JP4411876B2 - 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート及びカバーレイフィルム並びに銅張りポリイミドフィルム - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いたカバーレイフィルム及び接着剤シート並びに銅張りポリイミドフィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板）は一般にベースフィルム（ポリイミドフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムなど）の片面又は両面に接着剤層を介して銅箔を設けた銅張りポリイミドフィルム（ＣＣＬ）にリソグラフィー技術などを適用してパターン回路が形成され、この上に保護層となるカバーレイフィルムが張り付けられた構成のものである。
【０００３】
柔軟性に富み、優れた屈曲性能を有しているＦＰＣ材料は、ＨＤＤ、ＣＤ、ＤＶＤ、各種電子機器のヒンジ部等、可動部分の基板として好適である。近年、ＨＤＤのさらなる小型化（２．５インチ）に伴って、家庭用ＶＴＲやゲーム機の画像記録部やデジタルカメラ、ポータブルオーディオ等携帯機器のデータ記録部、又は車載カーナビゲーション用のデータ記録部等さまざまなアプリケーションへの応用も進みつつある。
【０００４】
ところが、近年、携帯電話や小型電子機器の進化に伴って、ＦＰＣの高屈曲特性に対する要求は格段に厳しくなってきている。特に、電子機器内の使用部品及び素子、ＣＰＵの高性能化に伴ってその発熱量が著しく増加し、機器内の平均温度が上昇する部位において高温環境下での高屈曲仕様が求められてきている。すなわち、連続使用中のノートパソコンや車載用機器の使用環境温度は８０℃程度に達することもあり、これまでの常温使用を前提としていたＦＰＣ材料では、上記使用環境温度にて接着剤層の軟化現象が現れ、貯蔵弾性率の低下によって屈曲特性が著しく悪化するためである。
【０００５】
このような可動部分に用いられるＦＰＣの屈曲要求性能を達成するためには、屈曲時に金属銅箔上に蓄積される局所的な歪みを抑え、かつ銅箔内にもともと内在している内部亀裂の成長をいかに抑えるかが重要であるが、このような問題点の改善方法として、特定の高い弾性率を有する接着剤層により接着剤の軟化を抑え、高温環境下でも良好な屈曲特性が得られる高耐熱高屈曲ＦＰＣ材料を提供する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
しかしながら、高温環境下で良好な屈曲特性を持たせるために、接着剤層の常温〜１００℃での弾性率を高くすると、常温でのＦＰＣ材料特性に悪影響を及ぼす傾向があった。すなわち接着剤層の靱性が損なわれ、ＦＰＣ材料における金属銅箔部分の接着力や半田耐熱性が低下したり、パターン回路形成後の銅張りポリイミドフィルム（ＣＣＬ）の寸法変化率悪化やそりの問題が発生する等ＦＰＣの柔軟性が損なわれる不具合が生じていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−９８２４３号公報（４７〜４８段）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
高温環境下で良好な屈曲特性を有し、常温領域での高接着力、高半田耐熱、高柔軟性を同時に満足し、さらに電気特性に優れた半導体装置用接着剤組成物を提供する。さらにそれを用いた接着剤シート、銅張りポリイミドフィルム、カバーレイフィルムを提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、硬化剤、ダイマー酸変性エポキシ樹脂を含むことを特徴とする半導体装置用接着剤組成物である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、これまで両立することが難しかった高温高屈曲特性とＦＰＣにおける銅箔の高接着力、高半田耐熱性、高柔軟性及び電気絶縁性のいずれにも優れた半導体装置用接着剤であり、それを達成できる。
【００１１】
本発明の接着剤組成物は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、硬化剤、ダイマー酸変性エポキシ樹脂で構成する。
【００１２】
