JP4352480B2

JP4352480B2 - 液晶光学素子およびその製造方法

Info

Publication number: JP4352480B2
Application number: JP29862498A
Authority: JP
Inventors: 聡新山; 慎哉田原
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1998-10-20
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 2009-10-28
Anticipated expiration: 2018-10-20
Also published as: JP2000119656A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界の印加／非印加により、素子の透過、散乱、反射状態を制御し、調光素子や表示素子、光学シャッター等に利用可能な液晶光学素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶と透明な高分子とを複合して、高分子と液晶、または液晶内部（微小領域間）の屈折率差を生じせしめた透過−散乱型の光学素子が提案された。液晶／高分子複合体素子、液晶／樹脂複合体素子あるいは分散型液晶素子などと呼ばれている。この素子は原理的に偏光板を必要としないので、光の吸収損失が少なく、かつ高い散乱性能が得られ、素子全体における光の利用効率が高いことが大きな利点となっている。
【０００３】
この特性を生かして、調光ガラス、光シャッター、レーザー装置および表示装置などに用いられている。電圧非印加で散乱状態、電圧印加で透明状態のものが商用化された。
【０００４】
さらに、従来例１（ＵＳＰ５１８８７６０）では、液晶と重合性の液晶を用いた素子が開示された。この従来例１は、電圧非印加時において素子内の液晶と重合された液晶とが同じ配向方向を有しているので、素子をどの方向から見ても透明状態を呈する。そして、電圧印加時には、素子内の液晶の配向が電界によって制御され、液晶分子の配列方向が微小領域においてさまざまに変化することにより、素子は散乱状態を呈する。
【０００５】
また、カイラル剤を添加して初期配向にヘリカル構造を設けることで、コントラスト比が向上することが開示された。この素子は、「異方性ゲル」または「液晶ゲル」と呼ばれている。この従来例１ではアクリロイル基を末端に持つメソゲンモノマーが使用された。
【０００６】
また、従来例２（国際特許公開ＷＯ９２／１９６９５）にも同様の構成を持つ素子が開示された。従来例１と同様の動作モードであって、カイラルネマチック液晶中に微量の高分子を分散させ、電圧非印加時に透明状態、電圧印加時に散乱状態を得る。この素子はＰＳＣＴ（ポリマー・スタビライズド・コレステリック・テクスチャー）と呼ばれている。この従来例２にもアクリロイル基を末端に持つメソゲンモノマーが開示された。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
液晶と未硬化の硬化性化合物よりなる混合物を準備し、その硬化性化合物を硬化させることで液晶／硬化物複合体層を形成して得られた液晶光学素子の特性は、その液晶／硬化物複合体の構造に大きく依存する。さらに、用いる未硬化の硬化性化合物の分子構造は形成された液晶／硬化物複合体の構造に大きな影響を与える。
【０００８】
一般にビフェニル構造などのメソゲン構造を含む硬化性化合物は、両端の硬化部位が結合し、硬化した後の弾性率は大きく、かつ、得られる高分子のガラス転移温度も高いことが報告されている。
【０００９】
一方このことは、硬化途中の硬化性化合物の分子運動や自由体積に制限を与えるものであり、硬化過程の後期においては、硬化部位の反応性が抑制される可能性があり、硬化反応が充分行われない、または、非常に長時間の硬化時間が必要となるといった問題点が生じている。
【００１０】
また、従来例の液晶光学素子は、複数回の電界印加駆動により素子の電圧透過率曲線に変化が生じたり、電界印加／非印加時のコントラストもまだ低いものであった。
【００１１】
本発明では、複数回の電界印加／非印加の駆動によっても素子の電圧透過率曲線がほとんど変化せず、信頼性が高く、高いコントラストの液晶光学素子を提供する。また、容易に、かつ安定して高い歩留で液晶光学素子を製造できる製造方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明の第１の態様は、少なくとも一方が透明な一対の電極付き基板に垂直配向用ポリイミド薄膜を形成し、前記基板間に誘電異方性が負のネマチック液晶と未硬化の硬化性化合物との混合物を挟持し、前記硬化性化合物が式（１）の化合物を含有し、前記混合物が液晶相を示し、前記垂直配向用ポリイミド薄膜が前記ネマチック液晶に接するようにした状態で前記硬化性化合物を光露光により硬化させて液晶／硬化物複合体層を形成する液晶光学素子の製造方法を提供する。
【００１３】
【化２】

【００１４】
Ａ_１、Ａ_２：それぞれ独立にアクリロイル基、メタクリロイル基
Ｒ_１、Ｒ_２：それぞれ独立に炭素数２〜６のアルキレン基
Ｚ：２価のメソゲン構造部である４，４'−ビフェニレン基
ｎ、ｍ：それぞれ独立に１〜４の整数
【００１５】
また、第２の態様は上記の製造方法において、ｎ＝ｍ＝１である製造方法を提供する。
【００１９】
また、第３の態様は上記の製造方法において、前記混合物に微量の硬化触媒を含有する製造方法を提供する。
【００２０】
また、第４の態様は上記の製造方法において、電極間の距離を４〜５０μｍとする製造方法を提供する。
【００２２】
また、第５の態様は上記の製造方法で製造した液晶光学素子を提供する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明においては、未硬化の硬化性化合物中のメソゲン構造部と硬化部位との間に分子運動性の高いオキシアルキレン構造を導入することで、硬化過程における硬化部位の分子運動性を向上させ、短時間の硬化反応においても、電界印加／非印加時の状態が安定で信頼性が高く、かつコントラストも高い液晶光学素子が得られる。図１に本発明の液晶光学素子の製造方法の一例のフローチャートを示す。
【００２４】
式（１）の硬化部位（Ａ₁ 、Ａ₂ ）としては、一般に硬化触媒とともに光硬化、熱硬化可能な上記の官能基であればいずれでもよいが、なかでも、硬化時の温度を制御できることから光硬化に適するアクリロイル基、メタクリロイル基が好ましい。
【００２５】
式（１）のオキシアルキレン部のＲ₁ およびＲ₂ の炭素数については、その運動性から２〜６が好ましく、さらに炭素数２のエチレン基の連鎖および炭素数３のプロピレン基が好ましい。
【００２６】
式（１）のメソゲン構造部（Ｚ）としては、１、４−フェニレン基が２個以上連結した２価のポリフェニレンが好ましい。また、このポリフェニレン基中の一部の１，４−フェニレン基が１，４−シクロヘキシレン基で置換された２価の有機基であってもよい。
【００２７】
これらポリフェニレン基や２価の有機基の水素原子の一部または全部は炭素数１〜２のアルキル基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基などの置換基に置換されていてもよい。本発明において、Ｚは、１，４−フェニレン基が２個連結したビフェニレン基（以下、４，４’−ビフェニレン基という。）、３個連結したターフェニレン基、およびこれらの水素原子の１〜４個が炭素数１〜２のアルキル基、フッ素原子、塩素原子もしくはカルボキシル基に置換された２価の有機基である。最も、好ましいＺは置換基を有しない４，４’−ビフェニレン基である。
【００２８】
式（１）のｎ、ｍはあまり大きいと液晶との相溶性が低下するため、それぞれ独立に１〜１０であり、硬化後の素子特性を考慮すると１〜４がさらに好ましい。
【００２９】
液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物が硬化触媒を含有していてもよく、光硬化の場合、ベンゾインエーテル系、アセトフェノン系、フォスフィンオキサイド系などの一般に光硬化樹脂に用いられる光重合開始剤を使用できる。
【００３０】
熱硬化の場合は、硬化部位の種類に応じて、パーオキサイド系、チオール系、アミン系、酸無水物系などの硬化触媒を使用でき、また、必要に応じてアミン類などの硬化助剤も使用できる。
【００３１】
硬化触媒の含有量は、含有する未硬化の硬化性化合物の２０ｗｔ％以下が好ましく、硬化後の硬化物の高い分子量や高い比抵抗が要求される場合、１〜１０ｗｔ％とすることがさらに好ましい。
【００３２】
液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物中の未硬化の硬化性化合物は、液晶との相溶性を向上させるために、式（１）でｎ、ｍの異なる複数の未硬化の硬化性化合物を含んでいてもよく、それによりさらにコントラストを改善することができる。
【００３３】
一方、液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物は、混合後均質な溶液であることが好ましい。また、液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物は、電極付き基板に挟持されるとき、液晶相を示すものを用いる。
【００３４】
液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物は、硬化されるとき、液晶相を示すようにする。液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物を挟持する電極付き基板の電極表面に樹脂の薄膜を設ける。
【００３５】
【００３６】
電極間の距離は、スペーサー等で保持することができ、間隔は４〜５０μｍが好ましく、さらには５〜３０μｍが好ましい。電極間隔は小さすぎるとコントラストが低下し、大きすぎると駆動電圧が上昇する。図２に本発明の液晶光学素子の模式的断面図を示す。
【００３７】
ガラス基板１Ａ、１Ｂ、電極２Ａ、２Ｂ、配向膜３Ａ、３Ｂ、液晶／硬化物複合体層４が備えられた液晶光学素子１０である。電圧非印加で透明状態、電圧印加で散乱状態を呈する素子である。図３には本発明の液晶光学素子を自動車の窓ガラスに用いる状態を模式的に示したものである。斜め方向における透過率が高いという利点を備えている。
【００３８】
電極を支持する基板は、ガラス基板でも樹脂基板でもよく、またガラス基板と樹脂基板の組み合わせでもよい。また、片方がアルミニウムや誘電体多層膜の反射電極であってもよい。
【００３９】
フィルム基板の場合、連続で供給される電極付き基板を２本のゴムロール等で挟み、その間に、スペーサーを含有分散させた液晶と未硬化の硬化性化合物との混合物を供給し、挟み込み、その後連続で硬化させることができるので生産性が高い。
【００４０】
ガラス基板の場合、電極面内に微量のスペーサーを散布し、対向させた基板の４辺をエポキシ樹脂等のシール剤で封止セルとし、２カ所以上の設けたシールの切り欠きの一方を液晶と未硬化の硬化性化合物の混合物に浸し、他方より吸引することでセル内に混合物を満たし、硬化させ液晶光学素子を得ることができる。また、真空注入法を用いることもできる。
以下、例７（実施例）および例１〜６、Ａ〜Ｅ（比較例）について詳細に説明する。
【００４１】
【実施例】
（例１）
シアノ系ネマチック液晶（メルク社製ＢＬ−００６、誘電異方性は正）９５部、式（２）の未硬化の硬化性化合物５部、ベンゾインイソプロピルエーテル０．１５部の混合物（混合物Ａ）を調製した。
【００４２】
【化３】

