JP4610956B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 106
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 92
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 83
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 29
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- -1 silacyclopentadiene compound Chemical class 0.000 description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 description 67
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 31
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 30
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 28
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 19
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 19
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 8
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 4
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 4
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 4
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 4
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 4
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000001715 oxadiazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 3
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 125000001113 thiadiazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 3
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 2
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 2
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical class C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001774 Perfluoroether Chemical group 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005196 alkyl carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005133 alkynyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005199 aryl carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 2
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000004618 benzofuryl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000259 cinnolinyl group Chemical group N1=NC(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 125000004857 imidazopyridinyl group Chemical group N1C(=NC2=C1C=CC=N2)* 0.000 description 2
- 125000000879 imine group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003453 indazolyl group Chemical group N1N=C(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002462 isocyano group Chemical group *[N+]#[C-] 0.000 description 2
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N isothiocyanate group Chemical group [N-]=C=S ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000018 nitroso group Chemical group N(=O)* 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004934 phenanthridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC=C3C=CC=CC3=C12)* 0.000 description 2
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001042 pteridinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=NC=CN=C12)* 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M thiocyanate group Chemical group [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKZPMYDFTCDDTB-UHFFFAOYSA-N 1h-naphthalen-1-ide Chemical compound [C-]1=CC=CC2=CC=CC=C21 CKZPMYDFTCDDTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropan-1-one Chemical group CC(C)(C)[C]=O YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3,3-dimethyl-7-nitro-4h-isoquinolin-1-one Chemical compound C1=C([N+]([O-])=O)C=C2C(=O)N(O)C(C)(C)CC2=C1 NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- LGLDSEPDYUTBNZ-UHFFFAOYSA-N 3-phenylbuta-1,3-dien-2-ylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(=C)C(=C)C1=CC=CC=C1 LGLDSEPDYUTBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1h-pyrrolo[2,3-c]pyridine-2-carboxylic acid Chemical compound BrC1=NC=C2NC(C(=O)O)=CC2=C1 NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 241001024304 Mino Species 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N Nicotinamide Chemical group NC(=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NPRDEIDCAUHOJU-UHFFFAOYSA-N [Pt].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical class [Pt].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 NPRDEIDCAUHOJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000004466 alkoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHDLAWFYLQAULB-UHFFFAOYSA-N anilinophosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)NC1=CC=CC=C1 MHDLAWFYLQAULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005162 aryl oxy carbonyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005200 aryloxy carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000002785 azepinyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical group [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Chemical group 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- NBAUUSKPFGFBQZ-UHFFFAOYSA-N diethylaminophosphonic acid Chemical compound CCN(CC)P(O)(O)=O NBAUUSKPFGFBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical group FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005368 heteroarylthio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- KPWSHFPOXWVUPX-UHFFFAOYSA-N iridium;2,3,4-triphenylpyridine Chemical class [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=NC(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 KPWSHFPOXWVUPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical class [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GQNMAZUQZDEAFI-UHFFFAOYSA-N lithium;1h-naphthalen-1-ide Chemical compound [Li+].[C-]1=CC=CC2=CC=CC=C21 GQNMAZUQZDEAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000006626 methoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004893 oxazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IOUNQDKNJZEDEP-UHFFFAOYSA-N phosalone Chemical class C1=C(Cl)C=C2OC(=O)N(CSP(=S)(OCC)OCC)C2=C1 IOUNQDKNJZEDEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000005936 piperidyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZBJSHDVMDCJOEZ-UHFFFAOYSA-N potassium;1h-naphthalen-1-ide Chemical compound [K+].[C-]1=CC=CC2=CC=CC=C21 ZBJSHDVMDCJOEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000005554 pyridyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005030 pyridylthio group Chemical group N1=C(C=CC=C1)S* 0.000 description 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical class C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005255 pyrrolopyridines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- QLUMLEDLZDMGDW-UHFFFAOYSA-N sodium;1h-naphthalen-1-ide Chemical compound [Na+].[C-]1=CC=CC2=CC=CC=C21 QLUMLEDLZDMGDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000213 sulfino group Chemical group [H]OS(*)=O 0.000 description 1
- 125000006296 sulfonyl amino group Chemical group [H]N(*)S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical class C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical class Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence device that emits light by converting electric energy into light.
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光素子(以下、適宜、「有機EL素子」と称する。)は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。 Research and development related to various display elements are active today, and organic electroluminescent elements (hereinafter, referred to as “organic EL elements” as appropriate) can be promising because they can emit light with high luminance at a low voltage. Has attracted attention as a display element.
しかしながら、有機EL素子は無機LED素子や蛍光管に比べ、非常に発光効率が低く大きな問題となっている。
現在提案されている有機EL素子の殆どは、有機化合物発光材料の一重項励起子から得られる蛍光発光を利用したものである。単純な量子化学のメカニズムにおいては励起子状態において、蛍光発光が得られる一重項励起子と燐光発光が得られる三重項励起子の比は1対3であり、蛍光発光を利用している限りは励起子の25%しか有効活用できず発光効率の低いものとなる。それに対して三重項励起子から得られる燐光を利用できるようになれば、発光効率を向上できることになる。そのような考えのもとで、近年イリジウムのフェニルピリジン錯体を用いた燐光発光素子が種々報告されている(例えば、非特許文献1参照。)。これらの報告によれば、イリジウムのフェニルピリジン錯体を用いた燐光発光素子は、従来の蛍光利用有機発光素子に対して2〜3倍の発光効率となることが開示されている。しかしながら、省エネルギ−や駆動耐久性向上の点を考慮すると、これでもまだまだ低く、さらに一層の発光効率向上及び輝度向上が強く求められている。
However, the organic EL element has a very low luminous efficiency compared to the inorganic LED element and the fluorescent tube, and has become a big problem.
Most of the organic EL devices currently proposed utilize fluorescence emitted from singlet excitons of organic compound light emitting materials. In the mechanism of simple quantum chemistry, in the exciton state, the ratio of singlet excitons that give fluorescence emission and triplet excitons that give phosphorescence emission is 1: 3, as long as fluorescence emission is used. Only 25% of the excitons can be effectively used, resulting in low emission efficiency. On the other hand, if phosphorescence obtained from triplet excitons can be used, the luminous efficiency can be improved. Based on such an idea, various phosphorescent light emitting devices using iridium phenylpyridine complexes have recently been reported (for example, see Non-Patent Document 1). According to these reports, it is disclosed that a phosphorescent light emitting device using a phenylpyridine complex of iridium has a luminous efficiency 2 to 3 times that of a conventional organic light emitting device using fluorescence. However, considering the points of energy saving and driving durability improvement, this is still low, and there is a strong demand for further improvement in luminous efficiency and luminance.
また、有機EL素子に用いる発光材料以外の有機化合物、例えば、電子輸送材料や正孔輸送材料等、輝度向上や駆動耐久性向上等のため検討が行われている。このような有機化合物の中でも、シラシクロペンタジエン化合物は、発光材料、電子輸送材料、正孔阻止材料等に用いうることに開示されている(例えば、特許文献1〜3、非特許文献1〜4参照。)。シラシクロペンタジエン化合物は、特に電子輸送能が高いことが知られており、これを用いた有機EL素子は、発光効率向上の点で期待されているが、その反面、駆動耐久性については未だ不充分であり向上が望まれている。
本発明の目的は、発光効率及び輝度が共に高く、かつ駆動耐久性の高い有機電界発光素子を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having both high luminous efficiency and high luminance and high driving durability.
本発明の上記目的は、以下の有機電界発光素子により達成された。
<1> 一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式(II)で表される化合物を含み、かつ、該一般式(II)で表される化合物を含む層中に、少なくとも一種のトリフェニルアミン誘導体を含む有機電界発光素子。
The above object of the present invention has been achieved by the following organic electroluminescence device.
<1> An organic electroluminescence device having an organic compound layer including at least one light emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one of the organic compound layers is represented by the following general formula (II) And an organic electroluminescent device comprising at least one triphenylamine derivative in a layer containing the compound represented by formula (II) .
一般式(II)中、RIn general formula (II), R 11 及びRAnd R 22 はメチル基、RIs a methyl group, R 33 及びRAnd R 44 はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基、RAre each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 55 〜R~ R 88 は水素原子を表す。Represents a hydrogen atom.
<2> 一般式(II)で表される化合物及び少なくとも一種のトリフェニルアミン誘導体を含む有機化合物層を、発光層と陰極との間に有する<1>に記載の有機電界発光素子。
<3> 前記発光層に含まれる発光材料が燐光材料である<1>又は<2>に記載の有機電界発光素子。
<4> 前記燐光材料が遷移金属錯体である<3>に記載の有機電界発光素子。
<2> The organic electroluminescent element according to <1>, which has an organic compound layer containing the compound represented by the general formula (II) and at least one triphenylamine derivative between the light emitting layer and the cathode.
<3> The organic electroluminescent element according to <1> or <2>, wherein the light emitting material contained in the light emitting layer is a phosphorescent material.
<4> The organic electroluminescent element according to <3>, wherein the phosphorescent material is a transition metal complex.
本発明によれば、発光効率及び輝度が共に高く、かつ駆動耐久性の高い有機電界発光素子を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescent element having both high luminous efficiency and high luminance and high driving durability.
以下、本発明の有機電界発光(EL)素子について詳細に説明する。
本発明の有機EL素子は、一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式(I)で表される化合物を含み、かつ、該一般式(I)で表される化合物を含む層中に、少なくとも一種の正孔輸送性化合物を含むことを特徴とする。
Hereinafter, the organic electroluminescence (EL) device of the present invention will be described in detail.
The organic EL device of the present invention is an organic electroluminescent device having an organic compound layer including at least one light emitting layer between a pair of electrodes, and at least one of the organic compound layers is represented by the following general formula (I). And a layer containing the compound represented by the general formula (I) contains at least one hole transporting compound.
本発明に有機EL素子おいて、一般式(I)で表される化合物及び少なくとも一種の正孔輸送性化合物を含む有機化合物層としては、発光層と陰極との間に設けられる有機化合物層であることが好ましく、電子輸送層又は電子注入層であることがより好ましく、電子輸送層であることが特に好ましい。 In the organic EL device of the present invention, the organic compound layer containing the compound represented by the general formula (I) and at least one hole transporting compound is an organic compound layer provided between the light emitting layer and the cathode. Preferably, it is an electron transport layer or an electron injection layer, more preferably an electron transport layer.
本発明の有機EL素子における作用機構は未だ明確ではないが以下のように推測される。即ち、本発明の有機EL素子は、電子輸送性能には優れるが正孔に対する耐久性が低い一般式(I)で表される化合物と、正孔輸送性化合物と、を同一の有機化合物層(特に好ましくは電子輸送層)中に含むことにより、正孔輸送性化合物が正孔捕獲剤として機能して一般式(I)で表される化合物の正孔に対する低耐久性を補完することができ、これにより、一般式(I)で表される化合物が有する電子輸送性能が充分に発揮され、本発明の効果である発光効率及び駆動耐久性が著しく向上したものと考えられる。 Although the mechanism of action in the organic EL device of the present invention is not yet clear, it is presumed as follows. That is, in the organic EL device of the present invention, the compound represented by the general formula (I), which has excellent electron transport performance but low durability against holes, and the hole transport compound are formed of the same organic compound layer ( In particular, by including in the electron transport layer), the hole transporting compound can function as a hole trapping agent to complement the low durability against the holes of the compound represented by the general formula (I). Thus, it is considered that the electron transport performance of the compound represented by the general formula (I) is sufficiently exhibited, and the light emission efficiency and driving durability which are the effects of the present invention are remarkably improved.
以下では、先ず、本発明における特徴的な成分である、一般式(I)で表される化合物(及び、その好適な態様である一般式(II)で表される化合物)、並びに正孔輸送性化合物について説明する。 In the following, first, a compound represented by the general formula (I) (and a compound represented by the general formula (II) which is a preferred embodiment thereof), which is a characteristic component in the present invention, and hole transport The functional compound will be described.
<一般式(I)で表される化合物>
一般式(I)で表される化合物について詳細に説明する。
<Compound represented by formula (I)>
The compound represented by formula (I) will be described in detail.
一般式(I)中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。R1〜R4に、置換基が導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
X1及びX2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。X1及びX2に、置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
In general formula (I), R < 1 > -R < 4 > represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or heteroaryl group each independently. If a substituent can be introduced into R 1 to R 4 , it may further have a substituent.
X 1 and X 2 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. If a substituent can be introduced into X 1 and X 2 , it may further have a substituent.
前記R1〜R4で表されるハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
前記R1〜R4で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜12、より好ましくは炭素数1〜8、特に好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。R1〜R4で表されるアルキル基として好ましくは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基が挙げられる。
Examples of the halogen atom represented by R 1 to R 4 include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
The alkyl group represented by R 1 to R 4 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 4 carbon atoms. Preferred examples of the alkyl group represented by R 1 to R 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an iso-propyl group, an n-butyl group, and a t-butyl group.
前記R1〜R4で表されるアリール基としては、単環又は2環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12のアリール基である。R1〜R4で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。 The aryl group represented by R 1 to R 4 is a condensed ring aryl group in which a single ring or two or more rings are condensed, preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 6 carbon atoms. 20, particularly preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Examples of the aryl group represented by R 1 to R 4 include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a triphenylenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group. Among these, preferably A phenyl group, a triphenylenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group, more preferably a phenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group, and still more preferably a phenyl group.
前記R1〜R4で表されるヘテロアリール基は、単環又は2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは2〜12さらに好ましくは2〜10のヘテロアリール基である。R1〜R4で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。 The heteroaryl group represented by R 1 to R 4 is a monocyclic ring or a condensed heteroaryl group in which two or more rings are condensed, preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 12 carbon atoms. Preferably it is 2-10 heteroaryl groups. Specific examples of the heteroaryl group represented by R 1 to R 4 include, for example, a pyridyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, an acridinyl group, a phenanthridinyl group, a pteridinyl group, a pyrazinyl group, a quinoxalinyl group, a pyrimidinyl group, Quinazolyl, pyridazinyl, cinnolinyl, phthalazinyl, triazinyl, oxazolyl, benzoxazolyl, thiazolyl, benzothiazolyl, imidazolyl, benzoimidazolyl, pyrazolyl, indazolyl, isoxazolyl, benzoisoxazolyl Group, isothiazolyl group, benzoisothiazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, furyl group, benzofuryl group, thienyl group, benzothienyl group, pyrrolyl group, indolyl group, imine group Zopyridinyl group, carbazolyl group and the like, preferably pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, triazinyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, triazolyl group, furyl group, thienyl group , A pyrrolyl group, an indolyl group, an imidazopyridinyl group, and a carbazolyl group, more preferably a pyridyl group, a triazinyl group, an imidazopyridinyl group, and a carbazolyl group, and still more preferably a pyridyl group.
前記R1〜R4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては以下の置換基群Aから選ぶことが可能である。 The alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 to R 4 may have a substituent, and the substituent can be selected from the following substituent group A.
(置換基群A)
アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えば、メチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば、ビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロアリールオキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、
(Substituent group A)
An alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n -Decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms). , For example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), an alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms). Yes, such as propargyl, 3-pentynyl, etc.), aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferred) Has 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl, and the like, and an amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably Has 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, and examples thereof include amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, and ditolylamino), alkoxy groups (preferably C1-C30, More preferably, it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C10, for example, a methoxy, an ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy etc. are mentioned), an aryloxy group ( Preferably it has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. For example, phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, etc.), heteroaryloxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon number). 1 to 12, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, etc.), acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to carbon atoms). 12 and examples thereof include acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl, and the like.
アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、 An alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, etc.), an aryloxycarbonyl group (Preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl), acyloxy group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 30, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as acetoxy and benzoyloxy), acylamino groups (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms) 2 to 20, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, for example, acetylamino, benzoyl Mino and the like), an alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonylamino and the like. ), An aryloxycarbonylamino group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonylamino). A sulfonylamino group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methanesulfonylamino and benzenesulfonylamino), sulfamoyl group (Preferably 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably The number of carbon atoms is 0 to 12, and examples thereof include sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, phenylsulfamoyl, and the like. -20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl and the like.
アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロアリールチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には、例えば、イミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)。 An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio), an arylthio group (preferably having 6 carbon atoms). To 30, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), heteroarylthio groups (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms). The number is 1 to 20, particularly preferably 1 to 12, and examples thereof include pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio, and the like, and a sulfonyl group ( Preferably it has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl, And sulfinyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl and benzenesulfinyl). ), A ureido group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include ureido, methylureido, phenylureido and the like), phosphorus. An acid amide group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide), hydroxy Group, mercapto group, halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, Pho group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 12 carbon atoms, For example, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom, specifically, for example, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, etc. ), A silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyl and triphenylsilyl).
前記R1〜R4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基が有してもよい置換基としては、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10)、アリール基、又はヘテロアリール基が好ましく、アリール基、又はヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、又はピリジル基がさらに好ましく、ピリジル基が最も好ましい。 The substituent that the alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 to R 4 may have is an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms). Particularly preferably an aryl group or a heteroaryl group, more preferably an aryl group or a heteroaryl group, further preferably a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, or a pyridyl group, and a pyridyl group. Groups are most preferred.
前記X1及びX2で表されるアルキル基としては、炭素数1〜12のアルキル基が好ましく、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。
前記X1及びX2で表されるアリール基は、単環又は2環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜30のアリール基である。X1及びX2で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ
前記X1及びX2で表されるヘテロアリール基は、単環又は2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、炭素数1〜20のヘテロアリール基であることが好ましい。X1及びX2で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
The alkyl group represented by X 1 and X 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an iso-propyl group, an n-butyl group, Examples include t-butyl group.
The aryl group represented by X 1 and X 2 is a condensed ring aryl group obtained by condensing a single ring or two or more rings, preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. The aryl group represented by X 1 and X 2, for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, phenanthryl group, pyrenyl group, triphenylenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group and the like wherein X 1 and X 2 Is a condensed heteroaryl group in which a single ring or two or more rings are condensed, and is preferably a C1-C20 heteroaryl group. Specific examples of the heteroaryl group represented by X 1 and X 2 include, for example, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, acridinyl group, phenanthridinyl group, pteridinyl group, pyrazinyl group, quinoxalinyl group, pyrimidinyl group, Quinazolyl, pyridazinyl, cinnolinyl, phthalazinyl, triazinyl, oxazolyl, benzoxazolyl, thiazolyl, benzothiazolyl, imidazolyl, benzoimidazolyl, pyrazolyl, indazolyl, isoxazolyl, benzoisoxazolyl Group, isothiazolyl group, benzoisothiazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, furyl group, benzofuryl group, thienyl group, benzothienyl group, pyrrolyl group, indolyl group, imine group Examples thereof include a dazopyridinyl group and a carbazolyl group.
前記X1及びX2で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、更に置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Aから選ぶことが可能である。 The alkyl group, aryl group and heteroaryl group represented by X 1 and X 2 may further have a substituent, and the substituent can be selected from the substituent group A described above.
<一般式(II)で表される化合物>
本発明における一般式(I)で表される化合物としては、下記一般式(II)で表される化合物であることが好ましい。
<Compound represented by formula (II)>
The compound represented by the general formula (I) in the present invention is preferably a compound represented by the following general formula (II).
一般式(II)中、R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。R1〜R8に置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。 In general formula (II), R < 1 > -R < 8 > represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or heteroaryl group each independently. When a substituent can be introduced into R 1 to R 8, it may further have a substituent.
前記R1〜R8で表されるハロゲン原子としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるハロゲン原子と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記R1〜R8で表されるアルキル基としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるアルキル基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記R1〜R8で表されるアリール基としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記R1〜R8で表されるヘテロアリール基としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
The halogen atom represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the halogen atom represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.
The alkyl group represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the alkyl group represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.
The aryl group represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the aryl group represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.
The heteroaryl group represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the heteroaryl group represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.
前記R1〜R8で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Aから選ぶことが可能である。 The alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 to R 8 may have a substituent, and the substituent can be selected from the substituent group A described above.
一般式(I)又は一般式(II)で表される化合物は、R1又はR2を介してビス型構造を有していてもよい。 The compound represented by general formula (I) or general formula (II) may have a bis-type structure via R 1 or R 2 .
<一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物の合成方法>
一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物は、例えば、特許2918150号公報に記載の方法(以下に記載の方法)に準じて合成することができる。
即ち、先ず、一般式(A)で表されるアセチレン誘導体にアルカリ金属錯体を反応させる。
<Method for Synthesizing Compounds Represented by General Formula (I) and General Formula (II)>
The compounds represented by general formula (I) and general formula (II) can be synthesized, for example, according to the method described in Japanese Patent No. 2918150 (method described below).
That is, first, an alkali metal complex is reacted with the acetylene derivative represented by the general formula (A).
一般式(A)中、X及びYは、それぞれ独立に、炭素数1〜6までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、或いはXとYが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。
続いて、下記一般式(B)で表されるシラン誘導体を反応させる。
In general formula (A), X and Y are each independently a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkynyloxy group, a substituted or unsubstituted aryl group. Represents a substituted or unsubstituted heterocycle, or X and Y are combined to form a saturated or unsaturated ring, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, alkoxy group, aryloxy group, perfluoroalkyl group, perfluoroalkoxy group, amino group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, Azo group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, arylo group Xoxycarbonyloxy group, sulfinyl group, sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate A group, an isocyanate group, a thiocyanate group, an isothiocyanate group, or a cyano group, or a substituted or unsubstituted ring may be condensed.
Subsequently, a silane derivative represented by the following general formula (B) is reacted.
一般式(B)中、X、Y及びZは、それぞれ独立に、ターシャリ−ブチル基若しくはアリール基を示す。 In general formula (B), X, Y and Z each independently represent a tertiary-butyl group or an aryl group.
さらに続いて、塩化亜鉛又は塩化亜鉛錯体を反応させることによって、下記一般式(C)で表される反応性シラシクロペンタジエン誘導体が得られる。 Furthermore, by reacting zinc chloride or a zinc chloride complex, a reactive silacyclopentadiene derivative represented by the following general formula (C) is obtained.
一般式(C)中、Aは、ハロゲン化亜鉛又はハロゲン化亜鉛錯体を示し、X及びYは、それぞれ独立に、炭素数1〜6の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、XとYが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキジカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。 In general formula (C), A represents a zinc halide or a zinc halide complex, and X and Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group. Group, an alkynyloxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocycle, or X and Y are bonded to form a saturated or unsaturated ring, and R 1 and R 2 are Independently, a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an aryloxy group, a perfluoroalkyl group, a perfluoroalkoxy group, an amino group, an alkylcarbonyl group, an aryl A carbonyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an azo group, an alkylcarbonyloxy group, an arylcarbonyloxy group, Alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, sulfinyl group, sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyl An oxy group, an isocyano group, a cyanate group, an isocyanate group, a thiocyanate group, an isothiocyanate group, or a cyano group, or a substituted or unsubstituted ring may be condensed.
ここで用いられるアセチレン誘導体に付く置換基としては、アルカリ金属錯体とアセチレンとの反応を阻害しにくいものがよく、特に好ましくはアルカリ金属錯体に対して不活性なものが好ましい。用いられるアルカリ金属錯体としては、例えば、リチウムナフタレニド、ナトリウムナフタレニド、カリウムナフタレニド、リチウム4,4'−ジターシャリ−ブチル−2,2'−ビフェニリドあるいはリチウム(N、N−ジメチルアミノ)ナフタレニドなどがあげられる。用いられる溶媒としては、アルカリ金属あるいはアルカリ金属錯体に不活性なものなら特に制限はなく、通常、エーテルあるいはテトラヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が用いられる。続いて使用されるシラン誘導体の置換基としては、嵩高いものが好ましく、具体的にはターシャリ−ブチルジフェニルクロロシランあるいはジターシャリ−ブチルフェニルクロロシランなどが挙げられる。さらに続いて用いられる塩化亜鉛又は塩化亜鉛の錯体としては、塩化亜鉛の固体を直接用いるか、塩化亜鉛のエーテル溶液を使用するか、あるいは塩化亜鉛のテトラメチルエチレンジアミン錯体などが挙げられる。これらの塩化亜鉛類は、充分に乾燥していることが好ましく、水分が多いと目的物が得られ難くなる。この一連の反応は、不活性気流中で行うことが好ましく、アルゴンガスが使われる。このようにして得られた反応性シラシクロペンタジエン誘導体に触媒の存在下、一般式(D)で表されるハロゲン化物を反応させることによって、シラシクロペンタジエン誘導体を得ることができる。 As the substituent attached to the acetylene derivative used here, one that does not easily inhibit the reaction between the alkali metal complex and acetylene is preferable, and one that is inactive with respect to the alkali metal complex is particularly preferable. Examples of the alkali metal complex used include lithium naphthalenide, sodium naphthalenide, potassium naphthalenide, lithium 4,4′-ditertiarybutyl-2,2′-biphenylide or lithium (N, N-dimethylamino). ) Naphthalenide. The solvent to be used is not particularly limited as long as it is inactive to an alkali metal or an alkali metal complex, and usually an ether solvent such as ether or tetrahydrofuran is used. Subsequent substituents of the silane derivative used are preferably bulky, and specifically include tertiary-butyldiphenylchlorosilane or ditertiary-butylphenylchlorosilane. Further, as the zinc chloride or zinc chloride complex used subsequently, a zinc chloride solid is used directly, an ether solution of zinc chloride is used, or a tetramethylethylenediamine complex of zinc chloride is used. These zinc chlorides are preferably sufficiently dried. If the amount of water is large, it is difficult to obtain the target product. This series of reactions is preferably performed in an inert gas stream, and argon gas is used. A silacyclopentadiene derivative can be obtained by reacting the reactive silacyclopentadiene derivative thus obtained with a halide represented by the general formula (D) in the presence of a catalyst.
一般式(D)中、Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子表し、Rは、ハロゲン、置換若しくは無置換の炭素数1〜6のアルキル基、パーフルオロアルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、又はアルキニル基を示す。 In general formula (D), X represents a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and R represents a halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a perfluoroalkyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl A group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a sulfanyl group, a silyl group, an aryl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, or an alkynyl group;
ここで用いられる触媒としては、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウムあるいはジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムなどのパラジウム触媒が挙げられる。一速の反応の各段階において、反応温度に特に制限はないが、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、室温以下が好ましく、通常0℃以下で行われる。ハロゲン化物を加えた後の反応温度は、室温以上が好ましく、通常、溶媒にテトラヒドロフランを用いた場合には還流下で行われる。反応時間においても特に制限はなく、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、数分から数時間の間が望ましい。ハロゲン化物を加えた後の反応は、NMRあるいはクロマトグラフィー等の一般的な分析手段により反応を追跡し、反応の終点を決定すればよい。 Examples of the catalyst used here include palladium catalysts such as tetrakistriphenylphosphine palladium and dichlorobistriphenylphosphine palladium. In each stage of the first-speed reaction, the reaction temperature is not particularly limited. However, when an alkali metal complex, a silane derivative, zinc chloride, or the like is added and stirred, the temperature is preferably room temperature or lower, and is usually 0 ° C or lower. The reaction temperature after adding the halide is preferably room temperature or higher, and is usually carried out under reflux when tetrahydrofuran is used as a solvent. There is no restriction | limiting in particular also in reaction time, When adding and stirring an alkali metal complex, a silane derivative, zinc chloride, etc., between several minutes to several hours is desirable. The reaction after the halide is added may be traced by a general analytical means such as NMR or chromatography to determine the end point of the reaction.
以下に、本発明における一般式(I)で表される化合物、及び一般式(II)で表される化合物の具体例〔例示化合物(S−1)〜(S−12)を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Specific examples of the compound represented by the general formula (I) and the compound represented by the general formula (II) in the present invention [Exemplary compounds (S-1) to (S-12) are listed below. The invention is not limited to these examples.
本発明において、一般式(I)で表される化合物(又は一般式(II)で表される化合物)の含有量としては、有機化合物層1層当たり、5〜95質量%であることが好ましく、10〜90質量%であることがより好ましく、20〜80質量%であることがさらに好ましい。
また、一般式(I)で表される化合物(又は一般式(II)で表される化合物)は、一種単独で用いてもよいし、2以上を併用してもよい。
In the present invention, the content of the compound represented by the general formula (I) (or the compound represented by the general formula (II)) is preferably 5 to 95% by mass per one organic compound layer. The content is more preferably 10 to 90% by mass, and further preferably 20 to 80% by mass.
Moreover, the compound represented by general formula (I) (or the compound represented by general formula (II)) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more together.
以上説明した一般式(I)で表される化合物が、後述する正孔輸送性化合物と共に、有機EL素子を構成する有機化合物層の少なくとも一層(特に好ましくは電子輸送層)に含まれることで、優れた発光効率及び駆動耐久性を有する有機EL素子を得ることができる。 The compound represented by the general formula (I) described above is included in at least one layer (particularly preferably, the electron transport layer) of the organic compound layer constituting the organic EL element together with the hole transport compound described later. An organic EL device having excellent luminous efficiency and driving durability can be obtained.
<正孔輸送性化合物>
正孔輸送性化合物について詳細に説明する。
本発明における正孔輸送性化合物は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。具体的には、トリベンゾアゼピン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリアリールベンゼン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチルベン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体及びポルフィリン系化合物等が挙げられる。
<Hole transporting compound>
The hole transporting compound will be described in detail.
The hole transporting compound in the present invention may have any one of the function of injecting holes from the anode, the function of transporting holes, and the function of blocking electrons injected from the cathode. Specifically, tribenzazepine derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, polyarylbenzene derivatives, arylamine derivatives, styrylanthracene derivatives, stilbene derivatives, aromatic tertiary amines Compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, silazane derivatives, and porphyrin compounds. It is done.
これらの中でも、正孔輸送性化合物としては、アリールアミン誘導体であることが好ましい。アリールアミン誘導体としては、例えば、「シーエムシー出版 「有機電子デバイス研究者のための有機薄膜仕事関数データ集」安達千波矢,小山田崇人,中島嘉之 著 」36ページから42ページ、「シーエムシー出版「有機EL材料とディスプレイ」城戸淳二 監修」136ページから137ページに記載のトリフェニルアミン誘導体を好ましく用いることができる。 Among these, the hole transporting compound is preferably an arylamine derivative. Examples of arylamine derivatives include, for example, “CMC Publishing,“ Chemical Function Data Collection for Organic Electronic Device Researchers ”by Chinamiya Adachi, Takato Koyamada, Yoshiyuki Nakajima, pages 36 to 42,“ CMC Triphenylamine derivatives described in pages 136 to 137 of the publication “Organic EL materials and displays”, supervised by Junji Kido, can be preferably used.
本発明において、前記一般式(I)で表される化合物と共に、有機化合物層に含まれる正孔輸送性化合物の含有量としては、有機化合物層1層当たり、5〜95質量%であることが好ましく、10〜90質量%であることがより好ましく、20〜80質量%であることがさらに好ましい。正孔輸送性化合物は、一種単独で用いてもよいし、2以上を併用してもよい。
また、正孔輸送性化合物と、一般式(I)で表される化合物と、の有機化合物層一層当たりの含有比としては、質量比で、1:20〜20:1が好ましく、1:10〜10:1がより好ましく、1:5〜5:1がさらに好ましい。
In the present invention, the content of the hole transporting compound contained in the organic compound layer together with the compound represented by the general formula (I) is 5 to 95% by mass per organic compound layer. Preferably, it is 10-90 mass%, More preferably, it is 20-80 mass%. A positive hole transport compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more together.
The content ratio of the hole transporting compound and the compound represented by the general formula (I) per layer of the organic compound layer is preferably 1:20 to 20: 1 by mass ratio, and 1:10. -10: 1 is more preferable, and 1: 5 to 5: 1 is more preferable.
−有機EL素子の構成−
次に、本発明の有機EL素子の構成に関して説明する。
本発明の有機EL素子は、基板上に設けられた、陽極、陰極の一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有して構成される。発光層以外の他の有機化合物層としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子注入層、電子輸送層、保護層などが挙げられる。
また、これらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよく、同層が積層されいてもよい。各層の形成には、それぞれ種々の材料を用いることができる。
-Configuration of organic EL element-
Next, the configuration of the organic EL element of the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention is configured to have an organic compound layer including at least one light emitting layer between a pair of electrodes of an anode and a cathode provided on a substrate. Examples of the organic compound layer other than the light emitting layer include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and a protective layer.
In addition, each of these layers may have other functions, and the same layer may be laminated. Various materials can be used for forming each layer.
<陽極>
陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材料である。
具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好ましい。
陽極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜500nmである。
<Anode>
The anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like, and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. A material having a work function of 4 eV or more is preferable.
Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, chromium and nickel, and these metals and conductive metal oxides. Mixtures or laminates thereof, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole, and laminates of these with ITO, preferably conductive It is a metal oxide, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like.
The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 500 nm.
陽極は通常、上述した、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。透明樹脂基板としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、テフロン(登録商標)、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料が挙げられる。
基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましくは0.7mm以上のものを用いる。
陽極の作製には、材料によって種々の方法が用いられるが、例えば、ITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は、洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
Usually, the anode is formed by layering on the above-mentioned soda-lime glass, non-alkali glass, transparent resin substrate or the like. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. Transparent resin substrates include polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrine). Fluoroethylene), Teflon (registered trademark), and polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer.
The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength, but when glass is used, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is usually used.
Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (such as a sol-gel method), a dispersion of indium tin oxide is used. A film is formed by a method such as coating.
The anode can be driven to lower the drive voltage of the element or increase the light emission efficiency by washing or other processing. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment, etc. are effective.
<陰極>
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。
陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属(例えば、Li、Na、K等)及びそのフッ化物又は酸化物、アルカリ土類金属(例えば、Mg、Ca等)及びそのフッ化物又は酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金又はそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属等である。
陰極は、上記化合物及びそれらの混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及びそれらの混合物を含む積層構造を採ることもできる。例えば、アルミニウム/フッ化リチウム、アルミニウム/酸化リチウムの積層構造が好ましい。
陰極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1μmである。
陰極の作製には、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は、低い方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
<Cathode>
The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, and the like. The adhesion, ionization potential, and stability between the negative electrode and the adjacent layer, such as the electron injection layer, the electron transport layer, and the light emitting layer. It is selected in consideration of etc.
As a material for the cathode, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples include alkali metals (for example, Li, Na, K, etc.) and The fluoride or oxide, alkaline earth metal (eg, Mg, Ca, etc.) and the fluoride or oxide thereof, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy or mixed metal thereof, lithium-aluminum alloy or Examples thereof include mixed metals, magnesium-silver alloys or mixed metals thereof, rare earth metals such as indium and ytterbium, preferably materials having a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum, lithium-aluminum alloys or the like. A mixed metal, a magnesium-silver alloy, or a mixed metal thereof.
The cathode can take not only a single layer structure of the above-mentioned compounds and a mixture thereof but also a laminated structure containing the above-mentioned compounds and a mixture thereof. For example, a laminated structure of aluminum / lithium fluoride and aluminum / lithium oxide is preferable.
The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 1 μm.
For production of the cathode, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a coating method, and a transfer method are used, and a metal can be vapor-deposited alone or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, a plurality of metals can be vapor deposited at the same time to form an alloy electrode, or a previously prepared alloy may be vapor deposited.
The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.
<有機化合物層>
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機EL素子は、発光層を含む複数の有機化合物層を有してなり、発光層以外の他の有機化合物層としては、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等の湿式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に成膜することができる。
<Organic compound layer>
The organic compound layer in the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention has a plurality of organic compound layers including a light emitting layer, and other organic compound layers other than the light emitting layer include a hole transport layer, an electron transport layer, a charge blocking layer, and a hole. Examples thereof include an injection layer and an electron injection layer.
Each layer constituting the organic compound layer is formed by a dry film forming method such as vapor deposition or sputtering, dipping, spin coating, dip coating, casting, die coating, roll coating, bar coating, gravure coating, etc. The film can be suitably formed by any of a wet film forming method, a transfer method, a printing method, and the like.
(発光層)
発光層は、電界印加時に、陽極、又は正孔注入層、正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、又は電子注入層、電子輸送層から電子を受取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層としては、電荷輸送機能と発光機能を分離してより優れた性能を得るため、あるいは高濃度の発光材料中で凝集が起こり励起状態が無輻射失活する現象(濃度消光)を防ぐために、発光材料をドーパントとして電荷輸送材料(ホスト材料)中にドープする態様が好ましい。
(Light emitting layer)
The light-emitting layer receives holes from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer which has the function to provide and to emit light.
As the light emitting layer in the present invention, a charge transport function and a light emitting function are separated to obtain better performance, or a phenomenon in which agglomeration occurs in a high concentration light emitting material and the excited state is non-radiatively deactivated (concentration quenching). In order to prevent this, it is preferable that the charge transport material (host material) is doped with the light emitting material as a dopant.
−電荷輸送材料(ホスト材料)−
発光層に適用されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール誘導体(例えば「アプライド フィジックス レターズ(Applied Physics Letters)」、1999、第74巻、第3号、p.442に記載のもの)、トリベンゾアゼピン誘導体(特開平10−59943号、同10−219241号、同10−316875号、同10−324680号、同10−330365号、特開2001−97953号)、トリアゾール誘導体(米国特許第3112197号)、オキサゾール誘導体(米国特許第3257203号)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3615402号、同3820989号、同3542544号、特公昭45−555号、同51−10983号、特開昭51−93224号、同55−17105号、同56−4148号、同55−108667号、同55−156953号、同56−36656号)、ポリアリールベンゼノイド誘導体(特開平10−255985号、特開2002−260861号)、アリールアミン誘導体(米国特許第3567450号、同3180703号、同3240597号、同3658520号、同4232103号、同4175961号、同4012376号、特公昭49−35702号、同39−27577号、特開昭55−144250号、同56−119132号、同56−22437号、西独特許第1110518号)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号、同61−228451号、同61−14642号、同61−72255号、同62−47646号、同62−36674号、同62−10652号、同62−30255号、同60−93445号、同60−94462号、同60−174749号、同60−175052号)、芳香族第三アミン化合物及びスチリルアミン化合物(特開昭63−295695号、同53−27033号、同54−58445号、同54−149634号、同54−64299号、同55−79450号、同55−144250号、同56−119132号、同61−295558号、同61−98353号、特開平8−239655号、米国特許第4127412号)、芳香族ジメチリデン系化合物(特開平6−330034号)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許第3180729号、同4278746号、特開昭55−88064号、同55−88065号、同49−105537号、同55−51086号、同56−80051号、同56−88141号、同57−45545号、同54−112637号、同55−74546号)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3615404号、特公昭51−10105号、同46−3712号、同47−25336号、特開昭54−53435号、同54−110536号、同54−119925号)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3526501号)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3717462号、特開昭54−59143号、同55−52063号、同55−52064号、同55−46760号、同55−85495号、同57−11350号、同57−148749号)、シラザン誘導体(米国特許第4950950号)、ポルフィリン系化合物(特開昭63−295695号)、アントラキノジメタン誘導体及びアントロン誘導体(特開昭57−149259号、同58−55450号、同63−104061号、特開昭61−225151号、同61−233750号)、ジフェノキノン誘導体やチオピランジオキシド誘導体及びカルボジイミド誘導体(「ポリマー プレプリンツ、ジャパン(Polymer Preprints,Japan)」、1988、第37巻、第3号、p.681)、フルオレニリデンメタン誘導体(特開昭60−69657号、同61−143764号、同61−148159号))、ジスチリルピラジン誘導体(「ケミストリー レターズ(Chemistry Letters)」、1990、p.189、特開平2−252793号、特開平5−178842号)、複素環テトラカルボン酸無水物誘導体(「ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Japanese Journal of Applied Physics)」、1988、27巻、L269)、ポルフィリンやフタロシアニン誘導体(特開昭63−2956965号)、8−キノリノール誘導体の金属錯体(「電子情報通信学会論文誌」、1990、C−2、p.661)、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体の群から選ばれるホスト材料を少なくとも1種含有することが正孔や電子の輸送性の点で好ましく、中でも、カルバゾール誘導体であることがより好ましい。
-Charge transport material (host material)-
Examples of the host material applied to the light emitting layer include carbazole derivatives (for example, those described in “Applied Physics Letters”, 1999, Vol. 74, No. 3, p. 442), tribenzoazepine. Derivatives (JP-A-10-59943, JP-A-10-219241, JP-A-10-316875, JP-A-10-324680, JP-A-10-330365, JP-A-2001-97953), triazole derivatives (US Pat. No. 3,121,197) Oxazole derivatives (US Pat. No. 3,257,203), imidazole derivatives (Japanese Patent Publication No. 37-16096), polyarylalkane derivatives (US Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,899, 3,542,544, Japanese Patent Publication Nos. 45-555, 51). -10 983, JP-A-51-93224, JP-A-55-17105, JP-A-56-4148, JP-A-55-108667, JP-A-55-156953, JP-A-56-36656), polyarylbenzenoid derivatives 10-255985, JP-A No. 2002-260861), arylamine derivatives (US Pat. Nos. 3,567,450, 3,180,703, 3,240,597, 3,658,520, 4,232,103, 4,175,961, and 4,01376) -35702, 39-27577, JP-A-55-144250, JP-A-56-119132, JP-A-56-22437, West German Patent No. 1110518), a styrylanthracene derivative (JP-A-56-46234), Stilbene derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 61-210363, 61-228451, 61-14642, 61-72255, 62-47646, 62-36684, 62-10652, 62-30255, 60-93445, 60- 94462, 60-174749, 60-175052), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (Japanese Patent Laid-Open Nos. 63-295695, 53-27033, 54-58445, and 54-). 149634, 54-64299, 55-79450, 55-144250, 56-119132, 61-295558, 61-98353, JP-A-8-239655, U.S. Pat. No.), aromatic dimethylidene compounds (JP-A-6-330034), pyrazoline derivatives and Zolone derivatives (US Pat. Nos. 3,180,729, 4,278,746, JP-A-55-88064, 55-88065, 49-105537, 55-51086, 56-80051, 56-88141) 57-45545, 54-112437, 55-74546), phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404, JP-B 51-10105, JP-P 46-3712, JP-P 47-25336, 54-53435, 54-110536, 54-1119925), amino-substituted chalcone derivatives (US Pat. No. 3,526,501), fluorenone derivatives (JP-A 54-110837), hydrazone derivatives (US Pat. 3717462, JP-A-54-59143, 55-52063 55-52064, 55-46760, 55-85495, 57-11350, 57-148799), silazane derivatives (US Pat. No. 4,950,950), porphyrin compounds (JP-A-63) -295695), anthraquinodimethane derivatives and anthrone derivatives (JP 57-149259, 58-55450, 63-104061, JP 61-225151, 61-233750), diphenoquinone Derivatives, thiopyrandioxide derivatives and carbodiimide derivatives ("Polymer Preprints, Japan", 1988, Vol. 37, No. 3, p. 681), fluorenylidenemethane derivatives (JP-A-60-69657, JP-A-61-143764, JP-A-61-148159)), distyrylpyrazine derivatives ("Chemistry Letters", 1990, p.189). , JP-A-2-252793, JP-A-5-178842), heterocyclic tetracarboxylic acid anhydride derivatives ("Japanese Journal of Applied Physics", 1988, 27, L269), porphyrins and the like Phthalocyanine derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 63-295965), metal complexes of 8-quinolinol derivatives (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, 1990, C-2, p.661), and benzoxazole as a ligand From the viewpoint of hole and electron transport properties, it is preferable to contain at least one host material selected from the group of metal complexes having a benzothiazole ligand and a metal complex having benzothiazole as a ligand. More preferred.
また、ホスト材料の三重項励起状態から発光材料へのエネルギー授受が効率的に行われるためには、ホスト材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル(T1レベル)は発光材料のT1レベルよりも高いことが好ましい。発光材料のT1レベルはその発光波長が短いほど高くなるので、短波な発光素子用の発光層では高T1のホスト材料が必要であるが、一方でT1はホスト材料の最高占有軌道(HOMO)と最低非占有軌道(LUMO)に関連し、これらは電荷の注入や輸送の能力に関わる(一般にHOMOとLUMOのエネルギー差が大きいほど電荷が注入されにくく、電気的に絶縁性が高くなる)ため、最適なT1レベルのホスト材料を選択することが重要である。
特に、発光極大波長が500nm以下の青色発光素子用の発光層ホスト材料のT1レベルとしては、62kcal/mol以上(259kJ/mol以上)、85kcal/mol以下(355kJ/mol以下)であることが好ましく、65kcal/mol以上(272kJ/mol以上)、80kcal/mol以下(334kJ/mol以下)であることがより好ましい。
In order to efficiently transfer energy from the triplet excited state of the host material to the light emitting material, the energy level (T 1 level) of the lowest triplet excited state of the host material is higher than the T 1 level of the light emitting material. Is preferably high. Since the T 1 level of the luminescent material becomes higher as the emission wavelength is shorter, a high T 1 host material is required in the light emitting layer for a short wave light emitting element, while T 1 is the highest occupied orbit of the host material ( HOMO) and the lowest unoccupied orbit (LUMO), which are related to the ability to inject and transport charges (generally, the larger the energy difference between HOMO and LUMO, the less the charge is injected and the higher the electrical insulation) Therefore, it is important to select an optimal T 1 level host material.
In particular, the T 1 level of the light emitting layer host material for a blue light emitting element having an emission maximum wavelength of 500 nm or less is 62 kcal / mol or more (259 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355 kJ / mol or less). Preferably, they are 65 kcal / mol or more (272 kJ / mol or more) and 80 kcal / mol or less (334 kJ / mol or less).
上記物性値を満たすホスト材料としては、特開2002−100476号公報、特開2002−338579号公報に記載のホスト材料が好ましく、特開2002−100476号公報に記載のホスト材料がより好ましい。特開2002−100476号公報に記載のホスト材料の好ましい範囲は、同公報に記載のとおりである。 As a host material satisfying the above physical property values, host materials described in JP-A Nos. 2002-1000047 and 2002-338579 are preferable, and host materials described in JP-A No. 2002-1000047 are more preferable. A preferable range of the host material described in JP-A No. 2002-1000047 is as described in the publication.
本発明における発光層は、蒸着法により形成されることが好ましい。
蒸着法とは、通常高真空下(10-2Pa以下)において物質を加熱蒸発させ、気体状となった物質をターゲット上に付着成膜する真空蒸着法のことであり、蒸発源から物質を蒸発させる加熱方法には抵抗加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法、レーザー加熱法などがあるが、抵抗加熱法が最も一般的である。また加熱以外の方法で材料を蒸発させる方法としてスパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシ法などがあり、目的により使い分けることができる。さらに広い意味での蒸着法として、ターゲット表面上での化学反応により膜を形成するCVD法もあり、本明細書でいう蒸着法は、これらの蒸着技術すべてを含むものとする。蒸着法の詳細についてはオーム社刊、「新判・真空ハンドブック」(株式会社アルバック編)の第8章に記載されている。
The light emitting layer in the present invention is preferably formed by a vapor deposition method.
The vapor deposition method is a vacuum vapor deposition method in which a substance is heated and evaporated under high vacuum (10 −2 Pa or less) and a gaseous substance is deposited on a target to form a film from an evaporation source. The heating method for evaporation includes a resistance heating method, a high frequency heating method, an electron beam heating method, a laser heating method, etc., but the resistance heating method is the most common. Further, there are a sputtering method, an ion plating method, a molecular beam epitaxy method, and the like as a method for evaporating the material by a method other than heating, which can be properly used depending on the purpose. As a vapor deposition method in a broader sense, there is a CVD method in which a film is formed by a chemical reaction on the target surface, and the vapor deposition method referred to in this specification includes all these vapor deposition techniques. Details of the vapor deposition method are described in Chapter 8 of "New Format / Vacuum Handbook" (edited by ULVAC, Inc.) published by Ohm.
2種以上の物質の混合物で膜形成する場合には、1つの蒸発源に複数の物質の混合物を入れて蒸発させてもよいが、この方法では蒸発気体中の物質組成を一定に保つのが難しく、別々の蒸発源から同時に分子を飛ばす方法が一般的である。また加熱した基盤上に複数の物質を順次積層成膜し、熱による拡散を利用して均一な膜とする方法(特許第3362504号)も知られている。 In the case of forming a film with a mixture of two or more substances, a mixture of a plurality of substances may be put into one evaporation source to evaporate, but in this method, the composition of the substance in the evaporated gas is kept constant. A difficult method is to fly molecules simultaneously from different evaporation sources. There is also known a method (Japanese Patent No. 3362504) in which a plurality of substances are sequentially stacked on a heated substrate to form a uniform film using diffusion by heat.
蒸着法で作成した発光層は、スピンコート法やインクジェット法に代表される湿式成膜法で作成した場合に比べて、溶媒やバインダ等に由来する不純物や酸素、水分を含まないため発光輝度や駆動耐久性の点で優れ、また既設の下層を溶媒により溶解する心配もなく、所望の膜厚の均一な発光層薄膜を容易に得ることができる。
さらに、蒸着時にマスキングを施すことにより、画素毎に異なる発光材料、ホスト材料を用いて異なる発光特性を持たせることができ、精細高画質のフルカラーディスプレイを作製するのに適している。
The light-emitting layer created by the vapor deposition method does not contain impurities, oxygen, and moisture derived from solvents, binders, etc., compared to the case where it is created by a wet film formation method typified by a spin coating method or an inkjet method. A light emitting layer thin film having a desired film thickness can be easily obtained without being concerned about driving durability and without worrying about dissolving an existing lower layer with a solvent.
Further, by performing masking at the time of vapor deposition, different light emitting materials and host materials can be used for each pixel to have different light emitting characteristics, which is suitable for manufacturing a fine color display with high definition and high image quality.
発光層を蒸着法により形成する場合には、発光層を構成する材料として、分子量3000以下の材料のみを含有することが好ましい。特に、ポリマーやオリゴマーといった高分子材料は揮発性が低く蒸着が難しい上に、材料自体が分子量分布を有しており、再現性の良い発光が得にくいため好ましくない。
分子量3000超える高分子量化合物は高真空条件下においても加熱により蒸発させること自体が難しくなり真空蒸着による薄膜形成が困難の傾向となる。
特に、200以上2000以下の範囲外の物質を選択すると、分子量200以下の低分子量化合物は揮発性が高すぎて真空蒸着に際して薄層形成することが難しく、分子量2000超える高分子量化合物は高真空条件下においても加熱により蒸発させること自体が困難である傾向となるためである。
また、蒸着の容易性から、発光層を構成する材料はイオン性化合物ではなく、中性分子化合物であることが好ましい。
蒸着により形成された発光層薄膜は、薄利やピンホール等の欠陥が無い均一な非結晶性薄膜(アモルファス膜)であることが好ましく、経時や熱による再結晶化が起こると発光素子の性能変化や劣化に繋がるため、融点及びガラス転位温度(Tg)は、高いことが好ましい。発光層を構成する材料の融点としては、好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上、さらに好ましくは250℃以上、Tgは好ましくは70℃以上、より好ましくは100℃以上、さらに好ましくは120℃以上である。
上記のような要求性能を満たすホスト材料としては、T1レベルが高く、結晶化が起こりにくく、励起状態の寿命が長く発光効率の高さが期待できるカルバゾール誘導体が最も好ましい。
When the light emitting layer is formed by vapor deposition, it is preferable to contain only a material having a molecular weight of 3000 or less as a material constituting the light emitting layer. In particular, polymer materials such as polymers and oligomers are not preferable because they are low in volatility and difficult to deposit, and the materials themselves have a molecular weight distribution, making it difficult to obtain light emission with good reproducibility.
High molecular weight compounds having a molecular weight of 3000 or more are difficult to evaporate by heating even under high vacuum conditions, and thin film formation by vacuum deposition tends to be difficult.
In particular, when a substance outside the range of 200 or more and 2000 or less is selected, a low molecular weight compound having a molecular weight of 200 or less is too volatile and difficult to form a thin layer upon vacuum deposition. This is because it tends to be difficult to evaporate by heating underneath.
Moreover, from the easiness of vapor deposition, it is preferable that the material which comprises a light emitting layer is not an ionic compound but a neutral molecular compound.
The light-emitting layer thin film formed by vapor deposition is preferably a uniform non-crystalline thin film (amorphous film) free from defects such as thinness and pinholes, and changes in the performance of the light-emitting element when recrystallization occurs due to aging or heat Therefore, the melting point and the glass transition temperature (Tg) are preferably high. The melting point of the material constituting the light emitting layer is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher, further preferably 250 ° C. or higher, and Tg is preferably 70 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, and still more preferably 120 ° C. ℃ or more.
As a host material satisfying the above required performance, a carbazole derivative that has a high T 1 level, is unlikely to cause crystallization, has a long excited state lifetime, and can be expected to have high emission efficiency is most preferable.
以下に、本発明に好適に用いられるホスト材料の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Although the specific example of the host material used suitably for this invention below is given, this invention is not limited to these.
−発光材料−
発光材料としては、一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、又は、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであってもよい。
本発明に使用できる発光材料の例としては、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体等の遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
-Luminescent material-
The luminescent material may be either a fluorescent compound that emits light from singlet excitons or a phosphorescent compound that emits light from triplet excitons.
Examples of light-emitting materials that can be used in the present invention include benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, condensed fragrances. Group compounds, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, oxazine derivatives, aldazine derivatives, pyralidine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, Diketopyrrolopyrrole derivatives, aromatic dimethylidin compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and metal complexes of pyromethene derivatives, rare S complex, various metal complexes typified by transition metal complexes such as iridium trisphenylpyridine complexes and platinum porphyrin complexes, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compounds include compounds such as organic silane derivatives.
発光層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。
発光層は一つであっても複数であってもよく、それぞれの発光層が異なる発光色で発光して、全体として例えば白色を発光してもよいし、単一の発光層から白色を発光してもよい。発光層が複数の場合、それぞれの発光層は単一材料で形成されていてもよいし、複数の化合物で形成されていてもよい。例えば、ホスト材料と発光材料とを含む混合系の場合であれば、ホスト材料は単一であっても複数種の混合であってもよい。発光材料も単一であっても複数種の混合であってもよい。本発明における発光層が、電荷輸送材料と発光材料と混合系である場合の混合比としては、10000:1〜100:5が好ましく、10000:5〜100:2がより好ましい。
Although the film thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, the thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.
There may be one or a plurality of light emitting layers, and each light emitting layer emits light in a different light emission color, for example, may emit white light as a whole, or may emit white light from a single light emitting layer. May be. When there are a plurality of light emitting layers, each light emitting layer may be formed of a single material or may be formed of a plurality of compounds. For example, in the case of a mixed system including a host material and a light emitting material, the host material may be a single material or a mixture of a plurality of types. The light emitting material may be a single material or a mixture of a plurality of materials. The mixing ratio when the light emitting layer in the present invention is a mixed system of a charge transport material and a light emitting material is preferably 10,000: 1 to 100: 5, and more preferably 10,000: 5 to 100: 2.
(正孔注入層、正孔輸送層)
正孔注入層、正孔輸送層に含まれる材料としては、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
正孔注入層、正孔輸送層を構成する材料としては、トリベンゾアゼピン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリアリールベンゼン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチルベン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体及びポルフィリン系化合物の群から選択される1種以上であることが好ましい。これらの化合物の好ましい例は前記ホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
(Hole injection layer, hole transport layer)
The material contained in the hole injection layer and the hole transport layer has one of the function of injecting holes from the anode, the function of transporting holes, or the function of blocking electrons injected from the cathode. If it is.
The materials constituting the hole injection layer and the hole transport layer include tribenzazepine derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, polyarylbenzene derivatives, arylamine derivatives, styryl. Anthracene derivatives, stilbene derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, fluorenone derivatives, hydrazones One or more selected from the group of derivatives, silazane derivatives and porphyrin compounds are preferred. Preferable examples of these compounds are the same as those of the corresponding compounds described in the section of the host material.
さらに、正孔輸送層が、燐光発光性化合物を含む発光層に隣接する層である場合には、発光層で生じた三重項励起子が正孔輸送層へ移動しないように正孔輸送材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル(T1レベル)は発光材料や発光層に含まれるホスト材料のT1レベルよりも高いことが好ましい。特に発光極大波長が500nm以下の青色発光素子用の正孔輸送材料のT1レベルは62kcal/mol以上(259kJ/mol以上)、85kcal/mol以下(355kJ/mol以下)であることが好ましく、65kcal/mol以上(272kJ/mol以上)、80kcal/mol以下(334kJ/mol以下)であることがより好ましい。
上記物性値を満たす正孔輸送材料としては、特開2002−100476号公報に記載の正孔輸送材料が好ましく、特開2002−100476号公報に記載の正孔輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
前記の化合物群のうちトリベンゾアゼピン誘導体は高T1で高い発光効率が期待でき、アリールアミン誘導体は高い安定性により耐久性向上が期待できるため、この両者から正孔輸送材料を選択することがより好ましい。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等を添加することができる。
Further, when the hole transport layer is a layer adjacent to the light emitting layer containing the phosphorescent compound, the triplet excitons generated in the light emitting layer are prevented from moving to the hole transport layer. The energy level (T 1 level) in the lowest triplet excited state is preferably higher than the T 1 level of the light emitting material or the host material contained in the light emitting layer. In particular, the T 1 level of a hole transport material for a blue light emitting device having an emission maximum wavelength of 500 nm or less is preferably 62 kcal / mol or more (259 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355 kJ / mol or less), and 65 kcal. / Mol or more (272 kJ / mol or more) and 80 kcal / mol or less (334 kJ / mol or less).
As a hole transport material satisfying the above physical property values, a hole transport material described in JP-A No. 2002-1000047 is preferable, and a preferable range of the hole transport material described in JP-A No. 2002-100466 is the same as that of the same specification. As described in the book.
Among the above compound groups, tribenzazepine derivatives can be expected to have high luminous efficiency at high T 1 , and arylamine derivatives can be expected to improve durability due to high stability. More preferred.
In addition, carbazole, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silanes, carbon films, and derivatives thereof as necessary Can be added.
正孔注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常0.2nm〜1μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは1nm〜0.2μmであり、さらに好ましくは2nm〜100nmである。
正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、さらに好ましくは10nm〜500nmである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The thickness of the hole injection layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 0.2 nm to 1 μm, more preferably 1 nm to 0.2 μm, and further preferably 2 nm to 100 nm. .
The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and even more preferably 10 nm to 500 nm.
The hole injection layer and the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
As a method for forming the hole injection layer and the hole transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injection transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, or a transfer method is used. It is done.
In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, and the like.
前記の層形成方法の中でも、正孔輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また正孔輸送層を蒸着法で設置する場合、正孔輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量3000以下の低分子有機化合物及び/又は分子量3000以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
Among the above-described layer forming methods, the hole transport layer is preferably installed by vapor deposition. By installing by the vapor deposition method, a thin film having a uniform and constant film thickness can be formed, and the durability tends to be improved.
When the hole transport layer is installed by vapor deposition, the material of the hole transport layer may be composed of a low molecular organic compound having a molecular weight of 3000 or less and / or a low molecular organic metal compound having a molecular weight of 3000 or less, like the light emitting layer material. preferable.
(電子注入層、電子輸送層)
電子注入層、電子輸送層に含まれる材料としては、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
本発明の有機EL素子は、陰極と発光層との間にイオン化ポテンシャル5.9eV以上(より好ましくは6.0eV以上)の化合物を含有する層を有することが好ましく、イオン化ポテンシャル5.9eV以上の電子輸送層を有することがより好ましい。
前記一般式(I)で表される化合物、及び正孔輸送性化合物は、本発明の効果である発光特性及び駆動耐久性の向上の観点からは、電子輸送層又は電子注入層に含まれることが好ましく、電子輸送層に含まれることが最も好ましい。
(Electron injection layer, electron transport layer)
As a material included in the electron injection layer and the electron transport layer, any material having one of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode Good.
The organic EL device of the present invention preferably has a layer containing a compound having an ionization potential of 5.9 eV or more (more preferably 6.0 eV or more) between the cathode and the light emitting layer, and has an ionization potential of 5.9 eV or more. It is more preferable to have an electron transport layer.
The compound represented by the general formula (I) and the hole transporting compound are included in the electron transporting layer or the electron injecting layer from the viewpoint of improving the light emission characteristics and driving durability which are the effects of the present invention. And is most preferably contained in the electron transport layer.
一般式(I)で表される化合物が電子輸送層に含まれる場合、電子輸送層は、一般式(I)で表される化合物及び正孔輸送性化合物のみで構成されていてもよいし、以下に例示する材料(他の電子輸送性材料)を併用してもよい。
一般式(I)で表される化合物と他の電子輸送性材料とを併用する場合の含有比としては、任意に選択することができるが、1:10〜10:1が好ましく、1:5〜5:1 がより好ましい。
When the compound represented by the general formula (I) is contained in the electron transport layer, the electron transport layer may be composed of only the compound represented by the general formula (I) and the hole transporting compound, You may use together the material (other electron transport material) illustrated below.
The content ratio when the compound represented by the general formula (I) and another electron transporting material are used in combination can be arbitrarily selected, but is preferably 1:10 to 10: 1, and 1: 5 ~ 5: 1 is more preferred.
電子注入層、電子輸送層に用いうる材料の具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、8−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられる。これらの化合物の好ましい例は、前記ホスト材料の説明で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。 Specific examples of materials that can be used for the electron injection layer and the electron transport layer include triazole, oxazole, oxadiazole, imidazole, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, and fluorenylidenemethane. , Distyrylpyrazine, naphthalene, perylene, and other aromatic ring tetracarboxylic anhydrides, metal complexes of phthalocyanine, 8-quinolinol, metal phthalocyanines, metal complexes having benzoxazole and benzothiazole as ligands , Organosilanes, and derivatives thereof. Preferable examples of these compounds are the same as the corresponding compounds described in the description of the host material.
また、本発明の有機EL素子は、陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル5.9eV以上(より好ましくは6.0eV以上)の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、発光層に隣接してイオン化ポテンシャル5.9eV以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。このような化合物を含有する層(ブロック層)を設けることにより正孔が発光層を貫通して電子輸送層に流れ込むことによる発光効率低下や耐久性悪化を防止することができる。 In the organic EL device of the present invention, it is preferable to use a layer containing a compound having an ionization potential of 5.9 eV or more (more preferably 6.0 eV or more) between the cathode and the light emitting layer. It is more preferable to use an electron transport layer having an ionization potential of 5.9 eV or more. By providing a layer (block layer) containing such a compound, it is possible to prevent a decrease in luminous efficiency and deterioration in durability due to holes passing through the light emitting layer and flowing into the electron transport layer.
さらに、電子輸送層が、燐光発光性化合物を含む発光層に隣接する層である場合には、発光層で生じた三重項励起子が電子輸送層へ移動しないように電子輸送材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル(T1レベル)は発光材料や発光層ホスト材料のT1レベルよりも高いことが好ましい。特に発光極大波長が500nm以下の青色発光素子用の正孔輸送材料のT1レベルは62kcal/mol以上(259kJ/mol以上)、85kcal/mol以下(355kJ/mol以下)であることが好ましく、65kcal/mol以上(272kJ/mol以上)、80kcal/mol以下(334kJ/mol以下)であることがより好ましい。
上記物性値を満たす他の電子輸送材料としては、特開2002−100476号に記載の電子輸送材料が挙げられる。特開2002−100476号に記載の電子輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載の通りである。
Further, when the electron transport layer is a layer adjacent to the light emitting layer containing the phosphorescent compound, the lowest triplet of the electron transport material is prevented so that triplet excitons generated in the light emitting layer do not move to the electron transport layer. The energy level (T 1 level) in the excited state is preferably higher than the T 1 level of the light emitting material or the light emitting layer host material. In particular, the T 1 level of a hole transport material for a blue light emitting device having an emission maximum wavelength of 500 nm or less is preferably 62 kcal / mol or more (259 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355 kJ / mol or less), and 65 kcal. / Mol or more (272 kJ / mol or more) and 80 kcal / mol or less (334 kJ / mol or less).
Examples of other electron transport materials that satisfy the above physical property values include the electron transport materials described in JP-A No. 2002-1000047. A preferable range of the electron transport material described in JP-A No. 2002-1000047 is as described in the same specification.
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等を添加することができる。 In addition, carbazole, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silanes, carbon films, and derivatives thereof as necessary Can be added.
電子注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常0.2nm〜1μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは1nm〜0.2μmであり、さらに好ましくは2nm〜100nmである。
電子輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、さらに好ましくは10nm〜500nmである。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
前記の層形成方法の中でも、電子輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また、電子輸送層を蒸着法で設置する場合、電子輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量3000以下の低分子有機化合物及び/又は分子量3000以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
The thickness of the electron injection layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 0.2 nm to 1 μm, more preferably 1 nm to 0.2 μm, and further preferably 2 nm to 100 nm.
Although the film thickness of an electron carrying layer is not specifically limited, Usually, the thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.
The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
As a method for forming the electron injection layer and the electron transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the electron injection / transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, a transfer method, and the like are used.
In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. As the resin component, for example, those exemplified in the case of the hole injection transport layer can be applied.
Among the layer forming methods described above, the electron transport layer is preferably installed by vapor deposition. By installing by the vapor deposition method, a thin film having a uniform and constant film thickness can be formed, and the durability tends to be improved.
Moreover, when installing an electron carrying layer by a vapor deposition method, it is preferable that the material of an electron carrying layer also consists of a low molecular organic compound with a molecular weight of 3000 or less and / or a low molecular organometallic compound with a molecular weight of 3000 or less like the light emitting layer material. .
(保護層)
本発明の有機EL発光素子は、水分や酸素の進入を防止するために保護層を有してもよい。保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2等の金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、SiNx、SiOxNy などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
(Protective layer)
The organic EL light-emitting device of the present invention may have a protective layer in order to prevent moisture and oxygen from entering. As a material contained in the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device.
Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe 2 O. 3 , metal oxides such as Y 2 O 3 and TiO 2 , metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , and CaF 2 , SiN x , SiO x N y Such as nitride, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene And a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing at least one comonomer, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, a water absorption of 0 .1% or less of moisture-proof substances and the like.
There is also no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation) (Ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method can be applied.
−有機EL素子の製造方法−
本発明の有機EL素子の製造方法として、好適に用いられる製造方法を以下に述べるが、本発明はこれに限定されるものではない。
-Manufacturing method of organic EL element-
As a method for producing the organic EL element of the present invention, a production method suitably used will be described below, but the present invention is not limited thereto.
まず、透明電極としてITO薄膜を有する基板を溶媒洗浄した後、UV−オゾン処理を行なう。さらに、この透明電極上に正孔注入層、正孔輸送層をこの順に蒸着法にて形成する。この上に、金属錯体及びホスト材料を真空において共蒸着することにより発光層を形成する。該金属錯体及びホスト材料は前記のものと同義であり、好ましい範囲も同様である。発光層に用いられる該ホスト材料及び該金属錯体は分子量3000以下であることが好ましく、発光層を構成する材料が分子量3000以下であることが好ましい。該分子量範囲を前記範囲とすることにより蒸着し易くなる。
該蒸着としては、公知の蒸着法を用いることができる。さらにその上に、電子輸送層、電子注入層をこの順に設け、この上に、パタ−ニングしたマスクを設置し、背面電極(陰極)を蒸着して形成する。電子輸送層と発光層との間には、電子輸送材料を含むブロック層を設けることができる。前記陽極と陰極のそれぞれにリ−ド線を結線し、発光積層体を形成する。ここで得られた発光積層体を封止して有機EL素子を作製する。
First, a substrate having an ITO thin film as a transparent electrode is washed with a solvent and then subjected to UV-ozone treatment. Furthermore, a hole injection layer and a hole transport layer are formed in this order on the transparent electrode by a vapor deposition method. A light emitting layer is formed thereon by co-evaporating a metal complex and a host material in a vacuum. The metal complex and the host material are as defined above, and the preferred ranges are also the same. The host material and the metal complex used for the light emitting layer preferably have a molecular weight of 3000 or less, and the material constituting the light emitting layer preferably has a molecular weight of 3000 or less. Vapor deposition is facilitated by setting the molecular weight range to the above range.
As the deposition, a known deposition method can be used. Further thereon, an electron transport layer and an electron injection layer are provided in this order, a patterned mask is placed thereon, and a back electrode (cathode) is formed by vapor deposition. A block layer containing an electron transport material can be provided between the electron transport layer and the light emitting layer. A lead wire is connected to each of the anode and the cathode to form a light emitting laminate. The light emitting laminate obtained here is sealed to produce an organic EL element.
得られた有機EL素は、直流電圧を印加し発光させて、初期輝度で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間として、耐久性を実施評価することができる。 The obtained organic EL element is allowed to emit light by applying a direct current voltage, and a driving durability test is performed with the initial luminance, and the durability can be evaluated by setting the time when the luminance is halved as a half time.
以下に、本発明の有機EL素子の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。 Examples of the organic EL device of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
[実施例1]
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(ジオマテック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7×10-4Pa)以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。
[Example 1]
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate with a thickness of 150 nm (manufactured by Geomat Corp .; electron beam film-formed product; sheet resistance 15 Ω) is 2 mm wide using ordinary photolithography and hydrochloric acid etching. The anode was formed by patterning into stripes. The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally with ultraviolet ozone cleaning. installed. After the apparatus was roughly evacuated with an oil rotary pump, the apparatus was evacuated with a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was 2 × 10 −6 Torr (about 2.7 × 10 −4 Pa) or less.
次いで、上記装置内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン(CuPc、結晶形はβ型)をて加熱して、真空度1.4×10-6Torr(約1.9×10-4Pa)、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着を行ない、膜厚10nmの正孔注入層を形成した。 Next, the copper phthalocyanine (CuPc, crystal form is β type) shown below placed in a molybdenum boat arranged in the apparatus was heated and heated to a vacuum degree of 1.4 × 10 −6 Torr (about 1.9 ×). 10 −4 Pa), vapor deposition was performed at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a 10 nm thick hole injection layer.
次に、上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、下記に示す、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を、ルツボの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行い正孔輸送層を形成した。蒸着時の真空度は9.0×10-7Torr(約1.2×10-4Pa)、蒸着速度は0.2nm/秒、正孔輸送層の膜厚は60nmであった。 Next, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) shown below, placed in a ceramic crucible arranged in the above apparatus, was added to the crucible. Evaporation was performed by heating with a surrounding tantalum wire heater to form a hole transport layer. The degree of vacuum during deposition was 9.0 × 10 −7 Torr (about 1.2 × 10 −4 Pa), the deposition rate was 0.2 nm / second, and the thickness of the hole transport layer was 60 nm.
引続き、発光層の主成分(ホスト材料)として、下記に示す4,4′−N,N′−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)を、副成分(ドーパント)の燐光性有機金属錯体として下記に示すイリジウム錯体(Ir(ppy)3)を、セラミックルツボに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。CBPの蒸着速度は0.1nm/秒に制御し、イリジウム錯体(Ir(ppy)3)はホストに対して5質量%含有されるよう、蒸着速度を制御し、膜厚30nmの発光層を正孔輸送層の上に積層した。蒸着時の真空度は1.3×10-6Torr(約1.7×10-4Pa)であった。 Subsequently, 4,4′-N, N′-dicarbazole-biphenyl (CBP) shown below as a main component (host material) of the light emitting layer is shown below as a phosphorescent organometallic complex as a subcomponent (dopant). An iridium complex (Ir (ppy) 3 ) was placed in a ceramic crucible, and a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method. The deposition rate of CBP is controlled to 0.1 nm / second, and the deposition rate is controlled so that the iridium complex (Ir (ppy) 3 ) is contained in an amount of 5% by mass with respect to the host. Laminated on the hole transport layer. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.3 × 10 −6 Torr (about 1.7 × 10 −4 Pa).
さらに、電子輸送層として、一般式(I)で表される化合物である例示化合物(S−2)と、正孔輸送性化合物であるα−NPDと、を2元同時蒸着法にて蒸着速度0.1nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は7.0×10-7Torr(約0.9×10-4Pa)であった。 Further, as the electron transporting layer, the exemplified compound (S-2) which is a compound represented by the general formula (I) and α-NPD which is a hole transporting compound are vapor deposition rates by a binary simultaneous vapor deposition method. Lamination was performed at a thickness of 10 nm at 0.1 nm / second. The degree of vacuum during the deposition was 7.0 × 10 −7 Torr (about 0.9 × 10 −4 Pa).
なお、上記の正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。 In addition, the substrate temperature at the time of vacuum-depositing said positive hole transport layer, a light emitting layer, and an electron carrying layer was hold | maintained at room temperature.
ここで、電子輸送層までの蒸着を行った素子を一旦前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機化合物層の形成時と同様にして装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7×10-4Pa)以下になるまで排気した。 Here, the element on which the electron transport layer has been deposited is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide stripe-shaped shadow mask is orthogonal to the ITO stripe of the anode as a mask for cathode deposition. In the same manner as in the formation of the organic compound layer after being in close contact with the device and installed in another vacuum vapor deposition apparatus, the degree of vacuum in the apparatus is 2 × 10 −6 Torr (about 2.7 × 10 −4 Pa). ) Exhaust until below.
その後、3層型陰極を以下のように形成した。
先ず、フッ化マグネシウム(MgF2)をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.1nm/秒、真空度7.0×10-6Torr(約9.3×10-4Pa)で、1.5nmの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10-5Torr(約1.3×10-3Pa)で膜厚40nmのアルミニウム層を形成した。さらに、その上に、陰極の導電性を高めるために銀を、上記と同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.3nm/秒、真空度1×10-5Torr(約1.3×10-3Pa)で膜厚40nmの銀層を形成して陰極を完成させた。
以上の3層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
Thereafter, a three-layer cathode was formed as follows.
First, magnesium fluoride (MgF 2 ) is deposited on a molybdenum boat at a deposition rate of 0.1 nm / second, a degree of vacuum of 7.0 × 10 −6 Torr (about 9.3 × 10 −4 Pa), and 1.5 nm. Was formed on the electron transport layer. Next, aluminum is similarly heated by a molybdenum boat to form an aluminum layer having a film thickness of 40 nm at a deposition rate of 0.5 nm / second and a degree of vacuum of 1 × 10 −5 Torr (about 1.3 × 10 −3 Pa). did. Further, in order to increase the conductivity of the cathode, silver is heated by a molybdenum boat in the same manner as described above, and the deposition rate is 0.3 nm / second, the degree of vacuum is 1 × 10 −5 Torr (about 1.3 × A silver layer having a thickness of 40 nm was formed at 10 −3 Pa) to complete the cathode.
The substrate temperature during the deposition of the above three-layer cathode was kept at room temperature.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機EL素子が得られた。得られた有機EL素子を用いて、以下の方法により評価した。 As described above, an organic EL element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. Evaluation was made by the following method using the obtained organic EL element.
−評価−
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット2400型を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し発光させて、初期の発光性能を測定した。
発光効率(%)は、100Cd/m2時の発光効率を外部量子効率(η100)(%)として、また、輝度/電流(Cd/A)は輝度−電流密度特性の傾きを、駆動電圧は100cd/m2での値を各々表1に示す。
また、初期輝度1000Cd/m2で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間(T1/2)(Hr)として、試験結果を表1に示した。
この素子は緑色発光であり(発光スペクトルの極大波長は515nm)、発光はイリジウム錯体(Ir(ppy)3)由来のものと同定された。
-Evaluation-
Using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, direct voltage was applied to the organic EL element to emit light, and the initial light emitting performance was measured.
The luminous efficiency (%) is the luminous efficiency at 100 Cd / m 2 as the external quantum efficiency (η 100 ) (%), and the luminance / current (Cd / A) is the slope of the luminance-current density characteristic. Table 1 shows the values at 100 cd / m 2 .
In addition, a driving durability test was performed at an initial luminance of 1000 Cd / m 2 , and the test results are shown in Table 1 with the time when the luminance was halved as half time (T 1/2 ) (Hr).
This device emitted green light (the maximum wavelength of the emission spectrum was 515 nm), and the light emission was identified to be derived from an iridium complex (Ir (ppy) 3 ).
[実施例2〜5、比較例1〜3]
実施例1の有機EL素子の作製において、電子輸送層中の電子輸送性化合物(一般式(I)で表される化合物)と正孔輸送性化合物とを、下記表1に記載のように変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜5、比較例1〜3の有機EL素子を作製した。
得られた各有機EL素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示す。
これらの素子の発光スペクトルの極大波長は515nmであり、発光はイリジウム錯体(Ir(ppy)3)由来のものと同定された。
[Examples 2 to 5, Comparative Examples 1 to 3]
In the production of the organic EL device of Example 1, the electron transporting compound (compound represented by the general formula (I)) and the hole transporting compound in the electron transporting layer were changed as shown in Table 1 below. Except having done, it carried out similarly to Example 1, and produced the organic EL element of Examples 2-5 and Comparative Examples 1-3.
About each obtained organic EL element, evaluation similar to Example 1 was performed. The results are shown in Table 1.
The maximum wavelength of the emission spectrum of these devices was 515 nm, and the emission was identified to be derived from an iridium complex (Ir (ppy) 3 ).
以下に、表1に挙げられた、比較化合物、TPD、及びPPDの構造を示す。 The structures of the comparative compounds, TPD, and PPD listed in Table 1 are shown below.
本発明の有機EL素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。 The organic EL device of the present invention can be suitably used in the fields of display devices, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, optical communications, and the like.
Claims (4)
(一般式(II)中、R 1 及びR 2 はメチル基、R 3 及びR 4 はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基、R 5 〜R 8 は水素原子を表す。) An organic electroluminescent element having an organic compound layer including at least one light emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one of the organic compound layers contains a compound represented by the following general formula (II) , And the organic electroluminescent element which contains at least 1 sort (s) of a triphenylamine derivative in the layer containing the compound represented by this general formula (II) .
(In general formula (II), R 1 and R 2 each independently represent a methyl group, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 5 to R 8 each represent a hydrogen atom.)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004208995A JP4610956B2 (en) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | Organic electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004208995A JP4610956B2 (en) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | Organic electroluminescence device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032634A JP2006032634A (en) | 2006-02-02 |
JP4610956B2 true JP4610956B2 (en) | 2011-01-12 |
Family
ID=35898612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004208995A Expired - Lifetime JP4610956B2 (en) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | Organic electroluminescence device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4610956B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5176366B2 (en) * | 2006-03-30 | 2013-04-03 | Jnc株式会社 | Novel bipyridine derivative and organic electroluminescent device containing the same |
JP2009124114A (en) * | 2007-10-22 | 2009-06-04 | Chisso Corp | Material for electron transport-injection layer using silole derivative compound, and organic electroluminescent element |
JP5722291B2 (en) * | 2012-09-26 | 2015-05-20 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | Organic electroluminescence device |
JP5946929B2 (en) * | 2015-01-29 | 2016-07-06 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | Organic electroluminescence device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004052057A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-06-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic electroluminescent device |
WO2004077886A1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic electroluminescent device |
-
2004
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004052057A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-06-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic electroluminescent device |
WO2004077886A1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic electroluminescent device |
Also Published As
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---|---|
JP2006032634A (en) | 2006-02-02 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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