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JP4676735B2 - 光半導体装置の製造方法および光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置の製造方法および光半導体装置 Download PDF

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JP4676735B2 JP2004276078A JP2004276078A JP4676735B2 JP 4676735 B2 JP4676735 B2 JP 4676735B2 JP 2004276078 A JP2004276078 A JP 2004276078A JP 2004276078 A JP2004276078 A JP 2004276078A JP 4676735 B2 JP4676735 B2 JP 4676735B2
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resin
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好次 森田
智子 加藤
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Dow Corning Toray Co Ltd
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Description

本発明は、光半導体装置の製造方法、およびその方法により製造された光半導体装置に関する。
発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する方法としては、液状の熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化性樹脂を鋳型に注型し、これに発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤで接続したリードフレームをインサートした上で、前記樹脂を加熱あるいは紫外線照射により硬化する注型成形法(キャスティングモールディング)、熱可塑性樹脂を射出成形機のシリンダ中で加熱により溶融させた後、発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤにより接続したリードフレームをインサートした金型のキャビティ中に加圧充填し、前記樹脂を硬化させる射出成形法(インジェクションモールディング)、熱硬化性樹脂の硬化反応を途中で止めたB−ステージ樹脂に圧力をかけて液状化し、これに発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤで接続したリードフレームをインサートした金型に注型し、前記樹脂を熱硬化させるトランスファー成形法(トランスファーモールディング)等が知られている(特許文献1〜5参照)。
従来より、発光ダイオード封止用樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が一般的に使用されているが、光半導体装置の高輝度化にともない、その連続使用で硬化樹脂が変色し、信頼性が低下するという問題があった。また、その樹脂封止方法としては、注型成形法が一般的に使用されているが、熱硬化性樹脂の硬化が遅いため生産性が悪いという問題の他、樹脂封止部とリードフレームとを複数の治具で位置決めするため、得られる発光ダイオードに不良が発生しやすかったり、熱硬化性樹脂の硬化収縮による表面あれが発生しやすかったり、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールすることが困難であったり、封止樹脂中にボイドが混入しやすかったり、硬化応力が発光ダイオード素子に集中するため、発光ダイオード素子と封止樹脂との間で剥離が発生しやすいという問題があった。
また、トランスファー成形法では、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールすることができるという利点があるものの、発光ダイオード素子に接続しているボンディングワイヤーが封止樹脂の流動圧力により変形して、断線や接触を起こしたり、熱硬化性B−ステージ樹脂を保管及び輸送する際、前記B−ステージ樹脂の硬化の進行を防止するために冷却する必要があり、余分なコストがかかるという問題があった。
一方、射出成形法では、発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤで接続したリードフレームを直接成形金型に固定し、また使用する金型も少数であるので、得られる発光ダイオードのバラ付きが少なく、不良が発生しにくく、硬化収縮に起因する表面あれが生じないという利点があるものの、射出圧力により、発光ダイオード素子に接続しているボンディングワイヤが断線や接触を起こしたりするという問題があった。
特開昭54−19660号公報 特開昭57−2583号公報 特公平4−40870号公報 特開平9−107128号公報 特開2003−8082号公報
本発明は、発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する際、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造する方法を提供することを目的とし、さらに、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の光半導体装置の製造方法は、光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することにより透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した光半導体装置を製造することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記の方法により製造されたことを特徴とする。
本発明の光半導体装置の製造方法によれば、発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する際、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造できるという特徴があり、また、本発明の光半導体装置は、長期間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少なく、信頼性が優れるという特徴がある。
はじめに、本発明の光半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
本方法では、光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することにより、光半導体装置を透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止する。このような金型を有する圧縮成形機としては、一般に使用されている圧縮成形機を用いることができ、光半導体装置を挟持して、金型と光半導体装置のキャビティに供給された硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することのできる上型と下型、これらを加圧するためのクランプ、硬化性シリコーン組成物を加熱により硬化させるためのヒーター等を備えていればよい。このような圧縮成形機としては、特開平8−244064号公報、特開平11−77733号公報、あるいは特開2000−277551号公報に記載されている圧縮成形機が例示され、特に、装置が簡単であることから、特開2000−277551号公報により記載されている圧縮成形機であることが好ましい。
すなわち、特開2000−277551号公報に記載されている圧縮成形機は、下型に光半導体装置を載置して、上型と光半導体装置との間に透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を供給した後、上型と下型とで光半導体装置を挟持して硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することができる。この圧縮成形機においては、上型の封止領域の側面を囲む枠状に形成され、この側面に沿って型開閉方向に昇降自在に支持されるとともに、型開き時に上型の成形面よりも下端面を突出させ下型に向け付勢して設けられたクランパを有する。上型あるいは下型が硬化性シリコーン組成物に直接接触する場合には、これらの金型の成形面をフッ素樹脂によりコーティングしておくことが好ましい。特に、この圧縮成形機は、金型およびシリコーン硬化物に対して剥離性を有するフィルムを、上型の封止領域を被覆する位置に供給する剥離性フィルムの供給機構とを備えている。このような圧縮成形機によれば、この剥離性フィルムを介して光半導体装置を樹脂封止することにより、シリコーン硬化物が金型の成形面に付着したりすることを防止し、剥離性フィルムにより封止領域が確実に樹脂封止され、ばり等を発生させずに確実に樹脂封止することができる。
この圧縮成形機は、金型およびシリコーン硬化物に対して剥離性を有するフィルムを、下型の光半導体装置を載置する金型面を覆って供給する剥離性フィルムの供給機構を設けていることが好ましい。また、クランパの下端面に剥離性フィルムをエア吸着するとともに、上型の成形面とクランパの内側面とによって構成される封止領域の内底面側からエア吸引して封止領域の内面に剥離性フィルムをエア吸着する剥離性フィルムの吸着機構を設けることにより、剥離性フィルムが確実に金型面に支持されて樹脂封止することができる。また、剥離性フィルムの吸着機構としては、クランパの下端面で開口するエア孔と、クランパの内側面と上型の側面との間に形成されるエア流路に連通してクランパの内側面に開口するエア孔とを設け、これらのエア孔にエア吸引操作をなすエア機構を接続していることが好ましい。また、上型が、成形面に光半導体装置上の光半導体素子の搭載位置に対応して独立の成形部を成形するキャビティ凹部が設けられていてもよい。また、下型が、成形面に光半導体装置上の光半導体素子の搭載位置に対応して独立の成形部を成形するキャビティ凹部が設けられていてもよい。また、上型が、型開閉方向に可動に支持されるとともに、下型に向けて付勢して支持されていてもよい。また、下型の金型面に、光半導体装置を樹脂封止する際に封止領域からオーバーフローする硬化性シリコーン組成物を溜めるオーバーフローキャビティが設けられ、光半導体装置を押接するクランパのクランプ面に封止領域とオーバーフローキャビティとを連絡するゲート路が設けられていてもよい。
また、下型に光半導体装置を載置し、上型と光半導体装置との間に硬化性シリコーン組成物を供給し、金型およびシリコーン硬化物との剥離性を有するフィルムにより封止領域を被覆し、上型と下型とで硬化性シリコーン組成物とともに光半導体装置を狭持して封止する場合、光半導体装置を狭持する際に、上型の封止領域の側面を囲む枠状に形成され、この側面に沿って型開閉方向に昇降自在に支持されるとともに、上型の成形面よりも下端面を突出させて下型に向け付勢して設けられたクランパを光半導体装置に当接して、封止領域の周囲を樹脂封止し、徐々に上型と下型を近づけて封止領域内に硬化性シリコーン組成物を充填するとともに、上型と下型とを型締め位置で停止させ、封止領域内に硬化性シリコーン組成物を充填させて光半導体装置を樹脂封止することが好ましい。
図1は本方法に好適に用いられる圧縮成形機の主要構成部分を示している。20は固定プラテン、30は可動プラテンであり、各々プレス装置に連繋して支持されている。プレス装置は、電動プレス装置、油圧プレス装置のどちらも使用でき、プレス装置により可動プラテン30が昇降駆動されて所要の樹脂封止がなされる。
22は固定プラテン20に固設した下型ベースであり、23は下型ベース22に固定した下型である。下型23の上面には光半導体装置16を載置するセット部を設ける。本方法で用いる光半導体装置16は回路基板12上に複数個の光半導体素子10を縦横に等間隔で配置したものであってもよい。光半導体装置16は光半導体素子10を上向きにして下型23に載置される。24は下型ベース22に取り付けたヒータである。ヒータ24により下型23が加熱され、下型23に載置された光半導体装置16が加温される。26は上型と下型とのクランプ位置を規制する下クランプストッパであり、下型ベース22に立設されている。
32は可動プラテン30に固設した上型ベース、33は上型ベース32に固定した上型ホルダ、34は上型ホルダ33に固定した上型である。本方法では回路基板12に光半導体素子10を実装した片面側を平板状に樹脂封止する。そのため、上型34の成形面を封止領域にわたって平坦面に形成している。36は上型34および上型ホルダ33の側面を囲む枠状に形成したクランパであり、上型ベース32に昇降自在に支持するとともにスプリング37により下型23に向けて常時付勢して設ける。上型34の成形面はクランパ36の端面よりも後退した位置にあり、封止領域は型締め時にクランパ36の内側面と上型34の成形面によって包囲された領域となる。なお、クランパ36を付勢する方法はスプリング37による他にエアシリンダ等の他の付勢手段を利用してもよい。
38は上型ベース32に取り付けたヒータである。ヒータ38により上型ホルダ33、上型34が加熱され、型締め時に光半導体装置16が加熱される。39は上型ベース32に立設した上クランプストッパである。上クランプストッパ39と下クランプストッパ26とは型締め時に端面が互いに当接するよう上型側と下型側に対向して配置される。プレス装置により可動プラテン30が降下した際に、上クランプストッパ39と下クランプストッパ26とが当接した位置が型締め位置であり、この型締め位置によって封止領域の封止樹脂の厚さが規定されることになる。
40a、40bは上型34と下型23の成形面を被覆する幅寸法に形成された長尺体の剥離性フィルムである。剥離性フィルム40a、40bは樹脂封止時に硬化性シリコーン組成物が成形面に直に接しないように封止領域を被覆する目的で設けるものである。剥離性フィルム40a、40bは封止領域での成形面の凹凸にならって変形できるよう柔軟でかつ一定の強度を有するとともに、金型温度に耐える耐熱性、シリコーン硬化物および金型と容易に剥離できるフィルム材が好適に用いられる。このようなフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレン樹脂(PTFE)フィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂(ETFE)フィルム、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロプロピレン共重合樹脂(FEP)フィルム、ポリビニリデンフルオライド樹脂(PBDF)フィルム等のフッ素樹脂フィルム;ポリエチレンテレフタレート樹脂(PET)フィルム、ポリプロピレン樹脂(PP)フィルムが例示される。
本方法では、回路基板12の片面側のみ樹脂封止する場合には、硬化性シリコーン組成物に接する剥離性フィルムは上型34に供給する剥離性フィルム40aである。下型23の金型面を覆うように剥離性フィルム40bを供給するのは、剥離性フィルム40bの圧縮性、弾性を利用して回路基板12の厚さのばらつきを効果的に吸収できるようにし、これによってばり等を生じさせることなく確実に樹脂封止できるようにするためである。もちろん、上型34側にのみ剥離性フィルム40aを供給して樹脂封止することも可能である。
42a、42bは剥離性フィルム40a、40bの供給ロールであり、44a、44bは剥離性フィルム40a、40bの巻取りロールである。図のように、供給ロール42a、42bと巻取りロール44a、44bは金型を挟んだ一方側と他方側に各々配置され、上型側の供給ロール42aと巻取りロール44aは可動プラテン30に取り付けられ、下型側の供給ロール42bと巻取りロール44bは固定プラテン20に取り付けられている。これによって、剥離性フィルム40a、40bは金型の一方側から他方側へ金型内を通過して搬送される。上型側の供給ロール42aと巻取りロール44aは可動プラテン30とともに昇降する。46はガイドローラ、48は剥離性フィルム40a、40bの静電防止のための静電除去装置(イオナイザー)である。
上型34側に供給する剥離性フィルム40aはエア吸着により金型面に吸着して支持する。クランパ36にはクランパ36の端面で開口するエア孔36aと、クランパ36の内側面で開口するエア孔36bとを設け、これらエア孔36a、36bを金型外のエア機構に連絡する。上型ホルダ33にはクランパ36の内側面との摺動面にOリングを設け、エア孔36bからエア吸引する際にエア漏れしないようにしている。上型34の側面および上型ホルダ33の側面とクランパ36の内側面との間はエアを流通するエア流路となっており、エア孔36bからエア吸引することにより、上型34とクランパ36とによって形成された封止領域の内面に剥離性フィルム40aがエア吸着されるようになる。なお、エア孔36a、36bに連絡するエア機構はエアの吸引作用の他にエアの圧送作用を備えることも可能である。エア機構からエア孔36a、36bにエアを圧送することによって剥離性フィルム40aを金型面から容易に剥離させることができる。
本方法では、上述した構成において、次に示す方法により光半導体装置を樹脂封止することができる。図1で中心線CLの左半部は、可動プラテン30が上位置にある型開き状態を示す。この型開き状態で新しく金型面上に剥離性フィルム40a、40bを供給し、下型23に光半導体装置16を載置する。光半導体装置16は下型23の金型面を被覆する剥離性フィルム40bの上で位置決めして載置される。
図1で中心線CLの右半部はエア機構を作動させて剥離性フィルム40aを上型34とクランパ36の端面にエア吸着した状態である。剥離性フィルム40aを金型面に近接して搬送し、エア孔36a、36bからエア吸引することによってクランパ36の端面に剥離性フィルム40aがエア吸着されるとともに、上型34の成形面とクランパ36の内側面に沿って剥離性フィルム40aがエア吸着される。剥離性フィルム40aは十分な柔軟性と伸展性を有しているから上型34とクランパ36とによって形成される凹部形状にならってエア吸着される。なお、クランパ36の端面に設けるエア孔36aは上型34の周方向に所定間隔をあけて複数配置される。
剥離性フィルム40aを上型側の金型面にエア吸着する一方、下型23に載置した光半導体装置16の回路基板12上に硬化性シリコーン組成物50を供給する。硬化性シリコーン組成物50は封止領域の内容積に合わせて必要量だけ供給するもので、ディスペンサー等により定量吐出して供給することが好ましい。
図2は上型34と下型23とで光半導体装置16を狭持した状態を示す。同図で中心線CLの左半部は上型34を降下させてクランパ36の端面が光半導体装置16の回路基板12を押接している状態である。上型34はクランプ位置までは完全に降り切っておらず、クランパ36によって封止領域の周囲が閉止された状態で上型34により硬化性シリコーン組成物50が押されるようにして充填開始される。図2で中心線CLの右半部は、上型34が型締め位置まで降下した状態である。この型締め位置は、下クランプストッパ26と上クランプストッパ39の端面が当接した状態であり、型締め力によりスプリング37の付勢力に抗してクランパ36が上動し、封止領域が所定の厚さになる。
上型34が型締め位置まで降下することによって、封止領域が所定の厚さにまで押し込められ、封止領域に完全に硬化性シリコーン組成物50が充填されることになる。図2に示すように、中心線CLの左半部では剥離性フィルム40aと上型34のコーナー部に若干の隙間が形成されているが、上型34が型締め位置まで降下することによって上型34と剥離性フィルム40aとの隙間はなくなり、硬化性シリコーン組成物50が完全に封止領域を充填している。
光半導体装置16の樹脂封止面については、剥離性フィルム40aを介して狭持することにより、クランパ36によって封止領域の周囲部分が確実に閉止され、もれを生じさせずに樹脂封止することができる。回路基板12の表面に回路パターンが形成されていて表面に僅かに段差が形成されているといったような場合でも剥離性フィルム40aを介して狭持することにより、段差部分が吸収され、型締め時に樹脂封止領域の外側に硬化性シリコーン組成物が流出することを防止することができる。また、回路基板12の下面に配置される剥離性フィルム40bも、厚さ方向の弾性により光半導体装置の厚さのばらつきを吸収して、確実な樹脂封止を可能にすることができる。
型締めし、硬化性シリコーン組成物50が加熱されて硬化した後、型開きしてシリコーン硬化物で封止した光半導体装置を取り出す。剥離性フィルム40a、40bを介して封止しているから、シリコーン硬化物が成形面に付着することがなく、剥離性フィルム40a、40bが金型から簡単に剥離することから、型開き操作と光半導体装置の取り出し操作はきわめて容易である。エア孔36a、36bからエアを吹き出して剥離性フィルム40aを金型面から分離するようにしてもよい。型開きして、供給ロール42a、42bと巻取りロール44a、44bを作動させ、剥離性フィルム40a、40bとともに樹脂封止した光半導体装置を金型外に搬送する。
図3は本方法により樹脂封止した光半導体装置である。上型34は成形面を平坦面に形成したものであるから成形部の上面は平坦面に形成されて得られる。図のように隣接する光半導体素子10の中間位置でシリコーン硬化物と回路基板とを切断することによって個片の光半導体装置とすることもできる。この切断には、ダイシングソー、レーザー等を用いることができる。
また、本方法では、図4で示されるように、上型34の成形面に、回路基板12上に実装されている各々の光半導体素子10の実装位置に対応したキャビティ凹部34aを設け、各キャビティ凹部34aで光半導体素子10を独立させて樹脂封止することもできる。このような方法で得られるシリコーン硬化物72で封止した光半導体装置70を図5に示した。このような半導体装置についても、隣接する光半導体素子10の中間位置でシリコーン硬化物と回路基板とを切断することによって個片の光半導体装置とすることもできる。この切断には、ダイシングソー、レーザー等を用いることができる。
本方法で用いる硬化性シリコーン組成物は透明ないし半透明であり、硬化して透明ないし半透明のシリコーン硬化物を形成するものであれば特に限定されないが、好ましくは、光半導体素子の輝度を低下させないことから、可視光(波長400nm〜700nm)における光透過率が90%以上であるシリコーン硬化物を形成するものである。このシリコーン硬化物の光透過率は、硬化性シリコーン組成物を厚さ0.2mmに硬化し、この硬化物の厚さが光路長となるが、25℃、波長450nmにおける光透過率を測定することにより求めることができる。なお、硬化性シリコーン組成物中に、光半導体素子からの光を波長変換する蛍光体を含有する場合には、この蛍光体を含有するシリコーン硬化物の光透過率は90%以下であってもよい。
この硬化性シリコーン組成物は、圧縮成形によりシリコーン硬化物を形成するものであれば、その硬化機構は限定されないが、例えば、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物、有機過酸化物硬化性シリコーン組成物が挙げられ、硬化の際に副生物を生じないことから、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物であることが好ましい。このヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物としては、25℃における屈折率が1.45以上であるシリコーン硬化物を形成できることから、例えば、
(A)平均単位式:
1 aSiO(4-a)/2
{式中、R1は炭素原子数1〜10の置換または非置換一価炭化水素基(但し、一分子中、全R1の20モル%以上はフェニル基であり、R1の少なくとも2個はアルケニル基である。)であり、aは0.5≦a≦2.2の数である。}
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)平均単位式:
2 bcSiO(4-b-c)/2
{式中、R2は炭素原子数1〜10の置換または非置換一価炭化水素基(但し、アルケニル基を除く。)であり、bおよびcはそれぞれ、1.0<b<2.2、0.002<c<1、かつ1.0<(b+c)<3.0を満たす数である。}
で表され、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなるものであることが好ましい。
(A)成分は、上記組成物の主成分であり、平均単位式:
1 aSiO(4-a)/2
で表され、一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。上式中、R1は炭素原子数1〜10の置換または非置換一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示される。但し、一分子中、全R1の20モル%以上はフェニル基であり、R1の少なくとも2個はアルケニル基である。また、上式中、aは0.5≦a≦2.2の数である。
このような(A)成分の分子構造は限定されず、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、樹枝状、網状が例示されるが、シリコーン硬化物の物理特性が良好であることから、(A1)平均単位式:
1 dSiO(4-d)/2
(式中、R1は前記と同じであり、dは1.9≦d≦2.2の数である。)
で表される、25℃における粘度が10〜10,000,000mPa・sであるオルガノポリシロキサンと(A2)平均単位式:
1 eSiO(4-e)/2
(式中、R1は前記と同じであり、eは0.5≦e≦1.7の数である。)
で表されるオルガノポリシロキサンレジンとの混合物であり、該混合物中、(A1)成分が99〜30重量%の範囲内であり、(A2)成分が1〜70重量%の範囲内であるものが好ましく、特には、(A1)成分が90〜40重量%の範囲内であり、(A2)成分が10〜60重量%の範囲内であるものが好ましい。
(A1)成分は、その分子構造が直鎖状あるいは一部分岐を有する直鎖状であり、25℃における粘度は25℃における粘度が10〜10,000,000mPa・sの範囲内であり、好ましくは、100〜1,000,000mPa・sの範囲内であり、特に好ましくは、100〜100,000mPa・sの範囲内である。このような(A1)成分としては、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体が例示される。
(A2)成分は、その分子構造が分岐鎖状、樹枝状、あるいは網状であり、25℃で液状ないしは固形状である。このような(A2)成分は、例えば、式:R1 3SiO1/2で表されるシロキサン単位、式:R1 2SiO2/2で表されるシロキサン単位、式:R1SiO3/2で表されるシロキサン単位、式:SiO4/2で表されるシロキサン単位において、式:R1SiO3/2で表されるシロキサン単位単独からなるか、式:R1SiO3/2で表されるシロキサン単位と他のシロキサン単位との組み合わせからなるか、あるいは式:SiO4/2で表されるシロキサン単位と他のシロキサン単位との組み合わせからなるものである。なお、(A2)成分において、少量であれば、分子中にシラノール基やケイ素原子結合アルコキシ基を含有していてもよい。
(B)成分は上記組成物の硬化剤であり、平均単位式:
2 bcSiO(4-b-c)/2
で表され、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。上式中、R2はアルケニル基を除く炭素原子数1〜10の置換または非置換一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示される。シリコーン硬化物が高屈折率で、光透過性が良好であることから、一分子中、全R2の20モル%以上がフェニル基であることが好ましく、さらには、25モル%以上がフェニル基であることが好ましい。また、上式中、bおよびcはそれぞれ、1.0<b<2.2、0.002<c<1、かつ1.0<(b+c)<3.0を満たす数であり、(A)成分との反応性が良好であることから、cは0.02<c<1の数であることが好ましい。
このような(B)成分の分子構造は限定されず、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、樹枝状、網状、環状が例示される。(A)成分との混和性が良好であることから25℃で液状のものが好ましく、例えば、25℃における粘度が1〜1,000mPa・sの範囲内であることが好ましく、(A)成分との反応性が良好であることから、1〜50mPa・sの範囲内であることが好ましく、特に、1〜5mPa・sの範囲内であることが好ましい。このことから、(B)成分の一分子中のケイ素原子の数は3〜500の範囲内であることが好ましく、特に、3〜10の範囲内であることが好ましい。(B)成分中のケイ素原子結合水素原子の結合位置は限定されず、例えば、分子鎖末端および/または分子鎖側鎖が挙げられる。
上記組成物において、(B)成分の含有量は、(A)成分中のアルケニル基に対する(B)成分中のケイ素原子結合水素原子のモル比が1に近い値であることが好ましいが、実用的には、この値が0.3〜5の範囲内の値であることが好ましく、特に、0.6〜3の範囲内の値であることが好ましい。(B)成分中のケイ素原子結合水素原子の含有量や分子量、あるいは、(A)成分中のアルケニル基の含有量や分子量によって、(B)成分の含有量を重量比で示すことは難しいが、おおよそ、(A)成分100重量部に対して(B)成分の含有量は0.1〜50重量部の範囲内であることが好ましい。
(C)成分のヒドロシリル化反応用触媒は、上記組成物の硬化を促進するための触媒であり、白金黒、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール変性物、白金のオレフィン錯体、白金−ビス(アセトアセテート)、白金−ビス(アセチルアセトネート)、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体等の白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体等の白金系触媒が好ましい。また、この(C)成分として、ウィルキンソン錯体[クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム]等のロジウム系触媒やルテニウム系触媒を使用することも可能であるが、経済的な面から白金系触媒が推奨される。(C)の含有量は上記組成物の硬化を促進する量であれば特に限定されないが、実用的には、(A)成分と(B)成分の合計重量に対して白金金属の重量が0.1〜2,000ppmの範囲内となる量であることが好ましく、特に、0.1〜200ppmの範囲内となる量であることが好ましい。
上記組成物には、得られるシリコーン硬化物に良好な接着性を付与するための接着促進剤を含有することが好ましい。この接着促進剤としては、ケイ素原子に結合した加水分解性基を一分子中に少なくとも1個有する有機ケイ素化合物であることが好ましく、特に、同一のケイ素原子に結合した加水分解性基を少なくとも2個有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。この加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基;アセトキシ基等のアシロキシ基;イソプロペノキシ基等のアルケノキシ基;ジメチルケトキシム基、メチルエチルケトキシム基等のオキシム基が例示され、アルコキシ基であることが好ましく、特に、メトキシ基であることが好ましい。特に、この接着促進剤としては、トリメトキシ基を有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。また、この有機ケイ素化合物中の加水分解性基以外のケイ素原子に結合している基としては、前記と同様の置換もしくは非置換の一価炭化水素基の他に、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基;3−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基;水素原子が例示される。各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも1個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン、オルガノシロキサン、シラトランが例示される。このオルガノシロキサンの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。
このような有機ケイ素化合物としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のオルガノシラン;一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するオルガノシロキサン、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも1個有するオルガノシランまたはオルガノシロキサンと一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するオルガノシロキサンとの混合物、平均組成式:
Figure 0004676735
(式中、f、g、およびhは正数である。)
で示されるシロキサン化合物、平均組成式:
Figure 0004676735
(式中、f、g、h、およびjは正数である。)
で示されるシロキサン化合物が例示される。
上記組成物において、この接着促進剤の含有量は限定されないが、上記組成物を硬化して得られるシリコーン硬化物に良好な接着性を付与するためには、(A)成分100重量部に対して0.01〜20重量部の範囲内であることが好ましく、特に、0.1〜10重量部の範囲内であることが好ましい。これは、接着促進剤の含有量が上記範囲の下限未満であると、シリコーン硬化物の接着性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえてもシリコーン硬化物の接着性に影響はなく、むしろ、その機械的特性が低下したりする傾向があるからである。
さらに、上記組成物には、その貯蔵安定性を向上させたり、取扱扱作業性を向上させるために、2−メチル−3−ブチン−2−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、2−フェニル−3−ブチン−2−オール等のアセチレン系化合物;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体等の1分子中にビニル基を5重量%以上持つオルガノシロキサン化合物;ベンゾトリアゾール等のトリアゾール類、フォスフィン類、メルカプタン類、ヒドラジン類等の硬化抑制剤を含有することが好ましい。これらの硬化抑制剤の含有量は限定されないが、(A)成分と(B)成分の合計量100重量部に対して0.001〜6重量部の範囲内であることが好ましい。
また、上記組成物には、本発明の目的を損なわない限り、任意成分として、シリカフィラー、石英粉末、チタニア、アルミナ粉末等の無機質充填剤;ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末;顔料、耐熱剤、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。
本方法により製造した光半導体装置の具体例として、光半導体素子と配線基板とをワイヤーボンディングにより電気的に接続した光半導体装置を図3に示した。図3で示される光半導体装置は、光半導体素子10をダイボンド剤によって、金属製リードフレームやポリイミド樹脂製、エポキシ樹脂製、BTレジン製、あるいはセラミック製の回路基板12上に搭載した後、金線あるいはアルミニウム線からなるボンディングワイヤーによって回路基板12上に電気的に接続している。回路基板上に複数個の光半導体素子を同時に樹脂封止した場合には、ソーイング若しくは打ち抜きによって個々の光半導体装置に切断することができる。
本方法において、上記のような圧縮成形機を用いて光半導体装置をシリコーン硬化物で封止する際、硬化性シリコーン組成物が直接金型面に接触すると、金型面にヌメリ感を有する物質が付着することがあるので、前記のような剥離性フィルムを介して圧縮成形することが好ましい。剥離性フィルムを使用することにより、連続的にシリコーン硬化物で封止することが可能となり、金型の清掃等の間隔を伸ばすことができるので、生産効率を高めることができる。
本方法において、圧縮成形の条件は限定されないが、回路基板や光半導体素子への応力を低減させることから、加熱温度は60℃〜150℃の範囲内であることが好ましい。また、金型を予め加熱しておくことにより、圧縮成形のサイクルタイムを向上させることができる。さらに、用いる硬化性シリコーン組成物の種類にもよるが、予め下型により余熱されている回路基板上に硬化性シリコーン組成物を滴下することにより、硬化性シリコーン組成物の広がり性をコントロールすることもできる。
次に、本発明の光半導体装置を説明する。
本発明の光半導体装置は、上記の方法により製造されたことを特徴とする。このような光半導体装置は、シリコーン硬化物中にボイドの混入がないので、外観不良や耐湿性の低下を招来することがない。また、本発明の光半導体装置は、シリコーン硬化物の厚さが精度良くコントロールされているので、電子機器の小型化、薄型化に対応することができる。また、シリコーン硬化物で封止された本発明の光半導体装置は、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等が少ないので、信頼性が要求される、より広範囲の分野で使用することができる。このような光半導体素子としては、発光用半導体素子、受光用半導体素子が例示され、光半導体素子としては、LED(発光ダイオード)素子であり、液相成長法やMOCVD法により基板上にInN、AlN、GaN、ZnSe、SiC、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAlN、AlInGaP、InGaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成したものが好適である。このような本発明の光半導体装置としては、LEDの他に、フォトカプラー、CCDが例示される。
本発明の光半導体装置の製造方法および光半導体装置を実施例、比較例により詳細に説明する。なお、実施例、比較例で使用した硬化性シリコーン組成物、硬化性エポキシ樹脂組成物、およびそれらの硬化物の物性は次のようにして測定した。
[屈折率]
硬化性シリコーン組成物および硬化性エポキシ樹脂組成物の25℃、可視光(589nm)における屈折率をアッベ式屈折率計により測定した。
[光透過率]
2枚のガラス板で挟まれた0.2mmの隙間に硬化性シリコーン組成物を注入し、150℃で1時間加熱することにより前記組成物を硬化させ、シリコーン硬化物(光路長0.2mm)の試料セルを作製した。対照セルとして、2枚のガラス板で挟まれた0.2mmの隙間を水で充填したものを用いた。可視光領域(波長400nm〜700nm)において任意の波長で測定できる自記分光光度計を用いて、25℃、波長450nmにおけるシリコーン硬化物の光透過率を測定した。また、硬化性シリコーン組成物の代わりに硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、150℃で1時間加熱した後、さらに180℃で1時間加熱処理した以外は、前記と同様にして、エポキシ樹脂硬化物の光透過率を測定した。
[硬さ]
硬化性シリコーン組成物を150℃で1時間プレス成形することによりシート状のシリコーン硬化物を作製した。この硬化物の硬さをJIS K 6253に規定されるタイプAデュロメータあるいはタイプDデュロメータにより測定した。また、硬化性シリコーン組成物の代わりに硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、150℃で1時間加熱した後、さらに180℃で1時間加熱処理した以外は、前記と同様にしてエポキシ樹脂硬化物の硬さを測定した。
[接着力]
2枚のアルミニウム板(幅25mm、長さ75mm、厚さ1mm)の間にポリテラフルオロエチレン樹脂製スペーサ(幅10mm、長さ20mm、厚さ1mm)を挟み込んだ後、2枚のアルミニウム板で挟まれた1mmの隙間に硬化性シリコーン組成物を注入し、150℃で1時間加熱することにより前記組成物を硬化させ、接着試験片を作製した。この接着試験片をJIS K 6850に規定の引張せん断接着強さ試験を行い、接着力を測定した。また、硬化性シリコーン組成物の代わりに硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、150℃で1時間加熱した後、さらに180℃で1時間加熱処理した以外は、前記と同様にしてエポキシ樹脂硬化物の接着力を測定した。
[参考例1−3]
次の各成分を表1に示す組成で混合して硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の25℃における粘度、屈折率、およびシリコーン硬化物の光透過率、硬さ、接着力を表2に示した。
・オルガノポリシロキサン(A1):粘度15,000mPa・sであり、平均式:
(CH2=CH)(CH3)2SiO{(C6H5)(CH3)SiO}118Si(CH2=CH)(CH3)2
で表される分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルポリシロキサン{平均単位式:(CH2=CH)0.02(C6H5)0.98(CH3)1.02SiO0.99、ケイ素原子結合一価炭化水素基中のフェニル基の含有量=48.5モル%}
・オルガノポリシロキサン(A2):標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が2,400であり、平均シロキサン単位式:
(C6H5SiO3/2)0.75{(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2}0.25
で表される、トルエン可溶性の白色固体状オルガノポリシロキサン{平均単位式:
(CH2=CH)0.25(C6H5)0.75(CH3)0.50SiO1.25、ケイ素原子結合一価炭化水素基中のフェニル基の含有量=50.0モル%}
・オルガノポリシロキサン(A3):粘度150mPa・sであり、式:
{(CH2=CH)(CH3)2SiO}3SiOSi(C6H5)(CH3)2
で表されるオルガノポリシロキサン{平均単位式:(CH2=CH)0.60(C6H5)0.20(CH3)1.60SiO0.80
・オルガノポリシロキサン(A4):粘度150mPa・sであり、式:
(CH3SiO3/2)0.85{(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2}0.15
で表されるオルガノポリシロキサン{平均単位式:(CH2=CH)0.15(CH3)1.15SiO1.35
・オルガノポリシロキサン(A5):粘度50,000mPa・sであり、平均式:
(CH2=CH)(CH3)2SiO{(CH3)2SiO}718Si(CH2=CH)(CH3)2
で表される分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン{平均単位式:(CH2=CH)0.002(CH3)2.000SiO0.999
・オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1):粘度400mPa・sであり、平均シロキサン単位式:
(C6H5SiO3/2)0.60{(CH3)2HSiO1/2}0.40
で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン{平均単位式:(C6H5)0.60(CH3)0.80H0.40SiO1.10、ケイ素原子結合一価炭化水素基中のフェニル基の含有量=42.9モル%}
・オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2):粘度150mPa・sであり、平均式:
(CH3)3SiO{(CH3)HSiO}35Si(CH3)3
で表される分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン{平均単位式:(CH3)1.11H0.95SiO0.97
・ヒドロシリル化反応用触媒(C):白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液
・接着促進剤(D):平均組成式:
Figure 0004676735
で表されるシロキサン化合物
・硬化抑制剤(E):2−フェニル−3−ブチン−2−オール
Figure 0004676735
[参考例4]
エピコート828(油化シェルエポキシ株式会社製の液状エポキシ樹脂)59重量部、HN-5500(日立化成工業株式会社製の液状酸無水物)41重量部、DBU(1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7−エン)0.6重量部を混合して硬化性エポキシ樹脂組成物を調製した。この硬化性エポキシ樹脂組成物の25℃における粘度と屈折率、およびこのエポキシ樹脂硬化物の光透過率、硬さ、接着力について測定し、それらの結果を表2に示した。
Figure 0004676735
[実施例1−3、比較例1]
参考例1−3の硬化性シリコーン組成物および参考例4の硬化性エポキシ樹脂組成物を用いてて図3に示される光半導体装置を作製した。
すなわち、部分的に銀被覆したBTレジン基板の一方に電極に光半導体素子(LED素子)をダイボンドして搭載し、該素子から基板上のもう一方の電極にワイヤボンディングして、樹脂封止前の光半導体装置を作製した。同一基板に同様の装置を基板表面に20個並べて1列として、20列を搭載して樹脂封止前基板とした(基板の大きさ:100mm×100mm)。次に、この光半導体素子を搭載した回路基板1上の所定の箇所に総量20gの硬化性シリコーン組成物あるいは硬化性エポキシ樹脂組成物を室温で塗布した後、この回路基板を図1で示される圧縮成形機の下型に載置した。次に、この圧縮成型機の下型と上型(金型の汚染防止、シリコーン硬化物あるいはエポキシ樹脂硬化物の離型性向上のため、この上型の内側にはテトラフルオロエチレン樹脂製剥離性フィルムがエア吸引により密着している。)を合わせ、回路基板を狭持した状態で、150℃で10kgf/cm2の荷重をかけて10分間圧縮成形した(なお、硬化性エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、150℃で30分間圧縮成形した)。その後、樹脂封止した光半導体装置を金型から取り出し、これを150℃のオーブンで1時間加熱処理した(なお、硬化性エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、180℃で1時間加熱処理した)。この光半導体装置は、光半導体素子表面上における厚さが600μmであるシリコーン硬化物あるいはエポキシ樹脂硬化物で封止されており、これらの硬化物の表面は平滑でボイドもなく、外観と充填性はすべてが良好であった。シリコーン硬化物あるいはエポキシ樹脂硬化物で封止した光半導体装置の回路基板を各光半導体装置の中間点で切断して、個別の光半導体装置とした。これらの光半導体装置の特性を表3に示した。
Figure 0004676735
本発明の光半導体装置の製造方法は、光半導体装置をシリコーン硬化物で封止しており、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造できるので、発光ダイオードの製造方法として有用である。
本発明の光半導体装置の製造方法で用いられる圧縮成形機の構成を示す説明図である。 本発明の光半導体装置の製造方法で用いられる圧縮成形機により光半導体装置を硬化性シリコーン組成物で樹脂封止する状態を示す説明図である。 本発明の光半導体装置の端部を破断した斜視図である。 本発明の光半導体装置の製造方法で用いられる圧縮成形機の構成を示す説明図である。 本発明の光半導体装置の端部を破断した斜視図である。
符号の説明
10 光半導体素子
12 回路基板
16 光半導体装置
20 固定プラテン
22 下型ベース
23 下型
24 ヒータ
26 下クランプストッパ
30 可動プラテン
32 上型ベース
33 上型ホルダ
34 上型
34a キャビティ凹部
36 クランパ
36a、36b エア孔
37 スプリング
38 ヒータ
39 上クランプストッパ
40a、40b 剥離性フィルム
42a、42b 供給ロール
44a、44b 巻取りロール
46 ガイドローラ
48 静電除去装置
50 硬化性シリコーン組成物
70 シリコーン硬化物で封止した光半導体装置
72 シリコーン硬化物

Claims (11)

  1. 光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の
    (A)平均単位式:
    1 a SiO (4-a)/2
    {式中、R 1 は炭素原子数1〜10の置換または非置換一価炭化水素基(但し、一分子中、全R 1 の20モル%以上はフェニル基であり、R 1 の少なくとも2個はアルケニル基である。)であり、aは0.5≦a≦2.2の数である。}
    で表されるオルガノポリシロキサン、
    (B)平均単位式:
    2 b c SiO (4-b-c)/2
    {式中、R 2 は炭素原子数1〜10の置換または非置換一価炭化水素基(但し、アルケニル基を除く。)であり、bおよびcはそれぞれ、1.0<b<2.2、0.002<c<1、かつ1.0<(b+c)<3.0を満たす数である。}
    で表され、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、および
    (C)ヒドロシリル化反応用触媒
    から少なくともなるヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することを特徴とする、透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した光半導体装置の製造方法。
  2. 下型に光半導体装置を載置して、上型と該光半導体装置との間に透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を供給した後、該上型と該下型とで該光半導体装置を挟持して該硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  3. 少なくとも2つの光半導体装置を透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した後、個片の光半導体装置に切断することを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  4. 金型の内面に剥離性フィルムが密着していることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  5. 剥離性フィルムがエア吸引により金型の内面に密着していることを特徴とする、請求項4記載の光半導体装置の製造方法。
  6. 光半導体装置が、回路基板上に光半導体素子がボンディングワイヤにより電気的に接続されているものであることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  7. 光半導体装置が発光ダイオードであることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  8. シリコーン硬化物の可視光における光透過率が90%以上であることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  9. (B)成分の含有量が、(A)成分中のアルケニル基に対する(B)成分中のケイ素原子結合水素原子のモル比が0.3〜5となる量であり、(C)成分が白金系触媒であり、その含有量が、(A)成分と(B)成分の合計重量に対して白金金属の重量が0.1〜2,000ppmとなる量であることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  10. (A)成分が、
    (A 1 )平均単位式:
    1 d SiO (4-d)/2
    {式中、R 1 は炭素原子数1〜10の置換または非置換一価炭化水素基(但し、一分子中、全R 1 の20モル%以上はフェニル基であり、R 1 の少なくとも2個はアルケニル基である。)であり、dは1.9≦d≦2.2の数である。}
    で表される、25℃における粘度が10〜10,000,000mPa・sであるオルガノポリシロキサン99〜30重量%と(A 2 )平均単位式:
    1 e SiO (4-e)/2
    (式中、R 1 は前記と同じであり、eは0.5≦e≦1.7の数である。)
    で表されるオルガノポリシロキサンレジン1〜70重量%との混合物であることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
  11. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法により製造された光半導体装置。
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