JP5791418B2 - 新規化合物、重合体、その架橋体、及びそれを有する光学素子 - Google Patents

Description

本発明は、新規化合物、重合体、その架橋体、及びそれを有する光学素子に関する。

環状オレフィンポリマーは透明性が高く、レンズ等の光学素子の材料として有用であるが、線膨張係数が大きいという課題があることが知られている。

ここで、環状オレフィンポリマーを架橋させることで線膨張係数の小さい材料を得る技術が知られている。特許文献１には、架橋可能な環状オレフィンポリマー（下記の式（１））を架橋した例が開示されている。

（式中、ｎ^１は１又は２を示し、ｎ^２は１以上１２以下の整数を示す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１以上１０以下の炭化水素基を示す。Ｒ^４は、水素原子又はメチル基を示す。

特開２０１１−７４２９３号公報（［０００８］段落）

しかし、特許文献１に記載の環状オレフィンポリマー（式（１））のガラス転移温度は低いため、線膨張係数は十分に小さいものではなかった。

本発明に係る化合物は、一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする。
Ａ−Ｚ−Ｂ （Ｉ）
式（Ｉ）において、Ａは下記の式（ａ）である。式（ａ）中の＊１、＊２は結合手を表し、＊１、＊２のいずれか一方が、式（Ｉ）のＺと結合する。＊１、＊２のうち式（Ｉ）のＺと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（Ｉ）において、Ｂは下記の式（ｂ１）、式（ｂ２）のいずれかである。式（ｂ１）及び式（ｂ２）中の＊は結合手を表し、式（Ｉ）のＺと結合する。

式（Ｉ）において、Ｚは直接結合（ｚ１）、式（ｚ２）乃至式（ｚ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（Ｉ）のＡあるいはＢと結合する。

式（ｚ２）乃至式（ｚ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

別の本発明に係る化合物は、一般式（ＩＩ）で表されることを特徴とする。
Ｃ−Ｙ−Ｄ （ＩＩ）
式（ＩＩ）において、Ｃは下記の式（ｃ）である。式（ｃ）中の＊３、＊４は結合手を表し、＊３、＊４のいずれか一方が、式（ＩＩ）のＹと結合する。＊３、＊４のうち式（ＩＩ）のＹと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ＩＩ）において、Ｄは下記の式（ｄ１）、式（ｄ２）のいずれかである。式（ｄ１）及び式（ｄ２）中の＊は結合手を表し、式（ＩＩ）のＹと結合する。

式（ＩＩ）において、Ｙは直接結合（ｙ１）、式（ｙ２）乃至式（ｙ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（ＩＩ）のＣあるいはＤと結合する。

式（ｙ２）乃至式（ｙ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本発明に係る重合体は、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする。

式（ｅ１）乃至式（ｅ３）において、Ｆは下記の式（ｆ）である。式（ｆ）中の＊５、＊６は結合手を表し、＊５、＊６のいずれか一方が、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のＸと結合する。＊５、＊６のうち式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のＸと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｅ１）乃至式（ｅ３）において、Ｘは直接結合（ｘ１）、式（ｘ２）乃至式（ｘ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）の脂環構造中の炭素原子あるいはＦとそれぞれ結合する。

式（ｘ２）乃至式（ｘ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

別の本発明に係る重合体は、式（ｇ１）乃至式（ｇ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする。

式（ｇ１）乃至式（ｇ３）において、Ｈは下記の式（ｈ）である。式（ｈ）中の＊７、＊８は結合手を表し、＊７、＊８のいずれか一方が、式（ｇ１）乃至（ｇ３）のＷと結合する。＊７、＊８のうち式（ｇ１）乃至（ｇ３）のＷと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｇ１）乃至式（ｇ３）において、Ｗは直接結合（ｗ１）、式（ｗ２）乃至式（ｗ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｇ１）乃至式（ｇ３）の脂環構造中の炭素原子あるいはＨとそれぞれ結合する。

式（ｗ２）乃至式（ｗ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

別の本発明に係る重合体は、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする。

式（ｉ１）乃至式（ｉ３）において、Ｊは下記の式（ｊ）である。式（ｊ）中の＊９、＊１０は結合手を表し、＊９、＊１０のいずれか一方が、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のＶと結合する。＊９、＊１０のうち式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のＶと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｉ１）乃至式（ｉ３）において、Ｖは直接結合（ｖ１）、式（ｖ２）乃至式（ｖ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）の窒素原子あるいはＪとそれぞれ結合する。

式（ｖ２）乃至式（ｖ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

別の本発明に係る重合体は、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする。

式（ｋ１）乃至式（ｋ３）において、Ｌは下記の式（ｌ）である。式（ｌ）中の＊１１、＊１２は結合手を表し、＊１１、＊１２のいずれか一方が、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のＵと結合する。＊１１、＊１２のうち式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のＵと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｋ１）乃至式（ｋ３）において、Ｕは直接結合（ｕ１）、式（ｕ２）乃至式（ｕ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）の窒素原子あるいはＬとそれぞれ結合する。

式（ｕ２）乃至式（ｕ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本発明に係る架橋体は、一般式（ＩＩＩ）で表されることを特徴とする。
Ｍ−Ｒ−Ｔ−Ｒ’−Ｍ’ （ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）において、Ｍ、Ｍ’はそれぞれ式（ｍ１）乃至式（ｍ１２）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有する重合体である。式（ｍ１）乃至式（ｍ１２）中の＊は結合手を表し、式（ＩＩＩ）のＲ、Ｒ’とそれぞれ結合する。

式（ＩＩＩ）において、Ｒは直接結合（ｒ１）、式（ｒ２）乃至式（ｒ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（ＩＩＩ）のＭもしくはＭ’、あるいはＴと結合する。

式（ｒ２）乃至式（ｒ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

式（ＩＩＩ）において、Ｔは式（ｔ）である。式（ｔ）中の＊１３乃至＊２０は結合手を表し、＊１３乃至＊１６のいずれか、及び、＊１７乃至＊２０のいずれかがそれぞれ式（ＩＩＩ）のＭ及びＭ’と結合する。＊１３乃至＊２０のうち式（ＩＩＩ）のＭ及びＭ’と結合していない結合手は水素原子と結合している。

本発明に係る化合物を重合した重合体を架橋して得られる架橋体は、線膨張係数が小さい。

本発明の実施形態に係る化合物の製造方法の一例を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る化合物の製造方法の一例を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る化合物の製造方法の一例を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る光学素子について説明するための図である。

本発明の実施形態について説明する。

本明細書において、特に説明がない場合は、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｈは水素原子、Ｏは酸素原子、Ｓは硫黄原子、Ｓｉはケイ素原子を表す。

（実施形態１）
（化合物）
本実施形態に係る化合物は、一般式（Ｉ）で表されるモノマーであることを特徴とする。
Ａ−Ｚ−Ｂ （Ｉ）
式（Ｉ）において、Ａは下記の式（ａ）である。式（ａ）中の＊１、＊２は、式（ａ）中のフェニル環の炭素原子の結合手を表し、＊１、＊２のいずれか一方が、式（Ｉ）のＺと結合する。＊１、＊２のうち式（Ｉ）のＺと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（Ｉ）において、Ｂは下記の式（ｂ１）、式（ｂ２）のいずれかである。式（ｂ１）及び式（ｂ２）中の＊は結合手を表し、式（Ｉ）のＺと結合する。

式（Ｉ）において、Ｚは直接結合（ｚ１）、式（ｚ２）乃至式（ｚ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（Ｉ）のＡあるいはＢと結合する。

式（ｚ２）乃至式（ｚ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本実施形態に係る別の化合物は、一般式（ＩＩ）で表されることを特徴とする。
Ｃ−Ｙ−Ｄ （ＩＩ）
式（ＩＩ）において、Ｃは下記の式（ｃ）である。式（ｃ）中の＊３、＊４は、式（ｃ）中のフェニル環の炭素原子の結合手を表し、＊３、＊４のいずれか一方が、式（ＩＩ）のＹと結合する。＊３、＊４のうち式（ＩＩ）のＹと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ＩＩ）において、Ｄは下記の式（ｄ１）、式（ｄ２）のいずれかである。式（ｄ１）及び式（ｄ２）中の＊は結合手を表し、式（ＩＩ）のＹと結合する。

式（ＩＩ）において、Ｙは直接結合（ｙ１）、式（ｙ２）乃至式（ｙ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（ＩＩ）のＣあるいはＤと結合する。

式（ｙ２）乃至式（ｙ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本実施形態に係る化合物は、式（ｂ１）、式（ｂ２）、式（ｄ１）、式（ｄ２）のいずれかを有するため、重合することにより後述する重合体を得ることができる。後述する重合体は、その重合体を加熱することで架橋体を得ることができる。得られる架橋体の線膨張係数は６０ｐｐｍ／℃以下の十分に小さい値であるため、温度による寸法変化が小さいため、光学素子、電子基板などの材料として好適に使用することができる。

また、後述する重合体を架橋する際に、エチレンなどの副生成物が生じないため、気泡の無い良好な成形体を得ることができる。また、後述する重合体を架橋する際に、架橋剤や架橋助剤などが不要である。

本実施形態に係る化合物において、式（ｚ１）乃至式（ｚ５）、式（ｚ１０）、式（ｚ１１）、式（ｙ１）乃至式（ｙ５）、式（ｙ１０）、式（ｙ１１）は、酸素原子を含まないため、吸水性が低いと考えられるため好ましい。また、式（ｚ６）乃至式（ｚ１２）、式（ｙ６）乃至式（ｙ１２）はヘテロ原子を有するため、銅などの金属やガラス等の基板に密着しやすいため好ましい。

本実施形態に係る化合物の例は以下の通りである。

（重合体）
本実施形態に係る重合体は、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする。

式（ｅ１）乃至式（ｅ３）において、Ｆは下記の式（ｆ）である。式（ｆ）中の＊５、＊６は、式（ｆ）中のフェニル環の炭素原子の結合手を表し、＊５、＊６のいずれか一方が、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のＸと結合する。＊５、＊６のうち式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のＸと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｅ１）乃至式（ｅ３）において、Ｘは直接結合（ｘ１）、式（ｘ２）乃至式（ｘ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）の脂環構造中の炭素原子あるいはＦとそれぞれ結合する。

式（ｘ２）乃至式（ｘ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本実施形態に係る別の重合体は、式（ｇ１）乃至式（ｇ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする。

式（ｇ１）乃至式（ｇ３）において、Ｈは下記の式（ｈ）である。式（ｈ）中の＊７、＊８は、式（ｈ）中のフェニル環の炭素原子の結合手を表し、＊７、＊８のいずれか一方が、式（ｇ１）乃至（ｇ３）のＷと結合する。＊７、＊８のうち式（ｇ１）乃至（ｇ３）のＷと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｇ１）乃至式（ｇ３）において、Ｗは直接結合（ｗ１）、式（ｗ２）乃至式（ｗ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｇ１）乃至式（ｇ３）の脂環構造中の炭素原子あるいはＨとそれぞれ結合する。

式（ｗ２）乃至式（ｗ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本実施形態に係る別の重合体は、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする重合体。

式（ｉ１）乃至式（ｉ３）において、Ｊは下記の式（ｊ）である。式（ｊ）中の＊９、＊１０は、式（ｊ）中のフェニル環の炭素原子の結合手を表し、＊９、＊１０のいずれか一方が、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のＶと結合する。＊９、＊１０のうち式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のＶと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｉ１）乃至式（ｉ３）において、Ｖは直接結合（ｖ１）、式（ｖ２）乃至式（ｖ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）の窒素原子あるいはＪとそれぞれ結合する。

式（ｖ２）乃至式（ｖ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本実施形態に係る別の重合体は、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする重合体。

式（ｋ１）乃至式（ｋ３）において、Ｌは下記の式（ｌ）である。式（ｌ）中の＊１１、＊１２は、式（ｌ）中のフェニル環の炭素原子の結合手を表し、＊１１、＊１２のいずれか一方が、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のＵと結合する。＊１１、＊１２のうち式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のＵと結合していない結合手は水素原子と結合する。

式（ｋ１）乃至式（ｋ３）において、Ｕは直接結合（ｕ１）、式（ｕ２）乃至式（ｕ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）の窒素原子あるいはＬとそれぞれ結合する。

式（ｕ２）乃至式（ｕ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

本実施形態に係る重合体は、式（ｆ）、式（ｈ）、式（ｊ）、式（ｌ）で示すように、ベンゾシクロブテン構造を有するため、その重合体を加熱することによって架橋体を得ることができる。得られる架橋体の線膨張係数は６０ｐｐｍ／℃以下の十分に小さい値であるため、温度による寸法変化が小さいため、光学素子、電子基板などの材料として好適に使用することができる。

また、本実施形態に係る重合体を架橋する際に、エチレンなどの副生成物が生じないため、気泡の無い良好な成形体を得ることができる。また、後述する重合体を架橋する際に、架橋剤や架橋助剤などが不要である。

本実施形態に係る重合体の分子量は特に限定されないが、重量平均分子量（Ｍｗ）で、１０００以上１００００００以下、好ましくは３０００以上５０００００以下、さらに好ましくは３０００以上７０００以下である。ただし、分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリスチレン換算値として求められる値である。

本実施形態に係る重合体において、式（ｘ１）乃至式（ｘ５）、式（ｘ１０）、式（ｘ１１）、式（ｗ１）乃至式（ｗ５）、式（ｗ１０）、式（ｗ１１）、式（ｖ１）乃至式（ｖ５）、式（ｖ１０）、式（ｖ１１）、式（ｕ１）乃至式（ｕ５）、式（ｕ１０）、式（ｕ１１）は、酸素原子を含まないため、吸水性が低いと考えられるため好ましい。また、式（ｘ６）乃至式（ｘ１２）、式（ｗ６）乃至式（ｗ１２）、式（ｖ６）乃至式（ｖ１２）、式（ｕ６）乃至式（ｕ１２）はヘテロ原子を有するため、銅などの金属やガラス等の基板に密着しやすいと考えられるため好ましい。

また、本実施形態に係る重合体は、本発明の効果が得られる範囲で、上記の繰り返し構造単位以外の繰り返し構造単位を含む共重合体であってもよい。上記の繰り返し構造単位以外の繰り返し構造単位の例は以下の通りである。

本実施形態に係る重合体が共重合体の場合、上記の式（ｅ１）乃至式（ｅ３）、式（ｇ１）乃至式（ｇ３）、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位と、上記の式（３−１）乃至式（３−１５）のいずれかで表される繰り返し構造単位とのモル組成比が、５ｍｏｌ％：９５ｍｏｌ％乃至９５ｍｏｌ％：５ｍｏｌ％であることが好ましく、３０ｍｏｌ％：７０ｍｏｌ％乃至４０ｍｏｌ％：６０ｍｏｌ％であることがさらに好ましい。本実施形態に係る重合体中の上記の式（３−１）乃至式（３−１５）の繰り返し構造単位の割合を調整することにより、透過率、屈折率、アッベ数などの光学特性を調整することができる。

なお、本実施形態に係る重合体が共重合体である場合、ランダム共重合体でもよく、ブロック共重合体でもよく、交互共重合体でもよい。

本実施形態に係る重合体の例は、以下の通りである。

（架橋体）
本実施形態に係る架橋体は、
一般式（ＩＩＩ）で表されることを特徴とする。
Ｍ−Ｒ−Ｔ−Ｒ’−Ｍ’ （ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）において、Ｍ、Ｍ’はそれぞれ式（ｍ１）乃至式（ｍ１２）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有する重合体である。式（ｍ１）乃至式（ｍ１２）中の＊は結合手を表し、式（ＩＩＩ）のＲ、Ｒ’とそれぞれ結合する。

式（ＩＩＩ）において、Ｒは直接結合（ｒ１）、式（ｒ２）乃至式（ｒ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（ＩＩＩ）のＭもしくはＭ’、あるいはＴと結合する。

式（ｒ２）乃至式（ｒ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。

式（ＩＩＩ）において、Ｔは式（ｔ）である。式（ｔ）中の＊１３乃至＊２０は結合手を表し、＊１３乃至＊１６のいずれか、及び、＊１７乃至＊２０のいずれかがそれぞれ式（ＩＩＩ）のＭ及びＭ’と結合する。＊１３乃至＊２０のうち式（ＩＩＩ）のＭ及びＭ’と結合していない結合手は水素原子と結合している。

