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JP4835375B2 - ガス濃度検出装置 - Google Patents

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JP4835375B2 JP2006285821A JP2006285821A JP4835375B2 JP 4835375 B2 JP4835375 B2 JP 4835375B2 JP 2006285821 A JP2006285821 A JP 2006285821A JP 2006285821 A JP2006285821 A JP 2006285821A JP 4835375 B2 JP4835375 B2 JP 4835375B2
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Description

本発明は、ガス濃度検出装置にかかり、例えば、内燃機関から排出される排ガスを検出対象として同排ガス中の酸素濃度等を検出するガス濃度検出装置に関するものである。
例えば、車両用エンジンより排出される排ガスを検出対象とし同ガス中の酸素濃度(空燃比)を検出するガスセンサとして、限界電流式の空燃比センサ(いわゆるA/Fセンサ)が知られている。すなわち、A/Fセンサは、固体電解質層と該固体電解質層に設けられる一対の電極とよりなるセンサ素子を有し、該センサ素子への電圧印加に伴いその都度の酸素濃度に応じた素子電流を流すよう構成されている。そして、センサ素子に流れる素子電流を計測し、その計測結果から酸素濃度(空燃比)を検出するようにしている。
上記A/Fセンサでは、センサ素子が活性状態にあることを前提に酸素濃度が正確に検出できるため、当該センサ素子の活性状態を知るべくセンサ素子の素子抵抗検出(インピーダンス検出)が行われる。ここで、酸素濃度及び素子インピーダンスの検出手法として、センサ素子に対して交流電圧源により交流電圧を印加し、その交流電圧の印加状態で素子電流を計測するようにした技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。その回路例を図10に基づいて説明する。
図10において、センサ素子60の一端には、直流電圧源61と交流電圧源62とが抵抗63を介して接続されている。抵抗63の両端には差動増幅器65が接続され、この差動増幅器65の出力側にLPF66とHPF67とがそれぞれ接続されている。この場合、直流電圧源61及び交流電圧源62によりセンサ素子部60に電圧が印加された状態で、排ガス中の酸素濃度(A/F)及び素子インピーダンスに応じて素子電流が流れると、その素子電流が抵抗63の両端子間電圧により計測され、さらにその電圧信号が差増増幅器65に取り込まれる。そして、LPF66において差動増幅器65の出力からA/F検出信号が抽出され、そのA/F検出信号がマイコン等に出力される。また、HPF67において差動増幅器65の出力からインピーダンス検出信号が抽出され、そのインピーダンス検出信号が整流回路68を通じてマイコン等に出力される。
特公平4−24657号公報
上記従来技術では、抵抗63の両端子間電圧を計測し、その電圧信号を1つの差動増幅器65で増幅処理した後、LPF66やHPF67を通じてA/F検出信号やインピーダンス検出信号として出力する構成となっている。かかる場合、センサによっては、A/Fに相応して流れる電流分の電圧と、素子インピーダンスに相応して流れる電流分の電圧とで、その電圧レベルが大きく相違する(電圧差が生じる)ものがあり、電圧差が生じた場合、前者の方が小さいものとなる(場合によっては電圧レベルが桁違いとなる)。したがって、例えばA/F電流分を基準に増幅を行うと、インピーダンス検出信号が差動増幅器65の出力範囲の上限にて制限されてしまいインピーダンス検出精度の低下やA/F検出精度の低下が生じるおそれがある。なお、A/F検出精度の低下に関して補足すれば、LPFにより交流信号を平均化して取り除くことでA/F検出信号が抽出されるが、差動増幅器65により出力制限が生じると、平均値が真値からずれてしまいA/F誤差が生じる。また、インピーダンス電流分を基準に増幅を行うと、A/F電流分が十分に増幅できず、再度の信号増幅が必要となる。増幅回路を2段に設けると、その増幅回路のオフセット電圧の影響が増すため、A/Fの検出精度に悪影響が及ぶおそれが生じる。
本発明は、こうした実状を鑑みてなされたものであり、ガス濃度検出と素子抵抗の検出とをいずれも高精度で行うことができるガス濃度検出装置を提供することを主たる目的とするものである。
以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について説明する。
本発明のガス濃度検出装置は、固体電解質層を有してなり、電圧が印加された状態で被検出ガス中のガス濃度に応じた素子電流を流すセンサ素子を備えるガス濃度センサに適用され、前記素子電流に基づいて被検出ガス中のガス濃度を検出するものとなっている。そして、請求項1に記載の発明では特に、センサ素子に交流電圧を印加する交流電圧印加手段と、交流電圧印加手段による交流電圧の印加に伴い電流が流れる交流電流経路にてセンサ素子に直列に接続される電流計測抵抗と、前記電流計測抵抗により計測した電圧信号から、前記素子電流のうち被検出ガス中のガス濃度(酸素濃度等)に相応する電流分を抽出し、演算装置に出力する第1の信号出力部と、前記センサ素子と前記電流計測抵抗との中間点でこれらセンサ素子及び電流計測抵抗の分圧電圧として計測した電圧信号から、前記素子電流のうち当該センサ素子の抵抗成分(素子インピーダンス)に相応する電流分を抽出し、演算装置に出力する第2の信号出力部と、を備え、第1の信号出力部と第2の信号出力部とに前記交流電流径路からそれぞれ別系統で電圧信号を取り込む構成としている。
上記構成において、センサ素子には交流電圧印加手段によって交流電圧が印加されており、その交流電圧の印加状態で、同センサ素子に、被検出ガスのガス濃度に相応する電流分とセンサ素子の抵抗成分に相応する電流分とが合成された素子電流が流れる。この場合、第1の信号出力部によって、素子電流のうち被検出ガス中のガス濃度に相応する電流分が抽出され、演算装置に出力される。また、第2の信号出力部によって、素子電流のうちセンサ素子の抵抗成分に相応する電流分が抽出され、演算装置に出力される。なお、演算装置はマイクロコンピュータ等よりなり、その演算装置において、第1の信号出力部や第2の信号出力部の出力信号に基づいてガス濃度の演算や素子抵抗の演算が行われる。
ここで、本発明と同様に交流電圧印加手段を備える従来技術(図10の回路構成)では、電流計測抵抗の両端子間電圧を計測し、その電圧信号(すなわち、ガス濃度検出・素子抵抗検出で共通の電圧信号)を用いてガス濃度検出と素子抵抗検出とを行っているが、電圧レベルの異なるガス濃度検出信号と素子抵抗検出信号とを共通に信号増幅していることに起因してそれらの各検出を共に精度良く行うことができないおそれがあった。この点本発明では、第1の信号出力部と第2の信号出力部とに交流電流径路からそれぞれ別系統で電圧信号が取り込まれるため、それら各信号出力部に取り込まれる電圧信号についてそれぞれ抽出すべき電圧レベルが相違しても、それら各電圧信号に対して各々適した信号処理(増幅等)を個別に行うことができる。またこのとき、ガス濃度検出に関して2段の増幅を要することもない。したがって、ガス濃度検出と素子抵抗の検出とをいずれも高精度で行うことが可能となる。
また、素子抵抗の検出に関して、センサ素子の抵抗成分(素子インピーダンス)に相応する電流分がセンサ素子と電流計測抵抗との間の中間点電圧(分圧電圧)により計測されるため、同電流分を電流計測抵抗の両端子間電圧により計測していた従来技術(例えば図10の回路構成)とは異なり、差動増幅器などの電流電圧変換手段を用いることなく、電圧信号を直接取り込むことができる。よって、素子抵抗の検出に関して差動増幅器等が不要となり、回路構成の簡素化が可能となる。
請求項2に記載の発明では、前記第1の信号出力部及び前記第2の信号出力部に、各々入力される前記電圧信号を増幅するための増幅回路部を設け、それら増幅回路部の増幅率を各々個別に設定する。この場合、第1の信号出力部及び第2の信号出力部において信号処理すべき電圧レベルが相違していても、各電圧信号を増幅回路部の出力範囲(例えば、0〜5V)等に合わせて個別に増幅できる。したがって、ガス濃度検出や素子抵抗検出の分解能を高めることができる。
請求項3に記載の発明では、前記第1の信号出力部は、センサ素子と電流計測抵抗との中間点で計測した電圧信号から、素子電流のうち被検出ガス中のガス濃度に相応する電流分を抽出することとしている。ここで、素子電流のうち被検出ガス中のガス濃度に相応する電流分を、電流計測抵抗の両端子間電圧により計測する従来技術(図10の回路構成)と比べると、本発明のようにセンサ素子と電流計測抵抗との間の中間点電圧により計測する構成の方が計測電圧を大きくすることができる。また、ガス濃度検出の検出に関しても差動増幅回路等が不要となり、回路構成の簡素化が可能となる。
