JP4360444B2 - 高分子安定化液晶組成物、液晶表示素子、液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明はアクティブ素子にて駆動可能な高分子安定化液晶表示素子に有用な組成物、ならびに当該組成物を用いた高分子安定化液晶表示素子及びその製造方法に関する。

高分子を用いて液晶配向を安定化する技術としては、ねじれネマチック液晶に光硬化性モノマーを添加し光照射することで配向の高分子安定化を図る技術が開示されている（非特許文献１参照）。当該引用文献記載のネマチック液晶は、高分子安定化される前のねじれ構造を、光硬化後も維持しており、光硬化性モノマーとして、液晶骨格を有する液晶性モノマーを用いることで、表示用液晶材料の液晶性・配向性を失わないようにしている。
当該引用文献においては、光硬化性モノマーをねじれネマチック液晶ホスト中に数％の濃度で添加した後、電圧無印加の状態で光照射して作製した高分子安定型液晶素子の例を示している。さらに実施例において液晶性モノマーを２％、３％、４％、５％を変えた時の電圧−誘電率特性が示されている。この結果によると、液晶性モノマーの添加量が増加すると飽和する誘電率が下がり飽和させるためには更に高い電圧を印加させる必要があり駆動電圧が高くなり、これに応じて素子の駆動電圧も増加する。この点が高分子安定化液晶素子を実用化させる上で課題になっている。
また、液晶素子にスメクチック液晶を用いる場合、ネマチック相とは根本的に異なった挙動を示す。すなわち、スメクチック相を液晶表示素子として応用する場合、スメクチック相が層（レイヤー）構造を有し、液晶分子の長軸（分子の向き）が層構造ができている方向から傾く現象を利用する。液晶分子が層法線方向から傾く角度を、傾き角（チルト角）と呼び、スメクチック液晶を液晶素子として用いる場合に特徴的な物性となり、液晶素子として適したチルト角を得ることが望ましいが、前記引用文献には、このチルト角に与える影響についての開示はない。

一方、高分子安定化ねじれネマチック液晶をＴＦＴ液晶表示素子に適用した例として、ＴＦＴ液晶表示素子において光硬化性液晶性モノマーを少量添加して重合させることにより、形成された高分子の作用で配向を安定化する技術が開示されている（特許文献１参照）。しかしながら、当該引用文献においては、立下り時の液晶の応答速度の改善はされているものの、前述の駆動電圧の問題については解決されておらず、また、光硬化性液晶モノマーの添加が前述のチルト角に与える影響についての開示もない。

高分子安定化液晶表示素子においてねじれネマチック液晶表示モード以外には、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードへ応用した技術が提案されている（非特許文献２参照）。当該引用文献には、液晶分子を光反応性モノマー中に分散させ、外部電界印加により所望のベンド配列構造を得たのち、光照射により前記ベンド配列を固定化する技術が開示されている。ＯＣＢモードは表示装置を立ち上げる際に高い電圧を印加して初期状態で液晶分子がスプレイ配列しているが、これをベンド配列へ変える配向転移操作が必要になるで、予め、ベンド配向を高分子により固定化することにより、このベンド配列への配向転移操作が不要な表示立ち上げと同時にＯＣＢモードによる表示が可能にしてＯＣＢモードの欠点を解消している。
また、１枚の基板上に液晶分子を高分子液晶マトリックス中に固定化してハイブリッド配向を固定化させ、該基板上のホモジニアス配向部分が接するよう二枚の基板を張り合わせてＯＣＢモードのベント配向を作り液晶表示素子に用いる技術が開示されている（特許文献２参照）。この場合は、電圧を印加せずベント配向を作ることが特徴である。
しかしながら、これらの引用文献開示の発明においても前述の駆動電圧の問題については解決されておらず、また、光硬化性液晶モノマーの添加が前述のチルト角に与える影響についての開示もない。

高分子安定強誘電性液晶（高分子安定ＦＬＣ）に関しては、ＦＬＣ材料と共にモノマーを使用し、電界を印加し一方の方向に液晶分子を揃えながら紫外線を照射することにより高分子安定化を図る技術が提案されている（非特許文献３及び４参照）。
又、強誘電性液晶と単官能液晶性（メタ）アクリレートモノマーを含有する液晶組成物を液晶セル中に注入した後、該組成物が所定の液晶相を示す温度において紫外線を照射し、単官能液晶性（メタ）アクリレートモノマーを高分子化させることによって得られる高分子安定化強誘電性液晶表示素子が開示されている（特許文献３、４及び５参照）。液晶分子の配向を高分子安定化することにより新規の機能を付与することができ、上述のOCBモード、及び強誘電性液晶に単官能液晶性（メタ）アクリレートを用いた素子は、良好なベント配向を得たり、良好な中間調表示が可能であるという特徴を有するものの、単官能液晶性（メタ）アクリレートモノマーの重合により得られた高分子の耐熱性が良好でなく、結果として高温での信頼性が良好でないという問題があった。さらに、強誘電性液晶に単官能液晶性（メタ）アクリレートを用いた素子では駆動電圧が高いという問題点があった。また、スメクチックA相で紫外線露光して高分子安定化を行いスメクチックC相へ除冷して相転移させると印加電圧に比例した中間調表示が可能になりうることが開示されているが駆動電圧が高いという問題があった。（特許文献３参照）。このように、これらの引用文献開示の発明においても前述の駆動電圧の問題については解決されておらず、また、光硬化性液晶モノマーの添加が前述のチルト角に与える影響についての開示もなかった。

単官能液晶性（メタ）アクリレートモノマーより耐熱性に優れた高分子を与える多官能液晶性モノマーを用いた高分子安定化強誘電性液晶表示素子が示されている（特許文献６参照）。しかしながら、多官能液晶性モノマーは、液晶性を示す温度が８０℃以上と高いものが多く、高分子安定化液晶素子作成の紫外線を照射する前段階において温度を高くする必要性が生じ、その結果、望ましくない熱重合が誘起され、液晶配向の均一性が劣化してしまうという問題があった。
また、液晶が６０〜９５重量％で残りが網目状の高分子であるため高分子分散型液晶に見られる光散乱が起こる。この散乱が偏光を用いた表示素子のコントラストを低くする原因になる。そのため、コントラスト向上に他の手段が必要となる欠点があった。
更に、単官能液晶性（メタ）アクリレートに比べて多官能液晶性（メタ）アクリレートは、メソゲン基の熱の揺らぎが抑えられて高分子安定化の信頼性は高くなるものの低分子液晶との相互作用が高くなり駆動電圧が高くなる問題も有していた。
特開２００５−１０２０２号公報 特開２００３−２４８２２６号公報 特開平９−２１１４６２号公報 特開平９−２１１４６３号公報 特開平１１−２１５５４号公報 特開平６−１９４６３５号公報 日本学術振興会 情報科学用有機材料第１４２委員会 Ａ部会（液晶材料）第９１回研究会資料（２８頁から３０頁） 電子情報通信学会技術研究報告、Ｖｏｌ．９５、（ＥＩＤ９５−１７）、ｐｐ．４３−４８、１９９５ 古江（Ｈ．Ｆｕｒｕｅ），ジャパン・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．），３６，Ｌ１５１７ （１９９７） 古江（Ｈ．Ｆｕｒｕｅ），ジャパン・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．），３７，３４１７ （１９９８）

本発明の課題は、中間調の表示を可能とするスメクチック液晶を用いた高分子安定液晶表示素子において、TFT（薄膜トランジスター）駆動が可能レベルに駆動電圧を低減して、更には駆動電圧の温度変化を抑制してTFT駆動による安定した表示が得られ、表示に適した大きさのチルト角を得ることが可能な高分子安定液晶組成物及びこれを用いて製造した高分子安定液晶表示素子を提供することにある。

スメクチック液晶を用いた高分子安定液晶表示素子用組成物において、液晶分子に高分子安定化の効果を強く与えるためには、高分子前駆体としてメソゲン構造を有する液晶性アクリレートのような液晶性高分前駆体を用いればよい。これは、液晶性アクリレートがメソゲン構造を持つために、周囲の低分子液晶のメソゲン構造と強いアンカリング力を持つことができ、そのため、高分子安定化した状態の熱的、力学的な安定性が向上するわけである。しかしながら、一方で、アンカリング力が強くなるために駆動電圧が増大しアモルファスシリコン−ＴＦＴやポリシリコンＴＦＴで駆動が困難となる問題があった。また、アンカリング力が強くなることにより、スメクチック層内で液晶分子が傾きにくくなり、チルト角が小さくなるという欠点があった。
高分子安定化状態の安定性を向上するためには、二官能液晶性アクリレート等を用いて架橋高分子を用いればよい。二官能液晶性アクリレートの使用により、メソゲン基が高分子主鎖に配置され該メソゲン基の両端が架橋により固定化されているため熱の揺らぎの影響が少なく低分子液晶の配向安定化の信頼性が向上する。しかし、その反面、熱の揺らぎが小さくなるため低分子液晶との相互作用が増大する、その結果低分子液晶の配向を固定化した際に起こる低分子液晶／高分子界面でのアンカリング力がさらに高くなり、益々駆動電圧が増大するという弊害が生じる。さらに、スメクチック層内で液晶分子が益々傾きにくくなり、チルト角が小さくなるという欠点があった。
高分子安定化の信頼性を上げるのには、高分子鎖の架橋密度を高くしてガラス転移温度等を高くする方法があるが、同時に低分子液晶と該高分子とのアンカーリング力が増加して駆動電圧増加、及び、チルト角の減少を引き起こす。また、網目状高分子鎖の体積割合を増加すると該高分子鎖の熱的、機械的安定性は向上するが該高分子鎖の屈折率が表示素子中に低分子液晶の屈折率分布へ影響を強く及ぼすようになり低分子液晶との屈折率差から光散乱を起こして表示のコントラストを低下させていた。

このように液晶性高分子前駆体を用いると、高分子安定化状態は安定化するが、同時にアンカーリング力が増大し、好ましくない駆動電圧の増加や、チルト角の減少を引き起こす。しかしながら、本願発明者らは、種々の重合性液晶化合物と液晶化合物の組成を検討した結果、液晶性高分子前駆体と非液晶性高分子前駆体の両方を同時に使用することを検討することにより、駆動電圧の増加、チルト角の減少を防ぎ、更には、駆動電圧の温度依存性を抑制することを見出し、本願発明の完成に至った。
本願は、一般式（Ｉ−ａ）

（式（Ｉ−ａ）中、Ａ^１は水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^２は単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
Ａ^３及びＡ^６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１８のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から１７のアルキル基で置換されていても良い。）を表し、

Ａ^４及びＡ^７はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から９のアルキル基で置換されていても良い。）を表し、
ｋは１から４０を表し、
Ｂ^１、Ｂ^２及びＢ^３は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数１から１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個もしくは２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い）、又は一般式（Ｉ−ｂ）

（式（Ｉ−ｂ）中、Ａ^９は水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^８は単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）で表される基を表す。ただし、２k＋１個あるＢ^１、Ｂ^２及びＢ^３のうち前記一般式（Ｉ−ｂ）で表される基となるものの個数は０〜３個である。）
で表される重合性化合物であって、該重合性化合物の重合物のガラス転移温度が−１００℃から２５℃である重合性化合物（Ｉ）と、
一般式（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）

（式（ＩＩ−ａ）及び（ＩＩ−ｂ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表し、
Ｃ^１は１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｃ^２及びＣ^３はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジイル又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｘ^１はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基、イソシアネート基、シアノ基を表し、
ｎ^１は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^１が２を表す場合、複数あるＣ^１及びＺ^１は同じであっても異なっていても良い。）
で表される化合物（ＩＩ）と、
一般式（ＩＩＩ−ａ）

（式（ＩＩＩ−ａ）中、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、
Ｃ^４及びＣ^５はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｚ^３及びＺ^５はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
Ｚ^４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
ｎ^２は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^２が２を表す場合、複数あるＣ^４及びＺ^４は同じであっても異なっていても良い。）、
一般式（ＩＩＩ−ｂ）

