JP5123003B2 - Inspection apparatus and inspection method - Google Patents
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Description
本発明は、主に半導体の製造工程で使用される半導体検査装置及び検査方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor inspection apparatus and inspection method mainly used in a semiconductor manufacturing process.
半導体製造工程では、半導体基板(ウエハ)上に異物やパターン欠陥が存在すると配線の絶縁不良や短絡などの不良の原因になる。 In a semiconductor manufacturing process, if foreign matter or pattern defects exist on a semiconductor substrate (wafer), it may cause defects such as wiring insulation failure or short circuit.
さらに半導体素子の微細化に伴い微細な異物が存在すると、より微細な異物がキャパシタの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因にもなる。 Further, when fine foreign matter is present as the semiconductor element is miniaturized, the finer foreign matter may cause failure of insulation of the capacitor or destruction of the gate oxide film.
これらの異物は、搬送装置の可動部から発生するものや、人体から発生するもの、プロセスガスにより処理装置内で反応生成されたもの、薬品や材料の混入していたものなど種々の状態で混入される。 These foreign substances are mixed in various states, such as those generated from the moving parts of the transfer device, those generated from the human body, those generated by reaction in the processing apparatus by the process gas, and those containing chemicals and materials. Is done.
同様に液晶表示素子の製造工程においても、パターン上に異物が付着したり、何らかの欠陥が生じると表示素子として使えないものになってしまう。プリント基板の製造工程でも状況は同じであって、異物の付着はパターンの短絡,不良接続の原因になる。 Similarly, in the manufacturing process of the liquid crystal display element, if a foreign substance adheres to the pattern or some defect occurs, the liquid crystal display element cannot be used as a display element. The situation is the same in the manufacturing process of the printed circuit board, and the adhesion of foreign matters causes short circuit of the pattern and defective connection.
従来この種の半導体基板上の微細な異物や欠陥を高速,高感度で検出する技術の1つとして、特許文献1に記載されているように、半導体基板上にレーザを照射して半導体基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの散乱光を検出し、直前に検査した同一品種半導体基板の検査結果と比較することにより、パターンによる虚報を無くし、高感度かつ高信頼度な異物及び欠陥検査を可能にするものが開示されている。
Conventionally, as one of techniques for detecting fine foreign matters and defects on a semiconductor substrate of this kind at high speed and with high sensitivity, as described in
特許文献1のように、被検査基板の比較検査を高速,高感度で行う為には、高精度な検査ステージと位置補正制御技術を必要としていた。前記の様なステージ位置補正技術の例としては、半導体製造装置の例として、特許文献2に記載されている、基準マスクを使用したXYステージの位置補正制御方法の例がある。
As in
従来技術では、微細化する半導体基板上の異物やパターン欠陥を高速で検出する為には、検査画像上に投影される検査ステージの位置ズレ量を極力小さくする必要があり、より高速で、より高精度な検査ステージが必要とされてきた。 In the prior art, in order to detect foreign matter and pattern defects on a semiconductor substrate to be miniaturized at high speed, it is necessary to minimize the amount of positional deviation of the inspection stage projected on the inspection image. A highly accurate inspection stage has been required.
また、前記検査ステージの精度向上に伴うコストUPを抑える必要があった。 In addition, it is necessary to suppress the cost increase accompanying the improvement of the accuracy of the inspection stage.
本発明は、上記の課題に対処し、ステージの位置ズレ補正制御だけに頼ることなく、被検査物を撮影した撮像画像の位置補正や被検査物を撮影するイメージセンサの向きを調整補正する等の対応により、異物やパターン欠陥が高速・高精度に検出でき、コストUPが抑制できる検査方法および検査装置を提供することを目的とする。 The present invention addresses the above-described problems and adjusts and corrects the position correction of a captured image obtained by photographing the object to be inspected and the orientation of the image sensor for photographing the object to be inspected without relying solely on the stage misalignment correction control. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an inspection method and an inspection apparatus that can detect foreign matter and pattern defects with high speed and high accuracy, and can suppress cost increase.
本発明は、移動するステージに搭載されている被検査物をイメージセンサで撮影して検査する検査方法において、撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実位置との位置ズレ量を求め、前記目標位置での撮影では、前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサの向きを調整補正することを特徴とする。 The present invention provides an inspection method in which an inspected object mounted on a moving stage is imaged and inspected by an image sensor to obtain a positional deviation amount between the target position and the actual position of the stage moving toward imaging, In photographing at the target position, the orientation of the image sensor relative to the object to be inspected is adjusted and corrected according to the amount of positional deviation.
また、本発明は、移動するステージに搭載されている被検査物をイメージセンサで撮影する検査方法において、撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実際位置との位置ズレ量を求め、撮影した前記目標位置の撮影範囲からの撮像画像切り出しで、前記位置ズレ量に見合った切り出し位置補正をすることを特徴とする。 Further, the present invention relates to an inspection method in which an inspection object mounted on a moving stage is imaged with an image sensor, and the positional deviation amount between the target position and the actual position of the stage moving toward imaging is obtained and imaged. When the captured image is cut out from the shooting range of the target position, the cut-out position correction corresponding to the positional deviation amount is performed.
本発明によれば、異物やパターン欠陥が高速・高精度に検出でき、コストUPを抑えることができる。 According to the present invention, foreign matter and pattern defects can be detected with high speed and high accuracy, and the cost can be suppressed.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
以下の図において、同等の機能部分には同じ符号を付して説明する。 In the following drawings, equivalent functional parts will be described with the same reference numerals.
次に本発明の実施例1に係る検査装置の装置構成について図1〜図5を用いて説明する。 Next, the apparatus configuration of the inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
欠陥検査装置の実施の形態から述べる。 An embodiment of the defect inspection apparatus will be described.
欠陥検査装置は、被検査基板1を搭載し、被検査基板上にスリット状に照射したスリット状照明領域であるビームスポット3及びイメージセンサの検出領域4、被検査基板内の検査領域をXY方向に走査し光学系に対し相対移動ができるXステージ301,Yステージ302,被検査基板表面にピントを合わせることができるZステージ303,シータ(θ)ステージ304およびステージコントローラ305から構成されるステージ部300を有する。
The defect inspection apparatus includes a
また、レーザ光源,ビームエキスパンダ,光学フィルタ群及びミラー,ガラス板と切換可能な光学分岐要素(またはミラー),ビームスポット結像部から構成される照明光学系100を有する。
The illumination
さらに、検出レンズ201,空間フィルタ202,結像レンズ203,ズームレンズ群204,1次元イメージセンサ(イメージセンサ)205,イメージセンサの検出領域を観察できる上方検察系206,偏光ビームスプリッター209,2センサ同時検査をするための分岐検出光学系210から構成される検出光学系200を有する。
Further, a
さらに、また、A/D変換部,遅延させることができるデータメモリ,チップ間の信号の差をとる差分処理回路,チップ間の差信号を一時記憶するメモリ,パターン閾値を設定する閾値算出処理部,比較回路より構成される信号処理部402,異物等の欠陥検出結果を記憶すると共に欠陥検出結果を出力する出力手段,モータ等の駆動,座標,センサを制御する制御CPU部401,表示部403および入力部404より構成される制御系400を有する。
Furthermore, an A / D conversion unit, a data memory that can be delayed, a difference processing circuit that takes a signal difference between chips, a memory that temporarily stores a difference signal between chips, a threshold value calculation processing unit that sets a pattern threshold value , A
照明光学系100のレーザ光源として、高出力のYAGレーザの第3高調波THG,波長355nmを用いるのがよいが、必ずしも355nmである必要はない。すなわち、レーザ光源Arレーザ,窒素レーザ,He−Cdレーザ,エキシマレーザ等他の光源であっても良い。
As the laser light source of the illumination
1次元イメージセンサ205はCCDまたはTDI(Time Delay Integration:遅延積算)センサであってもよい。CCDの場合は画素サイズが10μm程度であるため線状検出と考えてよく、走査方向にピントが合ってない画像を取り込むことによる感度低下がない。
The one-
一方TDIでは走査方向に一定画素分の画像の積算があるため照明幅を小さくするまたはTDIセンサを傾けるなどの対策によってピントが合ってない画像を取り込む量を低減することが望ましい。 On the other hand, in TDI, since images for a certain number of pixels are accumulated in the scanning direction, it is desirable to reduce the amount of images that are not in focus by taking measures such as reducing the illumination width or tilting the TDI sensor.
図1の左下に座標系を示す。平面上にXY軸をとり、垂直上方にZ軸をとる。検出光学系200の光軸はZ軸に沿って配置されている。
The coordinate system is shown in the lower left of FIG. The XY axis is taken on the plane, and the Z axis is taken vertically upward. The optical axis of the detection
先ず、図2を参照して、本発明の実施例による欠陥検査装置の検査の対象である試料について説明する。 First, with reference to FIG. 2, a sample that is an inspection target of the defect inspection apparatus according to the embodiment of the present invention will be described.
図2(a)に示す被検査基板1aは、所定の間隔で2次元に配列したメモリLSIチップ1aaを有する。メモリLSIチップ1aaは、主として、メモリセル領域1ab,デコーダやコントロール回路等からなる周辺回路領域1ac、及び、その他の領域1adを有する。 A substrate 1a to be inspected shown in FIG. 2A has memory LSI chips 1aa arranged two-dimensionally at a predetermined interval. The memory LSI chip 1aa mainly has a memory cell area 1ab, a peripheral circuit area 1ac composed of a decoder, a control circuit, and the like, and another area 1ad.
メモリセル領域1abは、2次元に規則的に配列した、即ち、繰り返しのメモリセルパターンを有する。周辺回路領域1acは、2次元的に規則的に配列されていない非繰り返しパターンを有する。 The memory cell region 1ab has a two-dimensional regular arrangement, that is, a repeated memory cell pattern. Peripheral circuit region 1ac has a non-repetitive pattern that is not regularly arranged two-dimensionally.
図2(b)に示す被検査基板1bは、所定の間隔で2次元に配列したマイコン等のLSIチップ1baを有する。 A substrate to be inspected 1b shown in FIG. 2B has LSI chips 1ba such as a microcomputer arranged two-dimensionally at a predetermined interval.
マイコン等のLSIチップ1baは、主として、レジスタ群領域1bb,メモリ部領域1bc,CPUコア部領域1bd、及び、入出力部領域1beを有する。なお、図2(b)は、メモリ部領域1bcとCPUコア部領域1bdと入出力部領域1beの配列を概念的に示したものである。 An LSI chip 1ba such as a microcomputer mainly includes a register group area 1bb, a memory area 1bc, a CPU core area 1bd, and an input / output area 1be. FIG. 2B conceptually shows the arrangement of the memory area 1bc, the CPU core area 1bd, and the input / output area 1be.
レジスタ群領域1bbおよびメモリ部領域1bcは、2次元に規則的に配列した、即ち、繰り返しのパターンを有する。CPUコア部領域1bdおよび入出力部領域1beは、非繰り返しパターンを有する。 The register group region 1bb and the memory portion region 1bc are regularly arranged in two dimensions, that is, have a repetitive pattern. The CPU core area 1bd and the input / output area 1be have non-repeating patterns.
このように、本発明の実施例による欠陥検査装置の被検査対象物は、図2に示した被検査基板(ウエハ)1のように、規則的に配列されたチップを有するが、チップ内においては、最小線幅が領域毎に異なり、しかも繰り返しパターン及び非繰り返しパターンを含み、様々な形態が考えられる。 As described above, the inspection target of the defect inspection apparatus according to the embodiment of the present invention has chips regularly arranged as in the inspection target substrate (wafer) 1 shown in FIG. The minimum line width is different for each region, and includes various patterns including a repetitive pattern and a non-repetitive pattern.
図3を参照して、照明光学系100の第1から第3までの3つのビームスポット結像部110,120,130について説明する。
With reference to FIG. 3, the first to third beam
図3は、被検査基板を上から見た図である。 FIG. 3 is a view of the substrate to be inspected from above.
第1のビームスポット結像部110を経由してX軸方向の検査用照明光11が照射され、第2のビームスポット結像部120を経由してY軸に対して−45度傾斜した方向の検査用照明光12が照射され、第3のビームスポット結像部130を経由してY軸に対して45度傾斜した方向の検査用照明光13が照射される。
The
被検査基板上の非繰り返しパターンは、主として、平行及び直角に形成された直線状パターンからなる。これらの直線状パターンは、X軸又はY軸方向に延びている。被検査基板1上のパターンは、突出して形成されているため、隣接する直線状パターンの間には凹部が形成される。
The non-repeating pattern on the substrate to be inspected mainly consists of linear patterns formed in parallel and at right angles. These linear patterns extend in the X-axis or Y-axis direction. Since the pattern on the
従って、X軸及びY軸に対して45度傾斜した方向から照射した検査用照明光12,13は、突出した回路パターンによって遮られ、直線状パターンの間の凹部を照射することができない。
Therefore, the
これらの検査用照明光11,12,13は、被検査基板上の表面に対して所定の仰角αにて傾斜して照射される。特に、検査用照明光12,13の仰角αを小さくすることによって、透明薄膜下面からの散乱光の検出量を低減することができる。
These
これらの検査用照明光11,12,13によって、被検査基板上に細長いビームスポット3が形成される。ビームスポット3は、Y軸方向に沿って延びている。ビームスポット3のY軸方向の長さは、検出光学系200の1次元イメージセンサ205のイメージセンサの検出領域4より大きい。
These inspection illumination lights 11, 12, 13 form an
照明光学系100に、3つのビームスポット結像部110,120,130を設けた理由について説明する。検査用照明光12,13をXY平面上に投影した像がX軸となす角をそれぞれφ1,φ2とすると、本例では、φ1=φ2=45度である。
The reason why the three beam
それによって、被検査基板上の非繰り返しパターンの主たる方向はX軸又はY軸の直線状パターンであるため、パターンに対して45度方向から入射される。 As a result, the main direction of the non-repeated pattern on the substrate to be inspected is an X-axis or Y-axis linear pattern, and is incident on the pattern from a 45 degree direction.
このため0次の回折光はX軸又はY軸は方向の成分として検出レンズ201の入射瞳に入ることになるが、照明仰角αが低角度の場合は正反射光も低角度αのためX軸又はY成分の回折光も同様に検出レンズ201の入射瞳の領域から離れるので検出光学系200に入射することが回避できるもので、例えば、特許3566589号(特に0033欄から0036欄参照)に詳細に記載されており、ここではその説明は省略する。
For this reason, the 0th-order diffracted light enters the entrance pupil of the
被検査基板上の非繰り返しパターンは、主として、平行及び直角に形成された直線状パターンからなる。これらの直線状パターンは、X軸又はY軸方向に延びている。被検査基板上のパターンは、突出して形成されているため、隣接する直線状パターンの間には凹部が形成される。 The non-repeating pattern on the substrate to be inspected mainly consists of linear patterns formed in parallel and at right angles. These linear patterns extend in the X-axis or Y-axis direction. Since the pattern on the substrate to be inspected is formed to protrude, a recess is formed between adjacent linear patterns.
従って、X軸及びY軸に対して45度傾斜した方向から照射した検査用照明光12,13は、突出した回路パターンによって遮られ、直線状パターンの間の凹部を照射することができない。 Therefore, the inspection illumination lights 12 and 13 irradiated from the direction inclined by 45 degrees with respect to the X axis and the Y axis are blocked by the protruding circuit pattern and cannot irradiate the concave portion between the linear patterns.
そこで、X軸方向に沿った検査用照明光11を生成する第1のビームスポット結像部110を設けた。こうして検査用照明光11によって、直線状パターンの間の凹部を照射することができるため、そこに存在する異物等の欠陥を検出することができる。
Therefore, a first beam
直線状パターンの方向により、試料を90度回転させて検査するか、検査用照明光11を、Y軸方向に沿って照射してよい。
Depending on the direction of the linear pattern, the sample may be inspected by rotating 90 degrees, or the
なお、検査用照明光11のように、X軸方向に沿って照射し、直線状パターンの間の凹部を照射する場合には、イメージセンサが0次の回折光を検出しないように0次の回折光を遮光する必要がある。そのために、空間フィルタ202が設けられる。
In addition, when irradiating along the X-axis direction and irradiating the concave portions between the linear patterns as in the case of the
図4及び図5を参照して、細長いビームスポット3を形成する方法を説明する。
A method for forming the
図4及び図5、照明光学系100のうち、レーザ光源101,凹レンズ102,凸レンズ103、及び、照明レンズ104のみを示し、他の構成要素は省略している。
4 and 5, only the
照明レンズ104は、円錐曲面を持つシリンドリカルレンズであり、図4(a)に示すように、長手方向に沿って、直線的に焦点距離が変化し、図4(b)に示すように、平面凸レンズの断面を有する。
The
図5に示すように、被検査基板に対して傾斜して入射する照明光に対しても、Y方向に絞り込み、X方向にコリメートされたスリット状のビームスポット3を生成することができる。被検査基板の表面に対する照明光の角度をα1,被検査基板上に投射された検査用照明光11の像がX軸となす角をφ1とする。
As shown in FIG. 5, it is possible to generate a slit-shaped
このような照明レンズ104を用いることにより、X方向に平行光を有し、かつφ1=45度付近の照明を実現することができる。円錐曲面を有する照明レンズ104の製造方法等については、例えば、特許3566589号公報(特に段落番号0027欄から段落番号0028欄参照)に詳細に記載されており、公知の方法で製造可能である。
By using such an
さらに、図6〜図10及び図14を用いて、実施例1を詳しく説明する。この実施例は本発明に係わる画像処理に関するものである。 Furthermore, Example 1 is demonstrated in detail using FIGS. 6-10 and FIG. This embodiment relates to image processing according to the present invention.
本実施例の目的は、ステージの目標位置に対する位置ズレ量を、画像処理で撮像範囲の位置合せを行い、高精度ステージで検査したのと同等以上の効果を得る実施例である。 The object of the present embodiment is an embodiment in which the positional deviation amount with respect to the target position of the stage obtains an effect equal to or higher than that obtained by performing the alignment of the imaging range by image processing and inspecting with the high precision stage.
図6は、図1のステージ部300の一部詳細図である。
FIG. 6 is a partial detail view of the
図7は、Xステージ302,Yステージ301を目標座標へ移動させる為のステージ原点移動距離設定マップである。
FIG. 7 is a stage origin moving distance setting map for moving the
図8は、図7の移動距離設定マップにそってXステージ302,Yステージ301を移動させた際の、ステージ原点からの実際の移動距離を測定したマップである。
FIG. 8 is a map obtained by measuring the actual movement distance from the stage origin when the
図9は、本実施例の装置構成を示した図であり、図1の装置構成に記憶部405と画像処理部406を追加した構成図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a device configuration of the present embodiment, and is a configuration diagram in which a
図10は、検査時の撮像範囲600と位置補正後の比較検査画像610と画像比較検査結果620を示した図である。
FIG. 10 is a diagram showing an
図14は、本実施例のフローチャートを示した図である。 FIG. 14 shows a flowchart of the present embodiment.
以下、図14のフローチャートに沿って本実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to the flowchart of FIG.
ステップS1として、図6に示すステージ部300にレーザ測長器310〜314をセットする。レーザ測長器310〜314は、ステージ位置ずれ量測定後に取り外してもよいが、ステージ部300に実装したままでも良い。
As step S1, laser
又、多少精度は落ちるが、Xステージ302,Yステージ301にそれぞれリニアスケール320,321を配置しても良い。
Further, although the accuracy is somewhat lowered,
ステップS2として、図6に示すステージ部300のXステージ302,Yステージ301を、図7の移動距離設定マップにそって、移動目標位置A1に対し一定ピッチ(X1,Y1)で移動させる。
As step S2, the
移動距離設定マップにそった移動量は、Xステージ302及びYステージ301のエンコーダ又は、ステージ用リニアスケール320,321の座標を用いてもよい。この時、図8に示す実際に移動した位置A1´の移動位置(X1´,Y1´)を測定する。
For the movement amount along the movement distance setting map, the encoders of the
同様に移動目標位置Anに対し一定ピッチ(Xn,Yn)で移動させ、実際に移動した位置An´の移動位置(Xn´,Yn´)を測定し、図8のステージ原点からの移動距離マップを完成させる。 Similarly, it is moved at a constant pitch (Xn, Yn) with respect to the movement target position An, the movement position (Xn ′, Yn ′) of the actually moved position An ′ is measured, and the movement distance map from the stage origin in FIG. To complete.
ステップS3として、ステップS2で採取したデータから移動目標位置に対する実際の移動量の差分ΔX,ΔYを求める。計算式の例を次に示す。 As step S3, the difference ΔX, ΔY of the actual movement amount with respect to the movement target position is obtained from the data collected in step S2. An example of the calculation formula is shown below.
(例)
Xステージ302の差分ΔX=(X1)−(X1´) (数1)
Yステージ301の差分ΔY=(Y1)−(Y1´) (数2)
図7のステージ原点からの移動距離測定マップの測定ピッチを細かくすることにより、被検査基板1の繰り返しパターンとのピッチずれによる位置ずれ量を、極力小さく抑えることが出来る。
(Example)
Difference ΔX of
Difference of
By making the measurement pitch of the movement distance measurement map from the stage origin in FIG. 7 fine, the amount of positional deviation due to the pitch deviation from the repetitive pattern of the
ステップS4として、ステージ位置ずれ量の差分ΔX,ΔYを、検査画像の位置補正値ΔX´,ΔY´として図9に示す記憶部405に記憶する。ステップS5として、図9に示す被検査基板1を検査し、図10に示す撮像範囲600内の検査画像601〜604を取り込む。
In step S4, the difference ΔX, ΔY in the stage position deviation amount is stored in the
ステップS6として、図9に示す画像処理部406にて、撮像範囲600から切り出し検査画像611〜614を切り出し、比較検査画像610を作成する。この切り出しでは、先に記憶部405に記憶した検査画像の位置補正値ΔX´,ΔY´による補正が行われるので、位置ずれ量が是正された比較検査画像610になる。
In step S <b> 6, the
目標位置の撮像範囲600は、ステージ位置ずれ量(位置ズレ量)を見込んで切り出す撮影画像(切り出し検査画像)よりも大きくとっているので、検査範囲全体をカバーした検査画像を切り出すことができる。
Since the
ステップS7として、比較検査画像610を図9に示す信号処理部402で比較処理し、図10に示す画像比較検査結果620から異物,欠陥A,欠陥Bを検出する。ステップS8として、ステップS7の検出結果を表示部403にて表示する。
In step S7, the
本方式は、図9に示すズームレンズ群204にて被検査基板1を拡大して検査することにより、微小なステージの位置ずれ量を拡大して認識することが出来る。
In this method, the inspected
例えば、ステージ位置ずれ量が5μmあり、ズームレンズの倍率が5倍〜20倍あるとすると、ステージの位置ずれ量は25μm〜100μmに拡大して認識することが出来る。逆にズームレンズ倍率が低倍の方が移動量は少なく制御し易い。 For example, if the stage displacement amount is 5 μm and the zoom lens magnification is 5 to 20 times, the stage displacement amount can be enlarged to 25 μm to 100 μm and recognized. Conversely, when the zoom lens magnification is low, the amount of movement is small and control is easy.
このことから、ステージ位置ずれ量に対する位置補正の要求精度を緩和することが出来、検査画像で容易に位置補正することが出来る。さらに、ステージ位置ずれ量を検査画像で容易に位置補正出来ることから、ステージ要求精度を緩和することも出来る。 Therefore, the required accuracy of position correction with respect to the stage position deviation amount can be relaxed, and the position correction can be easily performed with the inspection image. Furthermore, the stage required accuracy can be relaxed because the position deviation amount can be easily corrected by the inspection image.
さらに、Xステージ302,Yステージ301から離れたθステージ304または、その近傍を直接レーザ測調器で計測する為、ステージのヨーイング,ピッチング,ローリングによる位置ずれ量の補正精度を向上することが出来る。
Furthermore, since the
また、従来の高精度ステージを用いた検査画像による位置補正をしていない比較検査では、イメージセンサの比較画素数にステージの位置ずれ量を考慮した比較処理、例えば3画素分の位置ずれ量を含めた比較処理が必要であったが、本方式では、イメージセンサの比較画素数を1画素で比較処理することが出来る為、画像比較精度が向上し、従来比較処理で見逃していた異物,欠陥を検出することが出来る様になる。 Further, in the comparative inspection in which the position correction is not performed by the inspection image using the conventional high-precision stage, a comparison process in which the position displacement amount of the stage is considered in the comparison pixel number of the image sensor, for example, the displacement amount for 3 pixels is set. In this method, the number of comparison pixels of the image sensor can be compared with a single pixel, so the image comparison accuracy is improved and foreign objects and defects that have been missed in the conventional comparison process. Can be detected.
さらに、アンダーサンプリング時はサブピクセル合せを行うことにより、1画素以内での比較処理をすることもできる。 Further, by performing sub-pixel alignment during undersampling, it is possible to perform comparison processing within one pixel.
また、従来方式ではDF(ダークフィールド)検査装置ゆえの問題として、パターンの暗いところやサチレーションを起こした部分の検査画像の位置ずれにより、その近傍を検査する為には非検査領域にするか低感度で検査する必要があったが、本方式では、非検査領域や低感度領域を小さく出来る効果がある。 Further, in the conventional method, as a problem due to the DF (dark field) inspection apparatus, a non-inspection area is low or low in order to inspect the vicinity of a dark part of a pattern or a position where an inspection image of a saturated part is misaligned. Although it is necessary to inspect with sensitivity, this method has an effect of reducing the non-inspection region and the low sensitivity region.
本方式は、XYステージとイメージセンサを備えた装置であれば、繰り返しパターンがあって比較検査する装置に好適の方法である。 This system is a method suitable for an apparatus that has a repetitive pattern and performs comparative inspection as long as the apparatus includes an XY stage and an image sensor.
図6〜9,図11〜13,図15を用いて、本発明に係わる撮像範囲の制御に関する実施例を説明する。 Embodiments relating to imaging range control according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 9, FIGS. 11 to 13, and FIG. 15.
本実施例の目的は、ステージの目標位置に対する位置ズレ量を、イメージセンサで位置補正制御することで検査画像の位置合せを行い、高精度ステージで検査したのと同等以上の効果を得ることにある。 The purpose of this embodiment is to align the inspection image by controlling the position shift amount with respect to the target position of the stage with an image sensor, and to obtain an effect equivalent to or higher than that of the inspection with a high-precision stage. is there.
図6〜図9は実施例1で説明している為、説明を省略する。 Since FIG. 6 to FIG. 9 are described in the first embodiment, description thereof is omitted.
図11は、本実施例2の装置構成を示した図である。 FIG. 11 is a diagram illustrating an apparatus configuration of the second embodiment.
図12は、本実施例のイメージセンサ位置補正部の詳細図である。 FIG. 12 is a detailed diagram of the image sensor position correction unit of the present embodiment.
図13は、検査時の撮像範囲700と位置補正後の比較検査画像710と画像比較検査結果720を示した図である。
FIG. 13 is a diagram showing an
図15は、本実施例のフローチャートを示した図である。 FIG. 15 is a diagram showing a flowchart of the present embodiment.
以下、図15のフローチャートにそって本実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to the flowchart of FIG.
ステップS11として、図6に示すステージ部300にレーザ測長器310〜314をセットする。
As step S11, the laser
レーザ測長器310〜314は、ステージ位置ずれ量測定後に取り外してもよいが、ステージ部300に実装したままでも良い。
The laser
ステップS12として、図6に示すステージ部300のXステージ302,Yステージ301を、図7の移動距離設定マップにそって、移動目標位置A1に対し一定ピッチ(X1,Y1)で移動させる。
As step S12, the
この時、図8に示す実際に移動した位置A1´の移動位置(X1´,Y1´)を測定する。 At this time, the movement position (X1 ′, Y1 ′) of the actually moved position A1 ′ shown in FIG. 8 is measured.
同様に移動目標位置Anに対し一定ピッチ(Xn,Yn)で移動させ、実際に移動した位置An´の移動位置(Xn´,Yn´)を測定し、図8のステージ原点からの移動距離マップを完成させる。 Similarly, it is moved at a constant pitch (Xn, Yn) with respect to the movement target position An, the movement position (Xn ′, Yn ′) of the actually moved position An ′ is measured, and the movement distance map from the stage origin in FIG. To complete.
ステップS13として、ステップS12で採取したデータから移動目標位置に対する実際の移動量の差分ΔX,ΔYを求める。計算式は、前記実施例1記載の(数1),(数2)を用いる。 In step S13, the difference ΔX, ΔY of the actual movement amount with respect to the movement target position is obtained from the data collected in step S12. As the calculation formula, (Equation 1) and (Equation 2) described in Example 1 are used.
ステップS14として、ステージ位置ずれ量の差分ΔX,ΔYを、イメージセンサ205の位置補正値ΔX´,ΔY´として図11に示す記憶部405に記憶する。
In step S14, the difference ΔX, ΔY in the stage position deviation amount is stored in the
ステップS15として、記憶部405に記憶した図13に示す前記イメージセンサ205の位置補正値ΔX´,ΔY´,ΔX1´,ΔY1´,ΔX2´,ΔY2´,ΔX3´,ΔY3´を参照し、制御CPU部401で図13に示す撮像範囲700内の検査画像701〜704の様に、図12に示すイメージセンサ位置補正部500で位置補正制御をしながら被検査基板1の検査動作を行う。
In step S15, control is performed by referring to the position correction values ΔX ′, ΔY ′, ΔX1 ′, ΔY1 ′, ΔX2 ′, ΔY2 ′, ΔX3 ′, ΔY3 ′ of the
イメージセンサ位置補正部500は、XY補正機構501、X軸モータ502、Y軸モータ503を有する。
The image sensor
イメージセンサ位置補正部500は、前述した位置ズレ量(ステージの目標位置と実位置との差分量)の調整補正をする。イメージセンサ205は、XY補正機構501によりX軸・Y軸の方向にステージと平行に移動して位置ズレ量の調整補正が行われる。
The image sensor
この平行移動の方式に代えて、ステージに対する向き角度調整により位置ズレ量の調整補正が行なわれるようにすることも可能である。 Instead of this parallel movement method, it is also possible to perform adjustment correction of the positional deviation amount by adjusting the orientation angle with respect to the stage.
さて、ΔX´,ΔY´,ΔX1´,ΔY1´,ΔX2´,ΔY2´,ΔX3´,ΔY3´の関係は、隣接した画像の位置補正量を示す。ステップS16として、画像処理部406にてステップS15で取り込んだイメージセンサ検査画像711〜714から、比較検査画像710を作成する。
Now, the relationship of ΔX ′, ΔY ′, ΔX1 ′, ΔY1 ′, ΔX2 ′, ΔY2 ′, ΔX3 ′, ΔY3 ′ indicates the position correction amount of the adjacent image. In step S16, a
比較検査画像710を図11に示す信号処理部402で比較処理し、図13に示す画像比較検査結果720から異物,欠陥A,欠陥Bを検出する。ステップS17として、ステップS16の検出結果を表示部403にて表示する。本方式は、実施例1の画像処理時間の短縮と実行ステップ数の削減効果が得られる。
The
本発明の応用として、実施例1と実施例2を組み合わせた使用方法でも良い。例えば、Xステージ302の位置ずれ量を実施例1の画像処理で補正し、Yステージ301の位置ずれ量を実施例2のイメージセンサ撮像範囲で位置補正する方式でも良い。
As an application of the present invention, a usage method combining the first embodiment and the second embodiment may be used. For example, a method of correcting the positional deviation amount of the
又は、Xステージ302の位置ずれ量を実施例2のイメージセンサ撮像範囲で位置補正し、Yステージ301の位置ずれ量を実施例1の画像処理で位置補正する方式でも良い。
Alternatively, a method may be used in which the positional deviation amount of the
すなわち、上記の実施例1と実施例2を組み合わせた応用例は、言い換えると、X軸・Y軸の座標を縦横に移動するステージに搭載される被検査物をイメージセンサで撮影する検査方法において、撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実位置との位置ズレ量を前記座標上で求め、被検査物に対するイメージセンサの向きは、座標上の一方軸側分の位置ズレ量に見合う調整補正をし、撮影した目標位置の撮影範囲からの画像切り出しでは、座標上の他方軸側分の位置ズレ量に見合う切り出し位置補正をするものである。 In other words, the application example in which the first embodiment and the second embodiment are combined is, in other words, an inspection method in which an object to be inspected mounted on a stage that moves the X-axis / Y-axis coordinates vertically and horizontally is imaged by an image sensor. The amount of positional deviation between the target position and the actual position of the stage moving toward photographing is obtained on the coordinates, and the orientation of the image sensor with respect to the object to be inspected is adjusted to match the amount of positional deviation on one axis side on the coordinates. When the image is cut out from the shooting range of the shot target position after correction, the cut-out position is corrected in accordance with the position shift amount for the other axis side on the coordinates.
この応用例では、イメージセンサの向き調整補正よりも画像切り出し位置補正の方がより高い補正精度が期待できるので、必要に応じた選択をすべきである。 In this application example, since the image cut-out position correction can be expected to have a higher correction accuracy than the image sensor orientation adjustment correction, the selection should be made as necessary.
また、更なる応用例として、イメージセンサの向き調整補正や画像切り出し位置補正は、座標上の一方軸側とし、他方軸側の補正はステージの位置補正制御で賄うようにすることも可能である。例えば、Y軸方向の移動操作頻度が少ないとした場合には、Y軸側に高精度の位置補正制御を用いるようにする。 As a further application example, the image sensor orientation adjustment correction and the image cutout position correction can be performed on the one axis side on the coordinates, and the correction on the other axis side can be covered by stage position correction control. . For example, when the frequency of moving operations in the Y-axis direction is low, highly accurate position correction control is used on the Y-axis side.
図6〜9,図11,12,図16〜19を用いて、本発明に係わる撮像範囲の制御及びイメージセンサの位置制御に関する実施例について説明する。 Embodiments relating to imaging range control and image sensor position control according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 9, 11, 12, and 16 to 19.
本実施例の目的は、ステージの目標位置に対する位置ズレ量(差分)を、実際の検査動作から得られるイメージセンサが撮像した各イメージ画像より算出し、算出したステージ位置ずれ量に対して任意のしきい値設定と位置ずれ補正方法を選択することにより、ステージ性能に合せた最適な位置補正制御をすることで、安価にも拘らず高精度ステージで検査したのと同等以上の効果を得るものである。 The purpose of this embodiment is to calculate the amount of positional deviation (difference) with respect to the target position of the stage from each image image captured by the image sensor obtained from the actual inspection operation, and to set an arbitrary amount for the calculated stage position deviation amount. By selecting the threshold setting and the position deviation correction method, the optimal position correction control according to the stage performance is performed, and the effect equivalent to or higher than that of the high-precision stage inspection is obtained despite the low cost. It is.
図6〜図9は実施例1で説明している為、説明を省略する。 Since FIG. 6 to FIG. 9 are described in the first embodiment, description thereof is omitted.
図11,12は実施例2で説明している為、説明を省略する。 Since FIGS. 11 and 12 are described in the second embodiment, description thereof is omitted.
図16〜18は、本実施例のフローチャートを示した図である。 16 to 18 are flowcharts of the present embodiment.
図19は、検査動作時の撮像範囲800内の各イメージ画像801〜804の位置ずれ量を示した図である。
FIG. 19 is a diagram illustrating the amount of positional deviation of each of the
以下、図16のフローチャートにそって本実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to the flowchart of FIG.
ステップS21として、図11に示すステージ部300に被検査基板1をセットする。ステップS22として、図11に示すXステージ302及びYステージ301を検査動作させ、イメージセンサ205にて図19に示す被検査基板1のイメージ画像800を取り込む。
In step S21, the inspected
なお、イメージ画像800中、801を基準画像、801から804を比較画像と云う。
In the
ステップS23として、図19に示すイメージ画像800の基準画像801に投影された任意の基準パターンの画素No.(Xp1,Yp1)と、比較画像802から804に投影された基準パターンの画素No.(Xp2,Yp2),(Xp3,Yp3),(Xp4,Yp4)を比べた画像位置ズレ量より、ステージの位置ずれ量(ΔXp,ΔYp)をそれぞれ算出する。計算式の例を次に示す。
In step S23, the pixel No. of an arbitrary reference pattern projected on the
(例)
Xステージ302の位置ずれ量(差分):ΔXp
ΔXp=〔(Xp1)−(Xp2)〕×画素サイズ×倍率 (数1)
Yステージ301の位置ずれ量(差分):ΔYp
ΔYp=〔(Yp1)−(Yp2)〕×画素サイズ×倍率 (数2)
ステップS24として、図11に示す表示部403に、ステップ23で算出したステージ位置ずれ量と前記ステージ位置ずれ量の補正方法選択画面及びしきい値設定画面を表示する。
(Example)
Misalignment amount (difference) of the X stage 302: ΔXp
ΔXp = [(Xp1) − (Xp2)] × pixel size × magnification (Equation 1)
Amount of displacement (difference) of Y stage 301: ΔYp
ΔYp = [(Yp1) − (Yp2)] × pixel size × magnification (Equation 2)
In step S24, the stage position deviation amount calculated in
ステップ25として、しきい値と補正方法を選択する。しきい値はステージ位置ずれ量に合せて任意に設定することが出来る。
In
また、ステージ位置ずれ量に合せて、図10及び図14のステップS4〜S8に示す検査画像の切り出し範囲による位置補正方法と、図13及び図15のステップS14〜S17に示すイメージセンサによる位置補正方法を、ステージ位置ずれ量やステージ駆動軸の動作頻度に合せて任意に設定することが出来る。 Further, in accordance with the amount of stage displacement, the position correction method based on the inspection image cutout range shown in steps S4 to S8 in FIGS. 10 and 14 and the position correction by the image sensor shown in steps S14 to S17 in FIGS. The method can be arbitrarily set according to the stage position deviation amount and the operation frequency of the stage drive shaft.
例えば、位置ずれ量が小さい比較的高精度なステージを使用する際は、画像切り出し範囲で位置補正することで、イメージセンサ駆動部を削減し、安価にすることが出来る。また、位置ずれ量が大きいステージを使用する際は、イメージセンサで位置補正することにより、画像切り出し範囲で補正できない範囲まで位置補正することが出来る。 For example, when using a relatively high-accuracy stage with a small amount of positional deviation, the position of the image sensor driving unit can be reduced and the cost can be reduced by correcting the position within the image cutout range. Further, when using a stage with a large amount of positional deviation, the position can be corrected to a range that cannot be corrected by the image cutout range by correcting the position by the image sensor.
また、図17及び図18に示す様に、しきい値設定を用いずにステージ位置ずれ量の補正方法を決めてもよい。 Further, as shown in FIGS. 17 and 18, the correction method of the stage position deviation amount may be determined without using the threshold setting.
さらに、本方式は装置の高感度仕様,高スループット仕様に合せて図11に示すズームレンズ204の倍率を可変設定することにより、ステージ精度を可変することが出来る。又、レーザ測長器を使用しなくてもステージの高精度な位置補正が出来ることから、ステージの原価低減が可能である。
Further, in this method, the stage accuracy can be varied by variably setting the magnification of the
以上、半導体の製造に係わる半導体基板(ウエハ)の異物検査装置を一例に、液晶パネルに用いられるガラス基板,ALTIC基板,センサやLED等に用いられるサファイヤ基板などの如何を問わず、平板上の基板であれば使用することが可能である。 As described above, a foreign substance inspection apparatus for a semiconductor substrate (wafer) involved in semiconductor manufacturing is taken as an example, regardless of glass substrates used for liquid crystal panels, ALTIC substrates, sapphire substrates used for sensors, LEDs, etc. Any substrate can be used.
また、半導体検査装置に限定されるものではなく、ハードディスク,液晶パネル表示装置,各種センサ等の様々な製造工程に広く適用することが出来る。 Further, the present invention is not limited to a semiconductor inspection apparatus, and can be widely applied to various manufacturing processes such as a hard disk, a liquid crystal panel display device, and various sensors.
1…被検査基板(ウエハ)、1a,1b…被検査基板、1aa…メモリLSIチップ、1ab…メモリセル領域チップ、1ac…周辺回路領域、1ad…その他の領域、1ba…マイコン等のLSI、1bb…レジスタ群領域、1bc…メモリ部領域、1bd…CPUコア部領域、1be…入出部領域、3…ビームスポット(照明領域)、4,5,6…イメージセンサの検出領域、11〜13…検査用照明光、100…照明光学系、110…第1のビームスポット結像部、120…第2のビームスポット結像部、130…第3のビームスポット結像部、200…検出光学系、201…検出レンズ(対物レンズ)、202…空間フィルタ、203…結像レンズ、204…ズームレンズ群、205…イメージセンサ、206…観察光学系、209…偏光ビームスプリッタ、210…分岐検出光学系、300…ステージ部、301…Yステージ、302…Xステージ、303…Zステージ、304…θステージ、305…ステージコントローラ、310…レーザ測長器、311…ビームスプリッタ、312…固定側ミラー、313…固定側ミラー、314…可動側ミラー、320…ステージ用リニアスケール、321…ステージ用リニアスケール、400…制御系、401…制御CPU部、402…信号処理部、403…表示部、404…入力部、405…記憶部、406…画像処理部、500…イメージセンサ位置補正部、501…XY補正機構、502…X軸モータ、503…Y軸モータ、600…撮像範囲、601…検査画像1、602…検査画像2、603…検査画像3、604…検査画像4、610…比較検査画像、611…切り出し検査画像1、612…切り出し検査画像2、613…切り出し検査画像3、614…切り出し検査画像4、620…画像比較検査結果、700…撮像範囲、701…検査画像1、702…検査画像2、703…検査画像3、704…検査画像4、710…比較検査画像、711…イメージセンサ検査画像1、712…イメージセンサ検査画像2、713…イメージセンサ検査画像3、714…イメージセンサ検査画像4、800…検査動作時の撮像範囲、801…イメージ画像1、802…イメージ画像2、803…イメージ画像3,804…イメージ画像4。
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記被検査物の像を拡大して撮影し、拡大像を得て、
前記拡大像から、移動する前記ステージの目標位置と実位置との位置ズレ量を求め、
前記目標位置での撮影では、前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサの角度を変更する、又は、前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサを前記ステージの移動方向に対して平行に移動して前記位置ズレ量を補正した像を得て検査を行うことを特徴とする検査方法。 In the inspection method of photographing and inspecting the inspection object mounted on the moving stage with an image sensor,
Taking an enlarged image of the inspection object, obtaining an enlarged image,
From the magnified image, obtain the amount of positional deviation between the target position of the moving stage and the actual position,
In photographing at the target position, an angle of the image sensor with respect to the inspection object is changed according to the positional deviation amount, or the image sensor with respect to the inspection object is changed according to the positional deviation amount of the stage. An inspection method characterized in that an inspection is performed by obtaining an image in which the displacement is corrected by moving parallel to the movement direction.
前記位置ズレ量を補正した像から検査の為の画像を切り出し、
前記検査の為の画像を使用して比較処理を行うことを特徴とする検査方法。 The inspection method according to claim 1,
An image for inspection is cut out from the image corrected for the positional deviation amount,
An inspection method comprising performing comparison processing using an image for the inspection.
前記位置ズレ量に応じて、
(1)前記位置ズレ量から拡大像の位置を変更し、前記位置が変更された拡大像から検査の為の画像を切り出し比較処理を行うことと、
(2)前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサの角度を変更する、又は、前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサを前記ステージの移動方向に対して平行に移動して前記位置ズレ量を補正した像を得て検査を行うことを切り替えることを特徴とする検査方法。 The inspection method according to claim 1,
Depending on the amount of positional deviation,
(1) changing the position of the enlarged image from the positional shift amount, cutting out an image for inspection from the enlarged image whose position has been changed, and performing a comparison process;
(2) The angle of the image sensor with respect to the inspection object is changed according to the displacement amount, or the image sensor with respect to the inspection object is changed with respect to the moving direction of the stage according to the displacement amount. An inspection method that switches between performing an inspection by obtaining an image that is moved in parallel to correct the amount of positional deviation.
前記ステージは、X軸座標を移動するXステージと、Y軸座標を移動するYステージを有し、
前記Xステージの位置ずれ量を画像処理で補正し、前記Yステージの位置ずれ量をイメージセンサ撮像範囲で位置補正することを特徴とする検査方法。 The inspection method according to claim 1,
The stage has an X stage that moves the X axis coordinate and a Y stage that moves the Y axis coordinate,
An inspection method, wherein the positional deviation amount of the X stage is corrected by image processing, and the positional deviation amount of the Y stage is corrected in an image sensor imaging range.
前記ステージは、X軸座標を移動するXステージと、Y軸座標を移動するYステージを有し、
前記Xステージの位置ずれ量をイメージセンサ撮像範囲で位置補正し、前記Yステージの位置ずれ量を画像処理で位置補正することを特徴とする検査方法。 The inspection method according to claim 1,
The stage has an X stage that moves the X axis coordinate and a Y stage that moves the Y axis coordinate,
An inspection method, wherein the positional deviation amount of the X stage is corrected within an image sensor imaging range, and the positional deviation amount of the Y stage is corrected by image processing.
前記ステージは、X軸座標を移動するXステージと、Y軸座標を移動するYステージを有し、
撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実位置との位置ズレ量を座標上で求め、前記被検査物に対する前記イメージセンサの向きは、前記座標上の一方軸側分の位置ズレ量に見合う調整補正をし、撮影した目標位置の撮影範囲からの画像切り出しでは、座標上の他方軸側分の位置ズレ量に見合う切り出し位置補正をすることを特徴とする検査方法。 The inspection method according to claim 1,
The stage has an X stage that moves the X axis coordinate and a Y stage that moves the Y axis coordinate,
A positional deviation amount between the target position and the actual position of the stage moving toward photographing is obtained on coordinates, and the orientation of the image sensor with respect to the inspection object corresponds to the positional deviation amount on one axis side on the coordinates. An inspection method characterized by performing correction correction and correcting the cutout position in accordance with a positional shift amount corresponding to the other axis side on the coordinates when cutting out an image from the shooting range of the shot target position.
前記被検査物の像を拡大して撮影し、拡大像を得て、
前記拡大像から、移動する前記ステージの目標位置と実位置との位置ズレ量を求め、
前記目標位置での撮影では、前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサの角度を変更する、又は、前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサを前記ステージの移動方向に対して平行に移動して前記位置ズレ量を補正した像を得て検査を行うことを特徴とする検査装置。 In an inspection device that photographs and inspects the object mounted on the moving stage with an image sensor,
Taking an enlarged image of the inspection object, obtaining an enlarged image,
From the magnified image, obtain the amount of positional deviation between the target position of the moving stage and the actual position,
In photographing at the target position, an angle of the image sensor with respect to the inspection object is changed according to the positional deviation amount, or the image sensor with respect to the inspection object is changed according to the positional deviation amount of the stage. An inspection apparatus that performs an inspection by moving in parallel with a moving direction and obtaining an image in which the positional deviation amount is corrected.
前記位置ズレ量を補正した像から検査の為の画像を切り出し、
前記検査の為の画像を使用して比較処理を行うことを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 7,
An image for inspection is cut out from the image corrected for the positional deviation amount,
An inspection apparatus that performs comparison processing using an image for the inspection.
前記位置ズレ量に応じて、
(1)前記位置ズレ量から拡大像の位置を変更し、前記位置が変更された拡大像から検査の為の画像を切り出し比較処理を行うことと、
(2)前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサの角度を変更する、又は、前記位置ズレ量に応じて前記被検査物に対する前記イメージセンサを前記ステージの移動方向に対して平行に移動して前記位置ズレ量を補正した像を得て検査を行うことを切り替えることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 7,
Depending on the amount of positional deviation,
(1) changing the position of the enlarged image from the positional shift amount, cutting out an image for inspection from the enlarged image whose position has been changed, and performing a comparison process;
(2) The angle of the image sensor with respect to the inspection object is changed according to the displacement amount, or the image sensor with respect to the inspection object is changed with respect to the moving direction of the stage according to the displacement amount. An inspection apparatus that switches between performing an inspection by obtaining an image that has been moved in parallel and corrected for the positional deviation amount.
前記ステージは、X軸座標を移動するXステージと、Y軸座標を移動するYステージを有し、
前記Xステージの位置ずれ量を画像処理で補正し、前記Yステージの位置ずれ量をイメージセンサ撮像範囲で位置補正することを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 7,
The stage has an X stage that moves the X axis coordinate and a Y stage that moves the Y axis coordinate,
An inspection apparatus that corrects the positional deviation amount of the X stage by image processing and corrects the positional deviation amount of the Y stage in an image sensor imaging range.
前記ステージは、X軸座標を移動するXステージと、Y軸座標を移動するYステージを有し、
前記Xステージの位置ずれ量をイメージセンサ撮像範囲で位置補正し、前記Yステージの位置ずれ量を画像処理で位置補正することを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 7,
The stage has an X stage that moves the X axis coordinate and a Y stage that moves the Y axis coordinate,
An inspection apparatus, wherein the positional deviation amount of the X stage is corrected within an image sensor imaging range, and the positional deviation amount of the Y stage is corrected by image processing.
前記ステージは、X軸座標を移動するXステージと、Y軸座標を移動するYステージを有し、
撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実位置との位置ズレ量を座標上で求め、前記被検査物に対する前記イメージセンサの向きは、前記座標上の一方軸側分の位置ズレ量に見合う調整補正をし、撮影した目標位置の撮影範囲からの画像切り出しでは、座標上の他方軸側分の位置ズレ量に見合う切り出し位置補正をすることを特徴とする検査装置。 The inspection apparatus according to claim 7 , wherein
The stage has an X stage that moves the X axis coordinate and a Y stage that moves the Y axis coordinate,
A positional deviation amount between the target position and the actual position of the stage moving toward photographing is obtained on coordinates, and the orientation of the image sensor with respect to the inspection object corresponds to the positional deviation amount on one axis side on the coordinates. An inspection apparatus that performs correction correction and corrects a cutout position in accordance with a position shift amount corresponding to the other axis side on the coordinates when cutting out an image from a shooting range of a shot target position.
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