本実施形態に係る架橋体の線膨張係数は６０ｐｐｍ／℃以下の十分に小さい値であるため、温度による寸法変化が小さいため、光学素子、電子基板などの材料として好適に使用することができる。また、本実施形態に係る架橋体は、上述するように、熱を加えることによって得ることができ、架橋剤や架橋助剤などが不要である。また、本実施形態に係る架橋体を得る際に、エチレンなどの副生成物が生じないため、気泡の無い良好な成形体を得ることができる。

また、本実施形態に係る架橋体において、式（ｒ１）乃至式（ｒ５）、式（ｒ１０）、式（ｒ１１）は、酸素原子を含まないため、吸水性が低いと考えられるため好ましい。また、式（ｒ６）乃至式（ｒ１２）はヘテロ原子を有するため、銅などの金属やガラス等の基板に密着しやすいと考えられるため好ましい。

本実施形態に係る架橋体は温度による寸法変化が小さいため、レンズ、導光板、保護フィルム、偏向フィルム、位相差フィルム、タッチパネルなどの光学素子、透明電極基板、ＣＤ、ＭＤ、ＤＶＤなどの光学記録基板、ＴＦＴ用基板などの電子基板、カラーフィルター基板封止材、プリプレグ、樹脂付き銅箔、プリント配線板、絶縁シート、層間絶縁膜、アンテナ基板、電磁波吸収体、電磁波シールドなどの電子部品材料として好適に用いることができる。

なお、本実施形態に係る架橋体の架橋構造は、公知の方法により同定することが可能である。具体的には、架橋体を赤外分光法（ＩＲ）にて測定し、架橋反応前後で減少するベンゾシクロブテン骨格由来の１４７０ｃｍ^−１付近のピークと架橋反応後に現れる１５００ｃｍ^−１付近のピークを観測することによって同定することができる。

本実施形態に係る架橋体の例は以下の通りである。

また、本実施形態に係る架橋体は、上記重合体と、上記重合体以外のベンゾシクロブテン環を有する重合体と架橋させた架橋体であっても構わない。上記重合体以外の、ベンゾシクロブテン環を有する重合体の繰り返し構造単位は、特に限定されないが、以下の例が挙げられる。

上記重合体と、上記重合体以外のベンゾシクロブテン環を有する重合体とを架橋させた架橋体の例は以下の通りである。

（化合物の製造方法）
本実施形態に係る化合物は、例えば、以下に述べる方法で容易に合成することができる。

（一般式（Ｉ）の場合）
シクロペンタジエンとビニル基を有するベンゾシクロブテン類とのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応によって合成することができる。シクロペンタジエンの量を調整することにより、式（ｂ１）と式（ｂ２）を作り分けることが可能である（図１）。

（一般式（ＩＩ）のＤが（ｄ１）の場合）
５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物と、アミノ基を有するベンゾシクロブテン類とのイミド化反応（図２（ａ））、またはシクロペンタジエンとＮ−置換マレイミド基を有するベンゾシクロブテン類とのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応（図２（ｂ））により合成することができる。

（一般式（ＩＩ）のＤが（ｄ２）の場合）
シクロペンタジエン−イタコン酸無水物付加体とアミノ基を有するベンゾシクロブテン類とのイミド化反応（図３（ａ））、またはシクロペンタジエンとＮ−置換イタコン酸イミド基を有するベンゾシクロブテン類とのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応（図３（ｂ））により合成することができる。

（重合体の製造方法）
本実施形態に係る重合体の製造方法は、上記の化合物を（ｉ）開環メタセシス重合、（ｉｉ）開環メタセシス重合とそれに続く水素添加反応、または（ｉｉｉ）付加重合することによって得られる。

（ｉ）開環メタセシス重合
開環メタセシス重合は、上記の化合物を開環メタセシス重合触媒と接触させ行う。

上記の開環メタセシス重合触媒は、上記の化合物を開環メタセシス重合させることができれば特に限定されない。

開環メタセシス重合触媒としては、（ａ）周期表第４から８族遷移金属カルベン錯体触媒、または（ｂ）遷移金属化合物と助触媒として機能するアルキル化剤またはルイス酸との組み合わせによる触媒が挙げられる。

（ａ）の具体例としては、タングステンアルキリデン錯体としては、Ｗ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨ−ｔ−Ｂｕ）（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）２、Ｗ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨ−ｔ−Ｂｕ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｗ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨ−ｔ−Ｂｕ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｗ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）２、Ｗ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｗ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ））ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２等が、モリブデンアルキリデン錯体としては、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨ−ｔ−Ｂｕ）（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）２、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨ−ｔ−Ｂｕ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨ−ｔ−Ｂｕ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）２、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ））ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＢＩＰＨＥＮ）、Ｍｏ（Ｎ−２，６−ｉ−Ｐｒ２Ｃ６Ｈ３）（ＢＩＮＯ）（ＴＨＦ：テトラヒドロフラン）等が、ルテニウムカルベン錯体触媒としては、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）−３，３−ジフェニルプロペニリデンルテニウムジクロリド、ビス（１，３−ジイソプロピルイミダゾリジン−２−イリデン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、ビス（１，３−ジシクロヘキシルイミダゾリジン−２−イリデン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、ビス（１，３−ジイソプロピル−４−イミダゾリン−２−イリデン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、ビス（１，３−ジシクロヘキシル−４−イミダゾリン−２−イリデン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、（１，３−ジシクロヘキシルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、（１，３−ジシクロヘキシル−４−イミダゾリン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド、［１，３−ジ（１’−フェニルエチル）−４−イミダゾリン−２−イリデン］（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド等が挙げられる。ただし、Ｍｅはメチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、Ｐｈはフェニル基を示す。

（ｂ）の遷移金属化合物の具体例としては、ＭｏＣｌ４、ＭｏＢｒ２、ＭｏＢｒ３、ＭｏＢｒ４、ＷＣｌ２、ＷＢｒ２、ＷＣｌ４、ＷＢｒ４、ＷＣｌ５、ＷＢｒ５等が挙げられる。

（ｂ）の助触媒として機能するアルキル化剤としては、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ−ブチルリチウムメチルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド等が挙げられ、ルイス酸としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、テトラメチルスズ、テトラエチルスズ、テトラブチルスズ等が挙げられる。

これらの中でも触媒活性が高いことから、周期表第４から８族遷移金属カルベン錯体触媒を用いることが好ましく、特にルテニウムカルベン錯体触媒を用いることが好ましい。

前記開環メタセシス重合触媒と上記の化合物とのモル比は、通常開環メタセシス重合触媒：上記の化合物＝１：１００から１：１，０００，０００、好ましくは１：１，０００から１：５００，０００である。前記重合触媒量が多すぎると触媒除去が困難となり、少なすぎると十分な重合活性が得られない。

重合温度は特に制限されないが、通常−３０℃以上＋２００℃以下、好ましくは０℃以上１８０℃以下である。

重合時間は、特に制限されないが、通常１分間以上５０時間以下である。

開環メタセシス重合反応は無溶媒下で行うこともできるが、重合反応中における粘度上昇を低減させる為にも有機溶媒中で行うのが好ましい。

このような有機溶媒としては、具体的には、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタン等の脂環族炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリル等の含窒素炭化水素系溶媒、ジエチルエ−テル、テトラヒドロフラン等のエ−テル系溶媒等が挙げられる。これらの中でも、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、脂環族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒の使用が好ましい。

重合を前記有機溶媒中で行う場合には、前記環状オレフィンモノマーの濃度は前記有機溶媒に対して１質量％以上６０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましい。前記環状オレフィンモノマーの濃度が１質量％未満の場合は生産性が悪く、６０質量％を超える場合は重合後の溶液粘度が高くなり、その後の取扱いが困難となる。

重合体の分子量を調整するために、分子量調整剤を用いることができる。分子量調整剤の具体例としては、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテンなどのα−オレフィン；スチレン、ビニルトルエンなどのスチレン類；エチルビニルエーテル、ｉ−ブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテルなどのエーテル類；アリルクロライドなどのハロゲン含有ビニル化合物；酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタクリレートなど酸素含有ビニル化合物；アクリルアミドなどの窒素含有ビニル化合物などを挙げることができる。

分子量調整剤の使用量は、上記の化合物に対して、０モル％以上１００モル％以下の範囲で任意に選択することができる。

（ｉｉ）開環メタセシス重合とそれに続く水素添加反応
開環メタセシス重合は上述した通りである。水素添加反応は、上記の化合物の開環メタセシス重合を行った後、水素化触媒および水素を添加して行い、開環メタセシス重合体中の炭素−炭素二重結合を水素化する。水素添加反応によって得られるものを水添体と呼ぶ。

使用される水素化触媒は、一般にオレフィン類や芳香族化合物の水素化反応に使用されるものであれば格別の制限はなく、その具体例として、（ａ）パラジウム、白金、ニッケル、ロジウム、ルテニウムなどの遷移金属をカーボン、アルミナ、シリカ、ケイソウ土などの担体に担持してなる担持型金属触媒、（ｂ）チタン、コバルト、ニッケルなどの有機遷移金属化合物とリチウム、マグネシウム、アルミニウム、スズなどの有機金属化合物からなる均一系触媒、（ｃ）ロジウム、ルテニウムなどの金属錯体触媒などからなる均一系触媒を挙げることができる。
（ａ）の具体例としては、ニッケル／シリカ、ニッケル／ケイソウ土、ニッケル／アルミナ、パラジウム／カーボン、パラジウム／シリカ、パラジウム／ケイソウ土、パラジウム／アルミナ、白金／シリカ、白金／アルミナ、ロジウム／シリカ、ロジウム／アルミナ、ルテニウム／シリカ、ルテニウム／アルミナなどの触媒が挙げられる。
（ｂ）の具体例としては、酢酸コバルト／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリイソブチルアルミニウム、チタノセンジクロリド／ｎ−ブチルリチウム、ジルコノセンジクロリド／ｓｅｃ−ブチルリチウム、テトラブトキシチタネート／ジメチルマグネシウムなどの組み合わせが挙げられる。
（ｃ）の具体例としては、ジヒドリドテトラ（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジヒドリド（アセトニトリル）トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジヒドリド（テトラヒドロフラン）トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウムなどが挙げられる。

水素化反応は、使用する水素化触媒系によっても適する条件範囲が異なるが、水素化温度は通常、−２０℃以上２５０℃以下、好ましくは０℃以上２２０℃以下、より好ましくは２０℃以上２００℃以下であり、水素圧力は、通常０．０１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、好ましくは０．０５ＭＰａ以上７ＭＰａ以下、より好ましくは０．１ＭＰａ以上５ＭＰａ以下である。水素化温度が低すぎると反応速度が遅く、高すぎると副反応が起こる。また、水素圧力が低すぎると水素化速度が遅くなり、高すぎると高耐圧反応装置が必要となる。

水素添加反応時間は、特に制限されないが、通常１分間から５０時間である。

水素化反応は、通常、不活性有機溶媒中で実施する。有機溶媒としては、生成する水素化物の溶解性により任意に選択することができる。溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサンなどの脂肪族炭化水素；シクロヘキサン、デカリンなどの脂環族炭化水素；テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類が挙げられ、これらの中でも、本発明で使用する環状オレフィン系開環重合体水素化物の溶解性に優れる溶媒として、炭化水素系溶媒またはエーテル類が好ましく、炭化水素系溶媒の中でも脂環族炭化水素溶媒がより好ましい。

有機溶媒は、通常は、重合反応溶媒と同じでよく、重合反応液にそのまま水素添加触媒を添加して反応させればよい。

用いた水素化触媒を分離除去する方法としては、以下の方法を挙げることができる。

均一系触媒を用いた場合には、重合後の反応液に酸化剤又は塩基性化合物と該反応液の貧溶媒である水やメタノール等添加して、均一系触媒を金属酸化物や金属塩にし、該金属酸化物や金属塩を貧溶媒中に抽出した後に濾過や遠心分離により分離除去する方法、吸着剤に吸着させて分離除去する方法、均一系触媒を塩酸等の酸性水溶液中に抽出することにより分離除去する方法、等を用いることができる。

担持型水素化触媒を用いた場合には、遠心分離、濾過により容易に分離除去する方法を用いることができる。

（ｉｉｉ）付加重合
付加重合は、上記の化合物を付加重合触媒と接触させ行う。
本発明に用いられる付加重合触媒は、上記の化合物を付加重合させることができれば特に限定されない。
付加重合触媒としては、（ａ）周期表第４から６族遷移金属触媒、または（ｂ）周期表８から１０族遷移金属触媒が挙げられる。

（ａ）の具体例としては、ＴｉＣｌ_３、ＴｉＣｌ_４等を用いるチグラー−ナッタ触媒；（Ｃ_５Ｈ_５）_２ＴｉＣｌ_２、（Ｃ_５Ｈ_５）_２ＺｒＣｌ_２、（Ｃ_５Ｈ_５）_２Ｚｒ（ＣＨ_３）_２等の有機金属錯体を用いるメタロセン触媒；（Ｃ_５Ｈ_４Ｓｉ（ＣＨ_３）_３）Ｓｃ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_３）_２等の有機金属を用いるハーフメタロセン触媒等が挙げられる。

（ｂ）の具体例としては、酢酸コバルト（ＩＩ）、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩ）テトラフルオロボレート、塩化コバルト、コバルト（ＩＩ）ベンゾエート等のコバルト化合物；酢酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトネート、炭酸ニッケル、塩化ニッケル、ニッケルエチルヘキサノエート、ニッケロセン、ＮｉＣｌ_２［Ｐ（Ｃ_６Ｈ_５）_３］_２、ビスアリルニッケル、酸化ニッケル等のニッケル化合物；塩化パラジウム、臭化パラジウム、酸化パラジウム、ＰｄＣｌ_２［Ｐ（Ｃ_６Ｈ_５）_３］_２、ＰｄＣｌ_２（Ｃ_６Ｈ_５ＣＮ）_２、ＰｄＣｌ_２（ＣＨ_３ＣＮ）_２、［Ｐｄ（ＣＨ_３ＣＮ）_４］［ＢＦ_４］_２、［Ｐｄ（Ｃ_２Ｈ_５ＣＮ）_４］［ＢＦ_４］_２、パラジウムアセチルアセトナート、酢酸パラジウム等のパラジウム化合物等が挙げられる。

また、これらの触媒系では、必要に応じて助触媒を用いてもよい。助触媒としては、例えば、メチルアルミノキサン、ポリイソブチルアルミノキサン等のアルミノキサン類；Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_３、ＢＦ_３・（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｏ、［Ｃ_６Ｈ_５ＮＨ（ＣＨ_３）_２］^＋［Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４］⁻、［（Ｃ_６Ｈ_５）_３Ｃ］^＋［Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４］⁻、Ｌｉ^＋［Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４］⁻、Ｎａ^＋［Ｂ（３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）］_４ ⁻、等のボロン化合物；トリシクロペンチルホスフィン、ジシクロペンチル（イソプロピル）ホスフィン、ジシクロペンチルフェニルホスフィン、ジシクロペンチルシクロオクチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシル（イソプロピル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、ジシクロヘキシル（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシル（２−エチルヘキシル）ホスフィン、ジシクロヘキシル（ｏ−トリル）ホスフィン等のホスフィン化合物等が挙げられ、それぞれ単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。

前記付加重合触媒と上記の化合物とのモル比は、通常付加重合触媒：上記の化合物＝１：１００乃至１：１，０００，０００、好ましくは１：１，０００乃至１：５００，０００である。前記重合触媒量が多すぎると触媒除去が困難となり、少なすぎると十分な重合活性が得られない。

重合温度は特に制限されないが、通常−３０℃以上＋２００℃以下、好ましくは０℃以上１８０℃以下である。重合時間は、特に制限されないが、通常１分間以上５０時間以下である。

付加重合反応は無溶媒下で行うこともできるが、重合反応中における粘度上昇を低減させる為にも有機溶媒中で行うのが好ましい。

このような有機溶媒としては、具体的には、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタン等の脂環族炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリル等の含窒素炭化水素系溶媒、ジエチルエ−テル、テトラヒドロフラン等のエ−テル系溶媒等が挙げられる。これらの中でも、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、脂環族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒の使用が好ましい。

重合を前記有機溶媒中で行う場合には、上記の化合物の濃度は前記有機溶媒に対して１質量％以上６０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましい。上記の化合物の濃度が１質量％未満の場合は生産性が悪く、６０質量％を超える場合は重合後の溶液粘度が高くなり、その後の取扱いが困難となる。