（式（ＩＩＩ−ｂ）中、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、Ｃ^６は１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｃ^７及びＣ^８はそれぞれ独立してベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，３，４−トリイル基、ベンゼン−１，３，５−トリイル基、シクロヘキサン−１，２，４−トリイル基、シクロヘキサン−１，３，４−トリイル基又はシクロヘキサン−１，３，５−トリイル基を表し、Ｚ^６及びＺ^８はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
Ｚ^７及びZ^９それぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
ｎ^３は、０、１又は２を表すが、ｎ^３が２を表す場合、複数あるＣ^６及びＺ^７は同じであっても異なっていても良く、ｎ^５及びｎ^６はそれぞれ独立して１、２及び３を表す。）
及び一般式（ＩＩＩ−ｃ）

（式（ＩＩＩ−ｃ）中、Ｒ^７は水素原子又はメチル基を表わし、
６員環Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立的に、

のいずれか（ただしｍは１から４の整数を表す。）を表し、
ｎ^４は０又は１の整数を表し、
Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ−を表し、
Ｙ^３は単結合、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｒ^８は炭素原子数１から１８の炭化水素基を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種の重合性化合物（ＩＩＩ）と、
一般式（ＩＶ−ａ）又は（ＩＶ−ｂ）

（式（ＩＶ−ａ）及び（ＩＶ−ｂ）中、Ｒ^９は炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表し、
Ｃ^８及びＣ^９はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基又は１，４−シクロへキシレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｚ^９は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｙ^４及びＹ^５はそれぞれ独立して単結合、酸素原子、炭素数１〜１４のアルキレン基、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＯＣＯＣＨ_２−を表し、
ｎ^５は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^５が２を表す場合、複数あるＣ^８及びＺ^９は同じであっても異なっていても良い。
Ｘ^４及びＸ^５はそれぞれ独立して、一般式（ＩＶ−ｃ）から（ＩＶ−ｈ）

のいずれかの式で表される基を表す。ただし、
式（ＩＶ−ｃ）から（ＩＶ−ｈ）中、＊は炭素原子が不斉炭素原子であることを表し、
Ｒ^ｃ、Ｒ^ｄ、Ｒ^ｅ、Ｒ^ｆ及びＲ^ｇはそれぞれ独立して炭素原子数２から２０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ及びＹ^ｄはそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
Ｘ^ｅ及びＹ^ｅはそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
Ｘ^ｈ及びＹ^ｈはそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
Ｚ^ｄは単結合又はメチレン基を表し、
Ｚ^ｅは酸素原子又は−ＯＣ（Ｒ^ｅ１）（Ｒ^ｅ２）Ｏ−で表される基（ただし、Ｒ^ｅ１及びＲ^ｅ２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基を表す。）を表し、
Ｚ^ｆはカルボニル基又は−ＣＨ（Ｒ^ｆ１）−で表される基（ただし、Ｒ^ｆ１は水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基を表す。）を表し、
Ｚ^ｇは−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＯＣＨ_２−を表す。）
で表されるカイラル化合物（ＩＶ）と、
を含有することを特徴とする高分子安定化液晶組成物を提供する。

本願発明の高分子安定化液晶組成物を構成部材とする高分子安定化強誘電性液晶表示素子は駆動電圧が低く、駆動電圧の温度変化を抑制して低温（-10℃）〜高温（60℃）の温度範囲でTFT駆動による安定した表示を得ることができ、強誘電性液晶単体の表示素子では不可能な中間調の表示を可能にして、熱的及び力学的安定性に優れる特徴を有する。更には、又、ＴＦＴ駆動も可能であることから、プラスチック液晶セル等の構成部材として有用である。

以下に本発明の一例について説明する。本発明の高分子安定化液晶表示素子用組成物は、その中に含まれるラジカル重合性化合物が熱、又は紫外線等の活性エネルギー線により重合し、それに伴い液晶組成物と相分離、又は液晶組成物中に分散した状態を引き起こし、透明性高分子物質と液晶組成物からなる高分子安定化液晶表示素子を得るのに使用される。この素子は、一対の電極層を有する基板間に配向制御膜と液晶層とを有する液晶素子において、液晶層が少なくとも液晶性高分子前駆体と非液晶性高分子前駆体を含有する光硬化性組成物の光硬化物及び強誘電性液晶材料を含有しており、且つ一対の電極層間に電圧を印加していない状態における液晶性高分子前駆体のメソゲン基の配向方向と、又は、非液晶高分子前駆体の高分子主鎖の長軸方向と、強誘電性液晶材料の配向方向が配向制御膜の配向方向に揃い一軸配向になるように高分子安定化させた液晶表示素子であって、液晶層中に液晶性高分子前駆体と非液晶性高分子前駆体を含有する光硬化性組成物の光硬化物を分散させて含有させ、液晶性骨格を有する高分子鎖による強誘電性液晶材料の配向安定化効果により、電圧を印加していない状態では、液晶性高分子前駆体の液晶骨格の長軸や非液晶性高分子前駆体主鎖の長軸方向と強誘電性液晶材料の配向方向のなす方向が一様な方向の配向状態を実現させたものであり、電圧を印加すると強誘電性液晶の自発分極により強誘電性液晶材料の配向方向が液晶性高分子前駆体の液晶骨格の配向方向ではなくなり、電圧の変化によって 強誘電性液晶材料の配向方向と液晶性高分子前駆体の液晶骨格の配向方向のなす角度が連続的に変化する性質が付与されたものである。例えば、二枚の偏光板の間に該素子を配置して、印加する電圧を変化させることにより透過光量を連続的に制御することができ、強誘電性液晶単体の素子で行われる面積階調等の特別な手段を用いることなく印加電圧に比例した中間調の表示を可能にしたものである。上述の一軸配向は、一軸配向が得られるようにラビング配向処理したポリイミド等の高分子配向膜を用いる方法、光配向膜による方法、電界や磁場等の外場により方法、配向膜と前記外場を併用した方法等によりメソゲン基や高分子主鎖の長軸を揃えて配向させた状態に紫外線を露光して高分子安定化させることにより得られる。
このようにして形成された高分子安定化液晶表示素子は、前記組成物に添加され高分子前駆体の含有量に比例して駆動電圧、及び光散乱が上昇する。該前駆体の含有量が微量である場合、駆動電圧の上昇度合いは低減されるが、熱的や機械的安定性に乏しい。信頼性を高くするためには、前駆体の含有量を増やす必要があり、この時に駆動電圧の増加や液晶配向性の低下、及び散乱性の発現が問題になる。駆動電圧の増加は、例えば高分子分散型液晶表示素子の駆動電圧に関する記述として、特開平６−２２２３２０号公報において次式の関係が示されている。高分子安定化液晶素子の駆動電圧に対する考え方は、高分子分散型液晶表示素子と同様で、次の通りになる。

（Ｖｔｈはしきい値電圧を表わし、^１Ｋｉｉ及び^２Ｋｉｉは弾性定数を表わし、ｉは１、２又は３を表わし、Δεは誘電率異方性を表わし、＜ｒ＞は透明性高分子物質界面の平均空隙間隔を表わし、Ａは液晶組成物に対する透明性高分子物質のアンカリングエネルギーを表わし、ｄは透明性電極を有する基板間の距離を表わす。）

これによると、高分子安定化液晶表示素子の駆動電圧は、透明性高分子物質界面の平均空隙間隔、基板間の距離、液晶組成物の弾性定数・誘電率異方性、及び液晶組成物と透明性高分子物質間のアンカリングエネルギーによって決定される。このうち、一般の液晶表示素子では駆動電圧はセル厚、該誘電率異方性、及び該弾性定数で決まるが、高分子分散液晶と同様に高分子安定化液晶表示素子において特有の要因である。それは、液晶組成物と透明性高分子物質間のアンカリングエネルギーである。そのため、高分子安定化液晶表示素子においてもポリマーと液晶との界面の面積が増加するとともに系のアンカリングエネルギーが増して駆動電圧が上がる。言い換えると、本発明の組成物中に液晶性高分子前駆体の含有量が増加すると駆動電圧が上がることを意味している。駆動電圧の上昇を低減し、低い駆動電圧を維持させるためには、高分子安定化液晶を構成する高分子のアンカリングエネルギーを低くすれば良いことになる。例えば、重合性高分子前駆体の効果は、低分子液晶の一軸配向を高分子安定化させることにある。一方、非液晶性高分子前駆体は、該非液晶性高分子が低分子液晶に対してアンカーリング力が弱いものを用いることにより重合性高分子による駆動電圧増加を低減させる役割を果たす。前記組成物に用いる重合性液晶高分子前駆体と非液晶性高分子前駆体を併用して組成を調整することで高分子安定化の信頼性を維持したまま課題である駆動電圧を下げることができる。
非液晶性高分子前駆体の該エネルギーを低くするには、アルキル側鎖を有する二官能モノマーを用いれば良い。特に、アルキル側鎖の炭素原子数が５から１５が良く、更に、該炭素原子数が８から１３がより好ましい。アルキル側鎖が短い場合は、アンカリングエネルギーが高くなり、長すぎると、側鎖の影響が強くなりアンカリングエネルギーが高くなる。又、低分子液晶に類似したベンゼン環等を有するメソゲン基を側鎖にすると低分子液晶との親和性が高くなりアンカリングエネルギーが増加して好ましくない。更に、アルキル側鎖間の距離も重要で、炭素原子数の距離に換算して６〜１８が良い。使用する液晶組成に依存するがアルキル側鎖間が狭いと低分子液晶が高分子界面で垂直配向してしまい好ましくない。

アンカリングエネルギーは、側鎖が低分子液晶に及ぼす分子間相互作用と、主鎖が低分子液晶に及ぼす分子間相互作用とのバランスで決まり、両者の力が均等になるときにアンカリングエネルギーが最小になる。更に、高分子の架橋間距離は、高分子主鎖の熱運動性に影響を及ぼし、架橋間距離が短く熱運動性が低いと低分子液晶に対する分子相互作用が強く働きアンカリングエネルギーが高まる。架橋間距離が長くなると高分子主鎖の熱運動性が増して主鎖の熱による揺らぎが大きくなり分子間相互作用の力より揺らぎの力が大きくなると分子間相互作用を打ち消すように作用するためアンカリングエネルギーが小さくなる。しかし、架橋間距離が長くなると高分子前駆体の重合速度が遅くなり、液晶との相溶性が下がり好ましくなくなる。高分子主鎖の熱運動性を表す指標としては高分子ガラス転移温度が一般に用いられる。

本発明では、アンカリングを低くする目的で該ガラス転移温度が室温以下になる高分子前駆体を用いることが好ましく、更には、ガラス転移温度が０〜−１００℃であることがより好ましい。他に、ガラス転移温度を低くする意味では、機械的安定性を向上させるためにガラス転移温度を低くすることが好ましい。ガラス転移温度が室温以上であると素子外部からの変形などにより高分子で液晶の配向を安定化させる高分子網目構造が変形したり破損したりして高分子配向安定化の作用が落ちてしまう。ガラス転移温度が低いと該網目構造が変形しても網目の弾力性で元の状態に戻り固定化された配向が保持される。即ち、本発明に使用する液晶組成と高分子前駆体の主鎖長と側鎖長を調整して、かつガラス転移温度が室温以下である高分子前駆体を使用することで駆動電圧が低く、信頼性の高い高分子安定化液晶素子が得られる。しかし、高分子安定化液晶では液晶表示素子作製時の初期配向を安定化させることも重要な課題である。

光散乱は、該平均空隙間隔が可視光の波長領域の範囲に入ると見られるようになり約500nm付近から１５００nm付近で散乱が最も強くなる。高分子安定化液晶の場合は、網目状高分子の網目の大きさを上述の範囲から避けるように液晶中に形成させることが重要になる。500nm以下にするには、スピノーダル分解による相分離過程を利用する方法、UV重合速度を速くして作製する方法（UV重合プロセスによる方法や高分子前駆体組成の調整による方法）、低分子液晶と相溶した状態で相分離が殆ど起こらせないで重合させる方法等が挙げられ、これらの手法を有効に用いて光散乱が起こらない微細な網目状高分子を形成させることが好ましい。高分子前駆体が、低分子液晶に相溶している場合は低分子液晶中に分散した状態で網目状高分子を形成させることが可能で分子レベルの微細な構造を得られることができより好ましい。しかしながら、本発明の高分子前駆体を液晶相中で重合させると重合ミクロ相分離が極小的に起こる場合は、配向のオーダーは高くはないが液晶分子ダイレクターに沿うように網目状の高分子が形成されることが電子顕微鏡等で観察される。これは、前駆体主鎖が液晶に接すると液晶分子ダイレクター方向へ該前駆体主鎖が揃う傾向があり、該前駆体の高分子化により液晶の配向が固定化される。しかし、該前駆体の濃度が高くなると重合ミクロ相分離で起こるスピノダル分解やバイノーダル分解による相分離構造が液晶の配向を無視して形成されるため目的の液晶の配向を固定化させることはできなくなる。上述の方法は低分子液晶の配向を乱す恐れがある場合があり、この場合は、所望の安定化させる配向が得られるように電界、配向膜の配向規制力、磁場外場などを活用して目的の高分子安定化液晶素子が得られるように前記外場を調整して作製することもできる。更には、重合性液晶高分子前駆体と非液晶性高分子前駆体による共重合体でメソゲン基の自己組織化の性質や水素結合基等を基にした自己組織化を応用して規則性のある周期構造を形成させても良い。所望の特性を得るのに必要であれば微粒子状の高分子を低分子液晶中に分散させた構造であっても良い。
このように、液晶高分子前駆体と非液晶高分子前駆体で構成される高分子安定化液晶組成物を用いることで駆動電圧を低く、中間調表示が可能で、且つ高分子安定化の信頼性が高く、更に、光散乱が無く、チルト角が大きく高コントラストな液晶表示素子を得ることができる。
液晶が配向膜等で配向させた状態を配向欠陥無く固定化させるためには、少なくとも、ネマチック相から除冷してスメチック相へ相転移させることが好ましく、用いる液晶セルの基板面が平坦であることがより好ましい。また、ネマチック相やスメクチック相等の液晶相中で該高分子前駆体を網目状、又は分散した状態に重合させる必要がある。更に、該相分離構造形成を避けるためには、高分子前駆体の含有量を少なくして、液晶が配向している状態で液晶分子間に網目状高分子が形成できるよう該高分子前駆体含有量や該前駆体の組成を調整することが好ましく、さらに、光重合の場合は、ＵＶ露光時間、ＵＶ露光強度、及び温度を調整して網目状の高分子を形成させて液晶配向欠陥が無いようにすることが好ましい。また、組成物中の高分子前駆体を重合させる際に、所望の液晶配向を得るためには、垂直配向、パラレル配向やアンチパラレル配向のラビング配向処理や光配向処理を施した配向膜を有する液晶セルを用いたり、上下基板が垂直配向膜、又は垂直配向膜と平行配向との組み合わせた液晶セル等を用いたりすることができる。さらには、光、熱、電圧、磁場等の外場を印加して得られる捩れ配向、ベント配向やスプレイ配向、平行配向等や、配向膜単独だけでは得ることが難しい液晶配向状態を作り、該前駆体の高分子化により、それらの配向状態を固定化させて目的の高分子安定化液晶表示素子を得ることができる。例えば、スメクチック相では外場によりダイレクターを一定方向へ揃えた配向状態を高分子安定化させたり、スイッチングさせて過度的な配向状態を高分子化により固定化させ所望の高分子安定化液晶表示素子を得ることもできる。

本発明に用いる高分子前駆体は、上述のような高分子前駆体としてより改善効果が大きい化合物の探索を行った結果、到達したものである。
本発明の高分子安定化液晶組成物は、一般式（Ｉ−ａ）で表される重合性化合物（Ｉ）
と、一般式（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）で表される低分子液晶化合物（ＩＩ）と、一般式（ＩＩＩ−ａ）、（ＩＩＩ−ｂ）及び（ＩＩＩ−ｃ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の重合性液晶化合物（ＩＩＩ）と、一般式（ＩＶ−ａ）又は（ＩＶ−ｂ）で表されるカイラル化合物（ＩＶ）をそれぞれ少なくとも一種含有するものである。

重合性化合物（Ｉ）は、一般式（Ｉ−ａ）で表されるものの中で複数、主鎖長やアルキル側鎖長の異なるものを含有させても良い。更に、必要に応じて、重合性液晶化合物を併用しても良い。重合性液晶化合物を用いると低分子液晶の配向性を高めることができるが、低分子液晶との親和性が高く駆動電圧が増加し易くなるため５％以下が好ましい。さらに、重合性液晶化合物（ＩＩＩ）の併用により配向性を高めて、かつ一般式（Ｉ−ａ）で表される重合性化合物（Ｉ）による低アンカリングエネルギーの作用と低ガラス転移温度の効果で駆動電圧が低くて機械的強度が高い高分子安定化液晶表示素子を得ることができる。

液晶セルの２枚の基板はガラス、プラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法、又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

２枚の基板間に高分子安定化液晶組成物を狭持させるに方法は、通常の真空注入法、又はＯＤＦ法などを用いることができる。この時、高分子安定化液晶組成物は、各種液晶化合物と本発明の高分子前駆体が相溶していれば良く、均一なアイソトロピック状態か、又はネマチック相であることが好ましい。スメクチック相では、素子作製時の取り扱い方が難しくなる。

ラジカル重合性化合物を重合させる方法としては、紫外線照射が好適である。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、高分子分散型液晶表示素子用組成物に含有されている光重合開始剤の吸収波長領域であり、且つ含有されている液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、具体的には、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプを使用して３３０ｎｍ以下の紫外線をカットして使用することが好ましく、３５０ｎｍ以下の紫外線をカットして使用することがより好ましい。

照射する紫外線の強度は、目的とする調光層を得るため適宜調整することができるが、使用する高分子前駆体の反応性に依存するが１０から１００００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、５０から５０００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０から６００秒が好ましい。

また、紫外線照射の時の温度は、所望の液晶初期配向を調光層の特性を決めて安定化させるのに重要な要素となる。等方相状態を固定化させる場合は、高分子安定化液晶表示素子用組成物のアイソトロピック−ネマチック転移点よりわずかに高い温度が好ましく、具体的には転移点＋０．１から１０℃が好ましく、転移点＋０．１℃から３℃がより好ましい。また、ネマチック相やスメクチック相、コレステリック相を示す温度にして素子を作製することができる。

高分子安定化させる液晶の配向状態としては、スメクチック相やネマチック相で見られるベンド配向、捩れ配向、及びスプレイ配向等やそれらを複数組み合わせたマルチドメイン、及び一軸配向を持つモノドメインを複数方向に配置したマルチドメイン等、必要な配向状態が挙げられる。これらの配向状態は、温度を変えたり、外部電場を印加して電圧を変化させたり、基板界面に存在するポリイミド配向膜や光配向膜等の配向処理方向を一方向や複数方向に処理して液晶を配向させて、液晶の配向を様々な方法で目的の配向状態を作り、紫外線露光して高分子安定化させることが好ましい。

本発明の高分子安定化液晶表示素子は、本発明の高分子安定化液晶組成物を重合させ、液晶相中に高分子鎖を形成させることにより低分子液晶の配向状態を安定化したものである。このような高分子安定化液晶表示素子は、高分子安定化液晶組成物に外部電場を加え、又は重合性液晶の配向を配向膜により制御することで、所望の配向状態を維持させながら紫外線露光して重合させることによって得ることができる。

本発明の高分子安定化液晶組成物に使用する化合物の具体的な一例を以下に示す。
＜重合性化合物（Ｉ）＞
本発明の高分子安定化液晶組成物に用いられる重合性化合物（Ｉ）は、下記一般式（Ｉ−ａ）

（式（Ｉ−ａ）中、Ａ^１は水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^２は単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
Ａ^３及びＡ^６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１８のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から１７のアルキル基で置換されていても良い。）を表し、
Ａ^４及びＡ^７はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から９のアルキル基で置換されていても良い。）を表し、
ｋは１から４０を表し、
Ｂ^１、Ｂ^２及びＢ^３は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数１から１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個もしくは２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い）、又は一般式（Ｉ−ｂ）

（式（Ｉ−ｂ）中、Ａ^９は水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^８は単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）で表される基を表す。ただし、２k＋１個あるＢ^１、Ｂ^２及びＢ^３のうち前記一般式（Ｉ−ｂ）で表される基となるものの個数は０〜３個である。）
で表される重合性化合物であって、該重合性化合物の重合物のガラス転移温度が−１００℃から２５℃である重合性化合物（Ｉ）である。

なお、本願発明において、「アルキレン基」とは、特に断りのない場合、脂肪族直鎖炭化水素の両端の炭素原子から水素原子各１個を除いた二価の基「−（ＣＨ_２）_ｎ−」（ただしｎは１以上の整数）を意味するものとし、その水素原子からハロゲン原子もしくはアルキル基への置換、又はメチレン基から酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−もしくは−ＯＣＯ−への置換がある場合は、その旨を特に断るものとする。また、「アルキレン鎖長」とは、「アルキレン基」の一般式「−（ＣＨ_２）_ｎ−」におけるｎをいうものとする。
一般式（Ｉ−ａ）で表される重合性化合物（Ｉ）の好ましい構造として、下記一般式（Ｉ−ｃ）

（式（Ｉ−ｃ）中、Ａ^１１及びＡ^１９はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^１２及びＡ^１８はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、

Ａ^１３及びＡ^１６はそれぞれ独立して炭素原子数２から２０の直鎖アルキル基（該直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
Ａ^１４及びＡ^１７はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から９のアルキル基で置換されていても良い。）を表し、
Ａ^１５は炭素原子数９から１６のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する少なくとも１個以上５個以下のメチレン基において、該メチレン基中の水素原子の一つはそれぞれ独立に炭素原子数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基で置換されている。該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表す。）で表される化合物、一般式（Ｉ−ｄ）

（式（Ｉ−ｄ）中、Ａ^２１及びＡ^２２はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、ａは、６〜２２の整数を表す。）で表される化合物、一般式（Ｉ−ｅ）

（式（Ｉ−ｅ）中、Ａ^３１及びＡ^３２はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、ｂ及びｃはそれぞれ独立して１〜１０の整数を表し、ｄは１〜１０の整数を表し、
ｅは０〜６の整数を表す。）で表される化合物、及び一般式（Ｉ−ｆ）

（式（Ｉ−ｆ）中、Ａ^４１及びＡ^４２はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、ｍ，ｎ，ｐ及びｑはそれぞれ独立して１〜１０の整数を表す。）で表される化合物からなる群から選ばれる１種以上が挙げられる。これらの中でも、式（Ｉ−ｃ）で表される化合物を含むことが好ましい。
一般式（Ｉ−ｃ）で表される重合性化合物の好ましい構造として、Ａ^１１及びＡ^１９はいずれも水素原子であることが好ましい。これらの置換基Ａ^１１，Ａ^１９がメチル基である化合物においても本願発明の効果は発現するが、水素原子である化合物は重合速度がより速くなる点で有利である。

Ａ^１２及びＡ^１８はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基であることが好ましい。二つの重合性官能基間距離は、Ａ^１２及びＡ^１８とＡ^１５とで独立的にそれぞれ炭素数の長さを変えて調整することができる。一般式（Ｉ−ｃ）で表される化合物の特徴は、重合性官能基間の距離（架橋点間の距離）が長いことであるが、この距離があまりに長いと重合速度が極端に遅くなって相分離に悪い影響が出てくるため、重合性官能基間距離には上限がある。一方、Ａ^１３及びＡ^１６の二つの側鎖間距離も主鎖の運動性に影響がある。すなわちＡ^１３及びＡ^１６の間の距離が短いと側鎖Ａ^１３及びＡ^１６がお互いに干渉するようになり、運動性の低下をきたす。従って、一般式（Ｉ−ｃ）で表される化合物において重合性官能基間距離はＡ^１２、Ａ^１８、及びＡ^１５の和で決まるが、このうちＡ^１２とＡ^１８を長くするよりはＡ^１５を長くした方が好ましい。

