JP5181831B2 - Drive circuit, data driver, integrated circuit device, and electronic device - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 153
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 14
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 102000003729 Neprilysin Human genes 0.000 description 2
- 108090000028 Neprilysin Proteins 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
本発明は、駆動回路、データドライバ、集積回路装置及び電子機器等に関する。 The present invention relates to a drive circuit, a data driver, an integrated circuit device, an electronic device, and the like.
従来より、携帯電話機などの電子機器に用いられる液晶パネル(電気光学装置、表示パネル)として、単純マトリクス方式の液晶パネルと、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor)などのスイッチ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶パネルとが知られている。 Conventionally, as a liquid crystal panel (electro-optical device, display panel) used in an electronic device such as a cellular phone, a liquid crystal panel of a simple matrix type and an active matrix type liquid crystal using a switching element such as a thin film transistor (Thin Film Transistor). The panel is known.
そして、近年、液晶パネルの画面サイズの拡大や画素数の増加により、液晶パネルのデータ線(ソース線)の本数が増大する一方、各データ線に与える電圧の高精度化が要求されている。更には、液晶パネルを搭載するバッテリ駆動の電子機器の軽量小型化の要求により、液晶パネルのデータ線を駆動する駆動回路の低消費電力化やチップサイズの縮小化も要求されている。このような液晶パネルのデータ線を駆動する駆動回路としては、例えば、特許文献1、2に開示される従来技術がある。
In recent years, the number of data lines (source lines) of the liquid crystal panel has increased due to the increase in the screen size of the liquid crystal panel and the increase in the number of pixels, while high accuracy of the voltage applied to each data line is required. Furthermore, due to the demand for lighter and smaller battery-powered electronic devices equipped with a liquid crystal panel, it is also required to reduce the power consumption and the chip size of the drive circuit that drives the data lines of the liquid crystal panel. As a driving circuit for driving such a data line of a liquid crystal panel, there are conventional techniques disclosed in
しかしながら、これまでの駆動回路では、演算増幅器のオフセット電圧が原因で、データ線の出力電圧にバラツキが生じるという問題があった。そして、このような問題を解決するために、例えば駆動期間の後半期間において、D/A変換回路によりデータ線を直接駆動するDAC駆動を採用していた。ところが、このDAC駆動を行うと、駆動期間に余裕が無くなり、例えば複数のデータ線を1つの駆動回路で駆動するマルチ駆動に対応することが難しいという課題があった。 However, the conventional drive circuits have a problem that the output voltage of the data line varies due to the offset voltage of the operational amplifier. In order to solve such problems, for example, in the second half of the driving period, DAC driving in which the data line is directly driven by the D / A conversion circuit is employed. However, if this DAC drive is performed, there is no room in the drive period, and there is a problem that it is difficult to cope with, for example, multi-drive in which a plurality of data lines are driven by one drive circuit.
またデータ線を高精度に駆動するためには、駆動回路の各回路のレイアウト手法についても工夫が必要である。しかしながら、特許文献1、2には、このようなレイアウト手法の具体例については開示されていなかった。
本発明の幾つかの態様によれば、寄生容量等の悪影響を最小限に抑えて高精度な電圧を出力できる駆動回路、データドライバ、集積回路装置及び電子機器を提供できる。 According to some embodiments of the present invention, it is possible to provide a drive circuit, a data driver, an integrated circuit device, and an electronic device that can output a highly accurate voltage while minimizing adverse effects such as parasitic capacitance.
本発明は、入力電圧を受けて、出力電圧を出力する駆動回路であって、第1のノードと基準ノードとの間に設けられた第1のキャパシタと、前記第1のノードと前記入力電圧の入力ノードとの間に設けられた第1のスイッチ素子と、前記第1のノードとアナログ基準電源との間に設けられた第2のスイッチ素子と、第2のノードと前記基準ノードとの間に設けられた第2のキャパシタと、前記第2のノードと前記出力電圧の出力ノードとの間に設けられた第3のスイッチ素子と、前記第2のノードと前記アナログ基準電源との間に設けられた第4のスイッチ素子と、前記出力ノードと前記基準ノードとの間に設けられた第5のスイッチ素子とを含み、前記第1のキャパシタが形成される第1のキャパシタ領域と、前記第2のキャパシタが形成される第2のキャパシタ領域が、第1の方向に沿って配置され、前記第1の方向の反対方向を第3の方向とした場合に、前記第1、第2のスイッチ素子が、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第3の方向側に配置され、前記第3、第4のスイッチ素子が、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第1の方向側に配置され、前記第1の方向に直交する方向を第2の方向とした場合に、前記基準ノードのラインである基準ノードラインが、前記第1、第2、第3、第4のスイッチ素子の前記第2の方向側に配線される駆動回路に関係する。 The present invention is a drive circuit that receives an input voltage and outputs an output voltage, the first capacitor provided between a first node and a reference node, the first node and the input voltage A first switch element provided between the input node, a second switch element provided between the first node and the analog reference power source, a second node and the reference node A second capacitor provided therebetween, a third switch element provided between the second node and the output node of the output voltage, and between the second node and the analog reference power source. A first capacitor region including the fourth capacitor, and a fifth switch device provided between the output node and the reference node, wherein the first capacitor is formed; Formed by the second capacitor The second capacitor region is disposed along the first direction, and the first and second switch elements are arranged in the first direction when the direction opposite to the first direction is the third direction. The third capacitor element is disposed on the third direction side of the second capacitor region, and the third and fourth switch elements are disposed on the first direction side of the first and second capacitor regions. When the direction orthogonal to the first direction is the second direction, the reference node line that is the reference node line is the second direction of the first, second, third, and fourth switch elements. This relates to the drive circuit wired on the side.
本発明によれば、第1のキャパシタ領域の第3の方向側に第1、第2のスイッチ素子が配置されるため、前段の回路からの入力電圧をショートパスで第1、第2のスイッチ素子に供給できる。また第2のキャパシタ領域の第1の方向側に第3、第4のスイッチ素子が配置されるため、後段の回路と第3、第4のスイッチ素子との接続をショートパスで実現できる。従って、レイアウト効率を向上できると共に、性能に悪影響を与える寄生容量等を最小限に抑えることができる。また本発明によれば、第1〜第4のスイッチ素子の第2の方向側に基準ノードラインが配線される。従って、第1、第2のノードのラインと、基準ノードラインとの間の距離を離すことが可能になり、これらのノード間での寄生容量に起因する悪影響を最小限に抑えることができる。 According to the present invention, since the first and second switch elements are arranged on the third direction side of the first capacitor region, the first and second switches are connected to the input voltage from the preceding circuit by a short path. Can be supplied to the element. In addition, since the third and fourth switch elements are disposed on the first direction side of the second capacitor region, the connection between the subsequent circuit and the third and fourth switch elements can be realized by a short path. Therefore, the layout efficiency can be improved, and the parasitic capacitance that adversely affects the performance can be minimized. According to the invention, the reference node line is wired on the second direction side of the first to fourth switch elements. Therefore, the distance between the first and second node lines and the reference node line can be increased, and adverse effects caused by parasitic capacitance between these nodes can be minimized.
また本発明では、前記第2のスイッチ素子に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第1のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第3の方向側において前記第2の方向に沿って配線され、前記第4のスイッチ素子に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第2のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第1の方向側において前記第2の方向に沿って配線されてもよい。 In the present invention, a first analog reference power supply line for supplying a voltage of the analog reference power supply to the second switch element is located on the third direction side of the first and second capacitor regions. A second analog reference power supply line that is wired along a second direction and supplies the voltage of the analog reference power supply to the fourth switch element is provided in the first and second capacitor regions. Wiring may be performed along the second direction on the direction side.
このように第1、第2のアナログ基準電源ラインを配線すれば、第2、第4のスイッチ素子に例えばショートパスでアナログ基準電源を供給できると共に、第1、第2のアナログ基準ラインの内側の領域を、外側の領域からシールドできるようになる。従って外側の領域での電圧変動等が、寄生容量を介して基準ノードに伝達されて、回路特性に悪影響を与えてしまう事態を防止できる。 If the first and second analog reference power lines are wired in this way, the analog reference power can be supplied to the second and fourth switch elements by, for example, a short path, and the inside of the first and second analog reference lines. This area can be shielded from the outer area. Accordingly, it is possible to prevent a situation in which voltage fluctuation or the like in the outer region is transmitted to the reference node through the parasitic capacitance and adversely affects the circuit characteristics.
また本発明では、初期化期間においては、前記第2、第4、第5のスイッチ素子がオンになり、前記出力電圧の出力期間においては、前記第1、第3のスイッチ素子がオンになってもよい。 In the present invention, the second, fourth, and fifth switch elements are turned on during the initialization period, and the first and third switch elements are turned on during the output period of the output voltage. May be.
このように第1〜第5のスイッチ素子を制御すれば、初期化期間に第1、第2のキャパシタに電荷を蓄積した後、出力期間において、入力電圧に応じた出力電圧を出力ノードに出力できるようになる。 If the first to fifth switching elements are controlled in this way, after the charge is accumulated in the first and second capacitors during the initialization period, the output voltage corresponding to the input voltage is output to the output node during the output period. become able to.
また本発明では、その第1の入力端子に前記基準ノードが接続され、その第2の入力端子に前記アナログ基準電源の電圧が設定され、前記出力ノードに前記出力電圧を出力する演算増幅器を含んでもよい。 Further, the present invention includes an operational amplifier in which the reference node is connected to the first input terminal, the voltage of the analog reference power supply is set to the second input terminal, and the output voltage is output to the output node. But you can.
このような演算増幅器を設ければ、初期化期間では、イマジナリーショート機能により基準ノードをアナログ基準電源の電圧に設定し、出力期間では、演算増幅器のインピーダンス変換機能を利用して駆動対象を駆動できるようになる。 If such an operational amplifier is provided, the reference node is set to the voltage of the analog reference power supply by the imaginary short function during the initialization period, and the drive target is driven using the impedance conversion function of the operational amplifier during the output period. become able to.
また本発明では、初期化期間において、その一端が前記出力ノードに電気的に接続され、前記演算増幅器の発振を防止する発振防止用キャパシタを含んでもよい。 In the present invention, an oscillation prevention capacitor that includes one end electrically connected to the output node and prevents oscillation of the operational amplifier may be included in the initialization period.
このようにすれば、例えば初期化期間において駆動回路の負荷が軽くなってしまう場合にも、出力ノードに発振防止用キャパシタを電気的に接続することで、演算増幅器の発振を防止できる。 In this way, for example, even when the load on the drive circuit is reduced during the initialization period, the oscillation of the operational amplifier can be prevented by electrically connecting the oscillation prevention capacitor to the output node.
また本発明では、前記第5のスイッチ素子が、前記第3、第4のスイッチ素子の前記第2の方向側に配置され、前記第5のスイッチ素子のダミースイッチ素子が、前記第1、第2のスイッチ素子の前記第2の方向側に配置されてもよい。 In the present invention, the fifth switch element is disposed on the second direction side of the third and fourth switch elements, and the dummy switch element of the fifth switch element is the first and second switch elements. The second switch element may be disposed on the second direction side.
このようにすれば、対称なレイアウト配置が可能になり、回路特性の悪化を防止できる。 In this way, a symmetrical layout arrangement is possible, and deterioration of circuit characteristics can be prevented.
また本発明では、その一端が前記基準ノードに接続される補助キャパシタを含み、前記補助キャパシタが、前記第1、第2のキャパシタ領域の間のキャパシタ領域に形成されてもよい。 In the present invention, one end of the auxiliary capacitor may be connected to the reference node, and the auxiliary capacitor may be formed in a capacitor region between the first and second capacitor regions.
このようにすれば、基準ノードの電圧変動を抑えることが可能になると共に、キャパシタ配置についての対称なレイアウト配置が可能になり、回路特性の悪化を防止できる。 In this way, it is possible to suppress voltage fluctuations at the reference node, and it is possible to perform a symmetrical layout arrangement with respect to the capacitor arrangement, thereby preventing deterioration of circuit characteristics.
また本発明は、入力電圧を受けて、出力電圧を出力する駆動回路であって、その一端が、基準ノードに接続され、その他端が、初期化期間においてはアナログ基準電源の電圧に設定され、出力期間においては前記入力電圧に設定される第1のキャパシタと、その一端が、前記基準ノードに接続され、その他端が、初期化期間においては前記アナログ基準電源の電圧に設定され、出力期間においては前記出力電圧に設定される第2のキャパシタとを含み、第1の方向に直交する方向を第2の方向とし、前記第1の方向の反対方向を第3の方向とした場合に、前記基準ノードのラインである基準ノードラインが前記第1の方向に沿って配線され、前記第1のキャパシタの他端に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第1のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第3の方向側において前記第2の方向に沿って配線され、前記第2のキャパシタの他端に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第2のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第1の方向側において前記第2の方向に沿って配線される駆動回路に関係する。 Further, the present invention is a drive circuit that receives an input voltage and outputs an output voltage, one end of which is connected to the reference node, and the other end is set to the voltage of the analog reference power supply during the initialization period. In the output period, the first capacitor set to the input voltage and one end thereof are connected to the reference node, and the other end is set to the voltage of the analog reference power supply in the initialization period. Includes a second capacitor set to the output voltage, and when the direction orthogonal to the first direction is the second direction and the opposite direction of the first direction is the third direction, A reference node line, which is a reference node line, is wired along the first direction, and a first analog reference voltage for supplying the voltage of the analog reference power supply to the other end of the first capacitor. A line is wired along the second direction on the third direction side of the first and second capacitor regions to supply the voltage of the analog reference power supply to the other end of the second capacitor. The second analog reference power supply line relates to a drive circuit wired along the second direction on the first direction side of the first and second capacitor regions.
本発明によれば、第1のアナログ基準電源ラインが、第1、第2のキャパシタ領域の第3の方向側に第2の方向に沿って配線され、第2のアナログ基準電源ラインが、第1、第2のキャパシタ領域の第1の方向側に第2の方向に沿って配線されるため、第1、第2のアナログ基準ラインの内側の領域を、外側の領域からシールドできる。従って外側の領域での電圧変動等が、寄生容量を介して基準ノードに伝達されて、回路特性に悪影響を与えてしまう事態などを防止できる。 According to the present invention, the first analog reference power supply line is wired along the second direction on the third direction side of the first and second capacitor regions, and the second analog reference power supply line is connected to the first analog reference power supply line. Since wiring is provided along the second direction on the first direction side of the first and second capacitor regions, the inner region of the first and second analog reference lines can be shielded from the outer region. Accordingly, it is possible to prevent a situation in which voltage fluctuations or the like in the outer region are transmitted to the reference node via the parasitic capacitance and adversely affect the circuit characteristics.
また本発明は、電気光学装置のデータ線を駆動するためのデータドライバであって、階調データを受け、前記階調データに対応した階調電圧を出力するD/A変換回路と、前記D/A変換回路からの前記階調電圧を前記入力電圧として受け、前記出力電圧をデータ線に出力する請求項1乃至8のいずれかに記載の駆動回路とを含むデータドライバに関係する。
According to another aspect of the invention, there is provided a data driver for driving a data line of an electro-optical device, the D / A conversion circuit receiving grayscale data and outputting a grayscale voltage corresponding to the grayscale data, and the D The present invention relates to a data driver including the drive circuit according to
また本発明は、上記に記載のデータドライバを含む集積回路装置に関係する。 The present invention also relates to an integrated circuit device including the data driver described above.
また本発明は、上記に記載の集積回路装置を含む電子機器に関係する。 The present invention also relates to an electronic device including the integrated circuit device described above.
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.
1.駆動回路
図1に本実施形態の駆動回路の構成例を示す。なお本実施形態の駆動回路は図1の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば演算増幅器)を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
1. Drive Circuit FIG. 1 shows a configuration example of a drive circuit according to this embodiment. Note that the drive circuit of the present embodiment is not limited to the configuration shown in FIG. 1, and various modifications such as omitting some of the components (for example, operational amplifiers) or adding other components are possible. .
図1の駆動回路は、入力電圧VINを受けて、出力電圧VQを出力し、駆動対象(例えばデータ線)を駆動する回路であり、第1、第2のキャパシタC1、C2と、第1〜第5のスイッチ素子SW1〜SW5を含む。また演算増幅器OPを含むことができる。 The drive circuit of FIG. 1 is a circuit that receives an input voltage VIN, outputs an output voltage VQ, and drives a drive target (for example, a data line), and includes first and second capacitors C1 and C2, 5th switch element SW1-SW5 is included. An operational amplifier OP can also be included.
キャパシタC1は、基準ノードNEG(ネガティブノード、反転入力端子ノード、電荷蓄積ノード)と第1のノードN1との間に設けられる。キャパシタC2は、基準ノードNEGと第2のノードN2との間に設けられる。これらのキャパシタC1、C2の各々は例えば複数のユニットキャパシタにより構成できる。 The capacitor C1 is provided between the reference node NEG (negative node, inverting input terminal node, charge storage node) and the first node N1. The capacitor C2 is provided between the reference node NEG and the second node N2. Each of these capacitors C1 and C2 can be constituted by a plurality of unit capacitors, for example.
スイッチ素子SW1は、ノードN1と入力電圧VINの入力ノードNIとの間に設けられる。スイッチ素子SW2は、ノードN1とAGND(広義にはアナログ基準電源)との間に設けられる。スイッチ素子SW3は、ノードN2と出力ノードNQとの間に設けられる。スイッチ素子SW4は、ノードN2とAGND(AGNDノード)との間に設けられる。スイッチ素子SW5は、基準ノードNEGと出力ノードNQとの間に設けられる。 The switch element SW1 is provided between the node N1 and the input node NI of the input voltage VIN. The switch element SW2 is provided between the node N1 and AGND (analog reference power supply in a broad sense). Switch element SW3 is provided between node N2 and output node NQ. Switch element SW4 is provided between node N2 and AGND (AGND node). Switch element SW5 is provided between reference node NEG and output node NQ.
これらのスイッチ素子SW1〜SW5は例えばCMOSのトランジスタにより構成できる。具体的にはP型トランジスタとN型トランジスタとからなるトランスファーゲートにより構成できる。そしてこれらのトランジスタは、図示しないスイッチ制御信号生成回路からのスイッチ制御信号によりオン・オフされる。またAGNDは、例えば高電位側電源VDD(第2の電源)と低電位側電源VSS(第1の電源)の中間の電圧(例えばAGND=(VDD+VSS)/2)である。 These switch elements SW1 to SW5 can be constituted by, for example, CMOS transistors. Specifically, it can be constituted by a transfer gate composed of a P-type transistor and an N-type transistor. These transistors are turned on / off by a switch control signal from a switch control signal generation circuit (not shown). AGND is, for example, an intermediate voltage (for example, AGND = (VDD + VSS) / 2) between the high potential side power source VDD (second power source) and the low potential side power source VSS (first power source).
演算増幅器OPは、その反転入力端子(広義には第1の入力端子)に基準ノードNEGが接続され、その非反転入力端子(広義には第2の入力端子)にAGND(アナログ基準電源)が設定され、出力ノードNQ(出力端子)に出力電圧VQを出力する。 The operational amplifier OP has a reference node NEG connected to its inverting input terminal (first input terminal in a broad sense) and an AGND (analog reference power supply) connected to its non-inverting input terminal (second input terminal in a broad sense). The output voltage VQ is output to the output node NQ (output terminal).
本実施形態の駆動回路は、図1に示すように初期化期間(C1、C2に初期化用の電圧を設定する期間)においては、スイッチ素子SW2、SW4、SW5がオンになる。 In the drive circuit according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, the switch elements SW2, SW4, and SW5 are turned on in the initialization period (period in which the initialization voltage is set in C1 and C2).
