JP5875743B1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有しており、前記正孔輸送層が下記一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体を含有し、前記発光層が、Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物及び／またはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物を含有していることを特徴とする。【化１】（１）式中、Ａ１は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示し、Ｂは、１価の芳香族炭化水素基；１価の芳香族複素環基；または置換基として、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基もしくはジ置換アミノ基；を示し、Ｒ１〜Ｒ１４は、水素原子或いはアルキル基等である。

Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関するものであリ、より詳細には、正孔輸送層に特定の分子構造を有するインデノアクリダン誘導体を含んでいる有機ＥＬ素子に関する。

有機ＥＬ素子は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であることから、有機ＥＬ素子については多くの研究がなされてきた。

１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは、発光のための各種の役割を各材料に分担した積層構造とすることにより、実用的な有機ＥＬ素子の開発に成功した。かかる有機ＥＬ素子は、電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層することにより構成されるものであり、正電荷と負電荷とを蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２以上の高輝度が得られるというものである。

現在まで、有機ＥＬ素子の実用化のために多くの改良がなされており、例えば、積層構造の各種の役割をさらに細分化し、基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を設けた積層構造とすることにより、高効率と耐久性が達成されることが一般に知られている。

また、発光効率の更なる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光性化合物の利用が検討されている。
さらに、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）による発光を利用する素子も開発されている。例えば、２０１１年に九州大学の安達らは、熱活性化遅延蛍光材料を用いた素子によって５．３％の外部量子効率を実現させている。

発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光性化合物や燐光発光性化合物または遅延蛍光を放射する材料をドープして作製することもできる。有機ＥＬ素子における有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。

有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、正孔、電子の両電荷を如何に効率良く発光層に受け渡すかが重要であり、キャリアバランスに優れた素子とする必要がある。また、正孔注入性を高め、陰極から注入された電子をブロックする電子阻止性を高めることによって、正孔と電子が再結合する確率を向上させ、更には発光層内で生成した励起子を閉じ込めることによって、高発光効率を得ることができる。そのため、正孔輸送材料の果たす役割は重要であり、正孔注入性が高く、正孔の移動度が大きく、電子阻止性が高く、さらには電子に対する耐久性が高い正孔輸送材料が求められている。

また、素子の寿命に関しては材料の耐熱性やアモルファス性も重要である。耐熱性が低い材料では、素子駆動時に生じる熱により、低い温度でも熱分解が起こり、材料が劣化する。アモルファス性が低い材料では、短い時間でも薄膜の結晶化が起こり、素子が劣化してしまう。そのため使用する材料には耐熱性が高く、アモルファス性が良好な性質が求められる。

これまで有機ＥＬ素子に用いられてきた正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）や種々の芳香族アミン誘導体が知られていた（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。ＮＰＤは良好な正孔輸送能力を持っているが、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が９６℃と低く、高温条件下では結晶化による素子特性の低下が起こってしまう。
また、特許文献１，２に記載の芳香族アミン誘導体の中には、正孔の移動度が１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓ以上と優れた移動度を有する化合物もあるが、電子阻止性が不十分であるため、電子の一部が発光層を通り抜けてしまい、発光効率の向上が期待できないなど、更なる高効率化のため、より電子阻止性が高く、薄膜がより安定で耐熱性の高い材料が求められていた。
さらに、耐久性の高い芳香族アミン誘導体も報告されているが（例えば、特許文献３参照）、電子写真感光体に用いられる電荷輸送材料として用いたもので、有機ＥＬ素子として用いた例はなかった。

耐熱性や正孔注入性などの特性を改良した化合物として、置換カルバゾール構造を有するアリールアミン化合物が提案されているが（例えば、特許文献４〜６参照）、これらの化合物を正孔注入層または正孔輸送層に用いた素子では、耐熱性や発光効率などの改良はされているものの、未だ十分とはいえず、さらなる低駆動電圧化や、さらなる高発光効率化が求められている。

有機ＥＬ素子の素子特性の改善や素子作製の歩留まり向上のために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、正孔および電子が高効率で再結合できる、発光効率が高く、駆動電圧が低く、長寿命な素子が求められている。

また、有機ＥＬ素子の素子特性を改善させるために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、キャリアバランスのとれた高効率、低駆動電圧、長寿命な素子が求められている。

特開平８−０４８６５６号公報 特許第３１９４６５７号公報 特許第４９４３８４０号公報 国際公開第２００６／０３３５６３号 国際公開第２００７／１１０２２８号 国際公開第２０１０／１４７３１９号

本発明の目的は、正孔の注入・輸送性能、電子阻止能力、薄膜状態での安定性や耐久性に優れた正孔輸送材料により正孔輸送層が形成されており、該正孔輸送材料の優れた特性が十分に発揮されるように、他の層が組み合わされており、この結果として、高効率、低駆動電圧、長寿命が実現された有機ＥＬ素子を提供することにある。

本発明者等は、特定の分子構造を有するインデノアクリダン誘導体が正孔輸送材料として優れた特性を示すと共に、かかる化合物を用いて正孔輸送層を形成したとき、発光層がＮ−芳香族置換インデノインドール化合物或いはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物を含んでいる場合には、優れたキャリアバランスが確保され、各種特性に優れた有機ＥＬ素子が得られるという知見を見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明によれば、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層が下記一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体を含有し、前記発光層が、Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物及び／またはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
（１）
式中、
Ａ^１は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示し、
Ｂは、１価の芳香族炭化水素基；１価の芳香族複素環基；または置換基として、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基もしくは置換基を有していてもよいビニル基を有するジ置換アミノ基；を示し、
ここで、Ｂがジ置換アミノ基である場合、Ａ^１は単結合でないものとし、Ａ^１が単結合でない場合には、Ａ^１とＢとは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく、
Ｒ^１〜Ｒ^１０は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基であって、これらの基は、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく、
Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基であって、Ｒ^１１とＲ^１２、或いはＲ^１３とＲ^１４とは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

本発明の有機ＥＬ素子において、前記発光層に使用される前記Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物としては、下記一般式（２）で表される化合物が好適である。
（２）
式中、
Ａ^２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示し、
Ａｒ^１は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｒ^１５〜Ｒ^２２は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、または、置換基として１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよいし、さらには、Ｒ^１５〜Ｒ^１８の一部あるいはＲ^１９〜Ｒ^２２の一部が脱離しており、この脱離により生じた空位に、Ｒ^１５〜Ｒ^１８の他の基あるいはＲ^１９〜Ｒ^２２の他の基が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成していてもよく、
Ｒ^２３及びＲ^２４は、炭素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

また、本発明の有機ＥＬ素子において、前記発光層に使用される前記Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物としては、下記一般式（３）で表される化合物が好適である。
（３）
式中、
Ａ^３は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示し、
Ａｒ^２は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｒ^２５〜Ｒ^３２は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、または、置換基として１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよいし、さらには、Ｒ^２５〜Ｒ^２８の一部あるいはＲ^２９〜Ｒ^３２の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ^２５〜Ｒ^２８の他の基あるいはＲ^２９〜Ｒ^３２の他の基が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成していてもよい。

さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、前記電子輸送層が下記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体を含有していることが好ましい。
（４）
式中、
Ａ^４は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合を示し、
Ｅは、１価の芳香族複素環基を示し、
Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、
ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または８の整数であり、ｑが１または２の整数である。

上記のアントラセン誘導体としては、特に、下記一般式（４ａ）、（４ｂ）或いは（４ｃ）で表される化合物が好適である。

一般式（４ａ）で表されるアントラセン誘導体；
（４ａ）
式中、
Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、
Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であり、
Ｒ^３３〜Ｒ^３９は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を表し、該窒素原子には、水素原子を含めてＲ^３３〜Ｒ^３６の何れも結合していないものとする。

一般式（４ｂ）で表されるアントラセン誘導体；

（４ｂ）
Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、
Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基である。

一般式（４ｃ）で表されるアントラセン誘導体；
（４ｃ）
Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、
Ａｒ^９、Ａｒ^１０及びＡｒ^１１は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であり、
Ｒ^４０は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基である。

さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、
（１）前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造を有しており、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体を含有していること、
（２）前記発光層が、さらに、燐光性の発光材料を含有していること、
（３）前記燐光性の発光材料がイリジウムまたは白金を含む金属錯体であること、
（４）前記燐光性の発光材料が赤色発光性ドーパントであること、
がより好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子において、正孔輸送層に含まれる一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体は、分子中にインデノアクリダン環を有しているが、この環中の窒素原子には、単結合或いは２価の芳香族基を介して、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基或いは特定のジ置換アミノ基が結合しているという構造上の特徴を有している。このような構造を有するインデノアクリダン誘導体は、
（１）正孔の注入・輸送特性が良い、
（２）電子阻止能力に優れている、
（３）薄膜状態が安定である、
（４）耐熱性に優れている、
という特性を有している。しかも、本発明の有機ＥＬ素子は、このようなインデノアクリダン誘導体が正孔輸送層に含まれていることに加え、発光層にＮ−芳香族置換インデノインドール化合物或いはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物を含んでおり、これにより、上記インデノアクリダン誘導体の優れた特性が十分に発揮され、発光層に正孔を効率良く注入・輸送でき、高効率、低駆動電圧での発光を実現でき、さらには、素子の長寿命化も実現できる。

また、本発明においては、上記の正孔輸送層及び発光層と共に、前述した一般式（４）で表されるアントラセン誘導体により形成された電子輸送層を設けることにより、発光層へ正孔と電子をより効率良く注入・輸送でき、高いキャリアバランスを確保することができ、より高い特性向上を実現できる。

さらに、本発明においては、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とし、発光層に隣接する側に位置する第二正孔輸送層を、前述した一般式（１）のインデノアクリダン誘導体により形成することにより、該インデノアクリダン誘導体が有する電子阻止性能を最大限に活用することができ、より高効率で長寿命（高耐久性）の有機ＥＬ素子を実現することができる。

