Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5095364B2 - トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム - Google Patents

トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム Download PDF

Info

Publication number
JP5095364B2
JP5095364B2 JP2007304096A JP2007304096A JP5095364B2 JP 5095364 B2 JP5095364 B2 JP 5095364B2 JP 2007304096 A JP2007304096 A JP 2007304096A JP 2007304096 A JP2007304096 A JP 2007304096A JP 5095364 B2 JP5095364 B2 JP 5095364B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
stage
subfield
shots
divided
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007304096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009128669A (ja
Inventor
英郎 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2007304096A priority Critical patent/JP5095364B2/ja
Priority to US12/268,684 priority patent/US7923699B2/en
Priority to DE102008043819.7A priority patent/DE102008043819B4/de
Publication of JP2009128669A publication Critical patent/JP2009128669A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5095364B2 publication Critical patent/JP5095364B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045Object or beam position registration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20292Means for position and/or orientation registration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304Controlling tubes
    • H01J2237/30472Controlling the beam
    • H01J2237/30483Scanning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、連続的に移動するステージに載置されたマスクブランクのサブフィールドで、電子ビームを前記ステージの移動に追従させるために、主偏向器で偏向させるトラッキング制御方法及びこのトラッキング制御手段を備えた電子ビーム描画システムに関し、特に、トラッキング異常を回避するトラッキング制御方法及び電子ビーム描画システムに関する。
近年、電子ビーム描画装置は、スループットの向上を図るため、マスクブランク上の描画する位置にのみ電子ビームを偏向するベクタースキャン方式が採用されている。このベクタースキャン方式では、マスクブランクを載置するステージを連続的に移動させ、前記マスクブランク上のサブフィールドの所定の位置にショットする電子ビームをステージの移動に追従させるように主偏向器で偏向させるトラッキング制御が行なわれる。
しかし、この描画方式では、ステージの移動速度と上記偏向する範囲との間にずれが生じ、主偏向器制御系の振り幅を逸脱し、描画異常でアボートするという不具合が生じていた。
従来、ステージの追従偏向データを主偏向器よりも偏向範囲が狭く、高レスポンスな副偏向器に入力し、電子ビームの追従速度を高速かつ高精度に行なうトラッキング制御方法が提案されていた(例えば、特許文献1参照)。
この場合、副偏向器は主偏向器よりも偏向範囲が狭いため、高頻度で電子ビームが偏向範囲から逸脱する可能性がある。そこで、この逸脱を未然に検知する手段を設け、逸脱可能性があることを検知すると、描画を一時中断し、主偏向器によって、ショット位置の修正、再設定をしてから描画を再開するように構成されていた。
特開平6−196394号公報(請求項1、第3頁)
しかし、上記従来のトラッキング制御方法では、高頻度で描画が中断するため、結果的に著しくスループットが低下し、手間がかかるという問題が生じていた。
また、この描画異常によるアボートを回避する別の方法として、ステージ速度を落とす方法も提案されていたが、ステージ速度を落としたのでは、スループットが低下するため、前記ベクタースキャン方式を採用した所期の目的に沿わない結果を招来していた。
さらに、別のアボートを回避する方法として、サブフィールドを複数に分割し、1回のサブフィールドの位置決めで描画するショット数を減らす方法が提案されていた。
この場合、最適な分割数を求めるためには、実際の描画を行なう前に、いわゆる空描画を実行する必要があった。
