Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP4284625B2 - 三相インバータ装置 - Google Patents

三相インバータ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4284625B2
JP4284625B2 JP2005181888A JP2005181888A JP4284625B2 JP 4284625 B2 JP4284625 B2 JP 4284625B2 JP 2005181888 A JP2005181888 A JP 2005181888A JP 2005181888 A JP2005181888 A JP 2005181888A JP 4284625 B2 JP4284625 B2 JP 4284625B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
phase
upper arm
module
lower arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005181888A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007006575A (ja
Inventor
健一 大濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2005181888A priority Critical patent/JP4284625B2/ja
Priority to US11/471,618 priority patent/US7633758B2/en
Publication of JP2007006575A publication Critical patent/JP2007006575A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4284625B2 publication Critical patent/JP4284625B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427Housings
    • H05K7/1432Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/117Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427Housings
    • H05K7/1432Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • H05K7/14329Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for the configuration of power bus bars
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20927Liquid coolant without phase change
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331Disposition
    • H01L2224/3318Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/3754Coating
    • H01L2224/37599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Description

本発明は、たとえば車両用三相交流モータを駆動制御するための三相インバータ装置に関する。
本出願人の出願になる下記の特許文献1は、三相インバータ回路の互いに同相の一つの上アーム素子と一つの下アーム素子とを同一のカード型モジュールに封止してなるハーフブリッジモジュールを3個用いて三相インバータ装置を構成することを提案している。
このハーフブリッジモジュール方式の三相インバータ装置によれば、同相の上アーム素子及び下アーム素子の相交流端子を共通のヒートシンク兼用電極板で構成することができるため、配線構成を簡素化できるとともに、両面にヒートシンク兼用電極板が露出するカード型モジュール特有の両面冷却効果も享受することができる。