本発明の有機ＥＬ素子において、実施例で採用されている好適な層構成を示す図。 実施例１で合成された化合物（１−１）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 実施例２で合成された化合物（１−３）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 実施例３で合成された化合物（１−４）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 実施例４で合成された化合物（１−５）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 実施例５で合成された化合物（１−６）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 実施例６で合成された化合物（１−７）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 実施例７で合成された化合物（１−８）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 実施例８で合成された化合物（１−９）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−１）〜（１−５）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−６）〜（１−１０）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−１１）〜（１−１５）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−１６）〜（１−１９）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−２０）〜（１−２４）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−２５）〜（１−２９）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−３０）〜（１−３４）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−３５）〜（１−３９）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１〜４０）〜（１−４４）の構造式を示す図。 一般式（１）のインデノアクリダン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−４５）〜（１−４７）の構造式を示す図。 一般式（２）のＮ−芳香族置換インデノインドール化合物における化合物Ｎｏ．（２−１）〜（２−５）の構造式を示す図。 一般式（２）のＮ−芳香族置換インデノインドール化合物における化合物Ｎｏ．（２−６）〜（２−１０）の構造式を示す図。 一般式（２）のＮ−芳香族置換インデノインドール化合物における化合物Ｎｏ．（２−１１）〜（２−１５）の構造式を示す図。 一般式（３）のＮ−芳香族置換カルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−１）〜（３−５）の構造式を示す図。 一般式（３）のＮ−芳香族置換カルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−６）〜（３−１０）の構造式を示す図。 一般式（３）のＮ−芳香族置換カルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−１１）〜（３−１６）の構造式を示す図。 一般式（３）のＮ−芳香族置換カルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−１７）〜（３−２１）の構造式を示す図。 一般式（３）のＮ−芳香族置換カルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−２２）〜（３−２３）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−１）〜（４ａ−５）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−６）〜（４ａ−１０）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−１１）〜（４ａ−１５）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−１６）〜（４ａ−２０）の構造式を示す図。 一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｂ−１）〜（４ｂ−５）の構造式を示す図。 一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｂ−６）〜（４ｂ−１０）の構造式を示す図。 一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｂ−１１）〜（４ｂ−１６）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−１）〜（４ｃ−５）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−６）〜（４ｃ−９）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−１０）〜（４ｃ−１３）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−１４）〜（４ｃ−１７）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−１８）〜（４ｃ−２１）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−２２）〜（４ｃ−２５）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−２６）〜（４ｃ−３０）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−１）〜（５−５）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−６）〜（５−１０）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−１１）〜（５−１５）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−１６）〜（５−２０）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−２１）〜（５−２３）の構造式を示す図。 トリアリールアミン化合物Ｎｏ．（５’−１）、（５’−２）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−１）〜（６−５）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−６）〜（６−１０）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−１１）〜（６−１５）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−１６）〜（６−１７）の構造式を示す図。

発明が実施しようとする形態

本発明の有機ＥＬ素子は、ガラス基板や透明プラスチック基板（例えばポリエチレンテレフタレート基板）などの透明基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が、この順に形成された基本構造を有している。このような基本構造を有している限り、その層構造は種々の態様を採ることができ、例えば、正孔輸送層を、陽極側に位置する第一正孔輸送層と発光層に隣接する第二正孔輸送層との２層構造とすることもできるし、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を設けることもでき、さらには、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けることもできる。例えば、図１には、後述する実施例で採用された層構造が示されており、透明基板１上に、陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９が、この順に形成されている。特に、この例では、正孔輸送層５は、第一正孔輸送層５ａと第二正孔輸送層５ｂとの二層構造となっている。
以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。

＜陽極２＞
陽極２は、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料の蒸着により、透明基板１上に形成されるものである。

＜正孔注入層３＞
陽極２と正孔輸送層５との間には、必要に応じて、正孔注入層３が適宜形成される。かかる正孔注入層３は、それ自体公知の材料、例えば、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、種々のトリフェニルアミン４量体などの材料；銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物；ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物や塗布型の高分子材料；などを用いて形成することができる。また、トリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（例えば、国際公開第２０１４／００９３１０号参照）などをＰドーピングしたものや、ＴＰＤなどのベンジジン誘導体の構造をその部分構造に有する高分子化合物なども用いることができる。

＜正孔輸送層５＞
正孔輸送層５は、上記の陽極２と発光層６との間に設けられるものであり、本発明においては、この正孔輸送層は、下記の一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体を含んでいる。

（１）

前記一般式（１）において、Ａ^１は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示す。
ここで、２価の芳香族炭化水素基は、２つの結合手を有する芳香族炭化水素環から形成されているものであり、このような芳香族炭化水素環としては、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチレン、ナフタレン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フェナントレン、インダン、ピレン、トリフェニレン、フルオランテンなどを挙げることができる。
また、２価の芳香族複素環基は、２つの結合手を有する芳香族複素環から形成されているものであり、このような芳香族複素環としては、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ピロール、フラン、チオフェン、キノリン、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドリン、カルバゾール、カルボリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、ピラゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナントロリン、アクリジン、キナゾリン、ベンゾキナゾリンなどをあげることができる。

また、一般式（１）中のＢは、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、またはジ置換アミノ基を表す。
上記の１価の芳香族炭化水素基は、１つの結合手を有する芳香族炭化水素環から形成されているものであり、上記の１価の芳香族複素環基は１つの結合手を有する芳香族複素環から形成されているものであり、これらの例としては、以下のものを例示することができる。

１価の芳香族炭化水素基；
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基等。
１価の芳香族複素環基；
ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、キナゾリニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾキナゾリニル基、ピリドピリミジニル基、ピラゾリル基、ナフトピリミジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、カルボリニル基等。

さらに、ジ置換アミノ基が有する置換基は、ビニル基（置換基を有していてもよい）、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基である。この１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、上記で例示したものと同じものを挙げることができる。

また、上記のＡ^１及びＢにおいて、Ｂがジ置換アミノ基である場合、Ａ^１は単結合でないものとする。また、Ａ^１が単結合でない場合、即ち、Ａ^１が２価の芳香族炭化水素基または２価の芳香族複素環基である場合、Ａ^１とＢとは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
特に、Ｂが示すジ置換アミノ基がビニル基を有する場合、このビニル基は、単結合を介して、Ａ^１が有する芳香族環或いはジ置換アミノ基が有する他方の置換基が有する芳香族環と結合して、さらに芳香族環を形成していることが好ましい（後述する化合物Ｎｏ．１−２２、１−２３、１−４２参照）。
即ち、上記一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体は、アクリダン環中の窒素原子に、芳香族炭化水素環或いは芳香族複素環が結合しているＮ−芳香族置換体であることが望ましい。

さらに、上述したＡ^１及びＢが示す各種の基、例えば、１価または２価の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基、及びジ置換アミノ基は、さらに置換基を有していてもよい。
このような置換基（ジ置換アミノ基のビニル基が有していてよい置換基を含む）としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基などに加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子；
炭素数１ないし６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基など；
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、例えば、メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基など；
アルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基など；
アリール基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基など；
アリールオキシ基、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基など；
アラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基など；
アリールアルキルオキシ基、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基；
芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、キナゾリニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾキナゾリニル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基など；
アリールビニル基、例えば、スチリル基、ナフチルビニル基など；
アシル基、例えば、アセチル基、ベンゾイル基など；
シリル基、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基など；
これらの置換基は、さらに、ここで例示している置換基をさらに有していてもよい。
また、上記で例示した置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

さらに、上記一般式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を示す。
炭素数１ないし６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などをあげることができる。
炭素数５ないし１０のシクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基などをあげることができる。
炭素数２ないし６のアルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基の例としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などをあげることができる。
炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基の例としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基などをあげることができる。
１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基は、前記の“Ｂ”について例示したものと同じである。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基などをあげることができる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ビフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。
上記の各基は、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上述したＲ^１〜Ｒ^１０が示す各基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、炭素数に関する条件を満足する範囲において、前述した“Ｂ”における１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基が有する置換基として例示したものと同じ基をあげることができる。
また、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

また、一般式（１）におけるＲ^１１〜Ｒ^１４は、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、またはアリールオキシ基である。
これらの基の具体例としては、前記Ｒ^１〜Ｒ^１０について例示したものとおなじ基をあげることができ、これらの基は、前記Ｒ^１〜Ｒ^１０が有する置換基と同様、さらに置換基を有していてもよい。

さらに、上記のＲ^１１とＲ^１２、或いはＲ^１３とＲ^１４とは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上述した一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体の具体例としては、図１０〜図１９で示されている化合物（１−１）〜（１−４７）をあげることができる。

本発明において、上述した一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体は、後述する実施例からも理解されるようにガラス転移点Ｔｇが高く（例えば１１０℃以上）、従って、薄膜状態が安定であり、耐熱性も優れている。また、一般的な正孔輸送材料が有する仕事関数（約５．４ｅＶ）と比較して、高い仕事関数を有しており、従って、正孔輸送性に優れており、正孔の移動度が大きく且つ正孔の注入特性もよい。さらには、電子阻止性にも優れている。
このようなインデノアクリダン誘導体は、それぞれ１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもでき、さらには、かかるインデノアクリダン誘導体が有する優れた特性が損なわれない範囲において、公知の正孔輸送材料と併用して正孔輸送層５を形成することもできる。

このような公知の正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジンなどのベンジジン誘導体；１，１−ビス［４−(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；後述する一般式（５）または一般式（６）で表されるトリアリールアミン誘導体；その他、種々のトリフェニルアミン３量体などをあげることができる。

