Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5899318B2 - エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備 - Google Patents

エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備 Download PDF

Info

Publication number
JP5899318B2
JP5899318B2 JP2014523842A JP2014523842A JP5899318B2 JP 5899318 B2 JP5899318 B2 JP 5899318B2 JP 2014523842 A JP2014523842 A JP 2014523842A JP 2014523842 A JP2014523842 A JP 2014523842A JP 5899318 B2 JP5899318 B2 JP 5899318B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
substrate
reaction
epitaxial
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014523842A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014529184A (ja
Inventor
キム，ヨン−デ
ヒョン，ジュン−ジン
ウ，サン−ホ
シン，スン−ウ
キム，ハイ−ウォン
Original Assignee
ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド, ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド filed Critical ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
Publication of JP2014529184A publication Critical patent/JP2014529184A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5899318B2 publication Critical patent/JP5899318B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は，半導体製造設備に関し，より詳細には，基板上にエピタキシャル層(epitaxial layers)を形成するエピタキシャルプロセスのための半導体製造設備に関する。
通常，選択的エピタキシープロセス(selective epitaxy process)は，蒸着反応及びエッチング反応を伴う。蒸着及びエッチング反応は，多結晶層およびエピタキシャル層に対してわずかに相違する反応速度で同時に起こる。蒸着プロセス途中に，少なくとも一つの第２層上に，既存の多結晶層及び／又は非結晶層が蒸着される間，エピタキシャル層は，単結晶表面上に形成される。しかし，蒸着された多結晶層は，一般的にエピタキシャル層よりは速い速度でエッチングされる。よって，腐食ガスの濃度を変化させることで，ネット選択的プロセス(net selective process)がエピタキシー材料の蒸着と，制限された又は制限されない多結晶材料の蒸着をもたらす。例えば，選択的エピタキシープロセスは，蒸着物をスペーサ上に残すことなく，単結晶シリコンの表面上にシリコン含有材料のエピ層(epilayer)の形成をもたらすことができる。
一般に，選択的エピタキシープロセスは，いくつかの短所を持つ。このようなエピタキシープロセス中の選択性を維持するために，前駆体の化学的濃度及び反応温度が蒸着プロセス中に調節及び調整されなければならない。不十分なシリコン前駆体が供給されると，エッチング反応が活性化されて全プロセスが遅くなる。また，エッチングにより基板の機能が損なわれることもありうる。不十分な腐食液の前駆体が供給されると，蒸着反応は基板表面にかけて単結晶及び多結晶材料を形成する選択性(selectivity)を減少させることがある。また，通常の選択的エピタキシープロセスは，約８００℃，約１０００℃，又はそれより高い温度のような高い反応温度を一般的に要する。この高い温度は，基板表面に対する制御できない窒化反応と熱収支（thermal budget)を起こすために製造プロセスでは好ましくない。
本発明の目的は，基板上にエピタキシャル層を形成することのできる半導体製造設備を提供することにある。
本発明の他の目的は，基板上に形成された自然酸化膜を除去して，基板上に自然酸化膜が形成されることを防止することができる半導体製造設備を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は，以下の詳細な説明と添付図面からより明確になるであろう。
本発明の一実施例によれば，半導体製造設備は，基板に対する洗浄プロセスが行われる洗浄チャンバと，前記基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルプロセスが行われるエピタキシャルチャンバと，基板ホルダを備え，該基板ホルダが前記基板を積載する積載空間を形成するバッファチャンバと，前記洗浄チャンバ，前記バッファチャンバ，及び前記エピタキシャルチャンバが側面に連結され，前記基板を前記洗浄チャンバ，前記エピタキシャルチャンバ，及び前記バッファチャンバ間で移送する基板ハンドラを備える移送チャンバとを含み，前記積載空間は，前記洗浄プロセスが行われた前記基板が積載される第１積載空間と，前記エピタキシャル層が形成された前記基板が積載される第２積載空間を備え，前記第１積載空間と第２積載空間は相互に縦方向に配置され，前記基板ハンドラは，前記洗浄プロセスが行われた前記基板を前記第１積載空間に順次移送して前記第１積載空間に積載された前記基板を前記エピタキシャルチャンバに移送し，前記エピタキシャル層が形成された前記基板を前記第２積載空間に順次に移送し，前記洗浄チャンバは，前記移送チャンバの側面に連結され，前記基板に対する反応プロセスが行われる反応チャンバと，前記移送チャンバの側面に連結され，前記基板に対するヒーティングプロセスが行われるヒーティングチャンバとを備え，前記反応チャンバと前記ヒーティングチャンバとは，上下に積載され，前記反応チャンバは，前記反応チャンバに連結されてラジカルを供給するラジカル供給ラインと，前記反応チャンバに連結されて反応性ガスを供給するガス供給ラインとを備え，前記ヒーティングチャンバは，前記基板が配置されるサセプタと，前記サセプタに配置された前記基板を加熱するヒータとを備えることを特徴とする。
