JP5603757B2 - Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5603757B2 JP5603757B2 JP2010261555A JP2010261555A JP5603757B2 JP 5603757 B2 JP5603757 B2 JP 5603757B2 JP 2010261555 A JP2010261555 A JP 2010261555A JP 2010261555 A JP2010261555 A JP 2010261555A JP 5603757 B2 JP5603757 B2 JP 5603757B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive sheet
- pressure
- sensitive adhesive
- wafer
- laser dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims description 69
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 121
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 23
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 7
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 6
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 8
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 7
- 239000002998 adhesive polymer Substances 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatoethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN=C=O DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005529 alkyleneoxy group Chemical group 0.000 description 1
- HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N allyl isocyanate Chemical compound C=CCN=C=O HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 125000006841 cyclic skeleton Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- KOMDZQSPRDYARS-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene titanium Chemical class [Ti].C1C=CC=C1.C1C=CC=C1 KOMDZQSPRDYARS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011086 glassine Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(2-methylphenoxy)-3-phenylpropyl]azanium;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=CC=1C(CCNC)OC1=CC=CC=C1C LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- YOSXAXYCARLZTR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyl isocyanate Chemical compound C=CC(=O)N=C=O YOSXAXYCARLZTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- RSVDRWTUCMTKBV-UHFFFAOYSA-N sbb057044 Chemical compound C12CC=CC2C2CC(OCCOC(=O)C=C)C1C2 RSVDRWTUCMTKBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、粘着シートに貼付した半導体ウエハの内部にレーザー光を集光し、粘着シートをエキスパンドして半導体ウエハを個片化する工程に用いる粘着シートに関する。また、該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet used in a process of condensing laser light inside a semiconductor wafer affixed to a pressure-sensitive adhesive sheet and expanding the pressure-sensitive adhesive sheet to separate the semiconductor wafer. Moreover, it is related with the manufacturing method of the semiconductor device using this adhesive sheet.
半導体ウエハは表面に回路が形成された後、ウエハの裏面側に研削加工を施し、ウエハの厚さを調整する裏面研削工程およびウエハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。 After a circuit is formed on the surface of the semiconductor wafer, a grinding process is performed on the back side of the wafer, and a back grinding process for adjusting the thickness of the wafer and a dicing process for dividing the wafer into a predetermined chip size are performed.
近年のICカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来350μm程度の厚みであったウエハを、50〜100μmあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。 With the spread of IC cards in recent years, the semiconductor chip that is a constituent member thereof is being made thinner. For this reason, it has been required to reduce the thickness of a conventional wafer having a thickness of about 350 μm to 50 to 100 μm or less.
脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。このような極薄ウエハは、高速回転するダイシングブレードにより切断されると、半導体ウエハの特に裏面側にチッピング等が生じ、チップの抗折強度が著しく低下する。 As the wafer that is a brittle member becomes thinner, the risk of breakage increases during processing and transportation. When such an ultra-thin wafer is cut by a dicing blade that rotates at high speed, chipping or the like occurs particularly on the back side of the semiconductor wafer, and the die strength of the chip is significantly reduced.
このため、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質部を形成させながらダイシングラインを形成し改質部を起点としてウエハを割断する、レーザーダイシング法が提案されている(特許文献1)。 For this reason, a laser dicing method has been proposed in which a dicing line is formed while a modified portion is selectively formed by irradiating the inside of a semiconductor wafer with a laser beam, and the wafer is cleaved starting from the modified portion (patent) Reference 1).
また、特許文献2には、積層粘着シート(基材と粘着剤層とからなる粘着シートを2層積層したもの)を極薄の半導体ウエハに貼付し、レーザー光を積層粘着シート側から積層粘着シート越しに、半導体ウエハの内部に照射して改質部を形成後、最外層の粘着シートを剥がしてから粘着シートをエキスパンドすることで、ダイシングラインに沿って半導体ウエハを分割し、半導体チップを生産するレーザーダイシング法が開示されている。
In
しかしながら、このようなレーザーダイシング法において用いられる粘着シートにレーザー光を透過させると、粘着シートの位相差が大きいためにレーザー光の直進性が失われることがある。レーザー光の直進性が失われると、半導体ウエハの内部へのレーザー光の集光が困難となり、ウエハを精密に加工することができないことがあった。また、このような粘着シートを用いてレーザーダイシング法により半導体チップを製造すると、ウエハ内部に十分なレーザー光の集光ができないため、十分な改質部を形成できず、チップへ分割できないおそれがあった。また、粘着シートのヤング率が高いため、粘着シートをエキスパンドしても粘着シートが十分に延伸せず、ウエハを歩留まりよくチップ化することは困難であった。さらにまた、エキスパンド工程の前に最外層の粘着シートを剥がす必要があり、製造工程が煩雑であった。 However, when laser light is transmitted through the pressure-sensitive adhesive sheet used in such a laser dicing method, the straightness of the laser light may be lost due to the large phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet. If the straightness of the laser beam is lost, it may be difficult to focus the laser beam on the inside of the semiconductor wafer, and the wafer may not be precisely processed. In addition, when a semiconductor chip is manufactured by laser dicing using such an adhesive sheet, sufficient laser light cannot be condensed inside the wafer, so that a sufficient modified portion cannot be formed and may not be divided into chips. there were. Further, since the Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet is high, the pressure-sensitive adhesive sheet is not sufficiently stretched even if the pressure-sensitive adhesive sheet is expanded, and it is difficult to chip the wafer with a high yield. Furthermore, the outermost pressure-sensitive adhesive sheet must be peeled off before the expanding step, and the manufacturing process is complicated.
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、レーザーダイシング法において、半導体ウエハの内部へのレーザー光の集光が容易であるために、ウエハ内部に改質部をより精密に形成することができ、抗折強度の高い半導体チップを歩留まりよく容易に製造することができる粘着シートを提供することを目的としている。また、該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。 The present invention seeks to solve the problems associated with the prior art as described above. That is, according to the present invention, in the laser dicing method, since the laser beam can be easily condensed inside the semiconductor wafer, the modified portion can be formed more precisely in the wafer, and the bending strength is high. An object of the present invention is to provide an adhesive sheet capable of easily manufacturing semiconductor chips with a high yield. Moreover, it aims at providing the manufacturing method of the semiconductor device using this adhesive sheet.
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
(1)基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなり、レーザー光照射によりウエハ内部に改質部を形成した後、個々のチップに切断分離する工程に用いるレーザーダイシング用粘着シートであって、
該粘着シートの23℃におけるヤング率が30〜600MPaであり、
波長1064nmにおける該粘着シートの直線透過率が80%以上であり、
波長1064nmにおける該粘着シートの位相差が100nm以下であるレーザーダイシング用粘着シート。
The gist of the present invention aimed at solving such problems is as follows.
(1) a substrate, Ri Do from the one side to the formed adhesive layer, after forming the modified portion therein wafer by laser beam irradiation, the pressure-sensitive adhesive for laser dicing used in the step of cutting and separating into individual chips A sheet,
The Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive sheet is 30 to 600 MPa,
The linear transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 80% or more,
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing, wherein a phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 100 nm or less.
(2)該基材が、キャスト製膜法またはカレンダー製膜法により製造される(1)に記載のレーザーダイシング用粘着シート。 (2) The adhesive sheet for laser dicing according to (1), wherein the substrate is produced by a cast film forming method or a calender film forming method.
(3)該粘着剤層が形成された面と反対面における該基材の粗さ曲線の算術平均高さRaが0.1μm未満である(1)または(2)に記載のレーザーダイシング用粘着シート。 (3) The adhesive for laser dicing according to (1) or (2), wherein the arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed is less than 0.1 μm. Sheet.
(4)基材が単層である(1)〜(3)のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。
(5)基材がポリ塩化ビニルフィルムまたはポリウレタンアクリレートフィルムである(1)〜(4)のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。
(6)厚み100μm、サイズ50mm×50mmの正方形のシリコンウエハを粘着剤層に貼付した後、該シリコンウエハの内部に改質部を形成し、300mm/分で10mm引き落としの条件において、粘着シートをエキスパンドし、2mm×2mmのチップを製造する時のチップ分割率が98%以上である請求項(1)〜(5)のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シート。
(7)表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、(1)〜(6)のいずれかに記載のレーザーダイシング用粘着シートを貼付する工程、
該粘着シートの基材側から粘着シート越しに、該半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部に改質部を形成する工程、及び
該粘着シートのエキスパンドにより、該半導体ウエハを分割してチップ化する工程を含む半導体装置の製造方法。
(4) The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of (1) to (3), wherein the substrate is a single layer.
(5) The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of (1) to (4), wherein the substrate is a polyvinyl chloride film or a polyurethane acrylate film.
(6) After pasting a square silicon wafer having a thickness of 100 μm and a size of 50 mm × 50 mm on the adhesive layer, a modified portion is formed inside the silicon wafer, and the adhesive sheet is formed under the condition of pulling down 10 mm at 300 mm / min. The pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to any one of claims (1) to (5), wherein the chip division rate when expanded to produce a 2 mm x 2 mm chip is 98% or more.
(7) A process of applying the laser dicing adhesive sheet according to any one of (1) to (6) to the back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The semiconductor wafer is divided by the step of irradiating the semiconductor wafer with laser light from the base material side of the pressure-sensitive adhesive sheet to form a modified portion inside the wafer, and the expansion of the pressure-sensitive adhesive sheet. A manufacturing method of a semiconductor device including a step of forming a chip.
本発明に係るレーザーダイシング用粘着シートによれば、ウエハ内部により精密な改質部が形成されると共にエキスパンド性が良好であるために、抗折強度の高い半導体チップを歩留まりよく容易に生産することができる。また、粘着シートの基材側から粘着シート越しに、半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部により精密な改質部を形成し、粘着シートのエキスパンドにより半導体ウエハを分割してチップ化できるため、半導体装置の製造工程を簡略化できる。 According to the pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to the present invention, since a precise modified portion is formed inside the wafer and the expandability is good, a semiconductor chip having a high bending strength can be easily produced with a high yield. Can do. In addition, the semiconductor wafer is irradiated with laser light from the base material side of the adhesive sheet through the adhesive sheet to form a precise modified portion inside the wafer, and the semiconductor wafer can be divided into chips by expanding the adhesive sheet. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor device can be simplified.
以下、本発明に係るレーザーダイシング用粘着シートについて、図面を参照しながら、具体的に説明する。図1に示すように、本発明に係るレーザーダイシング用粘着シート10は、基材1と、その片面に形成された粘着剤層2とからなる。
Hereinafter, the pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the
レーザーダイシング用粘着シート10の23℃におけるヤング率は、30〜600MPaであり、好ましくは100〜500MPaであり、さらに好ましくは200〜400MPaである。粘着シート10の物性が上記範囲にあることで、エキスパンド工程において、粘着シート10を均一に延伸させることができる。一方、粘着シート10の23℃におけるヤング率が600MPaよりも大きいと、粘着シート10のエキスパンドが困難となる。また、粘着シート10の23℃におけるヤング率が30MPaよりも小さいと、粘着シート10が軟質となり、取扱いが困難である。
The Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive
また、波長1064nmにおけるレーザーダイシング用粘着シート10の直線透過率は、80%以上であり、好ましくは90〜100%、さらに好ましくは92〜99%である。さらにまた、波長1064nmにおけるレーザーダイシング用粘着シート10の位相差は、100nm以下であり、好ましくは50nm以下、さらに好ましくは10nm以下、特に好ましくは1nm以下である。
Moreover, the linear transmittance | permeability of the
半導体ウエハ11は粘着シート10の粘着剤層2に貼付される。次いで、ウエハ内部に集光点を合わせて、レーザー光が粘着シート10の基材1側から粘着シート越しに照射され、回路間を区画する仮想的な切断予定ライン18に沿ってウエハ内部に改質部が形成される。その後、粘着シート10はエキスパンドされることで、ウエハ11がチップ化される。粘着シート10の光学物性が上記範囲にあることで、ウエハ内部へのレーザー光の集光が容易となるため、ウエハ内部に改質部をより精密に形成することができ、抗折強度の高い半導体チップを歩留まりよく容易に製造することができる。
The semiconductor wafer 11 is attached to the pressure-sensitive
なお、粘着シート10の粘着剤層2を、後述するエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合には、エネルギー線照射の前後で、粘着シートのヤング率、直線透過率、位相差が変化する場合がある。エキスパンド工程は、通常、エネルギー線照射前に行うが、エネルギー線照射後に行われることもある。したがって、本発明において規定する粘着シートのヤング率は、通常、エネルギー線照射前の物性値であるが、エネルギー線照射後に上記物性値を満足する粘着シートも本発明の範囲に含まれる。また、特にエキスパンド工程において上記物性値を満足することが好ましい。また、直線透過率、位相差はレーザー光照射時の状態における物性であり、上記物性を満たす限り、いずれもエネルギー線照射の前であっても、後であってもよい。
When the pressure-sensitive
このようなレーザーダイシング用粘着シート10は、図1に示すように、たとえば基材1の片面に粘着剤層2を形成して得られる。基材1の両側の面の粗さが異なる場合、基材1の粘着剤層2が形成された面と反対面が平滑面になるようにすることが好ましい。基材1は、上記物性を満たすものであれば、その製膜方法は限定されないが、ポリマー鎖が配向しにくい製膜方法を選択することが望ましい。そのような製膜方法として例えば、キャスト製膜法または、カレンダー製膜法やTダイ製膜法を用いたバンク成形法等がある。特に本発明においては、キャスト製膜法またはカレンダー製膜法により無延伸で製造されることが好ましい。なお、製造工程中に基材を延伸する工程を有する押出製膜法等は、延伸工程により、基材を構成するポリマー鎖が配向し、レーザー光の直進性を阻害するおそれがある。
Such an
基材1としては、例えば、無延伸のポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリウレタンアクリレートフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルム、共重合体フィルムも用いられ、中でもエキスパンド性を考慮すると、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリウレタンアクリレートフィルムが好ましい。上記の基材は1種単独でもよいし、さらにこれらを2種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。
Examples of the
また、後述するように、粘着剤層2を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はない。上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。
As will be described later, when the pressure-