また、かかる正孔輸送層５においては、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（例えば、国際公開２０１４／００９３１０号参照）などをＰドーピングしたものや、ＴＰＤなどのベンジジン誘導体の分子構造を含む高分子化合物などを併用することもできる。

上述した正孔輸送層５は、一般式（１）のインデノアクリダン誘導体を含むガスの蒸着もしくは共蒸着により形成することが好適であるが、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によっても形成することができる。
このような正孔輸送層５の厚みは、通常２５〜６０ｎｍ程度であるが、低い駆動電圧で発光させることができるため、その厚みを例えば１００ｎｍ以上に厚くした場合にも駆動電圧の上昇を抑えることができる。即ち、正孔輸送層の厚みの自由度が高く、例えば、２０〜３００ｎｍ、特に２０〜２００ｎｍの厚みで実用駆動電圧を維持できる。

また、本発明では、上記のインデノアクリダン誘導体を含む正孔輸送層５は、例えば図１に示されているように、陽極側に位置する第一正孔輸送層５ａと発光層６側に位置する第二正孔輸送層５ｂとの二層構造を有していることが好適である。
このような二層構造の正孔輸送層５については、後述する。

＜発光層６＞
発光層６は、用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成することができるが、本発明においては、特に、Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物或いはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物を含んでいることが重要である。即ち、発光材料と共に、これらの化合物が発光層６中に存在していることにより、前述した正孔輸送層５に含まれているインデノアクリダン誘導体の正孔輸送・注入性が活かされ、発光層６に効率よく正孔を注入することができ、高効率、低駆動電圧での発光を実現できる。

上記のＮ−芳香族置換インデノインドール化合物は、インデノインドール環構造を有するものであるが、この環内の窒素原子に芳香族基が導入されており、例えば下記一般式（２）で表される。

（２）

前記一般式（２）において、窒素原子に結合しているＡ^２は、一般式（１）におけるＡ^１と同様、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示す。
かかる２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基としては、一般式（１）におけるＡ^１について例示したものと同様の基を例示することができ、またＡ^１について例示されている基と同様の置換基を有していてよく、さらに、かかる置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

また、Ａｒ^１は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。かかる１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、一般式（１）におけるＢについて例示したものと同様の基を例示することができ、またＢについて例示されている基と同様の置換基を有していてよく、さらに、かかる置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（２）中のＲ^１５〜Ｒ^２２は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、または、置換基として１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基である。

上記のジ置換アミノ基が置換基として有している１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基や、その他の基の具体例としては、一般式（１）におけるＢ或いはＲ^１〜Ｒ^１０について例示されているものをあげることができ、これらの基も、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい（例えば、後述する一般式（２ｄ）及び（２ｅ）参照）。
さらに、Ｒ^１５〜Ｒ^１８の一部あるいはＲ^１９〜Ｒ^２２の一部が脱離しており、この脱離により生じた空位に、Ｒ^１５〜Ｒ^１８の他の基あるいはＲ^１９〜Ｒ^２２の他の基（これら他の基は上記であげた基である）が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい（例えば、後述する一般式（２ａ）〜（２ｃ）参照）。

また、一般式（２）中のＲ^２３及びＲ^２４は、炭素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基である。これらの基の具体例としては、一般式（１）におけるＢ或いはＲ^１〜Ｒ^１０について例示されているものをあげることができ、これらの基も、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上述した一般式（２）で表されるＮ−芳香族置換インデノインドール化合物においては、Ｒ^１５〜Ｒ^１８、或いはＲ^１９〜Ｒ^２２により環が形成されていることが好ましい。

例えば、下記一般式（２ａ）〜（２ｅ）に示されているＮ−芳香族置換インデノインドール化合物は、Ｒ^１５〜Ｒ^１８が環を形成しているときの例である。
尚、下記の一般式（２ａ）〜（２ｅ）において、Ａ^２、Ａｒ^１、Ｒ^１５〜Ｒ^２４は、前記一般式（２）で示したとおりの意味を表し、Ｘは、２価の連結基であり、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を表す。

一般式（２ａ）；
（２ａ）
上記一般式（２ａ）は、一般式（２）中のＲ^１５が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^１５と隣接しているＲ^１６が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。

一般式（２ｂ）；
（２ｂ）
上記一般式（２ｂ）は、一般式（２）中のＲ^１７が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^１７と隣接しているＲ^１８が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。

一般式（２ｃ）；
（２ｃ）
上記一般式（２ｃ）は、一般式（２）中のＲ^１６が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^１６と隣接しているＲ^１７が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。

上記一般式（２ａ）〜（２ｃ）において、連結基Ｘを介してのベンゼン環への結合により形成される縮合環の例としては、フルオレン環（Ｘ＝メチレン）、カルバゾール環（Ｘ＝モノフェニルアミノ基）、ジベンゾフラン環（Ｘ＝酸素原子）、ジベンゾチオフェン環（Ｘ＝硫黄原子）をあげることができる。

一般式（２ｄ）；
（２ｄ）
上記一般式（２ｄ）は、一般式（２）中のＲ^１７（ビニル基）とＲ^１８（ビニル基）とが結合してベンゼン環を形成している構造を有している。

一般式（２ｅ）；
（２ｅ）
上記一般式（２ｅ）は、一般式（２）中のＲ^１６（フェニル基）とＲ^１７（フェニル基）とが結合してフェナントレン環を形成している構造を有している。

上記の一般式（２ａ）〜（２ｅ）では、Ｒ^１５〜Ｒ^１８が環を形成している構造が示されているが、Ｒ^１９〜Ｒ^２２が環を形成している構造では、これら一般式（２ａ）〜（２ｅ）で形成されている環が、Ｒ^１９〜Ｒ^２２が結合しているベンゼン環に縮合していることとなる。

本発明において、上述した一般式（２）（或いは一般式（２ａ）〜（２ｅ））で表されるＮ−芳香族置換インデノインドール化合物の具体例としては、図２０〜図２２で示されている構造式を有する化合物（２−１）〜（２−１５）をあげることができる。

本発明において、発光層６の形成に使用されるＮ−芳香族置換カルバゾール化合物は、カルバゾール環構造を有するものであり、カルバゾール環内の窒素原子に芳香族基が導入されており、例えば下記一般式（３）で表される。

（３）

前記一般式（３）において、窒素原子に結合しているＡ^３は、一般式（１）におけるＡ^１及び一般式（２）におけるＡ^２と同様、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示す。
かかる２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基としては、一般式（１）におけるＡ^１及び一般式（２）におけるＡ^２について示したものと同様の基を例示することができ、これらの基は、Ａ^１について例示されている基と同様の置換基を有していてよく、さらに、かかる置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

また、上記一般式（３）中のＡｒ^２は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。かかる１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、一般式（１）におけるＢについて例示したものと同様の基を例示することができ、またＢについて例示されている基と同様の置換基を有していてよく、さらに、かかる置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（３）中のＲ^２５〜Ｒ^３２は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、または、置換基として１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基である。

上記のジ置換アミノ基が置換基として有している１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基や、その他の基の具体例としては、一般式（１）におけるＢ或いはＲ^１〜Ｒ^１０について例示されているものをあげることができ、これらの基も、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい。

また、上記のＲ^２５〜Ｒ^３２の一部が脱離しており、この脱離により生じた空位に、Ｒ^２５〜Ｒ^３２の他の基（特に脱離している基に隣接している基）が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい。

本発明においては、Ｒ^２５〜Ｒ^３２により環が形成されていることが好ましい。即ち、カルバゾール環が有しているベンゼン環に環が縮合している構造が好ましい。特に、下記一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１）に示されているように、Ｒ^２５〜Ｒ^３２の一部が脱離した空位に、隣接している他の基が置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成していることが好ましい。
尚、下記の一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１）において、Ａ^３、Ａｒ^２、Ｒ^２５〜Ｒ^３２は、前記一般式（３）で示したとおりの意味を表し、Ｘは、２価の連結基であり、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を表す。

一般式（３ａ−１）；
上記一般式（３ａ−１）は、一般式（３）中のＲ^２５が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^２５と隣接しているＲ^２６（置換基として２つのメチル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。

一般式（３ａ−２）；
上記一般式（３ａ−２）も、一般式（３ａ−１）と同様、一般式（３）中のＲ^２５が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^２５と隣接しているＲ^２６（置換基として２つのメチル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。

一般式（３ａ−３）；
上記一般式（３ａ−３）は、一般式（３）中のＲ^２８が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^２８と隣接しているＲ^２７（置換基として２つのメチル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。

一般式（３ａ−４）；
上記一般式（３ａ−４）は、一般式（３）中のＲ^２５が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^２５と隣接しているＲ^２６（置換基として２つのフェニル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に縮合環を形成している構造を有している。

一般式（３ｂ−１）；
上記一般式（３ｂ−１）は、一般式（３）中のＲ^２５が脱離して空位となっている位置に、Ｒ^２５と隣接しているＲ^２６（Ｎ−フェニル置換インドリル基）が連結基Ｘを介して結合して縮合環を形成している構造を有している。

上記一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）において、連結基Ｘを介してのベンゼン環への結合により形成される縮合環の例としては、インデノインダン環（Ｘ＝メチレン）、インデノインドール環（Ｘ＝モノフェニルアミノ基）、インデノベンゾフラン環（Ｘ＝酸素原子）、インデノベンゾチオフェン環（Ｘ＝硫黄原子）などであってもよい。

上述した一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１）では、Ｒ^２５〜Ｒ^２８が環を形成している構造が示されているが、勿論、Ｒ^２９〜Ｒ^３２が、これらの式と同様に環を形成していてもよい。

本発明において、上述した一般式（３）（或いは一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１））で表されるＮ−芳香族置換カルバゾール化合物の具体例としては、図２３〜図２７で示されている構造式を有する化合物（３−１）〜（３−２３）をあげることができる。

上述したＮ−芳香族置換インデノインドール化合物及びＮ−芳香族置換カルバゾール化合物は、発光層のホスト材料としての特性に優れ、これらの化合物を、それぞれ、単独で或いは２種以上を併用し、発光材料と組み合わせて発光層６が形成することにより、前述した正孔輸送層５に含まれているインデノアクリダン誘導体の正孔輸送・注入性が活かされ、高い発光効率を達成することが可能となる。

また、上記のＮ−芳香族置換カルバゾール化合物としては、前述した一般式（３）で表されるものが好適であるが、このような一般式（３）で表されるカルバゾール化合物以外にも、例えば、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）やＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などを併用することもできる。

また、上述したＮ−芳香族置換インデノインドール化合物及びＮ−芳香族置換カルバゾール化合物の優れた特性が損なわれない範囲で、従来から発光材料と共に使用されている化合物、例えば、Ａｌｑ_３をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体、キナゾリン誘導体などを併用することもできるし、さらに、電子輸送性を有する化合物、例えば、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン(ＵＧＨ２)や２，２’,２’’−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）などを併用することもできる。

発光材料としては、特に制限されず、それ自体公知のものを使用することができるが、本発明では、特に燐光発光体を使用することが好ましい。
燐光発光体としては、イリジウムや白金などの金属錯体が代表的であり、この金属錯体の燐光発光体には、ビス（３−メチル−２−フェニルキノリン）イリジウム（III）アセチルアセトナート（Ｉｒ（３‘−Ｍｅｐｑ）_２（ａｃａｃ））、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体などがある。
本発明では、上記の燐光発光体の中でも特に赤色の燐光発光体が好適である。

また、発光材料としてＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である（例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３３０２参照）。

本発明においては、上記の発光材料をドーパントとして使用し、前述したＮ−芳香族置換インデノインドール化合物或いはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物及びその他の材料をホスト材料として使用することができる。
燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層６の全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。
本発明において、最も好適な発光層６は、ドーパントとして赤色発光性のもの（即ち、赤色の燐光発光体）を用いたものである。

発光層６を上記のようなホスト材料とドーパントとにより形成したとき、ドーパント材料として、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることもできる。

＜電子輸送層７＞
本発明において、上述した発光層６の上に設けられる電子輸送層７は、公知の電子輸送性材料を用いての蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などの公知の方法によって形成することができる。

電子輸送層は、それ自体公知の電子輸送材料から形成されていてよく、Ａｌｑ_３等のキノリノール誘導体の金属錯体のほか、亜鉛、ベリリウム、アルミニウムなどの各種の金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いることができる。

また、本発明においては、下記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体を電子輸送材料として使用して電子輸送層を形成することが好ましい。かかるアントラセン誘導体は、電子注入および輸送能力、薄膜の安定性や耐久性に優れており、このようなアントラセン誘導体により形成された電子輸送層を、前述した一般式（１）のインデノアクリダン誘導体を含む正孔輸送層と組み合わせることにより、正孔と電子とを発光層６に効率よく注入することができ、これにより、最適なキャリアバランスを確保することができ、有機ＥＬ素子の特性を大きく向上させることが可能となる。

（４）
式中、
Ａ^４は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合を示し、
Ｅは、１価の芳香族複素環基を示し、
Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、
ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または８の数であり、ｑが１または２の数である。

上記の一般式（４）から理解されるように、このアントラセン誘導体は、２価の基或いは単結合により、アントラセン環と基Ｅとが連結された分子構造を有しており、基Ｅが連結されているアントラセン環には、１または２個の１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基（基Ｃ）が置換基として結合している。

かかる一般式（４）において、Ａ^４は、単結合或いは２価の基を示すものであるが、かかる２価の基は、２価の芳香族炭化水素基または２価の芳香族複素環基であり、その具体例は、一般式（１）におけるＡ^１であげたものと同様、以下のとおりである。

２価の芳香族炭化水素基は、２つの結合手を有する芳香族炭化水素環から形成されているものであり、このような芳香族炭化水素環としては、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチレン、ナフタレン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フェナントレン、インダン、ピレン、トリフェニレンをあげることができる。
また、２価の芳香族複素環基は、２つの結合手を有する芳香族複素環から形成されているものであり、このような芳香族複素環としては、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ピロール、フラン、チオフェン、キノリン、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドリン、カルバゾール、カルボリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、ピラゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナントロリン、アクリジニンなどをあげることができる。

上記の芳香族炭化水素環及び芳香族複素環も、このアントラセン誘導体の優れた特性を損なわない限りにおいて、導入可能な置換基を有していてもよい。
このような置換基は、前述した一般式（１）中の基Ｒ^１〜Ｒ^１０が示す１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基が有していてよい置換基と同様のものである。
本発明において、特に好適な２価の基は、置換または未置換のベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環及びフェナントレン環に由来するものである。

また、一般式（４）の基Ｅは、１価の芳香族複素環基であり、かかる複素環基としては、トリアジニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、およびカルボリニル基などをあげることができる。

上記の基Ｅにおける１価の芳香族複素環基も、このアントラセン誘導体の優れた特性を損なわないような置換基を有していてもよく、このような置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基に加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；
炭素数１ないし６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基；
炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基；
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、例えば、メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基；
炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基；
アルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基；
芳香族炭化水素基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基；
アリールビニル基、例えば、スチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えば、アセチル基、ベンゾイル基；
上記で例示した置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

本発明において、上記の基Ｅとして好適な１価の芳香族複素環基としては、含窒素芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、およびカルボリニル基などが好ましく、これらの中でもピリジル基、ピリミジニル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、ピラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、およびカルボリニル基がより好ましい。

また、一般式（４）中のＣは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^１０について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＲ^１〜Ｒ^１０が示す芳香族基と同様、置換基を有していてよい。
尚、かかる基Ｃが分子中に２個存在する場合（式（４）中のｑ＝２）、二つの基Ｃは、同一でも異なっていてもよい。

さらに、一般式（４）中のＤは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、これらの内の炭素数１ないし６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などをあげることができる。
これらのアルキル基も、例えば、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
また、複数個存在するＤは、互いに同一でも異なってもよい。
本発明において、最も好適なＤは、水素原子である。

上述した一般式（４）のアントラセン誘導体において、Ｅは含窒素芳香族複素環基であり且つＤが水素原子であることが好ましいが、このような好適なアントラセン誘導体は、特に、下記一般式（４ａ）、（４ｂ）または（４ｃ）で表される。

一般式（４ａ）で表されるアントラセン誘導体；
（４ａ）

前記、一般式（４ａ）において、Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。

また、上記Ａ^４が結合している３環構造の含窒素複素環は、一般式（４）における基Ｅに相当する。
上記式（４ａ）中のＸ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は、上記の含窒素複素環の一部を構成する環内元素であり、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を示す。
また、Ｒ^３３〜Ｒ^３９及びＡｒ^３は、この含窒素複素環に結合している基を示している。
即ち、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４が形成している環には、置換基としてＲ^３３〜Ｒ^３６が示されているが、この環内元素が窒素原子であるときには、この窒素原子には、Ｒ^３３〜Ｒ^３６の何れも（水素原子を含めて）結合していないものとする。例えば、Ｘ^１が窒素原子である場合はＲ^３３が存在せず、Ｘ^２が窒素原子である場合は、Ｒ^３４が存在せず、Ｘ^３が窒素原子である場合はＲ^３５が存在せず、Ｘ^４が窒素原子である場合は、Ｒ^３６が存在しないことを意味する。

また、上記の含窒素複素環に結合しているＲ^３３〜Ｒ^３９は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基である。
上記の炭素数１ないし６のアルキル基としては、前記一般式（４）のＤについて、例示したものと同じものをあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基を例示することができる。
上記の炭素数２ないし６のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基をあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基をあげることができる。
さらに、１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、一般式（１）における基Ｒ^１〜Ｒ^１０に関して例示したものと同じ基をあげることができる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。

上述したＲ^３３〜Ｒ^３９が示す各基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、炭素数に関する条件を満足する範囲において、一般式（１）における基Ｒ^１〜Ｒ^１０が有する置換基として例示したものと同じ基をあげることができる。
また、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

さらに、上記一般式（４ａ）中のＡｒ^３は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基であり、Ａｒ^４及びＡｒ^５は、一般式（４）中のＣに相当する（即ち、ｑ＝２）。
このようなＡｒ^３〜Ａｒ^５は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^１０について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＲ^１〜Ｒ^１０が示す芳香族基と同様、置換基を有していてよい。

上述した一般式（４ａ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図２８〜図３１で示されている構造式を有する化合物（４ａ−１）〜（４ａ−２０）を挙げることができる。

上述した一般式（４ａ）で表されるアントラセン誘導体の中では、下記一般式（４ａ’）で表されるものが最も好適である。
（４ａ’）
上記の一般式（４ａ’）において、Ｒ^３３〜Ｒ^３９、Ａｒ^３〜Ａｒ^５は、一般式（４ａ）で述べたとおりの意味である。

一般式（４ｂ）で表されるアントラセン誘導体；

（４ｂ）

一般式（４ｂ）において、Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。

また、上記Ａ^４が結合している含窒素複素環は、一般式（４）における基Ｅに相当する。

さらに、上記一般式（４ｂ）中のＡｒ^６及びＡｒ^７は、一般式（４）中のＣに相当し（即ち、ｑ＝２）、Ａｒ^８は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基である。
このようなＡｒ^６〜Ａｒ^８は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基の具体例としては、一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^１０が示す１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基と同様のものを例示することができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^１０が示す基と同様、置換基を有していてよい。

上述した一般式（４ｂ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図３２〜図３４で示されている構造式を有する化合物（４ｂ−１）〜（４ｂ−１６）を挙げることができる。

一般式（４ｃ）で表されるアントラセン誘導体；
（４ｃ）

一般式（４ｃ）において、Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。

また、上記Ａ^４が結合している含窒素複素環は、一般式（４）における基Ｅに相当する。

さらに、上記一般式（４ｃ）中のＡｒ^９は、一般式（４）中のＣに相当し（即ち、ｑ＝１）、Ａｒ^１０、Ａｒ^１１及びＲ^４０は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基である。

上記のＡｒ^９〜Ａｒ^１１は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、前記Ａｒ^６〜Ａｒ^８と同様、一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^１０について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前記Ａｒ^６〜Ａｒ^８と同様、置換基を有していてよい。

また、上記の含窒素複素環に結合しているＲ^４０は、前述した一般式（４ａ）中のＲ^３３〜Ｒ^３９と同じであり、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基である。
Ｒ^４０が示す上記各基も、一般式（１）におけるＲ^１〜Ｒ^１０が示す基と同様の置換基を有していてもよく、この置換基が複数存在している場合、複数の置換基は、独立して存在していることが好ましいが、複数の置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上述した一般式（４ｃ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図３５〜図４１で示されている構造式を有する化合物（４ｃ−１）〜（４ｃ−３０）を挙げることができる。

本発明においては、上述したアントラセン誘導体により電子輸送層が形成されていることが望ましく、上記で例示した種々のアントラセン誘導体は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、国際公開第２０１１／０５９３０００号、国際公開第２００３／０６０９５６号、韓国公開特許２０１３−０６０９５６号参照）。
これらのアントラセン誘導体は、それぞれ、単独で電子輸送層を形成していてもよいし、複数種が混合されて電子輸送層を形成していてもよい。

＜電子注入層８＞
電子注入層；
陰極９と電子輸送層７との間には、電子注入層８が適宜設けられる。かかる電子注入層８は、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いて形成することができる。

＜陰極９＞
本発明の有機ＥＬ素子の陰極９としては、アルミニウムのような仕事関数の低い金属や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。

＜その他の層＞
本発明の有機ＥＬ素子は、必要に応じてその他の層を有していてもよい。例えば、図１には示されていないが、正孔輸送層５と発光層６との間には電子阻止層を設けることができるし、発光層６と電子輸送層７との間に正孔阻止層を設けることもできる。
適宜設けられる各層は、それ自体公知の材料から形成されていてよく、何れも用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。

電子阻止層；
電子阻止層は、図１では示されていないが、正孔輸送層５と発光層６との間に設けられるものであり、発光層６からの電子の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。電子阻止層を形成するための材料としては、電子阻止性を有する種々の化合物を使用することができ、下記のカルバゾール誘導体が代表的である。
４，４’,４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン
（ＴＣＴＡ）；
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フルオレン；
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）；
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン
(Ａｄ−Ｃｚ)；

また、上記のカルバゾール誘導体以外にも、９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基を有しており且つトリアリールアミン骨格を分子中に有している化合物なども、電子阻止層形成用の材料として使用することができる。

正孔阻止層；
正孔阻止層も、図１には示されていないが、電子輸送層７と発光層６との間に適宜設けられるものであり、発光層６からの正孔の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。正孔阻止層を形成するための材料としては、バソクプロイン（ＢＣＰ）などのフェナントロリン誘導体、アルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（ＢＡｌｑ）などのキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の希土類錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物により形成される。

本発明の有機ＥＬ素子は、これを構成する各層が、前述した各種の材料により形成された単層構造であってもよいし、また、各層を、各種の材料を適宜組み合わせて複層構造とすることもできる。
特に本発明においては、前述した一般式（１）のインデノアクリダン誘導体の優れた特性を発揮させるため、図１に示されているように、正孔輸送層５を第一正孔輸送層５ａと第二正孔輸送層５ｂとの２層構造とすることが好適である。
以下、この２層構造の正孔輸送層５について説明する。

＜２層構造の正孔輸送層５＞
本発明の有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層５の形成に一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体が使用されるが、好ましくは、このようなインデノアクリダン誘導体を含む正孔輸送層５が２層構造とする。
即ち、図１に示されているように、正孔輸送層５を、陽極２側に位置している第一正孔輸送層５ａと発光層６側に位置している第二正孔輸送層５ｂとに分割した２層構造とし、前記一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体を第二正孔輸送層５ｂに含有させることが好適である。この場合、第一正孔輸送層５ａの形成には、第二正孔輸送層５ｂに用いるインデノアクリダン誘導体とは異なる正孔輸送材料が使用される。

上記のように正孔輸送層５が２層に分割されている場合、発光層６側の第二正孔輸送層５ｂは、正孔輸送性と共に、極めて高い電子阻止性を示す。前述した一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体は、正孔輸送性に加え、高い電子阻止性を示すからである。従って、特に、図１のように、第二正孔輸送層５ｂを発光層６に隣接することにより、発光層６でのキャリアバランスをより高く保持することができ、この有機ＥＬ素子の特性向上に極めて有利となる。

このような２層構造において、第二正孔輸送層５ｂは、一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体により形成されるが、第一正孔輸送層５ａは、第二正孔輸送層５ｂの形成に使用されているインデノアクリダン誘導体とは異なっている正孔輸送材料を用いて形成される。
かかる正孔輸送材料は、第二正孔輸送層５ｂの形成に使用しているものと異なっていれば、前記一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体であってもよいが、一般的には、トリアリールアミン誘導体を用いて形成されることが望ましい。トリアリールアミン誘導体は、電子阻止性の点では、上記のインデノアクリダン誘導体に劣るものの、正孔輸送性の点では、該インデノアクリダン誘導体と同等或いはそれ以上の性能を示し、しかも、発光層６と直接接触していない第一正孔輸送層５ａには、電子阻止性はあまり要求されないからである。

このようなトリアリールアミン誘導体は、２つのトリアリールアミン骨格が単結合または２価の炭化水素基で結合された分子構造を有するものであり、分子中にトリアリールアミン骨格を２個〜６個有している。
本発明においては、正孔輸送性に加え、薄膜安定性や耐熱性に優れていること及び合成が容易であるという観点から、下記一般式（５）または（６）で表されるトリアリールアミン誘導体を用いて第一正孔輸送層５ａを形成することが好適であり、かかるトリアリールアミン誘導体は、１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもできる。

一般式（５）で表されるトリアリールアミン誘導体；
（５）

かかる一般式（５）で表されるトリアリールアミン誘導体は、トリアリールアミン骨格を２個有している。

一般式（５）において、ｒ^４１〜ｒ^４６は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ^４１〜Ｒ^４６の数を示す整数であり、ｒ^４１、ｒ^４２、ｒ^４５及びｒ^４６は、それぞれ、０〜５の整数であり、ｒ^４３及びｒ^４４は、それぞれ、０〜４の整数である。

また、芳香族環に結合している置換基Ｒ^４１〜Ｒ^４６は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を示す。
これらの置換基が同一のベンゼン環に複数存在している場合、複数存在している置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。例えば、複数の置換基が結合してナフタレン環を形成していてもよい。

上述した置換基Ｒ^４１〜Ｒ^４６が示すアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アラルキル基或いはアリールオキシ基の具体例としては、一般式（４ａ）の基Ｒ^３３〜Ｒ^３９について例示したものと同様の基をあげることができ、１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基の具体例としては、一般式（１）の基Ｒ^１〜Ｒ^１０について例示したものと同様の基をあげることができる。
また、基Ｒ^４１〜Ｒ^４６は、Ｒ^３３〜Ｒ^３９或いはＲ^１〜Ｒ^１０が示す基と同様、さらに置換基を有していてもよく、このような置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

また、一般式（５）において、Ｌ^１は、２つのアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、単結合、または下記構造式（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）もしくは（Ｇ）で示される２価基を示す。
式中、ｎ１は１〜４の整数である。

上述した一般式（５）で表されるトリアリールアミン誘導体の具体例としては、図４２〜図４６で示されている構造式を有する化合物（５−１）〜（５−２３）を挙げることができる。

また、本発明においては、一般式（５）で表される以外にも、図４７で示されている構造式を有する化合物（５’−１）、（５’−２）も第一正孔輸送層５ａの形成に好適に使用することができる。かかる化合物、アミノ基の窒素原子に結合している３つのフェニル基の内、２つのフェニル基が単結合を介して互いに結合しており、これにより、カルバゾール環が形成されているものである。このような化合物も、実質的に、２つのトリアリールアミン骨格が単結合または２価の炭化水素基で結合された分子構造を有しており、分子中にトリアリールアミン骨格を２個有していると言うことができ、一般式（５）のトリアリールアミン誘導体と実質的に同じ分子構造を有しているからである。

一般式（６）で表されるトリアリールアミン誘導体；
（６）

かかる一般式（６）で表されるトリアリールアミン誘導体は、トリアリールアミン骨格を４個有している。

上記一般式（６）において、ｒ^４７〜ｒ^５８は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ^４７〜Ｒ^５８の数を示す整数であり、ｒ^４７、ｒ^４８、ｒ^５１、ｒ^５４、ｒ^５７及びｒ^５８は、それぞれ、０〜５の整数である。
また、ｒ^４９、ｒ^５０、ｒ^５２、ｒ^５３、ｒ^５５及びｒ^５６は、それぞれ、０〜４の整数である。

また、芳香族環に結合している置換基Ｒ^４７〜Ｒ^５８は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を示す。
これらの置換基が同一のベンゼン環に複数存在している場合、複数存在している置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。例えば、複数の置換基が結合してナフタレン環を形成していてもよい。

上述した置換基Ｒ^４７〜Ｒ^５８が示す各基の具体例としては、前記一般式（５）の基Ｒ^４１〜Ｒ^４６と同様のものをあげることができ、且つ、これらの基Ｒ^４１〜Ｒ^４６と同様、さらに置換基を有していてもよく、このような置換基は、互いに独立して存在していることが好ましいが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

また、一般式（６）において、Ｌ^２〜Ｌ^４は、２つのアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、単結合、または下記構造式（Ｂ’）で示される２価基、或いは一般式（５）における式（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）もしくは（Ｇ）で示される２価基と同様の基である。

式中、ｎ２は１〜３の整数である。

上述した一般式（６）で表されるトリアリールアミン誘導体の具体例としては、図４８〜図５１で示されている構造式を有する化合物（６−１）〜（６−１７）を挙げることができる。

本発明において、上記で例示した種々のトリアリールアミン誘導体は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、特開平７−１２６６１５号、特開平０８−０４８６５６号、特開２００５−１０８８０４号参照）。

上記のようなトリアリールアミン誘導体を用いて形成される第一正孔輸送層５ａの厚みｔ１と一般式（１）のインデノアクリダン誘導体を用いて形成される第二正孔輸送層５ｂの厚みｔ２とのトータル厚み（ｔ１＋ｔ２）は、そのトータル厚みが２０〜３００ｎｍの範囲、さらには５０〜２００ｎｍの範囲、特に５０〜１５０ｎｍの範囲にあることが好適である。

上述した構造を有する本発明の有機ＥＬ素子では、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた有機ＥＬ素子用の材料を、キャリアバランスを考慮しながら組み合わせているため、従来の有機ＥＬ素子に比べて、正孔輸送層から発光層への正孔輸送効率が向上しており、電子輸送層から発光層への電子輸送効率も向上している。さらに、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とした場合においては、キャリアバランスがより向上しており、発光効率のさらなる向上、駆動電圧のさらなる低下がもたされ、この有機ＥＬ素子の耐久性がより向上している。
このように本発明によれば、高効率、低駆動電圧、長寿命の有機ＥＬ素子を実現することが可能となった。

本発明を次の実験例により説明する。

＜実施例１＞
＜インデノアクリダン化合物１−１の合成＞
工程１；
２−アミノ安息香酸メチル ３５．４ｇ
２−ヨード−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン ５０．０ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ２２．５１ｇ
キシレン ５００ｍｌ
窒素置換した反応容器に、上記各成分を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０） ２．９ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ) ３．８ｇ
を加えて加熱し、１１５℃で５時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。
有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、
２−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ｝安息香酸メチルの黄色粉体２５．８ｇ（収率４８％）
を得た。

工程２；
上記のようにして、２−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ｝安息香酸メチルの黄色粉体（以下、単に安息香酸メチル誘導体と略す）を多量に合成し、次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた安息香酸メチル誘導体 ３１．０ｇ
ＴＨＦ ３１０ｍｌ
を加え、メチルマグネシウムクロライドのＴＨＦ溶液（３モル／Ｌ）１０８ｍｌを滴下した。室温で１時間撹拌した後、２０％塩化アンモニウム水溶液３００ｍｌを加え、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって、
２−［２−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）
アミノ｝フェニル］プロパン−２−オールの薄黄色の油状物
３１．０ｇ(収率１００％)
を得た。

工程３；
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた薄黄色の油状物 ３１．０ｇ
りん酸 ６２ｍｌ
を加え、室温で２時間撹拌した。続いて、トルエン３００ｍｌ、水３００ｍｌを加えて撹拌し、生成する析出物をろ過によって採取し、
７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−
インデノ［１，２−ｂ］アクリジンの薄黄色粉体
２６．２ｇ(収率８９％)
を得た。

工程４；
窒素置換した反応容器に、
上記の工程３で得られたアクリジンの薄黄色粉体 ８．０ｇ
２−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチルフルオレン
９．４ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ４．６ｇ
トルエン １００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．２ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．２ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１５時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、下記構造式を有するインデノアクリダン化合物１−１の白色粉体６．４ｇ（収率４３％）を得た。

（化合物１−１）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図２に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．１１（２Ｈ）
８．００(１Ｈ)
７．９２（２Ｈ）
７．８３（２Ｈ）
７．７２（１Ｈ）
７．４８−７．５８（４Ｈ）
７．３０−７．４０（３Ｈ）
７．２７（１Ｈ）
７．１７（１Ｈ）
６．８９−７．００（２Ｈ）
６．５３（１Ｈ）
６．３８（１Ｈ）
１．７８（６Ｈ）
１．５８（６Ｈ）
１．２８（６Ｈ）

＜実施例２＞
＜インデノアクリダン化合物１−３の合成＞
実施例１の工程３で得られる７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］アクリジンを用いて次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記のアクリジン ９．０ｇ
２−（３−ブロモフェニル）−９，９−ジメチル
フルオレン １０．４ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ５．３ｇ
トルエン １００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．３ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１５時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、下記構造式を有するインデノアクリダン化合物１−３の白色粉体７．０ｇ（収率４３％）を得た。

（化合物１−３）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図３に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．９９（１Ｈ）
７．９３（１Ｈ）
７．７０−７．９０(７Ｈ)
７．４５−７．５６（２Ｈ）
７．４１（１Ｈ）
７．２２−７．３９（４Ｈ）
７．１６（１Ｈ）
６．８８−７．００（２Ｈ）
６．５３（１Ｈ）
６．３８（１Ｈ）
１．７８（６Ｈ）
１．５８（６Ｈ）
１．２８（６Ｈ）

＜実施例３＞
＜インデノアクリダン化合物１−４の合成＞
実施例１の工程３で得られる７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］アクリジンを用いて次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記のアクリジン ８．０ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ４．６ｇ
トルエン１００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．２ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．２ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１４時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、下記構造式で表されるインデノアクリダン化合物１−４の白色粉体６．１ｇ（収率４１％）を得た。

（化合物１−４）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図４に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．１１（１Ｈ）
７．９５(１Ｈ)
７．８９（１Ｈ）
７．８３（１Ｈ）
７．６２−７．７６（４Ｈ）
７．５８（１Ｈ）
７．４０−７．５２（３Ｈ）
７．２８−７．４０（３Ｈ）
７．２２（１Ｈ）
７．１２（１Ｈ）
６．８４−６．９６（２Ｈ）
６．３８−６．４３（２Ｈ）
１．７７（６Ｈ）
１．６１（６Ｈ）
１．２２（６Ｈ）

＜実施例４＞
＜インデノアクリダン化合物１−５の合成＞
実施例１の工程３で得られる７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］アクリジンを用いて次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記のアクリジン ８．０ｇ
２−ブロモ−７−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−
９，９−ジメチルフルオレン １１．５ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ３．５ｇ
トルエン １００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．２ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１５時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、下記構造式で表されるインデノアクリダン化合物１−５の白色粉体５．２ｇ（収率２９％）を得た。

（化合物１−５）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図５に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．１２（１Ｈ）
７．９７(１Ｈ)
７．８２−７．９１（４Ｈ）
７．６５−７．８２（４Ｈ）
７．５９（１Ｈ）
７．４５−７．５５（２Ｈ）
７．１７−７．４０（５Ｈ）
７．１２（１Ｈ）
６．８５−６．９７（２Ｈ）
６．３９−６．４６（２Ｈ）
１．７７（６Ｈ）
１．６３（６Ｈ）
１．５７（６Ｈ）
１．２２（６Ｈ）

＜実施例５＞
＜インデノアクリダン化合物１−６の合成＞
実施例１の工程３で得られる７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］アクリジンを用いて次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記のアクリジン ５．３ｇ
２−（４−ブロモフェニル−１−イル）−７−フェニル−
９，９−ジメチルフルオレン ７．０ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ３．１ｇ
トルエン １００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．２ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．２ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１４時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、下記構造式で表される化合物１−６の白色粉体６．５ｇ（収率５９％）を得た。

（化合物１−６）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図６に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０９（２Ｈ）
７．９９(１Ｈ)
７．７３−７．９４（５Ｈ）
７．６０−７．７３（４Ｈ）
７．３７−７．５３（５Ｈ）
７．２８−７．３７（２Ｈ）
７．２３（１Ｈ）
７．１３（１Ｈ）
６．８５−６．９７（２Ｈ）
６．５１（１Ｈ）
６．３５（１Ｈ）
１．７６（６Ｈ）
１．６５（６Ｈ）
１．２７（６Ｈ）

＜実施例６＞
＜インデノアクリダン化合物１−７の合成＞
実施例１の工程３で得られる７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］アクリジンを用いて次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記のアクリジン ７．５ｇ
２−ブロモ−７−（ナフチル−１−イル）−９，９−
ジメチルフルオレン １０．１ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ４．４ｇ
トルエン １００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．２ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．２ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１４時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、下記構造式で表されるインデノアクリダン化合物１−７の白色粉体６．７ｇ（収率４５％）
を得た。

（化合物１−７）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図７に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．１６（１Ｈ）
７．８５−８．０５（５Ｈ）
７．６５−７．７２（２Ｈ）
７．３５−７．６４（８Ｈ）
７．３１（１Ｈ）
７．２３（１Ｈ）
７．１３（１Ｈ）
６．８５−６．９８（２Ｈ）
６．３９−６．４６（２Ｈ）
１．７７（６Ｈ）
１．６２（６Ｈ）
１．２４（６Ｈ）

＜実施例７＞
＜インデノアクリダン化合物１−８の合成＞
実施例１の工程３で得られる７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］アクリジンを用いて次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記のアクリジン ９．０ｇ
１−ブロモ−４−フェニルナフタレン ９．４ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ５．２ｇ
トルエン １００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．３ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１６時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）により精製し、下記構造式で表されるインデノアクリダン化合物１−８の白色粉体４．３ｇ（収率２９％）を得た。

（化合物１−８）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図８に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０７（１Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．６２−７．７５（６Ｈ）
７．５２−７．６０（３Ｈ）
７．４８（２Ｈ）
７．３６（１Ｈ）
７．１８−７．３０（２Ｈ）
７．１１（１Ｈ）
６．７８−６．９０（２Ｈ）
６．２２（１Ｈ）
６．０６（１Ｈ）
１．９４（３Ｈ）
１．７９（３Ｈ）
１．１７（３Ｈ）
１．０２（３Ｈ）

＜実施例８＞
＜インデノアクリダン化合物１−９の合成＞
実施例１の工程３で得られる７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］アクリジンを用いて次の合成を行った。
窒素置換した反応容器に、
上記のアクリジン ９．５ｇ
１−ブロモ−４，１’：２’,１’’−ターフェニル ９．９ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ５．６ｇ
トルエン１００ｍｌ
を加え、１時間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム（II） ０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ） ０．３ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１６時間撹拌した。
室温まで冷却し、水１００ｍｌを加えた後、トルエンを用いた抽出操作を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、下記構造式で表されるインデノアクリダン化合物１−９の白色粉体４．２ｇ（収率２７％）を得た。

（化合物１−９）

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。このＮＭＲチャートを図９に示した。
また、^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８９（１Ｈ）
７．６７（１Ｈ）
７．５９（１Ｈ）
７．４２−７．５０（６Ｈ）
７．１０−７．３８（１０Ｈ）
６．８３−６．９７（２Ｈ）
６．３９（１Ｈ）
６．２５（１Ｈ）
２．４８（６Ｈ）
１．３１（６Ｈ）

＜実施例９＞
上記の実施例１〜８で得られたインデノアクリダン化合物について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００ＳＡ）によってガラス転移点を求めた。その結果は、以下のとおりである。
ガラス転移点
実施例１（化合物１−１） １２６℃
実施例２（化合物１−３） １１６℃
実施例３（化合物１−４） １２７℃
実施例４（化合物１−５） １５４℃
実施例５（化合物１−６） １４１℃
実施例６（化合物１−７） １４３℃
実施例７（化合物１−８） １１５℃
実施例８（化合物１−９） １６７℃

以上の結果から、一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体は、１００℃以上、特に１１０℃以上のガラス転移点を有しており、薄膜状態が安定であることが判る。

＜実施例１０＞
上記の実施例１〜８で得られたインデノアクリダン化合物を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業製、ＰＹＳ−２０２型）で仕事関数を測定した。
その結果は、以下のとおりである。
仕事関数
実施例１（化合物１−１） ５．６６ｅＶ
実施例２（化合物１−３） ５．６８ｅＶ
実施例３（化合物１−４） ５．６６ｅＶ
実施例４（化合物１−５） ５．６８ｅＶ
実施例５（化合物１−６） ５．６９ｅＶ
実施例６（化合物１−７） ５．６７ｅＶ
実施例７（化合物１−８） ５．６８ｅＶ
実施例８（化合物１−９） ５．６９ｅＶ

以上の結果から、一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体は、ＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．５４ｅＶと比較して、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有していることが分かる。

＜実施例１１＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−１の合成＞
窒素置換した反応容器に、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール ４．９ｇ
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン ５．７ｇ
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート
０．４ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ４．０ｇ
キシレン ７４ｍｌ
を加えて加熱し、１２時間還流撹拌した。
室温まで冷却した後、酢酸エチル、水を加え、分液操作によって有機層を採取した。有機層を濃縮し、カラムクロマトグラフによる精製を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１）
の粉体３．０ｇ(収率３８％)を得た。

（２−１）

＜実施例１２＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−２の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−２）
の粉体３．２ｇ（収率３８％）を得た。

（２−２）

＜実施例１３＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−３の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，７−ジフェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１２−（４，７−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−３）
の粉体３．３ｇ（収率３８％）を得た。

（２−３）

＜実施例１４＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−４の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１２−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−４）
の粉体３．３ｇ（収率３８％）を得た。

（２−４）

＜実施例１５＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−５の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−８,１３−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−５）
の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。

（２−５）

＜実施例１６＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−６の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例１５と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−１３，１３−ジメチル−８,１３−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−６）
の粉体３．３ｇ（収率３８％）を得た。

（２−６）

＜実施例１７＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−７の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：１’,２’−ｆ］インドールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７，１３，１３−テトラメチル−５−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：１’,２’−ｆ］インドール（化合物２−７）
の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。

（２−７）

＜実施例１８＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−８の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例１７と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７，１３，１３−テトラメチル−５−[３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル]−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：１’,２’−ｆ］インドール（化合物２−８）
の粉体３．４ｇ（収率３８％）を得た。

（２−８）

＜実施例１９＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−９の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールを用いた以外は、実施例１２と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−９）
の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。

（２−９）

＜実施例２０＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−１０の合成＞
２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用いた以外は、実施例１９と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１２−（４，６−ジフェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１０）
の粉体３．５ｇ（収率３８％）を得た。

（２−１０）

＜実施例２１＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−１１の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１１）
の粉体３．０ｇ（収率３８％）を得た。

（２−１１）

＜実施例２２＞
＜Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物２−１２の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例２１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１３，１３−ジメチル−８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール（化合物２−１２）
の粉体３．２ｇ（収率３８％）を得た。

（２−１２）

＜実施例２３＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−１の合成＞
１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールを用いた以外は、実施例２２と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１）
の粉体７．０ｇ（収率３８％）を得た。

（３−１）

＜実施例２４＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−２の合成＞
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、４−（ビフェニル−４−イル）−２−クロロキナゾリンを用いた以外は、実施例２３と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１３−[４−（ビフェニル−４−イル）キナゾリン−２−イル]−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−２）
の粉体６．７ｇ（収率３７％）を得た。

（３−２）

＜実施例２５＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−３の合成＞
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４−（フェニル−ｄ_５）キナゾリンを用いた以外は、実施例２３と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１３−[４−（フェニル−ｄ_５）キナゾリン−２−イル]−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−３）
の粉体８．４ｇ（収率３２％）を得た。

（３−３）

＜実施例２６＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−４の合成＞
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−（４−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例２３と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１３−[４−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル]−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−４）
の粉体５．２ｇ（収率２８％）を得た。

（３−４）

＜実施例２７＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−５の合成＞
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例２３と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１３−[３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）フェニル]−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−５）
の粉体８．４ｇ（収率３２％）を得た。

（３−５）

＜実施例２８＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−６の合成＞
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用いた以外は、実施例２３と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−６）
の粉体８．４ｇ（収率３２％）を得た。

（３−６）

＜実施例２９＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−７の合成＞
７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールに代えて、８，８−ジメチル−５，８−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｃ］カルバゾールを用いた以外は、実施例２８と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
８，８−ジメチル−５−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−５，８−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｃ］カルバゾール（化合物３−７）
の粉体９．３ｇ（収率３５％）を得た。

（３−７）

＜実施例３０＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−８の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−８）
の粉体６．２ｇ（収率３２％）を得た。

（３−８）

＜実施例３１＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−９の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用いた以外は、実施例３０と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−９）
の粉体８．６ｇ（収率３０％）を得た。

（３−９）

＜実施例３２＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−１０の合成＞
２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用いた以外は、実施例３０と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１０）
の粉体７．２ｇ（収率２９％）を得た。

（３−１０）

＜実施例３３＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−１１の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、７，７−ジフェニル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジフェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１１）
の粉体６．７ｇ（収率３７％）を得た。

（３−１１）

＜実施例３４＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−１２の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、９，９−ジメチル−９，１５−ジヒドロベンゾ［ａ］インデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｉ］カルバゾールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
９，９−ジメチル−１５−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−９，１５−ジヒドロベンゾ［ａ］インデノ［２’，１’：４，５］チエノ［３，２−ｉ］カルバゾール（化合物３−１２）
の粉体４．８ｇ（収率４２％）を得た。

（３−１２）

＜実施例３５＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−１３の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、７−フェニル−７，１３−ジヒドロインドロ［２’，３’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７−フェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインドロ［２’，３’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１３）
の粉体４．３ｇ（収率４３％）を得た。

（３−１３）

＜実施例３６＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−１４の合成＞
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、１２，１２−ジメチル−１，１２−ジヒドロインデノ［１’，２’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールを用いた以外は、実施例１１と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
１２，１２−ジメチル−１−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−１，１２−ジヒドロインデノ［１’，２’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１４）
の粉体６．３ｇ（収率４４％）を得た。

（３−１４）

＜実施例３７＞
＜Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物３−１５の合成＞
２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−ブロモナフタレンを用いた以外は、実施例２３と同様の条件で反応を行うことによって、下記構造式で表される、
７，７−ジメチル−１３−（ナフタレン−２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール（化合物３−１５）
の粉体５．４ｇ（収率４７％）を得た。

（３−１５）

＜実施例３８＞
図１に示されている素子構成の有機ＥＬ素子を、下記の手順にしたがい蒸着により作製した。

先ず、ガラス基板（透明基板１）上に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ電極（透明陽極２）が形成されているＩＴＯ付きガラス基板を用意した。
このガラス基板１をイソプロピルアルコール中にて２０分間、超音波洗浄した後、２００℃に加熱したホットプレート上にて１０分間乾燥を行った。その後、ＵＶオゾン処理を１５分間行った後、このＩＴＯ付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け、０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように正孔注入層３として、下記構造式の化合物（ＨＩＭ−１）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。

（ＨＩＭ−１）

この正孔注入層３の上に、下記構造式の分子中にトリフェニルアミン構造を２個有するアリールアミン化合物（５−１）を用いて、膜厚６０ｎｍの第一正孔輸送層５ａを形成した。
（５−１）

このようにして形成された第一正孔輸送層５ａの上に、実施例１で合成されたインデノアクリダン化合物（１−１）を用いて、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した。
この第二正孔輸送層５ｂの上に、下記構造式の化合物ＥＭＤ−１と実施例１２で合成されたＮ−芳香族置換インデノインドール化合物（２−２）とを、蒸着速度比がＥＭＤ−１：化合物（２−２）＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの発光層６を形成した。

上記で形成された発光層６の上に、下記構造式のアントラセン誘導体（４ａ−１）と下記構造式のＥＴＭ−１を、蒸着速度比がアントラセン誘導体（４a−１）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した。
（４ａ−１）
（ＥＴＭ−１）

上記の電子輸送層７の上に、フッ化リチウム用いて、膜厚１ｎｍの電子注入層８を形成した。
最後に、アルミニウムを１００ｎｍ蒸着して陰極９を形成した。

このように作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。
尚、素子寿命は、発光開始時の発光輝度（初期輝度）を７０００ｃｄ／ｍ^２として定電流駆動を行った時、発光輝度が６７９０ｃｄ／ｍ^２（初期輝度を１００％とした時の９７％に相当：９７％減衰）に減衰するまでの時間として測定した。

＜実施例３９＞
膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを、実施例２で合成されたインデノアクリダン化合物（１−３）を用いて形成した以外は、実施例３８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４０＞
膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを、実施例３で合成されたインデノアクリダン化合物（１−４）を用いて形成した以外は、実施例３８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４１＞
膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを、実施例４で合成されたインデノアクリダン化合物（１−５）を用いて形成した以外は、実施例３８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４２＞
膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを、実施例５で合成されたインデノアクリダン化合物（１−６）を用いて形成した以外は、実施例３８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４３＞
膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを、実施例６で合成されたインデノアクリダン化合物（１−７）を用いて形成した以外は、実施例３８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４４＞
実施例３１で合成されたＮ−芳香族置換カルバゾール化合物（３−９）を使用し、この化合物（３−９）とＥＭＤ−１とを、蒸着速度比がＥＭＤ−１：化合物（３−９）＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの発光層６を形成した以外は、実施例３８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４５＞
実施例２で合成されたインデノアクリダン化合物（１−３）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例４４と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４６＞
実施例３で合成されたインデノアクリダン化合物（１−４）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例４４と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４７＞
実施例４で合成されたインデノアクリダン化合物（１−５）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例４４と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４８＞
実施例５で合成されたインデノアクリダン化合物（１−６）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例４４と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例４９＞
実施例６で合成されたインデノアクリダン化合物（１−７）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例４４と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表１に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表３に示した。

＜実施例５０＞
下記構造式で表されるＮ−芳香族置換カルバゾール化合物（３−１６）を使用し、この化合物（３−１６）とＥＭＤ−１とを、蒸着速度比がＥＭＤ−１：化合物（３−１６）＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの発光層６を形成した以外は、実施例３８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
（３−１６）
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜実施例５１＞
実施例２で合成されたインデノアクリダン化合物（１−３）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例５０と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜実施例５２＞
実施例３で合成されたインデノアクリダン化合物（１−４）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例５０と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜実施例５３＞
実施例４で合成されたインデノアクリダン化合物（１−５）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例５０と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜実施例５４＞
実施例５で合成されたインデノアクリダン化合物（１−６）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例５０と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜実施例５５＞
実施例６で合成されたインデノアクリダン化合物（１−７）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例５０と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜比較例１＞
下記構造式で表されるアリールアミン化合物（５’−２）を用いて膜厚６０ｎｍの第一正孔輸送層５ａを形成し、さらに、このアリールアミン化合物（５’−２）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例３８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（５’−２）
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜比較例２＞
比較例１で用いたアリールアミン化合物（５’−２）を使用して、膜厚６０ｎｍの第一正孔輸送層５ａと膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例４４と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

＜比較例３＞
比較例１で用いたアリールアミン化合物（５’−２）を使用して、膜厚６０ｎｍの第一正孔輸送層５ａと膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５ｂを形成した以外は、実施例５０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子の層構成を表２に示し、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表４に示した。

上記の結果から理解されるように、発光層６が同じ材料で形成されている実施例３８〜４３と比較例１との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの発光効率は、比較例１の有機ＥＬ素子の２３．９０ｃｄ／Ａに対し、実施例３８〜４３の有機ＥＬ素子では２６．０４〜２７．１０ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。
また、電力効率においても、比較例１の有機ＥＬ素子の１８．４０ｌｍ／Ｗに対し、実施例３８〜４３の有機ＥＬ素子では１８．６１〜２０．７９ｌｍ／Ｗといずれも高効率であった。
一方、素子寿命（９７％減衰）においては、比較例１の有機ＥＬ素子の４９時間に対し、実施例３８〜４３の有機ＥＬ素子では１１７〜１９７時間と大きく長寿命化していることが分かる。

また、発光層６が同じ材料で形成されている実施例４４〜４９と比較例２との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの発光効率は、比較例２の有機ＥＬ素子の２２．６９ｃｄ／Ａに対し、実施例４４〜４９の有機ＥＬ素子では２５．０６〜２６．３９ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。
また、電力効率においても、比較例２の有機ＥＬ素子の２１．５２ｌｍ／Ｗに対し、実施例４４〜４９の有機ＥＬ素子では２２．２０〜２５．１２ｌｍ／Ｗといずれも高効率であった。
一方、素子寿命（９７％減衰）においては、比較例２の有機ＥＬ素子の４４時間に対し、実施例４４〜４９の有機ＥＬ素子では１３０〜１９６時間と大きく長寿命化していることが分かる。

さらに、発光層６が同じ材料で形成されている実施例５０〜５５と比較例３との比較において、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの発光効率は、比較例３の有機ＥＬ素子の２０．３４ｃｄ／Ａに対し、実施例５０〜５５の有機ＥＬ素子では２４．２９〜２５．２３ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。
また、電力効率においても、比較例３の有機ＥＬ素子の１６．８６ｌｍ／Ｗに対し、実施例５０〜５５の有機ＥＬ素子では１８．４８〜２０．６９ｌｍ／Ｗといずれも高効率であった。一方、素子寿命（９７％減衰）においては、比較例３の有機ＥＬ素子の６３時間に対し、実施例５０〜５５の有機ＥＬ素子では１５０〜２１５時間と大きく長寿命化していることが分かる。

本発明の有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子内部のキャリアバランスが改善され、さらに発光材料の特性に合ったキャリアバランスとなるように正孔輸送層の材料と発光層の材料を組み合わせているので、従来の有機ＥＬ素子と比較して、高発光効率、長寿命の有機ＥＬ素子を実現できる。

本発明の有機ＥＬ素子は、高い発光効率を示し、また、耐久性にも優れ、例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が期待される。

１：透明基板
２：透明陽極
３：正孔注入層
５：正孔輸送層
５ａ：第一正孔輸送層
５ｂ：第二正孔輸送層
６：発光層
７：電子輸送層
８：電子注入層
９：陰極

Claims (11)

1. 陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層が下記一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体を含有し、前記発光層が、Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物及び／またはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子；
   （１）
   式中、
   Ａ^１は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示し、
   Ｂは、１価の芳香族炭化水素基；１価の芳香族複素環基；または置換基として、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基もしくは置換基を有していてもよいビニル基を有するジ置換アミノ基；を示し、
   ここで、Ｂがジ置換アミノ基である場合、Ａ^１は単結合でないものとし、Ａ^１が単結合でない場合には、Ａ^１とＢとは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく、
   Ｒ^１〜Ｒ^１０は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基であって、これらの基は、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよく、
   Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基であって、Ｒ^１１とＲ^１２、或いはＲ^１３とＲ^１４とは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
2. 前記Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物が、下記一般式（２）で表される請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
   （２）
   式中、
   Ａ^２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示し、
   Ａｒ^１は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
   Ｒ^１５〜Ｒ^２２は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、または、置換基として１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよいし、さらには、Ｒ^１５〜Ｒ^１８の一部あるいはＲ^１９〜Ｒ^２２の一部が脱離しており、この脱離により生じた空位に、Ｒ^１５〜Ｒ^１８の他の基あるいはＲ^１９〜Ｒ^２２の他の基が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成していてもよく、
   Ｒ^２３及びＲ^２４は、炭素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
3. 前記Ｎ−芳香族置換カルバゾール化合物が、下記一般式（３）で表される請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
   （３）
   式中、
   Ａ^３は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示し、
   Ａｒ^２は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
   Ｒ^２５〜Ｒ^３２は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、または、置換基として１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の芳香族複素環基を有するジ置換アミノ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよいし、さらには、Ｒ^２５〜Ｒ^２８の一部あるいはＲ^２９〜Ｒ^３２の一部が脱離し、この脱離により生じた空位に、Ｒ^２５〜Ｒ^２８の他の基あるいはＲ^２９〜Ｒ^３２の他の基が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成していてもよい。
4. 前記電子輸送層が下記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
   （４）
   式中、
   Ａ^４は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合を示し、
   Ｅは、１価の芳香族複素環基を示し、
   Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
   Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、
   ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または８の整数であり、ｑが１または２の整数である。
5. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（４ａ）で表される請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
   （４ａ）
   式中、
   Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、
   Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であり、
   Ｒ^３３〜Ｒ^３９は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基であって、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
   Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を表し、該窒素原子には、水素原子を含めてＲ^３３〜Ｒ^３６の何れも結合していないものとする。
6. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（４ｂ）で表される請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
   （４ｂ）
   Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、
   Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基である。
7. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（４ｃ）で表される請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   （４ｃ）
   Ａ^４は、前記式（４）に示すとおりであり、
   Ａｒ^９、Ａｒ^１０及びＡｒ^１１は、それぞれ、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であり、
   Ｒ^４０は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基である。
8. 前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造を有しており、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ一般式（１）で表されるインデノアクリダン誘導体を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記発光層が、さらに、燐光性の発光材料を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記燐光性の発光材料がイリジウムまたは白金を含む金属錯体である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記燐光性の発光材料が赤色発光性ドーパントである請求項１０記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。