JP4235823B2

JP4235823B2 - Mask manufacturing method

Info

Publication number: JP4235823B2
Application number: JP2004235368A
Authority: JP
Inventors: 真一四谷
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-08-12
Filing date: 2004-08-12
Publication date: 2009-03-11
Anticipated expiration: 2021-09-25
Also published as: JP2004335487A

Description

本発明は、マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。 The present invention relates to a mask, a manufacturing method thereof, an electroluminescence device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.

高精細なマスクが要求されている。例えば、カラーの有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造プロセスで、各色の有機材料を、マスクを使用した蒸着により形成することが知られている。マスクの製造方法として、基材をエッチングする方法が知られているが、この方法で製造されたマスクは、非常に薄いため、反り、撓みが発生するという問題があった。
特開２００１−２３７０７３号公報 A high-definition mask is required. For example, it is known that an organic material of each color is formed by vapor deposition using a mask in a manufacturing process of a color organic electroluminescence (hereinafter referred to as EL) device. As a mask manufacturing method, a method of etching a base material is known. However, since a mask manufactured by this method is very thin, there is a problem that warping and bending occur.
JP 2001-237073 A

本発明は、従来の問題点を解決するもので、その目的は、強度の大きいマスク及びその製造方法、ＥＬ装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することにある。 The present invention solves the conventional problems, and an object of the present invention is to provide a mask having a high strength, a manufacturing method thereof, an EL device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.

