JP5761392B2 - 有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、及び電子機器に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極と陰極との間に発光層を含む発光機能層を挟持した構造を有している。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成を挙げることができる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合したときに発光が行われる。

有機ＥＬ装置の製造方法は、例えば、パターニング性が高く、大面積化が容易であり、材料の使用効率が高い塗布法が用いられる。しかしながら、塗布法における赤色発光層（Ｒ）、緑色発光層（Ｇ）は実用レベル（例えば、発光寿命特性など）であるものの、青色発光層（Ｂ）は実用レベルに到達したとは言い難い。一方、蒸着法における青色発光層（Ｂ）は、実用レベルに到達しつつある。

そこで、例えば、特許文献１〜３に記載のように、赤色発光層（Ｒ）と緑色発光層（Ｇ）は塗布法で形成し、青色発光層（Ｂ）は赤色発光層（Ｒ）及び緑色発光層（Ｇ）上を含む全面に蒸着法で形成する方法が開示されている。

特開２００７−７３５３２号公報 特開２００３−３３２０５５号公報 特開平１０−１５３９６７号公報

しかしながら、塗布法で用いられる高分子材料と、蒸着法で用いられる低分子材料との間で、電荷の移動がスムーズに行われないという問題がある。つまり、発光を励起させようとする発光層への電子の注入性が悪いという問題がある。これにより、発光効率が低下したり寿命が低下したりするという課題があった。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。また、以下の形態または適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上の第１陽極上に第１色を発光する第１発光層を塗布法によって形成する第１発光層塗布工程と、前記基板上の第２陽極上に第２色を発光する第２発光層を塗布法によって形成する第２発光層塗布工程と、前記第１発光層及び前記第２発光層上に電子注入性を有する中間層を形成する中間層形成工程と、前記中間層上及び前記基板上の第３陽極上を含む領域に、第３色を発光する第３発光層を蒸着法によって形成する第３発光層蒸着工程と、前記第３発光層上に陰極を形成する陰極形成工程と、を有することを特徴とする。

この方法によれば、電子注入性を有する中間層を介して、塗布法によって形成された第１発光層及び第２発光層と、蒸着法によって形成された第３発光層とが積層されているので、第３発光層と、第１発光層及び第２発光層との間で電子注入を促進させる（確保する）ことが可能となる。よって、陰極からの電子を第３発光層から第１発光層及び第２発光層にスムーズに移動させることができる。その結果、発光素子を長時間に亘って発光させることが可能となり、寿命を向上させることができる。その結果、高い発光効率と長い寿命とを有する有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１発光層は、赤色発光層であり、前記第２発光層は、緑色発光層であり、前記第３発光層は、青色発光層であることが好ましい。

この方法によれば、赤色発光層と緑色発光層とを塗布法によって形成し、青色発光層を蒸着法によって形成するので、青色の発光特性（例えば、寿命など）を、赤色及び緑色の発光特性に近づけることが可能となる。よって、有機ＥＬ装置の表示品質を向上させることができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第３発光層は、少なくとも正孔輸送性を有する層と、電子輸送性を有する層とを含むことが好ましい。

この方法によれば、第３発光層が正孔輸送性を有する層と電子輸送性を有する層とを含むので、第３陽極と陰極との間に第３発光層を形成することで、正孔及び電子を移動させることが可能となり、第３色を効率よく発光させることができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１陽極と前記第１発光層との間、及び、前記第２陽極と前記第２発光層との間に、少なくとも正孔注入層及び正孔輸送層のどちらか一方を形成することが好ましい。

この方法によれば、少なくとも正孔注入層及び正孔輸送層のどちらか一方を形成するので、陽極から発光層への正孔の輸送性を向上させることができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第３陽極と前記第３発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくともどちらか一方を形成することが好ましい。

この方法によれば、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくともどちらか一方を形成するので、陽極から発光層への正孔の輸送性を向上させることができる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、前記正孔注入層または前記正孔輸送層と前記第３発光層との間に前記中間層を形成することが好ましい。

