34の内部の気体を外部に排出する(排気工程)。例えば、第4領域34の内部に存在する気体のうち水蒸気以外の気体による圧力が1×10−3Pa以下となるよう、排気手段34bを駆動させる。その後、測定部34c,制御部34dおよび水蒸気供給部34eによって、アニール室41の内部の水蒸気分圧を1×10−4Pa〜40×10−4Paの範囲内に調整する(水蒸気調整工程)。次に、アルゴンガスなどの不活性ガスを、全圧が1Pa以下となる範囲内でアニール室41に導入する。
(Annealing process)
Next, while the base film 11 is conveyed in the second direction, the annealing process is performed by heating the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 by the annealing apparatus 40 that also serves as the film forming apparatus 30. . In the annealing process, first, the gas inside the fourth region 34 is exhausted to the outside by the exhaust means 34b of the film forming vacuum exhaust mechanism 37 (exhaust process). For example, the exhaust unit 34b is driven so that the pressure of a gas other than water vapor among the gases existing in the fourth region 34 is 1 × 10 −3 Pa or less. Thereafter, the measuring unit 34c, the control unit 34d and the steam supply unit 34e, to adjust the internal water vapor partial pressure of the annealing chamber 41 in the range of 1 × 10 -4 Pa~40 × 10 -4 Pa ( steam adjusting step) . Next, an inert gas such as argon gas is introduced into the annealing chamber 41 within a range where the total pressure is 1 Pa or less.

その後、第4領域34の内部において透明導電膜16を所定のアニール温度で加熱する。アニール温度は、80〜120℃の範囲内の所定温度、例えば100℃に設定されている。透明導電膜16をアニール温度で加熱することにより、透明導電膜16の結晶化が進行する。これによって、得られる透明導電膜16の電気抵抗率を低くするとともに、耐薬品性を高くすることができる。   Thereafter, the transparent conductive film 16 is heated inside the fourth region 34 at a predetermined annealing temperature. The annealing temperature is set to a predetermined temperature within the range of 80 to 120 ° C., for example, 100 ° C. By heating the transparent conductive film 16 at the annealing temperature, crystallization of the transparent conductive film 16 proceeds. Thereby, the electrical resistivity of the obtained transparent conductive film 16 can be lowered and the chemical resistance can be increased.

なお、その他の領域31,32,33,35にも測定部34c,制御部34dおよび水蒸気供給部34eが設けられている場合、各領域31,32,33,35においてさらに上述のアニール処理が実施されてもよい。   In addition, when the measurement part 34c, the control part 34d, and the water vapor | steam supply part 34e are provided also in the other area | regions 31, 32, 33, 35, the above-mentioned annealing process is further implemented in each area | region 31, 32, 33, 35. May be.

(巻取工程)
その後、巻出装置20において、基材フィルム11と、基材フィルム11上に形成された透明導電膜16などの複数の膜と、を含む積層体18が、シャフト21によって巻き取られる。これによって、積層体18の巻回体が得られる。
(Winding process)
Thereafter, in the unwinding device 20, the laminated body 18 including the base film 11 and a plurality of films such as the transparent conductive film 16 formed on the base film 11 is wound up by the shaft 21. Thereby, a wound body of the laminate 18 is obtained.

このように本実施の形態によれば、成膜装置30と兼用のアニール装置40によって、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16に対するアニール処理が実施される。例えば上述のように、はじめに、基材フィルム11が第1方向に搬送されている間、成膜装置30による成膜処理が実施され、その後、基材フィルム11が第2方向に搬送されている間、アニール装置40と兼用の成膜装置30によるアニール処理が実施される。このように実施の形態によれば、1つの装置を成膜装置およびアニール装置のいずれとしても利用することができる。これによって、設けられる装置の数を削減することができ、このことにより、膜製造装置10のレイアウトを容易にし、また、膜製造装置10のコストを抑制することができる。   As described above, according to the present embodiment, the annealing process is performed on the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 by the annealing apparatus 40 that is also used as the film forming apparatus 30. For example, as described above, first, while the base film 11 is transported in the first direction, the film forming process by the film forming apparatus 30 is performed, and then the base film 11 is transported in the second direction. Meanwhile, an annealing process is performed by the film forming apparatus 30 that also serves as the annealing apparatus 40. Thus, according to the embodiment, one apparatus can be used as both the film forming apparatus and the annealing apparatus. As a result, the number of devices provided can be reduced, thereby facilitating the layout of the film manufacturing apparatus 10 and reducing the cost of the film manufacturing apparatus 10.

また本実施の形態においても、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、アニール処理の際、真空状態に保たれたアニール室41において、水蒸気分圧が1×10−4Pa以上に調整されている。これによって、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16の結晶化を促進することができ、このため、アニール温度が低い場合であっても、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を有する多結晶状態の透明導電膜16を短時間で得ることができる。このことにより、耐熱性の低い基材フィルム11が用いられる場合であっても、効率良く透明導電膜16を製造することができる。 Also in the present embodiment, as in the case of the first embodiment described above, the water vapor partial pressure is set to 1 × 10 −4 Pa or more in the annealing chamber 41 kept in a vacuum state during the annealing process. It has been adjusted. Thereby, crystallization of the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 can be promoted, and therefore, even when the annealing temperature is low, it has low electrical resistivity and high chemical resistance. A polycrystalline transparent conductive film 16 can be obtained in a short time. Thereby, even if it is a case where the base film 11 with low heat resistance is used, the transparent conductive film 16 can be manufactured efficiently.

