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JP4620748B2 - 色素増感型太陽電池 - Google Patents

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Description

本発明は色素によって光エネルギーを電気的エネルギーに変換する色素増感型太陽電池に関するものである。
地球全体に降り注ぐ太陽光エネルギーは、全世界が消費する10万倍とも言われている。このエネルギー資源である太陽光を、人類が利用し易い電気エネルギーに変換するための装置の研究開発には、約50年もの歴史がある。太陽電池に代表される再生可能エネルギーは、環境負荷がほとんどない理想的なエネルギー資源といわれているが、これまでのところ、その普及はあまり進んでいない状況にある。その理由として最も問題視されているのが、高い発電コストである。発電コストを抑制するためには、太陽電池の高度の光電交換効率の取得並びに材料及び製造方法の低コスト化が必要となっている。かかる課題を解決できるものとして色素増感型太陽電池が注目を集めている。
高度の光電交換効率を取得するために、色素増感型太陽電池における色素担持半導体層を2層以上の積層化によって吸収波長領域を広げる構造が従来から知られている。また、色素担持半導体層を2層以上に積層化するには、色素担持半導体層である酸化チタン(TiO2)等の電極を膜厚化する必要がある。
しかしながら、色素担持半導体層の厚みは、電子の拡散長で律速しており、約10um程度である。このため、単純に厚膜化しても内部抵抗起因によるエネルギー損失のため、光電交換効率の向上を図ることが困難であった。
かかる問題点を解決する方法として、特許文献1には透明導電膜上に導電性の突出部を設けた色素増感型太陽電池の構造が開示されている。
特開2000−77691号公報
特許文献1に記載された色素増感型太陽電池は、2枚の透明基板上に形成された透明導電膜によって色素担持半導体層及び電解液層からなる太陽電池機能層が挟まれており、色素担持半導体層に接触している透明導電膜から色素担持半導体層に向けて伸びた導電性の突出部が設けられている。かかる構成によって、色素担持半導体層である酸化チタン等の電極面積を拡大した場合においても、高い光電交換効率を取得することができた。
しかしながら、特許文献1に開示された色素増感型太陽電池は、透明導電膜に突出部を形成するため、製造工程の増加及びコストの増加という問題点がある。
また、色素増感型太陽電池の製造コストにおいては、全体のコストに対して透明導電膜の占める割合が高く、透明導電膜を使用する限りは大幅なコスト削減が困難という問題点もある。
本発明は、以上の如き事情に鑑みてなされたものであり、高度の光電交換効率を有しつつ、低コストの色素増感型太陽電池及びその製造方法を提供することを目的としている。
上述した課題を解決するために、色素担持半導体層及び前記色素担持半導体層に接触している電解液層からなる太陽電池機能層と、互いに間隔をおいて対向し且つ前記太陽電池機能層の少なくとも1部を挟んで各々がこれに接触しているアノード電極層及びカソード電極層と、前記アノード電極層を覆う保護膜層と、前記色素担持半導体層を支持するアノード基板と前記カソード電極層を支持するカソード基板と、からなる色素増感型太陽電池であって、前記アノード電極層が均一に分布した複数の開口を有し且つ前記アノード基板から離間して前記色素担持半導体層に包埋され、前記開口の幅が前記色素担持半導体層の電子拡散長以下であり、前記アノード電極層が前記電解液層に接触していることを特徴とする色素増感型太陽電池が提供される。
また、前記開口の幅は、10μm以下であってもよい。
本発明の色素増感型太陽電池においては、色素担持半導体層及び電解液層からなる太陽電池機能層の少なくとも1部をカソード電極層と挟むアノード電極層が、複数の開口を有し且つ前記アノード基板から離間して前記色素担持半導体層に包埋されていることにより、高度の光電交換効率を有しつつ、低コストの色素増感型太陽電池を提供することができる。
発明を実施するための形態
以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1を参照しつつ、本発明の実施例の色素増感型太陽電池10を説明する。
図1に示されているように、色素増感型太陽電池10は、アノード基板である透過性のガラス基板11上に色素吸着された色素担持酸化チタン層12が形成されている。色素担持酸化チタン層12の内部には金属薄膜13及び金属薄膜13の密着層として機能する窒化チタン(TiN)膜14によって構成されたアノード電極層15が、ガラス基板11から離間して包埋されている。ガラス基板11、色素担持酸化チタン層12及びアノード電極層15からアノード電極基板16が構成されている。なお、アノード電極層15は、酸化防止のためのチタン膜等の保護膜(図示せず)によって覆われていても良い。
ガラス基板11の上部にはカソード基板である透過性のガラス基板17が配置されており、ガラス基板17の表面(色素担持酸化チタン層12と対向する面内)にフッ素ドープ酸化スズ膜18(以下、FTO膜18と称する)が形成されて、更に、FTO膜18上にはPt膜19が形成されている。FTO膜18とPt膜19によってカソード電極層20が構成されている。また、ガラス基板17及びカソード電極層20によってカソード電極基板21が構成されている。
アノード電極基板16とカソード電極基板21との間には電解液層22が形成されている。また、アノード電極基板16とカソード電極基板20とは、接着剤23によって対向して張り合わされている。アノード電極基板16、カソード電極基板21及び接着剤23の側面は封止樹脂層24によって覆われている。なお、色素担持酸化チタン層12及び電解液層22によって太陽電池機能層が構成されている。
また、アノード電極層15から電解液層22までの距離が色素担持酸化チタン層12における電子の拡散長以下であることが望ましい。例えば、かかる距離は、約10μm以下であっても良い。
次に、図2を参照しつつ、アノード電極層15のXY平面内における形状について説明する。
図2において破線で示された部分がアノード電極層15であって、アノード電極層15は、X方向に沿って均一に並んだ孔状の開口25及びX方向の両端に位置する切欠形状の開口26が設けられている。アノード電極層15は、開口25によって網目状となっている。ここで、開口25の幅は、色素担持酸化チタン層12における電子拡散長以下であっても良く、例えば、その幅は約10μm以下であっても良い。
また、開口26によって、アノード電極層15のX軸方向における両端には、引き出し電極部27が形成されている。引き出し電極部27は、X軸方向の側面が露出しているため、アノード電極層15を色素増感型太陽電池10の外部へ電気的に接続させるための接続部分として機能する。例えば、引き出し電極部27の側面には接着剤23及び封止樹脂層24を形成せず、かかる接着剤23及び封止樹脂層24形成しない部分に電気的コンタクト部(図示せず)を形成し、色素増感型太陽電池10の外部から電気的に接続可能にしても良い。また、接着剤23及び封止樹脂層24を形成した場合であっても、ピンホール等を形成して、外部から引き出し電極部27への電気的コンタクト部(図示せず)を形成しても良い。
なお、開口25及び開口26の数量は、図2に示された数量に限られることはなく、色素増感型太陽電池10の光電交換効率や引き出し電極の配線形状に応じて適宜変更するものとする。また、開口25を全て切欠形状の開口に変更し、アノード電極層15のXY平面内における形状を櫛歯状、格子上、ハニカム状にしても良い。
次に、本発明の実施例のとしての色素増感型太陽電池10の製造方法について図3乃至図4を参照しつつ詳細に説明する。
先ず、ガラス基板11上に酸化チタンペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、酸化チタン層31を形成する(図3(a))。例えば、酸化チタン層31の厚みは、焼成後においてその厚みが約10μm(すなわち、色素担持酸化チタン層12における電子の拡散長以下)となるような塗布量を予め算出しておき、算出された塗布量を塗布する。本工程を酸化半導体層形成工程と称する。
次に、酸化チタン層31上に窒化チタンを約100nm成膜し、窒化チタン層32を形成する(図3(b))。例えば、窒化チタンの成膜方法としては、スパッタ又はCVD等の方法がある。窒化チタン層32上に所定の金属を約800nm成膜し、金属薄膜33を形成する(図3(c))。成膜方法は、窒化チタンと同様にスパッタ又はCVDであっても良い。また、所定の金属としては、タングステン、イリジウム、チタン又はニッケル等の金属を使用することが望ましい。本工程を電極膜形成工程と称する。
次に、リソグラフィー技術を用いて所望の配線パターンを転写してレジスト形成を行い、ドライ又はウエットエッチングによって所望の金属配線であるアノード電極層15を形成する(図3(d1)、(d2))。例えば、所望の配線とは、複数の並列する開口25を形成することによって網目状としても良い。また、複数の開口26を形成して引き出し電極部27を形成しても良い。なお、本工程を配線形成工程と称する。その後、必要に応じて、アノード電極層15上に酸化防止のための保護膜(図示せず)を更に形成しても良い。例えば、保護膜は約10nmのチタン膜であっても良い。
次に、酸化チタン層31及びアノード電極層15上に更に追加の酸化チタンペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、追加酸化チタン層34を形成する(図3(e))。本工程によって酸化チタン層31と追加酸化チタン層34との間にアノード電極層15が挟まれることとなる。(すなわち、アノード電極層15がガラス基板11から離間して包埋されることとなる。)ここで、追加の酸化チタンの塗布量は、酸化チタン層31と同様に、焼成後に追加酸化チタン層34の厚みが約10μm(すなわち、色素担持酸化チタン層12における電子の拡散長以下)となるように塗布しても良い。本工程を追加酸化半導体層形成工程と称する。
次に、追加酸化チタン層34の形成後のガラス基板11を大気雰囲気中において、約500℃にて約90分間のアニール処理を行い、酸化チタン層32及び追加酸化チタン層34を、厚みが約20μmの多孔質のポーラス状酸化チタン層35に変化させる(図3(f))。アニール後、アセトニトリルとtブチルアルコールとの混合溶液にRu系増感色素であるN719色素を溶かした溶液に、ポーラス状酸化チタン層35を約20時間ディップさせる。かかるディップによってポーラス状酸化チタン層35を色素担持酸化チタン層12に変化させることができる(図3(g))。以上の工程によってアノード電極基板16が形成されることとなる。なお、以上の工程をアノード電極基板形成工程と称する。
次に、ガラス基板17の上面にFTO膜18を形成する(図4(h))。その後、FTO膜18上にPtをスパッタし、約100ÅのPt層19を形成する(図4(i))。以上の工程によってカソード電極基板21が形成される。なお、以上の工程をカソード電極基板形成工程と称する。
次に、アノード電極基板16とカソード電極基板21とをハイミランフィルム等の接着剤23を用いて熱圧着で張り合わせる(図4(j))。なお、本工程を接続工程と称し、接続工程においては、アノード電極層15とカソード電極層20とが所定の間隔を置いて対向するように張り合わせることとする。
アノード電極基板16とカソード電極基板21と張り合わせた後、アノード電極基板16、カソード電極基板21及び接着剤23の周りを囲むようにUV硬化タイプの封止樹脂によって封止を行い、封止樹脂層24を形成する(図4(k))。本工程を封止工程と称する。
封止後、例えば、カソード電極基板21にピンホールを形成し、かかるピンホールから真空注入法によって電解液を注入する。電解液注入後、再びかかるピンホールをエポキシ樹脂によって封止することで電解液層21を形成する(図4(l)。例えば、電解液は、ヨウ素、ヨウ化リチウム、アセトニトリル及びトリブチルリン酸エステル(TBP)を混合したものであっても良い。本工程を電解注入工程と称する。
なお、接続工程及び封止工程において、アノード電極層15の引き出し電極部27が露出している部分には、接着剤23及び封止樹脂層24を形成することなく、電解注入工程後に金属コンコンタクト等を形成して、アノード電極層15を色素増感型太陽電池10の外部と接続可能としても良い。
以上のように、本実施例による色素増感型太陽電池によれば、コストのかかる透明電極膜を設けることがなく、且つ、色素担持酸化チタン層12を厚膜化した場合においても、アノード電極層15を色素担持酸化チタン層12に包埋することにより、電解液層21からの距離が色素担持酸化チタン層12における電子の拡散長よりも短くすることができる故、高度の光電交換効率を有しつつ、低コストの色素増感型太陽電池を提供することができる。
第1の実施例における色素増感型太陽電池において、アノード電極層を電解液層に接触するように形成しても良い。かかる色素増感型太陽電池40及びその製造方法を図5乃至図6を参照しつつ詳細に説明する。なお、実施例1と同様の部分については、同一符号を使用してその説明は省略する。
図5に示されているように、色素担持酸化チタン層12の内部には金属薄膜41及び金属薄膜41の密着層として機能する窒化チタン(TiN)膜42によって構成されたアノード電極層43が、ガラス基板11から離間し、かつ、電解液層22に接触して包埋されている。なお、アノード電極層43は、酸化防止のためのチタン膜等の保護膜(図示せず)によって覆われていても良い。
本実施例における色素増感型太陽電池40のアノード電極層43は、第1の実施例と異なり、電解液層22に接触している。かかる構成によって、電解液層22で励起した電子がアノード電極に到達し易くなるため、高度の光電交換効率を得ることができる。また、色素担持酸化チタン層12を厚膜化した場合においても、アノード電極は常に電解液層22に接触する位置に形成されるため、色素担持酸化チタン層12における電子の拡散長に律速することなく、色素担持酸化チタン層12の積層化が可能となる。
なお、アノード電極層43のXY平面における形状は、第1の実施例と同様であるため、かかる説明については省略する。
次に、本発明の実施例のとしての色素増感型太陽電池40の製造方法について図6を参照しつつ詳細に説明する。
先ず、ガラス基板11上に酸化チタンペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、酸化チタン層51を形成する(図6(a))。例えば、酸化チタン層51の厚みは、焼成後においてその厚みが約20μmとなるような塗布量を予め算出しておき、算出された塗布量を塗布する。本工程を酸化半導体層形成工程と称する。
その後、ナノインプリント技術により、所定の配線幅及び配線パーンを有したモールドを用いて、酸化チタン層51に表面にプレス加工を施し、酸化チタン層51に複数の溝52を形成する。(図6(b−1)、(b−2))。本工程を溝形工程と称する。なお、本工程中に100℃から200度の範囲においてベーキングを行い、酸化チタンペースト中に含有される溶媒等を揮発させることが望ましい。
その後、所望の配線パターンである溝52を酸化チタン層51に形成した後のガラス基板11を大気雰囲気中において、約500℃にて約90分間のアニール処理を行い、酸化チタン層51を厚みが約20μmの多孔質のポーラス状酸化チタン層53に変化させる(図6(c))。
次に、溝52上に窒化チタンを10〜100nm成膜し、窒化チタン層42を形成する(図6(d))。例えば、窒化チタンの成膜方法としては、スパッタ又はCVD等の方法がある。窒化チタン層32上に所定の金属を50〜500nm成膜し、金属薄膜41を形成する(図6(e))。成膜方法は、窒化チタンと同様にスパッタ又はCVDであっても良い。また、所定の金属としては、タングステン、イリジウム、チタン又はニッケル等の金属を使用することが望ましい。本工程を電極膜形成工程と称する。なお、金属薄膜41の厚みは、ポーラス状酸化チタン層53の厚みに応じて任意に決定するこができる。例えば、ポーラス状酸化チタン層53の厚みが約20μmであって、ポーラス状酸化チタン層53の色素担持後における電子の拡散長が約10μmのプロセス条件で設計した場合には、金属薄膜41の厚みを約10μmとすることが望ましい。
アニール後、アセトニトリルとtブチルアルコールとの混合溶液にRu系増感色素であるN719色素を溶かした溶液に、ポーラス状酸化チタン層53を約20時間ディップさせる。かかるディップによってポーラス状酸化チタン層53を色素担持酸化チタン層12に変化させることができる(図6(f))。以上の工程によってアノード電極基板16が形成されることとなる。以上の工程をアノード電極基板形成工程と称する。
その後、第1の実施例と同様にして、カソード電極基板21の形成、接着、封止及び電解液注入を行う。かかる工程は、第1の実施例と同様であるため、その説明は省略する。
なお、溝51の形成方法は、ナノプリント技術に限られることはない。例えば、光リソグラフィー又はEBリソグラフィーとドライ又はウエットエッチング技術との組合せによって、溝51を形成することとしても良い。
以上のように、本実施例による色素増感型太陽電池によれば、コストのかかる透明電極膜を設けることがなく、且つ、色素担持酸化チタン層12を厚膜化した場合においても、アノード電極層15を電解液層21に接触する位置に形成する故、高度の光電交換効率を有しつつ、低コストの色素増感型太陽電池を提供することができる。
また、本実施例による色素増感型太陽電池は、第1に実施例よるものと比較して開口率(すなわち、光透過率)を高くすることができる。
本発明の第1の実施例としての色素増感型太陽電池の断面図である。 本発明の第1の実施例としての色素増感型太陽電池のアノード電極基板のX−Y平面図である。 本発明の第1の実施例として色素増感型太陽電池の製造工程毎の断面図である。 本発明の第1の実施例として色素増感型太陽電池の製造工程毎の断面図である。 本発明の第2の実施例としての色素増感型太陽電池の断面図である。 本発明の第2の実施例として色素増感型太陽電池の製造工程毎の断面図である。
符号の説明
10 色素増感型太陽電池
11 ガラス基板
12 色素担持酸化チタン層
13 金属薄膜
14 窒化チタン(TiN)膜
15 アノード電極層
17 ガラス基板
18 フッ素ドープ酸化スズ膜(FTO膜)
19 Pt膜
20 カソード電極層
22 電解液層
23 接着剤
24 封止樹脂層

Claims (2)

  1. 色素担持半導体層及び前記色素担持半導体層に接触している電解液層からなる太陽電池機能層と、
    互いに間隔をおいて対向し且つ前記太陽電池機能層の少なくとも1部を挟んで各々がこれに接触しているアノード電極層及びカソード電極層と、
    前記アノード電極層を覆う保護膜層と、
    前記色素担持半導体層を支持するアノード基板と
    前記カソード電極層を支持するカソード基板と、からなる色素増感型太陽電池であって、
    前記アノード電極層が均一に分布した複数の開口を有し且つ前記アノード基板から離間して前記色素担持半導体層に包埋され
    前記開口の幅が前記色素担持半導体層の電子拡散長以下であり、
    前記アノード電極層が前記電解液層に接触していることを特徴とする色素増感型太陽電池。
  2. 前記開口の幅は、10μm以下であることを特徴とする請求項1記載の色素増感型太陽電池。
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