図4は、この従来のサブフィールド分割方法による描画処理フローである。まず、マスクブランクを載置しない状態で空描画を実行するために、ショット位置をXY座標で特定するショットデータ(Xm,Ym)を読み込み(S'1)、次いでこのショットデータから主偏向器の制御データを算出し(S'2)、この制御データをアナログ信号に変換するためにDACをセットし(S'3)、主偏向セトリング後(S'4)、空ショットを実行する(S'5)。アボートが生じない分割数か否かを判断し、最適ではない場合は、分割数を変えて上記S'1〜S'5の処理を繰り返し、最適な場合は、本描画に移行する(S'6、S'7)。
実際の描画処理では、まず、ショット位置をXY座標で特定する位置データ(Xm,Ym)を読み込み(S'8)、さらに、移動しているステージの位置をXY座標で特定するステージデータを読み込む(S'9)。マスクブランクが描画可能な領域に到達したと判断すると(S'10)、前記位置データとステージデータとから主偏向器の制御データを算出し(S'11)、この制御データをアナログ信号に変換するためにDACをセットし(S'12)、主偏向のセトリング後(S'13)、ショットを実行する(S'14)。
以降、前記サブフィールド全体のショットが終了まで、上記S'8〜S'14までの処理を繰り返す(S'15)。
この空描画を行なう方法は、処理工程が煩雑になり、最適な分割数を見出すために、複数回の空描画を実行しなければならないという不都合があった。
なお、トラッキング制御を行なう時間のうち、前記主偏向器の制御データの算出から、DACセットを介して、主偏向セトリングまでの時間は、実際にショット処理を行なっていないため、これらの時間を短縮することにより、ショット処理時間を増やし、前記アボートを回避する方法も考えられる。
しかし、ここで解決すべき課題は、サブフィールド上でショットする時間とステージ移動速度との間のずれ生じさせないようにすることであり、ショット密度が著しく高い場合などは、前記ショット処理時間を増やしてもアボートが生じるおそれがあるため、本質的な解決方法にはならない。
そこで、本発明は以上のような従来技術の欠点に鑑み、実際のショット処理過程でリアルタイムにアボートを回避する最適なサブフィールドの分割数を確実に算出するトラッキング制御方法およびこのトラッキング制御方法の実行が可能な電子ビーム描画システムを提供することを課題とする。
本発明にかかるトラッキング制御方法は、電子ビーム描画装置のステージにマスクブランクを載置し、このステージを連続的に移動させ、前記マスクブランクのサブフィールド上にショットする電子ビームを主偏向器で前記ステージの移動に追従させるように偏向させるトラッキング制御方法であって、前記サブフィールド上における電子ビームのショット位置を特定する位置データとこのサブフィールドの全ショット数データとこの全ショットの所要時間データとを読み込むステップと、前記トラッキング制御を行なうステージの位置を示すステージデータを読み込むステップと、前記マスクブランクが描画可能な領域に到達すると、前記位置データ及びステージデータから主偏向器の制御データを算出するステップと、前記全ショットの所要時間を前記サブフィールドで実際にショット可能な時間単位に分割して算出された分割サブフィールド数と、前記全ショット数をこの分割サブフィールド数で除算して得られた分割ショット数とを算出するステップと、主偏向のセトリング後、この分割サブフィールド内のショット開始とともにショット数をカウントし、前記分割ショット数に達すると、前記ステージの移動方向に従って次の分割サブフィールドに移行するトラッキング処理を行なうステップとを備え、以後、前記分割サブフィールド数に達するまで、前記ステージデータを読み込んで、前記制御データを算出し、主偏向セトリング後に順次前記トラッキング処理を繰り返すことを特徴とする。
この構成によれば、従来のXY座標で特定する位置データに、サブフィールドの全ショット数データとこの全ショットの所要時間データとを追加し、前記主偏向器の制御データの算出後、主偏向のセトリングまでの間に、前記全ショット数データ及び所要時間データに基づいてアボートしない範囲でサブフィールドを分割し、この分割サブフィールドごとに順次ショットを行なうことができる。
前記サブフィールド上で実際にショット可能な時間は、前記マスクブランクが描画可能な領域に到達したときのステージの移動速度を読み込んで、前記サブフィールドの距離をこのステージの移動速度で除算して得られるステージ移動時間から、前記制御データの算出時間及び主偏向セトリングの時間を減算して求める。
前記分割サブフィールド数を算出して剰余数が生じる場合は、剰余数を1の分割サブフィールドとして算出すればよい。
初回の分割サブフィールドのショット処理後、前記全ショット数データに代えて、前記全ショット数から前記トラッキング処理が終了した分割サブフィールドのショット数の総和を減算した残ショット数データと、前記所要時間データに代えて、前記全ショットの所要時間からトラッキング処理が終了した分割サブフィールドのショットの所要時間の総和を減算した残所要時間データとを読み込み、後続の分割サブフィールドの分割サブフィールド数とショット数とは、前記残ショット数データ及び残所要時間データと、この分割サブフィールドが描画可能な領域に達したときのステージの移動速度とによって、再算出すればよい。