［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、前記第３陽極と前記第３発光層との間を含む領域に前記中間層を形成することが好ましい。

この方法によれば、第３陽極と第３発光層との間に中間層を有するので、陰極からの電子注入性を向上させることができる。

［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、塗布法によって前記中間層を形成することが好ましい。

この方法によれば、中間層を塗布法によって形成するので、各発光層毎に選択的に形成することができる。よって、基板上の全面に中間層を形成する場合と比較して、使用する材料を少なくすることができる。

［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記中間層形成工程は、蒸着法によって前記中間層を形成することが好ましい。

この方法によれば、中間層を蒸着法によって形成するので、基板上の全体に一度に形成できると共に、均一な膜質に形成することができる。また、蒸着法を用いるので、使用材料の選択性を向上させることができる。

［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記塗布法は、インクジェット法であることが好ましい。

この方法によれば、インクジェット法を用いるので、各発光層の領域毎に液滴を吐出することで膜を形成することができる。言い換えれば、選択的に機能性を有する機能膜を形成できる。

［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記中間層は炭酸セシウムであることが好ましい。

［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、色変換層を形成する色変換層形成工程を有することが好ましい。

この方法によれば、色変換層（カラーフィルター）を介して光を出力するので、例えば、光を着色したり、混色した色を除去したりすることができる。つまり、ねらいの波長分布を有する光が得られる。

［適用例１３］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上の第１陽極上に塗布法によって形成された第１色を発光する第１発光層と、前記基板上の第２陽極上に塗布法によって形成された第２色を発光する第２発光層と、前記第１発光層上、前記第２発光層上、前記基板上の第３陽極上を含む領域に蒸着法によって形成された第３色を発光する第３発光層と、前記第３発光層上に設けられた陰極と、を有し、少なくとも前記第１発光層と前記第３発光層との間、及び、前記第２発光層と前記第３発光層との間に、電子注入性を有する中間層が設けられていることを特徴とする。

この構成によれば、電子注入性を有する中間層を介して、塗布法によって形成された第１発光層及び第２発光層と、蒸着法によって形成された第３発光層とが積層されているので、第３発光層と、第１発光層及び第２発光層との間で電子注入を促進させる（確保する）ことが可能となる。よって、陰極からの電子を第３発光層から第１発光層及び第２発光層にスムーズに移動させることができる。その結果、発光素子を長時間に亘って発光させることが可能となり、寿命を向上させることができる。その結果、高い発光効率と長い寿命とを有する有機ＥＬ装置を提供することができる。

［適用例１４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１発光層は、赤色発光層であり、前記第２発光層は、緑色発光層であり、前記第３発光層は、青色発光層であることが好ましい。

この構成によれば、赤色発光層と緑色発光層とを塗布法によって形成し、青色発光層を蒸着法によって形成するので、青色の発光特性（例えば、寿命など）を、赤色及び緑色の発光特性に近づけることが可能となる。よって、有機ＥＬ装置の表示品質を向上させることができる。

［適用例１５］本適用例に係る電子機器は、上記した有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置、又は上記した有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、高い表示品質の画像を表示可能な電子機器を提供することができる。

第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。 有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 第３実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 第４実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 第５実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。 有機ＥＬ装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図。 有機ＥＬ装置の変形例の構造を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置は、一例としてボトムエミッション構造で説明するが、トップエミッション構造にも適用可能である。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。

各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）と、が設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層としての発光機能層２６とが設けられている。

有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。

この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。

図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板としての素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。

実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、第１色としてのＲ（赤）、第２色としてのＧ（緑）、第３色としてのＢ（青）各色を発光する構成となっている。

ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。

素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。

図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造について、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域４２において発光が行われるものであり、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４と、発光素子層４４上に形成された陰極（共通電極）２５とを有する。素子基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。

回路素子層４３には、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。

更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５３（走査線）が形成されている。

ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）、チタン酸化膜（ＴｉＯ₂）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。

半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と電気的に接続されている。

陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面的に略矩形状の形状となっている。なお、回路素子層４３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスター（ＴＦＴ素子２３）が形成されている。

