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JP4788791B2 - アンテナ装置 - Google Patents

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JP4788791B2 JP2009047386A JP2009047386A JP4788791B2 JP 4788791 B2 JP4788791 B2 JP 4788791B2 JP 2009047386 A JP2009047386 A JP 2009047386A JP 2009047386 A JP2009047386 A JP 2009047386A JP 4788791 B2 JP4788791 B2 JP 4788791B2
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Description

本発明は、アンテナ装置に関し、特に、携帯電話等の小型携帯端末に内蔵される表面実装型アンテナ装置の構造に関するものである。
近年、携帯電話等の小型携帯端末にはGPSやブルートゥース用のチップアンテナが内蔵されている。この種のチップアンテナには、小型であること、さらには共振周波数の調整やインピーダンス整合も容易であることが要求されている。チップアンテナの共振周波数や入力インピーダンスはプリント基板の構造や周囲に実装される各種電子部品、さらには筐体の影響を受けて変化し、機種ごとに共振周波数や入力インピーダンスを調整する必要があるからである。
特に、アンテナにおいて入力インピーダンスの調整が容易であることは極めて重要である。給電側とのインピーダンスマッチングが取れていないとVSWR特性が低下してアンテナ本来の性能を発揮することができないからである。入力インピーダンスの整合の容易化を図るため、例えば特許文献1に記載のアンテナ装置では、基体の上面にU字状の放射導体、底面に接地導体、側面に給電−接地短絡導体をそれぞれ形成し、給電−接地短絡導体の分岐位置を調整することによりそのインダクタンス値を変えて、これにより入力インピーダンスを調整している。
また、特許文献2には、アンテナと接地導体との電磁場を効率よく作り出すことができるアンテナ装置として、三方が接地導体パターンに囲まれた領域において、その一端と他端を誘電体ブロックで接続し、その誘電体ブロックの底面に設けた入力パッドを経由して給電するトリオランド構造のアンテナが提案されている。
特開平11−340726号公報 特開2006−340368号公報
しかしながら、特許文献1に記載された従来のアンテナ装置は、基体の裏面に接地導体を設け、誘電体からなる基体のみでアンテナ装置を構成しているため、アンテナ動作に必要とするλ/4の放射導体を形成するためには、誘電体による波長短縮効果を考慮したとしても十分な大きさの基体が必要となる。
また、特許文献2に記載された従来のアンテナ装置は、誘電体ブロックと接地電極との電磁場を効率良く作り出すためのトリオランド構造を提案しているが、トリオランド構造に制約されることなく電磁場を効率良く作り出すための新たな構造が切望されている。また、このアンテナ装置では、インピーダンス整合を入力パッドと第1のランドパッドとの間の距離によって調整をするため、インピーダンスの調整幅にも限界がある。
したがって、本発明の目的は、トリオランド構造のような特有の構造を採用することなく、誘電体からなる基体の表面に形成された導体パターンと周囲のグランドパターンとの間で電磁場を効率良く作り出すことができ、共振周波数及び入力インピーダンスの調整も容易であり、これによりアンテナ特性を向上させることが可能なアンテナ装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明によるアンテナ装置は、アンテナ素子と、アンテナ素子が実装されたプリント基板とを備え、アンテナ素子は、略直方体状の誘電体からなる基体と、基体の上面及び側面に形成された略U字状のインダクタンス調整パターンと、基体の上面に形成され、所定幅のギャップを介してインダクタンス調整パターンと対向配置されたキャパシタンス調整パターンと、底面の長手方向の一端に設けられた第1及び第2の端子電極と、底面の長手方向の他端に設けられた第3の端子電極とを含み、プリント基板は、絶縁基板と、絶縁基板の表面であってその長手方向に沿ったエッジに接して設けられた略矩形状の絶縁領域であるアンテナ実装領域と、エッジによる一辺を除くアンテナ実装領域の三辺を画定するように絶縁基板の表面に形成されたグランドパターンと、エッジに沿ってアンテナ実装領域内に引き込まれた給電ラインと、第1乃至第3の端子電極に対応してアンテナ実装領域内に設けられた第1乃至第3のランドと、アンテナ実装領域の直下における絶縁基板の裏面及び内層において導体パターンが排除されたグランドクリアランス領域とを備え、アンテナ素子は、アンテナ実装領域の対向する二辺を構成するグランドパターンの第1の辺と第2の辺との間に架設され、インダクタンス調整パターンの一端は、第1の端子電極及び第1のランドを介して給電ラインに接続され、インダクタンス調整パターンの他端は、第2の端子電極及び第2のランドを介して、給電ラインの引き込み側にあるグランドパターンの第1の辺に接続され、キャパシタンス調整パターンは、第3の端子電極及び第3のランドを介して、グランドパターンの第2の辺に接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、アンテナ素子及びプリント基板上のグランドパターンを含むプリント基板全体をアンテナとして動作させることができると共に、アンテナ素子このように実装することでLC調整素子として機能させることができる。特に、インダクタンス調整パターンによるループが給電ラインから折り返して同じ位置にあるグランドパターンに戻るので、インダクタンスを効率良く発生させることができる。そのため、インピーダンス整合回路を別途用意することなく、インダクタンスやキャパシタンスを個別に調整することができ、アンテナの共振周波数や入力インピーダンスを容易に調整することができる。
本発明において、インダクタンス調整パターンは、基体の上面に形成され、キャパシタンス調整パターンとギャップを介して対向位置された第1の導体パターンと、基体の長手方向と直交する第1の側面に形成され、一端が第1の導体パターンに接続され、他端が第1の端子電極に接続された第2の導体パターンと、第1の側面に形成され、一端が第1の導体パターンに接続され、他端が接地された第3の導体パターンを含み、第1乃至第3の導体パターンによるループによってインダクタンスが形成され、ループの形状を変更することによってインダクタンスが調整されることが好ましい。インダクタンス調整パターンがこのような構成である場合には、インダクタンス調整パターンの形状を変更するだけで、共振周波数を大きく変化させることなくアンテナの入力インピーダンスを容易に調整することができる。
本発明において、キャパシタンス調整パターンは、基体の上面の三辺に沿って形成された略U字状のキャパシタンス調整パターンを含み、キャパシタンス調整パターンとインダクタンス調整パターンの第1の導体パターンとの間のギャップによってキャパシタンスが形成され、キャパシタンス調整パターンの形状を変更することによってキャパシタンスが調整されることが好ましい。キャパシタンス調整パターンが以上のような構成である場合には、キャパシタンス調整パターンの形状を変更するだけで、アンテナの共振周波数を容易に変更することができる。
本発明において、アンテナ実装領域は、プリント基板の長手方向と直交する方向に長辺を有し、その縦横比が1.5以上であることが好ましい。アンテナ実装領域の縦横比を1.5以上とすることで、プリント基板の中心部に流れる電流を増加させることができ、アンテナの放射効率をさらに高めることができる。
本発明において、アンテナ実装領域は、プリント基板の長手方向の中心から±25%以内の範囲に設けられていることが好ましい。本発明によれば、いわゆるグランドクリアランスタイプのアンテナ実装構造を有するアンテナ装置において、プリント基板上のグランド面に流れる電流の均衡を保つことができ、これによりアンテナ素子を含む基板全体からの電磁波を放射させることができ、超小型アンテナであっても高い放射効率を得ることができる。
本発明によれば、誘電体からなる基体の表面に形成された導体パターンと周囲のグランドパターンとの間で電磁場を効率良く作り出すことができ、共振周波数及び入力インピーダンスの調整も容易であり、これによりアンテナ特性を向上させることが可能なアンテナ装置を提供することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態によるアンテナ装置100の構成を示す略斜視図である。 図2は、アンテナ素子10の展開図である。 図3は、キャパシタンス調整パターン12の帯状導体パターン12a,12bの長さを短くした状態を示す略斜視図である。 図4は、インダクタンス調整パターン13の矩形導体パターン13aに切り込み13dを形成した状態を示す略斜視図である。 図5は、プリント基板20上のパターンレイアウトを示す略平面図であり、(a)は表面20aのレイアウト、(b)は裏面20bのレイアウトである。 図6は、アンテナ実装領域23の好ましい形成位置を示す略平面図である。 図7は、プリント基板20に実装されたアンテナ素子10の等価回路図である。 図8(a)乃至(c)は、プリント基板20上の電流分布のシミュレーション結果を示す模式図であって、(a)はアンテナ実装領域23が基準点にある場合、(b)は−25%の位置にある場合、(c)はプリント基板20の短辺の中点にある場合をそれぞれ示している。 図9は、図8(a)〜(c)に示したアンテナ実装領域23の各位置で得られる放射効率を示すグラフである。 図10は、プリント基板上のアンテナ実装領域の位置を変化させたときのアンテナ特性の測定について説明するための図であって、アンテナ実装領域の位置を示す略平面図である。 図11は、プリント基板上のアンテナ実装領域の位置を変化させたときのアンテナ特性の測定結果を示すグラフであり、(a)はリターンロス、(b)は放射特性をそれぞれ示している。 図12は、アンテナ実装領域の縦横比を変化させたときのアンテナ特性の測定結果を示すグラフであり、(a)はリターンロス、(b)は放射特性をそれぞれ示している。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態によるアンテナ装置100の構成を示す略斜視図である。また、図2は、アンテナ素子10の展開図である。
図1に示すように、本実施形態によるアンテナ装置100は、アンテナ素子10と、アンテナ素子10が実装されたプリント基板20とを備え、アンテナ素子10はプリント基板20の一方の主面(表面)に設けられたアンテナ実装領域23内に実装されている。本実施形態によるアンテナ装置100は、アンテナ素子10のみでアンテナ動作を行うというよりむしろ、プリント基板20上のグランドパターンと協働してアンテナ動作を行うものである。その意味で、アンテナ素子10はプリント基板20を含むアンテナ全体のインダクタンス成分(L)及びキャパシタンス成分(C)を調整するためのLC調整素子と言うことができる。
アンテナ素子10は、誘電体からなる基体11と、基体11に形成された複数の導体パターンによって構成されている。基体11は、Y方向を長手方向とする略直方体状を有している。このうち、基体11の上面11a、底面11b及び2つの側面11c,11dはY方向と平行な面であり、側面11e,11fはY方向と直交する面であり、底面11bはプリント基板20に対する搭載面である。なお、アンテナ素子10の上下方向はプリント基板20の表面を基準面にして定義される。
基体11の材料としては、特に限定されるものではないが、Ba−Nd−Ti系材料(比誘電率80〜120)、Nd−Al−Ca−Ti系材料(比誘電率43〜46)、Li−Al−Sr−Ti(比誘電率38〜41)、Ba−Ti系材料(比誘電率34〜36)、Ba−Mg−W系材料(比誘電率20〜22)、Mg−Ca−Ti系材料(比誘電率19〜21)、サファイヤ(比誘電率9〜10)、アルミナセラミックス(比誘電率9〜10)、コージライトセラミックス(比誘電率4〜6)などを用いることができる。基体11は、型枠を用いてこれらの材料粉を焼成することによって作製される。
誘電体材料は、目的とする周波数に応じて適宜選択すればよい。比誘電率εが大きくなるほど大きな波長短縮効果が得られるので、放射導体の長さをより短くすることができるが、放射効率が低下するため、必ずしも比誘電率εが大きければよいという分けではなく、適切な値が存在する。したがって、例えば、目的とする周波数が2.4GHzである場合、比誘電率εが5〜30程度の材料を用いることが好ましい。これによれば、十分な放射効率を確保しつつ基体の小型化を図ることができる。比誘電率εが5〜30程度である材料としては、Mg−Ca−Ti系誘電体セラミックを好ましく挙げることができる。Mg−Ca−Ti系誘電体セラミックとしては、TiO、MgO、CaO、MnO、SiOを含有するMg−Ca−Ti系誘電体セラミックを用いることが特に好ましい。
図2に示すように、アンテナ素子10の導体パターンは、基体11の上面11aに形成されたキャパシタンス調整パターン12と、基体11の側面(第1の側面)11eから上面11aにかけて一体的に形成されたインダクタンス調整パターン13と、基体11の底面11bに形成された端子電極14〜16と、基体11の側面11fに形成された接地導体17とを含んでおり、少なくともキャパシタンス調整パターン12及びインダクタンス調整パターン13はアンテナ特性を調整するための導体パターン(アンテナ特性調整パターン)を構成している。これらの導体パターンは、電極用ペースト材をスクリーン印刷や転写などの方法によって塗布した後、所定の温度条件下で焼き付けを行うことによって形成することができる。電極用ペースト材としては、銀、銀−パラジウム、銀−白金、銅などを用いることができる。導体パターンは、この他にメッキやスパッタなどでも形成することが可能である。
キャパシタンス調整パターン12は、基体11の上面11aに形成された略U字状の導体パターンであり、上面11aの2つの長辺に沿って設けられた帯状導体パターン12a,12bと、側面11fと共有する短辺に沿って設けられた帯状導体パターン12cとを有し、帯状導体パターン12a,12bの一端が帯状導体パターン12cの両端にそれぞれ接続され、帯状導体パターン12a,12bの他端は開放端となっている。帯状導体パターン12a,12bの開放端は基体11のY方向の端部まで延びているので、キャパシタンス調整パターン12による静電容量を最大にすることができるが、その必要がない場合には基体11のY方向の端部よりも手前に開放端が位置していてもよい。
インダクタンス調整パターン13は、基体11の上面11aに形成された矩形導体パターン(第1の導体パターン)13aと、基体11の側面11eに形成された2本の平行な直線導体パターン(第2及び第3の導体パターン)13b,13cとを有し、これらは略U字状の導体パターンを構成している。直線導体パターン13bの一端は矩形導体パターン13aの幅方向の一端に接続され、他端は端子電極14に接続されている。直線導体パターン13cの一端は矩形導体パターン13aの幅方向の他端に接続され、他端は端子電極15に接続されている。第2及び第3の導体パターン13b,13cが接続された一辺を除いた矩形導体パターン13aの三辺は、一定幅のギャップgを介して略U字状のキャパシタンス調整パターン12と対向配置されている。これにより、キャパシタンス調整パターン12と矩形導体パターン13aとの間にはキャパシタンスが形成されるので、両者を電磁界結合させることができる。キャパシタンスを小さくしたい場合には、図3に示すように、キャパシタンス調整パターン12の辺の長さ、すなわち第1及び第2の帯状導体パターン12a,12bの長さL0を短くすればよい。
また、インダクタンス調整パターン13は略U字状のループを構成しており、これによりインダクタンスが構成されている。インダクタンスを大きくするためには、ループサイズを大きくすればよく、そのためには図4に示すように矩形導体パターン13aに切り込み13dを形成すればよい。このようにすることで、略U字状のインダクタンス調整パターン13のループサイズが大きくなるので、インダクタンスを大きくすることができる。
端子電極14〜16は、基体11の底面11bに形成されており、特に、端子電極14,15は底面11bのY方向の一端に形成され、端子電極16は他端に形成されている。端子電極16は、底面11bの幅方向全体に形成されており、端子電極14,15は所定の間隔を空けて底面11bの幅方向(X方向)にそれぞれ形成されている。つまり、底面11bの幅Wに対して端子電極16の幅はWであり、端子電極14,15の幅はW/2未満である。本実施形態においては、基体11の底面11bに端子電極14〜16以外の導体パターンが形成されておらず、大部分が絶縁領域となっている。
接地導体17は、基体11の側面(第2の側面)11fの全面に形成されており、その上端はキャパシタンス調整パターン12に接続されている。これによりキャパシタンス調整パターン12及び接地導体17は一体的な導体パターンを構成しており、キャパシタンス調整パターン12は接地導体17を介して端子電極16に接続されている。
以上、基体11の各面に形成されたこれらの導体パターンは、基体11の側面11c,11dと平行な平面を基準として左右対称となるように形成されていることが好ましい。これによれば、基体11の上下面に垂直な軸(Z軸)を基準としてアンテナ素子10の無機を180度回転させたとしても、プリント基板のエッジ側からみたアンテナ素子10の導体パターン形状は実質的に同じになることから、アンテナ素子10の向きによってアンテナ特性が大きく変化することがなく、アンテナ設計を容易にすることができる。
図5は、アンテナ素子10が実装されるプリント基板20上のパターンレイアウトを示す略平面図であり、(a)はプリント基板20の表面20aのレイアウト、(b)はプリント基板の裏面20bのレイアウトである。特に、(b)は裏面20bのレイアウトを表面20a側から透過的に示したものである。
図5に示すように、プリント基板20は絶縁基板21の表裏面に導体パターンが形成されたものであって、特に、プリント基板20の表面20aには、一辺がプリント基板20の長手方向(Y方向)のエッジ20eに接し、他の三辺がグランドパターン22によって画定された略矩形状のアンテナ実装領域23が設けられている。アンテナ実装領域23はグランドパターン22が排除された矩形状の絶縁領域であり、アンテナ実装領域23内には3つのランド24〜26が設けられている。アンテナ実装領域23をプリント基板のエッジ20eに設けた場合には、アンテナ素子から見て半分の空間はプリント基板(グランドパターン)の存在しない自由空間であることから、アンテナの放射効率を高めることができる。
ランド24〜26は、アンテナ素子10の端子電極14〜16がそれぞれ接続されるものであり、対応する端子電極14〜16と同一幅を有している。ランド24は給電ライン27に接続されており、ランド25,26は近接のグランドパターン22に接続されている。このようなランドの配置により、アンテナ素子10は、アンテナ実装領域23をY方向に跨いで両側のグランドパターン間を短絡させるものとなり、グランドパターン全体に対するLC調整素子として機能するようになる。
プリント基板20の裏面20bにもまた、表面20a側のアンテナ実装領域23と平面視にて実質的に同一形状の絶縁領域であるグランドクリアランス領域28が設けられている。裏面20b側のグランドクリアランス領域28には各種実装部品が実装されないことから、ランド等の導体パターンは何ら形成されていない。なお、プリント基板20が多層基板の場合には、裏面20bのみならず内層にもこのようなグランドクリアランス領域28が形成される必要がある。つまり、アンテナ実装領域23の直下にはグランドパターンがくり貫かれた絶縁領域が拡がっている必要がある。このような実装構造は「グランドクリアランスタイプ」と呼ばれるのに対し、アンテナ実装領域23の直下がグランドパターンで覆われたものは「オングランドタイプ」と呼ばれる。
アンテナ素子10は、プリント基板20上のグランドパターン22の一部を除去して形成されたチップアンテナよりも広いアンテナ実装領域23内に実装される。グランドクリアランスタイプの場合、アンテナ素子10の下方には何も実装できないので、基板面積が広く占有されるが、グランド面が全く存在しないのでアンテナ自身(基体)の低背化が可能となる。一方、オングランドタイプの場合、実装面および下方の領域にグランド面が設けられていることから、グランドクリアランスタイプに比べてアンテナ素子の背は高いが、例えば多層基板の表面をアンテナの実装面とし、内層をグランドパターン層とすることで、多層基板の裏面を部品実装領域として使用することができる。
アンテナ実装領域23は、プリント基板20の長手方向と直交する方向(X方向)に細長い矩形状の領域である。アンテナ実装領域23の長辺の長さをWaとし、短辺の長さをWbとするとき、Wa/Wb≧1.5であることが好ましい。具体的には、短辺Wb=3mmとするとき、長辺Waは4.5mm以上であることが好ましい。アンテナ実装領域23の縦横比を1.5以上とすることで、プリント基板20の中心側に流れる電流を増加させることができる。したがって、アンテナの放射効率を高めることができ、特に50%以上の放射効率を確保することができる。
図6は、アンテナ実装領域23の好ましい形成位置を示す略平面図である。
図6に示すように、アンテナ実装領域23は、プリント基板20の長手方向(Y方向)に沿ったエッジ20eに接して設けられるが、この場合において、アンテナ実装領域23はプリント基板20の長手方向の中点(基準点)Pから±25%以内の範囲に設けられることが好ましい。なお、アンテナ実装領域23側の基準点は短辺の中点を基準としている。このように、プリント基板20の長手方向に対して中心Pから±25%の範囲に設けた場合には、アンテナ実装領域23から見てプリント基板20の長手方向の両側の領域に流れる電流の均衡を保つことができる。したがって、アンテナの放射効率を高めることができ、特に50%以上の放射効率を確保することができる。
図1に示したように、プリント基板20上にアンテナ素子10を実装すると、インダクタンス調整パターン13の分岐した直線導体パターン13bの一端はランド24を介して給電ライン27に接続され、直線導体パターン13cの一端はランド25を介してグランドパターン22に接続される。また、接地導体17の下端はランド26を介してグランドパターン22に接続される。その結果、アンテナ素子10は、アンテナ実装領域23の対向する二辺23a,23bを画定する一方のグランド部分と他方のグランド部分との間に架設されることとなる。
給電ライン27に接続されたインダクタンス調整パターン13には給電ライン27から給電電流I1が供給され、給電電流I1はインダクタンス調整パターン13を経由してグランドパターン22に流れ込む。ここで、給電ライン27から延設されたループ上のインダクタンス調整パターン13が給電ライン27と同じ向きにあるグランドパターンに接続されているので、インダクタンスを効率良く発生させることができる。また、インダクタンス調整パターン13の矩形導体パターン13aはギャップgを介してキャパシタンス調整パターン12と容量結合していることから、キャパシタンス調整パターン12には給電電流I1に応じた誘導電流I2が流れる。この誘導電流I2は接地導体17を通ってプリント基板20上のグランドパターン22に流れ込み、その後、グランドパターン全体から電磁波として輻射されることになる。
以下、プリント基板20上のグランドパターン全体を使用して電磁場を形成する理由について詳細に説明する。
例えば、ブルートゥース用アンテナの場合、共振周波数f=2.43GHz(共振波長λ=)、必要とされる帯域幅BWは3.5%である。ここで、2.0×1.2×1.0mmの基体を用いて、基体の長手方向をアンテナ長Lとし、L=2mmのブルートゥース用アンテナを構成する場合、アンテナ長の波長比(a)は、a=2πL/λ=0.1023となる。また、放射効率(η)を0.5(η=0.5、放射効率50%)とするとき、Qファクタ(Q)は、Q=η(1+3a)/a(1+a)=476.8365となる。さらに、VSWR(S)を2(S=2)とするとき、帯域幅(BW)は、BW=(s−1)×100/(√s×Q)[%]として求められ、BW=0.1%となる。つまり、ブルートゥース用アンテナにおいてアンテナ長L=2とした場合には、上記帯域幅3.5%を満足することができない。
このように、アンテナ長Lがλ/2πよりも小さい超小型チップアンテナにおいては、上記の式より得られるアンテナ特性以上のものをアンテナ素子単体で得ることは理論上不可能である。そのため、超小型チップアンテナの場合にはプリント基板20上のグランドパターン22に流れる電流を利用して、グランドパターン22全体をアンテナとして効率良く動作させることが極めて重要となる。
図7は、プリント基板20に実装されたアンテナ素子10の等価回路図である。
図7に示すように、アンテナ素子10は、給電ラインとグランドとの間に挿入されたLC並列回路である。キャパシタンスC1は主としてキャパシタンス調整パターン12とインダクタンス調整パターン13の矩形導体パターンとの間のギャップgによって形成されるものであり、インダクタンスL1はインダクタンス調整パターンのループによって形成されるものである。このような等価回路において、キャパシタンスC1を変更することにより、アンテナの共振周波数を変更することができる。ここで、ギャップ幅が狭ければC1が大きくなるので共振周波数は低くなり、ギャップ幅が広ければC1が小さくなるので共振周波数は低くなる。また、インダクタンスL1を変更することにより、共振周波数を大きく変化させることなく、アンテナの入力インピーダンスを変更することができる。インダクタンス調整パターン13のループサイズが大きくなればインダクタンスL1は大きくなるので、入力インピーダンスは大きくなり、ループサイズが小さくなればL1が小さくなるので、入力インピーダンスは小さくなる。
図8(a)乃至(c)は、プリント基板20上の電流分布のシミュレーション結果を示す模式図であって、(a)はアンテナ実装領域23が基準点(0%)にある場合(サンプルX1)、(b)は−25%の位置にある場合(サンプルX2)、(c)はプリント基板20の短辺の中点にある場合(サンプルX3)をそれぞれ示している。なお、シミュレーションに用いる評価用のプリント基板20は、アンテナ実装領域23を除いた基板全面がグランドパターンとなっている。図中の矢印は電流の流れる向きを示しており、矢印の濃淡は電流の強さを示している。色の濃い矢印は電流が大きく、色の薄い矢印は電流が小さい。
図8(a)に示すように、アンテナ実装領域23が基準点にある場合には、プリント基板20上の電流分布は、アンテナ実装領域23から見てプリント基板20の長手方向の左右の領域に流れる電流の均衡が保たれていることが分かる。そのため、アンテナ素子10を含むプリント基板全体からの電磁波の放射効率を高めることができる。
これに対し、図8(b)に示すように、アンテナ実装領域23が−25%の位置にある場合には、プリント基板20上の電流分布は、アンテナ実装領域23を含む左半分の領域の電流分布と、残りの右半分の領域の電流分布が大きく異なり、左半分の領域で強く、右半分の領域で弱いことが分かる。すなわち、アンテナ実装領域23から見てプリント基板20の長手方向の左右の領域に流れる電流の均衡が保たれていないことから、電磁波の放射効率が低下することは容易に想定できる。
さらに図8(c)に示すように、アンテナ実装領域23がプリント基板20の短辺に接し且つ短辺の中点に設けられている場合には、アンテナ実装領域23から見た左右の領域の電流分布の偏りはないが、アンテナ実装領域23から遠方となる領域で電流が非常に弱くなる。したがって、基板全体から効率良く電磁波を放射しているとは言い難く、図9(a)の配置に比べると放射効率が低いものと考えられる。
図9は、図8(a)〜(c)に示したアンテナ実装領域23の各位置で得られる放射効率を示すグラフである。
図9らも明らかなように、アンテナの放射効率は、アンテナ実装領域23が図8(a)の位置であるサンプルX1のときに最も大きく、2.43GHz付近において0.8程度となっている。次いで、アンテナ実装領域23が図8(b)の位置であるサンプルX2のときに大きく、0.73程度となっている。さらに、図8(c)の位置では放射効率が最も小さいことが分かる。
以上説明したように、本実施形態によるアンテナ装置100は、アンテナ素子10がプリント基板20の実装面側のグランドクリアランス領域であるアンテナ実装領域23内に設けられ、アンテナ素子10の直下にはグランドパターンが存在しないことから、アンテナ素子10を含むプリント基板20の全体をアンテナとして動作させることができる。特に、誘電体からなる基体11の表面に形成された導体パターンと周囲のグランドパターンとの間で電磁場を効率良く作り出すことができ、これによりアンテナ特性を向上させることができる。また、プリント基板全体をアンテナとして動作させるためには共振周波数や入力インピーダンスの調整することが重要となるが、アンテナ素子10上のキャパシタンス調整パターン12やインダクタンス調整パターン13の形状を変更することにより、そのような調整を容易且つ独立に変更することができる。
また、本実施形態によれば、アンテナ実装領域23がプリント基板20の長手方向と直交する方向に細長い矩形状の領域からなり、その縦横比が1.5以上であることから、プリント基板20の中心側に流れる電流を増加させることができ、これにより50%以上の放射効率を確保することができる。
また、本実施形態によれば、アンテナ実装領域23がプリント基板20の長手方向(Y方向)に沿ったエッジ20eに接し、且つプリント基板20の長手方向の中点(基準点)Pから±25%以内の範囲に設けられているので、誘電体からなる基体の表面に形成された導体パターンと周囲のグランドパターンとの間で電磁場をさらに効率良く作り出すことができ、アンテナ特性をさらに向上させることができる。
また、本実施形態によれば、グランドクリアランスタイプのアンテナ実装構造であることから、基体11を低背化したとしてもオングランドタイプのように放射特性が低下することがない。したがって、アンテナブロックの低背化が可能となる。
本発明は、以上の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明の範囲に包含されるものであることは言うまでもない。
例えば、上記実施形態においては、直方体状の基体11を用いているが、基体11の形状は実質的に直方体であればよく、基体の各面に上記の導体パターンが形成される限りにおいて、コーナー部が切り欠かれていてもよく、一部にくり貫きが設けられていても構わない。また、プリント基板20も完全な矩形平板である必要はなく、例えば、基板のコーナーやエッジの途中が切り欠かれた形状であっても構わない。
(実施例1)
プリント基板上のアンテナ実装領域の位置を変化させたときのアンテナ特性を測定した。プリント基板のサイズは80×37×1mm、アンテナ実装領域のサイズは3.0×4.5mm、アンテナ素子のチップサイズは2.0×1.2×1.0mmであった。ここで、図10に示すように、サンプルS1は、アンテナ実装領域を基板の基準点から50%、つまりコーナー部に配置した場合であり、サンプルS2は基板の基準点(0%)に配置した場合であり、サンプルS3は基板の基準点から25%、つまり基準点とコーナー部との中間位置に配置した場合であり、S4は基準点から37.5%、つまりS1とS3との間の位置に配置した場合である。アンテナ素子の基体の比誘電率εr=37とし、各サンプルS1〜S4の共振周波数は2.43GHz、入力インピーダンスは50Ωとなるようにアンテナ素子の導体パターンを調整した。その後、ネットワークアナライザを用いて2.3GHz〜2.6GHzまでの信号を信号ラインから供給し、アンテナ装置のリターンロス及び放射効率を求めた。その結果を図11(a)及び(b)にそれぞれ示す。
図11(a)に示すように、各サンプルS1〜S4のリターンロスは2.43GHz付近で最も小さくなるが、特にサンプルS2のリターンロスが最も小さく、次いでS3、S4、S1の順で小さいことが分かった。また、所望の帯域においてリターンロスが−6dB以下であるための要求を満たすか否かを示す境界線 "spec"で示す領域に含まれないグラフはサンプルS2のみであり、サンプルS3ではぎりぎり満たすことが分かった。
図11(b)に示すように、各サンプルS1〜S4の放射効率は2.43GHz付近で最も大きくなるが、特にサンプルS2の放射効率が最も大きく、次いでS3、S4、S1の順で大きいことが分かった。また、所望の帯域において放射効率が−3dB(50%)以上であるための要求を満たすか否かを示す境界線 "spec"で示す領域に含まれないグラフはサンプルS2のみであり、サンプルS3ではぎりぎり満たすことが分かった。
(実施例2)
アンテナ実装領域の縦横比を変化させたときのアンテナ特性を測定した。プリント基板のサイズは80×37×1mm、アンテナ実装領域の位置はプリント基板の長手方向の基準点(0%)とし、アンテナ実装領域のサイズ(Wa×Wb、図5参照)はサンプルS5が3×5mm、サンプルS6が3×4.5mm、サンプルS7が3×4mmであった。アンテナ素子のチップサイズは2.0×1.2×1.0mmとし、基体の比誘電率εr=37とし、各サンプルS5〜S7の共振周波数は2.43GHz、入力インピーダンスは50Ωとなるようにアンテナ素子の導体パターンを調整した。その後、ネットワークアナライザを用いて2.3GHz〜2.6GHzまでの信号を信号ラインから供給し、アンテナ装置のリターンロス及び放射効率を求めた。その結果を図12(a)及び(b)にそれぞれ示す。
図12(a)に示すように、各サンプルS5〜S7のリターンロスは2.43GHz付近で最も小さくなるが、特にサンプルS5のリターンロスが最も小さく、次いでS6、S7の順で小さいことが分かった。また、所望の帯域においてリターンロスが−6dB以下であるための要求を満たすか否かを示す境界線 "spec"で示す領域に含まれないグラフはサンプルS5とS6であり、サンプルS7では要求を満たすことができないことが分かった。
図12(b)に示すように、各サンプルS5〜S7の放射効率は2.43GHz付近で最も大きくなるが、特にサンプルS5の放射効率が最も大きく、次いでS6、S7の順で大きいことが分かった。また、所望の帯域において放射効率が−3dB(50%)以上であるための要求を満たすか否かを示す境界線 "spec"で示す領域に含まれないグラフはサンプルS5とS6であり、サンプルS7では要求を満たすことができないことが分かった。
10 アンテナ素子
11 基体
11a 基体の上面
11b 基体の底面
11c〜11f 基体の側面
12 キャパシタンス調整パターン
12a〜12c 帯状導体パターン
13 インダクタンス調整パターン
13a 矩形導体パターン
13b,13c 直線導体パターン
14〜16 端子電極
17 接地導体
20 プリント基板
20e プリント基板のエッジ
20a プリント基板の表面
20b プリント基板の裏面
21 絶縁基板
22 グランドパターン
23 アンテナ実装領域
23a 第1の辺
23b 第2の辺
24〜26 ランド
27 給電ライン
28 グランドクリアランス領域
100 アンテナ装置

Claims (5)

  1. アンテナ素子と、前記アンテナ素子が実装されたプリント基板とを備え、
    前記アンテナ素子は、略直方体状の誘電体からなる基体と、前記基体の上面及び側面に形成され、互いに平行な第1及び第2の辺と前記第1及び第2の辺を繋ぐ第3の辺とを有する略U字状のインダクタンス調整パターンと、前記基体の上面に形成され、所定幅のギャップを介して前記インダクタンス調整パターンの前記第1乃至第3の辺と対向配置されたキャパシタンス調整パターンと、前記底面の長手方向の一端に設けられた第1及び第2の端子電極と、前記底面の長手方向の他端に設けられた第3の端子電極とを含み、
    前記プリント基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面であってその長手方向に沿ったエッジに接して設けられた略矩形状の絶縁領域であるアンテナ実装領域と、前記エッジによる第1の短辺を除く前記アンテナ実装領域の対向する二長辺及び前記第1の短辺と対向する第2の短辺を画定するように前記絶縁基板の表面に形成されたグランドパターンと、前記エッジに沿って前記アンテナ実装領域内に引き込まれた給電ラインと、前記第1乃至第3の端子電極に対応して前記アンテナ実装領域内に設けられた第1乃至第3のランドと、前記アンテナ実装領域の直下における前記絶縁基板の裏面及び内層において導体パターンが排除されたグランドクリアランス領域とを備え、
    前記アンテナ素子は、前記アンテナ実装領域の対向する前記二長辺を構成する前記グランドパターンの第1の辺と第2の辺との間に、前記アンテナ素子の長手方向の一端と前記アンテナ実装領域の前記第1の長辺が対向し、前記アンテナ素子の長手方向の他端と前記アンテナ実装領域の前記第2の長辺が対向するよう架設され、
    前記インダクタンス調整パターンの一端は、前記第1の端子電極及び前記第1のランドを介して前記給電ラインに接続され、
    前記インダクタンス調整パターンの他端は、前記第2の端子電極及び前記第2のランドを介して、前記給電ラインの引き込み側にある前記グランドパターンの前記第1の辺に接続され、
    前記キャパシタンス調整パターンは、前記第3の端子電極及び前記第3のランドを介して、前記グランドパターンの前記第2の辺に接続されていることを特徴とするアンテナ装置。
  2. 前記インダクタンス調整パターンは、
    前記基体の前記上面に形成され、前記キャパシタンス調整パターンと前記ギャップを介して対向位置された第1の導体パターンと、
    前記基体の長手方向と直交する第1の側面に形成され、一端が前記第1の導体パターンに接続され、他端が前記第1の端子電極に接続された第2の導体パターンと、
    前記第1の側面に形成され、一端が前記第1の導体パターンに接続され、他端が接地された第3の導体パターンを含み、
    前記第1乃至第3の導体パターンによるループによってインダクタンスが形成され、前記ループの形状を変更することによって前記インダクタンスが調整されることを特徴とする請求項1に記載のアンテナ装置。
  3. 前記キャパシタンス調整パターンは、
    前記基体の前記上面の三辺に沿って形成された略U字状のキャパシタンス調整パターンを含み、
    前記キャパシタンス調整パターンと前記第1の導体パターンとの間の前記ギャップによってキャパシタンスが形成され、前記キャパシタンス調整パターンの形状を変更することによって前記キャパシタンスが調整されることを特徴とする請求項2に記載のアンテナ装置。
  4. 前記アンテナ実装領域は、前記プリント基板の長手方向と直交する方向に長辺を有し、その縦横比が1.5以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のアンテナ装置。
  5. 前記アンテナ実装領域は、前記プリント基板の前記長手方向の中心から±25%以内の範囲に設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のアンテナ装置。
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