JP5655421B2 - 半導体装置、表示装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置、表示装置、および電子機器に関し、有機半導体層を備えた薄膜トランジスタ構成の半導体装置、この半導体装置を備えた表示装置、および電子機器に関する。

チャネル領域が形成される活性層として有機半導体層を用いた半導体装置、いわゆる有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ：thin film transistor）は、有機半導体層に対してのゲート電極とソース電極／ドレイン電極との位置関係によって４種類に分類される。例えば有機半導体層よりも下層にゲート電極を備えたボトムゲート構造は、ソース電極／ドレイン電極が有機半導体層上に位置するトップコンタクト構造と、有機半導体層下に位置するボトムコンタクト構造の２種類がある（下記非特許文献１参照）。

このうちトップコンタクト構造は、ソース電極／ドレイン電極と有機半導体層との接触がより強固であり、非常に信頼性の高い電極構造である。

「Ａｄｖａｎｄｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」、（2002年）、vol.14、p.99

ところで一般的に、有機半導体層を用いた半導体装置においては、活性層となる有機半導体層中において電荷伝導を担うチャネル領域は、ゲート絶縁膜の界面から数分子層（〜１０ｎｍ）程度の非常に限られた領域であることが知られている。

ところが上述したボトムゲート・トップコンタクト構造の半導体装置では、ソース電極／ドレイン電極が、有機半導体層においてチャネル領域とはならない非活性な領域に接触している。このため、ソース電極／ドレイン電極とチャネル領域との間に、有機半導体層の非活性な領域が大きな抵抗成分として介在することになり、チャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減が難しい。

有機半導層を薄くすることで、この非活性な領域による抵抗を減少することが可能であるが、大面積プロセスにおいては〜１０ｎｍ程度の極薄膜を均一に成膜することは難しい。またこのような極薄膜の領域では、有機半導体層に良好な特性を得ることが困難であると共に、また成膜後の工程において有機半導体層のチャネル領域が損傷を受け易いという問題もある。

そこで本発明は、ソース電極／ドレイン電極と有機半導体層との接触が強固なトップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつコンタクト抵抗を低減し、これによって信頼性および機能性の向上が図られた半導体装置を提供することを目的とする。また本発明は、このような半導体装置を備えたことにより機能性の向上が図られた表示装置および電子機器を提供することを目的としている。

このような目的を達成するための本発明の半導体装置は、基板上のゲート電極と、このゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた有機半導体層と、さらにこの上部に設けられたソース電極およびドレイン電極を備えている。有機半導体層は、ゲート電極を幅方向に覆う状態で、ゲート絶縁膜を介して当該ゲート電極の上部に重ねて配置されている。この有機半導体層は、ゲート電極の幅方向の中央部に配置された厚膜部と、当該厚膜部よりも薄い膜厚を有して当該ゲート電極の幅方向の両端に配置された薄膜部とを有している構成が特徴的である。そして、ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極を幅方向から挟んだ状態で対向配置されると共に、有機半導体層の少なくとも薄膜部上に端部が積層されている。また特に、前記有機半導体層は、前記ゲート電極の幅の範囲内に設けられた第1層と、当該第１層を覆う状態で設けられた第２層とで構成されている。前記厚膜部は、前記第１層と第２層との積層部で構成され、前記薄膜部は、前記第２層のみで構成されている。

また本発明は、上述した本発明の半導体装置を備えた表示装置および電子機器でもある。

このような構成の半導体装置は、ボトムゲート・トップコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであるため、有機半導体層におけるゲート電極の幅方向の両端上にソース電極／ドレイン電極が積層される。このため有機半導体層との接触が強固である。また特に有機半導体層は、ゲート電極の幅方向の両端が薄膜部として形成されており、この薄膜部上にソース電極／ドレイン電極の端部が積層されている。これにより、有機半導体層においてゲート電極と積層されている部分の中央部、すなわちチャネル領域上方の膜厚を維持しつつ、チャネル領域の両端における有機半導体層を薄膜化してチャネル領域−ソース電極／ドレイン電極間の抵抗成分が低減される。

以上説明したように本発明によれば、ボトムゲート・トップコンタクト構造でありながらも、チャネル領域に対応する部分の有機半導体層の膜厚に依存せずに、チャネル領域とソース電極／ドレイン電極との間の抵抗成分を低減することができる。したがって、有機半導体層のチャネル領域に対応する部分の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図ることが可能となり、有機半導体装置の信頼性および機能性の向上を図ることができる。またこの様な構成の半導体装置を用いて構成された表示装置および電子機器の信頼性および機能性の向上を図ることが可能になる。

第１実施形態の半導体装置の構成を示す断面図および平面図である。 第１実施形態の半導体装置の製造方法（１）を示す断面工程図である。 第１実施形態の半導体装置の製造方法（２）を示す断面工程図である。 第１実施形態の半導体装置の製造方法（３）を示す断面工程図である。 第２実施形態の半導体装置の構成を示す断面図および平面図である。 第２実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す断面工程図である。 第３実施形態の半導体装置の構成を示す断面図および平面図である。 第３実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す断面工程図である。 第４実施形態の半導体装置の構成を示す断面図および平面図である。 第４実施形態の半導体装置の製造方法の特徴部を示す工程図（その１）である。 第４実施形態の半導体装置の製造方法の特徴部を示す工程図（その２）である。 第５実施形態の表示装置の一例を示す断面図である。 第５実施形態の表示装置の回路構成図である。 本発明の表示装置を用いたテレビを示す斜視図である。 本発明の表示装置を用いたデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。 本発明の表示装置を用いたノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。 本発明の表示装置を用いたビデオカメラを示す斜視図である。 本発明の表示装置を用いた携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下本発明の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。
１．第１実施形態（半導体装置の実施形態例）
２．第２実施形態（保護膜を備えた半導体装置の実施形態例）
３．第３実施形態（２層構造の有機半導体層を有する半導体装置の実施形態例）
４．第４実施形態（ソース電極／ドレイン電極とゲート電極の端部が一致している半導体装置の実施形態例）
５．第５実施形態（薄膜トランジスタを用いた表示装置への適用例）
６．第６実施形態（電子機器への適用例）
尚、第１〜第４実施形態においては、同一の構成要素には同一の符号を用いて重複する説明は省略する。

≪１．第１実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図１は、第１実施形態の半導体装置１の断面図および平面図ある。断面図は平面図におけるＡ−Ａ’断面に対応している。これらの図に示す半導体装置１は、ボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタであり、基板１１上には、一方向に延設されたゲート電極１３を覆う状態でゲート絶縁膜１５が設けられている。ゲート絶縁膜１５の上部には、有機半導体層１７が設けられている。有機半導体層１７は、ゲート電極１３の上方において島状にパターニングされ、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３上に積層された状態で設けられている。またゲート絶縁膜１５上には、ゲート電極１３を挟んで対向配置される位置にソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄが設けられている。これらのソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄは、ゲート電極１３を挟んで対向配置された縁部が、有機半導体層１７上に重ねた状態で設けられていることとする。

以上の構成において本第１実施形態では、ゲート電極１３に対する有機半導体層１７の形状が特徴的である。すなわち、有機半導体層１７は、ゲート電極１３の幅方向を覆う状態で、ゲート電極１３の上部に重ねて配置されている。つまり半導体装置１をソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄ側から平面視的に見た場合、有機半導体層１７におけるゲート電極１３の幅方向の両端縁は、ゲート電極１３の端縁よりも外側に配置されている。

この有機半導体層１７は、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７-1と、この厚膜部１７-1よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７-2とを有する。つまり、有機半導体層１７の厚膜部１７-1は、ゲート電極１３の上部においてゲート電極１３の延設方向に沿って配置されており、膜厚ｔ１を有している。一方、有機半導体層１７の薄膜部１７-2は、厚膜部１７-1からゲート電極１３の幅方向の両側に向かって延設されている。この薄膜部１７-2の膜厚は、厚膜部１７-1の膜厚ｔ1よりも薄いｔ２である。

ここで、厚膜部１７-1が配置される範囲は、ゲート電極１３の上部に限定され、ゲート電極１３の幅の範囲内において、ゲート電極１３の上部に重ねて配置されている。半導体装置１をソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄ側から平面視的に見た場合、有機半導体層１７の厚膜部１７-1におけるゲート電極１３の幅方向の両端縁は、ゲート電極１３の端縁と一致しているか、またはゲート電極１３の端縁よりも内側に位置している。ゲート電極１３の端縁と厚膜部の端縁との間隔ｄ１は、ｄ１≧０である。

一方、薄膜部１７-2が配置される範囲は、ゲート電極１３の幅方向の外側にまで達していることとする。半導体装置１をソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄ側から平面視的に見た場合、有機半導体層１７の薄膜部１７-2におけるゲート電極１３の幅方向の両端縁は、ゲート電極１３の端縁よりも外側に位置している。ゲート電極１３の端縁と薄膜部の端縁との間隔ｄ２は、ｄ２＞０である。

また有機半導体層１７は、厚膜部１７-1の膜厚ｔ１と薄膜部１７-2とで、段差を有して膜厚が異なっていれば良い。

厚膜部１７-1の膜厚ｔ１は、この半導体装置１のさらに上層を形成する際のプロセスにおいて、当該有機半導体層１７におけるゲート絶縁膜１５との界面、すなわちチャネル領域にダメージが加わることのない十分な膜厚であることとする。このような膜厚ｔ１は、有機半導体層１７を構成する材料の４〜５分子層以上の膜厚である。このため、有機半導体層１７を構成する材料にもよるが、例えば３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上である。また厚膜部１７-1は、上述した範囲であれば膜厚ｔ１が一定値である必要はなく、厚膜部１７-1が段差形状を有していたり、一部がテーパ形状であっても良い。

一方、薄膜部１７-2の膜厚ｔ２は、有機半導体層１７として機能する範囲で小さいことが好ましい。このような薄膜部の膜ｔ２厚は、有機半導体層１７を構成する材料の1分子層以上の膜厚である。また薄膜部１７-2は、膜厚ｔ２が一定値である必要はなく、端部に向かって薄膜化する段差形状を有していたり、一部がテーパ形状であっても良い。ただし、厚膜部１７-1に隣接する部分の膜厚が薄い方が好ましい。

尚、有機半導体層１７は、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが積層された部分、およびソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄで挟まれた部分において、上述した断面形状になっていれば良い。したがって、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄ脇の有機半導体層１７部分は、段差を有する断面形状でなくても良い。

またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、少なくともゲート電極１３の幅方向における有機半導体層１７の薄膜部１７-2上に積層されている。チャネル領域ｃｈに対する後プロセスでのダメージ防止の観点からは、チャネル領域ｃｈ上の薄膜部１７-2を覆う状態でソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが設けられていることが好ましい。したがって、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７における厚膜部１７-1にまで達して積層されていることが好ましい。また、ゲート電極１３とソース電極１９s／ドレイン電極１９ｄとの間の寄生容量低減の観点からは、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の厚膜部１７-1との重なり幅が小さいことが好ましい。このため、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端縁が、ゲート電極１３の端縁とが一致していることが最も好ましい。

以下、下層から順に上述した各部材を構成する材料の詳細を説明する。

＜基板１１＞
基板１１は、少なくとも表面が絶縁性に保たれていれば良く、ガラス基板のほか、プラスチック基板、金属箔基板、紙等を用いることができる。プラスチック基板であれば、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリアセタール類、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィン類等が例示される。金属箔基板であれば、アルミニウム、ニッケル、ステンレス等からなる金属箔を絶縁性の樹脂でラミネートした基板が用いられる。またこれらの基板上には、密着性や平坦性を改善するためのバッファー層、ガスバリア性を向上するためのバリア膜等の機能性膜が形成されても良い。フレキシブルな屈曲性を得るためには、プラスチック基板や金属箔を用いた基板が適用される。

＜ゲート電極１３＞
ゲート電極１３には、金属材料または有機金属材料が用いられる。金属材料であれば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｈ）、ルビジウム（Ｒｂ）等が用いられる。これらの金属材料は、単体または化合物として用いられる。有機金属材料であれば、（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホナート［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、テトラチアフルバレン／テトラシアノキノジメタン［ＴＴＦ／ＴＣＮＱ］等が用いられる。以上のようなゲート電極１３を構成する材料膜の成膜は、抵抗加熱蒸着、スパッタリング等の真空蒸着法の他，インク・ペーストを用いて上に挙げたような塗布法によっても行うことができる。また電界メッキ、無電界メッキ等のメッキ法により成膜しても良い。

＜ゲート絶縁膜１５＞
ゲート絶縁膜１５には、無機絶縁膜または有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、例えば酸化ケイ素、チッ化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム等が用いられる。これらの無機絶縁膜の成膜には、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、化学的気相成長法（ＣＶＤ）等の真空プロセスが適用される。さらにこれらの無機絶縁膜の成膜には、原料を溶解させた溶液のゾル・ゲル法を適用しても良い。一方、有機絶縁膜としては、例えばポリビニルフェノール、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ポリパラキシリレン等の高分子材料を用いることができる。これらの有機絶縁膜の成膜には、塗布法や真空プロセスが適用される。塗布法であれば、スピンコート法、エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、浸漬法等が例示される。真空プロセスであれば、化学的気相成長法や蒸着重合法等が例示される。

＜有機半導体層１７＞
有機半導体層１７を構成する材料としては、次の材料が例示される。
ポリピロールおよびポリピロール置換体、
ポリチオフェンおよびポリチオフェン置換体、
ポリイソチアナフテンなどのイソチアナフテン類、
ポリチェニレンビニレンなどのチェニレンビニレン類、
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、
ポリアニリンおよびポリアニリン置換体、
ポリアセチレン類、
ポリジアセチレン類、
ポリアズレン類、
ポリピレン類、
ポリカルバゾール類、
ポリセレノフェン類、
ポリフラン類、
ポリ（ｐ−フェニレン）類、
ポリインドール類、
ポリピリダジン類、
ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーおよび多環縮合体、
上述した材料中のポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類、
ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのアセン類、およびアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体（トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン,ペリキサンテノキサンテンなど）、さらにはこれらの水素を他の官能基で置換した誘導体、
金属フタロシアニン類、
テトラチアフルバレンおよびテトラチアフルバレン誘導体、
テトラチアペンタレンおよびテトラチアペンタレン誘導体、
ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ' −ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ' −ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ' −ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）、Ｎ，Ｎ' −ジオクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、
アントラセン２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、
Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等フラーレン類およびこれらの誘導体、
ＳＷＮＴなどのカーボンナノチューブ、
メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素とこれらの誘導体。

以上のような有機半導体材料からなる膜の成膜には、塗布法や真空プロセスが適用される。塗布法であれば、スピンコート法、エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、浸漬法等が例示される。真空プロセスであれば、抵抗過熱蒸着およびスパッタリング等の真空蒸着法が例示される。

＜ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄ＞
ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、ゲート電極１３と同様の材料を用いて構成され、特に有機半導体層１７に対してオーミック接合されるものであれば良い。

＜製造方法（１）＞
次に第１実施形態の半導体装置１の製造方法の第１例として、有機半導体材料膜上に直接レジストパターンを形成する方法を、図２の断面工程図に基づいて説明する。

先ず、図２（１）に示すように、基板１１上にゲート電極１３をパターン形成する。ここでは、上述したゲート電極１３を構成する電極材料膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法を適用してこの上部にレジストパターン（図示省略）を形成し、これをマスクにして電極材料膜をパターンエッチングすることによってゲート電極１３を得る。エッチング終了後にはレジストパターンを除去する。

次に、ゲート電極１３を覆う状態で、基板１１上の全面にゲート絶縁膜１５を成膜する。ここでは例えば、スピンコート法によって、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）からなるゲート絶縁膜１３を塗布成膜する。

次に、ゲート絶縁膜１５上に、有機半導体材料膜１７ａを成膜する。ここでは有機溶剤耐性の高い有機半導体材料を用いて有機半導体材料膜１７ａを成膜する。そこで例えばスピンコート法によって、ポリ３ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）からなる有機半導体材料膜１７ａを膜厚ｔ１（例えば５０ｎｍ）で成膜する。

その後、図２（２）に示すように、フォトリソグラフィ法を適用し、有機半導体材料膜１７ａ上にレジストパターン２１を形成する。このレジストパターン２１は、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状を有し、素子領域に形成されることとする。尚、ここで形成するレジストパターン２１として、フッ素系樹脂からなるレジスト材料を用いることが好ましい。これにより、有機半導体材料膜１７ａへのダメージを抑え、有機半導体材料膜１７ａに対してレジスト材料を選択的に溶解除去する現像処理を行うことができる。またポジ型レジストを用いることで、露光部を現像処理によって除去することが好ましい。

次に、レジストパターン２１をマスクにしたエッチングにより、有機半導体材料膜１７ａをパターンエッチングし、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状に有機半導体材料膜１７ａをパターニングする。ここでは、島状にパターニングされた有機半導体材料膜１７ａにおけるゲート電極１３の幅方向の両端縁が、ゲート電極１３の端縁よりも外側に配置され、ゲート電極１３の端縁と有機半導体材料膜１７ａの端縁との平面的な間隔ｄ２を、ｄ２＞０とすることが重要である。

このような有機半導体材料膜１７ａのエッチングは、異方性エッチングで行うことが好ましい。このようなエッチングの一例としては、例えば酸素をエッチングガスに用いたリアクティブイオンエッチング法によって行われる。

次に図２（３）に示すように、レジストパターン２１に対して、ハーフトーンマスクを用いた２度目の露光（追い露光）と現像処理を行う。これにより、ゲート電極１３の幅方向の両側において、レジストパターン２１におけるゲート電極１３の幅方向の両側をパターニング除去して細線化する。この際、例えばレジストパターン２１がポジ型レジストであれば、ゲート電極１３の幅方向の両側に対して２度目の露光を行い、露光部を現像処理によって除去する。

次いで、細線化したレジストパターン２１をマスクにして、有機半導体材料膜１７ａの上層部をエッチングする。ここでは、エッチング後に、ゲート電極１３の幅方向の両側において、有機半導体材料膜１７ａを膜厚ｔ２で残すことが重要である。さらにレジストパターン２１で覆われた有機半導体膜１７ａにおいて初期の膜厚ｔ１に保たれた厚膜部１７-1を、ゲート電極１３の幅方向の範囲内に残す。これにより、ゲート電極１３の端縁と、厚膜部１７-1の端縁との平面的な間隔ｄ１を、ｄ１≧０とすることが重要である。このような有機半導体材料膜１７ａのエッチングは、先と同様の異方性エッチングで行うことが好ましい。

以上により、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７-1と、この厚膜部１７-1よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７-2とを有する有機半導体層１７を、ゲート絶縁膜１５上に形成する。

尚、以上のエッチング終了後には有機半導体層１７に対して選択的に残りのレジストパターン２１を溶解除去する。また以上のような有機半導体層１７のパターン形成は、レジストパターン２１を用いることなく、有機半導体材料膜１７ａに対してレーザ加工を施すことによっても実施できる。この場合、レーザ出力等の調整によって有機半導体材料膜１７ａの加工深さを制御することで、２段階の膜圧ｔ１、ｔ２を有する有機半導体層１７をパターン形成することが可能である。

以上の後、図２（４）に示すように、有機半導体層１７を覆う状態で、ゲート絶縁膜１５上に電極材料膜１９を成膜する。ここでは例えば真空蒸着法により、上述した材料の中から有機半導体層１７に対して良好にオーミック接合される材料を選択して成膜する。

次いで図２（５）に示すように、電極材料膜１９をパターニングすることによって、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを形成する。ここでは、フォトリソグラフィ法を適用して電極材料膜１９上にレジストパターン（図示省略）を形成し、これをマスクにして電極材料膜をパターンエッチングすることによってソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを得る。ここでは、少なくともゲート電極１３の幅方向の端縁に達する状態で、有機半導体層１７における薄膜部１７-2上に、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端縁を積層させることが重要である。この際、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端部は、有機半導体層１７の厚膜部１７-1上にまで重ねて形成される必要はない。ゲート電極１３とソース電極１９s／ドレイン電極１９ｄとの間の寄生容量低減の観点からは、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄと有機半導体層１７の厚膜部１７-1との重なり幅が小さいことが好ましい。

以上のようなエッチングは、水溶性エッチャントを用いることにより、有機半導体層１７に対して影響を及ぼすことなく電極材料膜１９のパターンエッチングを行う。パターンエッチング終了後にはレジストパターンを除去する。

以上により、図１を用いて説明した構成のボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタ構成の半導体装置１を得ることができる。

＜製造方法（２）＞
次に第１実施形態の半導体装置１の製造方法の第２例として、有機半導体材料膜上にバッファ層を介してレジストパターンを形成する方法を、図３の断面工程図に基づいて説明する。

先ず図３（１）に示すように、基板１１上にゲート電極１３を形成し、これを覆う状態でＰＶＰからなるゲート絶縁膜１５を成膜し、さらにこの上部に有機半導体材料膜１７ａを成膜する。ここまでの工程は、上述した第１例において図２（１）を用いて説明したと同様に行う。

ただし、ここで成膜される有機半導体材料膜１７ａは、特に有機溶剤耐性の高い有機半導体材料を用いる必要はなく、ここで形成する半導体装置に適する特性を得られる有機半導体材料を用いればよい。そこで例えば真空蒸着法によって、ペンタセンからなる有機半導体材料膜１７ａを膜厚ｔ１（例えば５０ｎｍ）で成膜する。

またここでは、さらに有機半導体材料膜１７ａ上に金属バッファ層２３を成膜する。この金属バッファ層２３は、有機半導体材料膜１７ａに対してダメージを与えることなくエッチングが可能なバッファ層として形成される。このような金属バッファ層２３は、例えば金，アルミ，銅，等からなり、真空蒸着法によって成膜される。

次いで、図３（２）に示すように、金属バッファ層２３上に、フォトリソグラフィ法を適用してレジストパターン２１を形成する。このレジストパターン２１は、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状を有し、素子領域に形成されることは、第１例と同様である。

ただし、ここで形成するレジストパターン２１は、金属バッファ層２３上に形成されるため、有機半導体材料膜１７ａへのダメージを考慮する必要はなく、パターニング性に優れたレジスト材料を用いることができる。

次いで、レジストパターン２１をマスクにしたエッチングにより、金属バッファ層２３をパターンエッチングする。この際、水溶性のエッチャントを用いたウェットエッチングを行うことにより、有機半導体材料膜１７ａに対してダメージを与えることなく金属バッファ層２３のみをパターンエッチングする。

さらにレジストパターン２１を積層させた状態で、金属バッファ層２３をマスクにして有機半導体材料膜１７ａをエッチングし、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状に有機半導体材料膜１７ａをパターニングすることは、第１例と同様である。また島状にパターニングされた有機半導体材料膜１７ａにおけるゲート電極１３の幅方向の両端縁が、ゲート電極１３の端縁よりも外側に配置され、ゲート電極１３の端縁と有機半導体材料膜１７ａの端縁との間隔ｄ２をｄ２＞０とすることが重要である。

このような有機半導体材料膜１７ａのエッチングは、第１例と同様の異方性エッチングで行うことが好ましい。すなわち、例えば酸素をエッチングガスに用いたリアクティブイオンエッチング法によって行われる。

次に図３（３）に示すように、レジストパターン２１に対して、２度目の露光（追い露光）と現像処理を行う。これにより、ゲート電極１３の幅方向の両側において、レジストパターン２１におけるゲート電極１３の幅方向の両側をパターニング除去して細線化する。

次いで、細線化したレジストパターン２１をマスクにして、金属バッファ層２３をパターンエッチングし、さらに有機半導体材料膜１７ａの上層部をエッチングする。ここでは、第１例と同様に、エッチング後に有機半導体材料膜１７ａを膜厚ｔ２で残すことが重要である。さらにレジストパターン２１で覆われた有機半導体膜１７ａにおいて初期の膜厚ｔ１に保たれた厚膜部１７-1を、ゲート電極１３の幅方向の範囲内に残し、ゲート電極１３の端縁と厚膜部１７-1の端縁との間隔ｄ１を、ｄ１≧０とすることが重要である。このような有機半導体材料膜１７ａのエッチングは、先と同様の異方性エッチングで行うことが好ましい。

以上により、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７-1と、この厚膜部１７-1Ａよりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７-2とを有する有機半導体層１７を、ゲート絶縁膜１５上に形成する。

エッチング終了後には、水溶性のエッチャントを用いたウェットエッチングを行うことにより金属バッファ層２３をエッチング除去し、これにより金属バッファ層２３上に残存するレジストパターン２１も除去する。

その後は第１例の図２（４）及び図２（５）と同様にして、ソース電極およびドレイン電極の形成を行う。

すなわち先ず、図３（４）に示すように、有機半導体層１７を覆う状態で、ゲート絶縁膜１５上に電極材料膜１９を成膜する。ここでは例えば真空蒸着法により、上述した材料の中から有機半導体層１７に対して良好にオーミック接合される材料を選択して成膜する。

次いで図３（５）に示すように、電極材料膜１９をパターニングすることによって、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを形成する。ここでは、フォトリソグラフィ法を適用して電極材料膜１９上にレジストパターン（図示省略）を形成し、これをマスクにして電極材料膜をパターンエッチングすることによってソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを得る。ここでは、少なくともゲート電極１３の幅方向の端縁に達する状態で、有機半導体層１７における薄膜部１７-2上に、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端縁を積層させることが重要である。この際、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端部は、有機半導体層１７の厚膜部１７-1上にまで重ねて形成される必要はない。ゲート電極１３とソース電極１９s／ドレイン電極１９ｄとの間の寄生容量低減の観点からは、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄと有機半導体層１７の厚膜部１７-1との重なり幅が小さいことが好ましい。ここでのエッチングは、水溶性エッチャントを用いることにより、有機半導体層１７に対して影響を及ぼすことなく電極材料膜１９のパターンエッチングを行う。パターンエッチング終了後にはレジストパターンを除去する。

以上により、図１を用いて説明した構成のボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタ構成の半導体装置１を得ることができる。

＜製造方法（３）＞
次に第１実施形態の半導体装置１の製造方法の第３例として、レジストパターンの形状を有機半導体材料膜に転写する方法を、図４の断面工程図に基づいて説明する。

先ず、図４（１）に示すように、基板１１上にゲート電極１３を形成し、これを覆う状態でＰＶＰからなるゲート絶縁膜１５を成膜し、さらにこの上部に有機半導体材料膜１７ａを成膜する。ここまでの工程は、上述した半導体装置１の製造方法の第１例において図２（１）を用いて説明したと同様に行う。つまり、有機半導体材料膜１７ａは、ポリ３ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）のような有機溶剤耐性の高い有機半導体材料を用い、スピンコート法によって膜厚ｔ１（例えば５０ｎｍ）で成膜される。

次に、図４（２）に示すように、フォトリソグラフィ法を適用し、有機半導体材料膜１７ａ上にレジストパターン２９を形成する。ここではハーフトーンマスクを用いた露光、または２段階の露光を行うことにより、ゲート電極１３の幅方向の端縁と中央部とで露光量が異なるように、レジスト膜に対して露光を行う。これにより、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状であり、かつゲート電極１３の幅方向の両端縁の膜厚が、中央部よりも薄膜化された構成のレジストパターン２９を得る。

尚、ここで形成するレジストパターン２９として、フッ素系樹脂からなるレジスト材料を用いることが好ましいことは、第１実施形態の第１例と同様であり、同様の現像液を用いることで、有機半導体材料膜１７ａに対してダメージのない現像処理が可能である。

次に図４（３）に示すように、レジストパターン２９上からのエッチングにより、有機半導体材料膜１７ａをパターンエッチングし、ゲート電極１３と重なる位置に有機半導体層１７を形成する。ここでは、レジストパターン２９と共に有機半導体材料膜１７ａを異方性エッチングすることにより、レジストパターン２９の形状を有機半導体材料膜１７ａに転写する。

以上により、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７-1と、この厚膜部１７-1よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７-2とを有する有機半導体層１７を、ゲート絶縁膜１５上に形成する。

次に、レジストパターン２１をマスクにしたエッチングにより、有機半導体材料膜１７ａをパターンエッチングし、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状に有機半導体材料膜１７ａをパターニングする。ここでは、島状にパターニングされた有機半導体材料膜１７ａにおけるゲート電極１３の幅方向の両端縁が、ゲート電極１３の端縁よりも外側に配置され、ゲート電極１３の端縁と有機半導体材料膜１７ａの端縁との平面的な間隔ｄ２を、ｄ２＞０とすることが重要である。

以上のような異方性エッチングは、例えば酸素をエッチングガスに用いたリアクティブイオンエッチング法によって行われる。またエッチング終了後にレジストパターン２９が残存している場合には、有機半導体層１７に対して選択的にレジストパターン２９を溶解除去する。尚、有機半導体層１７の中央の厚膜部分のみに残ったレジストパターン２９は、除去絶にそのまま保護膜として残しても良い。

以上の後には、第１実施形態の第１例と同様にしてソース電極およびドレイン電極の形成を行う。

すなわち先ず、図４（４）に示すように、有機半導体層１７を覆う状態で、ゲート絶縁膜１５上に電極材料膜１９を成膜する。ここでは例えば真空蒸着法により、上述した材料の中から有機半導体層１７に対して良好にオーミック接合される材料を選択して成膜する。

次いで図４（５）に示すように、電極材料膜１９をパターニングすることによって、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを形成する。ここでは、フォトリソグラフィ法を適用して電極材料膜１９上にレジストパターン（図示省略）を形成し、これをマスクにして電極材料膜をパターンエッチングすることによってソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを得る。ここでは、少なくともゲート電極１３の幅方向の端縁に達する状態で、有機半導体層１７における薄膜部１７-2上に、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端縁を積層させることが重要である。この際、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端部は、有機半導体層１７の厚膜部１７-1上にまで重ねて形成される必要はない。ゲート電極１３とソース電極１９s／ドレイン電極１９ｄとの間の寄生容量低減の観点からは、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄと有機半導体層１７の厚膜部１７-1との重なり幅が小さいことが好ましい。ここでのエッチングは、水溶性エッチャントを用いることにより、有機半導体層１７に対して影響を及ぼすことなく電極材料膜１９のパターンエッチングを行う。パターンエッチング終了後にはレジストパターンを除去する。

以上により、図１を用いて説明した構成のボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタ構成の半導体装置１を得ることができる。

以上のようにして得られる図１に示した構成の半導体装置１は、ボトムゲート・トップコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであり、有機半導体層１７におけるゲート電極１３の幅方向の両端上にソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄが積層される。このため有機半導体層１７とソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄとの接触が強固である。また特に有機半導体層１７は、ゲート電極１３の幅方向の両端が薄膜部１７-2として形成されており、この薄膜部１７-2上にソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｓの端部が積層されている。これにより、有機半導体層１７においてゲート電極１３と積層されている部分の中央部、すなわちチャネル領域ｃｈ上方の膜厚ｔ１を維持しつつ、チャネル領域ｃｈの両端における有機半導体層１７を薄膜化してチャネル領域ｃｈ−ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄ間の抵抗成分が低減される。

以上より、本第１実施形態の半導体装置１によれば、ボトムゲート・トップコンタクト構造でありながらも、チャネル領域ｃｈに対応する部分の有機半導体層１７の膜厚に依存せずに、チャネル領域ｃｈとソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄとの間の抵抗成分を低減することができる。したがって、有機半導体層１７のチャネル領域ｃｈに対応する部分の膜質を確保しつつチャネル領域ｃｈに対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図ることが可能となり、半導体装置１の信頼性および機能性の向上を図ることができる。

≪２．第２実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図５は、第２実施形態の半導体装置２の断面図および平面図ある。断面図は平面図におけるＡ−Ａ’断面に対応している。これらの図に示す半導体装置２は、第１実施形態と同様の構成において、有機半導体層１７における厚膜部１７-1上に、絶縁性の保護膜３１が積層されている構成が特徴的であり、他の構成は第１実施形態と同様である。

本第２実施形態に特有の保護膜３１は、有機半導体層１７をパターン形成する際に、有機半導体層１７のチャネル領域ｃｈに対してダメージが加わらないように保護するための膜である。このような保護膜３１は、有機絶縁性材料または無機絶縁性材で構成される。特に有機絶縁性材料であれば、有機半導体層１７をパターン形成する際に、有機半導体層１７を構成する有機半導体材料膜と同一工程でエッチング可能であるため好ましい。このような有機絶縁性材料としては、フッ素樹脂を用いることができる。

特に本第２実施形態においては、保護膜３１を設けたことにより、厚膜部１７-1の膜厚ｔ１は、有機半導体層１７を成膜する際に安定した膜質として成膜される程度の膜厚であれば良く、上層を形成する際のプロセスによるダメージを考慮する必要ははい。したがって、有機半導体層１７の厚膜部１７-1の膜厚ｔ１は、有機半導体層１７を構成する材料の４〜５分子層以上の膜厚である。このため、有機半導体層１７を構成する材料にもよるが、例えば３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上である。また厚膜部１７-1は、上述した範囲であれば膜厚ｔ１が一定値である必要はなく、厚膜部１７-1が段差形状を有していたり、一部がテーパ形状であっても良い。

一方、薄膜部１７-2の膜厚ｔ２は、第１実施形態と同様であり、有機半導体層１７として機能する範囲で小さいことが好ましい。このような薄膜部の膜厚ｔ２は、有機半導体層１７を構成する材料の1分子層以上の膜厚である。また薄膜部１７-2は、膜厚ｔ２が一定値である必要はなく、端部に向かって薄膜化する段差形状を有していたり、一部がテーパ形状であっても良い。ただし、厚膜部１７-1に隣接する部分の膜厚が薄い方が好ましい。

尚、有機半導体層１７における厚膜部１７-1と薄膜部１７-2との配置状態は、ゲート電極１３に対して第1実施形態と同様である。

またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが、有機半導体層１７の厚膜部１７-1と重なっている場合、保護膜３１を介して有機半導体層１７の厚膜部１７-1上にソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端部が積層している。ただし、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの配置状態の好ましい例は、第1実施形態と同様である。すなわち、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、少なくともゲート電極１３の幅方向における有機半導体層１７の薄膜部１７-2上に積層されている。チャネル領域ｃｈに対する後プロセスでのダメージ防止の観点からは、チャネル領域ｃｈ上の薄膜部１７-2を覆う状態でソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが設けられていることが好ましい。したがって、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７における厚膜部１７-1にまで達して積層されていることが好ましい。また、ゲート電極１３とソース電極１９s／ドレイン電極１９ｄとの間の寄生容量低減の観点からは、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の厚膜部１７-1との重なり幅が小さいことが好ましい。このため、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端縁が、ゲート電極１３の端縁とが一致していることが最も好ましい。

＜製造方法＞
以上のような第２実施形態の半導体装置２の製造方法を、図６の断面工程図に基づいて説明する。

先ず図６（１）に示すように、基板１１上にゲート電極１３を形成し、これを覆う状態でＰＶＰからなるゲート絶縁膜１５を成膜し、さらにこの上部に有機半導体材料膜１７ａを成膜する。ここまでの工程は、第１実施形態の半導体装置の製造方法の第１例において図２（１）を用いて説明したと同様に行う。

ただし、ここで成膜される有機半導体材料膜１７ａは、特に有機溶剤耐性の高い有機半導体材料を用いる必要はなく、ここで形成する半導体装置に適する特性を得られる有機半導体材料を用いればよい。そこで例えば真空蒸着法によって、ペンタセンからなる有機半導体材料膜１７ａを５０ｎｍの膜厚ｔ１で成膜する。

次に、有機半導体材料膜１７ａ上に保護膜３１を成膜する。この保護膜３１は、有機半導体材料膜１７ａを保護するための膜として形成される。このような保護膜３１は、例えばフッ素樹脂からなり、スピンコート法によって塗布成膜される。

次いで図６（２）に示すように、保護膜３１上に、フォトリソグラフィ法を適用してレジストパターン２１を形成する。このレジストパターン２１は、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状を有し、素子領域に形成されることは、第1実施形態の各製造方法と同様である。

ただし、ここで形成するレジストパターン２１は、保護膜３１上に形成されるため、有機半導体材料膜１７ａへのダメージを考慮する必要はなく、パターニング性に優れたレジスト材料を用いることができる。

次いで、レジストパターン２１をマスクにしたエッチングにより、保護膜３１および有機半導体材料膜１７ａをパターンエッチングし、ゲート電極１３の幅方向を覆う島状に保護膜３１および有機半導体材料膜１７ａをパターニングする。これにより、ゲート電極１３と重なる位置に有機半導体材料膜１７ａと保護膜３１との積層体を形成する。ここでは少なくとも有機半導体材料膜１７ａのエッチングは、異方性エッチングにより行う。また島状にパターニングされた有機半導体材料膜１７ａにおけるゲート電極１３の幅方向の両端縁が、ゲート電極１３の端縁よりも外側に配置され、ゲート電極１３の端縁と有機半導体材料膜１７ａの端縁との間隔ｄ２をｄ２＞０とすることが重要である。

この際、保護膜３１がフッ素樹脂のような有機材料からなる場合であれば、保護膜３１と有機半導体材料膜１７ａとのパターンエッチングは同一工程で行われる。このような保護膜２５および有機半導体材料膜１７ａのエッチングは、異方的なドライエッチングによって行われる。例えば酸素をエッチングガスに用いたリアクティブイオンエッチング法によって行われる。尚、保護膜３１のパターンエッチングと有機半導体材料膜１７ａのパターンエッチングとは、それぞれ別工程で行うようにしても良い。

次に図６（３）に示すように、レジストパターン２１に対して、２度目の露光（追い露光）と現像処理を行う。これにより、ゲート電極１３の幅方向の両側において、レジストパターン２１におけるゲート電極１３の幅方向の両側をパターニング除去して細線化する。

次いで、細線化したレジストパターン２１をマスクにして、保護膜３１をパターンエッチングし、さらに有機半導体材料膜１７ａの上層部をエッチングする。ここでは、第1実施形態における製造方法の第１例と同様に、エッチング後に有機半導体材料膜１７ａを膜厚ｔ２で残すことが重要である。さらにレジストパターン２１で覆われた有機半導体膜１７ａにおいて初期の膜厚ｔ１に保たれた厚膜部１７-1を、ゲート電極１３の幅方向の範囲内に残し、ゲート電極１３の端縁と厚膜部１７-1の端縁との間隔ｄ１を、ｄ１≧０とすることが重要である。このような有機半導体材料膜１７ａのエッチングは、先と同様の異方性エッチングで行うことが好ましい。

以上により、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７-1と、この厚膜部１７-1よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７-2とを有する有機半導体層１７を、ゲート絶縁膜１５上に形成する。またこの有機半導体層１７における厚膜部１７-1上に保護膜３１を積層した状態とする。尚、エッチング終了後には、有機半導体層１７および保護膜３１に対して選択的に、残りのレジストパターン２１を溶解除去する。また以上のような有機半導体層１７および保護膜３１のパターン形成は、レジストパターン２１を用いることなく、有機半導体材料膜１７ａおよび保護膜３１に対してレーザ加工を施すことによっても実施できる。この場合、レーザ出力等の調整によって加工深さを制御することで、２段階の膜圧ｔ１、ｔ２を有する有機半導体層１７をパターン形成することが可能である。

その後は第１実施形態における製造方法の各例と同様にして、ソース電極およびドレイン電極の形成を行う。

すなわち先ず、図６（４）に示すように、有機半導体層１７および保護膜３１を覆う状態で、ゲート絶縁膜１５上に電極材料膜１９を成膜する。ここでは例えば真空蒸着法により、第1実施形態で例示した材料の中から有機半導体層１７に対して良好にオーミック接合される材料を選択して成膜する。

次いで図６（５）に示すように、電極材料膜１９をパターニングすることによって、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを形成する。ここでは、フォトリソグラフィ法を適用して電極材料膜１９上にレジストパターン（図示省略）を形成し、これをマスクにして電極材料膜をパターンエッチングすることによってソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄを得る。この場合、少なくともゲート電極１３の幅方向の端縁に達する状態で、有機半導体層１７における薄膜部１７-2上に、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端縁を積層させることが重要である。この際、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端部は、有機半導体層１７の厚膜部１７-1および保護膜３１上にまで重ねて形成される必要はない。ゲート電極１３とソース電極１９s／ドレイン電極１９ｄとの間の寄生容量低減の観点からは、ソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄと有機半導体層１７の厚膜部１７-1との重なり幅が小さいことが好ましい。ここでのエッチングは、水溶性エッチャントを用いることにより、有機半導体層１７に対して影響を及ぼすことなく電極材料膜１９のパターンエッチングを行う。パターンエッチング終了後にはレジストパターンを除去する。

以上により、図５を用いて説明した構成のボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタ構成の半導体装置２を得ることができる。

以上のようにして得られる図５に示した構成の半導体装置２は、ボトムゲート・トップコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであるため、有機半導体層１７とソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄとの接触が強固である。また第1実施形態と同様に、有機半導体層１７は、ゲート電極１３の幅方向の両端が薄膜部１７-2として形成されており、この薄膜部１７-2上にソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｓの端部が積層されている。これにより、有機半導体層１７の中央部におけるチャネル領域ｃｈ上方の膜厚ｔ１を維持しつつ、チャネル領域ｃｈの両端における有機半導体層１７を薄膜化してチャネル領域ｃｈ−ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄ間の抵抗成分を低減できる。

特に本第２実施形態の半導体装置２は、有機半導体層１７における厚膜部１７-1の上面が保護膜３１で覆われた構成である。このため、製造プロセスにおいて有機半導体層１７の厚膜部１７-1がダメージを受けることがなくチャネル領域ｃｈの膜質が確保される。

以上より、本第２実施形態の半導体装置２によれば、第１実施形態の構成よりもさらに確実にチャネル領域ｃｈの膜質を確保した状態で、チャネル領域ｃｈに対するソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄのコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図ることができる。この結果、ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄと有機半導体層１７との接触が強固ではあるが、コンタクト抵抗の低減が困難とされていたトップコンタクト構造において、信頼性を維持しつつコンタクト抵抗を低減させて機能性の向上を図ることが可能となる。

≪第３実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図７は、第３実施形態の半導体装置３の断面図および平面図ある。断面図は平面図におけるＡ−Ａ’断面に対応している。これらの図に示す半導体装置３は、第１実施形態と同様の構成において、有機半導体層１７’が２層構造で構成されている点が特徴的であり、他の構成は第１実施形態と同様である。

このような第１層３５と第２層３７とからなる有機半導体層１７’の全体としての構成は、第１実施形態および第２実施形態の有機半導体層と同様である。

すなわち、第１層３５と第２層３７とからなる有機半導体層１７’は、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７-1と、この厚膜部１７-1よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７-2とを有する。

厚膜部１７-1は、ゲート電極１３の幅の範囲内でパターニングされた第1層３５と、これを覆う第２層３７とで構成される。つまり、厚膜部１７-1の膜厚ｔ1は、第１層３５の膜厚と第２層３７の膜厚とを合計した値であり、第１層３５および第２層を構成する有機半導体材料の４〜５分子層以上の膜厚である。このため、第１層３５および第２層３７を構成する材料にもよるが、例えば３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上である。また厚膜部１７-1の幅は、第１層３５の幅と、第1層３５の側壁に成膜された第２層３７の膜厚とを合計した値であり、ゲート電極１３の幅の範囲内に収まる値である。ゲート電極１３の端縁と厚膜部１７-1の端縁との間隔ｄ１は、ｄ１≧０である。

これに対して薄膜部１７-2は、第２層３７のみで構成されている。つまり、薄膜部１７-2の膜厚ｔ２は、第２層３７の膜厚であり、第２層３７を構成する材料の1分子層以上の膜厚である。また薄膜部１７-2は、膜厚ｔ２が一定値である必要はなく、端部に向かって薄膜化する段差形状を有していたり、一部がテーパ形状であっても良い。ただし、厚膜部１７-1に隣接する部分の膜厚が薄い方が好ましい。また薄膜部１７-2の幅は、第１層３５の側壁からゲート電極１３の両脇に対してはみ出した第２層３７の幅である。ゲート電極１３の端縁と薄膜部の端縁との間隔ｄ２は、ｄ２＞０である。

以上の第１層３５および第２層３７は、同一の有機半導体材料を用いて構成されることが好ましいが、これに限定されることはない。

＜製造方法＞
次に第３実施形態の半導体装置３の製造方法を、図８の断面工程図に基づいて説明する。

先ず、図８（１）に示すように、基板１１上にゲート電極１３を形成し、これを覆う状態でＰＶＰからなるゲート絶縁膜１５を成膜し、さらにこの上部に有機半導体材料膜の第１層３５を成膜する。ここまでの工程は、上述した半導体装置１の製造方法の第１例において図２（１）を用いて説明したと同様に行う。つまり、有機半導体材料膜の第１層３５は、ポリ３ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）のような有機溶剤耐性の高い有機半導体材料を用い、スピンコート法によって成膜される。

次に、図８（２）に示すように、フォトリソグラフィ法を適用し、有機半導体材料膜の第１層３５上に、レジストパターン４１を形成する。このレジストパターン４１は、例えばゲート電極１３とほぼ同一幅であり、素子領域においてゲート電極１３上に積層される島状である。

尚、ここで形成するレジストパターン４１として、フッ素系樹脂からなるレジスト材料を用いることが好ましいことは、第１実施形態の第１例と同様であり、同様の現像液を用いることで、有機半導体材料膜の第１層３５に対してダメージのない現像処理が可能である。

次にレジストパターン４１上からのエッチングにより、ゲート電極１３と重なる島状に有機半導体材料膜の第１層３５をパターンエッチングする。この際、第１層３５を等方的にオーバーエッチングすることにより、第１層３５のパターン形状をゲート電極１３の幅よりも小さくパターニングする。

尚、以上のエッチング終了後には有機半導体材料膜の第１層３５に対して選択的に残りのレジストパターン２１を溶解除去する。また有機半導体材料膜の第１層３５をパターニングする工程には、図３を用いて説明した金属バッファ層を用いた工程を適用することもできる。またさらに、有機半導体材料膜の第１層３５をパターニングする工程には、レジストパターン４１を用いることなく、レーザ加工を施すことによっても実施できる。

次に、図８（３）に示すように、パターニングされた第１層３５を覆う状態で、ゲート絶縁膜１５上に有機半導体材料膜の第２層３７を成膜する。ここでは、1分子層以上の膜厚の範囲で極薄い第２層３７を成膜する。この際、第１層３５の側壁を覆う第２層３７部分が、ゲート電極１３の幅方向内に収まるように、つまり第１層３５と第２層３７とで構成される厚膜部１７-1の端縁とゲート電極１３の端縁との間隔ｄ１が、ｄ１≧０となる膜厚で、第２層３７を成膜する。ここでは例えば第１層３５と同様のポリ３ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）のような有機溶剤耐性の高い有機半導体材料を用い、スピンコート法によって第２層３７を成膜する。

次いで、図８（４）に示すように、有機半導体材料層の第１層３５を覆う島状に第２層３７のパターニングを行う。この際、第２層３７の端縁が、ゲート電極１３の幅方向の端縁よりも外側に配置されるように第２層３７をパターニングする。これにより、第２層３７のみで構成される薄膜部１７-2の端縁とゲート電極１３の端縁との間隔ｄ２を、ｄ２＞０とする。以上のような第２層３７のパターニングは、第１層３５のパターニングと同様に行われる。

以上のようにして、第１層３５と第２層３７との２層からなる有機半導体層１７’を得る。

その後は図８（５）に示すように、上述した他の実施形態と同様のリソグラフィ法を適用した手順にて、有機半導体層１７’の薄膜部１７-2上に端部を積層させたソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｓを形成する。

以上により、図７を用いて説明した構成のボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタ構成の半導体装置３を得ることができる。

以上のようにして得られる図７に示した構成の半導体装置３は、ボトムゲート・トップコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであるため、有機半導体層１７’とソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄとの接触が強固である。また第1実施形態および第２実施形態と同様に、有機半導体層１７’は、ゲート電極１３の幅方向の両端が薄膜部１７-2として形成されており、この薄膜部１７-2上にソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｓの端部が積層されている。これにより、有機半導体層１７’におけるチャネル領域ｃｈ上方の膜厚ｔ１を維持しつつ、チャネル領域ｃｈの両端における有機半導体層１７を薄膜化してチャネル領域ｃｈ−ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄ間の抵抗成分を低減できる。

特に本第３実施形態の半導体装置３は、有機半導体層１７’が、第１層３５とこれを覆う第２層３７との積層構造であり、上述した薄膜部１７-2は第２層３７のみで構成される。これにより、薄膜部１７-2の膜厚は、第２層３７の成膜時の膜厚に制御性良好に設定される。したがって、この薄膜部１７-2を挟んで配置されるチャネル領域ｃｈとソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄと間隔が制御性良好に薄膜化され、コンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を確実に図ることができる。

以上より本第３実施形態の半導体装置３によれば、チャネル領域ｃｈの膜質を確保しつつも、第1実施形態と比較してさらに確実にチャネル領域ｃｈに対するソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄのコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図ることができる。この結果、ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄと有機半導体層１７’との接触が強固ではあるが、コンタクト抵抗の低減が困難とされていたトップコンタクト構造において、信頼性を低下させることなくコンタクト抵抗を低減させて機能性の向上を図ることが可能となる。

≪４．第４実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図９は、第４実施形態の半導体装置４の断面図および平面図ある。断面図は平面図におけるＡ−Ａ’断面に対応している。これらの図に示す半導体装置４は、第３実施形態と同様の２層構造の有機半導体層１７’を有する構成において、ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄの端縁がゲート電極１３に対して自己整合的に配置されている点が特徴的である。他の構成は、第３実施形態と同様である。

すなわち、ゲート電極１３を挟んで配置されるソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄの端縁は、ゲート電極１３の幅方向の端縁に一致している。このようなゲート電極１３は、以下に説明するように、ゲート電極１３をマスクにした裏面露光を適用して得ることができる。

＜製造方法＞
次に第４実施形態の半導体装置４の製造方法を、図１０および図１１の製造工程図に基づいて説明する。

先ず、図１０（１）に示すように、基板１１上にゲート電極１３、ゲート絶縁膜１５、第１層３５および第２層３７からなる２層構造の有機絶縁層１７’を形成するまでを第３実施形態で説明したと同様の手順で行う。またその後、有機絶縁層１７’を覆う状態で、ゲート絶縁膜１５上に電極材料膜１９を成膜する。ここでは、他の実施形態と同様に、例えば真空蒸着法により、第1実施形態で例示した材料の中から有機半導体層１７’に対して良好にオーミック接合される材料を選択して成膜する。

次の工程を図１０（２）-1の断面図および図１０（２）-2の平面図に示す。断面図は平面図におけるＡ−Ａ’断面に対応している。これらの図に示すように、先ず電極材料膜１９上にネガ型のレジスト膜４３を成膜する。

その後、このレジスト膜４３に対して、基板１１側からゲート電極１３をマスクにした裏面露光を行う。この際、基板１１側に露光マスク４５を配置し、この露光マスク４５を介して露光光ｈの照射を行う。

露光マスク４５は、ゲート電極１３と交差する開口部４５ａを備えていることとする。この開口部４５ａは、ゲート電極１３の両脇に露光光ｈが照射される構成であれば良い。図示したように、ゲート電極１３の延設方向における有機半導体層１７’の範囲内に開口部４５ａが配置される場合には、この開口部４５ａの開口幅がチャネル幅となり、ゲート幅の寸法制御性が良好であるため好ましい。一方、ゲート電極１３の延設方向における有機半導体層７の範囲を越えて開口部４５ａが配置される場合には、有機半導体層１７’の寸法がチャネル幅となる。

以上のような露光マスク４５を介しての裏面露光により、露光マスク４５の開口部４５ａ内において、ゲート電極１３で遮光されていない部分のレジスト膜４３に露光光ｈが照射されて露光部４３ａとなり、レジスト材料が硬化する。

次に、図１１（１）に示すように、レジスト膜４３の現像処理を行うことにより、露光部４３ａのみが電極材料膜１９上にレジストパターン４３ａとして残される。以上により、ゲート電極１３に対して自己整合的にレジストパターン４３ａが形成される。

次に、図１１（２）に示すように、レジストパターン４３ａをマスクにして電極材料膜１９をパターンエッチングする。これにより、ゲート電極１３上における電極材料膜１９１３をエッチング除去し、電極材料膜１９からなるソース電極１９ｓおよびドレイン１９ｄを、ゲート電極１３に対して自己整合的に形成する。

以上により、図９を用いて説明した構成のボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタ構成の半導体装置４を得ることができる。

以上のようにして得られる図９に示した構成の半導体装置４は、第３実施形態と同様の２層構造の有機半導体層１７’を有する構成において、ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄの端縁がゲート電極１３に対して自己整合的に配置された構成である。したがって、第３実施形態と同様の効果を得ることが可能であると共に、さらに以下のような特別な効果を奏する。

すなわち、本第４実施形態の半導体装置４は、ソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄの端縁がゲート電極１３に対して自己整合的に配置された構成であることにより、ゲート電極１３とソース電極１９s／ドレイン電極１９ｄとの間の寄生容量を効果的に低減させることが可能である。したがって、第３実施形態の半導体装置と比較して、さらに機能性の向上を図ることが可能となる。

尚、本第４実施形態においては、第３実施形態の構成においてソース電極１９ｓ／ドレイン電極１９ｄの端縁がゲート電極１３に対して自己整合的に配置された構成を説明した。しかしながら、本第４実施形態は、第１実施形態および第２実施形態の構成と組み合わせても良く、組み合わせることによって第４実施形態でプラスされた効果を得ることが可能である。

≪第５実施形態≫
＜表示装置の層構成＞
図１２は、本発明を適用した表示装置５０の３画素分の構成図である。この表示装置５０は、第１〜第４実施形態で例示した本発明の半導体装置を用いて構成されたものであり、ここでは一例として第１実施形態で説明した半導体装置１、すなわちボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタを設けた構成を示す。

この図に示すように、表示装置５０は、基板１１上の各画素ａに、薄膜トランジスタ構成の半導体装置（以下薄膜トランジスタ１と記す）を用いた画素回路と、これに接続された有機電界発光素子ＥＬとが配列されたアクティブマトリックス型の表示装置５０である。

薄膜トランジスタ１を用いた画素回路が配列された基板１１上は、パッシベーション膜５１で覆われ、この上部に平坦化絶縁膜５３が設けられている。平坦化絶縁膜５３およびパッシベーション膜５１には、各薄膜トランジスタ１に達する接続孔５１ａが設けられている。この平坦化絶縁膜５３上に、各接続孔５１ａを介して薄膜トランジスタ１に接続された画素電極５５が配列形成されている。

各画素電極５５の周縁はウインドウ絶縁膜５７で覆われて素子分離されている。素子分離された各画素電極５５上は、各色の有機発光機能層５９ｒ，５９ｇ，５９ｂで覆われ、さらにこれらを覆う状態で各画素ａに共通の共通電極６１が設けられている。各有機発光機能層５９ｒ，５９ｇ，５９ｂは、少なくとも有機発光層を備えた積層構造からなり、少なくとも有機発光層が画素毎に異なる構成でパターン形成されており、各画素に共通の層を有していても良い。共通電極６１は、例えば陰極として形成され、さらにここで作製する表示装置が基板１１と反対側から発光光を取り出す上面発光型であれば光透過電極として形成されることとする。

以上により、画素電極５５と共通電極６１との間に有機発光機能層５９ｒ，５９ｇ，５９ｂが挟持された各画素ａ部分に、有機電界発光素子ＥＬが形成される。尚、ここでの図示は省略したが、これらの有機電界発光素子ＥＬが形成された基板１１上には、さらに保護層が設けられ、接着剤を介して封止基板が貼り合わされて表示装置５０が構成されている。

＜表示装置の回路構成＞
図１３には、表示装置５０の回路構成図の一例を示す。尚ここで説明する回路構成は、あくまでも一例である。

図１３に示すように、表示装置５０の基板１１上には、表示領域１１ａとその周辺領域１１ｂとが設定されている。表示領域１１ａには、複数の走査線７１と複数の信号線７３とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。また周辺領域１１ｂには、走査線７１を走査駆動する走査線駆動回路７５と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線７３に供給する信号線駆動回路７７とが配置されている。

走査線７１と信号線７３との各交差部に設けられる画素回路は、例えばスイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃｓ、および有機電界発光素子ＥＬで構成されている。

この表示装置５０は、走査線駆動回路７５による駆動により、スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１を介して信号線７３から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持される。そして保持された信号量に応じた電流が駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２から有機電界発光素子ＥＬに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子ＥＬが発光する。尚、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２は、共通の電源供給線（Ｖｃｃ）７９に接続されている。

尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域１１ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。

このような回路構成において、薄膜トランジスタＴｒ1，Ｔｒ２が、上述した実施形態で例示した本発明の薄膜トランジスタ（半導体装置）として構成される。尚、図１２においては、以上のような回路構成の表示装置５０における３画素分の断面図として、薄膜トランジスタＴｒ２と有機電界発光素子ＥＬとが積層された部分の断面図を示している。スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１および容量素子Ｃｓも、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２と同一層に形成されている。また、図１３においては、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２がｐチャンネル型である場合を例示している。

以上のような構成の表示装置５０においては、第１実施形態〜第４実施形態で説明したように、機能性の向上が図られた薄膜トランジスタ（半導体装置）を用いて画素回路が構成されている。これにより、画素の高集積化と高機能化を達成することが可能になる。

尚、上述した本第５実施形態では、本発明の表示装置の一例として有機ＥＬ表示装置を示した。しかしながら本発明の表示装置は薄膜トランジスタを用いた表示装置、特に薄膜トランジスタを画素電極に接続させたアクティブマトリックス型の表示装置に広く適用可能であり、同様の効果を得ることができる。このような表示装置としては、例えば液晶表示装置や電気泳動型表示装置が例示され、同様の効果を得ることができる。

≪６．第６実施形態≫
図１４〜１８には、本発明に係る電子機器の一例を説明する。ここで説明する電子機器は、例えば第５実施形態で説明した表示装置を表示部として用いた電子機器であることとする。尚、第５実施形態で一例を説明した本発明の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、さらに電子機器内で生成した映像信号を表示するあらゆる分野の電子機器における表示部に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。

図１４は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。

図１５は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１６は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１７は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１８は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。このうちディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

尚、上述した第６実施形態では、本発明の電子機器の一例として、表示部を有する電子機器の各例を示した。しかしながら本発明の電子機器は、このような表示部を用いた物への適用に限定されることはなく、薄膜トランジスタを導電性パターンに接続させた状態で搭載した電子機器に広く適用可能である。このような例として、ＩＤタグ、センサー等の電子機器への適用が可能であり、同様の効果を得ることができる。

１，２，３，４…半導体装置（薄膜トランジスタ）
１１…基板
１３…ゲート電極
１５…ゲート絶縁膜
１７，１７’…有機半導体層
１７-1…厚膜部
１７-2…薄膜部
１９ｓ…ソース電極
１９ｄ…ドレイン電極
３１…保護膜
３５…第１層
３７…第２層
５５…画素電極

Claims (9)

1. 基板上のゲート電極と、
   前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極を幅方向に覆う状態で当該ゲート電極の上部に重ねて配置され、前記ゲート電極の幅方向の中央部に配置された厚膜部と、当該厚膜部よりも薄い膜厚を有して当該ゲート電極の幅方向の両端に配置された薄膜部とを有する有機半導体層と、
   前記ゲート電極を幅方向から挟んだ状態で対向配置されると共に前記有機半導体層の少なくとも薄膜部上に端部が積層されたソース電極およびドレイン電極とを備え、
   前記有機半導体層は、前記ゲート電極の幅の範囲内に設けられた第1層と、当該第１層を覆う状態で設けられた第２層とで構成され、
   前記厚膜部は、前記第１層と第２層との積層部で構成され、
   前記薄膜部は、前記第２層のみで構成された
   半導体装置。
2. 前記有機半導体層は、前記厚膜部が前記ゲート電極の幅の範囲内に設けられ、前記薄膜部が当該厚膜部から当該ゲート電極の幅方向の外側に延設されている
   請求項１記載の半導体装置。
3. 前記ゲート電極の幅方向に対応する前記厚膜部の幅は、前記第１層の幅と当該第１層の側壁に成膜された前記第２層の膜厚とを合計した値である
   請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記ソース電極およびドレイン電極は、前記有機半導体層における前記厚膜部にまで達して積層されている
   請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置。
5. 前記ソース電極およびドレイン電極の端部は、前記ゲート電極の幅方向の端縁と平面視的に一致して配置されている
   請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置。
6. 薄膜トランジスタと当該薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有し、
   前記薄膜トランジスタは、
   基板上のゲート電極と、
   前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極を幅方向に覆う状態で当該ゲート電極の上部に重ねて配置され、前記ゲート電極の幅方向の中央部に配置された厚膜部と、当該厚膜部よりも薄い膜厚を有して当該ゲート電極の幅方向の両端に配置された薄膜部とを有する有機半導体層と、
   前記ゲート電極を幅方向から挟んだ状態で対向配置されると共に前記有機半導体層の少なくとも薄膜部上に端部が積層されたソース電極およびドレイン電極とを備え、
   前記有機半導体層は、前記ゲート電極の幅の範囲内に設けられた第1層と、当該第１層を覆う状態で設けられた第２層とで構成され、
   前記厚膜部は、前記第１層と第２層との積層部で構成され、
   前記薄膜部は、前記第２層のみで構成された
   表示装置。
7. 前記有機半導体層は、前記厚膜部が前記ゲート電極の幅の範囲内に設けられ、前記薄膜部が当該厚膜部から当該ゲート電極の幅方向の外側に延設されている
   請求項６記載の表示装置。
8. 基板上のゲート電極と、
   前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極を幅方向に覆う状態で当該ゲート電極の上部に重ねて配置され、前記ゲート電極の幅方向の中央部に配置された厚膜部と、当該厚膜部よりも薄い膜厚を有して当該ゲート電極の幅方向の両端に配置された薄膜部とを有する有機半導体層と、
   前記ゲート電極を幅方向から挟んだ状態で対向配置されると共に前記有機半導体層の少なくとも薄膜部上に端部が積層されたソース電極およびドレイン電極とを備え、
   前記有機半導体層は、前記ゲート電極の幅の範囲内に設けられた第1層と、当該第１層を覆う状態で設けられた第２層とで構成され、
   前記厚膜部は、前記第１層と第２層との積層部で構成され、
   前記薄膜部は、前記第２層のみで構成された薄膜トランジスタを有する
   電子機器。
9. 前記有機半導体層は、前記厚膜部が前記ゲート電極の幅の範囲内に設けられ、前記薄膜部が当該厚膜部から当該ゲート電極の幅方向の外側に延設されている
   請求項８記載の電子機器。

Images