JP4696621B2

JP4696621B2 - 半導体装置

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Publication number: JP4696621B2
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Inventors: 汪元山脇
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Priority date: 2005-03-22
Filing date: 2005-03-22
Publication date: 2011-06-08
Anticipated expiration: 2025-03-22
Also published as: JP2006269564A

Description

本発明は、半導体チップから発生した熱を効率良く放熱することができる半導体装置に関する。

半導体装置は、近年、電子機器の小型化に伴って、小型化が求められている。そこで、半導体装置では、半導体チップをプリント配線基板上に実装する方法としてフェイスアップ実装からフリップチップ実装へとなってきている。フェイスアップ実装は、例えば高周波トランジスタ等の回路が形成された側の面を上向きにしてプリント配線基板上に半導体チップを実装して、ワイヤーで半導体チップとプリント配線基板に形成された導体パターンとを電気的に接続する。一方、フリップチップ実装は、回路が形成されている面が下向きとなるように半導体チップを配置し、半導体チップと導体パターンとの間に導電性材料からなるバンプを設け、バンプを介して半導体チップと導体パターンとを電気的に接続する。

半導体装置では、ワイヤーを用いて半導体チップとプリント配線基板とを電気的に接続するフェイスアップ実装よりも、バンプを使うため、フリップチップ実装の方が信号の伝送経路が短くなり、信号の伝送損失を抑えることができる。また、半導体装置では、フリップチップ実装の場合、ワイヤーを用いていないことから、このワイヤーの取り付け部分の面積を省くことができ、小型化することができる。

そこで、半導体装置では、信号の伝送が良好であり、小型化することができることから、フェイスアップ実装よりもフリップチップ実装で半導体チップをプリント配線基板上に実装するようにしている。また、フリップチップ実装は、信号の伝送経路が短くなることで、信号の伝送を良好にすることができることから、例えばμ波、ミリ波等の高周波領域において作動する半導体チップを用いる場合に有効である。

しかしながら、半導体装置では、μ波、ミリ波等の高周波領域において作動する半導体チップを用いた場合、電力効率が悪く、一定ＲＦ（Radio Frequency）出力を得るために直流供給電力が大きくなるため、発熱量が多くなってしまう。半導体装置では、半導体チップから発生した熱を十分に放熱できないと、半導体チップの特性が劣化し、更には半導体チップの破損にも結びつく虞がある。このため、半導体装置では、十分に放熱を行う必要がある。

半導体チップをフリップチップ実装した半導体装置では、例えば下記の特許文献１に提案されているような方法で放熱を行っている。図８に示すように、特許文献１に提案されている半導体装置６０は、多層基板６１上に信号用電極６２及び地導体用電極６３が形成されており、半導体チップ６４に設けられた導電性バンプ６５がこの信号用電極６２及び地導体用電極６３と電気的に接続するように、多層基板６１上に半導体チップ６４がフリップチップ実装されている。この半導体装置６０では、半導体チップ６４の発熱部６４ａから発生した熱を導電性バンプ６５を介して地導体用電極６３に伝え、多層基板６１や図示しない多層基板６１に積層されたヒートシンクに放熱される。この半導体装置６０では、熱が導電性バンプ６５まで導かれるため、半導体チップ６４の回路が形成されている面に対して面方向に放熱経路が形成され、放熱経路をとることによって効率よく放熱されず、放熱効率が低下してしまう。

また、半導体チップをフリップチップ実装した半導体装置では、下記の特許文献２に提案されているような放熱方法もある。図９に示すように、特許文献２に提案されている半導体装置７０は、モジュール基板７１上にフリップチップ実装された半導体チップ７２が実装基板７３上に実装されている。具体的に、この半導体装置７０は、半導体チップ７２がフリップチップ実装されているモジュール基板７１が上側となり、半導体チップ７２のフリップチップ実装側とは反対側の面が実装基板７３側となるように、実装基板７３上に熱伝導性材料７４で半導体チップ７２が実装されている。この半導体装置７０では、半導体チップ７２のフリップチップ実装側とは反対側の全面が熱伝導性材料７４で実装基板７３と接着されているため、半導体チップ７２の発熱部７２ａから発生した熱が熱伝導性材料７４を介して実装基板７３に放熱される。

この半導体装置７０では、下記の特許文献１のようにバンプを用いて放熱した場合よりも、半導体チップ７０のフリップチップ実装側とは反対側の全面が実装基板７３に接着されているため、半導体チップ７０のフリップチップ実装側とは反対側の全面から放熱することができ、放熱効率はよくなる。しかしながら、この半導体装置７０では、半導体チップ７２と実装基板７３との間の信号の伝送経路をモジュール基板７１と実装基板７３上に形成された配線パターン７５との間に接続部材７６を設けて形成するようになる。このため、半導体装置７０では、モジュール基板７１と実装基板７３との間に設けた接続部材７６の分だけ半導体チップ７２と実装基板７３との間の信号の伝送経路が長くなってしまう。半導体装置７０では、信号の伝送経路が長くなることにより、信号を伝送損失しやすくなり、特性劣化が生じ、半導体チップ７２をモジュール基板７１上にフリップチップ実装することによる効果が得られなくなってしまう。

また、半導体チップをフリップチップ実装した半導体装置では、下記の特許文献３に提案されているような放熱方法もある。図１０に示すように、特許文献３に提案されている半導体装置８０は、半導体チップとなる半導体ペレット８１がベース基板８２上にフリップチップ実装され、半導体ペレット８１をベース基板８２との間で封じ、放熱部材となる封止用キャップ８３が設けられている。また、この半導体装置８０には、半導体ペレット８１と封止用キャップ８３との間に、半導体ペレット８１が作動することにより発生する電磁波を電荷で吸収し、外部に伝播する電磁波を防止する金属層８４が設けられている。この半導体装置８０では、半導体ペレット８１と、放熱部材となる封止用キャップ８３との間の金属層８４が設けられているため、半導体ペレット８１の発熱部８１ａからの熱は金属層８４に伝わり、金属層８４を介して封止用キャップ８３に伝わることから、熱伝導率が悪くなり、放熱効率が低下してしまう。このため、このような半導体装置８０では、電力が大きい半導体ペレット８１を用いた場合には十分な放熱を行うことができなくなってしまう。

上述したように、半導体装置では、半導体チップをプリント配線基板上にフリップチップ実装して、信号の伝送を良好にするとともに、半導体チップから発生した熱を十分に放熱することは困難である。特に、μ波、ミリ波等の高周波領域において作動する半導体チップを用いた場合には、直流供給電力が大きくなり、発熱しやすくなるため、信号の伝送を良好にし、十分な放熱を行うことが困難となる。

特開２００１−３４５３９８号公報特開２００２−１１０８７１号公報特開平７−１６９８６９号公報

そこで、本発明は、半導体チップがプリント配線基板上にフリップチップ実装され、信号の伝送が良好であり、放熱も十分に行うことができる半導体装置を提供することを目的とする。

上述した目的を達成する本発明に係る半導体装置は、プリント配線基板の一方の面にフリップチップ実装される半導体チップと、半導体チップから発生した熱を放熱し、半導体チップのフリップチップ実装している側とは反対側の全面に熱伝導性接着剤を介して取り付けられ、半導体チップとともにプリント配線基板上に取り付けられる放熱部材と、凹部状に形成され、凹部の内面を半導体チップ側にして、プリント配線基板の半導体チップが実装されている面に熱伝導性導電接着剤を介して外周壁が突き合わされ、該外周壁よりも内側に形成され、凹部の内面から突出した突部が熱伝導性導電接着剤で放熱部材に突き合わされている金属製のキャップ部材とを有し、キャップ部材の外周壁と突部に跨って、突部と放熱部材とに接する遮蔽板が形成されている。

本発明では、プリント配線基板上にフリップチップ実装されている半導体チップのフリップチップ実装側とは反対側の全面を覆うように放熱部材が設けられているため、半導体チップの反対側の全面から熱を吸収し、放熱することができることから、効率よく放熱することができ、十分な放熱を行うことができる。また、本発明では、プリント配線基板上に半導体チップが実装されているため、信号の伝送経路を縮小することができ、信号の伝送損失を防止することができる。更に、本発明では、キャップ部材により半導体チップが保護されると共に、半導体チップが発生した熱を放熱することができる。これにより、本発明では、半導体チップをプリント配線基板上にフリップチップ実装することによる効果である信号の伝送性を良好にし、放熱も十分行うことができる。

以下、本発明を適用した半導体装置について図面を参照して詳細に説明する。本発明を適用した半導体装置は、例えばμ波、ミリ波等の高周波領域において作動する高周波回路が形成された半導体チップを有しているものである。半導体装置１は、図１に示すように、プリント配線基板２と、プリント配線基板２上にフリップチップ実装される半導体チップ３と、半導体チップ３から発生した熱を放熱する放熱部材４とを有し、更に半導体チップ３と放熱部材４を覆うキャップ部材５を有する。

プリント配線基板２は、絶縁基板が複数積層されている。各基板上には、銅箔をパターンニングした導体パターンが複数形成されている。具体的に、プリント配線基板２は、図１に示すように、半導体チップ３がフリップチップ実装される側の第１の基板１１ａと、接地層が設けられた第２の基板１１ｂとを有している。第１の基板１１ａには、図２に示すように、導体パターンとして信号を伝送するための信号用導体パターン１２ａと、半導体チップ３に直流を供給する直流供給用導体パターン１２ｂと、接地用導体パターン１２ｃとが形成されている。信号用導体パターン１２ａ及び直流供給用導体パターン１２ｂは、互いに直交するような向きで形成されている。なお、プリント配線基板２は、図１に示すような２層構造に限定されず、１層又は３層以上であってもよい。

信号用導体パターン１２ａの一端は、半導体チップ３に設けられた信号用バンプ２１ａを介して、半導体チップ３に形成された高周波回路と電気的に接続されている。他端は、詳細を図示しない第１の基板１１ａ内部に形成されたスルーホールやめっき等で形成する半田バンプでプリント配線基板２内に形成された他の導体パターンと電気的に接続されている。信号用導体パターン１２ａは、半導体チップ３の高周波回路とプリント配線基板２内の導体パターンとを電気的に接続することによって、信号の入出力線となる。

直流供給用導体パターン１２ｂの一端は、半導体チップ３に設けられた直流供給用バンプ２１ｂを介して、半導体チップ３に形成された高周波回路と電気的に接続されている。他端は、プリント配線基板２内に形成された電源層とスルーホールやめっき等で形成された半田バンプを介して電気的に接続されている。直流供給用導体パターン１２ｂは、半導体チップ３の高周波回路と電源層とを電気的に接続することによって、半導体チップ３に直流を供給する。

接地用導体パターン１２ｃは、後述する放熱部材４の接合部３１と電気的に接続され、図４に示すように、第１の基板１１ａと第２の基板１１ｂとの間に設けられた接地層１３と第１の基板１１ａに形成されたスルーホール１４、又は半田バンプを介して電気的に接続されている。

プリント配線基板２上にフリップチップ実装される半導体チップ３は、一方の面に電界効果トランジスタ等を含む高周波回路が形成されている。半導体チップ３には、図４に示すように、プリント配線基板２の信号用導体パターン１２ａの一端と電気的に接続される信号伝送用の信号用バンプ２１ａと、直流供給用導体パターン１２ｂの一端と電気的に接続される直流供給用バンプ２１ｂとが電解又は無電解めっき等で形成されている。半導体チップ３は、信号用バンプ２１ａを信号用導体パターン１２ａに電気的に接続し、直流供給用バンプ２１ｂを直流供給用導体パターン１２ｂに電気的に接続することで、プリント配線基板２上にフリップチップ実装される。

半導体チップ３から発生した熱を放熱する放熱部材４は、図３及び図４に示すように、半導体チップ３の高周波回路が形成されている一方の面とは反対側の他方の全面を覆うように半導体チップ３上に取り付けられる。放熱部材４は、熱伝導性の良好な銅等の金属で形成されている。

放熱部材４には、半導体チップ３と接合されるチップ接合部３１の四隅にプリント配線基板２に形成された接地用導体パターン１２ｃと電気的に接続される突起３２が離間して設けられている。突起３２は、チップ接合部３１が半導体チップ３と接合され、放熱部材４がプリント配線基板２上に取り付けられた際に、チップ接合部３１を支持する。この突起３２は、半導体チップ３をプリント配線基板２上にフリップチップ実装した際に、半導体チップ３の他方の面と同じ高さとなるように形成されている。チップ接合部３１の半導体チップ３と接合される面の突起３２で囲まれた内側は、半導体チップ３を収納する収納部となる。また、チップ接合部３１は、突起３２が設けられている側の面とは反対側の面が平坦に形成されている。

以上のように構成される放熱部材４は、図４に示すように、半導体チップ３の高周波回路が形成されている一方の面とは反対側の他方の全面に塗布して形成した金とスズの合金（ＡｕＳｎ）からなるＡｕＳｎ溶剤等の熱伝導性接着剤からなる接着層３３を介して、半導体チップ３上に取り付けられる。半導体チップ３に取り付けられた放熱部材４は、図３に示すように、接地用導体パターン１２ｃの取付部を基準にして、突起３２が取付部に導電性接着剤を介して接着されることで、プリント配線基板２に取り付けられる。これにより、放熱部材４は、接地用導体パターン１２ｃに接地されるとともに、プリント配線基板２上に安定した姿勢で取り付けられることになる。プリント配線基板２上に取り付けられた放熱部材４は、チップ接合部３１に突起３２が離間して設けられているため、プリント配線基板２上に実装された際に、突起３２間に信号用導体パターン１２ａ及び直流供給用導体パターン１２ｂが通ることになる。

また、放熱部材４をプリント配線基板２上に実装する際には、放熱部材４の半導体チップ３と接続されている面とは反対側の面が平坦に形成されているため、吸着及び加圧可能な接合具を用い、この接合具を平坦な面に吸着させることによって、放熱部材４を容易に移動させ、正確な位置決めを行うことができる。

半導体チップ３及び放熱部材４を覆うキャップ部材５は、図１に示すように、放熱部材４と同様に熱伝導性の良好な例えばアルミニウム等の金属材料からなり、ダイキャストにより凹状に形成されている。キャップ部材５は、プリント配線基板２の半導体チップ３がフリップチップ実装されている面に取り付けられ、凹部部分に半導体チップ３と放熱部材４とを収納する。キャップ部材５は、半導体チップ３及び放熱部材４を収納することで、半導体チップ３を湿気等から保護し、半導体チップ３の劣化を防止する。また、キャップ部材５は、外部からの電磁波が内部に伝播されることを防止し、外部からの電磁波から半導体チップ３を保護する。

キャップ部材５は、プリント配線基板２と突き合わされる外周壁４１の内部の放熱部材４と対向する位置に、放熱部材４と突き合わされる突部４２が設けられている。外周壁４１は、プリント配線基板２の半導体チップ３が実装されている面の外周と突き合わされ、プリント配線基板２と接着される。突部４２は、キャップ部材５の凹部の内面から突出して形成され、放熱部材４の半導体チップ３が接着している側とは反対側の面に突き合わされ、放熱部材４と接着される。この突部４２は、放熱部材４と接着される面の面積が少なくとも放熱部材４の面積と同じ、又は放熱部材４の面積よりも大きく形成される。これにより、突部４２と放熱部材４との接着が容易となる。

キャップ部材５をプリント配線基板２に取り付ける際には、プリント配線基板２と外周壁４１との間に熱伝導性導電接着剤からなる接着層４３ａ、及び放熱部材４と突部４２との間に熱伝導性導電接着剤からなる接着層４３ｂを設け、窒素（Ｎ_２）ガス雰囲気中で加熱硬化させることにより、キャップ部材５とプリント配線基板２及び放熱部材４とを接着し、プリント配線基板２に取り付ける。

キャップ部材５は、プリント配線基板２に取り付けられることによって、外周壁４１とプリント配線基板２の間に接着層４３ａが設けられているため、内部を気密にし、半導体チップ３及び放熱部材４を保護する。また、キャップ部材５の外周壁４１と突部４２との間に形成された空間には、Ｎ_２が充填されているため、半導体チップ３の酸化が防止される。

プリント配線基板２に取り付けられたキャップ部材５は、突部４２が放熱部材４と間に設けた接着層４３ｂを介して接合されることによって、半導体チップ３から発生した熱が放熱部材４及び接着層４３ｂを介して伝わり、放熱部材４と同様に熱を放熱させることができる。

以上のような構成からなる半導体装置１では、半導体チップ３が作動することによって発生した熱は半導体チップ３の高周波回路が形成されている一方の面とは反対側の他方の全面から放熱部材４との間に設けられた接着層３３を介して、放熱部材４に伝わり、放熱部材４に伝わった熱がキャップ部材５との間に設けた接着層４３ｂを介してキャップ部材５に伝わることによって、熱を外部に放熱することができる。半導体装置１では、発生した熱が半導体チップ３の他方の全面から放熱部材４に伝わり、この放熱部材４より更に大きい面積を有するキャップ部材５に熱を伝えて放熱することによって、効率よく放熱することができる。

また、この半導体装置１では、プリント配線基板２に半導体チップ３を信号用バンプ２１ａ及び直流供給用バンプ２１ｂを用いたフリップチップ実装を用いているため、信号の伝送経路をワイヤーで形成したフェイスアップ実装の場合よりも伝送経路が短縮され、信号の伝送損失を抑えられることから、信号の伝送が良好であり、半導体チップ３の入出力信号の伝達を効率よく行わせることができる。これにより、半導体装置１では、半導体チップ３に形成されている高周波回路への直流供給電力が大きいため、発熱しやすいが効率よく放熱することができ、半導体チップ３の熱による劣化が防止され、高周波特性が向上し、良好な状態で維持することができる。

また、この半導体装置１では、プリント配線基板２上に半導体チップ３をフリップチップ実装することによって、フェイスアップ実装を用いた場合よりもワイヤーで半導体チップ３とプリント配線基板２とを接続する工程を省くことができるため、製造工数が削減され、製造工程を短縮することができる。これにより、この半導体装置１では、製品の納期を短縮でき、製造単価を低減させることができる。

また、この半導体装置１では、熱等による半導体チップ３への影響が小さく、半導体チップ３の特性を維持できるため、特性の低い半導体チップ３を用いることができる。これにより、半導体装置１では、コストを削減することができる。

また、上述した半導体装置１では、プリント配線基板２上に１つの半導体チップ３を設けたものを例に挙げて説明したが、このことに限定されず、図５に示すように、複数の半導体チップ３を設けてもよい。図５に示す半導体装置５０では、上述した半導体装置１と同じ構成については同一符号を付して詳細な説明を省略する。

この半導体装置５０では、プリント配線基板２上に３つの半導体チップ３がフリップチップ実装されている。各半導体チップ３には、放熱部材４が熱伝導性接着剤からなる接着層３３を介して取り付けられる。半導体装置５０には、更にプリント配線基板２に取り付けられるキャップ部材５１を有する。

キャップ部材５１は、放熱部材４と同様に熱伝導性の良好な例えばアルミニウム等の金属材料からなり、ダイキャストにより凹状に形成されている。キャップ部材５１は、プリント配線基板２の半導体チップ３がフリップチップ実装されている面に取り付けられ、凹部部分に各半導体チップ３と放熱部材４とを収納し、保護する。また、キャップ部材５１は、外部からの電磁波が内部に伝播されることを防止し、外部からの電磁波から各半導体チップ３を保護する。

キャップ部材５１は、プリント配線基板２と突き合わされる外周壁５２の内部の各放熱部材４と対向する位置に、各放熱部材４と突き合わされる突部５３が設けられている。突部５３は、キャップ部材５１の凹部の内面から突出して形成され、各放熱部材４の半導体チップ３が接着している側とは反対側の面に突き合わされ、各放熱部材４と接着する。この突部５３は、各放熱部材４と接着される面の面積が少なくとも放熱部材４の面積と同じ、又は放熱部材４の面積よりも大きく形成される。このため、突部５３と各放熱部材４との接着が容易となる。

キャップ部材５１をプリント配線基板２に取り付ける際には、プリント配線基板２と外周壁５２との間に熱伝導性導電接着剤を用いた接着層５４ａ、及び各放熱部材４と突部５３との間に熱伝導性導電接着剤からなる接着層５４ｂを設け、窒素（Ｎ_２）ガス雰囲気中で加熱硬化させることにより、キャップ部材５１とプリント配線基板２及び放熱部材４とを接着し、プリント配線基板２に取り付ける。

キャップ部材５１は、プリント配線基板２に取り付けられることによって、プリント配線基板２の間に接着層５４ａが設けられているため、内部を気密にし、半導体チップ３及び放熱部材４を保護する。また、キャップ部材５１の外周壁５２と突部５３との間に形成された空間には、Ｎ_２が充填されているため、半導体チップ３の酸化が防止される。

プリント配線基板２に取り付けられたキャップ部材５１は、各突部５３が各放熱部材４と接着層５４ｂを介して接着されていることによって、各半導体チップ３から発生した熱が放熱部材４及び接着層５４ｂに伝わり、熱を外部に放熱させることができる。

この半導体装置５０では、各半導体チップ３から発生した熱が各半導体チップ３の他方の全面から放熱部材４を介して伝わり、放熱部材４の面積よりも更に大きい面積を有するキャップ部材５１に伝わることによって、各半導体チップ３から発生した熱を効率よく放熱することができる。

また、この半導体装置５０では、プリント配線基板２に半導体チップ３がフリップチップ実装されているため、伝送経路が短縮され、信号の伝送損失が抑えられるため、信号の伝送が良好であり、半導体チップ３の入出力信号の伝達を効率よく行わせることができる。これにより、半導体装置５０では、各半導体チップ３から発生した熱を効率よく放熱することで、半導体チップ３の熱による劣化を防止され、半導体チップ３の高周波特性が向上し、良好な状態で維持することができる。また、この半導体装置５０では、上述した半導体装置１と同様に、フェイスアップ実装する場合よりも製造工程を短縮することができ、コストを削減することもできる。

また、半導体装置５０には、図６及び図７に示すように、外周壁５２と突部５３との間に遮蔽板５５を設けてもよい。遮蔽板５５は、プリント配線基板２上に形成されている直流供給用導体パターン１２ｂと並設するように、外周壁５２と突部５３との間に設ける。この遮蔽板５５は、キャップ部材５１をダイキャストで成型する際に、突部５３と同時成型して形成される。遮蔽板５５は、プリント配線基板２に突き合わさるように設けたり、プリント配線基板２との間に、外周壁５２とプリント配線基板２との間に設けた接着層５４ａや突部５３と放熱部材４との間に設けた接着層５４ｂと同様の接着層を設けて、プリント配線基板２に接着させてもよい。この遮蔽板５５は、放熱部材４の側面と接している。

遮蔽板５５を設けた半導体装置５０では、遮蔽板５５が放熱部材４の側面に接し、熱伝導性の良好な材料で形成されているため、放熱部材４から突部５３及び遮蔽板５５に熱が伝わり、遮蔽板５５が設けられた分だけ熱が伝わる面積が広くなるため、遮蔽板５５を設けていない場合よりもより効率よく放熱することができる。また、半導体装置５０では、遮蔽板５５を設けることによって、キャップ部材５１内の電磁的干渉を防止することができる。これにより、半導体装置５０では、高周波回路が電磁波の影響を受けず安定して作動するため、各半導体チップ３の高周波特性の劣化を防止できる。

なお、半導体装置５０では、３つ半導体チップ３を設けることに限定されず、１又は複数設けるようにしてもよい。また、上述した半導体装置１及び半導体装置５０では、高周波回路が形成されている半導体チップ３を用いたがこのことに限定されず、高周波領域以外で作動する半導体チップを用いてもよい。

本発明を適用した半導体装置の断面図である。プリント配線基板に形成された導体パターンを示す平面図である。同半導体装置のフリップチップ実装部分を拡大した平面図である。図３中における線分Ａ−Ａにおける断面図である。同半導体装置の他の実施例を示す断面図である。同半導体装置の他の実施例を示す断面図である。同半導体装置の他の実施例で用いるキャップ部材の平面図である。従来の半導体装置の断面図である。従来の半導体装置の断面図である。従来の半導体装置の断面図である。

符号の説明

１半導体装置、２プリント配線基板、３半導体チップ、４放熱部材、５キャップ部材、１１ａ第１の基板、１１ｂ第２の基板、１２ａ信号用導体パターン、１２ｂ直流供給用導体パターン、１２ｃ接地用導体パターン、１３接地層、１４スルーホール、２１ａ信号用バンプ、２１ｂ直流用バンプ、３１チップ接合部、３２突起、３３接着層、４１外周壁、４２突部、４３ａ接着層、４３ｂ接着層

Claims

プリント配線基板の一方の面にフリップチップ実装される半導体チップと、
上記半導体チップから発生した熱を放熱し、上記半導体チップのフリップチップ実装している側とは反対側の全面に熱伝導性接着剤を介して取り付けられ、上記半導体チップとともに上記プリント配線基板上に取り付けられる放熱部材と、
外周壁によって内側に凹部が形成され、上記凹部を上記半導体チップ側にして、上記プリント配線基板の上記半導体チップが実装されている面に熱伝導性導電接着剤を介して外周壁が突き合わされ、凹部の内面から突出した突部が熱伝導性導電接着剤で放熱部材に突き合わされている金属製のキャップ部材とを有し、
上記キャップ部材の上記外周壁と上記突部に跨って、上記突部と上記放熱部材とに接する遮蔽板が形成されている半導体装置。
上記半導体チップには、高周波回路が形成されている請求項１記載の半導体装置。