特開平13−308263号公報
しかしながら、上記したハーフブリッジモジュール方式の三相インバータ装置によれば、ハーフブリッジモジュール内部にて上アーム素子チップと下アーム素子チップとがモジュールの厚さ方向において反対となるため、チップ実装工程が複雑化するという問題点があった。
この問題を解決するために、三相インバータ回路の6つのアーム素子を共通基板上に固定してパッケージ化したフルパッケージ方式のカード型モジュール構造をもつ三相インバータ装置も考えることができる。しかしながら、カード型モジュールでは両面冷却の要求から制御配線や電力配線はカード型モジュールの側面からモジュール側方へ引き出す必要があり、6個又は12個のチップの各端子をフルパッケージ方式のカード型モジュールの側面から周囲に突出させる場合、制御配線及び電力配線の取り出しや接続が複雑化し、配線延長距離が増大して配線インダクタンスによるサージノイズや配線抵抗による電力損失が増大してしまうという問題が生じた。更に、たとえばこの三相インバータ装置をモータに内蔵させる場合を考える場合、三相インバータ装置の平面面積が大型化するためモータ実装が制限されてしまうという問題、及び、カード型モジュールの主面面積が増大するため、この主面に当接する冷却部材の体格、重量が増大してしまうという問題も生じた。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、カード型モジュールの両面冷却性を損なうことなく、コンパクトで簡素な配線構成を実現する三相インバータ装置を提供することをその目的としている。
上記課題を解決する本発明の三相インバータ装置は、
上アーム側の電力用半導体スイッチング素子からなる上アーム素子の交流側主電極と、下アーム側の電力用半導体スイッチング素子からなる下アーム素子の交流側主電極を三相交流モータの三相端子に接続し、前記上アーム素子の直流側主電極が直流電源の高電位端に接続され、下アーム素子の直流側主電極が前記直流電源の低電位端に接続されて構成されるモータ電流制御用の三相インバータ装置において、
前記各上アーム素子の直流側主電極に共通接続されて高電位側直流入力端子をなすとともに一主面に露出する共通ヒートシンク板と、前記各上アーム素子の交流側主電極に個別接続されて他主面に露出する相ヒートシンク板とを有するとともに、所定の素子配列方向へ前記各上アーム素子を所定相順にて内蔵するカード状の上アームモジュールと、
前記各下アーム素子の直流側主電極に共通接続されて低電位側直流入力端子をなすとともに一主面に露出する共通ヒートシンク板と、前記各下アーム素子の交流側主電極に個別接続されて他主面に露出する相ヒートシンク板とを有するとともに、所定の素子配列方向へ前記各下アーム素子を前記各上アーム素子と同一相順にて内蔵するカード状の下アームモジュールと、
前記上アームモジュール及び下アームモジュールの前記素子配列方向端部に形成された入口部及び出口部と、冷却流体を前記素子配列方向へ流す冷却流路とを有し、前記両モジュールの間に前記両モジュールの厚さ方向へ挟設されて前記両モジュールの前記ヒートシンク板から受け取った熱を外部に放熱する中間冷却部材と、
を備え、
前記各相ヒートシンク板は、前記モジュールの厚さ方向及び前記素子配列方向に対して略直角かつ互いに同一の方向へ突出する外部接続部を有し、
前記両モジュールの共通ヒートシンク板は、前記各相ヒートシンク板の外部接続部と同一方向へ突設されるとともに、互いに厚さ方向へ所定間隔を隔てつつ前記素子配列方向において略同一位置に配置される外部接続部をそれぞれ有し、
前記両モジュールの共通ヒートシンク板の外部接続部は、前記各相ヒートシンク板の複数の外部接続部に対して前記素子配列方向における一端側に配置されることを特徴としている。
以下、半導体スイッチング素子を内蔵して両面に電極兼用のヒートシンク板が露出する半導体モジュールをカードモジュールとも言うものとする。
すなわち、この発明は、三相インバータ装置の各上アーム素子を同一モジュールに内蔵してなるカードモジュール(上アームモジュールとも言う)と、三相インバータ装置の各下アーム素子を同一モジュールに内蔵してなるカードモジュール(下アームモジュールとも言う)との二つのモジュール板にて三相インバータ回路の実装を行うことを特徴としている。
このように構成した本発明の三相インバータ装置によれば、三相インバータ回路の高電位側の直流ライン及び低電位側の直流ラインを、それぞれ各素子のヒートシンクを兼ねる単一の電極板とすることができるため、配線構造及び冷却構造を簡素化することができる。つまり、この発明によると、上アームモジュールの共通ヒートシンク板が各上アーム素子の高電位側主電極を相互接続するバスバーを兼ね、下アームモジュールの共通ヒートシンク板が各下アーム素子の低電位側主電極を相互接続するバスバーを兼ねることができるため配線構造の簡素化を図るとともに、各上アーム素子の高電位側のヒートシンクを一体化し、かつ、各下アーム素子の低電位側のヒートシンクを一体化することができるため、モジュールの主面中の共通ヒートシンク板の占有面積を増大することができ、共通ヒートシンク板の放熱性を向上することができる。そのうえ、三相インバータ回路の要部を2個のモジュールで構成することができるため、1乃至2つのアーム素子をモジュール化する場合に比べてモジュール装着作業を簡素化でき、6個のアーム素子を1平面に配置する場合に比べてモジュール面積を削減することができ、たとえばモータハウジングに容易に実装することができ、更に6個のアーム素子を平面配置して1モジュール化する場合に比べて冷却回路と配線回路との引き回しを簡素化することができる。結局、本発明によれば、カード型モジュールの両面冷却性を損なうことなく、コンパクトで簡素な配線構成を実現する三相インバータ装置を実現することができる。
本発明によれば、外部の放熱系と配管接続された中間冷却部材と両モジュールとが別体に構成することができるため、既設の両モジュールの一方又は両方を交換する際に、流体(液体又は気液二相流)が流れる中間冷却部材をこの外部の放熱系から分離する必要がなく、中間冷却部材の着脱による液漏れ事故を良好に阻止することができ、修理が容易となる。
本発明によれば、中間冷却部材内の流路構造を簡素化して流体損失を減らすことができる。また、中間冷却部材への冷却流体の入口部及び出口部に邪魔されることなく、電極兼用の各ヒートシンク板を外部のバスバーに接続することができ、冷却管路配置とバスバー配置とを簡素化することができる。中間冷却部材の入口部及び出口部は、中間冷却部材の素子配列方向における両端部に個別に設けられることができ、その他、中間冷却部材の素子配列方向における一端部に位置して互いに所定間隔を隔てて隣接配置されることができる。好適にはアルミ押し出し成形ブロック材やプレス材等で経済的に製造することができる。
本発明によれば、上アーム素子と下アーム素子との素子配列方向及び配列相順を一致させたので、三相インバータ装置の配線構造、特に同一相の上アーム素子と下アーム素子との交流端子接続配線の簡素化及び配線長短縮を実現することができる。
本発明では、上アーム素子及び下アーム素子(アーム素子と総称する)は、上アームモジュール及び下アームモジュール(モジュールと総称する)の同じ辺側の側面から各相ヒートシンク板の外部接続部を引き出すため、各外部接続部が空間的に干渉することがない。また、同一相の一対の相ヒートシンク板の外部接続部をモジュールの素子配列方向及びそれと直角な方向における略同位置にて厚さ方向へ隣接させることができるため、同一相の一対の外部接続部の接続が容易となり、配線を簡素化することができる。更に、中間冷却部材の一辺側にて中間冷却部材への冷却流体の流入及び流出の両方が可能となるため、冷却流体を中間冷却部材へ出入させるための配管の配置が容易となる。また、本発明によれば、一対の共通ヒートシンク板への直流電源電力給電が容易となるとともに、各外部接続部間の間隙を確保しつつ全体構成をコンパクトとすることができる。さらに、モジュール近傍におけるモータ側の交流配線とバッテリ側の直流配線との干渉を低減することができる。
好適な態様において、同一相の前記上アームモジュール及び下アームモジュールの相ヒートシンク板の少なくとも外部接続部分は前記素子配列方向において略同一位置に配置される。ただし、ここで言う略同一位置とは、上アーム素子と下アーム素子とが素子配列方向において素子配列ピッチの100%以下のピッチでずれている場合を含むものとする。このようにすれば、同一相の一対の外部接続部間の接続を簡素かつ短い配線長で実現することができ、配線インダクタンスや配線抵抗を低減することができる。
好適な態様において、前記上アーム素子及び前記下アーム素子はそれぞれ、前記素子配列方向へ一列に配置される。このようにすれば、中間冷却部材を流路方向へ長く形成することができるため、中間冷却部材の流路構造を簡素化することができるため冷却流体が流れる冷却流路付きの中間冷却部材の製造が容易となり、かつ、その流体損失を低減することができる。
好適な態様において、前記上アーム素子及び下アーム素子はそれぞれ、前記素子配列方向へ隣接配置される電力用半導体トランジスタチップとフライホイルダイオードチップとからなり、前記電力用半導体トランジスタチップは、同一相の前記フライホイルダイオードチップよりも前記相ヒートシンク板の外部接続部に近接して配置される。このようにすれば、フライホイルダイオードチップに比べて相対的に発熱が大きい電力用半導体トランジスタチップの配線抵抗損失を低減することができる。
好適な態様において、前記上アーム素子及び下アーム素子はそれぞれ、モジュールの厚さ方向及び前記素子配列方向に対して直角な方向へ隣接配置される電力用半導体トランジスタチップとフライホイルダイオードチップとからなり、同一相の前記電力用半導体トランジスタチップ及びフライホイルダイオードチップは、前記素子配列方向と直角方向へ隣接配置される。このようにすれば、3対の電力用半導体トランジスタチップ及びフライホイルダイオードチップを一列に配置する場合に比べてモジュールの縦横比を低減することができるため、たとえばモータなどの狭小空間に実装するのが容易となる。
好適な態様において、前記フライホイルダイオードチップは、同一相の前記電力用半導体トランジスタチップよりも前記相ヒートシンク板の外部接続部に近接して配置される。これにより、電力用半導体トランジスタチップの制御又は状態検出のための信号配線を上記外部接続部と反対側から取り出し易くなる。
好適な態様において、前記中間冷却部材は、前記上アームモジュール及び下アームモジュールの前記素子配列方向一端部に前記中間冷却部材の一辺側にて互いに隣接配置された入口部及び出口部と、前記入口部から出口部へ冷却流体をU字状に流す冷却流路とを有し、前記電力用半導体トランジスタチップは前記中間冷却部材の前記一辺の延在方向における前記入口部側に、前記フライホイルダイオードチップは前記中間冷却部材の前記一辺の延在方向における前記出口部側に配置される。このようにすれば、相対的に発熱が大きい各相の電力用半導体トランジスタチップを、相対的に発熱が小さい各相のフライホイルダイオードチップよりも冷却流路の上流側に配置することができるため、電力用半導体トランジスタチップを良好に冷却することができる。なお、ここで言う中間冷却部材の一辺とは、素子配列方向及び厚さ方向に対して直角に延在する辺とすることが、流路構造を複雑化することなく、流路長を確保できる点で好適である。
好適な態様において、前記素子配列方向一端側かつ前記共通ヒートシンク板の外部接続部に近接する側の前記相ヒートシンク板の外部接続部又はこの外部接続部に接続されるバスバーは、前記素子配列方向他端側かつ前記共通ヒートシンク板の外部接続部から遠隔側の前記相ヒートシンク板の外部接続部又はこの外部接続部に接続されるバスバーよりも通電方向に対して直角方向へ広幅に形成される。共通ヒートシンク板の外部接続部から離れた相の素子は、共通ヒートシンク板の外部接続部に近い相の素子よりも共通ヒートシンク板の電気抵抗が増大する。そこで、この態様では、共通ヒートシンク板の外部接続部から離れた相の相ヒートシンク板の外部接続部(又はそれに接続されるバスバー)を、共通ヒートシンク板の外部接続部に近い相の相ヒートシンク板の外部接続部(又はそれに接続されるバスバー)よりも幅広としてその電気抵抗を低減する。これにより、上記した共通ヒートシンク板の電気抵抗増大現象を緩和乃至相殺して、配線インダクタンスや抵抗バランスを向上することができる。
好適な態様において、前記各上アーム素子の制御端子及び下アーム素子の制御端子は、前記外部接続端子と反対方向に突設される。このようにすれば、制御端子やそれに接続される制御配線が、他の部材と干渉するのを防止して全体構成のコンパクト化を実現することができる。
好適な態様において、前記中間冷却部材の出口部側の前記相ヒートシンク板は、前記中間冷却部材の入口側の前記相ヒートシンク板よりも広い素子配列方向幅をもつ。中間冷却部材の出口側の温度は入口側の温度よりも高くなるため、素子配列方向出口側のアーム素子は素子配列方向入口側のアーム素子よりも相対的に温度が高くなる。これに対してこの態様によれば、素子配列方向出口側の相ヒートシンク板の面積が素子配列方向入口側の相ヒートシンク板のそれに比べて相対的に広くして冷却性を相対的に改善できるため、上記温度アンバランスを緩和乃至相殺することができる。