前記移送チャンバは，前記洗浄チャンバに向かって基板が出入する第１及び第２移送通路を有し，前記反応チャンバは，前記基板が出入する反応通路を有し，前記ヒーティングチャンバは，前記基板が出入するヒーティング通路を有し，前記半導体製造設備は，前記反応チャンバと前記移送チャンバとを隔離する反応側ゲート弁，及び前記ヒーティングチャンバと前記移送チャンバとを隔離するヒーティング側ゲート弁をさらに備えることができる。
前記反応チャンバは，前記反応チャンバに連結されてプラズマを供給するプラズマ供給ラインと，前記プラズマで励起される反応ガスが貯蔵されるガスソースと，前記プラズマ供給ラインを介して供給された前記反応ガスを励起して，前記プラズマを生成するプラズマソースを備えることができる。
前記反応チャンバは，前記基板が配置され，前記反応プロセス中，前記基板を回転するサセプタをさらに備えることができる。
前記反応性ガスは，ＮＦ3，ＮＨ3，Ｈ2，Ｎ2からなるグループより選ばれた何れか一つ以上でありうる。
本発明の一実施例によると，基板上に形成された自然酸化膜を除去することができるのみならず，基板上に自然酸化膜が形成されることを防止できる。よって，基板上に効果的にエピタキシャル層を形成することができる。
本発明の一実施例による半導体製造設備を概略的に示す図である。 本発明の一実施例によって処理された基板を示す図である。 本発明の一実施例によってエピタキシャル層を形成する方法を示すフローチャートである。 図１に示したバッファチャンバを示す図である。 図４に示した基板ホルダを示す図である。 図１に示した洗浄チャンバを示す図である。 図１に示した洗浄チャンバの他の実施例を示す図である。 図１に示したエピタキシャルチャンバを示す図である。 図１に示した供給管を示す図である。
以下，本発明の好ましい実施例を，添付の図１ないし図９を参照してより詳しく説明する。本発明の実施例は，多様な形態に変更することができ，本発明の範囲が以下で説明する実施例に限定されると解釈してはならない。本実施例は，当該発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより詳しく説明するために提供されるものである。よって，図面に示された各要素の形状はより，明確な説明を強調するために誇張されることがある。
図１は，本発明の一実施例による半導体製造設備１を概略的に示す図である。半導体製造設備１は，処理装置２，設備前方端部モジュール(Equipment Front End Module:EFEM)３，及び境界壁(interface wall)４を含む。設備前方端部モジュール３は，処理装置２の前方に装着されて，基板Ｓが収容された容器（図示せず）と処理装置２との間でウエハＷを移送する。
設備前方端部モジュール３は，複数のロードポート(load ports)６０とフレーム(frame)５０を有する。フレーム５０は，ロードポート６０と処理装置２との間に位置する。基板Ｓを収容する容器は，オーバーヘッドトランスファ(overhead transfer)，オーバーヘッドコンベヤ(overhead conveyor)，又は自動案内車両(automatic guided vehicle)のような移送手段（図示せず）によってロードポート６０上に配置される。
容器は，前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod:FOUP)のような密閉用容器を使用することができる。フレーム５０内には，ロードポート６０に配置された容器と処理装置２との間で基板Ｓを移送するフレームロボット７０が設置される。フレーム５０内には，容器のドアを自動で開閉するドアオープナ（図示せず）を設けることができる。また，フレーム５０には，清浄な空気がフレーム５０内の上部から下部に流れるように清浄な空気をフレーム５０内に供給するファンフィルタユニット(Fan Filter Unit:FFU)（図示せず）を設けることができる。
基板Ｓは，処理装置２内で所定の処理が行われる。処理装置２は，移送チャンバ(transfer chamber)１０２，ロードロックチャンバ（loadlock chamber)１０６，洗浄チャンバ(cleaning chamber)１０８ａ，１０８ｂ，バッファチャンバ(buffer chamber)１１０，及びエピタキシャルチャンバ(epitaxial chamber)１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃを含む。移送チャンバ１０２は，上部から，見たとき実質的に多角形状を有し，ロードロックチャンバ１０６，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ，バッファチャンバ１１０，及びエピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは，移送チャンバ１０２の側面に設置される。
ロードロックチャンバ１０６は，移送チャンバ１０２の側部のうち，設備前方端部モジュール３と隣接した側部に位置する。基板Ｓは，ロードロックチャンバ１０６内に一時的に留まった後，処理装置２に装填されて処理が行われ，処理が行われた後の基板Ｓは，処理装置２から排出されてロードロックチャンバ１０６内に一時的に留まる。移送チャンバ１０２，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ，バッファチャンバ１１０，及びエピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは，真空に維持され，ロードロックチャンバ１０６は，真空状態から大気圧状態に転換される。ロードロックチャンバ１０６は，外部汚染物質が移送チャンバ１０２，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ，バッファチャンバ１１０，及びエピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃに流入することを防止する。また，基板Ｓの移送中，基板Ｓが大気に曝されないので，基板Ｓ上に酸化膜が成長することを防止できる。
ロードロックチャンバ１０６と移送チャンバ１０２間，及びロードロックチャンバ１０６と設備前方端部モジュール３間には，ゲート弁（図示せず）が設けられる。設備前方端部モジュール３とロードロックチャンバ１０６間を基板Ｓが移動する場合，ロードロックチャンバ１０６と移送チャンバ１０２間に設けたゲート弁が閉められ，ロードロックチャンバ１０６と移送チャンバ１０２間を基板Ｓが移動する場合，ロードロックチャンバ１０６と設備前方端部モジュール３間に設けたゲート弁を閉める。
移送チャンバ１０２は，基板ハンドラ１０４を備える。基板ハンドラ１０４は，ロードロックチャンバ１０６，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ，バッファチャンバ１１０，及びエピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの間で基板Ｓを移送する。移送チャンバ１０２は，基板Ｓが移動する時に真空を維持するよう密封される。真空を維持する理由は，基板Ｓが汚染物（例えば，Ｏ2，粒子状物質など）に曝されることを防ぐためである。
エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは，基板Ｓ上にエピタキシャル層を形成するために設けられる。本実施例においては，３個のエピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃが設けられている。エピタキシャルプロセスは，洗浄プロセスに比べて多くの時間を要するので，複数のエピタキシャルチャンバを介して製造収率を向上させることができる。本実施例とは異なり，４個以上や２個以下のエピタキシャルチャンバを設けても良い。
洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂは，エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ内で基板Ｓに対するエピタキシャルプロセスが行われる以前に基板Ｓを洗浄するために設けられる。エピタキシャルプロセスが正常に行われるためには，結晶性基板上に存在する酸化物の量を最小化しなければならない。基板の表面酸素含有量が高すぎる場合，酸素原子がシード基板上の蒸着材料の結晶学的配置を妨害するために，エピタキシャルプロセスは悪影響を受ける。例えば，シリコンエピタキシャル蒸着時に，結晶性基板上の過度な酸素は，原子単位の酸素原子クラスタにより，シリコン原子をそのエピタキシャル位置から変位させることができる。このような局所的な原子変位は，層がより厚く成長する時に後続原子配列に誤差を起こす恐れがある。この現象は，いわゆる積層欠陥又はヒロック(hillock defects)と称し得る。基板表面の酸素化(oxygenation)は，例えば基板が移送時に大気に曝される場合に発生し得る。よって，基板Ｓ上に形成された自然酸化膜(native oxide)（又は，表面酸化物）を除去する洗浄プロセスを洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ内で行うことができる。
洗浄プロセスは，ラジカル状態の水素（Ｈ＊）とＮＦ3ガスとを使用する乾式エッチングプロセスである。例えば，基板の表面に形成されたシリコン酸化膜をエッチングする場合，チャンバ内に基板を配置しチャンバ内に真空雰囲気を形成した後，チャンバ内でシリコン酸化膜と反応する中間生成物を発生させる。
例えば，チャンバ内に水素ガスのラジカル（Ｈ＊）とフッ化物ガス（例えば，フッ化窒素（ＮＦ3））のような反応性ガスを供給すると，下記の反応式（１）のように反応性ガスが還元されて，ＮＨxＦy（ｘ，ｙは，任意の整数）のような中間生成物が生成される。
Figure 0005899318
中間生成物は，シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）との反応性が高いため，中間生成物がシリコン基板の表面に到達すると，シリコン酸化膜と選択的に反応して下記の反応式（２）のように反応生成物（（ＮＨ4）2ＳｉＦ6）が生成される。
Figure 0005899318
その後，シリコン基板を１００℃以上に加熱すると，下記の反応式３のように反応生成物が熱分解して熱分解ガスになって蒸発するので，結果的に基板表面からシリコン酸化膜を除去することができる。下記の反応式（３）のように，熱分解ガスには，ＨＦガスやＳｉＦ4ガスのようにフッ素を含有するガスが含まれる。
Figure 0005899318
上述のように，洗浄プロセスは，反応生成物を生成する反応プロセス及び反応生成物を熱分解するヒーティングプロセスを含み，反応プロセス及びヒーティングプロセスは，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ内で共に行ってもよく，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂのうち，いずれか一つで反応プロセスを行い，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂのうち，他の一つでヒーティングプロセスを行っても良い。
バッファチャンバ１１０は，洗浄プロセスが行われた基板Ｓが積載される空間とエピタキシャルプロセスが行われた基板Ｓが積載される空間を提供する。洗浄プロセスが行われると，基板Ｓは，エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃに移送される前にバッファチャンバ１１０に移送されて，バッファチャンバ１１０内に積載される。エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは，複数の基板に対する単一処理が行われるバッチ型(batch type)であってもよく，エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ内でエピタキシャルプロセスが行われると，エピタキシャルプロセスが行われた基板Ｓは，バッファチャンバ１１０内に順次積載され，洗浄プロセスが行われた基板Ｓは，エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ内に順次積載される。この際，基板Ｓを，バッファチャンバ１１０内に縦方向に積載することができる。
図２は，本発明の一実施例によって処理された基板を示す図である。上述したように，基板Ｓに対するエピタキシャルプロセスが行われる以前に，基板Ｓに対する洗浄プロセスが洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ内で行われ，洗浄プロセスを介して基板７０の表面に形成された酸化膜７２を除去できる。酸化膜は，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ内で洗浄プロセスを介して除去することができる。洗浄プロセスを介して基板７０の表面上にエピタキシー表面７４を露出させることができ，これによりエピタキシャル層の成長を助長する。
その後，基板７０上に，エピタキシャルプロセスがエピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ内で行われる。エピタキシャルプロセスは，化学気相蒸着により行うことができ，エピタキシー表面７４上にエピタキシャル層７６を形成することができる。基板７０のエピタキシー表面７４は，シリコンガス（例えば，ＳｉＣｌ4，ＳｉＨＣｌ3，ＳｉＨ2Ｃｌ2，ＳｉＨ3Ｃｌ，Ｓｉ2Ｈ6，又はＳｉＨ4）及びキャリアガス（例えば，Ｎ2及び／又はＨ2）を含む反応ガスに曝露することができる。また，エピタキシャル層７６にドーパントを含めることが要求される場合，シリコン含有ガスに，ドーパント含有ガス（例えば，アルシン（ＡｓＨ3），ホスフィン（ＰＨ3），及び／又はジボラン（Ｂ2Ｈ6））を含めることができる。
図３は，本発明の一実施例によってエピタキシャル層を形成する方法を示すフローチャートである。この方法は，ステップＳ１０から開始する。ステップＳ２０で，基板Ｓは，エピタキシャルプロセス前に洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂに移動し，基板ハンドラ１０４は，基板Ｓを洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂに移送する。移送は，真空に維持された移送チャンバ１０２を介して行われる。ステップＳ３０で，基板Ｓに対する洗浄プロセスが行われる。上述したように，洗浄プロセスは，反応生成物を生成する反応プロセス及び反応生成物を熱分解するヒーティングプロセスを含む。反応プロセス及びヒーティングプロセスは，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂ内で共に行ってもよく，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂのうちの何れか一つで反応プロセスを行い，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂのうちの他の，一つでヒーティングプロセスを行ってもよい。
ステップＳ４０で，洗浄プロセスが行われた基板Ｓは，バッファチャンバ１１０に移送されてバッファチャンバ１１０内に積載され，バッファチャンバ１１０内でエピタキシャルプロセスを待機する。ステップＳ５０で基板Ｓは，エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃに移送され，この移送は，真空に維持される移送チャンバ１０２を介して行われる。ステップＳ６０では基板Ｓ上にエピタキシャル層を形成することができる。その後，基板Ｓは，ステップＳ７０で更にバッファチャンバ１１０に移送されてバッファチャンバ１１０内に積載され，ステップＳ８０で処理が終了する。
図４は，図１に示したバッファチャンバを示す図であり，図５は，図４に示した基板ホルダを示す図である。バッファチャンバ１１０は，上部チャンバ１１０ａと下部チャンバ１１０ｂを備える。下部チャンバ１１０ｂは，移送チャンバ１０２に対応する一側に形成された通路１１０ｃを備え，基板Ｓは，通路１１０ｃを介して移送チャンバ１０２からバッファチャンバ１１０に装填される。移送チャンバ１０２は，バッファチャンバ１１０に対応する一側に形成されたバッファ通路１０２ａを有し，バッファ通路１０２ａと通路１１０ｃとの間には，ゲート弁１０３が設けられる。ゲート弁１０３は，移送チャンバ１０２とバッファチャンバ１１０を隔離することができ，バッファ通路１０２ａと通路１１０ｃは，ゲート弁１０３を介して開放及び閉鎖することができる。
バッファチャンバ１１０は，基板Ｓが積載される基板ホルダ１２０を備え，基板Ｓは，基板ホルダ１２０上に縦方向に積載される。基板ホルダ１２０は，昇降軸１２２に連結され，昇降軸１２２は，下部チャンバ１１０ｂを貫通して支持板１２４及び駆動軸１２８に連結される。駆動軸１２８は，エレベータ１２９を介して昇降し，駆動軸１２８により昇降軸１２２及び基板ホルダ１２０は昇降することができる。
基板ハンドラ１０４は，洗浄プロセスが行われた基板Ｓをバッファチャンバ１１０に順次移送する。この際，基板ホルダ１２０は，エレベータ１２９により昇降し，この昇降によって基板ホルダ１２０の空いているスロットを通路１１０ｃと対応する位置に移動する。よって，バッファチャンバ１１０に移送された基板Ｓは，基板ホルダ１２０上に積載され，基板ホルダ１２０の昇降により，基板Ｓを縦方向に積載することができる。
一方，図５に示すように，基板ホルダ１２０は，上部積載空間１２０ａと下部積載空間１２０ｂとを備える。上述のように，洗浄プロセスが行われた基板Ｓ及びエピタキシャルプロセスが行われた基板Ｓは，基板ホルダ１２０上に積載される。よって，洗浄プロセスが行われた基板Ｓとエピタキシャルプロセスが行われた基板Ｓは区別する必要があり，洗浄プロセスが行われた基板Ｓは，上部積載空間１２０ａに積載され，エピタキシャルプロセスが行われた基板Ｓは，下部積載空間１２０ｂに積載される。上部積載空間１２０ａは，１３枚の基板Ｓを積載することができ，一つのエピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは，１３枚の基板Ｓに対する処理を行うことができる。同様に，下部積載空間１２０ｂは，１３枚の基板Ｓを積載することができる。
下部チャンバ１１０ｂは，排気ライン１３２に連結され，排気ポンプ１３２ｂを介してバッファチャンバ１１０の内部の，真空状態を維持することができる。弁１３２ａは，排気ライン１３２を開閉する。ベローズ１２６は，下部チャンバ１１０ｂの下部と支持板１２４とを連結し，ベローズ１２６を介してバッファチャンバ１１０の内部を密封することができる。即ち，ベローズ１２６は，昇降軸１２２の周りからの真空漏出を防止する。
図６は，図１に示した洗浄チャンバを示す図である。上述したように，洗浄チャンバ１０８ａ，１０８ｂは，同じ処理を行うチャンバであってもよく，以下では，一つの洗浄チャンバ１０８ａに対してだけ説明する。
洗浄チャンバ１０８ａは，上部チャンバ１１８ａと下部チャンバ１１８ｂを備え，上部チャンバ１１８ａと下部チャンバ１１８ｂは，上下に積載することができる。上部チャンバ１１８ａ及び下部チャンバ１１８ｂは，移送チャンバ１０２に対応する一側に形成された上部通路１２８ａ及び下部通路１３８ａをそれぞれ備え，基板Ｓは，上部通路１２８ａ及び下部通路１３８ａを介して移送チャンバ１０２から上部チャンバ１１８ａ及び下部チャンバ１１８ｂにそれぞれ装填することができる。移送チャンバ１０２は，上部チャンバ１１８ａ及び下部チャンバ１１８ｂにそれぞれ対応する一側に形成された上部通路１０２ｂ及び下部通路１０２ａを有し，上部通路１０２ｂと上部通路１２８ａとの間には，上部ゲート弁１０５ａが設置され，下部通路１０２ａと下部通路１３８ａとの間には，下部ゲート弁１０５ｂが設置される。ゲート弁１０５ａ，１０５ｂは，上部チャンバ１１８ａと移送チャンバ１０２，及び下部チャンバ１１８ｂと移送チャンバ１０２とをそれぞれ隔離することができる。上部通路１０２ｂと上部通路１２８ａは，上部ゲート弁１０５ａを介して開放及び閉鎖することができ，下部通路１０２ａと下部通路１３８ａは，下部ゲート弁１０５ｂを介して開放及び閉鎖することができる。
上部チャンバ１１８ａは，基板Ｓに対してラジカルを利用した反応プロセスを行い，上部チャンバ１１８ａは，ラジカル供給ライン１１６ａ及びガス供給ライン１１６ｂに連結される。ラジカル供給ラインは，ラジカル生成ガス（例えば，Ｈ2又はＮＨ3）が充填されたガス容器（図示せず）とキャリアガス（Ｎ2）が充填されたガス容器（図示せず）に連結され，各ガス容器の弁を開放すると，ラジカル生成ガスとキャリアガスが上部チャンバ１１８ａの内部に供給される。また，ラジカル供給ライン１１６ａは，導波管（図示せず）を介してマイクロ波源（図示せず）に連結され，マイクロ波源がマイクロ波を発すると，マイクロ波は，導波管を進行してラジカル供給ライン１１６ａの内部に侵入する。この状態でラジカル生成ガスが流れると，マイクロ波によりプラズマ化されてラジカルが生成される。生成されたラジカルは未処理のラジカル生成ガスやキャリアガス，及びプラズマ化の副生成物と共にラジカル供給ライン１１６ａを介して上部チャンバ１１８ａの内部に導入される。一方，本実施例とは異なり，ラジカルは，ＩＣＰ方式のリモートプラズマによって生成することもできる。即ち，ＩＣＰ方式のリモートプラズマソースにラジカル生成ガスが供給されると，ラジカル生成ガスは，プラズマ化してラジカルが生成される。生成されたラジカルは，ラジカル供給ライン１１６ａを介して上部チャンバ１１８ａの内部に導入することができる。
ラジカル供給ライン１１６ａを介して上部チャンバ１１８ａの内部にラジカル（例えば，水素ラジカル）が供給され，ガス供給ライン１１６ｂを介して上部チャンバ１１８ａの内部に反応性ガス（例えば，ＮＦ3のようなフッ化物ガス）が供給され，これらを混合させて反応させる。この場合，反応式は，以下の通りである。
Figure 0005899318
即ち，基板Ｓの表面に予め吸着した反応性ガスとラジカルとが反応して中間生成物（ＮＨxＦy）が生成され，中間生成物（ＮＨxＦy）と基板Ｓ表面の自然酸化膜（ＳｉＯ2）とが反応して反応生成物（（ＮＨ4Ｆ）ＳｉＦ6）が形成される。一方，基板Ｓは，上部チャンバ１１８ａ内に設けられたサセプタ１２８に配置され，サセプタ１２８は，反応プロセス中，基板Ｓを回転させて均一な反応を助長する。
上部チャンバ１１８ａは，排気ライン１１９ａに連結され，排気ポンプ１１９ｃを介して反応プロセスが行われる前の，上部チャンバ１１８ａに対する真空排気ができるのみならず，上部チャンバ１１８ａ内部のラジカルと反応性ガス，未反応ラジカル生成ガス，プラズマ化するときの副生成物，キャリアガスなどを外部に排出することができる。弁１１９ｂは，排気ライン１１９ａを開閉する。
下部チャンバ１１８ｂは，基板Ｓに対するヒーティングプロセスを行い，下部チャンバ１１８ｂの内側上部には，ヒータ１４８が設けられる。反応プロセスが完了すると，基板Ｓは，基板ハンドラ１０４を介して下部チャンバ１１８ｂに移送される。この際，基板Ｓは，真空状態を維持する移送チャンバ１０２を介して移送されるので，基板Ｓが汚染物（例えば，Ｏ2，粒子状物質など）に曝されることを防止することができる。
ヒータ１４８は，基板Ｓを所定温度（１００℃以上の所定温度，例えば，１３０℃）に加熱し，これにより反応生成物が熱分解して基板Ｓの表面からＨＦやＳｉＦ4のような熱分解ガスが離脱され，真空排気されることで，基板Ｓの表面からシリコン酸化物の薄膜を除去することができる。基板Ｓは，ヒータ１４８の下部に設けられたサセプタ１３８に配置され，ヒータ１４８は，サセプタ１３８に配置された基板Ｓを加熱する。
Figure 0005899318
一方，下部チャンバ１１８ｂは，排気ライン１１７ａに連結され，排気ポンプ１１７ｃを介して下部チャンバ１１８ｂの内部の反応副産物（例えば，ＮＨ3，ＨＦ，ＳｉＦ4）を外部に排気することができる。弁１１７ｂは，排気ライン１１７ａを開閉する。
図７は，図１に示した洗浄チャンバの他の実施例を示す図である。洗浄チャンバ１０８ａは，上部チャンバ２１８ａと下部チャンバ２１８ｂを備え，上部チャンバ２１８ａと下部チャンバ２１８ｂは相互に連通されている。下部チャンバ２１８ｂは，移送チャンバ１０２に対応する一側に形成された通路２１９を有し，基板Ｓは，通路２１９を介して移送チャンバ１０２から洗浄チャンバ１０８ａに装填され得る。移送チャンバ１０２は，洗浄チャンバ１０８ａに対応する一側に形成された移送通路１０２ｄを有し，移送通路１０２ｄと通路２１９との間には，ゲート弁１０７が設置される。ゲート弁１０７は，移送チャンバ１０２と洗浄チャンバ１０８ａを隔離することができ，移送通路１０２ｄと通路２１９は，ゲート弁１０７を介して開放及び閉鎖されることができる。
洗浄チャンバ１０８ａは，基板Ｓが積載される基板ホルダ２２８を備え，基板Ｓは，基板ホルダ２２８上に縦方向に積載される。基板ホルダ２２８は，回転軸２２６に連結され，回転軸２２６は，下部チャンバ２１８ｂを貫通してエレベータ２３２及び駆動モータ２３４に連結される。回転軸２２６は，エレベータ２３２を介して昇降し，基板ホルダ２２８は，回転軸２２６と共に昇降することができる。回転軸２２６は，駆動モータ２３４を介して回転し，基板ホルダ２２８は，エッチングプロセスが行われている間，回転軸２２６と共に回転することができる。
基板ハンドラ１０４は，基板Ｓを洗浄チャンバ１０８ａに順次に移送する。この際，基板ホルダ２２８は，エレベータ２３２により昇降し，その昇降により基板ホルダ２２８の空いているスロットを通路２１９と対応する位置に移動する。よって，洗浄チャンバ１０８ａに移送された基板Ｓは，基板ホルダ２２８上に積載され，基板ホルダ２２８の昇降により基板Ｓを，縦方向に積載することができる。基板ホルダ２２８は，１３枚の基板Ｓを積載することができる。
基板ホルダ２２８が下部チャンバ２１８ｂ内に位置する時，基板Ｓが，基板ホルダ２２８内に積載され，図７に示すように，基板ホルダ２２８が上部チャンバ２１８ａに位置する時，基板Ｓに対する洗浄プロセスが行われる。上部チャンバ２１８ａは，洗浄プロセスが行われる処理空間を提供する。支持板２２４は，回転軸２２６上に設置され，基板ホルダ２２８と共に上昇して上部チャンバ２１８ａの内部の処理空間を外部から遮断する。支持板２２４は，下部チャンバ２１８ｂの上端部に隣接するように配置され，支持板２２４と下部チャンバ２１８ｂの上端部との間には，シーリング部材２２４ａ（例えば，Ｏ−リングのような）が介在されて処理，空間を密閉する。支持板２２４と回転軸２２６との間には，軸受部材２２４ｂが設置され，回転軸２２６は，軸受部材２２４ｂにより支持された状態で回転することができる。
基板Ｓに対する反応プロセス及びヒーティングプロセスは，上部チャンバ２１８ａの内部の処理空間内で行われる。基板ホルダ２２８に基板Ｓが全て積載されると，基板ホルダ２２８は，エレベータ２３２により上昇して上部チャンバ２１８ａ内部の処理空間に移動する。インゼクタ２１６は，上部チャンバ２１８ａ内部の一側に設けられ，インゼクタ２１６は，複数のインゼクタ孔２１６ａを有する。
インゼクタ２１６は，ラジカル供給ライン２１５ａに連結される。また，上部チャンバ２１８ａは，ガス供給ライン２１５ｂに連結される。ラジカル供給ライン２１５ａは，ラジカル生成ガス（例えば，Ｈ2又はＮＨ3）の充填されたガス容器（図示せず）とキャリアガス（Ｎ2）が充填されたガス容器（図示せず）とに連結され，各ガス容器の弁を開放すると，ラジカル生成ガスとキャリアガスがインゼクタ２１６を介して処理空間に供給される。また，ラジカル供給ライン２１５ａは，導波管（図示せず）を介してマイクロ波源（図示せず）に接続され，マイクロ波源がマイクロ波を発すると，マイクロ波は，導波管を進行してラジカル供給ライン２１５ａの内部に侵入する。この状態でラジカル生成ガスが流されると，マイクロ波によりプラズマ化してラジカルが生成される。生成されたラジカルは，未処理のラジカル生成ガスやキャリアガス，及びプラズマ化の副生成物と共にラジカル供給ライン２１５ａを介してインゼクタ２１６に供給され，インゼクタ２１６を介して処理空間に導入される。一方，本実施例とは異なり，ラジカルは，ＩＣＰ方式のリモートプラズマによって生成してもよい。即ち，ＩＣＰ方式のリモートプラズマソースにラジカル生成ガスが供給されると，ラジカル生成ガスは，プラズマ化されてラジカルが生成される。生成されたラジカルは，ラジカル供給ライン２１５ａを介して上部チャンバ２１８ａの内部に導入することができる。
ラジカル供給ライン２１５ａを介して上部チャンバ２１８ａの内部にラジカル（例えば，水素ラジカル）が供給され，ガス供給ライン２１５ｂを介して上部チャンバ２１８ａの内部に反応性ガス（例えば，ＮＦ3のようなフッ化物ガス）が供給され，これを混合させて反応させる。この場合，反応式は，下記の通りである。
Figure 0005899318
即ち，基板Ｓの表面に予め吸着した反応性ガスとラジカルとが反応して中間生成物（ＮＨxＦy）が生成され，中間生成物（ＮＨxＦy）と基板Ｓ表面の自然酸化膜（ＳｉＯ2）とが反応して反応生成物（（ＮＨ4Ｆ）ＳｉＦ6）が形成される。一方，基板ホルダ２２８は，エッチングプロセス中，基板Ｓを回転させて均一なエッチングを助長する。
上部チャンバ２１８ａは，排気ライン２１７に連結され，排気ポンプ２１７ｂを介して反応プロセスが行われる前に上部チャンバ２１８ａに対する真空排気が行えるのみならず，上部チャンバ２１８ａの内部のラジカルと反応性ガス，未反応ラジカル生成ガス，プラズマ化するときの副生成物，キャリアガスなどを外部に排出することができる。弁２１７ａは，排気ライン２１７を開閉する。
ヒータ２４８は，上部チャンバ２１８ａの他側に設けられ，ヒータ２４８は，反応プロセスが行われた後の基板Ｓを所定温度（１００℃以上の所定温度，例えば，１３０℃）に加熱する。これによって反応生成物が熱分解して基板Ｓの表面からＨＦやＳｉＦ4のような熱分解ガスが離脱され，真空排気されることで，基板Ｓの表面からシリコン酸化物の薄膜を除去することができる。反応副産物（例えば，ＮＨ3，ＨＦ，ＳｉＦ4）は，排気ライン２１７を介して外部に排出することができる。
Figure 0005899318
図８は，図１に示したエピタキシャルチャンバを示す図であり，図９は，図１に示した供給管を示す図である。エピタキシャルチャンバ１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは，同じ処理を行うチャンバであってもよく，以下では，一つのエピタキシャルチャンバ１１２ａに対してだけ説明する。
エピタキシャルチャンバ１１２ａは，上部チャンバ３１２ａと下部チャンバ３１２ｂとを備え，上部チャンバ３１２ａと下部チャンバ３１２ｂは相互に連通している。下部チャンバ３１２ｂは，移送チャンバ１０２に対応する一側に形成された通路３１９を有し，基板Ｓを，通路３１９を介して移送チャンバ１０２からエピタキシャルチャンバ１１２ａに装填することができる。移送チャンバ１０２は，エピタキシャルチャンバ１１２ａに対応する一側に形成された移送通路１０２ｅを有し，移送通路１０２ｅと通路３１９との間には，ゲート弁１０９が設けられる。ゲート弁１０９は，移送チャンバ１０２とエピタキシャルチャンバ１１２ａを隔離することができ，移送通路１０２ｅと通路３１９は，ゲート弁１０９を介して開放及び閉鎖することができる。
エピタキシャルチャンバ１１２ａは，基板Ｓが積載される基板ホルダ３２８を備え，基板Ｓは，基板ホルダ３２８上に縦方向に積載される。基板ホルダ３２８は，回転軸３１８に連結され，回転軸３１８は，下部チャンバ３１２ｂを貫通してエレベータ３１９ａ及び駆動モータ３１９ｂに連結される。回転軸３１８は，エレベータ３１９ａを介して昇降し，基板ホルダ３２８は，回転軸３１８と共に昇降することができる。回転軸３１８は，駆動モータ３１９ｂを介して回転し，基板ホルダ３２８は，エピタキシャルプロセスが行われる間，回転軸３１８と共に回転することができる。
基板ハンドラ１０４は，基板Ｓをエピタキシャルチャンバ１１２ａに順次移送する。この際，基板ホルダ３２８は，エレベータ３１９ａにより昇降し，この昇降により基板ホルダ３２８の空いているスロットを通路３１９と対応する位置に移動する。よって，エピタキシャルチャンバ１１２ａに移送された基板Ｓは，基板ホルダ３２８上に積載され，基板ホルダ３２８の昇降により，基板Ｓを，縦方向に積載することができる。基板ホルダ３２８は，１３枚の基板Ｓを積載することができる。
基板ホルダ３２８が下部チャンバ３１２ｂ内に位置する時，基板Ｓが，基板ホルダ３２８内に積載され，図８に示すように，基板ホルダ３２８が反応チューブ３１４内に位置する時，基板Ｓに対するエピタキシャルプロセスが行われる。反応チューブ３１４は，エピタキシャルプロセスが行われる処理空間を提供する。支持板３１６は，回転軸３１８上に設けられ，基板ホルダ３２８と共に上昇して，反応チューブ３１４内部の処理空間を外部から遮断する。支持板３１６は，反応チューブ３１４の下端部に隣接するように配置され，支持板３１６と反応チューブ３１４の下端部との間には，シーリング部材３１６ａ（例えば，Ｏ−リングのような）が介在されて処理空間を密閉する。支持板３１６と回転軸３１８との間には，軸受部材３１６ｂが設けられ，回転軸３１８は，軸受部材３１６ｂにより支持された状態で回転することができる。
基板Ｓに対するエピタキシャルプロセスは，反応チューブ３１４内部の処理空間内で行われる。供給管３３２が，反応チューブ３１４内部の一側に設けられ，排気管３３４が，反応チューブ３１４内部の他側に設けられる。供給管３３２及び排気管３３４は，基板Ｓを中心に相互に向き合うよう配置することができ，基板Ｓの積載方向に応じて縦方向に配置することができる。側部ヒータ３２４及び上部ヒータ３２６は，反応チューブ３１４の外側に設けられ，反応チューブ３１４内部の処理空間を加熱する。
供給管３３２は，供給ライン３３２ａに連結され，供給ライン３３２ａは，反応ガスソース３３２ｃに連結される。反応ガスは，反応ガスソース３３２ｃに貯蔵され，供給ライン３３２ａを介して供給管３３２に供給される。図９に示すように，供給管３３２は，第１及び第２供給管３３２ａ，３３２ｂを備えることができ，第１及び第２供給管３３２ａ，３３２ｂは，長さ方向に沿って離隔配置された複数の供給孔３３３ａ，３３３ｂを有する。この際，供給孔３３３ａ，３３３ｂは，反応チューブ３１４に装填された基板Ｓの個数とほぼ同数に形成され，基板Ｓの間に対応するように位置するか，又は基板Ｓと関係なく位置することができる。よって，供給孔３３３ａ，３３３ｂを介して供給された反応ガスは，基板Ｓの表面に沿って層流状態（larminar flow）に円滑に流れることができ，基板Ｓが加熱した状態で基板Ｓ上にエピタキシャル層を形成することができる。供給ライン３３２ａは，弁３３２ｂを介して開閉することができる。
一方，第１供給管３３２ａは，蒸着用ガス〔シリコンガス（例えば，ＳｉＣｌ4，ＳｉＨＣｌ3，ＳｉＨ2Ｃｌ2，ＳｉＨ3Ｃｌ，Ｓｉ2Ｈ6，又はＳｉＨ4）及びキャリアガス（例えば，Ｎ2及び／又はＨ2）〕を供給し，第２供給管３３２ｂは，エッチング用ガスを供給することができる。選択的エピタキシープロセス(selective epitaxy process)は，蒸着反応及びエッチング反応を伴う。本実施例では図示していないが，エピタキシャル層にドーパントを含めることが要求される場合，第３供給管を追加することができ，第３供給管は，ドーパント含有ガス（例えば，アルシン（ＡｓＨ3），ホスフィン（ＰＨ3），及び／又はジボラン（Ｂ2Ｈ6））を供給することができる。
排気管３３４は，排気ライン３３５ａに連結され，排気ポンプ３３５を介して反応チューブ３１４内部の反応副産物を外部に排気することができる。排気管３３４は，複数の排気孔を有し，排気孔は，供給孔３３３ａ，３３３ｂと同様に基板Ｓ間に対応するように位置するか，又は基板Ｓと関係なく位置することができる。弁３３５ｂは，排気ライン３３５ａを開閉する。
本発明を好ましい実施例を介して詳細に説明したが，これとは異なる形態の実施例も可能である。よって，以下に記載された請求項の技術的思想と範囲は，好ましい実施例に限定されるものではない。
本発明は，多様な形態の半導体製造設備及び製造方法に応用することができる。

Claims (4)

  1. 基板に対する洗浄プロセスが行われる洗浄チャンバと，
    前記基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルプロセスが行われるエピタキシャルチャンバと，
    基板ホルダを備え，該基板ホルダが前記基板を積載する積載空間を形成するバッファチャンバと，
    前記洗浄チャンバ，前記バッファチャンバ，および前記エピタキシャルチャンバが側面に連結され，前記基板を前記洗浄チャンバ，前記エピタキシャルチャンバ，及び前記バッファチャンバ間で移送する基板ハンドラを備える移送チャンバとを備え，
    前記積載空間は，前記洗浄プロセスが行われた前記基板が積載される第１積載空間と，前記エピタキシャル層が形成された前記基板が積載される第２積載空間を備え，
    前記第１積載空間と第２積載空間は相互に縦方向に配置され，
    前記基板ハンドラは，前記洗浄プロセスが行われた前記基板を前記第１積載空間に順次移送して前記第１積載空間に積載された前記基板を前記エピタキシャルチャンバに移送し，前記エピタキシャル層が形成された前記基板を前記第２積載空間に順次に移送し，
    前記洗浄チャンバは，
    前記移送チャンバの側面に連結され，前記基板に対する反応プロセスが行われる反応チャンバと，
    前記移送チャンバの側面に連結され，前記基板に対する加熱プロセスが行われるヒーティングチャンバとを備え，
    前記反応チャンバと前記ヒーティングチャンバとは，上下に積載され，
    前記反応チャンバは，
    前記反応チャンバに連結されてラジカルを供給するラジカル供給ラインと，
    前記反応チャンバに連結されて反応性ガスを供給するガス供給ラインと
    を備え，
    前記ヒーティングチャンバは，
    前記基板が配置されるサセプタと，
    前記サセプタに配置された前記基板を加熱するヒータとを備えることを特徴とする半導体製造設備。
  2. 前記移送チャンバは，前記洗浄チャンバに向かって基板が出入する第１及び第２移送通路を有し，
    前記反応チャンバは，前記基板が出入する反応通路を有し，前記ヒーティングチャンバは，前記基板が出入するヒーティング通路を有し，
    前記半導体製造設備は，前記反応チャンバと前記移送チャンバとを隔離する反応側ゲート弁，及び前記ヒーティングチャンバと前記移送チャンバとを隔離するヒーティング側ゲート弁をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体製造設備。
  3. 前記反応チャンバは，前記基板が配置され，前記反応プロセス中，前記基板を回転させるサセプタをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体製造設備。
  4. 前記反応性ガスは，ＮＦ3を含むフッ化物ガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体製造設備。
JP2014523842A 2011-08-02 2012-07-31 エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備 Active JP5899318B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110077101A KR101252742B1 (ko) 2011-08-02 2011-08-02 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
KR10-2011-0077101 2011-08-02
PCT/KR2012/006106 WO2013019063A2 (ko) 2011-08-02 2012-07-31 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014529184A JP2014529184A (ja) 2014-10-30
JP5899318B2 true JP5899318B2 (ja) 2016-04-06

Family

ID=47629798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014523842A Active JP5899318B2 (ja) 2011-08-02 2012-07-31 エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140144375A1 (ja)
JP (1) JP5899318B2 (ja)
KR (1) KR101252742B1 (ja)
CN (1) CN103718273B (ja)
TW (1) TWI525735B (ja)
WO (1) WO2013019063A2 (ja)

Families Citing this family (232)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101271248B1 (ko) * 2011-08-02 2013-06-07 주식회사 유진테크 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
CN105870036A (zh) * 2015-01-20 2016-08-17 中国科学院微电子研究所 一种FinFet器件源漏外延设备及方法
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101685095B1 (ko) 2015-04-16 2016-12-09 주식회사 유진테크 기판 버퍼링 장치, 기판처리설비, 및 기판처리방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN107034450A (zh) * 2016-02-04 2017-08-11 旺宏电子股份有限公司 半导体制造装置及半导体制造装置中的加热器的调整方法
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10043666B2 (en) 2016-02-26 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Method for inter-chamber process
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
JP7125430B2 (ja) * 2017-06-23 2022-08-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド インデックス可能な側方収容ポッド装置、加熱側方収容ポッド装置、システム、及び方法
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
CN107611007A (zh) * 2017-08-24 2018-01-19 长江存储科技有限责任公司 一种深沟槽的预清洗方法及3d nand制备工艺
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20200131634A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
US11996307B2 (en) 2020-12-23 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing tool platform configuration with reduced footprint
US11862482B2 (en) * 2021-03-11 2024-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor substrate bonding tool and methods of operation
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122883B2 (ja) * 1989-10-18 2001-01-09 東芝機械株式会社 気相成長装置
JP3084497B2 (ja) * 1992-03-25 2000-09-04 東京エレクトロン株式会社 ＳｉＯ２膜のエッチング方法
JP3154793B2 (ja) * 1992-03-27 2001-04-09 株式会社東芝 基板処理装置
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6176667B1 (en) * 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
US6062798A (en) * 1996-06-13 2000-05-16 Brooks Automation, Inc. Multi-level substrate processing apparatus
JP2000323551A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Anelva Corp 基板処理装置
JP2002100574A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007056336A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置，基板処理装置の基板搬送方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体
CN101415865B (zh) * 2006-04-07 2015-10-07 应用材料公司 用于外延膜层形成的集束型设备
US20080202687A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Stacked process chambers for flat-panel display processing tool
KR100929817B1 (ko) * 2007-10-23 2009-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
KR20090124118A (ko) * 2008-05-29 2009-12-03 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판 처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR101252742B1 (ko) 2013-04-09
WO2013019063A2 (ko) 2013-02-07
TW201316431A (zh) 2013-04-16
US20140144375A1 (en) 2014-05-29
TWI525735B (zh) 2016-03-11
WO2013019063A3 (ko) 2013-04-04
KR20130015223A (ko) 2013-02-13
CN103718273A (zh) 2014-04-09
JP2014529184A (ja) 2014-10-30
CN103718273B (zh) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5899318B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP5978301B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP5844900B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP5844899B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP5844919B2 (ja) 補助ガス供給ポートを含む基板処理装置
KR101364701B1 (ko) 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치
JP5848832B2 (ja) 熱遮断プレートを含む基板処理装置
KR101308111B1 (ko) 복수의 배기포트를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150227

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5899318

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250