JP4609044B2

JP4609044B2 - 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器

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Publication number: JP4609044B2
Application number: JP2004334052A
Authority: JP
Inventors: 崇宮田; 徹二村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-11-18
Filing date: 2004-11-18
Publication date: 2011-01-12
Anticipated expiration: 2024-11-18
Also published as: JP2006147270A

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法、並びにこの発光装置を備えた電子機器に関する。

ＥＬ装置やプラズマ装置等の発光装置において、発光された光のうちの特定波長を共振させることで光の色度を向上させる技術が例えば特許文献１に記載されている。
特開２００１−７１５５８号公報

上記特許文献１では、透光性基板上に共振器としての多層膜を形成し、該多層膜上に発光素子を形成することで透光性基板側に射出される光の色度を向上させているが、アクティブマトリクスタイプの発光装置に関して、素子と共振器との関係については触れられていない。つまり、薄膜トランジスタを形成した透光性基板上に発光素子を形成した発光装置において、該薄膜トランジスタと発光素子と共振器とを別々に形成していたのでは手間が掛かる上、当該発光装置も大型化してしまう場合もある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、薄膜トランジスタを備える発光装置において、光の色度を向上させつつも構成を簡便化するとともに、その製造効率を向上させることを目的としている。また、本発明はそのような発光装置を製造する方法を提供し、さらに該発光装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。

上記の目的を達成するために、本発明の発光装置は、薄膜トランジスタを用いた発光装置であって、前記薄膜トランジスタに接続された第１電極と、該第１電極に対向配置された第２電極と、これら第１電極と第２電極との間に配設された発光層とを有してなる発光素子がマトリクス状に複数設けられ、前記薄膜トランジスタは、隣合う前記発光素子の境界部に設けられるとともに、島状に形成された半導体層と、該半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上および前記ゲート絶縁層上に設けられた層間絶縁層と、該層間絶縁層上に設けられたソース電極及び／又はドレイン電極とを有し、前記層間絶縁層は、前記薄膜トランジスタの形成領域から前記発光素子の形成領域まで跨って同層で形成され、屈折率の異なる複数の透光性誘電体層を有してなり、前記発光素子の形成領域に配置された前記層間絶縁層は、前記発光素子から発せられた光の共振機能を有することを特徴とする。

このような発光装置によると、屈性率の異なる複数の透光性誘電体層が、発光層から発せられた光を共振する共振層として機能し、当該光の色度を向上させることが可能となる。また、当該複数の透光性誘電体層は、薄膜トランジスタの層間絶縁層を構成しているため、半導体層及びゲート電極を保護する機能も有することとなる。そして、本発明では、該複数の透光性誘電体層（以下、共振層とも言う）は、薄膜トランジスタの層間絶縁層を発光素子の形成領域にまで延在することで形成しているため、共振機能を具備させるために薄膜トランジスタとは別に透光性誘電体層を形成する必要がなくなる。したがって、従来の発光装置に比して当該発光装置の構成が簡便となり、その製造効率も向上することとなる。なお、本発明の発光装置の構成は、例えばエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置やプラズマ発光装置、蛍光体を用いた発光装置等に採用でき、該発光装置を用いることで、表示特性に優れたＥＬ表示装置やＰＤＰ（plasma display panel）、ＦＥＤ（field emission display）等を構成することができる。

本発明の発光装置において、前記層間絶縁層上にソース電極及びドレイン電極が形成されてなり、同時に前記第１電極が透光性の導電材料からなるとともに前記層間絶縁層上に形成されてなるものとすることができる。このように層間絶縁層上に第１電極を形成することで、第２の層間絶縁層を共振器として介在させる場合に比して、ソース電極及びドレイン電極と第1電極とを接続するコンタクト部の抵抗が低減されることとなり、当該薄膜トランジスタの作動性能が向上することとなる。

また、前記発光層で発せられた光は当該第１電極側から射出されるものとすることができる。このような発光装置によると、発光層から第１電極側に射出された光が好適に層間絶縁層で共振されることとなる。特に、層間絶縁層が透光性誘電体層の積層体からなる構成とし、該透光性誘電体層の直上に第１電極が形成されてなる構成とすれば、余分な絶縁層等がないため構成が簡便で、発せられた光が該絶縁層等で吸収されて光量が減少してしまう等の不具合も生じ難いものとなる。

また、前記層間絶縁層が屈折率の異なる２種の透光性誘電体層を交互に積層してなるものとすることができる。このような積層体によれば共振機能を好適に発現することができるようになる。

また、前記ゲート絶縁層が、該ゲート絶縁層上に形成された層間絶縁層とは屈折率の異なる透光性誘電体層を有してなるものとすることができる。この場合、ゲート絶縁層も共振層の一部をなすようになり、構成の簡便化（小型化ないし薄層化）を図ることが可能となる。

次に、上記課題を解決するために、本発明の発光装置の製造方法は、面内にマトリクス状に配設された複数の発光領域と、該発光部間に配設された駆動領域とを有してなる発光装置の製造方法であって、基材上の前記駆動領域に島状の半導体層を形成する工程と、前記半導体層を含む前記基材上に、前記発光領域及び前記駆動領域に跨る形でゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上の前記駆動領域に島状のゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁層上に、透光性の第１誘電体層と、同じく透光性で且つ前記第１誘電体層とは屈折率の異なる第２誘電体層とを交互に積層して、前記発光領域及び前記駆動領域に跨る形で層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層上の前記駆動領域にソース電極及びドレイン電極を形成する一方、該層間絶縁層上の前記発光領域に透光性の第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に発光層及び第２電極をそれぞれ形成する工程とを含み、前記層間絶縁層は前記発光層から発せられた光の共振機能を有することを特徴とする。このような製造方法により上述した本発明の発光装置を好適に製造することが可能となり、当該発光装置を安価に提供することが可能となる。

また、上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述の発光装置を備えたことを特徴とする。これにより、安価な電子機器を提供することができる。

以下、図面を参照しながら、本発明の発光装置の一実施の形態であるフルカラー発光型の有機ＥＬ装置について説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図１は有機ＥＬ装置１００の配線構造を示す図で、図２は有機ＥＬ装置１００の断面構造を示す図である。
図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線されて構成されたもので、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に画素領域Ａがマトリクス状に形成されてなるものである。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えたデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えた走査側駆動回路１０５が接続されている。

さらに、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ１２２と、この第１の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ２と、この第２の薄膜トランジスタ２を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）４と、この画素電極４と対向電極（陰極）９との間に挟み込まれた発光部７とが設けられている。これら画素電極４と対向電極９、および発光部７により、本発明における有機ＥＬ素子が構成されている。

このような構成によれば、走査線１０１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ２のオン・オフ状態が決まる。そして、第２の薄膜トランジスタ２のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極４に電流が流れ、さらに発光部７を介して対向電極９に電流が流れる。発光部７は、これを流れる電流量に応じて発光する。

次に、図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、ガラス等からなる透光性の基板１と、この基板１上にマトリックス状に形成配置された多数の有機ＥＬ素子を具備して構成されたものである。具体的には、ガラス等の透光性基板１の上に、回路素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２、画素電極（陽極）４、発光部７、対向電極（陰極）９等を順次積層した構造からなる。

基板１としては、本例ではガラス基板が用いられている。ガラス基板の他にも、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、公知の様々な基板が適用される。基板１の面内には、発光領域としての複数の画素領域Ａがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行うべく、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する画素領域が所定の配列で構成される。各画素領域には、画素電極４が配置され、その近傍には信号線、電源線、走査線等が配置されている。

また、基板１上に形成された薄膜トランジスタ２は、各画素領域に一対一で設けられ、画素電極（陽極）４と電気的に接続されている。薄膜トランジスタ２の具体的な構成は、基板１上にＳｉＯ_２等からなる下地絶縁層１４を介して島状に配された半導体層１３と、該半導体層１３を含む下地絶縁層１４上に形成されたゲート絶縁層１５と、該ゲート絶縁層１５上に島状に形成されたゲート電極１２と、該ゲート電極１２を含むゲート絶縁層１５上に形成された層間絶縁層１８と、該層間絶縁層１８上に形成されたソース電極１１及びドレイン電極１０とを備えてなるものである。

半導体層１３は例えば多結晶シリコン膜からなり、各画素領域Ａにそれぞれ形成され、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を有して構成されている。また、ゲート絶縁層１５は半導体層１３とゲート電極１２とを絶縁するためのもので、例えばＳｉＯ_２からなるものを用いている。なお、ゲート絶縁層１５は当該画素領域（発光領域）Ａにまで延在して形成されている。

ゲート電極１２は、例えばアルミニウム等からなるもので、上記半導体層１３のチャネル領域上に島状に形成されている。また、層間絶縁層１８は、ソース電極１１及びドレイン電極１０とゲート電極１２とを絶縁するためのもので、誘電率の異なる複数の透光性誘電体層１６ａ，１７ａ，１６ｂ，１７ｂ，１６ｃ，１７ｃからなるものである。ここでは、ゲート絶縁層１５側に形成された第１誘電体層１６ａはＳｉＮからなり、該第１誘電体層１６ａ上に形成された第２誘電体層１７ａはＳｉＯ_２からなるものである。また、該第２誘電体層１７ａ上に形成された第３誘電体層１６ｂはＳｉＮからなるもので、さらに該第３誘電体層１６ｂ上に形成された第４誘電体層１７ｂはＳｉＯ_２からなるものである。また、該第４誘電体層１７ｂ上に形成された第５誘電体層１６ｃはＳｉＮからなるもので、該第５誘電体層１６ｃ上に形成された第６誘電体層１７ｃはＳｉＯ_２からなるものである。このような各誘電体層１６ａ，１７ａ，１６ｂ，１７ｂ，１６ｃ，１７ｃは、ゲート絶縁層１５と同様に、画素領域（発光領域）Ａまで延在して形成されている。

ソース電極１１はアルミニウム等からなるもので、層間絶縁層１８に形成されたコンタクト部２３を介して半導体層１３のソース領域に電気的に接続されている。また、ドレイン電極１０もアルミニウム等からなるもので、層間絶縁層１８に形成されたコンタクト部２４を介して半導体層１３のドレイン領域に電気的に接続されている。なお、ソース電極１１は層間絶縁層１８上においてソース線６と接続される一方、ドレイン電極１０も層間絶縁層１８上において画素電極４と接続されている。

画素電極（陽極）４はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料から構成され、発光部７を挟んで対向電極９（８）と対向配置されており、これら発光部（発光層）７及び対向電極９（８）とともに発光素子７ａを構成している。このような発光素子７ａは各画素領域Ａ毎に赤色、緑色、青色のいずれかを発光可能に構成され、各色発光素子７ａ間はバンク部（隔壁部）５１，５２にて仕切られている。

発光部７は、赤色（Ｒ）を発光する赤色発光部７Ｒと、緑色（Ｇ）を発光する緑色発光部７Ｇと、青色（Ｂ）を発光する青色発光部７Ｂとを有している。発光部７の具体的な構成は、画素電極４側から正孔注入／輸送層と、発光本体部をなす有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）と、電子注入層とを有してなるものである。なお、有機ＥＬ層は各色毎に異なる材料にて構成されている。

バンク部５１，５２のうち、第１バンク部５１はＳｉＯ_２等の無機材料から構成される一方、第２バンク部５２はアクリル樹脂等の有機材料から構成されている。また、第１バンク部５１は、層間絶縁層１８上であって、画素電極４の外縁を一部覆う形にて配設されており、内部に発光部７を配置すべく開口部を有して構成されている。さらに、第２バンク部５２は第１バンク部５１上に、該第１バンク部５１の開口部よりも大径の開口部を有して配設され、該開口部内に発光部７が配設されている。

次に、対向電極（陰極）８，９は、各画素領域に亙って基板１の全面に形成されている。また、画素電極４と対になって発光部７に電流を流す役割を担っており、カルシウム層８とアルミニウム層９とが積層されて構成されている。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００では、発光部７から基板１側に発した光が、層間絶縁層１８及び基板１を透過して基板１の下側（光出射側）に射出されるとともに、発光部７から基板１の反対側に発した光がアルミニウムからなる対向電極９により反射されて、層間絶縁層１８及び基板１を透過して基板１の下側に射出されるようになっている。ここで、層間絶縁層１８は上述した通り、それぞれ屈折率の異なる透光性誘電体層が交互に積層された構成をなし、これにより共振機能を発現している。したがって、発光部７から発せられた光のうち特定の波長のものが共振されて、発光の色度を向上させることが可能となる。

本実施形態では、各透光性誘電体層１６ａ，１７ａ，１６ｂ，１７ｂ，１６ｃ，１７ｃを、薄膜トランジスタ２の層間絶縁層１８を発光領域にまで延在することで形成しているため、発光領域において共振機能を具備させるために別途誘電体多層膜を形成する必要がない。したがって、従来の発光装置に比して当該発光装置の構成が簡便となり、その製造効率も高いものとなる。また、本実施形態では、層間絶縁層１８の下部に形成したゲート絶縁層１５についても、層間絶縁層１８とともに当該共振機能を発現する機能膜として構成されている。

なお、本実施形態では、層間絶縁層１８の直上にソース電極１１、ドレイン電極１０、及び画素電極４を形成しているが、例えば図５に示す有機ＥＬ装置２００のように、ソース電極１１及びドレイン電極１０と画素電極４との間に第１の層間絶縁膜の最上部誘電体層とは誘電率の異なる第２の層間絶縁層３を形成するものとしても良い。この場合、画素電極４とドレイン電極１０とはコンタクト部２４ａを介して電気的に接続されることとなる。なお、当該有機ＥＬ装置２００に比べて、図１及び図２に示した有機ＥＬ装置１００はコンタクト抵抗が低減するため、薄膜トランジスタ２のスイッチング特性が高まることとなる。

次に、本発明の発光装置の製造方法について、その一実施の形態として上記有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように、予め用意した透光性のガラス基板１の上に下地絶縁層１４を形成する。ここでは、ＳｉＯ_２膜を蒸着法等により形成するものとしている。
また、形成した下地絶縁層１４上に島状の半導体層１３を形成する。ここでは、多結晶シリコン膜をフォトリソグラフィ法により、各画素領域Ａ（図２参照）に一対一で対応するように形成するものとしている。

さらに、半導体層１３を含む下地絶縁層１４上にゲート絶縁層１５を形成する。ゲート絶縁層１５は、ＳｉＯ_２膜を蒸着法等により形成するものとしている。
そして、形成したゲート絶縁層１５上であって、上記半導体層１３のチャネル領域上に島状のゲート電極１２を形成する。ここでは、Ａｌ膜をスパッタリング法等により形成し、これをフォトリソグラフィ法にてパターニングするものとしている。

続いて、図３（ｂ）に示すように、層間絶縁層１８を形成する。ここでは、まず第１誘電体層１６ａとして厚さ２０μｍ〜２００μｍのＳｉＮ膜を形成し、その上に第２誘電体層１７ａとして厚さ２０μｍ〜４００μｍのＳｉＯ_２膜を、さらに第３誘電体層１６ｂとして厚さ２０μｍ〜２００μｍのＳｉＮ膜を、第４誘電体層１７ｂとして厚さ２０μｍ〜４００μｍのＳｉＯ_２膜を、さらに第５誘電体層１６ｃとして厚さ２０μｍ〜２００μｍのＳｉＮ膜を、第６誘電体層１７ｃとして厚さ２０μｍ〜４００μｍのＳｉＯ_２膜を蒸着法又はスパッタリング法等にて形成するものとしている。このような層間絶縁層１８は、基板１の全面に、詳しくは薄膜トランジスタ２の形成領域（非画素領域、境界部）から画素領域Ａ（図２参照）に延在する形にて形成するものとしており、その結果、層間絶縁層１８の形成と同時に画素領域Ａにおける共振器構造の形成を実現している。

このような層間絶縁層１８を形成した後、図３（ｃ）に示すように、半導体層１３のソース領域及びドレイン領域に接続するコンタクト部２３，２４を形成する。具体的には、層間絶縁層１８に対するマスクエッチングにより、半導体層１３のソース領域及びドレイン領域に貫通するコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールに対してＡｌ等の導電材料を充填することでコンタクト部２３，２４を形成するものとしている。その後、同じく図３（ｃ）に示すように、層間絶縁層１８上であってコンタクト部２３，２４に接続するソース電極１１及びドレイン電極１０をそれぞれ形成する。

次に、図３（ｄ）に示すように、ソース電極１１に接続するソース配線６と、ドレイン電極１０に接続する画素電極４を形成する。ここではソース配線６はＡｌ等をスパッタリング法等により、画素電極４はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料をスパッタリング法等によりそれぞれ所定パターンに形成するものとしている。

次に、図４（ａ）に示すように、各画素領域Ａ（図２参照）に対応させた開口部５１ａを有するＳｉＯ_２製の第１のバンク部（隔壁）５１を、ＳｉＯ_２薄膜形成工程、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により形成する。なお、第１のバンク部５１は、開口部５１ａの周縁部が画素電極４の外縁部に重なるよう形成するものとしている。さらに、形成した第１のバンク部５１の上に、各画素領域Ａに対応させた開口部５２ａを有する第２のバンク部（隔壁）５２を形成する。この第２のバンク部５２は、ポリアクリル樹脂製とし、ポリアクリル樹脂を含有する溶液の塗布工程、塗布された膜の乾燥工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程により形成する。

次に、図４（ｂ）に示すように、各バンク部５１，５２で形成された開口部５内に発光部形成材料６１を塗布形成する。ここで、当該発光部形成材料６１の塗布方法としては、公知の液相法（ウエットプロセス、湿式塗布法）が採用され、例えば、スピンコート法、インクジェット（液滴吐出）法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー成膜法、印刷法等が用いられる。このような液相法は高分子材料を成膜するには好適な方法であり、気相法と比較して真空装置等の高価な設備を用いることなく安価に有機ＥＬ装置を製造することができる。このような液相法を用いることにより、発光部形成材料６１が各開口部５内の画素電極４上に形成される。

発光部形成材料６１は、発光部７に相当する部位を形成するための材料であり、正孔注入／輸送層を形成するための正孔注入／輸送材料を溶媒に溶解ないし分散したもの、発光層（有機ＥＬ層）を形成するための発光材料を溶媒に溶解ないし分散したもの、電子輸送層を形成するための電子輸送材料を溶媒に溶解ないし分散したものである。なお、当該発光部７を形成する際には、正孔注入／輸送層を形成した後、各色の発光層を形成し、さらに電子輸送層を形成するものとしており、これら各層により各色発光部７Ｒ，７Ｇ，７Ｂが形成される。

続いて、基板１上の全面（すなわち、画素領域内に相当する開口部５内の発光部７上と第２隔壁５２上）に第１陰極（第１対向電極）８及び第２陰極（第２対向電極）９を形成することで、図２に示す構成を有した有機ＥＬ装置１００を得る。なお、各対向電極８，９の形成は真空蒸着法等により形成するものとしている。

次に、本発明の発光装置を備えた各種電子機器について、図６を参照して説明する。図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は図１及び図２に示した有機ＥＬ装置（発光装置）１００を用いた表示部を示している。図６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は図１及び図２に示した有機ＥＬ装置（発光装置）１００を用いた表示部を示している。図６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は図１及び図２に示した有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。

図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、本実施形態の有機ＥＬ装置を表示部として備えたものであるため、表示の発光効率が良好で、色度の高い表示を実現することができる。

発光装置の一実施形態として有機ＥＬ装置の画素部の回路構成を示す図。同、有機ＥＬ装置の断面構成を示す図。図１の有機ＥＬ装置の製造工程について示す断面模式図。図３に続いて、図１の有機ＥＬ装置の製造工程について示す断面模式図。発光装置の一変形例を示す断面模式図。本発明の電子機器の一例を示す斜視図。

符号の説明

２…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、４…画素電極（第１電極）、７…発光部（発光層）、７ａ…発光素子、８，９…対向電極（陰極）、１０…ドレイン電極、１１…ソース電極、１２…ゲート電極、１３…半導体層、１５…ゲート絶縁層、１６ａ，１７ａ，１６ｂ，１７ｂ，１６ｃ，１７ｃ…第１〜第６誘電体層（透光性誘電体層）、１８…層間絶縁層

Claims

薄膜トランジスタを用いた発光装置であって、
前記薄膜トランジスタに接続された第１電極と、該第１電極に対向配置された第２電極と、これら第１電極と第２電極との間に配設された発光層とを有してなる発光素子がマトリクス状に複数設けられ、
前記薄膜トランジスタは、隣合う前記発光素子の境界部に設けられるとともに、島状に形成された半導体層と、該半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上および前記ゲート絶縁層上に設けられた層間絶縁層と、該層間絶縁層上に設けられたソース電極及び／又はドレイン電極とを有し、
前記層間絶縁層は、前記薄膜トランジスタの形成領域から前記発光素子の形成領域まで跨って同層で形成され、屈折率の異なる複数の透光性誘電体層を有してなり、
前記発光素子の形成領域に配置された前記層間絶縁層は、前記発光素子から発せられた光の共振機能を有することを特徴とする発光装置。
前記層間絶縁層上にソース電極及びドレイン電極が形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記第１電極が透光性の導電材料からなるとともに前記層間絶縁層上に形成されてなり、前記発光層で発せられた光は当該第１電極側から射出されることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
前記層間絶縁層が屈折率の異なる２種の透光性誘電体層を交互に積層してなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
前記ゲート絶縁層が、該ゲート絶縁層上に形成された前記層間絶縁層とは屈折率の異なる透光性誘電体層を有してなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発
光装置。
面内にマトリクス状に配設された複数の発光領域と、該発光部間に配設された駆動領域とを有してなる発光装置の製造方法であって、
基材上の前記駆動領域に島状の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を含む前記基材上に、前記発光領域及び前記駆動領域に跨る形でゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上の前記駆動領域に島状のゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁層上に、透光性の第１誘電体層と、同じく透光性で且つ前記第１誘電体層とは屈折率の異なる第２誘電体層とを交互に積層して、前記発光領域及び前記駆動領域に跨る形で層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層上の前記駆動領域にソース電極及びドレイン電極を形成する一方、該層間絶縁層上の前記発光領域に透光性の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に発光層及び第２電極をそれぞれ形成する工程とを含み、
前記層間絶縁層は前記発光層から発せられた光の共振機能を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。