JP5725573B2 - アンテナ及び電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、アンテナ及び電子装置に関する。

特定の構造を有する導体パターンを周期的に配置すること（以下、メタマテリアルと記載）で電磁波の伝播特性を制御できることが明らかになっている。メタマテリアルの最も基本的な構成要素として知られるものに、環状の導体を周方向の一部で切断したＣ字状のスプリットリングを用いたスプリットリング共振器がある。スプリットリング共振器は、磁界と相互作用することで実効的な透磁率を制御することができる。

スプリットリング共振器を備えたアンテナとして特許文献１の技術が開示されている。

特開２０１１−５２５７２１号公報

通信機能を有した電子装置においては、常に小型化が望まれており、これに伴い、通信を担うアンテナも小型化が要求されている。そこで、スプリットリング共振器を利用してアンテナを小型化する技術が提案されている。

発明者の研究結果から、多層化が小型化に有効であることがわかってきた。しかしながら、多層のプリント基板にパターン描画されたアンテナは高価である。一方、単層のプリント基板にパターン描画されたアンテナは安価であるが、小型化が難しい。

本発明は上記課題を解決するものであり、小型でありながら、安価に製造可能なアンテナ及び電子装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明のアンテナは、誘電体層の一面側に位置する第１導体層に形成され、略Ｃ字状の第１スプリットリング部と、前記誘電体層の他面側に位置する第２導体層に、前記誘電体層を挟んで前記第１スプリットリング部と対向するよう形成され、略Ｃ字状の第２スプリットリング部と、前記略Ｃ字状の周方向に間隔を隔てて複数備えられ、前記第１スプリットリング部と前記第２スプリットリング部とを電気的に接続するスルーホールと、を含むスプリットリング共振器を備え、前記第１スプリットリング部の略Ｃ字状開部に第１スプリット部が形成され、前記第２スプリットリング部の略Ｃ字状開部に第２スプリット部が形成され、前記第１スプリット部と前記第２スプリット部とがスプリットを構成し、コンデンサとして機能する。

上記課題を解決する本発明の電子装置は、上記アンテナを備える。

本発明は、２層構成でも、多層（たとえば６層）構成と同程度に小型化を図れる。しかも、多層構成に比べて安価である。

本発明を多層（３層以上）構成に適用すると、従来の多層構成に比べて、更なる小型化を図ることができる。従来の多層構成と同程度の価格である。

アンテナの小型化、安価化を図ることにより、更に、アンテナを備える電子装置の小型化、安価化を図ることができる。

第１実施形態に係るアンテナの概略斜視図 概略平面図と層分解図（第１実施形態） 概略断面図（第１実施形態） 補助導体パターンの詳細断面図（第１実施形態） アンテナのインピーダンス特性 リターンロス特性 リターンロスと無線回路との整合損失との関係 スプリットリング共振器と給電点を簡略した図および電気的等価回路図 比較例１の平面図 比較例２の平面図（層分解図） 補助導体パターンの詳細断面図（比較例２） 第２実施形態に係るアンテナの概略斜視図 概略平面図と層分解図（第２実施形態） 補助導体パターンの詳細断面図（第２実施形態） 概略平面図（層分解図）（第３実施形態） 補助導体パターンの詳細断面図（第３実施形態） 概略平面図と層分解図（第４実施形態） 補助導体パターンの詳細断面図（第４実施形態）

＜第1実施形態＞
〜構成〜
次に、本発明の実施の形態の構成ついて図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係るアンテナの概略斜視図である。図２は、概略平面図である。なお、図１、図２では内層の構造を図示するため、誘電体多層基板７の誘電体層９Ａ，９Ｂを省略している。図２の概略平面図は、全体図とともに、２層を分解して第１スプリット部６ａおよび第２スプリット部６ｂの詳細を示す。図３は、概略断面図であり、図４は補助導体パターンの詳細断面図である。

アンテナ１０は、誘電体層９Ａ，９Ｂが積層された誘電体層基板７において、導体層（第１導体層）７Ａに、第１スプリットリング部１が形成され、導体層（第２導体層）７Ｂに、第２スプリットリング部２が形成される。

第１スプリットリング部１と第２スプリットリング部２は、誘電体層９Ａ，９Ｂを挟んで、少なくとも一部が互いに対向するように配置されている。

第１スプリットリング部１と第２スプリットリング部２は、略Ｃ字状をしており、略Ｃ字状は内部に開口部を有する。

すなわち、第１スプリットリング部１には長方形の開口部５ａが形成されている。また、第２スプリットリング部２には開口部５ａと同様の長方形の開口部５ｂが形成されている。開口部５ａ、５ｂは、略Ｃ字状開部と連続している。開口部５ａ、５ｂは、それぞれ誘電体多層基板７の表面に直交する方向から見たときに、互いに重なるよう形成されている。

開口部５ａと連続する略Ｃ字状開部において、スプリット部（第１スプリット部）６ａが形成されている。開口部５ｂと連続する略Ｃ字状開部において、スプリット部（第２スプリット部）６ｂが形成されている。

スプリット部６ａは、第１スプリットリング部略Ｃ字状一端に形成される補助導体パターン（第１補助導体パターン）１１ａと、補助導体パターン１１ａの先端側と略Ｃ字状他端との間に形成されるスプリット（第１スプリット）１２ａを有する。

スプリット部６ｂは、第２スプリットリング部略Ｃ字状一端に形成される補助導体パターン（第２補助導体パターン）１１ｂと、補助導体パターン１１ｂの先端側と略Ｃ字状他端との間に形成されるスプリット（第２スプリット）１２ｂを有する。

補助導体パターン１１ｂは、補助導体パターン１１ａと対向するよう形成される。すなわち、上面視にて、補助導体パターン１１ａと補助導体パターン１１ｂとは重なっている。

なお、図示の様に、補助導体パターン１１ｂ全体が、補助導体パターン１１ａと対向するよう形成されることが好ましいが、一部のみが対向するように形成されていてもよい。

また、図示では、補助導体パターン１１ａ，１１ｂは、長方形であり、略Ｃ字状内に食い込むように配置されているが、これに限定されない。

スプリット１２ｂは、補助導体パターン１１ｂを挟んでスプリット１２ａ対向位置と反対側に形成される。すなわち、上面視にて、スプリット１２ａとスプリット１２ｂとは、補助導体パターン１１ａ，１１ｂを挟んで対称位置にある。

上記構成を言い換えると、第１スプリットリング部１と第２スプリットリング部２は上面視左右対称に構成される。

開口部５ａおよび開口部５ｂの周囲には、開口部５ａ、開口部５ｂを上面視で囲むように複数のスルーホール３が形成されており、誘電体層９Ａ，９Ｂを貫通して第１スプリットリング部１と第２スプリットリング部２とを電気的に接続している。

アンテナ給電点４は、電波をロス無く伝達するマイクロストリップラインや同軸ケーブルの(+)(-)を接続(給電)する所で、アンテナの始まりである。給電点(+)側には第１層スプリット用パターンがあり、給電点(-)側には第２層スプリット用パターンがある。

第１スプリットリング部１、第２スプリットリング部２、および給電線は、銅箔で形成される場合が一般的であるが、導電性であれば他の素材で形成されてもよく、各々が同一の素材であってもよいし、異なる素材であってもよい。

誘電体多層基板７は、多層基板（ここでは２層）であれば、どのような材料、プロセスのものでもよい。例えば、ガラスエポキシ樹脂を用いたプリント基板であってもよいし、ＬＳＩ等のインターポーザー基板であってもよいし、ＬＴＣＣなどのセラミック材料を用いたモジュール基板であってもよいし、当然シリコンなどの半導体基板であってもよい。

図２左側点線において、スプリットリング共振器１３が構成される。このとき、スプリット部６ａの補助導体パターン１１ａとスプリット部６ｂの補助導体パターン１１ｂとの間にはスプリット１４が構成され、２層間にて大容量のコンデンサとして機能する（後述）。

図２右側点線において、インピーダンス整合用ループ１５が構成される。アンテナ１０と無線回路（図示せず）間のインピーダンス整合をより良くするものである。

なお、スプリット１２ａを介して、コンデンサとして機能するが、スプリット１４を介したコンデンサの方が大容量である。スプリット１２ｂを介したコンデンサも同様である。以下、スプリット１２ａ，１２ｂによる効果は省略する。