また本実施の形態においては、アニール装置40と兼用の成膜装置30において、成膜処理またはアニール処理のいずれか一方のみが実施される。すなわち、膜製造装置10における積層体18の製造ラインにおいて、成膜処理およびアニール処理が同時に実施されることがない。このため、基材フィルム11の搬送速度を、成膜処理およびアニール処理に対してそれぞれ個別に最適に設定することができる。   In the present embodiment, only one of the film forming process and the annealing process is performed in the film forming apparatus 30 that also serves as the annealing apparatus 40. That is, in the production line of the laminated body 18 in the film production apparatus 10, the film formation process and the annealing process are not performed simultaneously. For this reason, the conveyance speed of the base film 11 can be optimally set for each of the film forming process and the annealing process.

なお本実施の形態において、アニール処理の際の水蒸気分圧を所定範囲内に調整するために、水蒸気を供給する水蒸気供給部44dが用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図17において一点鎖線で示すように、水蒸気を凝縮または吸着させて捕捉する水蒸気捕捉部44cが用いられてもよい。   In the present embodiment, an example is shown in which the water vapor supply unit 44d that supplies water vapor is used to adjust the water vapor partial pressure during the annealing process within a predetermined range. However, the present invention is not limited to this, and as shown by a one-dot chain line in FIG. 17, a water vapor capturing unit 44 c that condenses or adsorbs water vapor and captures it may be used.

なお、上述した各実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to each embodiment mentioned above has been demonstrated, naturally, it is also possible to apply combining several modifications suitably.

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

(予備実験)
はじめに、成膜装置30を用いて基材フィルム11上に透明導電膜16を設ける際の適切な成膜条件を探索した。具体的には、まず、シクロオレフィンポリマーからなる合成樹脂層12を含む基材フィルム11を準備した。次に、100℃で3分間にわたって、基材フィルム11に対する脱ガス処理を実施した。その後、成膜装置30におけるスパッタリングによって、基材フィルム11上に、酸化ニオブからなる高屈折率膜14(膜厚9nm)と、酸化珪素からなる低屈折率膜15(膜厚48nm)と、ITOからなる透明導電膜16とを順に設けた。ITOのスパッタリングにおいては、水蒸気分圧が3.2,7.9,8,6,12.1,または19.3×10−4Paとなっている条件下においてそれぞれ、透明導電膜16の成膜を実施した。
(Preliminary experiment)
First, an appropriate film forming condition when the transparent conductive film 16 was provided on the base film 11 using the film forming apparatus 30 was searched. Specifically, first, a base film 11 including a synthetic resin layer 12 made of a cycloolefin polymer was prepared. Next, degassing treatment was performed on the base film 11 at 100 ° C. for 3 minutes. Thereafter, the high refractive index film 14 (film thickness 9 nm) made of niobium oxide, the low refractive index film 15 (film thickness 48 nm) made of silicon oxide, and ITO are formed on the base film 11 by sputtering in the film forming apparatus 30. The transparent conductive film 16 made of is provided in order. In the sputtering of ITO, the transparent conductive film 16 is formed under conditions where the water vapor partial pressure is 3.2, 7.9, 8, 6, 12.1, or 19.3 × 10 −4 Pa, respectively. Membrane was performed.

なお、ITOの成膜処理においては、水蒸気分圧を導入する前に、第4領域34内の圧力が2.0×10−3Pa以下となるよう、排気手段34bによって第4領域34の内部の気体を外部に排出した。その後、アルゴンガスを第4領域34に流量250sccmで導入するとともに、酸素ガスを第4領域34に流量10sccmで導入した。この際の第4領域34内の圧力は0.3〜0.4Paの範囲内となっていた。また、スパッタリングの際の放電電力は3.8kWであった。 In addition, in the ITO film forming process, before the water vapor partial pressure is introduced, the inside of the fourth region 34 is exhausted by the exhaust unit 34b so that the pressure in the fourth region 34 becomes 2.0 × 10 −3 Pa or less. Gas was discharged to the outside. Thereafter, argon gas was introduced into the fourth region 34 at a flow rate of 250 sccm, and oxygen gas was introduced into the fourth region 34 at a flow rate of 10 sccm. At this time, the pressure in the fourth region 34 was in the range of 0.3 to 0.4 Pa. The discharge power during sputtering was 3.8 kW.