前記第1の信号出力部は、前記電圧信号の直流成分のみを抽出するフィルタ手段(LPF)と、前記演算装置における信号入力部(AD変換器を含む)の電圧処理範囲に応じて前記電圧信号を増幅する増幅手段とを備えると良い(請求項4)。これにより、ガス濃度に相応する電流分とセンサ素子の抵抗成分に相応する電流分とが合成された素子電流から、ガス濃度の電流分が適正に分離抽出でき、さらに演算装置においてガス濃度を適正に算出できる。
また、前記第2の信号出力部は、センサ素子と電流計測抵抗との間の中間点電圧の交流成分のみを抽出するフィルタ手段(HPF)と、該フィルタ手段により抽出した交流成分のピーク値を検出するピーク検出手段とを備えると良い(請求項5)。これにより、ガス濃度に相応する電流分とセンサ素子の抵抗成分に相応する電流分とが合成された素子電流から、素子抵抗の電流分が適正に分離抽出でき、さらに演算装置において素子抵抗を適正に算出できる。なお、第2の信号処理部に、演算装置における信号入力部(AD変換器を含む)の電圧処理範囲に応じて電圧信号を増幅する増幅手段を設けることも可能である。
ここで、交流電圧印加手段により印加される交流電圧について、その周波数はセンサ特性から1kHz以上が望ましく、オペアンプ等の回路素子の応答性の都合上、20kHz以下が望ましい。それ故に、交流電圧印加手段により印加される交流電圧の周波数を1〜20kHzとすると良い(請求項6)。なお、内燃機関から排出される排ガスを検出対象(被検出ガス)とする場合には、A/Fの変動周期が数100Hz程度であることを考慮すると、このA/F変動成分と明確に差別すべく、交流電圧の周波数を10kHz以上とするのが望ましい。つまりこの場合、交流電圧の周波数を10〜20kHzとする。
また、電流計測抵抗の抵抗値が大きいほどガス濃度の検出精度が良くなるが、その反面、電流計測抵抗の抵抗値が大きいほど素子抵抗の検出分解能が低下する。故に、これらを併せ考え、150〜250Ωを電流計測抵抗の抵抗値の適正範囲とし、そのうち200Ωを最適値とすると良い。センサ素子の活性状態における素子抵抗値を基準とすれば、電流計測抵抗の抵抗値を、素子抵抗値の5〜10倍の抵抗値にすると良いと考えられる。
また、交流電圧印加手段による交流電圧振幅が小さいほど素子電流が小さくなり、これによってオペアンプ等の駆動電流が小さくなるため回路ICの小型化等の面で優位となるが、その反面、交流電圧振幅が小さいほど素子抵抗の検出精度が低下する。故に、これらを併せ考え、1.5〜2.5Vを交流電圧振幅の適正範囲とし、そのうち2Vを最適値とすると良い。電圧信号の処理範囲(例えば0〜5V)を基準とすれば、その処理範囲の30〜60%程度の電圧値にすると良いと考えられる。
以下、本発明のガス濃度検出装置を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。本実施形態では、車載エンジンより排出される排ガス(燃焼ガス)を被検出ガスとして同ガス中の酸素濃度(空燃比:A/F)を検出する空燃比検出装置を具体化しており、空燃比の検出結果はエンジンECU等により構成される空燃比制御システムに用いられる。空燃比制御システムでは、空燃比をストイキ近傍でフィードバック制御するストイキ空燃比制御や、同空燃比を所定のリーン領域でフィードバック制御するリーン空燃比制御等が適宜実現される。
先ずはじめに、A/Fセンサの構成を図2を用いて説明する。本A/Fセンサは積層型構造のセンサ素子10を有し、図2にはセンサ素子10の断面構成を示す。実際には当該センサ素子10は図2の紙面直交方向に延びる長尺状をなし、素子全体がハウジングや素子カバー内に収容される構成となっている。
センサ素子10は、固体電解質層11、拡散抵抗層12、遮蔽層13及び絶縁層14を有し、これらが図の上下に積層されて構成されている。同素子の周囲には図示しない保護層が設けられている。長方形板状の固体電解質層11は部分安定化ジルコニア製のシートであり、その固体電解質層11を挟んで上下一対の電極15,16が対向配置されている。拡散抵抗層12は電極15へ排ガスを導入するための多孔質シートからなり、遮蔽層13は排ガスの透過を抑制するための緻密層からなる。これら各層12,13は何れも、アルミナ、スピネル、ジルコニア等のセラミックスをシート成形法等により成形したものであるが、ポロシティの平均孔径及び気孔率の違いによりガス透過率が相違するものとなっている。
絶縁層14はアルミナ等の高熱伝導性セラミックスからなり、電極16に対面する部位には大気ダクト17が形成されている。また、同絶縁層14にはヒータ18が埋設されている。ヒータ18は、バッテリ電源からの通電により発熱する線状の発熱体よりなり、その発熱により素子全体を加熱する。