【００４３】
この式（２）の化合物は、式（１）でＡ₁ 、Ａ₂ がアクリロイル基で、Ｒ₁ 、Ｒ₂ がエチレン基で、Ｚのメソゲン構造部が４，４’−ビフェニレン基で、ｎ、ｍがともに１である場合に相当する。
【００４４】
この混合物Ａを、透明電極上に形成したポリイミド薄膜を一方向にラビングした一対の基板をラビング方向が直交するように対向させ、直径が１３μｍの樹脂ビーズを微量散布し、この樹脂ビーズを介して、四辺に幅約１ｍｍで印刷したエポキシ樹脂により張り合わせて作製した液晶セルに注入した。
【００４５】
この液晶セルを２５℃に保持した状態で、主波長が約３６５ｎｍのＨｇＸｅランプにより、上側より３ｍＷ／ｃｍ² 、下側より同じく約３ｍＷ／ｃｍ² の紫外線を１０分間照射し、液晶光学素子を製造した。
【００４６】
この液晶光学素子に、矩形波５０Ｈｚ、５０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。その後、５３０ｎｍを中心波長とした半値幅約２０ｎｍの測定光源を用いた透過率測定系（光学系のＦ値１１．５）で液晶セルの透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で７９％、５０Ｖｒｍｓ印加した状態で２３％であり、電圧印加時と非印加時の透過率の差は５６％であった。
【００４７】
（例Ａ）
未硬化の硬化性化合物として、式（２）の化合物の代わりに、式（３）の未硬化の硬化性化合物（４，４’−ビスアクリロイルオキシビフェニル）を用いた以外は例１と同様にして液晶光学素子を得た。
【００４８】
【化４】

【００４９】
この式（３）の化合物は、式（１）中でＡ₁ 、Ａ₂ がアクリロイル基、Ｚのメソゲン構造部が４，４’−ビフェニレン基で、ｎ、ｍがともに０である場合に相当する。
【００５０】
この液晶光学素子に例１と同様に、電圧を印加した。その後、例１と同じ測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で７２％、５０Ｖｒｍｓ印加した状態で２９％であり、電圧印加時と非印加時の透過率の差は４３％であった。
【００５１】
（例２）
例１で調製した混合物Ａに、カイラル剤（メルク社製Ｓ−８１１とメルク社製Ｃ１５の重量比１：１の混合物）を２．５ｗｔ％溶解した混合物（混合物Ｂ）を調製した。
【００５２】
この混合物Ｂを、例１と同じ液晶セルに注入し、２５℃に保持した状態で、例１と同じ主波長が約３６５ｎｍのＨｇＸｅランプにより、上側より３ｍＷ／ｃｍ² 、下側より同じく約３ｍＷ／ｃｍ² の紫外線を３分間照射し、液晶光学素子を得た。
【００５３】
この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、５０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。その後、５３０ｎｍを中心波長とした半値幅約２０ｎｍの測定光源を用いた透過率測定系（光学系のＦ値１１．５）で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で７８％であり、この値を５０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は３３であった。
【００５４】
（例３）
未硬化の硬化性化合物として、式（２）の化合物の代わりに、式（４）の未硬化の硬化性化合物を用いた以外は例２と同様にして液晶光学素子を得た。
【００５５】
【化５】

【００５６】
この式（４）の化合物は、式（１）でＡ₁ 、Ａ₂ がアクリロイル基で、Ｒ₁ 、Ｒ₂ がプロピレン基で、Ｚのメソゲン構造部が４，４’−ビフェニレン基で、ｎ、ｍがともに１である場合に相当する。
【００５７】
この液晶光学素子に例２と同様に電圧を印加後、同じ測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で８０％であり、この値を５０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は２８であった。
【００５８】
（例Ｂ）
未硬化の硬化性化合物として、式（２）の化合物の代わりに、式（３）の化合物を用いた以外は例２と同様にして液晶光学素子を得た。この液晶光学素子に例２と同様に電圧を印加後、同じ測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で６１％であり、この値を５０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は１７であった。
【００５９】
（例４）
シアノ系ネマチック液晶（メルク社製ＢＬ−００９）に、例２にて使用したカイラル剤を２．５ｗｔ％均一に溶解したものを９７部、式（２）の未硬化の硬化性化合物３部、ベンゾインイソプロピルエーテル０．０９部の混合物（混合物Ｃ）を調製した。
【００６０】
この混合物Ｃを、例１と同じ液晶セルに注入し、２５℃に保持した状態で、例１と同じ主波長が約３６５ｎｍのＨｇＸｅランプにより、上側より３ｍＷ／ｃｍ² 、下側より同じく約３ｍＷ／ｃｍ² の紫外線を３０分間照射し、液晶光学素子を得た。
【００６１】
この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、２０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。その後、５３０ｎｍを中心波長とした半値幅約２０ｎｍの測定光源を用いた上記と同様の透過率測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で８２％であり、この値を２０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は１１であった。
【００６２】
さらに、この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、３０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した後、同様に透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で８２％であり、この値を３０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は４０であった。
【００６３】
（例５）
シアノ系ネマチック液晶（メルク社製ＢＬ−００９）に、例２にて使用したカイラル剤を２．５ｗｔ％均一に溶解したもの９７部、式（２）の未硬化の硬化性化合物２部、式（５）の未硬化の硬化性化合物１部、ベンゾインイソプロピルエーテル０．０９部の混合物（混合物Ｄ）を調製した。
【００６４】
【化６】

【００６５】
この式（５）の化合物は、式（１）でＡ₁ 、Ａ₂ がアクリロイル基でＲ₁ 、Ｒ₂ がエチレン基で、Ｚのメソゲン構造部が４，４’−ビフェニレン基でｎが２、ｍが３の場合に相当する。
【００６６】
この混合物Ｄを、例１と同じ液晶セルに注入し、２５℃に保持した状態で、例１と同じ主波長が約３６５ｎｍのＨｇＸｅランプにより、上側より３ｍＷ／ｃｍ² 、下側より同じく約３ｍＷ／ｃｍ² の紫外線を３０分間照射し、液晶光学素子を得た。
【００６７】
この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、２０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。その後、５３０ｎｍを中心波長とした半値幅約２０ｎｍの測定光源を用いた、上記と同様の透過率測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で８２％であり、この値を２０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は２８であった。
【００６８】
（比較例Ｃ）
未硬化の硬化性化合物として、式（２）の化合物の代わりに、式（３）の化合物を用いた以外は例４と同様にして液晶光学素子を得た。この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、２０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。
【００６９】
その後、５３０ｎｍを中心波長とした半値幅約２０ｎｍの測定光源を用いた上記と同様の透過率測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で５７％であり、この値を２０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は１０であった。
【００７０】
さらに、この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、３０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。その後、上記と同様に透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で４９％であり、この値を３０Ｖｒｍｓ印加した時の透過率で割ったコントラストの値は６であった。
【００７１】
（例６）
シアノ系ネマチック液晶（メルク社製ＢＬ−００６）６５部に、カイラル剤（メルク社製Ｒ−８１１とメルク社製ＣＢ１５の重量比１：１の混合物）を３５部、式（２）の未硬化の硬化性化合物３．１部、ベンゾインイソプロピルエーテル０．０９部の混合物Ｅを調製した。
【００７２】
この混合物Ｅを、例１と同じ液晶セルに注入し、２５℃に保持した状態で、例１と同じ主波長が約３６５ｎｍのＨｇＸｅランプにより、上側より３ｍＷ／ｃｍ² 、下側より同じく約３ｍＷ／ｃｍ² の紫外線を３０分間照射し、液晶光学素子を得た。
【００７３】
この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、５０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。その後、５３０ｎｍを中心波長とした半値幅約２０ｎｍの測定光源を用いた反射率測定系（光学系のＦ値８．２）において、光をほぼ反射しない黒い紙の上に液晶光学素子を載せて反射率を測定したところ、電圧を印加しないときが２３％、５０Ｖｒｍｓ印加したときが８％であり、電圧印加時と非印加時との反射率の差は１５％であった。
【００７４】
（例Ｄ）
未硬化の硬化性化合物として、式（２）の化合物の代わりに、式（３）の化合物を用いた以外は例６と同様にして液晶光学素子を得た。この液晶光学素子に例５と同様に電圧を印加後、同じ測定系で反射率を測定したところ、電圧を印加しないときが１６％、５０Ｖｒｍｓ印加したときが９％であり、電圧印加時と非印加時との反射率の差は７％であった。
【００７５】
（例７）
誘電異方性が負であるネマチック液晶（Ｔ_c ＝９８℃、Δε= −５．６、Δｎ＝０．２２０）９５部、式（２）で示される未硬化の硬化性化合物５部、ベンゾインイソプロピルエーテル０．１５部の混合物（混合物Ｆ）を調製した。
【００７６】
この混合物Ｆを、透明電極上に垂直配向用ポリイミド薄膜を形成した一対の基板をポリイミド薄膜が対向するように、微量の６μｍの樹脂ビーズを介して、四辺に幅約１ｍｍで印刷したエポキシ樹脂により張り合わせて作製した液晶セルに注入した。
【００７７】
このセルを２５℃に保持した状態で、主波長が約３６５ｎｍのＨｇＸｅランプにより、上側より３ｍＷ／ｃｍ² 、下側より同じく約３ｍＷ／ｃｍ² の紫外線を１０分間照射し、液晶光学素子を得た。
この液晶光学素子に矩形波５０Ｈｚ、３０Ｖｒｍｓの電圧を１０分印加後電圧を除去する操作を１０回繰り返した。
【００７８】
その後、５３０ｎｍを中心波長とした半値幅約２０ｎｍの測定光源を用いた透過率測定系（光学系のＦ値１１．５）で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で８６％、５０Ｖｒｍｓ印加した状態で２４％であり、電圧印加時と非印加時の透過率の差は６２％であった。
【００７９】
（例Ｅ）
未硬化の硬化性化合物として、式（２）の化合物の代わりに、式（３）の化合物を用いた以外は例７と同様にして液晶光学素子を得た。この液晶光学素子に例７と同様に電圧を印加後、同じ測定系で透過率を測定したところ、電圧を印加しない状態で６４％、３０Ｖｒｍｓ印加した状態で２０％であり、電圧印加時と非印加時との透過率の差は４４％であった。次の表１に各例の結果をまとめて示す。
【００８０】
【表１】

【００８１】
本発明の液晶光学素子は、透明時の透過率が高く、電界の印加／非印加時の透過率差やコントラストが高いため、透明時に高い光の透過性が要求される調光ガラスや光シャッター等に好適である。
【００８２】
反射型の液晶光学素子とした場合も電圧非印加時の反射率が高く、電界の印加／非印加時のコントラストを高くできる。
【００８３】
また、液晶光学素子への電界の印加／非印加時操作の繰り返しによる素子の電圧−透過率曲線または電圧−反射率曲線の変動が小さいため、信頼性の高い液晶光学素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶光学素子の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図２】本発明の液晶光学素子の一例の模式的断面図。
【図３】本発明の液晶光学素子の使用の一例を示す模式図。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ：ガラス基板
２Ａ、２Ｂ：電極
３Ａ、３Ｂ：配向膜
４：液晶／硬化物複合体層
１０：液晶光学素子

Claims

少なくとも一方が透明な一対の電極付き基板に垂直配向用ポリイミド薄膜を形成し、
前記基板間に誘電異方性が負のネマチック液晶と未硬化の硬化性化合物との混合物を挟持し、前記硬化性化合物が式（１）の化合物を含有し、前記混合物が液晶相を示し、前記垂直配向用ポリイミド薄膜が前記ネマチック液晶に接するようにした状態で前記硬化性化合物を光露光により硬化させて液晶／硬化物複合体層を形成する液晶光学素子の製造方法。

Ａ_１、Ａ_２：それぞれ独立にアクリロイル基、メタクリロイル基
Ｒ_１、Ｒ_２：それぞれ独立に炭素数２〜６のアルキレン基
Ｚ：２価のメソゲン構造部である４，４'−ビフェニレン基
ｎ、ｍ：それぞれ独立に１〜４の整数
式（１）におけるｎ、ｍがともに１である請求項１に記載の液晶光学素子の製造方法。
前記混合物に微量の硬化触媒を含有する請求項１または２に記載の液晶光学素子の製造方法。
電極間の距離を４〜５０μｍとする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶光学素子の製造方法。
請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法で製造した液晶光学素子。