上記の水蒸気分圧の下で得られた透明導電膜16に対して、アニール装置40を用いてアニール処理を実施した。アニール処理は、温度および水蒸気分圧を様々に変えて実施した。結果、後述する実施例において示されているように、成膜装置30による透明導電膜16の成膜処理時の水蒸気分圧が3.2,7.9または8,6×10−4Paとなっていた場合、アニール処理の条件を適切に設定することによって、多結晶状態の透明導電膜16を短時間で得ることができた。一方、成膜装置30による透明導電膜16の成膜処理時の水蒸気分圧が12.1または19.3×10−4Paとなっていた場合、アニール処理の条件(アニール温度およびアニール処理時の水蒸気分圧)をどのように設定しても、多結晶状態の透明導電膜16を短時間で、例えば30分以内に得ることができなかった。このことから、アニール装置40による短時間のアニール処理によって多結晶状態の透明導電膜16を得るためには、成膜装置30による成膜処理によって得られる透明導電膜16の組織の状態が適切な範囲内に入っていることが必要になると言える。成膜装置30を用いた成膜処理によって得られる透明導電膜16の組織の状態の許容範囲は、許容されるアニール時間などによって異なるが、例えば上記予備実験からは、成膜装置30を用いたITOの成膜処理の際の水蒸気分圧を例えば3〜10×10−4Paの範囲内とすれば、許容範囲内の組織状態を有する透明導電膜16が得られると言える。なお、多結晶状態の透明導電膜16を得ることができたかどうかという点は、アニール処理後の透明導電膜16をエッチング液に曝した場合に透明導電膜16がエッチング液に溶解しないかどうかということに基づいて判定した。 The transparent conductive film 16 obtained under the water vapor partial pressure was annealed using the annealing device 40. The annealing process was performed by changing the temperature and water vapor partial pressure in various ways. As a result, as shown in Examples described later, the water vapor partial pressure during the film forming process of the transparent conductive film 16 by the film forming apparatus 30 is 3.2, 7.9 or 8,6 × 10 −4 Pa. In this case, the polycrystalline transparent conductive film 16 could be obtained in a short time by appropriately setting the annealing conditions. On the other hand, when the water vapor partial pressure during the film forming process of the transparent conductive film 16 by the film forming apparatus 30 is 12.1 or 19.3 × 10 −4 Pa, the annealing process conditions (annealing temperature and annealing process) No matter how the water vapor partial pressure) is set, the polycrystalline transparent conductive film 16 could not be obtained in a short time, for example, within 30 minutes. From this, in order to obtain the polycrystalline transparent conductive film 16 by a short-time annealing process by the annealing apparatus 40, the structure of the transparent conductive film 16 obtained by the film forming process by the film forming apparatus 30 is appropriate. It can be said that it is necessary to be within the range. The allowable range of the state of the structure of the transparent conductive film 16 obtained by the film forming process using the film forming apparatus 30 varies depending on the allowable annealing time and the like. For example, from the preliminary experiment, the film forming apparatus 30 was used. It can be said that if the water vapor partial pressure during the ITO film formation process is within a range of 3 to 10 × 10 −4 Pa, for example, the transparent conductive film 16 having a texture state within an allowable range can be obtained. Note that whether or not the transparent conductive film 16 in a polycrystalline state could be obtained is whether or not the transparent conductive film 16 is not dissolved in the etching solution when the transparent conductive film 16 after the annealing treatment is exposed to the etching solution. Judgment based on that.

以下、成膜装置30によるITOの成膜処理の際の水蒸気分圧を例えば3〜10×10−4Paの範囲内とした場合に、アニール装置40によるアニール処理の条件を様々に変えて透明導電膜16の製造を行った結果について、実施例1〜8として説明する。 Hereinafter, when the water vapor partial pressure during the ITO film forming process by the film forming apparatus 30 is set within a range of 3 to 10 × 10 −4 Pa, for example, the conditions of the annealing process by the annealing apparatus 40 are variously changed to be transparent. The results of manufacturing the conductive film 16 will be described as Examples 1 to 8.

(実施例1)
図16および図17に示す上述の第2の実施の形態による膜製造装置10を用いて、基材フィルム11上に形成された透明導電膜16を含む積層体18を製造した。基材フィルム11としては、シクロオレフィンポリマーからなる合成樹脂層12を含む基材フィルム11を用いた。はじめに透明導電膜16の製造方法および製造条件について説明する。次に、得られた透明導電膜16の評価方法および評価結果について説明する。
(Example 1)
A laminate 18 including the transparent conductive film 16 formed on the base film 11 was manufactured using the film manufacturing apparatus 10 according to the second embodiment shown in FIGS. 16 and 17. As the base film 11, the base film 11 including the synthetic resin layer 12 made of a cycloolefin polymer was used. First, the manufacturing method and manufacturing conditions of the transparent conductive film 16 will be described. Next, an evaluation method and an evaluation result of the obtained transparent conductive film 16 will be described.

〔製造方法および製造条件〕
はじめに、脱ガス処理を基材フィルム11に対して実施した。次に、成膜装置30におけるスパッタリングによって、基材フィルム11上に、高屈折率膜14、低屈折率膜15およびITOからなる透明導電膜16を順に設けた。これらの具体的な手順は、上述の予備実験の場合と同一であるので、詳細な説明は省略する。
[Production method and production conditions]
First, degassing treatment was performed on the base film 11. Next, the high refractive index film | membrane 14, the low refractive index film | membrane 15, and the transparent conductive film 16 which consists of ITO were provided in order on the base film 11 by sputtering in the film-forming apparatus 30. Since these specific procedures are the same as in the case of the preliminary experiment described above, detailed description will be omitted.

透明導電膜16の成膜処理においては、成膜用搬送ドラム38を用いて基材フィルム11の温度を20〜25℃に調整しながら、スパッタリングによって、第4ターゲット34aを構成する原子を基材フィルム11上に付着させた。この際の放電電力は3.8kWであり、基材フィルム11の搬送速度は0.6m/minであった。また、スパッタリングを用いた成膜処理の間、測定部34cによって、第4領域34内の水蒸気分圧を測定した。結果、水蒸気分圧は8.6×10−4Paとなっていた。 In the film-forming process of the transparent conductive film 16, the atoms constituting the fourth target 34a are formed by sputtering while adjusting the temperature of the base film 11 to 20 to 25 ° C. using the film-forming transport drum 38. Deposited on film 11. The discharge power at this time was 3.8 kW, and the conveyance speed of the base film 11 was 0.6 m / min. Further, during the film forming process using sputtering, the water vapor partial pressure in the fourth region 34 was measured by the measuring unit 34c. As a result, the water vapor partial pressure was 8.6 × 10 −4 Pa.

次に、アニール装置40を用いて、基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16を加熱してアニール処理を実施した。この際、アニール用搬送ドラム46の表面の温度は120℃であり、アニール時間(アニール用搬送ドラム46によって基材フィルム11が加熱された期間)は6分間であった。   Next, the annealing process was implemented by heating the transparent conductive film 16 provided on the base film 11 using the annealing apparatus 40. At this time, the temperature of the surface of the annealing transport drum 46 was 120 ° C., and the annealing time (period in which the base film 11 was heated by the annealing transport drum 46) was 6 minutes.

また、アニール処理の間、クライオパネルによって、アニール室41内の水蒸気分圧を調整した。また、アニール処理の間、測定部44aによって、アニール室41内の水蒸気分圧を測定した。結果、水蒸気分圧は1.6×10−4Paとなっていた。 During the annealing process, the water vapor partial pressure in the annealing chamber 41 was adjusted by a cryopanel. During the annealing process, the water vapor partial pressure in the annealing chamber 41 was measured by the measuring unit 44a. As a result, the water vapor partial pressure was 1.6 × 10 −4 Pa.

〔評価方法および評価条件〕
アニール処理が施された後の透明導電膜16の面積抵抗率を測定した。測定方法としては、三菱化学(株)製ロレスタ−を用いた4端子法を採用した。4端子法による測定の結果、面積抵抗率が136Ω/□となっていた。
[Evaluation methods and conditions]
The area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was measured. As a measuring method, a 4-terminal method using a Loresta manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was adopted. As a result of measurement by the four-terminal method, the sheet resistivity was 136Ω / □.

また、透明導電膜16の耐薬品性を評価するため、アニール処理後の透明導電膜16をエッチング液に曝し、その後、透明導電膜16の面積抵抗率を測定した。エッチング液としては、金属用のエッチング液であって、ITOなどからなる透明導電膜16を本来のエッチング対象とはしていないエッチング液を用いた。例えば、積層体18を用いてタッチパネルセンサを製造する際に、透明導電膜16の上に設けられた金属層をエッチングするための、りん酸、硝酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いた。具体的には、銀合金用のエッチング液であって、各液の比率が体積比として燐酸:硝酸:酢酸:水=5:1:5:5となっているエッチング液を用いた。エッチング液の温度は25℃であった。また、面積抵抗率の測定方法としては、上述の4端子法を採用した。エッチング液に10分間曝した後の透明導電膜16の面積抵抗率は148Ω/□となっていた。   Moreover, in order to evaluate the chemical resistance of the transparent conductive film 16, the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was exposed to an etching solution, and then the sheet resistivity of the transparent conductive film 16 was measured. As the etching solution, an etching solution for metal, which is not intended for the original etching target of the transparent conductive film 16 made of ITO or the like, was used. For example, when manufacturing a touch panel sensor using the laminate 18, an etching solution containing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and water for etching a metal layer provided on the transparent conductive film 16 was used. Specifically, an etching solution for silver alloy, in which the ratio of each solution is phosphoric acid: nitric acid: acetic acid: water = 5: 1: 5: 5, was used. The temperature of the etching solution was 25 ° C. Further, the above-described four-terminal method was adopted as a method for measuring the sheet resistivity. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution for 10 minutes was 148Ω / □.

(実施例2)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を8.5×10−4Paとし、アニール処理時の水蒸気分圧を4.6×10−4Paとしたこと以外は、実施例1と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Example 2)
Example 1 except that the water vapor partial pressure during the film-forming process of the transparent conductive film 16 was set to 8.5 × 10 −4 Pa and the water vapor partial pressure during the annealing process was set to 4.6 × 10 −4 Pa. In the same manner, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は146Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は159Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 146Ω / □. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 159Ω / □.

(実施例3)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を8.1×10−4Paとし、アニール温度を110℃とし、アニール処理時の水蒸気分圧を5.1×10−4Paとしたこと以外は、実施例1と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Example 3)
The water vapor partial pressure during the film forming process of the transparent conductive film 16 is set to 8.1 × 10 −4 Pa, the annealing temperature is set to 110 ° C., and the water vapor partial pressure during the annealing process is set to 5.1 × 10 −4 Pa. Except for this, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11 in the same manner as in Example 1.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は161Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は202Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 161Ω / □. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 202Ω / □.

(実施例4)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を8.0×10−4Paとし、アニール時間を15分間とし、アニール処理時の水蒸気分圧を4.9×10−4Paとしたこと以外は、実施例3と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
Example 4
The water vapor partial pressure during the film formation process of the transparent conductive film 16 was 8.0 × 10 −4 Pa, the annealing time was 15 minutes, and the water vapor partial pressure during the annealing process was 4.9 × 10 −4 Pa. Except for this, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11 in the same manner as in Example 3.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は159Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は166Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 159Ω / □. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 166Ω / □.

(実施例5)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を3.2×10−4Paとし、アニール温度を100℃とし、アニール時間を15分間とし、アニール処理時の水蒸気分圧を5.0×10−4Paとしたこと以外は、実施例1と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Example 5)
The water vapor partial pressure during the film forming process of the transparent conductive film 16 is 3.2 × 10 −4 Pa, the annealing temperature is 100 ° C., the annealing time is 15 minutes, and the water vapor partial pressure during the annealing process is 5.0. A transparent conductive film 16 was formed on the base film 11 in the same manner as in Example 1 except that × 10 −4 Pa was used.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は173Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は181Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 173Ω / □. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 181Ω / □.

(実施例6)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を8.0×10−4Paとし、アニール処理時の水蒸気分圧を2.8×10−4Paとしたこと以外は、実施例5と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Example 6)
Example 5 except that the water vapor partial pressure during the film-forming treatment of the transparent conductive film 16 was 8.0 × 10 −4 Pa and the water vapor partial pressure during the annealing treatment was 2.8 × 10 −4 Pa. In the same manner, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は157Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は171Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 157Ω / □. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 171Ω / □.

(実施例7)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を8.0×10−4Paとし、アニール処理時の水蒸気分圧を5.3×10−4Paとしたこと以外は、実施例5と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Example 7)
Example 5 except that the water vapor partial pressure during the film-forming treatment of the transparent conductive film 16 was 8.0 × 10 −4 Pa and the water vapor partial pressure during the annealing treatment was 5.3 × 10 −4 Pa. In the same manner, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は154Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は165Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the sheet resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 154Ω / □. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 165Ω / □.

(実施例8)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を7.9×10−4Paとし、アニール処理時の水蒸気分圧を11.5×10−4Paとしたこと以外は、実施例5と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Example 8)
Example 5 except that the water vapor partial pressure during the film-forming treatment of the transparent conductive film 16 was 7.9 × 10 −4 Pa and the water vapor partial pressure during the annealing treatment was 11.5 × 10 −4 Pa. In the same manner, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は158Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は176Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 158Ω / □. Further, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 176Ω / □.

(比較例1)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を8.7×10−4Paとし、アニール処理時の水蒸気分圧を0.5×10−4Paとしたこと以外は、実施例1と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Comparative Example 1)
Example 1 except that the water vapor partial pressure during the film formation process of the transparent conductive film 16 was set to 8.7 × 10 −4 Pa and the water vapor partial pressure during the annealing process was set to 0.5 × 10 −4 Pa. In the same manner, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は149Ω/□となっていた。なお、透明導電膜16をエッチング液に曝した場合、透明導電膜16がエッチング液に溶解してしまった。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 149Ω / □. In addition, when the transparent conductive film 16 was exposed to the etching solution, the transparent conductive film 16 was dissolved in the etching solution.

(比較例2)
透明導電膜16の成膜処理の際の水蒸気分圧を8.0×10−4Paとし、アニール処理時の水蒸気分圧を54×10−4Paとしたこと以外は、実施例5と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Comparative Example 2)
The same as in Example 5 except that the water vapor partial pressure during the film-forming process of the transparent conductive film 16 was 8.0 × 10 −4 Pa and the water vapor partial pressure during the annealing process was 54 × 10 −4 Pa. Thus, a transparent conductive film 16 was formed on the base film 11.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜16の面積抵抗率は156Ω/□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜16の面積抵抗率は236Ω/□となっていた。   For the transparent conductive film 16 provided on the base film 11, the area resistivity was measured in the same manner as in Example 1. As a result, the area resistivity of the transparent conductive film 16 after the annealing treatment was 156Ω / □. The area resistivity of the transparent conductive film 16 after being exposed to the etching solution was 236Ω / □.

(比較例3)
アニール処理を実施しなかったこと以外は、比較例1と同様にして、基材フィルム11上に透明導電膜16を形成した。
(Comparative Example 3)
A transparent conductive film 16 was formed on the base film 11 in the same manner as in Comparative Example 1 except that the annealing treatment was not performed.

基材フィルム11上に設けられた透明導電膜16について、実施例1の場合と同様にして、エッチング液を用いた耐薬品性の評価を実施した。結果、透明導電膜16がエッチング液に溶解してしまった。   The transparent conductive film 16 provided on the base film 11 was evaluated for chemical resistance using an etching solution in the same manner as in Example 1. As a result, the transparent conductive film 16 was dissolved in the etching solution.

表1は、実施例1〜8および比較例1〜3における成膜処理およびアニール処理の主要条件をまとめて示す表である。

Figure 0005812417
Table 1 is a table that summarizes the main conditions of the film forming process and the annealing process in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3.
Figure 0005812417

また表2は、実施例1〜8および比較例1〜3における透明導電膜16の面積抵抗率の測定結果を示す表である。

Figure 0005812417
Moreover, Table 2 is a table | surface which shows the measurement result of the area resistivity of the transparent conductive film 16 in Examples 1-8 and Comparative Examples 1-3.
Figure 0005812417

表1および表2に示されるように、実施例1〜8によれば、アニール処理時の水蒸気分圧を約1〜40×10−4Paの範囲内とすることにより、約200Ω/□または200Ω/□以下という低い面積抵抗率を有する透明導電膜16を得ることができた。また表2に示されるように、得られた透明導電膜16をエッチング液に10分間曝す前後での面積抵抗率の変化率は、30%以下となっていた。これらのことから、アニール処理時の水蒸気分圧を約1〜40×10−4Paの範囲内とすることにより、低いアニール温度であっても短時間で十分に透明導電膜16の結晶化を進行させることができ、これによって、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を実現できたと言える。 As shown in Table 1 and Table 2, according to Examples 1 to 8, by setting the water vapor partial pressure during the annealing process to be within a range of about 1 to 40 × 10 −4 Pa, about 200 Ω / □ or A transparent conductive film 16 having a low sheet resistivity of 200Ω / □ or less could be obtained. Further, as shown in Table 2, the change rate of the area resistivity before and after the obtained transparent conductive film 16 was exposed to the etching solution for 10 minutes was 30% or less. Therefore, by setting the partial pressure of water vapor during the annealing process within the range of about 1 to 40 × 10 −4 Pa, the transparent conductive film 16 can be sufficiently crystallized in a short time even at a low annealing temperature. It can be said that low electrical resistivity and high chemical resistance could be realized.