〜動作〜
上記構成のアンテナ１０によれば、第１スプリットリング部１、第２スプリットリング部２をリング状に流れる電流によって生じるインダクタンスＬと、スプリット部６ａ、６ｂ（特に補助導体パターン１１ａ，１１ｂ）に生じるキャパシタンスＣと、からなるＬＣ直列共振回路（スプリットリング共振器１３）が形成され、これによってアンテナ１０が共振周波数付近でアンテナとして動作する。スプリットリング共振器には、アンテナ給電点４を介してＲＦ回路から高周波信号が給電される。

アンテナ給電点４には給電点(+)側と給電点(-)側があり、例えば、補助導体パターン１１ａには正の電荷が蓄電し、補助導体パターン１１ｂには負の電荷が蓄電し、スプリット１４を介して、２層間にてコンデンサとして機能する（図示太い矢印）。

〜実証試験〜
図５は、アンテナ１０のインピーダンス特性であり、図６は、リターンロス特性である。両者とも給電点４からアンテナをネットワークアナライザーで計測したものである。

インピーダンスとは高周波においてのアンテナの振る舞いを見る1つの見方でありスミスチャートに描かれる。一般的にはスミスチャート円の中心の50Ω(円中心の1の場所)に近い程、アンテナとしての特性が良く更に回路側との整合も良くなる。図５では、マーカー１（2300MHz）とマーカー２（2520 MHz）との間（おおよそ、2400MHz程度）で円中心の1の場所に近づく。

またリターンロスとはインピーダンスと全く同じ測定をするもので単にチャート(図表)が異なるのみである。図６は、50Ωに近ければ近い程小さな値になることを示し、図示の谷の部分（およそ2400MHz程度）が50Ωに近く、アンテナの特性及び回路とアンテナの整合が良くなる事が分かる。マーカー１（2300MHz）とマーカー２（2520 MHz）との間に形成される谷に相当する周波数はアンテナの共振と呼ばれアンテナの性能が最も良く出る。

ちなみにWiFiのアンテナを設計した例であり、2400〜2500MHzに共振を狙ったアンテナであると言える。

図７はリターンロスと無線回路との整合損失との関係である。リターンロスが-5dB以上になると整合損失は急激に増加するため、-5dB未満となるように設計する。図６において、マーカー１（2300MHz）とマーカー２（2520 MHz）との間でリターンロスが-5dB未満となっており、前述したアンテナは、WiFiアンテナとして充分な性能を有すると判断出来る。

〜基本原理〜

アンテナを小型化できる理由を説明する。図８−１は、スプリットリング共振器１３と給電点４を簡略した図である。図８−２は、電気的等価回路を示す図である。すなわち、スプリット部はコンデンサとして機能する。スプリット部以外のパターン長（リング）はコイルとして機能する。給電点から見れば、コンデンサとコイルの直列共振回路に他ならない。

直列共振周波数f＝1/(2π√L*C)であり、この周波数がアンテナ共振周波数となる。直列共振周波数fを一定にするならば、キャパシタンスＣを大きくすれば、インダクタンスＬを小さくできる。

言い換えると、補助導体パターン１１ａ，１１ｂのパターン幅（面積）を大きくすれば、コンデンサ容量が大きくなり、コイルすなわちパターン長を短くできる。その結果、小型なアンテナが実現可能になる。

なお、同様の原理で、補助導体パターン１１ａ，１１ｂのパターン幅（面積）を調整することで、直列共振周波数fを調整することもできる。すなわち、キャパシタンスＣを大きくすることで低周波化することができる。

〜効果〜
比較例１および比較例２と比較することにより、本実施形態の効果について説明する。

図９は、比較例１の平面図である。比較例１は、単層のプリント基板にパターン描画されたアンテナである。スプリット部６は、略Ｃ字状一端に形成される補助導体パターン１６Ａと、略Ｃ字状他端に形成される補助導体パターン１６Ｂと、補助導体パターン１６Ａと補助導体パターン１６Ｂとの間に形成されるスプリット１７とを有する。

補助導体パターン１６Ａと補助導体パターン１６Ｂとはスプリット１７を介して同一層で対向し、スプリット部６はコンデンサとして機能する。しかし、スプリットリング部は非常に薄い銅箔であり、同一層に形成されたスプリット部６はコンデンサ容量を稼ぎ難い。

これに対し、本実施形態は、２層のプリント基板にパターン描画されたアンテナであり、スプリット部６ａ、６ｂ（特に補助導体パターン１１ａ，１１ｂ）はコンデンサ容量を大きくできる。

これにより、本実施形態を比較例１に比べて小型化できる。図９における点線部は、本実施形態のスプリットリング共振器１３およびインピーダンス整合用ループ１５のサイズである。非常に小さく構成出来る事が分かる。

図１０は、比較例２の平面図である。比較例２は、多層のプリント基板にパターン描画されたアンテナである。比較例１を積層（図示では６層）したものである。比較例２の概略が判りやすいように、積層を分解して表示している。図１１は、比較例２の補助導体パターンの詳細断面図である。切断箇所を示す平面図を併せて示す。補助導体パターン１６において、図示左側をＡ側とし、図示右側をＢ側とする。第１〜６層に対応するようにａ〜ｆを付番する。多層化により、コンデンサ容量（図示細い矢印）を大きくできる。その結果、本実施形態と同様に小型化できる。

しかしながら、多層のプリント基板にパターン描画されたアンテナは高価である。

これに対し、本実施形態は、２層のプリント基板にパターン描画されたアンテナである。比較例２（６層）と同等のサイズで同性能のアンテナを２層で実現できる。すなわち、比較例２と同等のアンテナを、比較例２に比べて安価に製造できる。

以上の様に、アンテナの小型化、安価化を図ることにより、更に、アンテナを備える電子装置の小型化、安価化を図ることができる。

＜第２実施形態＞
図１２は、第２実施形態に係るアンテナの概略斜視図である。図１３は概略平面図である。内層の構造を図示するため、誘電体多層基板７の誘電体層９Ａ，９Ｂを省略している。概略平面図は、全体図とともに、２層を分解して、第１スプリット部６ａおよび第２スプリット部６ｂの詳細を示す。図１４は補助導体パターンの詳細断面図である。切断箇所を示す平面図を併せて示す。

第２実施形態の概略構成は、第１実施形態と共通である。ただし、スプリット部（第１スプリット部）６ａおよびスプリット部（第２スプリット部）６ｂの詳細構成が異なる。

スプリット部６ａは、略Ｃ字状一端に形成される補助導体パターン１８ａＡ（第３Ａ補助導体パターン）と、略Ｃ字状他端に形成される補助導体パターン１８ａＢ（第３Ｂ補助導体パターン）と、補助導体パターン１８ａＡと補助導体パターン１８ａＢとの間に形成されるスプリット１９ａ（第３スプリット）とを有する。

スプリット部６ｂは、略Ｃ字状一端に形成される補助導体パターン１８ｂＡ（第４Ａ補助導体パターン）と、略Ｃ字状他端に形成される補助導体パターン１８ｂＢ（第４Ｂ補助導体パターン）と、補助導体パターン１８ｂＡと補助導体パターン１８ｂＢとの間に形成されるスプリット１９ｂ（第４スプリット）とを有する。

補助導体パターン１８ｂＢは、補助導体パターン１８ａＡと対向するよう形成される。

なお、図示の様に、補助導体パターン１８ｂＢの一部が、補助導体パターン１８ａＡと対向するよう形成されていてもよいが、全部が対向するように形成されていると更に良い。

また、図示では、補助導体パターン１８ａＡ，１８ａＢ，１８ｂＡ，１８Ｂｂは、長方形であり、略Ｃ字状内に食い込むように配置されているが、これに限定されない。

スプリット１９ａとスプリット１９ｂとは上面視にてズレて配置される。

上記構成を言い換えると、第１スプリットリング部１と第２スプリットリング部２とは上面視左右対称に構成される。

第２実施形態でも、スプリットリング共振器１３が構成される。このとき、スプリット部６ａの補助導体パターン１８ａＡとスプリット部６ｂの補助導体パターン１８ｂＢとの間にはスプリット２０が構成され、２層間にて大容量のコンデンサとして機能する（図示太い矢印）。

