JP5342890B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、詳しくは発光層が二層構造の有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence device, and more particularly to an organic electroluminescence device having a light emitting layer having a two-layer structure.
電界発光を利用したエレクトロルミネッセンス素子(以下、エレクトロルミネッセンスを「EL」と略記する。)は、自己発光のため視認性が高く、かつ完全固体素子であるため、耐衝撃性に優れる等の特長を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。
このEL素子には、発光材料に無機化合物を用いてなる無機EL素子と、有機化合物を用いてなる有機EL素子とがあり、このうち特に有機EL素子は、印加電圧を大幅に低くし得る上に、フルカラー化が容易であって、消費電力が小さく、面発光が可能であることから、次世代の発光素子として開発がなされている。
An electroluminescent element utilizing electroluminescence (hereinafter, electroluminescence is abbreviated as “EL”) has high visibility due to self-emission and is a completely solid element, and thus has features such as excellent impact resistance. Since it has, utilization as a light emitting element in various display apparatuses attracts attention.
This EL element includes an inorganic EL element using an inorganic compound as a light emitting material and an organic EL element using an organic compound, and among these, the organic EL element can reduce the applied voltage significantly. In addition, since full colorization is easy, power consumption is small, and surface emission is possible, it has been developed as a next-generation light-emitting element.
有機EL素子の構成については、図3に示すように、陽極/発光層/陰極の構成を基本とする。
この有機EL素子10は、陽極12と陰極13からなる一対の電極の間に発光層14を狭持している。発光層14は通常複数の層を積層したものである。この素子10は、両電極12,13間に電界が印加されると、陰極13側から電子が注入され、陽極12側から正孔が注入される。そして、電子と正孔が発光層14において再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
図4は、図3の有機EL素子のエネルギーダイアグラムを示す。図4において、発光層14のエネルギーレベルである価電子レベルEV0(HOMO)と伝導レベルEC0(LUMO)が示されている。陽極12側から正孔が入り、陰極13側から電子が入り、これら正孔と電子が発光層14内で結合して発光する。
The configuration of the organic EL element is basically the configuration of the anode / light emitting layer / cathode as shown in FIG.
The organic EL element 10 has a
FIG. 4 shows an energy diagram of the organic EL element of FIG. In FIG. 4, a valence electron level EV0 (HOMO) and a conduction level EC0 (LUMO), which are energy levels of the
上記の構成を基礎とし、これに正孔注入・輸送層や電子注入層を適宜設けたもの、例えば、陽極/正孔注入・輸送層/発光層/陰極や、陽極/正孔注入・輸送層/発光層/電子注入層/陰極の構成のものが知られている。
ここで、発光層は以下の機能を併せ持つものである。
(i) 注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(ii) 輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(iii) 発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
Based on the above-mentioned configuration, which is appropriately provided with a hole injection / transport layer and an electron injection layer, for example, anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / cathode, anode / hole injection / transport layer A structure of / light emitting layer / electron injection layer / cathode is known.
Here, the light emitting layer has the following functions.
(i) Injection function; function that can inject holes from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and can inject electrons from the cathode or electron injection layer
(ii) Transport function: Function to move injected charges (electrons and holes) by the force of electric field
(iii) Luminescent function: A function that provides a field for recombination of electrons and holes and connects it to light emission
また、正孔注入・輸送層は、陽極より正孔を注入し、有機発光層へこれを輸送する機能を有し、さらに、正孔注入層/正孔輸送層と別々に作製することもある。電子注入層は陰極より電子を注入し、有機発光層へこれを輸送する機能を有する。 The hole injection / transport layer has a function of injecting holes from the anode and transporting them to the organic light-emitting layer, and may be prepared separately from the hole injection layer / hole transport layer. . The electron injection layer has a function of injecting electrons from the cathode and transporting them to the organic light emitting layer.
発光層での発光をより強くするため、蛍光分子(ドーパント)を微量添加する技術が知られている。
図5は、ドーパントが添加された有機EL素子のエネルギーダイアグラムを示す。この図において、EChはホストの伝導レベル、EVhはホストの価電子レベル、ECdはドーパントの伝導レベル、EVdはドーパントの価電子レベルを示す。また、Eghはホストのエネルギーギャップ(EChとEVhの差)、Egdはドーパントのエネルギーギャップ(ECdとEVdの差)を示す。
ドーパントは、励起したホストのエネルギーを効率よく受け取り発光効率を高める。
A technique for adding a small amount of a fluorescent molecule (dopant) in order to make the light emission in the light emitting layer stronger is known.
FIG. 5 shows an energy diagram of an organic EL device to which a dopant is added. In this figure, ECh is the host conduction level, EVh is the host valence level, ECd is the dopant conduction level, and EVd is the dopant valence level. Egh represents the host energy gap (difference between ECh and EVh), and Egd represents the dopant energy gap (difference between ECd and EVd).
The dopant efficiently receives the energy of the excited host and increases the light emission efficiency.
有機EL素子の発光を多色化する方法としては、大きく分けて以下の3種類の方法がある。
(1) 有機EL素子から放出される白色発光を、赤色、緑色及び青色の三種類のカラーフィルターを用いて三色の光に分けて取り出す方法
(2) 青色EL素子から放出される青色発光を、発光層の光取り出し側に設けた蛍光層により、青色光を色変換し多色化する方法
(3) 青色、赤色、緑色の発光層を同一の基板上に並置して多色化する方法
これらの方法において、高輝度かつ長寿命の有機EL素子が求められている。例えば、(1)や(2)の方法では、青緑色系や白色のブロードバンド(幅広いスペクトル)発光を行う有機EL素子で、初期輝度数百nitに対し、数万時間以上の半減寿命を有する有機EL素子が切望されている。
As a method for multi-coloring the light emission of the organic EL element, there are roughly the following three methods.
(1) A method of extracting white light emitted from an organic EL element by separating it into three colors using three kinds of color filters of red, green and blue
(2) A method of converting blue light emitted from a blue EL element into multiple colors by converting the color of blue light by a fluorescent layer provided on the light extraction side of the light emitting layer.
(3) Methods for Multicoloring Blue, Red, and Green Light-Emitting Layers on the Same Substrate In these methods, high-brightness and long-life organic EL elements are required. For example, in the methods (1) and (2), an organic EL element that emits blue-green or white broadband (broad spectrum) light emission, an organic material having a half-life of tens of thousands of hours or more for an initial luminance of several hundred nits. EL elements are eagerly desired.
このような要望に対し、種々の素子構成が検討されている。
その中のひとつの方法として、有機発光層を多層化することにより白色又はブロードバンド発光を得る方法が以下のように提案されている。
(a) 有機発光層を二層構造にして、陽極側の第一発光層をアルミ錯体化合物からなる青色の発光層とし、陰極側の第二発光層を赤色蛍光性物質を含有するアルミ錯体化合物からなる赤色の発光層として白色光を取り出す方法(例えば、特許文献1参照。)
(b) 有機発光層を二層構造にして、陽極側の第一発光層をジスチリルアリーレン系化合物からなる青色の発光層とし、陰極側の第二発光層を緑色発光するアルミ錯体化合物に赤色蛍光性物質を添加した発光層として白色光を取り出す方法(例えば、特許文献2参照。)
(c) アルミ錯体からなる電子輸送性の化合物とジアミン化合物からなる正孔輸送性の化合物との混合層からなる発光層に、ドーパントとしてクマリン及びルブレンを含有させて、緑色成分及び橙色成分を有する発光を得る方法(例えば、特許文献3参照。)
(d) ジスチリルアリーレン系化合物からなるホスト材料に、二種以上の色系統の異なる蛍光性物質をドーピングすることにより二層の発光層を形成する方法(例えば、特許文献4参照。)
In response to such a demand, various element configurations have been studied.
As one of the methods, a method of obtaining white or broadband light emission by multilayering an organic light emitting layer has been proposed as follows.
(a) The organic light emitting layer has a two-layer structure, the first light emitting layer on the anode side is a blue light emitting layer made of an aluminum complex compound, and the second light emitting layer on the cathode side is an aluminum complex compound containing a red fluorescent substance. A method of extracting white light as a red light emitting layer made of (for example, see Patent Document 1).
(b) The organic light-emitting layer has a two-layer structure, the first light-emitting layer on the anode side is a blue light-emitting layer made of a distyrylarylene compound, and the second light-emitting layer on the cathode side is red on an aluminum complex compound that emits green light. A method of extracting white light as a light emitting layer to which a fluorescent material is added (for example, see Patent Document 2).
(c) A light emitting layer composed of a mixed layer of an electron transporting compound composed of an aluminum complex and a hole transporting compound composed of a diamine compound contains coumarin and rubrene as dopants, and has a green component and an orange component. Method for obtaining light emission (for example, see Patent Document 3)
(d) A method of forming two light emitting layers by doping a host material made of a distyrylarylene compound with two or more kinds of fluorescent substances having different color systems (see, for example, Patent Document 4).
これらの従来技術は、複数種類のドーパントを同等に発光させてブロードバンド発光又は白色を得ようとする方法であり、有機EL素子から発光される光は様々な波長を混合したものである。
しかし、多層積層構成の有機EL素子において、色純度の高いナローバンド(幅の狭いスペクトル)発光であって寿命の長い有機EL素子は知られていない。
These prior arts are methods for obtaining broadband light emission or white light by emitting a plurality of types of dopants equally, and light emitted from the organic EL element is a mixture of various wavelengths.
However, an organic EL element having a multilayer structure having a long lifetime with narrow band (narrow spectrum) emission with high color purity is not known.
本発明は上記課題に鑑み、色純度の高いナローバンド発光をし、長寿命である有機EL素子を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an organic EL element that emits narrow band light with high color purity and has a long lifetime.
この課題を解決するために、本発明者は、少なくとも二層の発光層を有する有機EL素子において、第二発光層の発光を抑えること又は二層の発光層が一定の関係を満たした場合に、色純度及び/又は素子の寿命を向上できることを見出し、本発明を完成させた。 In order to solve this problem, the present inventor, in an organic EL device having at least two light emitting layers, suppresses light emission of the second light emitting layer or when the two light emitting layers satisfy a certain relationship. The inventors have found that the color purity and / or the life of the device can be improved, and have completed the present invention.
本発明の第一の態様によれば、陽極と、少なくとも第一ホスト材料と第一ドーパントからなる第一発光層と、少なくとも第二ホスト材料と第二ドーパントからなる第二発光層と、陰極と、をこの順序に含み、第一ホスト材料のエネルギーギャップEgh1、第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1、第二ホスト材料のエネルギーギャップEgh2及び第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2が下記式を満たし、かつ、第一発光層に由来する発光スペクトルの発光極大波長の発光強度I1及び第二発光層に由来する発光スペクトルの発光極大波長の発光強度I2が下記式を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Egh1>Egd1
Egh2>Egd2
Egd1>Egd2
I1>3.5×I2
According to the first aspect of the present invention, an anode, a first light-emitting layer composed of at least a first host material and a first dopant, a second light-emitting layer composed of at least a second host material and a second dopant, and a cathode In this order, the energy gap E gh 1 of the first host material, the energy gap E gd 1 of the first dopant, the
E gh 1> E gd 1
E gd 1>
I1> 3.5 × I2
本発明の第二の態様によれば、陽極と、少なくとも第一ホスト材料と第一ドーパントからなる第一発光層と、少なくとも第二ホスト材料と第二ドーパントからなる第二発光層と、陰極と、をこの順序に含み、第一ホスト材料のエネルギーギャップEgh1、第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1、第二ホスト材料のエネルギーギャップEgh2及び第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2が下記式を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Egh1>Egd1
Egh2>Egd2
Egd1>Egd2>2.7eV
According to the second aspect of the present invention, an anode, a first light-emitting layer composed of at least a first host material and a first dopant, a second light-emitting layer composed of at least a second host material and a second dopant, and a cathode In this order, the energy gap E gh 1 of the first host material, the energy gap E gd 1 of the first dopant, the
E gh 1> E gd 1
E gd 1>
本発明によれば、色純度の高いナローバンド発光をし、長寿命である有機EL素子を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an organic EL element that emits narrow band light with high color purity and has a long lifetime.
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の第一の有機EL素子は、陽極と、少なくとも第一ホスト材料と第一ドーパントからなる第一発光層と、少なくとも第二ホスト材料と第二ドーパントからなる第二発光層と、陰極と、をこの順序に含み、第一ホスト材料のエネルギーギャップEgh1、第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1、第二ホスト材料のエネルギーギャップEgh2及び第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2が下記式を満たし、かつ、第一発光層に由来する発光スペクトルの発光極大波長の発光強度I1及び第二発光層に由来する発光スペクトルの発光極大波長の発光強度I2が下記式を満たす。
Egh1>Egd1
Egh2>Egd2
Egd1>Egd2
I1>3.5×I2
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The first organic EL device of the present invention includes an anode, a first light emitting layer composed of at least a first host material and a first dopant, a second light emitting layer composed of at least a second host material and a second dopant, and a cathode. In this order, the energy gap E gh 1 of the first host material, the energy gap E gd 1 of the first dopant, the
E gh 1> E gd 1
E gd 1>
I1> 3.5 × I2
図1は、本発明の有機EL素子の概略断面図である。
有機EL素子1は、少なくとも、陽極2、第一発光層3、第二発光層4、陰極5を有し、これらはこの順に積層されている。
図2は、有機EL素子1のエネルギーダイアグラムである。
このエネルギーダイアグラムには、陽極2、第一発光層3、第二発光層4及び陰極5のエネルギーレベルが示されている。また、第一ホスト材料のエネルギーギャップEgh1、第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1、第二ホスト材料のエネルギーギャップEgh2及び第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2が示されている。
ここでエネルギーギャップとは、有機EL材料の価電子レベルと伝導レベルのエネルギー差に相当するものであり、通常その材料の光吸収スペクトルにおける吸収端から求められる。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of the present invention.
The organic EL element 1 has at least an
FIG. 2 is an energy diagram of the organic EL element 1.
In this energy diagram, energy levels of the
Here, the energy gap corresponds to the energy difference between the valence level and the conduction level of the organic EL material, and is usually obtained from the absorption edge in the light absorption spectrum of the material.
図2に示すように、本発明では、第一ドーパントと、第二ドーパントをそれぞれ異なる発光層3,4にドーピングし、発光層を二層構成とすることで、エネルギーギャップが大きいドーパントを含む第一発光層3を主に発光させる構成にしている。
通常、一層の発光層中に二種類のドーパントを含有させた場合、それらのドーパント間の距離が近いためエネルギー移動が起こりやすく、二種類のドーパントがそれぞれ発光するか、若しくはエネルギーギャップが小さい方のドーパントのみが発光するのが普通である。エネルギーギャップが大きいドーパントのみを発光させることはきわめて困難である。
As shown in FIG. 2, in the present invention, the first dopant and the second dopant are doped in different
Usually, when two kinds of dopants are contained in one light emitting layer, energy transfer is likely to occur because the distance between the dopants is short, and the two kinds of dopants each emit light or have a smaller energy gap. Usually, only the dopant emits light. It is extremely difficult to emit only a dopant having a large energy gap.
しかしながら、発光層を二層構造にするだけでは、従来技術の例から判るように、第一発光層3、第二発光層4がともに発光するため、色純度が高くなるナローバンド発光は得られない。
この原因の一つとしては、正孔と電子の再結合が起こる位置の問題がある。発光層に注入された正孔は電子との再結合により、陰極5側に進むにつれて濃度が減少していくが、一部は陰極5の近くまで達していると考えられている。このため、陰極5側付近にも再結合領域が存在し、第一発光層3(陽極2側にある発光層)及び第二発光層4(陰極5側にある発光層)がともに発光する原因となっている。
However, if only the light emitting layer has a two-layer structure, the first
One of the causes is the problem of the position where the recombination of holes and electrons occurs. The concentration of holes injected into the light emitting layer decreases as they proceed to the
そこで、本発明においては、色純度を低下させる原因である、エネルギーギャップの小さいドーパントを含む発光層の発光を抑制する方法として、再結合確率が高い陽極2側に第一発光層3を設け、再結合確率が低い陰極5側に第二発光層4を設ける構造としてある。これにより、第一発光層3を主に発光させ、第二発光層4の発光を十分小さくなるようにできる。
Therefore, in the present invention, as a method for suppressing light emission of the light emitting layer containing a dopant having a small energy gap, which is a cause of lowering the color purity, the first
さらに本発明においては、第二発光層4と陰極5の間に電子注入層を設け、この電子注入層の、電界強度(E)が1×105〜106V/cmの電界領域における電子移動度が、10−4cm2/(V・秒)以上であることが好ましい。
このような電子移動度の電子注入層を設けることで、発光領域をより安定して第一発光層3内に設定することができる。従って、第一発光層3をより選択的に発光させることができるため、より色純度の良いナローバンド発光を得ることができ、かつ、顕著に長寿命化できる。
Furthermore, in the present invention, an electron injection layer is provided between the second light-emitting
By providing the electron injection layer having such electron mobility, the light emitting region can be set in the first
尚、電子移動度の測定法としては、Time of flight法(有機膜内の電荷の走行時間の測定から算出する方法)や、空間制限電流の電圧特性から算出する方法等がある[Electronic Process in Organic Crystals(M.Pope,C.E.Swenberg)、Organic Molecular Solids(W.Jones)参照]。
本明細書においては、Time of flight法により算出している。具体的には、ITO/有機層(電子注入層等)/Alの構成としたものについて、光照射により生じる過渡電流の時間特性(過渡特性時間)を測定し、以下の式により電子移動度を算出している。
電子移動度=(有機層厚)2/(過渡特性時間・電界強度)
As a method for measuring electron mobility, there is a Time of flight method (a method of calculating from the travel time of charges in an organic film), a method of calculating from a voltage characteristic of a space-limited current, etc. [Electronic Process in See Organic Crystals (M. Pope, CE Schwenberg), Organic Molecular Solids (W. Jones)].
In this specification, it is calculated by the Time of flight method. Specifically, the time characteristic (transient characteristic time) of the transient current generated by light irradiation was measured for the ITO / organic layer (electron injection layer, etc.) / Al structure, and the electron mobility was calculated by the following equation. Calculated.
Electron mobility = (organic layer thickness) 2 / (transient characteristic time / electric field strength)
一般に、エネルギーギャップの大きい材料はエネルギーギャップが小さい材料と比較して、半減寿命が長い材料が少なく、材料選定に困難を伴うが、この構成にすることにより、第二発光層は発光にほとんど寄与しないにもかかわらず、有機EL素子の寿命を伸ばすことができる。 In general, a material with a large energy gap has fewer materials with a long half-life compared to a material with a small energy gap, and it is difficult to select a material. By adopting this configuration, the second light-emitting layer contributes almost to light emission. Nevertheless, the lifetime of the organic EL element can be extended.
この有機EL素子1において、第一ホスト材料のエネルギーギャップ(Egh1)は、第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1より大きい。即ち、Egh1>Egd1の関係を満たす。
第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1は、2.7eVより大きいことが好ましい。一般に、エネルギーギャップが大きいドーパントは、小さいドーパントに比べて有機EL素子の半減寿命が短いものが多い。従って、フルカラーで用いる純青色の有機EL素子は、特に長寿命化が困難であったが、本発明は上記の構成を採ることにより極めて長寿命な純青色発光が得られる。
In this organic EL element 1, the energy gap (E gh 1) of the first host material is larger than the energy gap E gd 1 of the first dopant. That is, the relationship of E gh 1> E gd 1 is satisfied.
The energy gap E gd 1 of the first dopant is preferably larger than 2.7 eV. In general, many dopants having a large energy gap have a shorter half-life of the organic EL device than small dopants. Therefore, it is difficult to extend the lifetime of a pure blue organic EL element used in full color. However, the present invention can obtain pure blue emission with an extremely long lifetime by adopting the above-described configuration.
第二発光層は、少なくとも第二ホスト材料と第二ドーパントを含んでいる。
第二ホスト材料のエネルギーギャップEgh2は、第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2より大きい。即ち、Egh2>Egd2の関係を満たす。
The second light emitting layer contains at least a second host material and a second dopant.
The
第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1は、第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2より大きいこと、即ち、Egd1>Egd2の関係を満たす。
また、第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2は2.7eVより大きいこと、即ち、Egd2>2.7eVの関係を満たすことが好ましい。これにより、フルカラー用の色純度が高い青色発光の有機EL素子を作製できる。
The energy gap E gd 1 of the first dopant is larger than the
The
この有機EL素子は、第一発光層に由来する光の発光スペクトルの発光極大波長の発光強度I1と、第二発光層に由来する光の発光スペクトルの発光極大波長の発光強度I2が、I1>3.5×I2の関係を満たす。この関係を満たすことにより、色純度の良いナローバンド発光を得ることができる。好ましくはI1>5×I2、さらに好ましくはI1>10×I2である。特に好ましくは、第二発光層からの発光強度I2が0である。
このように、第二発光層の発光が有機EL素子全体の発光に対し、ほとんど寄与しない場合でも、有機EL素子の寿命を長寿命化できる。
一般にエネルギーギャップが小さい材料程、長寿命な材料が多く、材料の選定が容易である。従って、ブロードバンド発光や白色発光用のEL素子は長寿命素子構成を見出すことが比較的容易だった。
しかし、ナローバンド発光、特に青色発光は、長寿命な材料系を選定することが困難であり、特にフルカラー用途に適した純青色発光材料はこれまでほとんど報告されていなかった。本発明はこれまで知られていた純青色発光材料を長寿命化する技術である。つまり、長寿命であることが知られている材料をあえて、発光層に隣接させて用い、しかもそこからの発光を極力制限することにより、EL素子の長寿命化を行う技術である。
In this organic EL element, the emission intensity I1 of the emission maximum wavelength of the emission spectrum of light originating from the first emission layer and the emission intensity I2 of the emission maximum wavelength of the emission spectrum of light originating from the second emission layer are I1> Satisfies the relationship of 3.5 × I2. By satisfying this relationship, narrow band light emission with good color purity can be obtained. Preferably I1> 5 × I2, more preferably I1> 10 × I2. Particularly preferably, the emission intensity I2 from the second light emitting layer is zero.
Thus, even when the light emission of the second light emitting layer hardly contributes to the light emission of the entire organic EL element, the life of the organic EL element can be extended.
In general, the smaller the energy gap, the longer the material, and the easier it is to select the material. Accordingly, it has been relatively easy to find a long-life element configuration for EL elements for broadband light emission and white light emission.
However, for narrow band light emission, particularly blue light emission, it is difficult to select a material system having a long lifetime, and there have been few reports on pure blue light emitting materials particularly suitable for full-color applications. The present invention is a technique for extending the lifetime of a known pure blue light emitting material. That is, this is a technique for prolonging the lifetime of an EL element by using a material known to have a long lifetime and using it adjacent to the light emitting layer and limiting light emission therefrom as much as possible.
本発明の第二の有機EL素子は、陽極と、少なくとも第一ホスト材料と第一ドーパントからなる第一発光層と、少なくとも第二ホスト材料と第二ドーパントからなる第二発光層と、陰極と、をこの順序に含み、第一ホスト材料のエネルギーギャップEgh1、第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1、第二ホスト材料のエネルギーギャップEgh2及び第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2が下記式を満たす。
Egh1>Egd1
Egh2>Egd2
Egd1>Egd2>2.7eV
即ち、基本的な構成については、上記で説明した有機EL素子と同様である。
The second organic EL device of the present invention includes an anode, a first light emitting layer composed of at least a first host material and a first dopant, a second light emitting layer composed of at least a second host material and a second dopant, and a cathode. In this order, the energy gap E gh 1 of the first host material, the energy gap E gd 1 of the first dopant, the
E gh 1> E gd 1
E gd 1>
That is, the basic configuration is the same as that of the organic EL element described above.
この有機EL素子は、Egd1>Egd2>2.7eVの関係を満たす。この関係を満たすため、上記の有機EL素子とは異なり、第一発光層及び第二発光層がともに発光しても、どちらも青色発光するため、色純度の高い青色発光を得ることが可能である。
しかも、このような素子構成にすることにより、第一の発明と同様に有機EL素子の長寿命化が可能である。
This organic EL element satisfies the relationship of E gd 1>
In addition, by adopting such an element configuration, the lifetime of the organic EL element can be extended as in the first invention.
第一発光層と第二発光層に用いられるホスト材料は、それぞれ長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能であるが、一般式[1]で示される材料を発光材料のホスト材料として用いることが好ましい。
mは1〜5の整数、nは0〜6の整数である。m≧2の時、Ar1はそれぞれ同じでも異なっていても良い。n≧2の時、Xはそれぞれ同じでも異なっていても良い。]
As the host material used for the first light-emitting layer and the second light-emitting layer, known materials can be used as long-lived light-emitting materials, but the material represented by the general formula [1] is used as the host material of the light-emitting material. It is preferable to use as.
m is an integer of 1 to 5, and n is an integer of 0 to 6. When m ≧ 2, Ar 1 may be the same or different. When n ≧ 2, X may be the same or different. ]
Ar1として具体的には、フェニル環、ナフチル環、アントラセン環、ビフェニレン環、アズレン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、アセフェナンスリレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環等が挙げられる。
好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環、トリナフチレン環等が挙げられる。
さらに好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環等が挙げられる。
Specific examples of Ar 1 include phenyl ring, naphthyl ring, anthracene ring, biphenylene ring, azulene ring, acenaphthylene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, fluoranthene ring, acephenanthrylene ring, triphenylene ring, pyrene ring, chrysene ring, A naphthacene ring, a picene ring, a perylene ring, a pentaphen ring, a pentacene ring, a tetraphenylene ring, a hexaphen ring, a hexacene ring, a rubicene ring, a coronene ring, a trinaphthylene ring, and the like can be given.
Preferred examples include phenyl ring, naphthyl ring, anthracene ring, acenaphthylene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, fluoranthene ring, triphenylene ring, pyrene ring, chrysene ring, perylene ring, trinaphthylene ring and the like.
More preferable examples include a phenyl ring, a naphthyl ring, an anthracene ring, a fluorene ring, a phenanthrene ring, a fluoranthene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, and a perylene ring.
また、Xとして具体的には、置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数1〜50のカルボキシル基、置換又は無置換のスチリル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。 Specific examples of X include a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon number. An alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 50 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms. Substituted or unsubstituted arylthio groups having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted carboxyl groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted styryl groups, halogen groups, cyano groups, nitro groups, hydroxyl groups, etc. It is.
置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。 Examples of the substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1- Phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4- Pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group M-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, p t-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl Group, 4 "-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, 3-fluoranthenyl group and the like.
好ましくは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。 Preferably, phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9 -A dimethyl- 2-fluorenyl group, 3-fluoranthenyl group, etc. are mentioned.
置換若しくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基の例としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。 Examples of the substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms include 1-pyrrolyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuran group Group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5- Quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8- Isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6-quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl group 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phena Thridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group Group, 1,7-phenanthrolin-2-yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5 -Yl group, 1,7-phenanthrolin-6-yl group, 1,7-phenanthrolin-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthroline -10-yl group, 1,8-phenanthrolin-2-yl group, 1,8-phenanthrolin-3-yl group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-phen group Nansulolin-5-yl group, 1,8-phena Nsulolin-6-yl group, 1,8-phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthrolin-9-yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group, 1,9- Phenanthrolin-2-yl group, 1,9-phenanthrolin-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1, 9-phenanthroline-6-yl group, 1,9-phenanthrolin-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,10-phenanthrolin-2-yl group, 1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-phenanthrolin-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl Group, 2,9-phenanthrolin-1-yl group, 2,9-phenanthroli -3-yl group, 2,9-phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2,9-phen group Nansulolin-7-yl group, 2,9-phenanthrolin-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8 -Phenanthrolin-3-yl group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2 , 8-phenanthroline-7-yl group, 2,8-phenanthrolin-9-yl group, 2,8-phenanthrolin-10-yl group, 2,7-phenanthrolin-1-yl group 2,7-phenanthrolin-3-yl group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group, , 7-phenanthroline-5-yl group, 2,7-phenanthrolin-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group 2,7-phenanthrolin-10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 10- Phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5 -Oxadiazolyl group, 3-furazanyl group, 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2 -Methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3 -Methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl- 1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group Group, 2-t-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like.
置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が挙げられる。 Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n- Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1,2-dihydroxyethyl group, 1, 3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-butyl group, 1,2,3-trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2-chloroethyl group, 2-chloroisobutyl group, 1, 2-dichloroethyl group, 1,3-dichloroisopropyl group, 2,3-dichloro-t-butyl group, 1,2,3-trichloropropyl group Bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 1,3-dibromoisopropyl group, 2,3-dibromo-t-butyl group, 1,2, 3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl group, 2,3-diiodo-t- Butyl group, 1,2,3-triiodopropyl group, aminomethyl group, 1-aminoethyl group, 2-aminoethyl group, 2-aminoisobutyl group, 1,2-diaminoethyl group, 1,3-diaminoisopropyl Group, 2,3-diamino-t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1-cyanoethyl group, 2-cyanoethyl 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group, 2,3-dicyano-t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl group, nitromethyl group, 1- Nitroethyl group, 2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2-dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro-t-butyl group, 1,2,3-trinitropropyl Group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, 1-norbornyl group, 2-norbornyl group and the like.
置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基は−OYで表される基であり、Yの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。 The substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms is a group represented by -OY, and examples of Y include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, and s-butyl. Group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl Group, 1,2-dihydroxyethyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-butyl group, 1,2,3-trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2 -Chloroethyl group, 2-chloroisobutyl group, 1,2-dichloroethyl group, 1,3-dichloroisopropyl group, 2,3-dichloro-t-butyl group, , 2,3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 1,3-dibromoisopropyl group, 2,3-dibromo- t-butyl group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl group 2,3-diiodo-t-butyl group, 1,2,3-triiodopropyl group, aminomethyl group, 1-aminoethyl group, 2-aminoethyl group, 2-aminoisobutyl group, 1,2-diamino Ethyl group, 1,3-diaminoisopropyl group, 2,3-diamino-t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1- Anoethyl group, 2-cyanoethyl group, 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group, 2,3-dicyano-t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl Group, nitromethyl group, 1-nitroethyl group, 2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2-dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro-t-butyl group, 1, Examples include 2,3-trinitropropyl group.
置換若しくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基の例としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。 Examples of the substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 50 carbon atoms include benzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group, 2-phenylisopropyl group, and phenyl-t-butyl. Group, α-naphthylmethyl group, 1-α-naphthylethyl group, 2-α-naphthylethyl group, 1-α-naphthylisopropyl group, 2-α-naphthylisopropyl group, β-naphthylmethyl group, 1-β- Naphthylethyl group, 2-β-naphthylethyl group, 1-β-naphthylisopropyl group, 2-β-naphthylisopropyl group, 1-pyrrolylmethyl group, 2- (1-pyrrolyl) ethyl group, p-methylbenzyl group, m -Methylbenzyl group, o-methylbenzyl group, p-chlorobenzyl group, m-chlorobenzyl group, o-chlorobenzyl group, p-bromoben Group, m-bromobenzyl group, o-bromobenzyl group, p-iodobenzyl group, m-iodobenzyl group, o-iodobenzyl group, p-hydroxybenzyl group, m-hydroxybenzyl group, o-hydroxybenzyl group P-aminobenzyl group, m-aminobenzyl group, o-aminobenzyl group, p-nitrobenzyl group, m-nitrobenzyl group, o-nitrobenzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o -Cyanobenzyl group, 1-hydroxy-2-phenylisopropyl group, 1-chloro-2-phenylisopropyl group and the like.
置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基は−OY’と表され、Y’の例としてはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。 A substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms is represented as —OY ′, and examples of Y ′ include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, and a 2-anthryl group. Group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl Group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, -Tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl- 1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl group, 4 ″ -t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3- Pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4- Isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group Nyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, 2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8 -Quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6 -Quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl Group, 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1,7-phenanthroline-2 -Yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5-yl group, 1,7-phenanthroline -6-yl group, 1,7-phenanthrolin-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthrolin-10-yl group, 1,8-phen group Nansulolin-2-yl group, 1,8- Phenanthrolin-3-yl group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-phenanthrolin-5-yl group, 1,8-phenanthrolin-6-yl group, 1,8- Phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9-yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group, 1,9-phenanthrolin-2-yl group, 1, 9-phenanthrolin-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1,9-phenanthrolin-6-yl group, 1,9-phenanthrolin-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,10-phenanthrolin-2-yl Group, 1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-phenanth Rin-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-1-yl group, 2,9-phenanthrolin-3-yl group, 2,9- Phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2,9-phenanthrolin-7-yl group, 2, 9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8-phenanthrolin-3-yl group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2,8-phenanthrolin-7-yl Group, 2,8-phenanthrolin-9-yl group, 2,8-phenanthrolin-10-yl Group, 2,7-phenanthrolin-1-yl group, 2,7-phenanthrolin-3-yl group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group, 2,7-phenanthrolin-5 -Yl group, 2,7-phenanthroline-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group, 2,7-phenanthroline -10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-flazanyl group 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl Group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3- Indolyl group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group, 2-t-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like can be mentioned.
置換若しくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基は−SY”と表され、Y”の例としてはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。 A substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms is represented by —SY ″, and examples of Y ″ include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, and a 2-anthryl group. 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p -Terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m Tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1 -Anthryl group, 4'-methylbiphenylyl group, 4 "-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3-pyridinyl Group, 4-pyridinyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group Group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group Group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, 2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8- Quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6- Quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl group 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9 -Phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1,7-phenanthroline-2- Yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5-yl group, 1,7-phenanthrolin- 6-yl group, 1,7-phenanthroline-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthrolin-10-yl group, 1,8-phenance Lorin-2-yl group, 1,8-Fu Nansulolin-3-yl group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-phenanthrolin-5-yl group, 1,8-phenanthrolin-6-yl group, 1,8- Phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9-yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group, 1,9-phenanthrolin-2-yl group, 1, 9-phenanthrolin-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1,9-phenanthrolin-6-yl group, 1,9-phenanthrolin-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,10-phenanthrolin-2-yl Group, 1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-phenanthro N-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-1-yl group, 2,9-phenanthrolin-3-yl group, 2,9- Phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2,9-phenanthrolin-7-yl group, 2, 9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8-phenanthrolin-3-yl group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2,8-phenanthrolin-7-yl Group, 2,8-phenanthrolin-9-yl group, 2,8-phenanthrolin-10-yl group 2,7-phenanthrolin-1-yl group, 2,7-phenanthrolin-3-yl group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group, 2,7-phenanthrolin-5- Yl group, 2,7-phenanthrolin-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group, 2,7-phenanthrolin- 10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3 -Phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-flazanyl group, -Thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3 -Methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl group 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group Group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group, 2-t-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like.
置換若しくは無置換の炭素数1〜50のカルボキシル基は−COOZと表され、Zの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。 A substituted or unsubstituted carboxyl group having 1 to 50 carbon atoms is represented as —COOZ, and examples of Z include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1,2 -Dihydroxyethyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-butyl group, 1,2,3-trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2-chloroethyl group, 2 -Chloroisobutyl group, 1,2-dichloroethyl group, 1,3-dichloroisopropyl group, 2,3-dichloro-t-butyl group, 1,2 3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 1,3-dibromoisopropyl group, 2,3-dibromo-t-butyl Group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl group, 2, 3-diiodo-t-butyl group, 1,2,3-triiodopropyl group, aminomethyl group, 1-aminoethyl group, 2-aminoethyl group, 2-aminoisobutyl group, 1,2-diaminoethyl group, 1,3-diaminoisopropyl group, 2,3-diamino-t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1-cyano Tyl group, 2-cyanoethyl group, 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group, 2,3-dicyano-t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl Group, nitromethyl group, 1-nitroethyl group, 2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2-dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro-t-butyl group, 1, Examples include 2,3-trinitropropyl group.
置換又は無置換のスチリル基の例としては、2−フェニル−1−ビニル基、2,2−ジフェニル−1−ビニル基、1,2,2−トリフェニル−1−ビニル基等が挙げられる。
ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted styryl group include 2-phenyl-1-vinyl group, 2,2-diphenyl-1-vinyl group, 1,2,2-triphenyl-1-vinyl group, and the like.
Examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine and iodine.
mは1〜2、nは0〜4が好ましい。
一般式[1]の化合物の具体例を以下に示す。
m is preferably 1 to 2, and n is preferably 0 to 4.
Specific examples of the compound of the general formula [1] are shown below.
本発明の有機EL素子においては、蒸着を簡易にするために、第一のホスト材料と第二のホスト材料を同一にしても構わない。 In the organic EL element of the present invention, the first host material and the second host material may be the same in order to simplify the vapor deposition.
第一発光層と第二発光層に用いられるドーパントは、それぞれ長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能であるが、一般式[2]で示される材料を発光材料のドーパント材料として用いることが好ましい。 As the dopant used for the first light-emitting layer and the second light-emitting layer, known materials can be used as long-lived light-emitting materials, but the material represented by the general formula [2] is used as the dopant material of the light-emitting material. It is preferable to use it.
置換若しくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。 Examples of the substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1- Phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4- Pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group M-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, p t-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl Group, 4 "-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, 3-fluoranthenyl group and the like.
好ましくは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。 Preferably, phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9 -A dimethyl- 2-fluorenyl group, 3-fluoranthenyl group, etc. are mentioned.
置換又は無置換のスチリル基の例としては、2−フェニル−1−ビニル基、2,2−ジフェニル−1−ビニル基、1,2,2−トリフェニル−1−ビニル基等が挙げられる。
一般式[2]の化合物の具体例、及びその他ドーパントとして好適な化合物の例を以下に示す。尚、式中において、Meはメチル基を、Etはエチル基を表す。
Examples of the substituted or unsubstituted styryl group include 2-phenyl-1-vinyl group, 2,2-diphenyl-1-vinyl group, 1,2,2-triphenyl-1-vinyl group, and the like.
Specific examples of the compound of the general formula [2] and examples of compounds suitable as other dopants are shown below. In the formulae, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.
第一ホスト材料に対する前記第一ドーパントの割合は、0.1〜10mol%、特に1〜10mol%であることが好ましい。0.1mol%より小さいと、十分な発光が得られず、10mol%を超えると濃度消光を起こし、発光効率が低下するおそれがある。
また、第二ホスト材料に対する前記第二ドーパントの割合は、0.1〜10mol%、特に0.1〜5mol%であることが好ましい。
第一発光層の膜厚は、10nm以上、特に10nm〜40nmが好ましい。10nm未満では、第二発光層まで十分な濃度の正孔が到達し、第二発光層が必用以上に発光し、色純度を悪くするおそれがある。従って、第一発光層を、第二発光層より厚くできる。
第二発光層の膜厚は、第一発光層に合わせて調製するが、好ましくは、10nm〜40nm、特に10nm〜30nmが好ましい。
The ratio of the first dopant to the first host material is preferably 0.1 to 10 mol%, particularly 1 to 10 mol%. If it is less than 0.1 mol%, sufficient light emission cannot be obtained, and if it exceeds 10 mol%, concentration quenching may occur and the light emission efficiency may be reduced.
Moreover, it is preferable that the ratio of the said 2nd dopant with respect to a 2nd host material is 0.1-10 mol%, especially 0.1-5 mol%.
The film thickness of the first light emitting layer is preferably 10 nm or more, particularly preferably 10 nm to 40 nm. If it is less than 10 nm, holes having a sufficient concentration reach the second light emitting layer, the second light emitting layer emits light more than necessary, and the color purity may be deteriorated. Therefore, the first light emitting layer can be thicker than the second light emitting layer.
The film thickness of the second light emitting layer is adjusted according to the first light emitting layer, but is preferably 10 nm to 40 nm, and particularly preferably 10 nm to 30 nm.
発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
As a method for forming the light emitting layer, for example, a known method such as an evaporation method, a spin coating method, or an LB method can be applied. The light emitting layer is particularly preferably a molecular deposited film.
Here, the molecular deposition film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gas phase state or a film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state. Can be classified from a thin film (accumulated film) formed by the LB method according to a difference in an agglomerated structure and a higher-order structure and a functional difference resulting therefrom.
Further, as disclosed in JP-A-57-51781, a binder such as a resin and a material compound are dissolved in a solvent to form a solution, and then this is thinned by a spin coating method or the like. In addition, a light emitting layer can be formed.
本発明の有機EL素子の構成及び発光層以外の構成要素について、以下に説明する。
本発明の作用効果を損なわない限り、第一発光層と第二発光層の間、陽極と第一発光層の間又は第二発光層と陰極の間に、他の有機層又は無機層を介在させることができる。
本発明の有機EL素子の構成として、例えば
i) 陽極/第一発光層/第二発光層/陰極
ii) 陽極/正孔注入層/第一発光層/第二発光層/陰極
iii) 陽極/第一発光層/第二発光層/電子注入層/陰極
iv) 陽極/正孔注入層/第一発光層/第二発光層/電子注入層/陰極
iv) 陽極/有機半導体層/第一発光層/第二発光層/陰極
vi) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/第一発光層/第二発光層/陰極
vii) 陽極/有機半導体層/第一発光層/第二発光層/付着改善層/陰極
viii) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/第一発光層/第二発光層
/電子注入層/陰極
ix) 陽極/絶縁層/第一発光層/第二発光層/絶縁層/陰極
x) 陽極/無機半導体層/絶縁層/第一発光層/第二発光層/絶縁層
/陰極
xi) 陽極/有機半導体層/絶縁層/第一発光層/第二発光層/絶縁層
/陰極
xii) 陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/第一発光層/第二発光層
/絶縁層/陰極
xiii) 陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/第一発光層/第二発光層
/電子注入層/陰極
等の構造を挙げることができる。
これらの中で通常viii)の構成が好ましく用いられる。
The configuration of the organic EL device of the present invention and the components other than the light emitting layer will be described below.
Unless the effects of the present invention are impaired, another organic layer or an inorganic layer is interposed between the first light emitting layer and the second light emitting layer, between the anode and the first light emitting layer, or between the second light emitting layer and the cathode. Can be made.
Examples of the structure of the organic EL device of the present invention include: i) Anode / first light emitting layer / second light emitting layer / cathode
ii) Anode / hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / cathode
iii) Anode / first light emitting layer / second light emitting layer / electron injection layer / cathode
iv) Anode / hole injection layer / first emission layer / second emission layer / electron injection layer / cathode
iv) Anode / organic semiconductor layer / first light emitting layer / second light emitting layer / cathode
vi) Anode / organic semiconductor layer / electron barrier layer / first light emitting layer / second light emitting layer / cathode
vii) Anode / organic semiconductor layer / first light emitting layer / second light emitting layer / adhesion improving layer / cathode
viii) Anode / hole injection layer / hole transport layer / first light emitting layer / second light emitting layer
/ Electron injection layer / Cathode
ix) Anode / insulating layer / first light emitting layer / second light emitting layer / insulating layer / cathode
x) Anode / inorganic semiconductor layer / insulating layer / first light emitting layer / second light emitting layer / insulating layer
/cathode
xi) Anode / organic semiconductor layer / insulating layer / first light emitting layer / second light emitting layer / insulating layer
/cathode
xii) Anode / insulating layer / hole injection layer / hole transport layer / first light emitting layer / second light emitting layer
/ Insulating layer / Cathode
xiii) Anode / insulating layer / hole injection layer / hole transport layer / first light emitting layer / second light emitting layer
The structure may be / electron injection layer / cathode.
Of these, the structure of viii) is preferably used.
(1)透光性基板
本発明の有機EL素子は透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
(1) Translucent substrate The organic EL element of this invention is produced on a translucent board | substrate. The translucent substrate referred to here is a substrate that supports the organic EL element, and is preferably a smooth substrate having a light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm of 50% or more.
Specifically, a glass plate, a polymer plate, etc. are mentioned. Examples of the glass plate include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
(2)陽極
有機薄膜EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、金、銀、白金、銅等が適用できる。また陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が10%より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
(2) Anode The anode of the organic thin film EL element plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer, and it is effective to have a work function of 4.5 eV or more. Specific examples of the anode material used in the present invention include indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), gold, silver, platinum, copper, and the like. The cathode is preferably a material having a low work function for the purpose of injecting electrons into the electron transport layer or the light emitting layer.
The anode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
Thus, when light emission from the light emitting layer is taken out from the anode, it is preferable that the transmittance of the anode for light emission is greater than 10%. The sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Although the film thickness of the anode depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.
(3)正孔注入、輸送層
正孔注入、輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔注入、輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば、104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10−4cm2/V・秒であれば好ましい。
正孔注入、輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
(3) Hole injection and transport layer The hole injection and transport layer is a layer that assists hole injection into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a high hole mobility and usually has an ionization energy of 5.5 eV. The following is small. Such a hole injection and transport layer is preferably a material that transports holes to the light emitting layer with a lower electric field strength, and the mobility of holes is, for example, when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied. , At least 10 −4 cm 2 / V · sec is preferable.
The material for forming the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties, and conventionally used as a charge transporting material for holes in an optical transmission material or organic EL. Any of known materials used for the hole injection layer of the device can be selected and used.
具体例として例えば、トリアゾール誘導体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、同55−156953号公報、同56−36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公報、同54−119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,180,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132号公報、同56−22437号公報、西独特許第1,110,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−52064号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同57−11350号公報、同57−148749号公報、特開平2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同第61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−72255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93455号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−211399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることができる。 Specific examples include, for example, triazole derivatives (see US Pat. No. 3,112,197), oxadiazole derivatives (see US Pat. No. 3,189,447, etc.), imidazole derivatives (Japanese Patent Publication No. 37-16096). Polyarylalkane derivatives (US Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,989, 3,542,544, JP-B-45-555). 51-10983, JP-A-51-93224, 55-17105, 56-4148, 55-108667, 55-156953, 56-36656 Patent Publication etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US Pat. Nos. 3,180,729 and 4,278,746) JP-A-55-88064, JP-A-55-88065, JP-A-49-105537, JP-A-55-51086, JP-A-56-80051, JP-A-56-88141, JP-A-57-45545. , 54-1112637, 55-74546, etc.), phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404, JP-B 51-10105, 46-3712, 47-25336, JP-A 54-53435, 54-110536, 54-1119925, etc.), arylamine derivatives (US Pat. No. 3,567,450, ibid) 3,180,703, 3,240,597, 3,658,520, 4,232,10 No. 4,175,961, No. 4,012,376, JP-B-49-35702, JP-A-39-27577, JP-A-55-144250, 56-119132, 56-22437, West German Patent 1,110,518, etc.), amino-substituted chalcone derivatives (see US Pat. No. 3,526,501, etc.), oxazole Derivatives (disclosed in US Pat. No. 3,257,203, etc.), styryl anthracene derivatives (see JP-A-56-46234, etc.), fluorenone derivatives (see JP-A-54-110837, etc.) Hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,717,462, JP-A-54-59143, 55-52063, 55-52064) Gazette, 55-46760, 55-85495, 57-11350, 57-148749, JP-A-2-311591, etc.), stilbene derivatives (JP-A-6210363) Publication No. 61-228451 Publication No. 61-14642 Publication No. 61-72255 Publication No. 62-47646 Publication No. 62-36684 Publication No. 62-10652 Publication No. 62-30255 No. 60-93455, No. 60-94462, No. 60-174749, No. 60-175052), silazane derivatives (US Pat. No. 4,950,950), Polysilane (JP-A-2-204996), aniline copolymer (JP-A-2-282263), JP-A-1- Conductive polymer oligomers disclosed in 11399 JP can (particularly thiophene oligomer).
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭63−2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同56−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号公報、同63−295695号公報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。 Although the above-mentioned materials can be used as the material for the hole injection layer, porphyrin compounds (disclosed in JP-A-63-295965), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (US) Patent No. 4,127,412, JP-A-53-27033, 54-58445, 54-149634, 54-64299, 55-79450, 55 No. 144450, No. 56-119132, No. 61-295558, No. 61-98353, No. 63-295695, etc.), in particular, an aromatic tertiary amine compound is preferably used.
また、米国特許第5,061,569号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(以下NPDと略記する)、また、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下MTDATAと略記する)等を挙げることができる。
また、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
In addition, for example, 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule. ) Biphenyl (hereinafter abbreviated as NPD), and 4,4 ′, 4 ″ -tris (N—) in which three triphenylamine units described in JP-A-4-308688 are linked in a starburst type. (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (hereinafter abbreviated as MTDATA) and the like.
In addition to the above-described aromatic dimethylidin compounds shown as the material for the light emitting layer, inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the material for the hole injection layer.
正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入、輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は5nm〜5μmである。この正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は前記正孔注入、輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入、輸送層を積層したものであってもよい。
また、有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、10−10S/cm以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平8−193191号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
The hole injection and transport layer can be formed by thinning the above-described compound by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. The thickness of the hole injection or transport layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 μm. As long as this hole injection and transport layer contains the compound of the present invention in the hole transport zone, it may be composed of one or more of the above materials, or the hole injection, A layer in which a hole injection / transport layer made of a compound different from the transport layer is laminated may be used.
Further, the organic semiconductor layer is a layer that assists hole injection or electron injection into the light emitting layer, and preferably has a conductivity of 10 −10 S / cm or more. As a material for such an organic semiconductor layer, a conductive oligomer such as a thiophene-containing oligomer, an arylamine oligomer disclosed in JP-A-8-193191, a conductive dendrimer such as an arylamine dendrimer, or the like is used. Can do.
(4)電子注入層
電子注入層は発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。
(4) Electron injection layer The electron injection layer is a layer that assists the injection of electrons into the light emitting layer, and has a high electron mobility, and the adhesion improving layer has particularly good adhesion to the cathode among the electron injection layers. It is a layer made of material.
電子注入層に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリン並びにその誘導体の金属錯体、又は含窒素複素環誘導体が好適である。
上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。
例えば、発光材料の項で記載したAlqを電子注入層として用いることができる。
一方、含窒素複素環誘導体としては、オキサジアゾール誘導体等がある。
オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式[3]〜[5]で表される電子伝達化合物が挙げられる。
As a material used for the electron injection layer, 8-hydroxyquinoline and metal complexes of derivatives thereof, or nitrogen-containing heterocyclic derivatives are preferable.
Specific examples of the metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof include metal chelate oxinoid compounds containing a chelate of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline).
For example, Alq described in the section of the light emitting material can be used as the electron injection layer.
On the other hand, examples of nitrogen-containing heterocyclic derivatives include oxadiazole derivatives.
Examples of the oxadiazole derivatives include electron transfer compounds represented by the following general formulas [3] to [5].
ここで、アリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。またアリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
上記電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。
Here, examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group, and a pyrenyl group. Examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthranylene group, a peryleneylene group, and a pyrenylene group. Moreover, as a substituent, a C1-C10 alkyl group, a C1-C10 alkoxy group, a cyano group, etc. are mentioned. This electron transfer compound is preferably a thin film-forming compound.
Specific examples of the electron transfer compound include the following.
また、他の含窒素複素環誘導体有機化合物としては、一般式[6]で表される化合物が挙げられる。
上記式[6]の化合物は、特願2003−004139号に記載の方法によって合成できる。
この一般式[6]の含窒素複素環誘導体有機化合物において、イミダゾピラジン誘導体、イミダゾール誘導体が好ましい。
The compound of the above formula [6] can be synthesized by the method described in Japanese Patent Application No. 2003-004139.
In the nitrogen-containing heterocyclic derivative organic compound of the general formula [6], an imidazopyrazine derivative and an imidazole derivative are preferable.
イミダゾピラジン誘導体としては、一般式[7]で表される化合物が挙げられる。
上記式[7]の化合物は、特願2003−005184号に記載の方法によって合成できる。 The compound of the above formula [7] can be synthesized by the method described in Japanese Patent Application No. 2003-005184.
イミダゾール誘導体としては、一般式[8]又は[9]で表される化合物が挙げられる。
R2は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルコキシ基であり、R3は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
L4は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基、置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ar18は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基であり、Ar19は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルコキシ基である。)
Examples of the imidazole derivative include compounds represented by general formula [8] or [9].
R 2 has an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a pyridyl group which may have a substituent, a quinolyl group which may have a substituent, and a substituent. An optionally substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an optionally substituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, and R 3 may have a hydrogen atom or a substituent. An aryl group having 6 to 60 carbon atoms, a pyridyl group which may have a substituent, a quinolyl group which may have a substituent, and an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent Or it is a C1-C20 alkoxy group which may have a substituent,
L 4 has an arylene group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a pyridinylene group which may have a substituent, a quinolinylene group which may have a substituent, and a substituent. Ar 18 has an optionally substituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms, an optionally substituted pyridinylene group, and a substituent. Ar 19 may be an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a pyridyl group which may have a substituent, or a substituent. It is a good quinolyl group, an optionally substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an optionally substituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms. )
上記式[8]の化合物は、特願2003−67847号に記載の方法によって合成できる。
含窒素複素環誘導体有機化合物の具体例を下記に示す。
Specific examples of the nitrogen-containing heterocyclic derivative organic compound are shown below.
本発明において、電子注入層は、電界強度(E)が104〜106V/cmの領域において、電子移動度が10−4cm2/(V・秒)以上であることが好ましい。このような電子移動度を有する有機化合物を電子注入層に用いることで、有機EL素子の駆動電圧の低電圧化が図れる。
さらに、発光領域を陽極側である第一発光層にシフトすることができるため、第二発光層の発光を抑制できることから、より色純度のよいナローバンド発光が得られ、高効率かつ、長寿命にすることができる。
In the present invention, the electron injection layer preferably has an electron mobility of 10 −4 cm 2 / (V · sec) or more in a region where the electric field strength (E) is 10 4 to 10 6 V / cm. By using an organic compound having such electron mobility for the electron injection layer, the driving voltage of the organic EL element can be lowered.
Furthermore, since the light emitting region can be shifted to the first light emitting layer on the anode side, light emission of the second light emitting layer can be suppressed, so that narrow band light emission with better color purity can be obtained, and high efficiency and long life can be obtained. can do.
このため、電子注入層には、電子移動度が特に高い化合物、例えば、上述の含窒素複素環誘導体有機化合物、特に、イミダゾピラジン誘導体及び/又はイミダゾール誘導体を使用することが特に好ましい。
尚、上記の化合物は、必要に応じて積層、混合等の形態をとって電子注入層を形成してもよい。
For this reason, it is particularly preferable to use a compound having a particularly high electron mobility, such as the above-mentioned nitrogen-containing heterocyclic derivative organic compound, particularly an imidazopyrazine derivative and / or an imidazole derivative, for the electron injection layer.
Note that the above-described compounds may take the form of lamination, mixing, etc. to form the electron injection layer as necessary.
本発明の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。 In a preferred embodiment of the present invention, there is an element containing a reducing dopant in an electron transporting region or an interface region between a cathode and an organic layer. Here, the reducing dopant is defined as a substance capable of reducing the electron transporting compound. Accordingly, various materials can be used as long as they have a certain reducibility, such as alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, alkali metal oxides, alkali metal halides, alkaline earth metals. At least selected from the group consisting of oxides, halides of alkaline earth metals, oxides of rare earth metals or halides of rare earth metals, organic complexes of alkali metals, organic complexes of alkaline earth metals, organic complexes of rare earth metals One substance can be preferably used.
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)及びCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0〜2.5eV)、及びBa(仕事関数:2.52eV)からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、K、Rb及びCsからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Rb又はCsであり、最も好ましのは、Csである。 More specifically, preferable reducing dopants include Na (work function: 2.36 eV), K (work function: 2.28 eV), Rb (work function: 2.16 eV) and Cs (work function: 1 .95 eV), at least one alkali metal selected from the group consisting of Ca (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV), and Ba (work function: 2.52 eV). Particularly preferred are those having a work function of 2.9 eV or less, including at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of: Among these, a more preferable reducing dopant is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb, and Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. .
これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性ドーパントとして、これら2種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRb或いはCsとNaとKとの組み合わせであることが好ましい。Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。 These alkali metals have particularly high reducing ability, and the addition of a relatively small amount to the electron injection region can improve the light emission luminance and extend the life of the organic EL element. Further, as a reducing dopant having a work function of 2.9 eV or less, a combination of these two or more alkali metals is also preferable. Particularly, a combination containing Cs, such as Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or Cs. And a combination of Na and K. By including Cs in combination, the reducing ability can be efficiently exhibited, and by adding to the electron injection region, the emission luminance and the life of the organic EL element can be improved.
本発明においては、陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Li2O、LiO、Na2S、Na2Se及びNaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、及びCaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及びNaCl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及びBeF2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。 In the present invention, an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer. At this time, current leakage can be effectively prevented and the electron injection property can be improved. As such an insulator, it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides and alkaline earth metal halides. If the electron injection layer is composed of these alkali metal chalcogenides or the like, it is preferable in that the electron injection property can be further improved. Specifically, preferable alkali metal chalcogenides include, for example, Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO, and preferable alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO, SrO, and BeO. , BaS, and CaSe. Further, preferable alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl. Examples of preferable alkaline earth metal halides include fluorides such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 and BeF 2 , and halides other than fluorides.
また、電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZnの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。 Further, an electron transport layer may be provided. As a semiconductor constituting the electron transport layer, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and an oxide containing at least one element of Zn, nitriding One kind or a combination of two or more kinds of substances or oxynitrides. Moreover, it is preferable that the inorganic compound which comprises an electron carrying layer is a microcrystal or an amorphous insulating thin film. If the electron transport layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, and pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides described above.
(5)陰極
陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。
ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmである。
(5) Cathode As the cathode, a material having a small work function (4 eV or less) metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / silver alloy, aluminum / aluminum oxide, aluminum / lithium alloy, indium, rare earth metal, and the like.
This cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
Here, when light emitted from the light-emitting layer is extracted from the cathode, the transmittance of the cathode for light emission is preferably greater than 10%.
The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 200 nm.
(6)絶縁層
有機EL素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
(6) Insulating layer Since an organic EL element applies an electric field to an ultra-thin film, pixel defects are likely to occur due to leakage or short circuit. In order to prevent this, it is preferable to insert an insulating thin film layer between the pair of electrodes.
Examples of materials used for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide, and oxide. Examples include germanium, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and vanadium oxide.
A mixture or laminate of these may be used.
以上、例示した材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機EL素子の作製例を記載する。
As described above, by forming the anode, the light emitting layer, the hole injection layer as necessary, and the electron injection layer as necessary by the exemplified materials and methods, and further forming the cathode, an organic EL device can be produced. . Moreover, an organic EL element can also be produced from the cathode to the anode in the reverse order.
Hereinafter, an example of manufacturing an organic EL element having a structure in which an anode / a hole injection layer / a light emitting layer / an electron injection layer / a cathode are sequentially provided on a translucent substrate will be described.
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。
次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材料)、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10−7〜10−3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
First, a thin film made of an anode material is formed on a suitable light-transmitting substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm.
Next, a hole injection layer is provided on the anode. As described above, the hole injection layer can be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or the like, but a uniform film can be easily obtained and pinholes are hardly generated. From the point of view, it is preferable to form by vacuum deposition. When forming a hole injection layer by vacuum deposition, the deposition conditions vary depending on the compound used (the material of the hole injection layer), the crystal structure of the target hole injection layer, the recombination structure, etc. It is preferable to select appropriately within the range of a source temperature of 50 to 450 ° C., a degree of vacuum of 10 −7 to 10 −3 torr, a deposition rate of 0.01 to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 to 300 ° C., and a film thickness of 5 nm to 5 μm. .
次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。 Next, the formation of the light emitting layer in which the light emitting layer is provided on the hole injection layer is also performed by thinning the organic light emitting material using a desired organic light emitting material by a method such as vacuum deposition, sputtering, spin coating, or casting. However, it is preferably formed by a vacuum deposition method from the viewpoint that a homogeneous film is easily obtained and pinholes are hardly generated. When the light emitting layer is formed by the vacuum vapor deposition method, the vapor deposition condition varies depending on the compound used, but it can be generally selected from the same condition range as that of the hole injection layer.
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
最後に陰極を積層して有機EL素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
これまで記載してきた有機EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
Next, an electron injection layer is provided on the light emitting layer. As with the hole injection layer and the light emitting layer, it is preferable to form by a vacuum evaporation method because it is necessary to obtain a homogeneous film. Deposition conditions can be selected from the same condition range as the hole injection layer and the light emitting layer.
Finally, an organic EL element can be obtained by laminating a cathode.
The cathode is made of metal, and vapor deposition or sputtering can be used. However, vacuum deposition is preferred to protect the underlying organic layer from damage during film formation.
It is preferable that the organic EL device described so far is manufactured from the anode to the cathode consistently by a single vacuum.
本発明の有機EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。また、有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)或いは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。 The formation method of each layer of the organic EL element of the present invention is not particularly limited. Conventionally known methods such as vacuum deposition and spin coating can be used. In addition, the organic thin film layer is known by a coating method such as a vacuum deposition method, a molecular beam deposition method (MBE method) or a solution dipping method dissolved in a solvent, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, a roll coating method, etc. Can be formed by a method.
本発明の有機EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。
尚、有機EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極を+、陰極を−の極性にして、5〜40Vの電圧を印加すると発光が観測できる。また逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が+、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
The film thickness of each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited. Generally, if the film thickness is too thin, defects such as pinholes are likely to occur. Conversely, if it is too thick, a high applied voltage is required and the efficiency is deteriorated. Therefore, the range of several nm to 1 μm is usually preferable.
When a direct current voltage is applied to the organic EL element, light emission can be observed by applying a voltage of 5 to 40 V with the anode set to + and the cathode set to a negative polarity. In addition, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when alternating voltage is applied, uniform light emission is observed only when the anode has a positive polarity and the cathode has a negative polarity. The waveform of the alternating current to be applied may be arbitrary.
本発明の有機EL素子は、色純度のよいナローバンドの発光をし、特に青色発光する素子として優れている。しかも、寿命も改善されている。 The organic EL device of the present invention emits narrow band light with good color purity, and is particularly excellent as a device that emits blue light. In addition, the service life has been improved.
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
尚、各実施例で使用した化合物の性質及び作製した素子は下記の方法で評価した。
(1)エネルギーギャップ:ベンゼン中の吸収スペクトルの吸収端から測定した。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて吸収スペクトルを測定し、その吸収スペクトルが立ち上がり始める波長から算出する。
(2)輝度:分光放射輝度計(CS−1000、ミノルタ製)により測定した。
(3)発光極大波長の発光強度:作製するEL素子と同じ条件で第一発光層及び第二発光層の単層膜をそれぞれ作製し、市販の蛍光測定装置を用いてそれぞれの単層膜の蛍光スペクトルを測定する。得られた第一発光層の蛍光スペクトルから、第一発光層の発光極大波長aにおいて、第一発光層の蛍光強度Iaを測定する。同様に、得られた第二発光層の蛍光スペクトルから、第二発光層の発光極大波長bにおいて、第二発光層の蛍光強度Ibを測定する。
第一発光層と第二発光層の発光極大波長が十分に離れている場合は、EL素子の発光スペクトルにおける、a,bの波長における発光強度Ia,IbがそれぞれI1,I2と近似できる。
第一発光層と第二発光層の発光極大波長が近接している場合は、EL素子全体の発光スペクトルは、第一発光層からの発光スペクトルと第二発光層からの発光スペクトルの和になると仮定できる。
従って、得られた第一発光層の蛍光スペクトルにおいて、波長a、bの蛍光強度I1a、I1bを測定する。同様に、第二発光層の蛍光スペクトルにおいて、波長a,bの蛍光強度I2a、I2bを測定する。I1,I2について以下の式が成り立つ。
Ia=I1*I1a+I2*I2a
Ib=I1*I1b+I2*I2b
上記の式よりI1、I2の比が求められる。
(4)発光効率:マルチメータを用いて測定した電流密度値と輝度(100nit)より算出した。
(5)C.I.E色度座標:(2)と同様に測定して得られる。
(6)半減寿命:初期輝度1000nit、定電流条件下にて封止した素子に対し測定を行った。(室温)
(7)電子移動度:Time of flight法により算出した。具体的には、ITO/有機層(電子注入層等、層厚1〜2μm)/Alの構成としたものについて、光照射により生じる過渡電流の時間特性(過渡特性時間)を測定し、以下の式により電子移動度を算出した。
電子移動度=(有機層厚)2/(過渡特性時間・電界強度)
Examples of the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited to these examples.
In addition, the property of the compound used in each Example and the produced element were evaluated by the following method.
(1) Energy gap: measured from the absorption edge of the absorption spectrum in benzene. Specifically, the absorption spectrum is measured using a commercially available visible ultraviolet spectrophotometer, and the absorption spectrum is calculated from the wavelength at which the absorption spectrum starts to rise.
(2) Luminance: Measured with a spectral radiance meter (CS-1000, manufactured by Minolta).
(3) Luminescence intensity of emission maximum wavelength: A single-layer film of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer is respectively prepared under the same conditions as the EL element to be manufactured, and each single-layer film is formed using a commercially available fluorescence measuring device. Measure the fluorescence spectrum. From the obtained fluorescence spectrum of the first light emitting layer, the fluorescence intensity Ia of the first light emitting layer is measured at the light emission maximum wavelength a of the first light emitting layer. Similarly, the fluorescence intensity Ib of the second light-emitting layer is measured from the obtained fluorescence spectrum of the second light-emitting layer at the light emission maximum wavelength b of the second light-emitting layer.
When the light emission maximum wavelengths of the first light emitting layer and the second light emitting layer are sufficiently separated, the light emission intensities Ia and Ib at the wavelengths a and b in the light emission spectrum of the EL element can be approximated to I1 and I2, respectively.
When the emission maximum wavelengths of the first emission layer and the second emission layer are close to each other, the emission spectrum of the entire EL element is the sum of the emission spectrum from the first emission layer and the emission spectrum from the second emission layer. I can assume.
Accordingly, the fluorescence intensities I1a and I1b of the wavelengths a and b are measured in the obtained fluorescence spectrum of the first light emitting layer. Similarly, the fluorescence intensities I2a and I2b at wavelengths a and b are measured in the fluorescence spectrum of the second light emitting layer. The following equations hold for I1 and I2.
Ia = I1 * I1a + I2 * I2a
Ib = I1 * I1b + I2 * I2b
The ratio of I1 and I2 is obtained from the above formula.
(4) Luminous efficiency: It was calculated from the current density value measured using a multimeter and the luminance (100 nit).
(5) C.I. I. E chromaticity coordinates: obtained by measuring in the same manner as in (2).
(6) Half life: Measurement was performed on an element sealed under an initial luminance of 1000 nit and a constant current condition. (room temperature)
(7) Electron mobility: It was calculated by the Time of flight method. Specifically, for the structure of ITO / organic layer (electron injection layer, etc., layer thickness of 1 to 2 μm) / Al, the time characteristic (transient characteristic time) of the transient current generated by light irradiation was measured, and the following The electron mobility was calculated from the equation.
Electron mobility = (organic layer thickness) 2 / (transient characteristic time / electric field strength)
実施例において使用した化合物を以下に示す。
実施例1
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚60nmのN,N’−ビス(N,N’−ジフェニル−4−アミノフェニル)−N,N−ジフェニル−4,4’−ジアミノ−1,1’−ビフェニル膜(以下「TPD232膜」と略記する。)を成膜した。このTPD232膜は、正孔注入層として機能する。
TPD232膜の成膜に続けて、TPD232膜上に膜厚20nmのN,N,N’,N’−テトラ(4−ビフェニル)−ジアミノビフェニレン層 以下「TBDB層」を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。
さらに、第一発光層のホスト材としてH1を、第一ドーパントとしてD1を、D1:H1の比が1.0:20(重量比)となるように蒸着し、膜厚20nmの層を形成した(第一ドーパント約5.4モル%)。この層は第一発光層として機能する。
さらに、第二発光層のホスト材としてH1を、第二ドーパントとしてD2を、D2:H1の比が1.0:20(重量比)となるように蒸着し、膜厚20nmの層を形成した(第二ドーパント約5.7モル%)。この層は第二発光層として機能する。
この膜上に膜厚10nmのAlq膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。
尚、Alqの電子移動度は、5×10−6cm2/(V・秒)である(E=5×105V/cm)。
この後、還元性ドーパントであるLi(Li源:サエスゲッター社製)とAlqを二元蒸着させ、電子注入層(陰極)としてAlq:Li膜(膜厚10nm)を形成した。このAlq:Li膜上に金属Alを蒸着させ金属陰極を形成し有機EL発光素子を形成した。
Example 1
A glass substrate with an ITO transparent electrode having a thickness of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm (manufactured by Geomatic Co., Ltd.) was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes and then UV ozone cleaning for 30 minutes.
A glass substrate with a transparent electrode line after washing is mounted on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and N, N ′ having a film thickness of 60 nm is first covered so that the transparent electrode is covered on the surface on which the transparent electrode line is formed. -Bis (N, N'-diphenyl-4-aminophenyl) -N, N-diphenyl-4,4'-diamino-1,1'-biphenyl film (hereinafter abbreviated as "TPD232 film") is formed. did. This TPD232 film functions as a hole injection layer.
Subsequent to the formation of the TPD232 film, a 20 nm thick N, N, N ′, N′-tetra (4-biphenyl) -diaminobiphenylene layer, hereinafter referred to as a “TBDB layer”, was formed on the TPD232 film. This film functions as a hole transport layer.
Further, H1 was used as the host material for the first light emitting layer, D1 was used as the first dopant, and the D1: H1 ratio was 1.0: 20 (weight ratio) to form a 20 nm thick layer. (First dopant about 5.4 mol%). This layer functions as the first light emitting layer.
Further, H1 as the host material of the second light emitting layer, D2 as the second dopant, were vapor-deposited so that the ratio of D2: H1 was 1.0: 20 (weight ratio) to form a layer having a thickness of 20 nm. (Second dopant about 5.7 mol%). This layer functions as a second light emitting layer.
An Alq film having a thickness of 10 nm was formed on this film. This functions as an electron injection layer.
The electron mobility of Alq is 5 × 10 −6 cm 2 / (V · sec) (E = 5 × 10 5 V / cm).
Thereafter, Li (Li source: manufactured by Saesgetter Co.), which is a reducing dopant, and Alq were vapor-deposited, and an Alq: Li film (film thickness: 10 nm) was formed as an electron injection layer (cathode). Metal Al was vapor-deposited on the Alq: Li film to form a metal cathode, thereby forming an organic EL light emitting device.
実施例2
第一発光層の膜厚を10nm、D1:H1の比を0.3:10(重量比)とし、第二発光層の膜厚を30nm、D2:H1の比を1.4:30(重量比)とした以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約3.3モル%、第二ドーパント約5.3モル%)。
Example 2
The film thickness of the first light emitting layer is 10 nm, the ratio of D1: H1 is 0.3: 10 (weight ratio), the film thickness of the second light emitting layer is 30 nm, and the ratio of D2: H1 is 1.4: 30 (weight). The organic EL device was produced in exactly the same manner as in Example 1 except for the ratio (first dopant: about 3.3 mol%, second dopant: about 5.3 mol%).
実施例3
第一発光層の膜厚を20nm、D1:H1の比を0.5:20(重量比)とし、第二発光層の膜厚を20nm、D2:H1の比を1.0:20(重量比)とした以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約2.8モル%、第二ドーパント約5.7モル%)。
Example 3
The film thickness of the first light emitting layer is 20 nm, the ratio of D1: H1 is 0.5: 20 (weight ratio), the film thickness of the second light emitting layer is 20 nm, and the ratio of D2: H1 is 1.0: 20 (weight). The organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the ratio was (the first dopant was about 2.8 mol%, the second dopant was about 5.7 mol%).
参考例1
第一発光層の膜厚を20nm、D1の代わりにD2を用い、D2:H1の比を1.0:20(重量比)とし、第二発光層の膜厚を20nm、D2の代わりにD3を用い、D3:H1の比を1.0:20(重量比)とした以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約5.7モル%、第二ドーパント約4.8モル%)。
Reference example 1
The film thickness of the first light emitting layer is 20 nm, D2 is used instead of D1, the ratio of D2: H1 is 1.0: 20 (weight ratio), the film thickness of the second light emitting layer is 20 nm, and D3 is substituted for D2. And an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the ratio of D3: H1 was 1.0: 20 (weight ratio) (first dopant about 5.7 mol%, second dopant). About 4.8 mol%).
参考例2
電子注入層を形成するAlqに代えて、ETM−020を使用した他は、参考例1と同様にして有機EL素子を作製した。
尚、ETM−020の電子移動度は、4×10−4cm2/(V・秒)である(E=5×105V/cm)。
Reference example 2
An organic EL device was produced in the same manner as in Reference Example 1 except that ETM-020 was used instead of Alq for forming the electron injection layer.
The electron mobility of ETM-020 is 4 × 10 −4 cm 2 / (V · sec) (E = 5 × 10 5 V / cm).
比較例1
第一発光層の膜厚を20nm、D1:H1の比を1.0:20(重量比)とし、第二発光層の膜厚を20nm、D2を用いなかった以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約5.4モル%、第二ドーパント0モル%)。
Comparative Example 1
Except for the film thickness of the first light emitting layer being 20 nm, the ratio of D1: H1 being 1.0: 20 (weight ratio), the film thickness of the second light emitting layer being 20 nm, and not using D2, which is exactly the same as in Example 1. Similarly, an organic EL element was produced (first dopant about 5.4 mol%, second dopant 0 mol%).
比較例2
第一発光層の膜厚を20nm、D1の代わりにD2を用い、D2:H1の比を1.0:20(重量比)とし、第二発光層の膜厚を20nm、D2を用いなかった以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約5.7モル%、第二ドーパント0モル%)。
Comparative Example 2
The film thickness of the first light emitting layer was 20 nm, D2 was used instead of D1, the ratio of D2: H1 was 1.0: 20 (weight ratio), the film thickness of the second light emitting layer was 20 nm, and D2 was not used. Except for the above, an organic EL element was produced in exactly the same manner as in Example 1 (first dopant about 5.7 mol%, second dopant 0 mol%).
比較例3
第一発光層の膜厚を20nm、D1の代わりにD2を用い、D2:H1の比を1.0:20(重量比)とし、第二発光層の膜厚を20nm、D1:H1の比を1.0:20(重量比)とした以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約5.7モル%、第二ドーパント約5.4モル%)。
Comparative Example 3
The thickness of the first light emitting layer is 20 nm, D2 is used instead of D1, the ratio of D2: H1 is 1.0: 20 (weight ratio), the thickness of the second light emitting layer is 20 nm, and the ratio of D1: H1 The organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the ratio was 1.0: 20 (weight ratio) (first dopant about 5.7 mol%, second dopant about 5.4 mol%).
比較例4
第一発光層の膜厚を20nm、D1の代わりにD3を用い、D3:H1の比を1.0:20(重量比)とし、第二発光層の膜厚を20nm、D2を用いなかった以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約4.8モル%、第二ドーパント0モル%)。
Comparative Example 4
The film thickness of the first light emitting layer was 20 nm, D3 was used instead of D1, the ratio of D3: H1 was 1.0: 20 (weight ratio), the film thickness of the second light emitting layer was 20 nm, and D2 was not used. Except for the above, an organic EL device was produced exactly as in Example 1 (about 4.8 mol% of the first dopant and 0 mol% of the second dopant).
比較例5
第一発光層の膜厚を20nm、D1の代わりにD3を用い、D3:H1の比を1.0:20(重量比)とし、D2:H1の比を1.0:20(重量比)とした以外は、実施例1と全く同様に有機EL素子を作製した(第一ドーパント約4.8モル%、第二ドーパント約5.7モル%)。
Comparative Example 5
The thickness of the first light emitting layer is 20 nm, D3 is used instead of D1, the ratio of D3: H1 is 1.0: 20 (weight ratio), and the ratio of D2: H1 is 1.0: 20 (weight ratio). Except that, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 (about 4.8 mol% of the first dopant and about 5.7 mol% of the second dopant).
比較例6
第二発光層を、第一発光層と同じ構成にした他は、参考例2と同様にして有機EL素子を作製した。
Comparative Example 6
An organic EL device was produced in the same manner as in Reference Example 2, except that the second light emitting layer had the same configuration as the first light emitting layer.
実施例1〜3、参考例1〜2及び比較例1〜6で作製した有機EL素子について、各有機EL素子の発光層の構成、第一発光層に由来する発光スペクトルの発光極大波長の発光強度(I1)及び前記第二発光層に由来する発光スペクトルの発光極大波長の発光強度(I2)の比(I1/I2)、初期の発光効率、C.I.E色度座標及び半減寿命を測定した。表1に結果を示す。 About the organic EL element produced in Examples 1-3, Reference Examples 1-2, and Comparative Examples 1-6, the structure of the light emitting layer of each organic EL element, light emission of the maximum emission wavelength of the light emission spectrum derived from the first light emitting layer The ratio (I1 / I2) of the intensity (I1) and the emission intensity (I2) at the emission maximum wavelength of the emission spectrum derived from the second emission layer, the initial emission efficiency, C.I. I. E chromaticity coordinates and half-life were measured. Table 1 shows the results.
表1から判るように、エネルギーギャップの大きいドーパントのみを用いた有機EL素子は、色純度は良好であるが発光効率が低く、半減寿命も短かった。逆に、エネルギーギャップが小さいドーパントのみを用いた有機EL素子は発光効率が高く半減寿命も長いが、色純度は悪くフルカラー用途には適さなかった。
しかし、本発明の有機EL素子は単純にエネルギーギャップの大きいドーパントのみを用いた場合と比べて寿命・発光効率ともに改善しており、色純度もほとんど変わらなかったため、フルカラー用途にきわめて適していることが明らかになった。
さらに、参考例2及び比較例6において、電子注入層に、電子移動度が高いETM−020を使用したことで、第一発光層のみを発光させること(I2=0)ができた。この場合において、第一ドーパントと第二ドーパントのエネルギーギャップが、本発明の要件を満たすことによって、半減寿命を著しく向上でき、本発明の効果は絶大であることが確認できた。
As can be seen from Table 1, the organic EL device using only the dopant having a large energy gap had good color purity but low luminous efficiency and short half-life. Conversely, an organic EL device using only a dopant having a small energy gap has high luminous efficiency and long half-life, but has poor color purity and is not suitable for full-color applications.
However, the organic EL device of the present invention has improved lifetime and luminous efficiency compared with the case where only a dopant having a large energy gap is used, and the color purity is almost the same, so that it is very suitable for full color applications. Became clear.
Furthermore, in Reference Example 2 and Comparative Example 6, by using ETM-020 having a high electron mobility for the electron injection layer, only the first light emitting layer could emit light (I2 = 0). In this case, when the energy gap between the first dopant and the second dopant satisfies the requirements of the present invention, the half-life can be remarkably improved, and it has been confirmed that the effect of the present invention is enormous.
本発明によれば、色純度の高いナローバンド発光をし、長寿命である有機EL素子を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an organic EL element that emits narrow band light with high color purity and has a long lifetime.
1 有機EL素子
2 陽極
3 第一発光層
4 第二発光層
5 陰極
Egh1 第一ホスト材料のエネルギーギャップ
Egd1 第一ドーパントのエネルギーギャップ
Egh2 第二ホスト材料のエネルギーギャップ
Egd2 第二ドーパントのエネルギーギャップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (9)
少なくとも第一ホスト材料と第一ドーパントからなる第一発光層と、
少なくとも第二ホスト材料と第二ドーパントからなる第二発光層と、
陰極と、
をこの順序に含み、
前記第一ホスト材料と前記第二ホスト材料が同一であり、
前記第一ホスト材料のエネルギーギャップEgh1、前記第一ドーパントのエネルギーギャップEgd1、前記第二ホスト材料のエネルギーギャップEgh2及び前記第二ドーパントのエネルギーギャップEgd2が下記式を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Egh1>Egd1
Egh2>Egd2
Egd1>Egd2>2.7eV The anode,
A first light emitting layer comprising at least a first host material and a first dopant;
A second light emitting layer comprising at least a second host material and a second dopant;
A cathode,
In this order,
The first host material and the second host material are the same;
The energy gap E gh 1 of the first host material, the energy gap E gd 1 of the first dopant, the energy gap E gh 2 of the second host material, and the energy gap E gd 2 of the second dopant satisfy the following formula: An organic electroluminescence device characterized by that.
E gh 1> E gd 1
E gh 2> E gd 2
E gd 1> E gd 2> 2.7 eV
mは1〜5の整数、nは0〜6の整数である。m≧2の時、Arはそれぞれ同じでも異なっていても良い。n≧2の時、Xはそれぞれ同じでも異なっていても良い。] It said first and second host materials is organic electroluminescent device according to claim 1 which is a compound represented by the following general formula [1].
m is an integer of 1 to 5, and n is an integer of 0 to 6. When m ≧ 2, Ar may be the same or different. When n ≧ 2, X may be the same or different. ]
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