JP4816234B2 - Unbalance-balance conversion filter and duplexer using the same - Google Patents
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Description
本発明は、通信機器の技術分野に属するものであり、不平衡−平衡変換フィルタに関するもので、特に薄膜圧電共振器を用いた不平衡−平衡変換フィルタとそれを用いた送受切換器に関するものである。 The present invention belongs to the technical field of communication equipment and relates to an unbalance-balance conversion filter, and more particularly to an unbalance-balance conversion filter using a thin film piezoelectric resonator and a transmission / reception switch using the same. is there.
セルラ電話機のRF回路部には常に小型化が求められる。最近では、セルラ電話機に多様な機能を付与することが要望されており、その実現のためにはできるだけ多くのコンポーネントを組み込むことが好ましく、一方でセルラ電話機の大きさには制約があるので、結局、機器における専有面積(実装面積)及び高さの低減の要求が厳しく、従ってRF回路部を構成するコンポーネントについても専有面積が小さく、高さの低いものが求められている。 The RF circuit part of a cellular telephone is always required to be downsized. Recently, it has been demanded to add various functions to cellular phones, and it is preferable to incorporate as many components as possible in order to realize them, while the size of cellular phones is limited. Therefore, there is a strict demand for reduction of the exclusive area (mounting area) and height in the equipment, and therefore, components constituting the RF circuit portion are required to have a small exclusive area and a low height.
このような事情から、RF回路に使用される帯域通過フィルタとして、小型でかつ軽量化が可能である薄膜圧電共振器を用いた薄膜圧電フィルタが利用されるようになっている。前記のような薄膜圧電フィルタは、文献に示されているように半導体基板上に上下の電極で挟まれるように窒化アルミニウム(AlN)や酸化亜鉛(ZnO)等の圧電薄膜を形成し、且つ弾性波エネルギーが半導体基板中に漏洩しないように、その直下に空洞を設けた薄膜圧電共振器(Thin Film Bulk Acoustic Resonator:FBAR)からなるRFフィルタである。 Under such circumstances, a thin film piezoelectric filter using a thin film piezoelectric resonator that is small and can be reduced in weight is used as a band pass filter used in an RF circuit. The thin film piezoelectric filter as described above forms a piezoelectric thin film such as aluminum nitride (AlN) or zinc oxide (ZnO) so as to be sandwiched between upper and lower electrodes on a semiconductor substrate as shown in the literature, and is elastic. The RF filter is formed of a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) in which a cavity is provided immediately below so that wave energy does not leak into the semiconductor substrate.
図6は、薄膜圧電共振器の一実施形態を示し、図6(a)は、その模式的平面図であり、図6(b)は図6(a)のX−X断面図である。図6の薄膜圧電共振器は、圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極8および上部電極10とを有する。薄膜圧電共振器は、エアーギャップ4を有する基板6と、該基板6の上面上の端縁に周縁部が支持されて吊られた形態の圧電スタック12とを有する。該圧電共振器スタック12は、圧電薄膜(圧電体層)2と該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極(下部電極層)8および上部電極(上部電極層)10とからなる。
FIG. 6 shows an embodiment of a thin film piezoelectric resonator, FIG. 6 (a) is a schematic plan view thereof, and FIG. 6 (b) is an XX cross-sectional view of FIG. 6 (a). The thin film piezoelectric resonator of FIG. 6 includes a piezoelectric thin film, and a
図8は従来の薄膜圧電フィルタの一実施形態である梯子型フィルタを、図9には従来の薄膜圧電フィルタの一実施形態である格子型フィルタを示している。図8に示した梯子型フィルは不平衡入力―不平衡出力であり、図9に示した格子型フィルタは平衡入力―平衡出力である。近年は平衡入出力端子を有するIC等の電子部品が主流となっているため、従来は不平衡入出力端子を有する梯子型薄膜圧電フィルタ後段と電子回路間に、バラン回路等の不平衡―平衡変換器を挿入した回路構成をとっていた。バラン回路を導入した場合、RF回路部全体の専有面積が大きくなり好ましくない。近年、薄膜圧電フィルタに不平衡―平衡変換器の機能を持たせた、いわゆる不平衡入力―平衡出力型の薄膜圧電フィルタ(以下、バランス型薄膜圧電フィルタという)の実用化が進められている。 FIG. 8 shows a ladder type filter which is an embodiment of a conventional thin film piezoelectric filter, and FIG. 9 shows a lattice type filter which is an embodiment of a conventional thin film piezoelectric filter. The ladder type filter shown in FIG. 8 is an unbalanced input-unbalanced output, and the lattice type filter shown in FIG. 9 is a balanced input-balanced output. In recent years, electronic components such as ICs with balanced input / output terminals have become the mainstream, so in the past, unbalanced-balanced balun circuits, etc., between the latter stage of ladder-type thin film piezoelectric filters having unbalanced input / output terminals and the electronic circuit. The circuit configuration was such that a converter was inserted. When the balun circuit is introduced, the exclusive area of the entire RF circuit section becomes large, which is not preferable. In recent years, a so-called unbalanced input-balanced output type thin film piezoelectric filter (hereinafter referred to as a balanced type thin film piezoelectric filter) in which a thin film piezoelectric filter has a function of an unbalanced-balanced converter has been put into practical use.
