JP5439114B2 - 静電容量型入力装置および入力装置付き電気光学装置 - Google Patents

Description

本発明は、入力位置検出用電極に結合する静電容量の変化に基づいて入力位置を検出す
る静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装
置に関するものである。

携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の
電子機器では、液晶装置等の表面に、タッチパネルと称せられる入力装置が配置され、液
晶装置の画像表示領域に表示された画像を参照しながら、情報の入力が行えるものがある
。このような入力装置のうち、静電容量型入力装置は、複数の入力位置検出用電極の各々
に対して、結合している静電容量を監視する。従って、複数の入力位置検出用電極のうち
のいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極では、指との間に生じた
静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。

このような静電容量型入力装置では、入力位置検出用電極に結合する容量変化を検出す
るため、電磁波ノイズの影響を受けやすい。そこで、静電容量型入力装置に対して入力操
作側とは反対側に透明な電気シールド用の基板や電気シールド用の導電膜が形成された基
板を設けることが提案されている（特許文献１参照）。

特表２００３−５１１７９９号公報

しかしながら、特許文献１に記載のシールド構造では、静電容量型入力装置に対して入
力操作側から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断するのに基板を追加しているため、部
品点数が増える分、コストが増大するとともに、静電容量型入力装置の厚さ寸法が増大す
るという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電磁シールド用の基板を追加しなくても、入
力操作側とは反対側から侵入しようとする電磁波ノイズの影響を受けにくくした静電容量
型入力装置、および当該静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置を提供す
ることにある。

上記課題を解決するために、本発明は、基板の入力領域内に複数の入力位置検出用電極
が設けられた静電容量型入力装置であって、前記基板に対して、該基板の側から順に積層
された下層側導電膜、層間絶縁膜、および上層側導電膜を有し、前記下層側導電膜および
前記上層側導電膜のうち、入力操作側に位置する第１導電膜によって、前記入力位置検出
用電極として、前記基板の面内方向において第１方向に延在する第１入力位置検出用電極
と、前記基板の面内方向において前記第１方向に対して交差する第２方向に延在し、前記
第１入力位置検出用電極との交差部分に途切れ部分を備えた第２入力位置検出用電極と、
が形成され、前記下層側導電膜および前記上層側導電膜のうち、入力操作側とは反対側に
位置する第２導電膜によって、前記交差部分で前記層間絶縁膜を介して前記第１入力位置
検出用電極に重なって前記第２入力位置検出用電極の途切れ部分を電気的に接続する中継
電極と、該中継電極から分離され、前記第１入力位置検出用電極および前記第２入力位置
検出用電極に前記層間絶縁膜を介して平面的に重なる入力領域内シールド電極と、が形成
されていることを特徴とする。

本発明では、基板に積層された下層側導電膜および上層側導電膜のうち、入力操作側に
位置する第１導電膜によって入力位置検出用電極（第１入力位置検出用電極および第２入
力位置検出用電極）が形成され、入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜によって、
入力位置検出用電極（第１入力位置検出用電極および第２入力位置検出用電極）に平面的
に重なる入力領域内シールド電極が形成されている。このため、入力操作側とは反対側か
ら入力領域に侵入しようとする電磁波ノイズの影響を受けにくい。また、入力領域内シー
ルド電極は、第１入力位置検出用電極との交差部で途切れた第２入力位置検出用電極を電
気的に接続する中継電極と同様、第２導電膜によって形成されている。従って、電磁シー
ルド用の基板を追加しなくても、入力操作側とは反対側から入力領域に侵入しようとする
電磁波ノイズの影響を受けにくくすることができる。

本発明において、前記基板において前記入力領域より外側領域には、前記第１導電膜お
よび前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって、前記入力位置検出用電極に電気的に
接続する配線が形成され、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの他方の導電膜に
よって、前記配線に前記層間絶縁膜を介して平面的に重なる外周側シールド電極が形成さ
れていることが好ましい。このように構成すると、配線に侵入しようとする電磁波ノイズ
の影響を受けにくくすることができる。

本発明において、前記配線は、前記第１導電膜によって形成され、前記外周側シールド
電極は、前記第２導電膜によって形成されている構成を採用することができる。かかる構
成によれば、入力操作側とは反対側から配線に侵入しようとする電磁波ノイズの影響を受
けにくくすることができる。

この場合、前記外周側シールド電極は、前記第２導電膜によって前記入力領域内シール
ド電極と一体に形成されていることが好ましい。このように構成すると、入力領域および
外周側領域にわたる領域全体にわたって連続したシールド電極を設けることができる。こ
のため、入力操作側とは反対側から入力領域や配線に侵入しようとする電磁波ノイズの影
響を受けにくくすることができる。

本発明において、前記配線は、前記第２導電膜によって形成され、前記外周側シールド
電極は、前記第１導電膜によって形成されている構成を採用してもよい。かかる構成によ
れば、入力操作側から配線に侵入しようとする電磁波ノイズの影響を受けにくくすること
ができる。

本発明において、前記基板において前記配線の外周側には、前記第１導電膜および前記
第２導電膜のうち、前記配線を形成する側の導電膜によって、シールド用補助電極が形成
されており、前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記配線より外周側に設
けられた前記層間絶縁膜の非形成領域で重なって電気的に接続していることが好ましい。
このように構成すると、配線の外周側からから配線に侵入しようとする電磁波ノイズの影
響を受けにくくすることができる。

本発明において、前記下層側導電膜、前記層間絶縁膜および前記上層側導電膜は、前記
基板において入力操作側に位置する基板面に形成されている場合があり、この場合、前記
上層側導電膜は前記第１導電膜であり、前記下層側導電膜は前記第２導電膜である。

本発明において、前記下層側導電膜、前記層間絶縁膜および前記上層側導電膜は、前記
基板において入力操作側とは反対側に位置する基板面に形成されている構成を採用しても
よい。この場合、前記下層側導電膜は前記第１導電膜であり、前記上層側導電膜は前記第
２導電膜である。

本発明を適用した静電容量型入力装置は、例えば、入力装置付き電気光学装置を構成す
るのに用いられ、かかる入力装置付き電気光学装置では、前記基板に対して入力操作側と
は反対側に画像生成用の電気光学パネルが構成されている。

本発明を適用した入力装置付き電気光学装置は、携帯電話、カーナビゲーション、パー
ソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の電子機器に用いられる。

本発明を適用した静電容量型入力装置の説明図である。 本発明を適用した入力装置付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。 本発明を適用した静電容量型入力装置を備えた電子機器の説明図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。以下、各実施の形態で共通な基本構成を説明した後、各実施の
形態の詳細な説明を行なう。

［基本構成］
（入力装置付き電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した静電容量型入力装置の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は各々、本形態の静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置の全体構
成を模式的に示す説明図、静電容量型入力装置の電気的な構成を模式的に示す説明図、お
よび静電容量型入力装置に供給される電位の説明図である。図２は、本発明を適用した入
力装置付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は
各々、基板において入力操作側に位置する第１面側に入力位置検出用電極を設けた構成例
の説明図、および基板において入力操作側とは反対側の第２面側に入力位置検出用電極を
設けた構成例の説明図である。

図１（ａ）において、本形態の入力装置付き電気光学装置１００は、概ね、液晶装置等
からなる画像生成装置５と、この画像生成装置５において表示光を出射する側の面に重ね
て配置された静電容量型入力装置１とを有している。静電容量型入力装置１は入力パネル
２（タッチパネル）を備え、画像生成装置５は電気光学パネル５ａ（表示パネル）として
の液晶パネルを備えている。本形態において、入力パネル２および電気光学パネル５ａは
いずれも矩形の平面形状を備えており、静電容量型入力装置１および入力装置付き電気光
学装置１００を平面視したときの中央領域が入力領域２ａである。また、画像生成装置５
および入力装置付き電気光学装置１００において入力領域２ａと平面視で重なる領域が画
像形成領域である。入力パネル２において端部２０ｅが位置する側にはフレキシブル配線
基板３５が接続され、電気光学パネル５ａにおいて端部２０ｅが位置する側にはフレキシ
ブル配線基板７３が接続されている。

図１（ｂ）に示すように、静電容量型入力装置１は、入力パネル２での入力操作を検出
するための制御用のＩＣ１０がフレキシブル配線基板３５を介して電気的に接続されてお
り、ＩＣ１０からは、図１（ｃ）を参照して後述する電位が入力パネル２に供給される。

図１（ａ）および図２（ａ）、（ｂ）において、画像生成装置５は、透過型や半透過反
射型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、電気光学パネル５ａに対して入力
パネル２が配置されている側とは反対側（表示光の出射側とは反対側）にはバックライト
装置（図示せず）が配置されている。バックライト装置は、例えば、電気光学パネル５ａ
に対して静電容量型入力装置１が配置されている側とは反対側に重ねて配置された透光性
の導光板と、導光板の側端部に向けて白色光等を出射する発光ダイオード等の光源とを備
えており、光源から出射された光は、導光板の側端部から入射した後、導光板内を伝搬し
ながら電気光学パネル５ａに向けて出射される。導光板と電気光学パネル５ａとの間には
、光散乱シートやプリズムシート等のシート状光学部材が配置されることもある。

画像生成装置５において、電気光学パネル５ａに対して表示光の出射側には第１偏光板
８１が重ねて配置され、その反対側に第２偏光板８２が重ねて配置されている。このため
、静電容量型入力装置１は、アクリル樹脂系等といった透光性の接着剤９９によって第１
偏光板８１に接着されている。電気光学パネル５ａは、表示光の出射側とは反対側に配置
された透光性の素子基板５０と、この素子基板５０に対して表示光の出射側で対向配置さ
れた透光性の対向基板６０とを備えている。対向基板６０と素子基板５０とは、矩形枠状
のシール材７１により貼り合わされており、対向基板６０と素子基板５０との間において
シール材７１で囲まれた領域内に液晶層５５が保持されている。素子基板５０において、
対向基板６０と対向する面には複数の画素電極５８がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の
透光性導電膜により形成され、対向基板６０において、素子基板５０と対向する面には共
通電極６８がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されている。また、対向基板６０には
カラーフィルターが形成されている。なお、画像生成装置５がＩＰＳ(In Plane Switchin
g)方式や、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式である場合、共通電極６８は素子基板
５０の側に設けられる。また、素子基板５０が対向基板６０に対して表示光の出射側に配
置されることもある。素子基板５０において、対向基板６０の縁から張り出した張出領域
５９には駆動用ＩＣ７５がＣＯＧ実装されているとともに、張出領域５９にはフレキシブ
ル配線基板７３が接続されている。なお、素子基板５０には、素子基板５０上のスイッチ
ング素子と同時に駆動回路を形成することもある。

（静電容量型入力装置１の詳細構成）
図２（ａ）、（ｂ）に示す静電容量型入力装置１において、入力パネル２は、ガラス板
やプラスチック板等からなる透光性の基板２０を備えており、本形態では、基板２０とし
てガラス基板が用いられている。なお、基板２０をプラスチック材料から構成する場合、
プラスチック材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＩ（ポリイミド）、ポリノルボルネン等
の環状オレフィン樹脂等の耐熱性の透光性シートを用いることができる。以下、基板２０
において入力操作側に位置する基板面を第１面２０ａとし、入力操作側とは反対側に位置
する基板面を第２面２０ｂとして説明する。

詳しくは後述するが、図２（ａ）、（ｂ）に示す静電容量型入力装置１のうち、図２（
ａ）に示す構成例では、基板２０の第１面２０ａには、基板２０からみて下層側から上層
側に向かって下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが形成され
ており、下層側導電膜４ａおよび上層側導電膜４ｂのうち、上層側導電膜４ｂによって入
力位置検出用電極２１が形成されている。また、下層側導電膜４ａによって中継電極や入
力領域内シールド電極が形成されている。基板２０の端部２０ｅでは、第１面２０ａにフ
レキシブル配線基板３５が接続されている。基板２０の第１面２０ａの側には、透光性お
よび絶縁性のカバー９０が粘着剤９０ｅ等により貼付されており、かかるカバー９０には
、基板２０の第１面２０ａの外側領域２ｂと重なる領域に絶縁性の遮光層９０ａが印刷さ
れている。かかる遮光層９０ａで囲まれた領域が入力領域２ａである。遮光層９０ａは、
電気光学パネル５ａの外側領域と重なっており、画像生成装置５の光源や導光板の端部か
ら漏れた光を遮断する。

図２（ｂ）に示す構成例では、基板２０の第２面２０ｂに、基板２０からみて下層側か
ら上層側に向かって下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが形
成されており、下層側導電膜４ａおよび上層側導電膜４ｂのうち、下層側導電膜４ａによ
って入力位置検出用電極２１が形成されている。また、上層側導電膜４ｂによって中継電
極や入力領域内シールド電極が形成されている。かかる構成の場合、基板２０の端部２０
ｅでは、第２面２０ｂにフレキシブル配線基板３５が接続されている。本形態でも、基板
２０の第１面２０ａの側には透光性および絶縁性のカバー９０が粘着剤９０ｅ等により貼
付されており、かかるカバー９０には、基板２０の第１面２０ａの外側領域２ｂと重なる
領域に絶縁性の遮光層９０ａが印刷されている。

以下、基板２０において入力操作側に位置する第１面２０ａに下層側導電膜４ａ、層間
絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが形成されている形態（図２（ａ）に示す形態）
に本発明を適用した例を実施の形態１、２として説明する。この場合、下層側導電膜４ａ
および上層側導電膜４ｂのうち、上層側導電膜４ｂが入力操作側に位置する第１導電膜に
相当し、下層側導電膜４ａが入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜に相当する。

また、基板２０において入力操作側とは反対側に位置する第２面２０ｂに下層側導電膜
４ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが形成されている形態（図２（ｂ）に
示す形態）に本発明を適用した例を実施の形態３、４として説明する。この場合、下層側
導電膜４ａおよび上層側導電膜４ｂのうち、下層側導電膜４ａが入力操作側に位置する第
１導電膜に相当し、上層側導電膜４ｂが入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜に相
当する。

［実施の形態１］
図３〜図５を参照して、図２（ａ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１
を説明する。

図３は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に
示す説明図である。なお、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力
装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形
成された上層側導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁
膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された上層側導電膜４ｂの
平面的な構成を示す説明図である。図３（ａ）には、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す
要素を重ねて示してある。図４は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の
基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。

なお、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）において、上層側導電膜４ｂ、層間絶縁膜２１４お
よび上層側導電膜４ｂの形成領域はグレー領域として示してある。また、図３（ａ）およ
び図４においては、下層側導電膜４ａを実線、層間絶縁膜２１４を点線、上層側導電膜４
ｂを一点鎖線で示してある。また、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および図４にお
いて、入力領域２ａについては、その角部分の位置を英文字の「Ｌ」状のマークで示して
ある。なお、後述する実施の形態２で参照する図面においても同様である。

図５は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示
す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図４に示すＡ１−Ａ１
′線、Ｂ１−Ｂ１′線、およびＣ１−Ｃ１′線に沿って切断したときの断面図である。

以下に説明する静電容量型入力装置１は、入力操作側に位置する第１面２０ａに下層側
導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが形成されている形態（図２（
ａ）に示す形態）に本発明を適用した例であり、上層側導電膜４ｂが入力操作側に位置す
る第１導電膜に相当し、下層側導電膜４ａが入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜
に相当する。

図３、図４および図５に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２
０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて下層側導電膜４
ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが順に形成されている。本形態において
、下層側導電膜４ａおよび上層側導電膜４ｂは、膜厚が１０〜４０ｎｍのＩＴＯ膜やＩＺ
Ｏ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜からなり、層間絶縁膜２１４は、膜厚が４
０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる。基板２０の第１面２０ａには
、その全面にシリコン酸化膜等からなる透光性の下地保護膜が形成されている場合があり
、この場合、下地保護膜上に下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜
４ｂが順に積層されることになる。かかる静電容量型入力装置１を構成するには、まず、
図３（ｂ）に示すパターンで下層側導電膜４ａを形成した後、図３（ｃ）に示すパターン
で層間絶縁膜２１４を形成する。次に、図３（ｄ）に示すパターンで上層側導電膜４ｂを
形成する。

図３（ａ）、（ｄ）、図４および図５に示すように、上層側導電膜４ｂは、まず、入力
領域２ａに複数の菱形領域として形成され、かかる菱形領域は、入力位置検出用電極２１
（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）のパッド部２１
１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。これらのパッド部２１１ａ、２１２ａは、Ｘ
方向およびＹ方向において交互に配列されている。複数のパッド部２１１ａにおいてＸ方
向（第１方向）で隣り合うパッド部２１１ａ同士は連結部分２１１ｃを介して繋がってお
り、パッド部２１１ａおよび連結部分２１１ｃは、Ｘ方向で延在する第１入力位置検出用
電極２１１を構成している。

これに対して、複数のパッド部２１２ａは、Ｙ方向（第２方向）で延在する第２入力位
置検出用電極２１２を構成するが、Ｙ方向で隣り合うパッド部２１２ａの間、すなわち、
連結部分２１１ｃと重なる部分は途切れ部分を備えている。

上層側導電膜４ｂは、入力領域２ａの外側領域２ｂにおいて、入力位置検出用電極２１
（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）から延在した配
線２７として形成されているとともに、端部２０ｅ付近において第１実装端子２４ａおよ
び第２実装端子２４ｂとして形成されている。かかる配線２７を構成するにあたって、上
層側導電膜４ｂの上層に、クロム、銀、アルミニウム、銀−アルミニウム合金等の金属層
を配線２７の形成領域に沿って延在させることが好ましい。かかる多層構造を採用すれば
、配線２７の配線抵抗を低減することができる。

また、上層側導電膜４ｂは、入力領域２ａの外側領域２ｂにおいて、配線２７より外周
側を通るシールド用補助電極２９として形成されている。シールド用補助電極２９は、基
板２０の端部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈに沿って延在し、両端が第２実装端子２４ｂに繋が
っている。ここで、シールド用補助電極２９は、基板２０の３辺に相当する端部２０ｆ、
２０ｇ、２０ｈのいずれにおいても、図３（ｃ）に示す層間絶縁膜２１４の外周縁より外
周側に張り出している。

図３（ａ）、（ｃ）、図４および図５に示すように、層間絶縁膜２１４は、入力領域２
ａ全体に形成されている。また、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａの外側領域２ｂにも
形成されており、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されている。層間絶縁膜２１４
には、２つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されており、かかるコンタクトホー
ル２１４ａは、図３（ａ）に示すパッド部２１２ａにおいて途切れ部分２１８ａを介して
対峙する端部と重なる位置に形成されている。層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の端
部２０ｅとの間隔は、層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の他の端部２０ｆ、２０ｇ、
２１ｈとの間隔に比して広くなっており、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂ
を形成するためのスペースが確保されている。

図３（ａ）、（ｂ）、図４および図５に示すように、下層側導電膜４ａは、入力領域２
ａにおいて、図３（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる領域に中継電極２１５
として形成されている。また、下層側導電膜４ａは、入力領域２ａにおいて、中継電極２
１５との間にスリット２５ｓを介する入力領域内シールド電極２５として形成されている
。入力領域内シールド電極２５は、中継電極２１５およびスリット２５ｓを除く入力領域
２ａの全体にわたって形成されている。

また、下層側導電膜４ａは、入力領域２ａの外側領域２ｂに外周側シールド電極２８と
して形成されている。ここで、入力領域内シールド電極２５と外周側シールド電極２８と
は一体のベタ領域として基板２０の広い領域に形成されている。外周側シールド電極２８
は、基板２０の３辺に相当する端部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ近くまで形成されており、端
部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ付近では、図３（ｃ）に示す層間絶縁膜２１４の外周縁より外
周側に張り出している。また、外周側シールド電極２８は、基板２０の端部２０ｅ付近で
も広い範囲にわたって形成されており、層間絶縁膜２１４の外周縁より外周側に張り出し
ている。但し、外周側シールド電極２８は、第１実装端子２４ａが形成されている領域で
は凹部２８ａをもって形成されている。外周側シールド電極２８は、かかる凹部２８ａに
相当する領域では層間絶縁膜２１４の外周縁より内側に位置し、層間絶縁膜２１４の外周
側に張り出していない。

（入力位置検出用電極２１の構成）
このように構成した下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および上層側導電膜４ｂを重
ねると、基板２０は、図３（ａ）、図４、および図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に構成される。かかる基板２０を平面視すると、入力領域２ａの内側には複数の入力位置
検出用電極２１が形成されている。本形態において、入力位置検出用電極２１は、Ｘ方向
に延在する複数列の第１入力位置検出用電極２１１と、Ｙ方向に延在する複数列の第２入
力位置検出用電極２１２とからなる。

ここで、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置
検出用電極２１２）は、下層側導電膜４ａおよび上層側導電膜４ｂのうち、上層側導電膜
４ｂにより形成されており、同一層からなる。このため、基板２０の第１面２０ａには、
第１入力位置検出用電極２１１と第２入力位置検出用電極２１２との交差部分２１８が複
数、存在する。本形態においては、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検
出用電極２１２のうち、第１入力位置検出用電極２１１は、交差部分２１８でも上層側導
電膜４ｂからなる連結部分２１１ｃによってＸ方向で繋がって延在しているのに対して、
第２入力位置検出用電極２１２には交差部分２１８に途切れ部分２１８ａが構成されてい
る。但し、交差部分２１８では、層間絶縁膜２１４の下層に中継電極２１５が形成されて
おり、かかる中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４のコンタクトホール２１４ａを介して
、途切れ部分２１８ａを介して隣り合うパッド２１２ａ同士を電気的に接続している。こ
のため、第２入力位置検出用電極２１２はＹ方向で電気的に接続されている。なお、中継
電極２１５は、層間絶縁膜２１４を介して連結部分２１１ｃに重なっているため、短絡す
るおそれはない。

このように構成した第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１
２は各々、交差部分２１８で挟まれた領域に矩形の大面積のパッド部２１１ａ、２１２ａ
を備えており、第１入力位置検出用電極２１１において交差部分２１８に位置する連結部
分２１１ｃは、パッド部２１１ａ、２１２ａより幅の狭い細幅形状になっている。また、
中継電極２１５も、パッド部２１１ａ、２１２ａより幅の狭い細幅形状に形成されている
。

（シールド構造）
本形態の静電容量型入力装置１において、下層側導電膜４ａは、入力領域２ａにおいて
、中継電極２１５から分離された入力領域内シールド電極２５を備えており、かかる入力
領域内シールド電極２５は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電
極２１２に対して層間絶縁膜２１４を介して入力操作側とは反対側で重なっている。

また、下層側導電膜４ａは、入力領域内シールド電極２５と一体の外周側シールド電極
２８を備えており、かかる外周側シールド電極２８は、入力領域２ａの外側領域２ｂで、
配線２７に対して層間絶縁膜２１４を介して入力操作側とは反対側で重なっている。また
、外周側シールド電極２８は、基板２０の３辺に相当する端部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈに
おいて、層間絶縁膜２１４より外周側に張り出してシールド用補助電極２９に重なって電
気的に接続している。

また、シールド用補助電極２９は、第１実装端子２４ａの配列領域の両側に第２実装端
子２４ｂを備えており、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂにはフレキシブル
配線基板３５が接続される。

（入力位置検出等の動作）
図１（ｂ）に示すように、本形態の静電容量型入力装置１では、入力パネル２の第１実
装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂに対してフレキシブル配線基板３５を介してＩＣ
１０が接続される。ここで、ＩＣ１０は、フレキシブル配線基板３５を介して第１実装端
子２４ａに位置検出信号ＶＤを順次出力する端子１１ａと、フレキシブル配線基板３５を
介して第２実装端子２４ｂにシールド電位ＶＳを出力する端子１１ｂとを備えている。な
お、ＩＣ１０は、入力パネル２にグランド電位を出力するグランド端子も備えているが、
本発明には直接、関係しないので、図示および説明を省略する。

このように構成した静電容量型入力装置１において、ＩＣ１０は、例えば、図１（ｃ）
に示す矩形パルス状の位置検出信号ＶＤを出力する。その結果、入力位置検出用電極２１
に容量が寄生していない場合、端子１１ａからは、図１（ｃ）に実線で示す波形の信号が
検出される。これに対して、入力位置検出用電極２１に容量が寄生していると、図１（ｃ
）に点線で示すように、容量に起因する波形の歪みが発生するので、入力位置検出用電極
２１に容量が寄生しているか否かを検出することができる。従って、本形態では、複数の
入力位置検出用電極２１に順次、位置検出信号ＶＤを出力して入力位置検出用電極２１の
各々に対して、結合している静電容量を監視する。それ故、複数の入力位置検出用電極２
１のうちのいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極２１では、指と
の間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定するこ
とができる。

（本形態の作用および効果）
図１〜図５を参照して説明した静電容量型入力装置１では、入力位置検出用電極２１に
結合する容量変化を検出するため、電磁波ノイズの影響を受けやすい。そこで、本形態で
は、フレキシブル配線基板３５に形成されている配線３５ａにはシールド層３５ｂが形成
されており、かかるシールド層３５ｂには、シールド用配線３５ｃを介してシールド電位
ＶＳが印加されている。本形態では、シールド電位ＶＳとして、入力位置検出用電極２１
に供給される位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一の電位が印加される。従っ
て、配線３５ａとシールド層３５ｂとの間に容量が寄生しない状態を実現することができ
る。

また、本形態では、ＩＣ１０からはフレキシブル配線基板３５および第２実装端子２４
ｂを介して、入力領域内シールド電極２５、外周側シールド電極２８およびシールド用補
助電極２９に位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一のシールド電位ＶＳが印加
される。

ここで、入力領域内シールド電極２５は、入力位置検出用電極２１に対して入力操作側
とは反対側で重なっている。このため、入力操作側とは反対側から入力位置検出用電極２
１に侵入しようとする電磁波ノイズを、入力領域内シールド電極２５によって遮断するこ
とができる。また、外周側シールド電極２８は、基板２０において入力領域２ａの外側領
域２ｂで延在する複数の配線２７に対して入力操作側とは反対側で重なっている。このた
め、入力操作側とは反対側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを、外周側シー
ルド電極２８によって遮断することができる。従って、入力パネル２は、入力操作側から
侵入しようとする電磁波の影響を受けにくい。それ故、本形態の静電容量型入力装置１で
は、電磁波ノイズの影響に起因する誤作動が発生しにくい。

また、シールド電位ＶＳは、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと
波形（位相も含めて）が同一の電位である。このため、入力位置検出用電極２１と入力領
域内シールド電極２５との間、および配線２７と外周側シールド電極２８との間に容量が
寄生しない状態を実現することができる。それ故、入力領域内シールド電極２５および外
周側シールド電極２８を設けても、静電容量方式による入力位置の検出には支障がない。

また、入力領域内シールド電極２５および外周側シールド電極２８は、中継電極２１５
の形成に用いた下層側導電膜４ａにより形成されている。また、シールド用補助電極２９
は、第１入力位置検出用電極２１１、第２入力位置検出用電極２１２および配線２７の形
成に用いた上層側導電膜４ｂにより形成されている。このため、シールド用の基板を別途
追加しなくても、入力位置検出用電極２１および配線２７に対する電磁シールドを確実に
行うことができるという利点がある。

さらに、本形態では、基板２０の外周縁の略全体にわたって、外周側シールド電極２８
およびシールド用補助電極２９によってシールドされているので、配線２７や入力領域２
ａに対して周囲（側方）から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。

さらに、基板２０の外側領域２ｂには、上層側導電膜４ｂおよび上層側導電膜４ｂの双
方を利用して第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂが設けられている。このため
、基板２０に接続したフレキシブル配線基板３５を介して外部からシールド電極ＶＳに電
位を印加することができ、入力領域内シールド電極２５、外周側シールド電極２８および
シールド用補助電極２９へのシールド電位ＶＳの印加が容易である。また、第１実装端子
２４ａおよび第２実装端子２４ｂに共通のフレキシブル配線基板３５を接続することもで
きる。しかも、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側で外周側シ
ールド電極２８に電気的接続しているため、配線２７や入力領域２ａに対して周囲（側方
）から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。

［実施の形態２］
図６〜図８を参照して、図２（ａ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１
を説明する。

図６は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に
示す説明図である。なお、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力
装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形
成された上層側導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁
膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された上層側導電膜４ｂの
平面的な構成を示す説明図である。図６（ａ）には、図６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す
要素を重ねて示してある。図７は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の
基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図８は、本
発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であ
り、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図６に示すＡ２−Ａ２′線、Ｂ２−
Ｂ２′線、およびＣ２−Ｃ２′線に沿って切断したときの断面図である。

以下に説明する静電容量型入力装置１は、実施の形態１と同様、入力操作側に位置する
第１面２０ａに下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが形成さ
れている形態（図２（ａ）に示す形態）に本発明を適用した例であり、上層側導電膜４ｂ
が入力操作側に位置する第１導電膜に相当し、下層側導電膜４ａが入力操作側とは反対側
に位置する第２導電膜に相当する。

但し、本形態では、以下に説明するように、シールド用補助電極２９および配線２７は
、下層側導電膜４ａに形成され、外周側シールド電極２８は、上層側導電膜４ｂが形成さ
れている。その他の構成は、実施の形態１と略形態同様である。従って、共通する部分に
は同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。

（各電極等の構成）
図６、図７および図８に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２
０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて下層側導電膜４
ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが順に形成されている。本形態において
、下層側導電膜４ａおよび上層側導電膜４ｂは、膜厚が１０〜４０ｎｍのＩＴＯ膜やＩＺ
Ｏ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜からなり、層間絶縁膜２１４は、膜厚が４
０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる。かかる静電容量型入力装置１
を構成するには、まず、図６（ｂ）に示すパターンで下層側導電膜４ａを形成した後、図
６（ｃ）に示すパターンで層間絶縁膜２１４を形成する。次に、図６（ｄ）に示すパター
ンで上層側導電膜４ｂを形成する。

図６（ａ）、（ｄ）、図７および図８に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様
、上層側導電膜４ｂは、入力領域２ａに複数の菱形領域として形成され、かかる菱形領域
は、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用
電極２１２）のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。複数のパッド部
２１１ａにおいてＸ方向（第１方向）で隣り合うパッド部２１１ａ同士は連結部分２１１
ｃを介して繋がっており、パッド部２１１ａおよび連結部分２１１ｃは、Ｘ方向で延在す
る第１入力位置検出用電極２１１を構成している。これに対して、複数のパッド部２１２
ａは、Ｙ方向（第２方向）で延在する第２入力位置検出用電極２１２を構成するが、Ｙ方
向で隣り合うパッド部２１２ａの間、すなわち、連結部分２１１ｃと重なる部分は途切れ
部分を備えている。

また、上層側導電膜４ｂは、入力領域２ａの外側領域２ｂに外周側シールド電極２８と
して形成されている。ここで、外周側シールド電極２８は、基板２０の３辺に相当する端
部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ近くまで形成されており、端部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ付近で
は、図６（ｃ）に示す層間絶縁膜２１４の外周縁より外周側に張り出している。また、外
周側シールド電極２８は、基板２０の端部２０ｅ付近でも広い範囲にわたって形成されて
おり、層間絶縁膜２１４の外周縁より外周側に張り出している。但し、外周側シールド電
極２８は、第１実装端子２４ａが形成されている領域では凹部２８ａをもって形成されて
いる。外周側シールド電極２８は、かかる凹部２８ａに相当する領域では層間絶縁膜２１
４の外周縁より内側に位置し、層間絶縁膜２１４の外周側に張り出していない。

なお、上層側導電膜４ｂは、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる位
置にも形成されている。

図６（ａ）、（ｃ）、図７および図８に示すように、層間絶縁膜２１４は、入力領域２
ａ全体に形成されている。また、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａの外側領域２ｂにも
形成されており、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されている。層間絶縁膜２１４
には、２つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されており、かかるコンタクトホー
ル２１４ａは、図６（ａ）に示すパッド部２１２ａにおいて途切れ部分２１８ａを介して
対峙する端部と重なる位置に形成されている。層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の端
部２０ｅとの間隔は、層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の他の端部２０ｆ、２０ｇ、
２１ｈとの間隔に比して広くなっており、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂ
を形成するためのスペースが確保されている。

また、層間絶縁膜２１４には、図６（ｄ）に示す入力位置検出用電極２１（第１入力位
置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）の端部と重なる位置にコンタ
クトホール２１４ｂが形成されている。かかるコンタクトホール２１４ｂの位置は、図６
（ｂ）に示す配線２７の端部と重なる位置でもある。

図６（ａ）、（ｂ）、図７および図８に示すように、下層側導電膜４ａは、入力領域２
ａにおいて、図６（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる領域に中継電極２１５
として形成されている。また、下層側導電膜４ａは、入力領域２ａにおいて、中継電極２
１５との間にスリット２５ｓを介する入力領域内シールド電極２５として形成されている
。入力領域内シールド電極２５は、中継電極２１５およびスリット２５ｓを除く入力領域
２ａの全体にわたって形成されている。

また、下層側導電膜４ａは、入力領域２ａの外側領域２ｂにおいて、入力位置検出用電
極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）の端部と
重なる位置から第１実装端子２４ａまで延在した配線２７として形成されているとともに
、端部２０ｅ付近において第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂとして形成され
ている。

また、下層側導電膜４ａは、入力領域２ａの外側領域２ｂにおいて、配線２７より外周
側を通るシールド用補助電極２９として形成されている。シールド用補助電極２９は、基
板２０の端部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈに沿って延在し、両端が第２実装端子２４ｂに繋が
っている。ここで、シールド用補助電極２９は、基板２０の３辺に相当する端部２０ｆ、
２０ｇ、２０ｈのいずれにおいても、図６（ｃ）に示す層間絶縁膜２１４の外周縁より外
周側に張り出している。

このように構成した下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および上層側導電膜４ｂを重
ねると、中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４のコンタクトホール２１４ａを介して、途
切れ部分２１８ａを介して隣り合うパッド２１２ａ同士を電気的に接続する。また、配線
２７の端部は、コンタクトホール２１４ｂを介して入力位置検出用電極２１（第１入力位
置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）の端部に電気的に接続する。

（シールド構造）
本形態の静電容量型入力装置１においても、実施の形態１と同様、下層側導電膜４ａは
、入力領域２ａにおいて、中継電極２１５から分離された入力領域内シールド電極２５を
備えており、かかる入力領域内シールド電極２５は、第１入力位置検出用電極２１１およ
び第２入力位置検出用電極２１２に対して層間絶縁膜２１４を介して入力操作側とは反対
側で重なっている。

また、上層側導電膜４ｂは外周側シールド電極２８を備えており、かかる外周側シール
ド電極２８は、入力領域２ａの外側領域２ｂで、配線２７に対して層間絶縁膜２１４を介
して入力操作側で重なっている。また、外周側シールド電極２８は、基板２０の３辺に相
当する端部２０ｆ、２０ｇ、２０ｈにおいて、層間絶縁膜２１４より外周側に張り出して
シールド用補助電極２９に重なって電気的に接続している。

（本形態の主な効果）
本形態でも、実施の形態１と同様、図１に示すＩＣ１０からはフレキシブル配線基板３
５および第２実装端子２４ｂを介して、入力領域内シールド電極２５、外周側シールド電
極２８およびシールド用補助電極２９に位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一
のシールド電位ＶＳが印加される。

ここで、入力領域内シールド電極２５は、入力位置検出用電極２１に対して入力操作側
とは反対側で重なっている。このため、入力操作側とは反対側から入力位置検出用電極２
１に侵入しようとする電磁波ノイズを、入力領域内シールド電極２５によって遮断するこ
とができる。

また、外周側シールド電極２８は、基板２０において入力領域２ａの外側領域２ｂで延
在する複数の配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、入力操作側から配
線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを、外周側シールド電極２８によって遮断するこ
とができる。

また、シールド電位ＶＳは、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと
波形（位相も含めて）が同一の電位である。このため、入力位置検出用電極２１と入力領
域内シールド電極２５との間、および配線２７と外周側シールド電極２８との間に容量が
寄生しないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。

［実施の形態３］
図９を参照して、図２（ｂ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１を説明
する。以下に説明する静電容量型入力装置１は、実施の形態１、２とは反対に、入力操作
側とは反対側に位置する第２面２０ｂに下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および上
層側導電膜４ｂが形成されている形態（図２（ｂ）に示す形態）に本発明の実施の形態１
に係る構成を適用した例である。かかる構成の静電容量型入力装置１では、下層側導電膜
４ａが入力操作側に位置する第１導電膜に相当し、上層側導電膜４ｂが入力操作側とは反
対側に位置する第２導電膜に相当する。このような構成を採用した場合も、基本的な構成
は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な
説明を省略する。

図９は、本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示
す説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図４に示すＡ１−Ａ１
′線、Ｂ１−Ｂ１′線、およびＣ１−Ｃ１′線に沿って切断したときの断面図に相当する
。

本形態では、まず、図３（ａ）、（ｄ）を参照して説明したパターンで下層側導電膜４
ａを形成する。次に、図３（ａ）、（ｃ）を参照して説明したパターンで層間絶縁膜２１
４を形成する。次に、図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明したパターンで上層側導電膜４
ｂを形成する。従って、図９に示すように、下層側導電膜４ａによって、入力位置検出用
電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）、配線
２７、およびシールド用補助電極２９が形成される。また、下層側導電膜４ａの上層には
、コンタクトホール２１４ａを備えた層間絶縁膜２１４が形成される。また、上層側導電
膜４ｂによって、中継電極２１５、入力領域内シールド電極２５および外周側シールド電
極２８が形成される。

その結果、中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４のコンタクトホール２１４ａを介して
、途切れ部分２１８ａを介して隣り合うパッド２１２ａ同士を電気的に接続することにな
る。また、入力領域内シールド電極２５は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入
力位置検出用電極２１２に対して層間絶縁膜２１４を介して入力操作側とは反対側で重な
ることになる。また、外周側シールド電極２８は、入力領域２ａの外側領域２ｂで、配線
２７に対して層間絶縁膜２１４を介して入力操作側とは反対側で重なることになる。それ
故、本形態によれば、実施の形態１と同様、入力操作側とは反対側から入力位置検出用電
極２１に侵入しようとする電磁波ノイズを、入力領域内シールド電極２５によって遮断す
ることができる。また、入力操作側とは反対側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノ
イズを、外周側シールド電極２８によって遮断することができる。従って、入力パネル２
は、入力操作側から侵入しようとする電磁波の影響を受けにくい。それ故、本形態の静電
容量型入力装置１では、電磁波ノイズの影響に起因する誤作動が発生しにくいなど、実施
の形態１と同様な効果を奏する。

［実施の形態４］
図１０を参照して、図２（ｂ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１を説
明する。以下に説明する静電容量型入力装置１は、入力操作側とは反対側に位置する第２
面２０ｂに下層側導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および上層側導電膜４ｂが形成されて
いる形態（図２（ｂ）に示す形態）に本発明の実施の形態２に係る構成を適用した例であ
る。かかる構成の静電容量型入力装置１では、下層側導電膜４ａが入力操作側に位置する
第１導電膜に相当し、上層側導電膜４ｂが入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜に
相当する。このような構成を採用した場合も、基本的な構成は実施の形態２と同様である
ため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。

図１０は、本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を
示す説明図であり、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図７に示すＡ２−
Ａ２′線、Ｂ２−Ｂ２′線、およびＣ２−Ｃ２′線に沿って切断したときの断面図に相当
する。

本形態では、まず、図６（ａ）、（ｄ）を参照して説明したパターンで下層側導電膜４
ａを形成する。次に、図６（ａ）、（ｃ）を参照して説明したパターンで層間絶縁膜２１
４を形成する。次に、図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明したパターンで上層側導電膜４
ｂを形成する。従って、図１０に示すように、下層側導電膜４ａによって、入力位置検出
用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）、お
よび外周側シールド電極２８が形成される。また、下層側導電膜４ａの上層には、コンタ
クトホール２１４ａ、２１４ｂを備えた層間絶縁膜２１４が形成される。また、上層側導
電膜４ｂによって、中継電極２１５、入力領域内シールド電極２５、配線２７、およびシ
ールド用補助電極２９が形成される。

その結果、中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４のコンタクトホール２１４ａを介して
、途切れ部分２１８ａを介して隣り合うパッド２１２ａ同士を電気的に接続することにな
る。また、入力領域内シールド電極２５は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入
力位置検出用電極２１２に対して層間絶縁膜２１４を介して入力操作側とは反対側で重な
ることになる。それ故、本形態によれば、実施の形態１〜３と同様、入力操作側とは反対
側から入力位置検出用電極２１に侵入しようとする電磁波ノイズを、入力領域内シールド
電極２５によって遮断することができる。また、外周側シールド電極２８は、入力領域２
ａの外側領域２ｂで、配線２７に対して層間絶縁膜２１４を介して入力操作側で重なるこ
とになる。従って、実施の形態２と同様、入力操作側から配線２７に侵入しようとする電
磁波ノイズを、外周側シールド電極２８によって遮断することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、配線２７に対して入力操作側に外周側シールド電極２８を形成す
るにあたって、下層側導電膜４ａあるいは上層側導電膜４ｂを用いたが、例えば、図２に
示すカバー９０に形成した遮光層９０ａをクロム等の導電膜により形成し、かかる遮光層
９０ａをシールド電極として利用してもよい。

上記実施の形態では、画像生成装置５として液晶装置を用いたが、画像生成装置５とし
ては有機エレクトロルミネッセンス装置を用いてもよい。

［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る入力装置付き電気光学装置１００を適用した電子機器に
ついて説明する。図１１（ａ）に、入力装置付き電気光学装置１００を備えたモバイル型
のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示
ユニットとしての入力装置付き電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２
０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。図１１
（ｂ）に、入力装置付き電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話
機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、および表示ユニ
ットとしての入力装置付き電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操
作することによって、入力装置付き電気光学装置１００に表示される画面がスクロールさ
れる。図１１（ｃ）に、入力装置付き電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤ
Ａ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操
作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、および表示ユニットとしての入力装置付き電
気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール
帳といった各種の情報が入力装置付き電気光学装置１００に表示される。

なお、入力装置付き電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１１に示す
ものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視
型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、
ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末等の電子
機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力装置
付き電気光学装置１００が適用可能である。

１・・静電容量型入力装置、２・・入力パネル、２ａ・・基板の入力領域、２ｂ・・基板
の外側領域、４ａ・・下層側導電膜、４ｂ・・上層側導電膜、２０・・基板、２１・・入
力位置検出用電極、２５・・入力領域内シールド電極、２７・・配線、２８・・外周側シ
ールド電極、２９・・シールド用補助電極、１００・・入力装置付き電気光学装置、２１
１・・第１入力位置検出用電極、２１１ｃ・・連結部分、２１２・・第２入力位置検出用
電極、２１４・・層間絶縁膜、２１５・・中継電極、２１８・・交差部分、２１８ａ・・
途切れ部分

Claims (11)

1. 基板の入力領域内に複数の入力位置検出用電極が設けられた静電容量型入力装置であって、
   前記基板に対して、該基板の側から順に積層された下層側導電膜、層間絶縁膜および上層側導電膜を有し、
   前記下層側導電膜および前記上層側導電膜のうち、入力操作側に位置する第１導電膜によって、前記入力位置検出用電極として、前記基板の面内方向において第１方向に延在する第１入力位置検出用電極と、前記基板の面内方向において前記第１方向に対して交差する第２方向に延在し、前記第１入力位置検出用電極との交差部分に途切れ部分を備えた第２入力位置検出用電極と、が形成され、
   前記下層側導電膜および前記上層側導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜によって、前記交差部分で前記層間絶縁膜を介して前記第１入力位置検出用電極に重なって前記第２入力位置検出用電極の途切れ部分を電気的に接続する中継電極と、該中継電極から分離され、前記第１入力位置検出用電極および前記第２入力位置検出用電極に前記層間絶縁膜を介して平面的に重なる入力領域内シールド電極と、が形成され、
   前記入力領域内シールド電極は、前記中継電極及び前記中継電極との空間となるスリットを除く前記入力領域の全体に形成され、シールド電位が印加されていることを特徴とする静電容量型入力装置。
2. 前記シールド電位は、前記第１入力位置検出用電極及び前記第２入力位置検出用電極に入力される位置検出信号と波形及び位相が同一の電位であることを特徴とする請求項１に記載の静電許容型入力装置。
3. 前記基板での入力操作を検出するための制御用のＩＣと、
   前記第１入力位置検出用電極及び前記第２入力位置検出用電極と前記ＩＣとそれぞれに接続され、位置検出信号が出力される配線及び前記シールド電位が印加されるシールド層を有するフレキシブル配線基板と、をさらに有する請求項１または２に記載の静電容量型入力装置。
4. 前記基板において前記入力領域より外側領域には、
   前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって、前記入力位置検出用電極に電気的に接続する配線が形成され、
   前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの他方の導電膜によって、前記配線に前記層間絶縁膜を介して平面的に重なる外周側シールド電極が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
5. 前記配線は、前記第１導電膜によって形成され、
   前記外周側シールド電極は、前記第２導電膜によって形成されていることを特徴とする請求項４に記載の静電容量型入力装置。
6. 前記外周側シールド電極は、前記第２導電膜によって前記入力領域内シールド電極と一体に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の静電容量型入力装置。
7. 前記配線は、前記第２導電膜によって形成され、
   前記外周側シールド電極は、前記第１導電膜によって形成されていることを特徴とする請求項４に記載の静電容量型入力装置。
8. 前記基板において前記配線の外周側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、前記配線を形成する側の導電膜によって、シールド用補助電極が形成されており、
   前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記配線より外周側に設けられた前記層間絶縁膜の非形成領域で重なって電気的に接続していることを特徴とする請求項４乃至７の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
9. 前記下層側導電膜、前記層間絶縁膜および前記上層側導電膜は、前記基板において入力操作側に位置する基板面に形成されており、
   前記上層側導電膜は前記第１導電膜であり、
   前記下層側導電膜は前記第２導電膜であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
10. 前記下層側導電膜、前記層間絶縁膜および前記上層側導電膜は、前記基板において入力操作側とは反対側に位置する基板面に形成されており、
    前記下層側導電膜は前記第１導電膜であり、
    前記上層側導電膜は前記第２導電膜であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
11. 請求項１乃至１０の何れか一項に記載の静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置であって、
    前記基板に対して入力操作側とは反対側に画像生成用の電気光学パネルが構成されていることを特徴とする入力装置付き電気光学装置。