JP5541450B2 - 圧電素子の製造方法 - Google Patents
圧電素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5541450B2 JP5541450B2 JP2010059120A JP2010059120A JP5541450B2 JP 5541450 B2 JP5541450 B2 JP 5541450B2 JP 2010059120 A JP2010059120 A JP 2010059120A JP 2010059120 A JP2010059120 A JP 2010059120A JP 5541450 B2 JP5541450 B2 JP 5541450B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- piezoelectric
- layer
- film
- piezoelectric element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 73
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 40
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 23
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 166
- 239000010408 film Substances 0.000 description 101
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 LaNiO 3 Chemical compound 0.000 description 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003114 SrVO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum;oxonickel Chemical compound [La].[Ni]=O RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
- H10N30/708—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
基板の上に形成された第1電極と、
前記第1電極の上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上に形成された第2電極と、
少なくとも前記第1電極の側面を覆うように形成された樹脂層と、
を含み、
前記第1電極は、卑金属からなる金属層と酸化防止層とを有し、
前記酸化防止層は、前記金属層と前記圧電体層とが接しないように、前記金属層と前記圧電体層との間に設けられる。
前記金属層の材料は、W、Ta、Hf、Mo、Nb、Zr、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、V及びTiからなる群より選択される少なくとも1種を含んでいてもよい。
前記第1電極は、前記圧電体層と前記酸化防止層との間に、配向制御層をさらに有していてもよい。
前記第1電極は、前記金属層と前記配向制御層との間に、第1の密着層をさらに有していてもよい。
上記いずれかに記載の圧電素子を含み、
前記基板は、振動板である。
前記第1電極と前記振動板との間に、第2の密着層を有していてもよい。
上記いずれかに記載の圧電アクチュエーターを含む。
上記の液滴噴射ヘッドを含む。
基板の上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜の上に圧電材料膜を形成する工程と、
前記圧電材料膜を熱処理し、圧電体膜を形成する工程と、
前記第1導電膜と前記圧電体膜とをパターニングして、第1電極と圧電体層を形成する工程と、
少なくとも前記第1電極の側面を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記圧電体層の上に第2電極を形成する工程と、
を有し、
前記第1導電膜を形成する工程は、卑金属からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜と前記圧電材料膜とが接しないように、前記金属膜と前記圧電材料膜との間に、酸化防止膜を形成する工程と、を有する。
前記樹脂層は、感光性樹脂材料を用いて形成されてもよい。
1−1.圧電素子及び圧電アクチュエーターの構造
図1は、本実施形態の圧電素子50を模式的に示す平面図である。図2(A)は、図1に示すII−II線における圧電素子50の断面図、図2(B)は、図2(A)に示す圧電素子50の要部IBの拡大図である。図3は、図1に示すIII−III線における圧電素子50の断面図である。
図4は、変形例の圧電素子50aを模式的に示す平面図である。図5(A)は、図4に示すVA−VA線における圧電素子50aの断面図、図5(B)は、図4に示すVB−VB線における圧電素子50aの断面図である。以下、図1〜図3を用いて説明した圧電素子50と異なる構成のみに関して説明する。なお、各部材の材質や主たる機能については、図1〜図3を用いて説明した圧電素子50と同一である。
次に、本実施形態に係る圧電素子50の製造方法について説明する。図6(A)〜図6(D)及び図7(A)〜図7(D)は、本実施形態の圧電素子50の製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、本実施形態に係る圧電素子50が圧電アクチュエーターとして機能する液滴噴射ヘッド600について、図面を参照しながら説明する。図8は、本実施形態に係る液滴噴射ヘッド600の要部を模式的に示す断面図である。図9は、本実施形態に係る液滴噴射ヘッド600の分解斜視図であり、通常使用される状態とは上下を逆に示したものである。
次に、本実施形態に係る液滴噴射装置について、図面を参照しながら説明する。液滴噴射装置は、上述の液滴噴射ヘッドを有する。以下では、液滴噴射装置が上述の液滴噴射ヘッドを有するインクジェットプリンターである場合について説明する。図10は、本実施形態に係る液滴噴射装置700を模式的に示す斜視図である。
材料を溶媒や分散媒によって適当な粘度に調整したものなどを用いることができる。本発明の液滴噴射装置は、例示したプリンター等の画像記録装置以外にも、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射装置、有機ELディスプレイ、FED(面発光ディスプレイ)、電気泳動ディスプレイ等の電極やカラーフィルターの形成に用いられる液体材料噴射装置、バイオチップ製造に用いられる生体有機材料噴射装置としても好適に用いられることができる。
10c 第1導電膜、11 金属層、11a 金属膜、12 酸化防止層、
12a 酸化防止膜、13 第1の密着層、13a 第1の密着膜、
14 配向制御層、14a 配向制御膜、15 第2の密着層、15a 配向制御膜、
20 圧電体層、21 上面、22 側面、30 樹脂層、40 第2電極、
50、50a 圧電素子、60 レジスト、100 圧電アクチュエーター、
110 第1の方向、120 第2の方向、
600 液滴噴射ヘッド、610 ノズル板、612 ノズル孔、
620 圧力室基板、622 圧力室、624 リザーバー、626 供給口、
628 貫通孔、630 筐体、700 液滴噴射装置、710 駆動部、
720 装置本体、721 トレイ、722 排出口、730 ヘッドユニット、
731 インクカートリッジ、732 キャリッジ、741 キャリッジモーター、
742 往復動機構、743 タイミングベルト、744 キャリッジガイド軸、
750 給紙部、751 給紙モーター、752 給紙ローラー、
752a 従動ローラー、752b 駆動ローラー、760 制御部、
770 操作パネル
Claims (2)
- 基板の上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜の上に圧電材料膜を形成する工程と、
前記圧電材料膜を熱処理し、圧電体膜を形成する工程と、
前記第1導電膜と前記圧電体膜とをパターニングして、第1電極と圧電体層を形成する工程と、
少なくとも前記第1電極の側面を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記圧電体層の上に第2電極を形成する工程と、
を有し、
前記第1導電膜を形成する工程は、卑金属からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜と前記圧電材料膜とが接しないように、前記金属膜と前記圧電材料膜との間に、酸化防止膜を形成する工程と、を有する、圧電素子の製造方法。 - 請求項1において、
前記樹脂層は、感光性樹脂材料を用いて形成される、圧電素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010059120A JP5541450B2 (ja) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | 圧電素子の製造方法 |
CN201110064931.4A CN102208524B (zh) | 2010-03-16 | 2011-03-14 | 压电元件及其制造方法、压电致动器、液滴喷射头及装置 |
US13/048,175 US8672455B2 (en) | 2010-03-16 | 2011-03-15 | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, droplet-ejecting head, droplet-ejecting apparatus, and method for manufacturing piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010059120A JP5541450B2 (ja) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | 圧電素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011192887A JP2011192887A (ja) | 2011-09-29 |
JP5541450B2 true JP5541450B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=44646893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010059120A Active JP5541450B2 (ja) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | 圧電素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8672455B2 (ja) |
JP (1) | JP5541450B2 (ja) |
CN (1) | CN102208524B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5278654B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2013-09-04 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
KR20120110820A (ko) * | 2011-03-30 | 2012-10-10 | 삼성전자주식회사 | 헤드 짐발 조립체 및 그를 구비한 하드디스크 드라이브 |
JPWO2013047195A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-03-26 | Hoya株式会社 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
JP5998531B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-09-28 | 株式会社リコー | 電気−機械変換素子と液滴吐出ヘッドと液滴吐出装置 |
JP5998537B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2016-09-28 | 株式会社リコー | 電気−機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP5904031B2 (ja) * | 2012-06-25 | 2016-04-13 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜アクチュエータおよびそれを備えたインクジェットヘッド |
JP6102099B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2017-03-29 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子及びその製造方法、並びに液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP2014203839A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法 |
US8854772B1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-10-07 | Seagate Technology Llc | Adhesion enhancement of thin film PZT structure |
JP2016174024A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波モーター用圧電素子およびその製造方法、超音波モーター、ロボット、ならびにポンプ |
US20180076381A1 (en) * | 2015-03-16 | 2018-03-15 | Seiko Epson Corporation | Method for producing piezoelectric element, piezoelectric element, piezoelectric drive device, robot, and pump |
JP6597959B2 (ja) * | 2015-10-05 | 2019-10-30 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの駆動方法 |
CN113711371A (zh) | 2019-04-24 | 2021-11-26 | 罗姆股份有限公司 | 压电体膜利用装置 |
CN112216785B (zh) * | 2020-09-28 | 2021-10-08 | 广东广纳芯科技有限公司 | 复合电极、复合电极的制造方法、以及叉指换能器 |
KR102619089B1 (ko) * | 2022-10-31 | 2023-12-29 | 주식회사 미코세라믹스 | 세라믹 서셉터 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3019845B1 (ja) * | 1997-11-25 | 2000-03-13 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置 |
JP3102481B1 (ja) | 1998-06-08 | 2000-10-23 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置 |
US6336717B1 (en) | 1998-06-08 | 2002-01-08 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and ink jet recording apparatus |
JP2000031549A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-01-28 | Seiko Epson Corp | 焦電素子 |
JP2004221622A (ja) * | 2002-01-08 | 2004-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法 |
JP2004048639A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等 |
JP2004152911A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | アクチュエータ及び印刷ヘッド |
JP4774666B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2011-09-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 液滴吐出装置 |
JP2005249645A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 角速度センサおよびその製造方法 |
JP4022674B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2007-12-19 | 富士フイルム株式会社 | 液体吐出ヘッド、画像形成装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP5233157B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2013-07-10 | パナソニック株式会社 | 圧電デバイス |
JP4521451B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2010-08-11 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP2011040666A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Seiko Epson Corp | 圧電アクチュエーターおよびその製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置 |
-
2010
- 2010-03-16 JP JP2010059120A patent/JP5541450B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-14 CN CN201110064931.4A patent/CN102208524B/zh active Active
- 2011-03-15 US US13/048,175 patent/US8672455B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102208524B (zh) | 2014-06-11 |
US20110228013A1 (en) | 2011-09-22 |
US8672455B2 (en) | 2014-03-18 |
CN102208524A (zh) | 2011-10-05 |
JP2011192887A (ja) | 2011-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5541450B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
JP5321805B2 (ja) | アクチュエータ装置の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2011110784A (ja) | アクチュエーター、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置 | |
JP2011018723A (ja) | 圧電素子およびその製造方法、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド、並びに、液体噴射装置 | |
JP2012059770A (ja) | 圧電素子、液滴噴射ヘッドおよび液滴噴射装置ならびにそれらの製造方法 | |
JP2012089600A (ja) | 圧電素子、液滴噴射ヘッドおよび液滴噴射装置ならびに圧電素子の製造方法 | |
JP2011044528A (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 | |
JP5552842B2 (ja) | 圧電素子、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置 | |
US8585184B2 (en) | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus | |
JP5454795B2 (ja) | 圧電素子の製造方法および液滴噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5641207B2 (ja) | 圧電素子の製造方法および液滴噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5822057B2 (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置 | |
JP5819585B2 (ja) | 液滴噴射ヘッド及び液滴噴射装置 | |
US20130208056A1 (en) | Liquid droplet ejecting head | |
JP5704309B2 (ja) | 圧電素子、液滴噴射ヘッドおよび液滴噴射装置 | |
JP2012240366A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置 | |
JP5605553B2 (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置 | |
JP2011199106A (ja) | 圧電素子、圧電アクチュエーター、液滴噴射ヘッド及び液滴噴射装置並びに圧電素子の製造方法 | |
JP5845617B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 | |
JP2012084785A (ja) | 圧電素子、液滴噴射ヘッドおよび液滴噴射装置ならびにそれらの製造方法 | |
JP5446808B2 (ja) | 圧電素子およびその製造方法、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド、並びに、液体噴射装置 | |
JP5700200B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、および圧電セラミックス | |
JP2011166049A (ja) | 圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド及び液体噴射ヘッド並びに圧電アクチュエーターの製造方法 | |
JP2012139922A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、および圧電素子の製造方法 | |
JP2016020093A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5541450 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |