JP4554289B2 - デュアルパネルタイプ有機電気発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 167
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 109
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 29
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 11
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000911772 Homo sapiens Hsc70-interacting protein Proteins 0.000 description 1
- 101001139126 Homo sapiens Krueppel-like factor 6 Proteins 0.000 description 1
- 101000710013 Homo sapiens Reversion-inducing cysteine-rich protein with Kazal motifs Proteins 0.000 description 1
- 101000661807 Homo sapiens Suppressor of tumorigenicity 14 protein Proteins 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 210000003029 clitoris Anatomy 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
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Description
図示したように、第1基板10、第2基板60が、相互に向かい合うように配置されており、第1基板10上には、画面を具現する最小単位である画素領域P別に、薄膜トランジスタTを含むアレイ素子層ALが形成されていて、前記アレイ素子層ALの上部には、第1電極48、有機発光層54、第2電極56が順に積層された構造の有機電気発光ダイオード素子Eが形成されている。有機発光層54から発光された光は、第1電極48、第2電極56のうち、透光性のある電極の方へと発光されて、上部発光または下部発光方式とに分類することができ、例えば、第1電極48が透光性物質から選択され、有機発光層54で発光された光が第1電極48の方へと発光される下部発光方式の構造を提示した。
前記有機発光層の上部の前記画素領域に形成され、前記連結パターンと電気的に連結される第2電極、前記隔壁の上部に形成されている吸湿膜、及び前記第1基板及び第2基板間の枠部に形成されたシールパターンを含む。
前記吸湿膜は、絶縁物質で形成されて、前記絶縁物質は、酸化カルシウムCaOと酸化バリウムBaOのような酸化系物質である。
前記非画素領域の前記第1電極と隔壁間に、層間絶縁膜をさらに含む。
前記第1電極は、陽極の役割をして、第2電極は、陰極の役割をし、前記第1電極は、透光性があって、前記有機発光層で発光された光が、第1電極を通じて出る。
前記有機発光層は、前記各画素領域に対応する赤色、緑色、青色の発光層を含む。
前記第2基板と第1電極間に、カラーフィルター層をさらに含み、前記有機発光層は、単色の発光層で構成される。
前記第2基板と第1電極間に、色変換層(color changing mediums)をさらに含む。
前記薄膜トランジスタは、駆動薄膜トランジスタであって、前記アレイ素子層は、スイッチング薄膜トランジスタをさらに含む。
前記各サブ隔壁は、前記第2基板に対して逆傾斜の側面と垂直な側面を有する。前記逆傾斜の側面は、前記サブ隔壁の内面であって、前記画素領域に隣接している。
前記吸湿膜を形成する段階は、インクジェット(ink jet)、ロールプリンティング(roll printing)、スクリーンプリンティング(screen printing)、バー コーティング(bar coating)方法のうち、1つを利用する。また、前記隔壁に対応するオープン部のあるマスクを利用する。
前記吸湿膜を形成する段階は、前記隔壁を形成する段階と前記有機発光層を形成する段階の間に行われる。
前記有機発光層を形成する段階は、前記各画素領域に対応する赤色、緑色、青色の発光層を順に、形成する段階を含む。
前記第2基板と第1電極間に、カラーフィルター層を形成する段階をさらに含み、前記有機発光層は、単色の発光層で形成される。
前記第2基板と第1電極間に、色変換層(color changing mediums)を形成する段階をさらに含む。
前記第1電極と前記隔壁間の前記非画素領域に、層間絶縁膜を形成する段階をさらに含む。
前記吸湿膜は、水分と気体に対して吸湿性のある絶縁物質で形成されて、前記絶縁物質は、酸化カルシウムCaOと酸化バリウムBaOのような酸化系物質である。
前記吸湿膜は、シールパターンの内部に位置する。
前記有機電気発光ダイオードは、赤色、緑色、青色の発光層とで構成された有機発光層を含む。
前記第2基板と有機電気発光ダイオード間に、カラーフィルター層をさらに含み、前記有機電気発光ダイオードの有機発光層は、単色の発光層で構成される。
前記第2基板と有機電気発光ダイオード間に、色変換層(color changing mediums)をさらに含む。
前記有機電気発光ダイオードは、前記第2基板全面に形成された第1電極と、前記第1電極の上部に形成され、逆傾斜の側面がある隔壁と、前記隔壁により前記第1電極の上部に自動的にパターン形成されて、順序的に、形成される有機発光層及び第2電極を含む。
前記薄膜トランジスタは、前記有機電気発光ダイオードへ、電流を供給する駆動薄膜トランジスタである。
前記アレイ素子層は、第1方向へと形成された複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と交差する複数のデータ配線、前記複数のデータ配線と平行な複数のパワー配線、前記ゲート配線及びデータ配線の各交差地点に形成されたスイッチング薄膜トランジスタ、前記スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極及び各パワー配線に連結される駆動薄膜トランジスタを含み、前記連結パターンは、前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極に連結されて、前記吸湿膜は、前記複数のゲート配線、データ配線及びパワー配線と、前記スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタを覆う。
前記吸湿膜を形成する段階は、液体状態の吸湿性物質を、前記第1基板上に塗布する段階を含む。前記吸湿性物質は、水分と気体を吸収する物質と溶剤を含む。
前記吸湿性物質を塗布する段階は、インクジェット(ink jet)、ロールプリンティング(roll printing)、スクリーンプリンティング(screen printing)、バー コーティング(bar coating)方法のうち、1つを利用して構成される。また、オープン部のあるマスクを利用するが、前記オープン部は、前記連結パターンを除いた領域に対応する。
前記ゲッター物質は、国際純粋応用化学協会(IUPAC:International Union of Pure and Applied Chemistry)の規定により分類されたジルコニウムZr、チタンTi、ハフニウムHfのような4族物質と、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTaのような5族物質、クロムCr、モリブデンMo、タングステンWのような6族物質、鉄Fe、ルテニウムRu、オスミウムOsのような8族物質、ニッケルNiのような10族物質、コバルトCoのような9族物質のうちの1つを含むことができる。
または、前記ゲッター物質は、国際純粋応用化学協会(IUPAC:International Union of Pure and Applied Chemistry)の規定により分類された1族、11族、13族、15族、16族、17族、18族物質のうちの1つを含むことができる。
前記吸湿膜は、スパッタリング(sputtering)と蒸発法のような蒸着方法により形成される。
前記有機発光層は、前記各画素領域に対応する赤色、緑色、青色の発光層を含む。
前記第2基板と有機電気発光ダイオード間に、カラーフィルター層をさらに含み、前記有機発光層は、単色の発光層で構成される。
前記第2基板と有機電気発光ダイオード間に、色変換層(color changing mediums)をさらに含む。
本発明は、前記第1電極の上部に形成されて、前記画素領域間の非画素領域に位置する層間絶縁膜と隔壁をさらに含み、前記第1電極は、基板全面に形成されており、前記隔壁は、逆傾斜の側面があって、前記有機発光層及び第2電極は、前記隔壁により自動パターニングされている。
前記第1電極は、透光性があって、前記有機発光層で発光された光が、第1電極を通じて出る。
前記第1電極は、陽極の役割をして、第2電極は、陰極の役割をし、前記第1電極は、透明導電性物質で形成される。
前記複数のパワー配線は、前記複数のデータ配線に平行である。
前記スイッチング薄膜トランジスタは、前記ゲート配線及びデータ配線の各交差地点に形成されて、前記駆動薄膜トランジスタは、前記パワー配線及びスイッチング薄膜トランジスタに連結される。
前記スイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動薄膜トランジスタの各々は、ゲート電極と半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ストレージキャパシターは、前記スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極に連結された第1キャパシター電極と、前記パワー配線に連結された第2キャパシター電極及び前記第1キャパシター電極及び第2キャパシター電極間の絶縁膜を含む。
また、前記吸湿溶液が塗布される領域範囲は、シールパターン領域内に当たる。
250:第2基板
252:第1電極
254:層間絶縁膜
256:隔壁
258:有機発光層
260:第2電極
262:吸湿膜
P:画素領域
NP:非画素領域
Claims (13)
- 離隔されて向かい合う第1基板及び第2基板;
前記第1基板の内側面に形成され、薄膜トランジスタを含むアレイ素子層;
前記アレイ素子層上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に連結される連結パターン;
前記第2基板の内側面に形成されている第1電極;
前記第1電極上に形成され、画素領域間の非画素領域に位置して、前記各画素領域を取り囲むサブ隔壁;
前記第1電極上の前記画素領域に形成されている有機発光層;
前記有機発光層上の前記画素領域に形成され、前記連結パターンと電気的に連結される第2電極;
前記サブ隔壁及び前記サブ隔壁間に形成されている吸湿膜で構成された隔壁;及び
前記第1基板及び第2基板間の枠部に形成されたシールパターンを含み、前記各サブ隔壁は、前記第2基板に対して逆傾斜の側面と垂直な側面を有し、前記逆傾斜の側面は、前記サブ隔壁の内面であって前記画素領域に隣接し、前記吸湿膜は前記垂直な側面の間に位置し、そして、前記有機発光層と前記第2の電極とが前記サブ隔壁間に形成され、前記薄膜トランジスタと対面する前記吸湿膜の側が露出される、デュアルパネルタイプ有機電気発光素子。 - 前記吸湿膜は、絶縁物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記絶縁物質は、酸化系物質であることを特徴とする請求項2に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記酸化系物質は、酸化カルシウムCaOと酸化バリウムBaOのうちの1つであることを特徴とする請求項3に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記非画素領域の前記第1電極と隔壁との間に層間絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記第1電極は陽極の役割をし、第2電極は陰極の役割をし、前記第1電極は透光性があり、そして前記有機発光層で発光された光が、第1電極を通じて出ることを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記有機発光層は、前記各画素領域に対応する赤色、緑色、青色の発光層を含むことを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記第2基板と第1電極との間にカラーフィルター層をさらに含み、前記有機発光層は、単色の発光層で構成されることを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記第2基板と第1電極との間に、色変換層(color changing mediums)をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記薄膜トランジスタは駆動薄膜トランジスタであり、そして前記アレイ素子層はスイッチング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記吸湿膜の幅と厚さは、前記サブ隔壁間の離隔領域により決定されることを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記吸湿膜は、インクジェット(ink jet)、ロールプリンティング(roll printing)、スクリーンプリンティング(screen printing)、バー コーティング(bar coating)方法のうち、1つを利用して形成されることを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
- 前記吸湿膜は、前記隔壁に対応するオープン部のあるマスクを利用して形成されることを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電気発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030099937A KR100554495B1 (ko) | 2003-12-30 | 2003-12-30 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR1020030099919A KR100557237B1 (ko) | 2003-12-30 | 2003-12-30 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR1020030101281A KR100557238B1 (ko) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005196111A JP2005196111A (ja) | 2005-07-21 |
JP4554289B2 true JP4554289B2 (ja) | 2010-09-29 |
Family
ID=32854139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004191452A Expired - Lifetime JP4554289B2 (ja) | 2003-12-30 | 2004-06-29 | デュアルパネルタイプ有機電気発光素子及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7385348B2 (ja) |
JP (1) | JP4554289B2 (ja) |
CN (1) | CN100435348C (ja) |
DE (1) | DE102004031109B4 (ja) |
FR (1) | FR2864705B1 (ja) |
GB (1) | GB2409756B (ja) |
TW (1) | TWI258321B (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030086166A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
US8110260B2 (en) | 2007-02-02 | 2012-02-07 | Rick Merical | Containers intended for moisture-sensitive products |
US8003179B2 (en) | 2002-06-20 | 2011-08-23 | Alcan Packaging Flexible France | Films having a desiccant material incorporated therein and methods of use and manufacture |
US7871558B2 (en) | 2002-06-20 | 2011-01-18 | Alcan Global Pharmaceutical Packaging, Inc. | Containers intended for moisture-sensitive products |
AU2003260959A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same |
KR100557731B1 (ko) * | 2003-12-27 | 2006-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100581775B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-05-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
US7183147B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
KR100652352B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-12-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
US20060049751A1 (en) * | 2004-09-07 | 2006-03-09 | Jiun-Haw Lee | Display device with dual display areas |
KR100603836B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US7772763B2 (en) * | 2004-12-02 | 2010-08-10 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode |
KR100637201B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR20070025845A (ko) | 2005-09-05 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 빠른 응답특성을 갖는 전계발광 표시장치 |
KR101252083B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101251375B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2013-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 |
KR100647340B1 (ko) * | 2006-01-11 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 평판표시장치 |
KR100688790B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
US7932520B2 (en) | 2006-04-07 | 2011-04-26 | Chimei Innolux Corporation | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
KR101276662B1 (ko) | 2006-06-30 | 2013-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
JP2010134217A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Sony Corp | カラーフィルタおよびその製造方法並びに発光装置 |
JP2010176851A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示パネルの製造方法、および表示装置用基板 |
JP5854746B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2016-02-09 | 日東電工株式会社 | トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光装置およびその製法 |
KR102050505B1 (ko) * | 2011-02-10 | 2019-11-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치 |
JP5862424B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられるカラーフィルタ用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタ、および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR101486118B1 (ko) * | 2012-08-14 | 2015-01-23 | (주)엘지하우시스 | 점착제층을 포함하는 적층체 및 그 제조 방법 |
KR102071330B1 (ko) | 2012-12-27 | 2020-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
US9766754B2 (en) * | 2013-08-27 | 2017-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Optical sensing array embedded in a display and method for operating the array |
CN103840087B (zh) | 2014-02-18 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制备方法和显示装置 |
CN103972267B (zh) * | 2014-04-16 | 2016-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示装置 |
CN105870132A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-08-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法 |
KR102436659B1 (ko) * | 2017-12-06 | 2022-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102701627B1 (ko) * | 2018-07-03 | 2024-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조방법 |
CN109671859B (zh) * | 2018-12-12 | 2020-05-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111697153B (zh) * | 2019-03-15 | 2023-03-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6175345B1 (en) | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機el表示装置 |
JP2001177509A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | クロック載せ換え方法及び装置 |
JP3840926B2 (ja) | 2000-07-07 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器 |
US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
US6699728B2 (en) * | 2000-09-06 | 2004-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Patterning of electrodes in oled devices |
KR100365519B1 (ko) | 2000-12-14 | 2002-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
GB0107236D0 (en) | 2001-03-22 | 2001-05-16 | Microemissive Displays Ltd | Method of creating an electroluminescent device |
JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
ITMI20011092A1 (it) * | 2001-05-23 | 2002-11-24 | Getters Spa | Sistema precursore di dispositivi assorbitori di acqua per schermi org anici elettroluminescenti, processo per la sua produzione e metodo d'u so |
US6548961B2 (en) | 2001-06-22 | 2003-04-15 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting devices |
JP4465132B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2010-05-19 | パイオニア株式会社 | ディスプレイパネル |
KR20030069707A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP4240893B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-03-18 | 大日本印刷株式会社 | 有機elディスプレイ |
KR100426964B1 (ko) | 2002-03-20 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US6770502B2 (en) * | 2002-04-04 | 2004-08-03 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures |
KR100478311B1 (ko) | 2002-04-04 | 2005-03-23 | 김시환 | 유기 이엘 표시소자 |
KR100464864B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100433992B1 (ko) | 2002-04-25 | 2004-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100435054B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
JP2003332064A (ja) | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Casio Comput Co Ltd | Elパネル及びその製造方法 |
KR100474001B1 (ko) | 2002-08-14 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100551131B1 (ko) | 2003-03-07 | 2006-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-06-28 DE DE102004031109.9A patent/DE102004031109B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-29 JP JP2004191452A patent/JP4554289B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-29 US US10/878,519 patent/US7385348B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-29 CN CNB2004100500282A patent/CN100435348C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-29 GB GB0414545A patent/GB2409756B/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-30 FR FR0407231A patent/FR2864705B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-22 TW TW093132161A patent/TWI258321B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0414545D0 (en) | 2004-08-04 |
CN1638549A (zh) | 2005-07-13 |
FR2864705A1 (fr) | 2005-07-01 |
US20050140285A1 (en) | 2005-06-30 |
TWI258321B (en) | 2006-07-11 |
DE102004031109A1 (de) | 2006-04-06 |
US7385348B2 (en) | 2008-06-10 |
GB2409756A (en) | 2005-07-06 |
CN100435348C (zh) | 2008-11-19 |
DE102004031109B4 (de) | 2016-03-31 |
TW200524468A (en) | 2005-07-16 |
JP2005196111A (ja) | 2005-07-21 |
FR2864705B1 (fr) | 2008-04-25 |
GB2409756B (en) | 2007-06-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070416 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080321 |
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