一方、側鎖であるＡ^１３，Ａ^１４，Ａ^１６，Ａ^１７においては、これらの側鎖の長さが次のような態様を有することが好ましい。

一般式（Ｉ−ｃ）において、Ａ^１３とＡ^１４は主鎖の同じ炭素原子に結合しているが、これらの長さが異なるとき、長いほうの側鎖をＡ^１３と呼ぶものとする（Ａ^１３の長さとＡ^１４の長さが等しい場合は、いずれが一方をＡ^１３とする）。同様に、Ａ^１６の長さとＡ^１７の長さが異なるとき、長いほうの側鎖をＡ^１６と呼ぶものとする（Ａ^１６の長さとＡ^１７の長さが等しい場合は、いずれが一方をＡ^１６とする）。

このようなＡ^１３及びＡ^１６は、本願においてはそれぞれ独立して炭素原子数２から２０の直鎖アルキル基（該直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）とされているが、
好ましくは、それぞれ独立して炭素原子数２から１８の直鎖アルキル基（該直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）であり、
より好ましくは、それぞれ独立して炭素原子数３から１５の直鎖アルキル基（該直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）である。

側鎖は主鎖に比べて運動性が高いので、これが存在することは低温での高分子鎖の運動性向上に寄与するが、前述したように二つの側鎖間で空間的な干渉が起こる状況では逆に運動性が低下する。このような側鎖間での空間的な干渉を防ぐためには側鎖間距離を長くすること、及び、側鎖長を必要な範囲内で短くすることが有効である。

さらにＡ^１４及びＡ^１７については、本願においてはそれぞれ独立に水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から９のアルキル基で置換されていても良い。）とされているが、
好ましくは、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数１から７のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）であり、
より好ましくは、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数１から５のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）であり、
さらに好ましくは、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数１から３のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）である。

このＡ^１４及びＡ^１７についても、その長さが長すぎることは側鎖間の空間的な干渉を誘起するため好ましくない。この一方でＡ^１４及びＡ^１７が短い長さを持ったアルキル鎖である場合、高い運動性を持った側鎖になり得ること、及び隣接する主鎖同士の接近を阻害する働きを有することが考えられ、高分子主鎖間の干渉を防ぐ作用がり主鎖の運動性を高めているものと考えられアンカリングエネルギーが低温で増加して行くことを抑制することができ高分子安定化液晶表示素子の低温域における表示特性を改善する上で有効である。

二つの側鎖間に位置するＡ^１５は、側鎖間距離を変える意味からも、架橋点間距離を広げてガラス転移温度を下げる意味からも、長い方が好ましい。しかしながらＡ^１５が長すぎる場合は一般式（Ｉ−ｃ）で表される化合物の分子量が大きくなりすぎ液晶組成物との相溶性が低下してくること、及び重合速度が遅くなりすぎて相分離に悪影響が出ること等の理由から自ずとその長さには上限が設定される。

よって、本願発明においてＡ^１５は、炭素原子数９から１６のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する少なくとも１個以上５個以下のメチレン基において、該メチレン基中の水素原子の一つはそれぞれ独立に炭素原子数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基で置換されている。該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）であることが好ましい。

すなわち、本願発明においてＡ^１５のアルキレン鎖長は炭素原子数９から１６であることが好ましい。Ａ^１５は構造上の特徴として、アルキレン基中の水素原子が炭素原子数１から１０のアルキル基で置換された構造を有する。アルキル基の置換数は１個以上５個以下であるが、１個から３個が好ましく、２個又は３個置換されていることがより好ましい。置換するアルキル基の炭素原子数は、１個から５個が好ましく、１個から３個がより好ましい。

一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．３０，ｐｐ４９８５、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ６，ｐｐ６８１−６８４、及び、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：ＰａｒｔＡ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ．３４，ｐｐ２１７−２２５等の公知の方法で合成することができる。

例えば、一般式（Ｉ−ｃ）において、Ａ^１４及びＡ^１７が水素である化合物は、エポキシ基を複数有する化合物と、エポキシ基と反応し得る活性水素を有するアクリル酸やメタクリル酸等の重合性化合物とを反応させ、水酸基を有する重合性化合物を合成し、次に、飽和脂肪酸と反応させることにより得ることができる。
更に、複数のエポキシ基を有する化合物と飽和脂肪酸とを反応させ、水酸基を有する化合物を合成し、次に水酸基と反応し得る基を有するアクリル酸塩化物等の重合性化合物とを反応させることにより得ることができる。

またラジカル重合性化合物が、例えば、一般式（Ｉ−ｃ）のＡ^１４及びＡ^１７がアルキル基であり、Ａ^１２及びＡ^１８が炭素原子数１であるメチレン基である場合は、オキセタン基を複数有する化合物と、オキセタン基と反応し得る脂肪酸塩化物や脂肪酸とを反応させ、更に、アクリル酸などの活性水素を有する重合性化合物とを反応させる方法や、オキセタン基を一つ有する化合物と、オキセタン基と反応し得る多価の脂肪酸塩化物や脂肪酸とを反応させ、更に、アクリル酸などの活性水素を有する重合性化合物とを反応させる方法等により得ることができる。
また、一般式（Ｉ−ｃ）のＡ^１２及びＡ^１８が炭素原子数３であるアルキレン基（プロピレン基；−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−）の場合は、オキセタン基の代わりにフラン基を複数有する化合物を用いることにより得ることができる。更に、一般式（Ｉ−ｃ）のＡ^１２及びＡ^１８が炭素原子数４であるアルキレン基（ブチレン基；−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−）の場合は、オキセタン基の代わりにピラン基を複数有する化合物を用いることにより得ることができる。
このようにして得られた一般式（I−ｃ）の化合物のうち、特に下記の構造を持つものが好ましい。

（式（Ｉ−ｃ−１）中、Ａ^１１及びＡ^１９はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、
Ａ^１２及びＡ^１８はそれぞれメチレン基を表し、
Ａ^１３及びＡ^１６はそれぞれ独立して炭素原子数２から２０の直鎖アルキル基（該直鎖アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
Ａ^１４及びＡ^１７はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基を表し、
Ａ^１５は炭素原子数９から１６のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する少なくとも１個以上５個以下のメチレン基において、該メチレン基中の水素原子の一つはそれぞれ独立に炭素原子数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基で置換されている。該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表す。）（１−ｃ−１）で表される化合物のうち、Ａ^１５に含まれる−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−基の数が２以下で、かつ、Ａ^１３及びＡ^１６に含まれる−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−基の数がそれぞれ１以下であるものが特に好ましく、具体的には、下記（I-1）から（I-9）の化合物が挙げられる。

＜低分子液晶化合物（ＩＩ）＞
本発明の高分子安定化液晶組成物に用いられる低分子液晶化合物（ＩＩ）は、下記一般式（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）

（式（ＩＩ−ａ）及び（ＩＩ−ｂ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表し、
Ｃ^１は１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｃ^２及びＣ^３はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジイル又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｘ^１はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基、イソシアネート基、シアノ基を表し、
ｎ^１は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^１が２を表す場合、複数あるＣ^１及びＺ^１は同じであっても異なっていても良い。）
で表される化合物（ＩＩ）である。
又は、本発明の高分子安定化液晶組成物に用いられる低分子液晶化合物（ＩＩ）は、一般式（ＶＩＩＩ−ａ）、一般式（ＩＸ−ａ）又は一般式（Ｘ）で表される化合物（ＩＩ）である。

一般式（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、幅広い液晶温度範囲、低温域での液晶相安定性及び相溶性、且つ高誘電率、高い比抵抗値の点で具体的には次に記載する一般式（Ｖ−ａ）、一般式（ＶＩ−ａ）、一般式（ＶＩ−ｂ）、一般式（ＶＩＩ−ａ）及び一般式（ＶＩＩ−ｂ）で表される化合物が好ましい。
＜一般式（Ｖ−ａ）で表される化合物＞

（式（Ｖ−ａ）中、Ｒ^１１は炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｃ^１１は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
Ｚ^１１は単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｘ^１１は、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は下記一般式（Ｖ−ｂ）で表される基を表し、Ｘ^１２からＸ^１７はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、メチル基、メトキシ基又はエチル基を表し、
ｎ^１１は０又は１を表す。）
ここで、一般式（Ｖ−ｂ）は、次に示す式である。

（式（Ｖ−ｂ）中、Ｃ^１２は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
Ｘ^１８は、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、又はジフルオロメトキシ基を表す。）

一般式（Ｖ−ａ）においてＲ^１１としては、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、炭素原子数１から１２のアルキル基又は炭素原子数１から１２のアルコキシ基がより好ましい。

Ｚ^１１としては、単結合が好ましい。Ｘ^１１としては、炭素原子数１から１８のアルキル基、炭素原子数１から１８のアルコキシ基又はフッ素原子が好ましい。Ｘ^１２からＸ^１７は、水素原子、フッ素原子又はメチル基が好ましく、Ｘ^１２からＸ^１７の中で１つ以上、３つ以下がフッ素原子又はメチル基であるものがより好ましい。
具体的には、一般式（Ｖ−１）から一般式（Ｖ−７）

（式中Ｒ^１２、Ｒ^１３、及びＲ^１４はそれぞれ独立して、炭素原子数１から１８のアルキル基、炭素原子数１から１８のアルコキシ基を表し、
Ｘ^１４１、Ｘ^１５１、Ｘ^１６１、Ｘ^１７１、Ｘ^１８１、Ｘ^１９１はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又はメチル基を表し、
Ｘ^１２２、Ｘ^１３２、Ｘ^１６２、Ｘ^１７２、Ｘ^１８２、Ｘ^１９２はそれぞれ独立して、水素原子、又はフッ素原子を表す。）
で表される化合物が好ましい。これらの中でも、一般式（Ｖ−１）から一般式（Ｖ−４）においてＸ^１４１、Ｘ^１５１、Ｘ^１６１、Ｘ^１７１、Ｘ^１８１、Ｘ^１９１の少なくとも１つ以上、３つ以下がフッ素原子、又はメチル基であるもの、及び一般式（Ｖ−５）から一般式（Ｖ−７）においてＸ^１２２、Ｘ^１３２、Ｘ^１６２、Ｘ^１７２、Ｘ^１８２、Ｘ^１９２の少なくとも１つ以上、３つ以下がフッ素原子であるものがより好ましい。具体的には一般式（Ｖ−８）から一般式（Ｖ−１６）

（式中、Ｒ^１５、Ｒ^１６及びＲ^１７はそれぞれ独立して、炭素原子数１から１８のアルキル基、炭素原子数１から１８のアルコキシ基を表し、
Ｘ^１４５、Ｘ^１７５、Ｘ^１６６、Ｘ^１７６及びＸ^１８６はそれぞれ独立して水素原子、又はフッ素原子を表し、
Ｘ^１４６及びＸ^１５６はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又はメチル基を表し、
Ｘ^１３７及びＸ^１８７はそれぞれ独立して、水素原子、又はフッ素原子を表す。）
で表される化合物が更により好ましい。
＜一般式（ＶＩ−ａ）及び一般式（ＶＩ−ｂ）で表される化合物＞

（式（ＶＩ−ａ）中、Ｒ^２１は、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｃ^２１は、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
六員環Ｙ^２１はベンゼン環又はシクロヘキサン環を表し、
Ｘ^２１は、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基を表し、
Ｘ^２２からＸ^２６はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表し、
Ｚ^２１は、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｚ^２２は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
ｎ^２１は０又は１を表す。）

（式（ＶＩ−ｂ）中、Ｒ^３１は、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｃ^３１は、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
六員環Ｙ^３１はベンゼン環又はシクロヘキサン環を表し、
Ｘ^３１は、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基を表し、
Ｘ^３２からＸ^３６はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表し、
Ｚ^３１は、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｚ^３２は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
ｎ^３１は０又は１を表す。）

一般式（ＶＩ−ａ）及び一般式（ＶＩ−ｂ）においてＲ^２１及びＲ^３１としては、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、
該アルキル基又はアルケニル基は、式（ＶＩ−ｃ）

（式（ＶＩ−ｃ）中の各構造式は右端で直接もしくは酸素原子を介して環に連結しているものとする。）で表されるアルケニル基又は炭素原子数１から１８のアルキル基がより好ましい。
Ｃ^２１及びＣ^３１としては、１，４−シクロヘキシレン基が好ましい。
Ｚ^２１及びＺ^３１としては、単結合が好ましい。
Ｘ^２１及びＸ^３１としては、フッ素原子もしくはトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
具体的には、一般式（ＶＩ−１）から一般式（ＶＩ−３３）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^２２及びＲ^３２は炭素原子数１から１８のアルキル基を表す。）
＜一般式（ＶＩＩ−ａ）及び一般式（ＶＩＩ−ｂ）で表される化合物＞

（式（ＶＩＩ−ａ）中、Ｒ^４１は、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｃ^４１は、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
六員環Ｙ^４１はベンゼン環又はシクロヘキサン環を表し、
Ｘ^４１は、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基を表し、
Ｘ^４２からＸ^４５は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表し、
Ｚ^４１は、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｚ^４２は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
ｎ^４１は０又は１を表す。）

（式（ＶＩＩ−ｂ）中、Ｒ^５１は、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｃ^５１は、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
六員環Ｙ^５１はベンゼン環又はシクロヘキサン環を表し、
Ｘ^５１は、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基を表し、
Ｘ^５２からＸ^５５は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表し、
Ｚ^５１は、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｚ^５２は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
ｎ^５１は０又は１を表す。）

一般式（ＶＩＩ−ａ）及び一般式（ＶＩＩ−ｂ）においてＲ^４１及びＲ^５１としては、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、
該アルキル基又はアルケニル基は、式（ＶＩＩ−ｃ）

（式（ＶＩＩ−ｃ）中の構造式は右端で直接もしくは酸素原子を介して環に連結しているものとする。）で表されるアルケニル基又は炭素原子数１から５のアルキル基がより好ましい。
Ｃ^４１及びＣ^５１としては、１，４−シクロヘキシレン基が好ましい。
Ｚ^４１及びＺ^５１としては、単結合が好ましい。
Ｘ^４１及びＸ^５１としては、フッ素原子もしくはトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
具体的には一般式（ＶＩＩ−１）から一般式（ＶＩＩ−４２）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^４２及びＲ^５２は炭素原子数１から１８のアルキル基を表す。）
＜一般式（ＶＩＩＩ−ａ）で表される化合物＞

（式（ＶＩＩＩ−ａ）中、Ｒ^６１及びＲ^６２はそれぞれ独立して、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｃ^６１、Ｃ^６２及びＣ^６３はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
Ｚ^６１及びＺ^６２はそれぞれ独立して、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
ｎ^６１は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^６１が２の場合、複数存在するＣ^６１及びＺ^６１はそれぞれ同じであっても、異なっていても良い。）

一般式（ＶＩＩＩ−ａ）においてＲ^６１及びＲ^６２としては、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、式（ＶＩ−ｃ）で表されるアルケニル基もしくはアルケニルオキシ基（ただしそのアルケニル基が式（ＶＩ−ｃ）で表されるもの）又は炭素原子数１から５のアルキル基もしくはアルコキシ基が更により好ましい。

また、特に低粘性を得たい場合は、ｎ^６１が０であり、Ｃ^６２及びＣ^６３が、１，４−シクロへキシレン基であり、Ｚ^６２が単結合であることが好ましい。

特に液晶温度範囲を拡大するには、ｎ^６１が０又は１であり、Ｃ^６１及びＣ^６２が、１，４−シクロへキシレン基であり、Ｃ^６３が１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、メチル基を有することができる。）であり、Ｚ^６１が単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり、Ｚ^６２が単結合であることが好ましい。

特に高屈折率を得るためには、ｎ^６１が１であり、Ｃ^６１が１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、メチル基を有することができる。）であり、Ｃ^６２及びＣ^６３が１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子又はメチル基を有することができる。）であることが好ましい。
具体的には一般式（ＶＩＩＩ−１）から一般式（ＶＩＩＩ−５）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^６５及びＲ^６６はそれぞれ独立して炭素原子数１から１８のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、Ｘ^６１からＸ^６６はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又はメチル基を表す。）
＜一般式（ＩＸ−ａ）で表される化合物＞

（式（ＩＸ−ａ）中、Ｒ^７１は炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｃ^７１、Ｃ^７２及びＣ^７３はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基又はインダン−２，５−ジイル基（該１，４−フェニレン基及びインダン−２，５−ジイル基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができる。）を表し、
Ｚ^７１及びＺ^７２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ^２ＣＨ^２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
Ｘ^７１はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基、イソシアネート基を表し、
ｎ^７１は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^７１が２の場合、複数存在するＣ^７１及びＺ^７１はそれぞれ同じあっても、異なっていても良い。）

一般式（ＩＸ−ａ）のＲ^７１としては、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、該アルケニル基は式（Ｖ−ｃ）で表されるものが好ましく、炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数１から１８のアルコキシ基が更により好ましい。

Ｘ^７１としては、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
また、特に高誘電率を得たい場合は、ｎ^７１が０又は１であり、Ｃ^７１が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｃ^７２が１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、メチル基を有することができる。）であり、Ｃ^７３が２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基であり、Ｚ^７１及びＺ^７２が単結合であることが好ましい。

特に液晶温度範囲を拡大するには、ｎ^７１が２であり、Ｃ^７１が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｃ^７２が、１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基であり、Ｃ^７３が２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基であり、Ｚ^７１及びＺ^７２が単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−であることが好ましい。
具体的には一般式（ＩＸ−１）から一般式（ＩＸ−４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^７２は炭素原子数１から１８のアルキル基又はアルコキシ基を表し、Ｘ^７２からＸ^７５はそれぞれ独立に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ^７３は単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表す。）

これら一般式（ＩＸ−１）から一般式（ＩＸ−４）の中でも、一般式（ＩＸ−５）から一般式（ＩＸ−７）で表される化合物がより好ましい。

（式中、Ｒ^７７は炭素原子数１から１８のアルキル基を表し、Ｘ^７７からＸ^７９はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
＜一般式（Ｘ）で表される化合物＞

（式中、Ｒ^１０１及びＲ^１０２は各々独立に炭素原子数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、但し、１つ又は２つの隣接していない−ＣＨ_２−基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、シクロプロピレン基又は−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−で置き換えられてもよく、さらにアルキル基の１つ又はそれ以上の水素原子がフッ素原子あるいはＣＮ基で置き換えられていてもよく、Ａ^１０１は１，４−フェニレン基を表わし、Ｂ^１０１及びＣ^１０１は各々独立に１つ又は２つの水素原子がフッ素原子、ＣＦ_３基、ＯＣＦ_３基、あるいはＣＮ基、あるいはこれらの複数の基で置き換えられてもよい１，４−フェニレン基、又は、１，４−シクロヘキシル基を表わし、ａ^１、ｂ^１、及びｃ^１は０又は１の整数を示し、（ａ^１＋ｂ^１＋ｃ^１）＝１又は２である。）
一般式（Ｘ）で表される化合物は具体例的には、一般式（Ｘ−ａ）から一般式（Ｘ−ｆ）

（式中、Ｙ^１０１、及びＸ^４は、各々独立に炭素原子数１から１８のアルキル基、又はアルコキシ基、又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｚ^１０１は、炭素原子数１から１８のアルキル基、又はアルコキシ基、又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、又は独立してフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基、イソシアネート基を表し、
Ｘ^８１からＸ^９６は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又はメチル基を表す。）で表される。
一般式（Ｘ−ａ）から一般式（Ｘ−ｆ）で表される化合物の具体例を以下の（Ｘ−１）から（Ｘ−１７）に挙げることができる。

（式中、Ｙ^１０１は炭素原子数１から１８のアルキル基、又はアルコキシ基、又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）を表し、
Ｚ^１０１は、炭素原子数１から１８のアルキル基、又はアルコキシ基、又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、又は独立してフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基、イソシアネート基を表す。）

望ましい液晶相を安定に得て、しかも、高速で応答するためには、一般式（ＩＩ）の化合物としては、一般式（ＶＩＩＩ−ａ）あるいは、一般式（Ｘ）で表される化合物を使うことが望ましい。薄膜トランジスター素子、メタルインシュレーターメタル素子、薄膜ダイオード素子等の能動素子による駆動のため、特に高い比抵抗値が求められる場合には一般式（ＶＩＩＩ−ａ）を使うことが望ましい。能動素子を用いない場合、あるいは、それほど高い比抵抗値が求められない場合には、一般式（Ｘ）も一般式（ＶＩＩＩ−ａ）と同等に好適に用いられる。一般式（ＶＩＩＩ−ａ）あるいは一般式（Ｘ）は単独で用いても複数の化合物を混合して用いても良いが、２種類以上の異なる化合物を混合することが、液晶相の安定性向上、物性の調節の点からは好ましい。
また、透過率の高い表示素子を得るためには、セル厚に依存して複屈折率（Δｎ）を調節しなければならない。表示素子の製造の点ではセル厚が厚い方が好ましいが、その場合にはΔｎが小さい液晶を使用する必要がある。その場合には、一般式（ＩＩ）の環構造として、シクロヘキシル、あるいは、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジイル構造を持つものが望ましい。シクロヘキシル構造は、一つの分子中に一つ、あるいは２つ存在することが好ましく、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジイルは一つの分子中に一つ存在することが好ましい。
＜重合性液晶化合物（ＩＩＩ）＞
本発明の高分子安定化液晶組成物に用いられる重合性液晶化合物（ＩＩＩ）は、下記一般式（ＩＩＩ−ａ）

（式（ＩＩＩ−ａ）中、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、
Ｃ^４及びＣ^５はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｚ^３及びＺ^５はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
Ｚ^４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
ｎ^２は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^２が２を表す場合、複数あるＣ^４及びＺ^４は同じであっても異なっていても良い。）、
一般式（ＩＩＩ−ｂ）

（式（ＩＩＩ−ｂ）中、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、Ｃ^６は１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｃ^７及びＣ^８はそれぞれ独立してベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，３，４−トリイル基、ベンゼン−１，３，５−トリイル基、シクロヘキサン−１，２，４−トリイル基、シクロヘキサン−１，３，４−トリイル基又はシクロヘキサン−１，３，５−トリイル基を表し、Ｚ^６及びＺ^８はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
Ｚ^７及びZ^９それぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
ｎ^３は、０、１又は２を表すが、、ｎ^３が２を表す場合、複数あるＣ^６及びＺ^７は同じであっても異なっていても良く、ｎ^５及びｎ^６はそれぞれ独立して１、２及び３を表す。）
及び一般式（ＩＩＩ−ｃ）

（式（ＩＩＩ−ｃ）中、Ｒ^７は水素原子又はメチル基を表わし、
６員環Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立的に、

のいずれか（ただしｍは１から４の整数を表す。）を表し、
ｎ^４は０又は１の整数を表し、
Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ−を表し、
Ｙ^３は単結合、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｒ^８は炭素原子数１から１８の炭化水素基を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種の重合性化合物（ＩＩＩ）である。

より具体的には、一般式（ＩＩＩ−ｄ）及び（ＩＩＩ−ｅ）

（式（ＩＩＩ−ｄ）及び（ＩＩＩ−ｅ）中、ｍ^１は、０又は１を表し、
Ｙ^１１及びＹ^１２はそれぞれ独立して単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｙ^１３及びＹ^１４はそれぞれ独立して−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｙ^１５及びＹ^１６はそれぞれ独立して−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
r及びsはそれぞれ独立して２〜１４の整数を表す。式中に存在する１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）のいずれかで表される化合物を用いると、機械的強度や耐熱性に優れた光学異方体が得られるので好ましい。

一般式（ＩＩＩ−ａ）で表される化合物の具体例を以下の（ＩＩＩ−１）から（ＩＩＩ−１０）に挙げることができる。

（式中、j及びkはそれぞれ独立的に２〜１４の整数を表す。）

また、一般式（ＩＩＩ−ｄ）及び（ＩＩＩ−ｅ）のいずれかで表される化合物の具体例を以下の（ＩＩＩ−１２）から（ＩＩＩ−２１）に挙げることができる。

（式中、j及びkはそれぞれ独立的に２〜１４の整数を表す。）
一般式（ＩＩＩ−ａ）で表される化合物の具体例としては、さらに、以下の（ＩＩＩ−２２）から（ＩＩＩ−３０）を挙げることができる。

（式中、j及びkはそれぞれ独立的に２〜１４の整数を表す。）
一般式（ＩＩＩ−ｂ）で表される化合物の具体例を以下の（ＩＩＩ−３１）、（ＩＩＩ−３２）に挙げることができる。

（式中、ｊ及びｋはそれぞれ独立的に２〜１４の整数を表す。）
＜カイラル化合物（ＩＶ）＞
本発明の高分子安定化液晶組成物に用いられるカイラル化合物（ＩＶ）は、一般式（ＩＶ−ａ）又は（ＩＶ−ｂ）

（式（ＩＶ−ａ）及び（ＩＶ−ｂ）中、Ｒ^９は炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表し、
Ｃ^８及びＣ^９はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基又は１，４−シクロへキシレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
Ｚ^９は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
Ｙ^４及びＹ^５はそれぞれ独立して単結合、酸素原子、炭素数１〜１４のアルキレン基、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＯＣＯＣＨ_２−を表し、
ｎ^５は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^５が２を表す場合、複数あるＣ^８及びＺ^９は同じであっても異なっていても良い。
Ｘ^４及びＸ^５はそれぞれ独立して、一般式（ＩＶ−ｃ）から（ＩＶ−ｈ）

のいずれかの式で表される基を表す。ただし、
式（ＩＶ−ｃ）から（ＩＶ−ｈ）中、＊は炭素原子が不斉炭素原子であることを表し、
Ｒ^ｃ、Ｒ^ｄ、Ｒ^ｅ、Ｒ^ｆ及びＲ^ｇはそれぞれ独立して炭素原子数２から２０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ及びＹ^ｄはそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
Ｘ^ｅ及びＹ^ｅはそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
Ｘ^ｈ及びＹ^ｈはそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
Ｚ^ｄは単結合又はメチレン基を表し、
Ｚ^ｅは酸素原子又は−ＯＣ（Ｒ^ｅ１）（Ｒ^ｅ２）Ｏ−で表される基（ただし、Ｒ^ｅ１及びＲ^ｅ２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１８のアルキル基を表す。）を表し、
Ｚ^ｆはカルボニル基又は−ＣＨ（Ｒ^ｆ１）−で表される基（ただし、Ｒ^ｆ１は水素原子又は炭素原子数１から１８のアルキル基を表す。）を表し、
Ｚ^ｇは−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＯＣＨ_２−を表す。）
で表されるカイラル化合物（ＩＶ）である。
Ｙ^４及びＹ^５がアルキレン基の場合には、大きな自発分極、あるいは、ねじれをキャンセルするための短いらせんピッチを得るために、アルキレン基の中でも特にメチレン基が好ましい。Ｘ^４及びＸ^５としては、大きな自発分極の発現し、良い配向を得て、安定な液晶相を示す目的としては、(ＩＶ−c)、（ＩＶ−ｅ）が好ましく、その中でも、特に、Ｘ^ｃがフッ素原子、あるいは、メチル基のものか、あるいは、Ｚ^ｅが酸素原子のものが特に好ましい。カイラル分子は１種類でも、あるいは、複数の化合物を用いても構わない。特に、良配向を得る目的では、コレステリック相、カイラルスメクティック相のピッチをなるべく長くする必要がある。その目的のためには、ピッチの掌性が異なる複数のカイラル化合物を組合わせて、ピッチをキャンセルすることにより長くするのがよい。その場合は、自発分極がキャンセルしないように同一の符号をもつものを選ぶか、あるいは、自発分極の符号が逆であっても、自発分極の大きなものと、小さなものの組み合わせで、差し引き十分な自発分極が得られるようにすることが好ましい。また、このようなピッチキャンセルを行わなくても十分良い配向が得られるようなカイラル材料を選ぶことも重要である。その目的には、Ｘ^ｃがフッ素原子のものを用いることが好ましい。

＜高分子安定化液晶組成物の組成比＞
本発明の高分子安定化液晶組成物は、化合物（ＩＩ）で表される非重合性低分子液晶化合物と、カイラル化合物（ＩＶ）と、重合性化合物（Ｉ）及び重合性化合物（ＩＩＩ）で表される重合性化合物で構成される。該非重合性低分子液晶化合物とカイラル化合物の合計と、重合性化合物の構成比は、重合性化合物の構成割合が多すぎると高分子安定化液晶組成物としての特性を損なうため最適な構成比が存在する。具体的には、該非重合性低分子液晶化合物とカイラル化合物の合計が９２％〜９９．９％であることが好ましく、９２％〜９９％であることがより好ましく、９４％〜９８％含有であることが特に好ましい。
本発明の高分子安定化液晶組成物は、一般式（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）で表される低分子液晶化合物として、一般式（Ｖ−ａ）、一般式（ＶＩ−ａ）、一般式（ＶＩ−ｂ）、一般式（ＶＩＩ−ａ）、一般式（ＶＩＩ−ｂ）、一般式（ＶＩＩＩ−ａ）、一般式（ＩＸ−ａ）、一般式（Ｘ）で表される化合物の少なくとも一種を含む液晶組成物を９２から９９．９質量％含有し、一般式（Ｉ−ａ）、（ＩＩＩ−ａ）、で表される化合物を含む重合性組成物を０．１から８％を含有していることが好ましく、該液晶組成物を９２％から９９％含有し、該重合性組成物を１から８質量％含有することがより好ましく、該液晶組成物を９４％から９８％含有し、該重合性組成物を２から６質量％含有することが特に好ましい。

液晶組成物としては、一般式（ＶＩＩＩ−ａ）あるいは一般式（X）で表される化合物の含有率が５から９０％であるものが好ましい。一般式（X）で表される化合物としては、一般式（X−ａ）、一般式（X−ｂ）、一般式（X−ｃ）で表される化合物群の含有率が５０から９９％であるものが好ましい。一般式（Ｖ−ａ）、一般式（ＶＩ−ａ）、一般式（ＶＩ−ｂ）及び一般式（ＶＩＩ−ａ）、一般式（ＶＩＩ−ｂ）で表される化合物群、及び一般式（ＶＩＩＩ−ａ）、一般式（ＩＸ−ａ）で表せる化合物群は、目的の該液晶組成物の基礎物性を得るために用いることが好ましい。前記基礎物性は、屈折率異方性、誘電異方性、弾性定数、液晶相の相系列、液晶相の温度範囲、自発分極等を実用には調整する必要があるため目的に応じて化合物を選択して使用することが好ましい。
本発明の高分子安定化液晶組成物は室温でスメクチック相を示すことが好ましく、スメクチック相がキラルスメクチックＣ相であることがより好ましく、キラルスメクチックＣ相が強誘電性液晶相であることが特に好ましい。

本発明の高分子安定化液晶組成物においては、重合性化合物（ＩＩＩ）の含有率が０．０５％から７％であって、重合性化合物（ＩＩＩ）と前記重合性化合物（Ｉ）との組成比が（ＩＩＩ）：（Ｉ）＝１：１から４９：１であることが好ましい。

本発明においては、重合性液晶化合物（ＩＩＩ）のほかに多官能液晶性モノマーを添加することもできる。この多官能液晶性モノマーとしては、重合性官能基として、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、エポキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、エチニル基、メルカプト基、マレイミド基、ＣｌＣＨ＝ＣＨＣＯＮＨ−、ＣＨ_２＝ＣＣｌ−、ＣＨＣｌ＝ＣＨ−、ＲＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−（ここでＲは塩素、フッ素、又は炭素原子数１〜１８の炭化水素基を表す）が挙げられるが、これらの中でもアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、エポキシ基、メルカプト基、ビニルオキシ基が好ましく、メタクリロイルオキシ基又はアクリロイルオキシ基が特に好ましく、アクリロイルオキシ基が最も好ましい。

多官能液晶性モノマーの分子構造としては、２つ以上の環構造を有することを特徴とする液晶骨格、重合性官能基、さらに液晶骨格と重合性官能基を連結する柔軟性基を少なくとも２つ有するものが好ましく、３つの柔軟性基を有するものがさらに好ましい。柔軟性基としては、−（ＣＨ_２）_ｎ−（ここでｎは整数を表す）で表されるようなアルキレンスペーサー基や−（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−Ｏ）_ｎ−（ここでｎは整数を表す）で表されるようなシロキサンスペーサー基を挙げることができ、この中ではアルキレンスペーサー基が好ましい。これらの柔軟性基と液晶骨格、もしくは重合性官能基との結合部分には、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯ−のような結合が介在していても良い。

液晶骨格は、通常この技術分野で液晶骨格（メソゲン）と認識されるものであれば、特に制限なく使用することができるが、少なくとも２つ以上の環構造を有するものが好ましい。環構造としては使用できる環は、ベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、１，２，４−トリアジン、１，３，５−トリアジン、テトラジン、ジヒドロオキサジン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、シクロヘキサノン、ピペリジン、ピペラジン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、テトラヒドロチオピラン、ジチアン、オキサチアン、ジオキサボリナン、ナフタレン、ジオキサナフタレン、テトラヒドロナフタレン、キノリン、クマリン、キノキサリン、デカヒドロナフタレン、インダン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、フェナンスレン、ジヒドロフェナンスレン、パーヒドロフェナンスレン、ジオキサパーヒドロフェナンスレン、フルオレン、フルオレノン、シクロヘプタン、シクロヘプタトリエンオン、コレステン、ビシクロ［２．２．２］オクタンやビシクロ［２．２．２］オクテン、１，５−ジオキサスピロ（５．５）ウンデカン、１，５−ジチアスピロ（５．５）ウンデカン、トリフェニレン、トルクセン、ポルフィリン、フタロシアニンを挙げることができる。これらの中でも、ベンゼン、シクロヘキサン、フェナントレン、ナフタレン、テトラヒドロネフタレン、デカヒドロネフタレンが好ましい。これらの環は、炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、又はシアノ基、ハロゲン原子で一つ以上置換されていても良い。アルキル基としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基が望ましく、メチル基とエチル基が特に好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基が好ましく、アルカノイル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ブチロイル基が好ましく、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子が好ましく、フッ素原子と塩素原子が特に好ましい。また、多官能液晶性モノマーに加えて、単官能液晶性モノマーを添加しても良い。

これらの液晶組成物は不純物等を除去する、又は比抵抗値を更に高くする目的で、シリカ、アルミナ等による精製処理を施しても良い。比抵抗値としては１０^１２Ω・ｃｍ以上が好ましく、１０^１３Ω・ｃｍ以上がより好ましい。更に、目的に応じて液晶組成物中に、キラル化合物、染料等のドーパントを添加することもできる。

その他、必要に応じて酸化防止剤、紫外線吸収剤、非反応性のオリゴマーや無機充填剤、有機充填剤、重合禁止剤、消泡剤、レベリング剤、可塑剤、シランカップリング剤等を適宜添加しても良い。
本発明の高分子安定化液晶組成物は、化合物（ＩＩ）で表される非重合性低分子液晶化合物と、カイラル化合物（ＩＶ）と、重合性化合物（Ｉ）及び重合性化合物（ＩＩＩ）で表される重合性化合物で構成されるが、高分子安定化液晶組成物を重合させる場合、重合開始剤を含有していることが好ましい。重合開始剤を含有させる場合の含有量は、重合開始剤以外の材料を９８％〜９９．９％含有し、重合開始剤を０．１％〜２％含有していることが好ましい。

＜高分子安定化液晶組成物の重合方法＞
本発明の高分子安定化液晶表示素子用組成物を重合させる場合の重合方法としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等を用いることが可能であるが、ラジカル重合により重合することが好ましい。

ラジカル重合開始剤としては、熱重合開始剤、光重合開始剤を用いることができるが、光重合開始剤が好ましい。具体的には以下の化合物が好ましい。
ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、２−メチル−２−モルホリノ（４−チオメチルフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン等のアセトフェノン系；