一方、比較例1においては、アニール処理時の水蒸気分圧が1×10−4Paよりも低くなっており、この結果、得られた透明導電膜16がエッチング液に溶解してしまった。また比較例2においては、アニール処理時の水蒸気分圧が40×10−4Paよりも高くなっており、この結果、エッチング前後での面積抵抗率の著しい増大が見られた。比較例1および2においては、アニール処理における透明導電膜16の結晶化が不十分であり、このため、透明導電膜16がエッチング液に完全にまたは部分的に溶解してしまったと考えられる。また比較例3においては、アニール処理を実施しておらず、この結果、得られた透明導電膜16がエッチング液に溶解してしまった。本実施例および比較例による成膜条件においては、成膜処理後のアニール処理が必須であると言える。 On the other hand, in Comparative Example 1, the water vapor partial pressure during annealing was lower than 1 × 10 −4 Pa, and as a result, the obtained transparent conductive film 16 was dissolved in the etching solution. In Comparative Example 2, the water vapor partial pressure during the annealing treatment was higher than 40 × 10 −4 Pa, and as a result, the area resistivity before and after the etching was significantly increased. In Comparative Examples 1 and 2, crystallization of the transparent conductive film 16 in the annealing process is insufficient, and it is considered that the transparent conductive film 16 was completely or partially dissolved in the etching solution. In Comparative Example 3, the annealing process was not performed, and as a result, the obtained transparent conductive film 16 was dissolved in the etching solution. It can be said that the annealing process after the film forming process is indispensable in the film forming conditions according to this example and the comparative example.

好ましくは、実施例5〜7と実施例8との比較から分かるように、アニール処理時の水蒸気分圧が10×10−4Pa以下、より好ましくは6×10−4Pa以下に設定される。これによって、透明導電膜16の結晶化を短時間で十分に進行させることができ、このことにより、高い耐薬品性を有する透明導電膜16を得ることができる。 Preferably, as can be seen from a comparison between Examples 5 to 7 and Example 8, the water vapor partial pressure during the annealing treatment is set to 10 × 10 −4 Pa or less, more preferably 6 × 10 −4 Pa or less. . Thereby, the crystallization of the transparent conductive film 16 can be sufficiently advanced in a short time, and thereby, the transparent conductive film 16 having high chemical resistance can be obtained.

また好ましくは、実施例3と実施例4との比較から分かるように、アニール温度に応じてアニール時間が適切に設定される。例えば、アニール温度120℃においては、アニール時間が6分以上に設定され、アニール温度110℃においては、アニール時間が6分よりも長く、例えば15分以上に設定され、アニール温度100℃においては、アニール時間が15分以上に設定される。これによって、透明導電膜16の結晶化を十分に進行させることができ、このことにより、高い耐薬品性を有する透明導電膜16を得ることができる。   Preferably, as can be seen from a comparison between Example 3 and Example 4, the annealing time is appropriately set according to the annealing temperature. For example, at an annealing temperature of 120 ° C., the annealing time is set to 6 minutes or more, at an annealing temperature of 110 ° C., the annealing time is set to be longer than 6 minutes, for example, 15 minutes or more, and at an annealing temperature of 100 ° C. The annealing time is set to 15 minutes or more. As a result, the crystallization of the transparent conductive film 16 can be sufficiently progressed, whereby the transparent conductive film 16 having high chemical resistance can be obtained.

10 膜製造装置
11 基材フィルム
12 合成樹脂層
13 ハードコート層
14 高屈折率膜
15 低屈折率膜
16 透明導電膜
18 積層体
20 巻出装置
21 シャフト
22 加熱機構
23 ヒーター
24 排気手段
25 ロードロックバルブ
30 成膜装置
31〜35 第1領域〜第5領域
31a〜34a ターゲット
31b〜35b 排気手段
34c 測定部
34d 制御部
34e 水蒸気供給部
34f 水蒸気供給管
34g 開口部
34h 供給タンク
34i バルブ
34j ガスタンク
34k バルブ
36 成膜室
36a 隔壁
37 成膜用真空排気機構
38 成膜用搬送ドラム
40 アニール装置
41 アニール室
42 アニール用真空排気機構
44 水蒸気調整機構
44a 測定部
44b 制御部
44c 水蒸気捕捉部
45 加熱機構
46 アニール用搬送ドラム
47 ドラム加熱手段
47a 熱媒循環路
47b 熱媒
48 シート加熱手段
50 巻取装置
51 シャフト
52 排気手段
53 ニアローラー
60 タッチパネルセンサ
62 透明導電パターン
64 取出パターン
65 端子部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Film manufacturing apparatus 11 Base film 12 Synthetic resin layer 13 Hard coat layer 14 High refractive index film 15 Low refractive index film 16 Transparent conductive film 18 Laminate 20 Unwinding device 21 Shaft 22 Heating mechanism 23 Heater 24 Exhaust means 25 Load lock Valve 30 Deposition device 31 to 35 First region to fifth region 31a to 34a Target 31b to 35b Exhaust means 34c Measuring unit 34d Control unit 34e Steam supply unit 34f Steam supply pipe 34g Opening 34h Supply tank 34i Valve 34j Gas tank 34k Valve 36 Deposition chamber 36a Bulkhead 37 Deposition vacuum exhaust mechanism 38 Deposition transport drum 40 Annealing apparatus 41 Annealing chamber 42 Annealing vacuum exhaust mechanism 44 Water vapor adjustment mechanism 44a Measurement unit 44b Control unit 44c Water vapor capture unit 45 Heating mechanism 46 Annealing for Conveying drum 47 Drum heating means 47a Heat medium circulation path 47b Heat medium 48 Sheet heating means 50 Winding device 51 Shaft 52 Exhaust means 53 Near roller 60 Touch panel sensor 62 Transparent conductive pattern 64 Extraction pattern 65 Terminal section

Claims (10)

基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール方法において、
アニール室の内部の気体を外部に排出する排気工程と、
前記アニール室の内部の水蒸気分圧を1×10−4Pa以上に調整する水蒸気調整工程と、
前記アニール室の内部において前記透明導電膜を所定のアニール温度で加熱する加熱工程と、を備えたことを特徴とするアニール方法。
In the annealing method for carrying out the annealing treatment by heating the transparent conductive film provided on the base film,
An exhaust process for exhausting the gas inside the annealing chamber to the outside;
A water vapor adjusting step of adjusting the water vapor partial pressure inside the annealing chamber to 1 × 10 −4 Pa or more;
And a heating step of heating the transparent conductive film at a predetermined annealing temperature inside the annealing chamber.
前記水蒸気調整工程において、前記アニール室の内部の水蒸気分圧が1〜40×10−4Paの範囲内に調整されることを特徴とする請求項1に記載のアニール方法。 2. The annealing method according to claim 1, wherein in the water vapor adjusting step, a water vapor partial pressure inside the annealing chamber is adjusted within a range of 1 to 40 × 10 −4 Pa. 前記アニール温度が、80〜120度の範囲内であることを特徴とする請求項1または2に記載のアニール方法。   The annealing method according to claim 1 or 2, wherein the annealing temperature is in a range of 80 to 120 degrees. 前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部の水蒸気の捕捉量を調整する水蒸気捕捉工程と、を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のアニール方法。   The water vapor adjustment step is a measurement step of measuring the water vapor partial pressure inside the annealing chamber, and a water vapor trapping step of adjusting the amount of water vapor trapped inside the annealing chamber based on the measurement result in the measurement step, The annealing method according to any one of claims 1 to 3, further comprising: 前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給工程と、を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のアニール方法。   The water vapor adjustment step includes a measurement step for measuring a water vapor partial pressure inside the annealing chamber, and a water vapor supply step for supplying water vapor into the annealing chamber based on a measurement result in the measurement step. The annealing method according to any one of claims 1 to 3. 基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造方法において、
前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜工程と、
前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール工程と、を備え、
前記アニール工程は、請求項1に記載のアニール方法からなることを特徴とする膜製造方法。
In the film manufacturing method for forming a transparent conductive film on a substrate film,
A film forming step of providing a transparent conductive film on the substrate film;
An annealing step of performing an annealing process by heating the transparent conductive film provided on the base film,
The film forming method according to claim 1, wherein the annealing step comprises the annealing method according to claim 1.
前記成膜工程は、成膜処理が実施される成膜室と、前記成膜室の内部の気体を外部に排出する成膜用排気機構と、を有する成膜装置によって実行され、
前記アニール工程は、アニール処理が実施されるアニール室を有するアニール装置によって実行され、
前記基材フィルムが前記成膜装置の前記成膜室から前記アニール装置の前記アニール室に至るまでの間、前記基材フィルムの周囲の雰囲気が真空状態に保たれていることを特徴とする請求項6に記載の膜製造方法。
The film forming step is performed by a film forming apparatus having a film forming chamber in which a film forming process is performed, and a film forming exhaust mechanism for discharging the gas inside the film forming chamber to the outside,
The annealing step is performed by an annealing apparatus having an annealing chamber in which an annealing process is performed,
The atmosphere around the base film is kept in a vacuum state from the film formation chamber of the film formation apparatus to the annealing chamber of the annealing apparatus. Item 7. The method for producing a film according to Item 6.
前記アニール装置は、前記成膜装置の前記成膜室の内部でアニール処理を実施するよう構成されていることを特徴とする請求項7に記載の膜製造方法。   The film manufacturing method according to claim 7, wherein the annealing apparatus is configured to perform an annealing process inside the film forming chamber of the film forming apparatus. 基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置において、
アニール処理が実施されるアニール室と、
前記アニール室の内部の気体を外部に排出するアニール用排気機構と、
前記アニール室の内部の水蒸気分圧を1×10−4Pa以上に調整する水蒸気調整機構と、
前記アニール室の内部に設けられ、所定のアニール温度で前記透明導電膜を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とするアニール装置。
In an annealing apparatus for performing an annealing process by heating a transparent conductive film provided on a base film,
An annealing chamber in which annealing treatment is performed;
An annealing exhaust mechanism for exhausting the gas inside the annealing chamber to the outside;
A water vapor adjusting mechanism for adjusting a water vapor partial pressure inside the annealing chamber to 1 × 10 −4 Pa or more;
An annealing apparatus provided with a heating mechanism provided inside the annealing chamber and heating the transparent conductive film at a predetermined annealing temperature.
基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造装置において、
前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜処理を実施する成膜装置と、
前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置と、を備え、
前記アニール装置は、請求項9に記載のアニール装置からなることを特徴とする膜製造装置。
In a film manufacturing apparatus for forming a transparent conductive film on a base film,
A film forming apparatus for performing a film forming process for providing a transparent conductive film on the base film;
An annealing apparatus for performing an annealing treatment by heating the transparent conductive film provided on the base film,
A film manufacturing apparatus comprising the annealing apparatus according to claim 9.
JP2011289618A 2011-12-28 2011-12-28 Annealing method, film manufacturing method, annealing apparatus and film manufacturing apparatus Active JP5812417B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011289618A JP5812417B2 (en) 2011-12-28 2011-12-28 Annealing method, film manufacturing method, annealing apparatus and film manufacturing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011289618A JP5812417B2 (en) 2011-12-28 2011-12-28 Annealing method, film manufacturing method, annealing apparatus and film manufacturing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013140684A JP2013140684A (en) 2013-07-18
JP5812417B2 true JP5812417B2 (en) 2015-11-11

Family

ID=49037966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011289618A Active JP5812417B2 (en) 2011-12-28 2011-12-28 Annealing method, film manufacturing method, annealing apparatus and film manufacturing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5812417B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170114715A (en) * 2016-04-06 2017-10-16 주식회사 엘지화학 Method for preparing conductive film

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015132005A (en) * 2014-01-15 2015-07-23 株式会社アルバック Film deposition method and sputtering apparatus
JP6396059B2 (en) * 2014-03-31 2018-09-26 株式会社カネカ Method for producing transparent conductive film
JP6287537B2 (en) * 2014-04-23 2018-03-07 旭硝子株式会社 Degassing device
JP7058475B2 (en) * 2017-06-13 2022-04-22 日東電工株式会社 Electromagnetic wave absorber and molded product with electromagnetic wave absorber
CN111108339A (en) * 2017-07-21 2020-05-05 应用材料公司 Heat treatment apparatus for vacuum chamber, deposition apparatus for depositing material on flexible substrate, method of heat treating flexible substrate in vacuum chamber, and method of treating flexible substrate
JP7198096B2 (en) * 2019-01-30 2022-12-28 日東電工株式会社 transparent conductive film
JP7198097B2 (en) * 2019-01-30 2022-12-28 日東電工株式会社 transparent conductive film
JP7305392B2 (en) * 2019-03-26 2023-07-10 積水化学工業株式会社 λ/4 type wave absorber
JP7294999B2 (en) * 2019-12-04 2023-06-20 株式会社Screenホールディングス Etching method
KR20240058797A (en) * 2021-09-17 2024-05-03 닛토덴코 가부시키가이샤 Method for manufacturing transparent conductive film
WO2023042842A1 (en) * 2021-09-17 2023-03-23 日東電工株式会社 Manufacturing method for transparent conductive film
JP7438274B2 (en) 2022-06-30 2024-02-26 日東電工株式会社 Method for manufacturing transparent conductive film
DE102021129521B3 (en) * 2021-11-12 2023-03-30 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Magnet system, sputtering device and method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03263712A (en) * 1990-03-13 1991-11-25 Fujitsu Ltd Formation of transparent conducting film
JP3202362B2 (en) * 1992-07-21 2001-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for manufacturing semiconductor device
JP4187315B2 (en) * 1998-08-07 2008-11-26 帝人株式会社 Method for producing transparent conductive laminate for liquid crystal display
JP2003016858A (en) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd Manufacturing method of indium tin oxide film
JP5388625B2 (en) * 2009-02-25 2014-01-15 日東電工株式会社 Method for producing transparent conductive laminate, transparent conductive laminate and touch panel
JP5468499B2 (en) * 2010-09-02 2014-04-09 日東電工株式会社 Method for producing transparent conductive thin film

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170114715A (en) * 2016-04-06 2017-10-16 주식회사 엘지화학 Method for preparing conductive film
KR102136549B1 (en) 2016-04-06 2020-07-22 주식회사 엘지화학 Method for preparing conductive film

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013140684A (en) 2013-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5812417B2 (en) Annealing method, film manufacturing method, annealing apparatus and film manufacturing apparatus
TWI480898B (en) Production method of conductive laminated film
JP5978206B2 (en) Method and system for producing a transparent body used in a touch panel
JP4269261B2 (en) Method for producing transparent gas barrier film
TWI488751B (en) Method for manufacturing transparent conductive film
JP2014164882A (en) Laminate having excellent reliability and workability and method for producing laminate
WO2014034575A1 (en) Method for producing substrate with transparent electrode, and substrate with transparent electrode
TW201346937A (en) Method for manufacturing substrate having transparent electrode
JP6454690B2 (en) Method for producing transparent conductive film
CN110641108A (en) Film(s)
JP4415584B2 (en) Vacuum film forming apparatus for film and plastic film using the same
KR101165770B1 (en) Method for manufacturing ito thin film with high-transmittance and low-resistance
JP6396059B2 (en) Method for producing transparent conductive film
TWI494951B (en) Method for manufacturing transparent conductive film
JP2013142034A (en) Winding device, and device and method for manufacturing laminate
JP2011195850A (en) Film-forming method and gas barrier film
KR101913909B1 (en) The conductive transparent substrate and fabricating method of the same
JP6097117B2 (en) Laminates and films
JP7240513B2 (en) transparent conductive film
JP6268568B2 (en) LAMINATE MANUFACTURING METHOD AND LAMINATE
CN114127865A (en) Transparent conductive film
TW201603112A (en) Method of producing metal oxide film, metal oxide film, thin-film transistor, method of producing thin-film transistor, and electronic device
JP5717968B2 (en) Manufacturing method of glass strip and organic electroluminescence element
JP6109775B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
CN114127864A (en) Transparent conductive film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141024

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150708

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150828

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5812417

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02