JP4330742B2 - Structure and drive circuit of surface mount infrared communication module - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、赤外線通信装置に関し、特に赤外線を発光する発光ダイオード(以下LEDという。)等の赤外線発光素子を用いた赤外線通信モジュール(IrDA module)の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
赤外線通信装置は赤外線放射手段からの光信号を受光手段により受信することにより、結線を用いることなく、且つ外部光による雑音が少ない状態で、信号の伝達ができる。特に最近は、赤外線放射手段として赤外線発光ダイオード(IrLED)等が、受光手段としてフォトトランジスタ又はフォトダイオード等が用いられるようになり、小型で構造簡単な赤外線通信モジュールとして回路基板に実装された状態で用いられようになった。これにより、かかる赤外線通信モジュールは遠隔制御手段、電子装置間の非接触の結合手段等に広く利用されている。
【0003】
このような赤外線通信モジュールの構造として、従来より知られているものには、リードフレームタイプのものと、基板タイプのものとがあるが、これらにつき図面を参照して以下に説明する。図6はリードフレームタイプの赤外線通信モジュールの構造を示す断面図であり、図7は基板タイプの赤外線通信モジュールの断面図である。図6において、101はマザーボードであり、赤外線通信モジュール110の構造は、IrLED等の赤外線発光素子102が一対のリードフレーム103に実装された状態で封止樹脂部材104により覆われてモールドされ、リードフレーム103の一部は封止樹脂部材104の外部において折曲げられ接続端部103bとなっている。赤外線通信モジュール110は前記接続端部103bを半田115の半田付けによりマザーボード101に接続することにより実装がなされる。ここでリードフレーム103の厚さは略0.2mm程度である。
【0004】
図7に示す基板タイプの赤外線通信モジュール120の構造は、絶縁材よりなる基板105に設けられた一対の内部電極パターン106にIrLED等の赤外線発光素子102が実装された状態で、基板105の上に形成された封止樹脂部材104によりこれらの部材が被覆され封止される。基板105の端面105bには内部電極パターン106に導通する1対のスルーホール107が設けられている。赤外線通信モジュール120を前記端面105bを下にしてマザーボード101上に載置し、表面実装法により、前記スルーホール107を半田115の半田付けによりマザーボード101に接続することにより実装がなされる。ここで内部電極パターン106の厚さは略0.05mm程度である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図7に示すような基板タイプの赤外線通信モジュール(120)は、図6に示すようなリードフレームタイプの赤外線通信モジュール(110)に比して、外形形状が単純でマザーボードへの実装の作業が簡単で自動化が容易であり、全体の寸法も小型にでき、又多数個取り方法が採用でき、コストの低減も容易等の利点を有する。しかし、上記したように、図7に示すような基板タイプの赤外線通信モジュール(120)はIrLED等の赤外線発光素子102の発熱を放熱する役割を有する前記内部電極パターン106の厚み(略0.05mm)が、同様の役割を有する前記リードフレーム103の厚み(略0.2mm)の1/4程度と薄く、放熱特性がリードフレームタイプの赤外線通信モジュール(110)と比較しても、大幅に悪くなる。放熱特性が悪くなると、発光中のLED等発光素子の温度が上昇し、素子が劣化しやすくなる。
【0006】
特に、最近の赤外線通信技術においては、より高度の通信距離および角度範囲が求められ、CIR(CONSUMER IR :通信距離9m、角度範囲±15゜)やAIR(ADVANST IR :通信距離5m、角度範囲±60゜)の条件が規格化される方向にあり、IrLEDについてみれば、より強い出力が求められるようになる。すなわち、現行の300mA(Peak to Peak)レベルから1A(Peak to Peak)レベルになることが予想される。このためには、当然、LED等の発光効率を向上させることは勿論だが、同時に放熱特性を改善し、LED等の劣化を抑えることが必要となる。又、LEDの放熱が十分に行われず発熱による温度上昇が大であると、図9のタイムチャートに示すように、LEDの立ち上がり時間が遅くなり効率的な通信が出来なくなる。この点からもLEDの放熱特性の改善は重要な問題となる。ここで図7はLEDの駆動電流Iと時間tの関係を示すタームチャートであり、(a)はLEDの放熱特性が良好の場合を示し、(b)は放熱特性が悪い場合を示す。
【0007】
次に、図8は従来例ではあるが、図7に示した基板タイプの赤外線通信モジュールの改良例であり、赤外線発光素子の放熱特性の改善を図ろうとしたものの構造を示す断面図である。図8において、130は本例における赤外線通信モジュールである。108はフラットスルーホールであり、赤外線発光素子102が実装された内部電極パターン106に接続し基板105を貫通して設けられている。ここで基板105は多層の絶縁板105aが銅コア113挟んで積層されてなる。前記フラットスルーホール108の内部には導電性の金属粉又は金属粒が混入されてなるエポキシ系導電性樹脂109が充填されている。フラットスルーホール108は又、基板105の外側の主面105cに設けられた外部電極パターン111にも接続している。