本発明にかかる電子ビーム描画システムは、上記トラッキング制御方法を実施しうる手段を備えたものであればよい。すなわち、連続的に移動するステージに載置されたマスクブランクのサブフィールドで、電子ビームを前記ステージの移動に追従させるために、主偏向器で偏向させるトラッキング制御手段を備えた電子ビーム描画システムであって、このトラッキング制御手段は、前記サブフィールド上における電子ビームのショット位置を特定する位置データとこのサブフィールドの全ショット数データとこの全ショットの所要時間データとを対応させて蓄積する蓄積手段と、前記ステージの速度を制御するとともに、前記ステージの位置を計測し、ステージの位置を特定するステージデータを生成するステージ制御手段と、前記マスクブランクが描画可能な領域に到達すると、前記位置データ及びステージデータから主偏向器の制御データを算出する制御データ算出手段と、前記全ショットの所要時間を前記サブフィールド上で実際にショット可能な時間単位に分割して算出された分割サブフィールド数と、前記全ショット数をこの分割サブフィールド数で除算して得られた分割ショット数とを算出する分割処理手段とを備え、主偏向のセトリング後、前記分割処理手段は、この分割サブフィールド内のショット開始とともにショット数をカウントし、前記分割ショット数に達すると、前記ステージの移動方向に従って次の分割サブフィールドに移行するトラッキング処理を行なうものであることを特徴とする。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるトラッキング制御方法及びこのトラッキング制御方法の実施が可能な電子ビーム描画システムは、実際のショット処理過程でリアルタイムにアボートを回避する最適なサブフィールドの分割数を算出することが可能になるという効果を奏する。
特に、従来、最適なサブフィールドの分割数を複数回の空描画によって求めなければならない場合があったが、本発明にかかるトラッキング制御方法及びこのトラッキング制御方法の実施が可能な電子ビーム描画システムでは、1回の分割処理で確実に最適なサブフィールドの分割を行なうことができるという効果を奏する。
電子ビーム描画装置におけるトラッキング制御は、まず、移動するステージ位置をX座標とY座標との両方向からレーザ干渉計などで常に計測し、サブフィールドの描画開始時を起点に、サブフィールド内の描画が完了するまでに移動するステージの距離を計測し、ステージの移動によって生じるショット座標のずれを打ち消すように、サブフィールドの位置を補正することによって行なわれる。この補正は、主偏向器に印加する電圧を制御することによって行なう。
図1は、所定のサブフィールドにおけるトラッキング制御のタイムチャートを示しめしたものである。
まず、マスクブランクを載置したステージが移動し、トラッキング制御を行なう前記サブフィールドが描画可能な領域に到達すると、位置決めを行なう(t1)。
位置決めされると、主偏向器で電子ビームをトラッキング制御するため、主偏向器の制御データを算出する(t2)。
上記制御データをアナログ変換するためにデジタル/アナログ変換器(DAC)をセットし(t3)、主偏向のセトリング後(t4)、電子ビームによるショットが所定時間行なわれる(t5)。このタイムチャートのうち、トラッキング制御しなければならない時間Ttrkは、式(1)のように表わされる。
Ttrk=t2(Tcale)+t3(Tsetl)+t5(Tshot) (1)
ここで、トラッキングする領域をTxmax、ステージの速度をVxとすると、サブフィールドでトラッキングを行なうステージ移動時間は、式(2)のようになる。
Txmax/Vx(2)
ここで、式(1)と式(2)との関係は、
Ttrk<Txmax/Vx (3)
でなければならない。
ショット時間(t5)終了前に主偏向制御系の振り幅を超えると、ショット終了前にオーバーフローとなり、アボートする場合がある。このような場合、主偏向の制御データ算出時間(t2)と主偏向セトリング時間(t4)とを短縮することにより、ショット時間(t5)を増やす方法も考えられる。
しかし、トラッキング制御を行なう場合、式(3)が成立することは前提条件であるため、たとえば、ショット密度が著しく高い場合は、t2及びt4の時間を短縮してもアボートが生じる場合がある。
そこで、このオーバーフロー時点(OF)の前の時点(D)でサブフィールドを分割すればよい。本発明にかかるトラッキング制御方法は、このオーバーフローする時点を事前に算出し、最適な分割時点を求めるものである。
図2は、本発明にかかるトラッキング制御方法のフローチャートである。
所定のサブフィールド上において描画処理を開始すると、まず、電子ビームのショット位置をXY座標で特定する位置データ(Xm,Ym)とこのサブフィールドの全ショット数データ(s_num)とこの全ショットの所要時間を読み込む(S1)。
従来の空描画を行なうトラッキング制御方法では、位置データのみであったが、後述するように、図1で説明したサブフィールドの分割を行なうために、サブフィールドの全ショット数及びこの全ショットに要する所要時間を追加した。
次に、移動しているステージの位置をXY座標で特定するステージデータを読み込む(S2)。連続移動方式を採用しているため、ステージの位置は、レーザ干渉計などで常時計測されている。
順次ステージデータを読み込んで、描画可能領域に到達したか否かを判断する(S3)。ステージが描画可能領域に到達すると、前記位置データ及びステージデータから主偏向器の制御データを算出し(S4)、この制御データをアナログ信号に変換するためにDACをセットする(S5)。主偏向器は、この算出された制御データにより、ショット位置がステージの移動に追従するように電子ビームを偏向させることができる。
このときのステージ速度Vxを読み込み(S6)、サブフィールドの分割数(N)と、各分割サブフィールドの分割ショット数(div_s_num(N))を算出する(S7)。
このサブフィールドの分割数(N)は、上記全ショットの所要時間(stime)を前記サブフィールド上で実際にショット可能な時間単位に分割して算出する。
この「実際にショット可能な時間」は、式(2)のトラッキングを行なうステージ移動時間Txmax/Vxから主偏向器の制御データを算出する時間(Tcalc)及び主偏向のセトリング時間(Tsetl)を減算することにより、算出することができる。従って、サブフィールドの分割数(N)は、式(4)のようになる。
N=stime/((Txmax/Vx)−(Tcalc+Tsetl)) (4)
このとき、上記分割数(N)に剰余数が生じる場合は、小数点以下を切り捨て、分割数はN+1とすればよい。
また、分割ショット数(div_s_num(N))は、式(5)の通り、前記全ショット数(s_num)をこの分割サブフィールド数(N)で除算して算出する。
div_s_num(N)=s_num/N (5)
主偏向のセトリング後(S8)、前記分割ショット数までショットを実行し(S9)、ショットカウンタ(図示せず)でショット数をカウントする。
ステージ移動速度が等速の場合は、ショット数がこの分割ショット数に達すると、分割サブフィールドのエンドフラグをたてて(図示せず)、前記ステージの移動方向に従って次の分割サブフィールドに移行するショット処理を行なう。以後、前記分割サブフィールド数(N)に達するまで、上記S2からS9の処理を繰り返し、このサブフィールドの描画処理が終了する(S13)。
ステージ移動速度が可変の場合は、最初の分割サブフィールドの前記S9の処理以降は、まず、終了した分割ショット数(div_s_num(n))の総和を求め、この総和値が全ショット数(s_num)の値と一致するか否かを判断する(S10)。
一致しない場合(すなわち、s_num>Σdiv_s_num(n)の場合)は、式(6)により、残存するショット数に要する所要時間(Ntime)と、式(7)により、残存するショット数(N_num)を求める(S11)。
Ntime=stime−Σdtime(n) (6)
(ただし、dtime(n):分割ショットの所要時間)
N_num=s_num−Σdiv_s_num(n) (7)
後続の分割サブフィールドは、式(6)及び式(7)で求めた値でS2からS9の処理を行い(S12)、以後、順次S2からS12までの処理を繰り返し、s_num=Σdiv_s_num(n)になると(S10)、サブフィールドの描画処理が終了する(S13)。
図3を参照して、1は、本発明にかかる電子ビーム描画システムのトラッキング制御部である。このトラッキング制御部1によって、電子ビーム描画装置2の電子ガン21からショットされる電子ビームのショット位置は、連続移動するステージ24の動きに追従させることができる。
このトラッキング制御は、ステージ24に載置するマスクブランクMのサブフィールド上で行なわれる。
トラッキング制御部1は、前記ショット位置を特定する位置データと前記サブフィールドの全ショット数データとこの全ショットの所要時間データとを対応させたデータを蓄積するデータ蓄積部11を有する。
データ蓄積部11から所定のサブフィールド上のデータが、データ処理部12によって読み出される。
連続移動するステージ24の速度は、ステージ制御部15で制御される。また、ステージ24の位置は、レーザ干渉計25で常時計測し、XYデータで特定されてステージデータとしてステージ制御部15で読み込まれ、データ処理部12に転送される。
マスクブランクMが、描画可能な領域に到達すると、副偏向制御部14と主偏向制御部13は、データ処理部12で読み出された位置データ及びデータ処理部12に転送されたステージデータから、電子ビーム描画装置2の主偏向器22と副偏向器23を制御する制御データを算出する。
主偏向制御部13は、前記算出された制御データをDACでアナログ信号に変換し、主偏向アンプで主偏向器の動きを制御する。この主偏向器の動きの制御によって、ステージ移動によって生じるショット位置のずれを打ち消すようにサブフィールドの位置を補正することができる。具体的には、主偏向器に印加する電圧を制御することによりこの補正を行なう。
なお、副偏向制御部14は、副偏向器23の動きを制御するが、この副偏向器23は、サブフィールド内において、各ショットごとの電子ビームの位置を高速、高精度によって制御する。
データ制御部12の全ショットの所要時間データを前記サブフィールド上で実施にショット可能な時間単位に分割して算出された分割サブフィールド数と、前記全ショット数データをこの分割サブフィールド数で除算して得られた分割ショット数とを算出する分割処理部16を有する。
本発明にかかる電子ビーム描画システムは、主偏向のセトリング後、前記分割処理部16により、前記分割サブフィールド内のショットを開始し、この分割サブフィールドのショットが終了すると、前記ステージの移動方向に従って次の分割サブフィールドに移行してトラッキング処理を行なう。
所定のサブフィールドにおけるトラッキング制御のタイムチャートを示す図 本発明にかかるトラッキング制御方法のフローチャート 本発明にかかるトラッキング制御手段を有する電子ビーム描画システムのブロック構成図 従来のトラッキング制御方法のフローチャート
符号の説明
1 トラッキング制御部
2 電子ビーム描画装置
11 ショットデータ蓄積部
12 データ制御部
13 主偏向制御部
14 副偏向制御部
15 ステージ制御処理部
16 分割処理部
21 電子ガン
22 主偏向器
23 副偏向器
24 ステージ
25 レーザ干渉計

Claims (5)

  1. 電子ビーム描画装置のステージにマスクブランクを載置し、このステージを連続的に移動させ、前記マスクブランクのサブフィールド上にショットする電子ビームを主偏向器で前記ステージの移動に追従させるように偏向させるトラッキング制御方法であって、前記サブフィールド上における電子ビームのショット位置を特定する位置データとこのサブフィールドの全ショット数データとこの全ショットの所要時間データとを読み込むステップと、前記トラッキング制御を行なうステージの位置を示すステージデータを読み込むステップと、前記マスクブランクが描画可能な領域に到達すると、前記位置データ及びステージデータから主偏向器の制御データを算出するステップと、前記全ショットの所要時間を前記サブフィールドで実際にショット可能な時間単位に分割して算出された分割サブフィールド数と、前記全ショット数をこの分割サブフィールド数で除算して得られた分割ショット数とを算出するステップと、主偏向のセトリング後、この分割サブフィールド内のショット開始とともにショット数をカウントし、前記分割ショット数に達すると、前記ステージの移動方向に従って次の分割サブフィールドに移行するトラッキング処理を行なうステップとを備え、以後、前記分割サブフィールド数に達するまで、前記ステージデータを読み込んで、前記制御データを算出し、主偏向セトリング後に順次前記トラッキング処理を繰り返すことを特徴とするトラッキング制御方法。
  2. 前記サブフィールド上で実際にショット可能な時間は、前記マスクブランクが描画可能な領域に到達したときのステージの移動速度を読み込んで、前記サブフィールドの距離をこのステージの移動速度で除算して得られるステージ移動時間から、前記制御データの算出時間及び主偏向セトリングの時間を減算して求めることを特徴とする請求項1記載のトラッキング制御方法。
  3. 前記分割サブフィールド数を算出して剰余数が生じる場合は、剰余数を1の分割サブフィールドとして算出することを特徴とする請求項1または請求項2記載のトラッキング制御方法。
  4. 初回の分割サブフィールドのショット処理後、前記全ショット数データに代えて、前記全ショット数から前記トラッキング処理が終了した分割サブフィールドのショット数の総和を減算した残ショット数データと、前記所要時間データに代えて、前記全ショットの所要時間からトラッキング処理が終了した分割サブフィールドのショットの所要時間の総和を減算した残所要時間データとを読み込み、後続の分割サブフィールドの分割サブフィールド数とショット数とは、前記残ショット数データ及び残所要時間データと、この分割サブフィールドが描画可能な領域に達したときのステージの移動速度とによって、再算出することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載のトラッキング制御方法。
  5. 連続的に移動するステージに載置されたマスクブランクのサブフィールドで、電子ビームを前記ステージの移動に追従させるために、主偏向器で偏向させるトラッキング制御手段を備えた電子ビーム描画システムであって、
    このトラッキング制御手段は、前記サブフィールド上における電子ビームのショット位置を特定する位置データとこのサブフィールドの全ショット数データとこの全ショットの所要時間データとを対応させて蓄積する蓄積手段と、前記ステージの速度を制御するとともに、前記ステージの位置を計測し、ステージの位置を特定するステージデータを生成するステージ制御手段と、前記マスクブランクが描画可能な領域に到達すると、前記位置データ及びステージデータから主偏向器の制御データを算出する制御データ算出手段と、前記全ショットの所要時間を前記サブフィールド上で実際にショット可能な時間単位に分割して算出された分割サブフィールド数と、前記全ショット数をこの分割サブフィールド数で除算して得られた分割ショット数とを算出する分割処理手段とを備え、主偏向のセトリング後、前記分割処理手段は、この分割サブフィールド内のショット開始とともにショット数をカウントし、前記分割ショット数に達すると、前記ステージの移動方向に従って次の分割サブフィールドに移行するトラッキング処理を行なうものであることを特徴とする電子ビーム描画システム。
JP2007304096A 2007-11-26 2007-11-26 トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム Active JP5095364B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007304096A JP5095364B2 (ja) 2007-11-26 2007-11-26 トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム
US12/268,684 US7923699B2 (en) 2007-11-26 2008-11-11 Tracking control method and electron beam writing system
DE102008043819.7A DE102008043819B4 (de) 2007-11-26 2008-11-18 Nachführsteuerverfahren und Elektronenstrahlschreibsystem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007304096A JP5095364B2 (ja) 2007-11-26 2007-11-26 トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009128669A JP2009128669A (ja) 2009-06-11
JP5095364B2 true JP5095364B2 (ja) 2012-12-12

Family

ID=40668911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007304096A Active JP5095364B2 (ja) 2007-11-26 2007-11-26 トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7923699B2 (ja)
JP (1) JP5095364B2 (ja)
DE (1) DE102008043819B4 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5095364B2 (ja) * 2007-11-26 2012-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム
JP5123730B2 (ja) * 2008-05-01 2013-01-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法
JP5243898B2 (ja) * 2008-09-19 2013-07-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5466416B2 (ja) * 2009-03-19 2014-04-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および装置
JP5693981B2 (ja) * 2011-01-20 2015-04-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6215586B2 (ja) * 2012-11-02 2017-10-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6209369B2 (ja) * 2013-06-13 2017-10-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6262007B2 (ja) * 2014-02-13 2018-01-17 株式会社ニューフレアテクノロジー セトリング時間の取得方法
JP6353278B2 (ja) * 2014-06-03 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6577787B2 (ja) * 2015-08-11 2019-09-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0169561A3 (en) * 1984-07-26 1987-04-22 The Perkin-Elmer Corporation Control strategy for microlithography instrument
JPS6394624A (ja) * 1986-10-09 1988-04-25 Toshiba Corp 荷電ビ−ム偏向制御方法
JPH06196394A (ja) 1992-09-30 1994-07-15 Hitachi Ltd 電子線描画装置
JPH07196384A (ja) 1993-09-27 1995-08-01 Inax Corp 抗菌性陶磁器及びその製造方法並びにこれに使用する釉薬及び絵具
JP4520426B2 (ja) * 2005-07-04 2010-08-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビームのビームドリフト補正方法及び電子ビームの描画方法
JP4299293B2 (ja) * 2005-11-17 2009-07-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電ビーム描画装置
JP2007194293A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム描画装置
JP2007200956A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP2007204096A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Chugoku Electric Power Co Inc:The 油移送装置
JP4741408B2 (ja) * 2006-04-27 2011-08-03 株式会社荏原製作所 試料パターン検査装置におけるxy座標補正装置及び方法
JP5111798B2 (ja) * 2006-07-05 2013-01-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置、及び描画装置における描画方法
US7589335B2 (en) * 2006-07-14 2009-09-15 Nuflare Technology, Inc. Charged-particle beam pattern writing method and apparatus and software program for use therein
JP4751273B2 (ja) * 2006-08-17 2011-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置
JP4945380B2 (ja) * 2007-09-05 2012-06-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5204451B2 (ja) * 2007-09-28 2013-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
DE112007003714T5 (de) * 2007-11-20 2010-12-02 Advantest Corp. D/A-Wandler und Elekronenstrahl-Belichtungsgerät
JP5095364B2 (ja) * 2007-11-26 2012-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム
JP5123730B2 (ja) * 2008-05-01 2013-01-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法
JP5386109B2 (ja) * 2008-05-16 2014-01-15 株式会社ニューフレアテクノロジー データの検証方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP5461799B2 (ja) * 2008-07-30 2014-04-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法
JP5199896B2 (ja) * 2009-01-06 2013-05-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画方法及び描画装置
JP5403603B2 (ja) * 2009-05-28 2014-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008043819A1 (de) 2009-07-23
US20090134343A1 (en) 2009-05-28
DE102008043819B4 (de) 2020-12-17
JP2009128669A (ja) 2009-06-11
US7923699B2 (en) 2011-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5095364B2 (ja) トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム
KR900004052B1 (ko) 전자비임 노출시스템
US8779379B2 (en) Acquisition method of charged particle beam deflection shape error and charged particle beam writing method
JP2009088202A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
US9548183B2 (en) Charged particle beam writing apparatus, and charged particle beam writing method
JP4091470B2 (ja) 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
JP6285660B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置
JP5686829B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP2011066054A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置
US7476881B2 (en) Charged beam drawing apparatus and charged beam drawing method
JP5111798B2 (ja) 描画装置、及び描画装置における描画方法
US10755893B2 (en) Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus
JPH0691005B2 (ja) 荷電ビ−ム描画方法
US9536705B2 (en) Method for correcting drift of charged particle beam, and charged particle beam writing apparatus
US20130134329A1 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
US20160343535A1 (en) Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method
JP6869695B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US20200258715A1 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JPH0945602A (ja) 電子線描画装置
JPH0521323A (ja) 荷電ビーム描画装置
TWI788762B (zh) 荷電粒子束描繪裝置, 荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式
JP7096071B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP2014038945A (ja) ビームドリフトの補正間隔パターンの設定方法、荷電粒子ビーム描画装置の部品メンテナンスの実施時期判定方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
JP3321838B2 (ja) 電子線描画装置
JP5566235B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120824

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120919

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5095364

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250