また、基材1の上面、すなわち粘着剤層2が設けられる側の基材表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層2とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。粘着シート10は、上記のような基材上に粘着剤層を設けることで製造される。基材1の厚みは、好ましくは40〜150μm、さらに好ましくは50〜100μm、特に好ましくは50〜80μmの範囲にある。
Moreover, in order to improve adhesiveness with an adhesive, the upper surface of the
粘着剤層2が形成された面と反対面における基材1の粗さ曲線の算術平均高さRaは、好ましくは0.1μm未満、より好ましくは0.08μm未満である。粘着剤層2が形成された面と反対面における基材1の粗さ曲線の算術平均高さRaを上記範囲とすることで、レーザー光の直進性が損なわれないため、ウエハ内部により精密な改質部を形成することができる。そのため、エキスパンド工程により半導体ウエハを歩留まりよく分割できる。
The arithmetic average height Ra of the roughness curve of the
キャスト製膜法は、具体的には、上記フィルムを形成する液状の組成物(硬化前の樹脂、樹脂の溶液等)を、薄膜状にキャストした後に、塗膜を硬化させてフィルム化して基材1を製造する方法である。たとえば、工程シートなどの上に、液状の組成物を薄膜状にキャストした後に、塗膜にエネルギー線を照射して重合硬化させてフィルム化して基材1を製造することができる。また、エネルギー線照射して液状の組成物を半硬化後、その上にさらに工程シートを重ね、エネルギー線を照射し硬化させてフィルム化することで基材1を製造してもよい。このような製法によれば、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常2%以内になる。
Specifically, the cast film forming method is a method in which a liquid composition (resin before curing, resin solution, etc.) forming the film is cast into a thin film, and then the coating film is cured to form a film. This is a method for manufacturing the
また、カレンダー製膜法は、原料の樹脂を加熱回転ローラーで溶融しながら、内部に熱媒体の通路を有するロールを複数用いて、溶融混練された樹脂をカレンダーロール間で圧延して基材1を成形する方法である。製膜時、樹脂にかかる応力が小さいキャスト製膜法およびカレンダー製膜法により製膜された基材1を使用することにより、直線透過率が高く、位相差が小さい粘着シートを製造することができる。
In the calendar film forming method, a raw material resin is melted with a heated rotating roller, and a plurality of rolls having a passage for a heat medium are used inside, and the melt-kneaded resin is rolled between calender rolls to form a
粘着剤層2は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化(紫外線硬化、電子線硬化等)型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。
The pressure-
粘着剤層2をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合、エネルギー線硬化型粘着成分と必要に応じ光重合開始剤とを配合した粘着剤組成物を用いて、粘着剤層を形成する。さらに、上記粘着剤組成物には、各種物性を改良するため、必要に応じ、その他の成分(架橋剤等)が含まれていてもよい。架橋剤としては、有機多価イソシアナート化合物、有機多価エポキシ化合物、有機多価イミン化合物等が挙げられる。以下、エネルギー線硬化型粘着成分について、アクリル系粘着剤を例として具体的に説明する。
When forming the pressure-
エネルギー線硬化型粘着成分は、粘着剤組成物に十分な粘着性および造膜性(シート加工性)を付与するためにアクリル重合体(A)を含有し、またエネルギー線硬化性化合物(B)を含有する。エネルギー線硬化性化合物(B)は、またエネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化し、粘着剤組成物の粘着力を低下させる機能を有する。また、上記成分(A)および(B)の性質を兼ね備えるものとして、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体(以下、成分(AB)と記載する場合がある)を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型粘着性重合体(AB)は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。 The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component contains an acrylic polymer (A) in order to impart sufficient pressure-sensitive adhesiveness and film-forming property (sheet processability) to the pressure-sensitive adhesive composition, and energy ray-curable compound (B). Containing. The energy ray-curable compound (B) also contains an energy ray-polymerizable group, has a function of being polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams, and reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive composition. Moreover, as what has the property of said component (A) and (B), the energy-beam curable adhesive polymer (henceforth component (AB)) by which an energy-beam polymeric group is couple | bonded with the principal chain or the side chain. May be used). Such an energy ray curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) has a property having both adhesiveness and energy ray curable properties.
アクリル重合体(A)としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体(A)の重量平均分子量(Mw)は、1万〜200万であることが好ましく、10万〜150万であることがより好ましい。また、アクリル重合体(A)のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは−70〜30℃、さらに好ましくは−60〜20℃の範囲にある。 A conventionally well-known acrylic polymer can be used as an acrylic polymer (A). The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A) is preferably in the range of −70 to 30 ° C., more preferably in the range of −60 to 20 ° C.
上記アクリル重合体(A)を構成するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が1〜18であるアルキル(メタ)アクリレート、例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートなどが挙げられ;環状骨格を有する(メタ)アクリレート、例えばシクロアルキル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられ;水酸基を有する2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートなどが挙げられ、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリル重合体(A)は、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されたアクリル共重合体であることが好ましい。 As a monomer which comprises the said acrylic polymer (A), a (meth) acrylic acid ester monomer or its derivative (s) is mentioned. For example, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) Acrylates and the like; (meth) acrylates having a cyclic skeleton such as cycloalkyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl Acrylate, imide acrylate, etc .; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, etc., acrylic acid, methacrylic acid, Con acid, glycidyl methacrylate, and glycidyl acrylate. The acrylic polymer (A) is preferably an acrylic copolymer obtained by copolymerizing vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, or the like.
エネルギー線硬化性化合物(B)は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物(単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー)があげられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレートなどのアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内に少なくとも1つの重合性二重結合を有し、通常は、分子量が100〜30000、好ましくは300〜10000程度である。 The energy ray curable compound (B) is a compound that is polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. Examples of the energy beam polymerizable compound include low molecular weight compounds (monofunctional and polyfunctional monomers and oligomers) having an energy beam polymerizable group, and specifically include trimethylolpropane triacrylate and tetramethylolmethane. Acrylates such as tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, Cyclic aliphatic skeleton-containing acrylates such as isobornyl acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate Goma, epoxy-modified acrylates, polyether acrylates, acrylate compounds such as itaconic acid oligomer is used. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually has a molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000.
一般的には成分(A)100重量部に対して、成分(B)は10〜400重量部、好ましくは30〜350重量部程度の割合で用いられる。 Generally, the component (B) is used in a proportion of 10 to 400 parts by weight, preferably about 30 to 350 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the component (A).
上記成分(A)および(B)の性質を兼ね備えるエネルギー線硬化型粘着性重合体(AB)は、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなる。 The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) having the properties of the components (A) and (B) has an energy ray polymerizable group bonded to the main chain or side chain.
エネルギー線硬化型粘着性重合体の主骨格は特に限定はされず、粘着剤として汎用されているアクリル共重合体であってもよい。 The main skeleton of the energy ray curable adhesive polymer is not particularly limited, and may be an acrylic copolymer that is widely used as an adhesive.
エネルギー線硬化型粘着性重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、たとえばエネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には(メタ)アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型粘着性重合体に結合していてもよい。 The energy beam polymerizable group bonded to the main chain or side chain of the energy beam curable adhesive polymer is, for example, a group containing an energy beam polymerizable carbon-carbon double bond, and specifically, (meth) acryloyl. Examples include groups. The energy beam polymerizable group may be bonded to the energy beam curable pressure-sensitive adhesive polymer via an alkylene group, an alkyleneoxy group, or a polyalkyleneoxy group.
エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型粘着性重合体(AB)の重量平均分子量(Mw)は、1万〜200万であることが好ましく、10万〜150万であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型粘着性重合体(AB)のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは−70〜30℃、より好ましくは−60〜20℃の範囲にある。 The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray curable adhesive polymer (AB) to which the energy ray polymerizable group is bonded is preferably 10,000 to 2,000,000, more preferably 100,000 to 1,500,000. preferable. The glass transition temperature (Tg) of the energy ray curable adhesive polymer (AB) is preferably in the range of −70 to 30 ° C., more preferably in the range of −60 to 20 ° C.
エネルギー線硬化型粘着性重合体(AB)は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル粘着性重合体と、該官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を1分子毎に1〜5個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。アクリル粘着性重合体は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する(メタ)アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体と、前述した成分(A)を構成するモノマーとからなる共重合体であることが好ましい。該重合性基含有化合物としては、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリル酸等が挙げられる。 The energy ray curable adhesive polymer (AB) reacts with the acrylic adhesive polymer containing a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group, for example, with the functional group. It is obtained by reacting a substituent with a polymerizable group-containing compound having 1 to 5 energy beam polymerizable carbon-carbon double bonds per molecule. Acrylic adhesive polymer is a monomer that comprises (meth) acrylic acid ester monomer or derivative thereof having a functional group such as hydroxyl group, carboxyl group, amino group, substituted amino group, and epoxy group, and component (A) described above. A copolymer consisting of Examples of the polymerizable group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate; (meth) acrylic acid Etc.
上記のようなアクリル重合体(A)およびエネルギー線硬化性化合物(B)又は、エネルギー線硬化型粘着性重合体(AB)を含むエネルギー線硬化型粘着成分は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。 The energy ray curable adhesive component containing the acrylic polymer (A) and the energy ray curable compound (B) or the energy ray curable adhesive polymer (AB) as described above is cured by energy ray irradiation. Specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc. are used as the energy rays.
光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示できる。エネルギー線として紫外線を用いる場合に、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。 Examples of photopolymerization initiators include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone Examples include 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide. When ultraviolet rays are used as energy rays, the irradiation time and irradiation amount can be reduced by adding a photopolymerization initiator.
粘着剤層2の厚みは、好ましくは1〜20μm、より好ましくは2〜15μm、さらに好ましくは3〜10μmの範囲である。粘着剤層2の厚みが上記範囲にあることで、半導体ウエハを良好に保持し、エキスパンドの際にチップやリングフレームが脱落することを防止することができる。また、粘着剤層2の厚みが上記範囲にあることで、半導体チップのピックアップ工程を良好に行うことができる。
The thickness of the pressure-
また、粘着剤層2には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。
In addition, a release sheet may be laminated on the pressure-
基材1の表面に粘着剤層2を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層2を基材1の表面に転写しても構わないし、基材1の表面に直接塗布して粘着剤層2を形成しても構わない。
The method of providing the pressure-
次に、本発明に係る粘着シート10を用いる半導体装置の製造方法について説明する。本発明に係る半導体装置の製造方法について、表面に回路13が形成された半導体ウエハ11をチップ化する場合を例にとり説明する。図2に、表面に回路13が形成された半導体ウエハ11の回路面側の平面図を示す。なお、切断予定ライン18は、各回路13間を区画する仮想的なラインである。
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the pressure-
半導体ウエハ11はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路13の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路13が形成される。回路13は、ウエハ11の内周部14表面に格子状に形成される。ウエハ11の研削前の厚みは特に限定されないが、通常は500〜1000μm程度である。
The semiconductor wafer 11 may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. The formation of the circuit 13 on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. In the circuit forming process of the semiconductor wafer, a predetermined circuit 13 is formed. The circuit 13 is formed in a lattice shape on the surface of the inner
裏面研削時には、表面の回路13を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハ11の回路面側(すなわち表面保護シート側)をチャックテーブル等により固定し、回路13が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。この結果、研削後の半導体ウエハ11の厚みは特に限定されないが、通常は50〜200μm程度になる。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する工程が行われてもよい。 At the time of back grinding, an adhesive sheet called a surface protective sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit 13 on the surface. In the back surface grinding, the circuit surface side (that is, the surface protection sheet side) of the wafer 11 is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side where the circuit 13 is not formed is ground by a grinder. As a result, the thickness of the semiconductor wafer 11 after grinding is not particularly limited, but is usually about 50 to 200 μm. After the back grinding step, a step of removing the crushed layer generated by grinding may be performed.
裏面研削工程に続いて、必要に応じ裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着、有機膜の焼き付けのように高温で行われる処理を施してもよい。なお、高温での処理を行う場合には、通常、表面保護シートを剥離した後に、裏面への処理を行う。 Subsequent to the back grinding step, if necessary, the back surface may be subjected to processing that generates heat such as an etching process, or processing performed at a high temperature such as vapor deposition of a metal film or baking of an organic film on the back surface. In addition, when processing at high temperature, the process to a back surface is normally performed after peeling a surface protection sheet.
裏面研削後、図3に示すように、ウエハ11の裏面に本発明に係るレーザーダイシング用粘着シート10の粘着剤層2を貼付し、ウエハ11のダイシングを行う。なお、表面保護シートがウエハ表面に貼付されている場合には、粘着シート10の貼付前または貼付後に表面保護シートを剥離する。粘着シート10のウエハ裏面への貼付は、マウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが特に限定はされない。
After the back surface grinding, as shown in FIG. 3, the pressure-
次いで、図3に示すように、粘着シート10の基材1側から粘着シート10越しに、ウエハ11にレーザー光を照射する。レーザー光源3は、波長及び位相が揃った光を発生させる装置であり、レーザー光の種類としては、パルスレーザー光を発生するNd−YAGレーザー、Nd−YVOレーザー、Nd−YLFレーザー、チタンサファイアレーザーなど多光子吸収を起こすものを挙げることができる。レーザー光の波長は、800〜1100nmが好ましく、1064nmがさらに好ましい。
Next, as shown in FIG. 3, the laser beam is irradiated to the wafer 11 from the
レーザー光はウエハ内部に照射され、切断予定ライン18に沿ってウエハ内部に改質部を形成する。ひとつの切断予定ラインをレーザー光が走査する回数は1回であっても複数回であってもよい。好ましくは、レーザー光の照射位置と、回路間の切断予定ライン18の位置をモニターし、レーザー光の位置合わせを行いながら、レーザー光の照射を行う。 The laser beam is irradiated inside the wafer, and a modified portion is formed inside the wafer along the planned cutting line 18. The number of times the laser beam scans one scheduled cutting line may be one time or multiple times. Preferably, the irradiation position of the laser beam and the position of the line 18 to be cut between the circuits are monitored, and the laser beam is irradiated while aligning the laser beam.
レーザー光照射によりウエハ内部に改質部を形成した後、エキスパンドを行うと、粘着シート10は伸長し、半導体ウエハ11は、ウエハ内部の改質部を起点として個々のチップ12に切断分離される。また、エキスパンドと同時に粘着シート10を基材1側から治具等を用いてひっかくようにして、ウエハ11をチップ12に切断分離することもできる。エキスパンドは、5〜600mm/分の速度で行うことが好ましい。その後、チップ12はピックアップ装置によりピックアップされ、ボンディング工程を経て半導体装置が製造される。なお、粘着剤層2をエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合は、ピックアップ工程の前に、粘着剤の粘着力を低下させチップを剥離しやすくするためにエネルギー線を照射することが好ましい。
When the expanded portion is formed after forming the modified portion inside the wafer by laser light irradiation, the
以上、本発明のレーザーダイシング用粘着シート10の使用例について説明したが、本発明のレーザーダイシング用粘着シート10は、通常の半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、FPC等の有機材料基板、又は精密部品等の金属材料などの種々の物品のダイシングに使用することができる。
Having described an example of using the laser dicing
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
<レーザーダイシング条件>
下記シリコンウエハ裏面に実施例又は比較例の粘着シートを貼付し、粘着シート側からシリコンウエハ内部に下記の条件でレーザー光を照射した。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前にレーザー光を照射した。
・装置 :Nd−YAGレーザー
・波長 :1064nm
・繰り返し周波数 :100kHz
・パルス幅 :30nm
・カット速度 :100mm/秒
・ウエハ材質 :シリコン
・ウエハ厚 :100μm
・ウエハサイズ :50mm×50mm(正方形)
・粘着シートサイズ :約207mmφ
・カットチップサイズ :2mm×2mm
< Laser dicing conditions>
The pressure-sensitive adhesive sheet of Example or Comparative Example was attached to the back surface of the following silicon wafer, and laser light was irradiated from the pressure-sensitive adhesive sheet side into the silicon wafer under the following conditions. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the laser beam was irradiated before energy beam irradiation.
-Equipment: Nd-YAG laser-Wavelength: 1064 nm
・ Repetition frequency: 100 kHz
・ Pulse width: 30 nm
・ Cut speed: 100 mm / second ・ Wafer material: Silicon ・ Wafer thickness: 100 μm
-Wafer size: 50mm x 50mm (square)
・ Adhesive sheet size: Approximately 207mmφ
・ Cut chip size: 2mm x 2mm
<粘着シートのヤング率>
粘着シートのヤング率は、万能引張試験機(オリエンテック社製テンシロンRTA−T−2M)を用いて、JIS K7161:1994に準拠して、23℃、湿度50%の環境下において引張速度200mm/分で測定した。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートのヤング率を測定した。
<Young's modulus of the adhesive sheet>
The Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet was measured using a universal tensile tester (Tensilon RTA-T-2M manufactured by Orientec Co., Ltd.) in accordance with JIS K7161: 1994 under an environment of 23 ° C. and 50% humidity at a tensile rate of 200 mm / Measured in minutes. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the Young's modulus of the adhesive sheet before energy ray irradiation was measured.
<粘着シートの直線透過率>
粘着シートの基材側から、紫外可視分光光度計(島津製作所社製UV−3101PC)を用いて直線透過率の測定(測定波長:200〜1200nm)を行い、波長1064nmの測定値を読み取った。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートの直線透過率を測定した。
<Linear transmittance of adhesive sheet>
From the substrate side of the pressure-sensitive adhesive sheet, linear transmittance was measured (measurement wavelength: 200 to 1200 nm) using an ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-3101PC manufactured by Shimadzu Corporation), and a measurement value at a wavelength of 1064 nm was read. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the linear transmittance | permeability of the adhesive sheet before energy ray irradiation was measured.
<粘着シートの位相差>
位相差フィルム検査装置(大塚電子製RETS−100)及び検出器(大塚電子製MCPD−7700)を用いて位相差の測定(測定波長:800〜1100nm)を行い、波長1064nmの測定値を読み取った。位相差が100nm以下の場合を「良好」、100nmより大きい場合を「不可」とした。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートの位相差を測定した。
<Phase difference of adhesive sheet>
A phase difference was measured (measurement wavelength: 800 to 1100 nm) using a retardation film inspection apparatus (RETS-100 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) and a detector (MCPD-7700 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.), and a measurement value at a wavelength of 1064 nm was read. . The case where the phase difference was 100 nm or less was judged as “good”, and the case where it was larger than 100 nm was judged as “impossible”. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the phase difference of the adhesive sheet before energy ray irradiation was measured.
<基材の粗さ曲線の算術平均高さRa>
JIS B0601:2001に基づき、表面粗さ計(Mitsutoyo製SURFTEST SV−3000)を用いて、粘着剤層が形成される面と反対面における基材の表面粗さを10点測定し、その平均値を基材の粗さ曲線の算術平均高さRaとした。なお、カットオフ値λcを0.25mm、評価長さLnを4mmとした。
<Arithmetic mean height Ra of the roughness curve of the substrate>
Based on JIS B0601: 2001, using a surface roughness meter (SURFTEST SV-3000 manufactured by Mitsutoyo), the surface roughness of the substrate on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed is measured at 10 points, and the average value thereof Was the arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate. The cut-off value λc was 0.25 mm, and the evaluation length Ln was 4 mm.
<粘着シートのエキスパンド性>
8インチウエハ用のリングフレームに実施例又は比較例の粘着シートを貼付し、エキスパンド装置(ディスコ社製、DDS2010)を用い、300mm/分でエキスパンド(10mm引き落とし)した。問題なくエキスパンドできた場合を「良好」とし、リングフレームから粘着シートが脱落したり、粘着シートが裂けてしまった場合を「不良」とした。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートのエキスパンド性を評価した。
<Expandability of adhesive sheet>
The pressure-sensitive adhesive sheet of Example or Comparative Example was attached to a ring frame for an 8-inch wafer, and expanded (drawn 10 mm) at 300 mm / min using an expanding device (DDS 2010, manufactured by Disco Corporation). The case where it was able to expand without problems was defined as “good”, and the case where the adhesive sheet dropped from the ring frame or the adhesive sheet was torn was regarded as “bad”. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the expandability of the adhesive sheet before energy ray irradiation was evaluated.
<チップ分割率>
上記シリコンウエハおよび8インチウエハ用のリングフレームに実施例又は比較例の粘着シートを貼付し、上記のレーザーダイシング条件で、粘着シート越しにレーザーを照射してウエハの内部に改質部を形成後、エキスパンド装置(ディスコ社製、DDS2010)を用いて、300mm/分、10mm引き落としの条件で粘着シートをエキスパンドし、ウエハをチップ化した。カットチップサイズにチップ化されたチップの数(完全に個片化されたチップの数)を目視にて数え、ウエハ上に想定された全チップ数(仮想チップの合計数)に対するチップ化されたチップ数(チップ分割率)を算出し、下記の基準にて評価した。チップ分割率が高いほど半導体チップを歩留まりよく製造できる。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前に粘着シートをエキスパンドした。
(基準)
A:99.5%以上
B:98%以上99.5%未満
C:50%以上98%未満
D:25%以上50%未満
E:25%未満
<Chip division ratio>
After pasting the adhesive sheet of the example or comparative example on the ring frame for the silicon wafer and the 8-inch wafer and irradiating the laser through the adhesive sheet under the above laser dicing conditions to form a modified portion inside the wafer Using an expanding apparatus (DDS2010, manufactured by Disco Corporation), the pressure-sensitive adhesive sheet was expanded under the conditions of 300 mm / min and 10 mm withdrawal, and the wafer was chipped. The number of chips cut into the cut chip size (the number of completely separated chips) was visually counted, and the number of chips formed on the wafer (the total number of virtual chips) was converted into chips. The number of chips (chip division ratio) was calculated and evaluated according to the following criteria. A semiconductor chip can be manufactured with a high yield as the chip division ratio increases. In addition, when using an energy ray hardening-type adhesive layer for the adhesive layer of an adhesive sheet, the adhesive sheet was expanded before energy ray irradiation.
(Standard)
A: 99.5% or more B: 98% or more and less than 99.5% C: 50% or more and less than 98% D: 25% or more and less than 50% E: Less than 25%
(実施例1)
アクリル共重合体(2−エチルヘキシルアクリレート/酢酸ビニル/アクリル酸/メチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート=18.5/75/1/5/0.5(質量比)、Mw=60万、Tg=5℃)100重量部に対し、エネルギー線硬化性化合物として2官能ウレタンアクリレートオリゴマー(Mw=8000)60重量部、6官能ウレタンアクリレートオリゴマー(Mw=2000)60重量部を配合したエネルギー線硬化型粘着成分に、光重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガキュア184」)3重量部及び多価イソシアナート化合物(日本ポリウレタン社製、コロネートL)1.6重量部を配合(すべて固形分換算による配合比)し、粘着剤組成物とした。
Example 1
Acrylic copolymer (2-ethylhexyl acrylate / vinyl acetate / acrylic acid / methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate = 18.5 / 75/1/5 / 0.5 (mass ratio), Mw = 600,000, Tg = Energy ray curable adhesive in which 60 parts by weight of bifunctional urethane acrylate oligomer (Mw = 8000) and 60 parts by weight of hexafunctional urethane acrylate oligomer (Mw = 2000) are blended with respect to 100 parts by weight of 5 ° C.). 3 parts by weight of a photopolymerization initiator (“Irgacure 184” manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 1.6 parts by weight of a polyvalent isocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., Coronate L) are blended into the components (all in terms of solid content) To obtain a pressure-sensitive adhesive composition.
剥離フィルム(リンテック社製、SP−PET3811(S))に、上記粘着剤組成物を塗布した後に、乾燥(オーブンにて100℃、1分間)させ、厚み10μmの粘着剤層を作製した。次いで、基材として、カレンダー製膜法により製造された厚さ80μmのポリ塩化ビニルフィルム(ヤング率=280MPa)を用い、粘着剤層を転写し、レーザーダイシング用粘着シートを得た。この粘着シートについて、「粘着シートのヤング率」、「粘着シートの直線透過率」、「粘着シートの位相差」及び「基材の粗さ曲線の算術平均高さRa」を測定し、「粘着シートのエキスパンド性」及び「チップ分割率」を評価した。結果を表1に示す。 The above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release film (SP-PET3811 (S) manufactured by Lintec Corporation), and then dried (100 ° C. for 1 minute in an oven) to prepare a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. Next, a 80 μm-thick polyvinyl chloride film (Young's modulus = 280 MPa) manufactured by a calendering method was used as a substrate, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing . For this pressure-sensitive adhesive sheet, the “Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet”, “Linear transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet”, “Phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet”, and “Arithmetic average height Ra of the roughness curve of the substrate” were measured. Sheet expandability "and" chip split ratio "were evaluated. The results are shown in Table 1.
(実施例2)
基材の厚さを50μmにした以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。なお、基材のヤング率は280MPaであった。結果を表1に示す。
(Example 2)
Except that the thickness of the substrate was 50 μm, a pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1, and measurement and evaluation were performed. The Young's modulus of the base material was 280 MPa. The results are shown in Table 1.
(実施例3)
基材として、カレンダー製膜法により製造された厚さ80μmのポリ塩化ビニルフィルム(ヤング率=550MPa)を用いた以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 3)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 80 μm-thick polyvinyl chloride film (Young's modulus = 550 MPa) produced by a calendering method was used as the substrate, and measurement and evaluation Went. The results are shown in Table 1.
(実施例4)
ウレタンアクリレートオリゴマー(ポリプロピレングリコール(Mw=700)/イソホロンジイソシアネート/2−ヒドロキシエチルアクリレート=4/5/2(質量比)、Mw=4500)100重量部に、イソボルニルアクリレート100重量部及び光重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「ダロキュア1173」)1重量部を配合(すべて固形分換算による配合比)し、混合物を得た。
Example 4
Urethane acrylate oligomer (polypropylene glycol (Mw = 700) / isophorone diisocyanate / 2-hydroxyethyl acrylate = 4/5/2 (mass ratio), Mw = 4500), 100 parts by weight of isobornyl acrylate and
剥離フィルム(リンテック社製、SP−PET3811(S))に、上記混合物を塗布した後に、紫外線を照射(220mW/cm2、1500mJ/cm2)し、剥離フィルムを剥がして、基材として厚さ100μmのポリウレタンアクリレートフィルム(ヤング率=350MPa)を得た。この基材を用いた以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。 After applying the above mixture to a release film (SP-PET3811 (S), manufactured by Lintec Corporation), the film was irradiated with ultraviolet rays (220 mW / cm 2 , 1500 mJ / cm 2 ) to peel off the release film to obtain a thickness as a substrate. A 100 μm polyurethane acrylate film (Young's modulus = 350 MPa) was obtained. Except using this base material, the adhesive sheet for laser dicing was obtained like Example 1, and it measured and evaluated. The results are shown in Table 1.
(実施例5)
下記の基材(コート層付きポリウレタンアクリレートフィルム)を用い、コート層が形成されていない基材の表面に粘着剤層を転写したこと以外は、実施例4と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。
(Example 5)
A laser dicing adhesive sheet was prepared in the same manner as in Example 4 except that the following base material (polyurethane acrylate film with a coat layer) was used and the adhesive layer was transferred to the surface of the base material on which the coat layer was not formed. Obtained, measured and evaluated. The results are shown in Table 1.
2官能エポキシアクリレート100重量部と、平均粒子径0.5μmのシリカフィラー100重量部とを十分に撹拌し、混合物を得た。剥離フィルム(リンテック社製、SP−PET3811(S))に、上記混合物を乾燥後の厚みが5μmとなるように塗布、乾燥し、コート層を得た。 100 parts by weight of bifunctional epoxy acrylate and 100 parts by weight of silica filler having an average particle size of 0.5 μm were sufficiently stirred to obtain a mixture. The mixture was applied to a release film (SP-PET3811 (S) manufactured by Lintec Corporation) so that the thickness after drying was 5 μm and dried to obtain a coating layer.
上記のコート層に、実施例4に記載の混合物を塗布した後に、紫外線を照射(220mW/cm2、1500mJ/cm2)し、剥離フィルムを剥がして、基材としてコート層付きポリウレタンアクリレートフィルム(ヤング率=321MPa)を得た。なお、基材の厚さは100μmであった。 After applying the mixture described in Example 4 to the above-mentioned coat layer, ultraviolet rays were irradiated (220 mW / cm 2 , 1500 mJ / cm 2 ), the release film was peeled off, and a polyurethane acrylate film with a coat layer ( Young's modulus = 321 MPa) was obtained. The base material had a thickness of 100 μm.
(比較例1)
基材として、押出製膜法により製造された厚さ80μmのエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム(ヤング率=120MPa)を用いた以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that an 80 μm-thick ethylene / methacrylic acid copolymer film (Young's modulus = 120 MPa) produced by an extrusion film forming method was used as the substrate. Measurement and evaluation were performed. The results are shown in Table 1.
(比較例2)
比較例1と同様の基材を用い、比較例1における粘着剤層を転写した面と反対面に粘着剤層を転写したこと以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that the same base material as in Comparative Example 1 was used and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the surface opposite to the surface to which the pressure-sensitive adhesive layer was transferred in Comparative Example 1. Measurement and evaluation were performed. The results are shown in Table 1.
(比較例3)
基材として、押出製膜法により製造された厚さ50μmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(ヤング率=4500MPa)を用いた以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。
(Comparative Example 3)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained and measured in the same manner as in Example 1 except that a biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Young's modulus = 4500 MPa) with a thickness of 50 μm produced by an extrusion film forming method was used as the substrate. And evaluated. The results are shown in Table 1.
(比較例4)
基材として、厚さ50μmのポリイミドフィルム(ヤング率=5200MPa)を用いた以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。なお、ポリイミドフィルムは、ポリアミド酸の溶液を金属製のベルト上に押し出して乾燥し、500℃にてイミド化させて作製した。
(Comparative Example 4)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 50 μm-thick polyimide film (Young's modulus = 5200 MPa) was used as the substrate, and measurement and evaluation were performed. The results are shown in Table 1. The polyimide film was prepared by extruding a polyamic acid solution onto a metal belt, drying it, and imidizing at 500 ° C.
(比較例5)
基材として、押出製膜法により製造された厚さ100μmの2軸延伸ポリプロピレンフィルム(ヤング率=520MPa)を用いた以外は、実施例1と同様にしてレーザーダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表1に示す。
(Comparative Example 5)
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing was obtained in the same manner as in Example 1, except that a biaxially stretched polypropylene film (Young's modulus = 520 MPa) having a thickness of 100 μm produced by an extrusion film forming method was used as a substrate. Evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
実施例1〜4のレーザーダイシング用粘着シートは、エキスパンド性及びチップ分割率ともに良好であった。特に、実施例4は、位相差が小さいため、チップ分割率が非常に良好であった。一方、実施例5のレーザーダイシング用粘着シートは、粘着剤層が形成された面と反対面における基材の粗さ曲線の算術平均高さRaが0.1μm以上であるため、実施例1〜4と比較してチップ分割率が少し下がった。 The adhesive sheets for laser dicing of Examples 1 to 4 were good in both expandability and chip division rate. In particular, in Example 4, since the phase difference was small, the chip division ratio was very good. On the other hand, since the adhesive sheet for laser dicing of Example 5 has an arithmetic average height Ra of the roughness curve of the base material on the surface opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed, it is not less than 0.1 μm. Compared to 4, the chip split rate was slightly lower.
1…基材
2…粘着剤層
3…レーザー光源
5…リングフレーム
10…レーザーダイシング用粘着シート
11…半導体ウエハ
12…チップ
13…回路
14…内周部
18…切断予定ライン(仮想)
DESCRIPTION OF
Claims (7)
該粘着シートの23℃におけるヤング率が30〜600MPaであり、
波長1064nmにおける該粘着シートの直線透過率が80%以上であり、
波長1064nmにおける該粘着シートの位相差が100nm以下であるレーザーダイシング用粘着シート。 A substrate, the Ri Do from one surface to the formed adhesive layer, after forming the modified portion therein wafer by laser beam irradiation, a laser dicing adhesive sheet used in the step of cutting into individual chips And
The Young's modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive sheet is 30 to 600 MPa,
The linear transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 80% or more,
A pressure-sensitive adhesive sheet for laser dicing, wherein a phase difference of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 1064 nm is 100 nm or less.
該粘着シートの基材側から粘着シート越しに、該半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部に改質部を形成する工程、及び
該粘着シートのエキスパンドにより、該半導体ウエハを分割してチップ化する工程を含む半導体装置の製造方法。 A process of attaching the adhesive sheet for laser dicing according to any one of claims 1 to 6 , to the back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The semiconductor wafer is divided by the step of irradiating the semiconductor wafer with laser light from the base material side of the pressure-sensitive adhesive sheet to form a modified portion inside the wafer, and the expansion of the pressure-sensitive adhesive sheet. A manufacturing method of a semiconductor device including a step of forming a chip.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010261555A JP5603757B2 (en) | 2009-12-04 | 2010-11-24 | Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009276908 | 2009-12-04 | ||
JP2009276908 | 2009-12-04 | ||
JP2010261555A JP5603757B2 (en) | 2009-12-04 | 2010-11-24 | Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011139042A JP2011139042A (en) | 2011-07-14 |
JP5603757B2 true JP5603757B2 (en) | 2014-10-08 |
Family
ID=44350130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010261555A Active JP5603757B2 (en) | 2009-12-04 | 2010-11-24 | Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5603757B2 (en) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5860217B2 (en) * | 2011-03-04 | 2016-02-16 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment |
JP2013041908A (en) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of dividing optical device wafer |
JP2013058536A (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for dividing device wafer |
JP5603453B1 (en) * | 2013-04-26 | 2014-10-08 | 古河電気工業株式会社 | Adhesive tape for semiconductor wafer protection |
JP5607847B1 (en) | 2013-11-29 | 2014-10-15 | 古河電気工業株式会社 | Adhesive tape for semiconductor processing |
SG11201606008WA (en) | 2014-01-22 | 2016-08-30 | Lintec Corp | Protective film-forming film, sheet for protective film, complex sheet for forming protective film, and method of producing manufactured product |
KR101886939B1 (en) * | 2014-03-03 | 2018-08-08 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | Adhesive tape for semiconductor processing |
JP6334223B2 (en) * | 2014-03-26 | 2018-05-30 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet |
JP6319433B2 (en) * | 2014-05-23 | 2018-05-09 | リンテック株式会社 | Composite sheet for protective film formation |
JP2015233066A (en) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 株式会社ディスコ | Method for dividing plate-like object |
JP6319438B2 (en) * | 2014-06-10 | 2018-05-09 | リンテック株式会社 | Dicing sheet |
JPWO2016027888A1 (en) * | 2014-08-22 | 2017-06-01 | リンテック株式会社 | Protective film forming sheet and manufacturing method of semiconductor chip with protective film |
WO2016052444A1 (en) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | リンテック株式会社 | Base for sheets for semiconductor wafer processing, sheet for semiconductor wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device |
SG11201704347YA (en) * | 2014-12-02 | 2017-06-29 | Lintec Corp | Adhesive sheet, and method for manufacturing processed article |
CN107148663B (en) | 2014-12-25 | 2020-11-06 | 电化株式会社 | Adhesive sheet for laser dicing and method for manufacturing semiconductor device |
JP6558973B2 (en) * | 2015-06-18 | 2019-08-14 | 株式会社ディスコ | Device chip manufacturing method |
JP6506117B2 (en) * | 2015-06-25 | 2019-04-24 | リンテック株式会社 | Protective film-forming film, protective film-forming sheet, method of manufacturing work or workpiece, inspection method, workpiece judged to be non-defective, and workpiece judged to be non-defective |
CN110809815B (en) * | 2017-07-03 | 2023-10-20 | 琳得科株式会社 | Adhesive sheet for invisible dicing and method for manufacturing semiconductor device |
WO2019008807A1 (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-10 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet for stealth dicing, and production method for semiconductor device |
JP7109918B2 (en) * | 2017-12-28 | 2022-08-01 | 日東電工株式会社 | Dicing tape integrated semiconductor back adhesion film |
JP7474146B2 (en) | 2019-10-15 | 2024-04-24 | マクセル株式会社 | Solution-cast base film for dicing tape and dicing tape |
CN112045318B (en) * | 2020-08-13 | 2022-08-19 | 信阳舜宇光学有限公司 | Optical filter cutting method |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6524881B1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for marking a bare semiconductor die |
JP4886937B2 (en) * | 2001-05-17 | 2012-02-29 | リンテック株式会社 | Dicing sheet and dicing method |
JP4413499B2 (en) * | 2003-01-24 | 2010-02-10 | 古河電気工業株式会社 | Adhesive tape for fixing semiconductor wafers |
JP2006203133A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Lintec Corp | Manufacturing method of chip body, manufacturing method of device and adhesive sheet for fixing chip body |
JP4754278B2 (en) * | 2005-06-23 | 2011-08-24 | リンテック株式会社 | Chip body manufacturing method |
JP4762671B2 (en) * | 2005-10-26 | 2011-08-31 | 古河電気工業株式会社 | Dicing tape and semiconductor wafer dicing method |
JP5059559B2 (en) * | 2006-12-05 | 2012-10-24 | リンテック株式会社 | Laser dicing sheet and chip body manufacturing method |
JP5314308B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-10-16 | リンテック株式会社 | Laser dicing / die-bonding sheet and chip composite manufacturing method |
JP5124778B2 (en) * | 2008-09-18 | 2013-01-23 | リンテック株式会社 | Laser dicing sheet and semiconductor chip manufacturing method |
-
2010
- 2010-11-24 JP JP2010261555A patent/JP5603757B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011139042A (en) | 2011-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5603757B2 (en) | Laser dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5128575B2 (en) | Stealth dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device | |
JP4574234B2 (en) | Adhesive sheet for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor chip | |
JP3784202B2 (en) | Double-sided adhesive sheet and method of using the same | |
JP6018730B2 (en) | Dicing sheet and semiconductor chip manufacturing method | |
JP4970863B2 (en) | Workpiece processing method | |
JPWO2018155569A1 (en) | Mask-integrated surface protective tape and method of manufacturing semiconductor chip using the same | |
KR101029235B1 (en) | Dicing adhesive sheet and dicing method | |
JP5583724B2 (en) | Laser dicing sheet-peeling sheet laminate, laser dicing sheet and chip body manufacturing method | |
JP5583725B2 (en) | Laser dicing sheet-peeling sheet laminate, laser dicing sheet and chip body manufacturing method | |
JP5414953B1 (en) | Dicing sheet and device chip manufacturing method | |
WO2020003919A1 (en) | Semiconductor processing adhesive tape and method of manufacturing semiconductor device | |
JP6091955B2 (en) | Adhesive sheet, composite sheet for forming protective film, and method for producing chip with protective film | |
WO2015080188A1 (en) | Semiconductor-processing pressure-sensitive adhesive tape | |
WO2015132852A1 (en) | Adhesive tape for semiconductor processing | |
JP2015151453A (en) | Stretchable sheet and manufacturing method of multilayer chip | |
JP6334223B2 (en) | Adhesive sheet | |
JP5149888B2 (en) | Stealth dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device | |
KR102642079B1 (en) | Adhesive tape for semiconductor processing | |
US20200040225A1 (en) | Laser dicing assistance sheet | |
WO2021065070A1 (en) | Adhesive sheet and method for producing adhesive sheet | |
KR20000063979A (en) | adhesive composition curing by UV-light and adhesive sheet for manufacturing semiconductor wafer | |
JP5945439B2 (en) | Dicing sheet | |
CN110073468B (en) | Cutting blade | |
JP6913427B2 (en) | Auxiliary sheet for laser dicing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130705 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5603757 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |