JP5048627B2 - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

Description

この発明は、リードフレーム及び半導体装置に関する。

従来の半導体装置には、例えば図６に示すように、半導体素子に電気接続される複数のリード１０３が半導体素子を内包する封止樹脂１０５の同一の側面から突出する樹脂封止型の半導体装置１０１がある（特許文献１参照）。これら複数のリード１０３は、互いに間隔をあけて封止樹脂の側面に沿って一列に配列されている。
ところで、この種の半導体装置に備える半導体素子としては、例えばＡＶ機器、通信機器等の一次側スイッチング電源に使用するもの（例えばＭＯＳトランジスタ）があり、この種の半導体素子には高電圧（例えば５００Ｖ〜１０００Ｖ）の電流を流す必要がある。この場合、複数のリード１０３のうち半導体素子に電力を供給するためのリード１０３Ａ（以下、電力供給リード１０３Ａと呼ぶ）には、高電圧の電流が流れるため、電力供給リード１０３Ａとこれに隣り合う他のリード１０３Ｂ（以下、隣接リード１０３Ｂと呼ぶ）との電気的な絶縁が確保されるように、この電力供給リード１０３Ａと隣接リード１０３Ｂとの間隔は、他のリード１０３同士の間隔よりも広げるように設定される。

このように複数のリード１０３を配列した半導体装置１０１では、電力供給リード１０３Ａと隣接リード１０３Ｂとの間隔を広げることで、封止樹脂１０５に内包される電力供給リード１０３Ａや隣接リード１０３Ｂのインナーリード部から半導体素子までの間の距離が長くなる場合がある。すなわち、電力供給リード１０３Ａや隣接リード１０３Ｂのインナーリード部と半導体素子とを電気接続するワイヤー等の内部配線が長くなってしまう場合がある。
このため、上記従来の半導体装置１０１では、隣接リード１０３Ｂ（あるいは電力供給リード１０３Ａ）のインナーリード部に複数のリード１０３の配列方向に屈曲して延びるリード屈曲部１０７を形成し、このリード屈曲部１０７と半導体素子とを内部配線で接続している。
特開２００７−２３４７８０号公報

ところで、上記構成の半導体装置１０１においては、電力供給リード１０３Ａや隣接リード１０３Ｂの一方のインナーリード部に形成されたリード屈曲部１０７が、他方のインナーリード部と半導体素子との間に配されることがある。このような場合には、他方のインナーリード部と半導体素子とを電気接続する内部配線が、一方のインナーリード部のリード屈曲部１０７を跨ぐようにループ状に形成されるが、相互に交差する内部配線とリード屈曲部１０７との電気的な絶縁を確保するためには、内部配線のループ高さを大きく設定する必要がある。しかしながら、内部配線のループ高さを大きく設定すると、近年要求が高まっている半導体装置１０１の小型化を阻害する虞がある。

この発明は、上述した事情に鑑みたものであって、小型化が阻害されることなく、リード及び内部配線からなる電気配線同士の電気的な絶縁を図ることが可能な半導体装置、及び、これに使用するリードフレームを提供することを目的とする。

この課題を解決するために、本発明のリードフレームは、半導体素子を配置する配置面を有する板状のダイパッドと、当該ダイパッドのうち前記配置面に沿う一方向の一端側に、当該一方向に延びると共に前記配置面に沿う前記一方向の直交方向に互いに間隔をあけて配列される複数のリードと、これらダイパッド及び複数のリードを連結する連結部とを備え、一のリードが、前記一方向に延びるリード本体部と、前記ダイパッド側に位置する前記リード本体部の一端部から前記複数のリードの配列方向に屈曲して延出するリード屈曲部とを備え、前記リード本体部の長手方向の中途部には、前記リード本体部の一端部を他端部に対して前記配置面の上方側から下方側に向かう下方向にずらす第１段差部が形成され、前記リード屈曲部には、当該リード屈曲部の延出方向の先端部を前記リード本体部の一端部に対して前記下方向にずらす第２段差部が形成されていることを特徴としている。

本発明のリードフレームを用いて樹脂封止型の半導体装置を製造する場合には、はじめに、ダイパッドの配置面に半導体素子を配置し、次いで、複数のリードと半導体素子とをワイヤーや導電性を有する接続板等の内部配線により電気接続すればよい。そして、ダイパッド、半導体素子、内部配線、並びに、複数のリードのうち内部配線に接合される部分を内包する封止樹脂を形成し、最後に連結部を切断してダイパッド及び複数のリードを相互に電気的に切断すればよい。なお、このように製造される半導体装置においては、一のリードのうちリード本体部の一端部やリード屈曲部が封止樹脂に内包される。
そして、このリードフレーム及びこれを用いて製造される半導体装置によれば、一のリードにはリード屈曲部が形成されているため、リード屈曲部に内部配線を接合することで、一のリードに電気接続される半導体素子の電極パッドが一のリードのリード本体部に対して前記配列方向に離れて位置していても、一のリードと電極パッドとを接続する内部配線の配線距離を短く設定することが可能となる。

また、リード屈曲部の先端部が、ダイパッドの配置面に沿う面内において一のリードに隣り合う他のリード（以下、隣接リードと呼ぶ）と半導体素子との間に配されていても、リード屈曲部の先端部を跨ぐように隣接リードと半導体素子とを接続する内部配線のループ高さを低く設定することができる。
すなわち、リード屈曲部の先端部は、リード本体部及びリード屈曲部に形成された２つの段差部によって、隣接リードよりも前記下方向にずらして配置されるため、隣接リードと半導体素子とを接続する内部配線のループ高さを低く設定しても、この内部配線とリード屈曲部の先端部との電気的な絶縁を図ることができる。すなわち、半導体装置の小型化を阻害することなく、隣接リードに接合される内部配線とリード屈曲部の先端部との電気的な絶縁を図ることが可能となる。

なお、リード本体部やリード屈曲部に形成される段差部は、プレス加工等の成形加工を施すことで形成することができるが、段差部を成形する際には、段差部がその長手方向に引き伸ばされ、段差部の長さを長くする程、長手方向に直交する段差部の断面積が小さくなる。すなわち、段差部の長さを長くする程、段差部の強度が低下する。したがって、一のリードに１つの段差部を形成するだけでは、リード屈曲部の先端部を前記下方向にずらす距離には成形加工上の制約が生じるが、本発明のリードフレームによれば、リード本体部及びリード屈曲部の両方に段差部を形成しているため、リード屈曲部をリード本体部に対して前記下方向にずらす長さを大きく設定することが可能となる。すなわち、内部配線とリード屈曲部の先端部との電気的な絶縁を確実に図ることができる。

また、前述したように、リード屈曲部の先端部は２つの段差部によって隣接リードよりも下方側に配置されるため、ダイパッドの配置面に沿う面内においてリード屈曲部の先端部と隣接リードの一端部との間の距離を短く設定しても、リード屈曲部の先端部と隣接リードの一端部との間の距離を長く設定することが可能となる。したがって、リード屈曲部の先端部と隣接リードの一端部との電気的な絶縁も確保することができる。

なお、前記リードフレームでは、前記複数のリードのうち前記一のリードに対して前記リード屈曲部の延出方向に隣り合う隣接リードが、前記ダイパッド側に位置する一端部に前記リード屈曲部の延出方向と逆向きに延びるリード延出部を有して形成され、前記リード屈曲部の先端部が、前記配置面に沿う面内において前記ダイパッドと前記リード延出部との間に配されてもよい。
このリードフレームでは、一のリードの場合と同様に、隣接リードに電気接続される半導体素子の電極パッドが前記一方向に延びる隣接リードの本体部に対して前記配列方向に離れて位置していても、隣接リードのリード延出部に内部配線を接合することで、隣接リードと電極パッドとを接続する内部配線の配線距離を短く設定することが可能となる。

また、前記リードフレームにおいては、前記ダイパッドは、前記複数のリードの配列方向に沿って複数配列されていいてもよい。

そして、本発明の半導体装置は、前記リードフレームを使用して製造されるものであって、前記ダイパッドと、前記配置面に配された半導体素子と、前記複数のリードと、前記複数のリードと前記半導体素子とを個別に電気接続する複数の内部配線と、前記ダイパッド、前記半導体素子及び前記内部配線を内包すると共に、前記複数のリードのうち少なくとも前記内部配線に接合される部分を内包する封止樹脂とを備え、前記リード本体部の一端部及び前記リード屈曲部の先端部の少なくともいずれか一方に前記内部配線が接合され、前記一のリードのうち少なくとも前記リード本体部の一端部及び前記リード屈曲部が前記封止樹脂に内包されることを特徴としている。

本発明によれば、一のリードのリード屈曲部の先端部を２つの段差部によって隣接リードよりも下方向にずらして配置することで、リード屈曲部の先端部を跨ぐように隣接リード及び半導体素子を電気接続する内部配線のループ高さを低く設定しながらも、リード屈曲部の先端部と前記内部配線との電気的な絶縁を図ることができる。したがって、この内部配線のループ高さによって半導体装置の小型化が阻害されることを防止できる。
また、一のリードのリード屈曲部の先端部を２つの段差部によって隣接リードよりも下方向にずらして配置することで、リード屈曲部の先端部と隣接リードの一端部との間の距離を長く設定して、これらの間の電気的な絶縁を図ることもできる。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
図１〜３に示すように、この実施形態に係るリードフレーム１は、図４，５に示す樹脂封止型の半導体装置３１の製造に使用するものであり、導電性を有する板材にプレス加工等を施すことができる。このリードフレーム１は、各半導体素子３３，３４の配置面３ａ，４ａを有する板状に形成された２つのダイパッド３，４と、ダイパッド３，４のうち配置面３ａ，４ａに沿う一方向（Ｙ軸方向）の一端側に間隔をあけて配される複数のリード７（図示例では５つ）と、ダイパッド３，４と複数のリード７とを連結する連結部９とを備えている。
２つのダイパッド３，４は、互いに間隔をあけた状態で配置面３ａ，４ａに沿う前記一方向（Ｙ軸方向）の直交方向（Ｘ軸方向）に配列されている。そして、第２ダイパッド４は、第１ダイパッド３の一端側にその配置面３ａに沿う方向に窪んで形成された窪み部３ｂに入り込むように配されている。すなわち、第２ダイパッド４のＹ軸方向の他端側には、第１ダイパッド３の一部が間隔をあけて配されている。

連結部９は、２つのダイパッド３，４の一端側に間隔をあけて配される第１連結枠１１と、第１ダイパッド３を第１連結枠１１に連結する第１連結リード１３と、第２ダイパッド４を第１連結枠１１に連結する第２連結リード１４とを備えている。これら２つの連結リード１３，１４は、それぞれＹ軸方向に延びて形成されており、２つのダイパッド３，４と同様に、Ｘ軸方向に並べて配されている。これら２つの連結リード１３，１４の間には、複数のリード７が配されている。
また、本実施形態のリードフレーム１は、第１ダイパッド３のＹ軸方向の他端側に間隔をあけて配される第２連結枠１５、及び、第１ダイパッド３を第２連結枠１５に連結する複数の支持用リード１７も備えている。すなわち、第１ダイパッド３は、その配置面３ａに沿うＹ軸方向の両端側が第１連結リード１３及び支持用リード１７を介して連結枠１１，１５に支持されている。また、第２ダイパッド４は、その配置面４ａに沿うＹ軸方向の一端側のみが第２連結リード１４を介して第１連結枠１１に支持されている。なお、図示例においては、２つの連結枠１１，１５が互いに分離しているように記載されているが、実際には一体に連結して形成されている。

なお、以上のようにして連結枠１１，１５に支持される２つのダイパッド３，４は、それぞれの配置面３ａ，４ａが複数のリード７、連結枠１１，１５、連結リード１３，１４及び支持用リード１７よりも下方向（Ｚ軸負方向）に位置するように、複数のリード７、連結枠１１，１５、連結リード１３，１４及び支持用リード１７に対してダイパッド３，４の厚さ方向（Ｚ軸方向）にずらして配置されている。このダイパッド３，４のダウンセットは、第１ダイパッド３の一端側及び２つの連結リード１３，１４に折り曲げ加工を施すことによって実施されている。
そして、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａに対する第１ダイパッド３の一端側及び連結リード１３，１４の折り曲げ部分３ｃ，１３ｃ，１４ｃの傾斜角度は、０度よりも大きく、かつ、４５度以下に設定することが好ましい。このように傾斜角度を設定することで、複数のリードフレーム１をダイパッド３，４の厚さ方向（Ｚ軸方向）に重ね合わせても複数のリードフレーム１間に生じる隙間を小さく抑えることができる。
なお、前述した傾斜角度は、４５度に設定することがより好ましい。この場合には、複数のリードフレーム１をＺ軸方向に重ね合わせても複数のリードフレーム１間に隙間が生じることを防止できるため、多数のリードフレームをコンパクトにまとめて容易に搬送することができる。また、第１ダイパッド３の一端側及び連結リード１３，１４の折り曲げ部分３ｃ，１３ｃ，１４ｃの長さを延長することなく、２つのダイパッド３，４のダウンセット量を大きく設定できる。

複数のリード７は、それぞれＹ軸方向に延びて形成されており、２つのダイパッド３，４と同様に互いに間隔をあけてＸ軸方向に配列されている。
複数のリード７のうち４つのリード７Ｃ，７Ａは、第２連結リード１４側から第１連結リード１３側に向けて等間隔に配列されている。そして、互いに等間隔に並べられた４つのリード７Ｃ，７Ａのうち第１連結リード１３側に配された第１リード（一のリード）７Ａと、第１リード７Ａの第１連結リード１３側に隣り合う第２リード（隣接リード）７Ｂとの間隔は、４つのリード７Ｃ，７Ａ同士の間隔よりも広く形成されている。また、第２リード７Ｂと第１連結リード１３との間隔は、４つのリード７Ｃ，７Ａ同士の間隔よりも広く、かつ、第１リード７Ａと第２リード７Ｂとの間隔よりも狭く形成されている。

第１リード７Ａは、第１連結枠１１から第２ダイパッド４に向けてＹ軸方向に延びるリード本体部２１と、第２ダイパッド４側に位置するリード本体部２１の一端部から屈曲してＸ軸方向に沿って第１連結リード１３側に向けて延びるリード屈曲部２３とを備えている。なお、リード屈曲部２３は、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａに沿う面（ＸＹ平面）内において、第２ダイパッド４に対面する位置から第１ダイパッド３に対面する位置まで延びている。
リード本体部２１の長手方向の中途部には、リード本体部２１の一端部を他端部に対してダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａの上方側から下方側に向かう下方向（Ｚ軸負方向）にずらす第１段差部２１ａが形成されている。なお、図示例の第１リード７Ａにおいては、第１段差部２１ａがリード本体部２１の一端部側に寄せた位置に形成されているが、この第１段差部２１ａはリード本体部２１の長手方向の任意の位置に形成することが可能である。

また、リード屈曲部２３には、その延出方向の先端部側をリード本体部２１の一端部に対してＺ軸負方向にずらす第２段差部２３ａが形成されている。なお、図示例の第１リード７Ａにおいては、第２段差部２３ａがリード本体部２１の一端部に連ねて形成されており、第２段差部２３ａを除くリード屈曲部２３がリード本体部２１の一端部に対してＺ軸負方向にずらして配されている。
これら２つの段差部２１ａ，２３ａによってＺ軸負方向にずらして配されたリード屈曲部２３は、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａよりも上方に配され、リード本体部２１の他端部や第２リード７Ｂよりも下方に配されている。
そして、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａに対する２つの段差部２１ａ，２３ａの傾斜角度は、ダイパッド３，４をダウンセットする第１ダイパッド３の一端側及び連結リード１３，１４の折り曲げ部分３ｃ，１３ｃ，１４ｃの傾斜角度に一致させることが好ましい。すなわち、２つの段差部２１ａ，２３ａの傾斜角度は、０度よりも大きく、かつ、４５度以下に設定することが好ましく、４５度に設定することがさらに好ましい。

第２リード７Ｂは、第１ダイパッド３側に位置する一端部にＸ軸方向に沿ってリード屈曲部２３の延出方向と逆向きに延びるリード延出部２５を有して形成されている。そして、２つの段差部２１ａ，２３ａによってＺ軸負方向にずらされたリード屈曲部２３の先端部側が、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａに沿う面（ＸＹ平面）内において、第１ダイパッド３とリード延出部２５との間に配されている。
なお、図示例の第２リード７Ｂにおいて、リード延出部２５は、その先端部がＸ軸方向に沿って２つのダイパッド３，４の間に位置するように延びているが、２つの段差部２１ａ，２３ａによってＺ軸負方向にずらされたリード屈曲部２３がリード延出部２５と２つのダイパッド３，４との間に配されていれば、例えばリード延出部２５の先端部は第２ダイパッド４に対面する位置まで延びていてもよい。

なお、以上のように構成される図示例のリードフレーム１においては、１つの半導体装置３１を製造するためのダイパッド３，４、複数のリード７、連結部９、第２連結枠１５及び支持用リード１７のみが記載されているが、実際のリードフレーム１は、複数の半導体装置３１を製造するためのダイパッド３，４、複数のリード７、連結リード１３，１４及び支持用リード１７が、第１連結枠１１及び第２連結枠１５によって複数連結された状態で構成されている。

次に、上記構成のリードフレーム１を用いて図４，５に示す樹脂封止型の半導体装置３１を製造する方法について説明する。
半導体装置３１を製造する場合には、はじめに、２つのダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａにぞれぞれ半導体素子３３，３４を接着剤等により固定する。２つの半導体素子３３，３４は、複数のリード７の近くに位置するように、それぞれダイパッド３，４の一端側に寄せて配されている。また、２つの半導体素子３３，３４は、ダイパッド３，４の配列方向にも互いに近づけて配されている。
なお、この実施形態においては、半導体素子３３，３４の固定に使用する接着剤として導電性ペーストや半田等を用いており、第１半導体素子３３が第１連結リードに電気接続され，第２半導体素子３４が第２連結リード１４に電気接続されることになる。

半導体素子３３，３４を固定した後には、ワイヤーボンディング等により半導体素子３３，３４と複数のリード７との間にそれぞれワイヤー（内部配線）３５を配して半導体素子３３，３４と複数のリード７とを電気接続する。
具体的に説明すると、第１リード７Ａは２つの半導体素子３３，３４の両方に電気接続され、第１リード７Ａを第１半導体素子３３に電気接続する複数のワイヤー３５Ａはリード屈曲部２３の先端部側に接合される。また、第１リード７Ａを第２半導体素子３４に電気接続するワイヤー３５Ｂは、複数のワイヤー３５Ａよりもリード屈曲部２３の基端部側に接合される。さらに、第２リード７Ｂはワイヤー３５Ｃによって第２半導体素子３４のみに電気接続され、このワイヤー３５Ｃはリード延出部２５の先端部に接合されている。また、複数の他のリード７Ｃは第２半導体素子３４のみに電気接続され、他のリード７Ｃと第２半導体素子３４との間にはワイヤー３５Ｄが一本ずつ配されている。
そして、第１リード７Ａ及び第２リード７Ｂを第２半導体素子３４に電気接続する２つのワイヤー３５Ｂ，３５Ｃは、これらの一部がＺ軸方向に重なるように配されているが、互いに干渉しないようにループ高さを調整して形成されている。

上記ワイヤーボンディング後には、ダイパッド３，４、半導体素子３３，３４及びワイヤー３５、複数のリード７及び連結リード１３，１４のＹ軸方向の一端部側、並びに、支持用リード１７の一部をモールド金型に収納する。この収納の際には、連結枠１１，１５がモールド金型に対して固定される。
そして、モールド金型内に樹脂を流し込むことで、図４，５に示すように、ダイパッド３，４及び半導体素子３３，３４、複数のリード７及び連結リード１３，１４の一端部側、並びに、支持用リード１７の一部を封止する封止樹脂３７が成形される。
最後に、複数のリード７及び連結リード１３，１４に連結された第１連結枠１１を切り離すと共に、支持用リード１７を封止樹脂３７から引き抜いて支持用リード１７及びこれに連結されている第２連結枠１５を第１ダイパッド３から切り離すことで、複数のリード７及び連結リード１３，１４が互いに電気的に独立した半導体装置３１の製造が完了する。

以上のようにして製造される半導体装置３１は、図４，５に示すように、２つのダイパッド３，４と、その配置面３ａ，４ａに配された２つの半導体素子３３，３４と、複数のリード７と半導体素子３３，３４とを個別に電気接続する複数のワイヤー３５とを封止樹脂３７に内包して構成されている。封止樹脂３７は、平面視した２つのダイパッド３，４の外形形状に対応するように平面視矩形状に形成されている。
また、この半導体装置３１は、２つのダイパッド３，４の一端側に対応する封止樹脂３７の一端側の側面３７ａから突出する複数のリード７及び連結リード１３，１４を備えている。すなわち、この半導体装置３１においては、全てのリード７及び連結リード１３，１４が封止樹脂３７の同一の側面３７ａから突出している。

そして、複数のリード７のうちワイヤー３５に接合されている部分がインナーリード部分として封止樹脂３７に内包されている。また、連結リード１３，１４のうちダイパッド３，４に連結されている部分がインナーリード部分として封止樹脂３７に内包されている。具体的には、第１リード７Ａのうちリード本体部２１の一端部、及び、リード屈曲部２３が封止樹脂３７に内包されている。なお、図示例においては、リード本体部２１の第１段差部２１ａも封止樹脂３７に内包されているが、例えば封止樹脂３７の外側に配されてもよい。また、第２リード７Ｂの一端部及びリード延出部２５は封止樹脂３７に内包されている。

なお、以上のように構成される半導体装置３１において、第１半導体素子３３は例えば一次側スイッチング電源として使用されるＭＯＳトランジスタであり、第１連結リード１３が、この第１半導体素子３３に電力を供給するための電力供給リードとして機能する。また、第２半導体素子３４は例えばＭＯＳトランジスタを制御するためのＩＣチップであり、第２リード７Ｂが第２半導体素子３４に電力を供給するための電力供給リードとして機能する。このため、第１リード７Ａと第２リード７Ｂとの間隔、及び、第２リード７Ｂと第１連結リード１３との間隔は、電気的な短絡を防止するために４つのリード７Ａ，７Ｃ同士の間隔よりも大きく設定されている。
また、半導体装置３１においては、配置面３ａ，４ａと反対側に位置するダイパッド３，４の裏面を封止する封止樹脂３７の厚みが薄く形成されている。これにより、半導体素子３３，３４において生じる発熱量が大きくてもダイパッド３，４の裏面側から効率よく放熱することができる。

上記実施形態によるリードフレーム１及び半導体装置３１によれば、第１リード７Ａにはリード屈曲部２３が形成されているため、リード屈曲部２３にワイヤー３５Ａを接合することで、第１リード７Ａに電気接続される第１半導体素子３３の電極パッドが第１リード７Ａのリード本体部２１に対してＸ軸方向に離れて位置していても、第１リード７Ａと第１半導体素子３３の電極パッドとを接続するワイヤー３５Ａの配線距離を短く設定することが可能となる。
なお、第２リード７Ｂの場合も、第１リード７Ａの場合と同様に、リード延出部２５が形成されているため、リード延出部２５にワイヤー３５Ｃを接合することで、第２リード７Ｂに電気接続される第２半導体素子３４の電極パッドが、Ｙ軸方向に延びる第２リード７Ｂの本体部に対してＸ軸方向に離れて位置していても、第２リード７Ｂと第２半導体素子３４の電極パッドとを接続するワイヤー３５Ｂの配線距離を短く設定することが可能となる。

また、第２段差部２３ａによって下方向にずらして配されるリード屈曲部２３の先端部側が、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａに沿う面内において第２リード７Ｂと半導体素子３３，３４との間に配されていても、リード屈曲部２３の先端部側を跨ぐように第２リード７Ｂと第２半導体素子３４とを接続するワイヤー３５Ｃのループ高さを低く設定することができる。
すなわち、リード屈曲部２３の先端部側は、図３に示すように、２つの段差部２１ａ，２３ａによって第２リード７Ｂよりも下方向にずらして配置されるため、第２リード７Ｂと第２半導体素子３４とを接続するワイヤー３５Ｃのループ高さを低く設定しても、このワイヤー３５Ｃとリード屈曲部２３の先端部側との電気的な絶縁を図ることができる。すなわち、半導体装置３１の小型化を阻害することなく、第２リード７Ｂに接合されるワイヤー３５とリード屈曲部２３の先端部側との電気的な絶縁を図ることが可能となる。

なお、リード本体部２１やリード屈曲部２３に形成される段差部２１ａ，２３ａは、リードフレーム１を製造する際にプレス加工等の成形加工を施すことで形成することができるが、段差部２１ａ，２３ａを成形する際には、段差部２１ａ，２３ａがその長手方向に引き伸ばされ、段差部２１ａ，２３ａの長さを長くする程、長手方向に直交する段差部２１ａ，２３ａの断面積が小さくなる。すなわち、段差部２１ａ，２３ａの長さを長くする程、段差部２１ａ，２３ａの強度が低下する。したがって、第１リード７Ａに１つの段差部２１ａ，２３ａを形成するだけでは、リード屈曲部２３の先端部側を下方向にずらす距離には成形加工上の制約が生じる。
これに対して上記実施形態のリードフレーム１によれば、リード本体部２１及びリード屈曲部２３の両方に段差部２１ａ，２３ａを形成しているため、リード屈曲部２３をリード本体部２１に対して下方向にずらす長さを大きく設定することが可能となる。すなわち、ワイヤー３５とリード屈曲部２３の先端部側との電気的な絶縁を確実に図ることができる。

また、リード屈曲部２３の先端部側は２つの段差部２１ａ，２３ａによって第２リード７Ｂよりも下方側に配置されるため、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａに沿う面内においてリード屈曲部２３の先端部側と第２リード７Ｂのリード延出部２５との間の距離を短く設定しても、リード屈曲部２３の先端部側とリード延出部２５との間の距離を長く設定することが可能となる。したがって、リード屈曲部２３の先端部側とリード延出部２５との電気的な絶縁も確保することができる。
さらに、第１リード７Ａのリード屈曲部２３が第２リード７Ｂのリード延出部２５よりも下方向にずれて位置しているため、リード延出部２５に接合されるワイヤー３５Ｃのループ高さを高く設定しなくても、Ｚ軸方向に重なるように配される２つのワイヤー３５Ｂ，３５Ｃが互いに干渉することを防止できる。

また、第１リード７Ａや第２リード７Ｂには複数のワイヤー３５を接合しても、リード屈曲部２３やリード延出部２５に複数のワイヤー３５を接合することで、同一のリード７Ａ，７Ｂに接合される複数のワイヤー３５同士の相互干渉を容易に防止することが可能となる。
さらに、同一の半導体装置３１に複数の半導体素子３３，３４を設けることで、電子機器に搭載する半導体装置の数を減らして電子機器の小型化を図ることができる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、半導体素子３３，３４は、導電性の接着剤によってダイパッド３，４に固定されるとしたが、例えば絶縁性の接着剤により固定されて、半導体素子３３，３４と連結リード１３，１４とを電気的に絶縁させてもよい。
また、リードフレーム１を構成する複数のリード７や連結リード１３，１４及び支持用リード１７の本数は、上記実施形態に記載したものに限らず、任意の本数であってよい。

さらに、２つの段差部２１ａ，２３ａによってＺ軸負方向にずらして配されたリード屈曲部２３は、ダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａよりも上方に配されるとしたが、例えばダイパッド３，４の配置面３ａ，４ａよりも下方に配されてもよい。ただし、ダイパッド３，４とリード屈曲部２３との電気的な絶縁を確保するために、Ｚ軸負方向にずらすリード屈曲部２３のずれ量や、ダイパッド３，４のダウンセット量を適宜調整することが好ましい。
また、第１リード７Ａのリード屈曲部２３は、Ｘ軸方向に沿って第１連結リード１３側に向けて延びるとしたが、例えばＸ軸方向に沿って第２連結リード１４側に向かうように延びていてもよい。すなわち、リード屈曲部２３は、少なくとも複数のリード７の配列方向（Ｘ軸方向）に延びて形成されていればよい。なお、リード屈曲部２３が、第２連結リード１４側に向けて延びる場合には、第１リード７Ａよりも第２連結リード１４側に配された他のリード７Ｃの一端部と第２ダイパッド４との間に配されればよい。

さらに、第２リード７Ｂと第１連結リード１３との間隔は、第１リード７Ａと第２リード７Ｂとの間隔よりも狭く形成されるとしたが、例えば第１リード７Ａと第２リード７Ｂとの間隔と同等に形成されてもよい。
また、リード屈曲部２３の第２段差部２３ａは、リード本体部２１の一端部に連ねて形成されるとしたが、例えばリード屈曲部２３の中途部に形成されてもよい。すなわち、第２段差部２３ａは、少なくともリード屈曲部２３の先端部がリード本体部２１の一端部に対してＺ軸負方向にずらして配されるように形成されていればよい。

さらに、第２リード７Ｂには、リード屈曲部２３の延出方向と逆向きに延びるリード延出部２５が形成されるとしたが、特にリード延出部２５は形成されなくてもよい。
また、上記実施形態においては、第１リード７Ａがリード本体部２１、リード屈曲部２３、第１段差部２１ａ及び第２段差部２３ａを有して形成され、第２リード７Ｂがリード延出部２５を有して形成されるとしたが、例えば、第２リード７Ｂが、上記実施形態の第１リード７Ａのように、リード本体部２１、第１リード７Ａに向けて延出するリード屈曲部２３、第１段差部２１ａ及び第２段差部２３ａを有して形成され、第１リード７Ａが、上記実施形態の第２リード７Ｂのように、第２リード７Ｂに向けて延びるリード延出部２５を有して形成されてもよい。この場合には、第２リード７Ｂのリード屈曲部２３が、ダイパッド３，４と第１リード７Ａのリード延出部２５との間に配されていればよい。

さらに、上記実施形態のリードフレーム１は、第２ダイパッド４が第１ダイパッド３の一端側に形成された窪み部３ｂに入り込むように構成されているが、単純に２つのダイパッド３，４がＸ軸方向に配列されるように構成されていてもよい。この場合、第２ダイパッド４は第１ダイパッド３と同様の支持用リード１７を介して第２連結枠１５に連結されていてもよい。
また、リードフレーム１は、第１ダイパッド３の他端側を支持する第２連結枠１５及び支持用リード１７を備えるとしたが、特に備えていなくてもよい。

さらに、リードフレーム１は２つのダイパッド３，４を備えるとしたが、例えば３つ以上のダイパッドを備えていてもよいし、ダイパッドを１つだけ備えていてもよい。なお、リードフレームが３つ以上のダイパッドを備える場合には、上記実施形態と同様に、複数のダイパッドが複数のリード７の配列方向に並べて配されていればよく、また、各ダイパッドの配置面に半導体素子が１つずつ配されていればよい。また、リードフレームが１つのダイパッドを１つだけ備える場合でも、同一のダイパッドの配置面に複数の半導体素子を配置してよいが、これら複数の半導体素子は複数のリード７の配列方向に並べて配置されることが好ましい。

さらに、上記実施形態においては、第１リード７Ａのうち、２つの段差部２１ａ，２３ａによって下方向にずらして配されたリード屈曲部２３の先端部側のみにワイヤー３５が接合されるとしたが、例えば第１段差部２１ａによって下方向にずらして配されたリード本体部２１の一端部にもワイヤー３５が接合されてもよい。また、第１リード７Ａのうちリード本体部２１の一端部のみにワイヤー３５が接合されてもよい。
また、複数のリード７と半導体素子３３，３４との間にはワイヤー３５が配されるとしたが、少なくとも複数のリード７と半導体素子３３，３４とが内部配線によって電気接続されていればよい。したがって、複数のリード７と半導体素子３３，３４との間には、例えば導電性を有する接続板（内部配線）が配されてもよい。

また、上記実施形態の半導体装置３１では、連結リード１３，１４が封止樹脂３７の同一の側面３７ａから突出するとしたが、例えば連結リード１３，１４は側面３７ａとは異なる封止樹脂３７の側面から突出していてもよい。
さらに、上記実施形態においては、封止樹脂３７から突出するリード７及び連結リード１３，１４を備える構成を適用して本願発明について説明したが、リード７や連結リード１３，１４が突出しない構成の半導体装置及びその製造に用いるリードフレームにも適用可能である。すなわち、本願発明の半導体装置においては、少なくともリード７や連結リード１３，１４が封止樹脂３７の外側に露出していればよい。

本発明の一実施形態であるリードフレームに半導体素子を固定すると共に半導体素子とリードとの間にワイヤーを配した状態を示す平面図である。 図１のリードフレームを構成する複数のリードとダイパッドとの位置関係を示す拡大斜視図である。 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。 図１のリードフレームを用いて製造される半導体装置を示す平面図である。 図４の半導体装置をＢ方向から見た状態を示す側面図である。 従来の半導体装置の一例を示す平面図である。

符号の説明

１ リードフレーム
３ 第１ダイパッド
４ 第２ダイパッド
３ａ，４ａ 配置面
７Ａ 第１リード（一のリード）
７Ｂ 第２リード（隣接リード）
７Ｃ 他のリード
９ 連結部
１１ 第１連結枠
１３ 第１連結リード
１４ 第２連結リード
２１ リード本体部
２１ａ 第１段差部
２３ リード屈曲部
２３ａ 第２段差部
２５ リード延出部
３１ 半導体装置
３３ 第１半導体素子
３４ 第２半導体素子
３５ ワイヤー（内部配線）
３７ 封止樹脂

Claims (4)

1. 半導体素子を配置する配置面を有する板状のダイパッドと、当該ダイパッドのうち前記配置面に沿う一方向の一端側に、当該一方向に延びると共に前記配置面に沿う前記一方向の直交方向に互いに間隔をあけて配列される複数のリードと、これらダイパッド及び複数のリードを連結する連結部とを備え、
   一のリードが、前記一方向に延びるリード本体部と、前記ダイパッド側に位置する前記リード本体部の一端部から前記複数のリードの配列方向に屈曲して延出するリード屈曲部とを備え、
   前記リード本体部の長手方向の中途部には、前記リード本体部の一端部を他端部に対して前記配置面の上方側から下方側に向かう下方向にずらす第１段差部が形成され、
   前記リード屈曲部には、当該リード屈曲部の延出方向の先端部を前記リード本体部の一端部に対して前記下方向にずらす第２段差部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記複数のリードのうち前記一のリードに対して前記リード屈曲部の延出方向に隣り合う隣接リードが、前記ダイパッド側に位置する一端部に前記リード屈曲部の延出方向と逆向きに延びるリード延出部を有して形成され、
   前記リード屈曲部の先端部が、前記配置面に沿う面内において前記ダイパッドと前記リード延出部との間に配されることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記ダイパッドは、前記複数のリードの配列方向に沿って複数配列されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームを使用して製造される半導体装置であって、
   前記ダイパッドと、前記配置面に配された半導体素子と、前記複数のリードと、前記複数のリードと前記半導体素子とを個別に電気接続する複数の内部配線と、前記ダイパッド、前記半導体素子及び前記内部配線を内包すると共に、前記複数のリードのうち少なくとも前記内部配線に接合される部分を内包する封止樹脂とを備え、
   前記リード本体部の一端部及び前記リード屈曲部の先端部の少なくともいずれか一方に前記内部配線が接合され、
   前記一のリードのうち少なくとも前記リード本体部の一端部及び前記リード屈曲部が前記封止樹脂に内包されることを特徴とする半導体装置。

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