JP5104843B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、カラーフィルタ及び電気光学装置に係り、特に各画素における光透過特性の画素間での均一性を向上させたカラーフィルタ及び電気光学装置に関する。

カラー液晶表示装置などの表示装置などに用いられるカラーフィルタとして、透明基板上に遮光部及びバンクとして機能する仕切りをマトリクス状に形成した後、インクジェット法を用いて着色材料を仕切り内に塗布し、これを所定温度でベークし乾燥及び硬化させたものがある。
かかる従来のカラーフィルタの製造方法においては、液状物吐出時には基板上の仕切りより上方に盛り上がる程度に液状物を付与する。これを所定温度でベークし乾燥及び硬化させると体積が減り、着色層の高さは仕切りの高さとほぼ同様の高さとなる。

しかしながら、かかるカラーフィルタに於いて、吐出するインクのインク面レベルの制御が不十分であると、乾燥及び硬化後のインクの体積が大きすぎて基板上の仕切りより上方に盛り上がってしまったり、乾燥及び硬化後の体積が小さすぎてへこんだ形状になってしまったりすることがある。

このように乾燥後のインク面に差が生じるのは、インクの量及び濃度が同一でも、乾燥条件が異なるからである。例えばインクを吐出後、高温条件下で乾燥させると、乾燥が速く進み、インクの体積が小さくなる傾向にある。逆に低温条件下で乾燥させると、乾燥が遅くなり、乾燥後のインクの体積がさほど小さくならない傾向にある。

こうしたインク面のばらつきは、同じカラーフィルタ基板上の画素間にも生じることがある。特に、画素形成領域の周縁部の画素と中央部の画素との間にばらつきが生じており、周縁部を除いた中央部の画素間では比較的均一である。これは、画素形成領域の周縁部の乾燥速度が中央部より速いことに起因すると考えられる。このような同一基板上のインク面レベルの差は、色むら、色調差の原因となって好ましくない。

このような問題は、カラーフィルタのみならず他の電気光学装置でも生じ得る問題である。例えば有機ＥＬ発光体溶液をインクジェット法により形成するエレクトロルミネセンス表示装置においても、発光層を画素間で均一に形成することが必要である。
更に、着色層及びバンクの表面は必ずしも平坦ではないため、例えば着色層及びバンクの上に保護層を形成してカラーフィルタとしたものを用いて液晶表示装置を構成する場合に、保護層の表面が平坦にならず、液晶層の分布が平坦にならない場合がある。

そこで、本発明は、液状物の乾燥及び硬化後の品質（体積、表面高さ及び表面平坦性など）の差を抑え、色むら、色調むら、光度むらのないカラーフィルタ及び表示装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、カラーフィルタの表面を平坦にし、その上に形成される液晶層などを均一に分布させることができるカラーフィルタ及び表示装置を提供することを目的とする。

仕切りにより区画された発光層を有する複数の画素を備える電気光学装置であって、前記仕切りは、無機物バンク層及び前記無機物バンク層の上に形成された有機物バンク層を備え、前記有機物バンク層及び前記画素の上に形成された電極を有し、前記電極は、前記仕切りの形成領域より外側の領域まで形成されており、前記有機物バンク層の最も外側の部分は、前記無機物バンク層の最も外側の部分の縁より外側まで形成されていることを特徴とする。

また、前記有機物バンク層、前記画素及び前記電極の上に保護膜が形成されており、前記保護膜は、前記電極の形成領域より外側の領域まで形成されていることを特徴とする。

また、前記有機物バンク層の膜厚は、前記無機物バンク層の膜厚よりも大きいことを特徴とする。

また、前記複数の画素が形成された領域の周囲にダミー画素が形成されていることを特徴とする。

また、検査回路が配置されていることを特徴とする。

また、前記発光層は、液滴吐出により形成されたことを特徴とする。

さらに、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

図１は、本発明の１実施形態に係るカラーフィルタの部分拡大図である。 図２は、図１の変形例によるカラーフィルタの一部断面図である。 図３は、本発明の１実施形態に係る電気光学装置であるカラー液晶表示装置の断面図である。 図４は、上記カラーフィルタの製造工程断面図である。 図５は、上記カラーフィルタの製造工程断面図である。 図６は、上記カラー液晶表示装置の製造工程断面図である。 図７は、上記カラー液晶表示装置の製造工程断面図である。 図８は、本発明の１実施形態に係る表示装置を示す図であって、（ａ）はＥＬ表示装置の平面模式図、（ｂ）は（ａ）のＡＢ線断面模式図である。 図９は、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図である。 図１０は、本発明の他の実施形態による表示装置であるプラズマ型表示装置の基本概念図である。 図１１は、プラズマ型表示装置の分解斜視図である。 図１２は、本発明に係る電子機器の例を示す斜視図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。

＜１．カラーフィルタの構成＞
＜１−１．第１実施例＞
図１は、本発明の１実施形態に係るカラーフィルタの部分拡大図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。

図１（ａ）に示されるように、カラーフィルタ２００は、透明基板１２にマトリクス状に並んだ画素１３を備え、画素と画素の境目は、仕切り１４によって区切られている。画素１３の１つ１つには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかのインクが導入されている。この例では赤、緑、青の配置をいわゆるモザイク配列としたが、ストライプ配列、デルタ配列など、その他の配置でも構わない。

図１（ｂ）に示されるように、カラーフィルタ２００は、透光性の基板１２と、遮光性の仕切り１４とを備えている。仕切り１４が形成されていない（除去された）部分は、上記画素１３を構成する。この画素１３に導入された各色のインクは着色層２０を構成する。仕切り１４及び着色層２０の上面には、オーバーコート層（保護膜）２１が形成されている。

仕切り１４は遮光層１６とバンク層１７を備えている。遮光層１６は、基板１２上に所定のマトリクスパターンで形成されている。そして、遮光層１６は、十分な遮光性を有し、ブラックマトリクスとして機能すれば良く、金属、樹脂などを用いることができる。遮光層１６の材質としては、小さい膜厚で十分かつ均一な遮光性が得られる点で、金属を用いることが好ましい。遮光層１６として用いられる金属は特に限定されず、成膜ならびにフォトエッチングを含む全工程の効率を配慮して選択することができる。このような金属としては、例えばクロム、ニッケル、アルミニウムなどの電子デバイス加工プロセスで用いられているものを好ましく用いることができる。遮光層１６を金属で構成する場合には、その膜厚が０．１μｍ以上であれば十分な遮光性が得られ、さらに金属層の密着性ならびに脆性などを考慮すれば、その膜厚が０．５μｍ以下であることが好ましい。

バンク層１７は、遮光層１６上に形成され、所定のマトリクスパターンを有する。このバンク層１７は、着色層が形成される部分を区画し、隣接する着色層の色が混じり合うこと（混色）を防止する。したがって、バンク層１７の膜厚は、着色層２０を形成する際に注入される色材としてのインクがオーバーフローしないように、このインク層の高さ等の関係で設定される。バンク層１７は、このような観点から、例えば膜厚１〜５μｍの範囲で形成されることが好ましい。

そして、バンク層１７は、その平面パターンにおいて、遮光層１６より一回り小さく形成されている。すなわち、バンク層１７は、その周囲に所定の幅で、遮光層１６が露出するように形成される。
バンク層１７は、フォトリソグラフィーが可能な樹脂層によって構成される。このような感光性樹脂は、必ずしも水に対する接触角が大きい撥水性の優れたもの、あるいは遮光性を有するものである必要はなく、幅広い範囲で選択することができる。バンク層１７を構成する樹脂としては、たとえば、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、カルド系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルアルコールなどを含む感光性樹脂組成物を用いることができる。

着色層２０は、基板１２の露出面上のみならず、遮光層１６の露出面上にも形成される。そして、基板１２の露出面上に形成された部分（透過部）は、実質的に着色層として機能する。これに対し、遮光層１６の露出面上に位置する部分（非透過部）では、遮光層１６にさえぎられて、基板１２の上側及び下側からの光が実質的に透過しない。

このように、着色層２０の周縁部に非透過部が形成されることにより、着色層２０のうちの透過部における膜厚を均一にすることができる。その結果、着色層の膜厚が部分的に異なることに起因する色調むらを防止することができる。以下に理由を述べる。着色層２０の周縁部、すなわちバンク層１７と接触する部分は、バンク層１７の表面に対するインクの濡れ性の程度などによって、他の部分に比べて膜厚が小さくなるか、あるいは大きくなる。従って、着色層２０をその全面にわたって均一の膜厚にすることは、技術的にかなり困難である。しかし、本実施形態によれば、特に膜厚を均一にしにくい着色層２０の周縁部を遮光層１６の一部と重ねて形成することにより、膜厚をコントロールしにくい周縁部を非透過部とすることができる。その結果、色調むらなどの発生の原因となる膜厚の不均一な部分を透過部から除くことができる。

したがって、遮光層１６の露出面の幅は、インクのバンク層１７に対する濡れ性、透過部の有効面積、インク体積と膜厚との関係、バンク層の幅の細さの限界、インク着弾精度などを考慮して設定されることが望ましく、たとえば１〜１０μｍ、より好ましくは２〜３μｍである。

また、遮光層１６の露出面は、上述したように着色層２０が不均一な膜厚を有する部分に形成されることが望ましいことから、着色層２０の周縁に沿って、すなわち遮光層１６の周縁に沿ってリング状に連続して形成されることが好ましい。

さらに、本実施形態では、バンク層１７の底面の周縁が遮光層１６の周縁より内側に位置し、すなわち、バンク層１７の側面が遮光層１６の側面より後退しているので、遮光層１６の上にステップが形成される。このステップは、後に述べるように、着色層２０の形成時に、インクが隣の着色層の透過部に流れ込むのを防止する機能を有する。その結果、着色層における混色の発生を抑制できる。

カラーフィルタ２００には、画素として機能する複数の画素１３が形成された画素形成領域の外側の周辺領域に、表示要素として機能しない着色層を備えたダミー画素１３’が形成されている。このダミー画素１３’は、後述の対向基板３８の対応する部分にはアクティブマトリクス素子が形成されない部分であり、画素１３における着色材料の乾燥後の品質を均一化し、各画素における光の透過特性が画素間でほぼ均一となるようにするため、画素１３の着色層２０と同一量の着色材料を付与された着色層２０’を備えている。

図に示すように、ダミー画素１３’は、他の画素１３に比べて遮光層１６の露出面が大きく、すなわちガラス基板１２の露出面（開口部）が小さくなっているので、通常の画素１３と容易に区別することができる。ダミー画素１３’を囲むバンク層１７は、他の画素１３を囲むバンク層１７と同様の構成となっており、遮光層１６の厚さがバンク層１７の厚さより十分薄いので、画素１３とダミー画素１３’が受容できるインクの容積は、ほぼ同量である。また、ダミー画素１３’の画素密度も、通常の画素１３と同一である。ダミー画素１３’は、基板周縁部側に、例えば画素１０列分にわたって形成されている（図では簡略化のためダミー画素を２列分とした）。

オーバーコート層２１は、画素１３のみならず上記ダミー画素１３’も覆っている。これによりオーバーコート層２１は平坦な上面を有し、液晶層の分布を均一なものとすることができ、各画素における光の透過特性が画素間でほぼ均一となるようにすることができる。

尚、上述した第１実施例では、ダミー画素１３’においても開口部を形成すると述べたが、ダミー画素１３’においては開口部は必ずしも形成されていなくても良い。

＜１−２．第２実施例＞
図２は、図１の変形例によるカラーフィルタの一部断面図である。このカラーフィルタは、仕切り１４を備えており、この仕切り１４は遮光層１６の上にバンク層１７が形成されている点で図１の例と同様であるが、仕切り１４を構成するバンク層１７のうちで最も外側の部分１７’の断面形状が、図１の例と異なっている。

特に、バンク層１７のうちで最も外側の部分１７’が、他のバンク層１７より大きな幅に形成され、遮光層１６の最も外側の部分より外側に及んで基板１２と直接接する部分を有している。この結果、オーバーコート層２１と遮光層１６とが隔離され、互いに非接触の状態になっている。

バンク層１７を樹脂で構成する場合、最も外側の部分１７’が幅広に形成されるため外側部分の熱容量を大きくすることができる。従って、着色層２０の乾燥およびベーク時に、画素形成領域の外側付近に位置する着色層２０の急激な熱変化を抑制することができる。これにより、着色層２０の乾燥後の品質を画素形成領域の外側付近と中央付近とで均一にすることができ、各画素における光学的特性を画素間で均一化することができる。

なお、図１の例ではオーバーコート層２１の端部の傾斜が急峻になりやすく、形状制御が困難な場合が生じていた。これは、図１では、仕切り１４の最外周部においてオーバーコート層２１に遮光層１６が接触していることにより、オーバーコート層２１に対する濡れ性は、バンク層１７より遮光層１６の方が良いことに起因すると思われる。しかし、図２の例では、仕切り１４の最外周部においてオーバーコート層２１が遮光層１６と接触しないためそのような問題はなく、オーバーコート層２１の傾斜をなだらかにすることができる。

＜２．電気光学装置＞
図３は、本発明の１実施形態に係る電気光学装置である表示装置の一例を示す断面図である。ここではカラー液晶表示装置について説明する。このカラー液晶表示装置３００は、上記のカラーフィルタ２００を用いているので、着色材料の乾燥及び硬化が画素間で均一な条件で行なわれ、各画素における乾燥及び硬化後の着色材料の膜厚が画素間で均一となる。また、このカラー液晶表示装置３００は、上記のカラーフィルタ２００を用いているので、オーバーコート層２１が平坦であるため液晶層３７の分布が均一となる。その結果、この液晶表示装置３００は、各画素における発光特性が画素間でほぼ均一となり、画質の良好な画像を表示することができる。

このカラー液晶表示装置３００は、カラーフィルタ２００と対向基板３８とを組み合わせ、両者の間に液晶組成物３７を封入することにより構成されている。液晶表示装置３００の対向基板３８の内側の面には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子又はＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子（図示せず）と画素電極３２とがマトリクス状に形成されている。また、もう一方の基板として、画素電極３２に対向する位置に画素電極２２及び赤、緑、青の着色層２０が配列するようにカラーフィルタ２００が設置されている。

対向基板３８とカラーフィルタ２００の対向するそれぞれの面には、配向膜２６、３６が形成されている。これらの配向膜２６、３６はラビング処理されており、液晶分子を一定方向に配列させることができる。また、対向基板３８およびカラーフィルタ２００の外側の面には、偏光板２９、３９がそれぞれ接着されている。また、バックライトとしては蛍光燈（図示せず）と散乱板の組合わせが一般的に用いられており、液晶組成物３７をバックライト光の透過率を変化させる光シャッターとして機能させることにより表示を行う。

＜３．カラーフィルタ及び電気光学装置の製造方法＞
図４及び図５は、上記カラーフィルタの製造工程断面図である。この図に基づき、カラーフィルタの製造方法の一例を具体的に説明する。

＜３−１．洗浄工程＞
基板１２として、膜厚０．７ｍｍ、たて３８ｃｍ、横３０ｃｍの無アルカリガラスからなる平坦な透明基板を用意する（図４：Ｓ１）。透明基板１２を、アルカリ液で超音波洗浄し、純水でリンスした後、１２０℃でエア乾燥を行って清浄表面を得る。なお、この透明基板１２は、３５０℃の熱に耐えられ、酸やアルカリ等の薬品に侵されにくく、量産可能であるものが好ましい。透明基板１２の材質として、ガラス基板の他、プラスチックフィルム、プラスチックシート等も使用できる。

＜３−２．ブラックマトリクスパターニング工程＞
＜３−２ａ．Ｃｒ層スパッタリング＞
基板１２の表面に、スパッタ法によりクロム膜を含む金属層１６’を得る（図４：Ｓ２ａ）。具体的には、クロムをターゲットとし、反応性スパッタリングを行なってＣｒ₂Ｏ₃上にＣｒが積層された構造とする。Ｃｒ₂Ｏ₃及びＣｒの合計膜厚は平均１５０ｎｍとする。Ｃｒ₂Ｏ₃層を介在させることにより、基板とＣｒ層との密着性が向上する。この金属層１６’は後述の工程で所定の区画領域にパターニングされ、開口部を備えるブラックマトリクスとして機能する。尚、ブラックマトリクスの材料はクロムの他、ニッケル、タングステン、タンタル、銅、アルミニウム等でもよい。

＜３−２ｂ．フォトレジストコーティング＞
この基板をホットプレート上で、８０℃で５分間乾燥させた後、金属層１６’の表面にポジタイプのフォトレジスト層Ｒ１を形成する（図４：Ｓ２ｂ）。例えばフォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応化製）を２０００〜３０００ｒｐｍのスピンコートにより形成する。レジスト層の膜厚は１．７μｍとする。基板上に形成されたフォトレジスト層はホットプレート上で８０℃で５分間乾燥させる。

＜３−２ｃ．露光及び現像＞
このフォトレジスト層Ｒ１の表面に、所要のマトリクスパターン形状を描画したマスクフィルムを密着させ、紫外線で露光をおこなう。次に、これを、水酸化カリウムを８重量％の割合で含むアルカリ現像液に浸漬して、未露光の部分のフォトレジストを除去し、レジスト層Ｒ１をパターニングする（図４：Ｓ２ｃ）。開口部の形成パターンは、モザイク配列、デルタ配列、ストライプ配列等、適宜選択してパターニングする。開口部の形状は矩形に限らず、インク滴の形状に合わせて円形状でもよい。

＜３−２ｄ．クロムエッチング＞
続いて、露出した金属層１６’を、塩酸を主成分とするエッチング液でエッチング除去し画素１３の開口部を形成する（図４：Ｓ２ｄ）。

＜３−２ｅ．フォトレジスト剥離＞
また、レジストを現像して得られたレジストパターンを有機ストリッパーによる薬液処理又は酸素プラズマ等のアッシング処理にてクロム膜から剥離させ、区画形成されたクロムパターンを基板表面に露出させる。このようにして所定のマトリクスパターンを有する遮光層（ブラックマトリクス）１６を得ることができる（図４：Ｓ２ｅ）。遮光層１６の幅は、およそ２０μｍである。

なお、画素形成領域の外側の周辺領域には、図１において説明したように、画像表示に寄与しない前述のダミー画素１３’が約１０画素分の幅に形成される。ダミー画素１３’については、遮光層１６の幅は、これより広くし、開口部の面積を狭くする。

＜３−３．バンクパターニング工程＞
＜３−３ａ．バンク材料コーティング＞
この基板上に、さらにネガ型の透明アクリル系の感光性樹脂組成物１８をやはり２０００〜３０００ｒｐｍのスピンコートで塗布する（図４：Ｓ３ａ）。

＜３−３ｂ．露光及び現像＞
この感光性樹脂組成物１８を１００℃で２０分間プレベークした後、所定のマトリクスパターン形状を描画したマスクフィルムを用いて紫外線露光を行なう。未露光部分の樹脂を、やはりアルカリ性の現像液で現像し、純水でリンスした後スピン乾燥する。最終乾燥としてのアフターベークを２００℃で３０分間行い、樹脂部を十分硬化させることにより、バンク層１７が形成され、遮光層１６及びバンク層１７からなる仕切り１４が形成される（図４：Ｓ３ｂ）。このバンク層１７の役割は、インクを付与すべき各画素１３をバンクとして仕切り、隣接する各画素１３のインク相互の混色を防止することにある。このバンク層１７の膜厚は、平均で２．５μｍである。また、バンク層１７の幅は、およそ１４μｍである。

＜３−３ｃ．表面処理＞
更に、基板１２及び仕切り１４を以下のようにプラズマ処理することで、基板１２には親インク性を与え、仕切り１４には撥インク性を与える。仕切り１４の上部（バンク層１７）は絶縁有機材料で構成され、基板１２はガラス等の無機材料で構成されているため、弗素系化合物を含むガスを導入ガスとして基板表面をプラズマ処理することで上記の効果を得る。具体的には、容量結合型のプラズマ処理では、導入ガスを反応室に流し、一方の電極を基板１２と接続し、他方の電極を基板１２の表面に対向させ、電圧を印加する。

まず、導入ガスとして酸素（Ｏ₂）をガス流量５００ＳＣＣＭ、パワー０．１Ｗ／ｃｍ²〜１．０Ｗ／ｃｍ²、圧力１Ｔｏｒｒ以下の条件で１０秒〜３００秒プラズマ処理を行う。この工程で画素１３の開口部のアッシング処理が行われ、表面に露出した基板１２が活性化することで親インク性となる。

次に、導入ガスとして弗化炭素（ＣＦ₄）をガス流量９００ＳＣＣＭ、パワー０．１Ｗ／ｃｍ²〜１．０Ｗ／ｃｍ²、圧力１Ｔｏｒｒ以下の条件で６００秒〜３６００秒プラズマ処理を行う。この工程により、バンク層１７の表面エネルギーを低下させることができ、インクをはじきやすくすることができる。従って、基板１２の表面を親インク性に保持したまま、バンク層１７を半永久的に撥インク性とすることができる。

尚、弗素系化合物のガスでプラズマ処理をする場合、弗化炭素（ＣＦ₄）の他に弗化窒素（ＮＦ₃）、弗化硫黄（ＳＦ₆）等を用いることもできる。また、バンク層１７は、酸素プラズマで一旦活性化した後、熱処理により元の撥インク性に戻すことも可能である。

上記の表面処理工程により、基板表面を改質することができるが、特に、インクとバンク層１７との接触角は３０ｄｅｇ〜６０ｄｅｇに設定することが好ましく、インクと基板１２との接触角は３０ｄｅｇ以下に設定することが好ましい。

＜３−４．着色層形成工程＞
＜３−４ａ．インク導入＞
上記開口部が形成された各画素１３及びダミー画素１３’に、着色材料であるインクをインクジェット方式により導入し、画素及びダミー画素をＲ、Ｇ、Ｂに着色する（図５：Ｓ４ａ、４ｂ、４ｃ）。仕切り１４はその上部が撥インク性処理されているため、インクがバンクを超えて隣の開口部に流れ込んだり、滲んだりすることを防止できる。

インクジェット式記録ヘッドには、ピエゾ圧電効果を応用した精密ヘッドを使用し、７．０ピコリットル程度の微小インク滴を着色層形成部毎に１０滴、選択的に飛ばす。駆動周波数は１４．４ｋＨｚ、すなわち、各インク滴の吐出間隔は６９．５μ秒に設定する。ヘッドとターゲットとの距離は、０．３ｍｍに設定する。ヘッドよりターゲットである着色層形成部への飛翔速度、飛行曲がり、サテライトと称される分裂迷走滴の発生防止のためには、インクの物性はもとよりヘッドのピエゾ素子を駆動する電圧と、その波形が重要である。従って、あらかじめ条件設定された波形をプログラムして、インク滴を赤、緑、青の３色をそれぞれ塗布して所定の配色パターンにインクを塗布する。

このように、複数種類のインク（赤、緑、青）を同一基板上の別々の画素に導入する場合、３種のインクを同時に塗布してもよく、基板上の所定の各画素に第１のインクを導入しプレベークした後に、第１のインクが導入された画素以外の所定の画素に第２のインクを導入してこれをプレベークし、更に第３のインクを導入することとしてもよい。

インクとしては、例えばポリウレタン樹脂オリゴマーに無機顔料を分散させた後、低沸点溶剤としてシクロヘキサノンおよび酢酸ブチルを、高沸点溶剤としてブチルカルビトールアセテートを加え、さらに非イオン系界面活性剤０．０１重量％を分散剤として添加し、粘度６〜８センチポアズとしたものを用いる。

本実施形態では、バンク層１７の側面が遮光層１６の側面より後退しているので、遮光層の上にステップが形成されている。そのため、着色層形成部にインク層を形成したとき、仮にインク層の一部がバンク層をオーバーフローしても、このインクは遮光層の露出面とバンク層の側面とからなるステップ上に溜まり、隣の着色層形成部のうち基板の露出面に流れ込むことが防止される。その結果、インクの混在による着色層の混色の発生を防止できる。

ここで、画像表示に寄与しない上記のダミー画素１３’にも、通常の画素１３と同じ液量のインクを付与する。ダミー画素１３’の画素密度が通常の画素１３と同一であるため、基板の単位面積当たりに付与されるインク量も同量である。これによりカラーフィルタ内の画素１３に付与されたインクの乾燥条件を均一にすることができる。

＜３−４ｂ．乾燥工程＞
次に、塗布したインクを乾燥させる。まず、自然雰囲気中で３時間放置して着色層２０のセッティングを行った後、６０℃のホットプレート上で４０分間加熱する。このプレベークの作業は、赤、緑、青の３色を同時にではなく順次塗布する場合（図５：Ｓ４ａ、４ｂ、４ｃ）には、各色のインクを塗布する毎に行なう。

最後にオーブン中で２００℃で３０分間加熱して着色層２０の硬化処理を行って、厚さ１．０μｍの着色層２０が得られる。

＜３−５．オーバーコート層形成工程＞
＜３−５ａ．コーティング＞
乾燥が終了すると、インク膜が形成されたカラーフィルタ基板にオーバーコート層２１を形成する（図５：Ｓ５ａ）。このオーバーコート層２１はフィルタ表面の平滑化の役割をも担う。オーバーコート層２１の形成には、スピンコート法、ロールコート法、ディッピング法、インクジェット法等が適用でき、例えば２０００〜３０００ｒｐｍのスピンコートにより、画素１３及び仕切り１４全体を覆いかつ基板１２からの高さが２〜３μｍとなるように形成する。オーバーコート層２１の組成としては、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、光熱併用タイプの樹脂、蒸着やスパッタ等で形成された無機材料等を用いることができ、カラーフィルタとして用いる場合の透明性を考慮してその後のＩＴＯ形成プロセス、配向膜形成プロセス等に耐えうるものであれば使用可能である。

このオーバーコート層２１は上記のダミー画素１３’も覆うように形成されるので、オーバーコート層２１の表面全体が平坦になり、液晶層の分布を均一化することができる。

また、オーバーコート層２１は、撥水処理された仕切り１４のバンク層１７に対しては密着性が低くなっている。従って、図に示すように画素形成領域の外側に露出された基板１２にまでオーバーコート層２１が及ぶように形成されることが望ましい。これにより、オーバーコート層２１が基板１２に密着し、オーバーコート層２１の剥離を防止することができる。

＜３−５ｂ．露光及び現像＞
オーバーコート層２１をスピンコートしたら、露光及び現像を行ない、当該オーバーコート層２１のうち基板周縁の部分を除去する（図５：Ｓ５ｂ）。除去された部分には後に端子の取出し部分が形成される。

＜３−５ｃ．加熱処理＞
次に、オーバーコート層２１を乾燥させるため、所定の温度（例えば、２２０℃）で所定の時間（例えば、６０分）加熱し、カラーフィルタ２００とする。

＜３−６．ＩＴＯ形成工程＞
図６及び図７は、上記カラー液晶表示装置の製造工程断面図である。
カラーフィルタ２００のオーバーコート層２１の上面に電極層となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層２２’をスパッタ法、蒸着法等の公知の手法を用いてオーバーコート層２１の全面にわたって３００ｎｍの厚みに形成する（図６：Ｓ６）。更に、ＩＴＯの上面にＳｉＯ₂からなる絶縁膜（図示せず）を反応性スパッタリングにより１０ｎｍの厚みに形成する。

同様の工程を、カラーフィルタ２００のみならず、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などのアクティブマトリクス素子が形成された対向基板３８に対しても行ない、ＩＴＯからなる電極層３２及びＳｉＯ₂からなる絶縁膜を形成する（図示せず）。

＜３−７．ＩＴＯエッチング工程＞
＜３−７ａ．フォトレジスト塗布＞
次に、上記ＩＴＯ層２２’及び絶縁膜に対して、フォトリソグラフィ工程を行う。このフォトリソグラフィ工程では、まず、基板に形成したＳｉＯ₂／ＩＴＯ膜の表面全体にレジストＲ２を２０００〜３０００ｒｐｍのスピンコーティングで１．７μｍの厚さに塗布する（図６：Ｓ７ａ）。

＜３−７ｂ．露光及び現像＞
その後、フォトマスクを用いての露光、現像を行って、レジストマスクを形成する（図６：Ｓ７ｂ）。

＜３−７ｃ．エッチング及びレジスト剥離＞
次に、レジストマスクＲ２をマスクとしてＳｉＯ₂／ＩＴＯ膜にエッチングを行って、画素電極２２をパターニング形成した後、アルカリ液でレジストマスクを剥離、除去する（図６：Ｓ７ｃ）。

＜３−８．配向膜形成工程＞
次に、基板の表面に配向膜２６を形成する。配向膜２６は例えばポリイミド等を７５ｎｍの厚さにフレキソ印刷し、１９０℃で焼成して形成する（図６：Ｓ８、９）。同様の工程をカラーフィルタ２００のみならず対向基板３８に対しても行ない、配向膜３６を形成する（図示せず）。

＜３−９．ラビング工程＞
次に、上記配向膜を一軸配向処理（ラビング処理）することにより、後に封入される液晶分子を一定方向に配列させる。

＜３−１０．スペーサ散布工程＞
次に、配向膜２６上にスペーサ３１を散布する（図７：Ｓ１０）。スペーサは粒径３．５μｍのものを用いる。

＜３−１１．シール材印刷工程＞
次に、オーバーコート層２１上の周縁部にシール材３３を印刷する（図７：Ｓ１１）。このシール印刷工程では、シール材３３の一部に途切れ部分を液晶注入口として形成しておく。このシール材の印刷にはスクリーン印刷等の技術を用いることができる。シール材３３の印刷後、１６０℃の温度で焼成する。

＜３−１２．組立工程＞
次に、カラーフィルタ２００と対向基板３８を対向させて貼り合わせる（図７：Ｓ１２）。
このようにして貼り合わせたパネルを、短冊状に切断する。この短冊切断工程では、後で分割されたときに液晶パネルとなる部分が短冊状に一列、繋がった状態になる。

＜３−１３．液晶注入工程＞
次に、短冊状のパネルの隙間（カラーフィルタ基板２００と対向基板３８との間の間隙）内に液晶３７を注入する（図７：Ｓ１３）。この注入・封止工程では、パネルを液晶注入装置の処理室内の所定位置に入れる。次に、処理室内を真空引きし、カラーフィルタ２００と対向基板３８とによって挟まれた間隙内を真空にする。次に、液晶の貯留されている容器を移動させ、液晶注入口が容器内の液晶に浸かった状態とする。この状態で、処理室内を大気開放して真空状態を解除すると、カラーフィルタ２００と対向基板３８とによって挟まれた間隙内は真空状態のままなので、液晶は、液晶注入口から間隙内に吸引されていく。

このようにして液晶３７の注入が終了した後は、液晶注入口を紫外線硬化樹脂からなる封止剤で封止する。液晶の注入・封止工程を終えた後は、短冊状のパネルに付着している液晶を洗浄する。

次に、短冊状のパネルを単品の液晶パネルとして切断する。次に、単品の液晶パネルに付着しているガラス粉などを除去するために単品の液晶パネルを洗浄する。
次に、カラーフィルタ２００および対向基板３８の外側表面に、図３に示すように偏光板２９及び３９をそれぞれ貼り付ける。

しかる後には、最終検査工程において、フレキシブル配線基板を介して所定の検査信号を供給し、各画素の全点灯、あるいは部分点灯などの検査を行い、液晶表示装置３００が完成する。

＜４．ＥＬ表示装置＞
次に、本発明の電気光学装置の他の例であるＥＬ（エレクトロルミンセンス）表示装置３０１について説明する。図８は、本実施形態のＥＬ表示装置の平面模式図及び断面模式図である。
本実施形態のＥＬ表示装置は、ガラス等からなる透明な基体３０２と、マトリクス状に配置された発光素子と、封止基板を具備している。

＜４−１．基体＞
基体３０２は、基体３０２の中央に位置する表示領域３０２ａと、基体３０２の周縁に位置して表示領域３０２ａの外側に配置された非表示領域３０２ｂとに区画されている。
表示領域３０２ａは、マトリクス上に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、非表示領域３０２ｂには、表示領域３０２ａに隣接するダミー領域３０２ｄが形成されている。

本実施形態によれば、ダミー領域にも機能層を形成するので、各画素における機能層の層厚が画素間で均一となる。その結果、このＥＬ表示装置３０１は、各画素における発光特性が画素間でほぼ均一となり、良好な画像を表示することができる。

＜４−２．回路素子＞
また、図８（ｂ）に示すように、発光素子及びバンク部からなる発光素子部３１１と基体３０２との間には回路素子部３１４が備えられ、この回路素子部３１４に、走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ４２３等が備えられている。

＜４−３．陰極＞
また、陰極３１２は、その一端が基体３０２上に形成された陰極用配線３１２ａに接続されており、この配線の一端部がフレキシブル基板３０５上の配線３０５ａに接続されている。また、配線３０５ａは、フレキシブル基板３０５上に備えられた駆動ＩＣ（駆動回路）３０６に接続されている。

＜４−４．電源線＞
また、図８ａ及び図８ｂに示すように、回路素子部３１４の非表示領域３０２ｂには、電源線４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが配線されている。

＜４−５．駆動回路＞
また、表示領域３０２ａの両側には、走査側駆動回路４０５、４０５が配置されている。この走査側駆動回路４０５、４０５はダミー領域３０２ｄの下側の回路素子部３１４内に設けられている。更に回路素子部３１４内には、走査側駆動回路４０５、４０５に接続される駆動回路用制御信号配線４０５ａと駆動回路用電源配線４０５ｂとが設けられている。

＜４−６．検査回路＞
更に非表示領域３０２ｂには検査回路（不図示）が配置されている。この検査回路により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査をすることができる。

＜４−７．封止部＞
また、図８ｂに示すように、発光素子部３１１上には封止部３０３が備えられている。この封止部３０３は、基体３０２に塗布された封止樹脂６０３と、封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。

封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体３０２に接合されており、その内側には表示素子３１０を収容する凹部６０４ａが形成されている。凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられている。

＜４−８．表示領域の全体的構成＞
図９には、本発明の表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図９には３つの画素が図示されている。表示装置３０１は、基体３０２上にＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部３１４と、機能層４１０が形成された発光素子部３１１とが順次積層されて構成されている。

この表示装置においては、機能層４１０から基体３０２側に発した光が、回路素子部３１４及び基体３０２を透過して基体３０２の下側に出射される。また、機能層４１０から基体３０２の反対側に発した光が陰極３１２により反射されて、回路素子部３１４及び基体３０２を透過して基体３０２の下側に出射される。

＜４−９．回路素子部＞
回路素子部３１４には、基体３０２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜３０２ｃが形成される。この下地保護膜３０２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜４４１が形成されている。なお、半導体膜４４１には、ソース領域４４１ａ及びドレイン領域４４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域４４１ｃとなっている。

更に回路素子部３１４には、下地保護膜３０２ｃ及び半導体膜４４１を覆う透明なゲート絶縁膜４４２が形成され、ゲート絶縁膜４４２上にはゲート電極４４３（走査線）が形成される。ゲート電極４４３及びゲート絶縁膜４４２上には透明な第１層間絶縁膜４４４ａと第２層間絶縁膜４４４ｂが形成されている。ゲート電極４４３は半導体膜４４１のチャネル領域４４１ｃに対応する位置に設けられている。

また、第１、第２層間絶縁膜４４４ａ、４４４ｂを貫通して、半導体膜４４１のソース、ドレイン領域４４１ａ、４４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール４４５、４４６が形成されている。
そして、第２層間絶縁膜４４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極４１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール４４５がこの画素電極４１１に接続されている。

また、もう一方のコンタクトホール４４６が電源線４０３に接続されている。
このようにして、回路素子部３１４には、各画素電極４１１に接続された薄膜トランジスタ４２３が形成されている。

＜４−１０．発光素子部＞
発光素子部３１１は、複数の画素電極４１１上の各々に積層された機能層４１０と、各画素電極４１１及び機能層４１０を隣接する画素電極４１１及び機能層４１０から区画する仕切り４１２と、機能層４１０上に形成された陰極３１２とを主体として構成されている。これら画素電極（第１電極）４１１、機能層４１０及び陰極３１２（対向電極）によって発光素子が構成されている。

ここで、画素電極４１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極４１１の長さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。各画素電極４１１の間に仕切り４１２が備えられている。

仕切り４１２は、基体３０２側に位置する無機物バンク層４１２ａ（第１バンク層）と基体３０２から離れて位置する有機物バンク層４１２ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。

無機物バンク層４１２ａは、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層４１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度が良い。

更に、有機物バンク層４１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。この有機物バンク層４１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。

＜４−１１．機能層＞
機能層４１０は、画素電極４１１上に積層された正孔注入／輸送層４１０ａと、正孔注入／輸送層４１０ａ上に隣接して形成された発光層４１０ｂとから構成されている。

正孔注入／輸送層４１０ａは、正孔を発光層４１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層４１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層４１０ａを画素電極４１１と発光層４１０ｂの間に設けることにより、発光層４１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層４１０ｂでは、正孔注入／輸送層４１０ａから注入された正孔と、陰極３１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。また、正孔注入／輸送層４１０ａは、画素電極４１１上の平坦部４１０ａ₁のほか、仕切り４１２に沿って形成される周縁部４１０ａ₂を有していてもよい。

発光層４１０ｂは、赤色に発光する赤色発光層４１０ｂ₁、緑色に発光する緑色発光層４１０ｂ₂、及び青色に発光する青色発光層４１０ｂ₃の３種類を有し、これらが例えばストライプ配列されている。

＜４−１２．陰極＞
陰極３１２は、発光素子部３１１の全面に形成されており、画素電極４１１と対になって機能層４１０に電流を流す役割を果たす。この陰極３１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましい。

＜４−１３．変形例＞
なお、上記の例では、機能層４１０から発した光が基体３０２の下側に出射するようになっている（いわゆるボトムエミッション）。これに対し、陰極３１２として、透明な材料を用いることにより、発光する光を陰極３１２側から出射させることもできる（いわゆるトップエミッション）。

この場合、透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にすることが好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。また、基体３０２は透明材料からなる必要はない。更に、画素電極４１１は高反射材料が用いられる。画素電極４１１が上記と同様に陽極である場合には、画素電極には、例えばＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ等のように仕事関数が大きく、反射率の高い材料が用いられる。

陰極３１２の上には保護膜が形成される。トップエミッションの場合は保護膜が均一であることが各画素における発光特性の画素間での均一性のために好ましい。本実施形態ではダミー画素が設けられているので、画素形成領域では保護膜が均一に形成される。このため、発光特性が画素間で一定になり、良好な表示ができるというメリットがある。

＜５．プラズマ表示装置＞
図１０は、本発明の他の実施形態による表示装置であるプラズマ型表示装置の基本概念図、図１１はプラズマ型表示装置の分解斜視図を示す。
この実施形態の表示装置５００は、前述の実施例と同様のカラーフィルタを備えており、このカラーフィルタ３１を観察側に配置して構成されている。表示装置５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とカラーフィルタ３１と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成される。カラーフィルタ３１は、基板５０２上に仕切り５０３及び着色層５０６が形成され、更にこれらを覆うオーバーコート層５０７を備えて構成されている。

放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。従って先のカラーフィルタ３１の各着色部に対応するように各放電室５１６が設けられる。

前記ガラス基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。更に誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置において、アドレス電極５１１と直交する方向にも、所定の間隔で仕切られている（図示略）。基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる、長方形状の領域が形成される。これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成されている。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が形成されている。

次に、カラーフィルタ３１側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に（図１０では、図示の都合上、アドレス電極の方向が実際と相違している）複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。これら表示電極５１２を覆って誘電体層５１３が形成され、更にＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。

そして、前記基板５０１とカラーフィルタ３１の基板５０２が、複数のアドレス電極５１１と複数の表示電極５１２を互いに直交させるように対向させて互いに張り合わされている。基板５０１と、隔壁５１５と、カラーフィルタ３１側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを導入することで放電室５１６が形成されている。なお、カラーフィルタ３１側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。

アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで、必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体を励起発光させて白色発光させる。この発光をカラーフィルタ３１を介して見ることで、カラー表示ができるようになっている。

＜６．電子機器＞
次に、上記表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。これら電子機器は、上記各実施形態の表示装置を表示部として用いているので、着色材料の乾燥及び硬化が画素間で均一な条件で行なわれ、各画素における乾燥及び硬化後の着色材料の膜厚が画素間で均一となり、画質の良好な画像を表示することができる。

図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｂ）は、ワープロ、ノート型パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。

図に示すように、上記の表示装置を用いた表示部７０２が情報処理装置７００に設けられている。また、情報処理装置７００は、キーボードなどの入力部７０１を備えている。
この情報処理装置７００は、表示情報出力源、表示情報処理回路、クロック発生回路などの様々な回路や、それらの回路に電力を供給する電源回路などからなる表示信号生成部を含む情報処理装置本体７０３を備えている。表示装置には、例えば入力部７０１から入力された情報等に基き表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって表示画像が形成される。

図１２（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
これらの電子機器を製造するには、駆動ＩＣ（駆動回路）を備えた表示装置を構成し、この表示装置を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込めばよい。

本実施形態に係る電気光学装置が組み込まれる電子機器としては、上記に限らず、電子手帳、ページャ、ＰＯＳ端末、ＩＣカード、ミニディスクプレーヤ、液晶プロジェクタ、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、タッチパネルを備えた装置、ゲーム機器など様々な電子機器が挙げられる。
（産業上の利用可能性）

本発明によれば、液状物の乾燥及び硬化後の品質（体積、表面高さ及び表面平坦性など）の差を抑え、色むら、色調むら、光度むらのないカラーフィルタを提供することができる。また、本発明によれば、保護膜を平坦にし、その上に形成される液晶層などを均一に分布させることができるカラーフィルタを提供することができる。
（符号の説明）

なお、図中、符号２００はカラーフィルタ、１２は基板、１３は画素、１３’はダミー画素、１４は仕切り、２０は着色層、２１はオーバーコート層（保護膜）、３００は液晶表示装置（電気光学装置）である。

Claims (7)

1. 表示領域と、前記表示領域の外側にダミー画素が形成された表示領域とを備え、少なくとも前記表示領域に複数の発光素子を有する電気光学装置であって、
   基体と、
   前記基体上に配置された仕切りと、
   前記基体上に配置され、前記仕切りにより区画された複数の発光素子と、
   前記複数の発光素子の各々は、
   前記仕切りの間に配置された画素電極と、
   前記画素電極及び前記仕切り上に配置された陰極と、
   前記画素電極と前記陰極との間に配置され、少なくとも発光層を有する機能層と、
   前記仕切り及び前記陰極上に形成されてるとともに前記仕切りの形成領域よりも外側の領域に形成された保護層と、
   を有し、
   前記仕切りは、無機物バンク層と、前記無機物バンク層の上に形成された有機物バンク層と、を備え、
   前記非表示領域における前記仕切りのうち、最も外側に形成されている仕切りは前記無機物バンク層よりも前記有機物バンク層の方が外側に形成されているとともに、前記無機物バンク層と前記保護層とが隔離されている、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記保護膜は、前記陰極より外側の領域まで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記有機物バンク層の膜厚は、前記無機物バンク層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記非表示領域にダミー画素が形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記無機物バンク層は、ＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２で形成されており、前記有機物バンク層はアクリル樹脂またはポリイミド樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記発光層は、液滴吐出により形成されたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１ないし６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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