【0008】
又、基板105の端面105bに設けられた内部電極パターン106に導通する1対のスルーホール107も対応する前記1対の外部電極パターン111に接続している。基板105上には図7の場合と同様の封止樹脂部材104が設けられている。赤外線通信モジュール130を前記端面105bを下にしてマザーボード101上に載置し、表面実装法により、前記スルーホール107と前記外部電極パターン108を半田115の半田付けによりマザーボード101に接続することにより実装がなされる。
【0009】
図7に示した赤外線通信モジュール120の場合は赤外線発光素子102の発熱は内部電極パターン106、スルーホール107から半田115を介してマザーボード101の図示しない接続端子へと放熱される。これに対し、図8に示す本例の赤外線通信モジュール130においては、赤外線発光素子102の発熱は内部電極パターン106、スルーホール107のルートの他に、内部電極パターン106、フラットスルーホール108、外部電極パターン111のルートを経て半田115を介してマザーボードの図示しない接続端子へと放熱される。また、内部電極パターン106、フラットスルーホール108、銅コア113、スルーホール107を経るルートによっても放熱される。
【0010】
このように複数の放熱ルートを並列に設けることにより、本例の赤外線通信モジュール130は図7に示した赤外線通信モジュール120よりは多少放熱特性が改良されている。しかしながら、この程度では、前記の要求に対して、放熱特性の改良が十分になされているとは言えない。これは、外部に露出している前記外部電極パターン111の厚みが前記内部電極パターン106の厚みと同様に略0.05mmと薄く、この部分において十分な伝熱作用および放熱作用を行うことができないためである。
【0011】
本発明は従来技術における前記の問題点を改善することを課題とするものである。そして本発明は、かかる課題を解決し、基板タイプの赤外線通信モジュール即ち、表面実装型赤外線通信モジュールにおいてIrLED等の赤外線発光素子の発熱を効果的に放熱する手段を備えることにより、赤外線発光素子を劣化させることなく、その発光強度を現状より大幅に高め、またその発光の立ち上がり時間を現状よりも短縮して通信の効率を上げ、より高度な仕様の赤外線通信を可能とすることを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためにその第1の手段として本発明は、表面実装型赤外線通信モジュールにおいて、絶縁基板の一方の主面上に形成された一対の内部接続電極と、該内部接続電極に実装された赤外線発光素子と、前記絶縁基板の他方の主面上に形成された一対の外部接続電極と、前記内部接続電極と前記外部接続電極間の電極間接続手段とを有し、前記内部接続電極及び前記外部接続電極の前記赤外線発光素子を実装した側は半田用通孔に充填された半田によって金属材よりなる放熱作用を有するシールドケースに接続し、前記絶縁基板の前記一方の主面上に封止樹脂部材が形成され、該封止樹脂部材の前記赤外線発光素子に対応する表面に凸状のレンズ面が設けられて、該凸状のレンズ面に対応して設けられたシールドケースの窓部から該レンズ面を突出させて、前記封止部材のレンズ面以外の部分を前記シールドケースに接合することにより、前記封止樹脂部材の大部分を前記シールドケースに密着して接続し、前記電極間接続手段は導電作用および熱伝導作用を有する導電性樹脂により充填されたフラットスルーホールを含み、該フラットスルーホールの少なくとも一つを赤外線発光素子の略真下に設けて前記シールドケースに接続することで、発光素子からの熱を並列的に前記シールドケースを経て大気中及び接続端子パターンに放熱させることを特徴とする。
【0013】
上記の課題を解決するためにその第2の手段として本発明は、前記第1の手段において、前記絶縁基板はCu等の金属よりなる金属コアを備え、該金属コアが前記フラットスルーホール接続されるとともに、直接又は間接に前記シールドケースに接続されることを特徴とする。
【0014】
上記の課題を解決するためにその第3の手段として本発明は、前記第1の手段又は第2の手段において、前記電極間導通手段はCu等熱伝導率の高い物質を含む導電樹脂等の熱伝導率の高い樹脂材により充填されたフラットスルーホールおよび前記絶縁基板の一つの端面に設けられた溝状のスルーホールよりなることを特徴とする。
【0015】
上記の課題を解決するためにその第4の手段として本発明は、前記第1の手段乃至第3の手段のいずれかにおいて、前記フラットスルーホールのうち少なくとも一つは前記赤外線発光素子の略真下に配設されていることを特徴とする。
【0016】
上記の課題を解決するためにその第5の手段として本発明は、前記第1の手段乃至第4の手段のいずれかにおいて、前記赤外線発光素子はLEDであり、そのカソードに前記シールドケースが導通し、そのアノードには前記シールドケースに導通していない他の一方の前記内部接続電極および外部接続電極が導通していることを特徴とする。
【0017】
上記の課題を解決するためにその第6の手段として本発明は、電源およびLED駆動ICを備え、前記第5の手段に係る表面実装型赤外線通信モジュールを駆動する駆動回路において、前記LEDのカソードは前記シールドケースを介してグランドに接続され、LEDのアーノドは前記他の一方の外部接続電極介してPチャンネルFETのドレイン接続され、前記LED駆動ICの出力端は前記PチャンネルFETのゲートに接続され、前記PチャンネルFETのソースは直接に又は抵抗素子等の電流調整手段を介して前記電源の高電位側に接続されていることを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に、図面に基づいて本発明の一実施の形態を説明する。図1は本実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュールの構造を示す図であり、(a)は正面図、(b)は(a)のA−A断面図であり、(c)は下面図である。図2は図1に示す表面実装型赤外線通信モジュールを斜め下方から見た斜視図である。ここで、便宜上、図1(a)においては後述する封止樹脂部材(17)およびシールドケース(25)の図示を省略し、図2においては、後述する反射部材(11)の図示を省略してある。図1、図2を参照して、説明を行う。1は絶縁基板、2はIrLED等の赤外線発光素子、3と4は1対の内部電極パターン、5と6は1対の外部電極パターン、7と8は一対のスルーホール、9は第1のフラットスルーホール、10は第2のフラットスルーホールである。基板1は絶縁板1d、および銅コア19よりなり、銅コア19を介して表裏の絶縁板1aが積層されてなる。
【0019】
11は金属等よりなるリング状の反射部材であり、13は前記フラットスルーホール9、10の内部に充填されたCuペーストであり熱伝導率の高い導電性樹脂でである。17は透光性のモールド樹脂よりなる封止樹脂部材である。25はシールドケースであり、0.15〜2mmの板厚のSUS等よりなる。20は上記の各部材により構成される表面実装型赤外線通信モジュールである。
【0020】
前記絶縁基板1の一方の主面1aに前記内部電極パターン3と4が設けられ、内部電極パターン3上に前記赤外線発光素子2が導電接着剤によりダイボンドされ、前記赤外線発光素子2の上面はワイヤーボンデイングにより、Au線等のボンデイングワイヤー15を介して前記内部電極パターン4に接続されている。前記反射部材11は赤外線発光素子2を囲む位置において内部電極パターン3上に予め配設されている。絶縁基板1の他方の主面1bに前記外部電極パターン5と6が設けられ、絶縁基板1の下端面1cには内部電極パターン3および4にそれぞれ接続するスルーホール7と8が設けられている。そしてスルーホール7と8はそれぞれ外部電極パターン5と6にも接続している。
【0021】
フラットスルーホール9、10はともに内部電極パターン3と外部電極パターン5を接続する位置において絶縁基板1を貫通して設けられている。フラットスルーホール9、10の内部には、熱伝導率が高く、導電性を有するCuペースト13が充填されている。なお、フラットスルーホール9は、赤外線発光素子2の直下となる位置に設けられている。前記シールドケース25は基板1及び後述する封止樹脂部材(17)の大部分に密着してこれらを遮蔽し、半田用通孔25aに充填された半田21により、前記外部電極パターン5に接続されて導通する。同時に、基板1の側面に露出した銅コア19とも接触または略接触する。一方シールドケース25は前記外部電極パターン6には接触せず、逃げた形状となっている。
【0022】
このような構造により、図1および図2に示すように、赤外線発光素子2の一端は内部電極パターン3からスルーホール7を経て外部電極パターン5およびシールドケース25に機械的、電気的に接続されるとともに、これと並列に内部電極パターン3からフラットスルーホール9、10を並列的に経て外部電極パターン5およびシールドケース25に機械的、電気的に接続される。また、内部電極パターン3からフラットスルーホール9、10を介して銅コア19、スルーホール7を経て外部電極パターン5およびシールドケース25に機械的、電気的に接続される。一方、赤外線発光素子2の他端はボンデイングワイヤー15から内部電極パターン4およびスルーホール8を順次経て、外部電極パターン6に機械的、電気的に接続される。
【0023】
絶縁基板1の一方の主面1a上に前記封止樹脂部材17が形成され、赤外線発光素子2、ボンデイングワイヤー15等が封止され保護されている。封止樹脂部材17の赤外線発光素子2に対応する表面に凸状のレンズ面17bが設けられ、赤外線発光素子2の発光を所定の方向に集光する役割をなす。前記シールドケース25には前記レンズ面17bに対応して窓部25bが設けられている。シールドケース25の下端部には外方に折曲げられた張り出し部25cが形成されている。
【0024】
31はマザーボードであり、32および33はマザーボード31上に配設された接続端子パターンである。ここで、接続端子パターン32は後述するように電源のアースに接続され、接続端子パターン33は高電位側に接続されている。図1(a)および(b)に示すようにマザーボード31上に表面実装型赤外線通信モジュール20を載置し、前記スルーホール7、外部電極パターン5およびシールドケース25の張り出し部25cがマザーボード31の前記接続端子パターン32と重なり、前記スルーホール8および外部電極パターン6がマザーボード31の前記接続端子パターン33と重なる位置において、これら重なり合うパターン間を半田21を用いた半田付けにより接続し、表面実装型赤外線通信モジュール20の表面実装がなされる。これにより、前記赤外線発光素子2の一端は最終的に機械的、電気的にマザーボード31の接続端子パターン32に接続され、前記赤外線発光素子2の他端は同様に接続端子パターン33に接続される。
【0025】
図3は図1に示す表面実装型赤外線通信モジュール20を駆動する駆動回路を示す回路図である。以下に図1および図3を交互に用いて前記駆動回路の説明をする。図3において2は赤外線発光素子であるLED、52はLED駆動用IC、53は電源(高電位側)、54は抵抗、55はPチャンネルFETである。2Aおよび2Kはそれぞれ前記LED2のアノードおよびカソードである。前記LED2のカソード2Kは図1に示す外部電極パターン5、シールドケース25は接続端子パターン32によりグランドに接続され、LEDのアノード2Aは前記外部電極パターン6から接続端子パターン33を介してPチャンネルFET55のドレインに接続されている。前記LED駆動用IC52の出力端52bはPチャンネルFET55のゲートに接続され、電源53は抵抗54を介して又は直接にPチャンネルFET55のソースに接続されている。ここで、LED駆動用IC52、PチャンネルFET55および抵抗54は、マザーボード31上に設けられいるが、図1においては図示が省略されている。
【0026】
図3に示す駆動回路において、LED駆動用IC52の入力端52aに入力信号が入力すると出力端52bには出力電圧が生じ、この電圧に応じてPチャンネルFET55がON/OFFし、電源53よりLED2に所定の駆動電流が流れ、その発光がなされる。このとき、駆動電流の2乗に略比例して、赤外線発光素子であるLED2に発熱を生ずるので、もし放熱手段が機能しないときは、赤外線発光素子2の温度が上昇しやすくなり、発光強度を上げるために駆動電流を上げると、赤外線発光素子素子2の温度が所定の温度以上となり、素子が劣化する。よって、駆動電流の上限および発光強度の上限が低く制限されてしまう。
【0027】
本実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュール20においては、前記のように赤外線発光素子2の一端は内部電極パターン3からスルーホール7を経て外部電極パターン5に機械的に接続されるとともに、これと並列に内部電極パターン3からフラットスルーホール9、10、および銅コア19等を経て外部電極パターン5、シールドケース45に機械的に接続されている。よって表面実装型赤外線通信モジュール20が表面実装された状態では、これらの機械的接続ルートは更に半田21を経て前記接続パターン32に達する。
【0028】
本実施の形態においては、このような機械的接続ルートにより赤外線発光素子2の放熱が行われる。このうち、内部電極パターン3からスルーホール7、銅コア19を経て接続端子パターン32に達するルートおよびフラットスルーホール9、10を経て(シールドケース25を経ることなく)接続端子パターンに達するルートについては、図5に示した従来例の場合と同様であり、このルートだけでは、放熱特性は十分には改善されない。しかし、本例においては、更にこれと並列に内部電極パターン3からフラットスルーホール9、10を並列的に経て、シールドケース45を経て最終的に接続端子パターン32に達する放熱ルートが設けられている。ここでシールドケース45は前記のように厚みが0.15〜0.2mmと比較的厚く、材質もSUSと金属で熱伝導率のが高く、しかも外気との接触面積も大きくとることができる。よって、前記放熱ルートの中で、シールドケース45においては特に効果的な放熱がなされる。
【0029】
更には、径のかなり大である第1のフラットスルーホール9が赤外線発光素子2の直下に配置され、赤外線発光素子2の発熱を効率よくシールドケース45に伝えることができるようになっている。このような配慮により、本例の場合は、フラットスルーホールを経由する放熱ルートによる放熱効果が図8に示した従来例の場合に比較して大幅に向上する。よって、本実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュール20の総合的な放熱効果は、図7に示した従来の表面実装型赤外線通信モジュール120および図8に示した従来の表面実装型赤外線通信モジュール130の総合的な放熱効果よりも大幅に向上する。そして、これにより、赤外線発光素子2に発光強度を十分に高めるに必要な駆動電流を、例えば1A(Peak to Peak)程度を流しても、赤外線発光素子2の温度をこの素子が劣化しない範囲に抑えることができる。
【0030】
また、赤外線発光素子2の温度の上昇を抑えることにより、その発光の立ち上がり時間を従来よりも短縮し、効率的な通信を可能とする。このようにして、赤外線発光素子の発光強度を従来よりも顕著に高め、その発光の立ち上がり時間を短縮することにより通信の効率を上げ、より高度な仕様の赤外線通信を可能とすることができる。ここで、本実施の形態において使用する赤外線発光素子は例えばピーク波長λpが875nmで半値幅が40nmのLEDである。
【0031】
更に、本実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュール20においては、シールドケース25が放熱手段としての役割とともに、電磁波の遮蔽という本来の役割を果たしているので、電磁波によるノイズが遮断された状態でS/N比や信頼性の高い通信を行うことができ、又装置自体が発生する有害な電磁波を低減することができる。
【0032】
なお、このように、本実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュール20において従来よりも優れた効果が得られる主原因はシールドケース45を外部電極パターン5に接続したことにあるが、これにより赤外線発光素子2であるLEDのカソード2kに対し、接地されるべきシールドケース25が導通するすることになるので、図4に示すような従来の駆動回路すなわち、LED駆動IC52の出力端52bが赤外線発光素子2のカソード51Kと直結するような構成の駆動回路を用いた場合には赤外線発光素子2に導通するシールドケース25を設けてもその接地ができないため、シールドの役割ができず、シールドケース25を放熱板として利用する本実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュール20の駆動は不可能であった。このため、図3に示した駆動回路を特に案出して用いることにより、その駆動がはじめて可能となったのである。
【0033】
本発明の実施の態様としては、図1に示した表面実装型赤外線通信モジュール(20)の変型例として、図示は省略するが、銅コア19を省いた構造のものもある。この場合、赤外線発光素子2の一端と外部電極パターン5との電気的、機械的接続は内部電極パターン3からフラットスルーホール9、10を並列的に経由する接続ルートにより十分に確保され、赤外線発光素子2の放熱もシールドケース25を含む放熱ルートにより十分な放熱効果が得られるので、図1に示した表面実装型赤外線通信モジュール(20)とほぼ同様の性能の表面実装型赤外線通信モジュールを構成することができる。
【0034】
以上に説明した本発明の実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュールは赤外線発光素子の発光による送信機能のみを有する単方向性のものであるが、本発明はこれに限らず、1台の表面実装型赤外線通信モジュールにIrLED等の赤外線発光素子とフォトトランジスタ又はフォトダイオード等の赤外線受光素子を備えた双方向性の表面実装型赤外線通信モジュールに対しても適用することができる。図5は本発明の実施の形態に係る双方向性の表面実装型赤外線通信モジュールの構造を示す図である。図5において、41は共通絶縁基板であり、共通絶縁基板41の一方の主面41a上に内部電極パターン3、4および43が順次配列して設けられている。共通絶縁基板41は表裏の絶縁板41dが銅コア19を介して積層されてなる。内部電極パターン3上には、すでに説明したのと同様の反射部材11が配設され、赤外線発光素子2がダイボンドされている。内部電極パターン43上にはフォトトランジスタ又はフォトダイオード等の赤外線受光素子42がダイボンドされている。
【0035】
赤外線発光素子2の上端面と赤外線受光素子52の上端面はそれぞれボンデイングワイヤー15により内部電極パターン4に接続されている。共通絶縁基板41の他方の主面41bには前記内部電極パターン3、4および53にそれぞれ対向して、外部電極パターン5、6および45が設けられている。共通絶縁基板41の端面41cには前記内部電極パターン3、4および43をそれぞれ前記外部電極パターン5、6および45に接続するスルーホール7、8および47が設けられている。この他に、図1に示したのと同様のフラットスルーホール9、10が内部電極パターン3と外部電極パターン5の間に共通絶縁基板41を貫通して設けられ、両電極パターンに接続されている。共通絶縁基板41の一方の主面41a上には、赤外線は透過させるが、赤外線よりも波長の短い光線は透過させない波長特性を有する赤外線フィルタ樹脂よりなる封止樹脂部材57が形成され、前記赤外線発光素子2、赤外線受光素子42、ボンデイングワイヤー15を封止し保護する。
【0036】
封止樹脂部材57の赤外線発光素子2に対応する表面および赤外線受光素子42に対応する表面に凸状のレンズ面57bが設けられ、赤外線の内部の発光および外部からの入射光をそれぞれ所定の方向に集光する役割をなす。共通絶縁基板41および封止樹脂部材57の外面の大部分を覆うSUS等よりなるシールドケース55が前記外部電極パターン5、45に半田21により接続し、外部電極パターン6には接続しないようにして設けられている。55bは前記レンズ面57bに対応してシールドケース55に設けられた窓部であり、55cはシールドケース55の張り出し部である。
【0037】
今、図示しない回路との接続を送信用に切り替え、図3を用いて説明したのと同様の原理により、赤外線発光素子2に所定の電流を加え、これを発光させ、赤外線信号を外部に送信する。ここで、赤外線発光素子2の放熱手段はシールドケース55を有する等、図1に示したものと原理的に同様であるので、同様の放熱効果およびシールド効果を有し、従来よりも優れた仕様の送信をすることができる。
【0038】
次に前記回路との接続を受信用に切り替える。外部電極パターン55と6の間に、外部から封止樹脂部材57を透過して赤外線受光素子42に入射した赤外線の検出信号が発生する。この入射光に関しては、封止樹脂部材58のフィルター特性により、環境光のノイズがカットされ、且つ前記と同様に光強度が強く、立ち上がりの急峻な信号光が入射し、これが赤外線受光素子42により検出されて上記の検出信号が発生するので、S/Nが高く通信効率の高い検出信号が得られる。この場合もシールドケースのシールド効果により、信頼性が向上する。なお本実施の形態において使用する赤外線発光素子2は例えばピーク波長λpが略875nmで、半値幅が40nm程度のLEDであり、封止樹脂部材57の材料としては、例えば、800nm以上の波長を透過させ、800nm以下になると透過率が急激に低下するフィルター特性の赤外線フィルター樹脂が用いられる。
【0039】
【発明の効果】
以上に述べたように本発明によれば、基板タイプの赤外線通信モジュール即ち、表面実装型赤外線通信モジュールにおいて赤外線発光ダイオード等の赤外線発光素子の発熱を効果的に放熱する手段を備えることにより、赤外線発光素子を劣化させることなく、その発光強度を現状より大幅に高め、またその発光の立ち上がり時間を現状よりも短縮し通信効率を高め、より高度な仕様の赤外線通信を可能とすることができる。又、シールドケースを電磁波遮蔽手段および放熱手段として兼用できるので、部品点数を増加させることなくノイズを除去し装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る表面実装型赤外線通信モジュールの構造を示す図であり、(a)は正面図、(b)は断面図、(c)は下面図である。
【図2】図1に示す表面実装型赤外線通信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図3】図1に示す表面実装型赤外線通信モジュールの駆動回路を示す図である。
【図4】従来の表面実装型赤外線通信モジュールの駆動回路を示す図である。
【図5】本発明の他の一つの実施の形態に係る双方向性の表面実装型赤外線通信モジュールの構造を示す図である。
【図6】従来のリードフレームタイプの赤外線通信モジュールの構造を示す断面図である。
【図7】従来の表面実装型赤外線通信モジュールの構造を示す断面図である。
【図8】従来の表面実装型赤外線通信モジュールの構造を示す断面図である。
【図9】LEDの駆動電流の立ち上がり特性を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
1 絶縁基板
2 赤外線発光素子
3、4、43 内部電極パターン
5、6、45 外部電極パターン
7、8、47 スルーホール
9、10 フラットスルーホール
11 反射部材
13 Cuペースト
15 ボンデイングワイヤー
17、57 封止樹脂部材
20、40 表面実装型赤外線通信モジュール
21 半田
25、55 シールドケース
31 マザーボード
32、33 接続端子パターン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an infrared communication device, and more particularly to a structure of an infrared communication module (IrDA module) using an infrared light emitting element such as a light emitting diode (hereinafter referred to as LED) that emits infrared light.
[0002]
[Prior art]
By receiving the optical signal from the infrared radiation means by the light receiving means, the infrared communication device can transmit the signal without using a connection and with little noise due to external light. In particular, infrared light emitting diodes (IrLEDs) have recently been used as infrared emitting means, and phototransistors or photodiodes have been used as light receiving means, and are mounted on circuit boards as infrared communication modules that are small and simple in structure. Came to be used. Accordingly, such infrared communication modules are widely used as remote control means, non-contact coupling means between electronic devices, and the like.
[0003]
Conventionally known structures of such infrared communication modules include a lead frame type and a substrate type, which will be described below with reference to the drawings. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a lead frame type infrared communication module, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the substrate type infrared communication module. In FIG. 6,
[0004]
The structure of the substrate type infrared communication module 120 shown in FIG. 7 is such that an infrared
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The board type infrared communication module (120) as shown in FIG. 7 has a simple outer shape and can be mounted on a mother board as compared with the lead frame type infrared communication module (110) as shown in FIG. It is simple and easy to automate, and the overall dimensions can be reduced, and a multi-cavity method can be adopted, and the cost can be easily reduced. However, as described above, the board-type infrared communication module (120) as shown in FIG. 7 has a thickness (approximately 0.05 mm) of the
[0006]
In particular, in recent infrared communication technology, a higher communication distance and angle range are required, such as CIR (CONSUMER IR: communication distance 9 m, angle range ± 15 °) and AIR (ADVANTST IR: communication distance 5 m, angle range ± 60 °) is in the direction of standardization, and a stronger output is required for IrLED. That is, it is expected that the current 300 mA (Peak to Peak) level is changed to a 1 A (Peak to Peak) level. For this purpose, of course, it is necessary to improve the light emission efficiency of the LED and the like, but at the same time, it is necessary to improve the heat dissipation characteristics and suppress the deterioration of the LED and the like. Further, if the LED heat is not sufficiently dissipated and the temperature rise due to heat generation is large, as shown in the time chart of FIG. 9, the rise time of the LED is delayed and efficient communication cannot be performed. Also from this point, improvement of the heat dissipation characteristics of the LED is an important problem. FIG. 7 is a term chart showing the relationship between the LED drive current I and time t. FIG. 7A shows a case where the heat dissipation characteristic of the LED is good, and FIG. 7B shows a case where the heat dissipation characteristic is bad.
[0007]
Next, although FIG. 8 is a conventional example, it is a modified example of the substrate type infrared communication module shown in FIG. 7, and is a cross-sectional view showing the structure of an attempt to improve the heat radiation characteristics of the infrared light emitting element. In FIG. 8, 130 is an infrared communication module in this example.
[0008]
In addition, a pair of through
[0009]
In the case of the infrared communication module 120 shown in FIG. 7, the heat generated by the infrared
[0010]
Thus, by providing a plurality of heat radiation routes in parallel, the infrared communication module 130 of this example has a slightly improved heat dissipation characteristic than the infrared communication module 120 shown in FIG. However, at this level, it cannot be said that the heat radiation characteristics have been sufficiently improved with respect to the above-described requirements. This is because the thickness of the external electrode pattern 111 exposed to the outside is as thin as about 0.05 mm, similarly to the thickness of the
[0011]
The object of the present invention is to improve the above-mentioned problems in the prior art. The present invention solves such a problem, and includes a means for effectively dissipating heat generated by an infrared light emitting element such as an IrLED in a substrate type infrared communication module, that is, a surface-mounted infrared communication module. The purpose is to increase the emission intensity significantly without deterioration and to increase the communication efficiency by shortening the rise time of the emission from the current level, and to enable infrared communication with higher specifications. Is.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention as a first means, In surface mount infrared communication module, A pair of internal connection electrodes formed on one main surface of the insulating substrate, and an infrared light emitting element mounted on the internal connection electrodes When A pair of external connection electrodes formed on the other main surface of the insulating substrate, and an interelectrode connection means between the internal connection electrodes and the external connection electrodes The internal connection electrode and Of the external connection electrode Side on which the infrared light emitting element is mounted Is With solder filled in the solder holes Connected to a shielding case made of metal material with heat dissipation Shi , A sealing resin member is formed on the one main surface of the insulating substrate, a convex lens surface is provided on a surface corresponding to the infrared light emitting element of the sealing resin member, and the convex lens surface A portion of the sealing member other than the lens surface is bonded to the shield case by projecting the lens surface from the window portion of the shield case provided corresponding to the most of the sealing resin member. Connect closely to the shield case, The interelectrode connecting means includes a flat through hole filled with a conductive resin having a conductive effect and a thermal conductive function. In addition, by providing at least one of the flat through holes almost directly below the infrared light emitting element and connecting it to the shield case, heat from the light emitting element is passed through the shield case in parallel to the atmosphere and the connection terminal pattern. Dissipate heat It is characterized by that.
[0013]
In order to solve the above-mentioned problem, the present invention provides a second means in which the insulating substrate includes a metal core made of a metal such as Cu, and the metal core is connected to the flat through hole. And connected to the shield case directly or indirectly.
[0014]
In order to solve the above-mentioned problem, as a third means of the present invention, in the first means or the second means, the inter-electrode conduction means is made of a conductive resin containing a substance having high thermal conductivity such as Cu. It consists of a flat through hole filled with a resin material having high thermal conductivity and a grooved through hole provided on one end face of the insulating substrate.
[0015]
In order to solve the above problems, as a fourth means of the present invention, in any one of the first to third means, at least one of the flat through holes is substantially directly below the infrared light emitting element. It is characterized by being arranged.
[0016]
In order to solve the above problems, as a fifth means of the present invention, in any one of the first to fourth means, the infrared light emitting element is an LED, and the shield case is electrically connected to the cathode. In addition, the anode is characterized in that the other internal connection electrode and external connection electrode that are not conductive to the shield case are conductive.
[0017]
In order to solve the above problems, as a sixth means, the present invention provides a power supply and an LED drive IC, and a drive circuit for driving the surface-mount infrared communication module according to the fifth means, wherein the cathode of the LED Is connected to the ground via the shield case, the LED anodic is connected to the drain of the P-channel FET via the other external connection electrode, and the output terminal of the LED driving IC is connected to the gate of the P-channel FET. The source of the P-channel FET is connected to the high potential side of the power supply directly or via a current adjusting means such as a resistance element.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A and 1B are diagrams showing the structure of a surface-mounting infrared communication module according to the present embodiment. FIG. 1A is a front view, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. It is a bottom view. FIG. 2 is a perspective view of the surface-mounted infrared communication module shown in FIG. 1 as viewed obliquely from below. Here, for convenience, illustration of a sealing resin member (17) and a shield case (25) described later is omitted in FIG. 1A, and illustration of a reflecting member (11) described later is omitted in FIG. It is. A description will be given with reference to FIGS. 1 is an insulating substrate, 2 is an infrared light emitting element such as IrLED, 3 and 4 are a pair of internal electrode patterns, 5 and 6 are a pair of external electrode patterns, 7 and 8 are a pair of through holes, and 9 is a first Flat through
[0019]
11 is a ring-shaped reflecting member made of metal or the like, and 13 is a Cu paste filled in the flat through-
[0020]
The
[0021]
The flat through
[0022]
With this structure, as shown in FIGS. 1 and 2, one end of the infrared
[0023]
The sealing
[0024]
31 is a mother board, and 32 and 33 are connection terminal patterns arranged on the mother board 31. Here, the
[0025]
FIG. 3 is a circuit diagram showing a drive circuit for driving the surface-mounted
[0026]
In the drive circuit shown in FIG. 3, when an input signal is input to the input terminal 52 a of the
[0027]
In the surface mount
[0028]
In the present embodiment, the infrared
[0029]
Further, the first flat through
[0030]
Moreover, by suppressing the temperature rise of the infrared
[0031]
Furthermore, in the surface mount
[0032]
As described above, in the surface mount
[0033]
As an embodiment of the present invention, as a modified example of the surface mount infrared communication module (20) shown in FIG. 1, there is a structure in which the
[0034]
The surface-mounting infrared communication module according to the embodiment of the present invention described above is a unidirectional module having only a transmission function by light emission of an infrared light emitting element. The present invention can also be applied to a bidirectional surface-mount infrared communication module including a surface-mount infrared communication module including an infrared light-emitting element such as IrLED and an infrared light-receiving element such as a phototransistor or a photodiode. FIG. 5 is a diagram showing the structure of a bidirectional surface-mount infrared communication module according to the embodiment of the present invention. In FIG. 5,
[0035]
The upper end surface of the infrared
[0036]
Convex lens surfaces 57b are provided on the surface of the sealing resin member 57 corresponding to the infrared
[0037]
Now, connection with a circuit (not shown) is switched to transmission, and a predetermined current is applied to the infrared
[0038]
Next, the connection with the circuit is switched to reception. Between the
[0039]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the board type infrared communication module, that is, the surface-mount type infrared communication module is provided with means for effectively radiating the heat generated by the infrared light emitting element such as the infrared light emitting diode. Without deteriorating the light emitting element, the light emission intensity can be significantly increased from the current level, the rise time of the light emission can be shortened from the current level, the communication efficiency can be increased, and infrared communication with higher specifications can be achieved. Further, since the shield case can be used as both the electromagnetic wave shielding means and the heat radiating means, noise can be removed and the reliability of the apparatus can be improved without increasing the number of parts.
[Brief description of the drawings]
1A and 1B are diagrams showing a structure of a surface-mounting infrared communication module according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a front view, FIG. 1B is a cross-sectional view, and FIG.
FIG. 2 is a perspective view showing the structure of the surface mount infrared communication module shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a drive circuit of the surface mount infrared communication module shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a diagram showing a driving circuit of a conventional surface mount infrared communication module.
FIG. 5 is a diagram showing a structure of a bidirectional surface-mount infrared communication module according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional lead frame type infrared communication module.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional surface mount infrared communication module.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional surface mount infrared communication module.
FIG. 9 is a time chart showing rising characteristics of LED drive current.
[Explanation of symbols]
1 Insulating substrate
2 Infrared light emitting elements
3, 4, 43 Internal electrode pattern
5, 6, 45 External electrode pattern
7, 8, 47 Through hole
9, 10 Flat through hole
11 Reflective member
13 Cu paste
15 Bonding wire
17, 57 Sealing resin member
20, 40 Surface mount infrared communication module
21 Solder
25, 55 Shield case
31 Motherboard
32, 33 Connection terminal pattern
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JP2009088405A (en) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | Optical module |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101848075B1 (en) * | 2017-08-17 | 2018-04-11 | (주)셀리턴 | Led module for increasing effective wavelengths output |
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