JP4740018B2 - 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 66
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 76
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 65
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 44
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 43
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 18
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
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-
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/135—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8067—Reflectors
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
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Description
本実施の形態における固体撮像装置は、マイクロレンズから入射される光を、所定範囲内の波長を有する第1の光と所定範囲外の波長を有する第2の光の2つに分離し、第1の光を1つのフォトダイオードに、第2の光を他の1つのフォトダイオード入射するように構成される。また、マイクロレンズにから入射される光を分離には、さらに、所定範囲の波長に応じたフォトニック構造の絶縁体層(スペーサ層とも呼ぶ)を有する多層膜を用いている。これにより固体撮像装置の高感度化を図っている。
本実施の形態では、光選択部104中の絶縁体層がフォトニック構造により光学的膜厚を調整する代わりに、物理的な膜厚によって光学的膜厚を調整する例について説明する。
本実施の形態では、上記各実施の形態における固体撮像装置から得られる色信号を3原色の信号に変換する信号処理について説明する。
102R、102G、102B フォトダイオード
102Ye、102Cy、102Mg フォトダイオード
103 透明膜103
104R、104G、104M 色選択部
104M 色反射部
105、108 透明膜
106 凹レンズ
107 遮光膜
109 マイクロレンズ
501a、501c、501e、501g 二酸化チタン層
501b、501d、501f 二酸化シリコン層
501G フォトニック層
601a アルミ層
701a、701c、701e、701g 二酸化チタン層
701b、701d、701f 二酸化シリコン層
701R フォトニック層
801a、801c、801e、801g 二酸化チタン層
801b、801f 二酸化シリコン層
801R、801B フォトニック層
904R、904G、904B 色選択部
401 カメラ
411 固体撮像装置
412 駆動部
410 信号処理部
413 色変換部
414 制御部
415 メカニカルシャッター
416 レンズ
420 表示部
Claims (12)
- 二次元状に配列されたフォトダイオードと、
隣り合う2つのフォトダイオードに対して1つずつ設けられ、光を集める複数の集光手段と、
前記集光手段に対応して設けられ、前記集光手段から入射される光を、所定範囲内の波長を有する第1の光と所定範囲外の波長を有する第2の光の2つに分離する複数の分離手段とを備え、
各分離手段は、
前記集光手段から入射される光から、第1の光および第2の光の一方を選択的に透過し他方を反射し、透過した光を1つのフォトダイオードに入射する光選択手段と、
前記光選択手段によって反射された光を他の1つのダイオードに向けて反射する光反射手段と
を備え、
前記複数の分離手段は、第1タイプの分離手段および第2タイプの分離手段を含み、
第1タイプの分離手段における第1の光は赤緑青のうちの何れかの原色を示す第1原色光であり、第2の光は第1原色光の補色を示す第1補色光であり、
第2タイプの分離手段における第1の光は第1原色光とは異なる第2原色光であり、第2の光は第2原色光の補色を示す第2補色光である
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光反射手段は可視光のみを反射する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置はさらに、赤外光を除去する除去手段を備え、
前記分離手段は、赤外光除去後の光から、所定範囲内の波長を有する光とそれ以外の光とを分離する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1原色光、第1補色光、第2原色光、第2補色光はそれぞれ、赤色光、シアン光、青色光、イエロー光であり、
第1タイプの分離手段と第2タイプの分離手段はそれぞれ同一列または同一行に配列される
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1原色光、第1補色光、第2原色光、第2補色光はそれぞれ、赤色光、シアン光、緑色光、マゼンタ光であり、
第1タイプの分離手段と第2タイプの分離手段はそれぞれ同一列または同一行に配列される
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置はさらに、
フォトダイオードから得られる第1原色を示す信号、第1補色を示す信号、第2原色を示す信号および第2補色を示す信号を、赤色信号、緑色信号、青色信号に変換する変換手段を備える
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記集光手段に集光される光軸上に前記光選択手段および1つのダイオードが配置される
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記集光手段の中心は、隣接行または隣接列の隣り合う集光手段の中心とフォトダイオード1つ分ずれて配置される
ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記光選択手段は、屈折率の異なる2種類の光学膜を含む多層膜であり、
前記光学膜の光学的膜厚は設定中心波長の4分の1に相当し、
前記多層膜は、さらに、設定中心波長に応じたフォトニック構造の絶縁体層を含む
ことを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記光選択手段は、屈折率の異なる2種類の光学膜を含む多層膜であり、
前記光学膜の光学的膜厚は設定中心波長の4分の1に相当し、
前記多層膜は、さらに、設定中心波長の4分の1以外の光学的膜厚を有する絶縁体層を含む
ことを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の固体撮像装置。 - 請求項1記載の固体撮像装置を備えることを特徴とするカメラ。
- 請求項6記載の固体撮像装置の信号処理方法であって、
4つのフォトダイオードから第1原色を示す信号、第1補色を示す信号、第2原色を示す信号、第2補色を示す信号を取得し、
取得した4つの信号を赤色信号、緑色信号、青色信号に変換する
ことを特徴とする信号処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006108035A JP4740018B2 (ja) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 |
TW096110520A TW200810101A (en) | 2006-04-10 | 2007-03-27 | Solid state imaging device, camera and signal processing method |
EP07105773A EP1845559A1 (en) | 2006-04-10 | 2007-04-05 | Solid-state imaging device, camera and signal processing method |
US11/697,498 US7863633B2 (en) | 2006-04-10 | 2007-04-06 | Solid-state imaging device, camera and signal processing method |
KR1020070034687A KR20070101139A (ko) | 2006-04-10 | 2007-04-09 | 고체 촬상 장치, 카메라 및 신호 처리 방법 |
CNA2007100960538A CN101056365A (zh) | 2006-04-10 | 2007-04-10 | 固体摄像器件、摄像机以及信号处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006108035A JP4740018B2 (ja) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007282054A JP2007282054A (ja) | 2007-10-25 |
JP4740018B2 true JP4740018B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=38140447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006108035A Expired - Fee Related JP4740018B2 (ja) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7863633B2 (ja) |
EP (1) | EP1845559A1 (ja) |
JP (1) | JP4740018B2 (ja) |
KR (1) | KR20070101139A (ja) |
CN (1) | CN101056365A (ja) |
TW (1) | TW200810101A (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008060726A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
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-
2006
- 2006-04-10 JP JP2006108035A patent/JP4740018B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-27 TW TW096110520A patent/TW200810101A/zh unknown
- 2007-04-05 EP EP07105773A patent/EP1845559A1/en not_active Withdrawn
- 2007-04-06 US US11/697,498 patent/US7863633B2/en active Active
- 2007-04-09 KR KR1020070034687A patent/KR20070101139A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-04-10 CN CNA2007100960538A patent/CN101056365A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000151933A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Nec Corp | 撮像素子及びその製造方法 |
JP2005142429A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2007259232A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1845559A1 (en) | 2007-10-17 |
TW200810101A (en) | 2008-02-16 |
JP2007282054A (ja) | 2007-10-25 |
CN101056365A (zh) | 2007-10-17 |
KR20070101139A (ko) | 2007-10-16 |
US20070235756A1 (en) | 2007-10-11 |
US7863633B2 (en) | 2011-01-04 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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