JP5762842B2

JP5762842B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法

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Publication number: JP5762842B2
Application number: JP2011137656A
Authority: JP
Inventors: 拓生海東; 武栗谷川; 亮坂田; 修刈込; ブロスニハンティム
Original assignee: ピクストロニクス，インコーポレイテッド
Priority date: 2011-06-21
Filing date: 2011-06-21
Publication date: 2015-08-12
Anticipated expiration: 2031-06-21
Also published as: CN102841444A; KR101320749B1; CN102841444B; US20120326179A1; US8970940B2; TWI449949B; KR20120140616A; EP2538265A1; TW201305600A; JP2013003533A

Description

本発明は、メカニカルシャッターを用いた表示装置に関する。

近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を応用したメカニカルシャッター（以下「ＭＥＭＳシャッター」という。）を用いた表示装置が注目されてきている。ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置（以下「ＭＥＭＳ表示装置」という。）とは、画素ごとに設けたＭＥＭＳシャッターをＴＦＴを用いて高速で開閉することによってシャッターを透過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である（例えば、特許文献１）。ＭＥＭＳ表示装置においては時間階調方式が採用されており、赤色、緑色及び青色のＬＥＤバックライトからの光を順次切り替えることにより画像の表示を行う。ＭＥＭＳ表示装置は、液晶表示装置に用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、液晶表示装置と比較してバックライトの光の利用効率は約１０倍、消費電力は２／１以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴がある。

特開２００８−１９７６６８号公報

ＭＥＭＳ表示装置においては、ＭＥＭＳシャッターを駆動するためのスイッチング素子、及びスイッチング素子を駆動するゲートドライバやデータドライバを構成するＴＦＴが基板上に形成される。基板上にはＴＦＴへ外部から信号を供給するための端子が同時に形成される。通常、ＭＥＭＳ表示装置においては、ＴＦＴ及び端子が形成されたＴＦＴ基板上にＴＦＴ及び端子を覆うパッシベーション膜を形成し、そのパッシベーション膜上にＭＥＭＳシャッターを形成する。その後、ＭＥＭＳシャッターを形成したＴＦＴ基板に対向基板を貼り合わせる。ＴＦＴ基板に形成された端子には外部から信号を供給する必要があるため、対向基板が端子上部を覆わないようにＴＦＴ基板と対向基板とを張り合わせる。

ＴＦＴ基板上に形成した端子には外部から信号を供給する必要があるため、端子上のパッシベーション膜を除去する必要がある。通常、ＴＦＴや半導体プロセスにおいては、端子上のパッシベーション膜は、ホトリソプロセスとエッチングプロセスとの組合せにより除去される。一方、ＭＥＭＳ表示装置の場合、ＭＥＭＳシャッターの稼動部は中空状態であり、ＭＥＭＳシャッター形成後にホトリソプロセス（レジスト塗布等）を適用することが困難である。

また、ＴＦＴ基板と対向基板とを張り合わせ、一つ一つのＭＥＭＳ表示装置に切断した後、ドライエッチングプロセスにより、端子上のパッシベーション膜を除去する方法がある。しかし、このパッシベーション膜の除去方法には専用装置が必要になると共に、ＭＥＭＳ表示装置の製造スループットが大幅に低下するという問題がある。

また、端子上部にレーザを照射することによってパッシベーション膜を除去する方法があるが、ＭＥＭＳ表示装置の製造スループットが大幅に低下してしまうという問題がある。

そこで、本発明は上述の問題を鑑みてなされてものであり、専用装置を必要とせず、製造スループットを低下させることなく端子上のパッシベーション膜を除去した表示装置及びその製造方法を提供する。

本発明の一実施形態によると、基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッターを有する複数の画素と、前記基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッターは、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカーの前記基板の表面に対して垂直方向の面に絶縁膜を有し、前記複数の端子の表面、並びに前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカーの前記基板の表面に対して平行方向であり且つ前記基板に対面する側と反対側の面には、絶縁膜がないことを特徴とする表示装置が提供される。

前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差によって、前記第１バネと前記第２バネとが静電駆動される。

前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差は、前記スイッチング素子によって供給される。

バックライトをさらに有し、前記基板は開口部を有し、前記シャッターの前記開口部と前記基板の開口部との重なる部分から前記バックライトから供給される光を透過させるようにしてもよい。

前記基板上に配置された反射部をさらに有し、前記シャッターの前記開口部と前記反射部とが重なる部分によって、前記反射部によって反射された光を透過させるようにしてもよい。

前記スイッチング素子上に絶縁膜を有する。

また、本発明の一実施形態によると、基板上にスイッチング素子及び端子を形成し、前記スイッチング素子上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に前記スイッチング素子によって駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数の画素を形成し、前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカー並びに前記端子に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜を異方性エッチングすることを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。

前記端子が露出するまで前記第２の絶縁膜を異方性エッチングする。

前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカーの前記基板の表面に対して垂直方向の面に絶縁膜を有する。

本発明の表示装置及びその製造方法によると、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる前（前工程プロセス）において、一般的に用いられているドライエッチングプロセスによって端子上の絶縁膜（パッシベーション膜）を除去した表示装置及びその製造方法を提供することが可能となる。よって、特殊なプロセスを必要とせず、高スループットで加工できるため、表示装置のコスト低減を図ることができる。また、従来、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせ、切断した後、ドライエッチングプロセスによる端子上のパッシベーション膜を除去するために必要であった専用装置を不要とし、製造スループットを低下させることなく端子上の絶縁膜（パッシベーション膜）を除去した表示装置及びその製造方法を提供することができる。

（Ａ）は、一実施形態に係る本発明の表示装置１００の斜視図であり、（Ｂ）は、一実施形態に係る本発明の表示装置１００の平面図である。一本実施形態に係る本発明の表示装置１００の回路ブロック図である。一実施形態に係る本発明の表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッター２０２の構成を示す図である。一実施形態に係る本発明の表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッター２０２の構成を示す図である。一実施形態に係る本発明の表示装置１００の表示部（図４に示すＭＥＭＳシャッター２０２におけるＡ−Ａ’線によって示す箇所）及び端子部１０２ｅ（端子１０４）の断面図である。一実施形態に係る本発明の表示装置１００の製造プロセスを示す図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の表示装置の実施形態について説明する。なお、本発明の表示装置は、以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。

図１（Ａ）及び（Ｂ）に本発明の一実施形態に係る表示装置１００を示す。図１（Ａ）には、本実施形態に係る本発明の表示装置１００の斜視図を示す。図１（Ｂ）には、本実施形態に係る本発明の表示装置１００の平面図を示す。本実施形態に係る本発明の表示装置１００は、基板１０２及び対向基板１０６を有している。基板１０２は、表示部１０２ａ、駆動回路１０２ｂ、１０２ｃ及び１０２ｄ、並びに端子部１０２ｅを有している。

図２に本実施形態に係る本発明の表示装置１００の回路ブロック図を示す。図２に示す本実施形態に係る本発明の表示装置１００には、コントローラ１２０から画像信号及び制御信号が供給される。また、図２に示す本実施形態に係る本発明の表示装置１００には、コントローラ１２０によって制御されるバックライト１２２から光が供給される。なお、コントローラ１２０及びバックライト１２２を含んで本発明の表示装置１００を構成するようにしてもよい。

図２に示すとおり、表示部１０２ａは、マトリクス状に配置されたメカニカルシャッター（ＭＥＭＳシャッター）２０２、スイッチング素子２０４及び保持容量２０６を有する画素２００を有している。駆動回路１０２ｂ及び１０２ｃは、データドライバであり、スイッチング素子２０４へデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）を介してデータ信号を供給する。スイッチング素子駆動回路１０２ｃは、ゲートドライバであり、スイッチング素子２０４へゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）を介してゲート信号を供給する。なお、本実施形態においては、データドライバである駆動回路１０２ｂ及び１０２ｄが、表示部１０２ａを挟むように配置されているが、これに限定されるわけではない。スイッチング素子２０４は、データ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）から供給されるデータ信号に基づきＭＥＭＳシャッター２０２を駆動する。