ベンゾイン、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾイン系；
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系；
ベンジル、メチルフェニルグリオキシエステル系；
ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４′−メチル−ジフェニルサルファイド、アクリル化ベンゾフェノン、３，３′，４，４′−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系；
２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン等のチオキサントン系；
ミヒラーケトン、４，４′−ジエチルアミノベンゾフェノン等のアミノベンゾフェノン系；
１０−ブチル−２−クロロアクリドン、２−エチルアンスラキノン、９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン等が好ましい。この中でも、ベンジルジメチルケタールが最も好ましい。

＜液晶表示素子＞
本発明の液晶表示素子は、液晶中にナノ粒子状に分散して低分子液晶を固定化した高分子安定化液晶表示素子、又は液晶中に三次元網目状の高分子鎖を形成させた高分子安定化液晶表示素子であって、該高分子の低分子液晶分散構造が、上述の本発明に係る高分子安定化液晶物に紫外線露光して低分子液晶の配向を高分子安定化させたものである。

高分子安定化液晶物に紫外線露光する際には、高分子安定化液晶組成物に交流を印加しながら紫外線露光することが好ましい。
また、低分子液晶の液晶相がキラルスメクチックＣ相を示す温度で交流を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流は、周波数５００Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、より好ましくは、周波数１ｋＨｚから１０ｋＨｚの矩形波である。

さらに好ましくは、低分子液晶の液晶相がキラルスメクチックＣ相を示す温度で周波数１ｋＨｚから１０ｋＨｚの矩形波を電圧±１５Ｖ以下で印加しながら紫外線露光することが望ましい。
さらに好ましくは、高分子安定化液晶組成物が示すスメクチックＡ相とキラルスメクチックＣ相との相転移温度をＴ（℃）とするとき、（Ｔ−４０）℃以上（Ｔ＋５）℃以下であってかつ３５℃以上の温度にて該高分子安定化液晶組成物に交流を印加しながら紫外線露光することが望ましい。
紫外線露光においては、紫外線１０００ｍＪ／ｃｍ^２以上を露光することが望ましい。

本発明の液晶表示素子は、薄膜トランジスター素子、メタルインシュレーターメタル素子、薄膜ダイオード素子等の能動素子により駆動する液晶表示素子に適用することができる。特に、能動素子と液晶画素電極との間に補助容量が並列接続されており、液晶画素電極の静電容量をＣｆｌｃとし補助容量をＣｓとした場合、Ｃｓ／Ｃｆｌｓが０．１以上、３以下であることが好ましい。
本発明の液晶表示素子は、応答速度が速い特徴を有しすることから、カラーフィルターを用いず高輝度、高解像度化が可能なフィールドシーケンシャル方式による液晶表示素子に好適であり、立体ディスプレイ等の応用も可能である。更に、本発明の液晶表示素子は、携帯用機器、車載用機器等へも好適に使用できる。

以下、実施例をもって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。また、特に断りのない場合、「％」は「質量％」を意味する。

（高分子安定化液晶表示素子の作製、及び評価法）
実施例中の高分子安定化液晶表示素子は以下の方法で作製した。
高分子安定化液晶組成物のネマチック相転移以上に加熱して真空注入方で注入した。セルは、液晶は一軸配向（ホモジニアス配向）が得られるように、セルギャップ２μｍのポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きパラレルラビングの配向セルを用いた。

液晶組成物、ラジカル重合性組成物、光重合開始剤及び微量の重合禁止剤からなる調光層形成材料を真空注入法でガラスセル内に注入した。真空度は２パスカルとなるよう設定した。注入後ガラスセルを取り出し、注入口を封口剤３０２６Ｅ（スリーボンド社製）で封止した。クロスニコルスの偏光顕微鏡で一軸配向であることを確認した後、周波数２ＫＨｚで５Ｖの矩形波を印加してスイッチングさせながら、紫外線カットフィルターＬ−３７（ホーヤ カンデオ オプトロニクス社製）を介して、石英ガラスの光ファイバーで顕微鏡ステージに設置してある液晶セルに紫外線を導いて露光した。セルサンプル表面の照射強度が５ｍＷ／ｃｍ^２となるように調整されたメタルハライドランプを３００秒間照射して、高分子安定化液晶組成物の重合性化合物を重合させて高分子分安定化液晶表示素子を得た。

先に印加した電圧を切り、紫外線露光後の配向状態を偏光顕微鏡で観察して電圧印加により得られたベント配向が高分子安定化により無電界で維持されているのか調べた。更に、液晶セルのラビング方向を光入射側の偏光方向に対して４５度になるよう顕微鏡ステージに配置して高分子安定化したセルに８Ｖを印加して透過率を比較した。透過率は、二枚の偏光板を直行した時を０％、平行にした時を１００％とした。

（高分子安定化液晶組成物の調整）
カイラル液晶化合物を含む液晶組成物FLC-１と化合物群（Ｉ）及び（ＩＩＩ）をそれぞれ少なくとも一種含む光重合性アクリレート組成物を配合して高分子安定化液晶組成物を調整した。
低分子液晶組成物FLC-１の各成分の構造及び組成を次に示す。

アクリレート化合物（I-1）、アクリレート化合物の混合物（III-AA）、(III-BB)の構造、及び組成を次に示す。

（比較例１）
液晶組成物FLC-１を９４％、（III-AA）を６％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０、及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を、−５〜６０℃の温度範囲で測定した。その結果を表１に示す。

（実施例１）
液晶組成物FLC-１を９４％、（III-AA）を５．４％、（I-1）を０．６％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０、及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を、−５〜５０℃の温度範囲で測定した。その結果を表２に示す。

表１及び表２の比較から明らかなように、一般式（I-a）で表される化合物である式（I-1）を含有しない比較例１の高分子安定化液晶組成物を用いた場合高温におけるＶｒは優れるものの、屋外等の使用において問題となる低温におけるＶｒが大幅に高くなってしまう。更に、図１及び図２の比較から明らかなように実施例１の高分子安定化液晶組成物は広い温度領域において安定したＶｒを有している。

（実施例２）
液晶組成物FLC-１を９７％、（III-AA）を０．４９％、（I-1）を２．２０５％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.３０５％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０、及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を、−５〜５０℃の温度範囲で測定した。その結果を表３に示す。

表１及び表３の比較から明らかなように、一般式（I-a）で表される化合物である式（I-1）を含有した実施例２の高分子安定化液晶組成物は、低温におけるＶｒが低く、図１及び図３の比較から実施例２の高分子安定化液晶組成物は広い温度領域において安定したＶｒを有している。

（実施例３）
液晶組成物FLC-１を９４％、（III-AA）を４．４１％、（I-1）を１．４７％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.１２％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を室温で測定したところ、Ｖｒ５０＝１．５Ｖ、Ｖｒ９０＝５．３Ｖであった。

（実施例４）
液晶組成物FLC-１を９４％、（III-AA）を５．２９％、（I-1）を０．５９％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.１２％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を室温で測定したところ、Ｖｒ５０＝３．４Ｖ、Ｖｒ９０＝７．７Ｖであった。

（比較例２）
液晶組成物FLC-１を９４％、（III-AA）を５．８８％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.１２％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を室温で測定したところ、Ｖｒ５０＝５．１Ｖ、Ｖｒ９０＝８．７Ｖであった。

（比較例３）
液晶組成物FLC-１を９４％、(III-BB)を５．８８％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.１２％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を室温で測定したところ、Ｖｒ５０＝５．２Ｖ、Ｖｒ９０＝１５．９Ｖであった。
実施例３、実施例４、比較例２及び比較例３の結果を表４及び図４に表す。

表４及び図４に示すように、（I-1）を配合せずに重合させた比較例２及び３では、Ｖｒが大きいのに対して、（I-1）を配合して重合させた実施例３及び４では、Ｖｒを低下させることができた。
比較例３のＶｒ９０とＶｒ５０の温度変化を表５及び図５に示す。

（実施例５）
液晶組成物FLC-１を９８％、（III-CC）を０．９８％、（I-3）を０．９８％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.０４％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０、及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０及びチルト角を室温で測定した。その結果を表６に示す。

（比較例４）
液晶組成物FLC-１を９８％、（III-CC）を１．９６％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０．０４％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０及びチルト角を室温で測定した。その結果を表６に示す。

化合物(I-3)を用いない比較例４は、Ｖｒが実施例５と比較して大幅に増大しており、また、チルト角が大きく減少している。

（実施例６）
液晶組成物FLC-１を９７％、（III-AA）を２．４２％、（I-1）を０．５２％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.０６％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０及び透過率９５％のときの印加電圧Ｖｒ９５を室温で測定した。

（実施例７）
液晶組成物FLC-１を９７％、（III-AA）を２．４２％、（I-2）を０．５２％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.０６％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０及び透過率９５％のときの印加電圧Ｖｒ９５を室温で測定した。

（実施例８）
液晶組成物FLC-１を９７％、（III-AA）を２．４２％、（I-3）を０．５２％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.０６％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０及び透過率９５％のときの印加電圧Ｖｒ９５を室温で測定した。

（比較例５）
液晶組成物FLC-１を９７％、（III-AA）を２．９４％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０．０６％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０及び透過率９５％のときの印加電圧Ｖｒ９５を室温で測定した。
実施例６、実施例７、実施例８及び比較例５の結果を表７に表す。

一般式（I）に対応する化合物を用いない比較例５においては、実施例６〜８と比較してＶｒが増大している。

（実施例９）
液晶組成物FLC-１を９７％、（III-AA）を２．４２％、（I-9）を０．５２％、イルガキュア６５１（Ｉｒｇ６５１）を０.０６％の比率で配合して高分子安定化液晶組成物を調製し、上述の高分子安定化液晶表示素子の作製方法によって高分子安定化液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。透過率５０％のときの印加電圧Ｖｒ５０及び透過率９０％のときの印加電圧Ｖｒ９０を室温で測定したところ、Ｖｒ５０＝２．４Ｖ、Ｖｒ９０＝６．１Ｖであった。

（実施例１０）
（高分子安定化強誘電性液晶組成物の調整）
強誘電性液晶組成物と化合物群（Ｉ）及び（ＩＩＩ）をそれぞれ少なくとも一種以上モノマー成分として配合して高分子安定化強誘電性液晶組成物を調整した。強誘電性液晶組成物（ＦＬＣ−２）の各成分の構造と割合は下記のとおりである。

強誘電性液晶組成物（ＦＬＣ−２）と化合物群（Ｉ）及び（ＩＩＩ）をそれぞれ少なくとも一種以上モノマー成分として配合し、高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−１）を調整した。高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−１）の各成分の構造あるいは内容と割合は下記のとおりである。
FLC-2 ９４部
（I-1） １．２部
（III-AA） ４．８部
イルガキュア６５１ ０．１２部
ここで、化合物（Ｉ−ＡA）は一般式（Ｉ）より選ばれた非液晶性モノマーであり、（ＩＩＩ−ＡA）は一般式（ＩＩＩ）より選ばれた液晶性モノマーである。
このようにして作製した高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−１）について、上述の高分子安定化液晶表示素子の作成方法によって高分子安定化強誘電性液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。このようにして得られた表示素子は室温で安定なＶ型のスイッチング挙動を示し、０℃で測定した透過率５０％の時の印加電圧（Ｖｒ５０）は５Ｖと低い値を示した。

（比較例６）
モノマー組成物として一般式（Ｉ）で表される化合物を含まないこと以外は実施例と同様に強誘電性液晶組成物（ＦＬＣ−２）、（ＩＩＩ−AＡ）及びイルガキュア６５１を下記の割合で混合し、比較用高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−Ｃ１）を作製した。
FLC-2 ９４部
（III-AA） ６部
イルガキュア６５１ ０．１２部
実施例１０と同様にして高分子安定化強誘電性液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。０℃で測定した透過率５０％の時の印加電圧（Ｖｒ５０）は７Ｖと実施例１０よりも高い電圧となっていた。

（実施例１１〜１４）
実施例１０と同様にして高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−２）〜（ＭＦＬＣ−５）を作製し透過率５０％の時の印加電圧（Ｖｒ５０）を測定した。高分子安定化強誘電性液晶組成物の作製に使用した化合物の構造を次に示し、

それら化合物の混合割合、及び、透過率５０％の時の印加電圧（Ｖｒ５０）の値を表８に記載した。

（比較例７〜１１）
比較例７と同様にして、一般式（Ｉ）で表される化合物を含まない比較用高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−Ｃ２）〜（ＭＦＬＣ−Ｃ５）を作製し透過率５０％の時の印加電圧（Ｖｒ５０）を測定した。比較用高分子安定化強誘電性液晶組成物に含まれる化合物及びその量比（重量部）、Ｖｒ５０を表９に示した。比較例は対応する実施例と比べていずれも高いＶｒ５０を示した。

（実施例１５）
（高分子安定化強誘電性液晶組成物の調整）
強誘電性液晶組成物と化合物群（Ｉ）及び（ＩＩＩ）をそれぞれ少なくとも一種以上モノマー成分として配合した高分子安定化強誘電性液晶組成物を調整した。強誘電性液晶組成物（ＦＬＣ−３）の各成分の構造と割合は下記のとおりである。

強誘電性液晶組成物（ＦＬＣ−３）と化合物群（Ｉ）及び（ＩＩＩ）をそれぞれ少なくとも一種以上モノマー成分として配合し、高分子安定化強誘電性液晶組成物を調整した（ＭＦＬＣ−６）。高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−６）の各成分の構造あるいは内容と割合は下記のとおりである。
FLC-3 ９４部
I-1 １．２部
III-AA ４．８部
イルガキュア６５１ ０．１２部
ここで、化合物（Ｉ−１）は一般式（Ｉ）より選ばれた非液晶性モノマーであり、（ＩＩＩ−ＡA）は一般式（ＩＩＩ）より選ばれた液晶性モノマーである。
このようにして作製した高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−６）について、上述の高分子安定化液晶表示素子の作成方法によって高分子安定化強誘電性液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製した。このようにして得られた表示素子は室温で安定なＶ型のスイッチング挙動を示し、透過率５０％の時の印加電圧（Ｖｒ５０）は４０℃で３Ｖ，２０℃で３Ｖ，０℃で３Ｖと低い値で、かつ温度依存性が少ない良好なものであった。

（比較例１２）
モノマー組成物として一般式（Ｉ）で表される化合物を含まないこと以外は実施例と同様に強誘電性液晶組成物（ＦＬＣ−３）、（ＩＩＩ−AＡ）及びイルガキュア６５１を下記の割合で混合し、比較用高分子安定化強誘電性液晶組成物（ＭＦＬＣ−Ｃ６）を作製した。
FLC-3 ９４部
III-AA ６部
イルガキュア６５１ ０．１２部
実施例１５と同様にして高分子安定化強誘電性液晶組成物中のアクリレート化合物を重合させて液晶表示素子を作製し、Ｖｒ５０を測定すると、４０℃で６Ｖ，２０℃で５Ｖ，０℃で４Ｖと、実施例１０よりも電圧が高く、かつ、温度依存が大きく好ましくなかった。

表１に示す結果を表したグラフである。 表２に示す結果を表したグラフである。 表３に示す結果を表したグラフである。 表４に示す結果を表したグラフである。 表５に示す結果を表したグラフである。

Claims (16)

1. 一般式（Ｉ−ａ）
   

   

   （式（Ｉ−ａ）中、Ａ^１は水素原子又はメチル基を表し、
   Ａ^２は単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
   Ａ^３及びＡ^６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１８のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から１７のアルキル基で置換されていても良い。）を表し、
   Ａ^４及びＡ^７はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素原子数１から９のアルキル基で置換されていても良い。）を表し、
   ｋは１から４０を表し、
   Ｂ^１、Ｂ^２及びＢ^３は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数１から１０の直鎖もしくは分岐のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個もしくは２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い）、又は一般式（Ｉ−ｂ）
   

   

   （式（Ｉ−ｂ）中、Ａ^９は水素原子又はメチル基を表し、
   Ａ^８は単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）で表される基を表す。ただし、２k＋１個あるＢ^１、Ｂ^２及びＢ^３のうち前記一般式（Ｉ−ｂ）で表される基となるものの個数は０〜３個である。）
   で表される重合性化合物であって、該重合性化合物の重合物のガラス転移温度が−１００℃から２５℃である重合性化合物（Ｉ）と、
   一般式（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）
   

   

   （式（ＩＩ−ａ）及び（ＩＩ−ｂ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表し、
   Ｃ^１は１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   Ｃ^２及びＣ^３はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジイル又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
   Ｘ^１はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基、イソシアネート基又はシアノ基を表し、
   ｎ^１は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^１が２を表す場合、複数あるＣ^１及びＺ^１は同じであっても異なっていても良い。）
   で表される化合物（ＩＩ）と、
   一般式（ＩＩＩ−ａ）
   

   

   （式（ＩＩＩ−ａ）中、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、
   Ｃ^４及びＣ^５はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   Ｚ^３及びＺ^５はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
   Ｚ^４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
   ｎ^２は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^２が２を表す場合、複数あるＣ^４及びＺ^４は同じであっても異なっていても良い。）、
   一般式（ＩＩＩ−ｂ）
   

   

   （式（ＩＩＩ−ｂ）中、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、Ｃ^６は１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリダジン−３，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、シクロヘキセン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   Ｃ^７及びＣ^８はそれぞれ独立してベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，３，４−トリイル基、ベンゼン−１，３，５−トリイル基、シクロヘキサン−１，２，４−トリイル基、シクロヘキサン−１，３，４−トリイル基又はシクロヘキサン−１，３，５−トリイル基を表し、Ｚ^６及びＺ^８はそれぞれ独立して単結合又は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良く、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、メチル基又はエチル基で置換されていても良い。）を表し、
   Ｚ^７及びZ^９それぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
   ｎ^３は、０、１又は２を表すが、ｎ^３が２を表す場合、複数あるＣ^６及びＺ^７は同じであっても異なっていても良く、ｎ^５及びｎ^６はそれぞれ独立して１、２及び３を表す。）
   及び一般式（ＩＩＩ−ｃ）
   

   

   （式（ＩＩＩ−ｃ）中、Ｒ^７は水素原子又はメチル基を表わし、
   ６員環Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３はそれぞれ独立的に、
   

   

   のいずれか（ただしｍは１から４の整数を表す。）を表し、
   ｎ^４は０又は１の整数を表し、
   Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ−を表し、
   Ｙ^３は単結合、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−を表し、
   Ｒ^８は炭素原子数１から１８の炭化水素基を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種の重合性化合物（ＩＩＩ）と、
   一般式（ＩＶ−ａ）又は（ＩＶ−ｂ）
   

   

   （式（ＩＶ−ａ）及び（ＩＶ−ｂ）中、Ｒ^９は炭素原子数１から１８のアルキル基又は炭素原子数２から１８のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子で置換されていても良い。）を表し、
   Ｃ^８及びＣ^９はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基（これらの基のうち１，４−フェニレン基又は１，４−シクロへキシレン基は、非置換であるか又は置換基としてフッ素原子、塩素原子、メチル基、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくはトリフルオロメトキシ基を１個若しくは２個以上有することができる。）を表し、
   Ｚ^９は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、
   Ｙ^４及びＹ^５はそれぞれ独立して単結合、酸素原子、炭素数１〜１４のアルキレン基、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＯＣＯＣＨ_２−を表し、
   ｎ^５は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^５が２を表す場合、複数あるＣ^８及びＺ^９は同じであっても異なっていても良い。
   Ｘ^４及びＸ^５はそれぞれ独立して、一般式（ＩＶ−ｃ）から（ＩＶ−ｈ）
   

   

   のいずれかの式で表される基を表す。ただし、
   式（ＩＶ−ｃ）から（ＩＶ−ｈ）中、＊は炭素原子が不斉炭素原子であることを表し、
   Ｒ^ｃ、Ｒ^ｄ、Ｒ^ｅ、Ｒ^ｆ及びＲ^ｇはそれぞれ独立して炭素原子数２から２０のアルキル基（該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、それぞれ独立に酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていても良い。）を表し、
   Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ及びＹ^ｄはそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
   Ｘ^ｅ及びＹ^ｅはそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
   Ｘ^ｈ及びＹ^ｈはそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、メチル基又はシアノ基を表し、
   Ｚ^ｄは単結合又はメチレン基を表し、
   Ｚ^ｅは酸素原子又は−ＯＣ（Ｒ^ｅ１）（Ｒ^ｅ２）Ｏ−で表される基（ただし、Ｒ^ｅ１及びＲ^ｅ２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基を表す。）を表し、
   Ｚ^ｆはカルボニル基又は−ＣＨ（Ｒ^ｆ１）−で表される基（ただし、Ｒ^ｆ１は水素原子又は炭素原子数１から１０のアルキル基を表す。）を表し、
   Ｚ^ｇは−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＯＣＨ_２−を表す。）
   で表されるカイラル化合物（ＩＶ）と、
   を含有し、該重合性化合物（ＩＩＩ）の含有率が０．１％から８％であって、重合性化合物（ＩＩＩ）と重合性化合物（Ｉ）との組成比が（ＩＩＩ）：（Ｉ）＝１：１から４９：１であることを特徴とする高分子安定化液晶組成物。
2. 室温でスメクチック相を示す、請求項１記載の高分子安定化液晶組成物。
3. スメクチック相がキラルスメクチックＣ相である請求項２記載の高分子安定化液晶組成物。
4. キラルスメクチックＣ相が強誘電性液晶相である請求項３記載の高分子安定化液晶組成物。
5. 液晶中にナノ粒子状に分散して低分子液晶を固定化した高分子安定化液晶表示素子、又は液晶中に三次元網目状の高分子鎖を形成させた高分子安定化液晶表示素子であって、該高分子の低分子液晶分散構造が請求項１から４の何れかに記載の高分子安定化液晶物に紫外線露光して低分子液晶の配向を高分子安定化させることを特徴とする液晶表示素子。
6. 液晶中にナノ粒子又は三次元網目状高分子鎖を形成させて低分子液晶の配向を安定化させた液晶表示素子の製造方法であって、請求項１から４の何れかに記載の高分子安定化液晶組成物に交流電圧を印加しながら紫外線露光して得られる液晶表示素子の製造方法。
7. 請求項６に記載の液晶表示素子の製造方法において、低分子液晶の液晶相がキラルスメクチックＣ相を示す温度で交流電圧を印加しながら紫外線露光することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
8. 請求項６に記載の液晶表示素子の製造方法において、低分子液晶の液晶相がキラルスメクチックＣ相を示す温度で周波数５００Ｈｚから１０ｋＨｚの交流電圧を印加しながら紫外線露光することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
9. 請求項６に記載の液晶表示素子の製造方法において、低分子液晶の液晶相がキラルスメクチックＣ相を示す温度で周波数５００Ｈｚから１０ｋＨｚの矩形波を印加しながら紫外線露光することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
10. 請求項６に記載の液晶表示素子の製造方法において、低分子液晶の液晶相がキラルスメクチックＣ相を示す温度で周波数５００Ｈｚから１０ｋＨｚの矩形波を電圧±１５Ｖ以下で印加しながら紫外線露光することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
11. 請求項６に記載の液晶表示素子の製造方法において、前記高分子安定化液晶組成物が示すスメクチックＡ相とキラルスメクチックＣ相との相転移温度をＴ（℃）とするとき、（Ｔ−４０）℃以上（Ｔ＋５）℃以下であってかつ３５℃以上の温度にて該高分子安定化液晶組成物に交流電圧を印加しながら紫外線露光することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
12. 請求項６から１１の何れかに記載の液晶表示素子の製造方法において、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２以上を露光することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
13. 請求項６から１２の何れかに記載の製造方法で得られた液晶表示素子。
14. 請求項５又は１３に記載の液晶表示素子において、薄膜トランジスター素子、メタルインシュレーターメタル素子、薄膜ダイオード素子等の能動素子により駆動することを特徴とする液晶表示素子。
15. 前記能動素子と液晶画素電極との間に補助容量が並列接続されており、液晶画素電極の静電容量をＣｆｌｃとし補助容量をＣｓとした場合、Ｃｓ／Ｃｆｌｓが０．１以上、３以下であることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
16. フィールドシーケンシャル方式で駆動することを特徴とする請求項１４又は１５記載の液晶表示素子。

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