陽極２４の周囲には、絶縁層５８及び隔壁（バンク）５９が、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）等の無機材料が挙げられる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域４２の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。言い換えれば、絶縁層５８は、発光領域４２を除いた領域に形成されていることになる。

隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光領域４２（発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域が隔壁５９の開口部（発光領域４２）となる。隔壁５９の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。

陽極２４上に設けられる各種膜は、各色の発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ毎に異なっている。具体的には、赤色発光素子２７Ｒは、隔壁５９によって囲まれた第１陽極としての陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、第１発光層（赤色発光層）としての発光層６３Ｒが、塗布法（インクジェット法）によって順に形成されている。更に、発光層６３Ｒ上には、電子注入性を促進させるため（言い換えれば、電荷をスムーズに移動させるため）の中間層６４Ｒが塗布法によって設けられている。

緑色発光素子２７Ｇは、隔壁５９によって囲まれた第２陽極としての陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、第２発光層（緑色発光層）としての発光層６３Ｇが、インクジェット法によって順に形成されている。更に、発光層６３Ｇ上には、赤色発光素子２７Ｒと同様に、電子注入性を促進させるための中間層６４Ｇが塗布法によって設けられている。

正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。

正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）の構成材料としては、例えば、下記化１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いることができる。

発光層６３は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料としては、赤色の発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化２に示す材料を用いることができる。緑色の発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化３に示す材料を用いることができる。

中間層６４（６４Ｒ，６４Ｇ）は、アルカリ金属、又はアルカリ土類金属の酸化物・フッ化物・塩と金属酸化物との積層構造である。本実施形態では、例えば、アルカリ金属塩を用いる。アルカリ金属塩としては、例えば、炭酸セシウム（Ｃｓ₂ＣＯ₃）が挙げられる。ここでは、中間層６４（６４Ｒ，６４Ｇ）となる前の炭酸セシウムの水溶液を、例えば、インクジェット法を用いて塗布する。中間層６４の厚みは、例えば、５ｎｍである。

青色発光素子２７Ｂは、隔壁５９によって囲まれた第３陽極としての陽極２４Ｂ上、及び、中間層６４Ｒ，６４Ｇ上を含む素子基板３１上の全体に、蒸着法によって第３発光層（青色発光層）としての発光層６３Ｂが形成されている。発光層６３Ｂの構成としては、陽極２４Ｂ側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ（下記化４）、青色の発光層であるＤＰＶＢｉ（下記化５）、及び電子輸送性のＡｌｑ３（下記化６）の積層構造となっている。

発光層６３Ｂ上には、陰極２５が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極２５上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている（図示せず）。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極２５側に貼り付けられている。

上述した発光層６３は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６３には、陽極２４から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６３において、これらが結合したときに光を発する。

なお、上記したように、中間層６４（６４Ｒ，６４Ｇ）を介し、塗布法によって形成された発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）と、蒸着法によって形成された発光層６３（６３Ｂ）とが積層されているので、電子注入性を促進させることが可能となり、陰極２５からの電子を発光層６３Ｒ，６３Ｇ側にスムーズに移動させることができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図４〜図９は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４〜図９を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴ等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略又は簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。また、図面についても同様に、省略又は簡略化する。

まず、図４に示すように、素子基板３１上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成し、回路素子層４３上にＩＴＯからなる陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を形成する。

続いて、図５に示すように、回路素子層４３及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５８のうち発光領域４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。

その後、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料の塗工液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層における発光領域４２に開口部を形成する。これにより、隔壁５９の形状が完成する。

続いて、図６に示すように、赤色発光領域６６及び緑色発光領域６７において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）を形成する（第１発光層塗布工程、第２発光層塗布工程）。

詳しくは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させる。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。

次に、正孔注入層６１上に、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、そのあと機能液を乾燥させる。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、ＴＦＢが溶媒に溶解されている。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンなどが挙げられる。

次に、正孔輸送層６２上に、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、そのあと機能液を乾燥させる。発光層６３の機能液としては、例えば、発光層６３Ｒであれば、赤色蛍光材料の固形分が含まれている。発光層６３Ｇであれば、緑色蛍光材料の固形分が含まれている。

続いて、図７に示すように、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）上に中間層６４（６４Ｒ，６４Ｇ）を形成する（中間層形成工程）。詳しくは、発光層６３上に、アルカリ金属塩（例えば、炭酸セシウム）の水溶液をインクジェット法により吐出し、そのあと水溶液を乾燥させる。中間層６４の厚みとしては、例えば、５ｎｍである。

続いて、図８に示すように、中間層６４Ｒ，６４Ｇ、青色発光領域６８の陽極２４Ｂ、及び隔壁５９上の全体に亘って、蒸着法により発光層６３Ｂを形成する（第３発光層蒸着工程）。詳しくは、例えば、陽極２４Ｂ側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層であるＤＰＶＢｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の積層構造となっている。

続いて、図９に示すように、発光層６３Ｂ上に陰極２５を形成し、更に陰極２５上を封止する（陰極形成工程）。具体的には、例えば、フッ化リチウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５を形成する。その後、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止し、有機ＥＬ装置１１が完成する。

以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態によれば、アルカリ金属等からなる中間層６４（６４Ｒ，６４Ｇ）を介して、インクジェット法によって形成された発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）と、蒸着法によって形成された発光層６３（６３Ｂ）とが積層されているので、発光層６３Ｂと発光層６３Ｒ，６３Ｇ側との間で電子注入性を促進させることが可能となる。よって、陰極２５からの電子を発光層６３Ｒ，６３Ｇ側にスムーズに移動させることができる。その結果、中間層６４を設けない構成の場合と比較して、発光素子２７を長時間に亘って発光させることができ、有機ＥＬ装置１１の寿命を向上させることができる。

（２）第１実施形態によれば、青色の発光層６３Ｂを蒸着法によって成膜するので、塗布法で青色の発光層を形成する場合と比較して、電気的な特性を向上させることが可能となり、高品位な表示を行うことができる。

（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１０は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図１０を参照しながら説明する。

第２実施形態の有機ＥＬ装置７１は、青色発光領域６８において陽極２４Ｂと発光層６３Ｂとの間に正孔注入層６１Ｂ及び正孔輸送層６２Ｂを設ける点が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

図１０に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１は、第１実施形態と同様、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）、絶縁層５８、及び隔壁５９とを有する。

隔壁５９に囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）上には、インクジェット法によって正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）及び正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）が形成されている。このように、第１実施形態と異なる点として、青色発光領域６８にも、正孔注入層６１Ｂ及び正孔輸送層６２Ｂが形成されている。

赤色発光領域６６において、正孔輸送層６２Ｒ上には、インクジェット法によって発光層６３Ｒ及び中間層６４Ｒが順に形成されている。これらの構成は、第１実施形態と同様である。

緑色発光領域６７において、正孔輸送層６２Ｇ上には、インクジェット法によって発光層６３Ｇ及び中間層６４Ｇが順に形成されている。これらの構成は、第１実施形態と同様である。

中間層６４Ｒ，６４Ｇ、青色発光領域６８の正孔輸送層６２Ｂ、及び隔壁５９上に亘る素子基板３１上の全体には、第１実施形態と同様に、蒸着法を用いて発光層６３Ｂが設けられている。なお、第２実施形態では、陽極２４Ｂ上に正孔注入層６１Ｂ及び正孔輸送層６２Ｂが設けられているので、第１実施形態で用いた３層からなる発光層６３Ｂのうち正孔輸送性のα−ＮＰＤを除くようにしてもよい。そして、発光層６３Ｂ上には、陰極２５が全面成膜されている。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図１１〜図１３は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図１１〜図１３を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

まず、図１１に示すように、各色発光領域６６，６７，６８において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４上に、正孔注入層６１と正孔輸送層６２とを、インクジェット法を用いて形成する。詳しくは、赤色発光領域６６における陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒの順に形成する。また、緑色発光領域６７における陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇの順に形成する。また、青色発光領域６８における陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂの順に形成する。正孔注入層６１及び正孔輸送層６２の製造方法は、第１実施形態と同様である。

続いて、図１２に示すように、赤色発光領域６６及び緑色発光領域６７において、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）上に、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）と中間層６４（６４Ｒ，６４Ｇ）とを、インクジェット法を用いて形成する。発光層６３及び中間層６４の製造方法は、第１実施形態と同様である。

続いて、図１３に示すように、中間層６４Ｒ，６４Ｇ、青色発光領域６８の正孔輸送層６２Ｂ、及び隔壁５９上の全体に亘って、蒸着法により発光層６３Ｂを形成する。詳しくは、例えば、正孔輸送層６２Ｂ側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層であるＤＰＶＢｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の積層構造となっている。続いて、発光層６３Ｂ上に陰極２５を形成し、有機ＥＬ装置７１が完成する。

以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（３）第２実施形態によれば、青色発光領域６８の陽極２４Ｂ上に、他の発光領域６６，６７と同様に正孔注入層６１Ｂ及び正孔輸送層６２Ｂを形成するので、陽極２４表面の凸凹形状を緩和させることができる。よって、有機ＥＬ装置７１の内部にリーク電流が流れたり、ダークスポットが発生したりする等の不具合を抑えることができる。

（４）第２実施形態によれば、青色発光領域６８の陽極２４Ｂ上に、他の発光領域６６，６７と同様に正孔注入層６１Ｂ及び正孔輸送層６２Ｂを形成するので、陽極２４からの正孔の輸送性を向上させることができる。

（第３実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１４は、第３実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図１４を参照しながら説明する。

第３実施形態の有機ＥＬ装置８１は、各色発光領域６６，６７，６８の全体に亘って中間層８４が設けられている点が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

図１４に示すように、第３実施形態の有機ＥＬ装置８１は、第１実施形態と同様、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）、絶縁層５８、及び隔壁５９とを有する。

隔壁５９に囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ）上には、インクジェット法によって正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）、及び発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）が形成されている。これらの製造方法は、第１実施形態と同様である。

発光層６３Ｒ，６３Ｇ、青色発光領域６８の陽極２４Ｂ、及び隔壁５９上に亘る素子基板３１上の全体には、第３実施形態の特徴部分である中間層８４が、蒸着法によって形成されている。この場合の中間層８４は、電子注入性を有することが好ましい。

そして、中間層８４上には青色の発光層６３Ｂが蒸着法によって形成されている。更に、発光層６３Ｂ上には、陰極２５が全面成膜されている。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図１５〜図１７は、第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図１５〜図１７を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

まず、図１５に示すように、赤色発光領域６６及び緑色発光領域６７において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４上に、正孔注入層６１、正孔輸送層６２、及び発光層６３を、インクジェット法を用いて形成する。

詳しくは、赤色発光領域６６における陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、発光層６３Ｒの順に形成する。また、緑色発光領域６７における陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、発光層６３Ｇの順に形成する。正孔注入層６１、正孔輸送層６２、発光層６３の製造方法は、第１実施形態と同様である。

続いて、図１６に示すように、発光層６３Ｒ，６３Ｇ、青色発光領域６８の陽極２４Ｂ、及び隔壁５９上に亘る素子基板３１上の全体に、中間層８４を蒸着法によって形成する。中間層８４の材料としては、例えば、第１実施形態と同様に、炭酸セシウム（Ｃｓ₂ＣＯ₃）を用いることができる。また、中間層８４を蒸着法を用いて形成するので、用いる材料の選択性を広げることができる。例えば、炭酸セシウムに限定されず、フッ化リチウムなどを用いるようにしてもよい。また、本実施形態のように、青色発光領域６８に中間層８４を設けるか否かについては、青色の発光層６３Ｂの正孔輸送性、又は電子輸送性などの特性に応じて決定することが好ましい。

続いて、図１７に示すように、中間層８４上に発光層６３Ｂ及び陰極２５を、蒸着法によって形成する。詳しくは、例えば、中間層８４側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層であるＤＰＶＢｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の積層構造となっている。続いて、発光層６３Ｂ上に陰極２５を形成し、有機ＥＬ装置８１が完成する。

以上詳述したように、第３実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（５）第３実施形態によれば、蒸着法を用いて素子基板３１上の全体に中間層８４を形成するので、塗布法を用いて中間層を形成する場合と比較して、均一な膜質に形成できると共に、使用材料の選択性を向上させることができる。

（第４実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１８は、第４実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図１８を参照しながら説明する。

第４実施形態の有機ＥＬ装置９１は、各色発光領域６６，６７，６８に正孔注入層６１及び正孔輸送層６２が設けられていると共に、各色発光領域６６，６７，６８、及び隔壁５９上の全体に亘って中間層８４が設けられている点が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

図１８に示すように、第４実施形態の有機ＥＬ装置９１は、第１実施形態と同様、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）、絶縁層５８、及び隔壁５９とを有する。

更に、各色発光領域６６，６７，６８において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）上には、インクジェット法によって正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）及び正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）が形成されている。これらの製造方法は、第１実施形態と同様である。

また、赤色発光領域６６において、正孔輸送層６２Ｒ上には、発光層６３Ｒが形成されている。一方、緑色発光領域６７において、正孔輸送層６２Ｇ上には、発光層６３Ｇが形成されている。これらは、インクジェット法により形成される。

そして、発光層６３Ｒ，６３Ｇ、青色発光領域６８における正孔輸送層６２Ｂ、及び隔壁５９上に亘る素子基板３１上の全体には、中間層８４が蒸着法によって形成されている。中間層８４上には、発光層６３Ｂ、陰極２５の順に蒸着法によって形成されている。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図１９〜図２１は、第４実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図１９〜図２１を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

まず、図１９に示すように、各色発光領域６６，６７，６８において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４上に、正孔注入層６１及び正孔輸送層６２を、インクジェット法を用いて形成する。

詳しくは、赤色発光領域６６における陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒの順に形成する。また、緑色発光領域６７における陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇの順に形成する。また、青色発光領域６８における陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂの順に形成する。

次に、赤色発光領域６６において、正孔輸送層６２Ｒ上に発光層６３Ｒをインクジェット法によって形成する。また、緑色発光領域６７において、正孔輸送層６２Ｇ上に発光層６３Ｇをインクジェット法によって形成する。

続いて、図２０に示すように、発光層６３Ｒ，６３Ｇ、青色発光領域６８の正孔輸送層６２Ｂ、及び隔壁５９上に亘る素子基板３１上の全体に、中間層８４を蒸着法によって形成する。

続いて、図２１に示すように、中間層８４上に発光層６３Ｂ及び陰極２５を、蒸着法によって形成する。詳しくは、例えば、中間層８４側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層であるＤＰＶＢｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の積層構造となっている。続いて、発光層６３Ｂ上に陰極２５を形成し、有機ＥＬ装置９１が完成する。

以上詳述したように、第４実施形態によれば、上記した実施形態の（１）〜（５）の効果を得ることができる。

（第５実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図２２は、第５実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図２２を参照しながら説明する。

第５実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、赤色各色発光領域６６と緑色発光領域６７に正孔注入層６１及び正孔輸送層６２が設けられており、青色発光領域６８には正孔注入層６１のみが設けられている点が、第４実施形態と異なっている。以下、第４実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

図２２に示すように、第５実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、第４実施形態と同様、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）、絶縁層５８、及び隔壁５９とを有する。

更に、各色発光領域６６，６７，６８において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）上には、インクジェット法によって正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）が形成されている。これらの製造方法は、第４実施形態と同様である。

更に、発光領域６６，６７において、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）上には、インクジェット法によって正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）が形成されている。これらの製造方法は、第４実施形態と同様である。

また、赤色発光領域６６において、正孔輸送層６２Ｒ上には、発光層６３Ｒが形成されている。一方、緑色発光領域６７において、正孔輸送層６２Ｇ上には、発光層６３Ｇが形成されている。これらは、インクジェット法により形成される。

そして、発光層６３Ｒ，６３Ｇ、青色発光領域６８における正孔注入層６１Ｂ、及び隔壁５９上に亘る素子基板３１上の全体には、中間層８４が蒸着法によって形成されている。中間層８４上には、発光層６３Ｂ、陰極２５の順に蒸着法によって形成されている。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図２３〜図２５は、第５実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図２３〜図２５を参照しながら説明する。なお、第４実施形態と同じ部分については同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

まず、図２３に示すように、各色発光領域６６，６７，６８において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４上に、正孔注入層６１を、インクジェット法を用いて形成する。

そして、発光領域６６，６７において、正孔注入層６１上にインクジェット法を用いて正孔輸送層６２を形成する。

詳しくは、赤色発光領域６６における陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒの順に形成する。また、緑色発光領域６７における陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇの順に形成する。また、青色発光領域６８における陽極２４Ｂ上には、正孔注入層６１Ｂのみを形成する。

次に、赤色発光領域６６において、正孔輸送層６２Ｒ上に発光層６３Ｒをインクジェット法によって形成する。また、緑色発光領域６７において、正孔輸送層６２Ｇ上に発光層６３Ｇをインクジェット法によって形成する。

続いて、図２４に示すように、発光層６３Ｒ，６３Ｇ、青色発光領域６８の正孔注入層６１Ｂ、及び隔壁５９上に亘る素子基板３１上の全体に、中間層８４を蒸着法によって形成する。

続いて、図２５に示すように、中間層８４上に発光層６３Ｂ及び陰極２５を、蒸着法によって形成する。詳しくは、例えば、中間層８４側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層であるＤＰＶＢｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の積層構造となっている。続いて、発光層６３Ｂ上に陰極２５として発光層６３Ｂ側から順にフッ化リチウムとアルミニウムを形成し、有機ＥＬ装置９１が完成する。

以上詳述したように、第５実施形態によれば、上記した実施形態の（１）〜（５）の効果を得ることができる。

＜電子機器の構成＞
図２６は、本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図２６を参照しながら説明する。

図２６に示すように、テレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン１０５とを有する。表示部１０２には、上述の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置１１，７１，８１，９１が実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。

なお、電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１，７１，８１，９１を備えたものであり、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等に用いることができる。

以上詳述したように、第５実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（６）第５実施形態によれば、上記した有機ＥＬ装置１１，７１，８１，９１を備えることによって、表示品質の高い画像を形成する電子機器を提供することができる。

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記した有機ＥＬ装置１１，７１，８１，９１は、カラーフィルターを設けていないが、図２７に示すように、カラーフィルターを含む構成にしてもよい。図２７は、有機ＥＬ装置の変形例の構造を示す模式断面図である。図２７に示す有機ＥＬ装置２１１は、例えば、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１にカラーフィルター（色変換層）２１３を配置したものである。詳しくは、陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）の下側に光遮光層２１２を形成し、更に、陰極２５に透過性の材料を用いることにより、トップエミッション構造としたものである。

上記した有機ＥＬ装置１１，７１，８１，９１は、発光層６３Ｂを全面に形成していることから混色することが考えられる。しかしながら、カラーフィルター２１３を介すことによって、色を変換することが可能となり、混色した色を混色する前の色に近づけることができる。つまり、混色する色を除去することができる。なお、有機ＥＬ装置２１１は、トップエミッション構造としたが、カラーフィルター２１３の配置位置を変えることによって、ボトムエミッション構造にも適用できる。また、上記したように、カラーフィルター２１３を第１実施形態の有機ＥＬ装置１１と組み合わせることに限定されず、第２実施形態〜第４実施形態で用いた有機ＥＬ装置７１，８１，９１と組み合わせるようにしてもよい。また、カラーフィルターは、色を変換する機能に限定されず、着色させる機能を有していてもよい。

（変形例２）
上記したように、青色の発光層６３Ｂを、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層であるＤＰＶＢｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の３層で構成していることに限定されず、例えば、ＤＰＶＢｉとＡｌｑ３との間に、ＢＡｌｑのような正孔ブロッキング層を設けるようにしてもよい。これによれば、選択する発光層６３Ｂの材料にもよるが、発光層に正孔を留めておくことが可能となり、正孔と電子とを効率よく結合させることができる。

（変形例３）
上記した第３実施形態及び第４実施形態の中間層８４は、炭酸セシウムの単層であることに限定されず、例えば、炭酸セシウムと酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）との積層構造としてもよい。膜厚は、例えば、炭酸セシウムが１ｎｍであり、酸化モリブデンが１ｎｍである。これによれば、特に、青色発光領域における正孔の注入性を向上させることができる。

（変形例４）
上記したように、第２実施形態及び第４実施形態のように、陽極２４上に正孔注入層６１及び正孔輸送層６２の２層を積層することに限定されず、例えば、発光層への正孔注入性や正孔輸送性をみて、どちらか一方を設けるようにしてもよい。

（変形例５）
上記したように、赤色の発光層６３Ｒ及び緑色の発光層６３Ｇを高分子の材料を用いて塗布していることに限定されず、低分子の材料を塗布するようにしてもよい。

（変形例６）
上記した第３実施形態及び第４実施形態のように、素子基板３１上の全体に蒸着法を用いて中間層８４を形成することに限定されず、例えば、表示領域のみに中間層を形成するようにしてもよい。また、マスク蒸着を用いて、発光領域４２のみに選択的に中間層を形成するようにしてもよい。

１１，７１，８１，９１，２１１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４，２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ…陽極（第１陽極、第２陽極、第３陽極）、２５…陰極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｒ…赤色発光素子、２７Ｇ…緑色発光素子、２７Ｂ…青色発光素子、３１…基板としての素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２…発光領域、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、５８…絶縁層、５９…隔壁、６１，６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ…正孔注入層、６２，６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ…正孔輸送層、６３，６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ…発光層（第１発光層、第２発光層、第３発光層）、６４，６４Ｒ，６４Ｇ，８４…中間層、６６…赤色発光領域、６７…緑色発光領域、６８…青色発光領域、１０１…電子機器としてのテレビ、１０２…表示部、１０３…枠部、１０４…脚部、１０５…リモコン、２１２…光遮光層、２１３…カラーフィルター。

Claims (8)

1. 基板上の第１陽極上に第１の正孔注入層を塗布法で形成する工程と、
   前記基板上の第２陽極上に第２の正孔注入層を塗布法で形成する工程と、
   前記基板上の第３陽極上に第３の正孔注入層を塗布法で形成する工程と、
   前記第１の正孔注入層上に第１の正孔輸送層を塗布法で形成する工程と、
   前記第２の正孔注入層上に第２の正孔輸送層を塗布法で形成する工程と、
   前記第１の正孔輸送層上に第１色を発光する第１発光層を塗布法によって形成する工程と、
   前記第２の正孔輸送層上に第２色を発光する第２発光層を塗布法によって形成する工程と、
   前記第１発光層上、前記第２発光層上及び前記第３の正孔注入層上に電子注入性を有する中間層を形成する中間層形成工程と、
   前記中間層上に、第３色を発光する第３発光層を蒸着法によって形成する第３発光層蒸着工程と、
   前記第３発光層上に陰極を形成する陰極形成工程と、
   を有し、
   前記第３正孔注入層と前記中間層とは直接接しており、
   前記第３発光層は、前記第３陽極側に正孔輸送性を有する層と、前記陰極側に電子輸送性を有する層とを含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記第１発光層は、赤色発光層であり、
   前記第２発光層は、緑色発光層であり、
   前記第３発光層は、青色発光層であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記中間層形成工程は、塗布法によって前記中間層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
4. 請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記中間層形成工程は、蒸着法によって前記中間層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
5. 請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記塗布法は、インクジェット法であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記中間層は炭酸セシウムであることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   色変換層を形成する色変換層形成工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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