Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5506921B2 - 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法 - Google Patents

真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5506921B2
JP5506921B2 JP2012512785A JP2012512785A JP5506921B2 JP 5506921 B2 JP5506921 B2 JP 5506921B2 JP 2012512785 A JP2012512785 A JP 2012512785A JP 2012512785 A JP2012512785 A JP 2012512785A JP 5506921 B2 JP5506921 B2 JP 5506921B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
hand
pin
alignment mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012512785A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2011136075A1 (ja
Inventor
裕子 加藤
正志 菊池
厚治 亀崎
智彦 岡山
圭介 下田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2012512785A priority Critical patent/JP5506921B2/ja
Publication of JPWO2011136075A1 publication Critical patent/JPWO2011136075A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5506921B2 publication Critical patent/JP5506921B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法に関する。
有機EL素子は、発光効率が高く、薄い発光装置を組み立てることができることから、近年では、大面積化する表示装置や照明機器の用途に注目されている。
有機EL素子の製造過程では、基板上に下部電極、有機発光層、上部電極を形成し、次いでこの基板上に窒化シリコンもしくは酸窒化シリコンなどの保護膜を形成する。
有機発光層は熱により損傷しやすいため、保護膜の形成方法には、熱CVD法よりも低温で成膜できるプラズマCVD(PE−CVD)法が用いられる。
保護膜を例えば配線用の接続部が露出した状態となるように成膜する必要があることから、基板上にはアラインメントマスクを配置する。真空槽内にSiH4などの原料ガスと、N2、NH3、O2などの反応ガスとを導入し、プラズマを発生させる。原料ガスと反応ガスはアラインメントマスクの開口部で露出している基板上に到達し、基板上には開口部の平面形状に従った平面形状の薄膜が形成される。
現在、上述のようなアラインメントマスクは成膜装置の真空槽内を大気に開放した後、人の手で真空槽内に配置していた。従って、真空槽内のパーティクル管理がしにくいという問題があった。また、装置のダウンタイムも長くかかり、人手も必要であった。
さらに、アラインメントマスクは、同一の装置で生産する基板の品種が変わるごとに変更をしなくてはいけないので、真空槽を大気に開放してアラインメントマスクを交換するという作業を一日に何回も現場で行う場合もあり、作業時間を短縮することが難しかった。
特開2008−31528号公報 特開2007−308763号公報 特開2010−86809号公報 特開2009−64608号公報
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、真空槽内を大気に曝さなくてもアラインメントマスクを交換できる真空処理装置を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、基板が設置されるプレートと、前記プレートに形成されたマスク昇降用貫通孔に挿入され、上端にアラインメントマスクを配置可能に構成されたマスク昇降ピンと、前記プレートに形成された基板昇降用貫通孔に挿入され、上端に基板を配置可能に構成された基板昇降ピンと、前記プレートの下方位置に配置され、前記プレートに対して上下に相対移動可能なピン支持部材と、を有し、前記マスク昇降ピンは前記基板昇降ピンよりも上下方向に長く形成され、前記プレートの下方を向いた面と前記プレートに吊り下げられた前記基板昇降ピンの下端との間の距離を第一の距離とし、前記プレートの下方を向いた面と前記プレートに吊り下げられた前記マスク昇降ピンの下端との間の距離を第二の距離とすると、前記プレートの下方を向いた面と前記ピン支持部材の上方を向いた面との間が前記第一の距離より小さい時、前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンが前記ピン支持部材に支持され、前記プレートの下方を向いた面と前記ピン支持部材の上方を向いた面との間が前記第一の距離より大きく、前記第二の距離より小さい時、前記マスク昇降ピンが前記ピン支持部材に支持され、前記基板昇降ピンは前記プレートに吊り下げられ、前記プレートの下方を向いた面と前記ピン支持部材の上方を向いた面との間が前記第二の距離より大きい時、前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンが前記プレートに吊り下げられる、真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンとが前記ピン支持部材上に乗り、前記マスク昇降ピン上に前記アラインメントマスクが配置され、前記基板昇降ピン上に前記基板が配置された状態で、前記アラインメントマスクと前記基板との間に、基板搬送ロボットのハンドが挿入可能に構成された真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記基板昇降ピンの上端を横方向に移動させることで、前記基板昇降ピン上に配置された前記基板を移動させ、前記アラインメントマスクと前記基板とを位置合わせする位置合わせ装置と、前記真空槽内の前記プレートの上方に配置された配置部と、前記配置部上に配置され、前記マスク昇降ピン上に配置された前記アラインメントマスクの周囲が下方から上方に移動して当接されて、前記アラインメントマスクを前記真空槽に対して仮固定する枠体とを有し、前記位置合わせは、前記アラインメントマスクが前記枠体に当接された状態で行われる真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記アラインメントマスクが配置された前記マスク昇降ピンの上昇により、前記枠体は、前記アラインメントマスク上に乗って、前記アラインメントマスクと共に前記配置部から離間して上昇できるように構成された真空処理装置である。
本発明は、前記真空処理装置を用いた基板とアラインメントマスクの移動方法であって、前記真空槽内に基板とアラインメントマスクとが配置されていない状態で、前記プレートと前記ピン支持部材と前記マスク昇降ピンの上端と前記基板昇降ピンの上端とを、第一のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、アラインメントマスクを前記第一のハンドに載せて前記真空槽内に搬入し、前記ピン支持部材を上昇させて前記マスク昇降ピンを上昇させ、前記マスク昇降ピンの上端を前記アラインメントマスクの裏面に当接させ、前記アラインメントマスクを前記第一のハンド上から前記マスク昇降ピン上に移載し、前記第一のハンドを前記真空槽内から抜去するアラインメントマスク搬入工程と、前記マスク昇降ピン上の前記アラインメントマスクを第二のハンドを挿入する位置より上方に位置させ、かつ前記基板昇降ピンの上端を前記第二のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、基板を前記第二のハンドに載せて前記真空槽内に搬入し、前記アラインメントマスクと前記基板昇降ピンの上端との間に挿入し、前記ピン支持部材を上昇させて前記基板昇降ピンを上昇させ、前記基板昇降ピンの上端を前記基板の裏面に当接させ、前記基板を前記第二のハンド上から前記基板昇降ピン上に移載し、前記第二のハンドを前記真空槽内から抜去する基板搬入工程と、を有する基板とアラインメントマスクの移動方法である。
本発明は基板とアラインメントマスクの移動方法であって、前記第一のハンドと前記第二のハンドは同一の搬送ロボットのハンドである基板とアラインメントマスクの移動方法である。
本発明は基板とアラインメントマスクの移動方法であって、前記第一のハンドと前記第二のハンドは互いに異なる搬送ロボットのハンドである基板とアラインメントマスクの移動方法である。
本発明は、前記真空処理装置を用いた基板とアラインメントマスクの移動方法であって、前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンとが前記ピン支持部材上に乗り、前記マスク昇降ピン上にアラインメントマスクが配置され、前記基板昇降ピン上に基板が配置された状態で、前記基板を第三のハンドを挿入する位置より上方に位置させ、かつ前記プレートを前記第三のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、前記第三のハンドを前記基板と前記プレートとの間に挿入し、前記ピン支持部材を降下させて前記基板昇降ピンを降下させ、前記基板の裏面を前記第三のハンドに接触させ、前記基板を前記基板昇降ピン上から前記第三のハンド上に移載し、前記基板を前記第三のハンドに載せて前記真空槽内から搬出する基板搬出工程と、前記アラインメントマスクを第四のハンドを挿入する位置より上方に位置させ、かつ前記プレートを前記第四のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、前記第四のハンドを前記アラインメントマスクと前記プレートとの間に挿入し、前記ピン支持部材を降下させて前記マスク昇降ピンを降下させ、前記アラインメントマスクの裏面を前記第四のハンドに接触させ、前記アラインメントマスクを前記マスク昇降ピン上から前記第四のハンド上に移載し、前記アラインメントマスクを前記第四のハンドに載せて前記真空槽内から搬出するアラインメントマスク搬出工程と、を有する基板とアラインメントマスクの移動方法である。
本発明は基板とアラインメントマスクの移動方法であって、前記第三のハンドと前記第四のハンドは同一の搬送ロボットのハンドである基板とアラインメントマスクの移動方法である。
本発明は基板とアラインメントマスクの移動方法であって、前記第三のハンドと前記第四のハンドは互いに異なる搬送ロボットのハンドである基板とアラインメントマスクの移動方法である。
本発明は、前記真空処理装置を用いた基板とアラインメントマスクとの位置合わせ方法であって、前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンとが前記ピン支持部材上に乗り、前記マスク昇降ピン上にアラインメントマスクが配置され、前記基板昇降ピン上に基板が配置された状態で、前記ピン支持部材を上昇させて前記マスク昇降ピンを上昇させ、前記マスク昇降ピン上の前記アラインメントマスクを前記枠体に当接させ、前記基板昇降ピンの上端を横方向に移動させて、前記基板昇降ピン上の前記基板を移動させ、前記アラインメントマスクと前記基板とを位置合わせする、基板とアラインメントマスクとの位置合わせ方法である。
本発明は、前記基板とアラインメントマスクとの位置合わせ方法によって前記基板と前記アラインメントマスクとが位置合わせされた状態を維持しながら、前記プレートを上昇させて前記プレートの表面を前記基板の裏面に接触させ、前記基板を前記基板昇降ピンから前記プレート上に移載させ、前記基板昇降ピンを前記ピン支持部材から持ち上げて前記プレートに吊り下げ、前記プレートを上昇させて前記プレート上の前記基板の表面を前記アラインメントマスクの裏面に接触させ、前記アラインメントマスクを前記マスク昇降ピンから前記基板上に移載させ、前記マスク昇降ピンを前記ピン支持部材から持ち上げて前記プレートに吊り下げ、前記アラインメントマスクの上方から薄膜形成用の材料ガスを散布して、前記アラインメントマスクの開口部から露出した前記基板の表面に薄膜を成膜する成膜方法である。
本発明の真空処理装置では、薄膜形成用の材料ガスを導入するガス導入装置を前記プレートの上方に設ければ、プレート上に基板とアラインメントマスクとが積層された状態で、ガス導入装置から真空槽内に材料ガスを導入すると、アラインメントマスクの開口部から露出した前記基板の表面に薄膜を成膜することができる。
真空槽内を大気に曝さなくてもアライメントマスクを交換することが可能となり、作業時間の短縮、ダウンタイムの向上、パーティクル管理をしやすくなる。
基板を真空処理する間、基板昇降ピンとマスク昇降ピンをピン支持部材から離間させておくことができるので、ピン間の距離が、基板やプレートの熱伸びに従って自由に動することができ、ピン変形が生じない。
本発明の真空処理装置の基板とアラインメントマスクとが、真空槽の内部に配置されていない状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のハンド上に乗せられたアラインメントマスクをハンドと共に真空槽内に搬入した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のマスク昇降ピンの上端をアラインメントマスクの裏面に当接させた状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のアラインメントマスクをハンド上からマスク昇降ピン上に移載した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のハンドを真空槽内から抜去した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の基板を乗せたハンドを真空槽内に搬入した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の基板昇降ピンの上端を基板の裏面に当接させた状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のアラインメントマスクが、マスク昇降ピンによって枠体に当接された状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の真空槽内からハンドを抜去した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の基板とアラインメントマスクとが位置合わせされた状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の基板とアラインメントマスクとが位置合わせされた状態で密着した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のプレート上に、基板と、アラインメントマスクが積層された状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の基板が基板昇降ピン上に乗った状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の基板とプレートの間にハンドを挿入した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置の基板を基板昇降ピン上からハンド上に移載した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のハンドを真空槽内から抜去した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のアラインメントマスクとプレートの間にハンドを挿入した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のアラインメントマスクをマスク昇降ピン上からハンド上に移載した状態を説明するための内部構成図 本発明の真空処理装置のハンドを真空槽内から抜去した状態を説明するための内部構成図 アライメントマスクの構造を説明するための立体図 真空槽内に搬入されたハンドの平面図
符号1は、本発明の一例の真空処理装置を示している。
先ず、真空処理装置1の構造を説明する。
図1を参照し、この真空処理装置1は、真空槽11を有しており、真空槽11の内部の天井側には、シャワーノズルから成るガス導入装置12が配置され、その真下位置には、処理台13が配置されている。
真空槽11は、真空排気系31に接続されており、ガス導入装置12は原料ガス導入系32に接続されている。真空排気系31を動作させ、真空槽11の内部を真空排気しながら、原料ガス導入系32からガス導入装置12に薄膜形成用の材料ガスである原料ガスと反応ガスとが供給されると、ガス導入装置12から真空槽11内に原料ガスと反応ガスとが散布される。
真空槽11内のガス導入装置12と処理台13との間の位置の真空槽11の壁面には、配置部18が設けられており、配置部18上には枠体14が乗せられている。枠体14は、配置部18上で離間と配置が可能に構成されているが、配置部18上に乗ったときには、配置部18によって、真空槽11内で動かないように固定される。枠体14は枠状で、中央には開口が形成されている。
成膜の際には、図11に示すように、処理台13上に基板10とアラインメントマスク15とがこの順序で積層され、更に、アラインメントマスク15の外周付近の部分の上に枠体14が乗った状態で、ガス導入装置12から原料ガスと反応ガスが供給される。
アラインメントマスク15は、図20に示すように、剛性を有する矩形枠35に所定形状の遮蔽部36が設けられ、遮蔽部36と遮蔽部36との間に基板が露出するように開口部37が形成されている。
図11を参照し、ガス導入装置12はアラインメントマスク15上に位置している。ガス導入装置12から真空槽11内に散布された原料ガスと反応ガスは、開口部37で露出している基板10表面に到達し、遮蔽部36で遮られて基板10表面へ到達しないため、開口部37の平面形状に従った平面形状の薄膜が形成される。図20では、線状の遮蔽部36を有するアライメントマスク15が示されているが、これに限定されず、複数の開口部37がマトリックス状に並んだ形状など、遮蔽部36と開口部37の形状は特に限定されない。
図1は、基板10とアラインメントマスク15とが、真空槽11の内部に配置されていない状態を示しており、この図1を用いて、真空処理装置1の内部の構成を説明する。
処理台13は、筒状の第一の昇降部材21と、軸状の第二の昇降部材22と、プレート23と、ピン支持部材24とを有している。
第一の昇降部材21は、真空槽11の底面に気密に挿通されており、ピン支持部材24は、第一の昇降部材21の上端に、第一の昇降部材21の内部空間25を閉塞しないように取り付けられている。
第二の昇降部材22は第一の昇降部材21の内部空間25内に挿通されている。
ここでは、ピン支持部材24は貫通孔26を有する平板であり、貫通孔26が第一の昇降部材21の端部に位置し、第一の昇降部材21の内部空間25上に配置され、第二の昇降部材22は貫通孔26を通って第一の昇降部材21の内部空間25に挿通されている。
第一の昇降部材21と第二の昇降部材22は、鉛直に配置されている。
第一の昇降部材21と第二の昇降部材22は、下端を昇降装置29に取り付けられており、昇降装置29を動作させると、第一の昇降部材21と第二の昇降部材22は、それぞれ独立して上下移動できるようにされている。第一の昇降部材21と第二の昇降部材22が上下移動する際には、真空槽11内の真空雰囲気が維持されるようになっている。昇降装置29は、第一の昇降部材21と第二の昇降部材22が、それぞれ独立して上下移動できれば、駆動系が個別に設置されていても、共通に設置されていてもよい。また、貫通孔26は、第一の昇降部材21と第二の昇降部材22に個別に設けられ、それぞれベローズなどのシール部材が設けられてもよい。
プレート23は、第二の昇降部材22の上端に取り付けられている。
プレート23は、その上方を向いた面である表面が水平にされており、第二の昇降部材22を上下移動させると、プレート23の表面は水平な状態で鉛直に上下移動する。
プレート23には、マスク昇降用貫通孔41と基板昇降用貫通孔42がそれぞれ複数個形成されている。
各マスク昇降用貫通孔41にはマスク昇降ピン45がそれぞれ挿通され、各基板昇降用貫通孔42には、基板昇降ピン46がそれぞれ挿通されている。
プレート23の下方を向いた面である裏面と後述するようにプレート23に吊り下げられた基板昇降ピン46の下端との間の距離を第一の距離と呼び、プレート23の裏面と後述するようにプレート23に吊り下げられたマスク昇降ピン45の下端との間の距離を第二の距離と呼ぶ。
マスク昇降ピン45と基板昇降ピン46の真下位置には、ピン支持部材24が位置しており、プレート23の裏面とピン支持部材24の上方を向いた面との間の距離が、互いに近接する第一の距離以下にされたとき、マスク昇降ピン45の下端と基板昇降ピン46の下端はピン支持部材24上に乗り、マスク昇降ピン45の上端と基板昇降ピン46の上端は、プレート23の表面よりも上方に突き出すことができるようになっている。
マスク昇降ピン45の長さは、基板昇降ピン46よりも上下方向に長くされており、マスク昇降ピン45の下端と基板昇降ピン46の下端がピン支持部材24上に乗っているとき、下端の高さは等しいから、上端は、マスク昇降ピン45の方が、基板昇降ピン46よりも高い位置にある。
第一の昇降部材21を上下移動させることでピン支持部材24を上下移動させると、マスク昇降ピン45と基板昇降ピン46は、マスク昇降用貫通孔41内と基板昇降用貫通孔42内とにそれぞれ挿通された状態で、プレート23に対して上下移動される。
マスク昇降ピン45の上部と基板昇降ピン46の上部には、プレート23の一部と接触する鍔状の係止部材47が設けられている。なお、プレート23の穴に係止されれば、係止部材47の形状は図に示されている形状に限定されず、上部の直径が大きくなっている形状でもよい。
各貫通孔41、42内には突起又は段差が設けられている。図9を参照し、マスク昇降ピン45と基板昇降ピン46が、マスク昇降用貫通孔41内と基板昇降用貫通孔42内とにそれぞれ挿通されてピン支持部材24上に乗った状態で、プレート23を上昇させ、ピン支持部材24をプレート23に対して相対的に降下させ、マスク昇降ピン45と基板昇降ピン46をプレート23に対して相対的に降下させると、図10を参照し、基板昇降ピン46の係止部材47が基板昇降用貫通孔42内のプレート23の一部である突起や段差に接触し、基板昇降ピン46の相対的な降下が停止する。更にピン支持部材24を相対的に降下させると、図11を参照し、基板昇降ピン46の下端からピン支持部材24表面が離間する。更にピン支持部材24を相対的に降下させると、次いで、マスク昇降ピン45の係止部材47がマスク昇降用貫通孔41内の同様の突起や段差に接触し、マスク昇降ピン45の相対的な降下が停止し、図12を参照し、プレート23の裏面とピン支持部材24の上方を向いた面との間の距離が第一の距離よりも離間する第二の距離以上にされたとき、マスク昇降ピン45の下端からピン支持部材24は離間する。
この状態では、マスク昇降ピン45と基板昇降ピン46とはプレート23に吊り下げられており、そのマスク昇降ピン45の上端と基板昇降ピン46の上端とは、プレート23の表面以下の高さに位置しており、プレート23の表面上には突出しないようにされている。
プレート23の裏面とプレート23に吊り下げられた基板昇降ピン46の下端との間の距離が上述の第一の距離であり、プレート23の裏面とプレート23に吊り下げられたマスク昇降ピン45の下端との間の距離が上述の第二の距離である。
次に、真空処理装置1を用いた成膜工程について説明する。
図11に示すように、真空槽11の壁面には開口39が設けられている。
開口39の外部には、開口39によって、真空槽11と内部が連通した搬送室17が配置されており、搬送室17内には基板搬送ロボット50が配置されている。
ピン支持部材24とプレート23とを降下させておくと、図2を参照し、基板搬送ロボット50のハンド48は、開口39を通過して、搬送室17から真空槽11の内部に移動できるようにされている。
真空槽11内で成膜される基板10と、基板10の成膜に用いられるアラインメントマスク15とは、両方とも四角形であり、アラインメントマスク15の方が、少なくとも矩形枠35の分だけ大きくなっている(図20参照)。
基板搬送ロボット50は、基板10とアラインメントマスク15との、いずれも搬送可能に構成されている。
搬送室17と真空槽11は真空排気によって真空雰囲気に置かれており、ここで、基板搬送ロボット50のハンド48上にアラインメントマスク15が乗せられているものとすると、先ず、基板搬送ロボット50を動作させ、図2に示すように、基板搬送ロボット50のハンド48上に乗せられたアラインメントマスク15をハンド48と共に真空槽11内に搬入する。図21は真空槽11内に搬入されたハンド48の平面図を示している。
その状態からピン支持部材24によってマスク昇降ピン45を上昇させ、マスク昇降ピン45にハンド48の指49の間を通過させ、図3に示すように、マスク昇降ピン45の上端をアラインメントマスク15の裏面に当接させる。
その状態からマスク昇降ピン45を上昇させ、図4に示すように、アラインメントマスク15をハンド48上からマスク昇降ピン45上に移載する。
このとき、アライメントマスク15は、マスク昇降ピン45上を滑動し、定められた位置に設置される。
アラインメントマスク15をハンド48上からマスク昇降ピン45上に移載する間には基板昇降ピン46はアラインメントマスク15とは接触せず、また、基板昇降ピン46の上端はハンド48の高さよりも低くされており、図5に示すように、ハンド48を真空槽11内から抜去し、次いで、図6に示すように、基板10を乗せたハンド48を真空槽11内に搬入する。
アラインメントマスク15と基板10とは、同一の基板搬送ロボット50のハンド48に乗せて真空槽11内に搬入することもできるし、互いに異なる個別の基板搬送ロボット50のハンド48で搬入することもできる。
次に、ピン支持部材24を上昇させることによって基板昇降ピン46とマスク昇降ピン45とを上昇させ、図7に示すように基板昇降ピン46に、ハンド48の指49間を通過させ、基板昇降ピン46の上端を基板10の裏面に当接させる。
枠体14は、アラインメントマスク15の矩形枠35の上方に位置しており、ピン支持部材24によって、基板昇降ピン46とマスク昇降ピン45とを上昇させると、図8に示すように、アラインメントマスク15は、マスク昇降ピン45によって枠体14に当接される。
このとき、アラインメントマスク15に設けられた勘合部と、枠体14の所定位置に設けられた勘合部とが合せられ相対的に決められた位置で静止する。勘合部を凹部と凸部により形成し物理的に滑動して位置が合うように形成してもよい。アラインメントマスク15を枠体14に接触させることで相対的に決められた位置に静止させることを仮固定するという。
基板10は基板昇降ピン46によって、ハンド48上から持ち上げられており、図9に示すように、真空槽11内からハンド48を抜去する。
この状態では、基板10とプレート23とは離間しており、また、基板10とアラインメントマスク15とは離間している。
基板昇降用貫通孔42と基板昇降ピン46との間には隙間が形成されており、基板昇降ピン46を傾けて、基板昇降ピン46の上端を横方向に移動させることが出来るようになっている。
例えば、基板10の四辺に沿って配置された基板昇降ピン46の内、直交する2辺の基板昇降ピン46(可動ピン)はばね等により内側に傾く向きに設置されており、可動ピンを傾けてその上端を横方向に移動させ、その上端に配置された基板10を可動ピンの上端が移動する方向と同一方向に移動させて他の2辺の基板昇降ピン46(不動ピン)に押し付けることで、基板10を決められた位置に配置する(図21の符号46aは可動ピンを示し、符号46bは不動ピンを示す)。上記により、基板10とアラインメントマスク15が定められた位置に配置される。ここではピン支持部材24を水平方向であるXY方向に移動させることで、可動ピンの下端が支点となって可動ピンを傾けて可動ピンの上端をピン支持部材24の移動方向と逆方向である横方向に移動させる。
なお、上記はピンの形状や勘合部により基板10、アラインメントマスク15および枠体14の位置合わせを行う例を示したが、アライメントマスク15と枠体14をXY方向に移動する位置調整機構(図示なし)に受け渡して、カメラでアライメントマークを測定しながら基板10とアラインメントマスク15の位置合わせをしてもよい。
位置合わせが終了するとピン支持部材24の静止によって、基板10を静止させ、次に、図10に示すように、アラインメントマスク15と基板10とが位置合わせされた状態を維持しながらプレート23を上昇させて基板10の裏面にプレート23の表面を接触させ、基板10をプレート23上に乗せる。この状態では、基板10とアラインメントマスク15とは位置合わせがされている。
次に、プレート23を更に上昇させると、図11に示すように基板10はプレート23上に乗った状態で上方に移動し、基板10の表面はアラインメントマスク15の裏面に当接され、基板10とアラインメントマスク15とは位置合わせがされた状態で密着する。
このとき、基板昇降ピン46は、プレート23によってピン支持部材24上から持ち上げられ、プレート23に吊り下げられた状態になっている。
次いで、図12に示すように、プレート23を更に上昇させると、プレート23上に、基板10と、アラインメントマスク15が積層され、アラインメントマスク15の外周上には、枠体14が乗った状態になる。プレート23の上昇により、枠体14は、配置部18から離間して配置部18の上方に、基板10とアラインメントマスク15と共に上昇し、基板昇降ピン46に加え、マスク昇降ピン45もプレート23から吊り下げられた状態になる。
この状態では、基板10の表面はアラインメントマスク15の裏面に密着し、基板10の裏面はプレート23の表面に密着しており、ガス導入装置12から原料ガスと反応ガスを放出させると、原料ガスと反応ガスは、アラインメントマスク15の開口部37を通過して、基板10の表面の開口部37と面する位置に到達し、その部分に薄膜が成長する。
薄膜が所定膜厚に形成された後、ガス導入装置12からの原料ガスと反応ガスの放出を停止し、プレート23を降下させ、枠体14を配置部18上に乗せると共に、基板昇降ピン46の上端に基板10を乗せた状態で、プレート23を降下させ、基板10をアラインメントマスク15の裏面から離間させると共に、基板昇降ピン46もピン支持部材24上に乗せ、図13に示すように、基板10が基板昇降ピン46上に乗った状態にする。
このとき、基板10をハンド48よりも高い位置に静止させ、プレート23をハンド48よりも低い位置に配置しておき、図14に示すように、基板10とプレート23の間にハンド48を挿入し、次いで、図15に示すように、ピン支持部材24を降下させて基板昇降ピン46を降下させ、基板10を基板昇降ピン46上からハンド48上に移載し、図16のように、ハンド48を真空槽11内から抜去する。
そして、未成膜の基板をハンド48上に乗せて真空槽11内に搬入し、上記と同様に基板表面にアラインメントマスク15を乗せて成膜を行うことができ、複数回繰り返すと、複数の基板に成膜処理を行うことが出来る。
多数枚数の基板に成膜処理を行い、アラインメントマスク15を交換する場合は、図17に示すように、アラインメントマスク15とプレート23の間にハンド48を挿入し、次いで、ピン支持部材24を降下させてマスク昇降ピン45を降下させ、図18に示すように、アラインメントマスク15をマスク昇降ピン45上からハンド48上に移載し、図19に示すように、ハンド48を真空槽11内から抜去すると、新しいアラインメントマスクを乗せたハンドを真空槽11内に搬入し、アラインメントマスクの交換を行うことが出来る。
アラインメントマスク15と基板10とは、同一の基板搬送ロボット50のハンド48に乗せて真空槽11に搬出することもできるし、互いに異なる個別の基板搬送ロボット50のハンド48で搬出することもできる。
なお、上記実施例は成膜装置であったが、アラインメントマスクを用いた真空処理装置であれば、例えばエッチング装置等、他の種類の真空処理装置にも用いることが出来る。
1……真空処理装置
10……基板
11……真空槽
12……ガス導入装置
14……枠体
15……アライメントマスク
18……配置部
21……第一の昇降部材
22……第二の昇降部材
23……プレート
24……ピン支持部材
41……マスク昇降用貫通孔
42……基板昇降用貫通孔
45……マスク昇降ピン
46……基板昇降ピン
47……係止部材
48……ハンド
50……基板搬送ロボット

Claims (12)

  1. 真空槽と、
    基板が設置されるプレートと、
    前記プレートに形成されたマスク昇降用貫通孔に挿入され、上端にアラインメントマスクを配置可能に構成されたマスク昇降ピンと、
    前記プレートに形成された基板昇降用貫通孔に挿入され、上端に基板を配置可能に構成された基板昇降ピンと、
    前記プレートの下方位置に配置され、前記プレートに対して上下に相対移動可能なピン支持部材と、
    を有し、
    前記マスク昇降ピンは前記基板昇降ピンよりも上下方向に長く形成され、
    前記プレートの下方を向いた面と前記プレートに吊り下げられた前記基板昇降ピンの下端との間の距離を第一の距離とし、前記プレートの下方を向いた面と前記プレートに吊り下げられた前記マスク昇降ピンの下端との間の距離を第二の距離とすると、
    前記プレートの下方を向いた面と前記ピン支持部材の上方を向いた面との間が前記第一の距離より小さい時、前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンが前記ピン支持部材に支持され、
    前記プレートの下方を向いた面と前記ピン支持部材の上方を向いた面との間が前記第一の距離より大きく、前記第二の距離より小さい時、前記マスク昇降ピンが前記ピン支持部材に支持され、前記基板昇降ピンは前記プレートに吊り下げられ、
    前記プレートの下方を向いた面と前記ピン支持部材の上方を向いた面との間が前記第二の距離より大きい時、前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンが前記プレートに吊り下げられる、真空処理装置。
  2. 前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンとが前記ピン支持部材上に乗り、前記マスク昇降ピン上に前記アラインメントマスクが配置され、前記基板昇降ピン上に前記基板が配置された状態で、
    前記アラインメントマスクと前記基板との間に、基板搬送ロボットのハンドが挿入可能に構成された請求項1記載の真空処理装置。
  3. 前記基板昇降ピンの上端を横方向に移動させることで、前記基板昇降ピン上に配置された前記基板を移動させ、前記アラインメントマスクと前記基板とを位置合わせする位置合わせ装置と、
    前記真空槽内の前記プレートの上方に配置された配置部と、
    前記配置部上に配置され、前記マスク昇降ピン上に配置された前記アラインメントマスクの周囲が下方から上方に移動して当接されて、前記アラインメントマスクを前記真空槽に対して仮固定する枠体とを有し、
    前記位置合わせは、前記アラインメントマスクが前記枠体に当接された状態で行われる請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理装置。
  4. 前記アラインメントマスクが配置された前記マスク昇降ピンの上昇により、前記枠体は、前記アラインメントマスク上に乗って、前記アラインメントマスクと共に前記配置部から離間して上昇できるように構成された請求項3記載の真空処理装置。
  5. 請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理装置を用いた基板とアラインメントマスクの移動方法であって、
    前記真空槽内に基板とアラインメントマスクとが配置されていない状態で、前記プレートと前記ピン支持部材と前記マスク昇降ピンの上端と前記基板昇降ピンの上端とを、第一のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、アラインメントマスクを前記第一のハンドに載せて前記真空槽内に搬入し、前記ピン支持部材を上昇させて前記マスク昇降ピンを上昇させ、前記マスク昇降ピンの上端を前記アラインメントマスクの裏面に当接させ、前記アラインメントマスクを前記第一のハンド上から前記マスク昇降ピン上に移載し、前記第一のハンドを前記真空槽内から抜去するアラインメントマスク搬入工程と、
    前記マスク昇降ピン上の前記アラインメントマスクを第二のハンドを挿入する位置より上方に位置させ、かつ前記基板昇降ピンの上端を前記第二のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、基板を前記第二のハンドに載せて前記真空槽内に搬入し、前記アラインメントマスクと前記基板昇降ピンの上端との間に挿入し、前記ピン支持部材を上昇させて前記基板昇降ピンを上昇させ、前記基板昇降ピンの上端を前記基板の裏面に当接させ、前記基板を前記第二のハンド上から前記基板昇降ピン上に移載し、前記第二のハンドを前記真空槽内から抜去する基板搬入工程と、
    を有する基板とアラインメントマスクの移動方法。
  6. 前記第一のハンドと前記第二のハンドは同一の搬送ロボットのハンドである請求項5記載の基板とアラインメントマスクの移動方法。
  7. 前記第一のハンドと前記第二のハンドは互いに異なる搬送ロボットのハンドである請求項5記載の基板とアラインメントマスクの移動方法。
  8. 請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理装置を用いた基板とアラインメントマスクの移動方法であって、
    前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンとが前記ピン支持部材上に乗り、前記マスク昇降ピン上にアラインメントマスクが配置され、前記基板昇降ピン上に基板が配置された状態で、前記基板を第三のハンドを挿入する位置より上方に位置させ、かつ前記プレートを前記第三のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、前記第三のハンドを前記基板と前記プレートとの間に挿入し、前記ピン支持部材を降下させて前記基板昇降ピンを降下させ、前記基板の裏面を前記第三のハンドに接触させ、前記基板を前記基板昇降ピン上から前記第三のハンド上に移載し、前記基板を前記第三のハンドに載せて前記真空槽内から搬出する基板搬出工程と、
    前記アラインメントマスクを第四のハンドを挿入する位置より上方に位置させ、かつ前記プレートを前記第四のハンドを挿入する位置より下方に位置させておき、前記第四のハンドを前記アラインメントマスクと前記プレートとの間に挿入し、前記ピン支持部材を降下させて前記マスク昇降ピンを降下させ、前記アラインメントマスクの裏面を前記第四のハンドに接触させ、前記アラインメントマスクを前記マスク昇降ピン上から前記第四のハンド上に移載し、前記アラインメントマスクを前記第四のハンドに載せて前記真空槽内から搬出するアラインメントマスク搬出工程と、
    を有する基板とアラインメントマスクの移動方法。
  9. 前記第三のハンドと前記第四のハンドは同一の搬送ロボットのハンドである請求項8記載の基板とアラインメントマスクの移動方法。
  10. 前記第三のハンドと前記第四のハンドは互いに異なる搬送ロボットのハンドである請求項8記載の基板とアラインメントマスクの移動方法。
  11. 請求項3記載の真空処理装置を用いた基板とアラインメントマスクとの位置合わせ方法であって、
    前記マスク昇降ピンと前記基板昇降ピンとが前記ピン支持部材上に乗り、前記マスク昇降ピン上にアラインメントマスクが配置され、前記基板昇降ピン上に基板が配置された状態で、
    前記ピン支持部材を上昇させて前記マスク昇降ピンを上昇させ、前記マスク昇降ピン上の前記アラインメントマスクを前記枠体に当接させ、
    前記基板昇降ピンの上端を横方向に移動させて、前記基板昇降ピン上の前記基板を移動させ、前記アラインメントマスクと前記基板とを位置合わせする、
    基板とアラインメントマスクとの位置合わせ方法。
  12. 請求項11記載の基板とアラインメントマスクとの位置合わせ方法によって前記基板と前記アラインメントマスクとが位置合わせされた状態を維持しながら、前記プレートを上昇させて前記プレートの表面を前記基板の裏面に接触させ、前記基板を前記基板昇降ピンから前記プレート上に移載させ、前記基板昇降ピンを前記ピン支持部材から持ち上げて前記プレートに吊り下げ、
    前記プレートを上昇させて前記プレート上の前記基板の表面を前記アラインメントマスクの裏面に接触させ、前記アラインメントマスクを前記マスク昇降ピンから前記基板上に移載させ、前記マスク昇降ピンを前記ピン支持部材から持ち上げて前記プレートに吊り下げ、
    前記アラインメントマスクの上方から薄膜形成用の材料ガスを散布して、前記アラインメントマスクの開口部から露出した前記基板の表面に薄膜を成膜する成膜方法。
JP2012512785A 2010-04-28 2011-04-19 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法 Active JP5506921B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012512785A JP5506921B2 (ja) 2010-04-28 2011-04-19 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010104403 2010-04-28
JP2010104403 2010-04-28
JP2012512785A JP5506921B2 (ja) 2010-04-28 2011-04-19 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
PCT/JP2011/059576 WO2011136075A1 (ja) 2010-04-28 2011-04-19 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011136075A1 JPWO2011136075A1 (ja) 2013-07-18
JP5506921B2 true JP5506921B2 (ja) 2014-05-28

Family

ID=44861382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012512785A Active JP5506921B2 (ja) 2010-04-28 2011-04-19 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5506921B2 (ja)
KR (1) KR101321690B1 (ja)
CN (1) CN102859031B (ja)
TW (1) TWI457457B (ja)
WO (1) WO2011136075A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102021055B1 (ko) * 2012-07-06 2019-09-11 주식회사 원익아이피에스 마스크 기판 얼라이너, 이를 구비한 증착장치, 그 제어방법 및 마스크 기판 얼라인 방법
KR101898065B1 (ko) * 2012-08-10 2018-09-12 주식회사 원익아이피에스 기판이송모듈
KR102017744B1 (ko) * 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
WO2015087505A1 (ja) * 2013-12-12 2015-06-18 株式会社アルバック インライン式成膜装置の成膜準備方法及びインライン式成膜装置並びにキャリア
JP6054470B2 (ja) * 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
DE102017105379A1 (de) * 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Substrathalteranordnung mit Maskenträger
JP6468540B2 (ja) * 2017-05-22 2019-02-13 キヤノントッキ株式会社 基板搬送機構、基板載置機構、成膜装置及びそれらの方法
JP7129888B2 (ja) * 2018-11-07 2022-09-02 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び半導体製造装置
KR102180211B1 (ko) * 2019-01-07 2020-11-18 주식회사 아바코 마스크 정렬장치용 기판 리프트 장치
JP7292948B2 (ja) * 2019-04-24 2023-06-19 キヤノン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102445850B1 (ko) * 2019-11-14 2022-09-20 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP2021097162A (ja) * 2019-12-18 2021-06-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
CN113035682B (zh) * 2019-12-25 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件及其等离子体处理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0927538A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Sharp Corp 四隅が支持されて持ち上げられた基板のたわみ軽減方法および枚葉式基板処理装置
JP3504477B2 (ja) * 1997-11-07 2004-03-08 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
JP4627392B2 (ja) * 2001-09-26 2011-02-09 株式会社アルバック 真空処理装置および真空処理方法
JP2005310989A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板及びフォトマスクの受け渡し方法、並びに基板及びフォトマスクの受け渡し装置
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
KR100843107B1 (ko) * 2007-01-31 2008-07-03 주식회사 아이피에스 진공처리장치
JP2008303427A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板処理装置
JP5173699B2 (ja) * 2008-09-25 2013-04-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 有機elデバイス製造装置
JP2010086809A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 保持装置、マスクのアライメント方法、基板処理装置、電子放出素子ディスプレイの生産方法及び有機elディスプレイの生産方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011136075A1 (ja) 2011-11-03
CN102859031B (zh) 2014-08-20
KR101321690B1 (ko) 2013-10-23
JPWO2011136075A1 (ja) 2013-07-18
TWI457457B (zh) 2014-10-21
KR20120128719A (ko) 2012-11-27
CN102859031A (zh) 2013-01-02
TW201204859A (en) 2012-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5506921B2 (ja) 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
JP6728412B2 (ja) 有機発光ダイオード(oled)デバイスを封止する方法及びシステム
KR100636487B1 (ko) 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법
US9428833B1 (en) Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal
CN105934837A (zh) 允许低压工具替换的原子层沉积处理腔室
CN107958864B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JPWO2007018139A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
KR101676367B1 (ko) 마스크 장치와 이를 이용한 박막 패턴의 제조 장치 및 제조 방법
JP2019520701A (ja) 12面形の移送チャンバ、及び、かかる移送チャンバを有する処理システム
TW201802570A (zh) 標線片處理系統
KR100976369B1 (ko) 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼 보트
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR101267397B1 (ko) 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR101821594B1 (ko) 기판 가열 장치, 이를 구비하는 도포 현상 장치 및 기판 가열 방법
JP2005223142A (ja) 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置
KR20140140462A (ko) 원자층 증착 장치
JP4794471B2 (ja) 露光装置、及び露光装置の負圧室の天板を交換する方法
JP2008112902A (ja) 基板の支持方法及び支持構造
WO2024162483A1 (ja) 基板保持具用治具、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101612503B1 (ko) 박막 증착 장치
JP3145424U (ja) 基板処理装置
KR20240088279A (ko) 마스크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
TW201713415A (zh) 加熱機台
KR20230063324A (ko) 기판을 냉각하기 위한 방법, 시스템, 및 장치
JP2010153654A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140318

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5506921

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250