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JP4768433B2 - 光半導体装置およびそれを備えた電子機器 - Google Patents

光半導体装置およびそれを備えた電子機器 Download PDF

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Description

この発明は、発光素子と受光素子をモールド樹脂で封止してなる光半導体装置に関し、典型的には、光ファイバ等の光伝送媒体を利用して光信号を送受信する光通信装置等に利用することができる光半導体装置に関する。
また、この発明は、そのような光半導体装置を備えた電子機器に関する。この発明の電子機器は、デジタルＴＶ（Television：テレビジョン）、デジタルＢＳ（Broadcasting Satellite：ブロードキャスティング・サテライト）チューナ、ＣＳ（Communication Satellite：コミュニケーション・サテライト）チューナ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc：デジタル多用途ディスク）プレーヤ、ＣＤ（Compact Disc：コンパクト・ディスク）プレーヤ、ＡＶ（Audio Visual：オーディオ・ビジュアル）アンプ、オーディオ、パーソナルコンピュータ（以下、パソコンという）、パソコン周辺機器、携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：パーソナル・デジタル・アシスタント）、また、動作温度範囲の広い環境で用いられるカーオーディオ、カーナビゲーションシステム等の車載用機器、工場内のロボットのセンサ、制御用機器等を含む。
この種の一般的な光半導体装置としては、図３に示すように透明樹脂１０６を用いトランスファ成形を利用して作製されたものがある。この光半導体装置は、リードフレーム１０１上に搭載された光半導体素子１０２を透明樹脂１０６で封止し、透明樹脂１０６の一部からなるレンズ１１０により光半導体素子１０２と光ファイバケーブル１１１とを光学的に結合させるものである。光半導体素子１０２はリードフレーム１０１とワイヤ１０４により電気的に結合されている。なお、この例では、光半導体素子１０２を駆動または制御するための半導体回路１０５がリードフレーム１０１に搭載されている。１０３はマウント材である。透明樹脂１０６としては、光学特性を重視するため、フィラーが混入されていないものが用いられている。しかし、そのような透明樹脂１０６は線膨張係数が大きいため、耐環境性（耐熱衝撃や放熱性等）等の信頼性が劣り、また、実装時の半田付けが困難になる。
このため、フィラーが混入されたモールド樹脂を用いて封止された光半導体装置が提案されている。
例えば図４に示すように、特許文献１（特開２０００−１７３９４７号公報）に開示された光半導体装置では、光半導体素子２０２の光学部のみにガラスレンズ２１２を貼付け、それらをリードフレーム２０１に搭載し、光半導体素子２０２の光学部の周囲にある電極とリードフレーム２０１とをワイヤ２０４により電気的に結合させている。その後、フィラーが混入されたモールド樹脂２０７を用いてトランスファ成形を行って、光半導体素子２０２に光が入出射する光路をモールド樹脂２０７により遮蔽することなく、光半導体素子２０２やワイヤ２０４をモールド樹脂２０７で封止している。
また、図５に示すように、特許文献２（特開平４−９２４５９号公報）に開示された光半導体装置では、半導体素子３０２、リードフレーム３０１、さらにこれらの両者を接続するボンディングワイヤ３０４を含む本体構成部を一体的に封止する第１の封止樹脂体３０８と、この第１封止樹脂体３０８の外周部の少なくとも一部を被覆するように形成された第２の封止樹脂体３０９とを具備し、上記第１の封止樹脂体３０８の線膨張率よりも、上記第２の封止樹脂体３０９の線膨張率が小さくされるように、上記第１および第２の封止樹脂体が選定されている。３０３はマウント材である。
また、図６に示すように、特許文献３（特開２００２−２８０５９９号公報）に開示された面実装型の光半導体装置は、リードフレーム４０１上に、発光ダイオード４０２と、フォトダイオード４０３と、このフォトダイオード４０３の出力信号を処理する信号処理回路４０８とを搭載し、必要なボンディングワイヤ４０４を設け、上記発光ダイオード４０２とフォトダイオード４０３に各々個別にラッカー４０５，４０５を塗布し、充填剤や染料などを含有する光学的障壁層４０８を設け、さらに、ラッカー４０５，４０５を封止するように光学レンズをなす透光層４０７，４０７を設けて構成されている。
特開２０００−１７３９４７号公報 特開平４−９２４５９号公報 特開２００２−２８０５９９号公報
既述のように、図３に示した光半導体装置は、フィラーが混入されていない透明樹脂１０６を用いて封止されている。このため、透明樹脂１０６の線膨張係数と、リードフレーム１０１、光半導体素子１０２及びボンディングワイヤ１０４の線膨張係数との間に大きな差異が生じて、熱応力によりワイヤ断線やパッケージクラック等の不具合が発生する。また、透明樹脂１０６の熱伝導率は約０．１７Ｗ／ｍ・Ｋであり、金属の熱伝導率（例えば銅材の熱伝導率は３６５Ｗ／ｍ・Ｋ）と比較して非常に小さい。このため、光半導体素子１０２が発生する熱が拡散され難く、高温での動作範囲が制限され、耐環境性上の問題がある。
これに対して、図４および図５に示した光半導体装置のように、モールド樹脂２０７，３０８，３０９にフィラーを混入させれば、モールド樹脂の線膨張係数や熱伝導率を調整できる。しかしながら、単にモールド樹脂にフィラーを混入させれば、光透過率が低下してしまうため、好ましくない。そこで、図４の光半導体装置では、光半導体素子２０２の光学部上にガラスレンズ２１２を搭載して、光学部がモールド樹脂２０７で遮蔽されるのを避けている。しかし、ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）のように比較的サイズが大きい（数ｍｍ角〜数十ｍｍ角）光半導体素子を使用する場合は、光学部にガラスレンズを配置することが可能であるけれども、ＬＥＤのようにサイズが小さい（数百μｍ角）光半導体素子では光学部が非常に小さいことから、ガラスレンズも非常に小さいものを使用する必要があり、（ｉ）微小なガラスレンズの作製が困難であるという問題、（ii）光学部とガラスレンズとの接合・位置合わせが困難であるという問題、および、（iii）熱応力が加わるとガラスの線膨張係数とモールド樹脂の線膨張係数との違いにより界面剥離が発生するという問題がある。また、光半導体素子の光学部より大きいガラスレンズを使用した場合、光半導体素子の光学部に近接した電極にもガラスレンズが接合されるため、ワイヤボンディングが行えなくなる。
また、図５の光半導体装置では、第１の封止樹脂３０８の線膨張係数が第２の封止樹脂３０９の線膨張係数より大きいことから、第２の封止樹脂３０９形成時の熱により、第１の封止樹脂３０８が膨張した状態で成形される。このため、成形後の冷却時に第１の封止樹脂３０８の収縮が第２の封止樹脂３０９に比べ大きくなり、樹脂界面に剥離が発生し、耐湿性等の信頼性の低下という問題が発生する。
また、図６の光半導体装置も、モールド樹脂４０８にフィラーを混入させれば、モールド樹脂の線膨張係数や熱伝導率を調整できる。しかし、この光半導体装置を開示した特許文献３（特開２００２−２８０５９９号公報）には、ラッカー４０５，４０５を塗布するための手段や、光学的障壁層４０８を設けるための手段が記載されておらず、如何にして発光素子４０２や受光素子４０３にダメージを与えずに封止できるか、見出せない。また、光学的障壁層４０８を設けた後、光学レンズをなす透光層４０７を設けるための手段も記載されていない。例えば、光学的障壁層４０８が作る凹部に透光性樹脂を注型にて設けることが一案として考えられるが、そのようにした場合、注入する樹脂量のばらつきによってレンズ形状のばらつきが生じて、所定の光学的性能を得ることが困難となる。また、同文献には、上記光半導体装置は全二重方式光通信が可能にするとの記載があるが、そのためには、基本的に、発光素子４０２と受光素子４０３との間の光学的結合や電気的結合を低減する必要がある。しかし、同文献には、その素子間の光学的結合や電気的結合を低減するための手段が記載されていない。
そこで、この発明の課題は、光ファイバに対する高い光結合効率および光伝送品質を有し、耐環境性等の信頼性の高い光半導体装置、しかもＬＥＤやＰＤ等のサイズの小さい光半導体素子を利用でき、簡単な構成で小型化と低価格化を両立できる全二重光通信が可能な光半導体装置を提供することにある。
また、この発明の課題は、そのような光半導体装置を備えた電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の光半導体装置は、
リードフレームと、
上記リードフレーム上で、このリードフレームの面に沿った一方向に関して互いに離間した部位にそれぞれ搭載された発光素子および受光素子と、
上記発光素子、上記受光素子をそれぞれ互いに離間して覆う第１、第２の透明シリコーン樹脂部と、
上記発光素子と、上記受光素子と、上記リードフレームのうち少なくとも上記発光素子、受光素子を搭載した部分と、上記第１、第２のシリコーン樹脂部の各頂部以外の部分とを覆って封止する低透光性樹脂からなる第１のモールド樹脂部と、
上記第１のモールド樹脂部の外周面および上記第１、第２のシリコーン樹脂部の各頂部を覆って一体に封止する高透光性樹脂からなる第２のモールド樹脂部と
を備え、
上記第１のモールド樹脂部は、外周面のうち上記発光素子と受光素子の間に相当する部位に、上記リードフレームの面に対して垂直な方向に隆起するとともに上記一方向に対して実質的に垂直な方向に延在しした少なくとも２つの帯状突起を有し、
上記第２のモールド樹脂部は、外周面に、上記第１のモールド樹脂部の上記帯状突起の間の隙間に沿った帯状溝を有することを特徴とする。
この明細書において、「低透光性樹脂」とは、「高透光性樹脂」よりも光透過率が低い樹脂を指し、非透光性である場合も含む。
「高透光性樹脂」は、「低透光性樹脂」よりも光透過率が高い樹脂を指し、完全に透明である場合も含む。
この発明の光半導体装置では、発光素子が発した光は、第１の透明シリコーン樹脂部、第２のモールド樹脂部を通して外部へ出射される。第１の透明シリコーン樹脂部は透明であり、第２のモールド樹脂部は高透光性樹脂からなるので、上記発光素子が発した光は、殆ど減衰することなく、例えば光ファイバへ達する。また、外部、例えば別の光ファイバからの光は、第２のモールド樹脂部、第２の透明シリコーン樹脂部を通して受光素子に入射する。つまり、第１のモールド樹脂部をなす低透光性樹脂は光路を構成しない。したがって、第２のモールド樹脂部をなす高透光性樹脂として、例えば透明性の高いフィラを含有した酸無水系エポキシ樹脂を採用することができる。また、第１および第２のモールド樹脂部は、金型を用いた公知のトランスファモールドを行うことにより、容易に精度良く形成される。したがって、この光半導体装置は、光ファイバに対する高い結合効率および光伝送品質を有することができる。
一方、第１のモールド樹脂部をなす低透光性樹脂として、線膨張係数が小さいエポキシ樹脂（例えばフィラを含有したフェノール系エポキシ樹脂）を採用することで、第１のモールド樹脂部をなす低透光性樹脂の線膨張係数と、リードフレームやボンディングワイヤをなす金属材料の線膨張係数との間の差を小さくすることができる。したがって、熱応力によるボンディングワイヤの断線やパッケージクラック等の発生を抑制できる。したがって、この光半導体装置では、耐環境性（耐熱衝撃や放熱性等）等の信頼性が優れ、また、実装時の半田付けが容易になる。
しかも、発光素子や受光素子の上にガラスレンズなどを搭載するわけではないから、上記発光素子や受光素子としてそれぞれＬＥＤやＰＤ等のサイズの小さい光半導体素子を利用できる。
また、この光半導体装置では、上記第１のモールド樹脂部が低透光性樹脂からなるので、発光素子から受光素子の方へ発せられた光は第１のモールド樹脂部を通る間に減衰する。したがって、上記発光素子と受光素子との間の光学的結合が低減される。また、上記発光素子と受光素子との間に、上記第１のモールド樹脂部の外周面に設けられた２つの帯状突起と、それらの帯状突起の間の隙間に沿った、上記第２のモールド樹脂部の外周面がなす帯状溝とが設けられている。したがって、上記発光素子と受光素子の間の光学的結合がさらに低減される。したがって、この光半導体装置では、高伝送速度で全二重光通信が可能になる。
また、この光半導体装置は、簡単な構成をもつ。したがって、小型化と低価格化を両立させることができる。
一実施形態の光半導体装置では、上記リードフレームの線膨張係数と上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、上記第１のモールド樹脂部に混入されたフィラーの割合が設定されていることを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置では、第１のモールド樹脂部をなす低透光性樹脂の線膨張係数とリードフレームをなす金属材料の線膨張係数との差を小さくすることができる。したがって、熱応力によるボンディングワイヤの断線等の発生をさらに抑制できる。上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数と上記第２のモールド樹脂部の線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、上記第１のモールド樹脂部に混入されたフィラーの割合が設定されていることを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置では、上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数と上記第２のモールド樹脂部の線膨張係数との差を小さくすることができる。したがって、熱応力によるパッケージクラック等の発生を抑制できる。
一実施形態の光半導体装置では、上記第２のモールド樹脂部の外周面のうち上記発光素子、受光素子に対応する部位にそれぞれ上記高透光性樹脂からなる第１レンズ部、第２レンズ部が設けられていることを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置では、上記第２のモールド樹脂部の外周面のうち上記発光素子、受光素子に対応する部位にそれぞれ上記高透光性樹脂からなる第１レンズ部、第２レンズ部が設けられているので、上記発光素子、受光素子とそれらに対応する光ファイバとの間の光結合効率が高まる。したがって、光信号を安定して効率的に利用することができる。
一実施形態の光半導体装置では、上記第１レンズ部、第２レンズ部はそれぞれ、上記第２のモールド樹脂部の外周面に設けられた第１の窪み、第２の窪みに設けられていることを特徴とする光半導体装置。
この一実施形態の光半導体装置では、光伝送装置の組み立て時に、上記第１の窪み、第２の窪みの側面によってそれぞれ光ファイバの端部（プラグ）を案内して、各光ファイバの端部が上記第１レンズ部、第２レンズ部に対向するように容易に位置決めすることができる。
一実施形態の光半導体装置では、
上記第１のモールド樹脂部は、
上記発光素子と、上記リードフレームのうち上記発光素子を搭載した部分と、上記第１のシリコーン樹脂部の頂部以外の部分とを覆って一体に封止する発光素子モールド樹脂部と、
上記受光素子と、上記リードフレームのうち上記受光素子を搭載した部分と、上記第２のシリコーン樹脂部の頂部以外の部分とを覆って一体に封止する受光素子モールド樹脂部とを有し、
上記発光素子モールド樹脂部と受光素子モールド樹脂部との間の隙間を、上記第２のモールド樹脂部が埋めていることを特徴とする。

言い換えれば、この一実施形態の光半導体装置は、
リードフレームと、
上記リードフレーム上で、このリードフレームの面に沿った一方向に関して互いに離間した部位にそれぞれ搭載された発光素子および受光素子と、
上記発光素子、上記受光素子をそれぞれ互いに離間して覆う第１、第２の透明シリコーン樹脂部と、
上記発光素子と、上記リードフレームのうち上記発光素子を搭載した部分と、上記第１のシリコーン樹脂部の頂部以外の部分とを覆って一体に封止する低透光性樹脂からなる発光素子モールド樹脂部と、
上記発光素子モールド樹脂部に対して隙間を有して配置され、上記受光素子と、上記リードフレームのうち上記受光素子を搭載した部分と、上記第２のシリコーン樹脂部の頂部以外の部分とを覆って一体に封止する低透光性樹脂からなる受光素子モールド樹脂部と、
上記発光素子モールド樹脂部と受光素子モールド樹脂部との間の上記隙間を埋めると共に、上記発光素子モールド樹脂部、受光素子モールド樹脂部の各外周面および上記第１、第２のシリコーン樹脂部の各頂部を覆って一体に封止する高透光性樹脂からなる第２のモールド樹脂部と
を備え、
上記発光素子モールド樹脂部、受光素子モールド樹脂部は、それぞれ外周面のうち上記隙間に沿った部位に、上記リードフレームの面に対して垂直な方向に隆起するとともに上記一方向に対して実質的に垂直な方向に延在する帯状突起を有し、
上記第２のモールド樹脂部は、外周面に、上記第１のモールド樹脂部の上記２つの帯状突起の間の隙間に沿った帯状溝を有することを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置では、上記発光素子モールド樹脂部と上記受光素子モールド樹脂部との間の上記隙間を使って、上記発光素子と受光素子との間の電気的結合を低減することが可能となる。
一実施形態の光半導体装置では、上記受光素子を取り囲むように、上記受光素子を電気的にシールドするシールド材が設けられていることを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置では、上記シールド材によって上記受光素子が電気的にシールドされる。したがって、上記発光素子と受光素子との間の電気的結合が低減される。この結果、高伝送速度で高光伝送品質全二重光通信が可能になる。
なお、上記シールド材は、上記リードフレームの一部をなすグランド端子に連結されているのが望ましい。その場合、上記シールド材を接地するのが容易になる。
一実施形態の光半導体装置では、上記リードフレーム上に、上記発光素子、受光素子に加えて、上記発光素子を駆動する駆動用ＩＣ、および／または上記受光素子からの信号を処理する信号処理用ＩＣが搭載されていることを特徴とする。
一実施形態の光半導体装置では、上記発光素子駆動用ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）、信号処理用ＩＣは上記リードフレーム上に搭載されているので、上記発光素子と駆動用ＩＣとの間の配線や、上記受光素子と信号処理用ＩＣとの間の配線は、ボンディングワイヤによって短距離で容易に行われる。したがって、この光半導体装置は、小型で安価に構成される。
一実施形態の光半導体装置では、上記受光素子と、この受光素子からの信号を処理する信号処理回路とが、同一のチップに形成されていることを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置は、小型で安価に構成される。
一実施形態の光半導体装置では、上記リードフレーム上に、通信制御用ＩＣが搭載されていることを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置によれば、上記通信制御用ＩＣによって高速な光通信が安定して行われる。
一実施形態の光半導体装置では、上記発光素子が発する光を受ける光ファイバ端部と、上記受光素子に光を入射させる光ファイバ端部との対が嵌合され、それらの光ファイバ端部の対を保持する保持対を備えたことを特徴とする。
この一実施形態の光半導体装置では、上記保持対によって、光ファイバ端部の対がこの光半導体装置と一体に連結される。したがって、光通信が安定して行われる。
この発明の電子機器は、この発明の光半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器である。
この電子機器では、簡単な構成で全二重光通信が可能となり、小型化と低価格化を両立できる。
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１は第１実施形態の光半導体装置の概略的な断面構造を示している。
この光半導体装置は、金属板を加工して作製されたリードフレーム５０１を備えている。このリードフレーム５０１は、半導体素子が搭載されるべき島状のヘッダ部５２１，５２２，５２４と、細長く延在するリード端子５２５，５２３，５２６とを含んでいる。ヘッダ部５２１，５２２，５２４は、一方向（図１における左右方向）に互いに離間して設けられている。リード端子５２５，５２６は、それぞれヘッダ部５２１，５２４に連なって導通し、後述する第２のモールド樹脂部５０８の外部でリードフレーム５０１の本来の面（ヘッダ部５２１，５２２，５２４が存在する面）に対して折り曲げられている。一方、リード端子５２３は、ヘッダ部とは離間して設けられ、第２のモールド樹脂部５０８の外部へ延びている。なお、ヘッダ部５２２からも、図示しないリード端子が第２のモールド樹脂部５０８の外部へ延びている。
ヘッダ部５２１，５２２，５２４には、それぞれ発光素子５０２、発光素子５０２を駆動するための駆動用ＩＣ５０４、光半導体素子５０３が図示しない導電性樹脂（銀ペースト）を介して搭載されている。発光素子５０２、駆動用ＩＣ５０４、光半導体素子５０３の裏面（電極）は、それぞれヘッダ部５２１，５２２，５２４と導通している。光半導体素子５０３は、受光素子５０３Ａと、この受光素子からの信号を処理する信号処理回路（図示せず）とを１チップに含んでいる。
発光素子５０２、駆動用ＩＣ５０４の図示しない各表面電極とヘッダ部５２２とがそれぞれワイヤ５０５Ａ，５０５Ｂ，５０５Ｃで電気的に接続されている。また、光半導体素子５０３の図示しない各表面電極とリード端子５２３、ヘッダ部５２４とがそれぞれワイヤ５０５Ｄ，５０５Ｅで電気的に接続されている。符号５０５は、それらのワイヤ５０５Ａ〜５０５Ｅを集合的に示している。
発光素子５０２の外面は、第１の透明シリコーン樹脂部５０６Ａによって覆われている。また、光半導体素子５０３に含まれた受光素子５０３Ａは、第２の透明シリコーン樹脂部５０６Ｂによって覆われている。第１、第２の透明シリコーン樹脂部５０６Ａ，５０６Ｂは、いずれも山状に局所的に設けられており、互いに離間している。
低透光性樹脂からなる第１のモールド樹脂部５０７が、発光素子５０２と、駆動用ＩＣ５０４と、光半導体素子５０３と、リードフレーム５０１の各部５２１，５２２，５２３，５２４と、ワイヤ５０５と、第１、第２のシリコーン樹脂部５０６Ａ，５０６Ｂの各頂部５０６ａ，５０６ｂ以外の部分とを覆って一体に封止している。第１のシリコーン樹脂部５０６Ａの頂部５０６ａは、第１のモールド樹脂部５０７の外周面５０７ａのうち発光素子５０２の周りに相当する部分と同一面をなしている。また、第２のシリコーン樹脂部５０６Ｂの頂部５０６ｂは、第１のモールド樹脂部５０７の外周面５０７ｂのうち光半導体素子５０３の周りに相当する部分と同一面をなしている。
この第１のモールド樹脂部５０７は、外周面のうち発光素子５０２と光半導体素子５０３との間に相当する部位に、リードフレーム５０１の面に対して垂直な方向（図１における上方向）に隆起するとともに図１の紙面に対して垂直な方向に延在しした２つの帯状突起５０９Ａ，５０９Ｂを有している。帯状突起５０９Ａ，５０９Ｂの間の隙間は、断面凹状の帯状溝５１０になっている。
高透光性樹脂からなる第２のモールド樹脂部５０８が、第１のモールド樹脂部５０７の外周面、および第１、第２のシリコーン樹脂部５０６Ａ，５０６Ｂの各頂部５０６ａ，５０６ｂを覆って一体に封止している。
この第２のモールド樹脂部５０８は、外周面に、第１のモールド樹脂部５０７の帯状突起５０９Ａ，５０９Ｂの間の隙間に沿った断面凹状の帯状溝５１４を有している。また、第２のモールド樹脂部５０８の外周面のうち発光素子５０２、受光素子５０３Ａに対応する部位に、それぞれ高透光性樹脂からなり外部に向かって凸状の第１レンズ部５１１、第２レンズ部５１２が設けられている。
上述の光半導体装置は次のようにして製造される。なお、最初は、リードフレーム５０１の各部は図示しないタイバーによって一体に連結されている。
まず、ダイボンディング工程を行って、リードフレーム５０１のヘッダ部５２１，５２２，５２４に、それぞれ発光素子５０２、発光素子５０２を駆動するための駆動用ＩＣ５０４、光半導体素子５０３を図示しない導電性樹脂（銀ペースト）を介して搭載する。
次に、ワイヤボンディング工程を行って、ワイヤ５０５を配線する。
次に、透明シリコーン樹脂をディップして、透明シリコーン樹脂部５０６Ａ，５０６Ｂを形成する。
次に、低透光性樹脂を用いて１回目のトランスファーモールドを行って、第１のモールド樹脂部５０７を形成する。
次に、高透光性樹脂を用いて２回目のトランスファーモールドを行って、第２のモールド樹脂部５０８を形成する。
この後、リードフレーム５０１の各部を連結している既述のタイバー（図示せず）を切断するとともに、リード端子５２５，５２６等の折り曲げを行う。この光半導体装置はこのようにして製造される。
この光半導体装置では、発光素子５０２が発した光は、第１の透明シリコーン樹脂部５０６Ａ、第２のモールド樹脂部５０８および第１レンズ部５１１を通して外部へ出射される。第１の透明シリコーン樹脂部５０６Ａは透明であり、第２のモールド樹脂部５０８および第１レンズ部５１１は高透光性樹脂からなるので、発光素子５０２が発した光は、殆ど減衰することなく、例えば光ファイバへ達する。また、外部、例えば別の光ファイバからの光は、第２レンズ部５１２、第２のモールド樹脂部５０８、第２の透明シリコーン樹脂部５０６Ｂを通して受光素子５０３に入射する。つまり、第１のモールド樹脂部５０７をなす低透光性樹脂は光路を構成しない。したがって、第２のモールド樹脂部５０８、第１レンズ部５１１および第２レンズ部５１２をなす高透光性樹脂として、例えば透明性の高いフィラを含有した酸無水系エポキシ樹脂を採用することができる。また、第１のモールド樹脂部５０７および第２のモールド樹脂部５０８は、金型を用いた公知の２重トランスファモールドを行うことにより、容易に精度良く形成される。これらの結果、この光半導体装置は、光ファイバに対する高い結合効率および光伝送品質を有することができる。さらに、この光半導体装置では、第１レンズ部５１１、第２レンズ部５１２によって、発光素子５０２、受光素子５０３とそれらに対応する光ファイバとの間の光結合効率が高まる。したがって、光信号を安定して効率的に利用することができる。
一方、第１のモールド樹脂部５０７をなす低透光性樹脂として、線膨張係数が小さいエポキシ樹脂（例えばフィラを含有したフェノール系エポキシ樹脂）を採用する。例えば、リードフレーム５０１の線膨張係数と第１のモールド樹脂部５０７の線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、第１のモールド樹脂部５０７に混入されたフィラーの割合を設定する。これにより、第１のモールド樹脂部５０７をなす低透光性樹脂の線膨張係数と、リードフレーム５０１やボンディングワイヤ５０５をなす金属材料の線膨張係数との間の差を小さくすることができる。同時に、第１のモールド樹脂部５０７の線膨張係数と第２のモールド樹脂部５０８の線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、第１のモールド樹脂部５０７に混入されたフィラーの割合を設定する。例えば、第１のモールド樹脂部５０７でのフィラーの割合を２０重量％乃至８０重量％の範囲内に設定する。これにより、第１のモールド樹脂部５０７の線膨張係数と第２のモールド樹脂部５０８の線膨張係数との差を小さくすることができる。したがって、熱応力によるボンディングワイヤ５０５の断線やパッケージクラック等の発生を抑制できる。したがって、この光半導体装置では、耐環境性（耐熱衝撃や放熱性等）等の信頼性が優れ、また、実装時の半田付けが容易になる。
しかも、発光素子５０２や受光素子５０３Ａの上にガラスレンズなどを搭載するわけではないから、発光素子５０２や受光素子５０３ＡとしてそれぞれＬＥＤやＰＤ等のサイズの小さい光半導体素子を利用できる。
また、この光半導体装置では、第１のモールド樹脂部５０７が低透光性樹脂からなるので、発光素子５０２から受光素子５０３Ａの方（特に図１における右方向）へ発せられた光は第１のモールド樹脂部５０７を通る間に減衰する。したがって、発光素子５０２と受光素子５０３Ａとの間の光学的結合が低減される。また、発光素子５０２と受光素子５０３Ａとの間に、第１のモールド樹脂部５０７の外周面に設けられた２つの帯状突起５０９Ａ，５０９Ｂと、それらの帯状突起５０９Ａ，５０９Ｂの間の隙間に沿った、第２のモールド樹脂部５０８の外周面がなす帯状溝５１４とが設けられている。したがって、発光素子５０２から受光素子５０３Ａの方（特に図１における右上方向）へ発せられた光は、第１のモールド樹脂部５０７をなす低透光性樹脂と第２のモールド樹脂部５０８をなす高透光性樹脂との界面で反射、屈折を繰り返して減衰する。したがって、発光素子５０２と受光素子５０３Ａの間の光学的結合がさらに低減される。したがって、この光半導体装置では、ダイナミックレンジにも依存するが、数Ｍｂｐｓ程度までの高伝送速度で全二重光通信が可能になる。
また、この光半導体装置は、簡単な構成をもつ。したがって、小型化と低価格化を両立させることができる。また、光半導体素子５０３は、受光素子５０３Ａと、この受光素子５０３Ａからの信号を処理する信号処理回路とを１チップ化したものであるから、この光半導体装置は、さらに小型で安価に構成される。
（第２実施形態）
図２は第２実施形態の光半導体装置の概略的な断面構造を示している。
この光半導体装置は、金属板を加工して作製されたリードフレーム６０１を備えている。このリードフレーム６０１は、半導体素子が搭載されるべき島状のヘッダ部６２１，６２２，６２４と、細長く延在するリード端子６２５，６２３，６２６とを含んでいる。ヘッダ部６２１，６２２，６２４は、一方向（図２における左右方向）に互いに離間して設けられている。リード端子６２５，６２６は、それぞれヘッダ部６２１，６２４に連なって導通し、後述する第２のモールド樹脂部６０８の外部でリードフレーム６０１の本来の面（ヘッダ部６２１，６２２，６２４が存在する面）に対して折り曲げられている。一方、リード端子６２３は、ヘッダ部とは離間して設けられ、第２のモールド樹脂部６０８の外部へ延びている。なお、ヘッダ部６２２からも、図示しないリード端子が第２のモールド樹脂部６０８の外部へ延びている。
ヘッダ部６２１，６２２，６２４には、それぞれ発光素子６０２、発光素子６０２を駆動するための駆動用ＩＣ６０４、光半導体素子６０３が図示しない導電性樹脂（銀ペースト）を介して搭載されている。発光素子６０２、駆動用ＩＣ６０４、光半導体素子６０３の裏面（電極）は、それぞれヘッダ部６２１，６２２，６２４と導通している。光半導体素子６０３は、受光素子６０３Ａと、この受光素子からの信号を処理する信号処理回路（図示せず）とを１チップに含んでいる。
発光素子６０２、駆動用ＩＣ６０４の図示しない各表面電極とヘッダ部６２２とがそれぞれワイヤ６０５Ａ，６０５Ｂ，６０５Ｃで電気的に接続されている。また、光半導体素子６０３の図示しない各表面電極とリード端子６２３、ヘッダ部６２４とがそれぞれワイヤ６０５Ｄ，６０５Ｅで電気的に接続されている。符号６０５は、それらのワイヤ６０５Ａ〜６０５Ｅを集合的に示している。
発光素子６０２の外面は、第１の透明シリコーン樹脂部６０６Ａによって覆われている。また、光半導体素子６０３に含まれた受光素子６０３Ａは、第２の透明シリコーン樹脂部６０６Ｂによって覆われている。第１、第２の透明シリコーン樹脂部６０６Ａ，６０６Ｂは、いずれも山状に局所的に設けられており、互いに離間している。
この光半導体装置は、第１実施形態における一体に形成された第１のモールド樹脂部５０７に代えて、それぞれ低透光性樹脂からなる発光素子モールド樹脂部６０７Ａと受光素子モールド樹脂部６０７Ｂとを、それらの間に隙間６１０を有した状態で備えている。
発光素子モールド樹脂部６０７Ａは、発光素子６０２と、駆動用ＩＣ６０４と、発光素子６０２を搭載したヘッダ部６２１と、駆動用ＩＣ６０４を搭載したヘッダ部６２２と、ワイヤ６０５Ａ，６０５Ｂ，６０５Ｃと、第１のシリコーン樹脂部６０６Ａの頂部６０６ａ以外の部分とを覆って一体に封止している。一方、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂは、光半導体素子６０３と、光半導体素子６０３を搭載したヘッダ部６２４と、リード端子６２３と、ワイヤ６０５Ｄ，６０５Ｅと、第２のシリコーン樹脂部６０６Ｂの頂部６０６ｂ以外の部分とを覆って一体に封止している。
第１のシリコーン樹脂部６０６Ａの頂部６０６ａは、発光素子モールド樹脂部６０７Ａの外周面６０７ａのうち発光素子６０２の周りに相当する部分と同一面をなしている。また、第２のシリコーン樹脂部６０６Ｂの頂部６０６ｂは、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂの外周面６０７ｂのうち光半導体素子６０３の周りに相当する部分と同一面をなしている。
発光素子モールド樹脂部６０７Ａは、外周面６０７ａのうち隙間６１０に沿った部位に、リードフレーム６０１の面に対して垂直な方向（図２における上方向）に隆起するとともに図２の紙面に対して垂直な方向に延在しした帯状突起６０９Ａを有している。一方、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂは、外周面６０７ｂのうち隙間６１０に沿った部位に、リードフレーム６０１の面に対して垂直な方向（図２における上方向）に隆起するとともに図２の紙面に対して垂直な方向に延在しした帯状突起６０９Ｂを有している。
受光素子モールド樹脂部６０７Ｂの略下半分を取り囲むように、金属板を折り曲げて形成されたシールド材６３０が設けられている。詳しくは、このシールド材６３０は、動作時に接地されるリード端子（グランド端子）６２６の根元（ヘッダ６２４側の部分）付近から図２において下方へ延在する部分６３１と、この部分６３１の下端から上記隙間６１０の真下まで横方向へ延在する部分６３２と、上記隙間６１０の真下から上記帯状突起６０９Ａ，６０９Ｂの根元付近まで立ち上がる部分６３３とからなっている。
高透光性樹脂からなる第２のモールド樹脂部６０８が、上記隙間６１０を埋めると共に、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂの各外周面および第１、第２のシリコーン樹脂部６０６Ａ，６０６Ｂの各頂部６０６ａ，６０６ｂを覆って一体に封止している。
この第２のモールド樹脂部６０８は、外周面に、上記帯状突起６０９Ａ，６０９Ｂの間の隙間に沿った断面凹状の帯状溝６１４を有している。また、第２のモールド樹脂部６０８の外周面６０８ａ，６０８ｂのうち発光素子６０２、受光素子６０３Ａに対応する部位に、それぞれ第１の窪みとしての落とし込み部６４１、第２の窪みとしての落とし込み部６４２が設けられている。落とし込み部６４１、６４２の各底面には、それぞれ高透光性樹脂からなり外部に向かって凸状の第１レンズ部６１１、第２レンズ部６１２が設けられている。また、落とし込み部６４１、６４２の各側面６４１ａ，６４１ｂは外部へ向かって開いたテーパーを有している。したがって、光伝送装置の組み立て時に、落とし込み部６４１、６４２がそれぞれ光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂの端部（プラグ）を誘い込むように案内する。したがって、各光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂの端部が第１レンズ部５１１、第２レンズ部５１２に対向するように容易に位置決めすることができる。
上述の光半導体装置は次のようにして製造される。なお、最初は、リードフレーム６０１の各部は図示しないタイバーによって一体に連結されている。
まず、ダイボンディング工程を行って、リードフレーム６０１のヘッダ部６２１，６２２，６２４に、それぞれ発光素子６０２、発光素子６０２を駆動するための駆動用ＩＣ６０４、光半導体素子６０３を図示しない導電性樹脂（銀ペースト）を介して搭載する。
次に、ワイヤボンディング工程を行って、ワイヤ６０５を配線する。
次に、透明シリコーン樹脂をディップして、透明シリコーン樹脂部６０６Ａ，６０６Ｂを形成する。
次に、低透光性樹脂を用いて１回目のトランスファーモールドを行って、第１のモールド樹脂部としての発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂを形成する。
次に、リードフレーム６０１のリード端子（グランド端子）６２６にシールド材６３０を位置決めして重ね合わせ、リード端子６２６の根元で両者を溶接して連結する。
次に、高透光性樹脂を用いて２回目のトランスファーモールドを行って、第２のモールド樹脂部６０８を形成する。
この後、リードフレーム６０１の各部を連結している既述のタイバー（図示せず）を切断するとともに、リード端子６２５，６２６等の折り曲げを行う。この光半導体装置はこのようにして製造される。
この光半導体装置では、発光素子６０２が発した光は、第１の透明シリコーン樹脂部６０６Ａ、第２のモールド樹脂部６０８および第１レンズ部６１１を通して外部へ出射される。第１の透明シリコーン樹脂部６０６Ａは透明であり、第２のモールド樹脂部６０８および第１レンズ部６１１は高透光性樹脂からなるので、発光素子６０２が発した光は、殆ど減衰することなく、光ファイバ６１３Ａへ達する。また、別の光ファイバ６１３Ｂからの光は、第２レンズ部６１２、第２のモールド樹脂部６０８、第２の透明シリコーン樹脂部６０６Ｂを通して受光素子６０３Ａに入射する。つまり、発光素子モールド樹脂部６０７Ａと受光素子モールド樹脂部６０７Ｂとをなす低透光性樹脂は光路を構成しない。したがって、第２のモールド樹脂部６０８、第１レンズ部６１１および第２レンズ部６１２をなす高透光性樹脂として、例えば透明性の高いフィラを含有した酸無水系エポキシ樹脂を採用することができる。また、第１のモールド樹脂部としての発光素子モールド樹脂部６０７Ａおよび受光素子モールド樹脂部６０７Ｂと、第２のモールド樹脂部６０８とは、金型を用いた公知の２重トランスファモールドを行うことにより、容易に精度良く形成される。これらの結果、この光半導体装置は、光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂに対する高い結合効率および光伝送品質を有することができる。さらに、この光半導体装置では、第１レンズ部６１１、第２レンズ部６１２によって、発光素子６０２、受光素子６０３とそれらに対応する光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂとの間の光結合効率が高まる。したがって、光信号を安定して効率的に利用することができる。
一方、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂをなす低透光性樹脂として、線膨張係数が小さいエポキシ樹脂（例えばフィラを含有したフェノール系エポキシ樹脂）を採用する。例えば、リードフレーム６０１の線膨張係数と発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂの線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂに混入されたフィラーの割合を設定する。これにより、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂをなす低透光性樹脂の線膨張係数と、リードフレーム６０１やボンディングワイヤ６０５をなす金属材料の線膨張係数との間の差を小さくすることができる。同時に、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂの線膨張係数と第２のモールド樹脂部６０８の線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂに混入されたフィラーの割合を設定する。例えば、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂでのフィラーの割合を２０重量％乃至８０重量％の範囲内に設定する。これにより、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂの線膨張係数と第２のモールド樹脂部６０８の線膨張係数との差を小さくすることができる。したがって、熱応力によるボンディングワイヤ６０５の断線やパッケージクラック等の発生を抑制できる。したがって、この光半導体装置では、耐環境性（耐熱衝撃や放熱性等）等の信頼性が優れ、また、実装時の半田付けが容易になる。
しかも、発光素子６０２や受光素子６０３Ａの上にガラスレンズなどを搭載するわけではないから、発光素子６０２や受光素子６０３ＡとしてそれぞれＬＥＤやＰＤ等のサイズの小さい光半導体素子を利用できる。
また、この光半導体装置では、発光素子６０２から受光素子６０３Ａの方（特に図２における右方向）へ発せられた光は、シールド材６３０のうち隙間６１０に配置された部分６３３によって遮断される。したがって、発光素子６０２と受光素子６０３Ａとの間の光学的結合が低減される。また、発光素子６０２と受光素子６０３Ａとの間に、発光素子モールド樹脂部６０７Ａ、受光素子モールド樹脂部６０７Ｂの外周面に設けられた２つの帯状突起６０９Ａ，６０９Ｂと、それらの帯状突起６０９Ａ，６０９Ｂの間の隙間に沿った、第２のモールド樹脂部６０８の外周面がなす帯状溝６１４とが設けられている。したがって、発光素子６０２から受光素子６０３Ａの方（特に図２における右上方向）へ発せられた光は、第１のモールド樹脂部６０７をなす低透光性樹脂と第２のモールド樹脂部６０８をなす高透光性樹脂との界面で反射、屈折を繰り返して減衰する。したがって、発光素子６０２と受光素子６０３Ａとの間の光学的結合がさらに低減される。また、受光素子６０３Ａはシールド材６３０によって取り囲まれて、電気的にシールドされている。したがって、発光素子６０２と受光素子６０３Ａとの間の電気的結合が低減される。したがって、この光半導体装置では、ダイナミックレンジにも依存するが、数Ｍｂｐｓ程度までの高伝送速度で全二重光通信が可能になる。
また、この光半導体装置は、簡単な構成をもつ。したがって、小型化と低価格化を両立させることができる。また、光半導体素子６０３は、受光素子６０３Ａと、この受光素子６０３Ａからの信号を処理する信号処理回路とを１チップ化したものであるから、この光半導体装置は、さらに小型で安価に構成される。
なお、上述の各実施形態では、受光素子６０３Ａと、この受光素子６０３Ａからの信号を処理する信号処理回路とが、同一のチップに含まれているものとしたが、これに限られるものではない。リードフレーム６０１上に、発光素子６０２、受光素子６０３に加えて、発光素子６０２を駆動する駆動用ＩＣ、および／または受光素子６０３からの信号を処理する信号処理用ＩＣが搭載されていても良い。その場合でも、発光素子６０２と発光素子６０２駆動用ＩＣとの間の配線や、受光素子６０３と信号処理用ＩＣとの間の配線は、ボンディングワイヤによって短距離で容易に行われる。したがって、この光半導体装置は、小型で安価に構成される。
また、リードフレーム６０１上に、通信制御用ＩＣが搭載されていても良い。その場合、その通信制御用ＩＣによって高速な光通信が安定して行われる。
また、光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂの端部を保持する保持対を、この光半導体装置の第２のモールド樹脂部６０８に取り付けても良い。その保持対は、光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂの端部の対が嵌合されて、それらの光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂの端部の対を保持するものとする。このような保持対を備えることによって、光ファイバ６１３Ａ，６１３Ｂの端部の対がこの光半導体装置と一体に連結される。したがって、光通信が安定して行われる。
この発明の光半導体装置を備えた電子機器では、簡単な構成で全二重光通信が可能となり、小型化と低価格化を両立できる。
この発明の第１実施形態の光半導体装置の断面構造を示す図である。 この発明の第２実施形態の光半導体装置の断面構造を示す図である。 透明樹脂を用いて封止された従来の一般的な光半導体装置の断面構造を示す図である。 光半導体素子上にガラスレンズを搭載し、フィラー入り樹脂を用いて封止された従来の一般的な光半導体装置の断面構造を示す図である。 線膨張率が互いに異なる２種類のモールド樹脂を用いて封止された従来の光半導体装置の断面構造を示す図である。 従来の面実装型全二重光通信モジュールの断面構造を示す図である。
符号の説明
５０１，６０１ リードフレーム
５０２，６０２ 発光素子
５０３，６０３ 光半導体素子
５０３Ａ，６０３Ａ 受光素子
５０４，６０４ 駆動用ＩＣ
５０７ 第１のモールド樹脂部
５０８，６０８ 第２のモールド樹脂部
５０９Ａ，５０９Ｂ，６０９Ａ，６０９Ｂ 帯状突起
５１４，６１４ 帯状溝
６０７Ａ 発光素子モールド樹脂部
６０７Ｂ 受光素子モールド樹脂部
５１１，６１１ 第１レンズ部
５１２，６１２ 第２レンズ部
６４１，６４２ 落とし込み部

Claims (12)

  1. リードフレームと、
    上記リードフレーム上で、このリードフレームの面に沿った一方向に関して互いに離間した部位にそれぞれ搭載された発光素子および受光素子と、
    上記発光素子、上記受光素子をそれぞれ互いに離間して覆う第１、第２の透明シリコーン樹脂部と、
    上記発光素子と、上記受光素子と、上記リードフレームのうち少なくとも上記発光素子、受光素子を搭載した部分と、上記第１、第２のシリコーン樹脂部の各頂部以外の部分とを覆って封止する低透光性樹脂からなる第１のモールド樹脂部と、
    上記第１のモールド樹脂部の外周面および上記第１、第２のシリコーン樹脂部の各頂部を覆って一体に封止する高透光性樹脂からなる第２のモールド樹脂部と
    を備え、
    上記第１のモールド樹脂部は、外周面のうち上記発光素子と受光素子の間に相当する部位に、上記リードフレームの面に対して垂直な方向に隆起するとともに上記一方向に対して実質的に垂直な方向に延在しした少なくとも２つの帯状突起を有し、
    上記第２のモールド樹脂部は、外周面に、上記第１のモールド樹脂部の上記帯状突起の間の隙間に沿った帯状溝を有することを特徴とする光半導体装置。
  2. 請求項１記載の光半導体装置において、
    上記リードフレームの線膨張係数と上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、上記第１のモールド樹脂部に混入されたフィラーの割合が設定されていることを特徴とする光半導体装置。
  3. 請求項２記載の光半導体装置において、
    上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数と上記第２のモールド樹脂部の線膨張係数との差が０乃至６．０×１０−５Ｋ−１の範囲内になるように、上記第１のモールド樹脂部に混入されたフィラーの割合が設定されていることを特徴とする光半導体装置。
  4. 請求項１に記載の光半導体装置において、
    上記第２のモールド樹脂部の外周面のうち上記発光素子、受光素子に対応する部位にそれぞれ上記高透光性樹脂からなる第１レンズ部、第２レンズ部が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
  5. 請求項４に記載の光半導体装置において、
    上記第１レンズ部、第２レンズ部はそれぞれ、上記第２のモールド樹脂部の外周面に設けられた第１の窪み内、第２の窪み内に設けられていることを特徴とする光半導体装置。
  6. 請求項１から５までのいずれか一つに記載の光半導体装置において、
    上記第１のモールド樹脂部は、
    上記発光素子と、上記リードフレームのうち上記発光素子を搭載した部分と、上記第１のシリコーン樹脂部の頂部以外の部分とを覆って一体に封止する発光素子モールド樹脂部と、
    上記受光素子と、上記リードフレームのうち上記受光素子を搭載した部分と、上記第２のシリコーン樹脂部の頂部以外の部分とを覆って一体に封止する受光素子モールド樹脂部とを有し、
    上記発光素子モールド樹脂部と受光素子モールド樹脂部との間の隙間を、上記第２のモールド樹脂部が埋めていることを特徴とする光半導体装置。
  7. 請求項６に記載の光半導体装置において、
    上記受光素子を取り囲むように、上記受光素子を電気的にシールドするシールド材が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
  8. 請求項１に記載の光半導体装置において、
    上記リードフレーム上に、上記発光素子、受光素子に加えて、上記発光素子を駆動する駆動用ＩＣ、および／または上記受光素子からの信号を処理する信号処理用ＩＣが搭載されていることを特徴とする光半導体装置。
  9. 請求項１に記載の光半導体装置において、
    上記受光素子と、この受光素子からの信号を処理する信号処理回路とが、同一のチップに形成されていることを特徴とする光半導体装置。
  10. 請求項１に記載の光半導体装置において、
    上記リードフレーム上に、通信制御用ＩＣが搭載されていることを特徴とする光半導体装置。
  11. 請求項１に記載の光半導体装置において、
    上記発光素子が発する光を受ける光ファイバ端部と、上記受光素子に光を入射させる光ファイバ端部との対が嵌合され、それらの光ファイバ端部の対を保持する保持対を備えたことを特徴とする光半導体装置。
  12. 請求項１に記載の光半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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