ここで、図３及び図４に本実施形態に係る本発明の表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッター２０２の構成を示す。説明の便宜上、図３には、一つのＭＥＭＳシャッター２０２を示すが、本実施形態に係る本発明の表示装置１００には、図３に示すＭＥＭＳシャッター２０２がマトリクス状に配置されている。

ＭＥＭＳシャッター２０２は、シャッター２１０、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０、並びにアンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２を有している。シャッター２１０は、開口部２１１及び２１２を有しており、シャッター２１０本体は遮光部となる。また、基板１０２は、開口部２１３及び２１４を有している。シャッター２１０の開口部２１１及び２１２と基板１０２の開口部２１３及び２１４とが平面方向に概略重なり合うように配置されており、基板１０２の背面から供給され、基板１０２の開口部２１３及び２１４を透過する光が、シャッター２１０の開口部２１１及び２１２を透過するようになっている。なお、本実施形態に示すＭＥＭＳシャッター２０２は、本発明の表示装置１００に用いることのできるＭＥＭＳシャッターの一例に過ぎず、スイッチング素子で駆動することができるＭＥＭＳシャッターであれば如何なる態様のものでも用いることができる。なお、バックライト１２２を用いず且つ基板１０２の開口部２１３及び２１４を設けず、シャッター２１０の開口部２１１及び２１２の下部に反射部を設け、反射型の表示装置としてもよい。

シャッター２１０の一方の側は、第１バネ２１６及び２１８を介してアンカー部２３２及び２３４に接続されている。アンカー部２３２及び２３４は、第１バネ２１６及び２１８とともに、シャッター２１０を基板１０２の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３２は第１バネ２１６と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２３４は第１バネ２１８と電気的に接続されている。アンカー部２３２及び２３４には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２１６及び２１８にバイアス電位が供給される。また、第２バネ２２４及び２２６は、アンカー部２３６に接続されている。アンカー部２３６は、第２バネ２２４及び２２６を支持する機能を有する。アンカー部２３６は第２バネ２２４及び２２６と電気的に接続されている。アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４及び２２６にグランド電位が供給される。

また、シャッター２１０の他方の側は、第１バネ２２０及び２２２を介してアンカー部２３８及び２４０に接続されている。アンカー部２３８及び２４０は、第１バネ２２０及び２２２とともに、シャッター２１０を基板１０２の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３８は第１バネ２２０と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２４０は第１バネ２２２と電気的に接続されている。アンカー部２３８及び２４０には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２２０及び２２２にバイアス電位が供給される。また、第２バネ２２８及び２３０は、アンカー部２４２に接続されている。アンカー部２４２は、第２バネ２２８及び２３０を支持する機能を有する。アンカー部２４２は第２バネ２２８及び２３０と電気的に接続されている。アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８及び２３０にグランド電位が供給される。

なお、図４の上部において、説明の便宜上、シャッター２１０がある領域を“Ａ”、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０がある領域を“Ｂ”、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２がある領域を“Ｃ”と表示している。

上述したように、本実施形態においては、スイッチング素子２０４からアンカー部２３２及び２３４にバイアス電位が供給され、第１バネ２１６及び２１８にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４及び２２６にグランド電位が供給される。第１バネ２１６及び２１８と第２バネ２２４及び２２６との間の電位差により、第１バネ２１６と第２バネ２２４とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２１８と第２バネ２３４とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター２１０が移動する。

また、同様に、スイッチング素子２０４からアンカー部２３８及び２４０にバイアス電位が供給され、第１バネ２２０及び２２２にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８及び２３０にグランド電位が供給される。第１バネ２２０及び２２２と第２バネ２２８及び２３０との間の電位差により、第１バネ２２０と第２バネ２２８とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２２２と第２バネ２３０とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター２１０が移動する。