上記構成のセンサ素子10において、その周囲の排ガスは拡散抵抗層12の側方部位から導入されて電極15に達する。排ガスがリーンの場合、排ガス中の酸素が電極15で分解され、電極16より大気ダクト17に排出される。また、排ガスがリッチの場合、逆に大気ダクト17内の酸素が電極16で分解され、電極15より排気側に排出される。
図3は、A/Fセンサの電圧−電流特性(V−I特性)を示す図面である。図3の特性線において、V軸(横軸)に平行な直線部分はセンサ素子10の素子電流(限界電流)を特定する限界電流域であって、この素子電流の増減は空燃比の増減(すなわち、リーン・リッチの程度)に対応している。つまり、空燃比がリーン側になるほど素子電流は増大し、空燃比がリッチ側になるほど素子電流は減少する。ここで、限界電流域にかかるようにしてセンサ素子10に電圧を印加することにより、適正に素子電流が計測される。
次に、本発明の主要部たるセンサ回路の電気的構成を図1を参照しながら説明する。
図1において、センサ素子10の一方の端子(正側端子S+)には、基準電源21及びオペアンプ22が図示の如く接続されている。また、同センサ素子10の他方の端子(負側端子S−)には、発振器24、オペアンプ25及び電流計測抵抗26が直列に接続されている。発振器24は、例えば10〜20kHz程度の交流電圧を出力する交流電圧発生手段であり、その発振器24によりセンサ素子10に交流電圧が印加される。電流計測抵抗26はその電流経路上において発振器24とセンサ素子10との間に設けられている。センサ素子10の正側及び負側の両端子にはノイズ等の除去を目的としてコンデンサ28,29が設けられている。
センサ素子10の正側端子S+側に設けられた基準電源21は、A/F検出のための電圧印加部に相当し、本実施形態では固定電圧2.6Vを出力する。また、センサ素子10の負側端子S−側に設けられた発振器24は、インピーダンス検出のための電圧印加部に相当し、本実施形態では2.2Vを基準としてその正負両側に1Vずつ振幅させた交流電圧を出力する。
また、電流計測抵抗26とセンサ素子10(負側端子S−)との間の中間点には、その中間点電圧(すなわち、電流計測抵抗26及びセンサ素子10による分圧電圧)を各々個別取り込むようにした2つの信号出力部が設けられている。一方は、A/F検出信号を出力するためのA/F信号出力部31(第1の信号出力部に相当)であり、他方は、インピーダンス検出信号を出力するためのインピーダンス信号出力部32(第2の信号出力部に相当)である。A/F信号出力部31は、オペアンプ33とLPF部34とを一体に設けた増幅回路により構成されている。また、インピーダンス信号出力部32は、HPF35とピークホールド回路36とから構成されている。ピークホールド回路36には信号増幅部が一体に設けられている。
A/F信号出力部31から出力されるA/F検出信号と、インピーダンス信号出力部32から出力されるインピーダンス検出信号とは共にマイクロコンピュータ(以下、マイコンという)38に入力される。マイコン38は、CPUや各種メモリを備えてなる周知の演算装置であり、同マイコン38のAD変換器にA/F検出信号やインピーダンス検出信号(いずれもアナログ信号)が入力されるようになっている。
A/F信号出力部31及びインピーダンス信号出力部32においては、それぞれに電圧信号が増幅されるが、それら各出力部31,32における増幅率は各々個別に設定されている。このとき、各出力部31,32における増幅率は、A/F信号分及びインピーダンス信号分の各電圧レベルと、マイコン38にAD変換器の電圧処理範囲(ここでは0〜5V)とに応じて設定され、本実施形態では、A/F信号出力部31の増幅率を10倍〜20倍、インピーダンス信号出力部32の増幅率を5倍としている。
上記構成によれば、センサ素子10には発振器24によって交流電圧が印加されており、その交流電圧の印加状態で、同センサ素子10に、A/F(排ガス中の酸素濃度)に相応する電流分と素子インピーダンスに相応する電流分とが合成された素子電流が流れる。このとき、A/F検出信号及びインピーダンス検出信号の計測点である、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点では、センサ印加電圧の周期(交流電圧の周波数)に合わせて電圧が振幅している。そして、A/F信号出力部31において、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧から、素子電流のうち都度のA/Fに相応する電流分(直流成分)が抽出され、それが所定の増幅率にて増幅された後、A/F検出信号としてマイコン38に出力される。
また、インピーダンス信号出力部32において、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧から、素子電流のうち都度の素子インピーダンスに相応する電流分(交流成分)が抽出され、さらにそのピーク値がインピーダンス検出信号としてマイコン38に出力される。マイコン38では、A/F検出信号に基づいてA/F(排ガス中の酸素濃度)が算出されるとともに、インピーダンス検出信号に基づいて素子インピーダンスが算出される。
ここで、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点で計測される電圧信号において、A/F信号分とインピーダンス信号分とは電圧レベルが相違するが、A/F信号出力部31及びインピーダンス信号出力部32には別系統で電圧信号が取り込まれ、それらが個別に増幅されるため、従来技術(図10の回路構成)にように、A/F信号分を基準に増幅を行うことで素子インピーダンスの検出精度が低下し、他方、インピーダンス信号分を基準に増幅を行うことでA/Fの検出精度に悪影響が及ぶといった不都合が解消される。
図4は、センサ素子10の昇温過程(エンジンの冷間始動直後)における各種パラメータの推移を示すタイムチャートであり、同図において(a)には素子温と素子インピーダンスの推移を、(b)、(c)、(d)にはセンサ素子10のS+,S−の各端子電圧の推移を、(e)にはインピーダンス信号出力部32におけるHPF出力とインピーダンス検出信号の推移を、それぞれ示している。(c)、(d)は共にセンサ素子10のS−端子電圧の推移を示すが、(c)はストイキ時の端子電圧、(d)はA/Fリーン時の端子電圧である。なお、センサ素子10のS−端子電圧は、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧と同電圧である。
図4において、エンジン始動時には素子温はほぼ常温となっており、素子インピーダンスは極大値となっている。そして、エンジン始動後には排ガスからの受熱やヒータ通電による昇温制御により徐々に素子温が上昇するとともに、素子インピーダンスが下降している。センサ素子10の活性化が完了すると、素子温は約750℃、素子インピーダンスは39Ωとなっている。
こうしたセンサ素子10の昇温過程において、センサ素子10のS+端子電圧は2.6V固定であり、同S−端子電圧は所定の周波数にて振幅している。ここで、センサ素子10が初期の低温状態にある場合には、素子インピーダンスが極大値であるため、センサ素子10のS−端子電圧は発振器24の出力電圧とほぼ同電圧となっている(正側及び負側の電圧振幅はいずれも1V)。そして、素子温が上昇していくと、素子インピーダンスの低下に伴いセンサ素子10のS−端子電圧の振幅が次第に小さくなる。
ストイキ時とA/Fリーン時とを比較すると、後者の場合にはリーン度合いに応じた素子電流分が電圧信号に重畳されているため、振幅の中心値が高電圧側にシフトしている。つまり、センサ素子10の活性化に伴い、S−端子電圧にA/F信号分(直流成分)が重畳されるようになる。
また、(e)に示すHPF出力は、(c)、(d)に示すS−端子電圧(中間点電圧)から直流成分を排除したものである。そして、HPF出力に対して最大5Vの出力範囲で信号増幅され、さらにそのピーク値が検出されることで、図示のようなインピーダンス検出信号を得ることができる。(c)、(d)いずれの場合にも、HPF出力は(e)となり、A/F検出と共にインピーダンス検出が可能となる。
次に、素子インピーダンスZacの検出に関して具体的な数値及び演算方法を説明する。図5はセンサ回路の略図であり、同図では、交流電圧の中心電圧を2.2V、振幅を±1V(振幅量ΔV=2V)、電流計測抵抗26の抵抗値Rを200Ω、素子活性状態での素子インピーダンスZacを20Ωとしている。なおここでは、例えば排気温加熱などによりセンサ素子10が最も低インピーダンスになる場合を想定してZac=20Ωとしている。
電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧について、交流電圧の印加に対応する電圧変化量ΔVA(HPF35の出力)は、
ΔVA=ΔV×Zac/(Zac+R) …(式1)
となる。具体的には、
ΔVA=2〔V〕×20Ω/(20Ω+200Ω)=0.182〔V〕
である。なお、素子活性前においてZac=250Ωである場合を想定すると、その時の電圧変化量ΔVA(HPF35の出力)は、
ΔVA=2〔V〕×250Ω/(250Ω+200Ω)=1.111〔V〕
である。
マイコン38におけるインピーダンス演算時には、上記式1から求められる次の式2により素子インピーダンスZacが算出される。
Zac=ΔVA×R/(ΔV−ΔVA) …(式2)
交流電圧の印加時において、その電圧振幅に対して増減する電流変化量ΔIは、
ΔI=1〔V〕/(20Ω+200Ω)=4.55mA
である。つまり、インピーダンス検出時に流れるピーク電流は、A/F検出電流IL(都度のA/Fに応じて流れる電流)に対して4.55mAだけ加増したものとなる。例えば、IL=2mAであれば、ピーク電流=6.55mAとなる。
既存のセンサ回路としては図6に示す回路構成も知られており、ここでは比較例として図6を説明し、回路上の電流経路に流れる電流レベルの差を説明する。
図6において、センサ素子10の一方の端子には基準電圧41、オペアンプ42及び電流計測抵抗43が図示の如く接続され、他方の端子には印加電圧制御回路44とオペアンプ45とが接続されている。排ガス中の酸素濃度(A/F)に応じて素子電流が流れると、その素子電流が電流計測抵抗43の両端子間電圧により計測され、さらにその電圧信号がA/F信号増幅回路46にて増幅された後、A/F検出信号としてマイコン(図示略)等に出力される。
また、インピーダンス検出時には、印加電圧制御回路44により一時的に過渡電圧(所定周波数域の交流電圧)が出力され、その過渡電圧に応答する電流変化に基づいてインピーダンス検出信号が取得されるようになっている。すなわち、インピーダンス検出に際して一時的に過渡電圧が出力されると、センサ素子10には都度の素子インピーダンスに応じた電流変化が生じ、その電流変化量が電流計測抵抗43により計測される。そして、その電流変化量がHPF47及びピークホールド回路48にて信号処理された後、インピーダンス検出信号としてマイコン等に出力される。その後、マイコン等において、電圧変化量と電流変化量(インピーダンス検出信号)とに基づいて素子インピーダンスが算出される。
上記図6の構成では、過渡電圧印加時の電圧変化量ΔVと電流変化量ΔIとから素子インピーダンスZacが算出される(Zac=ΔV/ΔI)。この場合、電圧変化量ΔVは一定値であり、センサ素子の活性後などにおいて素子インピーダンスが小さくなると、素子電流が大きくなる。例えば、ΔV=0.2V、Zac=20Ωの場合、電流変化量ΔIは10mAとなる。
ここで、図6の回路構成ではインピーダンス検出時に流れる電流が12mA(ピーク電流=2mA+10mA)であるのに対し、上記図1で説明した回路構成では例えば6.55mA(ピーク電流=2mA+4.55mA)となる。本実施形態の回路構成では、回路上を流れる電流が小さくできることから、オペアンプ25等に流れる駆動電流が小さくなる。この場合、オペアンプのチップ面積(具体的には、出力段のトランジスタスペース等)を小さくすることができ、回路ICの小型化が可能となる。故に、近年における電子制御ユニット(ECU)の小型化の要望に応えることができる。
次に、電流計測抵抗26の抵抗値Rや交流電圧の振幅量ΔVについて望ましい数値範囲を説明する。図7において、(a)には電流計測抵抗26の抵抗値RとA/F検出誤差との関係を示し、(b)には電流計測抵抗26の抵抗値Rと素子インピーダンスの検出分解能との関係を示し、(c)には振幅量ΔV(掃引電圧)と素子電流との関係を示し、(d)には振幅量ΔV(掃引電圧)とインピーダンス検出精度との関係を示す。なお、(c)、(d)ではR=200Ωでの計測結果を示している。
(a)に示すように、電流計測抵抗26の抵抗値Rが大きいほどA/F検出精度が良くなる。その反面、(b)に示すように、電流計測抵抗26の抵抗値Rが大きいほど素子インピーダンスの検出分解能が低下する。故に、これらを併せ考え、150〜250Ωを抵抗値Rの適正範囲とし、そのうちR=200Ωを最適値としている。
また、(c)に示すように、交流電圧の振幅量ΔVが小さいほど素子電流が小さくなり、これによってオペアンプ等の駆動電流が小さくなるため回路ICの小型化等の面で優位となる。その反面、(d)に示すように、振幅量ΔVが小さいほど素子インピーダンス検出精度が低下する。故に、これらを併せ考え、1.5〜2.5Vを振幅量ΔVの適正範囲とし、そのうちΔV=2Vを最適値としている。
次に、交流電圧の周波数に関しては、まず第1に、固体電解質層を有してなるセンサ素子10のセンサ特性を考慮すると、1kHz以上が望ましい。また、A/F信号出力部31では、LPFにより、計測信号(電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧)から交流電圧の周波数成分を排除しているが、LPFにより抽出される電流成分にはA/Fの変動成分(エンジンの回転等に依存する数100Hz程度の変動成分)が含まれており、A/F検出成分とインピーダンス検出成分とを明確に分離するには、LPFのカットオフ周波数と明確な差を付けておくのが望ましい。故に、10kHz以上が必要であると考えられる。
また、本センサ回路に接続される電気配線(ハーネス)に対するL成分の影響を考えると、高い周波数は不適である。さらに、オペアンプの応答性や動作のバラツキによる検出誤差を加味すると、20kHz程度が上限であると考えられる。以上により、交流電圧の周波数について10〜20kHzが適正範囲であると考えられる。
以上詳述した本実施形態によれば、以下の優れた効果が得られる。
電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧を、A/F信号出力部31とインピーダンス信号出力部32とにそれぞれ別系統で取り込む構成としたため、A/Fに対応する電圧信号と素子インピーダンスに対応する電圧信号との電圧レベルが相違しても、それら各電圧信号に対して各々適した信号処理(増幅等)を個別に行うことができる。またこのとき、A/F検出に関して2段の増幅を要することもない。したがって、A/F検出とインピーダンス検出とをいずれも高精度で行うことが可能となる。
A/F検出及びインピーダンス検出に関して、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧(分圧電圧)により電圧信号を計測する構成としたため、抵抗の両端子間電圧により同電圧信号を計測していた従来技術(例えば図10の回路構成)とは異なり、差動増幅回路などの電流電圧変換手段を用いることなく、電圧信号を直接取り込むことができる。よって、A/F検出及びインピーダンス検出に関して差動増幅回路等が不要となり、回路構成の簡素化が可能となる。
差動増幅回路が不要になる理由について補足説明する。図1においてオペアンプ25の出力は交流電圧であるが平均値は一定(例えば電圧振幅範囲1.2V〜3.2Vの場合、平均値は2.2V)であるため、中間点で計測した電圧のみでA/Fを検出することができる。これに対し、従来技術(図10の回路構成)では、印加電圧制御のため直流電圧源61の電圧を変更する場合、抵抗63の両端子間電圧は一定とならない。よって、差動増幅器65が必要となる。
A/F信号出力部31及びインピーダンス信号出力部32において、各々入力される電圧信号を個別の増幅率にて増幅する構成としたため、A/F検出信号及びインピーダンス検出信号を望み通りに増幅できる。したがって、マイコン38のAD処理範囲等に応じて信号処理を行うことができ、A/F検出やインピーダンス検出の分解能を高めることができる。
本発明は上記実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施されても良い。
上記実施形態では、図1にて説明したとおり、センサ素子10のS+端子側を固定電圧(2.6V固定)、同S−端子側を交流電圧(2.2V±1V)とするとともに、交流電圧源(発振器24)とセンサ素子10との間に電流計測抵抗26を設けたが、これを図8(a)〜(c)のように変更する。なおここでは、説明を簡便にするために図5相当の略図を示し、それとの違いについて述べる。
図8(a)では、上記図1(図5)との相違点として、センサ素子10のS+端子側を交流電圧(2.6V±1V)、同S−端子側を固定電圧(2.2V固定)としている。また、図8(b)は、図1(図5)の構成に対してセンサ素子10と電流計測抵抗26とを入れ替え、図8(c)は、図8(a)の構成に対してセンサ素子10と電流計測抵抗26とを入れ替えている。ただしいずれの構成においても、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧が、インピーダンス信号出力部32のHPF35に取り込まれるようになっている。上記図8(a)〜(c)のいずれの構成であっても、上記同様、素子インピーダンスを適正に検出することができる。
上記実施形態では、A/F信号出力部31(第1の信号出力部に相当)が、電流計測抵抗26とセンサ素子10との間の中間点電圧を取り込み、その中間点電圧に基づいてA/F検出信号を出力したが、これを変更する。すなわち、図9に示すように、電流計測抵抗26の両端子間電圧を取り込み、その両端子間電圧に基づいてA/F検出信号を出力する構成であっても良い。この場合、A/F信号出力部31には、電流計測抵抗26の両方の端子電圧を入力とする2つのLPF51,52が設けられ、そのLPF51,52の出力が差動増幅回路53に入力される。そして、差動増幅回路53の出力信号がA/F検出信号としてマイコン38に出力される。
酸素濃度を検出対象とするA/Fセンサ以外に、他のガス濃度成分を検出対象とするガス濃度センサにも本発明が適用できる。例えば、複合型のガス濃度センサは、固体電解質にて形成された複数のセルを有し、そのうち第1セル(ポンプセル)では被検出ガス中の酸素を排出又はくみ出すと共に酸素濃度を検出し、第2セル(センサセル)では酸素排出後のガスから特定成分のガス濃度を検出する。このガス濃度センサは、例えば排ガス中のNOx濃度を検出するNOxセンサとして具体化されるものであり、本発明の適用により、NOx濃度の検出精度や素子インピーダンスの検出精度が向上する。また、上記第1セル、第2セルに加え、酸素排出後の残留酸素濃度を検出するための第3セル(モニタセル、若しくは第2ポンプセル)等の複数のセルを有するガス濃度センサであっても良い。
ガス濃度成分としてHC濃度やCO濃度を検出可能とするガス濃度センサにも適用できる。この場合、ポンプセルにて被検出ガス中の余剰酸素を排出し、センサセルにて余剰酸素排出後のガスからHCやCOを分解してHC濃度やCO濃度を検出する。さらに、車載エンジン用以外の用途で本発明のガス濃度検出装置に用いることや、排ガス以外のガスを被検出ガス(検出対象)とすることも可能である。車載エンジン用以外の用途で本発明のガス濃度検出装置を用いる場合、交流電圧の周波数が1〜20kHzの範囲内の周波数で適宜設定されると良い。
実施の形態においてセンサ回路の電気的構成を示す回路図。 センサ素子の構成を示す断面図。 A/Fセンサの電圧−電流特性を示す図。 センサ素子の昇温過程における各種パラメータの推移を示すタイムチャート。 センサ回路の略図。 従来のセンサ回路を示す回路図。 電流計測抵抗の抵抗値や交流電圧の振幅量について望ましい数値範囲を説明するための図。 別の実施形態におけるセンサ回路の略図。 別の実施形態におけるセンサ回路図。 従来技術におけるセンサ回路図。
符号の説明
10…センサ素子、11…固体電解質層、15,16…電極、21…基準電源(電圧印加部)、24…発振器(交流電圧印加手段)、26…電流計測抵抗、31…A/F信号出力部(第1の信号出力部)、32…インピーダンス信号出力部(第2の信号出力部)、33…オペアンプ、34…LPF部、35…HPF、36…ピークホールド回路、38…マイコン(演算装置)。

Claims (6)

  1. 固体電解質層を有してなり、電圧が印加された状態で被検出ガス中のガス濃度に応じた素子電流を流すセンサ素子を備えるガス濃度センサに適用され、前記素子電流に基づいて被検出ガス中のガス濃度を検出するガス濃度検出装置において、
    前記センサ素子に交流電圧を印加する交流電圧印加手段と、
    前記交流電圧印加手段による交流電圧の印加に伴い電流が流れる交流電流経路にて前記センサ素子に直列に接続される電流計測抵抗と、
    前記電流計測抵抗により計測した電圧信号から、前記素子電流のうち被検出ガス中のガス濃度に相応する電流分を抽出し、演算装置に出力する第1の信号出力部と、
    前記センサ素子と前記電流計測抵抗との中間点でこれらセンサ素子及び電流計測抵抗の分圧電圧として計測した電圧信号から、前記素子電流のうち当該センサ素子の抵抗成分に相応する電流分を抽出し、演算装置に出力する第2の信号出力部と、
    を備え、
    前記第1の信号出力部と前記第2の信号出力部とに前記交流電流径路からそれぞれ別系統で電圧信号を取り込む構成としたことを特徴とするガス濃度検出装置。
  2. 前記第1の信号出力部及び前記第2の信号出力部に、各々入力される前記電圧信号を増幅するための増幅回路部を設け、それら増幅回路部の増幅率を各々個別に設定した請求項1に記載のガス濃度検出装置。
  3. 前記第1の信号出力部は、前記センサ素子と前記電流計測抵抗との中間点で計測した電圧信号から、前記素子電流のうち被検出ガス中のガス濃度に相応する電流分を抽出する請求項1又は2に記載のガス濃度検出装置。
  4. 前記第1の信号出力部は、前記電圧信号の直流成分のみを抽出するフィルタ手段と、前記演算装置における信号入力部の電圧処理範囲に応じて前記電圧信号を増幅する増幅手段とを備える請求項1乃至3のいずれかに記載のガス濃度検出装置。
  5. 前記第2の信号出力部は、前記センサ素子と前記電流計測抵抗との間の中間点電圧の交流成分のみを抽出するフィルタ手段と、該フィルタ手段により抽出した交流成分のピーク値を検出するピーク検出手段とを備える請求項1乃至4のいずれかに記載のガス濃度検出装置。
  6. 前記交流電圧印加手段により印加される交流電圧の周波数を1〜20kHzとした請求項1乃至5のいずれかに記載のガス濃度検出装置。
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