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JP4337581B2 - Semiconductor wafer double-side polishing apparatus and crack inspection method - Google Patents

Semiconductor wafer double-side polishing apparatus and crack inspection method Download PDF

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JP4337581B2
JP4337581B2 JP2004052984A JP2004052984A JP4337581B2 JP 4337581 B2 JP4337581 B2 JP 4337581B2 JP 2004052984 A JP2004052984 A JP 2004052984A JP 2004052984 A JP2004052984 A JP 2004052984A JP 4337581 B2 JP4337581 B2 JP 4337581B2
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Description

本発明は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハの両面研磨装置、及び半導体ウェーハを両面研磨した後、研磨後のウェーハの割れの有無を検査する方法に関する。   The present invention relates to a double-side polishing apparatus for a semiconductor wafer such as a silicon wafer, and a method for inspecting whether or not a wafer has been cracked after double-side polishing of a semiconductor wafer.

従来、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハを研磨する装置として、片面研磨装置と両面研磨装置が使用されている。
一般的な両面研磨装置としては、図6及び図7に示すような遊星歯車機構を用いた、いわゆる4ウエイ方式の装置50が知られている。
Conventionally, a single-side polishing apparatus and a double-side polishing apparatus have been used as apparatuses for polishing a semiconductor wafer such as a silicon wafer.
As a general double-side polishing apparatus, a so-called four-way type apparatus 50 using a planetary gear mechanism as shown in FIGS. 6 and 7 is known.

このような両面研磨装置50によりシリコンウエーハWを研磨する場合、キャリア51に複数形成されたウエーハ保持孔58にウエーハWを挿入して保持する。そして、保持孔内のウエーハWを研磨布57a,57bがそれぞれ貼付された上定盤56a及び下定盤56bで挟み込み、スラリー供給孔53を通じて研磨スラリーを供給するとともに、キャリア51をサンギヤ54とインターナルギヤ55との間で自転公転させる。これにより、各保持孔内のウエーハWの両面を同時に研磨することができる。   When the silicon wafer W is polished by such a double-side polishing apparatus 50, the wafer W is inserted and held in a plurality of wafer holding holes 58 formed in the carrier 51. Then, the wafer W in the holding hole is sandwiched between the upper surface plate 56a and the lower surface plate 56b to which the polishing cloths 57a and 57b are respectively attached, the polishing slurry is supplied through the slurry supply hole 53, and the carrier 51 is connected to the sun gear 54 and the internal gear. Rotate and revolve with the gear 55. Thereby, both surfaces of the wafer W in each holding hole can be polished simultaneously.

また、他の形態の両面研磨装置として、例えば、図8及び図9に示されるように、上下の定盤36a,36b(研磨布37a,37b)の間に挟まれたキャリア31を自転させずに小さな円を描くように揺動させる装置30が知られている(特許文献1参照。)。保持孔34を有するキャリア31がキャリアホルダ38に保持され、ホルダ38の軸受部39には偏心アーム40が回転自在に挿着されている。   As another type of double-side polishing apparatus, for example, as shown in FIGS. 8 and 9, the carrier 31 sandwiched between upper and lower surface plates 36a and 36b (polishing cloths 37a and 37b) is not rotated. There is known a device 30 that swings so as to draw a small circle (see Patent Document 1). A carrier 31 having a holding hole 34 is held by a carrier holder 38, and an eccentric arm 40 is rotatably attached to a bearing portion 39 of the holder 38.

研磨の際、全ての偏心アーム40をタイミングチェーン42を介して回転軸41を中心に同期して回転させることにより、キャリアホルダ38に保持されたキャリア31が、自転せずに水平面内で小さな円を描くようにして円運動を行うことができる。このような、いわば揺動式の両面研磨装置30であれば小型化することができるため、比較的狭いスペースで研磨作業を行うことができる。近年のウエーハの大口径化に伴い、揺動式の両面研磨装置30が多く用いられるようになっている。   At the time of polishing, all the eccentric arms 40 are rotated in synchronization with the rotation shaft 41 via the timing chain 42, so that the carrier 31 held by the carrier holder 38 does not rotate and is a small circle in the horizontal plane. You can do a circular motion like drawing. Since the swing-type double-side polishing apparatus 30 can be downsized, the polishing operation can be performed in a relatively narrow space. With the recent increase in diameter of wafers, a oscillating double-side polishing apparatus 30 is often used.

このような両面研磨装置30による研磨手順をさらに具体的に説明すると、例えば25枚のウエーハを収容したボックス(一般的に、FOSB、FOUPなどと呼ばれている。)が自動搬送装置(AGV等)によって所定の位置まで運ばれ、両面研磨装置30のローディングステーション(ローダ部)に配置される。   More specifically, the polishing procedure by the double-side polishing apparatus 30 will be described. For example, a box (generally called FOSB, FOUP, etc.) containing 25 wafers is an automatic transfer apparatus (AGV or the like). ) To a predetermined position and placed in a loading station (loader unit) of the double-side polishing apparatus 30.

次いで、ボックス内のウエーハを、キャリア31の各保持孔34内にセットした後、上下の定盤36a,36b(研磨布37a,37b)によりウエーハWの両面を挟み込む。上下の定盤36a,36bを回転させるとともにキャリア31を揺動させ、スラリー供給孔33から研磨スラリーを供給する。スラリーは、キャリア31のスラリー通過孔35等を通じて下側の研磨布37bにも達し、ウエーハWの両面が研磨布37a,37bとそれぞれ摺接することにより同時に研磨される。所定の時間研磨を行った後、定盤36a,36bとキャリア31の運動を停止する。そして、保持孔34内のウエーハWは、ウエット状態を保ちながらアンローディングステーション(アンローダ部)へと搬出され、回収用容器(水槽)内に回収される。   Next, after the wafer in the box is set in each holding hole 34 of the carrier 31, both surfaces of the wafer W are sandwiched between upper and lower surface plates 36a and 36b (polishing cloths 37a and 37b). The upper and lower surface plates 36 a and 36 b are rotated and the carrier 31 is swung to supply the polishing slurry from the slurry supply hole 33. The slurry reaches the lower polishing cloth 37b through the slurry passage hole 35 and the like of the carrier 31, and is simultaneously polished when both surfaces of the wafer W are in sliding contact with the polishing cloths 37a and 37b, respectively. After polishing for a predetermined time, the movement of the surface plates 36a and 36b and the carrier 31 is stopped. And the wafer W in the holding hole 34 is carried out to an unloading station (unloader part), maintaining a wet state, and is collect | recovered in the container (water tank) for collection | recovery.

従来、キャリアの保持孔にウエーハをセットし、また、研磨後のウエーハをキャリアから回収する作業は人手により行われていた。しかし、近年では自動化が進み、ボックス内のウエーハのローディングや研磨後のウエーハのアンローディングなどが搬送ロボットにより自動的に行われるようになってきている。   Conventionally, the operation of setting the wafer in the holding hole of the carrier and recovering the polished wafer from the carrier has been performed manually. However, in recent years, automation has progressed, and the loading of wafers in a box and unloading of wafers after polishing have been automatically performed by a transfer robot.

例えば、揺動式の両面研磨装置では、機械的な位置決め機能(インデックス機能)を有するキャリアホルダとし、図9に示したような5つの保持孔34を有するキャリア31であれば、72°ずつ回転させて位置決めすることで、各保持孔34に対し搬送ロボットにより定位置でウエーハを1枚ずつ自動でセットすることができる。また、研磨後は、同様にキャリア31を回転させることで、搬送ロボットによりウエーハWを1枚ずつ取り出すことができる。   For example, in a swing type double-side polishing apparatus, if the carrier holder has a mechanical positioning function (index function) and the carrier 31 has five holding holes 34 as shown in FIG. By positioning in such a manner, the wafers can be automatically set to the respective holding holes 34 one by one at a fixed position by the transport robot. In addition, after polishing, the carrier 31 can be similarly rotated to take out the wafers W one by one by the transfer robot.

このように両面研磨装置の自動化が進んでいるが、例えば、ウェーハの一部が保持孔から飛び出した状態で研磨されてしまった場合など、研磨中にウェーハが割れることがある。このように割れが発生したウェーハは、もはや製品として使用できないので、取り除く必要がある。
そこで、研磨後のウェーハを搬送ロボットによりキャリアから取り出し、アンローディングステーションの回収用容器に回収する前にウェーハの割れを検査する工程が必要となる。
As described above, the automation of the double-side polishing apparatus is progressing. However, for example, when a part of the wafer is polished in a state of protruding from the holding hole, the wafer may be broken during polishing. Such a cracked wafer can no longer be used as a product and must be removed.
Therefore, a process of inspecting the wafer for cracks before the polished wafer is taken out from the carrier by the transfer robot and recovered in the recovery container of the unloading station is required.

従来、ウェーハの割れを検査するには、作業員が目視で確認する方法のほか、光学センサー等を備えた割れ検査用のステーションを設置し、この検査用ステーションに研磨後のウェーハをセットして割れを検査する方法がある。   Conventionally, in order to inspect for cracks in wafers, in addition to the method of visual confirmation by workers, a crack inspection station equipped with an optical sensor, etc. is installed, and the polished wafer is set in this inspection station. There is a method for inspecting cracks.

例えば、ウェーハの外周部の割れやキズを検査する方法として、回転テーブル上にウェーハを水平に載置して吸着保持し、ウェーハの外周部に光を照射することにより発生した回折光の強度に基づいてキズ等の欠陥を検出する方法が提案されている(特許文献2参照)。この方法によれば、回転テーブルを回転させることによってウェーハの全周を連続して検査することができるとされている。   For example, as a method of inspecting cracks and scratches on the outer periphery of the wafer, the wafer is placed horizontally on a rotary table and held by suction, and the intensity of diffracted light generated by irradiating the outer periphery of the wafer with light is increased. Based on this, a method for detecting defects such as scratches has been proposed (see Patent Document 2). According to this method, the entire circumference of the wafer can be continuously inspected by rotating the rotary table.

しかし、このような検査方法を研磨後のウェーハの割れ検査に適用した場合、研磨後のウェーハを回転テーブルに一旦セットし、検査後、アンローディングステーションに搬送する必要がある。そのため、ウェーハの搬送回数が多くなり、従って、研磨後、ウェーハをアンローディングステーションの回収用容器に搬送するまでの時間が長くなり、生産性が低下するという問題がある。
また、検査用の回転テーブル等によってウェーハが汚染されるおそれもある。
However, when such an inspection method is applied to a crack inspection of a polished wafer, it is necessary to temporarily set the polished wafer on a rotary table and to transport it to an unloading station after the inspection. For this reason, the number of times the wafer is transferred increases. Therefore, after polishing, the time until the wafer is transferred to the collection container of the unloading station becomes long, and there is a problem that productivity is lowered.
In addition, the wafer may be contaminated by an inspection rotary table or the like.

特開平10−202511号公報JP-A-10-202511 特開2001−118894号公報JP 2001-118894 A

そこで、本発明は、半導体ウエーハの研磨を自動化して行う際、研磨後のウエーハの割れの有無をより短時間で検査し、アンローディング時間への影響が小さく、ウェーハの両面研磨をより効率的に行うことができる両面研磨装置及び割れ検査方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention automatically inspects the presence or absence of cracks in the polished wafer in a shorter time when polishing the semiconductor wafer automatically, has less influence on the unloading time, and makes double-side polishing of the wafer more efficient. It is an object of the present invention to provide a double-side polishing apparatus and a crack inspection method that can be carried out.

本発明によれば、半導体ウェーハの両面研磨装置であって、少なくとも、上下の定盤と、各定盤に貼付された研磨布と、研磨の際に前記上下の研磨布の間でウェーハを保持するキャリアと、研磨前後のウェーハを搬送する搬送ロボットと、研磨後のウェーハを前記搬送ロボットにより保持した状態でウェーハの割れの有無を検査する手段とを備えているものであることを特徴とする両面研磨装置が提供される According to the present invention, there is provided a double-side polishing apparatus for a semiconductor wafer, wherein at least upper and lower surface plates, an abrasive cloth affixed to each surface plate, and the wafer are held between the upper and lower abrasive cloths during polishing. And a carrier robot for transporting the wafer before and after polishing, and means for inspecting whether or not the wafer is cracked in a state where the wafer after polishing is held by the transport robot. A double-side polishing apparatus is provided .

このように研磨前後のウェーハを搬送する搬送ロボット等のほか、研磨後のウェーハを搬送ロボットにより保持した状態でウェーハの割れの有無を検査する手段を備えた両面研磨装置とすれば、研磨後のウェーハをアンローディングステーションに搬送する途中で、検査用のテーブル等に載置せずに、割れの有無を検査することができる。従って、この両面研磨装置を用いれば、研磨後のウェーハの割れの有無をより短時間で検査することができ、テーブル等により汚染されることもなく、両面研磨を極めて効率的に行うことができ、研磨工程全体の自動化にも資することになる。   In this way, in addition to a transfer robot that transfers wafers before and after polishing, a double-side polishing apparatus equipped with a means for inspecting the presence or absence of cracking of the wafer while holding the polished wafer by the transfer robot, During the transfer of the wafer to the unloading station, it is possible to inspect for cracks without placing the wafer on an inspection table or the like. Therefore, if this double-side polishing apparatus is used, the polished wafer can be inspected for cracks in a shorter time, and double-side polishing can be performed very efficiently without being contaminated by a table or the like. This also contributes to the automation of the entire polishing process.

前記ウェーハの割れの有無を検査する手段は、前記研磨後のウェーハの表面に光を当てる照明手段と、該ウェーハの画像を検出する画像検出手段と、該画像検出手段により得られた画像データを画像処理する画像処理手段と、該画像処理された画像の明暗により前記ウェーハの割れの有無を判定する判定手段とを有するものとすることができる
割れを検査する手段が、上記のような照明手段と、画像検出手段と、画像処理手段と、判定手段とを有するものであれば、研磨後のウェーハを搬送ロボットにより保持したままの状態でも、画像の明暗によりウェーハの割れを確実に検出することができる。
The means for inspecting for cracks in the wafer includes an illuminating means for applying light to the surface of the polished wafer, an image detecting means for detecting an image of the wafer, and image data obtained by the image detecting means. Image processing means for performing image processing and determination means for determining the presence or absence of cracks in the wafer based on the brightness of the image processed image may be provided .
If the means for inspecting the crack has the illumination means, the image detection means, the image processing means, and the determination means as described above, even if the polished wafer is held by the transfer robot, Wafer cracks can be reliably detected by the brightness of the image.

この場合、前記画像検出手段は、CCDカメラ又はビジコンカメラであることが好ましい
例えばCCDカメラ、又はビジコンカメラであれば、ウェーハ表面の画像を鮮明にとらえ、割れの有無をより確実に判定することができる。また、これらのカメラは小型なので、両面研磨装置も小型化することができる。
In this case, the image detecting means is preferably a CCD camera or a vidicon camera .
For example, in the case of a CCD camera or a vidicon camera, the image on the wafer surface can be captured clearly and the presence or absence of cracks can be determined more reliably. In addition, since these cameras are small, the double-side polishing apparatus can be miniaturized.

また、前記ウェーハの割れの有無を検査する手段が割れを検出した場合に、該ウェーハを割れが検出されなかったウェーハとは別途回収する割れウェーハ回収手段及び/または前記搬送ロボットの動作を停止する手段が設けられていることが好ましい
このように割れウェーハ回収手段や、搬送ロボットの動作を停止する手段が設けられていれば、割れが検出されたウェーハと、割れの無い正常なウェーハとを区別して回収することができ、割れが生じたウェーハを確実に取り除くことができる。
Further, when the means for inspecting whether or not the wafer is cracked detects a crack, the operation of the broken wafer collecting means and / or the transfer robot for collecting the wafer separately from the wafer in which no crack is detected is stopped. Means are preferably provided .
Thus, if there is a means for collecting broken wafers and means for stopping the operation of the transfer robot, it is possible to distinguish and collect the wafers from which cracks are detected and normal wafers without cracks. The generated wafer can be surely removed.

また、前記ウェーハの割れの有無を検査する手段が割れを検出した場合に、警報音を発する警報手段が設けられたものとすることもできる
このような警報手段が設けられていれば、作業員が常に監視していなくても、ウェーハに割れが生じたことを作業員に確実に知らせることができ、装置の運転を停止するなど、その後の対策を適切にとることができる。
Moreover, when the means for inspecting the presence / absence of cracks in the wafer detects a crack, alarm means for emitting an alarm sound may be provided .
If such an alarm means is provided, even if the worker is not constantly monitoring, the worker can be surely notified that the wafer has been cracked, and the operation of the apparatus is stopped afterwards. This measure can be taken appropriately.

さらに本発明によれば、両面研磨装置により半導体ウェーハを研磨した後、研磨後のウェーハの割れの有無を検査する方法であって、半導体ウエーハをキャリアにセットして上下の定盤にそれぞれ貼付された研磨布の間で保持し、研磨剤を供給するとともに上下の研磨布と摺接させて研磨を行い、研磨後のウエーハを搬送ロボットにより保持して前記キャリアから取り出した後、アンローディングステーションに搬送する前に、前記搬送ロボットにより保持した状態で前記ウエーハの割れの有無を検査することを特徴とする半導体ウエーハの割れの検査方法が提供される Further, according to the present invention, after polishing a semiconductor wafer by a double-side polishing apparatus, the method for inspecting the presence or absence of cracking of the polished wafer, the semiconductor wafer is set on a carrier and affixed to upper and lower surface plates, respectively. Hold between the polishing cloths, supply the polishing agent and slide the upper and lower polishing cloths in contact with the polishing cloth, hold the polished wafer by the transfer robot, take it out from the carrier, and then put it on the unloading station A semiconductor wafer crack inspection method is provided, wherein the wafer is inspected for cracks in a state of being held by the transport robot before transport .

このように研磨後のウエーハを搬送ロボットにより保持してキャリアから取り出した後、アンローディングステーションに搬送する前に、搬送ロボットにより保持した状態でウエーハの割れの有無を検査すれば、検査用のテーブル等にウェーハを載置せずに、短時間で割れの有無を検査することができるし、ウェーハを汚染することもない。従って、研磨作業を効率的に行うことができ、自動化に大いに資することができるとともに、ウェーハ品質を向上させることができる。   Thus, after the polished wafer is held by the transfer robot and taken out of the carrier, before being transferred to the unloading station, the wafer is held by the transfer robot and inspected for cracks. For example, it is possible to inspect the presence of cracks in a short time without placing the wafer on the wafer, and the wafer is not contaminated. Therefore, it is possible to efficiently perform the polishing operation, greatly contribute to automation, and improve the wafer quality.

この場合、前記半導体ウェーハを研磨した後、前記キャリアから取り出す前に、該ウェーハに水をかけること、下定盤を回転させること、及びキャリアを回転させることの少なくともいずれか1つの方法により、前記ウェーハの表面から研磨剤を除去することが好ましい
研磨後のウエーハの表面に研磨剤の泡が付着している場合、割れの誤検出を招くおそれがあるが、予め水をかけるなどして研磨剤を除去すれば、そのような誤検出を防ぐことができる。
In this case, after polishing the semiconductor wafer and before removing from the carrier, the wafer is sprayed by at least one of the following methods: watering the wafer, rotating the lower surface plate, and rotating the carrier. It is preferable to remove the abrasive from the surface .
If abrasive bubbles are attached to the surface of the wafer after polishing, there is a risk of erroneous detection of cracks. However, if the abrasive is removed by applying water in advance, such erroneous detection is prevented. be able to.

前記半導体ウェーハの割れの有無の検査を、該ウェーハを垂直に又は傾斜して保持した状態で行うことが好ましい
このようにウェーハを垂直に又は傾斜して保持した状態とすれば、表面に付着している研磨剤や水が滴り落ち、誤検出をより確実に防ぐことができる。
It is preferable that the inspection of the semiconductor wafer for cracks is performed in a state where the wafer is held vertically or inclined .
If the wafer is held vertically or tilted in this way, the abrasive or water adhering to the surface will drip, and erroneous detection can be prevented more reliably.

前記半導体ウェーハの割れの有無の検査を、該ウェーハの表面に光を当て、画像検出手段により得られた画像データを画像処理し、画像の明暗により前記ウェーハの割れの有無を検査することが好ましい
このようにウェーハの表面に光を当てれば、割れた箇所の明暗がよりはっきりするので、割れの有無をより確実に判定することができる。
It is preferable to inspect the presence or absence of cracks in the semiconductor wafer, apply light to the surface of the wafer, perform image processing on the image data obtained by the image detection means, and inspect the presence or absence of cracks in the wafer based on the brightness of the image. .
If light is applied to the surface of the wafer in this manner, the brightness of the cracked portion becomes clearer, so that the presence or absence of the crack can be more reliably determined.

前記画像の明暗により前記ウェーハの割れの有無を検査する場合、該ウェーハの外縁部より内側に設定された円形又は楕円形の二重線の間の領域における明暗により割れの有無を検査することが好ましい
When inspecting the presence or absence of cracks in the wafer based on the brightness of the image, it is possible to inspect the presence or absence of cracks in the area between the circular or elliptical double lines set inside the outer edge of the wafer. Is preferred .

研磨後のウェーハに割れが発生していれば、ほとんどの場合、上記のように設定した二重線の間の領域に反映されるので割れを検出することができ、また、検査領域が狭いので、より短時間で検査することができる。   If cracks occur in the polished wafer, in most cases it is reflected in the area between the double lines set as described above, so it can be detected and the inspection area is narrow. The inspection can be performed in a shorter time.

本発明によれば、研磨後の半導体ウェーハの割れの有無の検査をアンローディングステーションに搬送する前に、ウェーハを搬送ロボットで保持した状態で行うことができるため、検査用のテーブル等に載置することなく、短時間で効率的に検査を行うことができる。従って、研磨工程で割れが発生したウェーハを迅速かつ確実に判別することで研磨作業を効率的に行うことができ、両面研磨工程の自動化に大いに資するとともに、ウェーハの高品質化もはかることができる。   According to the present invention, the inspection of the semiconductor wafer after the polishing can be inspected for cracks before being transferred to the unloading station, with the wafer held by the transfer robot. Thus, the inspection can be performed efficiently in a short time. Therefore, it is possible to efficiently perform the polishing operation by quickly and reliably discriminating the wafer in which the crack is generated in the polishing process, greatly contributing to the automation of the double-side polishing process and improving the quality of the wafer. .

以下、本発明の好適な態様として、シリコンウエーハを両面研磨する場合について添付の図面に基づいて具体的に説明する。
図1は本発明に係る両面研磨装置の一例を示している。この両面研磨装置1には、研磨装置本体(研磨部)2のほか、ローディングステーション(ローダ部)10、アンローディングステーション(アンローダ部)16、研磨前後のウエーハを搬送する搬送ロボット13等が設けられている。
Hereinafter, as a preferred embodiment of the present invention, the case of double-side polishing a silicon wafer will be specifically described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows an example of a double-side polishing apparatus according to the present invention. The double-side polishing apparatus 1 includes a polishing apparatus main body (polishing section) 2, a loading station (loader section) 10, an unloading station (unloader section) 16, a transport robot 13 that transports wafers before and after polishing. ing.

なお、装置本体2は、偏心アーム7、キャリアホルダ3等を有する揺動式のものであり、図4に示したように、上下の定盤8a,8b、各定盤8a,8bに貼付された研磨布9a,9b、スラリー供給手段33、キャリア4等を具備し、キャリア4には、ウェーハ保持孔5のほか、スラリー通過孔6が形成されている。また、装置本体2は、キャリア4を揺動させるほか、回転(自転)させることもできるインデックス機能を有している。   The apparatus body 2 is a swinging type having an eccentric arm 7, a carrier holder 3, etc., and is attached to the upper and lower surface plates 8a and 8b and the surface plates 8a and 8b as shown in FIG. The polishing cloths 9a and 9b, the slurry supply means 33, the carrier 4 and the like are provided. In addition to the wafer holding hole 5, the carrier 4 is provided with a slurry passage hole 6. The apparatus main body 2 has an index function that can rotate (spin) the carrier 4 as well as swing.

さらに、この装置1には、研磨後のウェーハを搬送ロボット13により保持した状態でウェーハの割れの有無を検査する手段(割れ検査手段)12が備えられている。
図3は、割れ検査手段12の構成の一例を示している。この割れ検出手段12は、研磨後、搬送ロボット13により保持されたウェーハWの表面に光を当てる照明手段(白色蛍光灯)22と、該ウェーハWの画像を検出する画像検出手段(CCDカメラ)21と、該画像検出手段21により得られた画像データを画像処理する画像処理手段(コンピュータ、モニター)23と、該画像処理された画像の明暗によりウェーハWの割れの有無を判定する判定手段(判定回路)24を有している。
なお、各手段は上記のものに限定されず、例えば画像検出手段21としては、ビジコンカメラ等を使用することもできる。
Further, the apparatus 1 is provided with means (crack inspection means) 12 for inspecting whether or not the wafer is cracked in a state where the polished wafer is held by the transfer robot 13.
FIG. 3 shows an example of the configuration of the crack inspection means 12. The crack detection means 12 includes an illumination means (white fluorescent lamp) 22 that applies light to the surface of the wafer W held by the transfer robot 13 after polishing, and an image detection means (CCD camera) that detects an image of the wafer W. 21, image processing means (computer, monitor) 23 that performs image processing on the image data obtained by the image detection means 21, and determination means that determines the presence or absence of cracks in the wafer W based on the brightness of the image processed image ( Determination circuit) 24.
Note that each means is not limited to the above, and for example, a vidicon camera or the like can be used as the image detection means 21.

次に、図2に示した研磨工程の一例等も参照しつつ、シリコンウエーハの研磨を行い、研磨後のウェーハの割れを検査する手順について説明する。   Next, a procedure for polishing a silicon wafer and inspecting the wafer for cracks after polishing will be described with reference to an example of the polishing step shown in FIG.

まず、図1に示したように、研磨すべきウエーハWを収容したボックス11がボックス自動搬送装置14により運ばれ、ローダ部10へと配置される。ボックス11のローダ部10への搬送方法は特に限定されるものではなく、床面上を自走する自走型搬送車(AGV)により搬送する方式のほか、室内の天井部にレールを敷設し、レールに沿ってボックス11を搬送する方式(OHT)としても良い。   First, as shown in FIG. 1, the box 11 containing the wafer W to be polished is transported by the box automatic transport device 14 and placed on the loader unit 10. The method of transporting the box 11 to the loader unit 10 is not particularly limited. In addition to a method of transporting by a self-propelled transport vehicle (AGV) that travels on the floor surface, a rail is laid on the ceiling of the room. A method of transporting the box 11 along the rail (OHT) may be employed.

ローダ部10に配置されたボックス11は、オープナー等により蓋が開封される。そして、搬送ロボット13によりボックス11内のウエーハWをキャリア4の保持孔5にセットする(図2の工程(A))。
なお、搬送ロボット13を、例えばウェーハWの下面をすくい上げて保持するタイプの保持手段と、上面を吸着して保持するタイプの保持手段とを有するものとすれば、ボックス11からウェーハWの下面をすくい上げて取り出し、センタリングステージ15に一旦載置した後、上面を吸着保持し直すことができる。このようにウェーハWの上面を吸着保持すれば、キャリア4の保持孔内に確実にセットすることができる。
The box 11 arranged in the loader unit 10 is opened with a lid by an opener or the like. Then, the wafer W in the box 11 is set in the holding hole 5 of the carrier 4 by the transfer robot 13 (step (A) in FIG. 2).
If the transfer robot 13 has, for example, a holding means for scooping and holding the lower surface of the wafer W and a holding means for holding the upper surface by suction, the lower surface of the wafer W is removed from the box 11. After scooping up and taking out, and once placing on the centering stage 15, the upper surface can be sucked and held again. If the upper surface of the wafer W is sucked and held in this way, it can be reliably set in the holding hole of the carrier 4.

次いで、上定盤8aを下降させて上下の定盤8a,8bにそれぞれ貼付された研磨布9a,9bの間でウェーハWを保持する。そして、上下の定盤を所定の方向に回転させ、スラリー供給孔33から研磨剤を供給するとともに保持孔内の各ウェーハWを上下の研磨布9a,9bと摺接させて両面研磨を行う(図2の工程(B))。   Next, the upper surface plate 8a is lowered to hold the wafer W between the polishing cloths 9a and 9b attached to the upper and lower surface plates 8a and 8b, respectively. Then, the upper and lower surface plates are rotated in a predetermined direction, the abrasive is supplied from the slurry supply hole 33, and each wafer W in the holding hole is brought into sliding contact with the upper and lower polishing cloths 9a and 9b to perform double-side polishing ( Step (B) in FIG.

所定の時間研磨を行った後、各定盤8a,8bの回転を停止する。停止後、上定盤8aを上方に移動させ、研磨後のウエーハを搬送ロボット13により保持してキャリア4から取り出すが、研磨後のウェーハWの表面には研磨剤が付着しており、研磨剤の泡などが割れの誤検出を招くおそれがある。従って、ウェーハWをキャリア4から取り出す前に、ウェーハWの表面に付着している研磨剤を除去しておくことが好ましい(図2の工程(C))。   After polishing for a predetermined time, the rotation of the surface plates 8a and 8b is stopped. After the stop, the upper surface plate 8a is moved upward, and the polished wafer is held by the transfer robot 13 and taken out from the carrier 4. The polishing agent is adhered to the surface of the polished wafer W, and the polishing agent There is a possibility that the bubbles of the lead may cause false detection of cracks. Therefore, it is preferable to remove the polishing agent adhering to the surface of the wafer W before removing the wafer W from the carrier 4 (step (C) in FIG. 2).

ウェーハWの表面に付着している研磨剤は、ウェーハWに水をかけること、下定盤8bを回転させること、及びキャリア4を回転させることの少なくともいずれか1つの方法により効果的に除去することができる。例えば、図4に示すように、ウェーハWに対してノズル20から水を噴射することにより表面の研磨剤の泡を効果的に除去することができる。なお、研磨後のウェーハWに水をかける手段としては、研磨布9a,9bを保湿するために従来用いられている噴射ノズルを兼用しても良いし、上定盤9aに設けられたスラリー供給孔33を利用しても良い。
また、水はかけずに、あるいは水をかけた後、下定盤8bを回転させるか、キャリア4を回転させることによりウェーハWの表面に付着している研磨剤や水を除去するようにしても良い。
The polishing agent adhering to the surface of the wafer W is effectively removed by at least one of the method of applying water to the wafer W, rotating the lower surface plate 8b, and rotating the carrier 4. Can do. For example, as shown in FIG. 4, by blowing water from the nozzle 20 onto the wafer W, it is possible to effectively remove the abrasive bubbles on the surface. In addition, as means for applying water to the polished wafer W, a spray nozzle conventionally used to keep the polishing cloths 9a and 9b moisturized may be used, or slurry supplied to the upper surface plate 9a may be supplied. The holes 33 may be used.
In addition, the abrasive or water adhering to the surface of the wafer W may be removed by rotating the lower surface plate 8b or by rotating the carrier 4 without applying water or after applying water. good.

研磨剤を除去した後、搬送ロボット13によってウェーハWを保持し、キャリア4から取り出す(図2の工程(D))。
前記したように、搬送ロボット13に、ウエーハWの表面を吸着するタイプの保持手段を設けておけば、研磨後のウェーハWを確実に吸着保持してキャリア4から取り出すことができる。
After removing the abrasive, the wafer W is held by the transfer robot 13 and taken out from the carrier 4 (step (D) in FIG. 2).
As described above, if the transfer robot 13 is provided with a holding unit that sucks the surface of the wafer W, the polished wafer W can be reliably sucked and held from the carrier 4.

次いで、アンローディングステーション16に搬送する前に、搬送ロボット13により保持した状態で割れ検査手段12によりウエーハWの割れの有無を検査する(図2の工程(E))。
検査を行う際は、図3に示したように、搬送ロボット13により保持したままウェーハWの表面に対し、照明手段22により光を当てる。このとき、ウエーハWを水平に保持すると、ウェーハ表面に水等が付着したままとなって誤検出を招くおそれがある。従って、水切りのため、ウェーハWを垂直に(又は傾斜して)保持することが好ましい。
Next, before being transported to the unloading station 16, the crack inspection means 12 inspects whether or not the wafer W is cracked while being held by the transport robot 13 (step (E) in FIG. 2).
When performing the inspection, as shown in FIG. 3, the illumination unit 22 applies light to the surface of the wafer W while being held by the transfer robot 13. At this time, if the wafer W is held horizontally, water or the like may remain attached to the wafer surface, leading to erroneous detection. Therefore, it is preferable to hold the wafer W vertically (or inclined) for draining water.

光が当てられたウェーハWの表面をCCDカメラ21により撮影し、得られた画像データを画像処理するコンピュータ23に送る。そしてコンピュータ23により画像処理された画像をモニターに表示する。このとき、ウェーハWに割れが生じていれば、割れの無い部分と割れている部分とでは画像の明暗に差(濃淡)が生じることになるので、明暗によりウェーハWの割れの有無を確実に判定することができる。例えば、判定回路24において、ウェーハ面内の他の領域よりも明るい領域がある場合に、「割れ有り」と判定するようにすれば良い(図2の工程(F))。   The surface of the wafer W irradiated with light is photographed by the CCD camera 21, and the obtained image data is sent to a computer 23 for image processing. Then, the image processed by the computer 23 is displayed on the monitor. At this time, if the wafer W is cracked, there is a difference (light / dark) in the brightness / darkness of the image between the unbroken portion and the cracked portion. Can be determined. For example, the determination circuit 24 may determine that “there is a crack” when there is an area brighter than other areas in the wafer surface (step (F) in FIG. 2).

なお、検査領域はウェーハ全面としても良いが、外縁部は面取り加工が施されていたり、位置決め等のためのオリエンテーションフラット又はノッチが形成されており、これらの外縁箇所を「割れ」と誤認してしまうおそれがある。そこで、一部の領域、例えば、図5に示したように、ウェーハWの外縁部より内側に設定された円形(又は楕円形)の二重線27a,27bの間の領域における明暗により割れの有無を判定することもできる。   The inspection area may be the entire wafer surface, but the outer edge is chamfered or has an orientation flat or notch for positioning, etc. There is a risk that. Therefore, as shown in FIG. 5, for example, as shown in FIG. 5, cracks are caused by light and darkness in a region between the circular (or elliptical) double lines 27 a and 27 b set inside the outer edge of the wafer W. Presence / absence can also be determined.

ウェーハWに割れが発生すると、多くの場合周辺からクラックが入るので、上記のように設定した二重線27a,27bの間の領域に割れが含まれることになり、また、二重線27a,27bの間の領域のみを検査対象領域とすれば、検査領域が狭いので、より短時間で確実に割れの有無を判定することができる。なお、二重線27a,27bは、ウェーハWの周辺部に発生した小さな割れやカケも検出できるように、できるだけ大きな円形等に設定することが好ましいが、ウェーハWの外縁部に近いほど、わずかにずれたときに外縁部を割れとして判定してしまうおそれがある。従って、例えばウェーハWにノッチ28が形成されている場合は、ノッチ28よりも内側に二重線27a,27bの領域を設定することが好ましい。
また、二重線27a,27bの間の幅は適宜設定すれば良いが、例えば、1画素を1mm幅とした場合、5mm〜10mm幅(5〜10画素)に設定することができる。
When cracks occur in the wafer W, cracks often enter from the periphery, so that cracks are included in the region between the double lines 27a and 27b set as described above. If only the area between 27b is set as the inspection target area, the inspection area is narrow, and therefore the presence / absence of cracks can be reliably determined in a shorter time. The double lines 27a and 27b are preferably set as large as possible so that small cracks and chips generated in the peripheral portion of the wafer W can be detected, but the closer to the outer edge of the wafer W, the smaller There is a possibility that the outer edge portion may be determined as a crack when it shifts to. Therefore, for example, when the notch 28 is formed in the wafer W, it is preferable to set the regions of the double lines 27 a and 27 b inside the notch 28.
The width between the double lines 27a and 27b may be set as appropriate. For example, when one pixel is 1 mm wide, the width can be set to 5 mm to 10 mm (5 to 10 pixels).

上記のように研磨後のウェーハWを搬送ロボット13により保持した状態でウェーハWの割れの有無を検査した後、ウェーハWを回収するが、割れが検出されたウェーハWは、割れが検出されなかったウェーハWとは別途回収する手段を設けておくことが好ましい。
例えば、図1に示したように、アンローディングステーション16における正規の回収用容器17とは別に、割れウェーハ回収容器19を設けておき、判定回路24により割れがあると判定された場合、搬送ロボット13がそのウェーハを割れウェーハ回収容器19内に自動的に収容するように設定しておく。
あるいは、ウェーハの割れが検出された場合、搬送ロボット13の動作を停止するように設定しておき、作業員がそのウェーハの割れを確認した上で回収容器19に入れるか、あるいは手で回収するようにしてもよい。
As described above, after the polished wafer W is held by the transfer robot 13, the wafer W is inspected for cracks, and then the wafer W is recovered. However, no crack is detected in the wafer W in which the crack is detected. It is preferable to provide a means for collecting separately from the wafer W.
For example, as shown in FIG. 1, a broken wafer collection container 19 is provided separately from the regular collection container 17 in the unloading station 16, and if it is determined by the determination circuit 24 that there is a crack, the transfer robot 13 is set so that the wafer is automatically accommodated in the broken wafer collection container 19.
Alternatively, when a crack of the wafer is detected, the operation of the transfer robot 13 is set to stop, and the worker confirms the crack of the wafer and puts it in the collection container 19 or collects it by hand. You may do it.

さらに、図3に示したように、割れを検出した場合に、警報音を発する警報手段25を設けておいても良い。このような警報手段25を設けておけば、作業員が常に監視する必要がなくなるし、割れの発生を直ちに認識することができ、装置の運転を停止して原因を調査するなど、適切な措置を講ずることができる。   Furthermore, as shown in FIG. 3, an alarm means 25 that emits an alarm sound when a crack is detected may be provided. If such an alarm means 25 is provided, it is not necessary for the worker to constantly monitor, the occurrence of cracks can be immediately recognized, appropriate measures such as stopping the operation of the device and investigating the cause. Can be taken.

割れが検出されなかったウェーハは、搬送ロボット13によりそのままアンローディングステーション16の回収用容器(水槽)17に収容する(図2の工程(G))。
そして、キャリア4の全てのウェーハについて、上記のように割れの有無を検査する(図2の工程(H))。
The wafer in which no crack has been detected is accommodated in the collection container (water tank) 17 of the unloading station 16 by the transfer robot 13 (step (G) in FIG. 2).
Then, all the wafers in the carrier 4 are inspected for cracks as described above (step (H) in FIG. 2).

キャリア4の全ウエーハについて検査が終了したら、前記と同様にしてローダ部10のボックス11内から次のバッチのウェーハWを取り出し、キャリア4にセットする。そして研磨を行った後、割れの有無を検査する。   When the inspection of all the wafers of the carrier 4 is completed, the wafer W of the next batch is taken out from the box 11 of the loader unit 10 and set on the carrier 4 in the same manner as described above. And after grinding | polishing, the presence or absence of a crack is test | inspected.

同じボックス内の全てのウエーハWが研磨され、回収用容器内17に収容されたら、自動搬送装置(AGV)18により次工程(洗浄)へと運ばれる。   When all the wafers W in the same box are polished and accommodated in the collection container 17, they are transferred to the next process (cleaning) by the automatic transfer device (AGV) 18.

このように本発明に係る両面研磨装置1によれば、研磨後のウェーハを搬送ロボット13により保持したままの状態でウェーハの割れの有無を検査する手段12を備えているので、検査用のテーブル等に載置せずにウェーハの割れ検査を短時間で確実に行うことができる。また、研磨後、テーブル等に載置して汚染されることもない。従って、ウェーハを研磨した後、短時間で回収することができ、研磨作業を極めて効率的に行うことができるし、ウェーハ品質を向上させることができる。   As described above, according to the double-side polishing apparatus 1 according to the present invention, the inspection table includes the means 12 for inspecting whether or not the wafer is cracked while the polished wafer is held by the transfer robot 13. The wafer can be reliably inspected in a short time without being placed on the surface. Moreover, it is not contaminated by being placed on a table or the like after polishing. Therefore, after polishing the wafer, it can be collected in a short time, the polishing operation can be performed very efficiently, and the wafer quality can be improved.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above embodiment is merely an example, and the present invention has the same configuration as that of the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

例えば、研磨装置内の配置は、図1のものに限定されず、適宜設定すれば良い。また、搬送ロボットは、ローディング用とアンローディング用をそれぞれ別に設けてもよい。
また、本発明は、揺動式の両面研磨装置に限定されず、4ウエイ方式の両面研磨装置や、その他の方式のものにも適用することができる。
さらに、ウエーハの割れを検査する手段としては、光源としてLEDを用い、フォトダイオード等の受光センサーで割れを検出する方式のものとすることも可能である。
For example, the arrangement in the polishing apparatus is not limited to that shown in FIG. In addition, the transfer robot may be provided separately for loading and unloading.
Further, the present invention is not limited to the swing type double-side polishing apparatus, and can also be applied to a four-way type double-side polishing apparatus and other types.
Further, as a means for inspecting cracks in the wafer, it is possible to use an LED as a light source and to detect cracks with a light receiving sensor such as a photodiode.

本発明に係る両面研磨装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the double-side polish apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る両面研磨工程の一例を示すフロー図である。It is a flowchart which shows an example of the double-sided grinding | polishing process which concerns on this invention. 本発明に係る割れ検査手段の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the crack test | inspection means based on this invention. 水噴射ノズルの一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of a water injection nozzle. 割れ検査領域として設定した二重線の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the double line set as a crack inspection area | region. 4ウェイ方式の両面研磨装置の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of a 4-way double-side polishing apparatus. 遊星歯車構造を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows a planetary gear structure. 揺動式の両面研磨装置の概略図である。It is the schematic of a rocking | swiveling type double-side polish apparatus. 揺動式の両面研磨装置におけるキャリアホルダの概略平面図である。It is a schematic plan view of the carrier holder in the swing type double-side polishing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1…両面研磨装置、 2…研磨装置本体、 3…キャリアホルダ、 4…キャリア、
5…保持孔、 6…スラリー通過孔、 7…偏心アーム、 8a,8b…定盤、
9a,9b…研磨布、 10…ローディングステーション(ローダ部)、
11…ウエーハ収容ボックス、 12…割れ検査手段、 13…搬送ロボット、
14…ボックス自動搬送装置、 15…センタリングステージ、
16…アンローディングステーション(アンローダ部)、
17…回収用容器(水槽)、 18…自動搬送装置、
19…割れウェーハ回収用容器、 20…水噴射ノズル、
21…画像検出手段(CCDカメラ)、 22…照明手段、
23…画像処理手段(コンピュータ、モニター)、 24…判定手段(判定回路)、
25…警報手段、 27a,27b…二重線、 33…スラリー供給孔、
W…ウエーハ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Double-side polish apparatus, 2 ... Polishing apparatus main body, 3 ... Carrier holder, 4 ... Carrier,
5 ... Holding hole, 6 ... Slurry passage hole, 7 ... Eccentric arm, 8a, 8b ... Surface plate,
9a, 9b ... polishing cloth, 10 ... loading station (loader part),
11 ... Wafer storage box, 12 ... Crack inspection means, 13 ... Transfer robot,
14 ... Box automatic transfer device, 15 ... Centering stage,
16 ... unloading station (unloader part),
17 ... Recovery container (water tank), 18 ... Automatic transfer device,
19 ... Container for collecting broken wafers, 20 ... Water injection nozzle,
21 ... Image detection means (CCD camera), 22 ... Illumination means,
23 ... Image processing means (computer, monitor) 24 ... Determination means (determination circuit),
25 ... Alarm means, 27a, 27b ... Double wire, 33 ... Slurry supply hole,
W ... wah.

Claims (7)

半導体ウェーハの両面研磨装置であって、少なくとも、上下の定盤と、各定盤に貼付された研磨布と、研磨の際に前記上下の研磨布の間でウェーハを保持するキャリアと、研磨前後のウェーハを搬送する搬送ロボットと、研磨後のウェーハの表面の研磨剤を除去するための水を噴射するノズルと、研磨後のウェーハを前記搬送ロボットにより垂直に又は傾斜して保持した状態で前記ウェーハの該保持面の反対側表面の全面、又は前記ウェーハの該保持面の反対側表面の外縁部より内側に設定された円形又は楕円形の二重線の間の領域の割れの有無を検査する手段とを備えているものであることを特徴とする両面研磨装置。 A double-side polishing apparatus for a semiconductor wafer, comprising at least upper and lower surface plates, a polishing cloth affixed to each surface plate, a carrier for holding the wafer between the upper and lower polishing cloths during polishing, and before and after polishing A transfer robot for transferring the wafer, a nozzle for spraying water for removing the abrasive on the surface of the polished wafer, and the polished wafer in a state where the wafer is held vertically or inclined by the transfer robot. Inspect for the presence or absence of cracks in the entire area of the opposite surface of the holding surface of the wafer, or between the circular or elliptical double lines set inside the outer edge of the opposite surface of the holding surface of the wafer A double-side polishing apparatus characterized by comprising: 前記ウェーハの割れの有無を検査する手段が、前記研磨後のウェーハの表面に光を当てる照明手段と、該ウェーハの画像を検出する画像検出手段と、該画像検出手段により得られた画像データを画像処理する画像処理手段と、該画像処理された画像の明暗により前記ウェーハの割れの有無を判定する判定手段とを有するものであることを特徴とする請求項1に記載の両面研磨装置。   The means for inspecting the presence or absence of cracks in the wafer includes illumination means for irradiating light on the surface of the polished wafer, image detection means for detecting an image of the wafer, and image data obtained by the image detection means. 2. The double-side polishing apparatus according to claim 1, further comprising: image processing means for image processing; and determination means for determining whether or not the wafer is cracked based on brightness of the image processed image. 前記画像検出手段が、CCDカメラ又はビジコンカメラであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の両面研磨装置。   The double-side polishing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the image detection means is a CCD camera or a vidicon camera. 前記ウェーハの割れの有無を検査する手段が割れを検出した場合に、該ウェーハを割れが検出されなかったウェーハとは別途回収する割れウェーハ回収手段及び/または前記搬送ロボットの動作を停止する手段が設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の両面研磨装置。   When the means for inspecting the presence or absence of cracks in the wafer detects cracks, there are means for collecting the wafers separately from the wafers for which no cracks have been detected and / or means for stopping the operation of the transfer robot. The double-side polishing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the double-side polishing apparatus is provided. 前記ウェーハの割れの有無を検査する手段が割れを検出した場合に、警報音を発する警報手段が設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の両面研磨装置。   5. The double-sided device according to claim 1, further comprising alarm means for generating an alarm sound when the means for inspecting the wafer for cracks detects a crack. 6. Polishing equipment. 両面研磨装置により半導体ウェーハを研磨した後、研磨後のウェーハの割れの有無を検査する方法であって、半導体ウエーハをキャリアにセットして上下の定盤にそれぞれ貼付された研磨布の間で保持し、研磨剤を供給するとともに上下の研磨布と摺接させて研磨を行い、研磨後のウェーハに水をかけること、下定盤を回転させること、及びキャリアを回転させることの少なくともいずれか1つの方法により、前記ウェーハの表面から研磨剤を除去し、該ウエーハを搬送ロボットにより保持して前記キャリアから取り出した後、アンローディングステーションに搬送する前に、前記搬送ロボットにより前記ウェーハを垂直に又は傾斜して保持した状態で前記ウエーハの該保持面の反対側表面の全面、又は前記ウェーハの該保持面の反対側表面の外縁部より内側に設定された円形又は楕円形の二重線の間の領域の割れの有無を検査することを特徴とする半導体ウエーハの割れの検査方法。 After polishing a semiconductor wafer with a double-side polishing machine, this method is used to inspect the polished wafer for cracks. The semiconductor wafer is set on a carrier and held between polishing cloths attached to upper and lower surface plates. Then, the polishing agent is supplied and the upper and lower polishing cloths are slidably contacted to perform polishing, water is applied to the polished wafer, the lower surface plate is rotated, and the carrier is rotated. The method removes the polishing agent from the surface of the wafer, holds the wafer by a transfer robot , removes the wafer from the carrier , and then vertically or tilts the wafer by the transfer robot before transferring to the unloading station. and while holding the entire surface of the opposite surface of the holding surface of the wafer, or on the opposite side surface of the holding surface of the wafer Method of inspecting cracks in the semiconductor wafer, characterized in that for checking the presence or absence of cracks in the region between the outer edge than set inside a circular or oval doublet. 前記半導体ウェーハの割れの有無の検査を、該ウェーハの表面に光を当て、画像検出手段により得られた画像データを画像処理し、画像の明暗により前記ウェーハの割れの有無を検査することを特徴とする請求項6に記載の半導体ウエーハの割れの検査方法。 Inspecting the presence or absence of cracks in the semiconductor wafer, illuminating the surface of the wafer, subjecting the image data obtained by the image detection means to image processing, and inspecting the presence or absence of cracks in the wafer based on the brightness of the image A method for inspecting cracks in a semiconductor wafer according to claim 6 .
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