JP4835334B2 - 高周波信号伝送装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態の高周波信号伝送装置1の主たる構成を示す斜視図である。図1に示されるように、高周波信号伝送装置1は、所定の面間距離だけ離れた異なる2つの平面P−a・P−bの各々の上に形成された、共振器2(2a・2b)と、当該共振器2に対して信号の入出力を行うための入出力線路3(3a・3b)を備えている。なお、平面P−a上に形成された共振器および入出力線路の符号を2aおよび3aとし、平面P−b上に形成された共振器および入出力線路の符号を2bおよび3bとしている。
本実施形態の高周波信号伝送装置は、従来の集積回路作成技術で製造可能である。窒化ガリウム系FETは、サファイアの基板10に作成される。サファイアの基板10の厚さは、一般的には0.3mm〜0.5mmであるが、研磨や研削技術により0.1mmまでは容易に薄層化できる。そして、基板10上に窒化ガリウムをMOCVD法などで成長させる。活性層とならないアイソレーション部は、表面エッチング、イオン注入などにより高抵抗化する。この部分にコプレーナ構造の入出力線路3や共振器2を作成する。共振器2の大きさは、伝送信号の周波数に依存するが、60GHz帯であれば0.3mm程度であり、1μm程度の精度が有れば十分である。現在の集積回路技術では容易に作成できる精度である。例えば、金メッキなどにより金属パターンを形成する。
本実施形態の高周波信号伝送装置1によれば、一方の共振器2aに入力された伝送信号は、当該共振器2aと電磁的に結合された他方の共振器2bに無線伝送することができる。以下、当該共振器2a・2b間の伝送メカニズムについて説明する。
上記説明では、共振器2をオープンリング状として説明した。しかしながら、共振器2の形状は、これに限定されるものではなく、様々な形状のものが考えられる。ただし、異なる平面上の共振器2間の信号を効率的に伝送させるため、共振器2間の結合が強い、閉曲線線路の一部(開放部21)がオープンとなっている形状、もしくは、スパイラル状(螺旋状)であることが好ましい。例えば、図5に示されるようなU字状や、図6に示されるようなスパイラル状でもよい。
上記説明では、2つの共振器2a・2bが異なる基板10a・10b上に形成され、共振器2a・2bが形成された面が対向するように基板10a・10bを配置し、当該基板10a・10b間にスペーサ板5を挟む構造とした。しかしながら、本実施形態の高周波信号伝送装置の構成はこれに限られるわけではなく、結合する2つの共振器2a・2bが異なる平面上に配置されていればよい。
上記説明では、共振器2が形成される基板10の一例として絶縁体であるサファイアを挙げた。しかしながら、基板10の材料はこれに限られるものではない。例えば、シリコンであってもよい。ただし、シリコンはある程度の導電性を有するため、共振器2で発生した電磁波がシリコン基板に電流を発生させジュール損を引き起こす。この損失を防止するためには、シリコン基板を薄層化する方法、重金属等で半絶縁性にする方法がある。ただし、シリコン集積回路技術において容易に実現できる以下の方法が好ましい。
(スペーサ板がサファイアの場合)
図10(a)は、3次元電磁界シミュレーション(使用ソフト:アンソフト社製「HFSS」)を行った高周波信号伝送装置1の斜視図を示す。図10(b)は、当該高周波信号伝送装置1の断面図を示す。図10(a)(b)に示されるように、金属膜、サファイアの基板10、共振器2、サファイアのスペーサ板5、共振器2、サファイアの基板10、金属膜がこの順に積層された高周波信号伝送装置1についてのシミュレーションを行った。なお、共振器2は、伝送信号の半波長の線路長を有しており、図10(c)に示されるようにオープンリング状である。なお、60GHz付近において結合するように共振器2の設計を行い、シミュレーションを行った。具体的には、オープンリング状の共振器2の外径D=0.24mm、線路幅a=0.045mm、共振器2の両端部のギャップ(すなわち、開放部21の幅)p=0.02mm、基板10およびスペーサ板5の材料を全てサファイアと想定し、厚さ及び比誘電率をそれぞれ0.2mm、10とした。
次に、図14に示されるように、共振器2間に挿入するスペーサ板5をサファイアではなく誘電率2程度のビニール系のシート(厚さ0.02mm〜0.06mm)にし、その他の条件を図10(a)〜(c)と同条件としたときのシミュレーションを行った。図15〜17はシミュレーション結果を示すグラフであり、図15はスペーサ板5の厚み0.02mm、図16は厚み0.04mm、図17は厚み0.06mmのときである。ビニール系のシートであるスペーサ板5の厚みが0.02mmの場合、伝送効率50%となる伝送帯域は、35〜90GHzにまで広がることがわかる。また、スペーサ板5の厚みを0.06mmとしても、伝送帯域幅は33GHzもあり、高周波信号伝送装置1として十分に機能させることができる。
次に、図18に示されるような、導電性を有するシリコン基板上に、金属膜、シリコン酸化膜(3μm)、共振器、サファイア基板(0.1mm)、共振器、シリコン酸化膜(3μm)、金属膜をこの順に積層した高周波信号伝送装置1について、シミュレーションを行った。なお、共振器の形状は、図10(c)、外径D=0.24mm、線路幅a=0.045mm、共振器2の両端部のギャップp=0.02mmである。図19は、図18の構造を有する高周波信号伝送装置1におけるS11、S21のシミュレーション結果を示すグラフである。図19に示されるように、シリコン基板を用いたとしても、共振器間距離0.1mmであっても、伝送帯域幅2GHzで効率的に信号を伝送することができる。
上記の各シミュレーションは、結合する2つの共振器の中心軸が同一となるように両共振器が重なり合うものとして行った。しかしながら、共振器の相対位置は、製造上の組み立て精度によってずれる可能性がある。そこで、2つの共振器の各々の中心軸がずれた場合のシミュレーションを行った。
次に、本実施形態の高周波信号伝送装置の適用例について説明する。
ミリ波無線通信では、アンテナは低コストのプラスチック製、信号増幅部は高出力が増幅可能な窒化ガリウム系FETによる集積回路、信号処理部はシリコンCMOS ICという構成が理想的である。近年、微細化によりシリコンCMOSでも60GHz級の高周波信号が生成されるようになっている。しかし、微細化のために出力電圧が低く、通信に使うには信号電力が小さいという欠点があった。
デジタルLSIにおいては、半導体チップ内で数10GHzの信号を発生することができるが、従来のボンディングパッドやボンディングワイアを使用すると反射や輻射のため、当該信号を半導体チップの外に取り出すことができなかった。しかしながら、本実施形態の高周波信号伝送装置1を用いれば、半導体チップで発生した高周波信号を、損失なく、回路基板間で高周波信号を伝送する際に使用することができる。
セラミック基板上にDC電源線とミリ波の伝送線路を作成する。ミリ波の伝送線路には平面回路で分配器を設け、端部にオープンリング状の共振器を設ける。このような基板をビニール系の薄膜で覆い、その上にやはりオープンリング状の共振器を持ったLSIチップを裏返しに設置する。このとき、ミリ波の伝送線路の端部に設けられた共振器と、LSIチップに設けられた共振器とは、中心軸が一致し、互いの開放部が中心軸に対して対称となるように配置する。これにより、両共振器が高周波信号伝送装置を構成し、両共振器間で10Gbps以上の信号を伝送させることができる。DC電源部は、ビニールに穴を開け通常のフリップチップボンディングを使う。また伝送効率が高いことから、高周波信号をチップに送ってそこで整流してDC電源化することも可能である。このような実装技術は信号の高周波化が可能であるばかりでなく、接触不良や断線が起こらないので高信頼システムが実現できる。
本実施形態の高周波信号伝送装置は、チップの動作確認をするICテスターにも利用できる。特開2006−105630には磁界結合(誘導結合)によるこのような応用が出ているが、伝送効率が高くないため、プローブとなる伝送装置の近くに信号増幅回路を設置する必要がある。しかしながら、本実施形態の高周波信号伝送装置は、通常のインピーダンス線路や同軸ケーブルで殆ど損失や混信無く信号を伝送できるので、周辺回路が大幅に簡略化される。すなわち、図8に示すような構成で、光配線と同様な受動部品のみによる配線が、集積回路技術のみで実現可能である。
本実施形態の高周波信号伝送装置は、送電装置から受電装置への電力伝送の用途にも使用することができる。なお、従来の電力伝送の技術としては、特開2006−174676や特開2000−342855などが知られている。しかしながら、本実施形態の高周波信号伝送装置を用いることで、従来技術に比べて効率的な電力伝送を行うことができる。
2(2a・2a’・2b・2c) 共振器
3(3a・3b・3c) 入出力線路
4(4a・4b・4c) 接地電極
5 スペーサ板
10(10a・10b) 基板
11 金属膜
12 絶縁膜
21(21a・21b) 開放部
22 取り付け位置(接続位置)
P−a・P−b 平面
Claims (10)
- 異なる平面上の回路間で高周波信号を伝送する高周波信号伝送装置であって、
上記両平面上に、閉曲線線路の一部が開放部として開放されたオープンリング構造を有する共振器と、当該共振器にインピーダンス整合が可能な取り付け位置で接続され、当該共振器に対して高周波信号の入出力を行う入出力線路とが形成されており、
上記両平面上に形成された共振器同士を電磁結合させて、高周波信号を伝送させ、
一方の共振器における開放部と中心点とを結ぶ線と、他方の共振器における開放部と中心点とを結ぶ線とのなす角度が90度以上であることを特徴とする高周波信号伝送装置。 - 上記共振器の線路長が、上記高周波信号の波長の1/2の奇数倍であることを特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送装置。
- 上記両平面上に備えられた各共振器の中心軸は、一致する、もしくは、一致する位置から当該両共振器の開放部同士が近づく方向にずれていることを特徴とする請求項2に記載の高周波信号伝送装置。
- 上記角度が180度であることを特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送装置。
- 上記両平面上に備えられた共振器間の距離が、上記高周波信号の共振器間の媒質における波長の0.15倍以下であることを特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送装置。
- 少なくとも一方の上記平面上の共振器が導電性の基板上に形成されているとき、
上記基板上に、金属膜、絶縁膜、上記共振器がこの順で積層されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送装置。 - 上記両平面の各々は、異なる基板の表面であり、
両基板上に形成された上記共振器が互いに対向するように当該両基板が配置されており、かつ、両基板間に絶縁性のシートを挟んだことを特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送装置。 - 上記共振器と当該共振器に接続される上記入出力線路とのインピーダンス整合が、当該共振器と当該入出力線路との接続位置によって調整されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送装置。
- 一方の上記共振器が電力を送信する送電装置に備えられており、他方の上記共振器が当該電力を受信する受電装置に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送装置。
- 異なる平面上の回路間で高周波信号を伝送する高周波信号伝送装置であって、
上記両平面上に、閉曲線線路の一部が開放された構造もしくはスパイラル構造を有する共振器と、当該共振器に接続され、当該共振器に対して高周波信号の入出力を行う入出力線路とが形成されており、
上記両平面上に形成された共振器同士を電磁結合させて、高周波信号を伝送させ、
少なくとも一方の上記平面上の共振器が導電性の基板上に形成されているとき、
上記基板上に、金属膜、絶縁膜、上記共振器がこの順で積層されていることを特徴とする高周波信号伝送装置。
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