JP5042420B2

JP5042420B2 - Manufacturing method of chip resistor

Info

Publication number: JP5042420B2
Application number: JP2001275611A
Authority: JP
Inventors: 浩和加藤; 英遠山
Original assignee: Kamaya Electric Co Ltd; Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Kamaya Electric Co Ltd; Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2001-09-11
Filing date: 2001-09-11
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2021-09-11
Also published as: JP2003086408A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品として用いられるチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、チップ抵抗器は、例えば、図５及び図６に示すようにして製造されるものであり、まず、図５（ａ）に示すように、略等間隔かつ略平行な複数の一次スリット１１と、この一次スリット１１に直交して交差するとともに略等間隔かつ略平行な複数の二次スリット１２とが、表面１０Ａ及び裏面にそれぞれ形成されて各区画領域に区画された絶縁性基板１０を用意する。
【０００３】
次に、絶縁性基板１０の裏面に、一次スリット１１に沿って、一次スリット１１と二次スリット１２とを跨ぐような帯状の裏電極を印刷して焼成し、かつ、図５（ｂ）に示すように、絶縁性基板１０の表面１０Ａに、二次スリット１２から離間するとともに一次スリット１１を跨ぐようにして、隣接して対となる複数の第一表電極１４を印刷して焼成する。
【０００４】
そして、図５（ｃ）に示すように、対となる第一表電極１４，１４の一部に積層する抵抗体１５を印刷して焼成し、次いで、図５（ｄ）に示すように、この抵抗体１５を被覆するような一次保護膜１６を印刷して焼成した後、図６（ｅ）に示すように、一次保護膜１６とともに抵抗体１５をレーザ光によってトリミングし、その抵抗値を調整する。
【０００５】
さらに、図６（ｆ）に示すように、このトリミングされた抵抗体１５を一次保護膜１６とともに被覆するようにして、二次スリット１２を跨ぐような帯状の二次保護膜１７を形成した後、図６（ｇ）に示すように、露出する第一表電極１４を被覆するようにして、一次スリット１１に沿って、一次スリット１１と二次スリット１２とを跨ぐような帯状の第二表電極１８を形成する。
【０００６】
その後、図６（ｈ）に示すように、一次スリット１１に沿って絶縁性基板１０を分割して短冊状とし、その分割面である絶縁性基板１０の端面にスパッタリングで端面電極を形成し、次いで、この短冊状に分割された絶縁性基板１０を二次スリット１２に沿って分割してチップ状としてから、端面電極，裏電極及び第二表電極１４を被覆するようにメッキを施してメッキ層を形成することにより、チップ抵抗器が製造される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、表面１０Ａ及び裏面に、互いに直交して交差する一次スリット１１と二次スリット１２とが形成された絶縁性基板１０は、図７に示すように、鋭い谷状の刃１０１が複数条形成された刃型１００を、グリーンシートＧの表面側及び裏面側から押し当てて一次スリット１１と二次スリット１２とを形成した後、このグリーンシートＧを焼成することによって得られるものである。
しかしながら、このような一次スリット１１及び二次スリット１２を事前に形成したグリーンシートＧを焼成すると、図８に示すように、これら一次スリット１１及び二次スリット１２に、焼成時の収縮に起因する歪みが生じてしまうことになる。
【０００８】
そうすると、絶縁性基板１０において、一次スリット１１及び二次スリット１２によって区画されて個々のチップ抵抗器となる各区画領域の形状にバラつきが生じ、その後の電極，抵抗体，保護膜などをスクリーン印刷する工程で所定位置に印刷を行うことができないといった問題が生じる。このため、従来では、印刷に用いられるスクリーンを多数用意して、この各区画領域の形状寸法の誤差に対応したスクリーンを用いなければ、このような形状寸法に誤差の生じた絶縁性基板１０に対して正確に印刷を行うことができなかった。
【０００９】
また、最初から一次スリット１１及び二次スリット１２が形成された絶縁性基板１０に対して、上述のように、電極，抵抗体，保護膜などを形成していくと、例えば、一次スリット１１に沿って絶縁性基板１０を分割するときには、図９（ａ）に示すように、この一次スリット１１を跨ぐようにして形成される第一表電極１４，第二表電極１８や裏電極１３が、毛細管現象によって、一次スリット１１内に入り込んで堆積している状態となり、さらに、例えば、二次スリット１２に沿って絶縁性基板１０を分割するときには、図９（ｂ）に示すように、この二次スリット１２を跨ぐようにして形成される二次保護膜１７（第二表電極１８）や裏電極１３が、同じく毛細管現象によって、二次スリット１２内に入り込んで堆積している状態となってしまう。
【００１０】
そうすると、これら一次スリット１１あるいは二次スリット１２に沿って絶縁性基板１０を分割する際、図９に示すように、絶縁性基板１０の表面１０Ａ側に形成された一次スリット１１あるいは二次スリット１２から、絶縁性基板１０の裏面側に形成された一次スリット１１あるいは二次スリット１２に向かって生じていく亀裂がうまく誘導されず、分割面形状がいびつとなり、形状寸法の精度を低下させてしまうことが多々あった。
【００１１】
また、グリーンシートＧに刃型１００を押し当てて一次スリット１１及び二次スリット１２を形成しているから、図７における打点領域で示すように、これら一次スリット１１及び二次スリット１２が形成される部分の密度が高くなり、この状態でグリーンシートＧが焼成されると、この密度の高い部分が高い硬度を呈することとなって、絶縁性基板１０の表面１０Ａ側に形成された一次スリット１１及び二次スリット１２から生じる亀裂がうまく裏面側に誘導されない一因となり、これによっても、分割面形状が悪化して、形状寸法の精度低下を招いてしまう。
そして、形状寸法の精度に誤差が生じた状態で形成されたチップ抵抗器は、最終工程におけるチェックで不良品とみなされ、歩留まりを大きく低下させてしまう要因となっていた。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、形状寸法に誤差の生じないチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は、グリーンシートを焼成してスリットが形成されていないアルミナからなる絶縁性基板を製造する絶縁性基板製造工程と、前記絶縁性基板の裏面に少なくとも一対の裏電極を、一次スリット形成予定位置とこの一次スリット形成予定位置に直交して交差する二次スリット形成予定位置とをそれぞれ跨ぐようにして印刷するとともに、前記絶縁性基板の表面に少なくとも一対の第一表電極を、前記一次スリット形成予定位置を跨ぎかつ前記二次スリット形成予定位置から離間するように印刷した後に、第１の所定温度で焼成して裏電極及び第一表電極を形成する第一電極形成工程と、前記対となる第一表電極の一部に積層し、前記一次スリット形成予定位置と前記二次スリット形成予定位置とによって矩形状に区画される区画内に抵抗体を印刷した後に、第２の所定温度で焼成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体をトリミングしてその抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、前記トリミングされた抵抗体を被覆する保護膜を、前記二次スリット形成予定位置を跨ぐようにエポキシ系樹脂を帯状に塗布して第３の所定温度で硬化させて形成する保護膜形成工程と、前記保護膜を形成した後、前記一次スリット形成予定位置に沿って一次スリット形成予定位置と前記二次スリット形成予定位置とを跨ぐようにＡｇを含む樹脂を帯状に塗布して第４の所定温度で硬化させて形成する第二電極形成工程と、前記絶縁性基板をこの絶縁性基板に形成されたスリットに沿って分割する分割工程とを備え、前記保護膜形成工程よりも後に、レーザスクライバから発せられる１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長を有するレーザ光を用いて前記絶縁性基板の表面及び裏面の前記一次スリット形成予定位置及び前記二次スリット形成予定位置にそれぞれ前記スリットを形成するスリット形成工程を有することを特徴とする。
このような製造方法では、絶縁性基板製造工程よりも後にスリット形成工程を行うことから、グリーンシートを焼成して絶縁性基板を製造する際、絶縁性基板を各区画領域に区画するスリットが形成されていないので、焼成時の収縮に起因するスリットの歪みが生じない。これにより、後で形成されるスリットで区画される絶縁性基板の各区画領域の形状寸法の精度を向上させることが可能になる。
【００１４】
また、スリット形成工程を、電極形成工程よりも後に行うから、表電極を絶縁性基板の表面に印刷するときに、この表面にはスリットが形成されていない状態となるので、表電極がスリット内に入り込んで堆積することがなくなり、これにより、後で形成されるスリットに沿って絶縁性基板を分割する際に、スリットから生じる亀裂をうまく誘導することが可能となり、その分割面形状を精度良く保つことができる。
とくに、スリット形成工程を、保護膜形成工程よりも後に行うから、表電極がスリット内に入り込んで堆積することがなくなるとともに、保護膜がスリット内に入り込んで堆積してしまうこともなくなり、このスリットに沿った絶縁性基板の分割工程において、とくに精度の良い分割面形状を得ることができる。
【００１５】
また、スリット形成工程では、レーザスクライバから発生させられるレーザ光によって絶縁性基板にスリットを形成するから、グリーンシートに対して刃型によってスリットを形成してから焼成することで得られる従来の絶縁性基板のように、スリットの形成された部分の密度が高くなって高い硬度を呈することがなく、分割工程における絶縁性基板の分割をより円滑に行って、分割面形状のさらなる精度向上を図ることができる。
とくに、レーザスクライバから発生させられるレーザ光を、その波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍとなるようにしているから、例えば、発生させられるレーザ光の波長が１０６４ｎｍに設定された一般的なＹＡＧレーザスクライバを用いた場合のように、スリットを形成したい位置の周囲にまで熱影響を与えてしまうことによる不具合が生じず、しかも、鋭い断面形状のスリットを形成することができて、このスリットによる分割面形状の精度をより向上させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、添付した図面を参照しながら工程順に説明する。
〔絶縁性基板製造工程〕
平坦な略四角形平板状をなすグリーンシートを焼成することにより、図１（ａ）に示すように、例えばアルミナからなる絶縁性基板３０を得る。なお、図面における二点鎖線は、後の工程で一次スリット３１が形成されるべき位置（一次スリット形成予定位置３１Ａ）と、二次スリット３２が形成されるべき位置（二次スリット形成予定位置３２Ａ）を示すものである。
【００１７】
〔第一電極形成工程〕
絶縁性基板３０の裏面に対し、一次スリット形成予定位置３１Ａに沿って、一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとを跨ぐようにして、裏電極としての例えばＡｇ−Ｐｄ系電極ペーストを帯状にスクリーン印刷し、さらに、図１（ｂ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａに対し、一次スリット形成予定位置３１Ａを跨ぎ、かつ、この一次スリット形成予定位置３１Ａに直交して交差する二次スリット形成予定位置３２Ａから離間するようにして、第一表電極３４としての例えばＡｇ−Ｐｄ系電極ペーストを複数対スクリーン印刷してから、これら印刷されたＡｇ−Ｐｄ系電極ペーストを例えば８５０゜Ｃで焼成することにより、第一表電極３４及び裏電極を形成する。なお、本実施形態では、裏電極を、絶縁性基板３０の裏面の一次スリット形成予定位置３１Ａに沿って帯状に印刷するようにしたが、第一表電極３４と同様にして、絶縁性基板３０の裏面に対し、その一次スリット形成予定位置３１Ａを跨ぎ、かつ、二次スリット形成予定位置３２Ａから離間するように印刷してもよい。
【００１８】
〔抵抗体形成工程〕
図１（ｃ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された対となる第一表電極３４，３４、すなわち、一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとによって矩形状に区画される一の区画領域内に設けられる第一表電極３４，３４の一部に積層するように、例えばＲｕＯ₂系ペーストをスクリーン印刷して８５０゜Ｃで焼成することにより抵抗体３５を形成する。
【００１９】
〔一次保護膜形成工程〕
図１（ｄ）に示すように、抵抗体３５を被覆するようにして、例えばガラスペーストをスクリーン印刷して６００゜Ｃで焼成することにより、一次保護膜３６を形成する。
この一次保護膜３６は、次の抵抗値調整工程におけるトリミング時のレーザエネルギー等による抵抗体３５へのダメージを軽減するために形成されるものであり、場合によっては省略することも可能である。
【００２０】
〔抵抗値調整工程〕
プローブ装置を用いて、対となる表電極３４，３４を接続する抵抗体３５の抵抗値を計測しながら、例えば波長１０６４ｎｍのレーザ光を用いて、図２（ｅ）に示すように、この抵抗体３５を一次保護膜３６とともに徐々にトリミングしてトリミング溝３５Ａを形成してゆき、その抵抗値を調整する。
【００２１】
〔二次保護膜形成工程（保護膜形成工程）〕
図２（ｆ）に示すように、トリミングされた抵抗体３５に対して、トリミング溝３５Ａ及び一次保護膜３６の上から被覆し、かつ、二次スリット形成予定位置３２Ａを跨ぐように、例えばエポキシ系樹脂を帯状に塗布して２００゜Ｃで硬化させることにより、二次保護膜３７（保護膜）を形成する。
ここで、樹脂を硬化させる際の温度が２００゜Ｃに設定されていて、上記の裏電極，第一表電極３４，抵抗体３５及び一次保護膜３６を印刷して焼成する際の温度よりも低くなっているのは、抵抗値調整工程において抵抗値が調整された抵抗体３５に、熱影響による抵抗値の変動が生じてしまうのを防止するためである。
【００２２】
〔第二表電極形成工程〕
図２（ｇ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された第一表電極３４において、二次保護膜３７によって被覆されていない露出部分を少なくとも被覆し、一次スリット形成予定位置３１Ａに沿って、一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとを跨ぐように、例えばＡｇを含む樹脂を帯状に塗布して２００゜Ｃで硬化させることにより、第二表電極３８を形成する。
この樹脂を硬化させる際の温度を２００゜Ｃの低温に設定したのも、上述したように、熱影響によって抵抗体３５の抵抗値の変動が生じるのを防止するためである。また、場合によっては、この第二表電極３８は形成されていなくてもよい。
【００２３】
〔スリット形成工程〕
図２（ｈ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面における一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとに対して、波長が１９０〜３６０ｎｍの範囲に設定された紫外線領域の固体レーザ光をレーザスクライバから発生させて照射することにより、一次スリット３１及び二次スリット３２を形成していく。
ここで、本実施形態では、上記のレーザ光についての照射条件等は、例えば、以下のように設定されている。
・出力２Ｗ
・Ｑ−ｒａｔｅ１０ｋＨｚ
・波長２６６ｎｍ
・加工深さ（後述する。）約５０μｍ（表面）約２５μｍ（裏面）
・加工速度１０ｍｍ／ｓ
・スクライブ回数２回（表面）１回（裏面）
【００２４】
このとき、絶縁性基板３０の表面３０Ａにおける一次スリット形成予定位置３１Ａには、第二表電極３８、あるいは第一表電極３４及び第二表電極３８が積層している状態となっているため、例えば、図２（ｈ）におけるＡ−Ａ線断面では、図３（ｉ）に示すように、第一表電極３４及び第二表電極３８がレーザ光によって切断されながら、絶縁性基板３０の表面３０Ａに対して断面Ｕ字溝状の一次スリット３１が形成されていく。
また、絶縁性基板３０の表面３０Ａにおける二次スリット形成予定位置３２Ａには、二次保護膜３７、あるいは第二表電極３８が積層している状態となっているため、例えば、図２（ｈ）におけるＢ−Ｂ線断面では、図３（ｊ）に示すように、第二表電極３８がレーザ光によって切断されながら、絶縁性基板３０の表面３０Ａに対して断面Ｕ字溝状の二次スリット３２が形成されていく。
【００２５】
さらに、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂにおける一次スリット形成予定位置３１Ａ、及び二次スリット形成予定位置３２Ａの一部には、裏電極３３が積層された状態となっているため、図３（ｉ），（ｊ）に示すように、裏電極３３がレーザ光によって切断されながら、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂに対して断面Ｕ字溝状の一次スリット３１及び二次スリット３２が形成されていく。
このようにして、略等間隔かつ略平行な複数の一次スリット３１と、この一次スリット３１に直交して交差するとともに略等間隔かつ略平行な複数の二次スリット３２とが、絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに対して、それぞれ同一位置で形成される。
【００２６】
なお、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂ側に形成された一次スリット３１及び二次スリット３２よりも、表面３０Ａ側に形成された一次スリット３１及び二次スリット３２の方が深く形成されており、本実施形態においては、例えば、絶縁性基板３０の厚みが２００μｍ程度であるのに対し、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に形成された一次スリット３１の深さが５０μｍ程度となるとともに、これに対向して裏面３０Ｂ側に形成された一次スリット３１の深さが２５μｍ程度となっており、また、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に形成された二次スリット３２の深さが５０μｍ程度となるとともに、これに対向して裏面３０Ｂ側に形成された二次スリット３２の深さが２５μｍ程度となっている。
【００２７】
〔一次分割工程（分割工程）〕
絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに形成された一次スリット３１に対してテンションを加えることで、図３（ｉ）に示すように、表面３０Ａ側の第一表電極３４や第二表電極３８が堆積していない一次スリット３１から生じる亀裂が、裏面３０Ｂ側の裏電極３３が堆積していない一次スリット３１まで誘導されることにより、図３（ｋ）に示すように、一次スリット３１に沿って短冊状に分割された絶縁性基板３０を得る。
【００２８】
〔端面電極形成工程〕
短冊状となった絶縁性基板３０を複数積み重ね、この積み重ねられた絶縁性基板３０の端面、すなわち、一次スリット３１による分割面に対して、例えばＣｕ−Ｎｉ系金属をスパッタリングすることによって、端面電極３９を形成し、この端面電極３９が第二表電極３８と裏電極３３とを接続する。
【００２９】
〔二次分割工程（分割工程）〕
端面電極３９が形成された短冊状の絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに形成された二次スリット３２に対してテンションを加えることで、図３（ｊ）に示すように、表面３０Ａ側の二次保護膜３７や第二表電極３８が堆積していない二次スリット３２から生じる亀裂が、裏面３０Ｂ側の裏電極３３が堆積していない二次スリット３２まで誘導されることにより、図４（ｌ）に示すように、二次スリット３２に沿って分割されてチップ状となった絶縁性基板３０を得る。
【００３０】
〔メッキ層形成工程〕
図４（ｍ）に示すように、チップ状となった絶縁性基板３０の端面電極３９，裏電極３３及び第二表電極３８とを被覆するように、例えば、Ｎｉメッキを施した後、はんだあるいはすずメッキを施すことにより、端面電極３９から裏面３０Ｂ側に位置する裏電極３３及び表面３０Ａ側に位置する第二表電極３８まで廻り込むようなメッキ層４０が形成される。
【００３１】
そして、最後に形状の選別など各種のチェックを行い、このチェックに合格したものが製品としてのチップ抵抗器となる。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法では、絶縁性基板製造工程よりも後にスリット形成工程を行うことにより、グリーンシートを焼成して絶縁性基板３０を製造する際、この絶縁性基板３０を各区画領域に区画する一次スリット３１及び二次スリット３２が形成されていないので、これら一次スリット３１及び二次スリット３２に、焼成時の収縮に起因する歪みをなくすことができる。すると、後の工程で形成される一次スリット３１及び二次スリット３２によって区画される絶縁性基板３０の各区画領域ごとの形状寸法に誤差が生じるのを抑制でき、ひいては、従来のように多数のスクリーンを用意する必要をなくすことができる。
【００３３】
また、本実施形態では、スリット形成工程を、第二表電極形成工程の直後、すなわち、１次分割工程の直前に行うことから、電極形成工程における裏電極３３及び表電極３４の印刷時には、この裏電極３３が一次スリット３１及び二次スリット３２内に入り込んで堆積することがないとともに、表電極３４が一次スリット３１内に入り込んで堆積することがなく、また、二次保護膜形成工程における二次保護膜３７の印刷時には、この二次保護膜３７が二次スリット３２内に入り込んで堆積してしまうことがなく、さらに、第二表電極形成工程における第二表電極３８の印刷時には、この第二表電極３８が一次スリット３１及び二次スリット３２内に入り込んで堆積してしまうことがない。
【００３４】
これにより、スリット形成工程で形成された一次スリット３１に沿って絶縁性基板３０を分割する一次分割工程では、内部に堆積物のない表面３０Ａ側の一次スリット３１から生じる亀裂を、同じく内部に堆積物のない裏面３０Ｂ側の一次スリット３１まで断面直線状をなすようにうまく誘導することができ、その一次スリット３１による分割面形状の精度を良好に保つことが可能になる。
同様に、スリット形成工程で形成された二次スリット３２に沿って絶縁性基板３０を分割する二次分割工程においても、内部に堆積物のない表面３０Ａ側の二次スリット３２から生じる亀裂を、同じく内部に堆積物のない裏面３０Ｂ側の二次スリット３２まで断面直線状をなすようにうまく誘導することができ、その二次スリット３２による分割面形状の精度を良好に保つことが可能となる。
【００３５】
すると、チップ抵抗器を製造する際の最終工程における形状の選別など各種のチェックにおいても、本実施形態によって製造されたチップ抵抗器は、その優れた形状特性ゆえに不良品となる割合が少なくなり、歩留まりを高く保つことができる。
【００３６】
また、とくに、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された二次スリット３２内に、二次保護膜３７が入り込んで堆積していないことから、この二次スリット３２に沿って絶縁性基板３０を分割したときに、従来では、毛細管現象によって二次保護膜３７が二次スリット３２内に入り込んでしまって、二次スリット３２による分割面に二次保護膜３７が付着して美観を損ねていたのに対し、本実施形態では、二次スリット３２による分割面に二次保護膜３７がまったく付着せず、外観を美麗に保つことができる。
【００３７】
さらに、本実施形態では、スリット形成工程で、一次スリット３１及び二次スリット３２を形成するために、固体レーザ光を発生させるレーザスクライバを用いているから、グリーンシートの状態で刃型によって一次スリット及び二次スリットを形成してから焼成した従来の絶縁性基板のように、これらスリットの形成される部分の密度が上昇して高い硬度を呈することがなくなり、一次スリット３１及び二次スリット３２に沿った絶縁性基板３０の分割時に無理な力が加わることがなく、絶縁性基板３０の分割をより円滑に行って、分割面形状のさらなる精度向上を図ることができる。
【００３８】
とくに、レーザスクライバから発生させられる固体レーザ光の波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの紫外線領域の範囲に設定されていることから、例えば、発生させられるレーザ光の波長が１０６４ｎｍに設定された一般的なＹＡＧレーザスクライバを用いた場合のように、一次スリット形成予定位置３１Ａ及び二次スリット形成予定位置３２Ａの周囲にまで熱影響を与えてしまうことがなくなり、不具合が生じることがない。
【００３９】
すなわち、本実施形態のように、第二表電極形成工程の直後に、スリット形成工程を行うような場合には、樹脂を塗布して硬化させることにより形成された二次保護膜３７上にレーザ光を照射することになるが、上述したような波長を有するレーザ光を用いると、二次スリット形成予定位置３２Ａの周囲の樹脂が熱影響によって炭化してしまうことがなく、この部分にメッキの付着するおそれをなくすことができる。また、このとき、ガラスペーストを印刷して焼成することにより二次保護層３７を形成したのであれば、この二次保護層３７にクラックが生じるのを防止することができる。
【００４０】
さらに、例えば、絶縁性基板製造工程の直後に、スリット形成工程を行うような場合には、上述したような波長のレーザ光を用いると、一次スリット形成予定位置３１Ａ及び二次スリット形成予定位置３２Ａの周囲に焦げ付きが生じるのを防止でき、また、電極形成工程の直後に、スリット形成工程を行うような場合には、同じく上述したような波長のレーザ光を用いると、裏電極３３及び第一表電極３４としての電極ペースト中に含まれるガラス成分が表面に浮き出して、メッキ層が付き難くなるのを防止できる。
なお、波長が１９０ｎｍより小さいレーザ光を発生させるレーザスクライバを用いようすると、このようなレーザスクライバは非常に高価であるため、コスト面での問題が生じてしまう。
【００４１】
また、波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの範囲のレーザ光によって一次スリット３１及び二次スリット３２を形成すると、これら一次スリット３１及び二次スリット３２の断面形状を鋭いＵ字溝状にすることが可能となるので、上述したような効果とも相俟って、一次スリット３１及び二次スリット３２による分割面形状の精度をより向上させることができる。
【００４３】
例えば、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に一次スリット３１を形成する表面側一次スリット形成工程を、電極形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の一次スリット３１内に第一表電極３４が入り込んで堆積してしまうことがなく、第二表電極形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の一次スリット３１内に第一表電極３４及び第二表電極３８が入り込んで堆積してしまうことがない。
また、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に二次スリット３１を形成する表面側二次スリット形成工程を、二次保護膜形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の二次スリット３２内に二次保護膜３７が入り込んで堆積してしまうことがなく、第二表電極形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の二次スリット３１内に二次保護膜３７及び第二表電極３８が入り込んで堆積してしまうことがない。
さらに、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂ側に一次スリット３１，二次スリット３２を形成する裏面側一次スリット形成工程，裏面側二次スリット形成工程を、電極形成工程よりも後で行えば、一次スリット３１や二次スリット３２内に、裏電極３３が入り込んで堆積してしまうことがない。
これらを考慮して、表面側一次スリット形成工程，表面側二次スリット形成工程，裏面側一次スリット形成工程，裏面側二次スリット形成工程を、絶縁性基板製造工程よりも後、かつ、分割工程よりも前で、それぞれ任意に行うようにしても構わない。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁性基板製造工程よりも後にスリット形成工程を行うことから、グリーンシートを焼成して絶縁性基板を製造する際、絶縁性基板を各区画領域に区画するスリットが形成されていないので、このスリットに、焼成時の収縮に起因する歪みが生じない。これにより、後で形成されるスリットで区画される絶縁性基板の各区画領域の形状寸法の精度を向上させることが可能になるとともに、従来のように多数のスクリーンを用意する必要をなくすことができる。
また、スリット形成工程を、保護膜形成工程よりも後に行うことから、表電極や保護膜がスリット内に入り込んで堆積することがなくなり、後で形成されるスリットに沿って絶縁性基板を分割する際に、スリットから生じる亀裂をうまく誘導することが可能となり、その分割面形状を精度良く保つことができる。
そうすると、チップ抵抗器を製造する際の最終工程における形状の選別など各種のチェックにおいても、本発明によって製造されたチップ抵抗器は、その優れた形状特性ゆえに不良品が出にくく、歩留まりを高く保つことができる。
【００４５】
また、スリット形成工程では、レーザスクライバから発生させられるレーザ光を用いて絶縁性基板にスリットを形成するから、従来の絶縁性基板のように、スリットの形成された部分の密度が高くなって高い硬度を呈することがなく、分割工程における絶縁性基板の分割をより円滑に行って、分割面形状のさらなる精度向上を図ることができる。
とくに、このレーザ光の波長が３６０ｎｍ以下となるようにしたから、スリットを形成したい位置の周囲にまで熱影響を与えてしまうことがなくなって、これに起因する不具合が生じず、また、スリットの断面形状を鋭く形成することが可能となり、スリットによる分割面形状の精度をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図２】本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図３】本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す断面及び平面説明図である。
【図４】本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面及び断面説明図である。
【図５】従来のチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図６】従来のチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図７】従来の絶縁性基板を製造する工程を示す断面説明図である。
【図８】従来の絶縁性基板を製造する工程を示す平面説明図である。
【図９】従来のチップ抵抗器の製造方法における絶縁性基板の分割の様子を示す断面説明図である。
【符号の説明】
３０絶縁性基板
３０Ａ表面
３０Ｂ裏面
３１一次スリット
３１Ａ一次スリット形成予定位置
３２二次スリット
３２Ａ二次スリット形成予定位置
３３裏電極
３４第一表電極
３５抵抗体
３６一次保護膜
３７二次保護膜
３８第二表電極
３９端面電極
４０メッキ層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a chip resistor used as an electronic component.
[0002]
[Prior art]
In general, a chip resistor is manufactured, for example, as shown in FIGS. 5 and 6. First, as shown in FIG. 5A, a plurality of primary slits 11 that are substantially equally spaced and substantially parallel to each other. And a plurality of secondary slits 12 that intersect perpendicularly to the primary slit 11 and are substantially equidistant and substantially parallel to each other are formed on the front surface 10A and the back surface, respectively, and the insulating substrate 10 partitioned in each partitioned region. prepare.
[0003]
Next, on the back surface of the insulating substrate 10, a belt-like back electrode is printed and fired along the primary slit 11 so as to straddle the primary slit 11 and the secondary slit 12, and FIG. As shown, a plurality of adjacent first front electrodes 14 are printed and fired on the surface 10A of the insulating substrate 10 so as to be separated from the secondary slit 12 and straddle the primary slit 11.
[0004]
And as shown in FIG.5 (c), the resistor 15 laminated | stacked on a part of 1st surface electrodes 14 and 14 used as a pair is printed and baked, Then, as shown in FIG.5 (d), After the primary protective film 16 covering this resistor 15 is printed and baked, as shown in FIG. 6 (e), the resistor 15 is trimmed with laser light together with the primary protective film 16, and the resistance value is set. adjust.
[0005]
Further, as shown in FIG. 6 (f), after the trimmed resistor 15 is covered with the primary protective film 16, a band-shaped secondary protective film 17 straddling the secondary slit 12 is formed. As shown in FIG. 6G, a strip-shaped second surface that covers the exposed first surface electrode 14 and straddles the primary slit 11 and the secondary slit 12 along the primary slit 11. The electrode 18 is formed.
[0006]
After that, as shown in FIG. 6 (h), the insulating substrate 10 is divided into strips along the primary slit 11, and end electrodes are formed by sputtering on the end surface of the insulating substrate 10 which is the dividing surface. Next, the insulating substrate 10 divided into strips is divided along the secondary slits 12 to form a chip, and then plated so as to cover the end face electrode, the back electrode, and the second front electrode 14. By forming the layer, a chip resistor is manufactured.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, as shown in FIG. 7, the insulating substrate 10 in which the primary slit 11 and the secondary slit 12 that intersect perpendicularly to each other are formed on the front surface 10A and the back surface is formed with a plurality of sharp valley-shaped blades 101. The formed blade mold 100 is pressed from the front side and the back side of the green sheet G to form the primary slit 11 and the secondary slit 12, and then the green sheet G is fired.
However, when the green sheet G in which the primary slit 11 and the secondary slit 12 are formed in advance is fired, the primary slit 11 and the secondary slit 12 are caused by shrinkage during firing as shown in FIG. Distortion will occur.
[0008]
As a result, the insulating substrate 10 is divided by the primary slits 11 and the secondary slits 12, and the shape of each partitioned region that becomes an individual chip resistor varies, and subsequent electrodes, resistors, protective films, etc. are screen-printed. This causes a problem that printing cannot be performed at a predetermined position. For this reason, conventionally, if a large number of screens used for printing are prepared and a screen corresponding to an error in the shape and size of each partition region is not used, the insulating substrate 10 having such an error in the shape and size is used. In contrast, printing could not be performed accurately.
[0009]
Further, when an electrode, a resistor, a protective film, and the like are formed on the insulating substrate 10 on which the primary slit 11 and the secondary slit 12 are formed from the beginning as described above, for example, the primary slit 11 When dividing the insulating substrate 10 along, as shown in FIG. 9A, the first front electrode 14, the second front electrode 18 and the back electrode 13 formed so as to straddle the primary slit 11, When the insulating substrate 10 is divided along the secondary slit 12, for example, as shown in FIG. The secondary protective film 17 (second front electrode 18) and the back electrode 13 formed so as to straddle the secondary slit 12 enter the secondary slit 12 and are deposited by the capillary phenomenon. And will.
[0010]
Then, when the insulating substrate 10 is divided along the primary slit 11 or the secondary slit 12, the primary slit 11 or the secondary slit 12 formed on the surface 10A side of the insulating substrate 10 as shown in FIG. Therefore, the cracks that are formed toward the primary slit 11 or the secondary slit 12 formed on the back surface side of the insulating substrate 10 are not induced well, and the shape of the divided surface becomes distorted, which reduces the accuracy of the shape dimension. There were many things.
[0011]
In addition, since the blade 100 is pressed against the green sheet G to form the primary slit 11 and the secondary slit 12, the primary slit 11 and the secondary slit 12 are formed as shown by the hitting area in FIG. When the green sheet G is fired in this state, the high density portion exhibits a high hardness, and the primary slit 11 formed on the surface 10A side of the insulating substrate 10. And the crack which arises from the secondary slit 12 becomes a cause for not being induced | guided | derived to a back surface side well, and, by this, the division | segmentation surface shape deteriorates and it causes the precision fall of a shape dimension.
A chip resistor formed with an error in the accuracy of the shape dimension is regarded as a defective product in the check in the final process, and has been a factor of greatly reducing the yield.
[0012]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a chip resistor that does not cause an error in shape and size.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems and achieve such an object, the present invention baked a green sheet. Made of alumina without slits An insulating substrate manufacturing process for manufacturing an insulating substrate; Printing at least a pair of back electrodes on the back surface of the insulating substrate so as to straddle the primary slit formation planned position and the secondary slit formation planned position intersecting perpendicularly to the primary slit formation planned position, respectively. At least a pair of surfaces on the surface of the insulating substrate first Front electrode The first electrode and the back electrode are baked at a first predetermined temperature after printing so as to straddle the primary slit formation scheduled position and away from the secondary slit formation planned position. Form first Pair with the electrode forming step first Laminated on part of front electrode And after printing a resistor in a rectangular section defined by the primary slit formation planned position and the secondary slit formation planned position, A resistor forming step for firing, a resistance value adjusting step for trimming the resistor to adjust its resistance value, and a protective film covering the trimmed resistor, An epoxy resin is applied in a band shape so as to straddle the secondary slit formation scheduled position, and cured at a third predetermined temperature. A protective film forming step to be formed; After forming the protective film, a resin containing Ag is applied in a band shape so as to straddle the primary slit formation planned position and the secondary slit formation planned position along the primary slit formation planned position, and a fourth predetermined temperature is applied. A second electrode forming step of forming by curing with A step of dividing the insulating substrate along a slit formed in the insulating substrate, After the protective film forming step, using the laser light having a wavelength of 190 nm to 360 nm emitted from a laser scriber, the primary slit forming planned position and the secondary slit forming planned position on the front and back surfaces of the insulating substrate are used. Slit forming step for forming each slit It is characterized by having.
In such a manufacturing method, since the slit forming step is performed after the insulating substrate manufacturing step, when the insulating substrate is manufactured by firing the green sheet, a slit is formed that partitions the insulating substrate into each partition region. Therefore, there is no distortion of the slit due to shrinkage during firing. Thereby, it becomes possible to improve the accuracy of the shape and dimension of each partitioned region of the insulating substrate partitioned by the slits to be formed later.
[0014]
In addition, since the slit forming step is performed after the electrode forming step, when the surface electrode is printed on the surface of the insulating substrate, no slit is formed on the surface. Therefore, when the insulating substrate is divided along the slits to be formed later, it becomes possible to induce the cracks generated from the slits well, and the shape of the dividing surface can be accurately determined. Can keep.
In particular, the slit forming process is performed after the protective film forming process. From The surface electrode does not enter and accumulate in the slit, and the protective film does not enter and accumulate in the slit. In the process of dividing the insulating substrate along the slit, the dividing surface is particularly accurate. Shape can be obtained.
[0015]
In the slit forming step, the slit is formed in the insulating substrate by the laser beam generated from the laser scriber. From Like the conventional insulating substrate obtained by forming the slits on the green sheet with a blade mold and firing, the density of the slit-formed part is increased and it does not exhibit high hardness and is divided. The insulating substrate can be divided more smoothly in the process, and the accuracy of the divided surface shape can be further improved.
In particular, the wavelength of laser light generated from a laser scriber 190nm ~ 360nm To be Because For example, as in the case of using a general YAG laser scriber in which the wavelength of the generated laser light is set to 1064 nm, there arises a problem due to thermal influence around the position where the slit is to be formed. In addition, a slit having a sharp cross-sectional shape can be formed, and the accuracy of the dividing surface shape by the slit can be further improved.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the order of steps with reference to the accompanying drawings.
[Insulating substrate manufacturing process]
By firing a green sheet having a flat, substantially rectangular flat plate shape, an insulating substrate 30 made of alumina, for example, is obtained as shown in FIG. In addition, the two-dot chain line in the drawing indicates a position where the primary slit 31 is to be formed in a later step (primary slit formation position 31A) and a position where the secondary slit 32 is to be formed (secondary slit formation position 32A). ).
[0017]
[ first Electrode formation process]
For example, an Ag-Pd-based electrode as a back electrode so as to straddle the primary slit formation planned position 31A and the secondary slit formation planned position 32A along the primary slit formation planned position 31A with respect to the back surface of the insulating substrate 30. As shown in FIG. 1B, the paste is screen-printed in a band shape, and straddles the primary slit formation planned position 31A with respect to the surface 30A of the insulating substrate 30, and is orthogonal to the primary slit formation planned position 31A. Then, a plurality of pairs of, for example, Ag-Pd electrode paste as the first front electrode 34 is screen-printed so as to be separated from the intersecting secondary slit formation scheduled position 32A, and then the printed Ag-Pd electrode The paste is baked at, for example, 850 ° C. to form the first front electrode 34 and the back electrode. In the present embodiment, the back electrode is printed in a band shape along the primary slit formation scheduled position 31A on the back surface of the insulating substrate 30, but the insulating substrate 30 is the same as the first front electrode 34. May be printed across the primary slit formation scheduled position 31A and away from the secondary slit formation planned position 32A.
[0018]
[Resistor forming process]
As shown in FIG. 1C, a pair of first front electrodes 34, 34 formed on the surface 30A of the insulating substrate 30, that is, a primary slit formation planned position 31A and a secondary slit formation planned position 32A. For example, RuO is laminated so as to be stacked on a part of the first front electrodes 34, 34 provided in one partition region partitioned in a rectangular shape. ₂ The resistor 35 is formed by screen-printing the system paste and baking it at 850 ° C.
[0019]
[Primary protective film formation process]
As shown in FIG. 1D, the primary protective film 36 is formed by covering the resistor 35 and, for example, screen-printing glass paste and baking it at 600 ° C.
The primary protective film 36 is formed in order to reduce damage to the resistor 35 due to laser energy or the like during trimming in the next resistance value adjusting step, and may be omitted depending on circumstances.
[0020]
[Resistance adjustment process]
While measuring the resistance value of the resistor 35 connecting the pair of surface electrodes 34 and 34 using the probe device, for example, using a laser beam having a wavelength of 1064 nm, this resistance as shown in FIG. The body 35 is gradually trimmed together with the primary protective film 36 to form a trimming groove 35A, and the resistance value is adjusted.
[0021]
[Secondary protective film forming step (protective film forming step)]
As shown in FIG. 2F, the trimmed resistor 35 is covered from the top of the trimming groove 35A and the primary protective film 36 and crosses the secondary slit formation planned position 32A, for example, epoxy. A secondary protective film 37 (protective film) is formed by applying a system resin in a band shape and curing it at 200 ° C.
Here, the temperature at which the resin is cured is set to 200 ° C., and is higher than the temperature at which the back electrode, the first front electrode 34, the resistor 35, and the primary protective film 36 are printed and baked. The reason why the resistance value is lowered is to prevent the resistance value of the resistor 35 whose resistance value has been adjusted in the resistance value adjusting process from fluctuating due to the influence of heat.
[0022]
[Second surface electrode forming step]
As shown in FIG. 2G, at the first front electrode 34 formed on the surface 30A of the insulating substrate 30, at least an exposed portion not covered by the secondary protective film 37 is covered, and a primary slit formation scheduled position For example, a resin containing Ag is applied in a band shape and cured at 200 ° C. so as to straddle the primary slit formation planned position 31A and the secondary slit formation planned position 32A along 31A. Form.
The reason why the temperature at which this resin is cured is set to a low temperature of 200 ° C. is to prevent the resistance value of the resistor 35 from fluctuating due to thermal effects as described above. In some cases, the second front electrode 38 may not be formed.
[0023]
[Slit formation process]
As shown in FIG. 2 (h), the wavelength was set in a range of 190 to 360 nm with respect to the primary slit formation planned position 31A and the secondary slit formation planned position 32A on the front surface 30A and the back surface of the insulating substrate 30. The primary slit 31 and the secondary slit 32 are formed by generating and irradiating a solid-state laser beam in the ultraviolet region from a laser scriber.
Here, in the present embodiment, the irradiation conditions and the like for the laser beam are set as follows, for example.
・ Output 2W
・ Q-rate 10kHz
・ Wavelength 266nm
・ Processing depth (described later) About 50 μm (front side) About 25 μm (back side)
・ Processing speed: 10mm / s
・ Scribe count: 2 times (front side) 1 time (back side)
[0024]
At this time, since the second front electrode 38, or the first front electrode 34 and the second front electrode 38 are laminated at the primary slit formation planned position 31A on the surface 30A of the insulating substrate 30, For example, in the cross section along line AA in FIG. 2 (h), as shown in FIG. 3 (i), the surface of the insulating substrate 30 while the first surface electrode 34 and the second surface electrode 38 are cut by the laser beam. A primary slit 31 having a U-shaped cross section is formed with respect to 30A.
Further, since the secondary protective film 37 or the second front electrode 38 is laminated at the secondary slit formation planned position 32A on the surface 30A of the insulating substrate 30, for example, FIG. 3B, a secondary surface having a U-shaped cross section with respect to the surface 30A of the insulating substrate 30 while the second front electrode 38 is cut by the laser beam, as shown in FIG. Slits 32 are formed.
[0025]
Further, since the back electrode 33 is laminated on a part of the primary slit formation planned position 31A and the secondary slit formation planned position 32A on the back surface 30B of the insulating substrate 30, FIG. , (J), the primary electrode 31 and the secondary slit 32 having a U-shaped cross section are formed on the back surface 30B of the insulating substrate 30 while the back electrode 33 is cut by the laser beam.
In this way, the plurality of primary slits 31 that are substantially parallel with each other and substantially parallel to each other, and the plurality of secondary slits 32 that are orthogonal to and substantially parallel to the primary slits 31 and that are substantially parallel with each other and that are substantially parallel to each other. The front surface 30A and the back surface 30B are formed at the same position.
[0026]
The primary slit 31 and the secondary slit 32 formed on the front surface 30A side are formed deeper than the primary slit 31 and the secondary slit 32 formed on the back surface 30B side of the insulating substrate 30. In the embodiment, for example, the thickness of the insulating substrate 30 is about 200 μm, whereas the depth of the primary slit 31 formed on the surface 30A side of the insulating substrate 30 is about 50 μm and is opposed to this. The depth of the primary slit 31 formed on the back surface 30B side is about 25 μm, and the depth of the secondary slit 32 formed on the front surface 30A side of the insulating substrate 30 is about 50 μm. The depth of the secondary slit 32 formed on the back surface 30B side facing this is about 25 μm.
[0027]
[Primary division process (division process)]
By applying tension to the primary slits 31 formed on the front surface 30A and the back surface 30B of the insulating substrate 30, as shown in FIG. 3 (i), the first front electrode 34 and the second front electrode on the front surface 30A side. As shown in FIG. 3 (k), the crack generated from the primary slit 31 where 38 is not deposited is guided to the primary slit 31 where the back electrode 33 on the back surface 30B side is not deposited. The insulating substrate 30 divided into strips along the line is obtained.
[0028]
[End face electrode formation process]
A plurality of strip-shaped insulating substrates 30 are stacked, and, for example, Cu—Ni-based metal is sputtered onto the end surfaces of the stacked insulating substrates 30, that is, the divided surfaces by the primary slits 31, thereby forming end surface electrodes. 39, and the end electrode 39 connects the second front electrode 38 and the back electrode 33.
[0029]
[Secondary division process (division process)]
By applying tension to the secondary slits 32 formed on the front surface 30A and the rear surface 30B of the strip-shaped insulating substrate 30 on which the end surface electrodes 39 are formed, as shown in FIG. The crack generated from the secondary slit 32 in which the secondary protective film 37 and the second front electrode 38 are not deposited is induced to the secondary slit 32 in which the back electrode 33 on the back surface 30B side is not deposited. As shown in 4 (l), an insulating substrate 30 is obtained which is divided along the secondary slit 32 into a chip shape.
[0030]
[Plating layer formation process]
As shown in FIG. 4 (m), for example, after Ni plating is performed so as to cover the end face electrode 39, the back electrode 33, and the second front electrode 38 of the insulating substrate 30 in a chip shape, solder is applied. Alternatively, tin plating is performed to form a plating layer 40 that extends from the end face electrode 39 to the back electrode 33 located on the back surface 30B side and the second front electrode 38 located on the front surface 30A side.
[0031]
Finally, various checks such as shape selection are performed, and those that pass this check become chip resistors as products.
[0032]
As described above, in the method of manufacturing the chip resistor according to the present embodiment, when the insulating substrate 30 is manufactured by baking the green sheet by performing the slit forming process after the insulating substrate manufacturing process. Since the primary slit 31 and the secondary slit 32 that divide the insulating substrate 30 into the respective partition regions are not formed, distortion caused by shrinkage during firing can be eliminated in the primary slit 31 and the secondary slit 32. . Then, it can suppress that an error arises in the shape dimension for every division area of insulating substrate 30 divided by primary slit 31 and secondary slit 32 formed in a later process, and, as a result, many as in the past. The need to prepare a screen can be eliminated.
[0033]
In the present embodiment, the slit forming step is performed immediately after the second front electrode forming step, that is, immediately before the primary division step. Therefore, when the back electrode 33 and the front electrode 34 are printed in the electrode forming step, the slit forming step is performed. The back electrode 33 does not enter and accumulate in the primary slit 31 and the secondary slit 32, and the front electrode 34 does not enter and deposit in the primary slit 31. When the secondary protective film 37 is printed, the secondary protective film 37 does not enter and accumulate in the secondary slit 32. Further, when the secondary surface electrode 38 is printed in the secondary surface electrode forming process, The second front electrode 38 does not enter and accumulate in the primary slit 31 and the secondary slit 32.
[0034]
Thereby, in the primary division step of dividing the insulating substrate 30 along the primary slit 31 formed in the slit formation step, cracks generated from the primary slit 31 on the surface 30A side without deposits inside are also deposited inside. It is possible to successfully guide the straight slit 31 to the primary slit 31 on the back surface 30B side where there is no object, and it is possible to keep the accuracy of the shape of the divided surface by the primary slit 31 good.
Similarly, in the secondary dividing step of dividing the insulating substrate 30 along the secondary slits 32 formed in the slit forming step, cracks generated from the secondary slits 32 on the surface 30A side without deposits inside, Similarly, the secondary slit 32 on the back surface 30B side without deposits can be guided well so as to form a straight cross section, and the accuracy of the divided surface shape by the secondary slit 32 can be kept good. .
[0035]
Then, even in various checks such as shape selection in the final process when manufacturing a chip resistor, the chip resistor manufactured according to this embodiment has a reduced ratio of defective products due to its excellent shape characteristics, Yield can be kept high.
[0036]
In particular, since the secondary protective film 37 does not enter and accumulate in the secondary slit 32 formed on the surface 30A of the insulating substrate 30, the insulating substrate 30 is disposed along the secondary slit 32. Conventionally, when divided, the secondary protective film 37 has entered the secondary slit 32 due to capillary action, and the secondary protective film 37 adheres to the divided surface by the secondary slit 32 and impairs the appearance. On the other hand, in this embodiment, the secondary protective film 37 does not adhere to the divided surface by the secondary slit 32 at all, and the appearance can be kept beautiful.
[0037]
Furthermore, in this embodiment, since a laser scriber that generates solid-state laser light is used to form the primary slit 31 and the secondary slit 32 in the slit forming step, the primary slit is formed by a blade shape in the state of a green sheet. As in the case of the conventional insulating substrate fired after forming the secondary slit, the density of the portion where these slits are formed does not increase to exhibit high hardness, and the primary slit 31 and the secondary slit 32 An excessive force is not applied at the time of dividing the insulating substrate 30 along, and the insulating substrate 30 can be more smoothly divided to further improve the accuracy of the dividing surface shape.
[0038]
In particular, since the wavelength of the solid-state laser light generated from the laser scriber is set in the ultraviolet range of 190 nm to 360 nm, for example, a general YAG laser in which the wavelength of the generated laser light is set to 1064 nm As in the case of using a scriber, there is no thermal influence around the primary slit formation planned position 31A and the secondary slit formation planned position 32A, and no malfunction occurs.
[0039]
That is, in the case where the slit forming step is performed immediately after the second surface electrode forming step as in the present embodiment, the laser is applied on the secondary protective film 37 formed by applying and curing the resin. However, if a laser beam having a wavelength as described above is used, the resin around the secondary slit formation planned position 32A will not be carbonized due to thermal effects. The possibility of adhering can be eliminated. At this time, if the secondary protective layer 37 is formed by printing and baking a glass paste, it is possible to prevent the secondary protective layer 37 from cracking.
[0040]
Further, for example, in the case where the slit forming process is performed immediately after the insulating substrate manufacturing process, when the laser beam having the wavelength as described above is used, the primary slit forming planned position 31A and the secondary slit forming planned position 32A are used. In the case where the slit forming step is performed immediately after the electrode forming step, the back electrode 33 and the first electrode can be prevented by using the laser light having the wavelength as described above. It can prevent that the glass component contained in the electrode paste as the surface electrode 34 floats on the surface, and it becomes difficult to attach a plating layer.
If a laser scriber that generates a laser beam having a wavelength smaller than 190 nm is used, such a laser scriber is very expensive, which causes a problem in terms of cost.
[0041]
Further, when the primary slit 31 and the secondary slit 32 are formed by laser light having a wavelength in the range of 190 nm to 360 nm, the cross-sectional shapes of the primary slit 31 and the secondary slit 32 can be made into a sharp U-shaped groove shape. Therefore, combined with the effects described above, it is possible to further improve the accuracy of the shape of the divided surface by the primary slit 31 and the secondary slit 32.
[0043]
For example, if the surface side primary slit forming step for forming the primary slit 31 on the surface 30A side of the insulating substrate 30 is performed after the electrode forming step, the first front electrode 34 is formed in the primary slit 31 on the surface 30A side. If it is performed after the second surface electrode forming step, the first surface electrode 34 and the second surface electrode 38 will enter and accumulate in the primary slit 31 on the surface 30A side. There is nothing.
Further, if the surface side secondary slit forming step for forming the secondary slit 31 on the surface 30A side of the insulating substrate 30 is performed after the secondary protective film forming step, the surface side 30A side secondary slit 32 is formed. If the secondary protective film 37 does not enter and deposit and is performed after the second surface electrode forming step, the secondary protective film 37 and the second surface electrode 38 are inserted into the secondary slit 31 on the surface 30A side. Will not enter and accumulate.
Further, if the back side primary slit forming step and the back side secondary slit forming step for forming the primary slit 31 and the secondary slit 32 on the back surface 30B side of the insulating substrate 30 are performed after the electrode forming step, the primary slit is formed. The back electrode 33 does not enter and accumulate in the 31 or the secondary slit 32.
In consideration of these, the front side primary slit forming step, the front side secondary slit forming step, the back side primary slit forming step, and the back side secondary slit forming step are performed after the insulating substrate manufacturing step and the dividing step. It may be arbitrarily performed before each.
[0044]
【Effect of the invention】
According to the present invention, since the slit forming process is performed after the insulating substrate manufacturing process, when the insulating substrate is manufactured by baking the green sheet, the slits that partition the insulating substrate into the respective partition regions are formed. Therefore, there is no distortion in the slit due to shrinkage during firing. This makes it possible to improve the accuracy of the shape and size of each partition region of the insulating substrate that is partitioned by slits that will be formed later, and eliminates the need to prepare a large number of screens as in the prior art. it can.
Further, since the slit forming process is performed after the protective film forming process, the surface electrode and the protective film do not enter and accumulate in the slit, and the insulating substrate is divided along the slit to be formed later. At this time, it becomes possible to induce the cracks generated from the slits well, and the shape of the divided surface can be maintained with high accuracy.
Then, even in various checks such as shape selection in the final process when manufacturing the chip resistors, the chip resistors manufactured according to the present invention are difficult to produce defective products due to their excellent shape characteristics, and keep the yield high. be able to.
[0045]
Further, in the slit forming step, the slit is formed in the insulating substrate using the laser light generated from the laser scriber, so that the density of the portion where the slit is formed is high as in the conventional insulating substrate. The insulating substrate can be more smoothly divided in the dividing step without exhibiting hardness, and the accuracy of the dividing surface shape can be further improved.
In particular, since the wavelength of the laser beam is set to be 360 nm or less, there is no thermal influence around the position where the slit is to be formed, and there is no inconvenience caused by this, The cross-sectional shape can be formed sharply, and the accuracy of the shape of the dividing surface by the slit can be further improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory plan view showing a chip resistor manufacturing method according to an embodiment in the order of steps;
FIG. 2 is an explanatory plan view showing the method of manufacturing the chip resistor according to the present embodiment in the order of steps.
FIG. 3 is a cross-sectional and plan view illustrating the chip resistor manufacturing method according to the present embodiment in the order of steps.
4A and 4B are a plan view and a cross-sectional explanatory view showing the manufacturing method of the chip resistor according to the embodiment in the order of steps.
FIG. 5 is an explanatory plan view showing a conventional chip resistor manufacturing method in the order of steps;
FIG. 6 is an explanatory plan view showing a conventional chip resistor manufacturing method in the order of steps.
FIG. 7 is a cross-sectional explanatory view showing a process for manufacturing a conventional insulating substrate.
FIG. 8 is an explanatory plan view showing a process of manufacturing a conventional insulating substrate.
FIG. 9 is an explanatory cross-sectional view showing a state of dividing an insulating substrate in a conventional chip resistor manufacturing method.
[Explanation of symbols]
30 Insulating substrate
30A surface
30B reverse side
31 Primary slit
31A Primary slit formation planned position
32 Secondary slit
32A Secondary slit formation planned position
33 Back electrode
34 First surface electrode
35 resistors
36 Primary protective film
37 Secondary protective film
38 Second surface electrode
39 End face electrode
40 plating layer

Claims

An insulating substrate manufacturing process for manufacturing an insulating substrate made of alumina in which a slit is not formed by firing a green sheet;
At least a pair of back electrodes is printed on the back surface of the insulating substrate so as to straddle the primary slit formation planned position and the secondary slit formation planned position intersecting at right angles to the primary slit formation planned position, and At least a pair of first front electrodes is printed on the surface of the insulating substrate so as to straddle the primary slit formation planned position and be separated from the secondary slit formation planned position, and then baked at a first predetermined temperature. A first electrode forming step of forming an electrode and a first surface electrode ;
After stacking on a part of the first front electrode to be paired and printing a resistor in a rectangular section defined by the primary slit formation planned position and the secondary slit formation planned position, A resistor forming step of firing at a predetermined temperature ;
A resistance value adjusting step of trimming the resistor and adjusting its resistance value;
A protective film forming step for forming the protective film covering the trimmed resistor by applying an epoxy resin in a band shape so as to straddle the secondary slit formation planned position and curing at a third predetermined temperature ; and
After forming the protective film, a resin containing Ag is applied in a band shape so as to straddle the primary slit formation planned position and the secondary slit formation planned position along the primary slit formation planned position, and a fourth predetermined temperature is applied. A second electrode forming step of forming by curing with ,
A dividing step of dividing the insulating substrate along slits formed in the insulating substrate,
After the protective film forming step, using the laser light having a wavelength of 190 nm to 360 nm emitted from a laser scriber, the primary slit forming planned position and the secondary slit forming planned position on the front and back surfaces of the insulating substrate are used. A method for manufacturing a chip resistor, comprising a slit forming step for forming the slits .