JP4850422B2 - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）素子やＬＥＤ（発光ダイオード）などの自発光素子を駆動するための能動素子を含む表示装置およびその駆動方法に関し、特に、有機半導体を使用したＴＦＴ（薄膜トランジスタ；thin film transistor）を能動素子として含む表示装置およびその駆動方法に関する。

ＴＦＴは、有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイといったアクティブマトリクス型ディスプレイを駆動するための能動素子として広く使用されている。図１は、たとえば有機ＥＬ素子であるＯＬＥＤ(Organic Light Emitting diode)１００を駆動する等価回路の一例を示す図である。図１を参照すると、この等価回路は、能動素子である２つのｐチャンネルＴＦＴ１０１，１０２と、キャパシタＣ_Sとを含む。走査線Ｗ_Sは選択ＴＦＴ１０１のゲートに接続され、データ線Ｗ_Dは選択ＴＦＴ１０１のソースに接続され、一定の電源電圧Ｖ_DDを供給する電源線Ｗ_Kは駆動ＴＦＴ１０２のソースに接続されている。選択ＴＦＴ１０１のドレインは駆動ＴＦＴ１０２のゲートに接続されており、駆動ＴＦＴ１０２のゲートとソース間にキャパシタＣ_Sが形成されている。ＯＬＥＤ１００のアノードは駆動ＴＦＴ１０２のドレインに、そのカソードは共通電位にそれぞれ接続されている。

走査線Ｗ_Sに選択パルスが印加されると、スイッチとしての選択ＴＦＴ１０１がオンになりソースとドレイン間が導通する。このとき、データ線Ｗ_Dから、選択ＴＦＴ１０１のソースとドレイン間を介してデータ電圧が供給され、キャパシタＣ_Sに蓄積される。このキャパシタＣ_Sに蓄積されたデータ電圧が駆動ＴＦＴ１０２のゲートとソース間に印加されるので、駆動ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧（以下、ゲート電圧と称する。）Ｖｇｓに応じたドレイン電流Ｉｄが流れ、ＯＬＥＤ１００に供給されることとなる。しかしながら、駆動ＴＦＴ１０２の閾値電圧は駆動時間とともにシフトする。ＴＦＴのゲート電圧Ｖｇｓとドレイン電流Ｉｄとの関係の一例を図２に示す。図２に示されるように、初期状態での曲線１２０Ａは駆動時間とともに曲線１２０Ｂへシフトし、ゲート閾値電圧がＶｔｈ１からＶｔｈ２へシフトする現象が見られる。このような閾値電圧シフトは、ＯＬＥＤの発光輝度の低下やＴＦＴの動作不能を引き起こすという問題がある。

ＴＦＴを構成する活性層には、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、多結晶シリコンもしくは低温多結晶シリコンが広く使用されている。近年、これらシリコン材料の代わりに、炭素と水素を骨格とする有機材料を活性層として使用するＴＦＴ（以下、有機ＴＦＴと称する。）が注目されている。図３は、典型的な有機ＴＦＴの断面を概略的に示す図である。この有機ＴＦＴは、プラスチック基板１１１、ゲート電極１１２、絶縁膜１１３、ドレイン電極１１４、ソース電極１１５および有機半導体層１１６を含む。ゲート電極１１２はプラスチック基板１１１上に形成され、絶縁膜１１３はゲート電極１１２を被覆するように形成されている。この絶縁膜１１３上に、互いに対向するドレイン電極１１４およびソース電極１１５が成膜されており、有機半導体層（活性層）１１６がドレイン電極１１４およびソース電極１１５の間に形成されている。有機半導体層１１６の材料としては、比較的キャリア移動度の高い低分子系または高分子系有機材料、たとえば、ペンタセン、ナフタセンまたはポリチオフェン系材料が挙げられる。この種の有機ＴＦＴは、プラスチックなどの可撓性フィルム基板上に比較的低温のプロセスで形成することができるので、機械的に柔軟で、軽量且つ薄型のディスプレイを容易に作製することを可能にするものである。また、有機ＴＦＴは、印刷工程やロール・ツー・ロール（Roll-to-roll）工程によって比較的低コストで形成可能である。上記閾値電圧シフトの現象は、特にアモルファスシリコンＴＦＴや有機ＴＦＴにおいて顕著に現れる。有機ＴＦＴの閾値電圧シフトについては、たとえば、非特許文献１（S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, "Bias stress in organic thin-film transistors and logic gates," Applied Physics Letters Vol 79(8) pp. 1124-1126, August 20, 2001.）に開示されている。

ＴＦＴの閾値電圧シフトを補償し得る駆動回路および駆動方法は、たとえば、特許文献１（特表２００２−５１４３２０号公報）や特許文献２（特開２００２−３５１４０１号公報）に開示されている。これら文献に記載される駆動回路および駆動方法はいずれも、駆動ＴＦＴの閾値電圧シフトを容認しつつ、閾値電圧シフトに関係なくＯＬＥＤの発光輝度を一定に制御し得るものである。しかしながら、これら文献の駆動回路でも閾値電圧シフトの発生を抑えることはできないため、閾値電圧シフトによる消費電力の増大を防止できない。また、駆動ＴＦＴの閾値電圧が許容範囲を超えてシフトすれば、そのシフトを補償することは難しく、ＯＬＥＤの発光輝度のバラツキやＴＦＴの動作不能が起きる。さらに、駆動ＴＦＴ以外の選択ＴＦＴにも閾値電圧シフトが起こるので、選択ＴＦＴの閾値電圧シフトが許容範囲を超えてシフトすれば、選択ＴＦＴの動作不能が起こる。特に有機ＴＦＴの閾値電圧シフトは、低温ポリシリコンＴＦＴや単結晶シリコンＴＦＴのそれと比べると大きいため、有機ＴＦＴを使用するアクティブマトリクス型ディスプレイでは、ＯＬＥＤの発光輝度のバラツキやＴＦＴの動作不能が起きやすいという問題がある。
S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, "Bias stress in organic thin-film transistors and logic gates," Applied Physics Letters Vol 79(8) pp. 1124-1126, August 20, 2001. 特表２００２−５１４３２０号公報（対応米国特許第６，２２９，５０６号） 特開２００２−３５１４０１号公報（対応米国公開特許第２００３１１２２０８号）

以上に鑑みて本発明の目的は、アクティブマトリクス駆動方式において、ＯＬＥＤなどの自発光素子を選択し駆動するために使用されるトランジスタの特性、特に有機半導体を活性層に使用する有機トランジスタの特性を改善し得る表示装置およびその駆動方法を提供することである。

上記目的を達成すべく、請求項１記載の発明は、行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群に走査信号を供給し且つ前記列電極群に画像データ信号を供給する駆動部と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域に形成され前記走査信号および前記データ信号に応じて前記自発光素子をそれぞれ駆動する素子駆動回路と、を含む表示装置であって、前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定する輝度レベル測定部を更に含み、前記素子駆動回路の各々は、前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、且つ前記走査信号により前記制御端子に印加された順バイアスに応じて前記第１および第２の被制御端子間が導通する少なくとも１個の選択トランジスタと、前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、前記駆動部から前記第１および第２の被制御端子間を介して供給された前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続され、且つ前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給する駆動トランジスタと、を含み、前記駆動部は、前記自発光素子に前記駆動電流が供給されない非発光期間内に前記駆動トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ前記駆動トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスの振幅を前記平均輝度レベルに応じて変化させることを特徴としている。

請求項９記載の発明は、行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群に走査信号を供給し且つ前記列電極群に画像データ信号を供給する駆動部と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域にそれぞれ形成され前記走査信号および前記画像データ信号に応じて前記自発光素子を駆動する素子駆動回路と、を含む表示装置であって、前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定する輝度レベル測定部を更に含み、前記素子駆動回路の各々は、前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、且つ前記走査信号により前記制御端子に印加された順バイアスに応じて前記第１および第２の被制御端子間が導通する少なくとも１個の選択トランジスタと、前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、前記駆動部から前記第１および第２の被制御端子間を介して供給された前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続され、且つ前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給する駆動トランジスタと、を含み、前記駆動部は、前記自発光素子に前記駆動電流が供給される発光期間内に前記選択トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ前記選択トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方を前記平均輝度レベルに応じて変化させることを特徴としている。

請求項２０記載の発明は、行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域に形成され前記自発光素子をそれぞれ駆動する素子駆動回路と、からなり、前記素子駆動回路は、前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有する少なくとも１個の選択トランジスタと、キャパシタと、前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し且つ前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続された駆動トランジスタと、を含む表示装置の駆動方法であって、（ａ）前記選択トランジスタに走査信号を供給することにより当該選択トランジスタの制御端子に順バイアスを印加して当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を導通させるステップと、（ｂ）前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を介して前記キャパシタに画像データ信号を供給することにより当該キャパシタに前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積させるステップと、（ｃ）前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給するステップと、（ｄ）前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定するステップと、（ｅ）前記自発光素子に前記駆動電流が供給されない非発光期間内に前記駆動トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ前記駆動トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスの振幅を前記平均輝度レベルに応じて変化させるステップと、を備えることを特徴としている。

請求項２１記載の発明は、行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域に形成され前記自発光素子をそれぞれ駆動する素子駆動回路と、からなり、前記素子駆動回路は、前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有する少なくとも１個の選択トランジスタと、キャパシタと、前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し且つ前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続された駆動トランジスタと、を含む表示装置の駆動方法であって、（ａ）前記選択トランジスタに走査信号を供給することにより当該選択トランジスタの制御端子に順バイアスを印加して当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を導通させるステップと、（ｂ）前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を介して前記キャパシタに画像データ信号を供給することにより当該キャパシタに前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積させるステップと、（ｃ）前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給するステップと、（ｄ）前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定するステップと、（ｅ）前記自発光素子に前記駆動電流が供給される発光期間内に前記選択トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ前記選択トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方を前記平均輝度レベルに応じて変化させるステップと、を備えることを特徴としている。

以下、本発明に係る種々の実施例について説明する。

図４は、本発明に係る実施例である表示装置１を概略的に示すブロック図である。この表示装置１は、基板１０、第２駆動回路１１、第１駆動回路１２、電流供給回路（第３駆動回路）１３、信号制御部２０および電源回路２１を有する。本発明の駆動部は、第２駆動回路１１、第１駆動回路１２、電流供給回路１３および信号制御部２０によって構成され得る。電源回路２１は、外部電源（図示せず）から供給された外部電力ＳＶから、信号制御部２０，第２駆動回路１１，第１駆動回路１２および電流供給回路１３にそれぞれ与える電源電圧を発生するものである。

基板１０としては、ガラス基板またはプラスチック基板が使用され得る。プラスチック基板の材料としては、たとえば、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸エチル）などのアクリル系樹脂，ＰＣ（ポリカーボネート），ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート），ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）またはＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）が挙げられる。

基板１０上には、複数の表示セルＣＬ，…，ＣＬからなる表示部１４、第２駆動回路１１、第１駆動回路１２および電流供給回路１３が形成されている。これら表示セルＣＬ，…，ＣＬの各々が１画素を構成していてもよいし、あるいは、カラー表示または面積階調のために表示セルＣＬ，…，ＣＬのうちの複数個で１画素が構成されてもよい。たとえば、カラー表示のために１画素を構成する３個の表示セルＣＬ，ＣＬ，ＣＬがそれぞれＲ（赤色）、Ｇ（緑色），Ｂ（青色）のカラーフィルタを有してもよいし、１画素を構成する３個の表示セルの点灯と非点灯の組み合わせで２ビットの面積階調を実現してもよい。

また、基板１０上には、水平方向に伸長するＮ本（Ｎは２以上の整数）の走査線（行電極群）Ｓ₁，…，Ｓ_Nと、垂直方向に伸長するＭ本のデータ線（列電極群）Ｄ₁，…，Ｄ_M（Ｍは２以上の整数）と、水平方向に伸長するＮ本の電源線（電源電極群）Ｋ₁，…，Ｋ_Nとが形成されており、走査線（選択電極群）Ｓ₁，…，Ｓ_Nは第２駆動回路１１に接続され、データ線Ｄ₁，…，Ｄ_Mは第１駆動回路１２に接続され、電源線Ｋ₁，…，Ｋ_Nは電流供給回路１３に接続されている。走査線Ｓ₁，…，Ｓ_Nとデータ線Ｄ₁，…，Ｄ_Mとの交点についてそれぞれＭ×Ｎ個の表示セルＣＬ，…，ＣＬが形成されている。

信号制御部２０には、映像信号ＤＩ、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号ＨｓｙｎｃおよびシステムクロックＣＬＫが供給されている。信号制御部２０は、同期信号Ｖｓｙｎｃ，ＨｓｙｎｃとシステムクロックＣＬＫとを用いて、映像信号ＤＩをサンプリングし、サンプリングした映像信号ＤＩを処理してＬビット階調（Ｌは２以上の整数）のデジタル画像信号Ｄ_Sを生成する。また、信号制御部２０は、動作タイミングを示す制御信号Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を発生し、これら信号Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３をそれぞれ第２駆動回路１１，第１駆動回路１２，電流供給回路１３に供給する。

第１駆動回路１２は、シフトレジスタ，ラッチ回路および出力回路（いずれも図示せず）を含み、シフトレジスタは、制御信号Ｃ２に含まれるクロックのタイミングで、信号制御部２０から供給された画像信号Ｄ_Sを順次サンプリングする。ラッチ回路は、シフトレジスタから１水平ライン分のサンプリング信号を取り込み、出力回路は、ラッチ回路で取り込まれた信号をデータ信号に変換する。これらデータ信号はそれぞれデータ線Ｄ₁，…，Ｄ_Mに供給される。ここで、第１駆動回路１２は、データ信号を発生しデータ線Ｄ₁，…，Ｄ_Mに供給する回路群の他に、データ信号とは信号レベルにおいて逆極性の信号を供給する補正回路、たとえば、データ信号の信号レベルが正であれば、信号レベルが負の補正信号を供給する回路を含む。

第２駆動回路１１は、プログレッシブ走査方式で画像を表示する場合は、各フレーム表示期間毎に、走査線Ｓ₁，…，Ｓ_Nに順次走査信号を印加する。インターレース走査方式（飛び越し走査方式）で画像を表示する場合は、各フレームの偶数番目ラインの信号からなる第１フィールドと、奇数番目ラインの信号からなる第２フィールドとが交互に表示されるので、第２駆動回路１１は、各フィールド表示期間毎に、偶数番目ラインまたは奇数番目ライン上の走査線に順次走査信号を印加することとなる。第１駆動回路１２は、走査信号により選択された表示セルＣＬに、データ線Ｄ_Q（Ｑは１〜Ｍのいずれか）を介してデータ信号を供給する。ここで、第２駆動回路１１は、走査信号を発生し走査線Ｓ₁，…，Ｓ_Nに供給する回路群の他に、走査信号とは信号レベルにおいて逆極性の補正信号を供給する回路、たとえば、走査信号の信号レベルが負であれば、信号レベルが正の補正信号を供給する回路を含む。

表示セルＣＬの各々は、自発光素子と少なくとも１個の選択ＴＦＴと少なくとも１個の駆動ＴＦＴとキャパシタとを有する。選択ＴＦＴ、駆動ＴＦＴおよびキャパシタは、自発光素子を駆動する素子駆動回路を構成するものである。本実施例では、自発光素子としてたとえば有機ＥＬ素子であるＯＬＥＤが使用され、選択ＴＦＴおよび駆動ＴＦＴとして有機ＴＦＴが使用される。図５は、ｐチャンネル有機ＴＦＴの閾値電圧シフトを例示するグラフである。グラフの縦軸はゲート閾値電圧Ｖｔｈ（単位：ボルト）を均等目盛で、横軸は駆動時間ｔ（単位：分）を対数目盛で、それぞれ示している。ここで、閾値電圧Ｖｔｈは、有機ＴＦＴのゲートとソースを接地し、ゲート電圧Ｖ_GSとして−２０Ｖ、−３０Ｖおよび＋２０Ｖをそれぞれ印加することにより測定された。測定曲線Ｌ１，Ｌ２は、それぞれ、順バイアス−２０Ｖ，−３０Ｖの印加時の曲線であり、測定曲線Ｌ３は、逆バイアス＋２０Ｖの印加時の曲線である。図５に示される通り、ゲートに順バイアスを印加し続ければ、閾値電圧Ｖｔｈはマイナス方向にシフトする一方で、ゲートに逆バイアスを印加し続ければ、閾値電圧Ｖｔｈはプラス方向にシフトする。したがって、順バイアスの印加によりＴＦＴに閾値電圧シフトが生じた場合、当該ＴＦＴのゲートに逆バイアスを印加すれば、閾値電圧シフトを補正することができる。

本実施例の駆動法は、フレーム表示期間またはフィールド表示期間において、選択ＴＦＴおよび駆動ＴＦＴの各ゲートに順バイアスを印加することで発生した閾値電圧シフトを補正すべく選択ＴＦＴおよび駆動ＴＦＴの各ゲートに逆バイアスを印加するというものである。以下、図６および図７を参照しつつ本実施例の駆動法について説明する。図６は、表示セルＣＬの等価回路の一例を示す図であり、図７は、図６に示した等価回路に与えられる信号の波形を概略的に示すタイミングチャートである。

図６を参照すると、表示セルＣＬは、ｐチャンネル選択ＴＦＴ１５、ｐチャンネル駆動ＴＦＴ１６、キャパシタＣ_SおよびＯＬＥＤ３０を含む。走査線Ｓ_P（Ｐは１〜Ｎのいずれか）は選択ＴＦＴ１５のゲート（制御端子）に接続され、データ線Ｄ_Q（Ｑは１〜Ｍのいずれか）は選択ＴＦＴ１５のソース（被制御端子）に接続され、電源線Ｋ_Pは駆動ＴＦＴ１６のソース（被制御端子）に接続されている。選択ＴＦＴ１５のドレイン（被制御端子）は駆動ＴＦＴ１６のゲート（制御端子）に接続されており、キャパシタＣ_Sの一方の端子は駆動ＴＦＴ１６のゲートに、キャパシタＣ_Sの他方の端子は駆動ＴＦＴ１６のソースにそれぞれ接続されている。ＯＬＥＤ３０のアノードは駆動ＴＦＴ１６のドレイン（被制御端子）に接続され、ＯＬＥＤ３０のカソードには共通電位が与えられる。

図７を参照すると、Ｖ_SEL（１），…，Ｖ_SEL（Ｐ），…，Ｖ_SEL（Ｎ）は、それぞれ、走査線Ｓ₁，…，Ｓ_P，…，Ｓ_Nに印加される電圧を示し、Ｖ_DATは、図６に示す等価回路を通るデータ線Ｄ_Qに印加される電圧を示し、Ｖ_Sは、同等価回路を通る電源線Ｋ_Pに印加される電圧を示し、Ｖ_ELは、同等価回路のＯＬＥＤ３０に印加される電圧を示している。

先ず、データ書き込み期間には、第２駆動回路１１は、負極性の選択パルスＳＰ₁，…，ＳＰ_Nをそれぞれ走査線Ｓ₁，…，Ｓ_Nに順次供給する。これにより、表示セルＣＬ，…，ＣＬは線順次に選択され、選択された表示セルＣＬに選択パルスＳＰ_P（Ｐは１〜Ｎのいずれか）が供給される。この結果、選択パルスＳＰ_Pの電圧（順バイアス）が選択ＴＦＴ１５のゲートに印加されるので、選択ＴＦＴ１５がオンになり選択ＴＦＴ１５のソースとドレイン間が導通する。ただし、選択ＴＦＴ１５のゲートに順バイアスが印加されるので、選択ＴＦＴ１５の閾値電圧がシフトする。

第１駆動回路１２は、選択ＴＦＴ１５のゲートに選択電圧Ｖ_SEL（Ｐ）が印加されている期間内に、負極性のデータパルスＤＰをデータ線Ｄ_Qに供給する。データパルスＤＰは、選択ＴＦＴ１５のソースとドレイン間を介してキャパシタＣ_Sに伝達し、この結果、キャパシタＣ_Sにデータ電圧が蓄積される。

電流供給回路１３は、データ書き込み期間の間、高レベルＬ_Hを持つ正極性の電源電圧Ｖ_Sを電源線Ｋ_Pを介して駆動ＴＦＴ１６のソースに供給し続ける。よって、駆動ＴＦＴ１６は、ゲートとソース間に印加されるデータ電圧に応じた量のドレイン電流ＩｄをＯＬＥＤ３０に供給し、これによりＯＬＥＤ３０に順バイアスＬ_Tが印加され、ＯＬＥＤ３０は発光する。

次の第１のＴＦＴ特性補正期間には、第２駆動回路１１は、正極性の補正パルスＣＰ₁，…，ＣＰ_Nをそれぞれ走査線Ｓ₁，…，Ｓ_Nに順次供給する。これにより、補正パルスＣＰ₁，…，ＣＰ_Nの電圧（逆バイアス）が選択ＴＦＴ１５のゲートに印加されるので、データ書き込み期間に生じた選択ＴＦＴ１５の閾値電圧シフトが補正されることとなる。ただし、データ書き込み期間と第１のＴＦＴ特性補正期間には、駆動ＴＦＴ１６のゲートに順バイアスが印加され続けるので、駆動ＴＦＴ１６の閾値電圧がシフトする。

次のＥＬ特性補正期間においては、第２駆動回路１１は、負極性の選択パルスＲＰ₁，…，ＲＰ_Nをそれぞれ走査線Ｓ₁，…，Ｓ_Nに順次供給し、第１駆動回路１２は、負極性の電圧Ｖ_DATを選択ＴＦＴ１５のソースに供給する。この結果、表示セルＣＬ，…，ＣＬは線順次に選択され、選択された表示セルＣＬの選択ＴＦＴ１５がオンになり、負極性の電圧Ｖ_DATがキャパシタＣ_Sに蓄積される。よって、駆動ＴＦＴ１６がオンになり駆動ＴＦＴ１６のソースとドレイン間が導通する。一方、電流供給回路１３は、電源電圧Ｖ_Sを高レベルＬ_Hから低レベルＬ_Lへ切り替え、ＥＬ特性補正期間の間、低レベルＬ_Lの電源電圧Ｖ_Sを電源線Ｋ_Pを介して駆動ＴＦＴ１６のソースに供給し続ける。よって、駆動ＴＦＴ１６のソースとドレイン間を介してＯＬＥＤ３０に逆バイアスＬ_RVが印加される。したがって、順バイアスの印加により劣化したＯＬＥＤ３０の特性が、逆バイアスの印加によって回復する。

ＯＬＥＤ３０を一定電圧下で駆動し続けた場合、駆動時間の経過とともにＯＬＥＤ３０の発光輝度は低下し、素子性能が劣化することが知られている。本実施例の如く、ＯＬＥＤ３０に対する順バイアスの印加を一定期間中断することで素子性能の回復が可能であり、その中断期間にＯＬＥＤ３０に逆バイアスを印加することで素子性能の回復をさらに向上させることが可能である。

次の第２のＴＦＴ特性補正期間には、第２駆動回路１１は、負極性の選択パルスＭＰ₁，…，ＭＰ_Nをそれぞれ走査線Ｓ₁，…，Ｓ_Nに順次供給し、第１駆動回路１２は、正極性のレベルＬ_Cを持つ電圧Ｖ_DATを選択ＴＦＴ１５のソースに供給する。この結果、表示セルＣＬ，…，ＣＬは線順次に選択され、選択された表示セルＣＬの選択ＴＦＴ１５がオンになり、当該選択ＴＦＴ１５のソースとドレイン間を介して駆動ＴＦＴ１６のゲートに逆バイアスが印加される。一方、電流供給回路１３は、電源電圧Ｖ_Sを低レベルＬ_Lから高レベルＬ_Hへ切り替え、第２のＴＦＴ特性補正期間の間、高レベルＬ_Hの電源電圧Ｖ_Sを電源線Ｋ_Pを介して駆動ＴＦＴ１６のソースとキャパシタＣ_Sとに供給し続ける。

このように、第２のＴＦＴ特性補正期間中に駆動ＴＦＴ１６のゲートに逆バイアスが印加されるので、ＯＬＥＤ３０の発光期間に生じた駆動ＴＦＴ１６の閾値電圧シフトが補正されることとなる。

なお、上記駆動法では、ＥＬ特性補正期間の後に第２のＴＦＴ特性補正期間が続くが、ＥＬ特性補正期間と第２のＴＦＴ特性補正期間との順序を逆にしてもよい。

選択ＴＦＴ１５と駆動ＴＦＴ１６の閾値電圧シフトの補正量は、選択ＴＦＴ１５と駆動ＴＦＴ１６にそれぞれ印加する逆バイアスの振幅とパルス幅（印加時間）に応じて異なる。このため、閾値電圧シフトと逆バイアスの振幅との間の関係、並びに、閾値電圧シフトと逆バイアスの印加時間との間の関係は予め信号制御部２０に設定されている。すなわち、信号制御部２０は、これらの関係を示すルックアップテーブル２０ｔを内部メモリに記憶している。信号制御部２０は、ルックアップテーブル２０ｔを参照しつつ、補正パルスＣＰ₁，…，ＣＰ_Nの振幅およびパルス幅を指定する制御信号Ｃ１を生成し、また、第２のＴＦＴ特性補正期間には駆動ＴＦＴ１６のゲートに印加すべき電圧Ｖ_DATのパルス幅およびレベルＬ_Cを指定する制御信号Ｃ２を生成する。第２駆動回路１１は、制御信号Ｃ１に従った振幅およびパルス幅を持つ補正パルスＣＰ₁，…，ＣＰ_Nを発生し、第１駆動回路１２は、制御信号Ｃ２に従ったパルス幅およびレベルＬ_Cを持つ電圧Ｖ_DATを発生する。

以上の如く、上記表示装置１は、各フレーム表示期間毎または各フィールド表示期間毎に、選択ＴＦＴ１５および駆動ＴＦＴ１６の閾値電圧シフトを補正するので、それら閾値電圧シフトを最小範囲に抑えることができる。したがって、ＯＬＥＤの発光輝度のバラツキやＴＦＴの動作不能を回避でき、消費電力の抑制が可能である。

なお、本実施例では、各フレーム表示期間毎または各フィールド表示期間毎にＴＦＴ１５，１６にそれぞれ逆バイアスが印加されているが、これに限らず、所定数のフレーム毎または所定数のフィールド毎にＴＦＴ１５，１６にそれぞれ逆バイアスを印加してもよい。

また、上記実施例では、好ましい構成として、第２のＴＦＴ特性補正期間に、第１駆動回路１２が駆動ＴＦＴ１６のゲートに印加する逆バイアス電圧Ｖ_DATをデータ線Ｄ_Qを介して供給する構成が採用されている。この構成の代わりに、逆バイアス電圧を伝達する電源電極群を形成し、この電源電極を通じて、駆動ＴＦＴ１６のゲートに印加する逆バイアス電圧を供給し得る構成を採用してもよい。さらには、各表示セルＣＬが逆バイアス印加用ＴＦＴを含み、第２駆動回路１１から逆バイアス印加用ＴＦＴのゲートに供給される選択信号を伝達する選択電極を形成し、逆バイアス印加用ＴＦＴのソースを前記電源電極に接続し、且つ逆バイアス印加用ＴＦＴのドレインを駆動ＴＦＴ１６のゲートに接続することで得られる構成を採用することもできる。この構成によれば、第２のＴＦＴ特性補正期間に、逆バイアス印加用ＴＦＴをオンにする電圧を選択電極に供給して逆バイアス印加用ＴＦＴのゲートに印加する一方、電源電極を通じて供給された逆バイアス電圧を逆バイアス印加用ＴＦＴのソースとドレイン間を介して駆動ＴＦＴ１６のゲートに印加することが可能である。

ところで、表示セルＣＬの回路は、図６に示した等価回路に限らない。本実施例の如き駆動法を、ＴＦＴの閾値電圧シフトを補償し得る回路に適用することもできる。図８は、表示セルＣＬの等価回路の他の例を概略的に示す図である。図８を参照すると、この表示セルＣＬは、５個のｐチャンネルＴＦＴ４１，４２，４３，４４，４５と、キャパシタＣ_Sと、ＯＬＥＤ３０とを含む。これらＴＦＴ４１〜４５のうち、ＴＦＴ４１，４３が選択ＴＦＴであり、ＴＦＴ４２，４４が駆動ＴＦＴである。また、ＴＦＴ４５は、駆動トランジスタ４２への逆バイアス印加用の選択ＴＦＴである。

第１の走査線（選択電極）ＳＡ_P（Ｐは１〜Ｎのいずれか）は選択ＴＦＴ４１，４３の各ゲート（各制御端子）に接続され、第２の走査線（選択電極）ＳＢ_Pは逆バイアス印加用選択ＴＦＴ４５のゲート（制御端子）に接続され、第３の走査線（選択電極）ＳＣ_Pは駆動ＴＦＴ４４のゲート（制御端子）に接続されている。これら第１〜第３の走査線ＳＡ_P，ＳＢ_P，ＳＣ_Pを束ねた線が走査線Ｓ_P（図４）である。また、データ線Ｄ_Q（Ｑは１〜Ｍのいずれか）は選択ＴＦＴ４３のソース（被制御端子）に、電源線Ｋ_Pは逆バイアス印加用選択ＴＦＴ４５のソース（被制御端子）にそれぞれ接続されている。データ線Ｄ_Qは、データ電流Ｉ_DATを与える電流源４６と接続している。そして、表示部１４の外に配設された電源から電源電圧Ｖ_DDが供給されており、電源電圧Ｖ_DDを伝達する電源線ＣＶが駆動ＴＦＴ４４のソース（被制御端子）に接続されている。

駆動ＴＦＴ４２のソース（被制御端子）は選択ＴＦＴ４３のドレイン（被制御端子）およびＴＦＴ４４のドレイン（被制御端子）の双方に、駆動ＴＦＴ４２のゲート（制御端子）は逆バイアス印加用選択ＴＦＴ４５のドレイン（被制御端子）に、駆動ＴＦＴ４２のドレイン（被制御端子）はＯＬＥＤ３０のアノードに、それぞれ接続される。選択ＴＦＴ４１のソース（被制御端子）は駆動ＴＦＴ４２のゲート（制御端子）に、選択ＴＦＴ４１のドレイン（被制御端子）は駆動ＴＦＴ４２のドレイン（被制御端子）にそれぞれ接続される。キャパシタＣ_Sの一方の端子は駆動ＴＦＴ４２のソースに、キャパシタＣ_Sの他方の端子は駆動ＴＦＴ４２のゲートにそれぞれ接続されている。ＯＬＥＤ３０のカソードには共通電位が与えられている。

上記素子駆動回路を持つ表示セルＣＬを用いた駆動法（電流プログラム駆動法）を以下に概説する。図８に示す回路の動作期間は、選択期間とＥＬ発光期間とＴＦＴ特性補正期間とに大別される。選択期間においては、第２駆動回路１１は、走査線ＳＢ_Pを介して正極性のレベルの電圧を逆バイアス印加用選択ＴＦＴ４５のゲートに印加することでＴＦＴ４５をオフにし、ＴＦＴ４５のソースとドレイン間を非導通にする。また、第２駆動回路１１は、走査線ＳＣ_Pを介して正極性のレベルの電圧Ｖ_GPを駆動ＴＦＴ４４のゲートに印加することで駆動ＴＦＴ４４をオフにし、同時に、走査線ＳＡ_Pを介して負極性のレベルの電圧Ｖ_SELを選択ＴＦＴ４１，４３の各ゲートに印加することで選択ＴＦＴ４１，４３をオンにする。この結果、駆動ＴＦＴ４２のソースとドレイン間およびＯＬＥＤ３０にデータ電流Ｉ_DATが流れるとともに、キャパシタＣ_Sにはデータ電流Ｉ_DATに対応するデータ電圧が蓄積される。

この選択期間において、第２駆動回路１１は、走査線ＳＣ_Pを介して駆動ＴＦＴ４４のゲートに逆バイアスを印加することで駆動ＴＦＴ４４の閾値電圧シフトを補正することが可能である。

次のＥＬ発光期間においては、第２駆動回路１１は、走査線ＳＣ_Pを介して負極性のレベルの電圧Ｖ_GPを駆動ＴＦＴ４４のゲートに印加することで駆動ＴＦＴ４４をオンにし、同時に、走査線ＳＡ_Pを介して正極性のレベルの電圧Ｖ_SELを選択ＴＦＴ４１，４３の各ゲートに印加することで選択ＴＦＴ４１，４３をオフにする。よって、駆動ＴＦＴ４４のソースとドレイン間を介して駆動ＴＦＴ４２のソースに電源電圧Ｖ_DDが印加され、駆動ＴＦＴ４２のソースとドレイン間を介してＯＬＥＤ３０に順バイアスが印加される。ここで、前記キャパシタＣ_Sに蓄積されたデータ電圧が、駆動ＴＦＴ４２に印加されるゲート電圧Ｖ_GSとなる。この結果、データ電流Ｉ_DATと等しい電流がＯＬＥＤ３０に流れ、ＯＬＥＤ３０は発光する。

このＥＬ発光期間において、第２駆動回路１１は、走査線ＳＡ_Pを介して選択ＴＦＴ４１，４３の各ゲートに逆バイアスを印加することで選択ＴＦＴ４１，４３の各閾値電圧シフトを補正することが可能である。

次のＴＦＴ特性補正期間においては、第２駆動回路１１は、走査線ＳＢ_Pを介して負極性のレベルの電圧を逆バイアス印加用選択ＴＦＴ４５のゲートに印加することでＴＦＴ４５をオンにし、ＴＦＴ４５のソースとドレイン間を介して、電源線Ｋ_Pから与えられる補正電圧（逆バイアス）Ｖ_CPを駆動ＴＦＴ４２のゲートに印加する。これにより、駆動ＴＦＴ４２の閾値電圧シフトの補正が可能になる。ここで、駆動ＴＦＴ４２のゲートに逆バイアスを印加する期間には、駆動ＴＦＴ４２のゲートとソース間の電圧を安定化して素子特性を良好に回復させる観点からは、駆動ＴＦＴ４４をオンにしてキャパシタＣ_Sに電源電圧Ｖ_DDを印加するのが好ましい。

上記の如く、図８の素子駆動回路を用いた電流プログラム駆動法は、各フレーム表示期間毎または各フィールド表示期間毎に、選択ＴＦＴ４１，４３、逆バイアス印加用選択ＴＦＴ４５および駆動ＴＦＴ４２，４４の閾値電圧シフトを補正するので、それら閾値電圧シフトを最小範囲に抑えることができる。したがって、ＯＬＥＤの発光輝度のバラツキやＴＦＴの動作不能を回避でき、消費電力の抑制が可能である。

なお、本実施例では、各フレーム表示期間毎または各フィールド表示期間毎にＴＦＴ４１〜４５にそれぞれ逆バイアスが印加されているが、これに限らず、所定数のフレーム毎または所定数のフィールド毎にＴＦＴ４１〜４５にそれぞれ逆バイアスを印加してもよい。

次に、本発明に係る他の実施例の表示装置１Ａについて説明する。図９は、他の実施例の表示装置１Ａを概略的に示すブロック図である。図９と図４において同一符号を付された構成要素は互いに同じ機能を有するものとして、それら構成要素の詳細な説明を省略する。表示装置１Ａの構成は、入力部２２とＡＰＬ測定部２３とを有する点を除いて表示装置１（図４）の構成と同じである。

入力部２２は、入力キー（図示せず）や入力スイッチ２２ａを備えており、ユーザー（製造者と製品販売者を含む。）は、入力部２２を操作して、閾値電圧シフト補正のために印加すべき逆バイアスのパルス幅（印加時間）および振幅の値を設定することができる。信号制御部２０は、システムの起動時に入力部２２から設定値Ｉｓを読み込み、これら設定値Ｉｓに基づいてルックアップテーブル２０ｔの記憶内容を定める。ユーザーは、たとえば製品出荷時に、入力部２２を操作して、表示装置１Ａが組み込まれる機器の種類に応じて逆バイアスのパルス幅および振幅の値を設定することが可能である。たとえば、携帯電話機器と、地上波放送の映像を表示するテレビ機器との間では表示画像の内容が異なり、ＴＦＴの平均駆動時間に差があるので、表示装置１Ａが組み込まれる機器の種類、すなわち表示装置１Ａの用途に応じて最適な値を設定することができる。

また、入力部２２は、ユーザーによる入力操作に応じて、逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方の設定値を切り替える入力スイッチ２２ａを有している。ユーザーは、入力スイッチ２２ａを操作することにより、予め決められた値の中から、表示装置１Ａの用途に応じて最適な設定値を選択することができる。

ＡＰＬ測定部２３は、画像データ信号Ｄ_Sの平均輝度レベル（ＡＰＬ；Average Peak Level）を、たとえば、数十〜数百フレームに亘ってリアルタイムに測定し、その測定結果を示す信号Ｓ_APLを信号制御部２０に供給する。信号制御部２０は、その測定結果に応じて駆動ＴＦＴまたは選択ＴＦＴに逆バイアスを印加し得る。たとえば、信号制御部２０は、平均輝度レベルが所定レベルを超えていれば、ＴＦＴの閾値電圧シフトは小さい範囲内にあると予想して閾値電圧シフト補正用の逆バイアスを発生せず、一方、平均輝度レベルが所定レベル以下であれば、ＴＦＴの閾値電圧シフトが大きいと予想して閾値電圧シフト補正用の逆バイアスを発生することができる。

あるいは、信号制御部２０は、平均輝度レベルが大きいほどに閾値電圧シフト補正用の逆バイアスのパルス幅または振幅を大きくし、平均輝度レベルが小さいほどに閾値電圧シフト補正用の逆バイアスのパルス幅または振幅を小さくすることができる。このように平均輝度レベルをリアルタイムに監視することでＴＦＴの閾値電圧シフトの大小を判断し、逆バイアスのパルス幅または振幅を最適な値に調整することが可能である。したがって、ＴＦＴの閾値電圧シフトを最小範囲に抑制できる。

ＯＬＥＤを駆動する等価回路の一例を示す図である。 ゲート電圧とドレイン電流との間の関係を示すグラフである。 典型的な有機ＴＦＴの断面を概略的に示す図である。 本発明に係る実施例である表示装置を概略的に示すブロック図である。 ｐチャンネル有機ＴＦＴの閾値電圧シフトを例示するグラフである。 表示セルの等価回路の一例を示す図である。 図６に示した等価回路に与えられる信号の波形を概略的に示すタイミングチャートである。 表示セルの等価回路の他の例を概略的に示す図である。 本発明に係る他の実施例の表示装置を概略的に示すブロック図である。

符号の説明

１，１Ａ 表示装置
１０ 基板
１１ 第２駆動回路
１２ 第１駆動回路
１３ 電流供給回路（第３駆動回路）
１４ 表示部
１５，４１，４３ 選択ＴＦＴ
４５ 逆バイアス印加用選択ＴＦＴ
１６，４２，４４ 駆動ＴＦＴ
２０ 信号制御部
２１ 電源回路
２２ 入力部
２２ａ スイッチ（ＳＷ）
２３ ＡＰＬ測定部
３０ ＯＬＥＤ（有機ＥＬ素子）
４６ 電流源

Claims (21)

1. 行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群に走査信号を供給し且つ前記列電極群に画像データ信号を供給する駆動部と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域に形成され前記走査信号および前記画像データ信号に応じて前記自発光素子をそれぞれ駆動する素子駆動回路と、を含む表示装置であって、
   前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定する輝度レベル測定部を更に含み、
   前記素子駆動回路の各々は、
   前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、且つ前記走査信号により前記制御端子に印加された順バイアスに応じて前記第１および第２の被制御端子間が導通する少なくとも１個の選択トランジスタと、
   前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、前記駆動部から前記第１および第２の被制御端子間を介して供給された前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積するキャパシタと、
   前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続され、且つ前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給する駆動トランジスタと、を含み、
   前記駆動部は、前記自発光素子に前記駆動電流が供給されない非発光期間内に前記駆動トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ
   前記駆動トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスの振幅を前記平均輝度レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１記載の表示装置であって、前記駆動トランジスタは、有機半導体からなる活性層を含む有機トランジスタであることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１または請求項２記載の表示装置であって、前記駆動部は、各フレーム表示期間毎または各フィールド表示期間毎に前記駆動トランジスタの制御端子に前記逆バイアスを印加することを特徴とする表示装置。
4. 請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、前記逆バイアスを前記素子駆動回路に伝達する電源電極群を備えており、
   前記行電極群は、前記駆動部から供給される選択信号を各々が伝達する複数の選択電極を含み、
   前記素子駆動回路の各々は、前記選択電極のうちの１つに接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有する逆バイアス印加用トランジスタを含み、前記逆バイアス印加用トランジスタの第１および第２の被制御端子のうちの一方の端子が前記電源電極に接続され、且つ前記逆バイアス印加用トランジスタの第１および第２の被制御端子のうちの他方の端子が前記駆動トランジスタの制御端子に接続されており、
   前記駆動部は、前記非発光期間内に前記逆バイアス印加用トランジスタの第１および第２の被制御端子間を導通する電圧を当該１つの選択電極を介して前記逆バイアス印加用トランジスタの制御端子に印加することを特徴とする表示装置。
5. 請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、画像信号の平均輝度レベルを測定する輝度レベル測定部をさらに備え、前記駆動部は、前記平均輝度レベルの測定結果に応じて前記駆動トランジスタの制御端子に前記逆バイアスを印加することを特徴とする表示装置。
6. 請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、前記駆動トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方の値が設定される入力部をさらに備えることを特徴とする表示装置。
7. 請求項６記載の表示装置であって、前記入力部は、入力操作に応じて、前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方の設定値を切り替えるスイッチを含むことを特徴とする表示装置。
8. 請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、前記選択トランジスタは、有機半導体からなる活性層を含む有機トランジスタであり、前記駆動部は、前記自発光素子に前記駆動電流が供給される発光期間内に前記選択トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加することを特徴とする表示装置。
9. 行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群に走査信号を供給し且つ前記列電極群に画像データ信号を供給する駆動部と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域にそれぞれ形成され前記走査信号および前記画像データ信号に応じて前記自発光素子を駆動する素子駆動回路と、を含む表示装置であって、
   前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定する輝度レベル測定部を更に含み、
   前記素子駆動回路の各々は、
   前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、且つ前記走査信号により前記制御端子に印加された順バイアスに応じて前記第１および第２の被制御端子間が導通する少なくとも１個の選択トランジスタと、
   前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、前記駆動部から前記第１および第２の被制御端子間を介して供給された前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積するキャパシタと、
   前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し、前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続され、且つ前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給する駆動トランジスタと、を含み、
   前記駆動部は、前記自発光素子に前記駆動電流が供給される発光期間内に前記選択トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ
   前記選択トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方を前記平均輝度レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置。
10. 請求項９記載の表示装置であって、前記選択トランジスタは、有機半導体からなる活性層を含む有機トランジスタであることを特徴とする表示装置。
11. 請求項９または１０記載の表示装置であって、前記駆動部は、各フレーム表示期間毎または各フィールド表示期間毎に前記選択トランジスタの制御端子に前記逆バイアスを印加することを特徴とする表示装置。
12. 請求項９から１１のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、画像信号の平均輝度レベルを測定する輝度レベル測定部をさらに備え、前記駆動部は、前記平均輝度レベルの測定結果に応じて前記選択トランジスタの制御端子に前記逆バイアスを印加することを特徴とする表示装置。
13. 請求項９から１２のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、前記選択トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方の値が設定される入力部をさらに備えることを特徴とする表示装置。
14. 請求項１３記載の表示装置であって、前記入力部は、入力操作に応じて、前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方の設定値を切り替えるスイッチを含むことを特徴とする表示装置。
15. 請求項９から１４のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、前記駆動トランジスタは、有機半導体からなる活性層を含む有機トランジスタであり、前記駆動部は、前記自発光素子に前記駆動電流が供給されない非発光期間内に前記駆動トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加することを特徴とする表示装置。
16. 請求項１から１５のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、前記駆動部は、前記自発光素子に逆バイアスを印加する回路を含むことを特徴とする表示装置。
17. 請求項１から１６のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、
    前記駆動部は、
    前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、前記列電極から前記第１および第２の被制御端子間を介して前記キャパシタにデータ電流を供給することにより前記データ電流に応じたデータ電圧を前記キャパシタに蓄積させる第１駆動回路と、
    前記データ電圧が前記キャパシタに蓄積された後に、前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を非導通にする電圧を前記行電極を介して前記選択トランジスタの制御端子に印加する第２駆動回路と、
    前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が非導通になった後に、前記駆動トランジスタに電源電圧を供給する電源と、
    を含むことを特徴とする表示装置。
18. 請求項１７記載の表示装置であって、前記電源電圧を前記素子駆動回路に伝達する電源線を備えており、
    前記行電極群は、前記第２駆動回路から供給される選択信号を伝達する複数の選択電極を含み、
    前記素子駆動回路の各々は、前記選択電極のうちの１つに接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有する電圧供給用トランジスタを含み、前記電圧供給用トランジスタの第１および第２の被制御端子のうちの一方の端子が前記駆動トランジスタの第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子に接続され、且つ前記電圧供給用トランジスタの第１および第２の被制御端子のうちの他方の端子が前記電源線に接続されており、
    前記第２駆動回路は、前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が非導通になった後に、前記電圧供給用トランジスタの第１および第２の被制御端子間を導通する電圧を当該１つの選択電極を介して前記電圧供給用トランジスタの制御端子に印加することを特徴とする表示装置。
19. 請求項１から１８のうちのいずれか１項に記載の表示装置であって、前記自発光素子は有機ＥＬ（Electro Luminescent）素子であることを特徴とする表示装置。
20. 行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域に形成され前記自発光素子をそれぞれ駆動する素子駆動回路と、からなり、
    前記素子駆動回路の各々は、前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有する少なくとも１個の選択トランジスタと、キャパシタと、前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し且つ前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続された駆動トランジスタと、を含む表示装置の駆動方法であって、
    （ａ）前記選択トランジスタに走査信号を供給することにより当該選択トランジスタの制御端子に順バイアスを印加して当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を導通させるステップと、
    （ｂ）前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を介して前記キャパシタに画像データ信号を供給することにより当該キャパシタに前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積させるステップと、
    （ｃ）前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給するステップと、
    （ｄ）前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定するステップと、
    （ｅ）前記自発光素子に前記駆動電流が供給されない非発光期間内に前記駆動トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ前記駆動トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスの振幅を前記平均輝度レベルに応じて変化させるステップと、
    を備えることを特徴とする駆動方法。
21. 行電極群と、前記行電極群に交差する列電極群と、前記行電極群と前記列電極群との交差点付近の領域にそれぞれ形成された自発光素子と、前記交差点付近の領域に形成され前記自発光素子をそれぞれ駆動する素子駆動回路と、からなり、
    前記素子駆動回路の各々は、前記行電極に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有する少なくとも１個の選択トランジスタと、キャパシタと、前記キャパシタの一方の端子に接続された制御端子と第１および第２の被制御端子とを有し且つ前記第１および第２の被制御端子のうちのいずれか一方の端子が前記自発光素子に接続された駆動トランジスタと、を含む表示装置の駆動方法であって、
    （ａ）前記選択トランジスタに走査信号を供給することにより当該選択トランジスタの制御端子に順バイアスを印加して当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を導通させるステップと、
    （ｂ）前記選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間が導通する期間に、当該選択トランジスタの第１および第２の被制御端子間を介して前記キャパシタに画像データ信号を供給することにより当該キャパシタに前記画像データ信号に対応する電圧を蓄積させるステップと、
    （ｃ）前記キャパシタに蓄積された電圧により前記制御端子に印加される順バイアスに応じた量の駆動電流を前記自発光素子に供給するステップと、
    （ｄ）前記画像データ信号の平均輝度レベルを測定するステップと、
    （ｅ）前記自発光素子に前記駆動電流が供給される発光期間内に前記選択トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加し、且つ前記選択トランジスタの制御端子に印加すべき前記逆バイアスのパルス幅および振幅のうち少なくとも一方を前記平均輝度レベルに応じて変化させるステップと、
    を備えることを特徴とする駆動方法。

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