JP4524669B2 - 投影光学系の検査方法および検査装置 - Google Patents
投影光学系の検査方法および検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4524669B2 JP4524669B2 JP2005512083A JP2005512083A JP4524669B2 JP 4524669 B2 JP4524669 B2 JP 4524669B2 JP 2005512083 A JP2005512083 A JP 2005512083A JP 2005512083 A JP2005512083 A JP 2005512083A JP 4524669 B2 JP4524669 B2 JP 4524669B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- projection optical
- inspection apparatus
- liquid
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 389
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 120
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 97
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 18
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 97
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
- G01M11/0271—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by using interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0207—Details of measuring devices
- G01M11/0214—Details of devices holding the object to be tested
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
- G01M11/0257—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Geometry (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
Description
本願は、2003年7月25日に出願された特願2003−279929号について優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明によれば、投影光学系及び液体を通過した測定光が集光される前に反射球面部で反射され、再び液体及び投影光学系を通過した後に光電検出される。
本発明は、液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系に向かって凸状であって周囲に平坦部が形成されている反射球面部と、前記投影光学系に入射し、前記反射球面部及び前記平坦部と、前記投影光学系との間に供給された液体を通過して前記反射球面部で反射した測定光を光電検出する光電検出器とを備える投影光学系の検査装置を提供する。
本発明は、液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、前記投影光学系の像面側に配置される反射球面部と、前記投影光学系の像面側に配置されて、前記反射球面部の周囲に形成されている平坦部と、前記投影光学系と前記平坦部との間に配置された液体、および前記投影光学系を通過した測定光を光電検出する光電検出器とを備える投影光学系の検査装置を提供する。
また、液体は投影光学系と平坦部及び反射球面部との間に供給されるため、光学部材又は反射球面部の移動をたやすく行うことができ、投影光学系の検査を容易に行うことができる。
図1は、本発明の一実施形態による検査装置の全体構成の概略を示す図である。尚、以下の説明においては、図中にXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、Y軸及びZ軸が紙面に対して平行となるよう設定され、X軸が紙面に対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態による検査装置は、図1に示した検査装置とほぼ同様の構成であるが、折り返し硝子部材8に代えて図3に示す折り返し硝子部材32及びホルダ31をステージ9上に配置した点が異なる。図3A、図3Bは、本発明の第2実施形態による検査装置に設けられる折り返し硝子部材32の構成を示す図であって、図3Aは折り返し硝子部材32の断面図、図3Bは折り返し硝子部材32の上面斜視図である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。本発明の第3実施形態による検査装置は、図1に示した検査装置とほぼ同様の構成であるが、折り返し硝子部材8に代えて図4に示す反射球面部34が形成されたホルダ33をステージ9上に配置した点が異なる。図4A、図4Bは、本発明の第3実施形態による検査装置に設けられる反射球面部34及びホルダ33の構成を示す図であって、図4Aは反射球面部34及びホルダ33の断面図、図4Bは反射球面部34及びホルダ33の上面斜視図である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。本発明の第4実施形態による検査装置は、図3に示した検査装置とほぼ同様の構成であるが、ステージ9上に設けられる反射球面部34が形成されたホルダ33に代えて、複数の反射球面部36が形成されたホルダ35を備える点が異なる。図5A、図5Bは、本発明の第4実施形態による検査装置に設けられる反射球面部36及びホルダ35の構成を示す図であって、図5Aは反射球面部36及びホルダ35の断面図、図5Bは反射球面部36及びホルダ35の上面斜視図である。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。本発明の第5実施形態による検査装置の全体構成は、第2実施形態又は第4実施形態による検査装置と同様であるが、干渉計部2に代えて干渉計部37を備える点が異なる。図6は、本発明の第5実施形態による検査装置が備える干渉計部37の構成を示す図である。尚、図6においては、図3に示した折り返し硝子部材32及びホルダ31が投影光学系PLの像面側に配置されている場合を図示しているが、投影光学系PLの像面側には図5に示す反射球面部36及びホルダ35等を配置することもできる。
次に、本発明の第6実施形態による検査装置について説明する。前述した第1〜第5実施形態による検査装置は、検査対象としての投影光学系PLの光学性能を測定する単体の装置であった。以下に説明する本発明の第6実施形態による検査装置は露光装置に設けられる検査装置である。尚、本実施形態の露光装置は、例えばWO99/49504に開示されているような液浸用の露光装置を用いることができる。また、本実施形態の露光装置は、特開2000−97616号に開示されているような検査装置80を、ウェハを保持するウェハステージに着脱可能に取りつけることができるようになっている。
7 駆動コントローラ
8 折り返し硝子部材
8a 平面部
8b 反射球面部
9 ステージ
13 駆動コントローラ
15 液体供給装置
16 液体回収装置
30 センサ
32 折り返し硝子部材
32a 平面部
32b 反射球面部
33a 平坦部
34 反射球面部
35a 平坦部
36 反射球面部
37 干渉計部
PL 投影光学系
w 液体
ZP ゾーンプレート
Claims (16)
- 液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査方法であって、
前記投影光学系の像面側に、周囲に平坦部が形成された反射球面部を配置し、
前記平坦部及び前記反射球面部と、前記投影光学系との間に前記液体を供給し、
前記投影光学系と前記液体とを通過して前記反射球面部で反射した測定光を光電検出する。 - 液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、
前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系に向かって凸状であって周囲に平坦部が形成されている反射球面部と、
前記投影光学系に入射し、前記反射球面部及び前記平坦部と、前記投影光学系との間に供給された液体を通過して前記反射球面部で反射した測定光を光電検出する光電検出器とを備える。 - 請求項2に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記液体の供給を行う液体供給機構を備える。 - 請求項2に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記光電検出器は、前記投影光学系及び前記液体を通過して前記反射球面部に入射し該反射球面部で反射した測定光を、前記投影光学系及び前記液体を介して光電検出する。 - 請求項2に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記光電検出器は、前記測定光と参照光との干渉光を光電検出する。 - 請求項2に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記反射球面部は、前記投影光学系の像面と前記投影光学系との間に配置されている。 - 請求項2に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記反射球面部を、前記投影光学系に対して移動するための第1駆動装置を備える。 - 液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、
前記投影光学系の像面側に、前記投影光学系の像面とほぼ平行に複数配置される反射球面部と、
前記投影光学系に入射し、前記投影光学系と前記反射球面部との間の少なくとも一部に供給された液体を通過して前記反射球面部で反射した測定光を光電検出する光電検出器とを備える。 - 請求項8に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記測定光を生成するための生成光学系と、
前記複数の反射球面部の各々に順次測定光が入射するように前記生成光学系を移動するための第2駆動装置とを備えている。 - 請求項8に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記複数の反射球面部の各々に導かれる複数の測定光を生成するための生成光学系を備え、
前記光電検出器は、前記複数の反射球面部で反射した測定光を光電検出する。 - 請求項10に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記生成光学系は、前記複数の測定光を生成するための回折素子を含む。 - 請求項10に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記生成光学系は、前記複数の測定光を生成するためのゾーンプレートを含む。 - 請求項10に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記生成光学系は、前記複数の測定光を生成するために複数のエレメントを有する。 - 請求項2に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記投影光学系の波面収差を計測する。 - 液浸露光に用いる投影光学系の光学性能を検査する投影光学系の検査装置であって、
前記投影光学系の像面側に配置される反射球面部と、
前記投影光学系の像面側に配置されて、前記反射球面部の周囲に形成されている平坦部と、
前記投影光学系と前記平坦部との間に配置された液体、および前記投影光学系を通過した測定光を光電検出する光電検出器とを備える。 - 請求項15に記載した投影光学系の検査装置であって、
前記投影光学系の波面収差を計測する。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003279929 | 2003-07-25 | ||
JP2003279929 | 2003-07-25 | ||
PCT/JP2004/010863 WO2005010960A1 (ja) | 2003-07-25 | 2004-07-23 | 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009012288A Division JP4798230B2 (ja) | 2003-07-25 | 2009-01-22 | 投影光学系の検査方法および検査装置、露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005010960A1 JPWO2005010960A1 (ja) | 2006-09-14 |
JP4524669B2 true JP4524669B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=34100840
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005512083A Expired - Fee Related JP4524669B2 (ja) | 2003-07-25 | 2004-07-23 | 投影光学系の検査方法および検査装置 |
JP2009012288A Expired - Fee Related JP4798230B2 (ja) | 2003-07-25 | 2009-01-22 | 投影光学系の検査方法および検査装置、露光装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009012288A Expired - Fee Related JP4798230B2 (ja) | 2003-07-25 | 2009-01-22 | 投影光学系の検査方法および検査装置、露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7868997B2 (ja) |
EP (2) | EP1650787A4 (ja) |
JP (2) | JP4524669B2 (ja) |
WO (1) | WO2005010960A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3392713A1 (en) * | 2003-10-31 | 2018-10-24 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and method |
EP3258318B1 (en) | 2004-08-03 | 2019-02-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR20080017299A (ko) * | 2005-06-22 | 2008-02-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치 및 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7924416B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2007005731A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Jsr Corp | 液浸露光用液体およびその精製方法 |
WO2007069222A2 (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Analysis device with an array of focusing microstructures |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102007043896A1 (de) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrooptik zur Messung der Position eines Luftbildes |
NL1036026A1 (nl) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Apparatus and method for obtaining information indicative of the uniformity of a projection system of a lithographic apparatus. |
JP2010073936A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Tokuyama Corp | 真空紫外発光素子 |
JP5825808B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-12-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2013101201A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Sanyo Engineer & Construction Inc | 波長選択光スイッチ装置 |
US11720032B2 (en) | 2018-09-24 | 2023-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Process tool and an inspection method |
CN117606836B (zh) * | 2023-11-22 | 2024-04-30 | 南京林业大学 | 一种投影支架台性能检测装置 |
CN117871053A (zh) * | 2024-01-12 | 2024-04-12 | 苏州艾微视图像科技有限公司 | 一种镜头的测试设备及测试方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09184787A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学レンズ用解析評価装置 |
JP2002071513A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
JP2002250678A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Olympus Optical Co Ltd | 波面測定装置および波面測定方法 |
Family Cites Families (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
KR900004060B1 (ko) | 1985-11-08 | 1990-06-11 | 미쯔비시주우고오교오 가부시기가이샤 | 2중 반전프로펠러용 선미 관베어링 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JPH10160582A (ja) | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 透過波面測定用干渉計 |
AU2184799A (en) | 1998-01-29 | 1999-08-16 | Nikon Corporation | Illumination meter and exposure system |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JPH11297615A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nikon Corp | 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
EP1079223A4 (en) | 1998-05-19 | 2002-11-27 | Nikon Corp | INSTRUMENT AND METHOD FOR MEASURING ABERRATIONS, APPARATUS AND METHOD FOR PROJECTION SENSITIZATION INCORPORATING THIS INSTRUMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES THEREOF |
JP2000097616A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 干渉計 |
JP3796369B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 干渉計を搭載した投影露光装置 |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP4692862B2 (ja) | 2000-08-28 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002202221A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US20060285100A1 (en) * | 2001-02-13 | 2006-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
EP1231514A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
TW591694B (en) | 2001-02-13 | 2004-06-11 | Nikon Corp | Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2002296005A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Nikon Corp | アライメント方法、点回折干渉計測装置、及び該装置を用いた高精度投影レンズ製造方法 |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6598974B2 (en) | 2001-05-08 | 2003-07-29 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Method and apparatus for measuring wavefront aberrations |
JP2003133207A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Nikon Corp | 光学特性測定方法及び光学特性測定装置、光学系の調整方法、並びに露光装置 |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
TWI249082B (en) | 2002-08-23 | 2006-02-11 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG135052A1 (en) | 2002-11-12 | 2007-09-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
ATE424026T1 (de) | 2002-12-13 | 2009-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
WO2004057590A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
JP4364805B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
JP4488004B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ流体制御システム |
CN1771463A (zh) | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
KR20180089562A (ko) | 2003-04-10 | 2018-08-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
KR101323993B1 (ko) | 2003-04-10 | 2013-10-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
KR101697896B1 (ko) | 2003-04-11 | 2017-01-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
KR101318542B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-10-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
KR20050122269A (ko) | 2003-04-17 | 2005-12-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피를 이용하기 위한 오토포커스 소자의광학적 배열 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1480065A3 (en) | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI442694B (zh) | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1639391A4 (en) | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
EP2853943B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR101590686B1 (ko) | 2003-09-03 | 2016-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
SG131929A1 (en) | 2003-09-29 | 2007-05-28 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
JP2007525824A (ja) | 2003-11-05 | 2007-09-06 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | マイクロチップを製造するための方法および装置 |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
EP1700163A1 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-13 | Carl Zeiss SMT AG | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
KR101150037B1 (ko) | 2004-01-14 | 2012-07-02 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
KR101099847B1 (ko) | 2004-01-16 | 2011-12-27 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
KR101135232B1 (ko) | 2004-01-20 | 2012-04-12 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
KR20070039869A (ko) | 2004-02-03 | 2007-04-13 | 브루스 더블유. 스미스 | 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템 |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007522508A (ja) | 2004-02-13 | 2007-08-09 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ |
CN1922528A (zh) | 2004-02-18 | 2007-02-28 | 康宁股份有限公司 | 用于具有深紫外光的高数值孔径成象的反折射成象系统 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
JP5769356B2 (ja) | 2004-05-17 | 2015-08-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101833247B (zh) | 2004-06-04 | 2013-11-06 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统 |
KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
-
2004
- 2004-07-23 JP JP2005512083A patent/JP4524669B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-23 EP EP04748072A patent/EP1650787A4/en not_active Withdrawn
- 2004-07-23 EP EP17198958.5A patent/EP3346485A1/en not_active Withdrawn
- 2004-07-23 WO PCT/JP2004/010863 patent/WO2005010960A1/ja active Application Filing
-
2006
- 2006-01-20 US US11/335,461 patent/US7868997B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-01 US US11/606,909 patent/US7843550B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-22 JP JP2009012288A patent/JP4798230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09184787A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学レンズ用解析評価装置 |
JP2002071513A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
JP2002250678A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Olympus Optical Co Ltd | 波面測定装置および波面測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005010960A1 (ja) | 2005-02-03 |
US20070076181A1 (en) | 2007-04-05 |
US7868997B2 (en) | 2011-01-11 |
EP1650787A4 (en) | 2007-09-19 |
JP2009152619A (ja) | 2009-07-09 |
EP1650787A1 (en) | 2006-04-26 |
US7843550B2 (en) | 2010-11-30 |
EP3346485A1 (en) | 2018-07-11 |
US20060176457A1 (en) | 2006-08-10 |
JPWO2005010960A1 (ja) | 2006-09-14 |
JP4798230B2 (ja) | 2011-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4798230B2 (ja) | 投影光学系の検査方法および検査装置、露光装置 | |
US6452723B1 (en) | Exposure apparatus and method | |
US9304412B2 (en) | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method | |
US7667829B2 (en) | Optical property measurement apparatus and optical property measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
TWI608305B (zh) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
TWI495958B (zh) | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method | |
TWI525396B (zh) | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, measuring method, and position measuring system | |
JP4466300B2 (ja) | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法、計測装置 | |
US9389345B2 (en) | Optical element, illumination device, measurement apparatus, photomask, exposure method, and device manufacturing method | |
JP5725137B2 (ja) | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2006210408A (ja) | 投影光学系の検査装置、及び投影光学系の製造方法 | |
JP2005109117A (ja) | 投影光学系の検査方法、検査装置、及び投影光学系の製造方法 | |
JP2007005541A (ja) | 投影光学系の検査装置、及び投影光学系の製造方法 | |
JP2006210502A (ja) | 投影光学系の検査装置及び検査方法、並びに投影光学系の製造方法 | |
JP2005062583A (ja) | 光学系の光学調整方法、光学系、露光装置および露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100506 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100519 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |