JP4683869B2 - 半導体デバイスの故障診断方法と装置 - Google Patents
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Description
しかしそのため、半導体デバイスを製造する工程途中では、デバイスの故障検出を行うことはできない問題点があった。すなわち、従来の故障診断手段の場合、製造工程途中のチップに対してボンディングを行うことは非常に困難(実質的に不可能)であるため、製造工程途中の無バイアス下での故障診断はできなかった。
レーザ光照射位置から放射された電磁波を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換工程と、
前記電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断工程と、を有する、ことを特徴とする半導体デバイスの故障診断方法が提供される。
レーザ光照射位置から放射された電磁波を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換装置と、
前記電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断装置とを備えた、ことを特徴とする半導体デバイスの故障診断装置が提供される。
本発明の方法及び装置によれば、ビルトイン電界の電界発生部にパルスレーザ光を照射し、自由空間に放射される電磁波を検出することで、非接触に半導体デバイス内の電界分布を検出するので、無バイアス下のデバイスにも適用することができ、これにより、従来困難だった製造工程途中の半導体デバイスを無バイアス下での故障診断することができる。
この方法により、半導体デバイスの2次元電界ベクトル分布を画像化し、このベクトル分布画像から故障・不良箇所を更に精度よく特定することができる。
また、前記照射装置は、波長が300ナノメートル以上、2ミクロン以下であり、パルス幅が1フェムト秒以上10ピコ秒以下のパルスレーザ光を発生し、半導体デバイスのチップ裏面から照射する。
半導体デバイスがSiデバイスである場合、前記照射装置は、波長が1ミクロン以上2ミクロン以下であり、パルス幅が1フェムト秒以上10ピコ秒以下のパルスレーザ光を発生し、Siデバイスのチップ裏面から照射する。
半導体中の電場Eが存在する場所に、バンドギャップよりも大きなエネルギーをもつレーザ光を照射すると、光励起による電子・正孔対が生成し、その電子・正孔対が電場によって加速されるために電流が発生する。
レーザ光が連続光の場合は、定常的な電流が流れるが、レーザ光がパルス光の場合には、励起された電子・正孔対はある一定の時間で緩和し、電流も流れなくなるため、光パルスの幅と緩和時間に依存して、パルス状の電流が流れる。
電流に時間変化が発生した場合、古典電磁気学のMaxwellの方程式から導出される[数1]の(1)式によって、電磁波が放射される。
Eemission= E0cosωt・・・(2)式を仮定すると、
-Eemission=-E0cosωt=E0cos(-ωt)・・・(3)式となり、放射された電磁波の位相は、半導体中の電場ベクトルの向きを反映して正負反転する。すなわち位相が電場の向きを反映する。
また、(1)式から、放射される電磁波の振幅は半導体中の電場ベクトルの大きさに比例することがわかる。すなわち振幅が電場の大きさに比例する。
さらに、(1)式から、放射される電磁波の電界ベクトルの向き(偏光方向)が半導体中の電場ベクトルの向きに平行であることもわかる。すなわち偏光方向が電場の向きに平行である。
図1は、半導体のバンド図であり、図中のEFはフェルミ準位である。pn接合は、p型半導体(正孔がキャリア)とn型半導体(電子がキャリア)で構成される。p型とn型の半導体では、図1に示すようにフェルミ準位が異なる。
図2は、pn接合におけるエネルギー分布を示す図である。二つの半導体(p型、n型)を接合させた場合、フェルミ準位が一致するように、接合界面付近には接合作成時にその接合界面には空乏層が形成される(参照図2)。空乏層とは、キャリアが存在しない領域で、ビルトイン電界Eが形成されている。したがって、外部から電圧を印加しなくても、pn接合部の空乏層には定常的に電界が存在していることになる。pn接合部の空乏層に光を照射し、電子・正孔対を生成すると(1)式に従って、電磁波が発生する。
なお、ビルトイン電界はpn接合部に限定されず、無バイアス電圧下の半導体デバイスにおいて、MOSトランジスタを構成する金属半導体界面などにも発生していることが知られている。
またこのパルスレーザ光2は、波長域が300ナノメートル(300nm=0.3μm)以上、2ミクロン(2μm)以下であり、時間平均のエネルギーが0.1mW以上、10W以下であり、パルス幅が1フェムト秒(1fs=0.001ps)以上、10ピコ秒(10ps)以下であるのがよい。
すなわち、電磁波の励起に際しては、光源として幅の小さなパルスを用いることにより、集積回路に大きな影響を及ぼさない状態で、電磁波の励起ができる。熱的影響を及ぼさない最大光パルス幅は、約10ピコ秒と見積ることができる。
またこの図において、16は、電磁波の偏光方向を検出するための偏光素子である。
また、故障診断装置20は、時間的に変化する前記電圧信号の位相を判定する判定装置と、判定装置で判定された位相がレーザ光照射位置の電界分布に依存することを用いて半導体デバイスの電界分布を画像化する画像装置と、画像化した画像から半導体デバイスの故障・不良箇所を特定する故障・不良解析装置とを内蔵し、画像化した電界分布の画像をCRT上に表示するようになっている。この画像を正常な半導体デバイス1から得られる同様の画像と比較することにより、故障箇所があれば、その部分からの電界分布が変化するため、半導体デバイスの故障・不良箇所を特定することができる。
故障診断工程S3は、この例では、時間的に変化する前記電圧信号の位相を判定する判定工程S31と、判定工程で判定された位相がレーザ光照射位置の電界分布に依存することを用いて、半導体デバイスの電界分布を画像化する画像化工程S32と、画像化した画像から半導体デバイスの故障・不良箇所を特定する故障・不良解析工程S33とを有する。
10 故障診断装置、12 デバイス走査台、
14 パルスレーザ光源、15 集光レンズ、
16 偏光素子、18 検出・変換装置、
20 故障診断装置
Claims (13)
- 無バイアス状態で保持した半導体デバイスのpn接合部又は金属半導体界面に、パルス幅が1フェムト秒以上10ピコ秒以下であり所定の波長を有するパルスレーザ光を2次元的に走査して照射する照射工程と、
レーザ光照射位置から放射された電磁波を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換工程と、
前記電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断工程と、を有する、ことを特徴とする半導体デバイスの故障診断方法。 - 前記故障診断工程は、時間的に変化する前記電圧信号の位相を判定する判定工程と、
判定工程で判定された位相がレーザ光照射位置の電界分布に依存することを用いて、半導体デバイスの電界分布を画像化する画像化工程と、
画像化した画像から半導体デバイスの故障・不良箇所を特定する故障・不良解析工程とを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの故障診断方法。 - 前記検出・変換工程において、電磁波の偏光方向を検出し、前記判定工程において、電磁波の偏光方向を判定し、電磁波の偏光方向が電界の向きに平行であることを用いて、半導体デバイスの2次元電界ベクトル分布を画像化し、画像化したベクトル分布画像から半導体デバイスの故障・不良箇所を特定する、ことを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイスの故障診断方法。
- 前記故障診断工程は、時間的に変化する前記電圧信号の所定時刻での電場の振幅をサンプリングするサンプリング工程を有し、該サンプリング工程でサンプリングされた電場の振幅が前記レーザ光照射位置の電場強度に比例することを用いて電界強度分布を測定し、該電界強度分布から半導体デバイスの故障・不良箇所を特定する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの故障診断方法。
- 前記サンプリング工程の所定時刻は複数の時刻であり、該サンプリング工程は該複数の時間で電磁波の振幅をサンプリングし、異なる時刻の電界強度分布を測定し、該異なる時刻の電界強度分布を用いて故障・不良解析工程において半導体デバイスの故障・不良箇所を特定する、ことを特徴とする請求項4に記載の半導体デバイスの故障診断方法。
- 半導体デバイスの製造工程途中で適用することを特徴とする、請求項1に記載の半導体デバイスの故障診断方法。
- 前記照射工程におけるパルスレーザ光の所定の波長は、300ナノメートル以上、2ミクロン以下であり、レーザ光を半導体デバイスのチップ裏面から照射する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの故障診断方法。
- 半導体デバイスがSiデバイスである場合、前記照射工程におけるパルスレーザ光の所定の波長は、1ミクロン以上2ミクロン以下であり、レーザ光をSiデバイスのチップ裏面から照射することを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの故障診断方法。
- 前記故障・不良解析工程において、良品の半導体デバイスとの比較を行うことを特徴とする、請求項1に記載の半導体デバイスの故障診断方法。
- 無バイアス状態で保持した半導体デバイスのpn接合部又は金属半導体界面に、パルス幅が1フェムト秒以上10ピコ秒以下であり所定の波長を有するパルスレーザ光を2次元的に走査して照射する照射装置と、
レーザ光照射位置から放射された電磁波を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換装置と、
前記電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断装置とを備えた、ことを特徴とする半導体デバイスの故障診断装置。 - 前記故障診断装置は、時間的に変化する前記電圧信号の位相を判定する判定装置と、
判定装置で判定された位相がレーザ光照射位置の電界分布に依存することを用いて、半導体デバイスの電界分布を画像化する画像装置と、
画像化した画像から半導体デバイスの故障・不良箇所を特定する故障・不良解析装置とを有する、ことを特徴とする請求項10に記載の半導体デバイスの故障診断装置。 - 前記照射装置は、波長が300ナノメートル以上、2ミクロン以下であるパルスレーザ光を発生し、半導体デバイスのチップ裏面から照射する、ことを特徴とする請求項10に記載の半導体デバイスの故障診断装置。
- 半導体デバイスがSiデバイスである場合、前記照射装置は、波長が1ミクロン以上2ミクロン以下であるパルスレーザ光を発生し、Siデバイスのチップ裏面から照射する、ことを特徴とする請求項10に記載の半導体デバイスの故障診断装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9146390B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-09-29 | Sony Corporation | Photoconductive element, lens, terahertz emission microscope and method of producing device |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007007140B4 (de) * | 2007-02-09 | 2009-01-29 | Astrium Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Detektion mechanischer Defekte eines Halbleiter-Bauelements, insbesondere einer Solarzelle oder Solarzellen-Anordnung |
WO2008129755A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | 半導体デバイスの検査方法および半導体デバイスの検査装置 |
FR2920882B1 (fr) * | 2007-09-06 | 2010-02-26 | Eads Europ Aeronautic Defence | Procede de caracterisation des conditions d'utilisation d'un composant electronique permettant de limiter sa sensibilite aux interactions energetiques |
JP4183735B1 (ja) | 2007-10-15 | 2008-11-19 | 国立大学法人 岡山大学 | 物質分布計測装置 |
JP5333150B2 (ja) * | 2009-10-21 | 2013-11-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 静電解析方法及び静電解析装置 |
US9201096B2 (en) | 2010-09-08 | 2015-12-01 | Dcg Systems, Inc. | Laser-assisted device alteration using synchronized laser pulses |
TWI440869B (zh) * | 2010-09-08 | 2014-06-11 | Dcg Systems Inc | 使用雙光子吸收的雷射輔助裝置修改 |
EP2546634B1 (en) * | 2011-07-14 | 2019-04-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Inspection apparatus and inspection method |
JP5835795B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2015-12-24 | 株式会社Screenホールディングス | 検査方法および検査装置 |
JP5822194B2 (ja) | 2011-09-29 | 2015-11-24 | 株式会社Screenホールディングス | 半導体検査方法および半導体検査装置 |
JP6158468B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2017-07-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の故障位置解析方法及び装置 |
JP5892597B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP6078869B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2017-02-15 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP6161059B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-07-12 | 株式会社Screenホールディングス | フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 |
US10191111B2 (en) | 2013-03-24 | 2019-01-29 | Dcg Systems, Inc. | Synchronized pulsed LADA for the simultaneous acquisition of timing diagrams and laser-induced upsets |
CN104184413A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 新科实业有限公司 | 太阳能电池板的测试方法及测试装置 |
JP2015036671A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 横河電機株式会社 | 光起電力測定システム |
JP6418542B2 (ja) | 2013-12-10 | 2018-11-07 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP6395205B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2018-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置及び検査方法 |
JP6395206B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP6355100B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2018-07-11 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP6395213B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 改質処理装置および改質処理方法 |
JP2024081200A (ja) | 2022-12-06 | 2024-06-18 | 三星電子株式会社 | 測定装置及び検査装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000101145A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法及び評価装置、コンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに発光素子用エピタキシャルウェーハ |
JP2002313859A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-10-25 | Nec Corp | 非破壊検査方法および装置ならびに半導体チップ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56147444A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Measuring method for field strength |
JPS61220348A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体の処理過程評価方法およびその装置 |
DE69227056T2 (de) * | 1991-03-22 | 1999-05-12 | Nec Corp., Tokio/Tokyo | Verfahren zur Fehleranalyse unter Verwendung eines Elektronenstrahles |
LU87933A1 (fr) * | 1991-05-02 | 1992-12-15 | Europ Communities | Procede et dispositif d'etalonnage d'un pyrometre optique et plaquettes etalons correspondantes |
JPH0685023A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハにおける少数キャリアのライフタイム測定装置 |
US5872630A (en) * | 1995-09-20 | 1999-02-16 | Johs; Blaine D. | Regression calibrated spectroscopic rotating compensator ellipsometer system with photo array detector |
US5501637A (en) * | 1993-08-10 | 1996-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Temperature sensor and method |
JPH10135413A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及びその評価方法 |
US5936734A (en) * | 1997-12-23 | 1999-08-10 | J.A. Woollam Co. Inc. | Analysis of partially polarized electromagnetic radiation in ellipsometer and polarimeter systems |
US6211517B1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-04-03 | Lsi Logic Corporation | Electron beam fault detection of semiconductor devices |
WO2001055669A1 (en) * | 2000-01-26 | 2001-08-02 | Timbre Technologies, Incorporated | Caching of intra-layer calculations for rapid rigorous coupled-wave analyses |
JP2002062261A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Olympus Optical Co Ltd | 光学装置および顕微鏡 |
US6673637B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
JP4001373B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2007-10-31 | 独立行政法人理化学研究所 | 集積回路断線検査方法と装置 |
US6888632B2 (en) * | 2003-02-28 | 2005-05-03 | Therma-Wave, Inc. | Modulated scatterometry |
-
2004
- 2004-07-08 JP JP2004202019A patent/JP4683869B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-21 US US11/038,485 patent/US7173447B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000101145A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法及び評価装置、コンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに発光素子用エピタキシャルウェーハ |
JP2002313859A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-10-25 | Nec Corp | 非破壊検査方法および装置ならびに半導体チップ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9146390B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-09-29 | Sony Corporation | Photoconductive element, lens, terahertz emission microscope and method of producing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7173447B2 (en) | 2007-02-06 |
JP2006024774A (ja) | 2006-01-26 |
US20060006886A1 (en) | 2006-01-12 |
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