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JP5465578B2 - Polishing pad, method for manufacturing the same, and method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents

Polishing pad, method for manufacturing the same, and method for manufacturing a semiconductor device Download PDF

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JP5465578B2
JP5465578B2 JP2010083434A JP2010083434A JP5465578B2 JP 5465578 B2 JP5465578 B2 JP 5465578B2 JP 2010083434 A JP2010083434 A JP 2010083434A JP 2010083434 A JP2010083434 A JP 2010083434A JP 5465578 B2 JP5465578 B2 JP 5465578B2
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彩 伊藤
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Description

本発明はレンズ、反射ミラーなどの光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、および一般的な金属研磨加工などの高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工を安定、かつ高い研磨効率で行うことが可能な研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法に関するものである。本発明の研磨パッドは、特にシリコンウエハやガラスの仕上げ研磨に有用である。   The present invention stabilizes flattening processing of optical materials such as lenses and reflection mirrors, silicon wafers, glass substrates for hard disks, aluminum substrates, and materials that require high surface flatness such as general metal polishing processing. The present invention also relates to a polishing pad that can be performed with high polishing efficiency, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor device. The polishing pad of the present invention is particularly useful for finish polishing of a silicon wafer or glass.

一般に、シリコンウエハなどの半導体ウエハ、レンズ、およびガラス基板などの鏡面研磨には、平坦度および面内均一度の調整を主目的とする粗研磨と、表面粗さの改善およびスクラッチの除去を主目的とする仕上げ研磨とがある。   In general, mirror polishing of semiconductor wafers such as silicon wafers, lenses, and glass substrates mainly involves rough polishing mainly for adjusting the flatness and in-plane uniformity, and improving surface roughness and removing scratches. There is intended finish polishing.

仕上げ研磨は、通常、回転可能な定盤の上に軟質な発泡ポリウレタンからなるスエード調の人工皮革を貼り付け、その上にアルカリベース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウエハを擦りつけることにより行われる(特許文献1)。   In finish polishing, a suede-like artificial leather made of soft polyurethane foam is usually applied to a rotatable surface plate, and a wafer containing colloidal silica is supplied to an alkali-based aqueous solution. This is done by rubbing (Patent Document 1).

しかしながら、仕上げ研磨用として使用する発泡ポリウレタンからなる研磨層の平坦性が低いと、研磨対象物の表面に微小うねりが生ずるという問題が発生する。この微小うねりは、最近の仕上げ研磨の分野において特に問題視されており、微小うねりのさらなる低減が可能な研磨パッドが市場において強く要求されている。   However, when the flatness of the polishing layer made of polyurethane foam used for finish polishing is low, there arises a problem that micro undulation occurs on the surface of the object to be polished. This micro waviness is particularly regarded as a problem in the recent field of finish polishing, and a polishing pad capable of further reducing the micro waviness is strongly demanded in the market.

ところで、通常、研磨パッドを用いて多数の半導体ウエハの平坦化処理を行うと、研磨パッド表面の微細凹凸部が磨耗して、研磨剤(スラリー)を半導体ウエハの加工面へ供給する性能が落ちたり、ウエハ加工面の平坦化速度が低下したり、平坦化特性が悪化する。そのため、所定枚数の半導体ウエハの平坦化処理を行った後には、ドレッサーを用いて研磨パッド表面を更新・粗面化(ドレッシング)する必要がある。ドレッシングを所定時間行うと、研磨パッド表面には無数の微細凹凸部ができ、パッド表面が毛羽立った状態になる。   By the way, normally, when a large number of semiconductor wafers are planarized using a polishing pad, the fine irregularities on the surface of the polishing pad wear out, and the ability to supply abrasive (slurry) to the processed surface of the semiconductor wafer is reduced. Or the flattening speed of the wafer processing surface decreases, or the flattening characteristics deteriorate. For this reason, it is necessary to update and roughen (dress) the surface of the polishing pad using a dresser after the planarization of a predetermined number of semiconductor wafers. When dressing is performed for a predetermined time, innumerable fine irregularities are formed on the surface of the polishing pad, and the pad surface becomes fuzzy.

下記特許文献2では、不織布にイソシアヌレート化されたウレタン樹脂を付着させた研磨布が記載されているが、このような不織布タイプのものは使用可能な研磨層厚みが薄く、パッド寿命が短くなるという問題があった。   The following Patent Document 2 describes a polishing cloth in which an isocyanurated urethane resin is adhered to a nonwoven fabric. However, such a nonwoven fabric type has a thin usable polishing layer and a short pad life. There was a problem.

特開2003−37089号公報JP 2003-37089 A 特開2007−31883号公報JP 2007-31883 A

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ドレス速度の低下を防止し、かつ研磨対象物の表面に発生する微小うねりを低減することができる研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a polishing pad capable of preventing a decrease in dress speed and reducing microwaviness generated on the surface of an object to be polished, and a method for manufacturing the same. Another object is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示す研磨パッドにより上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above object can be achieved by the polishing pad shown below, and have completed the present invention.

即ち、本発明に係る研磨パッドは、熱硬化性ポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記熱硬化性ポリウレタン発泡体が、イソシアヌレート化触媒の存在下にて活性水素含有化合物とイソシアネート成分との反応により形成されたイソシアヌレート結合を含有するものであって、前記活性水素含有化合物の合計活性水素基数に対する前記イソシアネート成分のイソシアネート基数(NCO INDEX)が1.3〜4.0であることを特徴とする。   That is, the polishing pad according to the present invention is a polishing pad having a polishing layer made of a thermosetting polyurethane foam, wherein the thermosetting polyurethane foam contains an active hydrogen-containing compound and an isocyanate in the presence of an isocyanuration catalyst. The number of isocyanate groups (NCO INDEX) of the isocyanate component relative to the total number of active hydrogen groups of the active hydrogen-containing compound is 1.3 to 4.0. It is characterized by that.

一般的に、研磨パッドのドレス速度を速める方法として、ポリウレタン原料中に官能基数が3以上の架橋材を増量する方法がある。しかしながら、この場合はドレッシング時に研磨パッド表面のうねりが発生し、その結果研磨対象物の表面で微小うねりが発生する場合がある。一方、本発明では、研磨層を構成する熱硬化性ポリウレタン発泡体が、NCO INDEXを1.3〜4.0に設定した状態で、イソシアヌレート化触媒の存在下にて活性水素含有化合物とイソシアネート成分との反応により形成されたイソシアヌレート結合を含有するため、熱硬化性ポリウレタン発泡体の硬度を高めつつ、研磨パッド表面のうねりを抑制することができる。その結果、本発明に係る研磨パッドでは、研磨対象物表面の微小うねりを低減しつつ、ドレス速度を速めることができる。   In general, as a method of increasing the dressing speed of the polishing pad, there is a method of increasing the amount of the crosslinking material having 3 or more functional groups in the polyurethane raw material. However, in this case, waviness on the surface of the polishing pad occurs during dressing, and as a result, fine waviness may occur on the surface of the object to be polished. On the other hand, in the present invention, the thermosetting polyurethane foam constituting the polishing layer has an active hydrogen-containing compound and an isocyanate in the presence of an isocyanurate-forming catalyst in a state where NCO INDEX is set to 1.3 to 4.0. Since the isocyanurate bond formed by the reaction with the component is contained, the undulation of the surface of the polishing pad can be suppressed while increasing the hardness of the thermosetting polyurethane foam. As a result, with the polishing pad according to the present invention, the dressing speed can be increased while reducing the fine waviness on the surface of the object to be polished.

上記研磨パッドにおいて、アスカーC硬度での硬さが50〜90であることが好ましい。かかる構成によれば、研磨層を構成する熱硬化性ポリウレタン発泡体の硬度が十分に確保されているため、研磨パッドのドレス速度の低下を防止しつつ、研磨対象物の表面に発生する微小うねりをより低減することができる。   The polishing pad preferably has a Asker C hardness of 50 to 90. According to such a configuration, since the hardness of the thermosetting polyurethane foam constituting the polishing layer is sufficiently ensured, the micro undulation generated on the surface of the object to be polished while preventing the dressing speed of the polishing pad from being lowered. Can be further reduced.