重合体の分子量を調整するために、分子量調整剤を用いることができる。分子量調節剤としては、例えば、エチレン、プロペン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン等のα−オレフィン類；シクロペンテン、３−メチルシクロペンテン、３−エチルシクロペンテン、３−イソプロピルシクロペンテン、３−ｎ−プロピルシクロペンテン、４−メチルシクロペンテン、４−エチルシクロペンテン、４−イソプロピルシクロペンテン、４−フェニルシクロペンテン等のシクロペンテン環を有する化合物類；シクロオクタ−１，５−ジエン、３−メチルシクロオクター１，５−ジエン、３−エチルシクロオクタ−１，５−ジエン、シクロオクタ−１，４−ジエン、シクロヘキサ−１，４−ジエン等のシクロアルカンジエン環を有する化合物等が挙げられる。

分子量調整剤の使用量は、上記の化合物に対して、０モル％以上１００モル％以下の間で任意に選択することができる。

（架橋体の製造方法）
本実施形態に係る架橋体の製造方法は、上記の重合体を加熱処理及び／またはマイクロ波照射処理することにより得られる。

加熱処理における加熱温度は、前記重合体のベンゾシクロブテン環が開環する温度であれば特に限定されないが、１８０℃以上４００℃以下が好ましく、２００℃以上３００℃以下がより好ましい。架橋温度が１８０℃以上であると架橋が十分であり、線膨張係数が十分に小さくなる。また、架橋温度が４００℃以下であると重合体及び架橋体の熱分解を抑制できる。

マイクロ波照射処理におけるマイクロ波の周波数は、上記の重合体のベンゾシクロブテン環が開環する周波数であれば特に限定されないが、周波数２．４５ＧＨｚまたは５．８ＧＨｚのマイクロ波を照射して形成される。使用されるマイクロ波の周波数は、それぞれ、いわゆるＩＳＭバンドに対応した２．４５ＧＨｚ帯の２，４５０±５０ＭＨｚまたは５．８ＧＨｚ帯の５，８００±７５ＭＨｚの周波数をさす。なお、マイクロ波の照射は、異なる条件で複数回行ってもよい。マイクロ波照射時の温度は、特に限定されないが５０以上４００℃以下が好ましく、より好ましくは８０以上３００℃以下、特に好ましくは１００以上２００℃以下である。

加熱処理とμ波照射処理は、同時にまたは順次（どちらの処理が先でも構わない）行ってもよい。

加熱処理とμ波照射処理を行う時間は、前記重合体を架橋させることができる時間であれば制限されないが、１分以上１０時間以下が好ましい。架橋時間がこれより短いと架橋が不十分で本発明の効果が十分得られない可能性があり、これより長いと生産性の低下を招いたり、例えば、架橋工程に加熱を用いた場合には、架橋体の劣化を招くからである。

本発明の架橋体の酸化劣化を防止するという観点から、加熱処理及び／またはマイクロ波照射処理時の周囲の雰囲気はアルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性雰囲気を用いることが好ましい。

（実施形態２）
（光学素子）
実施形態２では光学素子について図４を用いて説明する。図４の（ａ）は、上記の架橋体からなる有機透明部材１０１を有する凸レンズのような光学素子を示している。図４の（ｂ）は、ガラスのような無機材料からなる基材１０３の上に、上記の架橋体からなる有機透明部材１０２が形成された光学素子を示している。本実施形態に係る光学素子は、線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以下の十分に小さい値を有する架橋体を有するため、温度による寸法変形が小さい。また、本実施形態に係る光学素子は、式（ｍ１）乃至式（ｍ１２）のいずれかで表される繰り返し構造単位で表される、環状オレフィンポリマー構造を有するため、可視光に対する透過率が高く、吸水性も低い。そのため、本実実施形態に係る光学素子は、可視光に対する透過率が高く、吸水性も低い。

なお、有機透明部材１０１、１０２には、上記の架橋体の種類に応じて、酸化防止剤と、耐光安定剤とを添加してもよい。

酸化防止剤は、上記架橋体の酸化による劣化を抑制する材料であれば特に限定されないが、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤などが挙げられ、これらの中でもフェノール系酸化防止剤、特にアルキル置換フェノール系酸化防止剤が好ましい。これらの酸化防止剤を配合することにより、透明性、耐熱性等を低下させることなく、成形時の酸化劣化等による着色や強度低下を防止できる。

耐光安定剤は、上記の架橋体に光が当たることによる劣化を抑制する材料であれば特に限定されないが、例えば、としては、ベンゾフェノン系耐光安定剤、ベンゾトリアゾール系耐光安定剤、ヒンダードアミン系耐光安定剤などが挙げられるが、本実施形態においては、透明性、耐着色性等の観点から、ヒンダードアミン系耐光安定剤を用いるのが好ましい。

本実施形態に係る光学素子の例は、光学レンズや光学プリズムとしては、カメラの撮像系レンズ；顕微鏡、内視鏡、望遠鏡レンズ等のレンズ；眼鏡レンズ等の全光線透過型レンズ；光ディスク用途としては、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＷＯＲＭ（追記型光ディスク）、ＭＯ（書き変え可能な光ディスク；光磁気ディスク）、ＭＤ（ミニディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）等光ディスクのピックアップレンズ；走査光学系のレンズとしては、レーザビームプリンターのｆθレンズ、センサー用レンズ等のレーザ走査系レンズ；カメラのファインダー系のプリズムレンズ等が挙げられる。その他の例としては、液晶ディスプレイ等の導光板；偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルム等の光学フィルム；光拡散板；光カード；液晶表示素子基板等が挙げられる。

本実施形態に係る光学素子は、上記の例の中でレンズであることが好ましい。レンズは、表面に反射防止膜が設けられていてもよく、反射防止膜と光学素子との間に中間層を設けてもよい。反射防止膜は特に限定されないが、レンズの屈折率と近い屈折率を有するものであることが好ましい。また、中間層は特に限定されないが、レンズの屈折率と反射防止膜の屈折率との間の値をもつ材料からなることが好ましい。また、レンズにおいて、内面反射を低減するため、光が通過できない部分、通常はレンズ側端部（通称はコバ部）などに、使用波長域において実質不透明な膜を形成してもよい。

有機透明部材１０１、１０２には一般に入手できうる樹脂を添加してもよい。この一般に入手できうる樹脂は、市販されている樹脂ならば限定はされないが、例えばポリエチレン類、ポリイソプレン類、ポリスチレン類、ポリアクリレート類、アリカーボネート類、ポリエステル類、ポリエーテル類、ポリアミド類、シクロオレフィンポリマー類などが挙げられる。

有機透明部材１０１、１０２には、架橋体の機械特性、電気特性、光学特性などの改善することを目的に充填剤を添加することができる。用いられる充填剤は特に限定はなく、無機物であっても有機物であってもよい。

無機物としては、酸化ケイ素、金属酸化物、炭素化合物、金属複酸化物、金属硫化物、金属化合物半導体、金属のいずれかからなることが好ましい。金属酸化物の例としては、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化テルル、酸化イットリウム、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫等が挙げられる。炭素化合物の例としては、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ、グラファイト、フラーレン等が挙げられる。金属複酸化物の例としては、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウム等が挙げられる。金属化合物半導体の例としては、硫化亜鉛、硫化カドミウム等の金属硫化物、セレン化亜鉛、セレン化カドミウム、テルル化亜鉛、テルル化カドミウム等が挙げられる。金属の例としては、金などが挙げられる。また、１種類の無機物に他の無機成分を被覆した、いわゆるコア−シェル型の無機物を使用することもできる。また、無機物の形状は、球状、楕円状、扁平状、ロッド状などいずれの形状であっても良い。

また、本実施形態に係る光学素子にさらに透明性が求められる場合には、無機物の散乱を抑制するために、用いる無機物の平均一次粒子径は３０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。本明細書において、平均一次粒子径とは、透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）によって測定された粒子径である。

有機物としては、木粉、デンプン、有機顔料、ポリスチレン、ナイロン、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン、塩化ビニル、各種エラストマー、及び廃プラスチック等が挙げられる。

また、充填剤としては、上記の無機物及び有機物の他、チョップド（ｃｈｏｐｐｅｄ）ストランドやミルドファイバー等の短繊維長繊維を用いることもできる。繊維の種類としては、ガラス繊維、カーボン繊維、及び金属繊維等の無機繊維や；アラミド繊維、ナイロン繊維、ジュート繊維、ケナフ繊維、竹繊維、ポリエチレン繊維、延伸ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、及び延伸ポリプロピレン繊維等の有機繊維が挙げられる。

さらに、充填剤として難燃剤を用いてもよい。例えば、金属水酸化物などの無機物からなる難燃剤や、含リン化合物、含ハロゲン化合物、及び含窒素化合物などの有機物からなる難燃剤が挙げられる。中でも、環境負荷低減という観点から、金属水酸化物からなる難燃剤が好ましい。金属水酸化物からなる難燃剤としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性酸化マグネシウム、及びドーソナイト等が挙げられる。

本実施形態に係る架橋体には、一般に常用される酸化防止剤、中和剤、滑剤、帯電防止剤、白化剤、熱安定剤、耐光安定剤、可塑剤、着色剤、耐衝撃性改良剤、増量剤、離型剤、発泡剤、加工助剤などの樹脂添加剤を必要に応じて配合することができる。なお、この添加剤の具体例としては、Ｒ．Ｇａｃｈｔｅｒ及びＨ．Ｍｕｌｌｅｒ，Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，４ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ，１９９３に記載されている添加剤が挙げられる。

このような樹脂添加剤としては、後述する架橋を形成する過程において架橋反応を阻害するものでなければ、各種の添加剤を適宜使用可能であり、様々な種類の添加剤を単独で又は組合せて使用してもよい。

（光学素子の製造方法）
上記の架橋体を用いて成形された光学素子の製造方法の一例について説明する。光学素子の製造方法としては、上記の架橋体を調製した後、得られた架橋体を成形する工程を経て作製する方法（ａ）や、レンズ形状をした金型中で、上記化合物を塊状重合及び架橋する方法（ｂ）などが挙げられる。

（ａ）の方法において、成形方法としては、特に制限されるものではないが、目的の光学素子の形状に適した成形法を用いることが好ましい。例えば、射出成形法、トランスファー成形法、ブロー成形法、回転成形法、真空成形法、押出成形法、カレンダー成形法、溶液流延法、熱プレス成形法、インフレーション法、溶剤キャスト法がある。

また、光学素子は、球状、棒状、板状、円柱状、筒状、チューブ状、繊維状、フィルムまたはシート形状等種々の形態で使用することができる。

以下、光学素子の一例として光学レンズの製造方法について説明する。

光学レンズは、上記の架橋体を所望のレンズ形状に成形する工程と、得られた成形体を架橋させる工程を経て得られる。

レンズ形状に成形する工程に成形方法は特に限定されないが、低複屈折性、機械強度、寸法精度等の特性に優れた成形物を得る為には溶融成形が好ましい。溶融成形法としては、例えば、市販のプレス成形、市販の押し出し成形、市販の射出成形等が挙げられるが、射出成形が成形性がよく、生産性が高いため、好ましい。成形条件は使用目的、または成形方法により適宜選択されるが、射出成形をするときにおける重合体の温度は、上記重合体の架橋が進行しない温度であれば制限はされない。１００℃以上３００℃以下の範囲にあることが好ましい。さらに、成形加工中は不活性ガス下または真空下で行われるとより好ましい。該温度範囲である場合、該組成物が成形時に適度な流動性を有し、成形品のヒケやひずみを生じにくく、重合体の熱分解によるシルバーストリークの発生がしにくく、さらに、成形物の黄変がしにくいからである。また、不活性ガス下または真空下の場合、成形物の劣化や黄変が顕著に抑制されるからである。

成形体を架橋させる工程は、レンズ形状の成形型に組成物を注入したあと、上記組成物中のベンゾシクロブテン環が開環する温度以上に温度を加温する。その温度は、１８０℃以上４００℃以下が好ましく、２００℃以上３００℃以下がより好ましい。成形体を架橋させる時間は、前記重合体を架橋させることができる時間であれば制限されないが、１分以上１０時間以下が好ましい。架橋時間がこれより短いと架橋が不十分で本発明の効果が十分得られない可能性があり、これより長いと生産性の低下や架橋体の劣化を招くからである。必要であれば架橋時に成形型に圧力をかけても構わない。圧力は通常０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、３ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましい。さらに、架橋工程中は不活性ガス下または真空下で行われるとより好ましい。架橋温度が低いと架橋が不十分であり、線膨張係数が十分に小さくならない。また、架橋温度が高いと組成物及び架橋体の熱による分解が始まるからである。また、不活性ガス下または真空下の場合、架橋体の劣化や黄変が顕著に抑制されるからである。

（ｂ）の方法において、上記化合物を塊状重合及び架橋する方法は、レンズ形状をした成形型に、上記化合物、重合触媒を必須成分として、所望により、重合調整剤、上記連鎖移動剤、上記酸化防止剤、及び上記充填剤等を注入した後、所定の温度で加熱する。

重合調整剤は、重合活性を制御したり、重合反応率を向上させたりする目的で配合されるものである。その具体例としては、トリアルコキシアルミニウム、トリフェノキシアルミニウム、ジアルコキシアルキルアルミニウム、アルコキシジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム、ジアルコキシアルミニウムクロリド、アルコキシアルキルアルミニウムクロリド、ジアルキルアルミニウムクロリド、トリアルコキシスカンジウム、テトラアルコキシチタン、テトラアルコキシスズ、テトラアルコキシジルコニウムなどが挙げられる。これらの重合調整剤は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

所定の温度は、上記化合物が重合し架橋する温度であれば制限はないが、上記化合物の重合時には２０℃以上２００℃以下が好ましく、架橋形成時には２００℃以上３００℃以下が好ましい。また、必要であれば成形型に圧力をかけても構わない。圧力は通常０．５ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、３ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましい。さらに、上記工程中は不活性ガス下または真空下で行われるとより好ましい。重合に要する時間は、特に制限されないが、１分以上５０時間以下が好ましい。これより短いと転化率が低く本発明の効果が得られない可能性がり、これより長いと生産性の低下を招くからである。架橋に要する時間は、前記重合体を架橋させることができる時間であれば制限されないが、１分以上１０時間以下が好ましい。架橋時間がこれより短いと架橋が不十分で本発明の効果が十分得られない可能性があり、これより長いと生産性の低下や架橋体の劣化を招くからである。

以下に本発明を詳しく説明するために実施例を挙げるが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例で用いた化合物の同定、重合体中の繰り返し構造単位モル組成比、水添率、数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）、ガラス転移温度、線膨張係数、及び架橋構造の同定は、次に述べる方法で測定した。

（１）化合物の同定、共重合体中の繰り返し構造単位のモル組成比、及び水添率
試料１５ｍｇをＣＤＣｌ_３ １．１ｇに溶解させ、核磁気共鳴装置ＪＮＭ−ＥＣＡ−４００（日本電子製）を用いて^１Ｈ−ＮＭＲ測定を行った。

（２）数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ、ＧＰＣ）装置（ウォーターズ（ＷＡＴＥＲＳ）社製）で、Ｓｈｏｄｅｘ ＬＦ−８０４ カラム（昭和電工株式会社製）を２本直列に配置し、４０℃、展開溶媒としてＴＨＦを用い、ＲＩ（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ、示差屈折率）検出器により測定した。得られた数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は標準ポリスチレン換算値である。

（３）ガラス転移温度（Ｔｇ）
ＪＩＳ−Ｋ７１２１に基づいて示差走査型熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製 ＤＳＣ７０２０）により昇温速度１０℃／分の条件で、まず−３０℃から１７０℃の昇温を行った後、−３０℃から３００℃まで昇温を行い、ガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。

（４）線膨張係数
プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法（ＪＩＳ−Ｋ７１９７）に基づき、得られた硬化物を長さ１ｃｍの短冊状の試験片として切り出し、試験片を熱機械分析装置（株式会社リガク製 Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＥＶＯ ＴＭＡ８３１０）に取り付け、窒素気流下（毎分１００ｍＬ／ｍｉｎ）にて、昇温速度５℃／分の条件で、−４０℃から１５０℃の昇温及び降温を２回繰り返し、２回目の昇温時の０℃〜４０℃平均線膨張係数を求めた。

（５）架橋構造の同定
架橋体をフーリエ変換赤外分光装置（パーキンエルマー社製Ｓｐｅｃｔｒｕｍ Ｏｎｅ）によりＡＴＲ法（全反射測定法）で測定を行い、縦軸を吸光度とし、架橋反応前後で１４７０ｃｍ^−１付近のピークの減少と１５００ｃｍ^−１付近のピークの増加を観測することによって、架橋構造を同定した。

（実施例１）
５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン（式（２））の合成
撹拌機付き１００ｍｌオートクレーブに４−ビニルベンゾシクロブテン１０ｇ（７７ｍｍｏｌ）、ジシクロペンタジエン４．６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール４３８ｍｇ（２．６ｍｍｏｌ）を加え、密閉した。３００ｒｐｍで撹拌しながら１７０℃で２時間反応を行い、冷却後オートクレーブから反応物を取り出した。反応物をトルエンに希釈させた後、メタノールで生成したポリビニルベンゾシクロブテンを沈殿させた。生成したポリビニルベンゾシクロブテンをろ過し、溶媒を除去した後に蒸留装置に移した。反応物を減圧蒸留（１２７℃、５ｍｍＨｇ）し目的物である無色透明液体の５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネンを３．０ｇ（１５ｍｍｏｌ、収率２０％）得た。下記の^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果により、本実施例によって、式（２）で表される化合物ができていることが確認された。
（^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果）^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ７．００−６．２２（ｍ，３Ｈ），６．１５−６．１４（ｍ，１Ｈ），５．８３−５．８１（ｍ，１Ｈ），３．３７−３．３２（ｍ，１Ｈ），３．１１（ｓ，４Ｈ），３．０４（ｍ，１Ｈ），２．９２（ｍ，１Ｈ），２．１９−２．１５（ｍ，１Ｈ），１．４８−１．４３（ｍ，２Ｈ），１．２８−１．２４（ｍ，１Ｈ）

（実施例２）
ポリ（５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン）（式（３−１７）、以下Ｐ１と呼ぶ）の合成
窒素置換した撹拌子入り耐圧アンプルに５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン１．０ｇ（５．１ｍｍｏｌ）、１−ヘキセン１０ｍｇ（０．９５ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ１０ｍｌを加えた。耐圧アンプルを７０℃のオイルバスに浸し、アンプル内の溶液を撹拌させながらベンジリデン（１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド１．０ｍｇのＴＨＦ３．０ｍｌ溶液をアンプル内に導入し重合を開始した。２時間後、エチルビニルエーテル０．５ｍｌをアンプル内に導入し重合を停止させた。冷却後、アンプルから重合溶液を取り出し、ＴＨＦ１００ｍｌで希釈した。希釈した重合溶液を激しく撹拌させた１Ｌのメタノールに混入させることによってＰ１を沈殿させ、ろ過によってＰ１を回収した。回収したポリマーを真空乾燥機にて５０℃で終夜乾燥することによって、白色のＰ１ ０．８ｇ（収率８０％）を得た。得られたＰ１の分子量は、Ｍｎ＝３．４×１０^３、Ｍｗ＝６．６×１０^３であった。

下記の^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果により、本実施例によって、式（３−１７）で表される重合体ができていることが確認された。
（^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ７．１９−６．５２（３Ｈ），５．７８−４．４３（２Ｈ），３．１２（４Ｈ），３．４７−０．８１（７Ｈ）

（実施例３）
（５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン）−ジシクロペンタジエン共重合体（式（３−１８）、以下Ｐ２と呼ぶ）の合成
窒素置換した撹拌子入り耐圧アンプルに５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン１．０ｇ（５．１ｍｍｏｌ）、ジシクロペンタジエン１．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、１−ヘキセン１０ｍｇ（０．９５ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ２０ｍｌを加えた。耐圧アンプルを７０℃のオイルバスに浸し、アンプル内の溶液を撹拌させながらベンジリデン（１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド１．０ｍｇ（１．１×１０^−３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３．０ｍｌ溶液をアンプル内に導入し重合を開始した。２時間後、エチルビニルエーテル０．５ｍｌをアンプル内に導入し重合を停止させた。冷却後、アンプルから重合溶液を取り出し、ＴＨＦ２００ｍｌで希釈した。希釈した重合溶液を激しく撹拌させた１．５Ｌのメタノールに混入させることによってＰ２を沈殿させ、ろ過によってＰ２を回収した。回収したポリマーを真空乾燥機にて５０℃で終夜乾燥することによって、白色のＰ２ １．８ｇ（収率９０％）を得た。得られたＰ２の分子量は、Ｍｎ＝６．６×１０^３、Ｍｗ＝１．４×１０^４であった。この共重合体の共重合組成比は１Ｈ ＮＭＲより、５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン由来の繰り返し単位構造：ジシクロペンタジエン由来の繰り返し構造単位＝３４ｍｏｌ％：６６ｍｏｌ％であった。

下記の^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果により、本実施例によって、式（３−１８）で表される重合体ができていることが確認された。
（^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ７．１８−６．５９（５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン由来 ３Ｈ），５．７５−４．５９（５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン由来 ２Ｈ，ジシクロペンタジエン由来 ４Ｈ），３．１１（５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン由来 ４Ｈ），３．４０−０．８０（５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン由来 ７Ｈ，ジシクロペンタジエン由来 ６Ｈ）

（実施例４）
ポリ（５−（４−ベンゾシクロブテニル）−２−ノルボルネン）の水添体（式（３−１９）、以下Ｐ３と呼ぶ）の合成
撹拌機付１００ｍｌオートクレーブに実施例１で得られたＰ２ ４．０ｇ、トルエン５０ｍｌを加え、密閉した後、オートクレーブ内を窒素で数回置換した。別に準備した１０ｍｌナスフラスコにベンジリデン（１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド１０ｍｇ（１．２×１０^−２ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素でフラスコ内を置換し、トルエン３ｍｌとエチルビニルエーテル８０ｍｇ（１．１ｍｍｏｌ）を更に加え、室温で１０分撹拌した。このフラスコ内の溶液を前述のオートクレーブ内に圧送し、オートクレーブ内を水素で数回置換した後、水素圧４．５ＭＰａ、温度１５０℃で水素化反応を６時間行った。冷却後、反応溶液をビーカーに移し、トルエン３５０ｍｌで希釈した。希釈した反応溶液を激しく撹拌させた２Ｌのメタノールに混入させることによってＰ３を沈殿させ、ろ過によってＰ３を回収した。回収した水添ポリマーを真空乾燥機にて５０℃で終夜乾燥することによって、白色のＰ３ ３．９ｇ（収率９８％）を得た。得られたＰ３の分子量は、Ｍｎ＝４．２×１０^３、Ｍｗ＝８．９×１０^３であった。また、^１Ｈ ＮＭＲより、Ｐ１中の主鎖の二重結合に由来する５．７８−４．４３ｐｐｍのピークが消失し、且つ７．０ｐｐｍ前後の芳香環に由来するピークが保持されていたことから、水添は主鎖の二重結合のみで進行し（水添率は９９．９％以上）、ベンゾシクロブテン構造は保持されていることを確認した。下記の^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果により、本実施例によって、式（３−１９）で表される重合体ができていることが確認された。
（^１Ｈ−ＮＭＲによる構造同定の結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ７．２０−６．６３（３Ｈ），３．１２（４Ｈ），２．７８−０．３５（１１Ｈ）

（実施例５）
Ｐ１の架橋体（式（４−１））の合成
実施例２で得られたＰ１ ２００ｍｇを円柱状の金型（直径１０ｍｍ×高さ１．２ｍｍ）に入れ、真空下で２０ＭＰａの圧力を印加しながら２８０℃で１時間架橋形成反応を行った。ＩＲより、架橋構造を検出した。本実施例で得られた架橋体のＴｇは観測されず、線膨張係数は３１ｐｐｍ／℃であった。本実施例に係る架橋体は架橋剤、架橋助剤などを必要とすることなく得られた。また、得られた架橋体を目視で確認したところ、気泡の無い良好な成形体であった。

（実施例６）
Ｐ２の架橋体（式（４−２））の合成
実施５において、Ｐ１をＰ２に代えた以外は同様の操作を行った。ＩＲより、架橋構造を検出した。本実施例で得られた架橋体のＴｇは観測されず、線膨張係数は５３ｐｐｍ／℃であった。本実施例に係る架橋体は架橋剤、架橋助剤などを必要とすることなく得られた。また、得られた架橋体を目視で確認したところ、気泡の無い良好な成形体であった。

（実施例７）
Ｐ３の架橋体（式（４−３））の合成
実施例５において、Ｐ１をＰ３に代えた以外は同様の操作を行った。ＩＲより、架橋構造を検出した。本実施例に係る架橋体は架橋剤、架橋助剤などを必要とすることなく得られた。また、得られた架橋体を目視で確認したところ、気泡の無い良好な成形体であった。本実施例で得られた架橋体のＴｇは観測されず、線膨張係数は４５ｐｐｍ／℃であった。本実施例に係る架橋体は架橋剤、架橋助剤などを必要とすることなく得られた。また、得られた架橋体を目視で確認したところ、気泡の無い良好な成形体であった。

（比較例１）
実施例５において、架橋時の温度を１６０℃にした以外は同様の操作を行った。ＩＲより、架橋構造は検出されなかった。また、得られた成形体のＴｇは９５℃であり、線膨張係数は７７ｐｐｍ／℃であった。

（比較例２）
実施例６において、架橋時の温度を１６０℃にした以外は同様の操作を行った。ＩＲより、架橋構造は検出されなかった。また、得られた成形体のＴｇは１１７℃であり、線膨張係数は７９ｐｐｍ／℃であった。

（比較例３）
実施例７において、架橋時の温度を１６０℃にした以外は同様の操作を行った。ＩＲより、架橋構造は検出されなかった。また、得られた成形体のＴｇは７０℃であり、線膨張係数は７７ｐｐｍ／℃であった。

（比較例４）
実施例５において、Ｐ１を日本ゼオン社製ＺＥＯＮＥＸ Ｅ４８Ｒにした以外は同様の操作を行った。ＩＲより、架橋構造は検出されなかった。また、得られた成形体のＴｇは１３５℃であり、線膨張係数は７２ｐｐｍ／℃であった。

実施例５乃至７、比較例１乃至３をまとめた結果を表１に示す。

以上のように、本実施例に係る架橋体はいずれも、線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以下の小さい値であった。また比較例のように、架橋していない場合は、線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃より大きい値であった。

１０１ 有機透明部材
１０２ 有機透明部材
１０３ 基材

Claims (8)

1. 一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする化合物。
   Ａ−Ｚ−Ｂ （Ｉ）
   式（Ｉ）において、Ａは下記の式（ａ）である。式（ａ）中の＊１、＊２は結合手を表し、＊１、＊２のいずれか一方が、式（Ｉ）のＺと結合する。＊１、＊２のうち式（Ｉ）のＺと結合していない結合手は水素原子と結合する。
   

   

   
   式（Ｉ）において、Ｂは下記の式（ｂ１）、式（ｂ２）のいずれかである。式（ｂ１）及び式（ｂ２）中の＊は結合手を表し、式（Ｉ）のＺと結合する。
   

   

   
   式（Ｉ）において、Ｚは直接結合（ｚ１）、式（ｚ２）乃至式（ｚ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（Ｉ）のＡあるいはＢと結合する。
   

   

   
   式（ｚ２）乃至式（ｚ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。
2. 一般式（ＩＩ）で表されることを特徴とする化合物。
   Ｃ−Ｙ−Ｄ （ＩＩ）
   式（ＩＩ）において、Ｃは下記の式（ｃ）である。式（ｃ）中の＊３、＊４は結合手を表し、＊３、＊４のいずれか一方が、式（ＩＩ）のＹと結合する。＊３、＊４のうち式（ＩＩ）のＹと結合していない結合手は水素原子と結合する。
   

   

   
   式（ＩＩ）において、Ｄは下記の式（ｄ１）、式（ｄ２）のいずれかである。式（ｄ１）及び式（ｄ２）中の＊は結合手を表し、式（ＩＩ）のＹと結合する。
   

   

   
   式（ＩＩ）において、Ｙは直接結合（ｙ１）、式（ｙ２）乃至式（ｙ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（ＩＩ）のＣあるいはＤと結合する。
   

   

   
   式（ｙ２）乃至式（ｙ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。
3. 式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする重合体。
   

   

   
   式（ｅ１）乃至式（ｅ３）において、Ｆは下記の式（ｆ）である。式（ｆ）中の＊５、＊６は結合手を表し、＊５、＊６のいずれか一方が、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のＸと結合する。＊５、＊６のうち式（ｅ１）乃至式（ｅ３）のＸと結合していない結合手は水素原子と結合する。
   

   

   
   式（ｅ１）乃至式（ｅ３）において、Ｘは直接結合（ｘ１）、式（ｘ２）乃至式（ｘ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｅ１）乃至式（ｅ３）の脂環構造中の炭素原子あるいはＦとそれぞれ結合する。
   

   

   
   式（ｘ２）乃至式（ｘ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。
4. 式（ｇ１）乃至式（ｇ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする重合体。
   

   

   
   式（ｇ１）乃至式（ｇ３）において、Ｈは下記の式（ｈ）である。式（ｈ）中の＊７、＊８は結合手を表し、＊７、＊８のいずれか一方が、式（ｇ１）乃至（ｇ３）のＷと結合する。＊７、＊８のうち式（ｇ１）乃至（ｇ３）のＷと結合していない結合手は水素原子と結合する。
   

   

   
   式（ｇ１）乃至式（ｇ３）において、Ｗは直接結合（ｗ１）、式（ｗ２）乃至式（ｗ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｇ１）乃至式（ｇ３）の脂環構造中の炭素原子あるいはＨとそれぞれ結合する。
   

   

   
   式（ｗ２）乃至式（ｗ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。
5. 式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする重合体。
   

   

   
   式（ｉ１）乃至式（ｉ３）において、Ｊは下記の式（ｊ）である。式（ｊ）中の＊９、＊１０は結合手を表し、＊９、＊１０のいずれか一方が、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のＶと結合する。＊９、＊１０のうち式（ｉ１）乃至式（ｉ３）のＶと結合していない結合手は水素原子と結合する。
   

   

   
   式（ｉ１）乃至式（ｉ３）において、Ｖは直接結合（ｖ１）、式（ｖ２）乃至式（ｖ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｉ１）乃至式（ｉ３）の窒素原子あるいはＪとそれぞれ結合する。
   

   

   
   式（ｖ２）乃至式（ｖ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。
6. 式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有することを特徴とする重合体。
   

   

   
   式（ｋ１）乃至式（ｋ３）において、Ｌは下記の式（ｌ）である。式（ｌ）中の＊１１、＊１２は結合手を表し、＊１１、＊１２のいずれか一方が、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のＵと結合する。＊１１、＊１２のうち式（ｋ１）乃至式（ｋ３）のＵと結合していない結合手は水素原子と結合する。
   

   

   
   式（ｋ１）乃至式（ｋ３）において、Ｕは直接結合（ｕ１）、式（ｕ２）乃至式（ｕ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、式（ｋ１）乃至式（ｋ３）の窒素原子あるいはＬとそれぞれ結合する。
   

   

   
   式（ｕ２）乃至式（ｕ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。
7. 一般式（ＩＩＩ）で表されることを特徴とする架橋体。
   Ｍ−Ｒ−Ｔ−Ｒ’−Ｍ’ （ＩＩＩ）
   式（ＩＩＩ）において、Ｍ、Ｍ’はそれぞれ式（ｍ１）乃至式（ｍ１２）のいずれかで表される繰り返し構造単位を有する重合体である。式（ｍ１）乃至式（ｍ１２）中の＊は結合手を表し、式（ＩＩＩ）のＲ、Ｒ’とそれぞれ結合する。
   

   

   
   式（ＩＩＩ）において、Ｒは直接結合（ｒ１）、式（ｒ２）乃至式（ｒ１２）のいずれかである。式中の２つの＊は結合手を表し、それぞれ、式（ＩＩＩ）のＭもしくはＭ’、あるいはＴと結合する。
   

   

   
   式（ｒ２）乃至式（ｒ１２）において、ｎ、ｍ、及びｌはそれぞれ独立に０乃至５のいずれかの整数である。
   式（ＩＩＩ）において、Ｔは式（ｔ）である。式（ｔ）中の＊１３乃至＊２０は結合手を表し、＊１３乃至＊１６のいずれか、及び、＊１７乃至＊２０のいずれかがそれぞれ式（ＩＩＩ）のＭ及びＭ’と結合する。＊１３乃至＊２０のうち式（ＩＩＩ）のＭ及びＭ’と結合していない結合手は水素原子と結合している。
   

   
8. 有機透明部材を有する光学素子において、前記有機透明部材が請求項７に記載の架橋体からなることを特徴とする光学素子。

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