JP4760128B2 - 光導波路構造体および光導波路基板 - Google Patents

Description

本発明は、光導波路構造体およびこれを備える光導波路基板に関するものである。

近年、光通信の分野における光部品として、光分岐結合器（光カプラ）、光合分波器等が開発されており、これらに用いる光導波路型素子が有望視されている。この光導波路型素子（以下単に「光導波路」とも言う）としては、従来の石英系光導波路の他、製造（パターニング）が容易で汎用性に富むポリマー系光導波路があり、最近では後者の開発が盛んに行われている。

このような光導波路は、通常、基板上に所定の配置（パターン）で形成され、光導波路構造体として取り扱われる。この光導波路構造体としては、基板上に所定の配線回路と、コア部およびクラッド部で構成される光導波路とを形成し、さらにこの光導波路に発光素子および受光素子を取り付けたものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、上記特許文献１に記載の光導波路構造体では、次のような問題点がある。
１．光導波路の形成工程が複雑であり、伝送光の光路を構成するコア部のパターン形状の設計、選択の自由度が狭い。
２．コア部のパターン形状の精度や寸法精度が悪い。
３．配線パターンと組み合わせた場合に、該配線パターンの設計における自由度が狭い。

特開２００４−１４６６０２号公報

本発明の目的は、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体および光導波路基板を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（６２）の本発明により達成される。
（１） 半導体で構成される半導体層と、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し前記半導体層の内部に少なくとも一部が埋設された光導波路と、を備える光導波路構造体であって、
前記コア部は、ノルボルネン系ポリマーを主とするポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーを主とするモノマーと、を含む材料であって、活性放射線の照射および加熱により屈折率が変化する材料で構成された層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより得られたコア層内において所望の形状に形成されたものであり、
前記コア層は、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記活性放射線が照射された照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーを反応させ、他方の領域から一方の領域へ未反応の前記モノマーが移動することにより、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせ、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものであることを特徴とする光導波路構造体。

（２） 発光部と端子とを有する素子と、受光部と端子とを有する素子の少なくとも一方を備えており、
前記素子の少なくとも一部が前記半導体層の内部に埋設されている上記（１）に記載の光導波路構造体。

（３） 前記素子を駆動するまたは前記素子の出力信号を処理するための少なくとも１つの電子回路素子を備えており、
前記電子回路素子の少なくとも一部が前記半導体層の内部に埋設されている上記（２）に記載の光導波路構造体。

（４） 前記素子を駆動するまたは前記素子の出力信号を処理するための少なくとも１つの電子回路素子を備えており、
前記電子回路素子が前記半導体層の片面側に搭載されている上記（２）に記載の光導波路構造体。

（５） 前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる光路変換部を有する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（６） 前記光路変換部は、平面視で前記素子の前記発光部または前記受光部と重なるような位置に形成されている上記（５）に記載の光導波路構造体。

（７） 前記光路変換部は、前記伝送光の少なくとも一部を反射する反射面を有するものである上記（５）または（６）に記載の光導波路構造体。

（８） 前記光路変換部と前記発光部または前記受光部との間に、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有する透光部を有する上記（５）ないし（７）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（９） 発光部と端子とを有する発光素子と、受光部と端子とを有する受光素子と、平面視で前記発光部および前記受光部とそれぞれ重なるような位置に形成され、前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる発光部側光路変換部および受光部側光路変換部とを有し、
前記発光部から発せられた伝送光が発光部側光路変換部、コア部および受光部側光路変換部を順次経て前記受光部で受光されるよう構成されており、
前記発光素子および前記受光素子が前記半導体層の内部に埋設されている上記（１）に記載の光導波路構造体。

（１０） 絶縁層を有する上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（１１） 導体層を有する上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（１２） 前記導体層に電気的に接続し、層の厚さ方向に延在する導体ポストを有する上記（１１）に記載の光導波路構造体。

（１３） 前記半導体層は、主としてシリコンで構成される上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（１４） 前記半導体層の厚さは、前記光導波路の厚さの１〜１００倍である上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（１５） 前記光導波路の少なくとも一部が前記半導体層の内部に埋設されている上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（１６） 前記屈折率が変化する材料は、さらに、前記活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含むものであり、
前記コア層は、前記層の前記照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、活性化温度が変化していない前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて得られたものである上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（１７） 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである上記（１６）に記載の光導波路構造体。

（１８） 前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである上記（１６）または（１７）に記載の光導波路構造体。

（１９） 前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む上記（１８）に記載の光導波路構造体。
（Ｅ（Ｒ）_３）_２Ｐｄ（Ｑ）_２ ・・・ （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］

（２０） 前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む上記（１８）または（１９）に記載の光導波路構造体。
［（Ｅ（Ｒ）_３）_ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）_ｂ］_ｐ［ＷＣＡ］_ｒ ・・・ （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］

（２１） ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される上記（２０）に記載の光導波路構造体。

（２２） 前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（１６）ないし（２１）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（２３） 前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（２２）に記載の光導波路構造体。

（２４） 前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い上記（２３）に記載の光導波路構造体。

（２５） 前記モノマーは、架橋性モノマーを含む上記（１６）ないし（２４）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（２６） 前記モノマーは、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである上記（２５）に記載の光導波路構造体。

（２７） 前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する上記（１６）ないし（２６）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（２８） 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（２７）に記載の光導波路構造体。
（２９） 前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（２７）または（２８）に記載の光導波路構造体。

（３０） 半導体で構成される半導体層と、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し前記半導体層の内部に少なくとも一部が埋設された光導波路とを備える光導波路構造体であって、
前記コア部は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーと、を含む材料であって、活性放射線の照射により屈折率が変化する材料で構成された層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより得られたコア層内において所望の形状に形成されたものであり、
前記コア層は、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものであり、
前記離脱性基は、−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造を有するものであることを特徴とする光導波路構造体。

（３１） 前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである上記（３０）に記載の光導波路構造体。

（３２） 前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（３０）または（３１）に記載の光導波路構造体。

（３３） 前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである上記（２７）ないし（３２）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（３４） 前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである上記（１６）ないし（３３）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（３５） 前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２である上記（１６）ないし（３４）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（３６） 前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される上記（１６）ないし（３５）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（３７） 前記層は、さらに、酸化防止剤を含む上記（１６）ないし（３６）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（３８） 前記層は、さらに、増感剤を含む上記（１６）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（３９） 前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである上記（３０）ないし（３２）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（４０） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（３９）に記載の光導波路構造体。

（４１） 前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（４２） 前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（４１）に記載の光導波路構造体。

（４３） 前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである上記（４２）に記載の光導波路構造体。

（４４） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（４２）または（４３）に記載の光導波路構造体。

（４５） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（４２）または（４３）に記載の光導波路構造体。

（４６） 前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（４２）または（４３）に記載の光導波路構造体。

（４７） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（４２）または（４３）に記載の光導波路構造体。

（４８） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（４２）または（４３）に記載の光導波路構造体。

（４９） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（４２）ないし（４８）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（５０） 前記コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層を有する上記（１６）ないし（４９）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（５１） 前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている上記（５０）に記載の光導波路構造体。

（５２） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（５１）に記載の光導波路構造体。

（５３） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（５１）または（５２）に記載の光導波路構造体。

（５４） 前記ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（５１）ないし（５３）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（５５） 前記重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位は、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位のうちの少なくとも１種である上記（５４）に記載の光導波路構造体。

（５６） 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している上記（５４）または（５５）に記載の光導波路構造体。

（５７） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む上記（５１）ないし（５３）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（５８） 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが架橋剤を介して架橋している上記（５７）に記載の光導波路構造体。

（５９） 前記クラッド層の平均は、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である上記（５１）ないし（５８）のいずれかに記載の光導波路構造体。

（６０） 基板上に、上記（１６）ないし（５９）のいずれかに記載の光導波路構造体を少なくとも１つ搭載したことを特徴とする光導波路基板。

（６１） 前記基板は、前記半導体層とは別の半導体層を有する上記（６０）に記載の光導波路基板。
（６２） 前記基板は、前記光導波路とは別の光導波路を有する上記（６０）または（６１）に記載の光導波路基板。

本発明によれば、活性放射線（活性エネルギー光線、電子線、Ｘ線等）の照射という簡単な方法でコア部のパターニングをすることができ、コア部のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。

また、コア層を所望の材料で構成した場合には、光導波路に応力が作用したり変形が生じたりした場合、特に、繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部とクラッド部との層間剥離や、コア部内にマイクロクラックが発生すること等の欠陥が生じ難く、その結果、光導波路の光伝送性能が維持され、耐久性に優れる。

さらに、コア部をノルボルネン系樹脂（環状オレフィン系樹脂）を主とする樹脂組成物で構成した場合には、前記変形に対し特に強く欠陥が生じ難いという効果が高い他、コア部とクラッド部との屈折率の差をより大きくすることができ、しかも、耐熱性に優れ、その結果、より高性能で耐久性に優れる光導波路が得られる。

また、光路変換部を有する場合には、伝送光の光路を所望の方向へ屈曲させることができ、そのため、光路の設計の自由度が広がり、光回路の集積化にも寄与する。

また、光導波路構造体が素子（発光素子または受光素子）を有する場合には、光導波路と光学的に接続することにより、素子の発光部から発せられた光を光導波路により他所へ導くことあるいは他所からの光を光導波路により素子の受光部へ導くことができ、小型で集積された光回路を形成することができ、また当該光回路の作動の信頼性も高い。

また、導体層を形成した場合には、前記素子への配線が容易であるとともに、素子の種類（端子の設置箇所）等に係わらずそれに適した配線が可能となり、汎用性に富む。しかも、このような導体層による配線回路のパターンは、設計の自由度（例えば、端子の設置箇所の選択の自由度）が広い。

また、電子回路素子を有する場合には、該電子回路素子により例えば前記素子を駆動したり、または前記素子の出力信号を処理したりすることができるため、光および電気の混成回路において、効率の良い回路設計が可能となるとともに、さらなる回路の集積化が可能となる。

このような本発明の光導波路構造体および光導波路基板は、光回路（光導波路のパターン）や電気回路の設計の幅が広く、歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富む。そのため、本発明は、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。

以下、本発明の光導波路構造体および光導波路基板について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。

図１および図２は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の実施形態を示す断面図であり、図３は、図１中のＡ−Ａ線断面図であり、図４は、本発明の光導波路基板の実施形態を示す断面図である。以下これらの図を参照しつつ、光導波路構造体および光導波路基板の構成例について説明する。なお、以下の説明では、図１〜図４中の上側を「上」または「上方」とし、下側を「下」または「下方」とする。また、各図は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。

＜第１実施形態：図１＞
図１に示すように、本発明の光導波路構造体１は、半導体層（半導体基板）２と、光導波路９と、光導波路９の光路を屈曲させる光路変換部９６ａ、９６ｂと、半導体層２の下面に接合された導体層５１と、発光素子１０と、受光素子１１と、電子回路素子１２、１３と、半導体層２の上面に接合された導体層５２、５３と、半導体層２の上面に接合された絶縁層３とを備えている。

半導体層２は、例えば、シリコン、ガリウム・ヒ素、インジウム・リン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム等の半導体材料で構成され、特に、シリコンを主材料として構成されるものが好ましい。

半導体層２の厚さは特に限定されないが、光導波路９の厚さの１〜１００倍程度が好ましく、１．５〜８０倍程度がより好ましい。半導体層２の厚さの具体例としては、例えば、１５μｍ〜２ｍｍ程度とすることができ、５０μｍ〜１ｍｍ程度とするのが好ましい。

この半導体層２には、所定の回路（半導体回路）が形成されている。この回路としては、例えば、ＣＰＵやメモリ、信号増幅器、素子駆動装置等が挙げられる。受／発光素子と一体化された回路の半導体回路部で生成された電気信号を発光素子１０で光信号に変換し、光導波路９を介して伝達し、受光素子１１により電気信号に変換することは、別個の半導体素子と受／発光素子と光導波路を組み合わせることで生じていた信号伝達精度の低下、伝達速度の低下、実装工程の複雑化を解消することができるという利点を持つ。

半導体層２の下部には、光導波路９が設置（埋設）されている。なお、本発明では、光導波路９の全体が半導体層２内に埋設されている場合に限らず、光導波路９の少なくとも一部が半導体層２内に埋設されている構成であってもよい。

光導波路９は、図１中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている（図３参照）。コア部９４は、伝送光の光路を形成する部分であり、クラッド部９５は、コア層９３に形成されているものの伝送光の光路を形成せず、クラッド層９１、９２と同様の機能を果たす部分である。

図１に示す構成では、コア層９３の全長に渡り（後述する反射面９６１ａ、９６１ｂ間に）コア部９４が形成されている。

コア層９３の構成材料としては、活性放射線（活性エネルギー光線、電子線またはＸ線等）の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料とされる。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系樹ポリマー、ノルボルネン系ポリマー（樹脂）等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系ポリマーを含む（主材料とする）ものが特に好ましい。

このような材料で構成されたコア層９３は、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、特に繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３と隣接する層（クラッド層９１、９２）との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路９が得られる。

また、コア層９３の構成材料には、例えば、酸化防止剤、屈折率調整剤、可塑剤、増粘剤、補強剤、増感剤、レベリング剤、消泡剤、密着助剤および難燃剤等の添加剤が含まれていてもよい。酸化防止剤の添加は、高温安定性の向上、耐候性の向上、光劣化の抑制という効果がある。このような酸化防止剤としては、例えば、モノフェノール系、ビスフェノール系、トリフェノール系等のフェノール系や、芳香族アミン系のものが挙げられる。また、可塑剤、増粘剤、補強剤の添加により、曲げに対する耐性をさらに増大させることもできる。

前記酸化防止剤に代表される添加剤の含有率（２種以上の場合は合計）は、コア層９３の構成材料全体に対し、０．５〜４０重量％程度が好ましく、３〜３０重量％程度がより好ましい。この量が少なすぎると、添加剤の機能を十分に発揮することができず、量が多すぎると、添加剤の種類や特性によっては、コア部９４を伝送する光（伝送光）の透過率の低下、パターニング不良、屈折率不安定等を生じるおそれがある。

コア層９３の形成方法としては、塗布法が挙げられる。塗布法としては、コア層形成用組成物（ワニス等）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法が挙げられる。また、塗布法以外の方法、例えば、別途製造されたシート材を接合する方法を採用することもできる。

以上のようにして得られたコア層９３に対し、マスクを用いて活性放射線を選択的に照射し、所望の形状のコア部９４をパターニングする。

露光に用いる活性放射線としては、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光等の活性エネルギー光線や電子線、Ｘ線等が挙げられる。電子線は、例えば５０〜２０００ＫＧｙ程度の照射量で照射することができる。

コア層９３において、活性放射線が照射された部位は、その屈折率が変化し（コア層９３の材料により、屈折率が増大する場合と減少する場合とがある）、活性放射線が照射されなかった部位との間で屈折率の差が生じる。例えば、コア層９３の活性放射線が照射された部位がクラッド部９５４となり、照射されなかった部位がコア部９４となる。また、この逆の場合もある。クラッド部９５の屈折率は、クラッド層９１、９２の屈折率とほぼ等しい。

また、コア層９３に対し活性放射線を所定のパターンで照射した後、加熱することにより、コア部９４を形成する場合もある。この加熱工程を付加することにより、コア部９４とクラッド部９５との屈折率の差がより大きくなるので好ましい。なお、この原理等については、後に詳述する。

形成されるコア部９４のパターン形状としては、特に限定されず、直線状、湾曲部を有する形状、異形、光路の分岐部、合流部または交差部を有する形状、集光部（幅等が減少している部分）または光拡散部（幅等が増大している部分）、あるいはこれらのうちの２以上を組み合わせた形状等、いかなるものでもよい。活性放射線の照射パターンの設定により、いかなる形状のコア部９４をも容易に形成することができる点が、本発明の特徴である。

光導波路９の各部の構成材料およびコア部９４の形成方法等については、後に詳述する。

半導体層２の上部には、発光素子１０と、受光素子１１と、電子回路素子１２および１３とが設置（埋設）されている。この場合、発光素子１０、受光素子１１、電子回路素子１２および１３の上面は、それぞれ、半導体層２の上面と一致するように半導体層２内に埋設されている。

なお、本発明では、発光素子１０、受光素子１１、電子回路素子１２および１３は、それぞれ、全体が半導体層２内に埋設されている場合に限らず、それらの少なくとも一部が半導体層２内に埋設されている構成であってもよい。

発光素子１０は、図１中下面側に発光部１０１を有し、上面側に端子１０３を有している。端子１０３の図１中奥部には、グランドに接続されるもう１つの端子（図示せず）が設置され、該端子と前記端子１０３との間に通電する（電位差を与える）ことにより、発光部１０１が発光する。

なお、発光素子１０における発光部１０１は、１つの発光点で構成されているものの他、発光点が複数個集合したものでもよい。発光点が複数個集合したものとしては、例えば、発光点が列状（例えば発光点が１×４個、１×１２個）または行列状（例えば発光点がｎ×ｍ個：ｎ、ｍは２以上の整数）に配置されたものや、複数の発光点がランダム（不規則）に配置されたもの等が挙げられる。後述する受光素子１１における受光部１１１についても同様である。

受光素子１１は、図１中下面側に受光部１１１を有し、上面側に端子１１３を有している。端子１１３の図１中奥部には、グランドに接続されるもう１つの端子（図示せず）が設置され、受光部１１１が受光すると、端子１１３に電気信号が出力される。

電子回路素子１２および１３は、それぞれ、例えば半導体素子（半導体チップ）で構成されている。電子回路素子１２の機能は特に限定されないが、一例として、発光素子１０を駆動するための回路を構成するものが挙げられる。電子回路素子１３の機能は特に限定されないが、一例として、受光素子１１の出力信号を処理する（例えば増幅する）ための回路を構成するものが挙げられる。

電子回路素子１２は、図１中上面側に端子１２３を有している。端子１２３の図１中奥部には、グランドに接続されるもう１つの端子（図示せず）が設置されている。

電子回路素子１３は、図１中上面側に端子１３３を有している。端子１３３の図１中奥部には、グランドに接続されるもう１つの端子（図示せず）が設置されている。

半導体層２の下面（光導波路９の下面）には、導体層５１が接合されている。この導体層５１は、例えば後述する第３実施形態のように、所定の形状にパターンニングされて、所望の配線または回路を構成していてもよい（図４参照）。

また、半導体層２の上面には、所定の形状にパターンニングされて、所望の配線または回路を構成してなる導体層５２および５３が接合されている。導体層５２により、電子回路素子１２の端子１２３と発光素子１０の端子１０３とが電気的に接続されている。導体層５３により、電子回路素子１３の端子１３３と受光素子１１の端子１１３とが電気的に接続されている。

導体層５１、５２および５３の構成材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金、金、金系合金、タングステン、タングステン合金等の各種金属材料が挙げられる。導体層５１〜５３の厚さは、特に限定されないが、通常、３〜１２０μｍ程度が好ましく、５〜７０μｍ程度がより好ましい。

導体層５１〜５３は、例えば、金属箔の接合（接着）、金属メッキ、蒸着、スパッタリング等の方法により形成されたものである。導体層５１〜５３へのパターニングは、例えばエッチング、印刷、マスキング等の方法を用いることができる。

また、導体層５１〜５３の材料として、半導体層２に拡散し易い金属、例えば銅を用いる（含む）場合には、例えばチタニアやタンタルなどで構成されたバリア層（図示せず）を半導体層２の表面に形成し、その上に導体層５１〜５３を形成するのが好ましい。

また、導体層５１〜５３の材料として、半導体層２と密着性の悪い金属、例えばタングステンを用いる場合は、密着力を向上させることができる密着層（図示せず）を形成し、該密着層を介して導体層５１〜５３を形成するのが好ましい。

半導体層２の上面には、電気絶縁性を有する絶縁層３が接合されている。絶縁層３は、発光素子１０、受光素子１１、電子回路素子１２および１３の各上面と、導体層５２、５３とを覆うように設置されており、これにより、発光素子１０、受光素子１１、電子回路素子１２および１３は、封止される。すなわち、発光素子１０、受光素子１１、電子回路素子１２および１３は、光導波路構造体１の内部に内蔵されている。

このような構成としたことにより、発光素子１０、受光素子１１、電子回路素子１２および１３は、外部に露出することなく封止されるので、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、電子部品の信頼性向上に寄与する。

絶縁層３としては、例えば、可撓性を有する樹脂製のフィルム（シート材）を用いることができる。絶縁層３の構成材料としては、例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンサルファイド、ポリフェニレンサルフィド、ポリキノリン、ポリノルボルネン、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート、ポリイソシアヌレート、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。また、絶縁層３は、組成の異なる樹脂材料の層を複数積層した積層体であってもよい。

絶縁層３の厚さは、特に限定されないが、絶縁機能と強度とを考慮して、５〜１００μｍ程度が好ましく、１０〜８０μｍ程度がより好ましい。

光導波路９のコア部９４は、平面視で（図１の上方から見たとき）発光素子１０の発光部１０１と重なるような（すなわち、発光部１０１の真下を通過するような）パターン形状で形成されている。また、光導波路９のコア部９４は、平面視で（図１の上方から見たとき）受光素子１１の受光部１１１と重なるような（すなわち、受光部１１１の真下を通過するような）パターン形状で形成されている。

コア層９３において、コア部９４の図１中前後（図３中左右）には、クラッド部９５が存在している。コア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高く、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い。クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部９４は、その外周の全周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。

このような光導波路９は、コア部９４の光路を屈曲させる光路変換部（発光部側光路変換部）９６ａおよび光路変換部（受光部側光路変換部）９６ｂを有している。本実施形態では、コア部９４の図１中両端部にそれぞれ光路変換部９６ａ、９６ｂが形成されている。

光路変換部９６ａ、９６ｂは、それぞれ、伝送光の少なくとも一部を反射する反射面（ミラー）９６１ａ、９６１ｂで構成されている。反射面９６１ａ、９６１ｂは、それぞれ、発光部１０１の真下の位置および受光部１１１の真下の位置に設けられている。

反射面９６１ａ、９６１ｂは、それぞれ、光導波路９の光路、すなわちコア部９４の長手方向に対しほぼ４５°傾斜しており、伝送光の大半（例えば９０％以上）を反射する機能を有している。

このような光路変換部９６ａ、９６ｂは、例えば、光導波路９の一部（端部）を斜めに切断（除去）して傾斜面を形成し、該傾斜面を反射面９６１ａ、９６１ｂとして用いることができる。反射面９６１ａ、９６１ｂは、例えば多層光学薄膜や金属薄膜（例えばアルミ蒸着膜）のような反射膜あるいは反射増加膜を有していてもよい。また、図示しないが、光路変換部９６の傾斜面には、充填材、特にコア部９４と屈折率の異なる充填材が充填または接合されていてもよい。

半導体層２における発光部１０１の真下の位置（発光部１０１と光路変換部９６ａとの間）には、貫通孔２２が形成されており、受光部１１１の真下の位置（受光部１１１と光路変換部９６ｂとの間）には、貫通孔２３が形成されている。

貫通孔２２、２３は、それぞれ、伝送光を透光する透光部２１を構成するものである。すなわち、この貫通孔２２、２３は、伝送光を半導体層２の厚さ方向に導光（伝送）する導光路となる。

なお、図示されていないが、貫通孔２２および／または２３の内部（全部または一部）に、伝送光の透過率が８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上の材料による充填材が充填されていてもよい。

また、図示されていないが、貫通孔２２および／または２３の内部には、コア部と、該コア部の外周を囲むクラッド部とで構成され、上下方向に光を伝送する垂直光導波路が挿入されていてもよい。

さらに、透光部２１（貫通孔２２および／または２３）には、伝送光を集光または拡散し得るレンズが設けられていてもよい。

本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２が作動し、端子１２３および導体層５２を介して発光素子１０の端子１０３へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図１中下方へ向かって発せられた光は、貫通孔２２を通り、クラッド層９２を透過し、反射面９６１ａで反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図１中右方向）に沿って進む。このコア部９４内を進んだ伝送光は、反射面９６１ｂで反射されて９０°屈曲し、上方へ向かい、クラッド層９２を透過し、貫通孔２３を通り、受光部１１１で受光される。この受光された光は光電変換され、端子１１３から電気信号が出力される。この電気信号は導体層５３を介して端子１３３より素子１３に入力され、所定の信号処理がなされる。

＜第２実施形態：図２＞
図２には、本発明の光導波路構造体１の第２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。

本実施形態の光導波路構造体１は、電子回路素子１２および１３が光導波路構造体１の内部に設置されておらず、光導波路構造体１の上面（片面）側に搭載されている点およびそれに伴う構造が前記と異なり、それ以外は同様である。

すなわち、半導体層２の上部には、発光素子１０、受光素子１１、電子回路素子１２および１３のうち、発光素子１０と受光素子１１とが埋設されており、半導体層２の上面に前記と同様の絶縁層３が接合されている。この絶縁層３の上部（上方）に、電子回路素子１２および１３が搭載されている。

絶縁層３の上面には、所定の形状にパターンニングされて、所望の配線または回路を構成してなる導体層５２および５３が接合されている。

電子回路素子１２は、図２中下面側に３つの端子１２３、１２５および１２７を有している。端子１２５、１２７は、それぞれ、電源、グランドに接続されている。各端子１２３、１２５および１２７は、それぞれ、半田４を介して導体層５２の所定部位に接続されている。

電子回路素子１３は、図１中下面側に３つの端子１３３、１３５および１３７を有している。端子１３５、１３７は、それぞれ、電源、グランドに接続されている。各端子１３３、１３５および１３７は、それぞれ、半田４を介して導体層５３の所定部位に接続されている。

図２に示すように、絶縁層３には、その厚さ方向に貫通する２つの貫通孔（スルーホール）８が形成されている。各貫通孔８には、導電材料（例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金、金、金系合金、タングステン、タングステン合金等の各種金属材料）が充填され、それぞれ導体ポスト８１、８２を形成している。

導体ポスト８１の下端は、発光素子１０の端子１０３に接続され、導体ポスト８１の上端は、導体層５２の所定部位に接続されている。これにより、電子回路素子１２の端子１２３と発光素子１０の端子１０３とが、半田４、導体層５２および導体ポスト８１を介して電気的に接続されている。

導体ポスト８２の下端は、受光素子１１の端子１１３に接続され、導体ポスト８２の上端は、導体層５３の所定部位に接続されている。これにより、電子回路素子１３の端子１３３と受光素子１１の端子１１３とが、半田４、導体層５３および導体ポスト８２を介して電気的に接続されている。

なお、図示されていないが、半導体層２および絶縁層を貫通する貫通孔を形成し、該貫通孔内に前記と同様の導体ポストを挿入し、該導体ポストにより導体層５１と導体層５２の所定部位同士や、導体層５１と導体層５３の所定部位同士を電気的に接続した構成とすることもできる。

本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２が作動し、端子１２３、半田４、導体層５２および導体ポスト８１を介して発光素子１０の端子１０３へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図２中下方へ向かって発せられた光は、貫通孔２２を通り、クラッド層９２を透過し、反射面９６１ａで反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図２中右方向）に沿って進む。このコア部９４内を進んだ伝送光は、反射面９６１ｂで反射されて９０°屈曲し、上方へ向かい、クラッド層９２を透過し、貫通孔２３を通り、受光部１１１で受光される。この受光された光は光電変換され、端子１１３から電気信号が出力される。この電気信号は、導体ポスト８２、導体層５３および半田４を介して端子１３３より素子１３に入力され、所定の信号処理がなされる。

＜光導波路基板の実施形態：図４＞
図４には、本発明の光導波路基板の実施形態が示されている。以下、この光導波路基板６について説明するが、前記第１および第２実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。

光導波路基板６は、基板７上に、前記第１実施形態（図１）の光導波路構造体１を２つ搭載してなるものである。

基板７は、前記第２実施形態の光導波路構造体１とほぼ同様の構成である（但し、第２実施形態における電子回路素子１２、１３がそれぞれ第１実施形態の光導波路構造体１に置き換わっている）。すなわち、基板７は、シリコン等で構成される半導体層２と、光導波路９と、光導波路９の光路を屈曲させる光路変換部９６ｃ、９６ｄと、半導体層２の下面に接合された導体層５５と、半導体層２の上部に埋設された発光素子１０および受光素子１１と、半導体層２の内部に形成された透光部２１（貫通孔２２および２３）と、半導体層２の上面に接合された絶縁層３と、絶縁層３の上面に接合され、所定の形状にパターニングされた導体層５６および５７とを備えている。

基板７における光導波路９は、図４中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている（横断面は、図３と同様）。コア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高く、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い。コア部９４は、伝送光の光路を形成する部分であり、クラッド部９５は、コア層９３に形成されているものの伝送光の光路を形成せず、クラッド層９１、９２と同様の機能を果たす部分である。

図４に示す構成では、コア層９３の全長に渡り（反射面９６１ｃ、９６１ｄ間に）、線状にコア部９４が形成されており、該コア部９４の図４中前後（図３中左右）には、クラッド部９５が存在している。クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成し、これにより、コア部９４は、その外周の全周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。なお、光導波路９の各部の構成材料およびコア部９４の形成方法等については、後に詳述する。

このような光導波路９は、コア部９４の光路を屈曲させる光路変換部（発光部側光路変換部）９６ｃおよび光路変換部（受光部側光路変換部）９６ｄを有している。本実施形態では、コア部９４の図４中両端部にそれぞれ光路変換部９６ｃ、９６ｄが形成されている。

光路変換部９６ｃ、９６ｄは、それぞれ、伝送光の少なくとも一部を反射する反射面（ミラー）９６１ｃ、９６１ｄで構成されている。反射面９６１ｃ、９６１ｄは、それぞれ、発光部１０１の真下の位置および受光部１１１の真下の位置に設けられている。

反射面９６１ｃ、９６１ｄは、それぞれ、光導波路９の光路、すなわちコア部９４の長手方向に対しほぼ４５°傾斜しており、伝送光の大半（例えば９０％以上）を反射する機能を有している。

このような光路変換部９６ｃ、９６ｄは、例えば、光導波路９の一部（端部）を斜めに切断（除去）して傾斜面を形成し、該傾斜面を反射面９６１ｃ、９６１ｄとして用いることができる。反射面９６１ｃ、９６１ｄは、例えば多層光学薄膜や金属薄膜（例えばアルミ蒸着膜）のような反射膜あるいは反射増加膜を有していてもよい。また、図示しないが、光路変換部９６の傾斜面には、充填材、特にコア部９４と屈折率の異なる充填材が充填または接合されていてもよい。

半導体層２における発光部１０１の真下の位置（発光部１０１と光路変換部９６ｃとの間）には、貫通孔２２が形成されており、受光部１１１の真下の位置（受光部１１１と光路変換部９６ｄとの間）には、貫通孔２３が形成されている。

貫通孔２２、２３は、それぞれ、伝送光を透光する透光部２１を構成するものである。すなわち、この貫通孔２２、２３は、伝送光を半導体層２の厚さ方向に導光（伝送）する導光路となる。

なお、図示されていないが、貫通孔２２および／または２３の内部（全部または一部）に、伝送光の透過率が８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上の材料による充填材が充填されていてもよい。

また、図示されていないが、貫通孔２２および／または２３の内部には、コア部と、該コア部の外周を囲むクラッド部とで構成され、上下方向に光を伝送する垂直光導波路が挿入されていてもよい。

さらに、透光部２１（貫通孔２２および／または２３）には、伝送光を集光または拡散し得るレンズが設けられていてもよい。

基板７に搭載される２つの前記第１実施形態（図１）の光導波路構造体１は、それぞれ、その下面に所定形状にパターニングされた導体層５１を有している。一方、基板７の絶縁層３の上面に接合された導体層５６および５７も、所定形状にパターニングされている。一方（図４中左側）の光導波路構造体１の導体層５１と導体層５６の所定部位同士は、半田４により電気的に接続され、他方（図４中右側）の光導波路構造体１の導体層５１と導体層５７の所定部位同士は、半田４により電気的に接続されている。

基板７の絶縁層３には、その厚さ方向に貫通する２つの貫通孔（スルーホール）８が形成されている。各貫通孔８には、導電材料（例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金、金、金系合金、タングステン、タングステン合金等の各種金属材料）が充填され、それぞれ導体ポスト８３、８４を形成している。

導体ポスト８３の下端は、発光素子１０の端子１０３に接続され、導体ポスト８３の上端は、導体層５６の所定部位に接続されている。導体ポスト８４の下端は、受光素子１１の端子１１３に接続され、導体ポスト８４の上端は、導体層５７の所定部位に接続されている。
このような構成により、一方の光導波路構造体１の導体層５１と発光素子１０の端子１０３とが導通し、他方の光導波路構造体１の導体層５１と受光素子１１の端子１１３とが導通する。

なお、基板７は、図示の構成のものに限らず、例えば、通常の樹脂製の基板であってもよい。樹脂製の基板としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド、ポリベンザオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等の各種樹脂材料で構成されたものが挙げられる。
また、基板７は、例えばガラス繊維、樹脂繊維等の繊維基材（織布、不織布、織物、編物等）に前述したような樹脂材料を含浸させたもの（プリプレグ等）であってもよい。例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたものをガラスエポキシ基板と言うが、このようなものを基板７として用いることができる。
また、基板７は、複数の層の積層体（図４に示す以外の構成）であってもよい。例えば、それぞれ組成（種類）が異なる樹脂材料からなる第１の層と第２の層とを積層したもの、前記繊維基材に樹脂材料を含浸させた層（シート材）と、樹脂材料からなる層とを積層したものが挙げられる。さらに、導体層、絶縁層、接着層等の任意の層を有していてもよい。なお、積層体による基板７の層構成は、これらに限定されないことは言うまでもない。

本実施形態の光導波路基板６では、一方（図４中左側）の光導波路構造体１が作動し、導体層５１、半田４、導体層５６および導体ポスト８３を介して発光素子１０の端子１０３へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図４中下方へ向かって発せられた光は、貫通孔２２を通り、クラッド層９２を透過し、反射面９６１ｃで反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図４中右方向）に沿って進む。このコア部９４内を進んだ伝送光は、反射面９６１ｄで反射されて９０°屈曲し、上方へ向かい、クラッド層９２を透過し、貫通孔２３を通り、受光部１１１で受光される。この受光された光は光電変換され、端子１１３から電気信号が出力される。この電気信号は、導体ポスト８４、導体層５７および半田４および導体層５１を介して他方（図４中右側）の光導波路構造体１に入力され、所定の信号処理がなされる。

本実施形態の光導波路基板６は、例えば、スタックドＩＣ、マルチＣＰＵ、Ｃｅｌｌまたはそれ同士を更に一体化したチップに適用することができる。

以上、各実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り、他の構成のものでもよい。また、本発明は、上述した各実施形態のうちの任意の２以上の実施形態を組み合わせたものでもよい。

次に、前記各実施形態における、光導波路９の製造方法および各部の構成材料等について説明するが、特にコア部９４の形成方法について詳細に説明する。

＜第１の製造方法＞
まず、光導波路９の第１の製造方法について説明する。

図５−Ａ〜図５−Ｅは、それぞれ、光導波路の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。

［１Ａ］ まず、支持基板９５１上に、層９１０を形成する（図５−Ａ参照）。
層９１０は、コア層形成用材料（ワニス）９００を塗布し硬化（固化）させる方法により形成される。

具体的には、層９１０は、支持基板９５１上にコア層形成用材料９００を塗布して液状被膜を形成した後、この支持基板９５１を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化するとともに、溶媒を蒸発（脱溶媒）することにより形成する。

層９１０を塗布法で形成する場合、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

支持基板９５１には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が用いられる。

コア層形成用材料９００は、ポリマー９１５と、添加剤９２０（本実施形態では、少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む）とで構成される光誘発熱現像性材料（ＰＩＴＤＭ）を含有し、活性放射線の照射および加熱により、ポリマー９１５中において、モノマーの反応が生じる材料である。

そして、得られた層９１０中では、ポリマー（マトリックス）９１５は、いずれも、実質的に一様かつランダムに分配され、添加剤９２０は、ポリマー９１５内に実質的に一様かつランダムに分散されている。これにより、層９１０中には、添加剤９２０が実質的に一様かつ任意に分散されている。

このような層９１０の平均厚さは、形成すべきコア層９３の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。

ポリマー９１５には、透明性が十分に高く（無色透明であり）、かつ、後述するモノマーと相溶性を有するもの、さらに、その中で後述するようにモノマーが反応（重合反応や架橋反応）可能であり、モノマーが重合した後においても、十分な透明性を有するものが好適に用いられる。

ここで、「相溶性を有する」とは、モノマーが少なくとも混和して、コア層形成用材料９００中や層９１０中においてポリマー９１５と相分離を起こさないことを言う。

このようなポリマー９１５としては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体など）用いることができる。

これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。ポリマー９１５としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア層９３を得ることができる。

また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア層９３を得ることができる。

ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するもの（ホモポリマー）、２つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するもの（コポリマー）のいずれであってもよい。

このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。

これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。

これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、下記化１（構造式Ｂ）で表される少なくとも１個の繰り返し単位を有するもの、すなわち、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。

かかるノルボルネン系ポリマーは、例えば、後述するノルボルネン系モノマー（後述する化３で表されるノルボルネン系モノマーや、架橋性ノルボルネン系モノマー）を用いることにより好適に合成される。

なお、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、芳香族環（芳香族基）、窒素原子、臭素原子や塩素原子を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。一方、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、アルキル基、フッ素原子やエーテル構造（エーテル基）を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。

比較的高い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に高い屈折率を有する。

アラルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアラルキル基（アリールアルキル基）としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、フルオレニルエチル基、フルオレニルプロピル基等が挙げられるが、ベンジル基やフェニルエチル基が特に好ましい。

かかる繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、極めて高い屈折率を有するものであることから好ましい。

また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路９に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。

アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。

ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が低下するのを防止し、かつ、高い柔軟性を保持することができる。

ここで、光導波路９は、例えば、６００〜１５５０ｎｍ程度の波長領域の光を使用したデータ通信において好適に使用されるが、ヘキシル（アルキル）ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることから好ましい。

このようなノルボルネン系ポリマーの好ましい具体例としては、ヘキシルノルボルネンのホモポリマー、フェニルエチルノルボルネンのホモポリマー、ベンジルノルボルネンのホモポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとベンジルノルボルネンとのコポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本実施形態のコア層形成用材料９００は、添加剤９２０として、モノマー、助触媒（第１の物質）および触媒前駆体（第２の物質）を含んでいる。

モノマーは、後述する活性放射線に照射により、活性放射線の照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、層９１０において照射領域と、活性放射線の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。

ここで、この反応物としては、モノマーがポリマー（マトリックス）９１５中で重合して形成されたポリマー（重合体）、ポリマー９１５同士を架橋する架橋構造、および、ポリマー９１５に重合してポリマー９１５から分岐した分岐構造（ブランチポリマーや側鎖（ペンダントグループ））のうちの少なくとも１つが挙げられる。

ここで、層９１０において、照射領域の屈折率が高くなることが望まれる場合には、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して高い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用され、照射領域の屈折率が低くなることが望まれる場合には、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して低い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用される。

なお、屈折率が「高い」または「低い」とは、屈折率の絶対値を意味するものではなく、ある材料同士の相対的な関係を意味する。

そして、モノマーの反応（反応物の生成）により、層９１０において照射領域の屈折率が低下する場合、当該部分がクラッド部９５となり、照射領域の屈折率が上昇する場合、当該部分がコア部９４となる。

このようなモノマーとしては、重合可能な部位を有する化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、モノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れるコア層９３（光導波路９）が得られる。

ここで、ノルボルネン系モノマーとは、下記化２（構造式Ａ）で示されるノルボルネン骨格を少なくとも１つ含むモノマーを総称し、例えば、下記化３（構造式Ｃ）で表される化合物が挙げられる。

［式中、ａは、単結合または二重結合を表し、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭化水素基、または官能置換基を表し、ｍは、０〜５の整数を表す。ただし、ａが二重結合の場合、Ｒ^１およびＲ^２のいずれか一方、Ｒ^３およびＲ^４のいずれか一方は存在しない。］

無置換の炭化水素基（ハイドロカルビル基）としては、例えば、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ_１〜Ｃ_１０）のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０）のアルキニル基、炭素数４〜１２（Ｃ_４〜Ｃ_１２）のシクロアルキル基、炭素数４〜１２（Ｃ_４〜Ｃ_１２）のシクロアルケニル基、炭素数６〜１２（Ｃ_６〜Ｃ_１２）のアリール基、炭素数７〜２４（Ｃ_７〜Ｃ_２４）のアラルキル基（アリールアルキル基）等が挙げられ、その他、Ｒ^１およびＲ^２、Ｒ^３およびＲ^４が、それぞれ炭素数１〜１０（Ｃ_１〜Ｃ_１０）のアルキリデニル基であってもよい。

アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基およびデシル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基およびシクロヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基および２−ブチニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

シクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル（ａｎｔｈｒａｃｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基の具体例としては、ベンジル基およびフェニルエチル（フェネチル：ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

また、アルキリデニル（ａｌｋｙｌｉｄｅｎｙｌ）基の具体例としては、メチリデニル（ｍｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基およびエチリデニル（ｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

置換された炭化水素基としては、前記の炭化水素基が有する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたもの、すなわち、ハロハイドロカルビル（ｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基、パーハロハイドロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基であるか、パーハロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｃａｒｂｙｌ）基のようなハロゲン化炭化水素基が挙げられる。

これらのハロゲン化炭化水素基において、水素原子に置換するハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素および臭素から選択される少なくとも１種が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

このうち、パーハロゲン化された炭化水素基（パーハロハイドロカルビル基、パーハロカルビル基）の具体例としては、例えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロメチル基（トリフルオロメチル基）、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。

なお、ハロゲン化アルキル基には、炭素数１〜１０のもの以外に、炭素数１１〜２０のものも好適に用いることができる。すなわち、ハロゲン化アルキル基には、部分的または完全にハロゲン化され、直鎖状または分岐状をなし、一般式：−Ｃ_ＺＸ’’_２Ｚ＋１で表される基を選択することができる。ここで、Ｘ’’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｚは、１〜２０の整数を表す。

また、置換された炭化水素基としては、ハロゲン原子の他、直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ_１〜Ｃ_５）のアルキル基またはハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基で更に置換された、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基（アラアルキル基）等が挙げられる。

また、官能置換基としては、例えば、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＣＦ_２）_２−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＣＦ_３）_２−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＣＦ_３）_２−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ_３）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ_２、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｃｌ、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）ｎ−Ｏ−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｓｉ（Ｒ^５）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^５）_３および−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ^６等が挙げられる。

ここで、前記各式において、それぞれ、ｎは、０〜１０の整数を示し、Ｒ^５は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ_１〜Ｃ_２０）アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ_１〜Ｃ_２０）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０）のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０）のアルキニル基、炭素数５〜１２（Ｃ_５〜Ｃ_１２）のシクロアルキル基、炭素数６〜１４（Ｃ_６〜Ｃ_１４）のアリール基、炭素数６〜１４（Ｃ_６〜Ｃ_１４）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アリール基または炭素数７〜２４（Ｃ_７〜Ｃ_２４）のアラルキル基を表す。

なお、Ｒ^５で示される炭化水素基は、Ｒ^１〜Ｒ^４で示されるものと同一の炭化水素基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^４で示すように、Ｒ^５で示される炭化水素基は、ハロゲン化またはパーハロゲン化されていてもよい。

例えば、Ｒ^５が炭素数１〜２０（Ｃ_１〜Ｃ_２０）のハロゲン化またはパーハロゲン化アルキル基である場合、Ｒ^５は、一般式：−Ｃ_ＺＸ’’_２Ｚ＋１で表される。ここで、ｚおよびＸ’’は、それぞれ、上記の定義と同じであり、Ｘ’’の少なくとも１つは、ハロゲン原子（例えば、臭素原子、塩素原子またはフッ素原子）である。

ここで、パーハロゲン化アルキル基とは、前記一般式において、すべてのＸ’’がハロゲン原子である基であり、その具体例としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、−Ｃ_７Ｆ_１５、−Ｃ_１１Ｆ_２３が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

パーハロゲン化アリール基の具体例としては、ペンタクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

また、Ｒ^６としては、例えば、−Ｃ（ＣＨ_３）_３、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、−ＣＨ（Ｒ^７）−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＣＨ（Ｒ^７）ＯＣ（ＣＨ_３）_３および下記化４の環状基等が挙げられる。

ここで、Ｒ^７は、水素原子、あるいは直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ_１〜Ｃ_５）のアルキル基を表す。

アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル、ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基が挙げられる。

なお、上記化４で表される環状基では、環構造から延びる単結合と酸置換基との間でエステル結合が形成される。

Ｒ^６の具体例としては、例えば、１−メチル−１−シクロヘキシル基、イソボルニル（ｉｓｏｂｏｒｎｙｌ）基、２−メチル−２−イソボルニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、テトラヒドロフラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｙｌ）基、テトラヒドロピラノイル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｏｙｌ）基、３−オクソシクロヘキサノイル（３−ｏｘｏｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｙｌ）基、メバロンラクトニル（ｍｅｖａｌｏｎｉｃ ｌａｃｔｏｎｙｌ）基、１−エトキシエチル基、１−ｔ−ブトキシエチル基等が挙げられる。

また、他のＲ^６としては、例えば、下記化５で表されるジシクロプロピルメチル基（Ｄｃｐｍ）、ジメチルシクロプロピルメチル基（Ｄｍｃｐ）等が挙げられる。

また、モノマーには、上記のモノマーに代えて、または、上記のモノマーとともに架橋性モノマー（架橋剤）を用いることもできる。この架橋性モノマーは、後述する触媒前駆体の存在下で、架橋反応を生じ得る化合物である。

架橋性モノマーを用いることにより、次のような利点がある。すなわち、架橋性モノマーは、より速く重合するので、コア層９３（光導波路９）の形成（プロセス）に要する時間を短縮することができる。また、架橋性モノマーは、加熱しても蒸発し難くいので、蒸気圧の上昇を抑えることができる。さらに、架橋性モノマーは、耐熱性に優れるため、コア層９３の耐熱性を向上させることができる。

このうち、架橋性ノルボルネン系モノマーは、前記化２（構造式Ａ）で表されるノルボルネン系部位（ノルボルネン系二重結合）を含む化合物である。

架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、連続多環環系（ｆｕｓｅｄ ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ ｒｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物と、連結多環環系（ｌｉｎｋｅｄ ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ ｒｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物とがある。

連続多環環系の化合物（連続多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化６で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｙは、メチレン（−ＣＨ_２−）基を表し、ｍは、０〜５の整数を表わす。ただし、ｍが０である場合、Ｙは、単結合である。］

なお、簡略化のため、ノルボルナジエン（ｎｏｒｂｏｒｎａｄｉｅｎｅ）は、連続多環環系に含まれ、重合性ノルボルネン系二重結合を含むものと考えることとする。

この連続多環環系の化合物の具体例としては、下記化７で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

一方、連結多環環系の化合物（連結多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化８で表される化合物が挙げられる。

［式中、ａは、それぞれ独立して、単結合または二重結合を表し、ｍは、それぞれ独立して、０〜５の整数を表し、Ｒ^９は、それぞれ独立して二価の炭化水素基、二価のエーテル基または二価のシリル基を表す。また、ｎは、０または１である。］

ここで、二価の置換基とは、端部にノルボルネン構造に結合し得る結合手を２つ有する基のことを言う。

二価の炭化水素基（ハイドロカルビル基）の具体例としては、一般式：−（Ｃ_ｄＨ_２ｄ）−で表されるアルキレン基（ｄは、好ましくは１〜１０の整数を表す。）と、二価の芳香族基（アリール基）とが挙げられる。

二価のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ_１〜Ｃ_１０）のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が挙げられる。

なお、分岐アルキレン基は、主鎖の水素原子が、直鎖状または分岐状のアルキル基で置換されたものである。
一方、二価の芳香族基としては、二価のフェニル基、二価のナフチル基が好ましい。

また、二価のエーテル基は、−Ｒ^１０−Ｏ−Ｒ^１０−で表される基である。
ここで、Ｒ^１０は、それぞれ独立して、Ｒ^９と同じものを表す。

この連結多環環系の化合物の具体例としては、下記化９、化１０、化１１、化１２、化１３で表される化合物の他、化１４、化１５で表されるフッ素含有化合物（フッ素含有架橋性ノルボルネン系モノマー）が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

この化１０で表される化合物は、ジメチルビス［ビシクロ［２．２．１］へプト−２−エン−５−メトキシ］シランであり、またの命名では、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（「ＳｉＸ」と略される。）と呼ばれる。

［式中、ｎは、０〜４の整数を表す。］

［式中、ｍおよびｎは、それぞれ、１〜４の整数を表す。］

各種の架橋性ノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）が好ましい。ＳｉＸは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位および／またはアラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーに対して十分に低い屈折率を有する。このため、後述する活性放射線を照射する照射領域の屈折率を確実に低くして、クラッド部９５とすることができる。また、コア部９４とクラッド部９５との間における屈折率差を大きくすることができ、コア層９３（光導波路９）の特性（光伝送性能）の向上を図ることができる。

なお、以上のようなモノマーは、単独または任意に組み合わせて用いるようにしてもよい。

触媒前駆体（第２の物質）は、前記のモノマーの反応（重合反応、架橋反応等）を開始させ得る物質であり、後述する活性放射線の照射により活性化した助触媒（第１の物質）の作用により、活性化温度が変化する物質である。

この触媒前駆体（プロカタリスト：ｐｒｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射に伴って活性化温度が変化（上昇または低下）するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、活性放射線の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層９３（光導波路９）を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路９の特性（光伝送性能）が低下するのを防止することができる。

このような触媒前駆体としては、下記式（Ｉａ）および（Ｉｂ）で表わされる化合物の少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適に用いられる。

［式Ｉａ、Ｉｂ中、それぞれ、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。また、式Ｉｂ中、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］

式Ｉａに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）_３）_２、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣＭｅ_３）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｐ）_３）_２、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣＦ_３）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣ_６Ｈ_５）_３（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。ここで、Ｃｐは、シクロペンチル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）基を表し、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表す。

また、式Ｉｂで表される触媒前駆体としては、ｐおよびｒが、それぞれ１および２の整数から選択される化合物が好ましい。

このような式Ｉｂに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２が挙げられる。ここで、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表し、Ａｃは、アセチル基を表す。

これらの触媒前駆体は、モノマーを効率よく反応（ノルボルネン系モノマーの場合、付加重合反応によって効率よく重合反応や架橋反応等）することができる。

また、活性化温度が低下した状態（活性潜在状態）において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも１０〜８０℃程度（好ましくは、１０〜５０℃程度）低くなるものが好ましい。これにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。

かかる触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）_３）_２およびＰｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２のうちの少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適である。

なお、以下では、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）_３）_２を「Ｐｄ５４５」と、また、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２を「Ｐｄ７８５」と略すことがある。

助触媒（第１の物質）は、活性放射線の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体（プロカタリスト）の活性化温度（モノマーに反応を生じさせる温度）を変化させ得る物質である。

この助触媒（コカタリスト：ｃｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射により、その分子構造が変化（反応または分解）して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の活性放射線の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオン等のカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを発生する化合物（光開始剤）を含む（主とする）ものが好適に用いられる。

弱配位アニオンとしては、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（ＦＡＢＡ⁻）、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン（ＳｂＦ_６ ⁻）等が挙げられる。

この助触媒（光酸発生剤または光塩基発生剤）としては、例えば、下記化１７で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類等が挙げられる。

このような助触媒の市販品としては、例えば、ニュージャージ州クランベリーのＲｈｏｄｉａ ＵＳＡ社から入手可能な「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標、以下同様である。） ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（ＣＡＳ番号第１７８２３３−７２−２番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７２Ｒ（（ジメチル（２−（２−ナフチル）−２−オキソエチル）スルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート：ＣＡＳ番号第１９３９５７−５４−９番））、日本国東京のみどり化学株式会社から入手可能な「ＭＰＩ−１０３（ＣＡＳ番号第８７７０９−４１−９番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７１（ＣＡＳ番号第１９３９５７−５３−８番）」、日本国東京の東洋合成工業株式会社から入手可能な「ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ（トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムテトラキス（ペンタペンタフルオロフェニル）ボレート）」、日本国東京のみどり化学工業株式会社より入手可能な「ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ番号第８５３４２−６２−７番）」等が挙げられる。

なお、助触媒（第１の物質）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を用いる場合、後述する活性放射線（化学線）としては、紫外線（ＵＶ光）が好適に用いられ、紫外線の照射手段としては、水銀灯（高圧水銀ランプ）が好適に用いられる。これにより、層９１０に対して、３００ｎｍ未満の十分なエネルギーの紫外線（活性放射線）を供給することができ、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を効率よく分解して、上記のカチオンおよびＷＣＡを発生させることができる。

また、コア層形成用材料（ワニス）９００中には、必要に応じて、増感剤を添加するようにしてもよい。

増感剤は、活性放射線に対する助触媒の感度を増大して、助触媒の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、助触媒の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。

このような増感剤としては、助触媒の感度や増感剤の吸収のピーク波長等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅｓ）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｅｎ−９−ｏｎｅｓ）等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。

増感剤の具体例としては、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）またはこれらの混合物が挙げられる。

なお、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＤＢＡ）は、日本国神奈川県の川崎化成工業株式会社から入手が可能である。

コア層形成用材料９００中の増感剤の含有量は、特に限定されないが、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。

さらに、コア層形成用材料９００中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー９１５の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層９３（光導波路９）の特性の向上を図ることができる。

この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ（登録商標、以下同様である。） ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標、以下同様である。） １０７６およびＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標、以下同様である。） １６８が好適に用いられる。

また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。） １２９、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １３３０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０、Ｃｉｂａ Ｃｙａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。） １７９０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標） ３１１４、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１２５等を用いることもできる。

なお、このような酸化防止剤は、例えば、層９１０が酸化条件に曝されない場合や、曝される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。

コア層形成用材料（ワニス）９００の調製に用いる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒等の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

さて、支持基板９５１上に形成された液状被膜中から溶媒を除去（脱溶媒）する方法としては、例えば、自然乾燥、加熱、減圧下での放置、不活性ガスの吹付け（ブロー）などによる強制乾燥等の方法が挙げられる。

以上のようにして、支持基板９５１上には、コア層形成用材料９００のフィルム状の固化物（または硬化物）である層９１０が形成される。

このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。

［２Ａ］ 次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、層９１０に対して活性放射線９３０を照射する（図５−Ｂ参照）。

以下では、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用いる場合を一例に説明する。

すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。

したがって、ここで示す例では、マスク９３５には、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１が形成される。この開口９３５１は、照射する活性放射線９３０が透過する透過部を形成するものである。

マスク９３５は、予め形成（別途形成）されたもの（例えばプレート状のもの）でも、層９１０上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。

マスク９３５として好ましいものの例としては、石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法（蒸着、スパッタリング等）により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。

また、図５−Ｂにおいては、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１は、活性放射線９３０の未照射領域９４０のパターンに沿ってマスクを部分的に除去したものを示したが、前記石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスクを用いる場合、該フォトマスク上に例えばクロム等の金属による遮蔽材で構成された活性放射線９３０の遮蔽部を設けたものを用いることもできる。このマスクでは、遮蔽部以外の部分が前記窓（透過部）となる。

用いる活性放射線９３０は、助触媒に対して、光化学的な反応（変化）を生じさせ得るものであればよく、例えば、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光の他、電子線やＸ線等を用いることもできる。

これらの中でも、活性放射線９３０は、助触媒の種類、増感剤を含有する場合には、増感剤の種類等によって適宜選択され、特に限定されないが、波長２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものであるのが好ましい。これにより、助触媒を比較的容易に活性化させることができる。

また、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．２〜６Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましく、０．２〜３Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。

前記マスク９３５の構成材料としては、照射する活性放射線９３０により適宜選定される。具体的には、マスク９３５の構成材料としては、活性放射線９３０を遮光し得る材料とされる。このような特性を有するものであれば、マスク９３５の材料自体は、公知のいずれのものも使用することができる。

マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。

ここで、活性潜在状態（または潜在的活性状態）の触媒前駆体とは、本来の活性化温度より活性化温度が低下しているが、温度上昇がないと、すなわち、室温程度では、照射領域９２５内においてモノマーの反応を生じさせることができない状態にある触媒前駆体のことを言う。

したがって、活性放射線９３０照射後においても、例えば−４０℃程度で、層９１０を保管すれば、モノマーの反応を生じさせることなく、その状態を維持することができる。このため、活性放射線９３０照射後の層９１０を複数用意しておき、これらに一括して加熱処理を施すことにより、コア層９３を得ることができ、利便性が高い。

なお、活性放射線９３０として、レーザ光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスク９３５の使用を省略してもよい。

［３Ａ］ 次に、層９１０に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。

そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散（モノマーディフュージョン）して照射領域９２５に集まってくる。

その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、モノマーの重合体としては、主に付加（共）重合体が生成する。

一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図５−Ｃ参照）。

この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、３０〜８０℃程度であるのが好ましく、４０〜６０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、照射領域９２５内におけるモノマーの反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、０．１〜２時間程度であるのが好ましく、０．１〜１時間程度であるのがより好ましい。

ここで、コア部９４は、その横断面形状が、図示のように、正方形または矩形（長方形）のような四角形に形成されるが、その幅および高さは、それぞれ、好ましくは１〜２００μｍ程度、より好ましくは５〜１００μｍ程度、さらに好ましくは１０〜６０μｍ程度とされる。

［４Ａ］ 次に、層９１０に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。

このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。

この第２の加熱処理における加熱温度は、触媒前駆体または助触媒を活性化し得る温度であればよく、特に限定されないが、７０〜１００℃程度であるのが好ましく、８０〜９０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。

［５Ａ］ 次に、層９１０に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。

この第３の加熱処理における加熱温度は、第２の加熱処理における加熱温度より２０℃以上高く設定するのが好ましく、具体的には、９０〜１８０℃程度であるのが好ましく、１２０〜１６０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。

なお、例えば、第２の加熱処理や第３の加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［５Ａ］や前記工程［４Ａ］を省略してもよい。

［６Ａ］ 次に、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）を形成する（図５−Ｄ参照）。

クラッド層９１（９２）の形成方法としては、クラッド材を含むワニス（クラッド層形成用材料）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法等、いかなる方法でもよい。

クラッド層９１（９２）を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。
支持基板９５２には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。

クラッド層９１（９２）の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体、複合体（積層体）など）用いることができる。

これらのうち、特に耐熱性に優れるという点で、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、またはそれらを含むもの（主とするもの）を用いるのが好ましく、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。

ノルボルネン系ポリマーは、耐熱性に優れるため、これをクラッド層９１（９２）の構成材料として使用する光導波路９では、光導波路９に導体層を形成する際、導体層を加工して配線を形成する際、光学素子を実装する等に加熱されたとしても、クラッド層９１（９２）が軟化して、変形するのを防止することができる。

また、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いクラッド層９１（９２）を得ることができる。

また、ノルボルネン系ポリマーまたはその原料であるノルボルネン系モノマーは、比較的安価であり、入手が容易であることからも好ましい。

さらに、クラッド層９１（９２）の材料として、ノルボルネン系ポリマーを主とするものを用いると、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、繰り返し湾曲変形した場合でも、クラッド層９１、９２とコア層９３との層間剥離が生じ難く、クラッド層９１、９３の内部にマイクロクラックが発生することも防止される。しかも、コア層９３の構成材料として好適に用いられる材料と同種となるため、コア層９３との密着性がさらに高いものとなり、クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離を防止することができる。このようなことから、光導波路９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路９が得られる。

このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。

これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。

これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。

特に、ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。

重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、クラッド層９１（９２）において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のものの重合性基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、重合性基の種類、架橋剤の種類、コア層９３に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層９３に用いるポリマーとを架橋させることもできる。換言すれば、かかるノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋しているのが好ましい。

その結果、クラッド層９１（９２）自体の強度や、クラッド層９１（９２）とコア層９３との密着性の更なる向上を図ることができる。

このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位としては、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位がのうちの少なくとも１種が好適である。これらの重合性基は、各種重合性基の中でも、反応性が高いことから好ましい。

また、このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位を、２種以上含むものを用いれば、架橋密度をさらに向上させることができ、前記効果がより顕著となる。

一方、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むことにより、アリール基は、疎水性が極めて高いため、クラッド層９１（９２）の吸水による寸法変化等をより確実に防止することができる。また、アリール基は、脂溶性（親油性）に優れ、前述したようなコア層９３に用いられるポリマーとの親和性が高いため、クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離をより確実に防止することができ、より耐久性に優れた光導波路９が得られる。

さらに、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、アルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。

アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高くなるため、クラッド層９１、９２（光導波路９）に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。

また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。

なお、クラッド層９１（９２）に用いるノルボルネン系ポリマーは、比較的屈折率の低いものが好適であるのに対して、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むと、一般に屈折率が高くなる傾向を示すが、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、屈折率の上昇を防止することもできる。

このようなことから、クラッド層９１（９２）に用いるノルボルネン系ポリマーとしては、下記化１８〜２１や、化２５で表されるものが好適である。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］

なお、化１８で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａおよびｂがそれぞれ１である化合物、例えば、ブチルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ^１は、水素原子またはメチル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］

なお、化１９で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、デシルノルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー等が好ましい。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］

なお、化２０で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａが１または２、Ｘがメチル基またはエチル基である化合物、例えば、ブチルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ブチルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ブチルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立して、下記化２２〜２４で表される置換基を表すが、同時に同一の置換基であることはない。また、ｐ／ｑ＋ｒが２０以下である。］

［式中、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表す。］

［式中、Ｒ^１は、水素原子またはメチル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］

［式中、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］

なお、化２１で表されるノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、メチルグリシジルエーテルノルボルネンとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、メチルグリシジルエーテルノルボルネン、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー等が挙げられる。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ａｒは、アリール基を表し、Ｘ^１は、酸素原子またはメチレン基を表し、Ｘ^２は、炭素原子またはシリコン原子を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｃは、１〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］

なお、化２５で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、Ｘ^１が酸素原子、Ｘ^２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ^２がメチル基、ａが１、ｃが２である化合物、例えば、ブチルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー等や、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、Ｘ^１がメチレン基、Ｘ^２が炭素原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ^２が水素原子、ａが０、ｃが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。

また、ｐ／ｑまたはｐ／ｑ＋ｒは、２０以下であればよいが、１５以下であるのが好ましく、０．１〜１０程度がより好ましい。これにより、複数種のノルボルネンの繰り返し単位を含む効果が如何なく発揮される。

以上のようなノルボルネン系ポリマーは、前述した特性に加えて、比較的低い屈折率のものであり、かかるノルボルネン系ポリマーを主材料としてクラッド層９１（９２）を構成することにより、光導波路９の光伝送性能をより向上させることができる。

なお、ノルボルネン系ポリマーが、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む場合、（メタ）アクリル基同士は、加熱により比較的容易に架橋（重合）させることができるが、クラッド層形成用材料中に、ラジカル発生剤を混合することにより、（メタ）アクリル基同士の架橋反応を促進することができる。

ラジカル発生剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペロキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等が好適に用いられる。

また、ノルボルネン系ポリマーが、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む場合、これらの重合性基同士を直接架橋させるためには、クラッド層形成用材料中に、前述した助触媒と同種の物質（光酸発生剤または光塩基発生剤）を混合しておき、この物質の作用により、エポキシ基やアルコキシシリル基を架橋させればよい。

一方、エポキシ基同士、（メタ）アクリル基同士やアルコキシシリル基同士を架橋剤を介して架橋させるためには、さらに、クラッド層形成用材料中に、架橋剤として、各重合性基に対応する重合性基を少なくとも１つを有する化合物を混合するようにすればよい。

エポキシ基を有する架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）、シリコーンエポキシ樹脂等が好適に用いられる。

（メタ）アクリル基を有する架橋剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラントリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカンジメタノールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート等が好適に用いられる。

アルコキシシリル基を有する架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランのようなシランカップリング剤等が好適に用いられる。

これらの重合性基同士の架橋反応は、本工程［６Ａ］の最終段階で行うようにしてもよいし、次工程［７Ａ］において光導波路９を得た後に行うようにしてもよい。

また、クラッド層形成用材料中には、各種の添加剤を添加（混合）するようにしてもよい。

例えば、クラッド層形成用材料中には、前記コア層形成用材料で挙げたモノマー、触媒前駆体および助触媒を混合してもよい。これにより、クラッド層９１（９２）中において、前述したのと同様にして、モノマーを反応させて、クラッド層９１（９２）の屈折率を変化させることができる。

特に、モノマーとしては、架橋性モノマーを含むものを用いると、クラッド層９１（９２）において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のもののを、架橋性モノマーを介して架橋させることができる。また、架橋剤の種類、コア層９３に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層９３に用いるポリマーとを架橋させることもできる。

また、この場合、クラッド層９１（９２）中において、屈折率の差を設けることが要求されないので、助触媒を省略して、加熱により容易に活性化する触媒前駆体を用いることもできる。

かかる触媒前駆体としては、例えば、［Ｐｄ（ＰＣｙ_３）_２（Ｏ_２ＣＣＨ_３）（ＮＣＣＨ_３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［２−ｍｅｔｈａｌｌｙｌ Ｐｄ（ＰＣｙ３）２］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２Ｈ（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。

その他の添加剤としては、前述したような酸化防止剤が挙げられる。酸化防止剤を混合することにより、クラッド材（ノルボルネン系ポリマー）の酸化による劣化を防止することができる。
以上のようにして、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）が形成される。

クラッド層９１、９２の平均厚さは、コア層９３の平均厚さの０．１〜１．５倍程度であるのが好ましく、０．３〜１．２５倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層９１、９２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路９が不要に大型化（圧膜化）するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。

［７Ａ］ 次に、支持基板９５１からコア層９３を剥離し、このコア層９３を、クラッド層９１が形成された支持基板９５２と、クラッド層９２が形成された支持基板９５２とで挟持する（図５−Ｅ参照）。

そして、図５−Ｅ中の矢印で示すように、クラッド層９２が形成された支持基板９５２の上面側から加圧し、クラッド層９１、９２とコア層９３とを圧着する。
これにより、クラッド層９１、９２とコア層９３とが接合、一体化される。

また、この圧着作業は、加熱下で行われるのが好ましい。加熱温度は、クラッド層９１、９２やコア層９３の構成材料等により適宜決定されるが、通常は、８０〜２００℃程度が好ましく、１２０〜１８０℃程度がより好ましい。

次いで、クラッド層９１、９２から、それぞれ、支持基板９５２を剥離、除去する。これにより、光導波路９が得られる。

このような光導波路９の好ましい例では、コア層９３において、コア部９４が第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド部９５が第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、第１のノルボルネン系材料（コア層９３のコア部９４）より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。

そして、第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有するが、このノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、互いに屈折率が異なっている。

ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路９では、高い光伝送性能が得られる。

また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持される。

さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９では、耐久性に優れたものとなる。

また、光導波路９に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。

また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路９を得ることができる。

＜第２の製造方法＞
次に、光導波路９の第２の製造方法について説明する。

以下、第２の製造方法について説明するが、前記第１の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２の製造方法では、コア層形成用材料９００の組成が異なり、それ以外は、前記第１の製造方法と同様である。

すなわち、第２の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、活性放射線の照射により活性化する離脱剤（物質）と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した離脱剤の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基（離脱性ぺンダントグループ）とを有するポリマー９１５とを含有している。
離脱剤には、前記第１の製造方法で挙げた助触媒と同様のものを用いることができる。

第２の製造方法において用いられるポリマー９１５としては、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５が有する置換基を離脱性基で置換したものや、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５に離脱性基を導入したもの等が挙げられる。

かかるポリマー９１５は、離脱性基の離脱（切断）により、その屈折率が変化（上昇または低下）する。

離脱性基は、カチオン、アニオンまたはフリーラジカルの作用により離脱するもの、すなわち、酸（カチオン）脱離性基、塩基（アニオン）脱離性基、フリーラジカル脱離性基のいずれであってもよいが、好ましくはカチオン（プロトン）の作用により離脱するもの（酸基離脱性基）である。

酸離脱性基としては、その分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。

このうち、離脱によりポリマー９１５の屈折率に低下を生じさせる酸離脱性基としては、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。

なお、フリーラジカルの作用により離脱するフリーラジカル脱離性基としては、例えば、末端にアセトフェノン構造を有する置換基等が挙げられる。

また、ポリマー９１５は、前記第１の製造方法で説明したのと同様の理由から、ノルボルネン系ポリマーを用いるのが好ましく、アルキル（特にヘキシル）ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを用いるのがより好ましい。

以上のことを考慮した場合、離脱性基の離脱により屈折率が低下するポリマー９１５としては、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランのホモポリマーや、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマーが好適に用いられる。

以下では、ポリマー９１５として、離脱性基（特に酸離脱性基）の離脱により屈折率が低下するものを用いる場合を一例に説明する。

すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。

［１Ｂ］ 前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５の作用による。

［２Ｂ］ 前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する離脱剤は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する（フォトブリーチ）。

これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第１の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。

なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．３〜６Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましく、０．６〜６Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがさらに好ましい。これにより、離脱剤を確実に活性化させることができる。

［３Ｂ］ 次に、層９１０に対して加熱処理を施す。
これにより、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。

さらに、このとき、クラッド部９５（照射領域９２５）に残存する離脱性基の一部がさらに離脱（切断）すると考えられる。

したがって、このような加熱処理を施すことにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより大きくすることができる。

この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、７０〜１９５℃程度であるのが好ましく、８５〜１５０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、照射領域９２５から離脱（切断）された離脱性基を十分に除去し得るに設定され、特に限定されないが、０．５〜３時間程度であるのが好ましく、０．５〜２時間程度であるのがより好ましい。

なお、例えば、加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［３Ｂ］を省略してもよい。

また、必要に応じて、１回または複数回の加熱処理（例えば、１５０〜２００℃×１〜８時間程度）の工程を追加することもできる。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。

［４Ｂ］ 前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｂ］ 前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、光導波路９が完成する。

このような光導波路９の好ましい例では、コア層９３がノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。

そして、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖と主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている。

ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路９では、高い光伝送性能が得られる。

また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持される。

さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９では、耐久性に優れたものとなる。

また、光導波路９に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。

また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路９を得ることができる。

特に、第２の製造方法によれば、少なくとも活性放射線をすればよく、極めて簡単な処理で、コア層９３を形成することができる。

＜第３の製造方法＞
次に、光導波路９の第３の製造方法について説明する。

以下、第３の製造方法について説明するが、前記第１および第２の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第３の製造方法では、コア層形成用材料９００として、第１および第２の製造方法で用いたコア層形成用材料を組み合わせたものを用い、それ以外は、前記第１または第２の製造方法と同様である。

すなわち、第３の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、前述したような離脱性基を有するポリマー９１５と、モノマーと、助触媒（第１の物質）と、触媒前駆体（第２の物質）とを含有している。また、助触媒は、前記第２の製造方法における離脱剤と同じものであり、離脱剤を離脱させる機能も有する。

このようなコア層形成用材料９００では、選択する離脱性基と、選択するモノマーとの組み合わせにより、得られるコア層９３において、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより多段階に調整することが可能となる。

なお、前述したように、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用い、ポリマー９１５として、離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いると、照射領域９２５をクラッド部９５とし、コア部９４との屈折率差が極めて大きいコア層９３を得ることができる。

以下では、このような組み合わせのポリマー９１５、モノマーおよび触媒前駆体を用いる場合を一例に説明する。

すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。

［１Ｃ］ 前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。

［２Ｃ］ 前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。

また、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する。

これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、屈折率が低下して第１の屈折率より低くなる。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。

なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．２〜５Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましく、０．２〜４Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。

［３Ｃ］ 前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。

そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。

また、この加熱処理により、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。

その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになること、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が減少すること等により、さらに屈折率が低下して第２の屈折率となる。

一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。

［４Ｃ］ 前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｃ］ 前記工程［５Ａ］と同様の工程を行う。
［６Ｃ］ 前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［７Ｃ］ 前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、光導波路９が完成する。

このような光導波路９の好ましい例では、コア層９３は、主鎖とこの主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを含有しており、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なること、および、ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっており、また、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。

ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路９では、高い光伝送性能が得られる。

また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持される。

さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９では、耐久性に優れたものとなる。

また、光導波路９に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。

また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路９を得ることができる。

特に、第３の製造方法によれば、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を多段階に設定することが可能となる。

＜第４の製造方法＞
次に、光導波路９の第４の製造方法について説明する。

図６−Ａ〜図６−Ｅは、それぞれ、光導波路の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。

以下、第４の製造方法について説明するが、前記第１〜第３の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第４の製造方法では、コア層形成用材料９００やクラッド層形成用材料には、前記第１〜第３の製造方法で説明したのと同様のものを用いることができる。

なお、以下では、コア層形成用材料として、前記第１の製造方法で挙げたものを用いる場合を代表に説明する。

［１Ｄ］ まず、支持基板１０００上に、クラッド層形成用材料（第１のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第１の層１１１０を形成する（図６−Ａ参照）。

支持基板１０００には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
第１の層１１１０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。

［２Ｄ］ 次に、第１の層１１１０上に、コア層形成用材料（第２のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第２の層１１２０を形成する（図６−Ｂ参照）。

コア層形成用材料は、第１の層１１１０をほぼ完全に乾燥させた後に塗布するようにしてもよいし、第１の層１１１０が乾燥する前に塗布するようにしてもよい。

後者の場合、第１の層１１１０と第２の層１１２０とは、それらの界面において相互に混ざり合った状態となる。この場合、得られた光導波路９において、クラッド層９１とコア層９３との密着性の向上を図ることができる。

また、この場合、第１のワニスおよび第２のワニスは、それぞれ、粘度（常温）が好ましくは１００〜１００００ｃＰ程度、より好ましくは１５０〜５０００ｃＰ程度、さらに好ましくは２００〜３５００ｃＰ程度に調製される。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを防止することができるとともに、第１の層１１１０および第２の層１１２０の厚さが不均一となるのを防止することができる。

なお、第２のワニスの粘度は、第１のワニスの粘度より高くするのが好ましい。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを確実に防止することができる。

第２の層１１２０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１５〜１２５μｍ程度であるのがより好ましく、２５〜１００μｍ程度であるのがさらに好ましい。

［３Ｄ］ 次に、第２の層１１２０上に、クラッド層形成用材料（第３のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第３の層１１３０を形成する（図６−Ｃ参照）。

第３の層１１３０は、前記第２の層１１２０と同様にして形成することができる。
第３の層１１３０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
これにより、積層体２０００が得られる。

［４Ｄ］ 次に、積層体２０００中の溶媒を除去（脱溶媒）する。
脱溶媒の方法としては、例えば、加熱、大気圧または減圧下での放置、不活性ガス等の噴き付け（ブロー）等の方法が挙げられるが、加熱による方法が好ましい。これにより、比較的容易かつ短時間での脱溶媒が可能である。

この加熱の温度は、２５〜６０℃程度であるのが好ましく、３０〜４５℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱の時間は、１５〜６０分程度であるのが好ましく、１５〜３０分程度であるのがより好ましい。

［５Ｄ］ 次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、積層体２０００に対して活性放射線９３０を照射する（図６−Ｄ参照）。

マスク９３５を介して、活性放射線９３０を積層体２０００に照射すると、第２の層１１２０の活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。

［６Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。

そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。

その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。

一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図６−Ｅ参照）。

［７Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。

このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。

［８Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
以上の工程を経て、光導波路９が得られる。

かかる方法では、第１の加熱処理の後、積層体２０００内にコア部９４が目視で確認することができるようになる。

また、第１のワニスおよび第３のワニスとして、第２のワニスと同様の組成、すなわち、ポリマー９１５、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含有するものを用いるようにしてもよい。これにより、モノマーの反応が、第１の層１１１０および第３の層１１３０と、第２の層１１２０の界面、および／または、かかる界面を越えて第１の層１１１０および第３の層１１３０内で生じて、クラッド層９１、９２とコア層９３との剥離をより確実に防止することができる。

また、この場合、例えば、Ｉ：第１の層１１１０および第３の層１１３０のポリマー９１５として、第２の層１１２０のポリマー９１５の屈折率より相対的に低い屈折率（ＲＩ）のものを選択したり、II：第１の層１１１０および第３の層１１３０のモノマーとして、第２の層１１２０のモノマーと同じものを用いるが、第１の層１１１０および第３の層１１３０における触媒前駆体およびモノマーの比率を、第２の層１１２０のそれより低くなるように調節するようにしたりすればよい。

これにより、活性放射線９３０を照射しても、クラッド層９１、９２内に、コア層９３のコア部９４より高い屈折率を有する領域が形成されるのを防止することができる。

なお、コア層形成用材料（第２のワニス）として、離脱性基を有するポリマー９１５を含有するものを用いる場合、クラッド層形成用材料（第１のワニス、第３のワニス）としては、脱離性基を有しないポリマー９１５を用いて調製したものを用いるか、離脱性基を有するポリマー９１５を用いるが、離脱剤を含有しないものを用いるようにすればよい。

これにより、第１の層１１１０および第３の層１１３０において、ポリマー９１５から離脱性基が離脱（分解）することを防止することができる。

また、この場合、助触媒には、コア層９３を形成する際には、活性化しないものを選択するようにしてもよい。例えば、第２のワニスが含有する助触媒の活性化に適した活性放射線を吸収しないか、または、活性放射線に代わって熱の作用により活性化される助触媒を選択するようにすればよい。

このような助触媒としては、例えば、非吸収性光塩基発生剤（ＰＢＧ）や熱塩基発生剤（ＴＢＧ）等が挙げられる。

なお、本発明において、光導波路構造体および光導波路基板の基本構造、層構成、各部の形状、数、配置等は、図示のものに限定されないことは言うまでもない。

また、前記各実施形態において、素子として、発光素子１０および受光素子１１の双方を備える構成について説明したが、発光素子１０および受光素子１１のいずれか一方を搭載した構成であってもよい。もちろん、発光素子と受光素子の双方を２組以上搭載するものでもよい。

以上、本発明を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができ、また、任意の構成が付加されていてもよい。

本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第２実施形態を示す断面図である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 本発明の光導波路基板の実施形態を示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１ 光導波路構造体
２ 半導体層（半導体基板）
２１ 透光部
２２、２３ 貫通孔
３ 絶縁層
４ 半田
５１、５２、５３ 導体層
５５、５６、５７ 導体層
６ 光導波路基板
７ 基板
８ 貫通孔（スルーホール）
８１、８２、８３、８４ 導体ポスト（導電材料）
９ 光導波路
９１ クラッド層
９２ クラッド層
９３ コア層
９４ コア部
９５ クラッド部
９６ａ、９６ｂ、９６ｃ、９６ｄ 光路変換部
９６１ａ、９６１ｂ、９６１ｃ、９６１ｄ 反射面
１０ 発光素子
１０１ 発光部
１０３ 端子
１１ 受光素子
１１１ 受光部
１１３ 端子
１２ 電子回路素子（半導体素子）
１２３、１２５、１２７ 端子
１３ 電子回路素子（半導体素子）
１３３、１３５、１３７ 端子
９００ コア層形成用材料
９１０ 層
９１５ ポリマー
９２０ 添加剤
９２５ 照射領域
９３０ 活性放射線
９３５ マスク
９３５１ 開口
９４０ 未照射領域
９５１、９５２ 支持基板
１０００ 支持基板
１１１０ 第１の層
１１２０ 第２の層
１１３０ 第３の層
２０００ 積層体

Claims (62)

1. 半導体で構成される半導体層と、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し前記半導体層の内部に少なくとも一部が埋設された光導波路と、を備える光導波路構造体であって、
   前記コア部は、ノルボルネン系ポリマーを主とするポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーを主とするモノマーと、を含む材料であって、活性放射線の照射および加熱により屈折率が変化する材料で構成された層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより得られたコア層内において所望の形状に形成されたものであり、
   前記コア層は、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記活性放射線が照射された照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーを反応させ、他方の領域から一方の領域へ未反応の前記モノマーが移動することにより、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせ、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものであることを特徴とする光導波路構造体。
2. 発光部と端子とを有する素子と、受光部と端子とを有する素子の少なくとも一方を備えており、
   前記素子の少なくとも一部が前記半導体層の内部に埋設されている請求項１に記載の光導波路構造体。
3. 前記素子を駆動するまたは前記素子の出力信号を処理するための少なくとも１つの電子回路素子を備えており、
   前記電子回路素子の少なくとも一部が前記半導体層の内部に埋設されている請求項２に記載の光導波路構造体。
4. 前記素子を駆動するまたは前記素子の出力信号を処理するための少なくとも１つの電子回路素子を備えており、
   前記電子回路素子が前記半導体層の片面側に搭載されている請求項２に記載の光導波路構造体。
5. 前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる光路変換部を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の光導波路構造体。
6. 前記光路変換部は、平面視で前記素子の前記発光部または前記受光部と重なるような位置に形成されている請求項５に記載の光導波路構造体。
7. 前記光路変換部は、前記伝送光の少なくとも一部を反射する反射面を有するものである請求項５または６に記載の光導波路構造体。
8. 前記光路変換部と前記発光部または前記受光部との間に、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有する透光部を有する請求項５ないし７のいずれかに記載の光導波路構造体。
9. 発光部と端子とを有する発光素子と、受光部と端子とを有する受光素子と、平面視で前記発光部および前記受光部とそれぞれ重なるような位置に形成され、前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる発光部側光路変換部および受光部側光路変換部とを有し、
   前記発光部から発せられた伝送光が発光部側光路変換部、コア部および受光部側光路変換部を順次経て前記受光部で受光されるよう構成されており、
   前記発光素子および前記受光素子が前記半導体層の内部に埋設されている請求項１に記載の光導波路構造体。
10. 絶縁層を有する請求項１ないし９のいずれかに記載の光導波路構造体。
11. 導体層を有する請求項１ないし１０のいずれかに記載の光導波路構造体。
12. 前記導体層に電気的に接続し、層の厚さ方向に延在する導体ポストを有する請求項１１に記載の光導波路構造体。
13. 前記半導体層は、主としてシリコンで構成される請求項１ないし１２のいずれかに記載の光導波路構造体。
14. 前記半導体層の厚さは、前記光導波路の厚さの１〜１００倍である請求項１ないし１３のいずれかに記載の光導波路構造体。
15. 前記光導波路の少なくとも一部が前記半導体層の内部に埋設されている請求項１ないし１４のいずれかに記載の光導波路構造体。
16. 前記屈折率が変化する材料は、さらに、前記活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含むものであり、
    前記コア層は、前記層の前記照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
    次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、活性化温度が変化していない前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて得られたものである請求項１ないし１５のいずれかに記載の光導波路構造体。
17. 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである請求項１６に記載の光導波路構造体。
18. 前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである請求項１６または１７に記載の光導波路構造体。
19. 前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む請求項１８に記載の光導波路構造体。
    （Ｅ（Ｒ）_３）_２Ｐｄ（Ｑ）_２ ・・・ （Ｉａ）
    ［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
20. 前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む請求項１８または１９に記載の光導波路構造体。
    ［（Ｅ（Ｒ）_３）_ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）_ｂ］_ｐ［ＷＣＡ］_ｒ ・・・ （Ｉｂ）
    ［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
21. ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される請求項２０に記載の光導波路構造体。
22. 前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項１６ないし２１のいずれかに記載の光導波路構造体。
23. 前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項２２に記載の光導波路構造体。
24. 前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い請求項２３に記載の光導波路構造体。
25. 前記モノマーは、架橋性モノマーを含む請求項１６ないし２４のいずれかに記載の光導波路構造体。
26. 前記モノマーは、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである請求項２５に記載の光導波路構造体。
27. 前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する請求項１６ないし２６のいずれかに記載の光導波路構造体。
28. 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項２７に記載の光導波路構造体。
29. 前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項２７または２８に記載の光導波路構造体。
30. 半導体で構成される半導体層と、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し前記半導体層の内部に少なくとも一部が埋設された光導波路とを備える光導波路構造体であって、
    前記コア部は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーと、を含む材料であって、活性放射線の照射により屈折率が変化する材料で構成された層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより得られたコア層内において所望の形状に形成されたものであり、
    前記コア層は、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものであり、
    前記離脱性基は、−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造を有するものであることを特徴とする光導波路構造体。
31. 前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである請求項３０に記載の光導波路構造体。
32. 前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項３０または３１に記載の光導波路構造体。
33. 前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである請求項２７ないし３２のいずれかに記載の光導波路構造体。
34. 前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである請求項１６ないし３３のいずれかに記載の光導波路構造体。
35. 前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２である請求項１６ないし３４のいずれかに記載の光導波路構造体。
36. 前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される請求項１６ないし３５のいずれかに記載の光導波路構造体。
37. 前記層は、さらに、酸化防止剤を含む請求項１６ないし３６のいずれかに記載の光導波路構造体。
38. 前記層は、さらに、増感剤を含む請求項１６ないし３７のいずれかに記載の光導波路構造体。
39. 前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項３０ないし３２のいずれかに記載の光導波路構造体。
40. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項３９に記載の光導波路構造体。
41. 前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の光導波路構造体。
42. 前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項４１に記載の光導波路構造体。
43. 前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである請求項４２に記載の光導波路構造体。
44. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項４２または４３に記載の光導波路構造体。
45. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項４２または４３に記載の光導波路構造体。
46. 前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項４２または４３に記載の光導波路構造体。
47. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項４２または４３に記載の光導波路構造体。
48. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項４２または４３に記載の光導波路構造体。
49. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項４２ないし４８のいずれかに記載の光導波路構造体。
50. 前記コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層を有する請求項１６ないし４９のいずれかに記載の光導波路構造体。
51. 前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている請求項５０に記載の光導波路構造体。
52. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項５１に記載の光導波路構造体。
53. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項５１または５２に記載の光導波路構造体。
54. 前記ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項５１ないし５３のいずれかに記載の光導波路構造体。
55. 前記重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位は、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位のうちの少なくとも１種である請求項５４に記載の光導波路構造体。
56. 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している請求項５４または５５に記載の光導波路構造体。
57. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項５１ないし５３のいずれかに記載の光導波路構造体。
58. 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが架橋剤を介して架橋している請求項５７に記載の光導波路構造体。
59. 前記クラッド層の平均は、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である請求項５１ないし５８のいずれかに記載の光導波路構造体。
60. 基板上に、請求項１６ないし５９のいずれかに記載の光導波路構造体を少なくとも１つ搭載したことを特徴とする光導波路基板。
61. 前記基板は、前記半導体層とは別の半導体層を有する請求項６０に記載の光導波路基板。
62. 前記基板は、前記光導波路とは別の光導波路を有する請求項６０または６１に記載の光導波路基板。

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