JP5436247B2 - 配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板に関するものである。

従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。

特許文献１には、樹脂から成る絶縁基板と該絶縁基板上に形成された回路とを備えた配線基板が記載されている。

また、特許文献２には、セラミック基板と該セラミック基板上に形成された配線パターンとを備えた配線基板が記載されている。

ところで、樹脂から成る絶縁基板は誘電正接が高く、回路の信号伝送特性が低下しやすいため、配線基板の電気特性が低下しやすい。

一方、絶縁基板をセラミック基板とした場合、セラミック基板は割れやすく、セラミック基板に応力が印加されるとクラックが生じやすいため、該クラックを起点として回路に断線が生じ、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすい。

特開平８−１１６１７４号公報 特開２００１−７５２４号公報

本発明は、電気特性及び電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。

本発明の一形態にかかる配線基板は、厚み方向に沿って離間した第１及び第２無機絶縁層と、該第１及び第２無機絶縁層の間に部分的に形成された第１導電層と、前記第１及び第２無機絶縁層の間に介在され、前記第１導電層に並設された樹脂層と、を備え、前記第１導電層は、一主面の少なくとも一部が前記第１無機絶縁層に当接され、他主面の少なくとも一部が前記第２無機絶縁層に当接されており、前記第１導電層は、前記他主面において、前記第２無機絶縁層に向って突出し、少なくとも一部が前記第２無機絶縁層と当接した複数の第２凸部を有し、前記樹脂層は、一部が前記第１導電層と前記第２無機絶縁層との間に延在され、該延在部が前記第２凸部間に充填されるとともに前記第１導電層及び前記第２無機絶縁層に接着されている。また、本発明の一形態にかかる配線基板は、厚み方向に沿って離間した第１及び第２無機絶縁層と、該第１及び第２無機絶縁層の間に部分的に形成された第１導電層と、前記第１及び第２無機絶縁層の間に介在され、前記第１導電層に並設された樹脂層と、を備え、前記第１導電層は、一主面の少なくとも一部が前記第１無機絶縁層に当接され、他主面の少なくとも一部が前記第２無機絶縁層に当接されており、前記第１導電層よりも平面視における面積の大きい、接地用配線又は電力供給用配線である第２導電層を更に備え、前記第１導電層は、信号用配線であるとともに、前記第２無機絶縁層との当接領域及び非当接領域の和に対する当接領域の割合が、前記第２導電層よりも大きい。

本発明の一形態にかかる配線基板によれば、第１導電層は、一主面の少なくとも一部が第１無機絶縁層に当接され、他主面の少なくとも一部が第２無機絶縁層に当接され、しかも第１及び第２無機絶縁層の間には第１導電層と並接された樹脂層が介在されているため、第１導電層の信号伝送特性を高めつつ、第１及び第２無機絶縁層に印加される応力を緩和させることができ、ひいては電気特性及び電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。

本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図である。 図２（ａ）は、図１に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のI−I線に沿う平面方向に切断した断面図である。 図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＲ２部分を拡大して示した断面図である。 図４（ａ）乃至（ｄ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図５（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ｂ）のＲ３部分を拡大して示した断面図である。 図６（ａ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＲ４部分を拡大して示した断面図である。 図７（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。

以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。

図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。

電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。なお、厚みは、電子部品２の研摩面若しくは破断面を走査型電子顕微鏡で観察し、厚み方向（Ｚ方向）に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することにより測定される。

配線基板３は、コア基板５とコア基板５の上下に形成された一対の配線層６とを含んでいる。

コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚みが例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホール、スルーホール導体８、及び絶縁体９を含んでいる。なお、厚みは、電子部品２と同様に測定される。

基体７は、コア基板５の剛性を高めるものであり、樹脂基体１０と、該樹脂基体１０上下に設けられた無機絶縁層１１と、を有する。

樹脂基体１０は、基体７の主要部をなすものであり、例えば樹脂材料と該樹脂材料に被覆された基材と該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーとを含む。この樹脂基体１０は、厚みが例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に設定され、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば３０ｐｐｍ／℃以上５０ｐ
ｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０１以上０．０２以下に設定されている。

なお、ヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｏｒ ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。また、熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により、測定される。また、誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７‐１９９６に準じた共振器法により、測定される。

樹脂基体１０に含まれる樹脂材料は、樹脂基体１０の主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料を使用することができる。該樹脂材料は、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。

樹脂材料に被覆された基材は、樹脂基体１０の剛性を高めるものであり、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が厚み方向（Ｚ方向）よりも小さいため、配線基板３と電子部品２との平面方向への熱膨張率の差を低減し、配線基板３の反りを低減できる。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができ、繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。

樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーは、樹脂基体１０の熱膨張率を低減するとともに、樹脂基体１０の剛性を高めるものであり、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等の無機絶縁材料により形成されたものを用いることができ、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定され、樹脂基体１０の樹脂材料内における含有量が例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。

なお、無機絶縁フィラーの粒径は、樹脂基体１０の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。また、樹脂基体１０の樹脂部における無機絶縁フィラーの含有量(体積％)は、樹脂基体１０の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、樹脂基体１０の樹脂部に占める無機絶縁フィラーの面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより、測定される。

無機絶縁層１１は、主要部として無機絶縁材料を含み、無機絶縁材料が樹脂材料と比較して低誘電正接、低熱膨張率、高剛性及び高絶縁性であることから、基体７を低誘電正接、低熱膨張率、高剛性及び高絶縁性のものとする機能を有する。

したがって、無機絶縁層１１は、基体７の誘電正接を低減することにより、基体７上に形成された配線層６の信号伝送特性を高めることができる。また、基体７の平面方向への熱膨張率を低減することにより、配線基板３の反りを低減できるとともに、基体７の厚み方向への熱膨張率を低減することにより、基体７とスルーホール導体８との熱膨張率の違いに起因したスルーホール導体８の断線を低減できる。また、基体７の剛性を高めることにより、配線基板３の厚みを大きくすることなく剛性を高めることができる。また、基体７の絶縁性を高めることにより、コア基板５の上下面に配置された一対の配線層６間の短絡を低減することができる。

なお、無機絶縁層１１は、無機絶縁材料を主成分とする無機絶縁部と、図示しないが、該無機絶縁部に空隙が形成されており、該空隙に配された樹脂基体１０の一部である樹脂部を含んでも構わない。この場合、樹脂材料が無機絶縁材料と比較して低ヤング率であることから、無機絶縁部に印加される応力が緩和され、該応力に起因した無機絶縁部におけるクラックの発生が低減される。

この無機絶縁層１１は、例えば、無機絶縁部を８５体積％以上１００体積％以下含み、樹脂部を含む場合、樹脂部を０．２体積％以上１５体積％以下含む。また、無機絶縁層１１は、例えば平板状に形成されており、厚みが例えば３μｍ以上１００μｍ以下に設定され、厚みが例えば樹脂基体１０の３％以上１０％以下に設定されている。また、無機絶縁層１１は、ヤング率が例えば２ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０００１以上０．０２以下に設定されている。

無機絶縁部は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム又は酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料により形成されたものを使用することができ、なかでも、低誘電正接及び低熱膨張率の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。

また、無機絶縁部は、無機絶縁材料がアモルファス（非晶質）状態であることが望ましい。その結果、無機絶縁層１１において、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができるため、配線基板３が加熱された場合、配線基板３が加熱された場合、加熱後の冷却の際に無機絶縁層１１の収縮を各方向にてより均一にすることができ、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減できる。

アモルファス状態の無機絶縁材料は、例えば酸化ケイ素を用いることができ、結晶相の領域が例えば１０体積％未満に設定されており、なかでも５体積％未満に設定されていることが望ましい。なお、無機絶縁材料における結晶相領域の体積比は、１００％結晶化した試料粉末を非晶質粉末に混合してX線回折法で測定して検量線を作成し、調査試料のデータと検量線のデータを比較することにより測定される。

また、無機絶縁部は、無機絶縁材料を例えば９７体積％以上１００体積％以下含み、無機絶縁材料以外の残部を含む場合、例えば樹脂材料及び空隙を０体積％より多く３体積％以下含む。

この無機絶縁部は、ヤング率が例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、ヤング率が例えば樹脂基体１０の１．２倍以上５倍以下に設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば樹脂基体１０の０．００１倍以上０．５倍以下に設定され、誘電正接が例えば０．０００１以上０．０２以下に設定され、誘電正接が例えば樹脂基体１０の０．０１倍以上０．５倍以下に設定されている。

無機絶縁部は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム又は酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料により形成されたものを使用することができ、なかでも、低誘電正接及び低熱膨張率の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。また、無機絶縁部は、無機絶縁材料を例えば９７体積％以上１００体積％以下含み、無機絶縁材料以外の残部を含む場合、例えば樹脂材料及び空隙を０体積％より多く３体積％以下含む。

また、無機絶縁部は、図２（ａ）に示すように、例えば互いに結合した第１無機絶縁粒子１１ｎを含み、第１無機絶縁粒子１１ｎは、粒径が例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されている。その結果、第１無機絶縁粒子１１ｎの粒径が１１０ｎｍ以下に設定されていることにより、後述するように、第１無機絶縁粒子１１ｎの接着強度を高めることができる。

また、無機絶縁部は、第１無機絶縁粒子１１ｎよりも粒径が大きい、第１無機絶縁粒子１１ｎを介して互いに接着された第２無機絶縁粒子１１ｍを含んでも構わない。その結果、第２無機絶縁粒子１１ｍは、第１無機絶縁粒子１１ｎよりも粒径が大きいことから、無機絶縁部に生じたクラックの伸長を抑制することができる。この第２無機絶縁粒子１１ｍは、粒径が例えば０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されている。

第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍは、上述した無機絶縁部を構成する無機絶縁材料により形成されたものを使用することができ、同一材料からなることが望ましい。また、第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍは、球状であることが望ましい。

なお、第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍは、無機絶縁層１１の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより確認される。また、第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍの粒径は、無機絶縁層１１の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより測定される。

上述した基体７には、該基体７を厚み方向に貫通し、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状であるスルーホールが設けられている。スルーホールの内部には、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するスルーホール導体８がスルーホールの内壁に沿って円筒状に形成されている。このスルーホール導体８としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。

円筒状に形成されたスルーホール導体８の中空部には、絶縁体９が柱状に形成されており、スルーホール導体８の端面と絶縁体９の端面とで、後述するビア導体１４の支持面を形成している。絶縁体９としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。

一方、コア基板５の上下面には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、樹脂層１２、無機絶縁層１１、導電層１３、ビア孔、ビア導体１４と、を含んでいる。導電層１３及びビア導体１４は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線を含む配線部を構成している。

樹脂層１２は、主要部として樹脂材料を含み、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、厚み方向に隣接する無機絶縁層１１同士の間に介在されるとともに、導電層１３の側方に並設されつつ平面方向に離間した導電層１３との間に介在されており、該厚み方向に隣接する無機絶縁層１１それぞれの主面及び導電層１３の側面に接着されている。

したがって、樹脂層１２は、厚み方向に隣接する無機絶縁層１１同士の間に介在されることにより、樹脂材料が無機絶縁材料と比較して高弾性であることから、配線基板３に応力が印加された際に、樹脂層１２が変形し、無機絶縁層１１に印加される応力を緩和する
ことができる。それ故、無機絶縁層１１のクラックを低減し、該クラックに起因した第１導電層１３ａの断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。

また、樹脂層１２は、平面方向に沿って離間した導電層１３同士の間に介在されることにより、該導電層１３同士の短絡を抑制することができる。また、隣接する無機絶縁層１１の双方に接着することにより、該無機絶縁層１１同士を接着させることができる。また、無機絶縁層１１の主面及び導電層１３の側面に接着することにより、導電層１３と第１樹脂接着層１２ａとの接着強度を高めることができる。

この樹脂層１２は、例えば樹脂材料と該樹脂材料内に含有された無機絶縁フィラーとを含んでおり、厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、厚みが無機絶縁層１１の例えば０．４倍以上３倍以下に設定され、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定され、ヤング率が無機絶縁層１１の例えば０．０１倍以上０．６倍以下に設定され、誘電正接が例えば０．００１以上０．０２以下に設定され、誘電正接が無機絶縁層１１の例えば４倍以上１０倍以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が無機絶縁層１１の例えば２倍以上１０倍以下に設定されている。

樹脂層１２に含まれる樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料を使用することができる。該樹脂材料は、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。

無機絶縁フィラーは、上述した樹脂基体１０に含まれる無機絶縁フィラーと同様のものを用いることができ、なかでも、樹脂基体１０に含まれる無機絶縁フィラーと同一材料のものを用いることが望ましい。

配線層６に含まれる無機絶縁層１１は、樹脂層１２上に形成され、上述した基体７に含まれる無機絶縁層１１と同様の機能を有し、厚みが例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、厚みが例えば樹脂層１２の０．５倍以上１０倍以下に設定されている。また、樹脂部が形成されている場合、該樹脂部は、例えば樹脂層１２の一部である。

この無機絶縁層１１のその他の構成は、上述した基体７に含まれる無機絶縁層１１と同様の構成である。

導電層１３は、接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線として機能するものであり、無機絶縁層１１上に形成されており、無機絶縁層１１を介して厚み方向に互いに離間している。導電層１３としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。

また、導電層１３は、隣接した無機絶縁層１１同士の間に部分的に形成され、樹脂層１２が並設されている。それ故、無機絶縁層１１内部に導電層１３を形成した場合と比較して、配線基板３における無機絶縁層１１の体積を大きくすることができるため、配線基板３をより低誘電正接、低熱膨張及び高剛性とすることができる。

ビア導体１４は、厚み方向に互いに離間した導電層１３同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１４としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。

ここで、本実施形態の配線基板３において、無機絶縁層１１は、樹脂基板１０上に形成されたものを第１無機絶層１１ａとし、樹脂層１２を介して、該第１無機絶縁層１１ａに対して厚み方向に沿って離間したものを第２無機絶層１１ｂとする。

また、導電層１３は、基体７上に形成され、スルーホール導体８に接続されたものを第１導電層１３ａとし、該第１導電層１３ａに対して平面方向に沿って離間したものを第２導電層１３ｂとし、第２無機絶縁層１１ｂを介して、第１導電層１３ａに対して厚み方向に沿って離間したものを第３導電層１３ｃとする。

一方、本実施形態の配線基板３においては、図２（ａ）に示すように、第１導電層１３ａは、一主面の少なくとも一部が第１無機絶縁層１１ａに当接され、他主面の少なくとも一部が、第２無機絶縁層に当接されている。それ故、無機絶縁材料が樹脂材料と比較して低誘電正接であることから、第１導電層１３ａを第１無機絶縁層１１ａ及び第２無機絶縁層１１ｂに当接させることにより、第１導電層１３ａの信号伝送特性を高め、ひいては電気特性に優れた配線基板３を得ることができる。なお、かかる当接の有無は、配線基板３を厚み方向に切断した断面の電子顕微鏡写真によって、観察することができる。

また、第１導電層１３ａは、一主面において、第１無機絶縁層１１ａに向って突出し、少なくとも一部が第１無機絶縁層１１ａと当接した複数の第１凸部１５ａを有し、第１無機絶縁層１１ａは、一部が第１凸部１５ａ間に充填されている。それ故、第１導電層１３ａと第１無機絶縁層１１ａとの当接領域を大きくし、第１導電層１３ａの信号伝送特性を高めることができる。

また、第１導電層１３ａは、他主面において、第２無機絶縁層１１ｂに向って突出し、少なくとも一部が第２無機絶縁層１１ｂと当接した複数の第２凸部１５ｂを有し、樹脂層１２は、一部が第１導電層１３ａと第２無機絶縁層１１ｂとの間に延在され、該延在部１２ａが第２凸部１５ｂ間に充填されるとともに第１導電層１３ａ及び第２無機絶縁層１１ｂに接着されている。

それ故、延在部１２ａが第１導電層１３ａ及び第２無機絶縁層１１ｂに接着されることにより、第１導電層１３ａと第２無機絶縁層１１ｂとの接着強度を高めるとともに、低弾性の延在部１２ａが第２凸部１５ｂ間に充填されることにより、第１導電層１３ａと第２無機絶縁層１１ｂとの境界にて生じる厚み方向へのクラックを低減することができる。

また、第１導電層１３ａは、信号用配線であり、第２導電層１３ｂは、第１導電層１３ａよりも平面視における面積の大きい、接地用配線又は電力供給用配線であり、第１導電層１３ａは、第２無機絶縁層１１ｂとの当接領域及び非当接領域の和に対する当接領域の割合（以下、当接領域比という）が第２導電層１３ｂよりも大きい。その結果、第１導電層１３ａにおいては、第２無機絶縁層１１ｂとの当接領域を大きくすることにより信号伝送特性を高め、第２導電層１３ｂにおいては、延在部１１ａの接着領域を大きくすることにより、第２導電層１３ｂと第２無機絶縁層１１ｂとの剥離を低減することができる。

なお、第２導電層１３ｂは、平面視における面積が第１導電層１３ａの例えば１０倍以上２０倍以下に設定されている。また、第１導電層１３ａは、第２無機絶縁層１１ｂとの
当接領域比（第１当接領域比）が例えば３０％以上９０％以下に設定されており、第２導電層１３ｂは、第２無機絶縁層１１ｂとの当接領域比（第２当接領域比）が例えば０％以上４０％以下に設定されている。また、第１当接領域比は、第２当接領域比の例えば１．８倍以上２．２倍以下に設定されている。なお、当接領域比は、配線基板３を厚み方向に切断した断面の電子顕微鏡写真を観察し、界面において当接した部分（当接領域）の長さと、当接していない部分（非当接領域）の長さと、を１０箇所以上測定することにより算出する。

また、第１導電層１３ａは、一主面の面積が側面の面積よりも大きいことが望ましい。その結果、第１導電層１３ａと第１無機絶縁層１１ａとの当接領域大きくし、第１導電層１３ａの信号伝送特性を高めることができる。なお、第１導電層１３ａは、一主面の面積が側面の例えば１．２倍以上１０倍以下に設定されている。

ビア導体１４は、第２無機絶縁層１１ｂを厚み方向に貫通し、第１導電層１３ａ及び第３導電層１３ｃに電気的に接続されている。それ故、ビア導体１４を第２無機絶縁層１１ｂに当接させることができ、ビア導体１４における信号伝送特性を高めることができる。

かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。

次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図３から図７に基づいて説明する。

（積層板１６の作製）
（１）図３（ａ）に示すように、銅箔１３ｘと、第１無機絶縁粒子１１ｎ、第２無機絶縁粒子１１ｍ及び溶剤を含む無機絶縁ゾル１１ｘと、を準備し、銅箔１３ｘの一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布する。

銅箔１３ｘは、例えば一主面が蟻酸等の有機酸を主成分とするエッチング液により粗化されており、凹凸が形成されている。

無機絶縁ゾル１１ｘは、固形分と溶剤とを含む。無機絶縁ゾル１１ｘは、固形分を５％体積以上５０体積％以下含み、溶剤を５０体積％以上９５体積％以下含むことが望ましい。その結果、溶剤を無機絶縁ゾル１１ｘの５０体積％以上含むことにより、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減し、無機絶縁層１１の上面の平坦性を向上させて、配線基板３の上面の平坦性を向上させることができる。また、溶剤を無機絶縁ゾル１１ｘの９５体積％以下含むことにより、無機絶縁ゾル１１ｘの固形物成分量を増加させることにより、無機絶縁層１１の生産性を向上させることができる。また、該固形分は、第１無機絶縁粒子１１ｎを５体積％以上５０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１１ｍを５０体積％以上９５体積％以下含むことが望ましい。

粒径の小さい第１無機絶縁粒子１１ｎは、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物等のケイ酸化合物を精製し、加水分解等の方法で化学的に酸化珪素を析出させることにより作製することができる。また、このように作製することにより、第１無機絶縁粒子１１ｎの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。なお、このように作製した場合、第１無機絶縁粒子１１ｎは、酸化ナトリウム等の不純物を１ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下含んでいても構わない。

また、第１無機絶縁粒子１１ｎの粒径は、３ｎｍ以上に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減し、無機絶縁層１１の上面の平坦性を向上させることができる。

粒径の大きい第２無機絶縁粒子１１ｍは、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化珪素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を抑制しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。ここで、第２無機絶縁粒子１１ｍは、第１無機絶縁粒子１１ｎと比較して、凝集体の形成を低減しつつ、高温の加熱で作製することが容易であるため、第２無機絶縁粒子１１ｍを高温の加熱で作製することによって、第２無機絶縁粒子１１ｍの硬度を第１無機絶縁粒子１１ｎよりも容易に高めることができる。

なお、第２無機絶縁粒子１１ｍを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子１１ｍの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。

溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘを均一に塗布することができ、且つ、（２）の工程にて、溶剤を効率良く蒸発させることができる。

無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。

銅箔１３ｘの一主面に塗布された無機絶縁ゾル１１ｘは、平板状に形成されており、乾燥後の厚みが例えば３μｍ以上１１０μｍ以下に設定されている。

（２）図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、無機絶縁ゾル１１ｘを乾燥させて溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分を加熱し、第１無機絶縁粒子１１ｎ同士を結合させるとともに、第１無機絶縁粒子１１ｎと第２無機絶縁粒子１１ｍとを結合させることにより、無機絶縁ゾル１１ｘを無機絶縁層１１の無機絶縁部にして、銅箔１３ｘ及び無機絶縁層１１を含む積層シート１７を形成する。

ここで、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分を加熱する際、粒径が小さく結合しやすい第１無機絶縁粒子１１ｎ同士が互いに結合するとともに、第１無機絶縁粒子１１ｎと第２無機絶縁粒子１１ｍとが結合するため、粒径が大きく結合しにくい第２無機絶縁粒子１１ｍ同士を、第１無機絶縁粒子１１ｎを介して互いに接着させることができ、剛性の高い無機絶縁層１１を形成することができる。

また、（１）の工程にて、銅箔１３ｘの一主面に凹凸が形成されている場合、該凹凸に沿って無機絶縁層１１が形成されため、無機絶縁層１１において銅箔１３ｘ側の主面に第１凸部１５ａを形成するとともに、該第１凸部１５ａ間に無機絶縁層１１の一部を充填させることができる。

無機絶縁ゾル１１ｘの乾燥は、例えば加熱及び風乾により行われ、温度が２０℃以上溶剤の沸点(二種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点)未満に設定され、乾燥時間が２０秒以上３０分以下に設定されていることが望ましい。その結果、溶剤の沸騰を低減することにより、第２無機絶縁粒子１１ｍの充填密度を高めることが
できる。

なお、溶剤を蒸発させる際、溶剤は第２無機絶縁粒子１１ｍと濡れ性が良いことから、第２無機絶縁粒子１１ｍ同士の近接点に残留しやすい。その結果、該近接点への溶剤の移動に伴って、第１無機絶縁粒子１１ｎが該近接点へ移動するため、第２無機絶縁粒子１１ｍ同士の間に第１無機絶縁粒子１１ｎを介在させることができる。

また、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１１ｍを含む領域と比較して、粒径の小さい第１無機絶縁粒子１１ｎを含む領域において溶剤が多く蒸発するため、第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍに取り囲まれた空隙を形成することができる。

無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、温度が溶剤の沸点以上第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍの結晶化開始温度以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱温度が溶剤の沸点以上であることにより、残存した溶剤を効率良く蒸発させることができる。また、該加熱温度が、第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍの結晶化開始温度未満であることにより、第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、無機絶縁層１１にて、結晶化に伴う相転移によって生じるクラックを低減できる。特に、第１無機絶縁粒子１１ｎ及び第２無機絶縁粒子１１ｍの無機絶縁材料として酸化ケイ素を使用した場合、第１無機絶縁粒子１１ｎの結晶化を効果的に低減することができる。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。また、例えば酸化ケイ素の結晶化開始温度は１３００℃程度である。

なお、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、温度が１００度以上６００度未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されていることが望ましい。また、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、例えば大気雰囲気中で行うことができる。また、温度を１５０℃以上に上げる場合、銅箔１３ｘの酸化を抑制するため、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気又は窒素雰囲気にて行われることが望ましい。

一方、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱前における第１無機絶縁粒子１１ｎの粒径は、１１０ｎｍ以下、特に５０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度が、第１無機絶縁粒子１１ｎの結晶化開始温度未満及び第１樹脂接着層１２ａの熱分解温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１１ｎ同士を強固に結合させることができる。これは、第１無機絶縁粒子１１ｎの粒径が１１０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、第１無機絶縁粒子１１ｎの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第１無機絶縁粒子１１ｎ同士が強固に結合すると推測される。

また、かかる第１無機絶縁粒子１１ｎの粒径は、より小さく設定することによって、より低温にて第１無機絶縁粒子１１ｎ同士を強固に結合させることができる。第１無機絶縁粒子１１ｎ同士を強固に結合させることができる温度は、例えば、かかる粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、かかる粒径を５０ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。

また、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分は、第１無機絶縁粒子１１ｎを５体積％以上含むことが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１１ｍ同士の近接点に介在される第１無機絶縁粒子１１ｎの量を確保し、第２無機絶縁粒子１１ｍ同士が接触する領域を低減することで、無機絶縁部の剛性を高めることができる。

以上のようにして、積層シート１７を形成することができる。

（３）図４（ａ）に示すように、樹脂基体前駆体１０ｘを準備する。樹脂基体前駆体１０ｘは、例えば、未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層することにより作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。

（４）図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、樹脂基体前駆体１０ｘの上下面それぞれに無機絶縁層１１を介して積層シート１７を積層し、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、樹脂基体前駆体１０ｘを熱硬化させて樹脂基体１０とし、樹脂基体１０の上下に無機絶縁層１１を備えた積層板１６を形成する。

該積層体の加熱加圧は、温度が樹脂基体１０の硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、該積層体の加熱加圧は、温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定され、圧力が例えば２ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下に設定され、時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの状態となる温度である。

なお、該積層体の加熱加圧の際に、樹脂基体前駆体１０ｘが軟化流動するため、例えば平坦な金属板で加熱加圧することにより、平坦性に優れた積層板１６を形成することができる。

また、該積層体の加熱加圧の際に、樹脂基体前駆体１０ｘを軟化流動させて、樹脂基体前駆体１０ｘの一部を無機絶縁層１１の空隙に開口を介して充填し、該樹脂基体前駆体１０ｘの一部を熱硬化させることにより、樹脂部を形成することができる。その結果、空隙に樹脂基体前駆体１０ｘの一部を充填することにより、無機絶縁層１１の絶縁性を高めることができる。

以上のようにして、積層板１６を作製することができる。

（コア基板５の作製）
（５）図４（ｄ）に示すように、基体７を上下方向に貫通するスルーホール導体８を形成し、基体７上に導電層１３を形成する。具体的には、以下のように行う。

まず、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールを複数形成する。次に、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。次に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させる。次に、フォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて銅箔１３ｘをパターニングすることにより、導電層１３を形成する。

このように導電層１３を形成することにより、導電層１３（第１導電層１３ａ）の一主面の少なくとも一部を無機絶縁層１１（第１無機絶縁層１１ａ）に当接させることができる。

また、導電層１３は、パターニングにより形成された後、蟻酸等の有機酸を主成分とするエッチング液により、表面が粗化されていることが望ましい。その結果、第２凸部１５ｂが形成される。

以上のようにして、コア基板５を作製することができる。

（配線基板３の作製）
（６）図５（ａ）に示すように、（１）乃至（２）の工程と同様に銅箔１３ｘと無機絶縁層１１ｘとを有する積層シート１７を形成した後、未硬化の樹脂層前駆体１２ｘを、無機絶縁層１１ｘを介して積層シート１７上に載置する。

（７）図５（ｂ）及び（ｃ）と、図６（ａ）及び（ｂ）と、に示すように、コア基板５の上下面それぞれに樹脂層前駆体１２ｘを介して積層シート１７を積層し、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、樹脂層前駆体１２ｘを熱硬化させて樹脂層１２とし、コア基板５上下に樹脂層１２、無機絶縁層１１を形成する。

ここで、該積層体を上下方向に加熱加圧する際に、該加熱によって積層シート１７の無機絶縁層１１（第２無機絶縁層１１ｂ）と第１導電層１３ａとの間の樹脂層前駆体１２ｘを軟化流動させるとともに、該加圧によって樹脂層前駆体１２ｘをコア基板５上の導電層１３同士の間に移動させることにより、第２無機絶縁層１１ｂを第１導電層１３ａの少なくとも一部に当接させることができる。なお、第１導電層１３ａにおける第２無機絶縁層１１ｂとの当接領域比は、樹脂層前駆体１２ｘの厚み、加熱加圧時の圧力、又は加圧に用いる押圧部材の硬さ等を適宜調整することにより、調節することができる。

また、コア基板５の上下面それぞれに積層シート１７を積層する際、第２凸部１５ｂ同士の間に隙間が形成されるため、該積層体を上下方向に加熱加圧する際に、軟化流動した樹脂層前駆体１２ｘを該隙間に移動させることにより、延在部１２ａを形成することができる。

また、該積層体の加熱加圧の際に、軟化流動した樹脂層前駆体１２ｘが、平面視における面積の大きい第２導電層１３ｂ上に残留しやすいため、第２導電層１３ｂにおいて、第２無機絶縁層１１ｂとの当接領域比を大きくすることができる。

また、該積層体の加熱加圧の際に、樹脂層前駆体１２ｘを軟化させて流動させて、樹脂層前駆体１２ｘの一部を無機絶縁部の空隙に開口を介して充填し、樹脂層前駆体１２ｘの一部を熱硬化させることにより、樹脂部を形成することができる。

なお、該積層体の加熱加圧は、例えば（４）の工程と同様に行うことができる。

（８）図７（ａ）に示すように、樹脂層１２、無機絶縁層１１及び銅箔１３ｘを上下方向に貫通するビア導体１４を形成し、第１樹脂接着層１２ａ上に導電層１３を形成する。具体的には、以下のように行う。

まず、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、樹脂層１２、無機絶縁層１１（第２無機絶縁層１１ｂ）及び銅箔１３ｘにビア孔を形成し、ビア孔内に導電層１３（第１導電層１３ａ）の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法又はサブトラクティブ法等により、ビア孔にビア導体１４を形成するとともに無機絶縁層１１上に導電層１３を形成する。

ここで、第１導電層１３ａ上にビア孔を形成する際、第１導電層１３ａの少なくとも一部が第２無機絶縁層１１ｂに当接しているため、ビア孔が貫通される樹脂層１２を低減することができる。その結果、ビア孔に残留する樹脂材料の残渣を低減することができるため、第１導電層１３ａとビア導体１４と接続信頼性を高めることができる。

（９）図７（ｂ）に示すように、（６）乃至（８）の工程を繰り返すことにより、コア基板５上下に配線層６を形成する。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層６をより多層化することができる。

以上のようにして、配線基板３を作製することができる。

（実装構造体１の作製）
（１０）バンプ４を介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示した実装構造体１を作製することができる。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。

例えば、上述した本発明の実施形態は、配線層にて樹脂層及び無機絶縁層それぞれを２層積層した構成を例に説明したが、樹脂層及び無機絶縁層は何層積層しても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、無機絶縁部が第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子を含む構成を例に説明したが、無機絶縁部は、どちらか一方のみ含んでも構わないし、双方を含んでいなくても構わないし、第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子がさらに含まれていても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、樹脂基体が基材を含む構成を例に説明したが、樹脂基体は基材を含まなくても構わない。配線基板が、基材を含まない樹脂基体と無機絶縁層とを備えている場合、無機絶縁層により配線基板の剛性を高めつつ平面方向への熱膨張率を低減し、基材を含まないことにより配線基板の厚みを小さくしつつ平坦性を高めることができる。

また、上述した本発明の実施形態は、基体が樹脂基体を備えた構成を例に説明したが、基体は金属板を樹脂で被覆したものを用いても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、配線基板がコア基板及び配線層の両方に無機絶縁層を備えた構成を例に説明したが、配線基板は少なくとも２層の無機絶縁層を備えていればよく、コア基板又は配線層のどちらか一方のみに無機絶縁層を備えていても構わない。また、配線基板が配線層のみに無機絶縁層を有する場合、配線基板は、コア基板として例えばセラミック基板等を備えていても構わないし、コア基板を備えていなくても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、第１導電層の一主面の少なくとも一部が当接する第１無機絶縁層を、樹脂基体上に形成された無機絶縁層とした構成を例に説明したが、第１無機絶縁層は、配線基板内のいずれに形成されていてもよく、樹脂層上に形成されていても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、第１導電層及び第２導電層が同一層に形成されている構成を例に説明したが、異なる層に形成されていても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、第１導電層が、一主面に第１凸部を有し、他主面に第２凸部を有する構成を例に説明したが、どちらか一方のみ形成されても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、（１）の工程にて銅箔を用いた構成を例に説明したが、例えば銅箔以外の金属箔を用いても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、（２）の工程にて溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾルを加熱する構成を例に説明したが、溶剤の蒸発と無機絶縁ゾルの加熱とを同時に行っても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、（６）の工程にて未硬化の第２樹脂接着層前駆体を積層シート上に載置した構成を例に説明したが、未硬化で液状の第２樹脂接着層前駆体を無機絶縁層に塗布しても構わない。

また、上述した本発明の実施形態は、（８）の工程にてセミアディティブ法又はサブトラクティブ法等により導電層を形成する構成を例に説明したが、例えば硫酸及び過酸化水素水の混合液、塩化第二鉄溶液又は塩化第二銅溶液等を用いたエッチング法により、第２樹脂接着層上から銅箔を剥離した後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により導電層を形成しても構わない。

１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 配線基板
４ バンプ
５ コア基板
６ 配線層
７ 基体
８ スルーホール導体
９ 絶縁体
１０ 樹脂基体
１０ｘ 樹脂基体前駆体
１１ 無機絶縁層
１１ｘ 無機絶縁ゾル
１２ 樹脂層
１２ａ 延在部
１２ｘ 樹脂層前駆体
１３ 導電層
１３ｘ 銅箔
１４ ビア導体
１５ａ 第１凸部
１５ｂ 第２凸部
１６ 積層板
１７ 積層シート

Claims (7)

1. 厚み方向に沿って離間した第１及び第２無機絶縁層と、該第１及び第２無機絶縁層の間に部分的に形成された第１導電層と、前記第１及び第２無機絶縁層の間に介在され、前記第１導電層に並設された樹脂層と、を備え、
   前記第１導電層は、一主面の少なくとも一部が前記第１無機絶縁層に当接され、他主面の少なくとも一部が前記第２無機絶縁層に当接されており、
   前記第１導電層は、前記他主面において、前記第２無機絶縁層に向って突出し、少なくとも一部が前記第２無機絶縁層と当接した複数の第２凸部を有し、
   前記樹脂層は、一部が前記第１導電層と前記第２無機絶縁層との間に延在され、該延在部が前記第２凸部間に充填されるとともに前記第１導電層及び前記第２無機絶縁層に接着されていることを特徴とする配線基板。
2. 厚み方向に沿って離間した第１及び第２無機絶縁層と、該第１及び第２無機絶縁層の間に部分的に形成された第１導電層と、前記第１及び第２無機絶縁層の間に介在され、前記第１導電層に並設された樹脂層と、を備え、
   前記第１導電層は、一主面の少なくとも一部が前記第１無機絶縁層に当接され、他主面の少なくとも一部が前記第２無機絶縁層に当接されており、
   前記第１導電層よりも平面視における面積の大きい、接地用配線又は電力供給用配線である第２導電層を更に備え、
   前記第１導電層は、信号用配線であるとともに、前記第２無機絶縁層との当接領域及び非当接領域の和に対する当接領域の割合が、前記第２導電層よりも大きいことを特徴とする配線基板。
3. 請求項１または２に記載の配線基板において、
   前記樹脂層は、前記第１及び第２無機絶縁層に接着されていることを特徴とする配線基板。
4. 請求項１または２に記載の配線基板において、
   前記第１及び第２無機絶縁層の間に介在され、前記第１導電層に対して平面方向に沿って離間した第２導電層を更に備え、
   前記第１及び第２導電層の間には、前記樹脂層が介在されていることを特徴とする配線基板。
5. 請求項１または２に記載の配線基板において、
   前記第１導電層は、前記一主面において、前記第１無機絶縁層に向って突出し、少なくとも一部が前記第１無機絶縁層と当接した複数の第１凸部を有し、
   前記第１無機絶縁層は、一部が前記第１凸部間に充填されていることを特徴とする配線基板。
6. 請求項１または２に記載の配線基板において、
   前記第２無機絶縁層を介して、前記第１導電層に対して厚み方向に沿って離間した第３導電層と、
   前記第２無機絶縁層を厚み方向に貫通し、前記第１及び前記第３導電層に電気的に接続されたビア導体と、
   を更に備えたことを特徴とする配線基板。
7. 請求項１または２に記載の配線基板と、
   前記配線基板に搭載され、前記第１導電層に電気的に接続された電子部品と、
   を備えたことを特徴とする実装構造体。

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