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JP5192431B2 - Gas property measurement system - Google Patents

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JP5192431B2 JP2009084713A JP2009084713A JP5192431B2 JP 5192431 B2 JP5192431 B2 JP 5192431B2 JP 2009084713 A JP2009084713 A JP 2009084713A JP 2009084713 A JP2009084713 A JP 2009084713A JP 5192431 B2 JP5192431 B2 JP 5192431B2
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Description

本発明はガス検査技術に係り、ガス物性値測定システムに関する。   The present invention relates to a gas inspection technique, and relates to a gas property value measurement system.

ガスを効率よく使用するためには、濃度変化等によるガス物性の変化を監視、制御する必要がある。そのため、ガスの物性を測定する測定装置が提案されている(例えば、特許文献1、2参照。)。ガスの物性の一つである放熱係数を測定する際には、発熱抵抗体を発熱させ、発熱抵抗体と熱的に平衡になったガスの温度が計測される。   In order to use gas efficiently, it is necessary to monitor and control changes in gas properties due to changes in concentration. For this reason, measuring devices for measuring the physical properties of gas have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2). When measuring the heat dissipation coefficient, which is one of the physical properties of the gas, the heating resistor is heated, and the temperature of the gas that is in thermal equilibrium with the heating resistor is measured.

特開2007−248220号公報JP 2007-248220 A 特表2004−514138号公報JP-T-2004-514138

しかし、同一ガスの物性を計測しても、計測環境によって物性の計測値が変動する場合がある。よって本発明は、ガスの計測された物性値の正確な評価を可能にするガス物性値測定システムを提供することを目的の一つとする。   However, even if the physical properties of the same gas are measured, the measured values of the physical properties may vary depending on the measurement environment. Therefore, an object of the present invention is to provide a gas property value measurement system that enables accurate evaluation of measured property values of gas.

本発明の態様によれば、発熱抵抗体と、発熱抵抗体に電力が与えられていないときの発熱抵抗体の雰囲気ガスの参照温度の値を測定する測温素子と、発熱抵抗体に電力を与え、発熱抵抗体を発熱させる駆動回路と、発熱する発熱抵抗体と熱的に平衡な雰囲気ガスの平衡ガス温度の値に基づいて、雰囲気ガスの物性値を算出する算出部と、物性値及び参照温度の値を関連付けて保存する記憶装置と、を備えるガス物性値測定システムが提供される。ガスの物性値は、参照温度によって変動する場合がある。これに対し、本発明の態様に係るガス物性値測定システムによれば、参照温度が保存されるため、算出されたガスの物性値を正確に評価することが可能となる。   According to the aspect of the present invention, the heating resistor, the temperature measuring element that measures the reference temperature value of the atmospheric gas of the heating resistor when no power is applied to the heating resistor, and the power to the heating resistor. A driving circuit that generates heat from the heating resistor, a calculation unit that calculates a physical property value of the atmospheric gas based on an equilibrium gas temperature value of the atmospheric gas that is in thermal equilibrium with the heating resistor that generates heat, a physical property value, and There is provided a gas property value measurement system including a storage device that associates and stores a reference temperature value. The physical property value of the gas may vary depending on the reference temperature. On the other hand, according to the gas property value measurement system according to the aspect of the present invention, the reference temperature is stored, so that the calculated property value of the gas can be accurately evaluated.

本発明によれば、ガスの計測された物性値の正確な評価を可能にするガス物性値測定システムを提供可能である。   According to the present invention, it is possible to provide a gas property value measurement system that enables accurate evaluation of measured property values of gas.

本発明の第1の実施の形態に係るマイクロチップの斜視図である。1 is a perspective view of a microchip according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係るマイクロチップの図1のII−II方向から見た断面図である。It is sectional drawing seen from the II-II direction of FIG. 1 of the microchip which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る発熱抵抗体に関する回路図である。It is a circuit diagram regarding the heat generating resistor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る補助ヒータに関する回路図である。It is a circuit diagram regarding the auxiliary heater which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る雰囲気ガスの温度と、測温抵抗素子の測定温度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the temperature of atmospheric gas which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the measured temperature of a resistance temperature sensor. 本発明の第1の実施の形態に係る雰囲気ガスの温度と、計測された放熱係数との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the temperature of the atmospheric gas which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the measured thermal radiation coefficient. 本発明の第1の実施の形態に係る測温抵抗素子の測定温度と、計測された放熱係数との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the measured temperature of the resistance temperature element which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the measured thermal radiation coefficient. 本発明の第1の実施の形態に係る発熱抵抗体の発熱温度と、ガスの放熱係数の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the heat_generation | fever temperature of the heat generating resistor which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the thermal radiation coefficient of gas. 本発明の第1の実施の形態に係るガス物性値測定システムの第1の模式図である。1 is a first schematic diagram of a gas property value measurement system according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係るガス物性値測定システムの第2の模式図である。It is a 2nd schematic diagram of the gas physical property value measurement system which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る発熱量算出式の作成方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the preparation method of the emitted-heat amount calculation formula which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係るガス物性値測定システムを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the gas physical property value measurement system which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る熱伝導率と放熱係数との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the thermal conductivity which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and a thermal radiation coefficient. 本発明の第3の実施の形態に係るガス物性値測定システムを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the gas physical property value measurement system which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態に係るガスの濃度と放熱係数との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the density | concentration of the gas which concerns on the 3rd Embodiment of this invention, and a heat dissipation coefficient. 本発明の第4の実施の形態に係るガス物性値測定システムを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the gas physical property value measurement system which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態に係る発熱量の算出方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the calculation method of the emitted-heat amount which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の実施例に係るサンプル混合ガスの組成と発熱量を示す表である。It is a table | surface which shows the composition and calorific value of the sample mixed gas which concerns on the Example of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の実施例に係るサンプル混合ガスの算出された発熱量と真の発熱量を示すグラフである。It is a graph which shows the calculated calorific value and the true calorific value of the sample mixed gas concerning the example of the embodiment of the invention. 本発明の実施の形態の実施例に係るサンプル混合ガスの真の発熱量と、算出された発熱量の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship of the calorific value of the sample mixed gas which concerns on the Example of embodiment of this invention, and the calculated calorific value.

以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。   Embodiments of the present invention will be described below. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic. Therefore, specific dimensions and the like should be determined in light of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

(第1の実施の形態)
まず、斜視図である図1、及びII−II方向から見た断面図である図2を参照して、第1の実施の形態に係るガス物性値測定システムに用いられるマイクロチップ8について説明する。マイクロチップ8は、キャビティ66が設けられた基板60、及び基板60上にキャビティ66を覆うように配置された絶縁膜65を備える。基板60の厚みは、例えば0.5mmである。また、基板60の縦横の寸法は、例えばそれぞれ1.5mm程度である。絶縁膜65のキャビティ66を覆う部分は、断熱性のダイアフラムをなしている。
(First embodiment)
First, the microchip 8 used in the gas property value measurement system according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 1 which is a perspective view and FIG. 2 which is a cross-sectional view seen from the II-II direction. . The microchip 8 includes a substrate 60 provided with a cavity 66, and an insulating film 65 disposed on the substrate 60 so as to cover the cavity 66. The thickness of the substrate 60 is, for example, 0.5 mm. The vertical and horizontal dimensions of the substrate 60 are, for example, about 1.5 mm. A portion of the insulating film 65 covering the cavity 66 forms a heat insulating diaphragm.

さらにマイクロチップ8は、絶縁膜65のダイアフラムの部分に設けられた発熱抵抗体61と、発熱抵抗体61を挟むように絶縁膜65のダイアフラムの部分に設けられた第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63と、基板60上に設けられたガス温度センサ64と、を備える。ガス温度センサ64も電気抵抗素子等からなる。   Furthermore, the microchip 8 includes a heating resistor 61 provided in the diaphragm portion of the insulating film 65 and a first resistance temperature detector 62 provided in the diaphragm portion of the insulating film 65 so as to sandwich the heating resistor 61. And a second temperature measuring resistance element 63 and a gas temperature sensor 64 provided on the substrate 60. The gas temperature sensor 64 also includes an electric resistance element or the like.

発熱抵抗体61は、キャビティ66を覆う絶縁膜65のダイアフラムの部分の中心に配置されている。発熱抵抗体61は、電力を与えられて発熱し、発熱抵抗体61に接する雰囲気ガスを加熱する。発熱抵抗体61に隣接して設けられた第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、発熱抵抗体61が発熱していないときの発熱抵抗体61近傍の局所的な温度を、参照温度TRとして検出する。ガス温度センサ64は、発熱抵抗体61から第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63より遠方に配置されている。ガス温度センサ64は、発熱した発熱抵抗体61と熱的に平衡な雰囲気ガスのガス温度を、平衡ガス温度として検出する。ガス温度センサ64は、絶縁膜65を介して発熱抵抗体61から隔離されて、熱伝導性の基板60上に設けられている。そのため、第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63と比較して、ガス温度センサ64は、発熱抵抗体61の発熱から受ける影響が少ない。 The heating resistor 61 is arranged at the center of the diaphragm portion of the insulating film 65 covering the cavity 66. The heating resistor 61 generates electric power and generates heat, and heats the atmospheric gas in contact with the heating resistor 61. The first resistance thermometer element 62 and the second resistance thermometer resistance element 63 provided adjacent to the heating resistor 61 are local to the vicinity of the heating resistor 61 when the heating resistor 61 is not generating heat. the temperature is detected as reference temperature T R. The gas temperature sensor 64 is disposed farther from the heating resistor 61 than the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63. The gas temperature sensor 64 detects the gas temperature of the atmospheric gas that is in thermal equilibrium with the heat generating resistor 61 that has generated heat as the equilibrium gas temperature. The gas temperature sensor 64 is provided on the thermally conductive substrate 60 so as to be isolated from the heating resistor 61 via the insulating film 65. Therefore, the gas temperature sensor 64 is less affected by the heat generated by the heating resistor 61 than the first resistance temperature element 62 and the second resistance temperature element 63.

基板60の材料としては、シリコン(Si)等が使用可能である。絶縁膜65の材料としては、酸化ケイ素(SiO2)等が使用可能である。キャビティ66は、異方性エッチング等により形成される。また発熱抵抗体61、第1の測温抵抗素子62、第2の測温抵抗素子63、及びガス温度センサ64のそれぞれの材料には白金(Pt)等が使用可能であり、リソグラフィ法等により形成可能である。 As a material of the substrate 60, silicon (Si) or the like can be used. As a material of the insulating film 65, silicon oxide (SiO 2 ) or the like can be used. The cavity 66 is formed by anisotropic etching or the like. Also, platinum (Pt) or the like can be used as the material of the heating resistor 61, the first temperature measuring resistance element 62, the second temperature measuring resistance element 63, and the gas temperature sensor 64. It can be formed.

図3に示すように、発熱抵抗体61の一端には、例えば、オペアンプ170の+入力端子が電気的に接続され、他端は接地される。また、オペアンプ170の+入力端子及び出力端子と並列に、抵抗素子161が接続される。オペアンプ170の−入力端子は、直列に接続された抵抗素子162と抵抗素子163との間、直列に接続された抵抗素子163と抵抗素子164との間、直列に接続された抵抗素子164と抵抗素子165との間、又は抵抗素子165の接地端子に電気的に接続される。各抵抗素子162−165の抵抗値を適当に定めることにより、例えば5.0Vの電圧Vinを抵抗素子162の一端に印加すると、抵抗素子163と抵抗素子162との間には、例えば2.4Vの電圧VL3が生じる。また、抵抗素子164と抵抗素子163との間には、例えば1.9Vの電圧VL2が生じ、抵抗素子165と抵抗素子164との間には、例えば1.4Vの電圧VL1が生じる。 As shown in FIG. 3, for example, a positive input terminal of an operational amplifier 170 is electrically connected to one end of the heating resistor 61, and the other end is grounded. A resistance element 161 is connected in parallel with the + input terminal and the output terminal of the operational amplifier 170. The negative input terminal of the operational amplifier 170 has a resistance element 162 and a resistance element 163 connected in series, a resistance element 163 and a resistance element 164 connected in series, and a resistance element 164 and a resistance connected in series. It is electrically connected to the element 165 or to the ground terminal of the resistance element 165. By appropriately determining the resistance value of each resistance element 162-165, for example, when a voltage Vin of 5.0 V is applied to one end of the resistance element 162, the resistance element 163 and the resistance element 162 have a voltage of 2.4 V, for example. Voltage V L3 is generated. Further, a voltage V L2 of 1.9 V, for example, is generated between the resistance element 164 and the resistance element 163, and a voltage V L1 of, for example, 1.4 V is generated between the resistance element 165 and the resistance element 164.

抵抗素子162及び抵抗素子163の間と、オペアンプの−入力端子との間には、スイッチSW1が設けられており、抵抗素子163及び抵抗素子164の間と、オペアンプの−入力端子との間には、スイッチSW2が設けられている。また、抵抗素子164及び抵抗素子165の間と、オペアンプの−入力端子との間には、スイッチSW3が設けられており、抵抗素子165の接地端子と、オペアンプの−入力端子との間には、スイッチSW4が設けられている。   A switch SW1 is provided between the resistance element 162 and the resistance element 163 and between the negative input terminal of the operational amplifier, and between the resistive element 163 and the resistive element 164 and between the negative input terminal of the operational amplifier. Is provided with a switch SW2. Further, a switch SW3 is provided between the resistance element 164 and the resistance element 165 and between the negative input terminal of the operational amplifier, and between the ground terminal of the resistive element 165 and the negative input terminal of the operational amplifier. A switch SW4 is provided.

オペアンプ170の−入力端子に2.4Vの電圧VL3を印加する場合、スイッチSW1のみが通電され、スイッチSW2,SW3,SW4は切断される。オペアンプ170の−入力端子に1.9Vの電圧VL2を印加する場合、スイッチSW2のみが通電され、スイッチSW1,SW3,SW4は切断される。オペアンプ170の−入力端子に1.4Vの電圧VL1を印加する場合、スイッチSW3のみが通電され、スイッチSW1,SW2,SW4は切断される。オペアンプ170の−入力端子に0Vの電圧VL0を印加する場合、スイッチSW4のみが通電され、スイッチSW1,SW2,SW3は切断される。したがって、スイッチSW1,SW2,SW3,SW4の開閉によって、オペアンプ170の−入力端子に0V又は3段階の電圧のいずれかを印加可能である。そのため、スイッチSW1,SW2,SW3,SW4の開閉によって、発熱抵抗体61の発熱温度を3段階に設定可能である。 When a voltage V L3 of 2.4 V is applied to the negative input terminal of the operational amplifier 170, only the switch SW1 is energized and the switches SW2, SW3, SW4 are disconnected. Of the operational amplifier 170 - When applying the voltage V L2 of 1.9V to the input terminal, only the switch SW2 is turned on and the switches SW1, SW3, SW4 are disconnected. When a voltage V L1 of 1.4 V is applied to the negative input terminal of the operational amplifier 170, only the switch SW3 is energized and the switches SW1, SW2, and SW4 are disconnected. When a voltage V L0 of 0 V is applied to the negative input terminal of the operational amplifier 170, only the switch SW4 is energized and the switches SW1, SW2, and SW3 are disconnected. Therefore, either 0V or a three-stage voltage can be applied to the negative input terminal of the operational amplifier 170 by opening and closing the switches SW1, SW2, SW3, and SW4. Therefore, the heating temperature of the heating resistor 61 can be set in three stages by opening and closing the switches SW1, SW2, SW3, and SW4.

図1及び図2に示す発熱抵抗体61は、温度によって抵抗値が変化する。発熱抵抗体61の発熱温度THと、発熱抵抗体61の抵抗値RHの関係は、下記(1)式で与えられる。
RH = RSTD×[1+α(TH-TSTD) + β(TH-TSTD)2] ・・・(1)
ここで、TSTDは標準温度を表し、例えば20℃である。RSTDは標準温度TSTDにおける予め計測された抵抗値を表す。αは1次の抵抗温度係数、βは2次の抵抗温度係数を表す。また、発熱抵抗体61の抵抗値RHは、発熱抵抗体61の駆動電力PHと、発熱抵抗体61の通電電流IHから、下記(2)式で与えられる。
RH = PH / IH 2 ・・・(2)
あるいは発熱抵抗体61の抵抗値RHは、発熱抵抗体61にかかる電圧VHと、発熱抵抗体61の通電電流IHから、下記(3)式で与えられる。
RH = VH / IH ・・・(3)
The resistance value of the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 varies depending on the temperature. The relationship between the heat generation temperature TH of the heat generation resistor 61 and the resistance value R H of the heat generation resistor 61 is given by the following equation (1).
R H = R STD × [1 + α (T H -T STD ) + β (T H -T STD ) 2 ] (1)
Here, T STD represents a standard temperature, for example, 20 ° C. R STD represents a resistance value measured in advance at the standard temperature T STD . α represents a first-order resistance temperature coefficient, and β represents a second-order resistance temperature coefficient. Further, the resistance value R H of the heating resistor 61 is given by the following equation (2) from the driving power P H of the heating resistor 61 and the energization current I H of the heating resistor 61.
R H = P H / I H 2 (2)
Alternatively, the resistance value R H of the heating resistor 61 is given by the following equation (3) from the voltage V H applied to the heating resistor 61 and the energization current I H of the heating resistor 61.
R H = V H / I H (3)

ここで、発熱抵抗体61の発熱温度THは、発熱抵抗体61と雰囲気ガスの間が熱的に平衡になったときに安定する。なお、熱的に平衡な状態とは、発熱抵抗体61の発熱と、発熱抵抗体61から雰囲気ガスへの放熱とが釣り合っている状態をいう。平衡状態において、下記(4)式に示すように、発熱抵抗体61の駆動電力PHを、発熱抵抗体61の発熱温度THと雰囲気ガスの平衡ガス温度TOとの差で割ることにより、雰囲気ガスの放熱係数MOが得られる。なお、放熱係数MOの単位は、例えばW/℃である。
MO = PH / (TH - TO) ・・・(4)
Here, the heating temperature TH of the heating resistor 61 is stabilized when the heating resistor 61 and the atmospheric gas are in thermal equilibrium. The thermally balanced state refers to a state where the heat generated by the heating resistor 61 and the heat radiation from the heating resistor 61 to the atmospheric gas are balanced. In equilibrium, as shown in the following equation (4), the driving power P H of the heating resistor 61 is divided by the difference between the equilibrium gas temperature T O of the heating temperature T H and the ambient gas of the heating resistor 61 , the radiation coefficient M O of the atmosphere gas is obtained. The unit of the heat dissipation coefficient M O is, for example, W / ° C.
M O = P H / (T H -T O ) (4)

発熱抵抗体61の通電電流IHと、駆動電力PH又は電圧VHは計測可能であるため、上記(1)乃至(3)から発熱抵抗体61の発熱温度THが算出可能である。また、雰囲気ガスの平衡ガス温度TOは、図1に示すガス温度センサ64で測定可能である。したがって、図1及び図2に示すマイクロチップ8を用いて、雰囲気ガスの放熱係数MOが算出可能である。 Energizing current I H of the heating resistor 61, since the driving power P H or the voltage V H can be measured, the heat producing temperature T H of the heating resistor 61 from the (1) to (3) can be calculated. Further, the equilibrium gas temperature T O of the atmospheric gas can be measured by the gas temperature sensor 64 shown in FIG. Thus, by using the microchip 8 shown in Figs. 1 and 2, the radiation coefficient M O of the atmosphere gas can be calculated.

マイクロチップ8は、マイクロチップ8の底面に配置された断熱部材18を介して、雰囲気ガスが充填されるチャンバ等に固定される。断熱部材18を介してマイクロチップ8をチャンバ等に固定することにより、マイクロチップ8の温度が、チャンバ等の内壁の温度変動の影響を受けにくくなる。断熱部材18の熱伝導率は、例えば10W/(m・K)以下である。   The microchip 8 is fixed to a chamber or the like filled with atmospheric gas via a heat insulating member 18 disposed on the bottom surface of the microchip 8. By fixing the microchip 8 to the chamber or the like via the heat insulating member 18, the temperature of the microchip 8 becomes less susceptible to the temperature fluctuation of the inner wall of the chamber or the like. The heat conductivity of the heat insulating member 18 is, for example, 10 W / (m · K) or less.

さらに、マイクロチップ8は、熱伝導性の基板60の温度を一定に保つ補助ヒータを備えていてもよい。基板60の温度を一定に保つことにより、発熱抵抗体61が発熱する前のマイクロチップ8の近傍の雰囲気ガスの温度が、基板60の一定の温度と近似する。そのため、発熱抵抗体61が発熱する前の雰囲気ガスの温度の変動が抑制される。温度変動が一度抑制された雰囲気ガスを発熱抵抗体61でさらに加熱することにより、より高い精度で放熱係数MOを算出することが可能となる。補助ヒータにも電気抵抗素子等が使用可能である。また、基板60上に配置されたガス温度センサ64が、補助ヒータを兼ねていてもよい。 Further, the microchip 8 may include an auxiliary heater that keeps the temperature of the thermally conductive substrate 60 constant. By keeping the temperature of the substrate 60 constant, the temperature of the ambient gas in the vicinity of the microchip 8 before the heating resistor 61 generates heat approximates the constant temperature of the substrate 60. Therefore, fluctuations in the temperature of the atmospheric gas before the heating resistor 61 generates heat are suppressed. By temperature variation further heated by the heating resistor 61 to the atmosphere gas is once suppressed, it is possible to calculate the radiation coefficient M O with higher accuracy. An electric resistance element or the like can also be used for the auxiliary heater. The gas temperature sensor 64 disposed on the substrate 60 may also serve as an auxiliary heater.

図4に示すように、ガス温度センサ64は、抵抗ブリッジ回路の一部をなしている。抵抗ブリッジ回路は、ガス温度センサ64と直列に接続された抵抗素子181と、ガス温度センサ64及び抵抗素子181と並列に接続された抵抗素子182,183を備える。ここで、ガス温度センサ64の抵抗値をRr、抵抗素子181,182,183の固定された抵抗値をそれぞれR181,R182,R183とする。抵抗ブリッジ回路には、オペアンプ171が接続されている。ガス温度センサ64を補助ヒータとして機能させる場合、抵抗素子181とガス温度センサ64との間のブリッジ電圧V2aが、抵抗素子182と抵抗素子183との間のブリッジ電圧V2bと等しくなるよう、ブリッジ駆動電圧V1がフィードバック制御される。これにより、ガス温度センサ64の抵抗値Rrが一定となり、ガス温度センサ64が補助ヒータとして一定の温度で発熱する。 As shown in FIG. 4, the gas temperature sensor 64 forms part of a resistance bridge circuit. The resistance bridge circuit includes a resistance element 181 connected in series with the gas temperature sensor 64, and resistance elements 182 and 183 connected in parallel with the gas temperature sensor 64 and the resistance element 181. Here, the resistance value of the gas temperature sensor 64 is Rr, and the fixed resistance values of the resistance elements 181 , 182 , and 183 are R 181 , R 182 , and R 183 , respectively. An operational amplifier 171 is connected to the resistance bridge circuit. When the gas temperature sensor 64 functions as an auxiliary heater, the bridge voltage V 2a between the resistance element 181 and the gas temperature sensor 64 is equal to the bridge voltage V 2b between the resistance element 182 and the resistance element 183. The bridge drive voltage V 1 is feedback controlled. Thereby, the resistance value Rr of the gas temperature sensor 64 becomes constant, and the gas temperature sensor 64 generates heat at a constant temperature as an auxiliary heater.

ただし、図2に示すキャビティ66上のダイアフラムは、基板60に接していない。そのため、補助ヒータを用いて基板60の温度を一定に保っても、ダイアフラムに設けられた発熱抵抗体61近傍の温度は、雰囲気ガスの温度に応じて変動しうる。図5は、チャンバ内に導入される雰囲気ガスの温度を−10℃から50℃まで変動させた場合の、第1の測温抵抗素子62及び発熱抵抗体61に対し第1の測温抵抗素子62と対称な位置に配置された第2の測温抵抗素子63で測定された発熱抵抗体61近傍の温度の平均値の例を示す。なお、測温抵抗素子は必ずしも複数である必要はない。ただし、発熱抵抗体61に対し対称に配置された第1の測温抵抗素子62と第2の測温抵抗素子63測温抵抗素子の平均値を採用することにより、物性値の算出精度をより一層高めることが可能となる。例えば、外乱等により、発熱抵抗体61で加熱された雰囲気ガスの温度が発熱抵抗体61を中心として均等とならない場合には、発熱素子に対し対称に設置された複数の測温抵抗素子62、63の温度の平均値に基づいて被測定ガスの物性値を算出することにより、物性値の算出精度をより一層高めることが可能となる。また、図5において、ガス温度センサ64を補助ヒータとして60℃で発熱させており、発熱抵抗体61は発熱させていない。この例においては、雰囲気ガスの温度が10℃変化すると、発熱抵抗体61近傍の温度はおおむね0.5℃変化している。   However, the diaphragm on the cavity 66 shown in FIG. 2 is not in contact with the substrate 60. For this reason, even if the temperature of the substrate 60 is kept constant using the auxiliary heater, the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 provided in the diaphragm can vary depending on the temperature of the atmospheric gas. FIG. 5 shows the first resistance temperature element 62 with respect to the first resistance temperature element 62 and the heating resistor 61 when the temperature of the atmospheric gas introduced into the chamber is changed from −10 ° C. to 50 ° C. An example of the average value of the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 measured by the second resistance temperature detector 63 arranged at a position symmetrical to 62 is shown. It is not always necessary to have a plurality of resistance thermometer elements. However, by adopting the average value of the first resistance temperature element 62 and the second resistance temperature element 63 arranged symmetrically with respect to the heating resistor 61, the calculation accuracy of the physical property value is further improved. This can be further enhanced. For example, when the temperature of the atmospheric gas heated by the heating resistor 61 is not uniform around the heating resistor 61 due to disturbance or the like, a plurality of resistance thermometer elements 62 installed symmetrically with respect to the heating element, By calculating the physical property value of the gas to be measured based on the average value of 63 temperatures, it is possible to further increase the calculation accuracy of the physical property value. In FIG. 5, the gas temperature sensor 64 is used as an auxiliary heater to generate heat at 60 ° C., and the heating resistor 61 does not generate heat. In this example, when the temperature of the atmospheric gas changes by 10 ° C., the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 changes by approximately 0.5 ° C.

図6は、ガス温度センサ64を補助ヒータとして60℃で発熱させながら、雰囲気ガスの温度を−10℃から50℃まで変動させた場合に、図2に示す発熱抵抗体61を用いて算出された放熱係数MOの例を示す。図6は、雰囲気ガスの温度が変動することにより、算出される放熱係数MOも変動することを示している。 FIG. 6 is calculated using the heating resistor 61 shown in FIG. 2 when the temperature of the atmospheric gas is varied from −10 ° C. to 50 ° C. while the gas temperature sensor 64 is heated as an auxiliary heater at 60 ° C. and an example of a radiation coefficient M O. FIG. 6 shows that the calculated heat dissipation coefficient M O varies as the ambient gas temperature varies.

図5及び図6に示した結果に基づいて作成した図7は、発熱前の発熱抵抗体61近傍の温度変動が、算出される放熱係数MOの値に影響しうることを示している。そのため、雰囲気ガスの放熱係数MOを計測する場合には、発熱抵抗体61を発熱させる前に、発熱抵抗体61近傍の温度を参照温度TRとして記録することが好ましい。 5 and 7 were prepared based on the results shown in Figure 6, the heating resistor 61 temperature variations in the vicinity of the front exotherm indicates that may affect the value of the radiation coefficient M O is calculated. Therefore, when measuring the radiation coefficients M O of the atmosphere gas, prior to heating the heating resistor 61, it is preferable to record the temperature of the heating resistor 61 near the reference temperature T R.

また、図7に示すように、ある雰囲気ガスについて、複数の参照温度TRに対する放熱係数MOを予め計測すれば、参照温度TRと放熱係数MOとの関係を示す近似式等を作成可能である。近似式は、一次、二次、又は高次の関数である。以下、近似式が、下記(5)式で与えられる一次関数である場合を説明する。
MO = s×TR + u ・・・(5)
(5)式において、s、uは、最小自乗法等により算出された定数である。ここで、任意の参照温度TR_mにおける雰囲気ガスの放熱係数MO_mは、下記(6)式で与えられる。
MO_m = s×TR_m + u ・・・(6)
また、例えば60℃等の所定の参照温度TR_sにおける放熱係数MO_sは、下記(7)式で与えられる。
MO_s = s×TR_s + u ・・・(7)
(6)式及び(7)式より、所定の参照温度TR_sにおける放熱係数MO_sは、下記(8)式で与えられる。
MO_s = MO_m - s (TR_m - TR_s) ・・・(8)
例えば、下記(9)式を用いて、任意の参照温度TR_mにおける雰囲気ガスの放熱係数MO_mの値を、参照温度が60℃の場合における放熱係数MO_sの値に換算することが可能となる。
MO_s = MO_m - s (TR_m - 60) ・・・(9)
Further, as shown in FIG. 7, if a heat radiation coefficient M O for a plurality of reference temperatures T R is measured in advance for a certain atmospheric gas, an approximate expression or the like showing the relationship between the reference temperature T R and the heat radiation coefficient M O is created. Is possible. The approximate expression is a first-order, second-order, or higher-order function. Hereinafter, a case where the approximate expression is a linear function given by the following expression (5) will be described.
M O = s × T R + u (5)
In equation (5), s and u are constants calculated by the method of least squares or the like. Here, the radiation coefficient M O_m the atmospheric gas in any reference temperature T R_m is given by the following equation (6).
M O_m = s × T R_m + u (6)
Moreover, the radiation coefficient M O_s at a given reference temperature T R_s of example 60 ° C. and the like is given by the following equation (7).
M O_s = s × T R_s + u (7)
(6) and (7), the radiation coefficient M O_s at a given reference temperature T R_s, given by the following equation (8).
M O_s = M O_m -s (T R_m -T R_s ) (8)
For example, it is possible to convert the value of the heat release coefficient M O_m of the atmospheric gas at an arbitrary reference temperature T R_m to the value of the heat release coefficient M O_s when the reference temperature is 60 ° C. using the following equation (9). Become.
M O_s = M O_m -s (T R_m -60) (9)

次に、雰囲気ガスが混合ガスであり、混合ガスが、ガスA、ガスB、ガスC、及びガスDの4種類のガス成分からなっていると仮定する。ここで、ガスAの体積率VA、ガスBの体積率VB、ガスCの体積率VC、及びガスDの体積率VDの総和は、下記(10)式で与えられるように、1である。
VA+VB+VC+VD=1 ・・・(10)
Next, it is assumed that the atmospheric gas is a mixed gas, and the mixed gas is composed of four types of gas components: gas A, gas B, gas C, and gas D. Here, the sum of the volume ratio V A of gas A , the volume ratio V B of gas B , the volume ratio V C of gas C , and the volume ratio V D of gas D is given by the following equation (10): 1.
V A + V B + V C + V D = 1 (10)

また、ガスAの単位体積当たりの発熱量をKA、ガスBの単位体積当たりの発熱量をKB、ガスCの単位体積当たりの発熱量をKC、ガスDの単位体積当たりの発熱量をKDとすると、混合ガスの単位体積当たりの発熱量Qは、各ガス成分の体積率に、各ガス成分の単位体積当たりの発熱量を乗じたものの総和で与えられる。したがって、混合ガスの単位体積当たりの発熱量Qは、下記(11)式で与えられる。なお、単位体積当たりの発熱量の単位は、例えばMJ/m3である。
Q = KA×VA+ KB×VB+ KC×VC+KD×VD ・・・(11)
The calorific value per unit volume of gas A is K A , the calorific value per unit volume of gas B is K B , the calorific value per unit volume of gas C is K C , and the calorific value per unit volume of gas D is Is K D , the calorific value Q per unit volume of the mixed gas is given by the sum of the volume ratio of each gas component multiplied by the calorific value per unit volume of each gas component. Therefore, the calorific value Q per unit volume of the mixed gas is given by the following equation (11). The unit of the calorific value per unit volume is, for example, MJ / m 3 .
Q = K A × V A + K B × V B + K C × V C + K D × V D ... (11)

また、ガスAの放熱係数をMA、ガスBの放熱係数をMB、ガスCの放熱係数をMC、ガスDの放熱係数をMDとすると、混合ガスの放熱係数MIは、各ガス成分の体積率に、各ガス成分の放熱係数を乗じたものの総和で与えられる。したがって、混合ガスの放熱係数MIは、下記(12)式で与えられる。
MI = MA×VA+ MB×VB+ MC×VC+MD×VD ・・・(12)
Moreover, the radiation coefficient M A gas A, the radiation coefficient of gas B M B, when the radiation coefficient of gas C M C, the radiation coefficient of the gas D and M D, the radiation coefficient M I of the mixed gas, the It is given as the sum of the volume fraction of the gas component multiplied by the heat dissipation coefficient of each gas component. Therefore, the heat dissipation coefficient M I of the mixed gas is given by the following equation (12).
M I = M A × V A + M B × V B + M C × V C + M D × V D ... (12)

さらに、ガスの放熱係数は発熱抵抗体61の発熱温度THに依存するので、混合ガスの放熱係数MIは、発熱抵抗体61の発熱温度THの関数として、下記(13)式で与えられる。
MI (TH)= MA(TH)×VA+ MB(TH)×VB+ MC(TH)×VC+MD(TH)×VD ・・・(13)
Further, since the radiation coefficient of gas depends on the heating temperature T H of the heating resistor 61, the radiation coefficient M I of the mixed gas, as a function of the heating temperature T H of the heating resistor 61, given by the following equation (13) It is done.
M I (T H ) = M A (T H ) × V A + M B (T H ) × V B + M C (T H ) × V C + M D (T H ) × V D・ ・ ・ ( 13)

したがって、発熱抵抗体61の発熱温度がTH1のときの混合ガスの放熱係数MI(TH1)は下記(14)式で与えられる。また、発熱抵抗体61の発熱温度がTH2のときの混合ガスの放熱係数MI(TH2)は下記(15)式で与えられ、発熱抵抗体61の発熱温度がTH3のときの混合ガスの放熱係数MI(TH3)は下記(16)式で与えられる。なお、発熱温度TH1、発熱温度TH2、発熱温度TH3は異なる温度である。
MI (TH1)= MA(TH1)×VA+ MB(TH1)×VB+ MC(TH1)×VC+MD(TH1)×VD ・・・(14)
MI (TH2)= MA(TH2)×VA+ MB(TH2)×VB+ MC(TH2)×VC+MD(TH2)×VD ・・・(15)
MI (TH3)= MA(TH3)×VA+ MB(TH3)×VB+ MC(TH3)×VC+MD(TH3)×VD ・・・(16)
Therefore, the heat release coefficient M I (T H1 ) of the mixed gas when the heat generation temperature of the heat generation resistor 61 is T H1 is given by the following equation (14). Further, the heat dissipation coefficient M I (T H2 ) of the mixed gas when the heating temperature of the heating resistor 61 is T H2 is given by the following equation (15), and the mixing is performed when the heating temperature of the heating resistor 61 is T H3. The heat release coefficient M I (T H3 ) of gas is given by the following equation (16). The exothermic temperature T H1 , the exothermic temperature T H2 , and the exothermic temperature T H3 are different temperatures.
M I (T H1 ) = M A (T H1 ) × V A + M B (T H1 ) × V B + M C (T H1 ) × V C + M D (T H1 ) × V D・ ・ ・ ( 14)
M I (T H2 ) = M A (T H2 ) × V A + M B (T H2 ) × V B + M C (T H2 ) × V C + M D (T H2 ) × V D・ ・ ・ ( 15)
M I (T H3 ) = M A (T H3 ) × V A + M B (T H3 ) × V B + M C (T H3 ) × V C + M D (T H3 ) × V D・ ・ ・ ( 16)

ここで、発熱抵抗体61の発熱温度THに対して各ガス成分の放熱係数MA(TH),MB(TH),MC(TH),MD(TH)が非線形性を有する場合、上記(14)乃至(16)式は、線形独立な関係を有する。また、発熱抵抗体61の発熱温度THに対して各ガス成分の放熱係数MA(TH),MB(TH),MC(TH),MD(TH)が線形性を有する場合でも、発熱抵抗体61の発熱温度THに対する各ガス成分の放熱係数MA(TH),MB(TH),MC(TH),MD(TH) の変化率が異なる場合は、上記(14)乃至(16)式は、線形独立な関係を有する。さらに、(14)乃至(16)式が線形独立な関係を有する場合、(10)式及び(14)乃至(16)式は線形独立な関係を有する。 Here, the heat dissipation coefficients M A (T H ), M B (T H ), M C (T H ), and M D (T H ) of each gas component are nonlinear with respect to the heat generation temperature T H of the heat generation resistor 61. The above formulas (14) to (16) have a linearly independent relationship. Further, the heat dissipation coefficients M A (T H ), M B (T H ), M C (T H ), and M D (T H ) of each gas component are linear with respect to the heat generation temperature T H of the heat generation resistor 61. even with a change in the radiation coefficient M a of the gas component to the heat producing temperature T H of the heating resistor 61 (T H), M B (T H), M C (T H), M D (T H) When the rates are different, the above equations (14) to (16) have a linearly independent relationship. Further, when the equations (14) to (16) have a linearly independent relationship, the equations (10) and (14) to (16) have a linearly independent relationship.

図8は、天然ガスに含まれるメタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)の放熱係数と発熱抵抗体61の発熱温度の関係を示すグラフである。発熱抵抗体61の発熱温度に対して、メタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)のそれぞれのガス成分の放熱係数は線形性を有する。しかし、発熱抵抗体61の発熱温度に対する放熱係数の変化率は、メタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)のそれぞれで異なる。したがって、混合ガスを構成するガス成分がメタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)であるである場合、上記(14)乃至(16)式は、線形独立な関係を有する。 FIG. 8 shows the relationship between the heat release coefficient of the heating resistor 61 and the heat release coefficient of methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ) contained in natural gas. It is a graph to show. The heat release coefficient of each gas component of methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ) is linear with respect to the heat generation temperature of the heat generation resistor 61. Have. However, the rate of change of the heat dissipation coefficient with respect to the heat generation temperature of the heat generating resistor 61 is different for each of methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ). Therefore, when the gas components constituting the mixed gas are methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ), the above (14) to (16 ) Has a linearly independent relationship.

(14)乃至(16)式中の各ガス成分の放熱係数MA(TH1),MB(TH1),MC(TH1),MD(TH1),MA(TH2),MB(TH2),MC(TH2),MD(TH2),MA(TH3),MB(TH3),MC(TH3),MD(TH3)の値は、計測等により予め得ることが可能である。したがって、(10)式及び(14)乃至(16)式の連立方程式を解くと、ガスAの体積率VA、ガスBの体積率VB、ガスCの体積率VC、及びガスDの体積率VDのそれぞれが、下記(17)乃至(20)式に示すように、混合ガスの放熱係数MI(TH1),MI(TH2),MI(TH3)の関数として与えられる。なお、下記(17)乃至(20)式において、nを自然数としてfnは、関数を表す記号である。
VA=f1[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)] ・・・(17)
VB=f2[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)] ・・・(18)
VC=f3[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)] ・・・(19)
VD=f4[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)] ・・・(20)
The heat release coefficients M A (T H1 ), M B (T H1 ), M C (T H1 ), M D (T H1 ), M A (T H2 ) of each gas component in the equations (14) to (16) , M B (T H2 ), M C (T H2 ), M D (T H2 ), M A (T H3 ), M B (T H3 ), M C (T H3 ), M D (T H3 ) The value can be obtained in advance by measurement or the like. Accordingly, when the simultaneous equations of the equations (10) and (14) to (16) are solved, the volume ratio V A of the gas A , the volume ratio V B of the gas B , the volume ratio V C of the gas C , and the gas D Each of the volume ratios V D is expressed as a function of the heat radiation coefficient M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 ) of the mixed gas as shown in the following equations (17) to (20). Given. In the following equations (17) to (20), n is a natural number and f n is a symbol representing a function.
V A = f 1 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] (17)
V B = f 2 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] (18)
V C = f 3 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] (19)
V D = f 4 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] (20)

ここで、上記(11)式に(17)乃至(20)式を代入することにより、下記(21)式が得られる。
Q = KA×VA+ KB×VB+ KC×VC+KD×VD
= KA×f1[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)]+ KB×f2[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)]
+ KC×f3[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)]+KD×f4[MI (TH1), MI ( TH2), MI (TH3)] ・・・(21)
Here, the following equation (21) is obtained by substituting the equations (17) to (20) into the above equation (11).
Q = K A × V A + K B × V B + K C × V C + K D × V D
= K A × f 1 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] + K B × f 2 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )]
+ K C × f 3 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] + K D × f 4 [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] ... (21)

上記(21)式から明らかなように、混合ガスの単位体積当たりの発熱量Qは、発熱抵抗体61の発熱温度TH1,TH2,TH3における混合ガスの放熱係数MI(TH1),MI(TH2),MI(TH3)を変数とする方程式で与えられる。したがって、混合ガスの発熱量Qは、gを関数を表す記号として、下記(22)式で与えられる。
Q = g[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3)] ・・・(22)
As is clear from the above equation (21), the calorific value Q per unit volume of the mixed gas is the heat release coefficient M I (T H1 ) of the mixed gas at the heat generation temperatures T H1 , T H2 , T H3 of the heat generating resistor 61. , M I (T H2 ), M I (T H3 ) are given as equations. Therefore, the calorific value Q of the mixed gas is given by the following equation (22), where g is a symbol representing a function.
Q = g [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 )] (22)

よって、ガスA、ガスB、ガスC、及びガスDからなる混合ガスについて、予め上記(22)式を得れば、ガスAの体積率VA、ガスBの体積率VB、ガスCの体積率VC、及びガスDの体積率VDが未知の検査対象混合ガスの単位体積当たりの発熱量Qを容易に算出可能であることを、発明者らは見出した。具体的には、発熱抵抗体61の発熱温度TH1,TH2,TH3における検査対象混合ガスの放熱係数MI(TH1),MI(TH2),MI(TH3)を計測し、(22)式に代入することにより、検査対象混合ガスの発熱量Qを一意に求めることが可能となる。 Therefore, if the above equation (22) is obtained in advance for a mixed gas composed of gas A, gas B, gas C, and gas D, the volume ratio V A of gas A , the volume ratio V B of gas B , and the gas C The inventors have found that the calorific value Q per unit volume of the gas to be inspected with unknown volume ratio V C and volume ratio V D of gas D can be easily calculated. Specifically, the heat release coefficients M I (T H1 ), M I (T H2 ), and M I (T H3 ) of the mixed gas to be inspected at the heating temperatures T H1 , T H2 , and T H3 of the heating resistor 61 are measured. Then, by substituting into the equation (22), the calorific value Q of the mixed gas to be inspected can be obtained uniquely.

なお、混合ガスのガス成分は、4種類に限定されることはない。例えば、混合ガスがn種類のガス成分からなる場合、まず、下記(23)式で与えられる、発熱抵抗体61の少なくともn−1種類の発熱温度TH1,TH2,TH3,・・・,THn-1に対する混合ガスの放熱係数MI(TH1),MI(TH2),MI(TH3),・・・,MI(THn-1)を変数とする方程式を予め得る。そして、発熱抵抗体61のn−1種類の発熱温度TH1,TH2,TH3,・・・,THn-1に対する、n種類のガス成分のそれぞれの体積率が未知の検査対象混合ガスの放熱係数MI(TH1),MI(TH2),MI(TH3),・・・,MI(THn-1)を計測し、(23)式に代入することにより、検査対象混合ガスの単位体積当たりの発熱量Qを一意に求めることが可能となる。
Q = g[MI (TH1), MI (TH2), MI (TH3), ・・・, MI (THn-1)] ・・・(23)
The gas components of the mixed gas are not limited to four types. For example, when the mixed gas is composed of n types of gas components, first, at least n−1 types of heat generation temperatures T H1 , T H2 , T H3,. , T Hn-1, M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 ), ..., M I (T Hn-1 ) Get in advance. Then, the n-1 types of heat generation temperatures T H1 , T H2 , T H3 ,..., T Hn-1 of the heat generation resistor 61 are inspected mixed gases whose volume ratios of n types of gas components are unknown. By measuring the heat dissipation coefficients M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 ),..., M I (T Hn-1 ), and substituting them into the equation (23), The calorific value Q per unit volume of the inspection target mixed gas can be uniquely determined.
Q = g [M I (T H1 ), M I (T H2 ), M I (T H3 ), ..., M I (T Hn-1 )] ... (23)

ただし、混合ガスが、ガス成分としてメタン(CH4)、プロパン(C38)に加えて、jを自然数として、メタン(CH4)とプロパン(C38)以外のアルカン(Cj2j+2)を含む場合、メタン(CH4)とプロパン(C38)以外のアルカン(Cj2j+2)を、メタン(CH4)とプロパン(C38)の混合物とみなしても、(23)式の算出には影響しない。例えば、エタン(C26)、ブタン(C410)、ペンタン(C512)、ヘキサン(C614)を、下記(24)乃至(27)式に示すように、それぞれ所定の係数を掛けられたメタン(CH4)とプロパン(C38)の混合物とみなして(23)式を算出してもかまわない。
C2H6 = 0.5 CH4 + 0.5 C3H8 ・・・(24)
C4H10 = -0.5 CH4 + 1.5 C3H8 ・・・(25)
C5H12 = -1.0 CH4 + 2.0 C3H8 ・・・(26)
C6H14 = -1.5 CH4 + 2.5 C3H8 ・・・(27)
However, the mixed gas, methane (CH 4) as a gas component in addition to the propane (C 3 H 8), a j is a natural number, methane (CH 4) and other than propane (C 3 H 8) alkane (C j H 2j + 2 ), alkanes other than methane (CH 4 ) and propane (C 3 H 8 ) (C j H 2j + 2 ), and mixtures of methane (CH 4 ) and propane (C 3 H 8 ) Does not affect the calculation of equation (23). For example, ethane (C 2 H 6 ), butane (C 4 H 10 ), pentane (C 5 H 12 ), and hexane (C 6 H 14 ) are respectively represented by the following formulas (24) to (27): The equation (23) may be calculated by regarding the mixture as methane (CH 4 ) and propane (C 3 H 8 ) multiplied by a predetermined coefficient.
C 2 H 6 = 0.5 CH 4 + 0.5 C 3 H 8 ... (24)
C 4 H 10 = -0.5 CH 4 + 1.5 C 3 H 8 ... (25)
C 5 H 12 = -1.0 CH 4 + 2.0 C 3 H 8 ... (26)
C 6 H 14 = -1.5 CH 4 + 2.5 C 3 H 8 ... (27)

したがって、zを自然数として、n種類のガス成分からなる混合ガスが、ガス成分としてメタン(CH4)、プロパン(C38)に加えて、メタン(CH4)とプロパン(C38)以外のz種類のアルカン(Cj2j+2)を含む場合、少なくともn−z−1種類の発熱温度における混合ガスの放熱係数を変数とする方程式を求めてもよい。 Accordingly, the z as a natural number, a mixed gas consisting of n kinds of gas components methane (CH 4) as a gas component in addition to the propane (C 3 H 8), methane (CH 4) and propane (C 3 H 8 ) Other than z types of alkanes (C j H 2j + 2 ), an equation having at least the heat release coefficient of the mixed gas at the nz−1 types of heat generation temperatures as variables may be obtained.

なお、(23)式の算出に用いられた混合ガスのガス成分の種類と、単位体積当たりの発熱量Qが未知の検査対象混合ガスのガス成分の種類が同じ場合に、検査対象混合ガスの発熱量Qの算出に(23)式を利用可能であることはもちろんである。さらに、検査対象混合ガスがn種類より少ない種類のガス成分からなり、かつ、n種類より少ない種類のガス成分が、(23)式の算出に用いられた混合ガスに含まれている場合も、(23)式を利用可能である。例えば、(23)式の算出に用いられた混合ガスが、メタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)の4種類のガス成分を含む場合、検査対象混合ガスが、窒素(N2)を含まず、メタン(CH4)、プロパン(C38)、及び二酸化炭素(CO2)の3種類のガス成分のみを含む場合も、検査対象混合ガスの発熱量Qの算出に(23)式を利用可能である。 In addition, when the type of the gas component of the mixed gas used for the calculation of the equation (23) is the same as the type of the gas component of the mixed gas to be inspected whose calorific value Q per unit volume is unknown, Of course, the equation (23) can be used to calculate the calorific value Q. Furthermore, when the inspection target mixed gas is composed of less than n types of gas components and less than n types of gas components are included in the mixed gas used in the calculation of equation (23), Equation (23) can be used. For example, the mixed gas used in the calculation of the equation (23) includes four types of gas components, methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ). In some cases, the mixed gas to be inspected does not contain nitrogen (N 2 ) but contains only three kinds of gas components, methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), and carbon dioxide (CO 2 ). The equation (23) can be used for calculating the calorific value Q of the inspection target mixed gas.

さらに、(23)式の算出に用いられた混合ガスが、ガス成分としてメタン(CH4)とプロパン(C38)を含む場合、検査対象混合ガスが、(23)式の算出に用いられた混合ガスに含まれていないアルカン(Cj2j+2)を含んでいても、(23)式を利用可能である。これは、上述したように、メタン(CH4)とプロパン(C38)以外のアルカン(Cj2j+2)を、メタン(CH4)とプロパン(C38)の混合物とみなしても、(23)式を用いた単位体積当たりの発熱量Qの算出に影響しないためである。 Further, when the mixed gas used for calculating the equation (23) includes methane (CH 4 ) and propane (C 3 H 8 ) as gas components, the inspection target mixed gas is used for calculating the equation (23). Even if the alkane (C j H 2j + 2 ) not contained in the mixed gas is contained, the equation (23) can be used. This is because, as described above, the methane (CH 4) and propane (C 3 H 8) other than the alkane (C j H 2j + 2) , a mixture of methane (CH 4) and propane (C 3 H 8) Even if it considers, it is because it does not affect calculation of the emitted-heat amount Q per unit volume using (23) Formula.

ここで、図9に示す第1の実施の形態に係るガス物性値測定システム20は、発熱量の値が既知のサンプル混合ガスが充填されるチャンバ101と、複数の異なる発熱温度で発熱する図1及び図2に示す発熱抵抗体61を用いて、サンプル混合ガスの複数の放熱係数の値を計測する図9に示す計測機構10と、を備える。さらに、ガス物性値測定システムは、発熱抵抗体61が発熱していないときの発熱抵抗体61近傍のサンプル混合ガスの参照温度TRに基づいて、サンプル混合ガスの複数の放熱係数の値を補正する補正モジュール321と、サンプル混合ガスの既知の発熱量の値、及び補正された複数の放熱係数の値に基づいて、発熱抵抗体の複数の発熱温度における放熱係数を独立変数とし、発熱量を従属変数とする発熱量算出式を作成する式作成モジュール302とを備える。なお、サンプル混合ガスは、複数種類のガス成分を含む。 Here, the gas property value measurement system 20 according to the first embodiment shown in FIG. 9 generates heat at a plurality of different heat generation temperatures, and a chamber 101 filled with a sample mixed gas whose calorific value is known. 9 and the measurement mechanism 10 shown in FIG. 9 that measures the values of a plurality of heat dissipation coefficients of the sample mixed gas using the heating resistor 61 shown in FIG. 1 and FIG. Furthermore, the gas property value measurement system, based on the reference temperature T R of the heating resistor 61 near the sample mixed gas when the heat generating resistor 61 is not heating, the correction values of a plurality of radiation coefficients sample mixed gas Based on the correction module 321 to perform, the known calorific value of the sample mixed gas, and the corrected values of the plurality of heat dissipation coefficients, the heat dissipation coefficients at the plurality of heat generation temperatures of the heating resistor are set as independent variables, and the heat generation amount is calculated. And a formula creation module 302 that creates a calorific value calculation formula as a dependent variable. The sample mixed gas includes a plurality of types of gas components.

計測機構10は、サンプル混合ガスが注入されるチャンバ101内に配置された、図1及び図2を用いて説明したマイクロチップ8を備える。マイクロチップ8は、断熱部材18を介してチャンバ101内に配置されている。チャンバ101には、サンプル混合ガスをチャンバ101に送るための流路102と、サンプル混合ガスをチャンバ101から外部に排出するための流路103と、が接続されている。   The measurement mechanism 10 includes the microchip 8 described with reference to FIGS. 1 and 2 disposed in a chamber 101 into which a sample mixed gas is injected. The microchip 8 is disposed in the chamber 101 via the heat insulating member 18. The chamber 101 is connected to a flow path 102 for sending the sample mixed gas to the chamber 101 and a flow path 103 for discharging the sample mixed gas from the chamber 101 to the outside.

それぞれ発熱量が異なる4種類のサンプル混合ガスが使用される場合、図10に示すように、第1のサンプル混合ガスを貯蔵する第1のガスボンベ50A、第2のサンプル混合ガスを貯蔵する第2のガスボンベ50B、第3のサンプル混合ガスを貯蔵する第3のガスボンベ50C、及び第4のサンプル混合ガスを貯蔵する第4のガスボンベ50Dが用意される。第1のガスボンベ50Aには、流路91Aを介して、第1のガスボンベ50Aから例えば0.2MPa等の低圧に調節された第1のサンプル混合ガスを得るための第1のガス圧調節器31Aが接続されている。また、第1のガス圧調節器31Aには、流路92Aを介して、第1の流量制御装置32Aが接続されている。第1の流量制御装置32Aは、流路92A及び流路102を介してガス物性値測定システム20に送られる第1のサンプル混合ガスの流量を制御する。   When four types of sample mixed gases having different calorific values are used, as shown in FIG. 10, the first gas cylinder 50A for storing the first sample mixed gas and the second gas for storing the second sample mixed gas are used. Gas cylinder 50B, a third gas cylinder 50C for storing the third sample mixed gas, and a fourth gas cylinder 50D for storing the fourth sample mixed gas are prepared. In the first gas cylinder 50A, a first gas pressure regulator 31A for obtaining a first sample mixed gas adjusted to a low pressure such as 0.2 MPa from the first gas cylinder 50A via a flow path 91A. Is connected. In addition, a first flow rate control device 32A is connected to the first gas pressure regulator 31A via a flow path 92A. The first flow rate control device 32A controls the flow rate of the first sample mixed gas sent to the gas property value measurement system 20 via the flow path 92A and the flow path 102.

第2のガスボンベ50Bには、流路91Bを介して、第2のガス圧調節器31Bが接続されている。また、第2のガス圧調節器31Bには、流路92Bを介して、第2の流量制御装置32Bが接続されている。第2の流量制御装置32Bは、流路92B,93,102を介してガス物性値測定システム20に送られる第2のサンプル混合ガスの流量を制御する。   A second gas pressure regulator 31B is connected to the second gas cylinder 50B via a flow path 91B. The second flow rate controller 32B is connected to the second gas pressure regulator 31B via a flow path 92B. The second flow rate control device 32B controls the flow rate of the second sample mixed gas sent to the gas property value measurement system 20 via the flow paths 92B, 93, 102.

第3のガスボンベ50Cには、流路91Cを介して、第3のガス圧調節器31Cが接続されている。また、第3のガス圧調節器31Cには、流路92Cを介して、第3の流量制御装置32Cが接続されている。第3の流量制御装置32Cは、流路92C,93,102を介してガス物性値測定システム20に送られる第3のサンプル混合ガスの流量を制御する。   A third gas pressure regulator 31C is connected to the third gas cylinder 50C via a flow path 91C. In addition, a third flow rate control device 32C is connected to the third gas pressure regulator 31C via a flow path 92C. The third flow rate control device 32C controls the flow rate of the third sample mixed gas sent to the gas property value measurement system 20 via the flow paths 92C, 93, 102.

第4のガスボンベ50Dには、流路91Dを介して、第4のガス圧調節器31Dが接続されている。また、第4のガス圧調節器31Dには、流路92Dを介して、第4の流量制御装置32Dが接続されている。第4の流量制御装置32Dは、流路92D,93,102を介してガス物性値測定システム20に送られる第4のサンプル混合ガスの流量を制御する。   A fourth gas pressure regulator 31D is connected to the fourth gas cylinder 50D via a flow path 91D. In addition, a fourth flow rate control device 32D is connected to the fourth gas pressure regulator 31D via a flow path 92D. The fourth flow rate control device 32D controls the flow rate of the fourth sample mixed gas sent to the gas property value measurement system 20 via the flow paths 92D, 93, and 102.

第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれは、例えば天然ガスである。第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれは、例えばメタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)の4種類のガス成分を含む。 Each of the first to fourth sample mixed gases is, for example, natural gas. Each of the first to fourth sample mixed gases includes four kinds of gas components, for example, methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ).

図9に示すマイクロチップ8の図1及び図2に示す第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、第1のサンプル混合ガスがチャンバ101内に充填された後、発熱抵抗体61が発熱していないときの、発熱抵抗体61の近傍の温度を参照温度TRとして測定する。ここで、発熱抵抗体61が発熱していないときとは、例えば、発熱抵抗体61を発熱させる直前である。なお、第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63のいずれか一方のみを用いて、参照温度TRを計測してもよい。発熱抵抗体61に対し対称に配置された第1の測温抵抗素子62と第2の測温抵抗素子63測温抵抗素子の参照温度TRとして平均値を採用することにより、参照温度TRの精度をより高めることが可能となる。例えば、外乱等により、発熱抵抗体61で加熱された雰囲気ガスの温度が発熱抵抗体61を中心として均等とならない場合には、発熱素子に対し対称に設置された複数の測温抵抗素子62、63の温度の平均値に基づいて参照温度TRを算出することにより、参照温度TRの算出精度をより高めることが可能となる。 1 and 2 of the microchip 8 shown in FIG. 9, the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63 are filled in the chamber 101 with the first sample mixed gas, when the heating resistor 61 is not heating, to measure the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 as a reference temperature T R. Here, the time when the heating resistor 61 is not generating heat is, for example, immediately before the heating resistor 61 is heated. Incidentally, either by using only one of the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63, the reference temperature T R may be measured. By adopting an average value as the reference temperature T R of the first resistance temperature element 62 and the second resistance temperature element 63 arranged symmetrically with respect to the heating resistor 61, the reference temperature T R It is possible to further improve the accuracy. For example, when the temperature of the atmospheric gas heated by the heating resistor 61 is not uniform around the heating resistor 61 due to disturbance or the like, a plurality of resistance thermometer elements 62 installed symmetrically with respect to the heating element, by calculating the reference temperature T R based on the 63 average of temperature, it is possible to improve the calculation accuracy of the reference temperature T R.

発熱抵抗体61は、図9に示す駆動回路303から駆動電力PHを与えられる。駆動電力PHを与えられることにより、図1及び図2に示す発熱抵抗体61は、例えば、100℃、150℃、及び200℃で発熱する。マイクロチップ8のガス温度センサ64は、100℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な第1のサンプル混合ガスの平衡ガス温度TOH=100、150℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な第1のサンプル混合ガスの平衡ガス温度TOH=150、200℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な第1のサンプル混合ガスの平衡ガス温度TOH=200を検出する。 The heating resistor 61 is given the driving power P H from the driving circuit 303 shown in FIG. By applies driving power P H, the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2, for example, 100 ° C., to heat at 0.99 ° C., and 200 ° C.. Gas temperature sensor 64 of the microchip 8 includes a heating resistor 61 that generates heat at equilibrium gas temperature T OH = 100, 150 ℃ of the heating resistor 61 in thermal equilibrium first sample mixed gas generates heat at 100 ° C. The equilibrium gas temperature T OH = 150 of the first sample mixed gas that is thermally balanced, and the equilibrium gas temperature T OH = 200 of the first sample mixed gas that is thermally balanced with the heating resistor 61 that generates heat at 200 ° C. To detect.

図9に示すチャンバ101から第1のサンプル混合ガスが除去された後、第2乃至第4のサンプル混合ガスがチャンバ101に順次充填される。第2乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれがチャンバ101に充填された後、マイクロチップ8の図1及び図2に示す第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、発熱抵抗体61を発熱させる直前の発熱抵抗体61の近傍の温度を参照温度TRとして測定する。また、マイクロチップ8は、第2乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの、発熱抵抗体61の発熱温度100℃,150℃,200℃に対する平衡ガス温度TOH=100,TOH=150,TOH=200を検出する。 After the first sample mixed gas is removed from the chamber 101 shown in FIG. 9, the second to fourth sample mixed gases are sequentially filled into the chamber 101. After each of the second to fourth sample mixed gases is filled in the chamber 101, the first resistance temperature element 62 and the second resistance temperature resistance element 63 shown in FIG. 1 and FIG. measuring the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 immediately before the heating of the heating resistor 61 as a reference temperature T R. Further, the microchip 8 has an equilibrium gas temperature T OH = 100 , T OH = 150 , T OH for each of the second to fourth sample mixed gases with respect to the heating temperatures 100 ° C., 150 ° C. and 200 ° C. of the heating resistor 61. OH = 200 is detected.

なお、それぞれのサンプル混合ガスがn種類のガス成分を含む場合、マイクロチップ8の図1及び図2に示す発熱抵抗体61は、少なくともn−1種類の異なる発熱温度で発熱させられる。ただし、上述したように、メタン(CH4)及びプロパン(C38)以外のアルカン(Cj2j+2)は、メタン(CH4)及びプロパン(C38)の混合物とみなしうる。したがって、zを自然数として、n種類のガス成分からなるサンプル混合ガスが、ガス成分としてメタン(CH4)及びプロパン(C38)に加えてz種類のアルカン(Cj2j+2)を含む場合は、発熱抵抗体61は、少なくともn−z−1種類の異なる発熱温度で発熱させられる。 In addition, when each sample mixed gas contains n types of gas components, the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 of the microchip 8 is caused to generate heat at at least n−1 different types of heat generation temperatures. However, as described above, methane (CH 4) and propane (C 3 H 8) other than the alkane (C j H 2j + 2) is regarded as a mixture of methane (CH 4) and propane (C 3 H 8) sell. Accordingly, a sample mixed gas composed of n kinds of gas components, where z is a natural number, is added to methane (CH 4 ) and propane (C 3 H 8 ) as gas components, and z kinds of alkanes (C j H 2j + 2 ). When the heat generating resistor 61 is included, the heat generating resistor 61 is caused to generate heat at at least nz-1 different heat generation temperatures.

さらに図9に示す計測機構10は、マイクロチップ8に接続された放熱係数算出モジュール301を備える。放熱係数算出モジュール301は、上記(4)式に示すように、図1及び図2に示すマイクロチップ8の発熱抵抗体61の第1の駆動電力PH1を、発熱抵抗体61の第1の発熱温度TH(ここでは100℃)と第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの平衡ガス温度TOH=100との差で割る。これにより、発熱温度100℃の発熱抵抗体61と熱的に平衡なときの第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの放熱係数MIの値が算出される。 Furthermore, the measurement mechanism 10 shown in FIG. 9 includes a heat dissipation coefficient calculation module 301 connected to the microchip 8. The heat dissipation coefficient calculation module 301 uses the first driving power PH1 of the heating resistor 61 of the microchip 8 shown in FIG. 1 and FIG. Divide by the difference between the exothermic temperature T H (here, 100 ° C.) and the equilibrium gas temperature T OH = 100 of each of the first to fourth sample mixed gases. Thus, the value of each of the radiation coefficient M I of the first through fourth sample mixed gas when the heat producing temperature 100 ° C. the heating resistor 61 and thermal equilibrium of is calculated.

また、図9に示す放熱係数算出モジュール301は、マイクロチップ8の図1及び図2に示す発熱抵抗体61の第2の駆動電力PH2を、発熱抵抗体61の第2の発熱温度TH(ここでは150℃)と第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの平衡ガス温度TOH=150との差で割る。これにより、発熱温度150℃の発熱抵抗体61と熱的に平衡なときの第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの放熱係数MIの値が算出される。 Further, the heat dissipation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 9 uses the second drive power P H2 of the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 of the microchip 8 as the second heating temperature T H of the heating resistor 61. Divide by the difference between (here 150 ° C.) and the equilibrium gas temperature T OH = 150 of each of the first to fourth sample mixed gases. Thus, the value of each of the radiation coefficient M I of the first through fourth sample mixed gas when the heat producing temperature 0.99 ° C. the heating resistor 61 and thermal equilibrium of is calculated.

さらに、図9に示す放熱係数算出モジュール301は、マイクロチップ8の図1及び図2に示す発熱抵抗体61の第3の駆動電力PH3を、発熱抵抗体61の第3の発熱温度TH(ここでは200℃)と第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの平衡ガス温度TOH=200との差で割る。これにより、発熱温度200℃の発熱抵抗体61と熱的に平衡なときの第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの放熱係数MIの値が算出される。 Further, the heat dissipation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 9 uses the third drive power P H3 of the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 of the microchip 8 as the third heating temperature T H of the heating resistor 61. (Here, 200 ° C.) is divided by the difference between each of the first to fourth sample mixed gases and the equilibrium gas temperature T OH = 200 . Thus, the value of each of the radiation coefficient M I of the first through fourth sample mixed gas when the heat producing temperature 200 ° C. the heating resistor 61 and thermal equilibrium of is calculated.

図9に示すガス物性値測定システム20は、CPU300に接続された放熱係数記憶装置401をさらに備える。放熱係数算出モジュール301は、算出した放熱係数MIの値に、図1及び図2に示す第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63が測定した、発熱抵抗体61が発熱する前の発熱抵抗体61の近傍の参照温度TRの値を関連付け、放熱係数記憶装置401に保存する。上述したように、参照温度TRに応じて、図9に示す放熱係数算出モジュール301によって算出される放熱係数MIの値は変動しうる。これに対し、第1の実施の形態に係るガス物性値測定システム20によれば、算出した放熱係数MIの値に参照温度TRの値が関連付けられて保存されるため、算出した放熱係数MIの値を正確に評価することが可能となる。 The gas property value measurement system 20 shown in FIG. 9 further includes a heat dissipation coefficient storage device 401 connected to the CPU 300. Radiation coefficient calculation module 301, the value of the calculated radiation coefficients M I, the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63 shown in FIGS. 1 and 2 was measured, the heating resistor 61 associating the value of the reference temperature T R in the vicinity of the heating resistor 61 before the heating, it is stored in the radiation coefficient storage device 401. As described above, according to the reference temperature T R, the value of the radiation coefficient M I calculated by the heat radiation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 9 may vary. In contrast, according to the gas property value measurement system 20 according to the first embodiment, since the value of the reference temperature T R to the calculated values for the radiation coefficients M I is stored associated with the calculated radiation coefficients It becomes possible to accurately evaluate the value of M I.

図9に示すCPU300には、補正条件記憶装置400がさらに接続されている。補正条件記憶装置400は、予め取得された放熱係数と参照温度との関係を保存する。例えば、補正条件記憶装置は、予め取得された放熱係数と参照温度との関係を表す式として、上記(8)式に示す、任意の参照温度TR_mにおける放熱係数MO_sを、所定の参照温度TR_sにおける放熱係数MO_sに換算する補正式を保存する。補正モジュール321は、例えば放熱係数記憶装置401に保存されている放熱係数MIの値と参照温度TRの値とを上記(8)式の変数MO_m,TR_mに代入し、放熱係数の値を、60℃等の一定の参照温度における放熱係数の値に換算する。これにより、チャンバ101に導入されたサンプル混合ガスの温度に依存する放熱係数の測定値の変動を補正することが可能となる。以後、換算された放熱係数を、補正された放熱係数と呼ぶ。 A correction condition storage device 400 is further connected to the CPU 300 shown in FIG. The correction condition storage device 400 stores the relationship between the heat dissipation coefficient acquired in advance and the reference temperature. For example, the correction condition storage device uses a heat dissipation coefficient M O_s at an arbitrary reference temperature T R_m shown in the above equation (8) as a predetermined reference temperature as an expression representing the relationship between the heat dissipation coefficient acquired in advance and the reference temperature. Save correction formula for converting the radiation coefficient M O_s in T R_s. Correction module 321, for example, the radiation coefficient storage device 401 above the values of the reference temperature T R of the radiation coefficients M I that is stored in (8) of the variable M O_m, substituted into T R_m, the radiation coefficient The value is converted into the value of the heat dissipation coefficient at a constant reference temperature such as 60 ° C. This makes it possible to correct fluctuations in the measured value of the heat dissipation coefficient that depends on the temperature of the sample mixed gas introduced into the chamber 101. Hereinafter, the converted heat dissipation coefficient is referred to as a corrected heat dissipation coefficient.

式作成モジュール302は、例えば第1乃至第4のサンプル混合ガスのそれぞれの既知の発熱量の値、発熱温度100℃における補正された放熱係数の値、発熱温度150℃における補正された放熱係数の値、及び発熱温度200℃における補正された放熱係数の値を収集する。さらに式作成モジュール302は、収集した発熱量及び放熱係数の値に基づいて、A. J Smola及びB. Scholkopf著の「A Tutorial on Support Vector Regression」(NeuroCOLT Technical Report (NC−TR−98−030)、1998年)に開示されているサポートベクトル回帰、重回帰分析、及び特開平5−141999号公報に開示されているファジィ数量化理論II類等を含む多変量解析により、発熱温度100℃における放熱係数、発熱温度150℃における放熱係数、及び発熱温度200℃における放熱係数を独立変数とし、発熱量を従属変数とする発熱量算出式を算出する。なお、放熱係数算出モジュール301及び式作成モジュール302は、中央演算処理装置(CPU)300に含まれている。   For example, the formula generation module 302 has a known calorific value of each of the first to fourth sample mixed gases, a corrected heat dissipation coefficient value at a heat generation temperature of 100 ° C., and a corrected heat dissipation coefficient at a heat generation temperature of 150 ° C. Collect the value and the value of the corrected heat dissipation coefficient at an exothermic temperature of 200 ° C. Furthermore, the formula creation module 302 determines that the A.D. J Smol and B.M. In Support Vector Regression, Multiple Regression Analysis, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-141999 disclosed in “A Tutor on Support Vector Regression” by Scholkopf (NeuroCOLT Technical Report (NC-TR-98-030), 1998) By multivariate analysis including the disclosed fuzzy quantification theory type II, etc., the heat release coefficient at an exothermic temperature of 100 ° C., the heat release coefficient at an exothermic temperature of 150 ° C., and the heat release coefficient at an exothermic temperature of 200 ° C. are set as independent variables. Calculate a calorific value calculation formula as a dependent variable. The heat dissipation coefficient calculation module 301 and the formula creation module 302 are included in a central processing unit (CPU) 300.

ガス物性値測定システム20は、CPU300に接続された式記憶装置402をさらに備える。式記憶装置402は、式作成モジュール302が作成した発熱量算出式を保存する。さらにCPU300には、入力装置312及び出力装置313が接続される。入力装置312としては、例えばキーボード、及びマウス等のポインティングデバイス等が使用可能である。出力装置313には液晶ディスプレイ、モニタ等の画像表示装置、及びプリンタ等が使用可能である。   The gas property value measurement system 20 further includes a formula storage device 402 connected to the CPU 300. The formula storage device 402 stores the calorific value calculation formula created by the formula creation module 302. Further, an input device 312 and an output device 313 are connected to the CPU 300. As the input device 312, for example, a keyboard and a pointing device such as a mouse can be used. As the output device 313, an image display device such as a liquid crystal display and a monitor, a printer, and the like can be used.

次に、図11に示すフローチャートを用いて第1の実施の形態に係る発熱量算出式の作成方法について説明する。なお、以下の例では、第1乃至第4のサンプル混合ガスを準備し、図9に示すマイクロチップ8の発熱抵抗体61を、100℃、150℃、及び200℃に発熱させる場合を説明する。   Next, a method for creating a calorific value calculation formula according to the first embodiment will be described using the flowchart shown in FIG. In the following example, a case will be described in which first to fourth sample mixed gases are prepared and the heating resistor 61 of the microchip 8 shown in FIG. 9 generates heat at 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. .

(a)ステップS100で、図10に示す第2乃至第4の流量制御装置32B−32Dの弁を閉じたまま、第1の流量制御装置32Aの弁を開き、図9に示すチャンバ101内に第1のサンプル混合ガスを導入する。次に、ステップS101で、図1及び図2に示す第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、発熱前の電力が与えられていない発熱抵抗体61の近傍の温度を、参照温度TRとして測定する。 (A) In step S100, with the valves of the second to fourth flow rate control devices 32B-32D shown in FIG. 10 closed, the valve of the first flow rate control device 32A is opened and placed in the chamber 101 shown in FIG. A first sample mixed gas is introduced. Next, in step S101, the first resistance temperature detector 62 and the second resistance temperature detector 63 shown in FIG. 1 and FIG. 2 are set to a temperature in the vicinity of the heating resistor 61 to which power before heating is not applied. Is measured as a reference temperature TR.

(b)ステップS102で、図9に示す駆動回路303は、マイクロチップ8の図1及び図2に示す発熱抵抗体61に第1の駆動電力PH1を与え、発熱抵抗体61を100℃で発熱させる。発熱抵抗体61が100℃で発熱している間、ガス温度センサ64は、発熱抵抗体61と熱的に平衡な第1のサンプル混合ガスの平衡ガス温度TOH=100を検出する。検出された平衡ガス温度TOH=100に基づき、図9に示す放熱係数算出モジュール301は、発熱温度100℃における第1のサンプル混合ガスの放熱係数の値を算出する。その後、放熱係数算出モジュール301は、発熱温度100℃における第1のサンプル混合ガスの放熱係数の値を、参照温度TRに関連付けて、放熱係数記憶装置401に保存する。その後、駆動回路303は、発熱抵抗体61に対する第1の駆動電力PH1の提供を停止する。 (B) In step S102, the drive circuit 303 shown in FIG. 9 gives the first drive power PH1 to the heating resistor 61 shown in FIG. 1 and FIG. Causes fever. While the heating resistor 61 is generating heat at 100 ° C., the gas temperature sensor 64 detects the equilibrium gas temperature T OH = 100 of the first sample mixed gas that is in thermal equilibrium with the heating resistor 61. Based on the detected equilibrium gas temperature TOH = 100 , the heat dissipation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 9 calculates the value of the heat dissipation coefficient of the first sample mixed gas at an exothermic temperature of 100 ° C. Then, the radiation coefficient calculation module 301, the radiation coefficient of the first sample mixed gas at the heat producing temperature of 100 ° C., in association with the reference temperature T R, is stored in the radiation coefficient storage device 401. Thereafter, the drive circuit 303 stops providing the first drive power P H1 to the heating resistor 61.

(c)ステップS103で、駆動回路303は、図1及び図2に示す発熱抵抗体61の発熱温度の切り替えが完了したか否か判定する。発熱温度150℃及び発熱温度200℃への切り替えが完了していない場合には、ステップS101に戻り、第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、参照温度TRを測定する。次にステップS102で、図9に示す駆動回路303は、図1及び図2に示す発熱抵抗体61を150℃で発熱させる。図9に示す放熱係数算出モジュール301は、発熱温度150℃における第1のサンプル混合ガスの放熱係数の値を算出し、参照温度TRに関連付けて、放熱係数記憶装置401に保存する。その後、駆動回路303は、発熱抵抗体61に対する駆動電力の供給を停止する。 (C) In step S103, the drive circuit 303 determines whether or not the switching of the heating temperature of the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 has been completed. If the switching to the heat producing temperature 0.99 ° C. and the heating temperature of 200 ° C. is not completed, the process returns to step S101, the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63, the reference temperature T R taking measurement. Next, in step S102, the drive circuit 303 shown in FIG. 9 causes the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 to generate heat at 150.degree. Radiation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 9 calculates the radiation coefficient of the first sample mixed gas at the heat producing temperature of 0.99 ° C., in association with the reference temperature T R, is stored in the radiation coefficient storage device 401. Thereafter, the drive circuit 303 stops supplying drive power to the heating resistor 61.

(d)再びステップS103で、図1及び図2に示す発熱抵抗体61の発熱温度の切り替えが完了したか否か判定する。発熱温度200℃への切り替えが完了していない場合には、ステップS101に戻り、第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、参照温度TRを測定する。次にステップS102で、図9に示す駆動回路303は、図1及び図2に示す発熱抵抗体61を200℃で発熱させる。図9に示す放熱係数算出モジュール301は、発熱温度200℃における第1のサンプル混合ガスの放熱係数の値を算出し、参照温度TRに関連付けて、放熱係数記憶装置401に保存する。その後、駆動回路303は、発熱抵抗体61に対する駆動電力の供給を停止する。 (D) In step S103 again, it is determined whether or not the switching of the heating temperature of the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 has been completed. If the switching to the heat producing temperature 200 ° C. is not completed, the process returns to step S101, the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63 measures a reference temperature T R. Next, in step S102, the drive circuit 303 shown in FIG. 9 causes the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 to generate heat at 200.degree. Radiation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 9 calculates the radiation coefficient of the first sample mixed gas at the heating temperature of 200 ° C., in association with the reference temperature T R, is stored in the radiation coefficient storage device 401. Thereafter, the drive circuit 303 stops supplying drive power to the heating resistor 61.

(e)発熱抵抗体61の発熱温度の切り替えが完了した場合には、ステップS103からステップS104に進む。ステップS104で、サンプル混合ガスの切り替えが完了したか否かを判定する。第2乃至第4のサンプル混合ガスへの切り替えが完了していない場合には、ステップS100に戻る。ステップS100で、図10に示す第1の流量制御装置32Aを閉じ、第3乃至第4の流量制御装置32C−32Dの弁を閉じたまま第2の流量制御装置32Bの弁を開き、図9に示すチャンバ101内に第2のサンプル混合ガスを導入する。   (E) When switching of the heat generation temperature of the heat generating resistor 61 is completed, the process proceeds from step S103 to step S104. In step S104, it is determined whether switching of the sample mixed gas is completed. If switching to the second to fourth sample mixed gases has not been completed, the process returns to step S100. In step S100, the first flow control device 32A shown in FIG. 10 is closed, the valves of the second flow control device 32B are opened while the valves of the third to fourth flow control devices 32C-32D are closed, and FIG. A second sample mixed gas is introduced into the chamber 101 shown in FIG.

(f)第1のサンプル混合ガスと同様に、ステップS101乃至ステップS103のループが繰り返される。放熱係数算出モジュール301は、発熱温度100℃における第2のサンプル混合ガスの放熱係数の値、発熱温度150℃における第2のサンプル混合ガスの放熱係数の値、及び発熱温度200℃における第2のサンプル混合ガスの放熱係数の値を算出する。さらに放熱係数算出モジュール301は、算出した放熱係数の値に参照温度TRを関連付けて、放熱係数記憶装置401に保存する。 (F) The loop of step S101 to step S103 is repeated similarly to the first sample mixed gas. The heat dissipation coefficient calculation module 301 includes a value of a heat dissipation coefficient of the second sample mixed gas at an exothermic temperature of 100 ° C., a value of a heat dissipation coefficient of the second sample mixed gas at an exothermic temperature of 150 ° C., and a second value at an exothermic temperature of 200 ° C. Calculate the heat dissipation coefficient value of the sample gas mixture. Further the radiation coefficient calculation module 301 associates the reference temperature T R to the calculated values for the radiation coefficients are stored in the radiation coefficient storage device 401.

(g)その後、ステップS100乃至ステップS104のループが繰り返される。これにより、発熱温度100℃、150℃、200℃のそれぞれにおける第3のサンプル混合ガスの放熱係数の値、及び発熱温度100℃、150℃、200℃のそれぞれにおける第4のサンプル混合ガスの放熱係数の値が、参照温度TRに関連付けられて、放熱係数記憶装置401に保存される。 (G) Thereafter, the loop from step S100 to step S104 is repeated. Accordingly, the value of the heat dissipation coefficient of the third sample mixed gas at each of the exothermic temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. and the heat dissipation of the fourth sample mixed gas at each of the exothermic temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. values of the coefficients are associated with the reference temperature T R, are stored in the radiation coefficient storage device 401.

(h)ステップS105で、補正モジュール321は、補正条件記憶装置400から、例えば上記(8)式を読み出す。次に、補正モジュール321は、放熱係数記憶装置401に保存されている放熱係数MIの値と参照温度TRの値とを上記(8)式に代入し、放熱係数の値を、60℃等の一定の参照温度における補正された放熱係数の値に換算する。ステップS106で、入力装置312から式作成モジュール302に、第1のサンプル混合ガスの既知の発熱量の値、第2のサンプル混合ガスの既知の発熱量の値、第3のサンプル混合ガスの既知の発熱量の値、及び第4のサンプル混合ガスの既知の発熱量の値を入力する。また、式作成モジュール302は、放熱係数記憶装置401から、発熱温度100℃、150℃、200℃のそれぞれにおける第1乃至第4のサンプル混合ガスの補正された放熱係数の値を読み出す。 (H) In step S105, the correction module 321 reads, for example, the above equation (8) from the correction condition storage device 400. Then, the correction module 321, and values of the reference temperature T R of the radiation coefficients M I that is stored in the radiation coefficient storage device 401 are substituted into equation (8), the radiation coefficient, 60 ° C. It is converted into a corrected heat dissipation coefficient value at a constant reference temperature such as. In step S106, the known calorific value of the first sample mixed gas, the known calorific value of the second sample mixed gas, and the known value of the third sample mixed gas are transferred from the input device 312 to the formula generating module 302. And the known calorific value of the fourth sample mixed gas. In addition, the formula creation module 302 reads the corrected heat dissipation coefficient values of the first to fourth sample mixed gases at the heat generation temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. from the heat dissipation coefficient storage device 401.

(i)ステップS107で、第1乃至第4のサンプル混合ガスの発熱量の値、及び発熱温度100℃、150℃、200℃のそれぞれにおける第1乃至第4のサンプル混合ガスの補正された放熱係数の値に基づいて、式作成モジュール302は、重回帰分析を行う。重回帰分析により、式作成モジュール302は、発熱温度100℃における放熱係数、発熱温度150℃における放熱係数、及び発熱温度200℃における放熱係数を独立変数とし、発熱量を従属変数とする発熱量算出式を算出する。その後、ステップS108で、式作成モジュール302は作成した発熱量算出式を式記憶装置402に保存する。また、式作成モジュール302は、放熱係数を補正する際の一定の参照温度の値も式記憶装置402に保存し、第1の実施の形態に係る発熱量算出式の作成方法を終了する。   (I) In step S107, the heat generation values of the first to fourth sample mixed gases and the corrected heat dissipation of the first to fourth sample mixed gases at the heating temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C., respectively. Based on the coefficient value, the formula creation module 302 performs multiple regression analysis. Through multiple regression analysis, the formula creation module 302 uses the heat release coefficient at an exothermic temperature of 100 ° C., the heat release coefficient at an exothermic temperature of 150 ° C., and the heat release coefficient at an exothermic temperature of 200 ° C. as independent variables, and calculates the amount of heat generated as a dependent variable. Calculate the formula. Thereafter, in step S <b> 108, the formula creation module 302 stores the created calorific value calculation formula in the formula storage device 402. The formula creation module 302 also saves a constant reference temperature value for correcting the heat dissipation coefficient in the formula storage device 402, and ends the method of creating the calorific value calculation formula according to the first embodiment.

以上示したように、第1の実施の形態に係る発熱量算出式の作成方法によれば、発熱量の値が未知の計測対象混合ガスの放熱係数を複数の発熱温度に対して計測し、計測対象混合ガスの発熱量の値を一意に算出可能な発熱量算出式を作成することが可能となる。また、発熱量算出式を作成する際に用いられる放熱係数の値は、発熱前の発熱抵抗体61近傍の温度によって変動する場合がある。これに対し、第1の実施の形態に係る発熱量算出式の作成方法によれば、算出された放熱係数の値を、一定の参照温度における放熱係数の値に補正する。そのため、発熱前の発熱抵抗体61近傍の温度に依存せず、正確な発熱量算出式を作成することが可能となる。   As described above, according to the method for creating the calorific value calculation formula according to the first embodiment, the heat dissipation coefficient of the measurement target mixed gas whose calorific value is unknown is measured for a plurality of heat generation temperatures, It is possible to create a calorific value calculation formula that can uniquely calculate the calorific value of the measurement target mixed gas. In addition, the value of the heat dissipation coefficient used when creating the calorific value calculation formula may vary depending on the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 before heat generation. On the other hand, according to the method for creating the calorific value calculation formula according to the first embodiment, the calculated value of the heat dissipation coefficient is corrected to the value of the heat dissipation coefficient at a constant reference temperature. Therefore, it is possible to create an accurate calorific value calculation formula without depending on the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 before heat generation.

(第2の実施の形態)
図12に示すように、第2の実施の形態に係るガス物性値測定システム20のCPU300には、熱伝導率記憶装置411が接続されている。ここで、図13は、発熱抵抗体に2mA、2.5mA、及び3mAの電流を流した際の、混合ガスの放熱係数と熱伝導率の関係を示す。図13に示すように、混合ガスの放熱係数と熱伝導率は一般に比例関係にある。そこで、図12に示す熱伝導率記憶装置411は、チャンバ101に導入されるガスの放熱係数と熱伝導率との対応関係を、近似式あるいはテーブル等で予め保存する。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 12, a thermal conductivity storage device 411 is connected to the CPU 300 of the gas property value measurement system 20 according to the second embodiment. Here, FIG. 13 shows the relationship between the heat dissipation coefficient and the thermal conductivity of the mixed gas when currents of 2 mA, 2.5 mA, and 3 mA are passed through the heating resistor. As shown in FIG. 13, the heat dissipation coefficient and the thermal conductivity of the mixed gas are generally in a proportional relationship. Therefore, the thermal conductivity storage device 411 shown in FIG. 12 stores the correspondence relationship between the heat release coefficient of the gas introduced into the chamber 101 and the thermal conductivity in advance using an approximate expression or a table.

第2の実施の形態に係るCPU300は、熱伝導率算出モジュール322をさらに含む。熱伝導率算出モジュール322は、放熱係数記憶装置401から補正された放熱係数の値を読み出し、熱伝導率記憶装置411からガスの放熱係数と熱伝導率との対応関係を読み出す。さらに熱伝導率算出モジュール322は、ガスの補正された放熱係数の値と、ガスの放熱係数と熱伝導率との対応関係とに基づいて、チャンバ101に導入されたガスの熱伝導率を算出する。   The CPU 300 according to the second embodiment further includes a thermal conductivity calculation module 322. The thermal conductivity calculation module 322 reads the corrected heat dissipation coefficient value from the heat dissipation coefficient storage device 401 and reads the correspondence relationship between the heat dissipation coefficient of gas and the thermal conductivity from the thermal conductivity storage device 411. Furthermore, the thermal conductivity calculation module 322 calculates the thermal conductivity of the gas introduced into the chamber 101 based on the corrected heat dissipation coefficient value of the gas and the correspondence relationship between the heat dissipation coefficient of the gas and the thermal conductivity. To do.

第2の実施の形態に係るガス物性値測定システム20のその他の構成要素は、第1の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。第2の実施の形態に係るガス物性値測定システム20によれば、補正された放熱係数に基づいて、ガスの正確な熱伝導率の値を算出することが可能となる。   Since the other components of the gas property value measurement system 20 according to the second embodiment are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted. According to the gas property value measurement system 20 according to the second embodiment, it is possible to calculate an accurate thermal conductivity value of the gas based on the corrected heat dissipation coefficient.

(第3の実施の形態)
図14に示すように、第3の実施の形態に係るガス物性値測定システム20のCPU300には、濃度記憶装置412がさらに接続されている。ここで、図15は、ガス温度TOが0℃、20℃、及び40℃のときのプロパンガスの放熱係数と濃度との関係を示す。図15に示すように、ガスの放熱係数とガスの濃度とは、一般に比例関係にある。そこで、図14に示す濃度記憶装置412は、チャンバ101に導入されるガスの放熱係数と濃度との対応関係を、近似式あるいはテーブル等で予め保存する。
(Third embodiment)
As shown in FIG. 14, a concentration storage device 412 is further connected to the CPU 300 of the gas property value measurement system 20 according to the third embodiment. Here, FIG. 15 shows the relationship between the heat dissipation coefficient and the concentration of propane gas when the gas temperature T O is 0 ° C., 20 ° C., and 40 ° C. As shown in FIG. 15, the gas heat dissipation coefficient and the gas concentration are generally in a proportional relationship. Therefore, the concentration storage device 412 shown in FIG. 14 stores the correspondence relationship between the heat dissipation coefficient and the concentration of the gas introduced into the chamber 101 in advance using an approximate expression or a table.

第3の実施の形態に係るCPU300は、濃度算出モジュール323をさらに含む。濃度算出モジュール323は、放熱係数記憶装置401から補正された放熱係数の値を読み出し、濃度記憶装置412からガスの放熱係数と濃度との対応関係を読み出す。さらに濃度算出モジュール323は、ガスの補正された放熱係数の値と、ガスの放熱係数と濃度との対応関係とに基づいて、チャンバ101に導入されたガスの濃度を算出する。   The CPU 300 according to the third embodiment further includes a density calculation module 323. The concentration calculation module 323 reads the corrected heat dissipation coefficient value from the heat dissipation coefficient storage device 401 and reads the correspondence relationship between the gas heat dissipation coefficient and the concentration from the concentration storage device 412. Further, the concentration calculation module 323 calculates the concentration of the gas introduced into the chamber 101 based on the corrected heat dissipation coefficient value of the gas and the correspondence relationship between the heat dissipation coefficient and the concentration of the gas.

第3の実施の形態に係るガス物性値測定システム20のその他の構成要素は、第1の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。第3の実施の形態に係るガス物性値測定システム20によれば、ガスの補正された放熱係数に基づいて、ガスの濃度の正確な値を算出することが可能となる。   Since the other components of the gas property value measurement system 20 according to the third embodiment are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted. According to the gas property value measurement system 20 according to the third embodiment, an accurate value of the gas concentration can be calculated based on the corrected heat dissipation coefficient of the gas.

(第4の実施の形態)
図16に示すように、第4の実施の形態に係るガス物性値測定システム21は、発熱量の値が未知の計測対象混合ガスが充填されるチャンバ101、複数の異なる発熱温度で発熱する、図1及び図2に示す発熱抵抗体61を用いて、計測対象混合ガスの複数の放熱係数の値を計測する、図16に示す計測機構10と、を備える。さらに、ガス物性値測定システム21は、発熱抵抗体61が発熱していないときの発熱抵抗体61近傍の計測対象混合ガスの参照温度TRに基づいて、計測対象混合ガスの複数の放熱係数の値を補正する補正モジュール321、複数の発熱温度における放熱係数を独立変数とし、発熱量を従属変数とする発熱量算出式を保存する式記憶装置402、及び発熱量算出式の複数の発熱温度における放熱係数の独立変数に、計測対象混合ガスの補正された放熱係数の値を代入し、計測対象混合ガスの発熱量の値を算出する発熱量算出モジュール305を備える。
(Fourth embodiment)
As shown in FIG. 16, the gas property value measurement system 21 according to the fourth embodiment generates heat at a plurality of different heat generation temperatures in a chamber 101 filled with a measurement target mixed gas whose calorific value is unknown. The measurement mechanism 10 shown in FIG. 16 is provided which measures the values of a plurality of heat dissipation coefficients of the measurement target mixed gas using the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2. Furthermore, the gas property value measurement system 21, based on the reference temperature T R of the heating resistor 61 near the measurement target mixed gas when the heat generating resistor 61 is not heating, the plurality of radiation coefficients of the mixed gas being measured A correction module 321 that corrects the value, a formula storage device 402 that stores a calorific value calculation formula having a heat dissipation coefficient at a plurality of heat generation temperatures as an independent variable, and a calorific value as a dependent variable, and a calorific value calculation formula at a plurality of heat generation temperatures A calorific value calculation module 305 is provided that calculates the calorific value of the measurement target mixed gas by substituting the corrected heat dissipation coefficient value of the measurement target mixed gas into the independent variable of the heat dissipation coefficient.

式記憶装置402は、第1の実施の形態で説明した発熱量算出式を保存する。ここでは、例として、発熱量算出式の作成のために、メタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)を含む天然ガスがサンプル混合ガスとして使用された場合を説明する。また、発熱量算出式は、発熱温度100℃における放熱係数、発熱温度150℃における放熱係数、及び発熱温度200℃における放熱係数を独立変数としているものとする。 The formula storage device 402 stores the calorific value calculation formula described in the first embodiment. Here, as an example, a natural gas containing methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ) is mixed with a sample to create a calorific value calculation formula. The case where it is used as a gas will be described. Further, the calorific value calculation formula assumes that the heat release coefficient at a heat generation temperature of 100 ° C., the heat release coefficient at a heat generation temperature of 150 ° C., and the heat release coefficient at a heat generation temperature of 200 ° C. are independent variables.

第4の実施の形態においては、例えば、未知の体積率でメタン(CH4)、プロパン(C38)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)を含む、発熱量が未知の天然ガスが、計測対象混合ガスとして、チャンバ101に導入される。図16に示すマイクロチップ8の図1及び図2に示す第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、計測対象混合ガスがチャンバ101内に充填された後、発熱抵抗体61が発熱していないときの、発熱抵抗体61の近傍の温度を参照温度TRとして測定する。 In the fourth embodiment, for example, the calorific value is unknown, including methane (CH 4 ), propane (C 3 H 8 ), nitrogen (N 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ) at an unknown volume ratio. Natural gas is introduced into the chamber 101 as a measurement target mixed gas. The first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63 shown in FIGS. 1 and 2 of the microchip 8 shown in FIG. when the body 61 is not heating, to measure the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 as a reference temperature T R.

発熱抵抗体61は、図16に示す駆動回路303から駆動電力PHを与えられる。駆動電力PHを与えられることにより、図1及び図2に示す発熱抵抗体61は、100℃、150℃、及び200℃で発熱する。マイクロチップ8のガス温度センサ64は、100℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な計測対象混合ガスの平衡ガス温度TOH=100、150℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な計測対象混合ガスの平衡ガス温度TOH=150、200℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な計測対象混合ガスの平衡ガス温度TOH=200を検出する。 The heating resistor 61 is given the driving power P H from the driving circuit 303 shown in FIG. 16. By applies driving power P H, the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2, 100 ° C., to heat at 0.99 ° C., and 200 ° C.. The gas temperature sensor 64 of the microchip 8 includes a heating resistor 61 that generates heat at 100 ° C. and an equilibrium gas temperature T OH = 100 of the measurement target mixed gas that is in thermal equilibrium with the heating resistor 61 that generates heat at 150 ° C. The equilibrium gas temperature T OH = 150 of the measurement target mixed gas that is in equilibrium with the heating resistor 61 that generates heat at 200 ° C. and the equilibrium gas temperature T OH = 200 of the measurement target mixed gas that is in thermal equilibrium are detected.

図16に示す放熱係数算出モジュール301は、上記(1)乃至(4)式で説明した方法に従って、発熱温度100℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な計測対象混合ガスの放熱係数の値を算出する。また、放熱係数算出モジュール301は、発熱温度150℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な計測対象混合ガスの放熱係数の値、及び発熱温度200℃で発熱する発熱抵抗体61と熱的に平衡な計測対象混合ガスの放熱係数の値を算出する。放熱係数算出モジュール301は、算出した放熱係数MIの値に、参照温度TRの値を関連付け、放熱係数記憶装置401に保存する。 The heat dissipation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 16 performs the heat dissipation coefficient of the measurement target mixed gas in thermal equilibrium with the heating resistor 61 that generates heat at a heat generation temperature of 100 ° C. according to the method described in the above equations (1) to (4). Is calculated. In addition, the heat dissipation coefficient calculation module 301 includes a value of the heat dissipation coefficient of the measurement target mixed gas that is in thermal equilibrium with the heat generating resistor 61 that generates heat at a heat generation temperature of 150 ° C., and the heat generation resistor 61 that generates heat at a heat generation temperature of 200 ° C. The value of the heat dissipation coefficient of the measurement target gas mixture in equilibrium. Radiation coefficient calculation module 301, the value of the calculated radiation coefficients M I, associate the value of the reference temperature T R, it is stored in the radiation coefficient storage device 401.

図16に示す補正モジュール321は、放熱係数記憶装置401に保存されている計測対象混合ガスの放熱係数MIの値と参照温度TRの値とを上記(8)式に代入し、放熱係数の値を、60℃等の一定の参照温度における補正された放熱係数の値に換算する。発熱量算出モジュール305は、発熱量算出式の放熱係数の独立変数に、計測対象混合ガスの補正された放熱係数の値を代入し、計測対象混合ガスの発熱量の値を算出する。 Correction module 321 shown in FIG. 16, the values of the reference temperature T R of the radiation coefficients M I of the mixed gas being measured saved in the radiation coefficient storage device 401 are substituted into equation (8), the radiation coefficient Is converted into a corrected heat dissipation coefficient value at a constant reference temperature such as 60 ° C. The calorific value calculation module 305 substitutes the corrected heat dissipation coefficient value of the measurement target mixed gas into the independent variable of the heat dissipation coefficient of the calorific value calculation formula, and calculates the value of the heat generation amount of the measurement target mixed gas.

CPU300には、発熱量記憶装置403がさらに接続されている。発熱量記憶装置403は、発熱量算出モジュール305が算出した計測対象混合ガスの発熱量の値を保存する。第4の実施の形態に係るガス物性値測定システム21のその他の構成要件は、図9で説明した第1の実施の形態に係るガス物性値測定システム20と同様であるので、説明は省略する。   A heat generation amount storage device 403 is further connected to the CPU 300. The calorific value storage device 403 stores the calorific value of the measurement target mixed gas calculated by the calorific value calculation module 305. The other components of the gas property value measurement system 21 according to the fourth embodiment are the same as those of the gas property value measurement system 20 according to the first embodiment described with reference to FIG. .

次に、図17に示すフローチャートを用いて、第4の実施の形態に係る発熱量の算出方法について説明する。なお、以下の例では、図16に示すマイクロチップ8の発熱抵抗体61を、100℃、150℃、及び200℃に発熱させる場合を説明する。   Next, a calorific value calculation method according to the fourth embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In the following example, a case where the heating resistor 61 of the microchip 8 shown in FIG. 16 generates heat at 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. will be described.

(a)ステップS200で、図16に示すチャンバ101内に計測対象混合ガスを導入する。ステップS201で、図1及び図2に示す第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、発熱前の発熱抵抗体61の近傍の温度を参照温度TRとして測定する。次に、ステップS202で、駆動回路303は、マイクロチップ8の図1及び図2に示す発熱抵抗体61に第1の駆動電力PH1を与え、発熱抵抗体61を100℃で発熱させる。発熱抵抗体61が100℃で発熱している間、ガス温度センサ64は、発熱抵抗体61と熱的に平衡な計測対象混合ガスの平衡ガス温度TOH=100を検出し、図16に示す放熱係数算出モジュール301は、発熱温度100℃における計測対象混合ガスの放熱係数の値を算出する。その後、放熱係数算出モジュール301は、発熱温度100℃における計測対象混合ガスの放熱係数の値を、参照温度TRに関連付けて、放熱係数記憶装置401に保存する。その後、駆動回路303は、発熱抵抗体61に対する第1の駆動電力PH1の提供を停止する。 (A) In step S200, the measurement target mixed gas is introduced into the chamber 101 shown in FIG. In step S201, the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63 shown in FIGS. 1 and 2 measures the temperature in the vicinity of the heating resistor 61 before heating as a reference temperature T R. Next, in step S202, the drive circuit 303 applies the first drive power PH1 to the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 of the microchip 8, and causes the heating resistor 61 to generate heat at 100 ° C. While the heating resistor 61 is generating heat at 100 ° C., the gas temperature sensor 64 detects the equilibrium gas temperature T OH = 100 of the measurement target mixed gas that is in thermal equilibrium with the heating resistor 61, and is shown in FIG. The heat dissipation coefficient calculation module 301 calculates the value of the heat dissipation coefficient of the measurement target mixed gas at an exothermic temperature of 100 ° C. Then, the radiation coefficient calculation module 301, the radiation coefficient of the mixed gas being measured at the heat producing temperature of 100 ° C., in association with the reference temperature T R, is stored in the radiation coefficient storage device 401. Thereafter, the drive circuit 303 stops providing the first drive power P H1 to the heating resistor 61.

(b)ステップS203で、図16に示す駆動回路303は、図1及び図2に示す発熱抵抗体61の発熱温度の切り替えが完了したか否か判定する。発熱温度150℃及び発熱温度200℃への切り替えが完了していない場合には、ステップS201に戻り、第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、参照温度TRを測定する。次にステップS202で、図16に示す駆動回路303は、図1及び図2に示す発熱抵抗体61を150℃に発熱させる。図16に示す放熱係数算出モジュール301は、発熱温度150℃における計測対象混合ガスの放熱係数の値を算出し、参照温度TRに関連付けて、放熱係数記憶装置401に保存する。その後、駆動回路303は、発熱抵抗体61に対する駆動電力の供給を停止する。 (B) In step S203, the drive circuit 303 shown in FIG. 16 determines whether or not the switching of the heating temperature of the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 has been completed. If the switching to the heat producing temperature 0.99 ° C. and the heating temperature of 200 ° C. is not completed, the process returns to step S201, the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63, the reference temperature T R taking measurement. Next, in step S202, the drive circuit 303 shown in FIG. 16 causes the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 to generate heat at 150.degree. Radiation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 16 calculates the radiation coefficient of the mixed gas being measured at the heat producing temperature of 0.99 ° C., in association with the reference temperature T R, is stored in the radiation coefficient storage device 401. Thereafter, the drive circuit 303 stops supplying drive power to the heating resistor 61.

(c)再びステップS203で、図1及び図2に示す発熱抵抗体61の発熱温度の切り替えが完了したか否か判定する。発熱温度200℃への切り替えが完了していない場合には、ステップS201に戻り、第1の測温抵抗素子62及び第2の測温抵抗素子63は、参照温度TRを測定する。次にステップS202で、図16に示す駆動回路303は、図1及び図2に示す発熱抵抗体61を200℃に発熱させる。図16に示す放熱係数算出モジュール301は、発熱温度200℃における計測対象混合ガスの放熱係数の値を算出し、参照温度TRに関連付けて、放熱係数記憶装置401に保存する。その後、駆動回路303は、発熱抵抗体61に対する駆動電力の供給を停止する。 (C) In step S203 again, it is determined whether or not the switching of the heating temperature of the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 has been completed. If the switching to the heat producing temperature 200 ° C. is not completed, the process returns to step S201, the first temperature measuring resistance element 62 and the second temperature measuring resistance element 63 measures a reference temperature T R. Next, in step S202, the drive circuit 303 shown in FIG. 16 causes the heating resistor 61 shown in FIGS. 1 and 2 to generate heat at 200.degree. Radiation coefficient calculation module 301 shown in FIG. 16 calculates the radiation coefficient of the mixed gas being measured at the heat producing temperature of 200 ° C., in association with the reference temperature T R, is stored in the radiation coefficient storage device 401. Thereafter, the drive circuit 303 stops supplying drive power to the heating resistor 61.

(d)発熱抵抗体61の発熱温度の切り替えが完了した場合には、ステップS203からステップS204に進む。ステップS204で、補正モジュール321は、式記憶装置402に保存されている、発熱量算出式を作成する際に用いられた参照温度の値を読み出す。次に、補正モジュール321は、放熱係数記憶装置401に保存されている放熱係数MIの値と参照温度TRの値とを上記(8)式に代入し、放熱係数の値を、発熱量算出式を作成する際に用いられた参照温度における放熱係数の値に補正する。ステップS205で、図16に示す発熱量算出モジュール305は、式記憶装置402から、発熱温度100℃、150℃、及び200℃における放熱係数を独立変数とする発熱量算出式を読み出す。また、発熱量算出モジュール305は、放熱係数記憶装置401から、発熱温度100℃、150℃、及び200℃のそれぞれにおける計測対象混合ガスの補正された放熱係数の値を読み出す。 (D) When the switching of the heat generation temperature of the heat generating resistor 61 is completed, the process proceeds from step S203 to step S204. In step S <b> 204, the correction module 321 reads the reference temperature value used when creating the calorific value calculation formula stored in the formula storage device 402. Then, the correction module 321, and values of the reference temperature T R of the radiation coefficients M I that is stored in the radiation coefficient storage device 401 are substituted into equation (8), the radiation coefficient, heat value The value is corrected to the value of the heat dissipation coefficient at the reference temperature used when creating the calculation formula. In step S205, the calorific value calculation module 305 shown in FIG. 16 reads from the formula storage device 402 a calorific value calculation formula using the heat dissipation coefficients at the heat generation temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. as independent variables. The calorific value calculation module 305 reads out the corrected heat dissipation coefficient value of the measurement target mixed gas at each of the heat generation temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. from the heat dissipation coefficient storage device 401.

(e)ステップS206で、発熱量算出モジュール305は、発熱量算出式の独立変数に発熱温度100℃、150℃、及び200℃のそれぞれにおける計測対象混合ガスの補正された放熱係数の値を代入し、計測対象混合ガスの発熱量の値を算出する。その後、発熱量算出モジュール305は、算出した発熱量の値を発熱量記憶装置403に保存し、第4の実施の形態に係る発熱量の算出方法を終了する。   (E) In step S206, the heat generation amount calculation module 305 substitutes the corrected heat dissipation coefficient value of the measurement target mixed gas at each of the heat generation temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. into the independent variable of the heat generation amount calculation formula. The calorific value of the measurement target mixed gas is calculated. Thereafter, the calorific value calculation module 305 stores the calculated calorific value in the calorific value storage device 403, and ends the calorific value calculation method according to the fourth embodiment.

以上説明した第4の実施の形態に係る発熱量算出方法によれば、高価なガスクロマトグラフィ装置や音速センサを用いることなく、計測対象混合ガスの放熱係数の測定値から、計測対象混合ガスの混合ガスの発熱量の値を測定することが可能となる。   According to the calorific value calculation method according to the fourth embodiment described above, the mixing of the measurement target mixed gas can be performed from the measured value of the heat dissipation coefficient of the measurement target mixed gas without using an expensive gas chromatography device or a sonic sensor. The value of the calorific value of the gas can be measured.

天然ガスは、産出ガス田によって炭化水素の成分比率が異なる。また、天然ガスには、炭化水素の他に、窒素(N2)や炭酸ガス(CO2)等が含まれる。そのため、産出ガス田によって、天然ガスに含まれるガス成分の体積率は異なり、ガス成分の種類が既知であっても、天然ガスの発熱量は未知であることが多い。また、同一のガス田由来の天然ガスであっても、発熱量が常に一定であるとは限らず、採取時期によって変化することもある。 Natural gas has a different component ratio of hydrocarbons depending on the gas field. Natural gas includes nitrogen (N 2 ), carbon dioxide (CO 2 ) and the like in addition to hydrocarbons. Therefore, the volume ratio of the gas component contained in the natural gas differs depending on the output gas field, and even if the type of the gas component is known, the calorific value of the natural gas is often unknown. Moreover, even if it is the natural gas derived from the same gas field, the calorific value is not always constant, and may change depending on the sampling time.

そのため、従来は、天然ガスの使用料金を徴収する際には、天然ガスの使用発熱量でなく、使用体積に応じて課金する方法がとられていた。しかし、天然ガスは由来する産出ガス田によって発熱量が異なるため、使用体積に課金するのは公平でない。これに対し、第4の実施の形態に係る発熱量算出方法を用いれば、ガス成分の種類が既知であるが、ガス成分の体積率が未知であるために発熱量が未知の天然ガス等の混合ガスの発熱量を、簡易に算出することが可能となる。そのため、公平な使用料金を徴収することが可能となる。   For this reason, conventionally, when collecting the usage fee of natural gas, a method has been adopted in which charging is made according to the volume used, not the calorific value of natural gas used. However, since natural gas has a calorific value that varies depending on the production gas field from which it is derived, it is not fair to charge the volume used. On the other hand, if the calorific value calculation method according to the fourth embodiment is used, the type of gas component is known, but since the volume ratio of the gas component is unknown, the calorific value is not known. The calorific value of the mixed gas can be easily calculated. Therefore, it becomes possible to collect a fair usage fee.

また、ガラス加工品の製造業においては、ガラスを加熱加工する際、加工精度を一定に保つために、一定の発熱量を有する天然ガスが供給されることが望まれている。そのためには、複数のガス田由来の天然ガスのそれぞれの発熱量を正確に把握し、総ての天然ガスの発熱量が同一になるよう調整した上で、ガラスの加熱加工工程に天然ガスを供給することが検討されている。これに対し、第4の実施の形態に係る発熱量算出方法を用いれば、複数のガス田由来の天然ガスのそれぞれ発熱量を正確には把握することが可能となるため、ガラスの加熱加工精度を一定に保つことが可能となる。   In the manufacturing industry of processed glass products, it is desired that natural gas having a constant calorific value is supplied in order to keep processing accuracy constant when heat-processing glass. To do so, accurately determine the calorific value of each natural gas from multiple gas fields, adjust the calorific value of all natural gas to be the same, and then add natural gas to the glass heating process. Supply is under consideration. On the other hand, if the calorific value calculation method according to the fourth embodiment is used, it is possible to accurately grasp the calorific value of natural gas derived from a plurality of gas fields. Can be kept constant.

さらに、第4の実施の形態に係る発熱量算出方法によれば、天然ガス等の混合ガスの正確な発熱量を容易に知ることが可能となるため、混合ガスを燃焼させる場合に必要な空気量を適切に設定することが可能となる。そのため、無駄な二酸化炭素(CO2)の排出量を削減することも可能となる。 Furthermore, according to the calorific value calculation method according to the fourth embodiment, it is possible to easily know the accurate calorific value of the mixed gas such as natural gas, so that the air necessary for burning the mixed gas is used. The amount can be set appropriately. Therefore, it is possible to reduce the amount of wasteful carbon dioxide (CO 2 ) emissions.

(実施例)
まず、図18に示すように発熱量の値が既知の28種類のサンプル混合ガスを用意した。28種類のサンプル混合ガスのそれぞれは、ガス成分としてメタン(CH4)、エタン(C26)、プロパン(C38)、ブタン(C410)、窒素(N2)、及び二酸化炭素(CO2)のいずれか又は全部を含んでいた。例えば、No.7のサンプル混合ガスは、90vol%のメタン、3vol%のエタン、1vol%のプロパン、1vol%のブタン、4vol%の窒素、及び1vol%の二酸化炭素を含んでいた。また、No.8のサンプル混合ガスは、85vol%のメタン、10vol%のエタン、3vol%のプロパン、及び2vol%のブタンを含み、窒素及び二酸化炭素を含んでいなかった。また、No.9のサンプル混合ガスは、85vol%のメタン、8vol%のエタン、2vol%のプロパン、1vol%のブタン、2vol%の窒素、及び2vol%の二酸化炭素を含んでいた。次に、28種類のサンプル混合ガスのそれぞれの放熱係数の値を、発熱温度100℃、150℃、及び200℃で計測した。なお、例えばNo.7のサンプル混合ガスは6種類のガス成分を含んでいるが、上述したように、エタン(C26)とブタン(C410)は、メタン(CH4)とプロパン(C38)の混合物とみなしうるので、放熱係数の値を3種類の発熱温度で計測しても問題ない。その後、28種類のサンプル混合ガスの発熱量の値と、計測された放熱係数の値に基づいて、サポートベクトル回帰により、放熱係数を独立変数とし、発熱量を従属変数とする、発熱量を算出するための1次方程式、2次方程式、及び3次方程式を作成した。
(Example)
First, as shown in FIG. 18, 28 kinds of sample mixed gases with known calorific value values were prepared. Each of the 28 kinds of sample mixed gases includes methane (CH 4 ), ethane (C 2 H 6 ), propane (C 3 H 8 ), butane (C 4 H 10 ), nitrogen (N 2 ), and It contained any or all of carbon dioxide (CO 2 ). For example, no. The sample gas mixture of 7 contained 90 vol% methane, 3 vol% ethane, 1 vol% propane, 1 vol% butane, 4 vol% nitrogen, and 1 vol% carbon dioxide. No. The sample mixed gas of 8 contained 85 vol% methane, 10 vol% ethane, 3 vol% propane, and 2 vol% butane, and did not contain nitrogen and carbon dioxide. No. Nine sample gas mixtures contained 85 vol% methane, 8 vol% ethane, 2 vol% propane, 1 vol% butane, 2 vol% nitrogen, and 2 vol% carbon dioxide. Next, the value of the heat release coefficient of each of the 28 sample mixed gases was measured at exothermic temperatures of 100 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. For example, No. The sample mixed gas of No. 7 contains six kinds of gas components. As described above, ethane (C 2 H 6 ) and butane (C 4 H 10 ) are methane (CH 4 ) and propane (C 3 H). 8 ) Since it can be regarded as a mixture, there is no problem even if the value of the heat dissipation coefficient is measured at three different exothermic temperatures. After that, based on the calorific value of the 28 sample mixed gases and the measured heat dissipation coefficient value, the calorific value is calculated with the heat dissipation coefficient as an independent variable and the calorific value as a dependent variable by support vector regression. A linear equation, a quadratic equation, and a cubic equation were created.

発熱量を算出するための1次方程式を作成する際には、キャリブレーション・ポイントは、3乃至5個を目安に、適宜決定できる。作成された1次方程式は下記(28)式で与えられた。28種類のサンプル混合ガスの発熱量を(28)式で算出し、真の発熱量と比較したところ、最大誤差は2.1%であった。
Q = 39.91 - 20.59×MI (100℃) - 0.89×MI (150℃) + 19.73×MI (200℃) ・・・(28)
When creating a linear equation for calculating a calorific value, the calibration points can be determined as appropriate using 3 to 5 calibration points. The created linear equation was given by the following equation (28). The calorific value of 28 kinds of sample mixed gas was calculated by the equation (28), and compared with the true calorific value, the maximum error was 2.1%.
Q = 39.91-20.59 × M I (100 ° C)-0.89 × M I (150 ° C) + 19.73 × M I (200 ° C) ・ ・ ・ (28)

発熱量を算出するための2次方程式を作成する際には、キャリブレーション・ポイントは、8乃至9個を目安に、適宜決定できる。28種類のサンプル混合ガスの発熱量を作成された2次方程式で算出し、真の発熱量と比較したところ、最大誤差は1.2乃至1.4%であった。   When creating a quadratic equation for calculating the calorific value, 8 to 9 calibration points can be determined as appropriate. The calorific value of 28 kinds of sample mixed gas was calculated by the prepared quadratic equation, and compared with the true calorific value, the maximum error was 1.2 to 1.4%.

発熱量を算出するための3次方程式を作成する際には、キャリブレーション・ポイントは、10乃至14個を目安に、適宜決定できる。28種類のサンプル混合ガスの発熱量を作成された3次方程式で算出し、真の発熱量と比較したところ、最大誤差は1.2%未満であった。図19及び図20に示すように、10個のキャリブレーション・ポイントを取って作成された3次方程式で算出された発熱量は、真の発熱量に良好に近似した。   When creating a cubic equation for calculating the calorific value, 10 to 14 calibration points can be appropriately determined. When the calorific values of 28 kinds of sample mixed gases were calculated by the prepared cubic equation and compared with the true calorific value, the maximum error was less than 1.2%. As shown in FIGS. 19 and 20, the calorific value calculated by the cubic equation created by taking 10 calibration points closely approximated the true calorific value.

(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、第1及び第4の実施の形態においては、発熱抵抗体の複数の発熱温度における混合ガスの放熱係数の値を用いたが、代わりに、混合ガスの複数の発熱温度における熱伝導率を用いて、発熱量算出式の作成及び発熱量の算出を行ってもよい。また、上記(8)式に示した補正式は、ガス種ごとに用意されることが好ましいが、混合ガスの場合は、ガス成分ごとの補正式を平均化した補正式を用いてもよい。この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。
(Other embodiments)
As described above, the present invention has been described according to the embodiment. However, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, embodiments, and operation techniques should be apparent to those skilled in the art. For example, in the first and fourth embodiments, the value of the heat dissipation coefficient of the mixed gas at a plurality of heat generation temperatures of the heating resistor is used, but instead, the thermal conductivity of the mixed gas at a plurality of heat generation temperatures is used. The calorific value calculation formula may be created and the calorific value calculated. The correction formula shown in the above formula (8) is preferably prepared for each gas type, but in the case of a mixed gas, a correction formula obtained by averaging the correction formula for each gas component may be used. Thus, it should be understood that the present invention includes various embodiments and the like not described herein.

8 マイクロチップ
10 計測機構
18 断熱部材
20,21 ガス物性値測定システム
31A,31B,31C,31D ガス圧調節器
32A,32B,32C,32D 流量制御装置
50A,50B,50C,50D ガスボンベ
60 基板
61 発熱抵抗体
62 第1の測温抵抗素子
63 第2の測温抵抗素子
64 ガス温度センサ
65 絶縁膜
66 キャビティ
91A,91B,91C,91D,92A,92B,92C,92D,93,102,103 流路
161,162,163,164,165,181,182,183 抵抗素子
170,171 オペアンプ
301 放熱係数算出モジュール
302 式作成モジュール
303 駆動回路
305 発熱量算出モジュール
312 入力装置
313 出力装置
321 補正モジュール
401 放熱係数記憶装置
402 式記憶装置
403 発熱量記憶装置
8 Microchip 10 Measuring mechanism 18 Heat insulation member 20, 21 Gas physical property value measurement system 31A, 31B, 31C, 31D Gas pressure regulator 32A, 32B, 32C, 32D Flow control device 50A, 50B, 50C, 50D Gas cylinder 60 Substrate 61 Heat generation Resistor 62 First RTD 63 Second RTD 64 Gas temperature sensor 65 Insulating film 66 Cavity 91A, 91B, 91C, 91D, 92A, 92B, 92C, 92D, 93, 102, 103 161, 162, 163, 164, 165, 181, 182, 183 Resistance element 170, 171 Operational amplifier 301 Heat dissipation coefficient calculation module 302 Formula creation module 303 Drive circuit 305 Heat generation amount calculation module 312 Input device 313 Output device 321 Correction module 401 Heat dissipation coefficient Storage device 40 2 type storage device 403 calorific value storage device

Claims (10)

発熱抵抗体と、
前記発熱抵抗体に電力が与えられていないときの前記発熱抵抗体の雰囲気ガスの参照温度の値を測定する測温素子と、
前記発熱抵抗体に電力を与え、前記発熱抵抗体を発熱させる駆動回路と、
発熱する前記発熱抵抗体と熱的に平衡な前記雰囲気ガスの平衡ガス温度の値に基づいて、前記雰囲気ガスの物性値を算出する算出部と、
前記物性値及び前記参照温度の値を関連付けて保存する記憶装置と、
予め取得された前記参照温度と前記物性値との関係に基づいて、前記測定された値の参照温度における物性値を、所定の値の参照温度における物性値に換算する補正部と、
を備えるガス物性値測定システム。
A heating resistor;
A temperature measuring element for measuring a reference temperature value of an atmospheric gas of the heating resistor when power is not applied to the heating resistor;
A drive circuit for applying electric power to the heating resistor and generating heat in the heating resistor;
A calculation unit for calculating a physical property value of the atmospheric gas based on a value of an equilibrium gas temperature of the atmospheric gas thermally balanced with the heating resistor that generates heat;
A storage device that associates and stores the physical property value and the reference temperature value;
Based on the relationship between the reference temperature and the physical property value acquired in advance, a correction unit that converts the physical property value at the reference temperature of the measured value into a physical property value at a reference temperature of a predetermined value;
Gas property value measurement system comprising:
前記発熱抵抗体及び前記測温素子が、ダイアフラムに設けられている、請求項1に記載のガス物性値測定システム。   The gas physical property value measuring system according to claim 1, wherein the heating resistor and the temperature measuring element are provided in a diaphragm. 前記平衡ガス温度を検出するガス温度センサを更に備える、請求項1又は2に記載のガス物性値計測システム。 Further comprising, according to claim 1 or 2 gas property value measurement system according to the gas temperature sensor for detecting the equilibrium gas temperature. 前記測温素子が、前記ガス温度センサより前記発熱抵抗体の近傍に配置されている、請求項に記載のガス物性値計測システム。 The gas property value measurement system according to claim 3 , wherein the temperature measuring element is disposed closer to the heating resistor than the gas temperature sensor. 前記発熱抵抗体が発熱する前の前記ガスの温度を一定に保つ補助ヒータを更に備えることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のガス物性値計測システム。 The gas property value measurement system according to any one of claims 1 to 4 , further comprising an auxiliary heater that keeps the temperature of the gas constant before the heating resistor generates heat. 前記発熱抵抗体及び前記測温素子が、断熱部材を介して、前記ガスが充填されるチャンバに固定される、請求項1乃至のいずれか1項に記載のガス物性値計測システム。 The heating resistor and the temperature measuring element, via a heat insulating member, wherein the gas is fixed to the chamber to be filled, gas property value measurement system according to any one of claims 1 to 5. 前記物性値が放熱係数である、請求項1乃至のいずれか1項に記載のガス物性値計測システム。 The physical property value is the radiation coefficient, gas property value measurement system according to any one of claims 1 to 6. 前記物性値が熱伝導率である、請求項1乃至のいずれか1項に記載のガス物性値計測システム。 The gas property value measurement system according to any one of claims 1 to 6 , wherein the property value is thermal conductivity. 前記物性値が発熱量である、請求項1乃至のいずれか1項に記載のガス物性値計測システム。 The gas property value measurement system according to any one of claims 1 to 6 , wherein the property value is a calorific value. 前記物性値が濃度である、請求項1乃至のいずれか1項に記載のガス物性値計測システム。 The gas property value measurement system according to any one of claims 1 to 6 , wherein the property value is a concentration.
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