なお、本実施形態においては、シャッター２１０の両側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置した例について説明したが、本発明の表示装置はこれに限定されるわけではない。シャッター２１０の一方側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置し、シャッター部２１０の他方側には第１バネ及びアンカー部のみを接続し配置し、他方側の第１バネ及びアンカー部はシャッターを基板から浮遊した状態に支持する機能を持たせ、シャッター２１０の一方側の第１バネ及び第２バネを静電駆動し、シャッター２１０を動作させるようにしてもよい。

次に図５を参照する。図５には、本実施形態に係る本発明の表示装置１００の表示部（図４に示すＭＥＭＳシャッター２０２におけるＡ−Ａ’線によって示す箇所）及び端子部１０２ｅ（端子１０４）の断面図である。なお、図５上部においては、説明の便宜上、端子部１０２がある領域を“Ｄ”と示している。

図５に示すとおり、本実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、シャッター２１０は、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体並びに絶縁膜（パッシベーション膜）２１０ｃを有している。本実施形態においては、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体の側部（基板１０２の表面に対して垂直方向の面）及び下部（基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側の面）にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）２１０ｃを有している。言い換えると、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体の上部（基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側と反対側の面）には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在しない。なお、本実施形態においては、シャッター２１０にはａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を用いたが、これに限定されるわけではなく、側部及び下部にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）が形成されている構造であれば如何なる構造及び材料でも用いることができる。また、本実施形態においては、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体の側部及び下部にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）２１０ｃを有している例について説明しているが、シャッター２１０の上部に絶縁膜（パッシベーション膜）が存在しないことが重要であり、下部には絶縁膜（パッシベーション膜）があっても無くてもよく、また、側部と下部との絶縁膜（パッシベーション膜）の厚さは異なっていてもよい。

また、図５に示すとおり、本実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０は、それぞれ、ａ−Ｓｉの側部（基板１０２の表面に対して垂直方向の面）及び下部（基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側の面）に絶縁膜（パッシベーション膜）を有している。図５に示すように、第１バネ２２６及び第２バネ２１８を例にとって説明すると、第１バネ２２６はａ−Ｓｉ（２２６ａ）の側部及び下部に絶縁膜（パッシベーション膜）２２６ｃを有しており、第２バネ２１８はａ−Ｓｉ（２１８ａ）の側部及び下部に絶縁膜（パッシベーション膜）２１８ｃを有している。言い換えると、第１バネ２２６において、ａ−Ｓｉ（２２６ａ）の上部（基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側と反対側の面）には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在せず、且つ、第２バネ２１８において、ａ−Ｓｉ（２１８ａ）の上部（基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側と反対側の面）には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在しない。こうすることによって、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０の間を絶縁膜（パッシベーション膜）により絶縁分離する。なお、本実施形態においては、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０には、ａ−Ｓｉを用いたが、これに限定されるわけではなく、側部及び下部にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）が形成されている構造であれば如何なる構造及び材料でも用いることができる。また、本実施形態においては、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０の側部及び下部にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）を有している例について説明しているが、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０の上部に絶縁膜（パッシベーション膜）が存在しないことが重要であり、下部には絶縁膜（パッシベーション膜）があっても無くてもよく、また、側部と下部との絶縁膜（パッシベーション膜）の厚さは異なっていてもよい。

図５に示すとおり、本実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２は、それぞれ、ａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体並びに絶縁膜（パッシベーション膜）を有している。図５に示すように、アンカー部２３４を例にとって説明すると、アンカー部２３４は、ａ−Ｓｉ（２３４ａ）及びＡｌＳｉ（２３４ｂ）の積層体並びに絶縁膜（パッシベーション膜）２３４ｃを有している。アンカー部２３４は、基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００上に形成された絶縁膜３０２（パッシベーション膜）上に形成されている。本実施形態においては、ａ−Ｓｉ（２３４ａ）及びＡｌＳｉ（２３４ｂ）の積層体の側部（基板１０２の表面に対して垂直方向の面）及び下部（基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側の面）にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）２３４ｃを有している。言い換えると、ａ−Ｓｉ（２３４ａ）及びＡｌＳｉ（２３４ｂ）の積層体の上部（基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側と反対側の面）には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在しない。なお、本実施形態においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２にはａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体を用いたが、これに限定されるわけではなく、側部及び下部にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）が形成されている構造であれば如何なる構造及び材料でも用いることができる。また、本実施形態においては、ａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体の側部及び下部にのみ絶縁膜（パッシベーション膜）を有している例について説明しているが、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２の上部に絶縁膜（パッシベーション膜）が存在しないことが重要であり、下部には絶縁膜（パッシベーション膜）があっても無くてもよく、また、側部と下部との絶縁膜（パッシベーション膜）の厚さは異なっていてもよい。

また、図５に示すとおり、本実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、端子部１０２ｅの端子１０４は、ＭｏＷ（１０４ａ）、Ａｌ（１０４ｂ）、ＭｏＷ（１０４ｂ）及びＩＴＯ（１０４ｃ）によって構成されている。なお、端子１０４の構成及び材料はこれに限定されるわけではなく、スイッチング素子（本実施形態においてはＴＦＴ）の構成に応じて適宜変更することが可能であり、また、Ａｌ（１０４ｂ）は、スイッチング素子２０４のドレイン配線と同層の配線を用いるようにしてもよい。端子部１０２ｅは、基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００の一部に形成されている。本実施形態においては、ＴＦＴ基板の表示部１０２ａ、データドライバ１０２ｂ及び１０２ｃ並びにゲートドライバ１０２ｄ上は絶縁膜（パッシベーション膜）３０２で覆われているが、端子１０４の表面には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在せず、端子１０４は露出されている。

以上説明したとおり、本実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、外部から信号が供給される端子部１０２ｅの端子１０４の上部は露出されており、且つ、ＭＥＭＳシャッター２０２の第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０の間を絶縁膜（パッシベーション膜）により絶縁分離している。よって、ＭＥＭＳシャッター２０２の静電駆動動作を良好に行うことができる。なお、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０以外の部分（例えば、シャッター２１０の上面等）には絶縁膜（パッシベーション膜）が存在しなくても問題は発生しない。

次に図６を参照し、本実施形態に係る本発明の表示装置１００の製造プロセスについて説明する。

まず、基板１０２に表示部１０２ａ、データドライバ１０２ｂ及び１０２ｃ、並びにゲートドライバ１０２ｄを構成するスイッチング素子（本実施形態においてはＴＦＴ）及び端子部１０２ｅを構成する端子１０４を形成し、ＴＦＴ基板３００を形成し、端子部１０２ｅを除いてＳｉＮなどの絶縁膜（パッシベーション膜）３０２を形成する。次に、絶縁膜（パッシベーション膜）３０２上にＭＥＭＳシャッター２０２（図６においては、シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６及びアンカー２３４を示す。）を形成する。次に、基板１０２全体にパッシベーション膜となるＳｉＮなどの絶縁膜を一般的なＰＥＣＶＤ法により形成し、絶縁膜２１０ｃ、２１８ｃ、２２６ｃ、２３４ｃ及び３０４を形成する（図６（Ａ））。このとき、ＭＥＭＳシャッター２０２のシャッター２１０等、第１バネ２１８等、第２バネ２２６等及びアンカー２３４等の基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側の面には、絶縁膜が形成されない場合や、基板１０２の表面に対して垂直方向の面や基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側と反対側の面とは膜厚が異なる場合がある。

次に、絶縁膜２１０ｃ、２１８ｃ、２２６ｃ、２３４ｃ及び３０４を異方性ドライエッチングにより加工する（図６（Ｂ））。異方性ドライエッチングプロセスのため、基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側と反対側の面に位置する絶縁膜が高エッチングレートでエッチングされ（図６（Ｂ）における点線矢印）、基板１０２の表面に対して垂直方向の面及び基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側の面に位置する絶縁膜はエッチングされずに残ることになる（図６（Ｃ））。このとき、端子部１０４ｅの端子１０４上の絶縁膜３０４も除去され、端子１０４が露出される。基板１０２の表面に対して平行方向であり且つ基板１０２に対面する側と反対側の面に位置する絶縁膜が除去され端子１０４が露出され、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０の間を絶縁膜は残る状態になるまでこのエッチングプロセスを行う。絶縁膜がＳｉＮである場合は、フッ素系ガスを用い、ドライエッチング設備としては容量結合プラズマ方式や誘導結合プラズマ、電子サイクロトロン共鳴プラズマ方式を用いることができる。なお、Ｏ₂ガスを添加して側壁に保護層を形成することで、さらにエッチングの異方性を上げることが可能となる。

次に、公知の方法によって対向基板を貼り合わせ（図示せず）、本実施形態に係る本発明の表示装置１００が完成する。端子部１０２ｅの端子１０４は露出されているので、フレキシブルケーブル等の外部端子との電気的接続も可能となる。

本実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる前（前工程プロセス）において、一般的に用いられているドライエッチングプロセスによって端子上のパッシベーション膜を除去しているので、特殊なプロセスを必要とせず、高スループットで加工できるため、表示装置のコスト低減を図ることができる。また、従来、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせ、切断した後、ドライエッチングプロセスによる端子上のパッシベーション膜を除去するために必要であった専用装置を不要とし、製造スループットを低下させることなく端子上の絶縁膜（パッシベーション膜）を除去した表示装置及びその製造方法を提供することができる。

１００表示装置
１０２基板
１０６対向基板
１０２基板
１０２ａ表示部
１０２ｂ、１０２ｃデータドライバ
１０２ｄゲートドライバ
１０２ｅ端子部
１２０コントローラ
１２２バックライト
２００画素
２０２ＭＥＭＳシャッター
２０４スイッチング素子
２０６保持容量
２１０シャッター
２１２、２１４開口部
２１６、２１８、２２０、２２２第１バネ
２２４、２２６、２２８、２３０第２バネ
２３２、２３４、２３６、２３８、２４０、２４２アンカー部

Claims

基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッターを有する複数の画素と、
前記基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、
を含む表示装置であって、
前記ＭＥＭＳシャッターは、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、
前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカーの前記基板の表面に対して垂直方向の面に絶縁膜を有し、
前記複数の端子の表面、並びに前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカーの前記基板の表面に対して平行方向であり且つ前記基板に対面する側と反対側の面には、絶縁膜がないことを特徴とする表示装置。
前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差によって、前記第１バネと前記第２バネとが静電駆動されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差は、前記スイッチング素子によって供給されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
バックライトをさらに有し、
前記基板は開口部を有し、
前記シャッターの前記開口部と前記基板の開口部との重なる部分から前記バックライトから供給される光を透過させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の表示装置。
前記基板上に配置された反射部をさらに有し、
前記シャッターの前記開口部と前記反射部とが重なる部分によって、前記反射部によって反射された光を透過させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の表示装置。
前記スイッチング素子上に絶縁膜を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の表示装置。
基板上にスイッチング素子及び端子を形成し、
前記スイッチング素子上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に前記スイッチング素子によって駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数の画素を形成し、
前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカー並びに前記端子に第２の絶縁膜を形成し、
前記端子が露出するまで前記第２の絶縁膜を異方性エッチングすることを特徴とする表示装置の製造方法。
前記シャッター、前記第１バネ、前記第２バネ、前記第１アンカー及び前記第２アンカーの前記基板の表面に対して垂直方向の面に絶縁膜を有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。