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JP5106823B2 - 発光装置 - Google Patents

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JP5106823B2
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Description

本発明は、発光装置に関する。
有機ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子とも呼ばれ、有機物中に注入された電子と正孔が再結合して生じた励起子によって発光が起こる現象を利用した素子である。
近年では、この有機ＬＥＤ素子を用いた発光装置、中でもディスプレイの開発が盛んに行われている。これは、有機ＬＥＤディスプレイが、液晶ディスプレイに比較して、広い視野角、速い応答速度および高いコントラストなどを有することによるものである。
有機ＬＥＤ素子は、例えば、透明電極と金属電極の間に有機層が挟持された構造を有する。この場合、素子の内部で発光した光は、透明電極を介して素子の外部に取り出される。すなわち、発光光は、素子の内部で全方位に等しい強度で放射されるものの、金属電極の側に放射された光は、金属電極に透光性がないために反射されて、透明電極の側から取り出される。
これに対して、両面から光が取り出されるようにした有機ＬＥＤ素子も知られている（例えば、非特許文献１参照。）。こうした両面発光型の有機ＬＥＤ素子では、陽極側および陰極側のいずれにも透明な材料が用いられる。このため、非発光時においては、視認者は、有機ＬＥＤ素子を通して、有機ＬＥＤ素子の背後にあるものを見ることができる。
図１２は、従来のアクティブマトリクスタイプの有機ＬＥＤ発光装置の部分断面図である。この図において、有機ＬＥＤ発光装置１０１の基板１０２の上には、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、本明細書において、ＴＦＴと称す。）１０３が形成されており、さらに、段差被覆用の第１の絶縁膜１０４が設けられている。また、第１の絶縁膜１０４には開口部１０５が設けられており、ＴＦＴ１０３は、開口部１０５を通じて陽極１０６と電気的に接続している。第１の絶縁膜１０４および陽極１０６の上には、第２の絶縁膜１０７および有機層１０８が設けられており、有機層１０８の上にはさらに陰極１０９が設けられている。
基板１０２、第１の絶縁膜１０４、陽極１０６、第２の絶縁膜１０７、有機層１０８および陰極１０９には、全て透明な材料が用いられる。このため、有機層１０８で発光した光は、陽極側および陰極側の両面から取り出される。また、外部から有機ＬＥＤ装置１０１に入射した光は、基板１０２でＴＦＴ１０３の設けられていない部分を透過する。したがって、この部分を通じて有機ＬＥＤ装置の背後にあるものが視認される。
図１３は、従来のセグメントタイプの有機ＬＥＤ発光装置の部分断面図である。この図において、有機ＬＥＤ装置２０１の基板２０２の上には、陽極２０３が形成されており、さらに、陽極２０３の間には素子分離用の絶縁膜２０４が、陽極２０３の縁部を被覆するように設けられている。また、絶縁膜２０４および陽極２０３の上には有機層２０５が設けられており、有機層２０５の上には陰極２０６が設けられている。
基板２０２、陽極２０３、絶縁膜２０４、有機層２０５および陰極２０６には、全て透明な材料が用いられる。このため、有機層２０５で発光した光は、陽極側および陰極側の両面から取り出される。また、外部から有機ＬＥＤ装置２０１に入射した光は、有機ＬＥＤ素子を透過するので、視認者は、有機ＬＥＤ装置の背後にあるものを見ることができる。
ヤスオ・ナカムラ（Ｙａｓｕｏ Ｎａｋａｍｕｒａ）ら、ＳＩＤ ０４ ＤＩＧＥＳＴ、ｐ．１４０３−１４０５
本発明者は、背後にあるものが見える有機ＬＥＤ素子の利用方法として、通常は背後にあるものの表示が見えるようにしておき、必要なときに有機ＬＥＤ素子を発光させて、その表示が見えるようにすることを考えた。しかしながら、この場合、従来の両面発光型の有機ＬＥＤ素子では、背面に出射される光が迷光となって視認性を妨げるという問題があった。また、光が透過する部分が発光部も兼ねているので、この部分には、発光部を構成する要素、すなわち、陽極、有機層および陰極が設けられている。このため、光はこれらの構造物を透過しなければならず、透過率の向上には自ずと限界があった。
本発明は、こうした問題点に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の目的は、良好な視認性と高い透過率を得ることのできる発光装置を提供することにある。
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
本発明の第１の態様は、基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
前記発光素子間には前記絶縁膜が露出した部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とするものである。
本発明の第２の態様は、基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
前記発光素子間には前記絶縁膜が除去された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とするものである。
本発明の第３の態様は、基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
前記発光素子間には、前記絶縁膜の上に前記発光層が形成された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とするものである。
本発明の第４の態様は、基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
前記第２の電極は、前記発光層の側から順に半透明電極と透明電極が積層された構造を有していて、
前記発光素子間には、前記絶縁膜の上に前記発光層と前記透明電極が互いに接して形成された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とするものである。
本発明の第５の態様は、基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
前記第２の電極は、前記発光層の側から順に半透明電極と透明電極が積層された構造を有していて、
前記発光素子間には、前記絶縁膜の上に前記透明電極が形成された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とするものである。
本発明の第６の態様は、基板の上に設けられ、光を透過する複数の第１の電極と、
前記第１の電極間に設けられた絶縁膜と、
前記第１の電極と前記絶縁膜の上に設けられた発光層と、
前記発光層の上に設けられ、光を反射する複数の第２の電極とを備えた発光装置であって、
前記第２の電極間には前記発光層が露出した部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とするものである。
本発明の第６の態様においては、前記第１の電極の１つと、これに対応する位置に設けられた前記第２の電極の１つと、該第１の電極および該第２の電極に挟持された前記発光層とを備えた画素が複数配列された構造を有することができる。このとき、前記第２の電極の幅は、前記画素のピッチの２０％〜４０％の範囲であることが好ましい。
本発明の第１〜６の態様において、前記発光素子は有機ＬＥＤ素子とすることができる。
本発明の第１〜６の態様によれば、いずれも良好な視認性と高い透過率を得ることのできる発光装置を提供することができる。
背後にあるものが見える有機ＬＥＤ素子の利用方法としては、具体的には、次のような形態が考えられる。例えば、運転者から見て、車両のインストルメントパネル（ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ｐａｎｅｌ）の手前に、有機ＬＥＤ素子を用いた発光装置を配置する。通常は、有機ＬＥＤ素子が発光しない状態にしておき、発光装置を通して、その背後にあるインストルメントパネルの表示が見えるようにする。そして、必要に応じて、有機ＬＥＤ素子を発光させて、発光装置に表示された文字、数字または図形などを読み取れるようにする。
発光装置の構造は、例えば、視認者である運転者側に透明基板を配し、背面側に封止気体を配し、透明基板と封止気体の間に、透明基板側から順に第１の透明電極、有機層および第２の透明電極を積層させた構造とすることができる。封止気体としては、例えば、乾燥窒素または乾燥アルゴンなどを使用することができる。また、第１の透明電極と第２の透明電極は、いずれが陽極でも陰極でもよい。
上記のような利用方法であれば、背面から表示を読み取る必要はなく、視認者側からのみ読み取れれば十分である。また、外部から有機ＬＥＤ素子に入射し、出射する光の透過率は、１００％である必要はなく、７０％程度もあれば実用上は十分と考えられる。そこで、本発明者は、鋭意研究した結果、こうした用途において、良好な視認性と高い透過率を得ることのできる発光装置を見出すに至った。以下、図面を参照しながら、本発明の発光装置について詳細に説明する。
実施の形態１．
図１は、本実施の形態におけるアクティブマトリクスタイプの発光装置の部分断面図である。この図に示すように、発光装置１の基板２の上には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３が形成されており、さらに、段差被覆用の第１の絶縁膜４が設けられている。また、第１の絶縁膜４には開口部５が設けられており、ＴＦＴ３は、開口部５を通じて、第１の電極としての陽極６と電気的に接続している。尚、図では、ＴＦＴ３を構成するゲート絶縁膜や層間絶縁膜、ＴＦＴ３に接続する配線および蓄積容量などを省略している。
図１において、陽極６は、ＴＦＴ３の上方に設けられており、ＴＦＴ３がない第１の絶縁膜４の上には設けられていない。また、陽極６の上には、陽極６の端面を保護するための第２の絶縁膜７が設けられている。そして、陽極６および第２の絶縁膜７の上には有機層８が設けられており、有機層８の上にはさらに第２の電極としての陰極９が設けられている。陽極６、有機層８および陰極９により、発光素子としての有機ＬＥＤ素子が構成される。
本実施の形態において、基板２、第１の絶縁膜４、第２の絶縁膜７および有機層８は、それぞれ光を透過する材料からなるものとする。また、陰極９は、光に対し透過性を有する材料からなるものとし、陽極６は、金属などの光を反射する材料からなるものとする。また、陽極６は、ＩＴＯ等の透明導電膜と金属反射膜との積層構造であってもよい。これにより、有機層８で発光して陰極側に出射された光は、陰極９を透過して外部に取り出される。一方、陽極側に出射された光は、陽極６で反射されて陰極側に向かった後、陰極９を透過して外部に取り出される。
このように、本実施の形態の発光装置では、有機層で発光した光は、陰極側の面からのみ外部に取り出される。したがって、陰極側を視認者側とすれば、発光は視認者側の面でのみ起こるので、背面に出射される光が迷光となって視認性を低下させる問題を解消することができる。尚、視認者側への光の取り出し効率は、発光装置を構成する部材の種類や構成を最適化することによって向上させることが可能である。
本実施の形態では、陰極９は、透明および半透明のいずれであってもよい。半透明にすると、光の干渉効果が大きくなるので、これを利用して視認者側への光の取り出し効率を高めることができる。また、透明電極として一般に用いられるＩＴＯは、スパッタ法による成膜が必要となるが、半透明電極として、例えば、ＭｇＡｇまたはＡｌなどの薄膜（膜厚５ｎｍ〜１５ｎｍ程度）を用いた場合には、蒸着法による成膜が可能である。蒸着法によれば、スパッタ法に比べて有機層に与えるダメージを小さくすることができるので、素子特性や信頼性を向上させる点から有利である。一方、半透明電極とした場合、発光色の角度依存性が大きくなる。したがって、用途に応じて、透明および半透明のいずれを選択するかを決めることが好ましい。
尚、本発明は、第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。すなわち、陰極を反射電極とし、陽極を透明電極または半透明電極としてもよい。この場合であっても、陽極側を視認者側とし、陰極側を発光装置の背面側とすれば、背面には光が出射されないので、上記と同様に視認性が低下するのを防ぐことができる。
一方、外部から発光装置に入射した光は、発光装置で、ＴＦＴや電極などの光を反射する材料が用いられている部分以外の部分を透過する。例えば、図１において、発光装置１に入射した光は、ＴＦＴ３および陽極６が設けられている部分以外の部分（領域Ｘ１）を透過する。ここで、領域Ｘ１は、基板１上にゲート絶縁膜（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）および第１の絶縁膜４のみが設けられている部分（領域ａ１）と、第１の絶縁膜４の上にさらに第２の絶縁膜７が設けられている部分（領域ｂ１）と、第２の絶縁膜７の上にさらに有機層８および陰極９が設けられている部分（領域ｃ１）とに大別される。この内、占有面積が最も大きいのは領域ａ１であり、領域ａ１は、有機ＬＥＤ素子間で絶縁膜４が露出した部分である。
これに対して、従来の発光装置では、図１２で説明したように、光が透過する部分の基板１０２の上には、絶縁膜１０４の他に、陽極１０６、有機層１０８および陰極１０９が設けられている。このため、発光装置を透過する光は、これらの構造物を透過しなければならないので、透過率を一定値以上にするのには限界があった。しかし、本実施の形態の発光装置によれば、光は、発光部を構成する要素のない部分（領域Ｘ１）、特に、基板上に絶縁膜しか設けられていない部分（領域ａ１）を透過するので、従来に比して高い透過率を得ることが可能である。
図２は、図１の発光装置の部分平面図の一例である。また、図３は、図１の発光装置の部分平面図の他の例である。これらの図において、領域Ｙ１は、図１で基板２の上に設けられたＴＦＴ３、配線（図示せず）および蓄積容量（図示せず）などの上に、第１の絶縁膜４、陽極６、第２の絶縁膜７、有機層８および陰極９が設けられた部分である。すなわち、領域Ｙ１は、発光部に対応する一方で、外部から入射した光に対しては不透明な部分となる。
一方、図２および図３において、領域ａ１，ｂ１，ｃ１からなる領域Ｘ１は、外部から入射した光に対して透明な部分である。したがって、領域Ｘ１を通して、発光装置の背面に置かれたものを視認することができる。また、領域Ｘ１で大部分の面積を占める領域ａ１は、図１の基板２上で、ゲート絶縁膜（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）および第１の絶縁膜４しか設けられていない部分である。したがって、外部から入射した光は、この発光装置を高い透過率で透過することができる。
尚、本実施の形態は図１の例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。
図４に、本実施の形態の変形例を示す。尚、図４において、図１と同じ符号を付した部分は同じものであることを示している。
図４の構成は、基本的には図１の構成と同じであるが、図１では、有機層８で発光する光が一色であったのに対し、図４では、有機層８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの発光色が、それぞれ赤色、緑色、青色である点で相違している。尚、有機層で発光する色の組み合わせは、これ以外であってもよい。
以上述べたように、本実施の形態によれば、有機層で発光した光は、陰極側および陽極側のいずれか一方の面からのみ外部に取り出される。したがって、発光面を視認者側とすれば、背面からの発光がなくなるので、背面に出射される光に起因して視認性が低下する問題を解消することができる。また、外部から入射した光は、主として、基板上に絶縁膜のみが設けられている部分を透過するので、入射光の透過率を従来より高くすることが可能となる。
実施の形態２．
図５は、本実施の形態におけるアクティブマトリクスタイプの発光装置の部分断面図である。この図に示すように、発光装置１１の基板１２の上には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１３が形成されており、さらに、段差被覆用の第１の絶縁膜１４がＴＦＴ１３の周辺に設けられている。また、第１の絶縁膜１４には開口部１５が設けられており、ＴＦＴ１３は、開口部１５を通じて、第１の電極としての陽極１６と電気的に接続している。尚、図では、ＴＦＴ１３を構成するゲート絶縁膜や層間絶縁膜、ＴＦＴ１３に接続する配線および蓄積容量などを省略している。
図５に示すように、本実施の形態は、基板１２上で第１の絶縁膜１４が設けられていない部分２０があることを特徴としている。この部分２０は、例えば、第１の絶縁膜１４に開口部１５を形成する際に、基板１２上からエッチング除去することによって形成することができる。
図５において、陽極１６は、ＴＦＴ１３の上方に設けられており、ＴＦＴ１３がない第１の絶縁膜１４の上には設けられていない。すなわち、ＴＦＴ１３が配設されている位置に対応して陽極１６が設けられている。また、陽極１６の上には、陽極１６の端面を保護するための第２の絶縁膜１７が設けられている。そして、陽極１６および第２の絶縁膜１７の上には有機層１８が設けられており、有機層１８の上にはさらに第２の電極としての陰極１９が設けられている。陽極１６、有機層１８および陰極１９により、発光素子としての有機ＬＥＤ素子が構成される。
本実施の形態において、基板１２、第１の絶縁膜１４、第２の絶縁膜１７および有機層１８は、それぞれ光を透過する材料からなるものとする。また、陰極１９は、光に対し透過性を有する材料からなるものとし、陽極１６は、金属などの光を反射する材料からなるものとする。これにより、有機層１８で発光して陰極側に出射された光は、陰極１９を透過して外部に取り出される。一方、陽極側に出射された光は、陽極１６で反射されて陰極側に向かった後、陰極１９を透過して外部に取り出される。
このように、本実施の形態の発光装置では、実施の形態１と同様に、有機層で発光した光は、陰極側の面からのみ外部に取り出される。したがって、陰極側を視認者側とすれば、発光は視認者側の面でのみ起こり、発光装置の背面では起こらない。それ故、本実施の形態の発光装置によれば、背面に出射される光が迷光となって視認性を低下させる問題を解消することができる。尚、視認者側への光の取り出し効率は、発光装置を構成する部材の種類や構成を最適化することによって向上させることが可能である。
本実施の形態では、陰極１９は、透明および半透明のいずれであってもよい。半透明にすると、光の干渉効果が大きくなるので、これを利用して視認者側への光の取り出し効率を高めることができる。また、透明電極として一般に用いられるＩＴＯは、スパッタ法による成膜が必要となるが、半透明電極として、例えば、ＭｇＡｇまたはＡｌなどの薄膜（膜厚５ｎｍ〜１５ｎｍ程度）を用いた場合には、蒸着法による成膜が可能である。蒸着法によれば、スパッタ法に比べて有機層に与えるダメージを小さくすることができるので、素子特性や信頼性を向上させる点から有利である。一方、半透明電極とした場合、発光色の角度依存性が大きくなる。したがって、用途に応じて、透明および半透明のいずれを選択するかを決めることが好ましい。
尚、本発明は、第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。すなわち、陰極を反射電極とし、陽極を透明電極または半透明電極としてもよい。この場合であっても、陽極側を視認者側とし、陰極側を発光装置の背面側とすれば、背面には光が出射されないので、上記と同様に視認性が低下するのを防ぐことができる。
一方、外部から発光装置に入射した光は、発光装置で、ＴＦＴや電極などの光を反射する材料が用いられている部分以外の部分を透過する。例えば、図５において、発光装置１１に入射した光は、ＴＦＴ１３および陽極１６が設けられている部分以外の部分（領域Ｘ２）を透過する。これに対して、図５の領域Ｙ２は、発光部を構成する一方で、外部から入射した光に対しては不透明な部分となる。
領域Ｘ２は、基板１２の上に、ゲート絶縁膜（図示せず）および層間絶縁膜（図示せず）のみが形成されている部分（領域ａ２）と、これらの上にさらに第１の絶縁膜１４が設けられている部分（領域ｂ２）と、第１の絶縁膜１４の上にさらに第２の絶縁膜１７が設けられている部分（領域ｃ２）と、第２の絶縁膜１７の上にさらに有機層１８および陰極１９が設けられている部分（領域ｄ２）とに大別される。この内、領域Ｘ２の面積の殆どを占めるのは領域ａ２であり、領域ａ２は、有機ＬＥＤ素子間で絶縁膜１４が除去された部分である。
実施の形態１では、光が透過する部分は、主として図１の領域ａ１であった。ここで、領域ａ１は、基板２上にゲート絶縁膜（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）および第１の絶縁膜４のみが設けられている部分である。一方、本実施の形態で光が透過する部分は、主として領域ａ２と領域ｂ２である。ここで、領域ｂ２は、領域ａ１と同様の構成物からなっているが、領域ａ２には、領域ａ１の第１の絶縁膜４に対応する膜が設けられていない。このため、領域ａ２を透過する光の透過率は、領域ａ１を透過する光の透過率より高くなる。したがって、発光装置全体としての光の透過率も、実施の形態１の透過率に比べて高くなる。
このように、本実施の形態によれば、有機層で発光した光は、陰極側および陽極側のいずれか一方の面からのみ外部に取り出される。したがって、発光面を視認者側とすれば、背面には光が出射されないので、背面に出射される光に起因して視認性が低下する問題を解消することができる。また、外部から入射した光は、主として、基板上に絶縁膜のみが設けられている部分を透過するが、本実施の形態では、厚い絶縁膜（図２の第１の絶縁膜 ）が形成されている部分の面積を小さくしているので、実施の形態１に比較して入射光の透過率をさらに高くすることが可能となる。
実施の形態３．
図６は、本実施の形態におけるアクティブマトリクスタイプの発光装置の部分断面図である。この図に示すように、発光装置２１の基板２２の上には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）２３が形成されており、さらに、段差被覆用の第１の絶縁膜２４が設けられている。また、第１の絶縁膜２４には開口部２５が設けられており、ＴＦＴ２３は、開口部２５を通じて、第１の電極としての陽極２６と電気的に接続している。尚、図では、ＴＦＴ２３を構成するゲート絶縁膜や層間絶縁膜、ＴＦＴ２３に接続する配線および蓄積容量などを省略している。
図６において、陽極２６は、ＴＦＴ２３の上方に設けられており、ＴＦＴ２３がない第１の絶縁膜２４の上には設けられていない。また、陽極２６の上には、陽極２６の端面を保護するための第２の絶縁膜２７が設けられている。
実施の形態１や実施の形態２では、有機層は、陽極と第２の絶縁膜の上にのみ設けられていた。これに対して、本実施の形態では、有機層２８が、陽極２６と第２の絶縁膜２７を被覆するようにして第１の絶縁膜２４の上に設けられている。一方、第２の電極としての陰極２９は、有機層２８の上で陽極２６と対向する部分に設けられており、第１の絶縁膜２４と有機層２８が接する部分の有機層２８上には設けられていない。陽極２６、有機層２８および陰極２９により、発光素子としての有機ＬＥＤ素子が構成される。
本実施の形態において、基板２２、第１の絶縁膜２４、第２の絶縁膜２７および有機層２９は、それぞれ光を透過する材料からなるものとする。また、陰極２９は、光に対し透過性を有する材料からなるものとし、陽極２６は、金属などの光を反射する材料からなるものとする。これにより、有機層２８で発光して陰極側に出射された光は、陰極２９を透過して外部に取り出される。一方、陽極側に出射された光は、陽極２６で反射されて陰極側に向かった後、陰極２９を透過して外部に取り出される。
このように、本実施の形態の発光装置では、実施の形態１と同様に、有機層で発光した光は、陰極側の面からのみ外部に取り出される。したがって、陰極側を視認者側とすれば、発光は視認者側の面でのみ起こり、発光装置の背面では起こらない。それ故、本実施の形態の発光装置によれば、背面に出射される光が迷光となって視認性を低下させる問題を解消することができる。尚、視認者側への光の取り出し効率は、発光装置を構成する部材の種類や構成を最適化することによって向上させることが可能である。
本実施の形態では、陰極２９は、透明および半透明のいずれであってもよい。半透明にすると、光の干渉効果が大きくなるので、これを利用して視認者側への光の取り出し効率を高めることができる。また、透明電極として一般に用いられるＩＴＯは、スパッタ法による成膜が必要となるが、半透明電極として、例えば、ＭｇＡｇまたはＡｌなどの薄膜（膜厚５ｎｍ〜１５ｎｍ程度）を用いた場合には、蒸着法による成膜が可能である。蒸着法によれば、スパッタ法に比べて有機層に与えるダメージを小さくすることができるので、素子特性や信頼性を向上させる点から有利である。一方、半透明電極とした場合、発光色の角度依存性が大きくなる。したがって、用途に応じて、透明および半透明のいずれを選択するかを決めることが好ましい。
尚、本発明は、第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。すなわち、陰極を反射電極とし、陽極を透明電極または半透明電極としてもよい。この場合であっても、陽極側を視認者側とし、陰極側を発光装置の背面側とすれば、背面には光が出射されないので、上記と同様に視認性が低下するのを防ぐことができる。
一方、外部から発光装置に入射した光は、発光装置で、ＴＦＴや電極などの光を反射する材料が用いられている部分以外の部分を透過する。例えば、図６において、発光装置２１に入射した光は、ＴＦＴ２３および陽極２６が設けられている部分以外の部分（領域Ｘ３）を透過する。これに対して、図６の領域Ｙ３は、発光部を構成する一方で、外部から入射した光に対しては不透明な部分となる。
領域Ｘ３は、基板２２上にゲート絶縁膜（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、第１の絶縁膜２４およひ有機層２８が設けられている部分（領域ａ３）と、第１の絶縁膜２４と有機層２８の間にさらに第２の絶縁膜２７が設けられている部分（領域ｂ３）と、領域ｂ３の構成で有機層２８の上にさらに陰極２９が設けられている部分（領域ｃ３）とに大別される。この内、占有面積が最も大きいのは領域ａ３であり、領域ａ３は、有機ＬＥＤ素子間で絶縁膜２４の上に有機層２８が形成された部分である。
本実施の形態において、光が透過する部分は、主として領域ａ３である。したがって、発光部を構成する構造物の全てを透過しなければならない従来例に比較すれば、入射光の透過率を高くすることができる。一方、実施の形態１における領域ａ１に対して、領域ａ３はさらに有機層が加わった構成となっているので、実施の形態１に比べると入射光の透過率は若干低下するおそれがある。しかしながら、本実施の形態の構成によれば、有機層に対して微細なパターニングを行うことが不要となるので、実施の形態１に比べて生産性を向上させることが可能となる。
尚、本実施の形態は図６の例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。
図７に、本実施の形態の変形例を示す。尚、図７において、図６と同じ符号を付した部分は同じものであることを示している。
図７の構成は、基本的には図６の構成と同じであるが、図６では、有機層２８で発光する光が一色であったのに対し、図７では、有機層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂの発光色が、それぞれ赤色、緑色、青色である点で相違している。尚、有機層で発光する色の組み合わせは、これ以外であってもよい。
以上述べたように、本実施の形態によれば、有機層で発光した光は、陰極側および陽極側のいずれか一方の面からのみ外部に取り出される。したがって、発光面を視認者側とすれば、背面からの発光がなくなるので、背面に出射される光に起因して視認性が低下する問題を解消することができる。また、外部から入射した光は、主として、基板上に絶縁膜と有機層のみが設けられている部分を透過するので、入射光の透過率を従来より高くすることが可能となる。
実施の形態４．
図８は、本実施の形態におけるアクティブマトリクスタイプの発光装置の部分断面図である。この図に示すように、発光装置３１の基板３２の上には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３３が形成されており、さらに、段差被覆用の第１の絶縁膜３４が設けられている。また、第１の絶縁膜３４には開口部３５が設けられており、ＴＦＴ３３は、開口部３５を通じて、第１の電極としての陽極３６と電気的に接続している。尚、図では、ＴＦＴ３３を構成するゲート絶縁膜や層間絶縁膜、ＴＦＴ３３に接続する配線および蓄積容量などを省略している。
図８において、陽極３６は、ＴＦＴ３３の上方に設けられており、ＴＦＴ３３がない第１の絶縁膜３４の上には設けられていない。また、陽極３６の上には、陽極３６の端面を保護するための第２の絶縁膜３７が設けられている。そして、実施の形態３と同様に、有機層３８が、陽極３６と第２の絶縁膜３７を被覆するようにして第１の絶縁膜３４の上に設けられている。陽極３６、有機層３８および陰極３９により、発光素子としての有機ＬＥＤ素子が構成される。
本実施の形態では、第２の電極としての陰極３９が、半透明電極３９ａと透明電極３９ｂの２層構造からなっていることを特徴とする。すなわち、図８に示すように、有機層３８の上で陽極３６と対向する部分に半透明電極３９ａが設けられており、半透明電極３９ａを被覆するようにして、有機層３８の上に透明電極３９ｂが設けられている。尚、半透明電極３９ａは、第１の絶縁膜３４と有機層３８が接する部分の有機層３８の上には設けられておらず、この部分では、有機層３８の上に直接透明電極３９ｂが設けられている。
陰極を半透明電極とした場合、蒸着法を用いた電極形成が可能であるので、有機層に対して大きなダメージを与えずに済む。しかしながら、スパッタ法より成膜されたＩＴＯなどの透明電極と比べると、抵抗値は大きくなる傾向にある。そこで、有機層へのダメージを軽減しつつ、所望の抵抗値とするには、半透明電極の上に透明電極を設けた２層構造とするのがよい。この場合、スパッタ法により透明電極を成膜しても、有機層上に設けられた半透明電極がバリア膜として働くので、有機層へのダメージが軽減される。したがって、電気的特性および信頼性に優れた素子とすることができる。
本実施の形態において、基板３２、第１の絶縁膜３４、第２の絶縁膜３７および有機層３８は、それぞれ光を透過する材料からなるものとする。また、陽極３６は、金属などの光を反射する材料からなるものとする。上述の通り、陰極３９は、半透明電極３９ａと透明電極３９ｂからなるので光を透過する。したがって、有機層３８で発光して陰極側に出射された光は、陰極３９を透過して外部に取り出される。一方、陽極側に出射された光は、陽極３６で反射されて陰極側に向かった後、陰極３９を透過して外部に取り出される。
このように、本実施の形態の発光装置では、実施の形態１と同様に、有機層で発光した光は、陰極側の面からのみ外部に取り出される。したがって、陰極側を視認者側とすれば、発光は視認者側の面でのみ起こり、発光装置の背面では起こらない。それ故、本実施の形態の発光装置によれば、背面に出射される光が迷光となって視認性を低下させる問題を解消することができる。尚、視認者側への光の取り出し効率は、発光装置を構成する部材の種類や構成を最適化することによって向上させることが可能である。
尚、本発明は、第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。すなわち、陰極に光を反射する材料を用い、陽極を半透明電極と透明電極の２層構造としてもよい。この場合であっても、陽極側を視認者側とし、陰極側を発光装置の背面側とすれば、背面には光が出射されないので、上記と同様に視認性が低下するのを防ぐことができる。
一方、外部から発光装置に入射した光は、発光装置で、ＴＦＴや電極などの光を反射する材料が用いられている部分以外の部分を透過する。例えば、図８において、発光装置３１に入射した光は、ＴＦＴ３３および陽極３６が設けられている部分以外の部分（領域Ｘ４）を透過する。これに対して、図８の領域Ｙ４は、発光部を構成する一方で、外部から入射した光に対しては不透明な部分となる。
領域Ｘ４は、基板３２上にゲート絶縁膜（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、第１の絶縁膜３４、有機層３８および透明電極３９ｂが設けられている部分（領域ａ４）と、第１の絶縁膜３４と有機層３８の間にさらに第２の絶縁膜３７が設けられている部分（領域ｂ４）と、領域ｂ４の構成で有機層３８と透明電極３９ｂの間にさらに半透明電極３９ａが設けられている部分（領域ｃ４）とに大別される。この内、占有面積が最も大きいのは領域ａ４であり、領域ａ４は、有機ＬＥＤ素子間で絶縁膜３４の上に有機層３８と透明電極３９ｂが互いに接して形成された部分である。
本実施の形態において、光が透過する部分は、主として領域ａ４である。したがって、発光部を構成する構造物の全てを透過しなければならない従来例に比較すれば、入射光の透過率を高くすることができる。一方、実施の形態１における領域ａ１に対して、領域ａ４はさらに有機層と半透明電極が加わった構成となっているので、実施の形態１に比べると入射光の透過率は若干低下するおそれがある。しかしながら、本実施の形態の構成によれば、有機層に対して微細なパターニングを行うことが不要となるので、実施の形態１に比べて生産性を向上させることが可能となる。また、視認者側の電極を半透明電極と透明電極の２層構造としているので、電気的特性および信頼性に優れた素子とすることもできる。
以上述べたように、本実施の形態によれば、有機層で発光した光は、陰極側および陽極側のいずれか一方の面からのみ外部に取り出される。したがって、発光面を視認者側とすれば、背面からの発光がなくなるので、背面に出射される光に起因して視認性が低下する問題を解消することができる。また、外部から入射した光が透過しなければならない構造物は従来のものより少なくて済むので、入射光の透過率を従来より高くすることが可能となる。
実施の形態５．
図９は、本実施の形態におけるアクティブマトリクスタイプの発光装置の部分断面図である。この図に示すように、発光装置４１の基板４２の上には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４３が形成されており、さらに、段差被覆用の第１の絶縁膜４４が設けられている。また、第１の絶縁膜４４には開口部４５が設けられており、ＴＦＴ４３は、開口部４５を通じて、第１の電極としての陽極４６と電気的に接続している。尚、図では、ＴＦＴ４３を構成するゲート絶縁膜や層間絶縁膜、ＴＦＴ４３に接続する配線および蓄積容量などを省略している。
図９において、陽極４６は、ＴＦＴ４３の上方に設けられており、ＴＦＴ４３がない第１の絶縁膜４４の上には設けられていない。また、陽極４６の上には、陽極４６の端面を保護するための第２の絶縁膜４７が設けられている。そして、陽極４６および第２の絶縁膜４７の上には有機層４８が設けられており、有機層４８の上にはさらに半透明電極４９ａが設けられている。陽極４６、有機層４８および陰極４９により、発光素子としての有機ＬＥＤ素子が構成される。
本実施の形態においても、実施の形態４と同様に、第２の電極としての陰極４９が、半透明電極４９ａと透明電極４９ｂの２層構造からなっていることを特徴とする。すなわち、図９に示すように、有機層４８の上で陽極４６と対向する部分に半透明電極４９ａが設けられており、半透明電極４９ａを被覆するようにして、第１の絶縁膜４４の上に透明電極４９ｂが設けられている。
陰極を半透明電極とした場合、蒸着法を用いた電極形成が可能であるので、有機層に対して大きなダメージを与えずに済む。しかしながら、スパッタ法より成膜されたＩＴＯなどの透明電極と比べると、抵抗値は大きくなる傾向にある。そこで、有機層へのダメージを軽減しつつ、所望の抵抗値とするには、半透明電極の上に透明電極を設けた２層構造とするのがよい。この場合、スパッタ法により透明電極を成膜しても、有機層上に設けられた半透明電極がバリア膜として働くので、有機層へのダメージが軽減される。したがって、電気的特性および信頼性に優れた素子とすることができる。
本実施の形態において、基板４２、第１の絶縁膜４４、第２の絶縁膜４７および有機層４８は、それぞれ光を透過する材料からなるものとする。また、陽極４６は、金属などの光を反射する材料からなるものとする。上述の通り、陰極４９は、半透明電極４９ａと透明電極４９ｂからなるので光を透過する。したがって、有機層４８で発光して陰極側に出射された光は、陰極４９を透過して外部に取り出される。一方、陽極側に出射された光は、陽極４６で反射されて陰極側に向かった後、陰極４９を透過して外部に取り出される。
このように、本実施の形態の発光装置では、実施の形態１と同様に、有機層で発光した光は、陰極側の面からのみ外部に取り出される。したがって、陰極側を視認者側とすれば、発光は視認者側の面でのみ起こり、発光装置の背面では起こらない。それ故、本実施の形態の発光装置によれば、背面に出射される光が迷光となって視認性を低下させる問題を解消することができる。尚、視認者側への光の取り出し効率は、発光装置を構成する部材の種類や構成を最適化することによって向上させることが可能である。
尚、本発明は、第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。すなわち、陰極に光を反射する材料を用い、陽極を半透明電極と透明電極の２層構造としてもよい。この場合であっても、陽極側を視認者側とし、陰極側を発光装置の背面側とすれば、背面には光が出射されないので、上記と同様に視認性が低下するのを防ぐことができる。
一方、外部から発光装置に入射した光は、発光装置で、ＴＦＴや電極などの光を反射する材料が用いられている部分以外の部分を透過する。例えば、図９において、発光装置４１に入射した光は、ＴＦＴ４３および陽極４６が設けられている部分以外の部分（領域Ｘ５）を透過する。これに対して、図９の領域Ｙ５は、発光部を構成する一方で、外部から入射した光に対しては不透明な部分となる。
領域Ｘ５は、基板４２上にゲート絶縁膜（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、第１の絶縁膜４４および透明電極４９ｂが設けられている部分（領域ａ５）と、第１の絶縁膜４４と透明電極４９ｂの間にさらに第２の絶縁膜４７が設けられている部分（領域ｂ５）と、領域ｂ５の構成で第２の絶縁膜４７と透明電極４９ｂの間にさらに有機層４８と半透明電極４９ｂが設けられている部分（領域ｃ５）とに大別される。この内、占有面積が最も大きいのは領域ａ５であり、領域ａ５は、有機ＬＥＤ素子間で絶縁膜４４の上に透明電極４９ｂが形成された部分である。
本実施の形態において、光が透過する部分は、主として領域ａ５である。したがって、発光部を構成する構造物の全てを透過しなければならない従来例に比較すれば、入射光の透過率を高くすることができる。一方、実施の形態１における領域ａ１に対して、領域ａ５はさらに透明電極が加わった構成となっているので、実施の形態１に比べると入射光の透過率は若干低下するおそれがある。しかしながら、本実施の形態の構成によれば、視認者側の電極を半透明電極と透明電極の２層構造とすることにより、電気的特性および信頼性に優れた素子とすることができる。
以上述べたように、本実施の形態によれば、有機層で発光した光は、陰極側および陽極側のいずれか一方の面からのみ外部に取り出される。したがって、発光面を視認者側とすれば、背面からの発光がなくなるので、背面に出射される光に起因して視認性が低下する問題を解消することができる。また、外部から入射した光が透過しなければならない構造物は従来のものより少なくて済むので、入射光の透過率を従来より高くすることが可能となる。
実施の形態６．
図１０は、本実施の形態におけるセグメントタイプの発光装置の部分断面図である。この図に示すように、発光装置５１の基板５２の上には、第１の電極としての陽極５３が形成されており、さらに、陽極５３の間には素子分離用の絶縁膜５４が、陽極５３の縁部を覆うように設けられている。また、絶縁膜５４および陽極５３の上には有機層５５が設けられている。陽極５３、有機層５５および陰極５６により、発光素子としての有機ＬＥＤ素子が構成される。また、陽極５３の１つと、これに対応する位置に設けられた陰極５６の１つと、これらに挟持された有機層５５とによって１画素が構成される。
本実施の形態においては、透過率向上の観点から、第２の電極としての陰極５６の幅を従来より狭くすることが好ましい。具体的には、陰極５３の幅を、画素ピッチの２０％〜４０％程度とすることが好ましい。例えば、従来の同じ仕様のものに対して、１／４程度の幅とすることができる。
基板５２、絶縁膜５４、陽極５３および有機層５５には、全て透明な材料を用いる。一方、陰極５６には、金属などの光を反射する材料を用いる。これにより、有機層５５で発光して陽極側に出射された光は、陽極５３を透過して外部に取り出される。一方、陰極側に出射された光は、陰極５６で反射されて陽極側に向かった後、陽極５３を透過して外部に取り出される。
このように、本実施の形態の発光装置では、有機層で発光した光は、陽極側の面からのみ外部に取り出される。したがって、陽極側を視認者側とすれば、発光は視認者側の面でのみ起こるので、背面に出射される光が迷光となって視認性を低下させる問題を解消することができる。尚、視認者側への光の取り出し効率は、発光装置を構成する部材の種類や構成を最適化することによって向上させることが可能である。
尚、本発明は、第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。すなわち、陽極を反射電極とし、陰極を透明電極とすることもできる。この場合であっても、陰極側を視認者側とし、陽極側を発光装置の背面側とすれば、背面には光が出射されないので、上記と同様に視認性が低下するのを防ぐことができる。
一方、外部から発光装置に入射した光は、光を反射する材料が用いられた部分以外の部分を透過する。例えば、図１０において、発光装置５１に入射した光は、陰極５６が設けられていない部分（領域Ｘ６）を透過する。領域Ｘ６は、陰極５６間で有機層５５が露出した部分と言い換えることもできる。これに対して、図１０の領域Ｙ６は、発光部を構成する一方で、外部から入射した光に対しては不透明な部分となる。
図１１は、図１０の発光装置の部分平面図の一例である。尚、図１１でＡ−Ａ′線に沿う断面図が図１０の対応する。
図１１において、領域Ｙ６は、図１０で基板５２の上に、陽極５３、有機層５５および陰極５６が設けられた部分である。すなわち、領域Ｙ６は、発光部に対応する一方で、外部から入射した光に対しては不透明な部分となる。これに対して、領域Ｘ６は、領域ａ６と領域ｂ６からなる。ここで、領域ａ６は、基板５２の上に、陽極５３と有機層５５が形成された部分である。また、領域ｂ６は、基板５２の上に、絶縁膜５４と有機層５５が形成された部分である。つまり、領域Ｘ６には、光を反射する陰極５６が設けられていないので、この領域は、外部から入射した光に対して透明な部分となる。
図１３で説明したように、従来の発光装置では、発光部および非発光部がともに光の透過する部分となっている。この構造では、非発光部にも陰極２０６が設けられているので、光は、基板２０２、陽極２０３、絶縁膜２０４および有機層２０５以外に陰極２０６も透過しなければならず、透過率を一定値以上にするのには限界があった。
しかし、本実施の形態によれば、外部から入射した光は、陰極が設けられていない部分を透過するので、従来よりも透過率を高くすることが可能である。尚、発光部は光を透過しないので、発光部および非発光部の両方が光を透過する従来品に比べると、光を透過する部分の面積は、本実施の形態のものの方が小さくなる。これについては、上述したように、陰極の幅を従来より狭くすることで対処が可能である。
以上述べたように、本実施の形態によれば、有機層で発光した光は、陰極側および陽極側のいずれか一方の面からのみ外部に取り出される。したがって、発光面を視認者側とすれば、背面からの発光がなくなるので、背面に出射される光に起因して視認性が低下する問題を解消することができる。
また、本実施の形態によれば、外部から入射した光は、陰極が設けられていない部分を透過するので、入射光の透過率を従来より高くすることが可能となる。また、陰極を反射電極とした場合には、Ａｌ（アルミニウム）等の金属を用いることができるので、低抵抗化が可能となる。
さらに、本実施の形態の発光装置には、従来のボトムエミッション型の素子構成やプロセスを活かすことができるので、透明な素子を新たに開発する場合に比べると、素子の特性や寿命を向上させる点で有利である。
尚、本発明は、上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。
例えば、実施の形態１〜６では、発光素子として有機ＬＥＤ素子を用いたが、本発明は、無機ＬＥＤ素子を用いてもよい。また、他の反射型の発光装置に適用することも可能である。
また、実施の形態１〜５のアクティブマトリクス型発光装置は、基板の上方に光が出射されるトップエミッションタイプであったが、本発明は、基板の下方に光が出射されるボトムエミッションタイプであってもよい。同様に、実施の形態６のセグメント型発光装置では、ボトムエミッションタイプであったが、本発明はトップエミッションタイプのセグメント型発光装置であってもよい。
実施の形態１における発光装置の断面図の一例である。 実施の形態１における発光装置の平面図の一例である。 実施の形態１における発光装置の平面図の他の例である。 実施の形態１における発光装置の断面図の他の例である。 実施の形態２における発光装置の断面図である。 実施の形態３における発光装置の断面図の一例である。 実施の形態３における発光装置の断面図の他の例である。 実施の形態４における発光装置の断面図である。 実施の形態５における発光装置の断面図である。 実施の形態６における発光装置の断面図である。 図１０の発光装置の平面図である。 従来のアクティブマトリクスタイプの有機ＬＥＤ発光装置の断面図である。 従来のセグメントタイプの有機ＬＥＤ発光装置の断面図である。
符号の説明
１，１１，２１，３１，４１，５１ 発光装置
２，１２，２２，３２，４２，５２，１０２，２０２ 基板
３，１３，２３，３３，４３，１０３ ＴＦＴ
４，１４，２４，３４，４４，１０４ 第１の絶縁膜
５，１５，２５，３５，４５，１０５ 開口部
６，１６，２６，３６，４６，５３，１０６，２０３ 陽極
７，１７，２７，３７，４７，１０７ 第２の絶縁膜
５４，２０４ 絶縁膜
８，１８，２８，３８，４８，５５，１０８，２０５ 有機層
９，１９，２９，３９，４９，５６，１０９，２０６ 陰極

Claims (6)

  1. 基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
    前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
    光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
    前記発光素子間には前記絶縁膜が露出した部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とする発光装置。
  2. 基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
    前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
    光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
    前記発光素子間には前記絶縁膜が除去された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とする発光装置。
  3. 基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
    前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
    光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
    前記発光素子間には、前記絶縁膜の上に前記発光層が形成された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とする発光装置。
  4. 基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
    前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
    光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
    前記第２の電極は、前記発光層の側から順に半透明電極と透明電極が積層された構造を有していて、
    前記発光素子間には、前記絶縁膜の上に前記発光層と前記透明電極が互いに接して形成された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とする発光装置。
  5. 基板の上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
    前記基板の上に設けられて前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、
    光を反射する第１の電極と光を透過する第２の電極の間に発光層が挟持された構造を有し、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに前記第１の電極が電気的に接続する複数の発光素子とを備えた発光装置であって、
    前記第２の電極は、前記発光層の側から順に半透明電極と透明電極が積層された構造を有していて、
    前記発光素子間には、前記絶縁膜の上に前記透明電極が形成された部分があり、外部から入射した光は、主としてこの部分を透過することを特徴とする発光装置。
  6. 前記発光素子は有機ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107178B1 (ko) * 2009-07-20 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084240B1 (ko) * 2009-12-21 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101156434B1 (ko) * 2010-01-05 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101156435B1 (ko) 2010-01-08 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084189B1 (ko) 2010-01-21 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101097335B1 (ko) 2010-02-25 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101097338B1 (ko) * 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20110101980A (ko) 2010-03-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101108170B1 (ko) 2010-03-15 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20110110590A (ko) 2010-04-01 2011-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101223722B1 (ko) * 2010-04-02 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101146988B1 (ko) * 2010-05-04 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101147423B1 (ko) 2010-05-06 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101193195B1 (ko) 2010-07-02 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101397110B1 (ko) * 2010-10-28 2014-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US9287339B2 (en) * 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101391244B1 (ko) * 2010-12-20 2014-05-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101829890B1 (ko) 2011-12-23 2018-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101923173B1 (ko) 2012-02-14 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101883322B1 (ko) * 2012-03-08 2018-07-31 주성엔지니어링(주) 태양전지모듈-발광모듈을 구비하는 어셈블리 및 그 제조방법
KR101223727B1 (ko) * 2012-03-29 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101243925B1 (ko) * 2012-04-06 2013-03-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101973760B1 (ko) 2012-11-19 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 멀티 디스플레이 장치
JP6157866B2 (ja) 2013-02-04 2017-07-05 株式会社東芝 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
KR102022394B1 (ko) 2013-02-12 2019-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102137473B1 (ko) 2013-06-13 2020-07-27 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치
KR102099865B1 (ko) 2013-08-12 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20150076472A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and display device
KR102211965B1 (ko) * 2013-10-18 2021-02-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104201292B (zh) * 2014-08-27 2019-02-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR102348682B1 (ko) * 2014-12-05 2022-01-06 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102337889B1 (ko) * 2015-02-16 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102552276B1 (ko) 2015-02-24 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102397400B1 (ko) * 2015-04-28 2022-05-13 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치 및 투명표시패널
JP6535545B2 (ja) * 2015-08-21 2019-06-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2017073459A1 (ja) * 2015-10-27 2017-05-04 パイオニア株式会社 発光システム
KR101698542B1 (ko) * 2016-09-01 2017-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101801912B1 (ko) * 2017-02-21 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101918751B1 (ko) * 2017-12-07 2019-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200027600A (ko) 2018-09-04 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
JP6837045B2 (ja) * 2018-12-19 2021-03-03 パイオニア株式会社 発光装置
KR20200102025A (ko) * 2019-02-20 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114695502A (zh) * 2021-09-16 2022-07-01 友达光电股份有限公司 显示面板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0256893A (ja) * 1988-08-23 1990-02-26 Nec Kansai Ltd 薄膜ｅｌパネル
JPH0773971A (ja) * 1993-09-03 1995-03-17 Sharp Corp Ｅｌ素子
JP3281848B2 (ja) * 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
JP3185736B2 (ja) * 1997-11-26 2001-07-11 カシオ計算機株式会社 表示装置
JP2000012235A (ja) * 1998-06-23 2000-01-14 Casio Comput Co Ltd Ｅｌ素子
JP2001148292A (ja) * 1999-09-08 2001-05-29 Denso Corp 有機ｅｌ素子
WO2001047322A1 (fr) * 1999-12-22 2001-06-28 Sony Corporation Affichage a electroluminescence organique
JP2001230072A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Denso Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2003017272A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4074099B2 (ja) * 2002-02-04 2008-04-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 平面表示装置およびその製造方法
JP2004184838A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Denso Corp 複合表示装置の取付構造
JP2004206927A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Denso Corp 透明ｅｌ表示装置
JP2005011572A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置とその製造方法、並びに電子機器
US20080238828A1 (en) * 2004-03-12 2008-10-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Display Apparatus and Driving Method for the Same

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JP2008112112A (ja) 2008-05-15

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