一般にフェノキシ樹脂とエポキシ樹脂、硬化剤が混合した接着剤組成物は、フェノキシ樹脂の架橋反応によって形成される柔軟構造の直鎖状高分子鎖の架橋物と、エポキシ樹脂の硬化反応によって形成される剛直構造の三次元硬化物とが適度に絡み合い、高温環境下での良好なＦＰＣ屈曲特性の具現化に有効である。しかしながら、ＦＰＣ高温高屈曲特性の達成のため、接着剤層のＴｇを高くしても、ＦＰＣ材接着剤層の接着力の低下を抑え、そりの低減を図るためには、ダイマー酸変性エポキシ樹脂を用いることが好ましい。すなわち、ダイマー酸変性エポキシ樹脂は、硬化反応により接着剤組成物を形成する際に、ダイマー酸変性部分の構造的要因によって、可撓性を付与した硬化物を形成しやすく、接着剤層にエラストマー的な性質を付与することで銅箔や有機絶縁性フィルムと接着剤層との密着性を向上させることができる。さらには、ダイマー酸変性エポキシ樹脂の添加により、接着剤層中の柔軟成分が増加し、高Ｔｇ接着剤層を用いても、良好な寸法変化率・そり特性を両立させることができる。また高Ｔｇ接着剤層は熱衝撃にもろくなる傾向があるため、ＦＰＣ材料に必須特性である半田耐熱特性も劣化する傾向があるが、ダイマー酸変性エポキシ樹脂の添加により、良好な半田耐熱性を両立させることができる。
【００１３】
本発明に用いられるダイマー酸変性エポキシ樹脂は、ＦＰＣ接着剤層における要求性能として、高Ｔｇ、高半田耐熱性、低寸法安定性、銅箔との高接着力性に加え、高い電気絶縁性をバランスよく達成する上で、一般式（１）、（２）、（３）から選ばれる少なくとも１つのダイマー酸を有していることが好ましい。また、上記ダイマー酸変性エポキシ樹脂とは、ダイマー酸構造中の少なくとも一つのカルボキシル基と多官能エポキシ樹脂が反応したものをさす。
【００１４】
【化２】

【００１５】
また、ここで用いられるダイマー酸変性エポキシ樹脂は、全接着剤組成物１００重量部あたり２〜３０重量部添加することが好ましく、２〜２５重量部がより好ましい。３０重量部より多く添加すると硬化物のＴｇが低下し、２重量部未満であると半田耐熱性や寸法安定性が低下する。
【００１６】
ここで使用されるエポキシ樹脂としては、エポキシ基を２個以上含むものであれば特に限定されないが、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ−ルＳ、レゾルシノ−ル、ジヒドロキナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノ−ル等のジグリシジルエ−テル、エポキシ化フェノ−ルノボラック、エポキシ化クレゾ−ルノボラック、エポキシ化トリスフェニロ−ルメタン、エポキシ化テトラフェニロ−ルエタン等の脂環式エポキシ樹脂、あるいはビフェノール型エポキシ樹脂あるいはノボラック型エポキシ樹脂とそれらすべての臭素化誘導体などが挙げられる。
【００１７】
また、非ハロゲン難燃化を達成するためには、ハロゲンを含まないエポキシ樹脂、特に非臭素系エポキシ樹脂を選択することができ、例えばリンを含有するエポキシ樹脂等を使用することが出来る。その種類としては特に限定されるものではないが、例えば、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシドやその誘導体と、１，４−ベンゾキノン、１，２−ベンゾキノン、トルキノン、１，４−ナフトキノン等が反応して得られる化合物に、エポキシ樹脂を予め反応させたリン含有エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００１８】
さらにエポキシ樹脂を含有した接着剤組成物の硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）を高めるために、かさ高い置換基を有するエポキシ樹脂として、ビフェニル、ナフタレン骨格などの芳香環、またはそれらの縮合多環骨格を有するビスフェノール系エポキシ樹脂等を用いてもよい。
【００１９】
また、本発明に用いられる硬化剤は特に限定するものではない。例えば、芳香族ポリアミンである３，３´５，５´−テトラメチル−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、３，３´５，５´−テトラエチル−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、３，３´−ジメチル−５，５´−ジエチル−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、３，３´−ジクロロ−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、２，２´３，３´−テトラクロロ−４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´−ジアミノベンゾフェノン、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェニルスルホン、３，４´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノベンゾフェノン、３，４，４´−トリアミノジフェニルスルホン等やフェノールノボラック樹脂などを更に用いても良い。また、硬化速度や接着剤膜の適度な柔軟性をコントロールするため、ジシアンジアミド、酸無水物系などの公知の硬化剤を用いることもできる。また、Ｔｇが高い接着剤層の場合には、接着剤層の常温での貯蔵弾性率が高くなる傾向があり、ＦＰＣ材料における銅箔との接着力が低下したり、銅張りポリイミドフィルム（ＣＣＬ）にパターン回路を形成することによってそりやカールが発生するため、それらの問題を軽減するためには、接着性に優れ、柔軟構造を有するジシアンジアミドを用いることが好ましい。
【００２０】
また、本発明で使用されるフェノキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、多核体を含まないビスフェノールＦからなるビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、多核体を含有するビスフェノールＦを用いたビスフェノールＡとビスフェノールＦの共重合体フェノキシ樹脂やそれらすべての臭素化誘導体、またはフェノール水酸基などのエポキシ樹脂と反応する２つ以上の官能基を有する化合物と上記フェノキシ樹脂をあらかじめ反応させた誘導体などを用いることができる。又、ＦＰＣ材料に必要な難燃性能を付与し、かつ接着剤膜の屈曲性、接着性、柔軟性を良好とする上で、臭素化フェノキシ樹脂を用いることができる。臭素化フェノキシ樹脂のエポキシ当量は２０００以上が好ましい。２０００未満であると、接着剤膜に必要十分となる柔軟性を付与することができない。
【００２１】
また、ここで用いられるフェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂１００重量部あたり、１００〜５００重量部含まれることが好ましく、１００〜３００重量部がより好ましい。すなわち、５００重量部より多く添加すると電気絶縁特性が低下する問題が生じ、１００未満であると硬化後の接着剤組成物の柔軟性を達成することができない。
【００２２】
また、エポキシ樹脂、硬化剤、フェノキシ樹脂以外に、必要に応じてフェノール樹脂、硬化促進剤、エラストマーなどを添加してもよい。
【００２３】
たとえば、フェノール樹脂として、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールメラミン変性又はトリアジン変性フェノール等の窒素含有フェノールからなる樹脂が挙げられる。
【００２４】
また、硬化促進剤としては三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド等が挙げられ、これらを単独または２種以上混合して用いても良い。
【００２５】
その他、エラストマー成分としては、アクリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム（以下ＮＢＲ−Ｃと称する）等の変性タイプを添加することができる。例えばＮＢＲ−Ｃの例として、アクリロニトリルとブタジエンを約１０／９０〜５０／５０のモル比で共重合させた共重合ゴムの末端基をカルボキシル化したもの、あるいはアクリロニトリル、ブタジエンとアクリル酸、マレイン酸などのカルボキシル基含有重合性単量体の三元共重合ゴムなどが挙げられる。具体的なＮＢＲ−Ｃとしては、ＰＮＲ−１Ｈ（日本合成ゴム（株）製）、“ニポール”１０７２Ｊ、“ニポール”ＤＮ６１２、“ニポール”ＤＮ６３１（以上日本ゼオン（株）製）、“ハイカー”ＣＴＢＮ（ＢＦグッドリッチ社製）等があげられる。
【００２６】
さらに上記成分以外に必要に応じて微粒子状の無機粒子剤を添加できる。微粒子状の無機粒子剤としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、カルシウム・アルミネート水和物等の金属水酸化物や、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化クロム、タルク等の金属酸化物、アルミニウム、金、銀、ニッケル、鉄、等の金属微粒子、あるいはカーボンブラック、ガラスが挙げられるが、特に難燃性の点で水酸化アルミニウムが好ましい。またこれらを単独または２種以上混合して用いても良い。微粒子状の無機粒子剤平均粒子径は透明性と分散安定性を考慮すると、０．２〜５μｍが好ましい。
【００２７】
また、接着剤の特性を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤、メラミン及びその誘導体、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシドやその誘導体と、１，４−ベンゾキノン、１，２−ベンゾキノン、トルキノン、１，４−ナフトキノン等が反応して得られる化合物や各種リン酸エステルなどのリン化合物、シリコーン系化合物等の有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００２８】
本発明の接着剤シートは、少なくとも１層の有機絶縁性フィルム層と少なくとも１層の上記接着剤層から構成されるが、本発明でいう絶縁性フィルムとは、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート等のプラスチックからなる厚さ５〜２００μｍのフィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理を施すことができる。
【００２９】
また本発明の半導体装置用接着剤シートは、有機絶縁性フィルムが剥離可能な保護フィルム（離型フィルム）であってもよく、その材料は接着剤層及びそれを用いた接着剤シートの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定されない。たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられる。その構成例は、例えば、剥離可能なポリエステル保護フィルム（１２．５〜１５０μｍ）／接着剤層（１０〜１００μｍ）／剥離可能なポリエステル保護フィルム（１２．５〜１５０μｍ）等が挙げられる。また、それぞれの保護フィルム層の接着剤層に対する剥離力をＦ１、Ｆ２（Ｆ１＞Ｆ２）としたとき、Ｆ１−Ｆ２は好ましくは５Ｎ／ｍ以上、さらに好ましくは１０Ｎ／ｍ以上が必要である。Ｆ１−Ｆ２が５Ｎ／ｍより小さい場合は、剥離面がいずれの保護フィルム側になるか安定しないので、好ましくない。また、剥離力Ｆ１、Ｆ２はいずれも１〜２００Ｎ／ｍ、好ましくは３〜１５０Ｎ／ｍ、さらに好ましくは３〜１００Ｎ／ｍである。１Ｎ／ｍより小さい場合は保護フィルムの脱落が生じ、２００Ｎ／ｍを越えると剥離が困難になる。さらに保護フィルムは、加工時に視認性が良いように顔料による着色が施されていても良い。これにより、先に剥離する側の保護フィルムが簡便に認識できるため、誤使用を避けることができる。
【００３０】
また本発明の半導体装置用接着剤シートとして、銅張りポリイミドフィルムに形成したパターン回路の保護層として使われるカバーレイフィルムやテープオートメーティッドボンディング（ＴＡＢ）用接着剤付きテープが挙げられる。本発明のカバーレイフィルムの主な構成としては、ポリイミドフィルムまたはアラミドフィルム等の有機絶縁性フィルム（１２．５〜１２５μｍ）／接着剤層（５〜５０μｍ）／剥離可能な保護フィルム（１２．５〜１２５μｍ）等が挙げられる。
【００３１】
本発明の、接着剤層を介して有機絶縁性フィルムと銅箔を張り合わせた銅張りポリイミドフィルムの主な構成は、例えば片面品：銅箔（９〜３５μｍ）／接着剤層（５〜２０μｍ）／ポリイミドフィルム（１２．５〜１２５μｍ）、両面品：銅箔（９〜３５μｍ）／接着剤層（５〜２０μｍ）／ポリイミドフィルム（１２．５〜１２５μｍ）／接着剤層（５〜２０μｍ）／銅箔（９〜３５μｍ）等が挙げられる。また銅箔とは、一般的に圧延銅箔、電解銅箔等を用いることができるが、銅張りポリイミドフィルム、フレキシブルプリント配線基板、ＦＰＣの屈曲特性をより安定させる上で、圧延銅箔が好適である。
【００３２】
また、テープオートメーティッドボンディング（ＴＡＢ）用接着剤付きテープは、剥離可能なポリエステル保護フィルム（１２．５〜１５０μｍ）／接着剤層（５〜２００μｍ）／剥離可能なポリエステル保護フィルム（１２．５〜１５０μｍ）等を所定の規格幅（２９．７〜６０．６ｍｍ）にスリットした接着剤シートを、幅３５〜７０ｍｍの規格幅の絶縁性フィルムの中央部に１００〜１６０℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／ｍｉｎの条件で熱ロールラミネートして作成されたもの等が例示される。
【００３３】
次に、本発明の半導体装置用接着剤シート及び銅張りポリイミドフィルム、カバーレイフィルム、テープオートメーティッドボンディング（ＴＡＢ）用接着剤付きテ−プの製造方法を例示して説明する。
【００３４】
（１）半導体装置用接着剤シートの作成：本発明の接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を、両面ともに離型処理を行ったポリエステルフィルム上に塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は１０〜１００μｍとなるように塗布することが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチルエチルケトン、メチルエチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）等のケトン系、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロドリン等の非プロトン系極性溶剤単独あるいは混合物が好適である。
【００３５】
塗工、乾燥した接着剤層上にさらに高い離型性を有するポリエステルあるいはポリオレフィン系の保護フィルムをラミネートして、本発明の接着剤シートを得る。さらに接着剤厚みを増す場合は、接着剤シートを複数回積層すればよく、場合によってはラミネート後に、例えば４０〜１００℃で１〜２００時間程度エージングして硬化度を調整してもよい。
【００３６】
（２）銅張りポリイミドフィルムの作成：ＭＥＫ（メチルエチルケトン）、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）、ＣＢ（クロロベンゼン）、ＢＡ（ベンジルアルコール）等を溶媒とし、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー、難燃剤などを溶解して接着剤溶液を作成する。この接着剤をバーコータで、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製”カプトン”１００Ｖ−Ｐ）に約１０μｍの乾燥厚さとなるように塗布し、１５０℃で５分間乾燥し、シリコーン離型剤付きの厚さ２５μｍのポリエステルフィルムをラミネートして接着剤シートを得る。その後、上記接着剤シートのポリエステルフィルムをはがして、１／２ｏｚの圧延銅箔の非光沢面に１００℃、２．７ＭＰａでラミネートし、その後エアオーブン中で、１５０℃×５時間の加熱を行い、銅張りポリイミドフィルムを作成する。両面銅張りポリイミドフィルムを作成する場合は、上記のように片面接着剤シートを作成した後、反対側の面に再度同様に接着剤を塗布し、両面接着剤シートを作成し、その両面に銅箔をラミネートすることで作成することができる。
【００３７】
（３）カバーレイフィルムの作成：（２）と同様の方法で調合した接着剤溶液を用いて、バーコータで、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製”カプトン”１００Ｖ−Ｐ）に約３０μｍの乾燥厚さとなるように塗布し、１５０℃で５分間乾燥し、シリコーン離型剤付きの厚さ２５μのポリエステルフィルムをラミネートしてカバーレイフィルムを得る。その後、接着剤の浸みだし量が適正になるように５０℃×２０〜５０時間のエージングを施し、硬化度を調整することが一般的である。
【００３８】
（４）テープオートメーティッドボンディング（ＴＡＢ）用接着剤付きテープ接着剤付きテープの作成：ポリイミド等の絶縁性フィルムに接着剤組成物溶液をコーティング法により塗工、乾燥した後所定の幅にスリットし、接着剤付きテープを得る。また、離型性を付与したポリエステルフィルム等の保護フィルム上に接着剤組成物溶液をコーティング法により塗工、乾燥した後、２９．７〜６０．６ｍｍの規格幅にスリットした接着剤付きテープを、幅３５〜７０ｍｍの規格幅の絶縁性フィルムの中央部に１００〜１６０℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／ｍｉｎの条件で熱ロールラミネートする方法でＴＡＢ用接着剤付きテープ形状として用いても良い。
【００３９】
本発明の半導体装置用接着剤シート、カバーレイフィルム、銅張りポリイミドフィルムの用途は、例えば銅張りポリイミドフィルム及びカバーレイフィルムからなるフレキシブルプリント回路基板だけでなく、それら複数のフレキシブルプリント回路基板を接着剤シートを用いて重ね合わせた多層銅張りポリイミドフィルム回路基板や、リジッド積層板とフレキシブルプリント回路基板を接着剤シート等を用いて積層し混合形態としたフレックスリジッド回路基板、さらにはＴＡＢ用基板、各種パーケージ用途（ＣＳＰ、ＢＧＡ）などに用いられる。尚、ＴＡＢ用基板の製造方法及び一般的な半導体接続用回路基板の基板は以下の通りである。
【００４０】
（５）ＴＡＢ用基板の製造例
上記（４）の接着剤付きテープサンプルに３〜３５μｍの電解または圧延銅箔を、１１０〜１８０℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートする。必要に応じてエアオーブン中で、８０〜３００℃、１〜２４時間段階的加熱硬化処理を行ない、ＴＡＢ用基板を作成する。 この際に、銅箔張り合わせ前に接着剤付きテープサンプルにデバイス孔およびハンダボール孔を穿孔しても良い。
【００４１】
（６）半導体接続用回路基板の製造例
上記（２）、（５）で得られた銅張りポリイミドフィルム、ＴＡＢ用基板の銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解金メッキ、ソルダーレジスト膜形成を行ない、半導体接続用回路基板を作成する。
【００４２】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例の説明に入る前に銅張りポリイミドフィルム・カバーレイフィルムの評価用サンプル作成方法・各特性の評価方法について述べる。
（１）各特性の評価方法
Ａ．剥離強度（ピール）
銅張ポリイミドフィルム及び３５μｍの電解銅箔（日鉱グールド・フォイル（株）製、ＪＴＣ銅箔）の光沢面に、１６０℃×３０分×４ＭＰａの条件でプレスしたカバーレイ評価サンプルを用いて、ＪＩＳ−Ｃ６４８１に準拠して行った。
【００４３】
＜銅張ポリイミドフィルム＞
エッチングにより２ｍｍ幅の銅箔パターンを作成し、テンシロン（オリエンテック（株）製、ＵＴＭ−１１−５ＨＲ型）を用いて２ｍｍ幅の銅箔を９０度方向に引き剥がした場合の強度を測定する（引張速度：５０ｍｍ／分）。
【００４４】
＜カバーレイ評価用サンプル＞
ポリイミド表面に２ｍｍ幅の切れ込みを入れ、テンシロン（オリエンテック（株）製、ＵＴＭ−１１−５ＨＲ型）を用いて２ｍｍ幅のポリイミドを９０度方向に引き剥がした場合の強度を測定する（引張速度：５０ｍｍ／分）。
【００４５】
Ｂ．半田耐熱性
ＪＩＳ−Ｃ６４８１に準拠した方法で行なった。上記Ａ．で作成した銅張ポリイミドフィルム及びカバーレイ評価サンプルを２０ｍｍ角にカットし、４０℃、９０％ＲＨの雰囲気下で２４時間調湿した後、すみやかに所定の温度の半田浴上に３０秒間浮かべ、ポリイミドフィルムの膨れおよび剥がれのない最高温度を測定した。
【００４６】
Ｃ．しゅう動屈曲特性
Ａ．の方法で作成した銅張りポリイミドフィルムにＪＩＳ Ｃ６４７１で開示される耐屈曲試験試料のパターンを作製し、これにカバーレイフィルムを１６０℃×３０分×４ＭＰａでプレス接着し最終試験試料を作製した。これを用いて、ＦＰＣ高速屈曲試験器（信越エンジニアリング（株）製）にて、振動数１５００ｃｐｍ、ストローク２０ｍｍ、曲率２．５ｍｍＲに設定し、カバーレイ面側を外側にして取り付けたサンプルの、８０℃各雰囲気温度下での抵抗値変化を測定し、抵抗が初期から２０％以上に上昇する回数を屈曲回数とした。
【００４７】
Ｄ．そり
カバーレイ：１５０ｍｍ角のカバーレイから離型フィルムを剥がした後、四隅が浮くようにして平板上に置き、平板からの最大距離を測定する。
【００４８】
銅張りポリイミド：１５０ｍｍ角の片面銅張りポリイミドから銅箔を全面エッチングした後、１５０℃×１ｈｒオーブンに投入後、四隅が浮くようにして平板上に置き、常温放置での平板からの最大距離を測定する。
【００４９】
実施例１
臭素化ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成（株）製、ＹＰＢ４０）、エポキシ樹脂（大日本インキ工業（株）製、エピクロン８３０）、ジシアンジアミド（ジャパンエポキシレジン（株）製硬化剤、ＤＩＣＹ７）、イミダゾール系硬化促進剤（ジャパンエポキシレジ（株）製、ＥＭＩ２４）及びダイマー酸変性エポキシ樹脂（大日本インキ工業（株）製、１６００−７５Ｘ）を表１の組成比（単位：固形分重量部）となるように加え、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）またはＭＥＫ（メチルエチルケトン）を加えて０．５Ｐａ・ｓ以下に調整した後、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤をバーコータで、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製”カプトン”１００Ｖ−Ｐ）に約１０μｍの乾燥厚さとなるように塗布し、１５０℃で５分間乾燥し、シリコーン離型剤付きの厚さ２５μｍのポリエステルフィルムをラミネートして接着剤シートを得た。その後、１／２ｏｚの圧延銅箔（日鉱グールド・フォイル（株）製、ＪＴＣ箔）の非光沢面を合わせるようにラミネートし、銅張ポリイミドフィルムを作成した。また同接着剤を用いて、バーコータで、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製”カプトン”１００Ｖ−Ｐ）に約３０μｍの乾燥厚さとなるように塗布し、１５０℃で５分間乾燥し、シリコーン離型剤付きの厚さ２５μｍのポリエステルフィルムをラミネートしてカバーレイフィルムを得た。各特性を表１に示す。また高温高屈曲特性は上記銅張ポリイミドフィルムとカバーレイフィルムを組み合わせて作成したＦＰＣサンプルを用いて測定した。
【００５０】
実施例２〜５および比較例１〜２
実施例１と同一の方法で、それぞれ表１に示した原料および組成比（単位：固形分重量部）で調合した接着剤を用い銅張ポリイミドフィルム、カバーレイフィルムを作成した。特性を表１に示す。
【００５１】
表１の２〜５の実施例及び比較例１〜２から本発明により得られる銅張りポリイミドフィルム、カバーレイは、良好な高温屈曲特性を有しかつ高接着性、高半田耐熱性、柔軟性、電気特性に優れていた。
【００５２】
【表１】

【００５３】
尚、表１において、
（１）エピクロン８３０：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ（株）製）
（２）Ｅｐ８３４：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製）
（３）ＹＬ６９５４ＢＨ３０：ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製）
（４）ＹＰＢ４０：臭素化ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成（株）製）
（５）１６００−７５Ｘ：ダイマー酸変性エポキシ樹脂（大日本インキ工業（株）製）
（６）ＰＮＲ−１Ｈ：カルボキシル化ＮＢＲ（日本合成ゴム（製））
（７）ＤＩＣＹ７：ジシアンジアミド（ジャパンエポキシレジン（株）製）
（８）ＥＭＩ２４：２エチル４メチルイミダゾール（ジャパンエポキシレジン（株）製）。
【００５４】
【発明の効果】
高温環境下で良好な屈曲特性を有すると同時に、常温領域での高接着力、高半田耐熱、高柔軟性を同時に満足する半導体装置用接着剤組成物並びにそれを用いた接着剤シート、銅張りポリイミドフィルム、カバーレイを提供できる。

Claims (8)

1. エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、硬化剤、ダイマー酸変性エポキシ樹脂を含むことを特徴とする半導体装置用接着剤組成物。
2. 前記フェノキシ樹脂として、臭素化フェノキシ樹脂を有する請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。
3. 硬化剤がジシアンジアミドである請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。
4. 前記フェノキシ樹脂を、エポキシ樹脂１００重量部あたり１００〜３００重量部含有する請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。
5. 前記ダイマー酸変性エポキシ樹脂を、全半導体装置用接着剤組成物１００重量部あたり２〜２５重量部含有する請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。
6. 請求項１〜５のいずれか記載の半導体装置用接着剤組成物からなる接着剤層と、少なくとも１層の有機絶縁性フィルムを有する半導体装置用接着剤シート。
7. 請求項１〜５のいずれか記載の半導体装置用接着剤組成物を用いたカバーレイフィルム。
8. 請求項１〜５のいずれか記載の半導体装置用接着剤組成物からなる接着剤層を介してポリイミドフィルムと銅箔とを接着してなる銅張りポリイミドフィルム。