すなわち、アンテナ給電点４からの給電により、補助導体パターン１８ａＡと補助導体パターン１８ｂＢとには、それぞれ正負の異なる電荷が蓄電する。

これにより、第２実施形態においても、第１実施形態と同様な効果が得られる。すなわち、小型でありながら、安価に製造可能である。

＜第３実施形態＞
〜構成・動作〜
図１５は、第３実施形態に係るアンテナの概略平面図である。概略平面図は、全体図とともに、積層を分解して表示する。図１６は補助導体パターンの詳細断面図である。補助導体パターン１８において、図示左側をＡ側とし、図示右側をＢ側とする。第１〜６層に対応するようにａ〜ｆを付番する。切断箇所を示す平面図を併せて示す。

第３実施形態は、第２実施形態を積層したものである。すなわち、導体層７Ａと導体層７Ｂが交互に積層される（例えば６層）。言い換えると、スプリット１９ａとスプリット１９ｂとが互い違いになるように配置される。

これにより、更に、補助導体パターン１８ｃＡは、補助導体パターン１８ｂＢと対向するよう形成され、その間には、スプリット２０ｂが構成され、層間にて大容量のコンデンサとして機能する。

同様に、スプリット２０ｃ〜ｆが構成され、それぞれ各層間にて大容量のコンデンサとして機能する（図示太い矢印）。その結果、第３実施形態は第２実施形態に比べて、更にコンデンサ容量を大きくできる。

〜効果〜
図１０および図１１に示す比較例２と比較することにより、第３実施形態の効果について説明する。

比較例２は、比較例１（図９参照）を積層（図示では６層）したものである。比較例１において、補助導体パターン１６Ａと補助導体パターン１６Ｂとはスプリット１７を介して同一層で対向し、スプリット部６はコンデンサとして機能する。しかし、スプリットリング部は非常に薄い銅箔であり、同一層に形成されたスプリット部６はコンデンサ容量を稼ぎ難い。

比較例２において、多層化により、コンデンサ容量を大きくできる（図示細い矢印）。しかし、下記の様に大容量化に限界がある。

第１層と第２層において、補助導体パターン１６ａＡと補助導体パターン１６ｂＡとが対向し、間にスプリットが構成され、補助導体パターン１６ａＢと補助導体パターン１６ｂＢとが対向し、間にスプリットが構成されている。

アンテナ給電点４からの給電により、補助導体パターン１６ａＡと補助導体パターン１６ｂＡとには、同じ正負の電荷が蓄電する。同様に、補助導体パターン１６ａＢと補助導体パターン１６ｂＢとには、同じ正負の電荷が蓄電する。したがって、スプリットを介してコンデンサとして機能しない。したがって、大容量化に限界がある。

これに対し、第３実施形態では、大容量のコンデンサとして機能する。これにより、比較例２に比べて、更なる小型化を図ることができる。一方、比較例も第３実施形態も、６層のプリント基板にパターン描画されたアンテナであり、同程度の価格で製造可能である。

＜第４実施形態＞
図１７は、第４実施形態に係るアンテナの概略平面図である。概略平面図は、全体図とともに、積層を分解して表示する。図１８は補助導体パターンの詳細断面図である。切断箇所を示す平面図を併せて示す。

第３実施形態が、第２実施形態を積層したものであるのに対し、第４実施形態は、第１実施形態を積層したものである。

これにより、スプリット１４ａ〜ｆが構成され、それぞれ大容量のコンデンサとして機能する（図示太い矢印）。その結果、第４実施形態は第１実施形態に比べて、更にコンデンサ容量を大きくできる。

これにより、第４実施形態においても、第３実施形態と同様な効果が得られる。すなわち、同程度の価格を維持しながら、更なる小型化を図ることができる。

＜付記＞
上記実施形態の一部または全部は、以下の様に付記のようにも記載されうるが、以下に限定されない。

本発明のアンテナは、誘電体層９の一面側に位置する第１導体層７Ａに形成され、略Ｃ字状の第１スプリットリング部１と、前記誘電体層９の他面側に位置する第２導体層７Ｂに、前記誘電体層９を挟んで前記第１スプリットリング部１と対向するよう形成され、略Ｃ字状の第２スプリットリング部２と、前記略Ｃ字状の周方向に間隔を隔てて複数備えられ、前記第１スプリットリング部１と前記第２スプリットリング部２とを電気的に接続するスルーホール３と、を含むスプリットリング共振器１３を備え、前記第１スプリットリング部１の略Ｃ字状開部に第１スプリット部６ａ（１１ａ，１８ａＡ，１８ａＢ）が形成され、前記第２スプリットリング部２の略Ｃ字状開部に第２スプリット部６ｂ（１１ｂ，１８ｂＡ，１８ｂＢ）が形成され、前記第１スプリット部と前記第２スプリット部とがスプリット（１４，２０）を構成し、コンデンサとして機能する。

正負の異なる電荷を給電することにより、第１スプリットリング部１，２、すなわち、２層間で、大容量のコンデンサが機能する。スプリットリング共振器はＬＣ直列共振回路であり、キャパシタンスＣを大きくすれば、インダクタンスＬを小さくできる。すなわち、パターン長を短くできる。その結果、小型なアンテナが実現可能になる。

本発明のアンテナにおいて、更に好ましくは、前記第１スプリット部６ａは、略Ｃ字状一端に形成される第１補助導体パターン１１ａと、該第１補助導体パターンの先端側と略Ｃ字状他端との間に形成される第１スプリット１２ａとを有し、前記第２スプリット部６ｂは、略Ｃ字状一端に形成される第２補助導体パターン１１ｂと、該第２補助導体パターンの先端側と略Ｃ字状他端との間に形成される第２スプリット１２ｂとを有し、前記第２補助導体パターン１１ｂの少なくとも一部は、前記第１補助導体パターン１１ａと対向するよう形成され、前記第２スプリット１２ｂは、前記第２補助導体パターン１１ｂを挟んで前記第１スプリット対向位置と反対側に形成される。

上面視左右対称の構成とすることにより、補助導体パターン１１ａ，１１ｂには、正負の異なる電荷が蓄電され、２層間で、大容量のコンデンサが機能する。

本発明は、第１実施形態および第４実施形態に対応する。

本発明のアンテナにおいて、更に好ましくは、前記第１スプリット部６ａは、略Ｃ字状一端に形成される第３Ａ補助導体パターン１８ａＡと、略Ｃ字状他端に形成される第３Ｂ補助導体パターン１８ａＢと、該第３Ａ補助導体パターンと該第３Ｂ補助導体パターンとの間に形成される第３スプリット１９ａと、を有し、前記第２スプリット部６ｂは、略Ｃ字状一端に形成される第４Ａ補助導体パターン１８ｂＡと、略Ｃ字状他端に形成される第４Ｂ補助導体パターン１８ｂＢと、該第４Ａ補助導体パターンと該第４Ｂ補助導体パターンとの間に形成される第４スプリット１９ｂとを有し、前記第４Ｂ補助導体パターン１８ｂＢの少なくとも一部は、前記第３Ａ補助導体パターン１８ａＡと対向するよう形成される。

上面視左右対称の構成とすることにより、補助導体パターン１８ａＡ，１８ｂＢには、正負の異なる電荷が蓄電され、２層間で、大容量のコンデンサが機能する。

本発明は、第２実施形態および第３実施形態に対応する。

本発明のアンテナにおいて、更に好ましくは、２層のプリント基板にパターン描画される。

本発明は、２層構成でも、多層（たとえば６層）構成と同程度に小型化を図れる。しかも、多層構成に比べて安価である。

本発明は、第１実施形態および第２実施形態に対応する。

本発明のアンテナにおいて、更に好ましくは、３層以上のプリント基板にパターン描画され、前記第１導体層７Ａと前記第２導体層７Ｂが交互に積層される。

本発明を多層（３層以上）構成に適用すると、従来の多層構成に比べて、更なる小型化を図ることができる。従来の多層構成と同程度の価格である。

本発明は、第３実施形態および第４実施形態に対応する。

本発明の電子装置は、アンテナ１０を備える。

１ 第１スプリットリング部
２ 第２スプリットリング部
３ スルーホール
４ 給電点
５ａ、５ｂ 開口部
６ａ スプリット部（第１スプリット部）
６ｂ スプリット部（第２スプリット部）
６ｃ スプリット部
７ 誘電体多層基板
７Ａ 導体層（第１導体層）
７Ｂ 導体層（第２導体層）
９Ａ，９Ｂ 誘電体層
１０ アンテナ
１１ａ 補助導体パターン（第１補助導体パターン）
１１ｂ 補助導体パターン（第２補助導体パターン）
１１ｃ〜ｆ 補助導体パターン
１２ａ スプリット（第１スプリット）
１２ｂ スプリット（第２スプリット）
１３ スプリットリング共振器
１４，１４ａ〜ｆ スプリット
１５ インピーダンス整合用ループ
１６，１６ａ〜ｆ スプリット（比較例）
１７，１７ａ〜ｆ スプリット（比較例）
１８ａＡ 補助導体パターン（第３Ａ補助導体パターン）
１８ａＢ 補助導体パターン（第３Ｂ補助導体パターン）
１８ｂＡ 補助導体パターン（第４Ａ補助導体パターン）
１８ｂＢ 補助導体パターン（第４Ｂ補助導体パターン）
１８ｃＡ〜ｆＢ 補助導体パターン
１９ａ スプリット（第３スプリット）
１９ｂ スプリット（第４スプリット）
１９ｃ〜ｆ スプリット
２０，２０ａ〜ｆ スプリット

Claims (6)

1. 誘電体層の一面側に位置する第１導体層に形成され、略Ｃ字状の第１スプリットリング部と、
   前記誘電体層の他面側に位置する第２導体層に、前記誘電体層を挟んで前記第１スプリットリング部と対向するよう形成され、略Ｃ字状の第２スプリットリング部と、
   前記略Ｃ字状の周方向に間隔を隔てて複数備えられ、前記第１スプリットリング部と前記第２スプリットリング部とを電気的に接続するスルーホールと、
   を含むスプリットリング共振器を備え、
   前記第１スプリットリング部の略Ｃ字状開部に第１スプリット部が形成され、
   前記第２スプリットリング部の略Ｃ字状開部に第２スプリット部が形成され、
   前記第１スプリット部と前記第２スプリット部とがスプリットを構成し、コンデンサとして機能する
   ことを特徴とするアンテナ。
2. 前記第１スプリット部は、
   略Ｃ字状一端に形成される第１補助導体パターンと、
   該第１補助導体パターンの先端側と略Ｃ字状他端との間に形成される第１スプリットと
   を有し、
   前記第２スプリット部は、
   略Ｃ字状一端に形成される第２補助導体パターンと、
   該第２補助導体パターンの先端側と略Ｃ字状他端との間に形成される第２スプリットと
   を有し、
   前記第２補助導体パターンの少なくとも一部は、前記第１補助導体パターンと対向するよう形成され、
   前記第２スプリットは、前記第２補助導体パターンを挟んで前記第１スプリット対向位置と反対側に形成される
   ことを特徴とする請求項１記載のアンテナ。
3. 前記第１スプリット部は、
   略Ｃ字状一端に形成される第３Ａ補助導体パターンと、
   略Ｃ字状他端に形成される第３Ｂ補助導体パターンと、
   該第３Ａ補助導体パターンと該第３Ｂ補助導体パターンとの間に形成される第３スプリットと
   を有し、
   前記第２スプリット部は、
   略Ｃ字状一端に形成される第４Ａ補助導体パターンと、
   略Ｃ字状他端に形成される第４Ｂ補助導体パターンと、
   該第４Ａ補助導体パターンと該第４Ｂ補助導体パターンとの間に形成される第４スプリットと
   を有し、
   前記第４Ｂ補助導体パターンの少なくとも一部は、前記第３Ａ補助導体パターンと対向するよう形成される
   ことを特徴とする請求項１記載のアンテナ。
4. ２層のプリント基板にパターン描画される
   ことを特徴とする請求項１〜３記載のアンテナ。
5. ３層以上のプリント基板にパターン描画され、
   前記第１導体層と前記第２導体層が交互に積層される
   ことを特徴とする請求項１〜３記載のアンテナ。
6. 請求項１〜５記載のアンテナを備えることを特徴とする電子装置。