（１）本発明に係るマスクの製造方法は、開口が形成された第１の基板に、複数の貫通穴が形成された第２の基板を取り付ける。本発明によれば、第１の基板によって第２の基板が補強されているので、強度の大きいマスクを製造することができる。
（２）このマスクの製造方法において、
陽極接合によって、前記第１及び第２の基板を接合してもよい。ここで、陽極接合とは、電圧の印加によって接合界面に静電引力を生じさせ、接合界面で化学結合を生じさせる接合方法である。
（３）このマスクの製造方法において、
エネルギー硬化性接着剤によって、前記第１及び第２の基板を接着してもよい。ここで、エネルギーとは、光（紫外線、赤外線及び可視光）、Ｘ線等の放射線、熱を含む。これによれば、第１及び第２の基板を位置合わせしてからエネルギーを付与することができ、第１及び第２の基板の位置合わせを簡単に行うことができる。
（４）このマスクの製造方法において、
前記第２の基板は、シリコンウエハに前記複数の貫通穴を形成し、前記第２の基板の外形に対応するように前記シリコンウエハをカットすることを含む工程によって形成してもよい。
（５）このマスクの製造方法において、
前記第１の基板は、第１のアライメントマークを有し、
前記第２の基板は、第２のアライメントマークを有し、
前記第１及び第２のアライメントマークによって、前記第１及び第２の基板を位置決めして取り付けてもよい。
（６）このマスクの製造方法において、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に、マスク位置決めマークを形成することをさらに含んでもよい。ここで、マスク位置決めマークとは、マスクを使用して蒸着などを行うときに、マスクの位置合わせを行うためのものである。
（７）このマスクの製造方法において、
前記第２の基板に磁性体膜を形成することをさらに含んでもよい。こうすることで、磁力で吸着できるマスクを製造することができる。
（８）このマスクの製造方法において、
複数の前記第２の基板を、前記第１の基板に取り付け、
前記第１の基板には、複数の前記開口が形成されてなり、
それぞれの前記第２の基板を、１つの前記開口に対応させて取り付けてもよい。これによれば、大型のマスク（複数のマスクが一体化したマスク）を製造することができる。
（９）このマスクの製造方法において、
前記第１の基板及び前記複数の第２の基板を、着脱できるように取り付けてもよい。これによれば、破損した個々の第２の基板を交換することができるので経済的である。
（１０）このマスクの製造方法において、
前記第１の基板に取り付けられた前記複数の第２の基板の表面を研磨して、高さを均一化することをさらに含んでもよい。これによれば、複数の第２の基板の表面が平坦化するので、蒸着などを行う対象物との密着性を高めることができる。
（１１）本発明に係るマスクは、開口が形成されてなる第１の基板と、
前記第１の基板に取り付けられ、複数の貫通穴が形成された第２の基板と、
を有し、
前記複数の貫通穴は、前記開口の内側に配置されてなる。本発明によれば、第２の基板が第１の基板によって補強されているので、第２の基板の反り、撓みをなくすことができる。
（１２）このマスクにおいて、
陽極接合によって、前記第１及び第２の基板が接合されていてもよい。ここで、陽極接合とは、電圧の印加によって接合界面に静電引力を生じさせ、接合界面で化学結合を生じさせる接合方法である。
（１３）このマスクにおいて、
エネルギー硬化性接着剤によって、前記第１及び第２の基板が接着されていてもよい。
（１４）このマスクにおいて、
前記第１の基板は、第１のアライメントマークを有し、
前記第２の基板は、第２のアライメントマークを有し、
前記第１及び第２のアライメントマークによって、前記第１及び第２の基板が位置決めされていてもよい。
（１５）このマスクにおいて、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方には、マスク位置決めマークが形成されていてもよい。ここで、マスク位置決めマークとは、マスクを使用して蒸着などを行うときに、マスクの位置合わせを行うためのものである。
（１６）このマスクにおいて、
前記第２の基板には、磁性体膜が形成されていてもよい。これによれば、第２の基板を磁力で吸着することができる。
（１７）このマスクにおいて、
前記第１の基板には、複数の前記開口が形成されており、
複数の前記第２の基板が、前記第１の基板に取り付けられており、
それぞれの前記第２の基板は、１つの前記開口に対応させて取り付けられていてもよい。このマスクは、複数のマスクが一体化したもので、大型のマスクになっている。
（１８）このマスクにおいて、
前記第１の基板及び前記複数の第２の基板は、着脱できるように取り付けられていてもよい。これによれば、破損した個々の第２の基板を交換することができるので経済的である。
（１９）このマスクにおいて、
前記第１の基板に取り付けられた前記複数の第２の基板は、表面が研磨されて高さが均一化されていてもよい。これによれば、複数の第２の基板の表面が平坦化しているので、蒸着などを行う対象物との密着性を高めることができる。
（２０）本発明に係るＥＬ装置の製造方法は、上記マスクを使用して、発光材料を成膜することを含む。
（２１）本発明に係るＥＬ装置は、上記方法により製造されてなる。
（２２）本発明に係る電子機器は、上記ＥＬ装置を有する。 (1) In the mask manufacturing method according to the present invention, a second substrate having a plurality of through holes is attached to a first substrate having an opening . According to the present invention, since the second substrate is reinforced by the first substrate, a mask having high strength can be manufactured.
(2) In this mask manufacturing method,
The first and second substrates may be bonded by anodic bonding. Here, anodic bonding is a bonding method in which electrostatic attraction is generated at the bonding interface by applying a voltage, and chemical bonding is generated at the bonding interface.
(3) In this mask manufacturing method,
The first and second substrates may be bonded with an energy curable adhesive. Here, energy includes radiation (ultraviolet rays, infrared rays and visible light), radiation such as X-rays, and heat. According to this, energy can be applied after aligning the first and second substrates, and the first and second substrates can be easily aligned.
(4) In this mask manufacturing method,
The second substrate may be formed by a process including forming the plurality of through holes in a silicon wafer and cutting the silicon wafer to correspond to the outer shape of the second substrate.
(5) In this mask manufacturing method,
The first substrate has a first alignment mark,
The second substrate has a second alignment mark,
The first and second substrates may be positioned and attached by the first and second alignment marks.
(6) In this mask manufacturing method,
It may further include forming a mask positioning mark on at least one of the first and second substrates. Here, the mask positioning mark is for aligning the mask when performing vapor deposition using the mask.
(7) In this mask manufacturing method,
It may further include forming a magnetic film on the second substrate. By doing so, a mask that can be attracted by magnetic force can be manufactured.
(8) In this mask manufacturing method,
A plurality of the second substrates are attached to the first substrate,
The first substrate is formed with a plurality of openings.
You may attach each said 2nd board | substrate corresponding to one said opening. According to this, a large mask (a mask in which a plurality of masks are integrated) can be manufactured.
(9) In this mask manufacturing method,
The first substrate and the plurality of second substrates may be attached so as to be detachable. This is economical because each damaged second substrate can be replaced.
(10) In this mask manufacturing method,
The method may further include polishing the surfaces of the plurality of second substrates attached to the first substrate to make the height uniform. According to this, since the surfaces of the plurality of second substrates are flattened, it is possible to improve the adhesion with an object to be deposited.
(11) A mask according to the present invention includes a first substrate in which an opening is formed;
A second substrate attached to the first substrate and having a plurality of through holes;
Have
The plurality of through holes are arranged inside the opening. According to the present invention, since the second substrate is reinforced by the first substrate, warping and bending of the second substrate can be eliminated.
(12) In this mask,
The first and second substrates may be bonded by anodic bonding. Here, anodic bonding is a bonding method in which electrostatic attraction is generated at the bonding interface by applying a voltage, and chemical bonding is generated at the bonding interface.
(13) In this mask,
The first and second substrates may be bonded by an energy curable adhesive.
(14) In this mask,
The first substrate has a first alignment mark,
The second substrate has a second alignment mark,
The first and second substrates may be positioned by the first and second alignment marks.
(15) In this mask,
A mask positioning mark may be formed on at least one of the first and second substrates. Here, the mask positioning mark is for aligning the mask when performing vapor deposition using the mask.
(16) In this mask,
A magnetic film may be formed on the second substrate. According to this, the second substrate can be adsorbed by a magnetic force.
(17) In this mask,
A plurality of the openings are formed in the first substrate,
A plurality of the second substrates are attached to the first substrate;
Each said 2nd board | substrate may be attached corresponding to one said opening. This mask is a large-sized mask in which a plurality of masks are integrated.
(18) In this mask,
The first substrate and the plurality of second substrates may be attached so as to be detachable. This is economical because each damaged second substrate can be replaced.
(19) In this mask,
The plurality of second substrates attached to the first substrate may have a uniform surface by polishing the surface. According to this, since the surfaces of the plurality of second substrates are flattened, it is possible to improve the adhesion with an object to be vapor-deposited.
(20) A method for manufacturing an EL device according to the present invention includes forming a light emitting material using the mask.
(21) The EL device according to the present invention is manufactured by the above method.
(22) An electronic apparatus according to the present invention includes the EL device.

以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１（Ａ）〜図１（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスクを説明する図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＩＢ−ＩＢ線断面図である。図２（Ａ）〜図２（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスクの拡大図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すIIＢ−IIＢ線断面図である。マスクは、第１の基板１０と、少なくとも１つの（図１（Ａ）に示す例では複数の）第２の基板２０と、を有する。図３は、第１の基板を示す図であり、図４は、第２の基板を示す図である。 FIG. 1A to FIG. 1B are diagrams illustrating a mask according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line IB-IB shown in FIG. 2A to 2B are enlarged views of the mask according to the embodiment of the present invention. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB shown in FIG. The mask includes a first substrate 10 and at least one (a plurality of second substrates 20 in the example shown in FIG. 1A). FIG. 3 is a diagram showing the first substrate, and FIG. 4 is a diagram showing the second substrate.

第１の基板１０は、透明基板であってもよい。第１の基板１０は、本実施の形態では、第２の基板２０との陽極接合が可能な材料（例えば、ほうけい酸ガラス）からなる。第１の基板１０には、少なくとも１つの（図１（Ａ）に示す例では複数の）開口１２が形成されている。第１の基板１０をフレームということができる。開口１２は、第２の基板２０よりも小さい。ただし、開口１２は、第２の基板２０における複数の貫通穴２２が形成された領域よりも大きい。開口１２は、矩形であってもよい。 The first substrate 10 may be a transparent substrate. In the present embodiment, the first substrate 10 is made of a material (for example, borosilicate glass) capable of anodic bonding with the second substrate 20. At least one (a plurality of openings in the example shown in FIG. 1A) opening 12 is formed in the first substrate 10. The first substrate 10 can be referred to as a frame. The opening 12 is smaller than the second substrate 20. However, the opening 12 is larger than a region where the plurality of through holes 22 are formed in the second substrate 20. The opening 12 may be rectangular.

第１の基板１０には、第１のアライメントマーク１４が形成されている。第１のアライメントマーク１４は、第２の基板２０との位置合わせに使用される。第１のアライメントマーク１４は、金属膜で形成することができ、あるいはエッチングして形成してもよい。第１の基板１０には、マスク位置決めマーク１６が形成されている。マスク位置決めマーク１６は、マスクを使用して蒸着などを行うときに、マスクの位置合わせを行うためのものである。マスク位置決めマーク１６も、金属膜で形成することができる。変形例として、第２の基板２０にマスク位置決めマーク１６を形成してもよい。 A first alignment mark 14 is formed on the first substrate 10. The first alignment mark 14 is used for alignment with the second substrate 20. The first alignment mark 14 can be formed of a metal film, or may be formed by etching. A mask positioning mark 16 is formed on the first substrate 10. The mask positioning mark 16 is for aligning the mask when performing vapor deposition using the mask. The mask positioning mark 16 can also be formed of a metal film. As a modification, the mask positioning mark 16 may be formed on the second substrate 20.

第２の基板２０は、矩形であってもよい。第２の基板２０には、複数の貫通穴２２（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）が形成されている。貫通穴２２の形状は、正方形、平行四辺形、円形のいずれであってもよい。貫通穴２２の形状、配列及び個数によって、マスクパターンが構成される。第２の基板２０をスクリーン板ということができる。 The second substrate 20 may be rectangular. A plurality of through holes 22 (see FIGS. 2A and 2B) are formed in the second substrate 20. The shape of the through hole 22 may be any of a square, a parallelogram, and a circle. A mask pattern is configured by the shape, arrangement, and number of the through holes 22. The second substrate 20 can be referred to as a screen plate.

第２の基板２０には、第２のアライメントマーク２４が形成されている。第１及び第２の基板１０，２０は、第１及び第２のアライメントマーク１４，２４を使用して位置合わせされている。第２のアライメントマーク２４は、第２の基板２０をエッチングして形成することができ、あるいは金属膜で形成してもよい。 A second alignment mark 24 is formed on the second substrate 20. The first and second substrates 10 and 20 are aligned using the first and second alignment marks 14 and 24. The second alignment mark 24 can be formed by etching the second substrate 20, or may be formed of a metal film.

第２の基板２０は、第１の基板１０に取り付けられている。図２（Ａ）に示すように、第２の基板２０は、複数の貫通穴２２が開口１２の内側に配置されるように取り付けられている。また、第２の基板２０の端部が、第１の基板１０の開口１２の端部に取り付けられている。詳しくは、第２の基板２０の全周端部（角リング状の部分）が、第１の基板１０の開口の全周端部（角リング状の部分）に取り付けられている。１つの開口１２に対応して、１つの第２の基板２０が配置されている。第２の基板２０は、第１の基板１０における第１のアライメントマーク１４が形成された面とは反対側の面に取り付けられている。本実施の形態では、第１及び第２の基板１０，２０は、陽極接合されてなる。第２の基板２０は、第１の基板１０との陽極接合が可能な材料（例えば、シリコン）からなる。 The second substrate 20 is attached to the first substrate 10. As shown in FIG. 2A, the second substrate 20 is attached so that the plurality of through holes 22 are arranged inside the opening 12. Further, the end of the second substrate 20 is attached to the end of the opening 12 of the first substrate 10. Specifically, the entire peripheral end portion (square ring-shaped portion) of the second substrate 20 is attached to the entire peripheral end portion (square ring-shaped portion) of the opening of the first substrate 10. One second substrate 20 is arranged corresponding to one opening 12. The second substrate 20 is attached to the surface of the first substrate 10 opposite to the surface on which the first alignment mark 14 is formed. In the present embodiment, the first and second substrates 10 and 20 are anodically bonded. The second substrate 20 is made of a material (for example, silicon) that can be anodic bonded to the first substrate 10.

図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第１及び第２の基板１０，２０を用意する。第１の基板１０における開口１２の形成には、サンドブラストを適用してもよい。第１の基板１０における第１のアライメントマーク１４又はマスク位置決めマーク１６の形成には、スパッタリングや蒸着等を適用してもよいし、エッチングを適用してもよい。 FIG. 5A to FIG. 5B are views for explaining a mask manufacturing method according to an embodiment of the present invention. In the present embodiment, first and second substrates 10 and 20 are prepared. Sandblasting may be applied to form the opening 12 in the first substrate 10. For the formation of the first alignment mark 14 or the mask positioning mark 16 on the first substrate 10, sputtering, vapor deposition, or the like may be applied, or etching may be applied.

第２の基板２０には、複数の貫通穴２２を形成する。その形成には、エッチング（例えば結晶面方位依存性のある異方性エッチング）を適用してもよい。貫通穴２２の壁面は、第２の基板２０の表面に対して垂直であってもよいし、テーパが付されていてもよい。図４に示すように、シリコンウエハ２６から第２の基板２０を形成してもよい。その場合、シリコンウエハ２６を第２の基板２０に対応してカットしてもよい。第２の基板２０における第２のアライメントマーク２４の形成には、エッチングを適用してもよいし、スパッタリングや蒸着等を適用してもよい。 A plurality of through holes 22 are formed in the second substrate 20. Etching (for example, anisotropic etching having crystal plane orientation dependency) may be applied to the formation. The wall surface of the through hole 22 may be perpendicular to the surface of the second substrate 20 or may be tapered. As shown in FIG. 4, the second substrate 20 may be formed from the silicon wafer 26. In that case, the silicon wafer 26 may be cut corresponding to the second substrate 20. Etching may be applied to the formation of the second alignment mark 24 on the second substrate 20, or sputtering or vapor deposition may be applied.

図５（Ａ）に示すように、第１及び第２の基板１０，２０を位置合わせして配置する。複数の第２の基板２０は、重なり合わないように配置する。第１の基板１０の一方の面の側に、複数の第２の基板２０を配置する。位置合わせには、第１及び第２のアライメントマーク１４，２４を使用する。位置に関するその他の詳細は、上述した通りである。 As shown in FIG. 5A, the first and second substrates 10 and 20 are aligned and arranged. The plurality of second substrates 20 are arranged so as not to overlap each other. A plurality of second substrates 20 are arranged on one surface side of the first substrate 10. For the alignment, the first and second alignment marks 14 and 24 are used. Other details regarding the position are as described above.

図５（Ｂ）に示すように、第１及び第２の基板１０，２０を取り付ける。第１の基板１０によって第２の基板２０が補強されるので、強度の大きいマスクを製造することができる。本実施の形態では、陽極接合を適用する。詳しくは、第１及び第２の基板１０，２０を、接合面同士を合わせて配置し、３００〜５００℃程度に加熱し、５００Ｖ程度の電圧を印加する。第１の基板１０が、ほうけい酸ガラス（例えばコーニング＃７７４０（パイレックス（登録商標）ガラス））からなり、第２の基板２０がシリコンからなる場合、第１の基板１０をマイナスに接続する。そうすると、第１の基板１０のプラスイオン（ナトリウムイオン）がマイナス方向に移動し、第１の基板１０における第２の基板２０側の面がマイナスに帯電する。一方、第２の基板２０における第１の基板１０側の面はプラスに帯電する。こうして、第１及び第２の基板１０，２０は、静電引力で引き寄せられ、化学結合が生じて接合される。 As shown in FIG. 5B, the first and second substrates 10 and 20 are attached. Since the second substrate 20 is reinforced by the first substrate 10, a mask with high strength can be manufactured. In this embodiment, anodic bonding is applied. Specifically, the first and second substrates 10 and 20 are arranged with their bonding surfaces aligned, heated to about 300 to 500 ° C., and a voltage of about 500 V is applied. When the first substrate 10 is made of borosilicate glass (for example, Corning # 7740 (Pyrex (registered trademark) glass)) and the second substrate 20 is made of silicon, the first substrate 10 is connected to minus. Then, the positive ions (sodium ions) of the first substrate 10 move in the negative direction, and the surface of the first substrate 10 on the second substrate 20 side is negatively charged. On the other hand, the surface of the second substrate 20 on the first substrate 10 side is positively charged. In this way, the first and second substrates 10 and 20 are attracted by electrostatic attraction, and a chemical bond is generated and bonded.

第１の基板１０を構成するコーニング＃７７４０（パイレックス（登録商標）ガラス）の熱膨張係数は、約３．５ｐｐｍ／℃であり、第２の基板２０を構成するシリコンの熱膨張係数に近い。したがって、マスクを高温下で使用しても、反り、ひずみが無視できるほど小さい。また、陽極接合によれば、接着剤を使用しないので、硬化収縮によるひずみがなく、ガスが出ない。このように、本実施の形態に係るマスクは、高真空での蒸着に最適である。 Corning # 7740 (pyrex (registered trademark) glass) constituting the first substrate 10 has a thermal expansion coefficient of about 3.5 ppm / ° C., which is close to the thermal expansion coefficient of silicon constituting the second substrate 20. Therefore, even when the mask is used at high temperatures, warping and distortion are so small that they can be ignored. Also, according to anodic bonding, no adhesive is used, so there is no distortion due to curing shrinkage and no gas is emitted. As described above, the mask according to the present embodiment is most suitable for high vacuum deposition.

なお、本発明は、接着剤を使用した接合を除くものではない。図６は、本実施の形態の変形例を説明する図である。この変形例では、第１及び第２の基板１０，２０を、接着剤３０で接着する。接着剤３０は、エネルギー硬化性接着剤であってもよい。エネルギーとは、光（紫外線、赤外線及び可視光）、Ｘ線等の放射線、熱を含む。これによれば、第１及び第２の基板１０，２０を位置合わせしてからエネルギーを付与することができ、第１及び第２の基板１０，２０の位置合わせを簡単に行うことができる。 Note that the present invention does not exclude joining using an adhesive. FIG. 6 is a diagram for explaining a modification of the present embodiment. In this modification, the first and second substrates 10 and 20 are bonded with an adhesive 30. The adhesive 30 may be an energy curable adhesive. The energy includes light (ultraviolet light, infrared light and visible light), radiation such as X-rays, and heat. According to this, energy can be applied after the first and second substrates 10 and 20 are aligned, and the alignment of the first and second substrates 10 and 20 can be easily performed.

以上の工程で、第１及び第２の基板１０，２０を取り付けることができる。図７に示すように、複数の第２の基板２０の厚みにバラツキがあるなどの理由で、その高さが均一でない場合、砥石４０などで、第２の基板２０の表面を研磨してもよい。これによれば、複数の第２の基板２０の表面が平坦化するので、蒸着などを行う対象物との密着性を高めることができる。 Through the above steps, the first and second substrates 10 and 20 can be attached. As shown in FIG. 7, when the height is not uniform due to variations in the thickness of the plurality of second substrates 20, even if the surface of the second substrate 20 is polished with a grindstone 40 or the like. Good. According to this, since the surfaces of the plurality of second substrates 20 are flattened, it is possible to improve the adhesion with an object to be vapor-deposited.

図８は、本実施の形態の変形例を示す図である。この変形例では、第１の基板１０に、第２の基板２０が着脱できるように取り付けられる。例えば、第１の基板１０に取付部４２を取り付けてガイド溝を構成し、このガイド溝に第２の基板２０をはめ込んでもよい。また、図示しないネジなどで、第２の基板２０の固定又は外れ止めを図ってもよい。これによれば、破損した個々の第２の基板２０を交換することができるので経済的である。 FIG. 8 is a diagram showing a modification of the present embodiment. In this modification, the second substrate 20 is attached to the first substrate 10 so as to be detachable. For example, the mounting portion 42 may be attached to the first substrate 10 to form a guide groove, and the second substrate 20 may be fitted into the guide groove. Further, the second substrate 20 may be fixed or prevented from coming off with a screw or the like (not shown). This is economical because the damaged second substrate 20 can be replaced.

図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスク及びＥＬ装置の製造方法を説明する図である。図９（Ａ）に示すマスク５０（例えば第２の基板２０）には、磁性体膜５２が形成されている。磁性体膜５２は、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性材料で形成することができる。あるいは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅや、Ｆｅ成分を含むステンレス合金等の磁性金属材料や、磁性金属材料と非磁性金属材料との結合により、磁性体膜５２を形成してもよい。マスク５０のその他の詳細は、第１の実施の形態で説明した。 FIGS. 9A and 9B are diagrams for explaining a method for manufacturing a mask and an EL device according to an embodiment of the present invention. A magnetic film 52 is formed on the mask 50 (for example, the second substrate 20) shown in FIG. The magnetic film 52 can be formed of a ferromagnetic material such as iron, cobalt, or nickel. Alternatively, the magnetic film 52 may be formed by a magnetic metal material such as Ni, Co, Fe, or a stainless alloy containing an Fe component, or a combination of a magnetic metal material and a nonmagnetic metal material. The other details of the mask 50 have been described in the first embodiment.

本実施の形態では、マスク５０を使用して基板５４に発光材料を成膜する。基板５４は、複数のＥＬ装置（例えば有機ＥＬ装置）を形成するためのもので、ガラス基板等の透明基板である。基板５４には、図１０（Ａ）に示すように、電極（例えばＩＴＯ等からなる透明電極）５６や正孔輸送層５８が形成されている。なお、電子輸送層を形成してもよい。 In this embodiment mode, a light emitting material is formed over the substrate 54 using the mask 50. The substrate 54 is for forming a plurality of EL devices (for example, organic EL devices), and is a transparent substrate such as a glass substrate. As shown in FIG. 10A, an electrode (for example, a transparent electrode made of ITO or the like) 56 and a hole transport layer 58 are formed on the substrate 54. An electron transport layer may be formed.

図９（Ａ）に示すように、基板５４側に第２の基板２０が位置するように、マスク５０を配置する。基板５４の背後には、磁石４８が配置されており、マスク５０（第２の基板２０）に形成された磁性体膜５２を引き寄せるようになっている。これにより、マスク５０（第２の基板２０）に反りが生じていても、これを矯正することができる。 As shown in FIG. 9A, the mask 50 is arranged so that the second substrate 20 is positioned on the substrate 54 side. A magnet 48 is arranged behind the substrate 54 so as to attract the magnetic film 52 formed on the mask 50 (second substrate 20). Thereby, even if the mask 50 (the second substrate 20) is warped, it can be corrected.

図９（Ｂ）は、マスクの位置合わせ方法を説明する図である。上述したように、第１の基板１０にはマスク位置決めマーク１６が形成されている。一方、基板５４にも、位置決めマーク５５が形成されている。マスク位置決めマーク１６と位置決めマーク５５を使用して、第１の基板１０と基板５４とを位置合わせする。 FIG. 9B is a diagram illustrating a mask alignment method. As described above, the mask positioning mark 16 is formed on the first substrate 10. On the other hand, positioning marks 55 are also formed on the substrate 54. Using the mask positioning mark 16 and the positioning mark 55, the first substrate 10 and the substrate 54 are aligned.

図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、発光材料の成膜方法を説明する図である。発光材料は、例えば有機材料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ₃）があり、高分子の有機材料としてポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）がある。発光材料の成膜は、蒸着によって行うことができる。例えば、図１０（Ａ）に示すように、マスク５０を介して赤色の発光材料をパターニングしながら成膜し、赤色の発光層６０を形成する。そして、図１０（Ｂ）に示すように、マスク５０をずらして、緑色の発光材料をパターニングしながら成膜し、緑色の発光層６２を形成する。そして、図１０（Ｃ）に示すように、マスク５０を再びずらして、青色の発光材料をパターニングしながら成膜し、青色の発光層６２を形成する。 10A to 10C are diagrams illustrating a method for forming a light-emitting material. The light emitting material is, for example, an organic material, such as an aluminum quinolinol complex (Alq ₃ ) as a low molecular weight organic material, and polyparaphenylene vinylene (PPV) as a high molecular weight organic material. The light-emitting material can be formed by vapor deposition. For example, as shown in FIG. 10A, a red light emitting layer 60 is formed by patterning a red light emitting material through a mask 50 while patterning. Then, as shown in FIG. 10B, the mask 50 is shifted and the green light emitting material 62 is formed while patterning, thereby forming the green light emitting layer 62. Then, as shown in FIG. 10C, the mask 50 is shifted again and a blue light emitting material 62 is formed by patterning a blue light emitting material to form a blue light emitting layer 62.

本実施の形態では、スクリーンとなる第２の基板２０が、第１の基板１０によって補強されている。したがって、第２の基板２０の反り、撓みが発生せず、選択蒸着の再現性が高く、生産性が高い。本実施の形態では、マスク５０では、第１の基板１０に複数の開口１２が形成され、それぞれの開口１２に対応して第２の基板２０が位置している。各第２の基板２０が１つのＥＬ装置に対応する。すなわち、マスク５０を使用して、一体化した複数のＥＬ装置を製造することができる。基板５４を切断して、個々のＥＬ装置を得ることができる。 In the present embodiment, the second substrate 20 serving as a screen is reinforced by the first substrate 10. Therefore, the second substrate 20 is not warped and bent, the reproducibility of selective vapor deposition is high, and the productivity is high. In the present embodiment, in the mask 50, a plurality of openings 12 are formed in the first substrate 10, and the second substrate 20 is positioned corresponding to each opening 12. Each second substrate 20 corresponds to one EL device. That is, a plurality of integrated EL devices can be manufactured using the mask 50. The substrate 54 can be cut to obtain individual EL devices.

図１１は、上述した発光材料の成膜方法を経て製造されたＥＬ装置を示す図である。ＥＬ装置（例えば有機ＥＬ装置）は、基板５４、電極５６、正孔輸送層５８、発光層６０，６２，６４等を有する。発光層６０，６２，６４上に、電極６６が形成されている。電極６６は例えば陰極電極である。ＥＬ装置（ＥＬパネル）は、表示装置（ディスプレイ）となる。 FIG. 11 is a diagram illustrating an EL device manufactured through the above-described method for forming a light emitting material. The EL device (for example, an organic EL device) includes a substrate 54, an electrode 56, a hole transport layer 58, light emitting layers 60, 62, 64, and the like. An electrode 66 is formed on the light emitting layers 60, 62 and 64. The electrode 66 is, for example, a cathode electrode. The EL device (EL panel) is a display device (display).

本発明の実施の形態に係るＥＬ装置を有する電子機器として、図１２にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１３には携帯電話２０００が示されている。 As an electronic apparatus having an EL device according to an embodiment of the present invention, a notebook personal computer 1000 is shown in FIG. 12, and a mobile phone 2000 is shown in FIG.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

図１（Ａ）〜図１（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスクを説明する図である。FIG. 1A to FIG. 1B are diagrams illustrating a mask according to an embodiment of the present invention. 図２（Ａ）〜図２（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスクの拡大図である。2A to 2B are enlarged views of the mask according to the embodiment of the present invention. 図３は、第１の基板を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the first substrate. 図４は、第２の基板を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating the second substrate. 図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。FIG. 5A to FIG. 5B are views for explaining a mask manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 図６は、本実施の形態の変形例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a modification of the present embodiment. 図７は、本発明の実施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。FIG. 7 is a view for explaining a mask manufacturing method according to the embodiment of the present invention. 図８は、本実施の形態の変形例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a modification of the present embodiment. 図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るマスク及びＥＬ装置の製造方法を説明する図である。FIGS. 9A and 9B are diagrams for explaining a method for manufacturing a mask and an EL device according to an embodiment of the present invention. 図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、発光材料の成膜方法を説明する図である。10A to 10C are diagrams illustrating a method for forming a light-emitting material. 図１１は、本発明の実施の形態に係るマスクを使用した発光材料の成膜方法を経て製造されたＥＬ装置を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an EL device manufactured through a method for forming a light emitting material using a mask according to an embodiment of the present invention. 図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１３は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention.

Explanation of symbols

１０…第１の基板、１２…開口、１４…第１のアライメントマーク、
１６…マスク位置決めマーク、２０…第２の基板、２２…貫通穴、
２４…第２のアライメントマーク、２６…シリコンウエハ、３０…接着剤
５０…マスク、５２…磁性体膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st board | substrate, 12 ... Opening, 14 ... 1st alignment mark,
16 ... Mask positioning mark, 20 ... Second substrate, 22 ... Through hole,
24 ... second alignment mark, 26 ... silicon wafer, 30 ... adhesive 50 ... mask, 52 ... magnetic film

Claims

A mask manufacturing method for attaching a second substrate having a plurality of through holes to a first substrate having an opening,
A method for manufacturing a mask, comprising polishing the surfaces of the plurality of second substrates attached to the first substrate to make the height uniform.

In the manufacturing method of the mask of Claim 1,
A method of manufacturing a mask, further comprising forming a magnetic film on the second substrate.