上記研磨パッドにおいて、前記イソシアヌレート化触媒が、アミン系触媒であることが好ましく、(N,N’,N’’−トリス(3−ジメチルアミノプロピル)−symヘキサヒドロトリアジンおよび1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセンフェノール塩の少なくとも1種であることがより好ましい。かかるイソシアヌレート化触媒の存在下にて活性水素含有化合物とイソシアネート成分との反応させることで、熱硬化性ポリウレタン発泡体中にイソシアヌレート結合をより確実に形成することができる。その結果、研磨パッドのドレス速度の低下をより確実に防止し、かつ研磨対象物の微小うねりのさらなる低減が可能となる。   In the polishing pad, the isocyanuration catalyst is preferably an amine catalyst, and (N, N ′, N ″ -tris (3-dimethylaminopropyl) -sym hexahydrotriazine and 1,8-diazabicyclo It is more preferable that it is at least one of [5,4,0] -7-undecene phenol salt, and the reaction with an active hydrogen-containing compound and an isocyanate component in the presence of such an isocyanurate-forming catalyst, The isocyanurate bond can be more reliably formed in the curable polyurethane foam, and as a result, the dressing speed of the polishing pad can be more reliably prevented and the fine waviness of the polishing object can be further reduced. Become.

上記研磨パッドにおいて、前記イソシアネート成分が、芳香族ジイソシアネートを含有することが好ましく、トルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートおよびカルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネートの少なくとも1種であることがより好ましい。上述した活性水素含有化合物とイソシアネート成分とを併用することにより、研磨層に基材層を積層した場合において、研磨層と基材層との接着性が格段に向上する。   In the polishing pad, the isocyanate component preferably contains an aromatic diisocyanate, and more preferably at least one of toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, and carbodiimide-modified diphenylmethane diisocyanate. When the active hydrogen-containing compound and the isocyanate component are used in combination, the adhesion between the polishing layer and the base material layer is remarkably improved when the base material layer is laminated on the polishing layer.

上記研磨パッドにおいて、前記熱硬化性ポリウレタン発泡体が、平均気泡径20〜300μmの略球状の気泡を有することが好ましい。平均気泡径20〜300μmの略球状の気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体で研磨層を構成することにより、研磨層の耐久性を向上させることができる。そのため、本発明の研磨パッドを用いた場合には、長期間平坦化特性を高く維持することができ、研磨速度の安定性も向上する。ここで、略球状とは、球状および楕円球状をいう。楕円球状の気泡とは、長径Lと短径Sの比(L/S)が5以下のものであり、好ましくは3以下、より好ましくは1.5以下である。   In the polishing pad, it is preferable that the thermosetting polyurethane foam has substantially spherical cells having an average cell diameter of 20 to 300 μm. The durability of the polishing layer can be improved by forming the polishing layer with a thermosetting polyurethane foam having substantially spherical cells with an average cell diameter of 20 to 300 μm. Therefore, when the polishing pad of the present invention is used, the planarization characteristic can be kept high for a long time, and the stability of the polishing rate is also improved. Here, the substantially spherical shape means a spherical shape and an elliptical shape. Oval and spherical bubbles are those having a major axis L to minor axis S ratio (L / S) of 5 or less, preferably 3 or less, more preferably 1.5 or less.

また、本発明は、活性水素含有化合物と、イソシアネート成分と、イソシアヌレート化触媒と、を原料成分として含有し、前記活性水素含有化合物の合計活性水素基数に対する前記イソシアネート成分のイソシアネート基数(NCO INDEX)が1.3〜4.0である気泡分散ウレタン組成物を機械発泡法により調製する工程、面材上に前記気泡分散ウレタン組成物を塗布する工程、前記気泡分散ウレタン組成物を硬化させることにより、平均気泡径20〜300μmの略球状の気泡を有し、かつイソシアヌレート結合を含有する熱硬化性ポリウレタン発泡体からなる研磨層を形成する工程、および前記研磨層の厚さを均一に調整する工程を含む研磨パッドの製造方法に関する。かかる製造方法によれば、ドレス速度の低下が防止され、かつ研磨対象物の表面に発生する微小うねりが低減された研磨パッドを製造することができる。   The present invention also includes an active hydrogen-containing compound, an isocyanate component, and an isocyanurate-forming catalyst as raw material components, and the number of isocyanate groups in the isocyanate component (NCO INDEX) relative to the total number of active hydrogen groups in the active hydrogen-containing compound. A step of preparing a cell-dispersed urethane composition having a ratio of 1.3 to 4.0 by a mechanical foaming method, a step of applying the cell-dispersed urethane composition on a face material, and curing the cell-dispersed urethane composition A step of forming a polishing layer made of a thermosetting polyurethane foam having substantially spherical bubbles having an average bubble diameter of 20 to 300 μm and containing an isocyanurate bond, and the thickness of the polishing layer is adjusted uniformly. The present invention relates to a method of manufacturing a polishing pad including steps. According to this manufacturing method, it is possible to manufacture a polishing pad in which a decrease in dressing speed is prevented and micro waviness generated on the surface of the object to be polished is reduced.

さらに、本発明は、上記いずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法に関する。   Furthermore, this invention relates to the manufacturing method of a semiconductor device including the process of grind | polishing the surface of a semiconductor wafer using the polishing pad in any one of the said.

半導体デバイスの製造方法で使用する研磨装置の一例を示す概略構成図Schematic configuration diagram showing an example of a polishing apparatus used in a semiconductor device manufacturing method

本発明の研磨パッドは、熱硬化性ポリウレタン発泡体(以下、「ポリウレタン発泡体」とも言う)からなる研磨層を有する。   The polishing pad of the present invention has a polishing layer made of a thermosetting polyurethane foam (hereinafter also referred to as “polyurethane foam”).

ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができ、また機械発泡法(メカニカルフロス法を含む)により略球状の微細気泡を容易に形成することができるため研磨層の構成材料として特に好ましい材料である。   Polyurethane resin is excellent in abrasion resistance, and it is possible to easily obtain polymers having desired physical properties by changing the raw material composition. Also, it is easy to form almost spherical fine bubbles by mechanical foaming (including mechanical flossing). Since it can be formed, it is a particularly preferable material as a constituent material of the polishing layer.

ポリウレタン樹脂は、主としてイソシアネート成分および活性水素含有化合物(高分子量ポリオール、低分子量ポリオール、低分子量ポリアミン、鎖延長剤など)を含有する。   The polyurethane resin mainly contains an isocyanate component and an active hydrogen-containing compound (high molecular weight polyol, low molecular weight polyol, low molecular weight polyamine, chain extender, etc.).

イソシアネート成分としては、ポリウレタンの分野において公知の化合物を特に限定なく使用できる。例えば、2,4−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、2,2’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリメリックMDI、カルボジイミド変性MDI(例えば、商品名ミリオネートMTL、日本ポリウレタン工業製)、1,5−ナフタレンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、m−フェニレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの脂肪族ジイソシアネート、1,4−シクロヘキサンジイソシアネート、4,4’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネートなどの脂環式ジイソシアネートが挙げられる。これらは1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   As the isocyanate component, a known compound in the field of polyurethane can be used without particular limitation. For example, 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,2′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4′-diphenylmethane diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, polymeric MDI, carbodiimide-modified MDI (for example, commercial products) Name Millionate MTL, manufactured by Nippon Polyurethane Industry), 1,5-naphthalene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, p-xylylene diisocyanate, m-xylylene diisocyanate and other aromatic diisocyanates, ethylene diisocyanate, 2,2 Aliphatic diisocyanates such as 1,4-trimethylhexamethylene diisocyanate and 1,6-hexamethylene diisocyanate Hexane diisocyanate, cyclohexane diisocyanate, 4,4'-dicyclohexyl methane diisocyanate, isophorone diisocyanate, alicyclic diisocyanates such as norbornane diisocyanate. These may be used alone or in combination of two or more.

上記のイソシアネート成分のうち、芳香族ジイソシアネートを用いることが好ましく、特にトルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートおよびカルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネートの少なくとも1種を用いることが好ましい。   Of the above isocyanate components, aromatic diisocyanates are preferably used, and at least one of toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate and carbodiimide-modified diphenylmethane diisocyanate is particularly preferably used.

活性水素含有化合物としては、高分子量ポリオール、低分子量ポリオール、低分子量ポリアミン、鎖延長剤など、ポリウレタンの技術分野において、通常用いられるものを挙げることができる。   Examples of the active hydrogen-containing compound include those usually used in the technical field of polyurethane, such as a high molecular weight polyol, a low molecular weight polyol, a low molecular weight polyamine, and a chain extender.

高分子量ポリオールとしては、例えば、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエチレングリコールなどに代表されるポリエーテルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いでえられた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、ポリヒドロキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオール、ポリマー粒子を分散させたポリエーテルポリオールであるポリマーポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the high molecular weight polyol include polyether polyols represented by polytetramethylene ether glycol and polyethylene glycol, polyester polyols represented by polybutylene adipate, polyester glycols such as polycaprolactone polyol and polycaprolactone, and alkylene carbonates. Polyester polycarbonate polyol, which is exemplified by the reaction product of 1. Polyester polycarbonate polyol obtained by reacting ethylene carbonate with polyhydric alcohol, and then reacting the obtained reaction mixture with organic dicarboxylic acid, transesterification of polyhydroxyl compound with aryl carbonate Polycarbonate polyol obtained by the reaction, poly which is a polyether polyol in which polymer particles are dispersed Such as over polyols. These may be used alone or in combination of two or more.

低分子量ポリオールとしては、例えば、トリメチロールプロパン、グリセリン、ジグリセリン、1,2,6−ヘキサントリオール、トリエタノールアミン、ペンタエリスリトール、テトラメチロールシクロヘキサン、メチルグルコシド、およびこれらのアルキレンオキサイド(EO、POなど)付加物が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the low molecular weight polyol include trimethylolpropane, glycerin, diglycerin, 1,2,6-hexanetriol, triethanolamine, pentaerythritol, tetramethylolcyclohexane, methyl glucoside, and alkylene oxides thereof (EO, PO, etc.) ) Additives. These may be used alone or in combination of two or more.

低分子量ポリアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、およびこれらのアルキレンオキサイド(EO、POなど)付加物が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the low molecular weight polyamine include ethylenediamine, tolylenediamine, diphenylmethanediamine, and alkylene oxide (EO, PO, etc.) adducts thereof. These may be used alone or in combination of two or more.

また、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等の低分子量ポリオールを併用してもよい。また、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、及びモノプロパノールアミン等のアルコールアミンを併用してもよい。   Further, ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2,3-butanediol, 1,6 -Low molecular weight polyols such as hexanediol, neopentyl glycol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 3-methyl-1,5-pentanediol, diethylene glycol and triethylene glycol may be used in combination. Further, alcohol amines such as monoethanolamine, diethanolamine, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, and monopropanolamine may be used in combination.

鎖延長剤は、少なくとも2個以上の活性水素基を有する有機化合物であり、活性水素基としては、水酸基、第1級もしくは第2級アミノ基、チオール基(SH)などが例示できる。具体的には、4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)(MOCA)、2,6−ジクロロ−p−フェニレンジアミン、4,4’−メチレンビス(2,3−ジクロロアニリン)、3,5−ビス(メチルチオ)−2,4−トルエンジアミン、3,5−ビス(メチルチオ)−2,6−トルエンジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,4−ジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,6−ジアミン、トリメチレングリコール−ジ−p−アミノベンゾエート、1,2−ビス(2−アミノフェニルチオ)エタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチル−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、N,N’−ジ−sec−ブチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、m−キシリレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、およびp−キシリレンジアミンなどに例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量ポリオールや低分子量ポリアミンなどを挙げることができる。これらは1種で用いても、2種以上を混合しても差し支えない。   The chain extender is an organic compound having at least two active hydrogen groups, and examples of the active hydrogen group include a hydroxyl group, a primary or secondary amino group, and a thiol group (SH). Specifically, 4,4′-methylenebis (o-chloroaniline) (MOCA), 2,6-dichloro-p-phenylenediamine, 4,4′-methylenebis (2,3-dichloroaniline), 3,5 -Bis (methylthio) -2,4-toluenediamine, 3,5-bis (methylthio) -2,6-toluenediamine, 3,5-diethyltoluene-2,4-diamine, 3,5-diethyltoluene-2 , 6-diamine, trimethylene glycol-di-p-aminobenzoate, 1,2-bis (2-aminophenylthio) ethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyl-5,5′-dimethyl Diphenylmethane, N, N′-di-sec-butyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, m-xyl Polyamines exemplified by diamine, N, N′-di-sec-butyl-p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, and p-xylylenediamine, or the low molecular weight polyols and low molecular weight polyamines described above. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

本発明においては、水酸基価が200〜1500mgKOH/gである3官能ポリオールの含有量を、活性水素含有化合物100重量部中、40重量部以下とすることが好ましい。3官能ポリオールの含有量が40重量部を超える場合、研磨対象物の表面にスクラッチが発生し易くなる傾向がある。また、水酸基価が900〜1830mgKOH/gである低分子量ポリオールの含有量を、活性水素含有化合物100重量部中、20重量部以下とすることが好ましい。かかる低分子量ポリオールの含有量が20重量部を超える場合、やはり研磨対象物の表面にスクラッチが発生し易くなる傾向がある。   In the present invention, the content of the trifunctional polyol having a hydroxyl value of 200 to 1500 mgKOH / g is preferably 40 parts by weight or less in 100 parts by weight of the active hydrogen-containing compound. When the content of the trifunctional polyol exceeds 40 parts by weight, scratches tend to occur on the surface of the object to be polished. Moreover, it is preferable to make content of the low molecular weight polyol whose hydroxyl value is 900-1830 mgKOH / g into 20 weight part or less in 100 weight part of active hydrogen containing compounds. When the content of the low molecular weight polyol exceeds 20 parts by weight, there is a tendency that scratches are easily generated on the surface of the object to be polished.

本発明に係る熱硬化性ポリウレタン発泡体は、NCO INDEXを1.3〜4.0に設定した状態で、イソシアヌレート化触媒の存在下にて活性水素含有化合物とイソシアネート成分との反応により形成されたイソシアヌレート結合を含有する。   The thermosetting polyurethane foam according to the present invention is formed by the reaction of an active hydrogen-containing compound and an isocyanate component in the presence of an isocyanuration catalyst in a state where NCO INDEX is set to 1.3 to 4.0. Contains isocyanurate linkages.

イソシアヌレート化触媒としては、例えば(N,N’,N’’−トリス(3−ジメチルアミノプロピル)−symヘキサヒドロトリアジン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン(DBU)およびDBUフェノール塩などのアミン系触媒、2−エチルヘキサン酸(オクチル酸)カリウム、酢酸カリウム、プロピオン酸カリウムなどの炭素数1〜20の有機カルボン酸アルカリ金属塩が挙げられる。これらの中でも、アミン系触媒が好ましく、(N,N’,N’’−トリス(3−ジメチルアミノプロピル)−symヘキサヒドロトリアジンおよび1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセンフェノール塩の少なくとも1種であることがより好ましい。イソシアヌレート触媒の配合量としては、活性水素含有化合物の全量を100重量部としたとき、0.03〜0.15重量部とすることが好ましい。イソシアヌレート触媒の配合量が、0.03重量部未満の場合はイソシアヌレート結合の形成反応が進行しにくい傾向があり、0.15重量部を超える場合はポリウレタン発泡体の成形性が悪くなる傾向がある。   Examples of the isocyanuration catalyst include (N, N ′, N ″ -tris (3-dimethylaminopropyl) -symhexahydrotriazine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene (DBU). ) And amine catalysts such as DBU phenol salts, and C1-C20 organic carboxylic acid alkali metal salts such as potassium 2-ethylhexanoate (octylate), potassium acetate, and potassium propionate, among these. Amine-based catalysts are preferred and include (N, N ′, N ″ -tris (3-dimethylaminopropyl) -sym hexahydrotriazine and 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene phenol salt. More preferably, the compounding amount of the isocyanurate catalyst is an active hydrogen-containing compound. When the total amount of is 100 parts by weight, it is preferably 0.03 to 0.15 parts by weight.If the amount of the isocyanurate catalyst is less than 0.03 parts by weight, the reaction for forming an isocyanurate bond proceeds. When the amount exceeds 0.15 parts by weight, the formability of the polyurethane foam tends to deteriorate.

熱硬化性ポリウレタン発泡体は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。また、熱硬化性ポリウレタン発泡体の製造は、プレポリマー法、ワンショット法のどちらでも可能であるが、NCO INDEXを1.3〜4.0に設定した状態で、イソシアヌレート化触媒存在下、活性水素含有化合物と、イソシアネート成分と、を直接反応させるワンショット法にて反応硬化させて製造することが好ましい。ワンショット法にて熱硬化性ポリウレタン発泡体を形成した場合、イソシアネート成分が高濃度になるため、イソシアヌレート結合をより確実に形成でき、ドレス速度の低下防止と、研磨対象物の表面に発生する微小うねりの低減と、がより確実に達成できるため好ましい。   The thermosetting polyurethane foam can be manufactured by applying a known urethanization technique such as a melting method or a solution method, but is preferably manufactured by a melting method in consideration of cost, working environment, and the like. In addition, the thermosetting polyurethane foam can be produced by either the prepolymer method or the one-shot method, but with the NCO INDEX set to 1.3 to 4.0, in the presence of an isocyanuration catalyst, It is preferable that the active hydrogen-containing compound and the isocyanate component be reacted and cured by a one-shot method in which the active hydrogen-containing compound is directly reacted. When a thermosetting polyurethane foam is formed by the one-shot method, the isocyanate component becomes high in concentration, so that an isocyanurate bond can be formed more reliably, preventing a decrease in dress speed and occurring on the surface of the object to be polished. The reduction of micro swell can be achieved more reliably, which is preferable.

研磨層の構成材料である熱硬化性ポリウレタン発泡体は、機械発泡法(メカニカルフロス法を含む)により製造することができる。特に、ポリアルキルシロキサンとポリエーテルの共重合体であるシリコン系界面活性剤を使用した機械発泡法が好ましい。かかるシリコン系界面活性剤としては、SH−192およびL−5340(東レダウコーニングシリコーン社製)、B8443(ゴールドシュミット社製)などが好適な化合物として例示される。   The thermosetting polyurethane foam, which is a constituent material of the polishing layer, can be produced by a mechanical foaming method (including a mechanical floss method). In particular, a mechanical foaming method using a silicon surfactant which is a copolymer of polyalkylsiloxane and polyether is preferable. Examples of suitable silicon surfactants include SH-192 and L-5340 (manufactured by Toray Dow Corning Silicone), B8443 (manufactured by Goldschmidt), and the like.

なお、必要に応じて、酸化防止剤などの安定剤、滑剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、その他の添加剤を加えてもよい。   In addition, you may add stabilizers, such as antioxidant, a lubricant, a pigment, a filler, an antistatic agent, and another additive as needed.

研磨層を構成する熱硬化性ポリウレタン発泡体を製造する方法の例について以下に説明する。かかるポリウレタン発泡体の製造方法は、以下の工程を有する。   An example of a method for producing a thermosetting polyurethane foam constituting the polishing layer will be described below. The manufacturing method of this polyurethane foam has the following processes.

(1)イソシアネート成分を含む第1成分、および活性水素含有化合物を含む第2成分の少なくとも一方にシリコン系界面活性剤を添加し、シリコン系界面活性剤を添加した成分を非反応性気体の存在下で機械攪拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。そして、該気泡分散液に残りの成分を添加し、混合して気泡分散ウレタン組成物を調製する。   (1) A silicon-based surfactant is added to at least one of the first component containing an isocyanate component and the second component containing an active hydrogen-containing compound, and the component to which the silicon-based surfactant is added is present as a non-reactive gas. Under mechanical stirring, the non-reactive gas is dispersed as fine bubbles to obtain a bubble dispersion. Then, the remaining components are added to the cell dispersion and mixed to prepare a cell-dispersed urethane composition.

(2)イソシアネート成分を含む第1成分、および活性水素含有化合物を含む第2成分の少なくとも一方にシリコン系界面活性剤を添加し、前記第1成分および第2成分を非反応性気体の存在下で機械攪拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散ウレタン組成物を調製する。   (2) A silicon-based surfactant is added to at least one of the first component containing the isocyanate component and the second component containing the active hydrogen-containing compound, and the first component and the second component are added in the presence of a non-reactive gas. Then, a non-reactive gas is dispersed as fine bubbles to prepare a cell-dispersed urethane composition.

また、気泡分散ウレタン組成物は、メカニカルフロス法で調製してもよい。メカニカルフロス法とは、原料成分をミキシングヘッドの混合室内に入れるとともに非反応性気体を混入させ、オークスミキサーなどのミキサーで混合撹拌することにより、非反応性気体を微細気泡状態にして原料混合物中に分散させる方法である。メカニカルフロス法は、非反応性気体の混入量を調節することにより、容易にポリウレタン発泡体の密度を調整することができるため好ましい方法である。また、平均気泡径20〜300μmの略球状の微細気泡を有するポリウレタン発泡体を連続成形することができるため製造効率がよい。   The cell dispersed urethane composition may be prepared by a mechanical floss method. Mechanical flossing means that raw material components are put into the mixing chamber of the mixing head and non-reactive gas is mixed, and mixed and stirred with a mixer such as Oaks mixer to make the non-reactive gas into a fine bubble state in the raw material mixture. It is a method of dispersing in. The mechanical floss method is a preferable method because the density of the polyurethane foam can be easily adjusted by adjusting the amount of the non-reactive gas mixed therein. Moreover, since the polyurethane foam which has a substantially spherical fine cell with an average cell diameter of 20-300 micrometers can be continuously shape | molded, manufacturing efficiency is good.

その後、上記方法で調製した気泡分散ウレタン組成物を面材上に塗布し、該気泡分散ウレタン組成物を硬化させて、面材上に直接、熱硬化性ポリウレタン発泡体(研磨層)を形成する。   Thereafter, the cell-dispersed urethane composition prepared by the above method is applied onto a face material, and the cell-dispersed urethane composition is cured to form a thermosetting polyurethane foam (polishing layer) directly on the face material. .

微細気泡を形成するために使用される非反応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴンなどの希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。   The non-reactive gas used for forming the fine bubbles is preferably non-flammable, and specific examples include nitrogen, oxygen, carbon dioxide gas, rare gases such as helium and argon, and mixed gases thereof. The use of air that has been dried to remove moisture is most preferable in terms of cost.

非反応性気体を微細気泡状にして分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置を特に限定なく使用可能であり、具体的にはホモジナイザー、ディゾルバー、2軸遊星型ミキサー(プラネタリーミキサー)、メカニカルフロス発泡機などが例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼の使用にて微細気泡が得られ好ましい。   As a stirring device for dispersing the non-reactive gas in the form of fine bubbles, a known stirring device can be used without any particular limitation. Specifically, a homogenizer, a dissolver, a two-axis planetary mixer (planetary mixer), a mechanical A floss foaming machine etc. are illustrated. The shape of the stirring blade of the stirring device is not particularly limited, but it is preferable to use a whipper type stirring blade because fine bubbles can be obtained.

なお、発泡工程において気泡分散液を調製する撹拌と、第1成分と第2成分を混合する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい態様である。混合工程における撹拌は気泡を形成する撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、遊星型ミキサーが好適である。気泡分散液を調製する発泡工程と各成分を混合する混合工程の撹拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要に応じて撹拌翼の回転速度を調整するなどの撹拌条件の調整を行って使用することも好適である。   In addition, it is also a preferable aspect that the stirring for preparing the cell dispersion in the foaming step and the stirring for mixing the first component and the second component use different stirring devices. The agitation in the mixing step may not be agitation that forms bubbles, and it is preferable to use an agitation device that does not involve large bubbles. As such an agitator, a planetary mixer is suitable. There is no problem even if the same stirring device is used as the stirring device for the foaming step for preparing the bubble dispersion and the mixing step for mixing each component, and the stirring conditions such as adjusting the rotation speed of the stirring blades are adjusted as necessary. It is also suitable to use after adjustment.

本発明に係る研磨パッドは、研磨層に基材層を積層させても構わない。研磨層に基材層を積層させる場合の基材層は特に制限されず、例えば、ナイロン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、およびポリ塩化ビニルなどのプラスチックフィルム、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。これらのうち、ナイロン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、およびポリ塩化ビニルなどのプラスチックフィルム、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体を用いることが好ましい。また、基材層として両面テープ、片面粘着テープ(片面の粘着層はプラテンに貼り合わせるためのもの)を用いてもよい。   In the polishing pad according to the present invention, a base material layer may be laminated on the polishing layer. The base material layer is not particularly limited when the base material layer is laminated on the polishing layer. For example, plastic films such as nylon, polypropylene, polyethylene, polyester, and polyvinyl chloride, and polymer resin foams such as polyurethane foam and polyethylene foam Bodies, rubber resins such as butadiene rubber and isoprene rubber, and photosensitive resins. Among these, it is preferable to use polymer resin foams such as plastic films such as nylon, polypropylene, polyethylene, polyester, and polyvinyl chloride, polyurethane foam, and polyethylene foam. Moreover, you may use a double-sided tape and a single-sided adhesive tape (a single-sided adhesive layer is for affixing on a platen) as a base material layer.

基材層は、研磨パッドに靭性を付与するためにポリウレタン発泡体と同等の硬さ、もしくはより硬いことが好ましい。また、基材層(両面テープおよび片面粘着テープの場合は基材)の厚さは特に制限されないが、強度、可とう性などの観点から20〜1000μmであることが好ましく、より好ましくは50〜800μmである。   The base material layer is preferably as hard as a polyurethane foam or harder in order to impart toughness to the polishing pad. The thickness of the base material layer (the base material in the case of double-sided tape and single-sided adhesive tape) is not particularly limited, but is preferably 20 to 1000 μm, more preferably 50 to 1000 from the viewpoint of strength, flexibility and the like. 800 μm.

気泡分散ウレタン組成物を面材上に塗布する方法としては、例えば、グラビア、キス、コンマなどのロールコーター、スロット、ファンテンなどのダイコーター、スクイズコーター、カーテンコーターなどの塗布方法を採用することができるが、面材上に均一な塗膜を形成できればいかなる方法でもよい。   As a method for applying the cell-dispersed urethane composition onto the face material, for example, a roll coater such as gravure, kiss, or comma, a die coater such as slot or phanten, a squeeze coater, or a curtain coater may be employed. However, any method may be used as long as a uniform coating film can be formed on the face material.

気泡分散ウレタン組成物を面材上に塗布して流動しなくなるまで反応したポリウレタン発泡体を加熱し、ポストキュアすることは、ポリウレタン発泡体の物理的特性を向上させる効果があり、極めて好適である。ポストキュアは、40〜70℃で10分〜24時間行うことが好ましく、また常圧で行うと気泡形状が安定するため好ましい。   Heating and post-curing the polyurethane foam that has reacted until the cell-dispersed urethane composition is applied to the face material until it no longer flows has the effect of improving the physical properties of the polyurethane foam and is extremely suitable. . Post-cure is preferably performed at 40 to 70 ° C. for 10 minutes to 24 hours, and it is preferable to perform at normal pressure because the bubble shape is stable.

ポリウレタン発泡体の製造は、各成分を計量して容器に投入し、機械撹拌するバッチ方式であってもよく、また撹拌装置に各成分と非反応性気体を連続して供給して機械撹拌し、気泡分散ウレタン組成物を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。   The polyurethane foam may be produced by a batch method in which each component is weighed and put into a container and mechanically stirred, and each component and a non-reactive gas are continuously supplied to a stirring device and mechanically stirred. Further, a continuous production method in which a cell-dispersed urethane composition is sent out to produce a molded product may be used.

本発明の研磨パッドの製造方法においては、面材上にポリウレタン発泡体を形成した後またはポリウレタン発泡体を形成するのと同時に、ポリウレタン発泡体の厚さを均一に調整することが必要である。ポリウレタン発泡体の厚さを均一に調整する方法は特に制限されないが、例えば、研磨材でバフがけする方法、プレス板でプレスする方法などが挙げられる。バフがけした場合には、ポリウレタン発泡体の表面にスキン層を有さない研磨層が得られ、プレスした場合には、ポリウレタン発泡体の表面にスキン層を有する研磨層が得られる。プレスする際の条件は特に制限されないが、ガラス転移点以上に温度調節することが好ましい。   In the manufacturing method of the polishing pad of the present invention, it is necessary to uniformly adjust the thickness of the polyurethane foam after forming the polyurethane foam on the face material or simultaneously with forming the polyurethane foam. The method for uniformly adjusting the thickness of the polyurethane foam is not particularly limited, and examples thereof include a method of buffing with an abrasive and a method of pressing with a press plate. When buffing, a polishing layer having no skin layer on the surface of the polyurethane foam is obtained, and when pressed, a polishing layer having a skin layer on the surface of the polyurethane foam is obtained. The conditions for pressing are not particularly limited, but it is preferable to adjust the temperature above the glass transition point.

一方、上記方法で調製した気泡分散ウレタン組成物を離型シート上に塗布し、該気泡分散ウレタン組成物上に基材層を積層する。その後、押圧手段により厚さを均一にしつつ気泡分散ウレタン組成物を硬化させてポリウレタン発泡体を形成してもよい。該方法は、研磨層の厚さを極めて均一に制御することができるため特に好ましい方法である。   On the other hand, the cell-dispersed urethane composition prepared by the above method is applied onto a release sheet, and a base material layer is laminated on the cell-dispersed urethane composition. Thereafter, the polyurethane foam may be formed by curing the cell-dispersed urethane composition while making the thickness uniform by a pressing means. This method is particularly preferable because the thickness of the polishing layer can be controlled very uniformly.

離型シートの構成材料は特に制限されず、基材層と同様の樹脂や紙などを挙げることができる。離型シートは、熱による寸法変化が小さいものが好ましい。なお、離型シートの表面は離型処理が施されていてもよい。   The constituent material of the release sheet is not particularly limited, and examples thereof include the same resin and paper as the base material layer. The release sheet preferably has a small dimensional change due to heat. The surface of the release sheet may be subjected to a release treatment.

離型シート、気泡分散ウレタン組成物(気泡分散ウレタン層)、および基材層からなるサンドイッチシートの厚さを均一にする押圧手段は特に制限されないが、例えば、コーターロール、ニップロールなどにより一定厚さに圧縮する方法が挙げられる。圧縮後に発泡層中の気泡が1.2〜2倍程度大きくなることを考慮して、圧縮に際しては、(コーターまたはニップのクリアランス)−(基材層および離型シートの厚み)=(硬化後のポリウレタン発泡体の厚みの50〜85%)とすることが好ましい。   The pressing means for making the thickness of the sandwich sheet composed of the release sheet, the cell-dispersed urethane composition (cell-dispersed urethane layer), and the base material layer is not particularly limited. For example, the thickness may be constant by a coater roll, a nip roll, or the like. The method of compressing is mentioned. In consideration of the fact that the bubbles in the foamed layer become about 1.2 to 2 times larger after the compression, the (coater or nip clearance)-(base layer and release sheet thickness) = (after curing) The thickness of the polyurethane foam is preferably 50 to 85%.

そして、サンドイッチシートの厚さを均一にした後に、流動しなくなるまで反応したポリウレタン発泡体を加熱してポストキュアする。ポストキュアの条件は前記と同様である。   Then, after the thickness of the sandwich sheet is made uniform, the reacted polyurethane foam is heated and post-cured until it does not flow. Post cure conditions are the same as described above.

その後、ポリウレタン発泡体下の離型シートを剥離する。この場合、ポリウレタン発泡体上にはスキン層が形成されている。上記のように機械発泡法によりポリウレタン発泡体を形成した場合、気泡のバラツキは、ポリウレタン発泡体の上面側よりも下面側の方が小さい。このように、形成したポリウレタン発泡体の下面側を研磨表面とすることにより、気泡のバラツキが小さい研磨表面となるため、研磨速度の安定性がより向上する。なお、離型シートを剥離した後にポリウレタン発泡体をバフがけなどすることによりスキン層を除去してもよい。   Thereafter, the release sheet under the polyurethane foam is peeled off. In this case, a skin layer is formed on the polyurethane foam. When the polyurethane foam is formed by the mechanical foaming method as described above, the variation in bubbles is smaller on the lower surface side than on the upper surface side of the polyurethane foam. Thus, since the lower surface side of the formed polyurethane foam is used as the polishing surface, the polishing surface has a small variation in bubbles, and thus the stability of the polishing rate is further improved. The skin layer may be removed by buffing the polyurethane foam after peeling off the release sheet.

ポリウレタン発泡体の厚さは特に制限されないが、0.2〜3mmであることが好ましく、より好ましくは0.5〜2mmである。   The thickness of the polyurethane foam is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 3 mm, and more preferably 0.5 to 2 mm.

上述した製造方法により製造されたポリウレタン発泡体は、略球状の気泡を有している。なお、本発明に係るポリウレタン発泡体は、連続気泡を有しているものでも良く、独立気泡を有しているものでも良い。   The polyurethane foam produced by the production method described above has substantially spherical cells. In addition, the polyurethane foam according to the present invention may have open cells or may have closed cells.

ポリウレタン発泡体中の気泡の平均気泡径は、20〜300μmであり、好ましくは50〜100μmである。また、連続気泡の場合、気泡表面の円形孔の平均直径は100μm以下であることが好ましく、より好ましくは50μm以下である。   The average cell diameter of the bubbles in the polyurethane foam is 20 to 300 μm, preferably 50 to 100 μm. In the case of open cells, the average diameter of the circular holes on the surface of the bubbles is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less.

ポリウレタン発泡体の比重は、0.3〜0.6であることが好ましく、より好ましくは0.3〜0.5である。比重が0.3未満の場合には、気泡率が高くなりすぎて耐久性が悪くなる傾向にある。一方、比重が0.6を超える場合には、ある一定の弾性率にするために材料を低架橋密度にする必要がある。その場合、永久ひずみが増大し、耐久性が悪くなる傾向にある。   The specific gravity of the polyurethane foam is preferably 0.3 to 0.6, more preferably 0.3 to 0.5. When the specific gravity is less than 0.3, the bubble rate becomes too high and the durability tends to deteriorate. On the other hand, when the specific gravity exceeds 0.6, the material needs to have a low cross-linking density in order to obtain a certain elastic modulus. In that case, permanent set increases and durability tends to deteriorate.

ポリウレタン発泡体の硬度は、アスカーC硬度にて50〜90度であることが好ましく、70〜90度であることがより好ましい。アスカーC硬度が50度未満の場合には、ドレス速度が遅くなる傾向にあり、さらに耐久性が低下したり、研磨後の研磨対象物の平坦性が悪くなる傾向にある。一方、90度を超える場合には、研磨対象物の表面にスクラッチが発生しやすくなる。   The polyurethane foam preferably has an Asker C hardness of 50 to 90 degrees, and more preferably 70 to 90 degrees. When Asker C hardness is less than 50 degrees, the dressing speed tends to be slow, and the durability tends to decrease, or the flatness of the polished object after polishing tends to be poor. On the other hand, when it exceeds 90 degrees, scratches are likely to occur on the surface of the object to be polished.

本発明の研磨パッドの形状は特に制限されず、長さ5〜10m程度の長尺状であってもよく、直径50〜150cm程度のラウンド状でもよい。   The shape of the polishing pad of the present invention is not particularly limited, and may be a long shape having a length of about 5 to 10 m or a round shape having a diameter of about 50 to 150 cm.

研磨層の表面は、スラリーを保持・更新するための凹凸構造を有していてもよい。発泡体からなる研磨層は、研磨表面に多くの開口を有し、スラリーを保持・更新する働きを持っているが、研磨表面に凹凸構造を形成することにより、スラリーの保持と更新をさらに効率よく行うことができ、また研磨対象物との吸着による研磨対象物の破壊を防ぐことができる。凹凸構造は、スラリーを保持・更新する形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、X(ストライプ)溝、XY格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、およびこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、これらの凹凸構造は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さなどを変化させることも可能である。   The surface of the polishing layer may have a concavo-convex structure for holding and renewing the slurry. The polishing layer made of foam has many openings on the polishing surface and has the function of holding and updating the slurry. By forming a concavo-convex structure on the polishing surface, the slurry can be held and updated more efficiently. It can be performed well, and destruction of the polishing object due to adsorption with the polishing object can be prevented. The concavo-convex structure is not particularly limited as long as it is a shape that holds and renews slurry. For example, an X (striped) groove, an XY lattice groove, a concentric groove, a through hole, a hole that does not pass through, a polygonal column, Examples include a cylinder, a spiral groove, an eccentric circular groove, a radial groove, and a combination of these grooves. In addition, these uneven structures are generally regular, but the groove pitch, groove width, groove depth, etc. can be changed for each range in order to make the slurry retention and renewability desirable. Is also possible.

凹凸構造の作製方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ、硬化させることにより作製する方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスし作製する方法、フォトリソグラフィを用いて作製する方法、印刷手法を用いて作製する方法、炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光による作製方法などが挙げられる。   The method for producing the concavo-convex structure is not particularly limited. For example, a method of machine cutting using a jig such as a tool of a predetermined size, a resin is poured into a mold having a predetermined surface shape, and cured. Manufacturing method, pressing and manufacturing a resin with a press plate having a predetermined surface shape, manufacturing method using photolithography, manufacturing method using a printing technique, laser using a carbon dioxide laser, etc. Examples thereof include a light production method.

本発明の研磨パッドは、研磨層の非研磨面側にクッションシートを貼り合わせたものであってもよい。研磨層に基材層を積層する場合は、研磨層、基材層、クッションシートの順に積層することが好ましい。   The polishing pad of the present invention may have a cushion sheet bonded to the non-polishing surface side of the polishing layer. When laminating a substrate layer on the polishing layer, it is preferable to laminate the polishing layer, the substrate layer, and the cushion sheet in this order.

クッションシート(クッション層)は、研磨層の特性を補うものである。クッションシートは、化学機械研磨(chemical Mechanical Polishing)において、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある研磨対象物を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、研磨対象物全体の均一性をいう。研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッションシートの特性によってユニフォーミティを改善する。本発明の研磨パッドにおいては、クッションシートは研磨層より柔らかいものを用いることが好ましい。   The cushion sheet (cushion layer) supplements the characteristics of the polishing layer. The cushion sheet is necessary to achieve both planarity and uniformity in a trade-off relationship in chemical mechanical polishing. Planarity refers to the flatness of a pattern portion when a polishing object having minute irregularities generated during pattern formation is polished, and uniformity refers to the uniformity of the entire polishing object. The planarity is improved by the characteristics of the polishing layer, and the uniformity is improved by the characteristics of the cushion sheet. In the polishing pad of the present invention, it is preferable to use a cushion sheet that is softer than the polishing layer.

クッションシートとしては、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布やポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。   Examples of the cushion sheet include fiber nonwoven fabrics such as polyester nonwoven fabric, nylon nonwoven fabric, and acrylic nonwoven fabric, resin-impregnated nonwoven fabrics such as polyester nonwoven fabric impregnated with polyurethane, polymer resin foams such as polyurethane foam and polyethylene foam, butadiene rubber, and isoprene. Examples thereof include rubber resins such as rubber and photosensitive resins.

クッションシートを貼り合わせる手段としては、例えば、研磨層とクッションシートとを両面テープで挟みプレスする方法が挙げられる。   Examples of means for attaching the cushion sheet include a method in which a polishing layer and a cushion sheet are sandwiched and pressed with a double-sided tape.

また、本発明の研磨パッドは、プラテンと接着する面に両面テープが設けられていてもよい。   Moreover, the polishing pad of this invention may be provided with the double-sided tape in the surface adhere | attached with a platen.

半導体デバイスは、上記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属および酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図1に示すように研磨パッド1を支持する研磨定盤2と、半導体ウエハ4を支持する支持台(ポリシングヘッド)5とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤3の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド1は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤2に装着される。研磨定盤2と支持台5とは、それぞれに支持された研磨パッド1と半導体ウエハ4が対向するように配置され、それぞれに回転軸6、7を備えている。また、支持台5側には、半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤2と支持台5とを回転させつつ半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、およびウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。   A semiconductor device is manufactured through a process of polishing the surface of a semiconductor wafer using the polishing pad. A semiconductor wafer is generally a laminate of a wiring metal and an oxide film on a silicon wafer. The method and apparatus for polishing the semiconductor wafer are not particularly limited. For example, as shown in FIG. 1, a polishing surface plate 2 that supports the polishing pad 1, a support table (polishing head) 5 that supports the semiconductor wafer 4, and the wafer. This is performed using a backing material for performing uniform pressurization and a polishing apparatus equipped with a polishing agent 3 supply mechanism. The polishing pad 1 is attached to the polishing surface plate 2 by attaching it with a double-sided tape, for example. The polishing surface plate 2 and the support base 5 are disposed so that the polishing pad 1 and the semiconductor wafer 4 supported on each of the polishing surface plate 2 and the support table 5 face each other, and are provided with rotating shafts 6 and 7 respectively. Further, a pressurizing mechanism for pressing the semiconductor wafer 4 against the polishing pad 1 is provided on the support base 5 side. In polishing, the semiconductor wafer 4 is pressed against the polishing pad 1 while rotating the polishing surface plate 2 and the support base 5, and polishing is performed while supplying slurry. The flow rate of the slurry, the polishing load, the polishing platen rotation speed, and the wafer rotation speed are not particularly limited and are appropriately adjusted.

これにより半導体ウエハ4の表面の表面粗さが改善され、スクラッチが除去される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどすることにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリーなどに用いられる。また、レンズやハードディスク用のガラス基板も前記と同様の方法で仕上げ研磨することができる。   Thereby, the surface roughness of the surface of the semiconductor wafer 4 is improved, and scratches are removed. Thereafter, a semiconductor device is manufactured by dicing, bonding, packaging, or the like. A semiconductor device is used for an arithmetic processing unit, a memory, and the like. Further, a glass substrate for a lens or hard disk can be finished and polished by the same method as described above.

以下、本発明を実施例を上げて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

(比重の測定)
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものをサンプルとし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
(Measurement of specific gravity)
This was performed according to JIS Z8807-1976. The produced polyurethane foam was cut into a 4 cm × 8.5 cm strip (thickness: arbitrary) as a sample and allowed to stand for 16 hours in an environment of temperature 23 ° C. ± 2 ° C. and humidity 50% ± 5%. The specific gravity was measured using a hydrometer (manufactured by Sartorius).

(硬度の測定)
JIS K−7312に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を5cm×5cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものをサンプルとし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、サンプルを重ね合わせ、厚み10mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーC型硬度計、加圧面高さ:3mm)を用い、加圧面を接触させてから30秒後の硬度を測定した。
(Measurement of hardness)
This was performed according to JIS K-7312. The produced polyurethane foam was cut into a size of 5 cm × 5 cm (thickness: arbitrary) as a sample and allowed to stand for 16 hours in an environment of temperature 23 ° C. ± 2 ° C. and humidity 50% ± 5%. At the time of measurement, the samples were overlapped to have a thickness of 10 mm or more. Using a hardness meter (manufactured by Kobunshi Keiki Co., Ltd., Asker C-type hardness meter, pressure surface height: 3 mm), the hardness 30 seconds after contacting the pressure surface was measured.

(ドレス速度の測定)
作製した研磨層の表面をダイヤモンドドレッサー(スピードファム社製、#400仕様、ダイヤペレット24個取付)4枚を用いて回転させながら均一にドレッシングした。この時のドレッサー荷重は100g/cm、下定盤回転数は50rpm、ドレス時間は20分とした。そして、ドレス前後の研磨層の厚さからドレス速度を算出した。
(Dressing speed measurement)
The surface of the prepared polishing layer was uniformly dressed while being rotated using four diamond dressers (# 400 specification, 24 diamond pellets manufactured by Speedfam). The dresser load at this time was 100 g / cm 2 , the lower surface plate rotation speed was 50 rpm, and the dressing time was 20 minutes. Then, the dressing speed was calculated from the thickness of the polishing layer before and after the dressing.

(微小うねり)
非接触表面形状測定機(ZYGO社製NewView6300)を使用し、レンズ倍率2.5倍、ズーム倍率0.5倍で、バンドパスフィルターを200〜1250μmに設定して、研磨対象物の表面5点のRaを測定し、その平均値(nm)を微小うねりとした。なお、微小うねりを測定するにあたり、以下の研磨方法で研磨した研磨対象物を使用した。
(Slight swell)
Using a non-contact surface profile measuring machine (NewView 6300 manufactured by ZYGO), setting the bandpass filter to 200 to 1250 μm with a lens magnification of 2.5 times and a zoom magnification of 0.5 times, and 5 points on the surface of the object to be polished Ra was measured, and the average value (nm) was defined as minute undulation. In measuring fine waviness, a polishing object polished by the following polishing method was used.

(研磨方法)
両面研磨機の設定条件
両面研磨機;スピードファム社製 9B型両面研磨機
加工圧力:100g/cm
定盤回転数:50rpm
研磨剤供給量:4L/min
投入した基板:オハラ社製 TS−10SX
投入した基板の枚数:25枚
基板厚みが初期厚みの85%になるまで連続研磨を行った。なお、使用した研磨剤は下記の方法により調整した。
(Polishing method)
Setting conditions of the double-side polishing machine Double-side polishing machine; 9F type double-side polishing machine manufactured by Speedfam Corporation Processing pressure: 100 g / cm 2
Plate rotation speed: 50 rpm
Abrasive supply amount: 4 L / min
Input substrate: TS-10SX manufactured by OHARA
Number of substrates loaded: 25 sheets Continuous polishing was performed until the substrate thickness reached 85% of the initial thickness. In addition, the used abrasive | polishing agent was adjusted with the following method.

(研磨剤の調整方法)
水にSHOROX A−10(昭和電工社製)を添加し、混合して、比重1.06〜1.09になるように研磨剤を調整した。
(Abrasive adjustment method)
SHOROX A-10 (manufactured by Showa Denko KK) was added to water and mixed to adjust the abrasive so as to have a specific gravity of 1.06 to 1.09.

(原料)
使用した各原料は以下のとおりである。
(material)
Each raw material used is as follows.

(i)活性水素含有化合物
ポリカプロラクトンポリオール 「プラクセル210(PCL210)」、官能基数:2、水酸基価:110mgKOH/g、ダイセル化学社製
ポリカプロラクトンポリオール 「プラクセル305(PCL305)」、官能基数:3、水酸基価:305mgKOH/g、ダイセル化学社製
ポリテトラメチレンエーテルグリコール 「PTMG1000」、官能基数:2、水酸基価:110mgKOH/g、三菱化学社製
ポリテトラメチレンエーテルグリコール 「PTMG2000」、官能基数:2、水酸基価:56mgKOH/g、三菱化学社製
ジエチレングリコール(DEG) 官能基数:2、水酸基価:1057mgKOH/g、ナカライテスク社製
1,4−ブタンジオール(1,4−BD) 官能基数:2、水酸基価:1247mgKOH/g、ナカライテスク社製
トリメチロールプロパンのプロピレンオキサイド付加体 「エクセノール890MP」、官能基数:3、水酸基価:865mgKOH/g、旭硝子社製
(I) Active hydrogen-containing compound Polycaprolactone polyol “Placcel 210 (PCL210)”, number of functional groups: 2, hydroxyl value: 110 mgKOH / g, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. Polycaprolactone polyol “Placcel 305 (PCL305)”, number of functional groups: 3, Hydroxyl value: 305 mgKOH / g, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. Polytetramethylene ether glycol “PTMG1000”, number of functional groups: 2, hydroxyl value: 110 mgKOH / g, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, polytetramethylene ether glycol “PTMG2000”, number of functional groups: 2, Hydroxyl value: 56 mg KOH / g, Mitsubishi Chemical Corporation diethylene glycol (DEG) Functional group number: 2, Hydroxyl value: 1057 mg KOH / g, Nacalai Tesque 1,4-butanediol (1,4-BD) Functional group number: 2, Sanmotoka: 1247mgKOH / g, a propylene oxide adduct of Nacalai Tesque trimethylolpropane "EXCENOL 890MP", number of functional groups: 3, hydroxyl value: 865mgKOH / g, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.

(ii)イソシアネート成分
カルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、「ミリオネートMTL」、日本ポリウレタン工業社製
(Ii) Isocyanate component Carbodiimide-modified diphenylmethane diisocyanate (MDI), “Millionate MTL”, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.

(iii)触媒
N,N−ジメチルアミノヘキサノール 「Kao No.25」、花王社製
N,N’,N’’−トリス(3−ジメチルアミノプロピル)−symヘキサヒドロトリアジン 「Kao No.14」、花王社製
1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセンフェノール塩 「U−CAT」、サンアプロ社製
(Iii) Catalyst N, N-dimethylaminohexanol “Kao No. 25”, N, N ′, N ″ -tris (3-dimethylaminopropyl) -sym hexahydrotriazine “Kao No. 14” manufactured by Kao Corporation, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene phenol salt “U-CAT” manufactured by Kao Corporation, manufactured by San Apro

(iv)整泡剤
「B8443」、ゴールドシュミット社製
(Iv) Foam stabilizer “B8443”, manufactured by Goldschmidt

実施例1〜9および比較例1〜5
表1および表2上段に記載の配合比率(数値は、活性水素含有化合物全量を100重量部としたときの重量部)となるように、活性水素含有化合物と、イソシアヌレート化触媒と、整泡剤と、を容器に入れ、撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように約4分間激しく撹拌を行った。その後、カルボジイミド変性MDIを、NCO INDEXが表1および表2に記載の値となるように添加し、約1分間撹拌して気泡分散ウレタン組成物を調製した。
Examples 1-9 and Comparative Examples 1-5
The active hydrogen-containing compound, the isocyanurate-forming catalyst, and the foam stabilizer so as to have the blending ratios shown in the upper part of Table 1 and Table 2 (the numerical values are parts by weight when the total amount of active hydrogen-containing compound is 100 parts by weight) The agent was placed in a container and stirred vigorously for about 4 minutes using a stirring blade so that bubbles were taken into the reaction system at a rotation speed of 900 rpm. Thereafter, carbodiimide-modified MDI was added so that the NCO INDEX was a value described in Tables 1 and 2, and stirred for about 1 minute to prepare a cell-dispersed urethane composition.

調製した気泡分散ウレタン組成物を、離型処理したPETシート(東洋紡社製、厚さ75μm)からなる離型シート上に塗布して気泡分散ウレタン層を形成した。そして、該気泡分散ウレタン層上にPETシート(東洋紡社製、厚さ188μm)からなる基材層を被せた。ニップロールにて気泡分散ウレタン層を1.5mmの厚さにし、40℃で30分間1次キュアした後、70℃で3時間2次キュアしてポリウレタン発泡体(発泡層)を形成した。なお、かかる製造方法は、イソシアヌレート化触媒存在下、活性水素含有化合物と、イソシアネート成分と、を直接反応させてポリウレタン発泡体を製造するため、ワンショット法に該当する。   The prepared cell-dispersed urethane composition was applied onto a release sheet composed of a release-treated PET sheet (Toyobo Co., Ltd., thickness: 75 μm) to form a cell-dispersed urethane layer. And the base material layer which consists of PET sheet | seat (Toyobo Co., Ltd. thickness 188 micrometers) was covered on this cell dispersion | distribution urethane layer. The cell-dispersed urethane layer was made 1.5 mm thick with a nip roll, subjected to primary curing at 40 ° C. for 30 minutes, and then secondary cured at 70 ° C. for 3 hours to form a polyurethane foam (foamed layer). This production method corresponds to the one-shot method because a polyurethane foam is produced by directly reacting an active hydrogen-containing compound with an isocyanate component in the presence of an isocyanurate-forming catalyst.

その後、離型シートを剥離した。次に、スライサー(フェッケン社製)を用いてポリウレタン発泡体の厚みを1.3mmにし、厚み精度を調整した。その後、基材層表面にラミ機を使用して両面テープ(ダブルタックテープ、積水化学工業製)を貼りあわせて研磨パッドを作製した。   Thereafter, the release sheet was peeled off. Next, the thickness of the polyurethane foam was adjusted to 1.3 mm using a slicer (manufactured by Fecken) to adjust the thickness accuracy. Thereafter, a double-sided tape (double tack tape, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) was bonded to the surface of the base material layer using a laminator to prepare a polishing pad.

Figure 0005465578
Figure 0005465578

Figure 0005465578
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表1および表2の結果から、実施例1〜9の研磨パッドは、比較例1〜5の研磨パッドに比べてドレス速度が速く、かつ研磨対象物の表面に発生する微小うねりが低減されていることがわかる。   From the results of Tables 1 and 2, the polishing pads of Examples 1 to 9 have a faster dressing speed than the polishing pads of Comparative Examples 1 to 5, and the microwaviness generated on the surface of the object to be polished is reduced. I understand that.

1:研磨パッド
2:研磨定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:研磨対象物(半導体ウエハ、レンズ、ガラス板)
5:支持台(ポリッシングヘッド)
6、7:回転軸
1: Polishing pad 2: Polishing surface plate 3: Abrasive (slurry)
4: Polishing target (semiconductor wafer, lens, glass plate)
5: Support base (polishing head)
6, 7: Rotating shaft

Claims (8)

熱硬化性ポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、
前記熱硬化性ポリウレタン発泡体が、イソシアヌレート化触媒の存在下にて活性水素含有化合物とイソシアネート成分との反応により形成されたイソシアヌレート結合を含有するものであって、前記活性水素含有化合物の合計活性水素基数に対する前記イソシアネート成分のイソシアネート基数(NCO INDEX)が1.3〜4.0であり、
前記イソシアヌレート化触媒が、(N,N’,N’’−トリス(3−ジメチルアミノプロピル)−symヘキサヒドロトリアジンおよび1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセンフェノール塩の少なくとも1種であることを特徴とする研磨パッド。
In a polishing pad having a polishing layer made of a thermosetting polyurethane foam,
The thermosetting polyurethane foam contains an isocyanurate bond formed by a reaction between an active hydrogen-containing compound and an isocyanate component in the presence of an isocyanurate-forming catalyst, and the total of the active hydrogen-containing compounds isocyanate groups of the isocyanate component to active hydrogen groups (NCO INDEX) is Ri der 1.3 to 4.0,
The isocyanurate-forming catalyst comprises (N, N ′, N ″ -tris (3-dimethylaminopropyl) -sym hexahydrotriazine and 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene phenol salt. A polishing pad comprising at least one of the following .
アスカーC硬度での硬さが50〜90である請求項1に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to claim 1, wherein the hardness in terms of Asker C hardness is 50 to 90. 前記イソシアヌレート化触媒が、アミン系触媒である請求項1または2に記載の研磨パッド。   The polishing pad according to claim 1, wherein the isocyanurate-forming catalyst is an amine-based catalyst. 前記イソシアネート成分が、芳香族ジイソシアネートを含有する請求項1〜のいずれかに記載の研磨パッド。 The polishing pad according to any one of claims 1 to 3 , wherein the isocyanate component contains an aromatic diisocyanate. 前記イソシアネート成分が、トルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートおよびカルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネートの少なくとも1種である請求項1〜のいずれかに記載の研磨パッド。 The polishing pad according to any one of claims 1 to 4 , wherein the isocyanate component is at least one of toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, and carbodiimide-modified diphenylmethane diisocyanate. 前記熱硬化性ポリウレタン発泡体が、平均気泡径20〜300μmの略球状の気泡を有する請求項1〜のいずれかに記載の研磨パッド。 The thermosetting polyurethane foam, a polishing pad according to any one of claims 1 to 5 having a bubble substantially spherical with an average cell diameter 20 to 300 [mu] m. 活性水素含有化合物と、イソシアネート成分と、イソシアヌレート化触媒と、を原料成分として含有し、前記活性水素含有化合物の合計活性水素基数に対する前記イソシアネート成分のイソシアネート基数(NCO INDEX)が1.3〜4.0である気泡分散ウレタン組成物を機械発泡法により調製する工程、面材上に前記気泡分散ウレタン組成物を塗布する工程、前記気泡分散ウレタン組成物を硬化させることにより、平均気泡径20〜300μmの略球状の気泡を有し、かつイソシアヌレート結合を含有する熱硬化性ポリウレタン発泡体からなる研磨層を形成する工程、および前記研磨層の厚さを均一に調整する工程を含み、
前記イソシアヌレート化触媒が、(N,N’,N’’−トリス(3−ジメチルアミノプロピル)−symヘキサヒドロトリアジンおよび1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセンフェノール塩の少なくとも1種である研磨パッドの製造方法。
An active hydrogen-containing compound, an isocyanate component, and an isocyanurate-forming catalyst are contained as raw material components, and the isocyanate group number (NCO INDEX) of the isocyanate component relative to the total active hydrogen group number of the active hydrogen-containing compound is 1.3 to 4. 0.0, a step of preparing a cell-dispersed urethane composition by a mechanical foaming method, a step of applying the cell-dispersed urethane composition on a face material, and curing the cell-dispersed urethane composition, an average cell diameter of 20 to 20 It has a bubble substantially spherical 300 [mu] m, and viewed including the step, and a step of uniformly regulating the thickness of the abrasive layer to form an abrasive layer comprising a thermosetting polyurethane foam containing isocyanurate bond,
The isocyanurate-forming catalyst comprises (N, N ′, N ″ -tris (3-dimethylaminopropyl) -sym hexahydrotriazine and 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene phenol salt. A method for producing a polishing pad which is at least one of the following .
請求項1〜のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device including a step of polishing a surface of a semiconductor wafer using a polishing pad according to any one of claims 1-6.
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