特許文献1および特許文献2には、梯子型フィルタと格子型フィルタを組み合わせることにより、不平衡―平衡変換機能を有するバランス型薄膜圧電フィルタが提案されている。図10(a)および(b)に示すように梯子型フィルタは、通過帯域近傍で、急峻な減衰特性を有しているが、通過帯域から離れた周波数帯域では、減衰特性が悪化する。一方、格子型フィルタは、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性は劣るものの、通過帯域から離れた周波数帯での減衰特性は優れている特長を有している。そのため、特許文献1および特許文献2に記載の薄膜圧電フィルタは、梯子型回路と格子型フィルタの中間的なフィルタ特性を示す。
特許文献1および特許文献2に記載の薄膜圧電フィルタは、梯子型フィルタと格子型フィルタの中間的なフィルタ特性を示すことから、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性は必ずしも十分ではなく、減衰特性の急峻性が重要視される通信システムには、適用できないという欠点を有している。
Since the thin film piezoelectric filters described in
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、不平衡―平衡変換器の機能を有し、且つ、通過帯域近傍での減衰特性の急峻性が良好な小型の薄膜圧電フィルタを提供することを目的としたものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a small thin-film piezoelectric filter having a function of an unbalanced-balanced converter and having a good attenuation characteristic in the vicinity of the passband. It is for the purpose.
本発明は、直列共振器と並列共振器とが梯子型に接続された不平衡回路と平衡回路とを含む不平衡−平衡変換フィルタであって、前記不平衡回路は、第1の入力端子と第2の入力端子と第1の出力端子と第2の出力端子とを含む2端子対回路網であり、前記平衡回路は、第3の入力端子と第4の入力端子と第3の出力端子と第4の出力端子とを含む2端子対回路網であり、前記第1の出力端子は前記第3の入力端子に接続されており、前記第2の出力端子は前記第4の入力端子に接続されており、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子は、グランド端子に接続されており、前記第4の入力端子と前記グランド端子との間に、インダクタを有することを特徴とする不平衡−平衡変換フィルタに関する。
The present invention is an unbalanced-balanced conversion filter including an unbalanced circuit in which a series resonator and a parallel resonator are connected in a ladder form, and a balanced circuit, wherein the unbalanced circuit includes a first input terminal, A two-terminal pair network including a second input terminal, a first output terminal, and a second output terminal, wherein the balanced circuit includes a third input terminal, a fourth input terminal, and a third output terminal. And a fourth output terminal, wherein the first output terminal is connected to the third input terminal, and the second output terminal is connected to the fourth input terminal. The second input terminal and the second output terminal are connected to a ground terminal, and an inductor is provided between the fourth input terminal and the ground terminal. The present invention relates to an unbalanced-balanced conversion filter.
また、本発明は、前記不平衡回路と前記平衡回路とを構成する直列共振器および並列共振器が、薄膜圧電共振器であることを特徴とする前記不平衡−平衡変換フィルタに関する。 The present invention also relates to the unbalanced-balanced conversion filter, wherein the series resonator and the parallel resonator constituting the unbalanced circuit and the balanced circuit are thin film piezoelectric resonators.
また、本発明は、前記不平衡回路を構成する並列共振器と前記グランド端子との間にインダクタを有することを特徴とする前記不平衡−平衡変換フィルタに関する。 The present invention also relates to the unbalanced-balanced conversion filter, characterized in that an inductor is provided between the parallel resonator constituting the unbalanced circuit and the ground terminal.
また、本発明は、前記不平衡―平衡変換フィルタを受信フィルタに用いた送受切換器に関する。 The present invention also relates to a transmission / reception switch using the unbalance-balance conversion filter as a reception filter.
