Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5668691B2 - Scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation image detector - Google Patents

Scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation image detector Download PDF

Info

Publication number
JP5668691B2
JP5668691B2 JP2011543232A JP2011543232A JP5668691B2 JP 5668691 B2 JP5668691 B2 JP 5668691B2 JP 2011543232 A JP2011543232 A JP 2011543232A JP 2011543232 A JP2011543232 A JP 2011543232A JP 5668691 B2 JP5668691 B2 JP 5668691B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
layer
scintillator panel
phosphor
phosphor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011543232A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2011065302A1 (en
Inventor
敬子 板屋
敬子 板屋
飯島 誠
誠 飯島
庄子 武彦
武彦 庄子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2011543232A priority Critical patent/JP5668691B2/en
Publication of JPWO2011065302A1 publication Critical patent/JPWO2011065302A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5668691B2 publication Critical patent/JP5668691B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

本発明は、ロール状シンチレータパネル用支持体、シンチレータパネル、その製造方法、及び当該シンチレータパネルを用いた放射線画像検出器に関する。   The present invention relates to a roll scintillator panel support, a scintillator panel, a method for manufacturing the same, and a radiation image detector using the scintillator panel.

X線画像に代表される放射線を用いた放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。こうした医療用の放射線画像システムとして、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られ、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持ったスクリーン・フィルム撮像システムが、世界中の医療現場で使用されてきた。   Radiation images using radiation typified by X-ray images are widely used for diagnosis of medical conditions in the medical field. As a medical radiographic imaging system, high sensitivity and high image quality have been achieved over a long history, and screen film imaging systems that combine high reliability and excellent cost performance are used in medical settings around the world. It has been.

しかしながら、近年は放射線画像のデジタル化が実現されており、液晶ディスプレイ等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしもフィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式の放射線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。   However, in recent years, digitization of radiographic images has been realized, and images can be directly displayed on an image display device such as a liquid crystal display. Therefore, it is not always necessary to form an image on a film. As a result, these digital radiographic image detection devices reduce the necessity of image formation by the silver halide photography method, and greatly improve the convenience of diagnosis work in hospitals and clinics.

こうしたデジタル方式の放射線画像検出装置として輝尽性蛍光体を用いたCR(computed radiography)が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムの画質レベルには到達していない。   CR (computed radiography) using a stimulable phosphor is currently accepted in the medical field as such a digital radiation image detection apparatus. However, the sharpness is insufficient and the spatial resolution is insufficient, and the image quality level of the screen film is not reached.

更に新たな技術として、例えばJ.Rowlandsらの“Amorphous Semiconductors Usher in Digital X−ray Imaging” Physics Today,24−30,November(1997)や、L.E.Antonukらの“Development of a High Resolution,Active Matrix,Flat−Panel Imagerwith Enhanced Fill Factor” SPIE Vol.3032,2−13(1997)等に記載された、TFT(thin film transistor)を用いたFPD(flat panel detector)が開発されている。   As a new technology, for example, J.A. Rowlands et al., “Amorphous Semiconductors User in Digital X-ray Imaging” Physics Today, 24-30, November (1997), L. et al. E. Antonuk et al., “Development of a High Resolution, Active Matrix, Flat-Panel Imager with Enhanced Fill Factor” SPI Vol. FPD (flat panel detector) using TFT (Thin Film Transistor) described in 3032, 2-13 (1997) and the like has been developed.

FPDには、照射された放射線を電荷量に変換する直接型とシンチレータパネルによって可視光に変換しフォトダイオード等の光電変換素子によって電荷量に変換する間接型があり、間接型FPDにおいて、低線量の撮影でのSN比を向上するためには、発光効率の高いシンチレータパネルを使用することが必要になってくる。一般に、シンチレータパネルの発光効率は、蛍光体層の厚さ、蛍光体のX線吸収係数によって決まるが、蛍光体層を厚くすればするほど、層内での光散乱が発生し、鮮鋭性は低下する。すなわち、画質に必要な鮮鋭性により、蛍光体層の厚さが決定する。   There are two types of FPD: a direct type that converts irradiated radiation into a charge amount, and an indirect type that converts the radiation into visible light by a scintillator panel and converts it into a charge amount by a photoelectric conversion element such as a photodiode. In order to improve the S / N ratio in shooting, it is necessary to use a scintillator panel with high luminous efficiency. In general, the luminous efficiency of a scintillator panel is determined by the thickness of the phosphor layer and the X-ray absorption coefficient of the phosphor, but the thicker the phosphor layer, the more light scattering occurs in the layer, and the sharpness is descend. That is, the thickness of the phosphor layer is determined by the sharpness required for image quality.

そのなかで、ヨウ化セシウム(CsI)蛍光体は放射線から可視光への変換率が比較的高く、蒸着によって容易に柱状結晶構造を形成できるため、光ガイド効果により結晶内の光散乱が抑えられ、蛍光体層を厚くすることが可能であった。   Among them, the cesium iodide (CsI) phosphor has a relatively high conversion rate from radiation to visible light, and can easily form a columnar crystal structure by vapor deposition. Therefore, light scattering within the crystal is suppressed by the light guide effect. It was possible to increase the thickness of the phosphor layer.

また、CsIのみでは発光効率が不十分であるために、例えば特公昭54−35060号公報に記載のように、CsIとヨウ化ナトリウム(NaI)を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて基板上にナトリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Na)として堆積、また、近年ではCsIとヨウ化タリウム(TlI)を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて基板上にタリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)として堆積し、シンチレータパネルとして使用している。   Further, since the luminous efficiency is insufficient with CsI alone, for example, as described in Japanese Patent Publication No. 54-3560, a mixture of CsI and sodium iodide (NaI) at an arbitrary molar ratio is deposited. Used to deposit sodium-activated cesium iodide (CsI: Na) on a substrate, and in recent years, a mixture of CsI and thallium iodide (TlI) in an arbitrary molar ratio is used to deposit thallium on a substrate using vapor deposition. It is deposited as cesium iodide (CsI: Tl) and used as a scintillator panel.

しかしながら、これらの賦活剤によってシンチレータパネルの発光効率は向上するものの、結晶自体が潮解性を有し、耐湿性が著しく低下し経時で特性が劣化するという欠点がある。このような経時劣化を防止するためにCsIシンチレータの表面に防湿性保護層を形成することが提案されている。このような潮解性のあるシンチレータ蛍光体層の表面(基板に面していない側の表面)には、通常、保護膜が設けられており、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。   However, although the luminous efficiency of the scintillator panel is improved by these activators, the crystals themselves have a deliquescent property, and there is a drawback that the moisture resistance is remarkably lowered and the characteristics deteriorate with time. In order to prevent such deterioration with time, it has been proposed to form a moisture-proof protective layer on the surface of the CsI scintillator. The surface of such a deliquescent scintillator phosphor layer (the surface on the side not facing the substrate) is usually provided with a protective film, and the phosphor layer is chemically altered or physically impacted. Protect from.

この保護膜としては、ポリパラキシリレン等の有機膜をCVD法等の気相堆積法によって形成する方法が知られているが、これらの有機膜保護層は防湿性が弱く、十分に蛍光体を保護できず、蛍光体層及び支持体全体を有機膜保護層で覆うのが一般的である。しかしながら、気相堆積法で形成する際には蒸着台や保持部材が接触している部分には保護有機膜が形成されず、特許文献1では、二重にポリパラキシリレン膜を形成することによってこの欠点を回避しているが、製造工程が煩雑になる。   As this protective film, a method of forming an organic film such as polyparaxylylene by a vapor deposition method such as a CVD method is known. However, these organic film protective layers are weakly moisture-proof and sufficiently phosphor. In general, the phosphor layer and the entire support are covered with an organic film protective layer. However, when the vapor deposition method is used, a protective organic film is not formed on a portion where the vapor deposition table or the holding member is in contact. In Patent Document 1, a polyparaxylylene film is formed twice. This avoids this drawback, but the manufacturing process becomes complicated.

また、裏面に無機材料によって防湿保護を行う技術もある。特許文献2及び3では裏面にプレスすることにより金属防湿箔を成型することで耐湿性能を向上させる技術が開示されているが、一定時間、加熱加圧処理するバッチ処理であるため、生産性が高いとはいえない。特許文献4には、蛍光体層を有する基板面の反対側の面に金属層を有し、当該基板、蛍光体層、及び金属層の全体が耐湿性保護膜により覆われていることを特徴とする放射線用シンチレータプレートが開示されている。しかしながら、当該放射線用シンチレータプレートの耐湿性保護膜は袋状であり、接着手段や接着のためののりしろが必要となり、製造工程が煩雑になる。   There is also a technique for performing moisture-proof protection with an inorganic material on the back surface. Patent Documents 2 and 3 disclose a technique for improving the moisture resistance performance by molding a metal moisture-proof foil by pressing on the back surface, but because it is a batch process that heats and pressurizes for a certain period of time, productivity is improved. It's not expensive. Patent Document 4 has a metal layer on the surface opposite to the substrate surface having the phosphor layer, and the substrate, the phosphor layer, and the metal layer are entirely covered with a moisture-resistant protective film. A radiation scintillator plate is disclosed. However, the moisture-resistant protective film of the radiation scintillator plate has a bag shape, and requires an adhesive means and a margin for adhesion, which complicates the manufacturing process.

特許第4317068号明細書Japanese Patent No. 4317068 特開2003−287571号公報JP 2003-287571 A 特開2004−325445号公報JP 2004-325445 A 特開2008−170314号公報JP 2008-170314 A

本発明は、上記問題・状況にかんがみなされたものであり、その解決課題は、ロール状シンチレータパネル用支持体、製造工程を煩雑にすることなく生産性が高く、かつ耐湿性能が向上したシンチレータパネル、及びその製造方法を提供することである。さらに、当該シンチレータパネルを用いた放射線画像検出器を提供することである。   The present invention has been considered in view of the above-mentioned problems and situations, and a solution to that problem is a support for a roll scintillator panel, a scintillator panel with high productivity and improved moisture resistance without complicating the manufacturing process. And a method of manufacturing the same. Furthermore, it is providing the radiographic image detector using the said scintillator panel.

本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。   The above-mentioned problem according to the present invention is solved by the following means.

.支持体上に放射線を光に変換する蛍光体層を設けたシンチレータパネルであって、当該支持体がロール状シンチレータパネル用支持体を所定のサイズに断裁したものであり、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面に厚さが1〜500nmの範囲内にある金属薄膜層を有し、かつ当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体の側面が耐湿性保護膜で覆われており、
記蛍光体層に用いられる蛍光体が、気相堆積法により形成された柱状結晶の蛍光体であることを特徴とするシンチレータパネル。
1 . A scintillator panel having a phosphor layer that converts the radiation into light to the support is obtained by cutting the support Gallo Lumpur shaped scintillator panel support in a predetermined size, of the support A metal thin film layer having a thickness in the range of 1 to 500 nm is provided on the surface opposite to the surface having the phosphor layer, and the light emitting surface and side surface of the phosphor layer and the side surface of the support are moisture resistant. Covered with a protective film ,
Before SL phosphors used in the phosphor layer, characterized and to Resid inch regulator panel that the phosphor columnar crystals formed by vapor deposition.

.前記支持体が、可撓性高分子フィルムからなることを特徴とする前記第項に記載のシンチレータパネル。 2 . The scintillator panel according to item 1 , wherein the support is made of a flexible polymer film.

.前記耐湿性保護膜が、気相堆積法によって形成された有機膜であることを特徴とする前記第または2項に記載のシンチレータパネル。 3 . The moisture-resistant protective film, the first term, characterized in that an organic film formed by vapor deposition or scintillator panel according to the second term.

.前記金属薄膜層の透湿度が、温度40℃・相対湿度90%下で、50g/m2・24h以下であることを特徴とする前記第項から第項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 4 . Moisture permeability of the metal thin film layer is 90% under a temperature 40 ° C. · relative humidity, according to any one of the first term of equal to or less than 50g / m2 · 24h to paragraph 3 Scintillator panel.

.前記金属薄膜層が、少なくともアルミニウム(Al)若しくは銀(Ag)のいずれかを含有すること、又はアルミニウムを含む合金若しくは銀を含む合金を含有することを特徴とする前記第項から第項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 5 . The first to fourth items, wherein the metal thin film layer contains at least one of aluminum (Al) and silver (Ag), or contains an alloy containing aluminum or an alloy containing silver. The scintillator panel according to any one of the above.

.前記金属薄膜層上に高分子材料からなる下引き層を有することを特徴とする前記第項から第項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 6 . The scintillator panel according to any one of the first term and having a subbing layer comprising a polymeric material on the metal thin film layer to the fifth term.

.前記蛍光体層が、ヨウ化セシウムと、タリウムを含む添加剤とを原材料として形成されたことを特徴とする前記第項から第項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 7 . The phosphor layer, a scintillator panel according to any one of the cesium iodide, from the first term, characterized in that the additive comprising thallium formed as raw materials to paragraph 6.

.支持体上に放射線を光に変換する蛍光体層を設けたシンチレータパネルの製造方法であって、当該支持体をロール・トゥ・ロール方式で供給し、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面上に金属薄膜層を連続的に形成する工程を有し、かつ当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体側面を耐湿性保護膜で被覆する工程を有し、
記蛍光体層が用いられる蛍光体が、気相堆積法により形成された柱状結晶の蛍光体であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
8 . A method of manufacturing a scintillator panel in which a phosphor layer for converting radiation into light is provided on a support, the support being supplied in a roll-to-roll manner, and the surface of the support having the phosphor layer the metal thin film layer has a continuously formed to process, and have a step of coating a light emitting surface and the side surfaces and the support side surface of the phosphor layer with moisture-resistant protective film on the opposite side of,
Method of manufacturing a scintillator panel, characterized in that before Symbol phosphor phosphor layer is used is a phosphor columnar crystals formed by vapor deposition.

.前記第項に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、前記金属薄膜層と金属反射層を同時に形成する工程を有することを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 9 . 9. The method of manufacturing a scintillator panel according to claim 8 , further comprising the step of simultaneously forming the metal thin film layer and the metal reflective layer.

10.前記第項から第項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネルを用いたことを特徴とする放射線画像検出器。 10 . The radiation image detector characterized by using the scintillator panel according to any one of the first term to paragraph 7.

本発明の上記手段により、ロール状シンチレータパネル用支持体、製造工程を煩雑にすることなく生産性が高く、かつ耐湿性能が向上したシンチレータパネル、及びその製造方法を提供することができる。さらに、当該シンチレータパネルを用いた放射線画像検出器を提供することができる。   By the above means of the present invention, it is possible to provide a roll scintillator panel support, a scintillator panel having high productivity and improved moisture resistance without complicating the production process, and a method for producing the scintillator panel. Furthermore, a radiation image detector using the scintillator panel can be provided.

シンチレータパネル製造装置の模式図Schematic diagram of scintillator panel manufacturing equipment シンチレータパネルの構成(例)を示す図Diagram showing configuration (example) of scintillator panel

本発明のロール状シンチレータパネル用支持体は、支持体上に、厚さが1〜500nmの範囲内にある金属薄膜層を有することを特徴とする。この特徴は、請求項1から請求項11までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。   The roll scintillator panel support of the present invention has a metal thin film layer having a thickness in the range of 1 to 500 nm on the support. This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 11.

本発明のロール状シンチレータパネル用支持体を用いたシンチレータパネルの好ましい態様としては、支持体上に放射線を光に変換する蛍光体層を設けたシンチレータパネルであって、当該支持体が前記のロール状シンチレータパネル用支持体を所定のサイズに断裁したものであり、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面に厚さが1〜500nmの範囲内にある金属薄膜層を有し、かつ当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体の側面が耐湿性保護膜で覆われている態様のシンチレータパネルである。   A preferred embodiment of the scintillator panel using the roll scintillator panel support of the present invention is a scintillator panel in which a phosphor layer for converting radiation into light is provided on the support, and the support is the roll described above. The scintillator panel support is cut to a predetermined size, and a metal thin film layer having a thickness in the range of 1 to 500 nm is provided on the surface of the support opposite to the surface having the phosphor layer. And the light emission surface and side surface of the said fluorescent substance layer, and the side surface of the said support body are scintillator panels of the aspect covered with the moisture-resistant protective film.

当該シンチレータパネルにおいては、発明の効果発現の観点から、当該支持体が、可撓性高分子フィルムからなることが好ましい。また、前記耐湿性保護膜が、気相堆積法によって形成された有機膜であることが好ましい。   In the scintillator panel, the support is preferably made of a flexible polymer film from the viewpoint of manifesting the effects of the invention. The moisture-resistant protective film is preferably an organic film formed by a vapor deposition method.

当該当該シンチレータパネルにおいては、前記金属薄膜層の透湿度が、温度40℃・相対湿度90%下で、50g/m・24h以下であることが好ましい。また、当該金属薄膜層が、少なくともアルミニウム(Al)若しくは銀(Ag)のいずれかを含有すること、又はアルミニウムを含む合金若しくは銀を含む合金を含有することが好ましい。さらには、当該金属薄膜層上に高分子材料からなる下引き層を有することが好ましい。In the scintillator panel, the moisture permeability of the metal thin film layer is preferably 50 g / m 2 · 24 h or less at a temperature of 40 ° C. and a relative humidity of 90%. The metal thin film layer preferably contains at least one of aluminum (Al) and silver (Ag), or contains an alloy containing aluminum or an alloy containing silver. Furthermore, it is preferable to have an undercoat layer made of a polymer material on the metal thin film layer.

当該シンチレータパネルの蛍光体層としては、ヨウ化セシウムと、タリウムを含む添加剤とを原材料として形成されたものであることが好ましい。   The phosphor layer of the scintillator panel is preferably formed using cesium iodide and an additive containing thallium as raw materials.

本発明のシンチレータパネルを製造するための製造方法としては、当該支持体をロール・トゥ・ロール方式で供給し、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面上に前記金属薄膜層を連続的に形成する工程を有し、かつ当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体の側面を耐湿性保護膜で被覆する工程を有する態様の製造方法であることが好ましい。また、当該製造方法においては、前記金属薄膜層と前記金属反射層を同時に形成する工程を有することが好ましい。   As a manufacturing method for manufacturing the scintillator panel of the present invention, the support is supplied in a roll-to-roll manner, and the metal thin film is formed on the surface of the support opposite to the surface having the phosphor layer. It is preferable that the production method has a step of continuously forming a layer and a step of covering the light emitting surface and side surface of the phosphor layer and the side surface of the support with a moisture-resistant protective film. Further, the manufacturing method preferably includes a step of simultaneously forming the metal thin film layer and the metal reflective layer.

本発明のシンチレータパネルは、放射線画像検出器に好適に用いることができる。   The scintillator panel of the present invention can be suitably used for a radiation image detector.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。   Hereinafter, the present invention, its components, and the best mode and mode for carrying out the present invention will be described in detail. In addition, in this application, "-" is used in the meaning which includes the numerical value described before and behind that as a lower limit and an upper limit.

(シンチレータパネルの構成)
本発明のシンチレータパネルは、種々の態様の構成を採り得るが、基本的には、支持体と、その上に形成された蛍光体層、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面に設けた金属薄膜層、及び当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体の側面を被覆する耐湿性保護膜とで構成される。なお、支持体と蛍光体層の間に下引き層を有する構成とすることがより好ましい。また、支持体上に金属反射層を設け、金属反射層、下引き層、及び蛍光体層の構成であってもよい。本構成は、特許文献4の第1の実施形態構成と対比すると、当該特許文献4に記載されている金属層は散乱X線吸収目的のため柱状構造を有しているうえ、厚さも5μm以上、200μm以下となっており、製造工程の簡略化と防湿の両立を目的とする本発明とは技術的思想の異なる全く別の発明である。
(Configuration of scintillator panel)
The scintillator panel of the present invention can take various configurations, but basically, a support, a phosphor layer formed thereon, and the opposite side of the surface of the support having the phosphor layer. And a moisture-resistant protective film covering the light emitting surface and side surface of the phosphor layer and the side surface of the support. In addition, it is more preferable to set it as the structure which has an undercoat layer between a support body and a fluorescent substance layer. Moreover, a metal reflective layer may be provided on a support body, and the structure of a metal reflective layer, an undercoat layer, and a fluorescent substance layer may be sufficient. Compared with the configuration of the first embodiment of Patent Document 4, the metal layer described in Patent Document 4 has a columnar structure for scattering X-ray absorption and has a thickness of 5 μm or more. The invention is completely different from the present invention, which has a technical idea different from that of the present invention aiming at both simplification of the manufacturing process and moisture prevention.

なお、本願において「シンチレータ」とは、α線、γ線、X線等の電離放射線を照射されたときに原子が励起されることにより発光する蛍光体をいう。すなわち、放射線を紫外・可視光に変換して放出する蛍光体をいう。   In the present application, the “scintillator” refers to a phosphor that emits light by excitation of atoms when irradiated with ionizing radiation such as α rays, γ rays, and X rays. That is, it refers to a phosphor that converts radiation into ultraviolet / visible light and emits it.

以下、各構成要素について説明をする。   Hereinafter, each component will be described.

(ロール状シンチレータパネル用支持体)
本発明のロール状シンチレータパネル用支持体は、支持体上に、厚さが1〜500nmの範囲内にある金属薄膜層を有することを特徴とする。
(Roll scintillator panel support)
The roll scintillator panel support of the present invention has a metal thin film layer having a thickness in the range of 1 to 500 nm on the support.

当該ロール状シンチレータパネル用支持体に用いることができる支持体としては、製造工程前後或いは製造過程においてロール状形態において保管することできる素材であれば、特に限定されるものではないが、放射線画像検出器の多様性を考えると、下記のような各種高分子材料が、軽量で容易に加工できるという点で好適である。   The support that can be used for the roll scintillator panel support is not particularly limited as long as it is a material that can be stored in a roll form before and after the manufacturing process or in the manufacturing process. Considering the variety of vessels, the following various polymer materials are preferable in that they are lightweight and can be easily processed.

従って、本発明に用いることができる支持体としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、セルロースアセテート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、エポキシ、ポリアミドイミド、ビスマレイイミド、フッ素樹脂、アクリル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー等の高分子フィルムを用いることが好ましい。   Therefore, as a support that can be used in the present invention, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, cellulose acetate, polyamide, polyimide, polyetherimide, epoxy, polyamideimide, bismaleimide, fluororesin, acrylic, polyurethane, polycarbonate, Polymer films such as polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polysulfone, polyether ether ketone, and liquid crystal polymer are preferably used.

さらに、本発明の支持体に用いる高分子フィルムは、蛍光体を蒸着する際、熱によって変形が生じないようにするためガラス転移点は100℃以下でないことが好ましい。よって、耐熱性の観点より、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、液晶ポリマー等を主成分として含有するものが好ましく、中でもポリイミドが最も好ましい。   Furthermore, the polymer film used for the support of the present invention preferably has a glass transition point of not less than 100 ° C. in order to prevent deformation due to heat when the phosphor is deposited. Therefore, from the viewpoint of heat resistance, those containing polyimide, polyetherimide, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polysulfone, liquid crystal polymer or the like as a main component are preferred, and polyimide is most preferred.

支持体の厚さとしては、好ましくは20〜1000μm、更に好ましくは50〜750μmであり、更に好ましくは50〜500μmである。支持体の厚さを50μm以上にすることで蛍光体層を形成した後のハンドリング性が良好となる。また、支持体の厚さを750μm以下にすることで、金属反射層、下引き層等を、所謂ロール・トゥ・ロール(roll to roll)で加工することが容易となり、生産性向上の観点より、非常に有用である。さらには、シンチレータパネルと光電変換素子を貼り合せる際に、支持体の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、光電変換素子の受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して、当該支持体を、厚さ50〜500μmとすることでシンチレータパネルが光電変換素子の面形状に合った形状に変形し、光電変換素子の受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。   As thickness of a support body, Preferably it is 20-1000 micrometers, More preferably, it is 50-750 micrometers, More preferably, it is 50-500 micrometers. By making the thickness of the support 50 μm or more, the handling property after forming the phosphor layer is improved. In addition, by making the thickness of the support 750 μm or less, it becomes easy to process the metal reflective layer, the undercoat layer, etc. by so-called roll to roll, from the viewpoint of improving productivity. Is very useful. Furthermore, when the scintillator panel and the photoelectric conversion element are bonded together, it is affected by deformation of the support or warpage during vapor deposition, and the uniform image quality characteristics cannot be obtained within the light receiving surface of the photoelectric conversion element. By setting the support to a thickness of 50 to 500 μm, the scintillator panel is deformed into a shape that matches the surface shape of the photoelectric conversion element, and uniform sharpness is obtained over the entire light receiving surface of the photoelectric conversion element.

また、本発明に係る支持体は可とう性を有する高分子フィルムであることが好ましい。ここで、「可とう性を有する高分子フィルム」とは、120℃での弾性率(E120)が1000〜6000N/mmである支持体をいい、かかる支持体としてポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。The support according to the present invention is preferably a polymer film having flexibility. Here, the “polymer film having flexibility” means a support having an elastic modulus (E120) at 120 ° C. of 1000 to 6000 N / mm 2 , and contains polyimide or polyethylene naphthalate as the support. A polymer film is preferred.

「弾性率」とは、引張試験機を用い、JIS C 2318に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、かかるヤング率を弾性率と定義する。本発明に用いられる支持体は、上記のように120℃での弾性率(E120)が1000〜6000N/mmであることが好ましく、1200〜5000N/mmであることがさらに好ましい。“Elastic modulus” is a tensile tester and is used to obtain the slope of the stress relative to the strain amount in a region where the strain indicated by the standard line of the sample conforming to JIS C 2318 and the corresponding stress have a linear relationship. It is a thing. This is a value called Young's modulus, and in the present invention, this Young's modulus is defined as an elastic modulus. Support for use in the present invention has an elastic modulus at 120 ° C. as described above (E120) is preferably a 1000~6000N / mm 2, further preferably 1200~5000N / mm 2.

具体的には、ポリエチレンナフタレート(E120=4100N/mm)、ポリエチレンテレフタレート(E120=1500N/mm)、ポリブチレンナフタレート(E120=1600N/mm)、ポリカーボネート(E120=1700N/mm)、シンジオタクチックポリスチレン(E120=2200N/mm)、ポリエーテルイミド(E120=1900N/mm)、ポリイミド(E120=1200N/mm)、ポリアリレート(E120=1700N/mm)、ポリスルホン(E120=1800N/mm)、ポリエーテルスルホン(E120=1700N/mm)等からなる高分子フィルムが挙げられる。Specifically, polyethylene naphthalate (E120 = 4100N / mm 2) , polyethylene terephthalate (E120 = 1500N / mm 2) , polybutylene naphthalate (E120 = 1600N / mm 2) , polycarbonate (E120 = 1700N / mm 2) , Syndiotactic polystyrene (E120 = 2200 N / mm 2 ), polyetherimide (E120 = 1900 N / mm 2 ), polyimide (E120 = 1200 N / mm 2 ), polyarylate (E120 = 1700 N / mm 2 ), polysulfone (E120) = 1800 N / mm 2 ), polyethersulfone (E120 = 1700 N / mm 2 ) and the like.

これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい支持体としては、上述のように、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。   These may be used singly or may be laminated or mixed. Among them, as a particularly preferable support, a polymer film containing polyimide or polyethylene naphthalate is preferable as described above.

(金属薄膜層)
本発明のシンチレータパネルは、支持体の該蛍光体層を有する面の反対側の面に厚さが1〜500nmの範囲内にある金属薄膜層を有することを特徴とする。1nmよりも薄い厚さでは均一な膜が形成できず、十分な耐湿性が得られない。一方、500nmよりも厚い厚さではクラックが発生しやすく、膜形成時間の延長や、材料コストの面からも好ましくない。当該金属薄膜層は、耐湿性向上を主眼として設けるものであるが、シンチレータパネルの生産性向上も考慮に入れて形成することが好ましい。このため、当該金属薄膜層が、支持体を移動させながら、連続的形成方法により形成されたものであることが好ましい。具体的には、当該連続的形成方法が、支持体を“ロール・トゥ・ロール(roll to roll)”方式で供給し、当該支持体上に、前記金属薄膜層をスパッタリング法により連続的に形成する態様の方法であることが好ましい。スパッタリング法によって形成された場合、金属箔等と比較して薄膜で耐湿性が期待できる。
(Metal thin film layer)
The scintillator panel of the present invention is characterized in that a metal thin film layer having a thickness in the range of 1 to 500 nm is provided on the surface of the support opposite to the surface having the phosphor layer. If the thickness is less than 1 nm, a uniform film cannot be formed, and sufficient moisture resistance cannot be obtained. On the other hand, if the thickness is greater than 500 nm, cracks are likely to occur, which is not preferable from the viewpoint of extending the film formation time and material cost. The metal thin film layer is provided mainly for improving moisture resistance, but is preferably formed taking into consideration the productivity improvement of the scintillator panel. For this reason, it is preferable that the said metal thin film layer is formed by the continuous formation method, moving a support body. Specifically, in the continuous forming method, a support is supplied in a “roll to roll” manner, and the metal thin film layer is continuously formed on the support by a sputtering method. It is preferable that it is the method of the aspect to do. When formed by a sputtering method, moisture resistance can be expected with a thin film as compared with a metal foil or the like.

金属薄膜層に含有させる金属としては、スパッタリング法によって形成される種々の金属を挙げることができ、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt、Au、Pd、In、Zn、Sn、Ru、Os、Ir、Siまたその合金、その酸化物などから選択することができる。反射率、耐腐食性、コスト等の観点から、少なくともアルミニウム(Al)又は銀(Ag)のいずれかを含有すること、及びそれらと上記金属の合金から選択されることが好ましい。また、本発明の金属薄膜層の耐腐食性、取り扱い性向上のために表面に何らかの化学的処理を施すことも可能である。   Examples of the metal to be contained in the metal thin film layer include various metals formed by sputtering, including Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, Au, Pd, In, and Zn. , Sn, Ru, Os, Ir, Si, alloys thereof, oxides thereof, and the like. From the viewpoint of reflectivity, corrosion resistance, cost, etc., it is preferable that at least one of aluminum (Al) or silver (Ag) is contained, and an alloy of these and the above metal is selected. In addition, the surface of the metal thin film layer of the present invention can be subjected to some chemical treatment in order to improve the corrosion resistance and handleability.

当該金属薄膜層の形成方法としては、従来公知の種々の方法を採用し得るが、上記のように、支持体を“ロール・トゥ・ロール(roll to roll)”方式で供給し、当該支持体上に、前記金属薄膜層をスパッタリング法により連続的に形成する態様の方法であることが好ましい。   As the method for forming the metal thin film layer, various conventionally known methods can be adopted. As described above, the support is supplied by the “roll to roll” method, and the support is supported. It is preferable that the metal thin film layer is continuously formed by a sputtering method.

なお、このような金属薄膜を二層以上形成するようにしても良い。金属薄膜を二層以上とする場合は、下層をNi若しくはCr、或いは、その両方を含む層とすることが支持体との接着性を向上させる点から好ましい。   Two or more such metal thin films may be formed. When the metal thin film has two or more layers, it is preferable that the lower layer is a layer containing Ni, Cr, or both from the viewpoint of improving the adhesion to the support.

(金属反射層)
本発明においては、支持体上に金属反射層を設けることも好ましい構成態様である。当該金属反射層は、蛍光体層から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。金属反射層の表面反射率は好ましくは80%以上、更に好ましくは90%以上である。当該金属反射層は、Al,Ag,Cr,Cu,Ni,Ti,Mg,Rh,Pt及びAuからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。
(Metal reflective layer)
In the present invention, it is also a preferable configuration aspect to provide a metal reflective layer on the support. The metal reflection layer is for reflecting the light emitted from the phosphor layer to increase the light extraction efficiency. The surface reflectance of the metal reflective layer is preferably 80% or more, more preferably 90% or more. The metal reflective layer is preferably formed of a material containing any element selected from the element group consisting of Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au.

中でも、反射率、耐食性の観点からAl若しくはAgを主成分としていることが特に好ましく、このような金属薄膜を二層以上形成するようにしても良い。金属薄膜を二層以上とする場合は、下層をNi若しくはCr、あるいは、その両方を含む層とすることが支持体との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にSiO、TiO等の金属酸化物からなる層をこの順に設けて更に反射率を向上させても良い。なお、金属反射層の厚さは、0.005〜0.3μm、より好ましくは0.01〜0.2μmであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。Among them, it is particularly preferable that Al or Ag is a main component from the viewpoint of reflectance and corrosion resistance, and two or more such metal thin films may be formed. When the metal thin film has two or more layers, the lower layer is preferably a layer containing Ni, Cr, or both from the viewpoint of improving the adhesion to the support. Further, a layer made of a metal oxide such as SiO 2 or TiO 2 may be provided in this order on the metal thin film to further improve the reflectance. In addition, it is preferable from a viewpoint of emitted light extraction efficiency that the thickness of a metal reflective layer is 0.005-0.3 micrometer, More preferably, it is 0.01-0.2 micrometer.

本発明に係る金属反射層の形成方法は、蒸着、スパッタリング、金属箔の貼り合せ等、既知のいかなる方法でも構わないが、密着性の観点からスパッタリングが好ましい。さらには、本発明における金属薄膜層をスパッタリング法により形成する際に、同時に金属薄膜層と金属反射層を同時にスパッタリング法により形成することが工程の簡略化上好ましい。   The method for forming the metal reflective layer according to the present invention may be any known method such as vapor deposition, sputtering, and bonding of metal foil, but sputtering is preferred from the viewpoint of adhesion. Furthermore, when the metal thin film layer in the present invention is formed by the sputtering method, it is preferable for simplification of the process that the metal thin film layer and the metal reflective layer are simultaneously formed by the sputtering method.

なお、高分子フィルム上にAl膜を形成したフィルムは、各種の品種が市場で流通しており、これらを本発明の基板として使用することも可能である。   Various types of films in which an Al film is formed on a polymer film are available on the market, and these can be used as the substrate of the present invention.

(下引き層)
本発明においては、支持体と蛍光体層の間、又は金属反射層と蛍光体層の間に膜付の観点から、下引き層を設けることが好ましい。当該下引き層は、高分子材料、分散剤等を含有することが好ましい。なお、下引層の厚さは、0.5〜4μmが好ましい、4μm以下であれば下引き層内での光散乱が小さくなり鮮鋭性が良好である。
(Underlayer)
In the present invention, it is preferable to provide an undercoat layer from the viewpoint of attaching a film between the support and the phosphor layer or between the metal reflective layer and the phosphor layer. The undercoat layer preferably contains a polymer material, a dispersant and the like. The thickness of the undercoat layer is preferably 0.5 to 4 μm, and if it is 4 μm or less, light scattering in the undercoat layer is reduced and the sharpness is good.

本発明に係る下引き層は、溶剤に溶解又は分散した高分子材料を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子材料としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体(ニトロセルロース等)、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。   The undercoat layer according to the present invention is preferably formed by applying and drying a polymer material dissolved or dispersed in a solvent. Specific examples of the polymer material include polyurethane, vinyl chloride copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer, butadiene-acrylonitrile copolymer. Coalescence, polyamide resin, polyvinyl butyral, polyester, cellulose derivative (nitrocellulose, etc.), styrene-butadiene copolymer, various synthetic rubber resins, phenol resin, epoxy resin, urea resin, melamine resin, phenoxy resin, silicone resin, Examples thereof include acrylic resins and urea formamide resins. Of these, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, and nitrocellulose are preferably used.

本発明に係る高分子材料としては、特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転位点(Tg)が30〜100℃のポリマーであることが、膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステルであることが好ましい。   As the polymer material according to the present invention, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, nitrocellulose and the like are particularly preferable in terms of adhesion to the phosphor layer. Moreover, it is preferable at a point with a film | membrane that a glass transition point (Tg) is a polymer of 30-100 degreeC. From this viewpoint, polyester is particularly preferable.

下引き層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。なお、本発明に係る下引き層には、蛍光体層が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。   Solvents that can be used to prepare the undercoat layer include lower alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol and n-butanol, hydrocarbons containing chlorine atoms such as methylene chloride and ethylene chloride, acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone. Such as ketones, toluene, benzene, cyclohexane, cyclohexanone, xylene and other aromatic compounds, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and other lower fatty acid and lower alcohol esters, dioxane, ethylene glycol monoethyl ester, ethylene glycol monomethyl ester And ethers thereof and mixtures thereof. The undercoat layer according to the present invention may contain a pigment or a dye in order to prevent scattering of light emitted from the phosphor layer and improve sharpness and the like.

(蛍光体層)
本発明に係る蛍光体層には、従来シンチレータとして用いられている種々の蛍光体を用いることができる。当該蛍光体は、種々の製造方法により形成されたものを用いることができるが、本発明においては、気相堆積法により形成された柱状結晶の蛍光体を用いることが好ましい。
(Phosphor layer)
For the phosphor layer according to the present invention, various phosphors conventionally used as scintillators can be used. As the phosphor, those formed by various manufacturing methods can be used. In the present invention, it is preferable to use a columnar crystal phosphor formed by a vapor deposition method.

例えば、ヨウ化セシウム(CsI)及び臭化セシウム(CsBr)のようなハロゲン化セシウムを主成分として形成することができるが、CsIを主成分とする蛍光体層であることが好ましい。CsIは、放射線から可視光への変換効率が比較的高く、蒸着によって容易に柱状結晶構造を形成できるため、光ガイド効果により結晶内での光散乱が抑えられ、蛍光体層を厚くすることが可能である。   For example, cesium halides such as cesium iodide (CsI) and cesium bromide (CsBr) can be formed as a main component, but a phosphor layer mainly including CsI is preferable. Since CsI has a relatively high conversion efficiency from radiation to visible light and can easily form a columnar crystal structure by vapor deposition, light scattering within the crystal can be suppressed by the light guide effect, and the phosphor layer can be thickened. Is possible.

但し、CsIのみでは発光効率が不十分であるために、各種の賦活剤が添加されることが好ましい。例えば、特公昭54−35060号公報に挙げられるように、CsIとヨウ化ナトリウム(NaI)を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開2001−59899号公報に開示されているように、タリウム(Tl)、ユウロピウム(Eu)、インジウム(In)、リチウム(Li)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、ナトリウム(Na)などの賦活剤を含有するCsIが好ましい。本発明においては、特にTl、Euが好ましく、Tlが更に好ましい。   However, since CsI alone is insufficient in luminous efficiency, various activators are preferably added. For example, as mentioned in Japanese Patent Publication No. 54-35060, a mixture of CsI and sodium iodide (NaI) at an arbitrary molar ratio can be mentioned. Further, as disclosed in, for example, JP-A-2001-59899, thallium (Tl), europium (Eu), indium (In), lithium (Li), potassium (K), rubidium (Rb), sodium ( CsI containing an activator such as Na) is preferred. In the present invention, Tl and Eu are particularly preferable, and Tl is more preferable.

なお、本発明においては、特に、一種類以上のTl化合物を含む添加剤とCsIとを原材料とすることが好ましく、タリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)は400nmから750nmまでの広い発光波長をもつことから好ましい。   In the present invention, it is particularly preferable to use an additive containing one or more Tl compounds and CsI as raw materials, and thallium-activated cesium iodide (CsI: Tl) has a wide emission wavelength from 400 nm to 750 nm. This is preferable.

本発明に係る1種類以上のTl化合物としては、種々のTl化合物(+Iと+IIIの酸化数の化合物)を使用することができ、沃化タリウム(TlI)、臭化タリウム(TlBr)、塩化タリウム(TlCl)、又はフッ化タリウム(TlF,TlF)等が挙げられるが、特にTlIが好ましい。As the one or more kinds of Tl compounds according to the present invention, various Tl compounds (compounds having oxidation numbers of + I and + III) can be used, such as thallium iodide (TlI), thallium bromide (TlBr), and thallium chloride. (TlCl) or thallium fluoride (TlF, TlF 3 ) and the like can be mentioned, and TlI is particularly preferable.

また、本発明に係るTl化合物の融点は、400〜700℃の範囲内にあることが好ましい。700℃を超えると、柱状結晶内でのTl化合物が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。   Moreover, it is preferable that melting | fusing point of the Tl compound concerning this invention exists in the range of 400-700 degreeC. If it exceeds 700 ° C., the Tl compound in the columnar crystal is present non-uniformly, and the luminous efficiency is lowered. In the present invention, the melting point is a melting point at normal temperature and pressure.

本発明に係る蛍光体層において、当該賦活剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、蛍光体の含有量に対して、0.001〜50mol%、更に0.1〜10.0mol%であることが好ましい。   In the phosphor layer according to the present invention, the content of the activator is desirably an optimum amount according to the target performance and the like, but is 0.001 to 50 mol% and further 0 to the phosphor content. It is preferable that it is 1-10.0 mol%.

ここで、蛍光体に対し、賦活剤が0.001mol%以上であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度の向上がみられ、目的とする発光輝度を得る点で好ましい。また、50mol%以下であるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができて好ましい。   Here, when the activator is 0.001 mol% or more with respect to the phosphor, the emission luminance obtained by using cesium iodide alone is improved, which is preferable in obtaining the desired emission luminance. Moreover, it is preferable that it is 50 mol% or less because the properties and functions of cesium iodide can be maintained.

なお、蛍光体層の厚さは、100〜800μmであることが好ましく、120〜700μmであることが、輝度と鮮鋭性の特性をバランスよく得られる点からより好ましい。   In addition, it is preferable that the thickness of a fluorescent substance layer is 100-800 micrometers, and it is more preferable that it is 120-700 micrometers from the point from which the characteristic of a brightness | luminance and sharpness is acquired with sufficient balance.

本発明に係る蛍光体は、気相堆積法により柱状結晶構造を形成する。気相堆積法としては、蒸着、スパッタリング、CVD、イオンプレーティングその他を用いることができるが、本発明では特に蒸着が好ましい。   The phosphor according to the present invention forms a columnar crystal structure by a vapor deposition method. As the vapor deposition method, vapor deposition, sputtering, CVD, ion plating, or the like can be used. In the present invention, vapor deposition is particularly preferable.

(耐湿性保護膜)
本発明のシンチレータパネルは、蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体側面が耐湿性保護膜で覆われていることを特徴とする。
(Moisture resistant protective film)
The scintillator panel of the present invention is characterized in that the light emitting surface and the side surface of the phosphor layer and the side surface of the support are covered with a moisture-resistant protective film.

当該耐湿性保護膜は、蛍光体層の保護を主眼とするものである。即ち、ヨウ化セシウム(CsI)は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主目的とする。   The moisture-resistant protective film focuses on protecting the phosphor layer. That is, cesium iodide (CsI) has a high hygroscopic property, and if it is left exposed, it absorbs water vapor in the air and deliquesces, so its main purpose is to prevent this.

当該耐湿性保護膜は種々の材料を用いて形成することができる。本発明においては、気相堆積法によりポリパラキシリレン膜を形成することが好ましい。即ち、蛍光体層の光放出面及び側面、支持体の側面にポリパラキシリレン膜を形成し、保護層とすることができる。なお、金属薄膜層、支持体、金属反射層、下引き層、蛍光体層の順に積層した本特許構成品にCVD法によりポリパラキシリレン膜形成する場合、蛍光体層表面、及び蛍光体層から金属薄膜層までの側面そして、金属薄膜層表面に多少のポリパラキシリレン膜が回り込んで形成されても良い。本発明における支持体は高分子フィルムから形成されており、耐湿性保護膜の有機膜との親和性が高く、耐湿性及び耐湿性保護膜の剥離懸念が少ない。ポリパラキシリレン膜は透湿度と鮮鋭性のバランスから1〜50μm、さらに好ましくは3〜30μmの厚さであることが好ましい。   The moisture-resistant protective film can be formed using various materials. In the present invention, it is preferable to form a polyparaxylylene film by a vapor deposition method. That is, a polyparaxylylene film can be formed on the light emitting surface and side surface of the phosphor layer and the side surface of the support to form a protective layer. In addition, when a polyparaxylylene film is formed by the CVD method on this patent composition layered in the order of a metal thin film layer, a support, a metal reflection layer, an undercoat layer, and a phosphor layer, the phosphor layer surface Some of the polyparaxylylene films may wrap around the side surfaces from the metal thin film layer to the metal thin film layer surface. The support in the present invention is made of a polymer film, has a high affinity with the organic film of the moisture-resistant protective film, and has little concern about peeling off the moisture-resistant and moisture-resistant protective film. The polyparaxylylene film preferably has a thickness of 1 to 50 μm, more preferably 3 to 30 μm, from the balance of moisture permeability and sharpness.

耐湿性保護膜の透湿度は、蛍光体層の保護性、潮解性等を考慮し50g/m・24h以下が好ましく、更には10g/m・24h以下が好ましいが、0.01g/m・day以下の透湿度の高分子フィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に、0.01g/m・24h以上、50g/m・24h以下が好ましく、更には0.1g/m・day以上、10g/m・24h以下が好ましい。尚、上記透湿度は40℃・90%RHの環境下でJIS Z0208に準じて測定したものである。The moisture permeability of the moisture-resistant protective film is preferably 50 g / m 2 · 24 h or less, more preferably 10 g / m 2 · 24 h or less in consideration of the protective property of the phosphor layer, deliquescence, etc., but 0.01 g / m Since a polymer film having a water vapor transmission rate of 2 · day or less is difficult to obtain industrially, it is preferably 0.01 g / m 2 · 24 h or more, 50 g / m 2 · 24 h or less, more preferably 0.1 g / M 2 · day or more and 10 g / m 2 · 24 h or less are preferable. The moisture permeability is measured according to JIS Z0208 in an environment of 40 ° C. and 90% RH.

(剛性板)
本発明のシンチレータパネルは構成要素として剛性板を用いてもよい。本発明に係る剛性板とは、弾性率が10GPa以上の板を指す。後述の回路基板の熱膨張係数との差が±0〜4.0ppmであれば、金属、ガラス、カーボン、複合材料など、特に制約はなく使用することができる。熱膨張係数をこの範囲に制御することで、温度変動による蛍光体層の面内方向の寸法変化を光電変換素子に近づけることができ、その結果、温度変動による画像のズレを抑制することができる。
(Rigid plate)
The scintillator panel of the present invention may use a rigid plate as a component. The rigid plate according to the present invention refers to a plate having an elastic modulus of 10 GPa or more. If the difference from the coefficient of thermal expansion of the circuit board described later is ± 0 to 4.0 ppm, there can be used any metal, glass, carbon, composite material and the like without any particular limitation. By controlling the thermal expansion coefficient within this range, the dimensional change in the in-plane direction of the phosphor layer due to temperature fluctuation can be brought closer to the photoelectric conversion element, and as a result, image shift due to temperature fluctuation can be suppressed. .

(接着剤層)
本発明において、支持体の蛍光体層形成面とは反対の面に剛性板を設けることが好ましく、支持体と剛性板の接合は、接着剤層を介して行われることが好ましい。
(Adhesive layer)
In the present invention, it is preferable to provide a rigid plate on the surface of the support opposite to the phosphor layer forming surface, and the support and the rigid plate are preferably joined via an adhesive layer.

接着剤層の厚さについては、支持体と剛性板の接着力を考慮し、好ましくは1μm以上、更に好ましくは10μm以上である。一方、温度変動による支持体の面内方向の寸法変化を剛性板が効果的に抑制するには接着剤層は薄いほど良く、好ましくは100μm以下、更に好ましくは60μm以下である。   The thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more, more preferably 10 μm or more in consideration of the adhesive force between the support and the rigid plate. On the other hand, in order for the rigid plate to effectively suppress the dimensional change in the in-plane direction of the support due to temperature fluctuation, the thinner the adhesive layer, the better. The thickness is preferably 100 μm or less, more preferably 60 μm or less.

本発明において、支持体と剛性板の接合する材料には特に制約はないが、ホットメルトシートを介して行われることが好ましい。ホットメルトシートとは、シート状に形成したホットメルト接着剤のことをいう。ホットメルト接着剤は、熱可塑性樹脂を主成分とした接着剤で、常温では固形であり、加熱溶融することにより液状化する。ホットメルト接着剤を液状化して接合部材を貼り合わせ、更に冷却しホットメルト接着剤を固化することにより接合が形成される。   In the present invention, the material for joining the support and the rigid plate is not particularly limited, but it is preferably performed via a hot melt sheet. The hot melt sheet refers to a hot melt adhesive formed in a sheet shape. A hot-melt adhesive is an adhesive mainly composed of a thermoplastic resin and is solid at room temperature and liquefied by being heated and melted. Bonding is formed by liquefying the hot melt adhesive and bonding the joining members together, further cooling and solidifying the hot melt adhesive.

本実施の形態においては、支持体と剛性板の間にホットメルトシートを挟み、加圧、続いて加熱溶融することにより、支持体と剛性板が接合される。このように、ホットメルト接着剤は常温では接着力を生じないため、支持体と剛性板の接合にホットメルトシートを用いることにより、両面粘着テープ等の常温粘着型の接着剤と比較して、位置合わせが非常に容易である。即ち、接着力が生じない状態で位置決めした後、加熱溶融して接着力を生じさせ接合するため、支持体と剛性板の位置合わせが正確且つ容易に行うことができる。   In the present embodiment, the support and the rigid plate are joined by sandwiching a hot melt sheet between the support and the rigid plate, pressurizing, and then heating and melting. Thus, since the hot melt adhesive does not produce an adhesive force at room temperature, by using a hot melt sheet for bonding the support and the rigid plate, compared to a room temperature pressure sensitive adhesive such as a double-sided pressure sensitive adhesive tape, Alignment is very easy. That is, positioning is performed in a state where no adhesive force is generated, and then heating and melting are performed to generate an adhesive force and bonding is performed. Therefore, the support and the rigid plate can be accurately and easily aligned.

また、ホットメルトシートは一般的な常温粘着型の接着シートに比較して弾性率が高く、温度変動に対する支持体の面内方向の寸法変化を抑制する効果が高い。   Further, the hot melt sheet has a higher elastic modulus than a general room temperature pressure-sensitive adhesive sheet, and has a high effect of suppressing dimensional changes in the in-plane direction of the support with respect to temperature fluctuations.

上記ホットメルトシートは、既知のものを用いることができる。また、ホットメルトシートの種類としては、その主成分により、例えばポリオレフィン系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系、EVA系等が挙げられる。但し、これらに限定されるものではない。   Known hot melt sheets can be used. Moreover, as a kind of hot-melt sheet, polyolefin type, polyamide type, polyester type, polyurethane type, EVA type etc. are mentioned by the main component, for example. However, it is not limited to these.

ホットメルトシートを貼り合わせる際の圧力としては、0.001〜10MPaが好ましく、0.01〜1MPaであれば、より好ましい。加圧量を少なくとも0.001MPa以上にすることで空気溜まりなく、均一に接着させることができる。一方、加圧量を少なくとも10MPa以下にすることで、蛍光体へのダメージを抑えることができ、画質を損ねる懸念が小さい。熱処理温度については、ホットメルトシートの種類にもよるが、好ましくは70〜200℃、更に好ましくは90〜160℃である。   As a pressure at the time of bonding a hot-melt sheet, 0.001-10 MPa is preferable and it is more preferable if it is 0.01-1 MPa. By making the amount of pressurization at least 0.001 MPa or more, air can be uniformly adhered without accumulating. On the other hand, by making the amount of pressurization at least 10 MPa or less, damage to the phosphor can be suppressed, and there is little fear of impairing the image quality. The heat treatment temperature is preferably 70 to 200 ° C., more preferably 90 to 160 ° C., although it depends on the type of hot melt sheet.

(シンチレータパネルの製造方法)
本発明のシンチレータパネルの製造方法としては、従来公知種々の方法を採用し得るが、支持体を“ロール・トゥ・ロール(roll to roll)”方式で供給し、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面上に前記金属薄膜層をスパッタリング法により連続的に形成する工程を有し、かつ当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体側面を耐湿性保護膜で被覆する工程を有する態様の製造方法であることが好ましい。
(Manufacturing method of scintillator panel)
As a method for producing the scintillator panel of the present invention, various conventionally known methods can be adopted. However, the support is supplied in a “roll to roll” manner, and the phosphor layer of the support is supplied. A step of continuously forming the metal thin film layer on a surface opposite to the surface having a surface by a sputtering method, and the light emitting surface and the side surface of the phosphor layer and the side surface of the support are covered with a moisture-resistant protective film. It is preferable that it is a manufacturing method of the aspect which has the process to coat | cover.

ここで、“ロール・トゥ・ロール(roll to roll)”方式とは、ロール状の支持体等の基材を断裁(裁断)せずに供給し連続加工する方式をいう。   Here, the “roll to roll” method refers to a method in which a substrate such as a roll-shaped support is supplied and continuously processed without being cut (cut).

また、本発明に係るシンチレータパネルの製造方法は、真空容器内に蒸発源及び支持体回転機構を有する蒸着装置を用いて、支持体を前記支持体回転機構に設置して、当該支持体を回転しながら蛍光体材料を蒸着する工程を含む気相堆積法により、蛍光体層を形成する態様の製造方法であることが好ましい。   The scintillator panel manufacturing method according to the present invention uses a vapor deposition apparatus having an evaporation source and a support rotation mechanism in a vacuum vessel, and installs the support on the support rotation mechanism, and rotates the support. However, it is preferable that the phosphor layer is formed by a vapor deposition method including a step of vapor-depositing the phosphor material.

以下、本発明の実施形態について、図1を参照しながら説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

〈シンチレータパネルの製造装置〉
図1は、本発明に係るシンチレータパネルの製造装置1の概略構成図である。図1に示すように、シンチレータパネルの製造装置1は真空容器2を備えており、真空容器2には真空容器2の内部の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ3が備えられている。
<Scintillator panel manufacturing equipment>
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a scintillator panel manufacturing apparatus 1 according to the present invention. As shown in FIG. 1, the scintillator panel manufacturing apparatus 1 includes a vacuum container 2, and the vacuum container 2 includes a vacuum pump 3 that exhausts the inside of the vacuum container 2 and introduces the atmosphere.

真空容器2の内部の上面付近には、支持体4を保持する支持体ホルダ5が設けられている。   A support holder 5 that holds the support 4 is provided in the vicinity of the upper surface inside the vacuum vessel 2.

支持体4の表面には、蛍光体層が気相堆積法によって形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。   A phosphor layer is formed on the surface of the support 4 by a vapor deposition method. As the vapor deposition method, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like can be used. In the present invention, the vapor deposition method is particularly preferable.

支持体ホルダ5は、支持体4のうち前記蛍光体層を形成する面が真空容器2の底面に対向し、かつ、真空容器2の底面と平行となるように支持体4を保持する構成となっている。   The support holder 5 is configured to hold the support 4 so that the surface of the support 4 on which the phosphor layer is formed faces the bottom surface of the vacuum vessel 2 and is parallel to the bottom surface of the vacuum vessel 2. It has become.

また、支持体ホルダ5には、支持体4を加熱する加熱ヒータ(図示せず)を備えることが好ましい。この加熱ヒータで支持体4を加熱することによって、支持体4の支持体ホルダ5に対する密着性の強化や、前記蛍光体層の膜質調整を行う。また、支持体4の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体4の表面と前記蛍光体との間に不純物層が発生することを防止する。   The support holder 5 is preferably provided with a heater (not shown) for heating the support 4. By heating the support 4 with this heater, the adhesion of the support 4 to the support holder 5 is enhanced and the film quality of the phosphor layer is adjusted. Further, the adsorbate on the surface of the support 4 is removed and removed, and an impurity layer is prevented from being generated between the surface of the support 4 and the phosphor.

また、加熱手段として温媒又は熱媒を循環させるための機構(図示せず)を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体4の温度を50〜150℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。   Moreover, you may have a mechanism (not shown) for circulating a heating medium or a heating medium as a heating means. This means is suitable for the case where vapor deposition is performed while keeping the temperature of the support 4 at a relatively low temperature of 50 to 150 ° C. during the vapor deposition of the phosphor.

また、加熱手段としてハロゲンランプ(図示せず)を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体4の温度を150℃以上といった比較的高温に保持して蒸着する場合に適している。   Moreover, you may have a halogen lamp (not shown) as a heating means. This means is suitable for the case where vapor deposition is performed while keeping the temperature of the support 4 at a relatively high temperature such as 150 ° C. or higher during vapor deposition of the phosphor.

さらに、支持体ホルダ5には、支持体4を水平方向に回転させる支持体回転機構6が設けられている。支持体回転機構6は、支持体ホルダ5を支持すると共に支持体4を回転させる支持体回転軸7及び真空容器2の外部に配置されて支持体回転軸7の駆動源となるモータ(図示せず)から構成されている。   Further, the support holder 5 is provided with a support rotating mechanism 6 that rotates the support 4 in the horizontal direction. The support rotating mechanism 6 supports the support holder 5 and rotates the support 4 and a motor (not shown) that is disposed outside the vacuum vessel 2 and serves as a drive source for the support rotating shaft 7. Z).

また、真空容器2の内部の底面付近には、支持体4に垂直な中心線を中心とした円の円周上の互いに向かい合う位置に蒸発源8a,8bが配置されている。この場合において、支持体4と蒸発源8a,8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。また、支持体4に垂直な中心線と蒸発源8a,8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。   Further, near the bottom surface inside the vacuum vessel 2, evaporation sources 8 a and 8 b are arranged at positions facing each other on the circumference of a circle centering on a center line perpendicular to the support 4. In this case, the distance between the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, and more preferably 200 to 1000 mm. The distance between the center line perpendicular to the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, more preferably 200 to 1000 mm.

なお、本発明に係るシンチレータパネル製造装置においては3個以上の多数の蒸発源を設けることも可能であり、各々の蒸発源は等間隔に配置してもよく、間隔を変えて配置してもよい。また、支持体4に垂直な中心線を中心とした円の半径は任意に定めることができる。   In the scintillator panel manufacturing apparatus according to the present invention, it is possible to provide a large number of three or more evaporation sources, and the respective evaporation sources may be arranged at equal intervals or at different intervals. Good. Further, the radius of a circle centered on the center line perpendicular to the support 4 can be arbitrarily determined.

蒸発源8a,8bは、前記蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、前記蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から直接電流を流し抵抗加熱する方法や、周りのヒーターでるつぼを間接的に抵抗加熱する方法が好ましい。また、蒸発源8a,8bは分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。   The evaporation sources 8a and 8b contain the phosphor and heat it by a resistance heating method. Therefore, the evaporation sources 8a and 8b may be composed of an alumina crucible wound with a heater, a boat or a heater made of a refractory metal. May be. Further, the method of heating the phosphor may be a method such as heating by an electron beam or heating by high frequency induction other than the resistance heating method, but in the present invention, it is relatively easy to handle, inexpensive, and In view of the fact that it can be applied to a large number of substances, a method in which a direct current is passed and resistance heating is performed, and a method in which a crucible is indirectly resistance heated with a surrounding heater is preferable. The evaporation sources 8a and 8b may be molecular beam sources by a molecular source epitaxial method.

また、蒸発源8a,8bと支持体4との間には、蒸発源8a,8bから支持体4に至る空間を遮断するシャッタ9が水平方向に開閉自在に設けられており、このシャッタ9によって、蒸発源8a,8bにおいて前記蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体4に付着するのを防ぐことができるようになっている。   Further, a shutter 9 that blocks the space from the evaporation sources 8a and 8b to the support 4 is provided between the evaporation sources 8a and 8b and the support 4 so as to be openable and closable in the horizontal direction. In the evaporation sources 8a and 8b, substances other than the target substance attached to the surface of the phosphor can be prevented from evaporating at the initial stage of vapor deposition and adhering to the support 4.

〈シンチレータパネルの製造方法〉
次に、上述のシンチレータパネル製造装置1を用いた本発明のシンチレータパネルの製造方法について説明する。
<Manufacturing method of scintillator panel>
Next, the manufacturing method of the scintillator panel of this invention using the above-mentioned scintillator panel manufacturing apparatus 1 is demonstrated.

まず、支持体ホルダ5に支持体4を取付ける。また、真空容器2の底面付近において、支持体4に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸発源8a,8bを配置する。この場合において、支持体4と蒸発源8a,8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。また、支持体4に垂直な中心線と蒸発源8a,8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。   First, the support 4 is attached to the support holder 5. Further, in the vicinity of the bottom surface of the vacuum vessel 2, the evaporation sources 8 a and 8 b are arranged on the circumference of a circle centering on the center line perpendicular to the support 4. In this case, the distance between the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, and more preferably 200 to 1000 mm. The distance between the center line perpendicular to the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, more preferably 200 to 1000 mm.

次いで、真空容器2の内部を真空排気し、1×10−2〜10Pa程度の中真空度にする。好ましくは1×10−2〜1Paの真空度にする。更に好ましくは、装置内を排気して1×10−5〜1×10−2Pa程度の高真空度とした後、Arガス、Neガス、Nガスなどの不活性ガスを導入して上記中真空度にする。Next, the inside of the vacuum vessel 2 is evacuated to a medium vacuum degree of about 1 × 10 −2 to 10 Pa. Preferably, the degree of vacuum is 1 × 10 −2 to 1 Pa. More preferably, after exhausting the inside of the apparatus to a high vacuum degree of about 1 × 10 −5 to 1 × 10 −2 Pa, an inert gas such as Ar gas, Ne gas, N 2 gas is introduced to Use a medium vacuum.

その後、支持体回転機構6により支持体ホルダ5を蒸発源8a,8bに対して回転させ、加熱した蒸発源8a,8bから前記蛍光体を蒸発させて、支持体4の表面に前記蛍光体を所望の厚さに成長させる。これにより、装置内の水分圧や酸素分圧等を下げることができる。排気装置としては、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ディフュージョンポンプ、メカニカルブースタ等を適宜組み合わせて用いることができる。   Thereafter, the support holder 5 is rotated with respect to the evaporation sources 8 a and 8 b by the support rotation mechanism 6, the phosphor is evaporated from the heated evaporation sources 8 a and 8 b, and the phosphor is placed on the surface of the support 4. Grow to desired thickness. Thereby, the water pressure, oxygen partial pressure, etc. in the apparatus can be lowered. As the exhaust device, a rotary pump, a turbo molecular pump, a cryopump, a diffusion pump, a mechanical booster, or the like can be used in appropriate combination.

なお、支持体4の表面に前記蛍光体を成長させる工程を複数回に分けて行って前記蛍光体層を形成することも可能である。   The phosphor layer may be formed by performing the process of growing the phosphor on the surface of the support 4 in a plurality of times.

また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体(支持体4、保護層又は中間層)を冷却あるいは加熱しても良い。   In the vapor deposition method, the vapor-deposited body (support 4, protective layer, or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary during vapor deposition.

さらに、蒸着終了後、前記蛍光体層を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてO、Hなどのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。Further, after the vapor deposition, the phosphor layer may be heat-treated. In the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed in which vapor deposition is performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.

形成する前記蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的により、また前記蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50〜2000μmであり、好ましくは50〜1000μmであり、さらに好ましくは100〜800μmである。   The thickness of the phosphor layer to be formed is 50 to 2000 μm, preferably 50 to 1000 μm from the viewpoint of obtaining the effects of the present invention, although it varies depending on the purpose of use of the radiation image conversion panel and the kind of the phosphor. More preferably, it is 100-800 micrometers.

また、前記蛍光体層が形成される支持体4の温度は、室温(rt)〜300℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは50〜250℃である。   Moreover, it is preferable to set the temperature of the support body 4 in which the said phosphor layer is formed to room temperature (rt) -300 degreeC, More preferably, it is 50-250 degreeC.

以上のようにして前記蛍光体層を形成した後、必要に応じて、前記蛍光体層の支持体4とは反対の側の面に、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための保護層を設けてもよい。保護層は、保護層用の塗布液を前記蛍光体層の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した保護層を前記蛍光体層に接着してもよい。これらの保護層の層厚は0.1μm〜2000μmが好ましい。   After the phosphor layer is formed as described above, the phosphor layer is physically or chemically protected on the surface of the phosphor layer opposite to the support 4 as necessary. A protective layer may be provided. The protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer to the surface of the phosphor layer, or a protective layer separately formed in advance may be adhered to the phosphor layer. The thickness of these protective layers is preferably 0.1 μm to 2000 μm.

また、保護層は蒸着法、スパッタリング法などにより、SiC、SiO、SiN、Alなどの無機物質を積層して形成してもよい。The protective layer may be formed by laminating inorganic substances such as SiC, SiO 2 , SiN, and Al 2 O 3 by vapor deposition, sputtering, or the like.

本発明においては、保護層の外に、上記の各種機能層を設けることが好ましい。   In the present invention, it is preferable to provide the above various functional layers in addition to the protective layer.

以上のシンチレータパネルの製造装置1又は製造方法によれば、複数の蒸発源8a,8bを設けることによって蒸発源8a,8bの蒸気流が重なり合う部分が整流化され、支持体4の表面に蒸着する前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。このとき、多数の蒸発源を設けるほど多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲において前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。また、蒸発源8a,8bを支持体4に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置することによって、蒸気流の整流化によって結晶性が均一になるという作用を、支持体4の表面において等方的に得ることができる。   According to the scintillator panel manufacturing apparatus 1 or the manufacturing method described above, by providing the plurality of evaporation sources 8 a and 8 b, the overlapping portions of the vapor sources 8 a and 8 b are rectified and deposited on the surface of the support 4. The crystallinity of the phosphor can be made uniform. At this time, as the number of evaporation sources is increased, the vapor flow is rectified at more locations, so that the crystallinity of the phosphor can be made uniform in a wider range. Further, by disposing the evaporation sources 8a and 8b on the circumference of a circle having a center line perpendicular to the support 4 as a center, the effect that the crystallinity becomes uniform due to the rectification of the vapor flow is provided. Can be obtained isotropically on the surface.

また、支持体回転機構6によって支持体4を回転しながら前記蛍光体の蒸着を行うことによって、支持体4の表面に均一に前記蛍光体を蒸着させることができる。   Further, the phosphor can be uniformly deposited on the surface of the support 4 by performing the vapor deposition of the phosphor while rotating the support 4 by the support rotating mechanism 6.

以上述べたように本発明に係るシンチレータパネル製造装置1又は製造方法によれば、支持体4の表面において、前記蛍光体の結晶性が均一となるように前記蛍光体層を成長させることによって、前記蛍光体層の感度ムラを低下させ、本発明に係るシンチレータパネルを用いた放射線画像変換パネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。   As described above, according to the scintillator panel manufacturing apparatus 1 or the manufacturing method according to the present invention, by growing the phosphor layer on the surface of the support 4 so that the crystallinity of the phosphor is uniform, Sensitivity unevenness of the phosphor layer can be reduced, and the sharpness of the radiographic image obtained from the radiographic image conversion panel using the scintillator panel according to the present invention can be improved.

また、支持体4に蒸着する前記蛍光体の入射角を所定の範囲に制限して輝尽性蛍光体の入射角のばらつきを防ぐことによって、蛍光体の結晶性をより均一にして、放射線画像変換パネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。   Further, by limiting the incident angle of the phosphor deposited on the support 4 to a predetermined range to prevent variations in the incident angle of the stimulable phosphor, the crystallinity of the phosphor is made more uniform, and the radiation image The sharpness of the radiation image obtained from the conversion panel can be improved.

なお、以上は支持体ホルダ5が支持体回転機構6を備える場合について説明したが、本発明は必ずしもこれに限らず、支持体ホルダ5が支持体4を保持して静止した状態で蒸着を行う場合や、支持体4を蒸発源8a,8bに対して水平方向に移動させることによって蒸発源8a,8bからの前記蛍光体を蒸着させる場合などにおいても適用可能である。   In addition, although the above demonstrated the case where the support body holder 5 was equipped with the support body rotation mechanism 6, this invention is not necessarily restricted to this, It vapor-deposits in the state which the support body holder 5 hold | maintained the support body 4 and was still. The present invention is also applicable to the case where the phosphor from the evaporation sources 8a and 8b is deposited by moving the support 4 in the horizontal direction with respect to the evaporation sources 8a and 8b.

(断裁)
本発明においては、蛍光体層を蒸着した後、蛍光体層及び支持体を所定のサイズに断裁することができる。本発明のシンチレータパネルにおいては、支持体、蛍光体層、金属薄膜層の平面方向のサイズが全て同じである態様の断裁をすることができることを特徴とする。
(Cutting)
In the present invention, after the phosphor layer is deposited, the phosphor layer and the support can be cut into a predetermined size. The scintillator panel of the present invention is characterized in that it can be cut in such a manner that the support, the phosphor layer, and the metal thin film layer all have the same size in the plane direction.

支持体上に蛍光体層を蒸着し、所定のサイズに断裁する方法として、特開平2−58000号公報に開示されている装置を用いての打ち抜き断裁、更にはレーザ光による断裁がある。   As a method of depositing a phosphor layer on a support and cutting it to a predetermined size, there are punching cutting using an apparatus disclosed in JP-A-2-58000, and further cutting by laser light.

レーザ光による断裁において、用いることのできるレーザには特に制限はなく、例えば、Nd:YAG、Nd:ガラス、Nd:YLF、Nd:BEL、Nd:YVO、LNP、Ti:サファイヤ、アレキサンドライト、Co−MgF、Cr−GSGG、エメラルド、プロフスカイト、Er−YLF、Er−ガラス等の赤外線レーザ、ルビー、He−Ne、CO、Arイオン、He−Cd、Cu、Au、Sr、Krイオン、Neイオン,Xeイオン、CO、ハロゲン化水素、O−I、Dye、Nd:YAGの第二次高調波及び第三次高調波等の可視光レーザ、ArFエキシマ、KrFエキシマ、XeFエキシマ、ArClエキシマ、KrClエキシマ、XeClエキシマ、N、Au、Nd:YAGの第四次高調波等の紫外線レーザ等を用いることができるが、中でもYAG−UVレーザが好ましい。There are no particular limitations on the laser that can be used for cutting with laser light. For example, Nd: YAG, Nd: glass, Nd: YLF, Nd: BEL, Nd: YVO 4 , LNP, Ti: sapphire, alexandrite, Co MgF 2, Cr-GSGG, Emerald, Prof Sky DOO, Er-YLF, Er- infrared laser such as glass, ruby, He-Ne, CO 2, Ar ion, He-Cd, Cu, Au , Sr, Kr ion , Ne ion, Xe ion, CO, hydrogen halide, O 2 -I, Dye, Nd: visible light laser such as second harmonic and third harmonic of YAG, ArF excimer, KrF excimer, XeF excimer, UV light such as ArCl excimer, KrCl excimer, XeCl excimer, N 2 , Au, Nd: YAG fourth harmonic Among them, a YAG-UV laser is preferable.

(放射線画像検出器)
本発明のシンチレータパネルを用いた放射線画像検出器は、支持体上に金属反射層等の機能層を介して気相堆積法により蛍光体層を設けてなるシンチレータパネルに、フォトダイオード等の光電変換素子とTFT(Thin Film Transistor)又はCCD(Charge Coupled Devices)からなる画素を2次元状に配置した光電変換素子を接着あるいは密着させることで放射線画像検出器としても良い。
(Radiation image detector)
The radiation image detector using the scintillator panel of the present invention is a photoelectric conversion device such as a photodiode in a scintillator panel in which a phosphor layer is provided by vapor phase deposition on a support through a functional layer such as a metal reflection layer. A radiographic image detector may be formed by adhering or closely adhering a photoelectric conversion element in which two-dimensionally arranged pixels including an element and a TFT (Thin Film Transistor) or a CCD (Charge Coupled Devices) are arranged.

すなわち、本発明の放射線画像検出器は、基本的構成として、蛍光体層と2次元状に複数の受光画素が配置された光電変換素子を備えた態様の放射線画像検出器であることを要する。これにより、光電変換素子が蛍光体層からの発光を電荷に変換することで画像をデジタルデータ化することが可能となる。   That is, the radiographic image detector of the present invention needs to be a radiographic image detector having a phosphor layer and a photoelectric conversion element in which a plurality of light receiving pixels are arranged two-dimensionally as a basic configuration. As a result, the photoelectric conversion element converts the light emitted from the phosphor layer into electric charges, whereby the image can be converted into digital data.

なお、本発明に係る光電変換素子の蛍光体層に対向する最表面の表面平均粗さ(Ra)は、0.001〜0.5μmであることが好ましい。このため、ガラス表面に光電変換素子を形成後、表面にポリエステルやアクリルと言った有機樹脂膜を形成し、フォトエッチング法により表面粗さを制御することにより当該要件を満たすように調整することが好ましい。光電変換素子の表面平均粗さ(Ra)は0.001〜0.1μmであることが好ましく、0.001〜0.05μmであることがより好ましい。   In addition, it is preferable that the surface average roughness (Ra) of the outermost surface facing the fluorescent substance layer of the photoelectric conversion element which concerns on this invention is 0.001-0.5 micrometer. For this reason, after forming a photoelectric conversion element on the glass surface, an organic resin film such as polyester or acrylic is formed on the surface, and the surface roughness is controlled by a photoetching method so that the requirements can be adjusted. preferable. The surface average roughness (Ra) of the photoelectric conversion element is preferably 0.001 to 0.1 μm, and more preferably 0.001 to 0.05 μm.

本発明の放射線画像検出器は、シンチレータパネルが、光電変換素子に弾力部材(例えば、スポンジ、バネ等)により押しつけられ密着している態様であることが好ましい。また、シンチレータパネルが、当該シンチレータパネルと前記固体光電変換素子との間隙の気体の減圧により、当該固体光電変換素子に密着し、かつ周辺を密着シール部材でシールされている態様であることも好ましい。当該密着シール部材が、紫外線硬化型樹脂であることが好ましい。   The radiation image detector of the present invention is preferably in a mode in which the scintillator panel is pressed and adhered to the photoelectric conversion element by an elastic member (for example, sponge, spring, etc.). In addition, it is also preferable that the scintillator panel is in an embodiment in which the scintillator panel is in close contact with the solid photoelectric conversion element by reducing the gas in the gap between the scintillator panel and the solid photoelectric conversion element, and the periphery is sealed with a close seal member. . The close seal member is preferably an ultraviolet curable resin.

更に、当該シンチレータパネルが蛍光体層を有し、かつ当該蛍光体層が受光素子に直接的に密着している態様であることも好ましい。   Furthermore, it is also preferable that the scintillator panel has a phosphor layer, and the phosphor layer is in direct contact with the light receiving element.

紫外線硬化型樹脂としては、特に制限はなく、従来使用されているものの中から、適宜選択して用いることができる。この紫外線硬化型樹脂は、光重合性プレポリマー、又は光重合性モノマー、光重合開始剤や光増感剤を含有するものである。   There is no restriction | limiting in particular as ultraviolet curable resin, It can select and use suitably from what is used conventionally. This ultraviolet curable resin contains a photopolymerizable prepolymer, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator or a photosensitizer.

前記光重合性プレポリマーとしては、例えばポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリオールアクリレート系等が挙げられる。これらの光重合性プレポリマーは1種用いても良いし、2種以上を組み合わせて用いても良い。また,光重合性モノマーとしては、例えばポリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Examples of the photopolymerizable prepolymer include polyester acrylate, epoxy acrylate, urethane acrylate, and polyol acrylate. These photopolymerizable prepolymers may be used alone or in combination of two or more. Examples of the photopolymerizable monomer include polymethylolpropane tri (meth) acrylate, hexanediol (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, Examples include dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and neopentyl glycol di (meth) acrylate.

本発明においては、プレポリマーとしてウレタンアクリレート系、モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等を用いることが好ましい。   In the present invention, it is preferable to use urethane acrylate as the prepolymer and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate as the monomer.

光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α−アミロキシムエステル、テトラメチルチュウラムモノサルファイド、チオキサントン類等が挙げられる。また、光増感剤としてn−ブチルアミン、トリエチルアミン、ポリ−n−ブチルホスフィン等を混合して用いることができる。   Examples of the photopolymerization initiator include acetophenones, benzophenones, α-amyloxime esters, tetramethylchuram monosulfide, thioxanthones, and the like. Further, n-butylamine, triethylamine, poly-n-butylphosphine and the like can be mixed and used as a photosensitizer.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

(下引き層及び金属反射層を有するロール状支持体の作製)
厚さ125μm、幅1m、長さ100mのポリイミドフィルム(宇部興産製ユーピレックスS)をロール・トゥ・ロール(roll to roll)方式で供給し、その上に70nm(700Å)になるように銀をスパッタリングして金属反射層を形成し、同時に銀をスパッタリングしたポリイミドフィルムの反対の面にAlを表1に記載の厚さにスパッタリングして金属薄膜層を形成した。続いてグラビアコーターを用いてメチルエチルケトンに溶解したポリエステル樹脂(東洋紡製バイロン200)を塗布、乾燥することにより下引き層3.0μm(乾燥膜厚)を設けた。その後、断裁することにより金属薄膜層、金属反射層及び下引き層が形成された支持体を作製した。
(Preparation of a roll-shaped support having an undercoat layer and a metal reflective layer)
A 125 μm thick, 1 m wide, 100 m long polyimide film (Ube Industries Upilex S) is supplied in a roll-to-roll manner, and then silver is sputtered to a thickness of 70 nm (700 mm). Then, a metal reflection layer was formed, and at the same time, Al was sputtered to a thickness shown in Table 1 on the opposite surface of the polyimide film on which silver was sputtered to form a metal thin film layer. Subsequently, a polyester resin dissolved in methyl ethyl ketone (Byonbo Byron 200) was applied using a gravure coater and dried to provide an undercoat layer of 3.0 μm (dry film thickness). Then, the support body in which the metal thin film layer, the metal reflection layer, and the undercoat layer were formed by cutting was produced.

なお、各金属薄膜層の透湿度(JIS Z0208に準じて測定)は、温度40℃・相対湿度90%下で、50g/m・24h以下であった。The moisture permeability (measured according to JIS Z0208) of each metal thin film layer was 50 g / m 2 · 24 h or less at a temperature of 40 ° C. and a relative humidity of 90%.

(蛍光体層の形成)
支持体表面に蛍光体(CsI:0.003Tl;1モルのCsIに対し0.003モルのTlの比率)を、蒸着装置を使用して蒸着させ、蛍光体層を形成した。すなわち、この蛍光体原料(CsIとTlI)を蒸着材料として抵抗加熱ルツボ(ボート)に充填し、また回転する基板ホルダの金属製の枠に支持体を設置し、支持体と蒸発源との間隔を400mmに調節した。
(Formation of phosphor layer)
A phosphor (CsI: 0.003 Tl; a ratio of 0.003 mol of Tl to 1 mol of CsI) was vapor-deposited on the surface of the support using a vapor deposition apparatus to form a phosphor layer. That is, the phosphor material (CsI and TlI) is filled in a resistance heating crucible (boat) as an evaporation material, and a support is placed on a metal frame of a rotating substrate holder, and the distance between the support and the evaporation source is set. Was adjusted to 400 mm.

続いて、蒸着装置内を一旦排気し、Arガスを導入して0.5Paに真空度を調整した後、10rpmの速度で基板を回転しながら支持体温度を200℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボ(ボート)を加熱して蛍光体を蒸着し、厚さが350μmとなったところで蒸着を終了させ、蛍光体層が形成された支持体を得た。   Subsequently, the inside of the vapor deposition apparatus was once evacuated, Ar gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.5 Pa, and then the support temperature was maintained at 200 ° C. while rotating the substrate at a speed of 10 rpm. Next, the resistance heating crucible (boat) was heated to deposit a phosphor, and when the thickness reached 350 μm, the deposition was terminated to obtain a support on which the phosphor layer was formed.

(耐湿性保護膜の作製)
上記蛍光体層が形成された支持体をCVD装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレンの原料が昇華した蒸気中に露出させておくことにより、蛍光体層表面と蛍光体層、支持体の側面が10μmの厚さのポリパラキシリレン膜で被服されたシンチレータパネルを得た。
(Preparation of moisture-resistant protective film)
The support on which the phosphor layer is formed is placed in a vapor deposition chamber of a CVD apparatus, and exposed to the vapor in which the polyparaxylylene raw material is sublimated, so that the phosphor layer surface, the phosphor layer, and the support A scintillator panel having a side coated with a polyparaxylylene film having a thickness of 10 μm was obtained.

本発明によれば、支持体の蛍光体層形成面の反対側はスパッタリング法によりロール・トゥ・ロール方式で形成された金属薄膜層によって防湿性能が既に得られているため、耐湿性保護膜を蛍光体層形成面の反対側に形成する必要が無い。つまり、蛍光体形成面に耐湿性保護膜を形成後、裏返して再度耐湿性保護膜を形成する、又は、耐湿性保護膜が形成されなかった支持体保持部に再度耐湿性保護膜を形成する、さらには、特許文献4に開示されているような袋状の耐湿性保護膜を作製して内包し接着するといったことが必要ないため、製造工程の簡略化を図ることができる。また、本発明のシンチレータパネルにおいては、支持体、蛍光体層、金属薄膜層の平面方向のサイズが全て同じである態様の断裁をすることができる。   According to the present invention, the moisture-proof protective film is provided on the side opposite to the phosphor layer-forming surface of the support because the moisture-proof performance has already been obtained by the metal thin film layer formed by the roll-to-roll method by sputtering. There is no need to form it on the opposite side of the phosphor layer forming surface. That is, after forming a moisture-resistant protective film on the phosphor-forming surface, turn it over and again form a moisture-resistant protective film, or form a moisture-resistant protective film again on the support holding portion where the moisture-resistant protective film was not formed. Furthermore, since it is not necessary to produce a bag-like moisture-resistant protective film as disclosed in Patent Document 4 and enclose and bond it, the manufacturing process can be simplified. Further, in the scintillator panel of the present invention, it is possible to perform cutting in such a manner that the sizes of the support, the phosphor layer, and the metal thin film layer in the planar direction are all the same.

以下、得られたシンチレータパネルの評価を行った。   Hereinafter, the obtained scintillator panel was evaluated.

〈鮮鋭性〉
鉛製のMTFチャートを通して管電圧80kVpのX線を各試料の裏面(蛍光体層が形成されていない面)から照射し、画像データを、上記シンチレータパネルとCMOSフラットパネルとで構成した放射線画像検出器で検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたX線像の変調伝達関数MTF(空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値)を鮮鋭性の指標とした。表中、MTF値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。MTFはModulation Transfer Functionの略号を示す。
<Sharpness>
X-ray with tube voltage of 80 kVp is irradiated from the back side of each sample (surface on which no phosphor layer is formed) through a lead MTF chart, and the radiation image detection is configured by the scintillator panel and the CMOS flat panel. Detected by the instrument and recorded on the hard disk. Thereafter, the recording on the hard disk was analyzed by a computer, and the modulation transfer function MTF (MTF value at a spatial frequency of 1 cycle / mm) of the X-ray image recorded on the hard disk was used as an index of sharpness. In the table, the higher the MTF value, the better the sharpness. MTF is an abbreviation for Modulation Transfer Function.

〈耐湿性〉
上記MTF測定の方法に従い、各試料の裏面から80kVのX線を照射し、初期のMTFを測定した。各サンプルを65℃、85%、3日保存し、保存後同様の撮影を行い、初期とのMTFを比較した。保存後のMTFが初期の80%より大きければ使用可能である。なお、MTFの比の計算には1cycle/mmの値を用いた。
<Moisture resistance>
According to the above MTF measurement method, 80 kV X-rays were irradiated from the back surface of each sample, and the initial MTF was measured. Each sample was stored at 65 ° C., 85% for 3 days, and after the storage, the same image was taken, and the initial MTF was compared. If the MTF after storage is larger than the initial 80%, it can be used. A value of 1 cycle / mm was used for the calculation of the MTF ratio.

以上により、本発明によれば、生産工程を簡略化し、尚且つ耐湿性に優れたシンチレータパネルが得られることがわかる。   From the above, it can be seen that according to the present invention, a scintillator panel that simplifies the production process and has excellent moisture resistance can be obtained.

1 シンチレータパネルの製造装置
2 真空容器
3 真空ポンプ
4 支持体
5 支持体ホルダ
6 支持体回転機構
7 支持体回転軸
8 蒸発源
9 シャッタ
10 シンチレータパネル
11 耐湿性保護膜
12 蛍光体層
13 下引き層
14 金属反射層
15 支持体
16 金属薄膜層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Manufacturing apparatus of scintillator panel 2 Vacuum container 3 Vacuum pump 4 Support body 5 Support body holder 6 Support body rotating mechanism 7 Support body rotating shaft 8 Evaporation source 9 Shutter 10 Scintillator panel 11 Moisture-resistant protective film 12 Phosphor layer 13 Undercoat layer 14 Metal Reflective Layer 15 Support 16 Metal Thin Film Layer

Claims (10)

支持体上に放射線を光に変換する蛍光体層を設けたシンチレータパネルであって、当該支持体がロール状シンチレータパネル用支持体を所定のサイズに断裁したものであり、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面に厚さが1〜500nmの範囲内にある金属薄膜層を有し、かつ当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体の側面が耐湿性保護膜で覆われており、
前記蛍光体層に用いられる蛍光体が、気相堆積法により形成された柱状結晶の蛍光体であることを特徴とするシンチレータパネル。
A scintillator panel having a phosphor layer that converts the radiation into light to the support is obtained by cutting the support Gallo Lumpur shaped scintillator panel support in a predetermined size, of the support A metal thin film layer having a thickness in the range of 1 to 500 nm is provided on the surface opposite to the surface having the phosphor layer, and the light emitting surface and side surface of the phosphor layer and the side surface of the support are moisture resistant. Covered with a protective film ,
A scintillator panel, wherein the phosphor used in the phosphor layer is a columnar crystal phosphor formed by a vapor deposition method .
前記支持体が、可撓性高分子フィルムからなることを特徴とする請求項に記載のシンチレータパネル。 The scintillator panel according to claim 1 , wherein the support is made of a flexible polymer film. 前記耐湿性保護膜が、気相堆積法によって形成された有機膜であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシンチレータパネル。 The scintillator panel according to claim 1 or 2, wherein the moisture-resistant protective film is an organic film formed by a vapor deposition method. 前記金属薄膜層の透湿度が、温度40℃・相対湿度90%下で、50g/m2・24h以下であることを特徴とする請求項から請求項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 Moisture permeability of the metal thin film layer is 90% under a temperature 40 ° C. · relative humidity, the scintillator according to any one of claims 1 to 3, characterized in that not more than 50g / m2 · 24h panel. 前記金属薄膜層が、少なくともアルミニウム(Al)若しくは銀(Ag)のいずれかを含有すること、又はアルミニウムを含む合金若しくは銀を含む合金を含有することを特徴とする請求項から請求項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 The metal thin film layer is at least aluminum (Al) or silver (Ag) of which contains one or aluminum claim 1, characterized in that it contains an alloy containing alloy or silver containing up to claim 4 The scintillator panel according to any one of the above. 前記金属薄膜層上に高分子材料からなる下引き層を有することを特徴とする請求項から請求項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 The scintillator panel according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it comprises a subbing layer made of a polymer material on the metal thin film layer. 前記蛍光体層が、ヨウ化セシウムと、タリウムを含む添加剤とを原材料として形成されたことを特徴とする請求項から請求項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 The phosphor layer, a scintillator panel according to any one of the cesium iodide, from claim 1, characterized in that the additive comprising thallium formed as raw materials to claim 6. 支持体上に放射線を光に変換する蛍光体層を設けたシンチレータパネルの製造方法であって、当該支持体をロール・トゥ・ロール方式で供給し、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面上に金属薄膜層を連続的に形成する工程を有し、かつ当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体側面を耐湿性保護膜で被覆する工程を有し、
前記蛍光体層が用いられる蛍光体が、気相堆積法により形成された柱状結晶の蛍光体であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
A method of manufacturing a scintillator panel in which a phosphor layer for converting radiation into light is provided on a support, the support being supplied in a roll-to-roll manner, and the surface of the support having the phosphor layer the metal thin film layer has a continuously formed to process, and have a step of coating a light emitting surface and the side surfaces and the support side surface of the phosphor layer with moisture-resistant protective film on the opposite side of,
A method of manufacturing a scintillator panel, wherein the phosphor using the phosphor layer is a columnar crystal phosphor formed by a vapor deposition method.
請求項に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、前記金属薄膜層と金属反射層を同時に形成する工程を有することを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 9. The method of manufacturing a scintillator panel according to claim 8 , further comprising the step of simultaneously forming the metal thin film layer and the metal reflective layer. 請求項から請求項までのいずれか一項に記載のシンチレータパネルを用いたことを特徴とする放射線画像検出器。 Radiographic image detector characterized by using the scintillator panel according to any one of claims 1 to 7.
JP2011543232A 2009-11-26 2010-11-19 Scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation image detector Expired - Fee Related JP5668691B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011543232A JP5668691B2 (en) 2009-11-26 2010-11-19 Scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation image detector

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009268561 2009-11-26
JP2009268561 2009-11-26
PCT/JP2010/070676 WO2011065302A1 (en) 2009-11-26 2010-11-19 Support for roll-shaped scintillator panel, scintillator panel and process for production thereof, and radiation image detector
JP2011543232A JP5668691B2 (en) 2009-11-26 2010-11-19 Scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation image detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011065302A1 JPWO2011065302A1 (en) 2013-04-11
JP5668691B2 true JP5668691B2 (en) 2015-02-12

Family

ID=44066407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011543232A Expired - Fee Related JP5668691B2 (en) 2009-11-26 2010-11-19 Scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation image detector

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5668691B2 (en)
WO (1) WO2011065302A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3271753A1 (en) * 2015-03-20 2018-01-24 Varex Imaging Corporation Scintillator
WO2021079567A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 浜松ホトニクス株式会社 Scintillator panel, radiation detector, scintillator panel manufacturing method, and radiation detector manufacturing method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6488635B2 (en) * 2014-10-23 2019-03-27 コニカミノルタ株式会社 Scintillator panel and radiation detector
JP6433560B1 (en) 2017-09-27 2018-12-05 浜松ホトニクス株式会社 Scintillator panel and radiation detector
JP6433561B1 (en) 2017-09-27 2018-12-05 浜松ホトニクス株式会社 Scintillator panel and radiation detector

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098299A (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd Radiological image conversion panel
JP2003167099A (en) * 2001-09-21 2003-06-13 Fuji Photo Film Co Ltd Method of manufacturing radiological image converting panel long body
JP2004325445A (en) * 2003-04-11 2004-11-18 Canon Inc Scintillator panel, radiation detector, and radiation detection system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098299A (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd Radiological image conversion panel
JP2003167099A (en) * 2001-09-21 2003-06-13 Fuji Photo Film Co Ltd Method of manufacturing radiological image converting panel long body
JP2004325445A (en) * 2003-04-11 2004-11-18 Canon Inc Scintillator panel, radiation detector, and radiation detection system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3271753A1 (en) * 2015-03-20 2018-01-24 Varex Imaging Corporation Scintillator
WO2021079567A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 浜松ホトニクス株式会社 Scintillator panel, radiation detector, scintillator panel manufacturing method, and radiation detector manufacturing method
KR20220082822A (en) 2019-10-24 2022-06-17 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 Scintillator panel, radiation detector, manufacturing method of scintillator panel, and manufacturing method of radiation detector

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2011065302A1 (en) 2013-04-11
WO2011065302A1 (en) 2011-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5402933B2 (en) Radiation image conversion panel and manufacturing method thereof
JP5720566B2 (en) Scintillator panel, scintillator panel manufacturing method, radiographic image detector, and radiographic image detector manufacturing method
JP5343970B2 (en) Radiation image detection device
JP5862302B2 (en) Radiation image conversion panel and radiation image detector using the same
JP5889531B2 (en) Manufacturing method of scintillator panel
JP5239866B2 (en) Radiation flat panel detector
JP5799953B2 (en) Flat panel detector
WO2010106884A1 (en) Scintillator panel
JP2008209195A (en) Scintillator panel and flat panel radiation detector
WO2011125383A1 (en) Method of manufacturing flat panel detector
JP5668691B2 (en) Scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation image detector
JPWO2008111379A1 (en) Scintillator panel and radiation flat panel detector
JP2009068888A (en) Flat panel detector
JPWO2008090796A1 (en) Scintillator panel and radiation flat panel detector
JP2008107279A (en) Scintillator panel
JP2008224422A (en) Scintillator panel
JP5597930B2 (en) Radiation image detection apparatus and manufacturing method thereof
JP2009002776A (en) Scintillator panel and radiation flat panel detector
JP2008111698A (en) Scintillator plate, scintillator panel, and radiation flat-panel detector using them
WO2011086987A1 (en) Radiation image sensor and method for manufacturing same
JP5267458B2 (en) Scintillator panel and radiation image sensor
WO2010010735A1 (en) Scintillator panel and radiographic image detector using the same
JP2008232781A (en) Scintillator panel and radiation image sensor
JP5369906B2 (en) Radiation image conversion panel and radiation image detection apparatus
JP2009300213A (en) Scintillator panel and radiation flat panel detector

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20130415

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140114

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20140114

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140624

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140922

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141118

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5668691

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees