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JP5537096B2 - Elastic wave device and circuit board - Google Patents

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、弾性表面波(SAW:surface acoustic wave)装置や圧電薄膜共振器(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)等の弾性波装置に関する。   The present invention relates to an elastic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device or a thin film acoustic resonator (FBAR).

小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている。この弾性波装置では、素子基板の主面上に配置された励振電極が、振動空間内に収容されている。振動空間は保護カバーに設けた中空部によって形成されている。また、励振電極に接続される柱状の端子が素子基板の主面に設けた電極パッド上に立設される。柱状の端子は、先端側部分(素子基板の主面とは反対側の部分)が保護カバーから露出しており、この露出部分が回路基板に半田付けされて弾性波装置が回路基板に実装されることとなる(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art A so-called wafer level package acoustic wave device for the purpose of downsizing and the like is known. In this acoustic wave device, excitation electrodes disposed on the main surface of the element substrate are accommodated in the vibration space. The vibration space is formed by a hollow portion provided in the protective cover. In addition, columnar terminals connected to the excitation electrodes are erected on electrode pads provided on the main surface of the element substrate. As for the columnar terminal, the tip side portion (the portion opposite to the main surface of the element substrate) is exposed from the protective cover, and this exposed portion is soldered to the circuit board so that the acoustic wave device is mounted on the circuit board. (For example, refer to Patent Document 1).

特開2007−208665号公報JP 2007-208665 A

ところで上述した構造からなる弾性波装置では、基板と保護カバーとの線膨張係数の違い等に起因して基板と保護カバーの間に剥離が生じることがある。このように基板と保護カバーの間に剥離が生じると、そこを起点として剥離が振動空間まで到達しやすくなる。剥離が振動空間まで到達すると、振動空間の気密性が悪化し、励振電極が腐食等する結果、弾性波装置の信頼性の低下を招くこととなる。   By the way, in the acoustic wave device having the above-described structure, separation may occur between the substrate and the protective cover due to a difference in linear expansion coefficient between the substrate and the protective cover. Thus, when peeling arises between a board | substrate and a protective cover, peeling will reach | attain vibration space from there as a starting point. When the separation reaches the vibration space, the airtightness of the vibration space is deteriorated, and the excitation electrode is corroded. As a result, the reliability of the acoustic wave device is lowered.

本発明は、上記問題に対応すべく発明されたものであり、基板と保護カバーとの間に剥離が生じにくく、信頼性に優れた弾性波装置を提供するものである。   The present invention has been invented to cope with the above-described problems, and provides an elastic wave device that is less likely to be peeled off between a substrate and a protective cover and has excellent reliability.

本発明の弾性波装置は、弾性波を伝搬させる基板と、前記基板の主面上に配置された励振電極と、前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第1の柱状導体と、前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第2の柱状導体と、前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第1の柱状導体の側面および前記第2の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有するものである。   The acoustic wave device of the present invention includes a substrate for propagating an acoustic wave, an excitation electrode disposed on the main surface of the substrate, and standing on the main surface of the substrate and electrically connected to the excitation electrode. A plurality of first columnar conductors, a second columnar conductor standing on the main surface of the substrate and electrically floating, and a vibration space of the excitation electrode, And a protective cover that covers a side surface of the first columnar conductor and a side surface of the second columnar conductor.

本発明によれば、基板と保護カバーとの剥離が起きにくくなり、振動空間の気密性を良好な状態に保持して信頼性の高い弾性波装置を提供することができる。   According to the present invention, it is difficult for the substrate and the protective cover to be peeled off, and it is possible to provide a highly reliable elastic wave device that maintains the airtightness of the vibration space in a good state.

(a)は本発明の実施形態に係る弾性表面波装置を示す平面図であり、(b)は図1(a)に示す弾性表面波装置の保護カバーを外した状態の平面図である。(A) is a top view which shows the surface acoustic wave apparatus which concerns on embodiment of this invention, (b) is a top view of the state which removed the protective cover of the surface acoustic wave apparatus shown to Fig.1 (a). (a)は図1(a)のIa−Ia線における断面図、(b)は図1(a)のIb−Ib線における断面図である。(A) is sectional drawing in the Ia-Ia line of Fig.1 (a), (b) is sectional drawing in the Ib-Ib line of Fig.1 (a). 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the surface acoustic wave apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図6に示した弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus shown in FIG.

図1(a)は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置1を示す平面図である。図1(b)は、図1(a)に示す弾性表面波装置1の保護カバーを外した状態の平面図である。また、図2(a)は、図1(a)のIa−Ia線における断面図であり、図2(b)は、図1(a)のIb−Ib線における断面図である。なお、図1、図2は、弾性表面波装置1の理解を容易にするために弾性表面波装置1を模式的に示したものであり、実施にあたっては、弾性表面波装置1の各部の大きさ、数、形状等は適宜に設定されてよい。   FIG. 1A is a plan view showing a surface acoustic wave device 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a plan view of the surface acoustic wave device 1 shown in FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line Ia-Ia in FIG. 1A, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line Ib-Ib in FIG. 1 and 2 schematically show the surface acoustic wave device 1 in order to facilitate understanding of the surface acoustic wave device 1. In implementation, the size of each part of the surface acoustic wave device 1 is shown. The number, shape, etc. may be set as appropriate.

弾性表面波装置1は、圧電基板3、圧電基板3上に配置された弾性表面波素子5、弾性表面波素子5を保護するための保護層7及び保護カバー9、電極パッド13a〜13k(以下、なお、電極パッド13a〜13kをまとめて電極パッド13と称することがある。)、第1の柱状導体15、および第2の柱状導体16を有している。図1(b)では、絶縁膜18の下に位置している第1の柱状導体15および第2の柱状導体16を点線で示している。   The surface acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 3, a surface acoustic wave element 5 disposed on the piezoelectric substrate 3, a protective layer 7 and a protective cover 9 for protecting the surface acoustic wave element 5, and electrode pads 13a to 13k (hereinafter referred to as the electrode pads 13a to 13k). In addition, the electrode pads 13a to 13k may be collectively referred to as the electrode pad 13.), the first columnar conductor 15, and the second columnar conductor 16. In FIG. 1B, the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 located under the insulating film 18 are indicated by dotted lines.

圧電基板3は、例えばタンタル酸リチウム単結晶,ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。圧電基板3は、第1主面3aと、その背面側の第2主面3bとを有している。なお、図1、図2では、第1主面3aにのみ電極等が配置されている場合を例示しているが、第2主面3bにも電極等が配置されてよい。   The piezoelectric substrate 3 is a rectangular parallelepiped single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal. The piezoelectric substrate 3 has a first main surface 3a and a second main surface 3b on the back side. 1 and 2 exemplify the case where electrodes and the like are arranged only on the first main surface 3a, but electrodes and the like may be arranged also on the second main surface 3b.

弾性表面波素子5は、圧電基板3の第1主面3aに形成された励振電極として複数対の櫛歯状電極(IDT電極)6を有している。櫛歯状電極6は、圧電基板3における弾性表面波の伝搬方向(図1の紙面上下方向)と直交する方向に伸びる複数の電極指を有している。一対の櫛歯状電極6は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように形成されている。   The surface acoustic wave element 5 has a plurality of pairs of comb-like electrodes (IDT electrodes) 6 as excitation electrodes formed on the first main surface 3 a of the piezoelectric substrate 3. The comb-like electrode 6 has a plurality of electrode fingers extending in a direction orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave in the piezoelectric substrate 3 (vertical direction in the drawing of FIG. 1). The pair of comb-like electrodes 6 are formed so that the electrode fingers mesh with each other.

なお、図1は模式図であり、実際には図示したよりも多数の電極指を有する櫛歯状電極が複数対設けられている。また、複数の弾性表面波素子5が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型弾性表面波フィルタや2重モード型弾性表面波フィルタ等が構成されてもよい。弾性表面波素子5の両端には、櫛歯状電極を有する反射器(弾性表面波素子5の一部と捉えられてもよい。)が設けられている。弾性表面波素子5は、例えばAl−Cu合金等のAl合金によって形成される。   FIG. 1 is a schematic diagram, and actually, a plurality of pairs of comb-like electrodes having a larger number of electrode fingers than those shown are provided. Further, a plurality of surface acoustic wave elements 5 may be connected by a system such as a series connection or a parallel connection, and a ladder type surface acoustic wave filter, a dual mode type surface acoustic wave filter, or the like may be configured. At both ends of the surface acoustic wave element 5, reflectors having comb-like electrodes (may be regarded as a part of the surface acoustic wave element 5) are provided. The surface acoustic wave element 5 is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy.

保護層7は、図2に示すように接続用導体11、弾性表面波素子5などを覆っており、弾性表面波素子5の酸化防止等に寄与する。保護層7は、例えば、絶縁性を有するとともに、弾性表面波の伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成され、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。   As shown in FIG. 2, the protective layer 7 covers the connection conductor 11, the surface acoustic wave element 5, and the like, and contributes to preventing the surface acoustic wave element 5 from being oxidized. The protective layer 7 is made of, for example, a material having an insulating property and a mass that is light enough not to affect the propagation of the surface acoustic wave, and is made of silicon oxide, silicon nitride, silicon, or the like.

保護カバー9は、弾性表面波素子5を保護層7の上から覆っている。この保護カバー9は、弾性表面波素子5上に、弾性表面波を伝播しやすくするための振動空間17を構成するものである。換言すれば、保護カバー9は、振動空間17の内壁19aを構成する壁部19と、振動空間17の天井21aを構成する蓋部21とを有している。   The protective cover 9 covers the surface acoustic wave element 5 from above the protective layer 7. The protective cover 9 constitutes a vibration space 17 on the surface acoustic wave element 5 for facilitating the propagation of surface acoustic waves. In other words, the protective cover 9 includes the wall portion 19 that forms the inner wall 19 a of the vibration space 17 and the lid portion 21 that forms the ceiling 21 a of the vibration space 17.

壁部19を構成する層の厚さや蓋部21の厚さは、適宜に設定されてよい。例えば、当該厚さは、数μm〜30μmである。壁部19及び蓋部21は、概ね同等の厚さに形成されている。   The thickness of the layer constituting the wall portion 19 and the thickness of the lid portion 21 may be set as appropriate. For example, the thickness is several μm to 30 μm. The wall portion 19 and the lid portion 21 are formed to have substantially the same thickness.

壁部19と蓋部21とは、異なる材料によって形成することもできるが、壁部19と蓋部21との接着強度を高めるために同一材料で形成することが好ましい。壁部19及び蓋部21は、例えば、紫外線や可視光線等の光が照射されることによって硬化する光硬化性材料、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されている。光硬化性材料は、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する樹脂を用いることができ、より具体的には、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂を用いることができる。   The wall portion 19 and the lid portion 21 can be formed of different materials, but are preferably formed of the same material in order to increase the adhesive strength between the wall portion 19 and the lid portion 21. The wall portion 19 and the lid portion 21 are formed of, for example, a photocurable material that is cured by being irradiated with light such as ultraviolet rays or visible light, for example, a negative photoresist. As the photocurable material, a resin curable by radical polymerization such as an acrylic group or a methacrylic group can be used. More specifically, urethane acrylate, polyester acrylate, or epoxy acrylate resins can be used.

振動空間17は、図2(a)に示すように、断面が概ね矩形状に形成され、蓋部21側の角部が丸みを帯びるように形成されている。換言すれば、振動空間17を構成する内壁19a及び天井21aは、アーチ状に形成されている。これにより蓋部21が撓むのを抑制することができる。その結果、例えば、振動空間17の高さを小さくして弾性波表面波装置1の小型化を図ることができる。振動空間17の平面形状(第1主面3aの平面視における形状)は、適宜に設定されてよい。図1(b)に振動空間17の外周に相当する内壁19aを破線で示す。   As shown in FIG. 2A, the vibration space 17 is formed so that the cross section is substantially rectangular and the corner on the lid 21 side is rounded. In other words, the inner wall 19a and the ceiling 21a constituting the vibration space 17 are formed in an arch shape. Thereby, it can suppress that the cover part 21 bends. As a result, for example, the surface acoustic wave device 1 can be downsized by reducing the height of the vibration space 17. The planar shape of the vibration space 17 (the shape of the first main surface 3a in plan view) may be set as appropriate. FIG. 1B shows an inner wall 19a corresponding to the outer periphery of the vibration space 17 with a broken line.

接続用導体11は、弾性表面波素子5と所定の電極パッドとを接続するためのものである。接続用導体11は、例えば、弾性表面波素子5と同様に、圧電基板3の第1主面3a上に形成されている。接続用導体11は、図1(b)に示すように第1主面3a上において適宜なパターンで形成され、弾性表面波素子5に接続されている。また、図1(b)において複数の電極パッド13のうち、上辺側の中央に位置する電極パッド13cに接続されている接続用導体11は、他の接続用導体11と絶縁部材8を介して交差している。このように絶縁部材8を用いて接続用導体11同士を立体的に交差させることによって電極パッドの配置場所の自由度が向上し、弾性波装置の小型化に寄与することができる。絶縁部材8は例えばポリイミド樹脂などからなる。   The connection conductor 11 is for connecting the surface acoustic wave element 5 and a predetermined electrode pad. The connection conductor 11 is formed on the first main surface 3 a of the piezoelectric substrate 3, for example, similarly to the surface acoustic wave element 5. As shown in FIG. 1B, the connection conductor 11 is formed in an appropriate pattern on the first main surface 3 a and is connected to the surface acoustic wave element 5. Further, in FIG. 1B, the connection conductor 11 connected to the electrode pad 13 c located at the center on the upper side among the plurality of electrode pads 13 is connected to the other connection conductor 11 and the insulating member 8. Crossed. Thus, by using the insulating member 8 to connect the connecting conductors 11 three-dimensionally, the degree of freedom of the electrode pad placement location is improved, and the acoustic wave device can be reduced in size. The insulating member 8 is made of, for example, polyimide resin.

電極パッド13は複数設けられており、図1(b)において、上辺側中央、下辺側中央、および左下に配された3個の電極パッド13c、13i、13jはグランド用の電極パッドであり、左上および右上に配された電極パッド13a、13eは、入出力信号用の電極パッドである。それ以外の電極パッド13b、13d、13f、13h、13kは、電気的に浮き状態となっている。   A plurality of electrode pads 13 are provided. In FIG. 1B, the three electrode pads 13c, 13i, and 13j arranged on the upper side center, the lower side center, and the lower left side are ground electrode pads. The electrode pads 13a and 13e arranged on the upper left and upper right are electrode pads for input / output signals. The other electrode pads 13b, 13d, 13f, 13h, and 13k are in an electrically floating state.

これらの電極パッド13、接続用導体11、および弾性表面波素子5は、例えば、同一の材料を用いて同一工程により作製することができ、それらの厚みは、例えば、0.1μm〜1.0μmである。   The electrode pad 13, the connecting conductor 11, and the surface acoustic wave element 5 can be manufactured by the same process using the same material, for example, and the thickness thereof is, for example, 0.1 μm to 1.0 μm. It is.

第1の柱状導体15は、弾性表面波素子5と電気的に接続されている電極パッド13a、13c、13e、13g、13i、13j上に設けられている。すなわち第1の柱状導体15は、電極パッド及び接続用導体11を介して弾性表面波素子5に電気的に接続されており、弾性表面波素子5を外部の電気回路またはグランドに接続するための端子として機能するものである。   The first columnar conductor 15 is provided on electrode pads 13 a, 13 c, 13 e, 13 g, 13 i, and 13 j that are electrically connected to the surface acoustic wave element 5. That is, the first columnar conductor 15 is electrically connected to the surface acoustic wave element 5 via the electrode pad and the connecting conductor 11, and is used to connect the surface acoustic wave element 5 to an external electric circuit or ground. It functions as a terminal.

また第2の柱状導体16は、弾性表面波素子5と電気的に接続されていない電極パッド13b、13d、13f、13h、13k上に設けられている。すなわち第2の柱状導体16は、弾性表面波素子5とは電気的に接続されていない。このように通常形成される第1の柱状導体15に加えて第2の柱状導体16を設けることによって保護カバー9が圧電基板3から剥離するのを抑制することができる。これは圧電基板3と保護カバー9との線膨脹係数の差などに起因して発生する保護カバー9の収縮応力が、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16に伝わることで歪み緩和が生じ、その結果、剥離しようとする力が小さく抑えられるためと考えられる。特に隣接する第1の柱状導体15の間のスペースにおいて保護カバー9の剥離が生じやすいため、隣接する第1の柱状導体15の間に第2の柱状導体16を設けておけば剥離防止の効果をより高めることができる。また第2の柱状導体16を保護カバー9の各辺それぞれに対応させて設けておけば、各辺において剥離を抑制できるため、振動空間17の気密性をより長期にわたって良好な状態に保持することができる。なお、第2の柱状導体16の配置場所はこれに限られない。例えば、図1(b)において、保護カバー9の右側の振動空間17と左側の振動空間17を仕切っている部分にも第2の柱状導体16を設けるようにすれば、保護カバー9の剥がれをよりいっそう抑制することができる。   The second columnar conductor 16 is provided on the electrode pads 13b, 13d, 13f, 13h, and 13k that are not electrically connected to the surface acoustic wave element 5. That is, the second columnar conductor 16 is not electrically connected to the surface acoustic wave element 5. In this way, by providing the second columnar conductor 16 in addition to the normally formed first columnar conductor 15, it is possible to suppress the protective cover 9 from peeling from the piezoelectric substrate 3. This is because the shrinkage stress of the protective cover 9 caused by the difference in the linear expansion coefficient between the piezoelectric substrate 3 and the protective cover 9 is transmitted to the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 to alleviate the distortion. As a result, it is considered that the force to be peeled is suppressed to be small. In particular, since the protective cover 9 is easily peeled off in the space between the adjacent first columnar conductors 15, if the second columnar conductor 16 is provided between the adjacent first columnar conductors 15, the effect of preventing peeling. Can be further enhanced. Further, if the second columnar conductor 16 is provided corresponding to each side of the protective cover 9, peeling can be suppressed at each side, so that the airtightness of the vibration space 17 can be maintained in a good state for a longer period. Can do. In addition, the arrangement | positioning location of the 2nd columnar conductor 16 is not restricted to this. For example, in FIG. 1B, if the second columnar conductor 16 is provided also in a portion that partitions the right vibration space 17 and the left vibration space 17 of the protective cover 9, the protective cover 9 is peeled off. It can be further suppressed.

電極パッド13と第1の柱状導体15との間および電極パッド13と第2の柱状導体16との間には、それぞれ電極パッド13と端子との接続を強化するために、クロム、ニッケル、金からなる接続強化層を介在させてもよい。また、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16は、柱状に形成されており、第1主面3aに対して立設されている。第1の柱状導体15の先端側部分は、不図示の回路基板等に接続可能とするために保護カバー9から露出している。一方、第2の柱状導体16の先端部分は、図2(b)に示すように絶縁膜18により覆われている。このように第2の柱状導体16の先端部分を絶縁膜18で覆うことによって、弾性表面波装置1を回路基板へ実装した際などに第1の柱状導体15と第2の柱状導体16とが実装用の半田などで短絡するのを防止することができる。絶縁膜18は、例えば、フェノール系、フッ素系の感光性樹脂からなる。なお、絶縁膜18を設けずに第2の柱状導体16の先端部が蓋部21内に位置するように、すなわち第2の柱状導体16が保護カバー9の内部に埋設されるようにしてもよい。この場合も第1の柱状導体15と柱状導体8との短絡を防止することができる。   In order to reinforce the connection between the electrode pad 13 and the terminal between the electrode pad 13 and the first columnar conductor 15 and between the electrode pad 13 and the second columnar conductor 16, respectively, chromium, nickel, gold You may interpose the connection reinforcement layer which consists of. Moreover, the 1st columnar conductor 15 and the 2nd columnar conductor 16 are formed in columnar shape, and are standingly arranged with respect to the 1st main surface 3a. The front end portion of the first columnar conductor 15 is exposed from the protective cover 9 so as to be connectable to a circuit board (not shown). On the other hand, the tip of the second columnar conductor 16 is covered with an insulating film 18 as shown in FIG. By covering the tip of the second columnar conductor 16 with the insulating film 18 in this manner, the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 are formed when the surface acoustic wave device 1 is mounted on a circuit board. It is possible to prevent a short circuit with mounting solder or the like. The insulating film 18 is made of, for example, a phenol-based or fluorine-based photosensitive resin. It should be noted that without providing the insulating film 18, the tip of the second columnar conductor 16 may be positioned in the lid portion 21, that is, the second columnar conductor 16 may be embedded in the protective cover 9. Good. Also in this case, a short circuit between the first columnar conductor 15 and the columnar conductor 8 can be prevented.

第1の柱状導体15および第2の柱状導体16は、例えば、はんだ,Cu,Au,Niにより形成されている。第1、第2の柱状導体15,16は、同一の金属材料により形成することが好ましい。両端子を同一の金属材料により形成することによって同一工程で作製することができ生産効率が良い。第1の柱状導体15および第2の柱状導体16は例えば概ね円柱状であるが、形状はそれに限らず四角柱などでもよい。   The first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 are made of, for example, solder, Cu, Au, or Ni. The first and second columnar conductors 15 and 16 are preferably formed of the same metal material. By forming both terminals with the same metal material, they can be manufactured in the same process, and production efficiency is good. The first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 are, for example, generally cylindrical, but the shape is not limited to this and may be a rectangular column or the like.

第1の柱状導体15は、断面視における形状が、例えば、第1主面3a側が第1主面3aとは反対側よりも拡径するテーパ状となっている。より詳細には、壁部19側の第1のテーパ部と蓋部21側の第2のテーパ部との2段テーパ構造となっており、第1のテーパ部の第2のテーパ部側の径は、第2のテーパ部の第1のテーパ部側の径より小さい。弾性波装置を回路基板に実装した後などに端子とて機能する第1の柱状導体15に対し、引き抜かれる方向の力が働くことがあるが、第1の柱状導体15を本実施形態のように2段テーパ構造としておくことで、そのような引き抜きの発生を抑えることができる。なお本実施形態では、第2の柱状導体16も第1の柱状導体15と同様に、第1主面3a側が第1主面3aとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成されている。   The shape of the first columnar conductor 15 in a sectional view is, for example, a tapered shape in which the diameter on the first main surface 3a side is larger than that on the side opposite to the first main surface 3a. More specifically, the first taper portion on the wall portion 19 side and the second taper portion on the lid portion 21 side have a two-step taper structure, and the first taper portion has a second taper portion side. The diameter is smaller than the diameter of the second tapered portion on the first tapered portion side. The first columnar conductor 15 that functions as a terminal after the acoustic wave device is mounted on the circuit board or the like may exert a force in the pulling direction, but the first columnar conductor 15 is used as in the present embodiment. In addition, the occurrence of such drawing can be suppressed by providing a two-step tapered structure. In the present embodiment, similarly to the first columnar conductor 15, the second columnar conductor 16 is formed in a tapered shape whose diameter on the first main surface 3a side is larger than that on the side opposite to the first main surface 3a. .

本実施形態では、第1の柱状導体15および柱状導体15はメッキ法により2段階にわけて形成されており、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16の厚み方向の途中には2段階目のメッキを施す際の下地用メッキ65が形成されている。   In the present embodiment, the first columnar conductor 15 and the columnar conductor 15 are formed in two stages by plating, and 2 in the middle of the thickness direction of the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16. A base plating 65 for performing the plating at the stage is formed.

また第1の柱状導体15の先端部にはランド27が設けられている。ランド27は、例えば、第1の柱状導体15の第1主面3aとは反対側の端面よりも面積が広く形成されており、外周部は保護カバー9上に積層されている。   A land 27 is provided at the tip of the first columnar conductor 15. For example, the land 27 has a larger area than the end surface of the first columnar conductor 15 opposite to the first main surface 3 a, and the outer peripheral portion is laminated on the protective cover 9.

図3〜図5は、弾性表面波装置1の製造方法の一例を説明する断面図であり、図1(a)のIb−Ib線における断面に相当する部分を示している。   3-5 is sectional drawing explaining an example of the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus 1, and has shown the part corresponded in the cross section in the Ib-Ib line | wire of Fig.1 (a).

弾性表面波装置1の第1の製造方法は、概観すると、弾性表面波素子5の形成工程と、保護カバー9の形成工程と、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16の形成工程とを含んでいる。具体的には、以下のとおりである。   The first manufacturing method of the surface acoustic wave device 1 can be summarized as follows: a step of forming the surface acoustic wave element 5, a step of forming the protective cover 9, and a step of forming the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16. Including. Specifically, it is as follows.

図3(a)に示すように、まず、圧電基板3の第1主面3a上には、接続用導体11、電極パッド13、および弾性表面波素子5(図には現れていない)が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法により、圧電基板3の第1主面3a上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機(ステッパー)とRIE(Reactive Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、接続用導体11、電極パッド13、および弾性表面波素子5が形成される。   As shown in FIG. 3A, first, the connecting conductor 11, the electrode pad 13, and the surface acoustic wave element 5 (not shown in the figure) are formed on the first main surface 3a of the piezoelectric substrate 3. Is done. Specifically, first, a metal layer is formed on the first main surface 3a of the piezoelectric substrate 3 by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Next, the metal layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus. Thereby, the connection conductor 11, the electrode pad 13, and the surface acoustic wave element 5 are formed.

次に、図3(b)に示すように保護層7を形成する。まず、保護層7となる薄膜が、弾性表面波素子5、接続用導体11および電極パッド13の上を覆うように、CVD法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。次に、電極パッド13が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層7が形成される。なお、保護層7を形成した後、また形成する前に、蒸着法等により電極パッド13の上にクロム、ニッケル、金を順に積層することにより接続強化層14が形成されている。   Next, the protective layer 7 is formed as shown in FIG. First, a thin film to be the protective layer 7 is formed by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method so as to cover the surface acoustic wave element 5, the connecting conductor 11, and the electrode pad 13. Next, a part of the thin film is removed by photolithography so that the electrode pad 13 is exposed. Thereby, the protective layer 7 is formed. In addition, after forming the protective layer 7, and before forming, the connection reinforcement | strengthening layer 14 is formed by laminating | stacking chromium, nickel, and gold | metal | money on the electrode pad 13 by vapor deposition etc. in order.

次に、図3(c)〜図3(d)に示すように、壁部19を形成する。具体的には、まず、図3(c)に示すように、保護層7上に、壁部19となる壁部構成層31が形成される。壁部構成層31は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。   Next, as shown in FIGS. 3C to 3D, the wall portion 19 is formed. Specifically, first, as shown in FIG. 3C, the wall portion constituting layer 31 that becomes the wall portion 19 is formed on the protective layer 7. The wall portion constituting layer 31 is formed, for example, by attaching a film formed of a negative type photoresist.

次に、図3(d)に示すように、フォトマスク33を介して紫外線等の光Lが壁部構成層31に照射されることにより露光処理が行われる。フォトマスク33は、例えば、透明基板35上に遮光層37が形成されることにより構成されている。遮光層37は、壁部構成層31を除去すべき位置に対応する位置に配されている。具体的には、振動空間17の形成位置、第1の柱状導体15、および第2の柱状導体16の形成位置に対応する場所に配されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。   Next, as shown in FIG. 3D, exposure processing is performed by irradiating the wall constituting layer 31 with light L such as ultraviolet rays through a photomask 33. The photomask 33 is configured, for example, by forming a light shielding layer 37 on a transparent substrate 35. The light shielding layer 37 is disposed at a position corresponding to the position where the wall portion constituting layer 31 is to be removed. Specifically, it is disposed at a location corresponding to the formation position of the vibration space 17, the formation position of the first columnar conductor 15, and the second columnar conductor 16. The exposure may be projection exposure, proximity exposure, or close exposure.

その後、図4(a)に示すように、現像処理を行い、壁部構成層31のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、壁部構成層31には、振動空間17となる開口部(図示せず)と、第1の柱状導体15が配置される第1孔部41と、第2の柱状導体16が配置される第2孔部42とが形成され、壁部19が完成する。   Thereafter, as shown in FIG. 4A, development processing is performed to leave a portion irradiated with light in the wall portion constituting layer 31 and remove a portion not irradiated with light. As a result, an opening (not shown) that becomes the vibration space 17, the first hole 41 in which the first columnar conductor 15 is disposed, and the second columnar conductor 16 are disposed in the wall portion constituting layer 31. The second hole portion 42 is formed, and the wall portion 19 is completed.

ここで、壁部構成層31の光が照射される領域の縁部においては、照射された光が、壁部構成層31の光が照射されない領域へ発散されてしまうことから、第1主面3a側まで十分に光が到達しない。従って、壁部構成層31の光が照射される領域の縁部は、第1主面3a側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第1孔部41および第2孔部42は、第1主面3a側ほど拡径するテーパ状(順テーパ状)に形成される。   Here, in the edge part of the area | region where the light of the wall part structure layer 31 is irradiated, since the irradiated light will diverge to the area | region where the light of the wall part structure layer 31 is not irradiated, it is 1st main surface. Light does not reach the 3a side sufficiently. Therefore, the edge part of the area | region where the light of the wall part structure layer 31 is irradiated is removed without fully hardening the 1st main surface 3a side. As a result, the first hole portion 41 and the second hole portion 42 are formed in a tapered shape (forward tapered shape) whose diameter increases toward the first main surface 3a side.

次に蓋部21を形成する。具体的には、まず、図4(b)に示すように、壁部19上に蓋部21を構成する蓋部構成層43が形成される。蓋部構成層43は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。蓋部構成層43が形成されることにより、壁部19の開口部が塞がれて、振動空間17が形成される。壁部構成層31と蓋部構成層43とは加熱されることによって接合される。   Next, the lid portion 21 is formed. Specifically, first, as shown in FIG. 4 (b), the lid portion constituting layer 43 constituting the lid portion 21 is formed on the wall portion 19. The lid portion constituting layer 43 is formed, for example, by attaching a film formed of a negative type photoresist. By forming the lid constituting layer 43, the opening of the wall portion 19 is closed and the vibration space 17 is formed. The wall portion constituting layer 31 and the lid portion constituting layer 43 are joined by being heated.

次に、図4(c)に示すように、フォトマスク45を介して紫外線等の光Lが蓋部構成層43に照射されることにより露光処理が行われる。フォトマスク45は、フォトマスク33と同様に、透明基板47上に遮光層49が形成されることにより構成されている。遮光層49は、蓋部構成層43を除去すべき位置に対応する位置に配されている。すなわち、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16の形成位置に対応する場所に配されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。   Next, as shown in FIG. 4C, exposure processing is performed by irradiating the lid constituting layer 43 with light L such as ultraviolet rays through a photomask 45. Similar to the photomask 33, the photomask 45 is configured by forming a light shielding layer 49 on the transparent substrate 47. The light shielding layer 49 is disposed at a position corresponding to the position where the lid portion constituting layer 43 should be removed. In other words, the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 are disposed at locations corresponding to the formation positions. The exposure may be projection exposure, proximity exposure, or close exposure.

その後、図4(d)に示すように、現像処理を行い、蓋部構成層43のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、第1孔部41の上には、第3孔部51が形成され、第1孔部41と第3孔部51とからなる第1の柱状導体形成用孔部61が形成される。また、第2孔部42の上には第4孔部52が形成され、第2孔部42と第4孔部52とからなる第2の柱状導体形成用孔部62が形成される。このようにして蓋部21が完成する。蓋部21が形成されることにより、壁部19と蓋部21とからなる保護カバー9が完成する。   Thereafter, as shown in FIG. 4D, development processing is performed to leave a portion irradiated with light, and remove a portion not irradiated with light, from the lid constituting layer 43. As a result, a third hole 51 is formed on the first hole 41, and a first columnar conductor forming hole 61 composed of the first hole 41 and the third hole 51 is formed. . A fourth hole 52 is formed on the second hole 42, and a second columnar conductor forming hole 62 composed of the second hole 42 and the fourth hole 52 is formed. In this way, the lid portion 21 is completed. By forming the lid portion 21, the protective cover 9 including the wall portion 19 and the lid portion 21 is completed.

保護カバー9が形成されると、図5に示すように、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16が形成される。具体的には、まず、図5(a)に示すように、メッキ用下地層55及びメッキ用レジスト層57が形成される。   When the protective cover 9 is formed, the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 are formed as shown in FIG. Specifically, first, as shown in FIG. 5A, a plating base layer 55 and a plating resist layer 57 are formed.

メッキ用下地層55は、保護カバー9を覆うように形成される。また、メッキ用下地層55は、第1の柱状導体形成用孔部61の底面、第2の柱状導体形成用孔部62の底面、及び、その内周面にも形成される。メッキ用下地層55は、例えばフラッシュメッキ法により、Ti−Cu合金等で形成するのが好適な一例である。   The plating base layer 55 is formed so as to cover the protective cover 9. The plating base layer 55 is also formed on the bottom surface of the first columnar conductor forming hole 61, the bottom surface of the second columnar conductor forming hole 62, and the inner peripheral surface thereof. The plating underlayer 55 is a suitable example formed of a Ti—Cu alloy or the like, for example, by flash plating.

メッキ用レジスト層57は、メッキ用下地層55上に形成される。メッキ用レジスト層57は、例えば、スピンコート等の手法で基板に形成される。   The plating resist layer 57 is formed on the plating base layer 55. The plating resist layer 57 is formed on the substrate by a technique such as spin coating.

次に、図5(b)に示すように、露出するメッキ用下地層55に対してメッキ法を施す。これにより、第1、第2の柱状導体形成用孔部61,62に金属が充填されることになる。そして、第1の柱状導体形成用孔部61および第2の柱状導体形成用孔部62に金属が充填されることにより第1の柱状導体15および第2の柱状導体16が完成する。   Next, as shown in FIG. 5B, the exposed plating underlayer 55 is plated. As a result, the first and second columnar conductor forming holes 61 and 62 are filled with metal. Then, the first columnar conductor 15 and the second columnar conductor 16 are completed by filling the first columnar conductor forming hole 61 and the second columnar conductor forming hole 62 with metal.

次にメッキ用レジスト層57を除去した後、図5(c)に示すように、第1の柱状導体15の先端部が露出するようにランド用孔部69が形成されたメッキ用レジスト層67を形成する。このとき第2の柱状導体16の先端部は、メッキ用レジスト層67で覆われている。その状態でランド用孔部69の底面にメッキ用下地層65を形成し、続いてランド用孔部69にメッキにより金属を充填することによりランド27が形成される。なお、ランド用孔部69においては、メッキ用レジスト層67の表面まで金属が充填される必要はなく、ランド用孔部69の適宜な深さまで金属が充填されればよい。メッキ法は、適宜に選択されてよいが、電気メッキ法が好適である。   Next, after removing the plating resist layer 57, as shown in FIG. 5C, the plating resist layer 67 in which the land hole 69 is formed so that the tip of the first columnar conductor 15 is exposed. Form. At this time, the tip of the second columnar conductor 16 is covered with a plating resist layer 67. In this state, the ground layer 65 for plating is formed on the bottom surface of the land hole 69, and then the land 27 is formed by filling the land hole 69 with metal by plating. In the land hole 69, the metal does not need to be filled up to the surface of the plating resist layer 67, and the metal may be filled to an appropriate depth in the land hole 69. The plating method may be appropriately selected, but the electroplating method is preferable.

その後、メッキ用レジスト層67を除去する。最後にフェノール系樹脂、フッ素系樹脂などの感光性樹脂をスクリーン印刷やスピンコート法により保護カバー上に塗布し、塗布された樹脂膜をランド27が露出するようにフォトリソグラフィなどによりパターニングすることによって、図1、図2に示した弾性表面波装置1が完成する。   Thereafter, the plating resist layer 67 is removed. Finally, a photosensitive resin such as phenol resin or fluorine resin is applied on the protective cover by screen printing or spin coating, and the applied resin film is patterned by photolithography or the like so that the land 27 is exposed. The surface acoustic wave device 1 shown in FIGS. 1 and 2 is completed.

なお上述したメッキ用レジスト層57、67は、例えば、アセトンやIPA等の有機溶剤やジメチルスルフォキシド等のアルカリ性有機溶剤により除去が可能である。またメッキ用下地層としてCuを用いた場合、メッキ用下地層は、例えば、塩化第2鉄や燐酸と過酸化水素水の混合液により除去が可能である。また、メッキ用下地層としてTiを用いた場合は、例えば、希フッ酸やアンモニアと過酸化水素水の混合液で除去が可能である。   The plating resist layers 57 and 67 described above can be removed by using an organic solvent such as acetone or IPA or an alkaline organic solvent such as dimethyl sulfoxide. When Cu is used as the plating base layer, the plating base layer can be removed by, for example, ferric chloride, a mixed solution of phosphoric acid and hydrogen peroxide solution. Further, when Ti is used as the plating base layer, it can be removed with, for example, dilute hydrofluoric acid or a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide.

(変形例)
図6は、上述した弾性表面波装置1の変形例としての弾性表面波装置2の断面図であり、図2(b)と同じ部分の断面に相当する。弾性表面波装置1では、第2の柱状導体16の先端部を絶縁膜18で覆っていたのに対し、図6に示す弾性表面波装置2では第2の柱状導体16の先端部をそのまま露出させている。このように第2の柱状導体16の先端部を露出させておけば、弾性表面波装置2を回路基板などに実装する際に第2の柱状導体16もダミーの端子として利用することができる。例えば回路基板のグランドパッドと第2の柱状導体16とを半田などで接合するようにすれば、弾性表面波装置2の回路基板への接続強度を強固にすることができる。
(Modification)
FIG. 6 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave device 2 as a modification of the surface acoustic wave device 1 described above, and corresponds to a cross section of the same portion as FIG. In the surface acoustic wave device 1, the tip of the second columnar conductor 16 is covered with the insulating film 18, whereas in the surface acoustic wave device 2 shown in FIG. 6, the tip of the second columnar conductor 16 is exposed as it is. I am letting. Thus, if the front-end | tip part of the 2nd columnar conductor 16 is exposed, when mounting the surface acoustic wave apparatus 2 on a circuit board etc., the 2nd columnar conductor 16 can also be utilized as a dummy terminal. For example, if the ground pad of the circuit board and the second columnar conductor 16 are joined by solder or the like, the connection strength of the surface acoustic wave device 2 to the circuit board can be strengthened.

また弾性表面波装置2の場合、製造プロセスを簡略化することもできる。図7は、弾性表面波装置2の製造プロセスの一例を示す断面図である。図7は、図5(a)に相当する段階のものである。図5(a)に示した状態と異なる点は、この段階でメッキ用レジスト層57にランド用孔部69を設けていることである。この状態で第1の柱状導体形成用孔部61、第2の柱状導体形成用孔部62、ランド用孔部69にメッキ処理を施すことにより、第1の柱状導体15とランド27とを連続的に形成することができる。すなわち、図5(c)、図5(d)で示したように、第1の柱状導体15を形成した後に別途ランド27を形成するためのプロセスを省略することができるため、製造プロセスが簡略化され生産効率がよい。   In the case of the surface acoustic wave device 2, the manufacturing process can be simplified. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the manufacturing process of the surface acoustic wave device 2. FIG. 7 shows a stage corresponding to FIG. The difference from the state shown in FIG. 5A is that land holes 69 are provided in the plating resist layer 57 at this stage. In this state, the first columnar conductor 15 and the land 27 are continuously connected by plating the first columnar conductor forming hole 61, the second columnar conductor forming hole 62, and the land hole 69. Can be formed. That is, as shown in FIG. 5C and FIG. 5D, the process for forming the land 27 after forming the first columnar conductor 15 can be omitted, so that the manufacturing process is simplified. And production efficiency is good.

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.

弾性波装置は、弾性表面波装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。また弾性波装置において、保護層(7)や接続強化層(13)は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。また第1の柱状導体15は、テーパ状のものに限定されず柱状のものであれば任意の形状が可能である。   The acoustic wave device is not limited to a surface acoustic wave device. For example, the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator. In the acoustic wave device, the protective layer (7) and the connection reinforcing layer (13) may be omitted, or conversely, other appropriate layers may be formed. Further, the first columnar conductor 15 is not limited to a tapered one, and can have any shape as long as it is columnar.

1・・・弾性表面波装置(弾性波装置)
3・・・圧電基板(基板)
3a・・・第1主面(主面)
6・・・櫛歯状電極(励振電極)
7・・・保護層
8・・・絶縁部材
9・・・保護カバー
11・・・接続用導体
15・・・第1の柱状導体
16・・・第2の柱状導体
17・・・振動空間
18・・・絶縁膜
1. Surface acoustic wave device (elastic wave device)
3 ... Piezoelectric substrate (substrate)
3a ... 1st main surface (main surface)
6 ... Comb electrode (excitation electrode)
7 ... Protective layer 8 ... Insulating member 9 ... Protective cover 11 ... Connecting conductor 15 ... First columnar conductor 16 ... Second columnar conductor 17 ... Vibration space 18 ... Insulating films

Claims (15)

弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第1の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第2の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第1の柱状導体の側面および前記第2の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記第2の柱状導体は、前記主面とは反対側の先端部が、厚み方向において前記振動空間よりも前記保護カバーの上面側に位置する弾性波装置。
A substrate that propagates elastic waves;
An excitation electrode disposed on a main surface of the substrate;
A plurality of first columnar conductors standing on the main surface of the substrate and electrically connected to the excitation electrode;
A second columnar conductor that is erected on the main surface of the substrate and is electrically floating;
A protective cover that forms a vibration space of the excitation electrode and covers a side surface of the first columnar conductor and a side surface of the second columnar conductor;
The second columnar conductor is an acoustic wave device in which a tip portion opposite to the main surface is positioned on the upper surface side of the protective cover with respect to the vibration space in the thickness direction.
前記第2の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する請求項1に記載の弾性波装置。 2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the second columnar conductor has a tapered portion whose diameter on the principal surface side is larger than that on the opposite side to the principal surface. 弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第1の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第2の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第1の柱状導体の側面および前記第2の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記第2の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する弾性波装置。
A substrate that propagates elastic waves;
An excitation electrode disposed on a main surface of the substrate;
A plurality of first columnar conductors standing on the main surface of the substrate and electrically connected to the excitation electrode;
A second columnar conductor that is erected on the main surface of the substrate and is electrically floating;
A protective cover that forms a vibration space of the excitation electrode and covers a side surface of the first columnar conductor and a side surface of the second columnar conductor;
The second columnar conductor is an acoustic wave device having a tapered portion whose diameter on the principal surface side is larger than that on the opposite side to the principal surface.
記テーパ部は、前記主面側に拡径する第1のテーパ部と、前記第1のテーパ部を基準として前記主面とは反対側に位置し、前記主面側に拡径する第2のテーパ部を有する請求項2または3に記載の弾性波装置。 Before SL tapered portion, a first tapered portion whose diameter increases in the main surface side, located on the opposite side of the first of said major surface relative to the tapered portion, the diameter increases to the main surface The elastic wave device according to claim 2, which has two tapered portions. 前記保護カバーは平面形状が矩形であり、前記第2の柱状導体は前記保護カバーの各辺のそれぞれに対応して設けられている請求項1〜4のいずれかに記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to any one of claims 1 to 4, wherein the protective cover has a rectangular planar shape, and the second columnar conductor is provided corresponding to each side of the protective cover. 前記第2の柱状導体は、前記主面とは反対側の先端部分が絶縁材料により覆われている請求項1〜5のいずれかに記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to any one of claims 1 to 5, wherein the second columnar conductor has a tip portion opposite to the main surface covered with an insulating material. 弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第1の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第2の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第1の柱状導体の側面および前記第2の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記第2の柱状導体は、前記主面とは反対側の先端部分が絶縁材料により覆われている弾性波装置。
A substrate that propagates elastic waves;
An excitation electrode disposed on a main surface of the substrate;
A plurality of first columnar conductors standing on the main surface of the substrate and electrically connected to the excitation electrode;
A second columnar conductor that is erected on the main surface of the substrate and is electrically floating;
A protective cover that forms a vibration space of the excitation electrode and covers a side surface of the first columnar conductor and a side surface of the second columnar conductor;
The second columnar conductor is an acoustic wave device in which a tip portion opposite to the main surface is covered with an insulating material.
弾性波を伝搬させる基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に立設され、前記励振電極と電気的に接続される複数個の第1の柱状導体と、
前記基板の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第2の柱状導体と、
前記励振電極の振動空間を構成するとともに、前記第1の柱状導体の側面および前記第2の柱状導体の側面を覆う保護カバーと、を有し、
前記保護カバーは平面形状が矩形であり、前記第2の柱状導体は前記保護カバーの各辺のそれぞれに対応して設けられている弾性波装置。
A substrate that propagates elastic waves;
An excitation electrode disposed on a main surface of the substrate;
A plurality of first columnar conductors standing on the main surface of the substrate and electrically connected to the excitation electrode;
A second columnar conductor that is erected on the main surface of the substrate and is electrically floating;
A protective cover that forms a vibration space of the excitation electrode and covers a side surface of the first columnar conductor and a side surface of the second columnar conductor;
The protective cover is an elastic wave device in which a planar shape is rectangular, and the second columnar conductor is provided corresponding to each side of the protective cover.
前記第2の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する請求項7または8に記載の弾性波装置。 9. The acoustic wave device according to claim 7, wherein the second columnar conductor has a tapered portion whose diameter on the main surface side is larger than that on the opposite side to the main surface. 前記第2の柱状導体は、隣接する前記第1の柱状導体の間に配置されている請求項1〜9のいずれかに記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to claim 1, wherein the second columnar conductor is disposed between the adjacent first columnar conductors. 前記第1の柱状導体と前記第2の柱状導体とが同一の金属材料からなる請求項1〜10のいずれかに記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to any one of claims 1 to 10, wherein the first columnar conductor and the second columnar conductor are made of the same metal material. 前記第1の柱状導体は、前記主面側が前記主面とは反対側よりも拡径するテーパ部を有する請求項1〜11のいずれかに記載の弾性波装置。The elastic wave device according to any one of claims 1 to 11, wherein the first columnar conductor has a tapered portion whose diameter on the principal surface side is larger than that on the opposite side to the principal surface. 前記基板が圧電基板であり、前記励振電極が、前記圧電基板を伝搬する弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に伸びる複数の電極指を含む櫛歯状電極である請求項1〜12のいずれかに記載の弾性波装置。 Any said substrate is a piezoelectric substrate, the excitation electrode, of the claims 1 to 12 is a comb-shaped electrode comprising a plurality of electrode fingers extending in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave propagating piezoelectric substrate The elastic wave apparatus of crab. 請求項1〜13のいずれかに記載の弾性波装置と、
前記弾性波装置が実装された第2の基板と、を有する回路基板。
The elastic wave device according to any one of claims 1 to 13 ,
And a second substrate on which the acoustic wave device is mounted.
前記第2の基板は、パッドを有しており、
前記弾性波装置は、前記第2の柱状導体が前記パッドに接合されている請求項1、3または8を引用する請求項14に記載の回路基板。
The second substrate has a pad,
The circuit board according to claim 14 , wherein the elastic wave device is such that the second columnar conductor is joined to the pad.
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