本発明によれば、直列共振器と並列共振器とが梯子型に接続された不平衡回路と平衡回路とを含む不平衡−平衡変換フィルタであって、前記不平衡回路は、第1の入力端子と第2の入力端子と第1の出力端子と第2の出力端子とを含む2端子対回路網であり、前記平衡回路は、第3の入力端子と第4の入力端子と第3の出力端子と第4の出力端子とを含む2端子対回路網であり、前記第1の出力端子は前記第3の入力端子に接続されており、前記第2の出力端子は前記第4の入力端子に接続されており、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子は、グランド端子に接続されており、前記第4の入力端子と前記グランド端子との間に、インダクタを有する不平衡−平衡変換フィルタとすることで、不平衡―平衡変換器の機能を有するとともに、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性が良好なバランス型薄膜圧電フィルタを提供することができる。
According to the present invention, there is provided an unbalanced-balanced conversion filter including an unbalanced circuit and a balanced circuit in which a series resonator and a parallel resonator are connected in a ladder shape, and the unbalanced circuit has a first input. A two-terminal pair network including a terminal, a second input terminal, a first output terminal, and a second output terminal, wherein the balanced circuit includes a third input terminal, a fourth input terminal, and a third input terminal. A two-terminal network including an output terminal and a fourth output terminal, wherein the first output terminal is connected to the third input terminal, and the second output terminal is the fourth input terminal. The second input terminal and the second output terminal are connected to a ground terminal, and there is an unbalance having an inductor between the fourth input terminal and the ground terminal. -By using a balanced conversion filter, it has the function of an unbalanced-balanced converter. It can steepness of attenuation characteristics near the passband to provide a good balanced film piezoelectric filter.
本発明によれば、前記不平衡回路と前記平衡回路とを構成する直列共振器および並列共振器が、薄膜圧電共振器である前記不平衡―平衡変換フィルタとすることで、不平衡―平衡変換器の機能を有するとともに、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性が良好なバランス型薄膜圧電フィルタを提供することができる。 According to the present invention, the series resonator and the parallel resonator constituting the unbalanced circuit and the balanced circuit are the unbalanced-balanced conversion filter that is a thin film piezoelectric resonator, so that the unbalanced-balanced conversion is achieved. It is possible to provide a balanced thin-film piezoelectric filter that has a function of a vessel and has a good steepness in the attenuation characteristic in the vicinity of the passband.
また、本発明によれば、前記不平衡回路を構成する並列共振器と前記グランド端子との間にインダクタを有する前記不平衡−平衡変換フィルタとすることで、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性が良好なバランス型薄膜圧電フィルタを提供することができる Further, according to the present invention, the unbalanced-balanced conversion filter having an inductor between the parallel resonator constituting the unbalanced circuit and the ground terminal makes the steepness of the attenuation characteristic near the passband. Can provide a good balance type thin film piezoelectric filter
また、本発明によれば、前記不平衡―平衡変換フィルタを受信フィルタに用いた送受切換器とすることで、受信出力側に不平衡―平衡変換器の機能を有するとともに、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性が良好な送受切換器を提供することができる。 According to the present invention, the unbalance-balance conversion filter is used as a transmission / reception switch for the reception filter, so that the reception output side has the function of an unbalance-balance conversion and has an attenuation near the passband. It is possible to provide a transmission / reception switch with good characteristics steepness.
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
本発明は、不平衡―平衡変換器の機能を有し、且つ、通過帯域近傍での減衰特性の急峻性が良好な小型の薄膜圧電フィルタを提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide a small-sized thin film piezoelectric filter having a function of an unbalanced-balanced converter and having a good steepness of attenuation characteristics in the vicinity of the pass band.
本発明のバランス型薄膜圧電フィルタは、直列共振器と並列共振器とが梯子型に接続された不平衡回路と平衡回路とを含む不平衡−平衡変換フィルタであって、前記不平衡回路は、第1の入力端子と第2の入力端子と第1の出力端子と第2の出力端子とを含む2端子対回路網であり、前記平衡回路は、第3の入力端子と第4の入力端子と第3の出力端子と第4の出力端子とを含む2端子対回路網であり、前記第1の出力端子は前記第3の入力端子に接続されており、前記第2の出力端子は前記第4の入力端子に接続されており、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子は、グランド端子に接続されており、前記第4の入力端子と前記グランド端子との間に、インダクタを有することを特徴とする不平衡―平衡変換フィルタとすることで、不平衡―平衡変換器の機能を有するとともに、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性が良好なバランス型薄膜圧電フィルタを提供することができる。 The balanced thin film piezoelectric filter of the present invention is an unbalanced-balanced conversion filter including an unbalanced circuit and a balanced circuit in which a series resonator and a parallel resonator are connected in a ladder shape, and the unbalanced circuit includes: A two-terminal pair network including a first input terminal, a second input terminal, a first output terminal, and a second output terminal, wherein the balanced circuit includes a third input terminal and a fourth input terminal. And a third output terminal and a fourth output terminal, wherein the first output terminal is connected to the third input terminal, and the second output terminal is The second input terminal and the second output terminal are connected to a ground terminal, and an inductor is connected between the fourth input terminal and the ground terminal. imbalance characterized by having a - with equilibrium conversion filter, not衡 - has a function of balanced converter can steepness of attenuation characteristics near the passband to provide a good balanced film piezoelectric filter.
図1は本発明のバランス型薄膜圧電フィルタの一実施形態を示しており、第1の入力端子101と第2の入力端子102と第1の出力端子103と第2の出力端子104とを備えた不平衡回路である梯子型フィルタ部110と、第3の入力端子105と第4の入力端子106と第3の出力端子107と第2の出力端子108とを備えている平衡回路である梯子型フィルタ部120を組み合わせた回路構成となっている。前記不平衡回路の第1の出力端子103は前記不平衡回路の第3の入力端子105と、前記不平衡回路の第2出力端子104は前記不平衡回路の第4の入力端子106と接続されている。また、前記第2の入力端子102と前記第2の出力端子104はグランド端子に接続されている。従って、入力端子101および102からなる入力端子は不平衡端子で、出力端子107および108からなる出力端子は平衡端子であることから、不平衡-平衡変換機能を有するバランス型フィルタとなる。
FIG. 1 shows an embodiment of a balanced thin film piezoelectric filter of the present invention, which includes a
不平衡回路である梯子型フィルタ部110は、直列共振器111、113と、並列共振器112、114から構成されており、並列共振器112、114は接地されている。本発明の不平衡回路である梯子型フィルタ部は、図1に記載された回路構成に限定されるものでは無く、直列共振器と並列共振器とからなる不平衡回路である梯子型フィルタであれば、本発明の効果を得ることができる。
The
平衡回路である梯子型フィルタ部120は、直列共振器121、123と、並列共振器122、124から構成されている。本発明の平衡回路である梯子型フィルタ部120は、図1に記載された回路構成に限定されるものでは無く、直列共振器と並列共振器とからなる平衡回路である梯子型フィルタであれば、本発明の効果を得ることができる。
The ladder-
本発明の梯子型フィルタ110および120を構成する直列共振器111、113、121、123と、並列共振器112、114、122、124は、例えば、図6(a)および(b)に示したような薄膜圧電共振器からなることが好ましい。薄膜圧電共振器は高い品質係数Q値を有することから、本発明の目的の一つである通過帯域近傍の減衰特性の急峻性が優れているためである。
The series resonators 111, 113, 121, and 123 and the
図2は本発明のバランス型薄膜圧電フィルタの一実施形態を示している。第1の入力端子101と第2の入力端子102と第1の出力端子103と第2の出力端子104とを備えた不平衡回路である梯子型フィルタ部110と、第3の入力端子105と第4の入力端子106と第3の出力端子107と第4の出力端子108とを備えている平衡回路である梯子型フィルタ部120を組み合わせた回路構成となっている点は、図1の実施例と同様である。不平衡回路である梯子型フィルタ部110では、並列共振器112および114がインダクタ(131、132)を介してグランド端子に接続された構成となっているとともに、一方の平衡回路である梯子型フィルタ部120では、直列共振器123と並列共振器122の接続ノードがインダクタ133を介して第2の出力端子104に接続されている点が図1の実施形態とは異なっている。インダクタ(131、132、133)を介してグランド端子に接続することにより、通過帯域外に出現する減衰極を制御することが可能となる。
FIG. 2 shows an embodiment of a balanced thin film piezoelectric filter of the present invention. A ladder-
図1で示した実施形態と同様に、本発明の梯子型フィルタ部110および120の構成は図2に示した回路構成に限定されるものでは無く、不平衡回路である梯子型フィルタ部110を構成する並列共振器の少なくとも一つが、インダクタを介して接地されている場合、本発明の実施形態である。また、平衡回路である梯子型フィルタ部120を構成している直列共振器と並列共振器の接続ノードがインダクタを介して、前記梯子型フィルタ部110のグランド端子に接続されている出力端子(図2では出力端子104に相当する。)に接続されていることが、本発明の特徴である。
As in the embodiment shown in FIG. 1, the configuration of the
図3は本発明のバランス型薄膜圧電フィルタの一実施形態を示している。第1の入力端子101と第2の入力端子102と第1の出力端子103と第2の出力端子104とを備えた不平衡回路である梯子型フィルタ部110と、第3の入力端子105と第4の入力端子106と第3の出力端子107と第4の出力端子108とを備えている平衡回路である梯子型フィルタ部120を組み合わせた回路構成となっている点は、図1および図2の実施形態と同様である。また、不平衡回路である梯子型フィルタ110を構成している並列共振器がインダクタを介してグランド端子に接続されている点も図2と同様であるが、図3の実施形態では、複数の並列共振器(並列共振器112および114)が一つインダクタ141を介してグランド端子に接続されている点が、図2の実施形態とは異なる。このように、複数の並列共振器を一つのインダクタを介して接地させることにより、比較的小さなインダクタンスで通過帯域近傍の高周波数側に減衰極を出現させることが可能であり、フィルタの小型化に非常に有利である。
FIG. 3 shows an embodiment of the balanced thin film piezoelectric filter of the present invention. A ladder-
図1および図2で示した実施形態と同様に、本発明の梯子型フィルタ部110および120の構成は図3に示した回路構成に限定されるものでは無く、不平衡回路である梯子型フィルタ部110を構成する並列共振器の少なくとも2つが、同一のインダクタを介して接地されている場合、本発明の実施形態である
As in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the configuration of the
図4は本発明の送受切換器の一実施形態を示している。受信フィルタ100は、第1の入力端子101と第2の入力端子102(図示せず)と第1の出力端子103(図示せず)と第2の出力端子104(図示せず)とを備えた不平衡回路である梯子型フィルタ部110と、第3の入力端子105(図示せず)と第4の入力端子106(図示せず)と第3の出力端子107と第4の出力端子108とを備えている平衡回路である梯子型フィルタ部120を組み合わせた回路構成となっている。また、アンテナ、受信フィルタ間には位相シフタを設置することにより、送信フィルタ200の特性劣化を抑制することができる。送信フィルタ200は、従来の梯子型回路で構成される不平衡回路である梯子型フィルタ200であり、送信入力ポートは不平衡入力となっている。このように、本発明の送受切換器では、受信ポートが平衡端子となり、且つ、送信ポートが不平衡端子の送受切換器とすることができる。
FIG. 4 shows an embodiment of the duplexer according to the present invention. The
本発明では、受信フィルタとして、第1の入力端子101と第2の入力端子と第1の出力端子と第2の出力端子とを備えた不平衡回路である梯子型フィルタ部110と、第3の入力端子と第4の入力端子と第3の出力端子107と第4の出力端子108とを備えている平衡回路である梯子型フィルタ部120を組み合わせた回路構成となっており、また、送信フィルタとして、梯子型フィルタを用いていることから通過帯域近傍の減衰特性が良好な送受切換器とすることができる。
In the present invention, as a reception filter, a
図1から図3で示した実施形態と同様に、本発明の送受切換器を構成する受信フィルタの梯子型フィルタ部110および120の構成は図4に示した回路構成に限定されるものでは無く、不平衡回路である梯子型フィルタ部110は直列共振器と並列共振器とからなる不平衡回路である梯子型フィルタであり、平衡回路である梯子型フィルタ部120は、直列共振器121、123と、並列共振器122、124から構成されている場合、本発明の実施形態である。また、図2から3に示したように並列共振器がインダクタを介して接地されているバランス型フィルタを受信フィルタに用いた場合も、本発明の実施形態に含まれる。
Similar to the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the configuration of the
本発明の送受切換器を構成する直列共振器および並列共振器は、薄膜圧電共振器からなることが好ましい。薄膜圧電共振器の例として、例えば図6に示すような形態を挙げることができる。薄膜圧電共振器は高い品質係数Q値を有することから、本発明の目的の一つである通過帯域近傍の減衰特性の急峻性が優れているためである。 The series resonator and the parallel resonator constituting the transmission / reception switching device of the present invention are preferably formed of a thin film piezoelectric resonator. As an example of the thin film piezoelectric resonator, for example, a form as shown in FIG. This is because the thin film piezoelectric resonator has a high quality factor Q value, and therefore, the steepness of the attenuation characteristic in the vicinity of the pass band, which is one of the objects of the present invention, is excellent.
本発明の薄膜圧電フィルタを構成している薄膜圧電共振器の構成および材料は、従来の薄膜圧電共振器と同様な構成および材料を適用することができる。例えば、基板6はシリコン基板、ガリウム砒素基板、ガラス基板などからなるものでよく、エアーギャップ4は異方性湿式エッチング、RIE(Reactive Ion Etching)などの従来技術により形成することができる。圧電薄膜(圧電層)2は、例えば、酸化亜鉛(ZnO)や窒化アルミニウム(AlN)のような薄膜として製造できる圧電材料からなるものでよい。
As the configuration and material of the thin film piezoelectric resonator constituting the thin film piezoelectric filter of the present invention, the same configuration and material as those of the conventional thin film piezoelectric resonator can be applied. For example, the
上記のような薄膜圧電共振器は次のようにして作製することができる。シリコンウェハなどの基板6上に湿式エッチング等の技術によりピット部を形成した後、CVD法等の成膜技術により犠牲層を形成する。その後、CMP法などの平坦化技術により基板表面を平坦化し、ピット内部にのみ犠牲層が堆積された基板とする。スパッタリング法、蒸着法などの成膜方法で下部電極8、圧電層2、上部電極10を成膜するとともに、湿式エッチング、RIE、リフトオフ法などのパターニング技術を用いて各層をパターニングする。この際、上部電極の中心部に上部電極を形成しない領域40を形成する。更に、前記パターニング技術を用いて、基板上面から犠牲層まで達する貫通孔30を形成した後、エッチング液にて犠牲層を除去する。これにより、ピット部はエアーギャップ4となる。
The thin film piezoelectric resonator as described above can be manufactured as follows. After a pit portion is formed on a
図7には、薄膜圧電共振器の別の一実施形態を示す。エアーギャップ4の代わりに、音響反射層を設けている以外は、図6に示した実施形態と同様であり、本発明の薄膜圧電フィルタに用いられる薄膜圧電共振器として用いることができる。
FIG. 7 shows another embodiment of the thin film piezoelectric resonator. It is the same as the embodiment shown in FIG. 6 except that an acoustic reflection layer is provided in place of the
(実施例1)
図3に示す回路構成で、1900MHz帯のバランスフィルタを作製した。本実施例での各構成層の厚みは、下部電極をMoで厚み300nm、圧電層をAlNで厚み1300nm、上部電極をMoで厚み300nmとした。図5にこのようにして形成したバランス型薄膜圧電フィルタの振幅特性を示す。図5より明らかなように、通過帯域近傍の減衰特性は急峻であり、通過帯域と阻止帯域が近接している通信システムへの適用が可能である。
Example 1
A 1900 MHz band balance filter was fabricated with the circuit configuration shown in FIG. The thickness of each component layer in this example was set such that the lower electrode was made of Mo with a thickness of 300 nm, the piezoelectric layer was made of AlN with a thickness of 1300 nm, and the upper electrode was made of Mo with a thickness of 300 nm. FIG. 5 shows the amplitude characteristics of the balanced thin film piezoelectric filter formed as described above. As is clear from FIG. 5, the attenuation characteristic in the vicinity of the pass band is steep, and it can be applied to a communication system in which the pass band and the stop band are close to each other.
2 圧電層
4 エアーギャップ
6 基板
8 下部電極
10 上部電極
12 圧電共振器スタック
14 音響インピーダンス変換器
30 犠牲層エッチング用貫通孔
100 受信フィルタ
101、104 不平衡入力端子
103、104 不平衡出力端子
105、106 平衡入力端子
107、108 平衡出力端子
110 不平衡回路である梯子型フィルタ部
120 平衡回路である梯子型フィルタ部
111、113、梯子型フィルタ部110を構成する直列共振器
112、114、梯子型フィルタ部110を構成する並列共振器
121、123、梯子型フィルタ部120を構成する直列共振器
122、124、梯子型フィルタ部120を構成する並列共振器
131、132、133、141、142 インダクタ
151、153、155 従来の梯子型フィルタを構成する直列共振器
152、154、156 従来の梯子型フィルタを構成する並列共振器
161、163 従来の格子型フィルタを構成する直列共振器
162、164 従来の格子型フィルタを構成する並列共振器
200 送信フィルタ
211、213、215、217 送信フィルタ200を構成する直列共振器
212、214、216、218 送信フィルタ200を構成する並列共振器
2 Piezoelectric
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