初期化期間においてスイッチ素子SW2がオンになることで、その一端が基準ノードNEGに電気的に接続されるキャパシタC1の他端が、AGND(アナログ基準電源電圧VA)に設定される。同様に、スイッチ素子SW4がオンになることで、その一端が基準ノードNEGに電気的に接続されるキャパシタC2の他端が、AGND(VA)に設定される。また帰還スイッチ素子であるスイッチ素子SW5がオンになることで、演算増幅器OPの出力が反転入力端子に帰還され、演算増幅器OPのイマジナリーショート機能により、ノードNEGがAGNDに設定される。 When the switch element SW2 is turned on during the initialization period, the other end of the capacitor C1 whose one end is electrically connected to the reference node NEG is set to AGND (analog reference power supply voltage VA). Similarly, when the switch element SW4 is turned on, the other end of the capacitor C2 whose one end is electrically connected to the reference node NEG is set to AGND (VA). When the switch element SW5, which is a feedback switch element, is turned on, the output of the operational amplifier OP is fed back to the inverting input terminal, and the node NEG is set to AGND by the imaginary short function of the operational amplifier OP.
また本実施形態の駆動回路は、図2に示すように出力期間(出力電圧を出力して駆動対象を駆動する期間)においては、スイッチ素子SW1、SW3がオンになる。 In the drive circuit of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the switch elements SW1 and SW3 are turned on in the output period (period in which the output target is output and the drive target is driven).
出力期間においてスイッチ素子SW1がオンになることで、一端が基準ノードNEGに接続されるキャパシタC1の他端が、入力電圧VINに設定される。またスイッチ素子SW3がオンになることで、一端が基準ノードNEGに接続されるキャパシタC2の他端が、出力電圧VQ(OPの出力)に設定される。 When the switch element SW1 is turned on in the output period, the other end of the capacitor C1 whose one end is connected to the reference node NEG is set to the input voltage VIN. Further, when the switch element SW3 is turned on, the other end of the capacitor C2 having one end connected to the reference node NEG is set to the output voltage VQ (output of OP).
図3に本実施形態の動作を説明するための信号波形例を示す。図3においてVAはAGNDの電圧であり、例えばVA=(VDD+VSS)/2である。但し、VAはVDDとVSSの間の電圧であればよく、(VDD+VSS)/2には限定されない。 FIG. 3 shows an example of signal waveforms for explaining the operation of the present embodiment. In FIG. 3, VA is the voltage of AGND, for example, VA = (VDD + VSS) / 2. However, VA may be a voltage between VDD and VSS, and is not limited to (VDD + VSS) / 2.
図1の初期化期間においては、帰還用のスイッチ素子SW5がオンになるため、演算増幅器OPのイマジナリーショート機能により、OPの反転入力端子のノードNEGは、非反転入力端子のAGNDの電圧であるVAと等しくなる。但し、演算増幅器OPはプロセスバラツキ等に起因するオフセットを有するため、図3に示すようにノードNEGの電圧とVAにはオフセット電圧ΔVの電圧差が生じる。 Since the feedback switch element SW5 is turned on in the initialization period of FIG. 1, the node NEG of the inverting input terminal of OP is at the voltage of AGND of the non-inverting input terminal by the imaginary short function of the operational amplifier OP. It becomes equal to a certain VA. However, since the operational amplifier OP has an offset due to process variations or the like, a voltage difference of the offset voltage ΔV is generated between the voltage of the node NEG and VA as shown in FIG.
本実施形態の駆動回路では、図1の初期化期間においてこのオフセット電圧ΔVが記憶され、図2の出力期間において、このオフセット電圧ΔVがキャンセルされて、出力電圧VQが出力されるため、いわゆるオフセットフリーを実現できる。 In the drive circuit of this embodiment, this offset voltage ΔV is stored in the initialization period of FIG. 1, and this offset voltage ΔV is canceled and the output voltage VQ is output in the output period of FIG. Free can be realized.
なお図3に示すように、出力期間では、入力電圧VINが高電位側(VDD側)に変化すると、出力電圧VQは低電位側(VSS側)に変化し、VINが低電位側に変化するとVQは高電位側に変化する。 As shown in FIG. 3, during the output period, when the input voltage VIN changes to the high potential side (VDD side), the output voltage VQ changes to the low potential side (VSS side), and when VIN changes to the low potential side. VQ changes to the high potential side.
図4(A)に本実施形態の駆動回路の原理的な構成を示す。図4(A)に示すように本実施形態の駆動回路60は、その一端が、基準ノードNEGに接続され、その他端が、初期化期間においてはアナログ基準電圧VAに設定され、出力期間においては入力電圧VINに設定されるキャパシタC1を含めばよい。また、その一端が、基準ノードNEGに接続され、その他端が、初期化期間においてはアナログ基準電圧VAに設定され、出力期間においては出力電圧VQに設定されるキャパシタC2を含めばよい。
FIG. 4A shows the basic configuration of the drive circuit of this embodiment. As shown in FIG. 4A, one end of the driving
なお基準ノードNEG(C1とC2の接続ノード)は、初期化期間において所与の電圧(例えばVA、VA−ΔV)に設定され、出力期間においてハイインピーダンス状態(フローティング状態)に設定されるノードであればよい。このようなノードNEGの機能を実現するために、図1、図2では演算増幅器OPを利用しているが、演算増幅器OP以外の回路によりこのような機能を実現してもよい。 The reference node NEG (the connection node between C1 and C2) is a node that is set to a given voltage (for example, VA, VA−ΔV) in the initialization period and is set to a high impedance state (floating state) in the output period. I just need it. In order to realize such a function of the node NEG, the operational amplifier OP is used in FIGS. 1 and 2, but such a function may be realized by a circuit other than the operational amplifier OP.
次に図4(B)、図4(C)を用いて、本実施形態の駆動回路における入力電圧VINと出力電圧VQの関係について説明する。 Next, the relationship between the input voltage VIN and the output voltage VQ in the drive circuit of this embodiment will be described with reference to FIGS. 4B and 4C.
図4(B)に示すように初期化期間では、キャパシタC1、C2の一端にはVA、他端にはVA−ΔVが設定される。ここでΔVは演算増幅器OPのオフセット電圧である。 As shown in FIG. 4B, in the initialization period, VA is set at one end of the capacitors C1 and C2, and VA−ΔV is set at the other end. Here, ΔV is an offset voltage of the operational amplifier OP.
一方、図4(C)に示すように出力期間では、キャパシタC1の一端にはVIN、他端にはVA−ΔVが設定され、キャパシタC2の一端にはVQ、他端にはVA−ΔVが設定される。従って、電荷保存の法則により下式が成立する。 On the other hand, as shown in FIG. 4C, in the output period, VIN is set at one end of the capacitor C1, VA−ΔV is set at the other end, VQ is set at one end of the capacitor C2, and VA−ΔV is set at the other end. Is set. Therefore, the following equation is established by the law of charge conservation.
C1×{(VA−(VA−ΔV)}+C2×{(VA−(VA−ΔV)}
=C1×{VIN−(VA−ΔV)}+C2×{VQ−(VA−ΔV)} (1)
従って下式が成立する。
C1 × {(VA− (VA−ΔV)} + C2 × {(VA− (VA−ΔV)}
= C1 × {VIN− (VA−ΔV)} + C2 × {VQ− (VA−ΔV)} (1)
Therefore, the following formula is established.
VQ=VA−(C1/C2)×(VIN−VA) (2)
上式(2)から明らかなように、出力電圧VQにはオフセット電圧ΔVが現れないため、いわゆるオフセットフリーを実現できる。
VQ = VA− (C1 / C2) × (VIN−VA) (2)
As apparent from the above equation (2), since the offset voltage ΔV does not appear in the output voltage VQ, so-called offset free can be realized.
例えば本実施形態の比較例の駆動回路として、サンプリング期間においてサンプリング用キャパシタに入力電圧に応じた電荷を蓄積し、ホールド期間において、このサンプリング用キャパシタのフリップアラウンド動作を行って、蓄積された電荷に応じた電圧を出力する駆動回路が考えられる。 For example, as a driving circuit of a comparative example of the present embodiment, charges corresponding to the input voltage are accumulated in the sampling capacitor during the sampling period, and the sampling capacitor is subjected to a flip-around operation during the hold period. A drive circuit that outputs a corresponding voltage is conceivable.
しかしながら、この比較例の駆動回路では、サンプリング期間においては駆動回路の出力がハイインピーダンス状態になってしまい、駆動時間にロスが生じる。 However, in the drive circuit of this comparative example, the output of the drive circuit is in a high impedance state during the sampling period, causing a loss in drive time.
これに対して本実施形態の駆動回路では、キャパシタC1、C2を2つ用いることで、出力電圧VQの連続的な出力が可能になる。即ち初期化期間の後の出力期間では、サンプリング期間は存在せず、入力電圧VINに応じた出力電圧VQが上式(2)にしたがって出力されるため、駆動対象の連続的な駆動が可能になる。 On the other hand, in the drive circuit of this embodiment, the output voltage VQ can be continuously output by using two capacitors C1 and C2. That is, in the output period after the initialization period, there is no sampling period, and the output voltage VQ corresponding to the input voltage VIN is output according to the above equation (2), so that the drive target can be continuously driven. Become.
2.レイアウト配置
図5に本実施形態の駆動回路のレイアウト配置例を示す。図5において、第1の方向D1の反対方向が第3の方向D3になり、第1の方向D1に直交(交差)する方向が第2の方向D2になり、第2の方向D2の反対方向が第4の方向D4になっている。
2. Layout Arrangement FIG. 5 shows a layout arrangement example of the drive circuit of the present embodiment. In FIG. 5, the direction opposite to the first direction D1 is the third direction D3, the direction orthogonal (crossing) to the first direction D1 is the second direction D2, and the direction opposite to the second direction D2 Is the fourth direction D4.
図5では、図1、図2のキャパシタC1が形成される第1のキャパシタ領域C1Rと、キャパシタC2が形成される第2のキャパシタ領域C2Rが、D1方向に沿って配置される。なおキャパシタ領域C1R、C2RをD2方向に沿って配置する変形実施も可能である。 In FIG. 5, the first capacitor region C1R in which the capacitor C1 of FIGS. 1 and 2 is formed and the second capacitor region C2R in which the capacitor C2 is formed are arranged along the direction D1. A modification in which the capacitor regions C1R and C2R are arranged along the direction D2 is also possible.
またスイッチ素子SW1、SW2は、キャパシタ領域C1R、C2RのD3方向側に配置される。またスイッチ素子SW3、SW4は、キャパシタ領域C1R、C2RのD1方向側に配置される。なおスイッチ素子SW5は、スイッチ素子SW3、SW4のD2方向側に配置される。 The switch elements SW1 and SW2 are arranged on the D3 direction side of the capacitor regions C1R and C2R. The switch elements SW3 and SW4 are disposed on the D1 direction side of the capacitor regions C1R and C2R. The switch element SW5 is disposed on the D2 direction side of the switch elements SW3 and SW4.
また基準ノードNEGのラインLNEGは、スイッチ素子SW1、SW2、SW3、SW4のD2方向側に配線される。具体的には、ラインLNEG(少なくともその一部の配線。キャパシタを構成する配線層の上層の接続配線)は、SW1、SW2、SW3、SW4のD2方向側においてD1方向に沿って配線される。 The line LNEG of the reference node NEG is wired on the D2 direction side of the switch elements SW1, SW2, SW3, and SW4. Specifically, the line LNEG (at least a part of the wirings; the connection wiring in the upper layer of the wiring layer constituting the capacitor) is wired along the D1 direction on the D2 direction side of SW1, SW2, SW3, and SW4.
図5のレイアウト配置によれば、キャパシタ領域C1RのD3方向側にスイッチ素子SW1、SW2が配置されるため、前段の回路からの入力電圧VINをショートパスでスイッチ素子SW1、SW2(キャパシタC1)に供給できる。またキャパシタ領域C2RのD1方向側にスイッチ素子SW3、SW4が配置されるため、後段の回路(例えば演算増幅器)とスイッチ素子SW3、SW4(キャパシタC2)との接続をショートパスで実現できる。従って、レイアウト効率を向上できると共に、性能に悪影響を与える寄生容量や寄生抵抗を最小限にすることができる。 According to the layout arrangement of FIG. 5, since the switch elements SW1 and SW2 are arranged on the D3 direction side of the capacitor region C1R, the input voltage VIN from the previous circuit is transferred to the switch elements SW1 and SW2 (capacitor C1) through a short path. Can supply. Further, since the switch elements SW3 and SW4 are arranged on the D1 direction side of the capacitor region C2R, the connection between the subsequent circuit (for example, operational amplifier) and the switch elements SW3 and SW4 (capacitor C2) can be realized by a short path. Therefore, layout efficiency can be improved, and parasitic capacitance and parasitic resistance that adversely affect performance can be minimized.
また図5では、スイッチ素子SW1〜SW4のD2方向側に基準ノードラインLNEGが配線される。従って、ノードN1、N2のラインと、基準ノードラインLNEGとの間の距離を離すことが可能になる。従って、ノードN1とNEGとの間の寄生容量値をCP1、ノードN2とNEGとの間の寄生容量値をCP2とした場合に、寄生容量値CP1とCP2の差分値CPDを最小限に抑えることが可能になる。 In FIG. 5, a reference node line LNEG is wired on the D2 direction side of the switch elements SW1 to SW4. Therefore, the distance between the lines of the nodes N1 and N2 and the reference node line LNEG can be increased. Therefore, when the parasitic capacitance value between the nodes N1 and NEG is CP1, and the parasitic capacitance value between the nodes N2 and NEG is CP2, the difference value CPD between the parasitic capacitance values CP1 and CP2 is minimized. Is possible.
即ち寄生容量の差分値CPDが大きくなると、上式(2)で説明したVQ=VA−(C1/C2)×(VIN−VA)において、C1/C2が変化してしまい、出力電圧VQが変動してしまう。また、後述するように複数のデータ線を複数の駆動回路で駆動した場合に、プロセスの加工バラツキにより駆動回路間で出力電圧VQもばらついてしまい、表示品質が劣化するなどの問題が生じる。 That is, when the difference value CPD of the parasitic capacitance increases, C1 / C2 changes in VQ = VA− (C1 / C2) × (VIN−VA) described in the above equation (2), and the output voltage VQ varies. Resulting in. Further, when a plurality of data lines are driven by a plurality of drive circuits as will be described later, the output voltage VQ varies between the drive circuits due to process variations, resulting in a problem that display quality deteriorates.
この場合に、配線の形状を対称に形成すれば、差分値CPDの悪影響を無くすことができるが、例えば図5のA1に示すような対称ではない配線部分が存在すると、対称性が崩れて、差分値CPDの影響を無視できなくなる。 In this case, if the wiring shape is formed symmetrically, the adverse effect of the difference value CPD can be eliminated. However, for example, if there is a wiring portion that is not symmetrical as shown by A1 in FIG. The influence of the difference value CPD cannot be ignored.
この点、図5では、ノードN1、N2のラインと、基準ノードラインLNEGの距離を離して配線できるため、ノードN1、N2とNEGとの間の寄生容量値CP1、CP2の絶対値を小さくできる。従って、A1に示すように対称性が崩れた部分が存在しても、差分値CPDの絶対値が小さいため、差分値CPDの悪影響を最小限に抑えることできる。 In this regard, in FIG. 5, since the lines of the nodes N1 and N2 and the reference node line LNEG can be separated from each other, the absolute values of the parasitic capacitance values CP1 and CP2 between the nodes N1 and N2 and NEG can be reduced. . Therefore, even if there is a portion where the symmetry is broken as shown by A1, since the absolute value of the difference value CPD is small, the adverse effect of the difference value CPD can be minimized.
また図5のレイアウト配置では、キャパシタ領域C1R、C2Rの間を通るD2方向に沿った線を対称軸とした場合に、この対称軸に線対称なレイアウト配置が可能になる。従って、差分値CPD等の悪影響を更に低減できる。 Further, in the layout arrangement of FIG. 5, when a line along the direction D2 passing between the capacitor regions C1R and C2R is used as the axis of symmetry, a layout arrangement that is line symmetric with respect to this axis of symmetry becomes possible. Therefore, adverse effects such as the difference value CPD can be further reduced.
また図5では、スイッチ素子SW2にAGND(アナログ基準電源)の電圧を供給するための第1のアナログ基準電源ラインLA1が、キャパシタ領域C1R、C2RのD3方向側においてD2方向に沿って配線される。一方、スイッチ素子SW4にAGNDの電圧を供給するための第2のアナログ基準電源ラインLA2が、キャパシタ領域C1R、C2RのD1方向側においてD2方向に沿って配線される。 In FIG. 5, a first analog reference power supply line LA1 for supplying a voltage of AGND (analog reference power supply) to the switch element SW2 is wired along the D2 direction on the D3 direction side of the capacitor regions C1R and C2R. . On the other hand, a second analog reference power line LA2 for supplying the voltage AGND to the switch element SW4 is wired along the D2 direction on the D1 direction side of the capacitor regions C1R and C2R.
図5のようにAGNDのラインLA1、LA2を配線すれば、スイッチ素子SW2、SW4にショートパスでAGNDを供給できると共に、ラインLA1、LA2の内側の領域を、外側の領域からAGNDによりシールドできるようになる。従って、例えば入力ノードNIでの入力電圧VINの変動や出力電圧の変動が、寄生容量を介してノードNEGに伝達されて、回路特性に悪影響を与えてしまう事態を効果的に防止できる。また、上述した対称軸に対して、ラインLA1、LA2についても線対称に配線することができるため、線対称なレイアウトが可能になり、差分値CPD等の悪影響を低減できる。 If the lines LA1 and LA2 of AGND are wired as shown in FIG. 5, AGND can be supplied to the switch elements SW2 and SW4 through a short path, and the area inside the lines LA1 and LA2 can be shielded from the outside area by AGND. become. Therefore, for example, it is possible to effectively prevent a situation in which fluctuations in the input voltage VIN and output voltage at the input node NI are transmitted to the node NEG via the parasitic capacitance and adversely affect circuit characteristics. In addition, since the lines LA1 and LA2 can be line-symmetrically arranged with respect to the above-described symmetry axis, a line-symmetric layout is possible, and adverse effects such as the difference value CPD can be reduced.
なお基準ノードNEGのラインLNEGについては、その左側や右側、或いは上側や下側に、AGNDの電位等に設定されたシールド線を更に配線することが望ましい。 For the line LNEG of the reference node NEG, it is desirable to further wire a shield line set to the potential of AGND on the left side, the right side, the upper side or the lower side.
図6(A)にキャパシタ領域C1R、C2Rのレイアウト配置の詳細例を示す。図6(A)に示すようにキャパシタ領域C1Rには、キャパシタC1を構成する複数のユニットキャパシタC11〜C15が配置される。またキャパシタ領域C2RにはキャパシタC2を構成する複数のユニットキャパシタC21〜C25が配置される。このようなユニットキャパシタを用いることで、キャパシタの加工精度が高くなり、キャパシタC1、C2の容量値の精度を向上できる。なおこれらのユニットキャパシタは、例えばMIM(Metal Insulation Metal)構造により構成できる。 FIG. 6A shows a detailed example of the layout arrangement of the capacitor regions C1R and C2R. As shown in FIG. 6A, a plurality of unit capacitors C11 to C15 constituting the capacitor C1 are arranged in the capacitor region C1R. In the capacitor region C2R, a plurality of unit capacitors C21 to C25 constituting the capacitor C2 are arranged. By using such a unit capacitor, the processing accuracy of the capacitor is increased, and the accuracy of the capacitance values of the capacitors C1 and C2 can be improved. Note that these unit capacitors can be configured by, for example, an MIM (Metal Insulation Metal) structure.
更に図6(A)では、ユニットキャパシタC11〜C15のD3方向側にダミーユニットキャパシタCD1〜CD5が配置され、ユニットキャパシタC21〜C25のD1方向側にダミーユニットキャパシタCD6〜CD10が配置される。 Further, in FIG. 6A, dummy unit capacitors CD1 to CD5 are arranged on the D3 direction side of the unit capacitors C11 to C15, and dummy unit capacitors CD6 to CD10 are arranged on the D1 direction side of the unit capacitors C21 to C25.
また、例えば複数の駆動回路で複数の駆動対象を駆動する場合には、複数の駆動回路をD2方向に沿って並んで配置することができる。従って、この場合には、図6(A)においてユニットキャパシタC11〜C15、C21〜C25のD4方向側やD2方向側にも、隣の駆動回路のユニットキャパシタが配置されるようになる。 For example, when a plurality of driving objects are driven by a plurality of driving circuits, the plurality of driving circuits can be arranged side by side along the direction D2. Therefore, in this case, the unit capacitors of the adjacent drive circuit are also arranged on the D4 direction side and D2 direction side of the unit capacitors C11 to C15 and C21 to C25 in FIG. 6A.
従って図6(A)のレイアウト配置によれば、ユニットキャパシタC11〜C15やC21〜C25の各々について、その四方に、他のユニットキャパシタを隣接配置することが可能になる。従って、自身のユニットキャパシタのエッジと、四方において隣接するユニットキャパシタとの間の隙間を、例えばほぼ同じエッチング速度で形成できるようになるため、高精度にユニットキャパシタを形成でき、容量値の精度を向上できる。 Therefore, according to the layout arrangement of FIG. 6A, it is possible to arrange other unit capacitors adjacent to each other on the four sides of each of the unit capacitors C11 to C15 and C21 to C25. Therefore, since the gap between the edge of the unit capacitor and the unit capacitor adjacent in the four directions can be formed, for example, at substantially the same etching rate, the unit capacitor can be formed with high accuracy, and the accuracy of the capacitance value is increased. Can be improved.
なお本実施形態のレイアウト配置は図5に限定されず、例えばスイッチ素子SW1〜SW5を図5とは異なる場所に配置してもよい。例えばスイッチ素子SW1〜SW5を図5とは異なる場所に配置し、図7に示すようにAGNDのラインLA1をキャパシタ領域C1R、C2RのD3方向側においてD2方向に沿って配線し、AGNDのラインLA2をキャパシタ領域C1R、C2RのD1方向側においてD2方向に沿って配線するレイアウトとしてもよい。そしてこれらのAGNDのラインLA1、LA2によりシールドされた内側の領域において、基準ノードNEGのラインLNEGを例えばD1方向に沿って配線する。 Note that the layout arrangement of the present embodiment is not limited to that shown in FIG. For example, the switch elements SW1 to SW5 are arranged at locations different from FIG. 5, and the AGND line LA1 is wired along the D2 direction on the D3 direction side of the capacitor regions C1R and C2R as shown in FIG. May be laid out along the D2 direction on the D1 direction side of the capacitor regions C1R and C2R. In the inner region shielded by these AGND lines LA1 and LA2, the line LNEG of the reference node NEG is wired along the direction D1, for example.
この図7のレイアウト配置によっても、上述したC1RとC2Rの間を通る対称軸を基準とした線対称なレイアウトが可能になる。またAGNDのラインLA1、LA2により、その内側の領域を外側の領域からシールドできるため、外側の領域での電圧変動等がノードNEGに及ぼす悪影響を最小限に抑えることができ、回路特性を向上できる。 7 also enables a line-symmetric layout with reference to the symmetry axis passing between the above-described C1R and C2R. In addition, since the inner area can be shielded from the outer area by the AGND lines LA1 and LA2, the adverse effect of the voltage fluctuation in the outer area on the node NEG can be minimized, and the circuit characteristics can be improved. .
3.変形例
図8、図9に本実施形態の駆動回路の変形例を示す。図8、図9では、図1、図2に比べて、発振防止用のキャパシタCCが更に設けられている。また図8、図9では初期化期間における出力電圧が後段の回路に伝達されるのを防止するスイッチ素子SW6が設けられている。このスイッチ素子SW6は、図8の初期化期間ではオフになり、図9の出力期間においてオンになる。
3. Modified Examples FIGS. 8 and 9 show modified examples of the drive circuit of this embodiment. 8 and 9, a capacitor CC for preventing oscillation is further provided as compared with FIGS. 8 and 9, a switch element SW6 for preventing the output voltage during the initialization period from being transmitted to the subsequent circuit is provided. The switch element SW6 is turned off in the initialization period of FIG. 8, and is turned on in the output period of FIG.
更に図8、図9では、その一端が基準ノードNEGに接続される補助キャパシタCAXが設けられている。このような補助キャパシタCAXを設ければ、演算増幅器OPの反転入力端子のノードであるノードNEGの電圧変動を抑えることができ、出力電圧VQの一層の安定化を実現できる。 Further, in FIGS. 8 and 9, an auxiliary capacitor CAX having one end connected to the reference node NEG is provided. By providing such an auxiliary capacitor CAX, it is possible to suppress the voltage fluctuation of the node NEG that is the node of the inverting input terminal of the operational amplifier OP, and to further stabilize the output voltage VQ.
具体的には図8の初期化期間から図9の出力期間に移行する瞬間に、図2に示すように基準ノードNEGの電圧は変動する。この場合に補助キャパシタCAXが設けられていないと、初期化期間が終了した時点でのノードN2とノードNQ(NQ’)との電位差の分だけ基準ノードNEGの電圧が瞬間的に変動する。そして、この時の基準ノードNEGの電圧が、スイッチ素子SW5の基板電圧であるVDD又はVSSを超えてしまうと、キャパシタC1、C2に蓄積されていた電荷が抜けてしまう。これを防止するために図8、図9では補助キャパシタCAXを設けている。このようにすれば、ノードNQとAGNDのノードの間に、直列接続されたキャパシタC2とキャパシタCAXとが設けられるようになり、基準ノードNEGの電圧変動をVDD〜VSSの範囲に抑え、C1、C2の蓄積電荷が抜けてしまう事態を防止できる。 Specifically, at the moment of shifting from the initialization period of FIG. 8 to the output period of FIG. 9, the voltage of the reference node NEG varies as shown in FIG. In this case, if the auxiliary capacitor CAX is not provided, the voltage of the reference node NEG varies instantaneously by the potential difference between the node N2 and the node NQ (NQ ') at the end of the initialization period. If the voltage of the reference node NEG at this time exceeds VDD or VSS, which is the substrate voltage of the switch element SW5, the charge accumulated in the capacitors C1 and C2 is lost. In order to prevent this, an auxiliary capacitor CAX is provided in FIGS. In this way, the capacitor C2 and the capacitor CAX connected in series are provided between the nodes NQ and AGND, and the voltage fluctuation of the reference node NEG is suppressed to the range of VDD to VSS, and C1, The situation where the accumulated charge of C2 is lost can be prevented.
例えば本実施形態では、演算増幅器OPとして、位相補償キャパシタを内蔵しないタイプの増幅器を用いている。即ち出力期間においては図9に示すようにスイッチ素子SW6がオンになるため、演算増幅器OPの出力は、負荷となるデータ線等の駆動対象が接続される。従って、この負荷(例えば20pF)が位相補償キャパシタとして機能して、演算増幅器OPの発振を防止できる。 For example, in this embodiment, an amplifier of a type that does not include a phase compensation capacitor is used as the operational amplifier OP. That is, since the switch element SW6 is turned on as shown in FIG. 9 during the output period, the output of the operational amplifier OP is connected to a drive target such as a data line serving as a load. Therefore, this load (for example, 20 pF) functions as a phase compensation capacitor and can prevent oscillation of the operational amplifier OP.
しかしながら、図8の初期化期間においてはスイッチ素子SW6がオフになるため、演算増幅器OPにはデータ線等の負荷が接続されず、演算増幅器OPの負荷は、キャパシタC1、C2と補助キャパシタCAXだけになる(例えば1pFの負荷)。従って、演算増幅器OPの負荷が減少してしまい、演算増幅器OPが発振してしまうおそれがある。 However, since the switch element SW6 is turned off in the initialization period of FIG. 8, a load such as a data line is not connected to the operational amplifier OP, and the loads of the operational amplifier OP are only the capacitors C1 and C2 and the auxiliary capacitor CAX. (For example, 1 pF load). Therefore, the load on the operational amplifier OP decreases, and the operational amplifier OP may oscillate.
そこで図8、図9では、初期化期間において、その一端が出力ノードNQ’に電気的に接続され、演算増幅器OPの発振を防止する発振防止用キャパシタCCを設けている。具体的にはノードNQ’と低電位側電源との間に、発振防止用キャパシタCCとスイッチ素子SW7を設ける。そして図8の初期化期間ではスイッチ素子SW7をオンにして、発振防止用キャパシタCCの一端を出力ノードNQ’に接続する一方で、図9の出力期間ではスイッチ素子SW7をオフにして接続を遮断する。 Therefore, in FIG. 8 and FIG. 9, during the initialization period, one end of which is electrically connected to the output node NQ ′ is provided with an oscillation preventing capacitor CC that prevents oscillation of the operational amplifier OP. Specifically, an oscillation prevention capacitor CC and a switch element SW7 are provided between the node NQ 'and the low potential side power supply. In the initialization period of FIG. 8, the switch element SW7 is turned on and one end of the oscillation prevention capacitor CC is connected to the output node NQ ′, while in the output period of FIG. 9, the switch element SW7 is turned off and the connection is cut off. To do.
このような発振防止用キャパシタCCを設ければ、演算増幅器OPの負荷が軽くなる初期化期間において、発振防止用キャパシタCCが位相補償キャパシタとして機能し、演算増幅器OPの発振を効果的に防止できる。なお図8では発振防止用の抵抗R1、R2を更に設けている。 If such an oscillation prevention capacitor CC is provided, the oscillation prevention capacitor CC functions as a phase compensation capacitor during the initialization period in which the load of the operational amplifier OP is reduced, and oscillation of the operational amplifier OP can be effectively prevented. . In FIG. 8, resistances R1 and R2 for preventing oscillation are further provided.
図10に演算増幅器OPの回路構成例を示す。この演算増幅器OPはAB級の増幅動作を行う増幅器であり、フォードフォワード型のAB級の出力段を有する増幅器である。図10では、トランジスタTA1〜TA4及び電流源IS1により増幅器の差動段が構成される。また出力段を構成するP型トランジスタTA17とN型トランジスタTA18のゲートは、トランジスタTA7〜TA14により構成される補助回路により制御され、これによりAB級の増幅動作が可能になる。 FIG. 10 shows a circuit configuration example of the operational amplifier OP. The operational amplifier OP is an amplifier that performs a class AB amplification operation, and is an amplifier having a Ford forward class AB output stage. In FIG. 10, the transistors TA1 to TA4 and the current source IS1 constitute an amplifier differential stage. Further, the gates of the P-type transistor TA17 and the N-type transistor TA18 constituting the output stage are controlled by an auxiliary circuit constituted by the transistors TA7 to TA14, thereby enabling a class AB amplification operation.
図11に、図8、図9の変形例の駆動回路のレイアウト配置例を示す。図11では、例えばスイッチ素子SW5のD1方向側に、発振防止用の抵抗R1、R2やスイッチ素子SW7やキャパシタCCが配置されている。なお図11においてキャパシタ領域C1R、C2Rを例えばD2方向に沿って配置する変形実施も可能である。 FIG. 11 shows a layout arrangement example of the drive circuit of the modification example of FIGS. In FIG. 11, for example, resistors R1 and R2 for preventing oscillation, a switch element SW7, and a capacitor CC are arranged on the D1 direction side of the switch element SW5. In FIG. 11, the capacitor regions C1R and C2R can be modified, for example, arranged along the direction D2.
また図11では、スイッチ素子SW3、SW4のD2方向側にスイッチ素子SW5が配置される。そしてこのスイッチ素子SW5のダミースイッチ素子(例えばSW5と同じサイズ・形状のスイッチ素子)が、スイッチ素子SW1、SW2のD2方向側に配置される。 In FIG. 11, the switch element SW5 is arranged on the D2 direction side of the switch elements SW3 and SW4. A dummy switch element of the switch element SW5 (for example, a switch element having the same size and shape as SW5) is disposed on the D2 direction side of the switch elements SW1 and SW2.
このようにすれば、ラインLA1、LA2の内側の領域では、キャパシタ領域C1R、C2Rの間を通るD2方向に沿った対称軸に関して、線対称なレイアウト配置を実現できる。従って、上述した寄生容量の差分値CPDを更に小さくして、回路特性を向上できる。 In this way, in the area inside the lines LA1 and LA2, it is possible to realize a line-symmetric layout arrangement with respect to the symmetry axis along the direction D2 passing between the capacitor areas C1R and C2R. Accordingly, the above-described parasitic capacitance difference value CPD can be further reduced to improve the circuit characteristics.
また図11では、基準ノードNEGに接続され、出力電圧の変動を抑える補助キャパシタCAXが、キャパシタ領域C1R、C2Rの間のキャパシタ領域CAXRに形成されている。このようにすることで、キャパシタC1、C2、CAXの効率的なレイアウト配置が可能になると共に、線対称なレイアウト配置を実現できる。 In FIG. 11, an auxiliary capacitor CAX that is connected to the reference node NEG and suppresses fluctuations in output voltage is formed in a capacitor region CAXR between the capacitor regions C1R and C2R. In this way, efficient layout arrangement of the capacitors C1, C2, and CAX becomes possible, and a line-symmetric layout arrangement can be realized.
例えば図6(B)にキャパシタ領域C1R、C2R及びCAXRのレイアウト配置の詳細例を示す。図6(B)に示すようにキャパシタ領域CAXRには、補助キャパシタCAXを構成する複数の補助ユニットキャパシタCA1〜CA5が配置される。 For example, FIG. 6B shows a detailed example of the layout arrangement of the capacitor regions C1R, C2R, and CAXR. As shown in FIG. 6B, a plurality of auxiliary unit capacitors CA1 to CA5 constituting the auxiliary capacitor CAX are arranged in the capacitor region CAXR.
このようなレイアウト配置にすれば、補助ユニットキャパシタCA1〜CA5は、キャパシタC1を構成するユニットキャパシタC11〜C15のD1方向側に配置されると共に、キャパシタC2を構成するユニットキャパシタC21〜C25のD3方向側に配置されるようになる。即ちダミーユニットキャパシタCD1〜CD5と補助ユニットキャパシタCA1〜CA5の間にユニットキャパシタC11〜C15が配置され、ダミーユニットキャパシタCD6〜CD10と補助ユニットキャパシタCA1〜CA5の間にユニットキャパシタC21〜C25が配置される。従って、キャパシタ領域C1R、C2Rの間を通るD2方向に沿った対称軸に関して、ユニットキャパシタの線対称なレイアウト配置を実現できるため、回路特性の悪化を防止できる。 With such a layout arrangement, the auxiliary unit capacitors CA1 to CA5 are arranged on the D1 direction side of the unit capacitors C11 to C15 constituting the capacitor C1, and the D3 direction of the unit capacitors C21 to C25 constituting the capacitor C2 is arranged. Will be placed on the side. That is, the unit capacitors C11 to C15 are arranged between the dummy unit capacitors CD1 to CD5 and the auxiliary unit capacitors CA1 to CA5, and the unit capacitors C21 to C25 are arranged between the dummy unit capacitors CD6 to CD10 and the auxiliary unit capacitors CA1 to CA5. The Therefore, the line layout of the unit capacitors can be realized with respect to the symmetry axis along the direction D2 passing between the capacitor regions C1R and C2R, so that deterioration of circuit characteristics can be prevented.
4.集積回路装置
さて、以下では、本実施形態の駆動回路を、表示パネル(電気光学装置)のデータ線を駆動するデータドライバに適用した場合について説明する。
4). Integrated Circuit Device Now, a case where the drive circuit of this embodiment is applied to a data driver that drives data lines of a display panel (electro-optical device) will be described.
例えば図12に本実施形態のデータドライバを含む集積回路装置10(表示ドライバ)の回路構成例を示す。なお本実施形態の集積回路装置10は図12の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
For example, FIG. 12 shows a circuit configuration example of the integrated circuit device 10 (display driver) including the data driver of this embodiment. The
表示パネル400(広義には電気光学装置)は、複数のデータ線(例えばソース線)と、複数の走査線(例えばゲート線)と、データ線及び走査線により特定される複数の画素を有する。そして各画素領域における電気光学素子(狭義には、液晶素子)の光学特性を変化させることで、表示動作を実現する。この表示パネルは、例えばTFT、TFDなどのスイッチ素子を用いたアクティブマトリクス方式のパネルにより構成できる。なお表示パネルは、アクティブマトリクス方式以外のパネルであってもよいし、液晶パネル以外のパネル(有機ELパネル等)であってもよい。 The display panel 400 (electro-optical device in a broad sense) includes a plurality of data lines (for example, source lines), a plurality of scanning lines (for example, gate lines), and a plurality of pixels specified by the data lines and the scanning lines. A display operation is realized by changing the optical characteristics of the electro-optical element (in a narrow sense, a liquid crystal element) in each pixel region. This display panel can be constituted by an active matrix type panel using switch elements such as TFT and TFD. The display panel may be a panel other than the active matrix system, or a panel other than the liquid crystal panel (organic EL panel or the like).
メモリ20(表示データRAM)は画像データを記憶する。メモリセルアレイ22は複数のメモリセルを含み、少なくとも1フレーム(1画面)分の画像データ(表示データ)を記憶する。ローアドレスデコーダ24(MPU/LCDローアドレスデコーダ)はローアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ22のワード線の選択処理を行う。カラムアドレスデコーダ26(MPUカラムアドレスデコーダ)はカラムアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ22のビット線の選択処理を行う。ライト/リード回路28(MPUライト/リード回路)はメモリセルアレイ22への画像データのライト処理や、メモリセルアレイ22からの画像データのリード処理を行う。
The memory 20 (display data RAM) stores image data. The
ロジック回路40(ドライバ用ロジック回路)は、表示タイミングを制御するための制御信号やデータ処理タイミングを制御するための制御信号などを生成する。このロジック回路40は例えばゲートアレイ(G/A)などの自動配置配線により形成できる。
The logic circuit 40 (driver logic circuit) generates a control signal for controlling display timing, a control signal for controlling data processing timing, and the like. The
制御回路42は各種制御信号を生成したり、装置全体の制御を行う。具体的には階調電圧生成回路110に対して、階調特性(γ特性)を調整するための階調調整データ(γ補正データ)を出力したり、電源回路90に対して、電源電圧を調整するための電源調整データを出力する。またローアドレスデコーダ24、カラムアドレスデコーダ26、ライト/リード回路28を用いたメモリへのライト/リード処理を制御する。
The
表示タイミング制御回路44は表示タイミングを制御するための各種の制御信号を生成し、メモリ20から表示パネル側への画像データの読み出しを制御する。ホスト(MPU)インターフェース回路46は、ホストからのアクセス毎に内部パルスを発生してメモリ20にアクセスするホストインターフェースを実現する。RGBインターフェース回路48は、ドットクロックにより動画のRGBデータをメモリ20に書き込むRGBインターフェースを実現する。なおホストインターフェース回路46、RGBインターフェース回路48のいずれか一方のみを設ける構成としてもよい。
The display
データドライバ50は、表示パネルのデータ線を駆動するためのデータ信号を生成する回路である。具体的にはデータドライバ50は、メモリ20から画像データ(階調データ、表示データ)を受け、階調電圧生成回路110から複数(例えば256段階)の階調電圧(基準電圧)を受ける。そして、これらの複数の階調電圧の中から、画像データ(階調データ)に対応する電圧(データ電圧)を選択して、表示パネルのデータ線に出力する。
The
走査ドライバ70は表示パネルの走査線を駆動するための走査信号を生成する回路である。具体的には、内蔵するシフトレジスタにおいて信号(イネーブル入出力信号)を順次シフトし、このシフトされた信号をレベル変換した信号を、走査信号(走査電圧)として表示パネルの各走査線に出力する。なお走査ドライバ70に、走査アドレス生成回路やアドレスデコーダを含ませ、走査アドレス生成回路が走査アドレスを生成して出力し、アドレスデコーダが走査アドレスのデコード処理を行うことで、走査信号を生成してもよい。
The
電源回路90は各種の電源電圧を生成する回路である。具体的には、入力電源電圧や内部電源電圧を、内蔵する昇圧回路が含む昇圧用キャパシタや昇圧用トランジスタを用いてチャージポンプ方式で昇圧する。そして昇圧により得られた電圧を、データドライバ50、走査ドライバ70、階調電圧生成回路110などに供給する。
The
階調電圧生成回路(γ補正回路)110は階調電圧を生成してデータドライバ50に供給する回路である。具体的には階調電圧生成回路110は、高電位側電圧と低電位側電圧の間を抵抗分割し、抵抗分割ノードに階調電圧を出力するラダー抵抗回路を含むことができる。また階調調整データが書き込まれる階調レジスタ部や、書き込まれた階調調整データに基づいて、抵抗分割ノードに出力される階調電圧を可変に設定(制御)する階調電圧設定回路などを含むことができる。
The gradation voltage generation circuit (γ correction circuit) 110 is a circuit that generates a gradation voltage and supplies it to the
5.データドライバ
図13に本実施形態のデータドライバ(ソースドライバ)の構成例を示す。このデータドライバは液晶パネルなどの表示パネル400(電気光学装置)のデータ線を駆動するものであり、D/A変換回路52、駆動回路60を含む。なお駆動回路60等を表示パネル400の各データ線毎に設けてもよいし、駆動回路60が複数のデータ線を時分割に駆動(マルチ駆動)するようにしてもよい。またデータドライバ(集積回路装置)の一部又は全部を表示パネル400上に一体に形成してもよい。
5. Data Driver FIG. 13 shows a configuration example of the data driver (source driver) of the present embodiment. This data driver drives a data line of a display panel 400 (electro-optical device) such as a liquid crystal panel, and includes a D /
D/A変換回路52(電圧生成回路)は、例えば図12のメモリ20から階調データ(画像データ、表示データ)を受ける。そして階調データに対応した階調電圧であるVINを出力する。
The D / A conversion circuit 52 (voltage generation circuit) receives gradation data (image data, display data) from the
具体的にはD/A変換回路52は、図12の階調電圧生成回路110から階調電圧線を介して複数の階調電圧を受ける。そしてこれらの複数の階調電圧の中から階調データに対応した電圧を選択して、VINとして出力する。
Specifically, the D /
駆動回路60は、D/A変換回路52からの階調電圧である入力電圧VINを受ける。そして出力電圧VQを出力して、表示パネル400のデータ線を駆動する。この駆動回路60としては図1、図2、図8、図9等で説明した構成の駆動回路を適用できる。
The
図14は本実施形態のデータドライバの動作説明図である。図14では、水平走査期間(1H)の先頭のVCOM安定期間が、図1、図8で説明した初期化期間に設定される。そしてこの初期化期間の後に、駆動回路60が複数のデータ線を時分割にマルチ駆動する。
FIG. 14 is an explanatory diagram of the operation of the data driver of this embodiment. In FIG. 14, the VCOM stable period at the beginning of the horizontal scanning period (1H) is set to the initialization period described with reference to FIGS. After this initialization period, the
ここでVCOM安定期間は、画素の対向電極に供給するコモン電圧VCOM(対向電極電圧)が安定するまでの期間である。例えばライン反転駆動では、1走査期間毎に液晶素子に印加される電圧の極性を反転させる。このために1走査期間毎に、正極性用のコモン電圧VCOM(VCOMH)と負極性用のコモン電圧VCOM(VCOML)を切り替えて対向電極に出力する。そしてこのようなVCOMの極性反転による変動を安定させるのに必要な期間が、VCOM安定期間になる。 Here, the VCOM stabilization period is a period until the common voltage VCOM (counter electrode voltage) supplied to the counter electrode of the pixel is stabilized. For example, in line inversion driving, the polarity of the voltage applied to the liquid crystal element is inverted every scanning period. For this purpose, the common voltage VCOM (VCOMH) for positive polarity and the common voltage VCOM (VCOML) for negative polarity are switched and output to the counter electrode every scanning period. A period necessary for stabilizing the fluctuation due to the polarity inversion of the VCOM is a VCOM stable period.
このVCOM安定期間では、データ線に電圧を供給しても適正な駆動を実現できない。そこで図14では、このVCOM安定期間を有効活用して、駆動回路の初期化を行う。そしてVCOMが安定した後に、初期化期間から出力期間に切り替えて、データ線をマルチ駆動する。このようにすれば、効率的なデータ線の駆動が可能になる。 In this VCOM stable period, proper driving cannot be realized even if a voltage is supplied to the data line. Therefore, in FIG. 14, the drive circuit is initialized by effectively using the VCOM stabilization period. After the VCOM is stabilized, the data line is multi-driven by switching from the initialization period to the output period. In this way, efficient data line driving is possible.
なおこのVCOM安定期間において、例えばデータ線をコモン電圧VCOM(共通電位)に設定するようにしてもよい。このようにすれば、表示パネル400に蓄積された電荷を再利用して、表示パネル400のデータ線への電荷の充放電が行われるようになるため、低消費電力化を図れる。
In this VCOM stable period, for example, the data line may be set to the common voltage VCOM (common potential). In this way, charges accumulated in the
図15にD/A変換回路52の構成例を示す。図15のD/A変換回路52は、前段のセレクタブロックが有するセレクタの出力が後段のセレクタブロックが有するセレクタに入力される複数段のセレクタブロックBL1、BL2を含む。なおセレクタブロックの段数は図15のような2段には限定されず、3段以上であってもよい。
FIG. 15 shows a configuration example of the D /
図15のD/A変換回路52では、いわゆるトーナメント方式で複数の階調電圧から1つの階調電圧を選択して、階調電圧VG(VIN)として出力する。例えば1段目のセレクタブロックは、4入力セレクタS10〜S13により構成され、これらの4入力セレクタS10〜S13には、図12の階調電圧生成回路110で生成された階調電圧V0〜V15が入力される。また2段目のセレクタブロックは4入力セレクタS21により構成され、前段の4入力セレクタS10〜S13の出力電圧は4入力セレクタS21に入力される。そして4入力セレクタS21が、選択された階調電圧VG(VIN)を出力する。この場合に、セレクタS10〜S13は、階調データに基づき生成されたセレクタ制御信号EN1[3]〜EN1[0]により制御される。またセレクタS21は、階調データに基づき生成されたセレクタ制御信号EN2[3]〜EN2[0]により制御される。
In the D /
なお図15では16階調(V0〜V15)の場合の例を示しているが、階調数はこれに限定されず、例えば64、128、256階調等であってもよい。 Although FIG. 15 shows an example in the case of 16 gradations (V0 to V15), the number of gradations is not limited to this, and may be 64, 128, 256 gradations, for example.
6.電子機器
図16(A)、図16(B)に本実施形態の集積回路装置10を含む電子機器(電気光学装置)の構成例を示す。なお図16(A)、図16(B)の構成要素の一部を省略したり、他の構成要素(例えばカメラ、操作部又は電源等)を追加するなどの種々の変形実施が可能である。また本実施形態の電子機器は携帯電話機には限定されず、デジタルカメラ、PDA、電子手帳、電子辞書、プロジェクタ、リアプロジェクションテレビ、或いは携帯型情報端末などであってもよい。
6). Electronic Device FIGS. 16A and 16B show a configuration example of an electronic device (electro-optical device) including the integrated
図16(A)、図16(B)においてホストデバイス410は、例えばMPU、ベースバンドエンジンなどである。このホストデバイス410は、表示ドライバである集積回路装置10の制御を行う。或いはアプリケーションエンジンやベースバンドエンジンとしての処理や、圧縮、伸長、サイジングなどのグラフィックエンジンとしての処理を行うこともできる。また図16(B)の画像処理コントローラ420は、ホストデバイス410に代行して、圧縮、伸長、サイジングなどのグラフィックエンジンとしての処理を行う。
In FIGS. 16A and 16B, the
図16(A)の場合には、集積回路装置10としてメモリ内蔵のものを用いることができる。即ちこの場合には集積回路装置10は、ホストデバイス410からの画像データを、一旦内蔵メモリに書き込み、書き込まれた画像データを内蔵メモリから読み出して、表示パネルを駆動する。一方、図16(B)の場合には、集積回路装置10としてメモリ非内蔵のものを用いることができる。即ちこの場合には、ホストデバイス410からの画像データは、画像処理コントローラ420の内蔵メモリに書き込まれる。そして集積回路装置10は、画像処理コントローラ420の制御の下で、表示パネル400を駆動する。
In the case of FIG. 16A, the
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語(電気光学装置、第1の入力端子、第2の入力端子、アナログ基準電源等)と共に記載された用語(表示パネル、反転入力端子、非反転入力端子、AGND等)は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また駆動回路、データドライバ、D/A変換回路、集積回路装置、電子機器等の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定に限定されず、種々の変形実施が可能である。また本実施形態の駆動回路の駆動対象もデータ線に限定されるものではない。 Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, in the specification or the drawings, terms (display panel, inversion) described at least once together with different terms (electro-optical device, first input terminal, second input terminal, analog reference power source, etc.) having a broader meaning or the same meaning Input terminal, non-inverting input terminal, AGND, and the like) can be replaced with the different terms in any part of the specification or the drawings. Further, the configuration and operation of the drive circuit, data driver, D / A conversion circuit, integrated circuit device, electronic device, and the like are not limited to those described in this embodiment, and various modifications can be made. Further, the drive target of the drive circuit of the present embodiment is not limited to the data line.
SW1〜SW7 第1〜第7のスイッチ素子、C1、C2 第1、第2のキャパシタ、
OP 演算増幅器、C1R、C2R 第1、第2のキャパシタ領域、
CC 発振防止用キャパシタ、CAX 補助キャパシタ、
10 集積回路装置、20 メモリ、22 メモリセルアレイ、
24 ローアドレスデコーダ、26 カラムアドレスデコーダ、
28 ライト/リード回路、40 ロジック回路、42 制御回路、
44 表示タイミング制御回路、46 ホストインターフェース回路、
48 RGBインターフェース回路、50 データドライバ、
52 D/A変換回路、60 駆動回路、70 走査ドライバ、
90 電源回路、110 階調電圧生成回路、400 表示パネル、
410 ホストデバイス、420 画像処理コントローラ
SW1 to SW7, first to seventh switch elements, C1, C2, first and second capacitors,
OP operational amplifier, C1R, C2R first and second capacitor regions,
CC oscillation prevention capacitor, CAX auxiliary capacitor,
10 integrated circuit device, 20 memory, 22 memory cell array,
24 row address decoder, 26 column address decoder,
28 write / read circuit, 40 logic circuit, 42 control circuit,
44 display timing control circuit, 46 host interface circuit,
48 RGB interface circuit, 50 data driver,
52 D / A conversion circuit, 60 drive circuit, 70 scan driver,
90 power supply circuit, 110 gradation voltage generation circuit, 400 display panel,
410 Host device, 420 Image processing controller
Claims (9)
第1のノードと基準ノードとの間に設けられた第1のキャパシタと、
前記第1のノードと前記入力電圧の入力ノードとの間に設けられた第1のスイッチ素子と、
前記第1のノードとアナログ基準電源との間に設けられた第2のスイッチ素子と、
第2のノードと前記基準ノードとの間に設けられた第2のキャパシタと、
その第1の入力端子に前記基準ノードが接続され、その第2の入力端子に前記アナログ基準電源の電圧が設定され、前記出力電圧を出力する演算増幅器と、
前記第2のノードと前記演算増幅器の出力ノードとの間に設けられた第3のスイッチ素子と、
前記第2のノードと前記アナログ基準電源との間に設けられた第4のスイッチ素子と、
前記演算増幅器の前記出力ノードと前記基準ノードとの間に設けられた第5のスイッチ素子と、
を含み、
初期化期間においては、前記第2、第4、第5のスイッチ素子がオンになり、前記第1、第3のスイッチ素子がオフになり、
前記出力電圧の出力期間においては、前記第1、第3のスイッチ素子がオンになり、前記第2、第4、第5の素子がオフになり、前記基準ノードがハイインピーダンス状態に設定され、
前記第1のキャパシタが形成される第1のキャパシタ領域と、前記第2のキャパシタが形成される第2のキャパシタ領域が、第1の方向に沿って配置され、
前記第1の方向の反対方向を第3の方向とした場合に、前記第1、第2のスイッチ素子が、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第3の方向側に配置され、
前記第3、第4のスイッチ素子が、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第1の方向側に配置され、
前記第1の方向に直交する方向を第2の方向とした場合に、前記基準ノードのラインである基準ノードラインが、前記第1、第2、第3、第4のスイッチ素子の前記第2の方向側に配線されることを特徴とする駆動回路。 A drive circuit that receives an input voltage and outputs an output voltage,
A first capacitor provided between the first node and the reference node;
A first switch element provided between the first node and an input node of the input voltage;
A second switch element provided between the first node and an analog reference power supply;
A second capacitor provided between a second node and the reference node;
An operational amplifier for connecting the reference node to the first input terminal, setting the voltage of the analog reference power supply to the second input terminal, and outputting the output voltage;
A third switch element provided between the second node and an output node of the operational amplifier ;
A fourth switch element provided between the second node and the analog reference power supply;
A fifth switch element provided between the output node of the operational amplifier and the reference node ;
Including
In the initialization period, the second, fourth, and fifth switch elements are turned on, and the first and third switch elements are turned off,
In the output period of the output voltage, the first and third switch elements are turned on, the second, fourth, and fifth elements are turned off, and the reference node is set to a high impedance state,
A first capacitor region in which the first capacitor is formed and a second capacitor region in which the second capacitor is formed are disposed along a first direction;
When the direction opposite to the first direction is the third direction, the first and second switch elements are disposed on the third direction side of the first and second capacitor regions,
The third and fourth switch elements are disposed on the first direction side of the first and second capacitor regions;
When the direction orthogonal to the first direction is the second direction, the reference node line that is the reference node line is the second of the first, second, third, and fourth switch elements. A drive circuit characterized by being wired on the direction side.
前記第2のスイッチ素子に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第1のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第3の方向側において前記第2の方向に沿って配線され、
前記第4のスイッチ素子に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第2のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第1の方向側において前記第2の方向に沿って配線されることを特徴とする駆動回路。 In claim 1,
A first analog reference power supply line for supplying a voltage of the analog reference power supply to the second switch element is in the second direction on the third direction side of the first and second capacitor regions. Routed along,
A second analog reference power supply line for supplying a voltage of the analog reference power supply to the fourth switch element is in the second direction on the first direction side of the first and second capacitor regions. A drive circuit characterized by being wired along.
初期化期間において、その一端が前記出力ノードに電気的に接続され、前記演算増幅器の発振を防止する発振防止用キャパシタを含むことを特徴とする駆動回路。 In claim 1 or 2 ,
A drive circuit comprising an oscillation prevention capacitor, one end of which is electrically connected to the output node during an initialization period, and prevents oscillation of the operational amplifier.
前記第5のスイッチ素子が、前記第3、第4のスイッチ素子の前記第2の方向側に配置され、
前記第5のスイッチ素子のダミースイッチ素子が、前記第1、第2のスイッチ素子の前記第2の方向側に配置されることを特徴とする駆動回路。 In any one of Claims 1 thru | or 3 ,
The fifth switch element is disposed on the second direction side of the third and fourth switch elements;
A drive circuit, wherein the dummy switch element of the fifth switch element is disposed on the second direction side of the first and second switch elements.
その一端が前記基準ノードに接続される補助キャパシタを含み、
前記補助キャパシタが、前記第1、第2のキャパシタ領域の間のキャパシタ領域に形成されることを特徴とする駆動回路。 In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
One end of which includes an auxiliary capacitor connected to the reference node;
The drive circuit, wherein the auxiliary capacitor is formed in a capacitor region between the first and second capacitor regions.
第1のノードと基準ノードとの間に設けられた第1のキャパシタと、
前記第1のノードと前記入力電圧の入力ノードとの間に設けられた第1のスイッチ素子と、
前記第1のノードとアナログ基準電源との間に設けられた第2のスイッチ素子と、
第2のノードと前記基準ノードとの間に設けられた第2のキャパシタと、
その第1の入力端子に前記基準ノードが接続され、その第2の入力端子に前記アナログ基準電源の電圧が設定され、前記出力電圧を出力する演算増幅器と、
前記第2のノードと前記演算増幅器の出力ノードとの間に設けられた第3のスイッチ素子と、
前記第2のノードと前記アナログ基準電源との間に設けられた第4のスイッチ素子と、
前記演算増幅器の前記出力ノードと前記基準ノードとの間に設けられた第5のスイッチ素子と、
を含み、
初期化期間においては、前記第2、第4、第5のスイッチ素子がオンになり、前記第1、第3のスイッチ素子がオフになり、
前記出力電圧の出力期間においては、前記第1、第3のスイッチ素子がオンになり、前記第2、第4、第5の素子がオフになり、前記基準ノードがハイインピーダンス状態に設定され、
第1の方向に直交する方向を第2の方向とし、前記第1の方向の反対方向を第3の方向とした場合に、前記基準ノードのラインである基準ノードラインが前記第1の方向に沿って配線され、
前記第2のスイッチ素子に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第1のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第3の方向側において前記第2の方向に沿って配線され、
前記第4のスイッチ素子に前記アナログ基準電源の電圧を供給するための第2のアナログ基準電源ラインが、前記第1、第2のキャパシタ領域の前記第1の方向側において前記第2の方向に沿って配線されることを特徴とする駆動回路。 A drive circuit that receives an input voltage and outputs an output voltage,
A first capacitor provided between the first node and the reference node ;
A first switch element provided between the first node and an input node of the input voltage;
A second switch element provided between the first node and an analog reference power supply;
A second capacitor provided between a second node and the reference node ;
An operational amplifier for connecting the reference node to the first input terminal, setting the voltage of the analog reference power supply to the second input terminal, and outputting the output voltage;
A third switch element provided between the second node and an output node of the operational amplifier;
A fourth switch element provided between the second node and the analog reference power supply;
A fifth switch element provided between the output node of the operational amplifier and the reference node;
Including
In the initialization period, the second, fourth, and fifth switch elements are turned on, and the first and third switch elements are turned off,
In the output period of the output voltage, the first and third switch elements are turned on, the second, fourth, and fifth elements are turned off, and the reference node is set to a high impedance state,
When a direction orthogonal to the first direction is a second direction and a direction opposite to the first direction is a third direction, a reference node line that is a line of the reference node is in the first direction. Routed along,
A first analog reference power supply line for supplying a voltage of the analog reference power supply to the second switch element is in the second direction on the third direction side of the first and second capacitor regions. Routed along,
A second analog reference power supply line for supplying a voltage of the analog reference power supply to the fourth switch element is in the second direction on the first direction side of the first and second capacitor regions. A drive circuit characterized by being wired along.
階調データを受け、前記階調データに対応した階調電圧を出力するD/A変換回路と、
前記D/A変換回路からの前記階調電圧を前記入力電圧として受け、前記出力電圧をデータ線に出力する請求項1乃至6のいずれかに記載の駆動回路と、
を含むことを特徴とするデータドライバ。 A data driver for driving a data line of an electro-optical device,
A D / A conversion circuit which receives gradation data and outputs a gradation voltage corresponding to the gradation data;
A drive circuit according to any one of claims 1 to 6 subjected to the gradation voltage from the D / A converter circuit as the input voltage, and outputs the output voltage to the data line,
A data driver comprising:
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008135605A JP5181831B2 (en) | 2007-10-15 | 2008-05-23 | Drive circuit, data driver, integrated circuit device, and electronic device |
US12/250,934 US20090096491A1 (en) | 2007-10-15 | 2008-10-14 | Driver circuit, data driver, integrated circuit device, and electronic instrument |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007267768 | 2007-10-15 | ||
JP2007267768 | 2007-10-15 | ||
JP2008135605A JP5181831B2 (en) | 2007-10-15 | 2008-05-23 | Drive circuit, data driver, integrated circuit device, and electronic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009116302A JP2009116302A (en) | 2009-05-28 |
JP5181831B2 true JP5181831B2 (en) | 2013-04-10 |
Family
ID=40783461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008135605A Expired - Fee Related JP5181831B2 (en) | 2007-10-15 | 2008-05-23 | Drive circuit, data driver, integrated circuit device, and electronic device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5181831B2 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2743683B2 (en) * | 1991-04-26 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | Liquid crystal drive |
GB9706943D0 (en) * | 1997-04-04 | 1997-05-21 | Sharp Kk | Active matrix device circuits |
JP4463528B2 (en) * | 2003-10-29 | 2010-05-19 | パナソニック株式会社 | Semiconductor integrated circuit device and delta-sigma AD converter |
-
2008
- 2008-05-23 JP JP2008135605A patent/JP5181831B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009116302A (en) | 2009-05-28 |
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