好適な態様において、前記上アームモジュールの前記ヒートシンク板にそれぞれ電気絶縁可能に密着する上アーム側冷却部材と、前記下アームモジュールの前記ヒートシンク板に電気絶縁可能に密着する下アーム側冷却部材とを有する。このようにすれば、積層配置により装置体格を縮小できるとともに上アーム素子及び下アーム素子の両方を両面から良好に冷却することができる。また、上アーム側冷却部材と下アーム側冷却部材とにより両モジュールを良好に機械的に保護することができる。
好適な態様において、前記上アーム側冷却部材の素子配列方向の両端部、及び、下アーム側冷却部材の素子配列方向両端部は、前記中間冷却部材の前記入口部及び出口部に熱伝導良好に結合される。このようにすれば、これら3本の放熱部材により上アームモジュール及び下アームモジュールを個別に厚さ方向へ挟圧配置することができ、簡素な構造にて各上アーム素子及び各下アーム素子と冷却流路部材との間の熱抵抗のばらつきを良好に低減して、各アーム素子間の温度差を低減することができる。
好適な態様において、すべての前記相ヒートシンク板は、前記中間冷却部材に電気絶縁可能に接する。すなわち、この態様によれば、積層方向(厚さ方向)中央部の中間冷却部材に両モジュールの各相ヒートシンク板を密着させることができるため、同一相の一対の相ヒートシンク板を厚さ方向に共通ヒートシンク板を隔てて隣接させることができ、その結果としてこの相の相ヒートシンク板間の配線距離を短縮して、配線抵抗損失や配線インダクタンスを良好に低減することができる。
好適な態様において、すべての前記共通ヒートシンク板は、前記中間冷却部材に電気絶縁可能に接する。すなわち、この態様によれば、積層方向(厚さ方向)中央部の中間冷却部材に両モジュールの共通ヒートシンク板を密着させることができるため、各相ヒートシンク板を共通ヒートシンク板に密着させる場合に比べて、互いに素子配列方向に近接する相ヒートシンク板の高さばらつきにより、高さが低い相ヒートシンク板と共通ヒートシンク板との密着性が低下することがない。
本発明の三相インバータ装置の好適な態様を以下の実施形態を参照して具体的に説明する。ただし、本発明は下記の実施形態に限定解釈されるものではなく、本発明の技術思想をその他の公知技術又はそれと同等の技術の組み合わせにより実現してもよい。
(全体構成)
以下、実施形態1の三相インバータ装置を図面を参照して説明する。図1は、この三相インバータ装置の回路図である。1は上アームモジュール、2は下アームモジュール、Pは三相インバータ装置の直流高電位端子、Nは三相インバータ装置の直流低電位端子、4はIGBTチップ(電力用半導体トランジスタチップ)、5はフライホイルダイオードチップ、6は上アームモジュール1の内部配線を兼ねる共通ヒートシンク板、7〜9は、上アームモジュール1の内部配線を兼ねる相ヒートシンク板、10は下アームモジュール2の内部配線を兼ねる共通ヒートシンク板、11〜13は下アームモジュール2の内部配線を兼ねる相ヒートシンク板、14〜16は三相の交流バスバー、17は図示しないモータに達する三相ケーブル、18は上アームモジュール1の高電位直流端子Pを図示しないバッテリの正極(実際には平滑コンデンサの正極)に接続する直流バスバー、19は下アームモジュール2の低電位直流端子Nを図示しないバッテリの負極(実際には平滑コンデンサの負極)に接続する直流バスバーである。相ヒートシンク板7〜9の外部接続部20〜22と相ヒートシンク板11〜13の外部接続部23〜25とは、交流バスバー14〜16により個別に接続されると共に三相ケーブル17の同一相のラインに個別に接続されている。なお、三相ケーブル17の各ラインを相ヒートシンク板の外部接続部20〜25に直接接続してもよいことはもちろんである。上記した三相インバータ装置の他の構成及び動作は従来どうりであるため、これ以上の説明は省略する。
(全体形状)
図1の三相インバータ装置の模式斜視図を図2に示す。31はそれぞれ中間冷却部材、32は上アーム側冷却部材、33は下アーム側冷却部材である。上アームモジュール1、下アームモジュール2、中間冷却部材31、上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33は、それぞれ長方形の厚板形状を有しており、上アーム側冷却部材32、上アームモジュール1、中間冷却部材31、下アームモジュール2、下アーム側冷却部材33の順にそれらの厚さ方向へ積層されて板ばねなどの図示しない挟圧機構により一体化されている。
34は両モジュール1、2内の電力用半導体トランジスタチップ4をスイッチング制御するための制御信号を形成する制御基板であり、制御基板34は両モジュール1、2の下方に両モジュール1、2の短辺方向と直角の方向へ延設されている。両モジュール1、2の下側の側面から制御基板34へ向けて信号バスバー35が必要本だけ突出しており、制御基板34の所定箇所に接続されている。
外部接続部20〜22及び高電位直流端子Pは上アームモジュール1から、外部接続部23〜25及び低電位直流端子Nは下アームモジュール2から、短辺方向一方側へ突出している。高電位直流端子P及び低電位直流端子Nは、U相の外部接続部22、25に隣接し、W相の外部接続部20、25は高電位直流端子P及び低電位直流端子Nから最も離れて配置されている。
中間放熱部材31には、長辺方向(素子配列方向)のW相側からU相向きに冷却流体が流れている。すなわち、中間冷却部材31のW相側の端部は冷却流体の入口部311となっており、中間冷却部材31の反対側の端部は冷却流体の出口部312となっている。冷却流体は凍結防止用のブラインを含む冷却水としたが、他の冷媒を用いてもよい。上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33は、中間冷却部材31と同様の冷却流体にて冷却してもよく、後述するように冷却風により冷却してもよい。
(モジュール構造)
上アームモジュール1及び下アームモジュール2の構造を以下に説明する。上アームモジュール1及び下アームモジュール2はいわゆるカードモジュールである。上アームモジュール1のチップ配置を図3を参照して説明する。ただし、図3は模式断面平面図であるが、断面図示していない。なお、下アームモジュール2のチップ配置は上アームモジュール1のそれと同じであるため、説明を省略する。
上アームモジュール1は、素子配列方向にU、V、Wの相順にて配列された3相の相ヒートシンク板7〜9をもち、相ヒートシンク板7〜9の短辺方向一端側から外部接続部20〜22が個別に短辺方向へ突出している。相ヒートシンク板7〜9には、IGBTチップ4とフライホイルダイオードチップ5とのペアがそれぞれ配置されている。この実施形態では、IGBTチップ4は短辺方向にて外部接続部20〜22から離れた側に配置され、フライホイルダイオードチップ5は短辺方向にて外部接続部20〜22に近接する側にIGBTチップ4から所定間隔隔てて配置されている。ただし、同一相のIGBTチップ4とフライホイルダイオードチップ5とは、素子配列方向において同一位置に配置されている。高電位直流端子Pは図示しない共通ヒートシンク板6から、同様に突出しているが、その詳細は後述する。実際には複数配置される信号バスバー35は、外部接続部20〜22と反対向きに突出しており、信号バスバー35とIGBTチップ4とは不図示のボンディングワイヤにて接続されている。
上アームモジュール1及び下アームモジュール2の外部接続部20〜22、高電位直流端子P及び低電位直流端子Nと外部のバスバーとの接続構造を図4を参照して説明する。ただし、図4は模式側面図である。
上アームモジュール1と下アームモジュール2とは面方向(厚さ方向と直角方向)にて同位置に配置されている。すなわち、両モジュール1、2は素子配列方向及び短辺方向にて同位置に配置されている。また、外部接続部20〜22と外部接続部23〜25とは、相ごとに素子配列方向にて同位置に配置されている。上アームモジュール1の外部接続部20〜22と下アームモジュール2の外部接続部23〜25との間には相ごとに交流バスバー14〜16が挿入、結合されており、これにより、同一相の2つの外部接続部は同一相の交流バスバーに接続されている。交流バスバー14〜16の他端は図示しない三相ケーブルを通じてモータに達している。共通ヒートシンク板6から突出する高電位直流端子Pは直流バスバー18に接合され、直流バスバー18は不図示の平滑コンデンサの正極に接続されている。共通ヒートシンク板10から突出する低電位直流端子Nは直流バスバー19に接合され、直流バスバー19は不図示の平滑コンデンサの負極に接続されている。
上アームモジュール1の分解斜視図を図6に、上アームモジュール1の縦断面図を図7に示す。IGBTチップ4とフライホイルダイオードチップ5とからそれぞれ構成される3つのペアは、共通ヒートシンク板6に直接固定され、IGBTチップ4及びフライホイルダイオードチップ5の上面に露出する主電極領域(エミッタ領域及びアノード領域)は相ヒートシンク板7〜9に介在電気伝導板38、39を介して個別に接合、固定されている。図7から明らかなように、上アームモジュール1は、相ヒートシンク板7〜9及び共通ヒートシンク板6が上アームモジュールの両主面に個別に露出するように樹脂モールドされている。
上記した上アームモジュール1及び同様の方法で作成された下アームモジュール2は、厚さ方向へ所定間隔を隔てて配置されている。なお、この図では、上アームモジュール1及び下アームモジュール2は、共通ヒートシンク板6、10が対面する向きにて配置されている。なお、図1に示すように下アームモジュール2のIGBTチップ4はエミッタ領域が共通ヒートシンク板10に接続される。IGBTチップ4において、エミッタ領域はチップ上面に形成されるため、下アームモジュール2のIGBTチップ4及びフライホイルダイオードチップ5は相ごとに相ヒートシンク板11〜13に個別に直接固定し、その後、共通ヒートシンク板10を各IGBTチップ4のエミッタ領域及びアノード領域に介在電気伝導板を介して接合することが好適である。なお、この介在電気伝導板は信号配線用のボンディングワイヤの配置スペースを確保するためのものである。
(冷却構造)
中間冷却部材31の一例の断面図を図13に示す。この実施形態では中間冷却部材31はアルミ引き抜き成形厚板を用いており、中間冷却部材31の内部には素子配列方向へ互いに平行に複数の冷却流路31a〜31dが形成されている。冷却流体は図2に示すように、素子配列方向一方側から他方側へ直線的に流れる。上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33は中間冷却部材31と同一構造をもつことができる。
(制御基板接続構造)
制御基板34について図17を参照して説明する。制御基板34にはU相の制御IC41、V相の制御IC42、W相の制御IC43が実装されている。44は、上アームモジュール1からの信号バスバー35が接続される接続位置であり、45は、下アームモジュール2からの信号バスバー35が接続される接続位置である。接続位置44、45の間に制御IC41〜43が配置されるため、制御IC41〜43はその一側面側から上アームモジュール1側への信号を出力し、その他側面側から下アームモジュール2側へ信号を出力することができ、上アームモジュール1への信号と下アームモジュール2への信号との間の電気絶縁性を向上することができる。なお、制御IC41〜43を単一ICに統合できることは言うまでもない。また、上アームモジュール1の3相のIGBTチップ4を制御する制御ICと、下アームモジュール2の3相のIGBTチップ4を制御する制御ICとの2チップ構成としてもよいことも当然である。
(変形態様)
図10では、IGBTチップ4は短辺方向にて外部接続部20〜22から離れた側に配置され、フライホイルダイオードチップ5は短辺方向にて外部接続部20〜22に近接する側にIGBTチップ4から所定間隔隔てて配置したが、図5に示すように、IGBTチップ4を短辺方向にて外部接続部20〜22に近接する側に配置し、フライホイルダイオードチップ5を短辺方向にて外部接続部20〜22から離れた側に配置することも好適である。IGBTチップ4の通電電流及び発熱はフライホイルダイオードチップ5のそれよりも大きいので、IGBTチップ4を外部接続部20〜22に近接させることにより、相ヒートシンク板7〜9及び共通ヒートシンク板6における抵抗損失を低減することができる。
また、図5では、IGBTチップ4の短辺方向中心m1は、フライホイルダイオードチップ5の短辺方向中心m2よりも、相ヒートシンク板7〜9の中心m3に近く設定される。これにより、発熱が相対的に大きいIGBTチップ4は、発熱が相対的に小さいフライホイルダイオードチップ5よりも相ヒートシンク板7〜9及び共通ヒートシンク板6の放熱能力の多くを占有することができるため、IGBTチップ4とフライホイルダイオードチップ5とをm3から等距離に配置する場合に比べてIGBTチップ4の温度上昇を低減することができる。
また、図4において、外部接続部20〜22と外部接続部23〜25とを相ごとに直接接触させることも可能である。
(変形態様)
図8では、上アームモジュール1及び下アームモジュール2を共通ヒートシンク板6、10が対面する向きに配置したが、図9に示すように、両モジュール1、2を相ヒートシンク板7〜9と相ヒートシンク板11〜13とが対面する向きに配置してもよい。
(変形態様)
図3では、同一相のIGBTチップ4とフライホイルダイオードチップ5とを短辺方向に並べたが、図10〜図12に示すように同一相のIGBTチップ4とフライホイルダイオードチップ5とを素子配列方向に隣接配置し、全体として一列に素子配列方向へ配列してもよい。なお、フライホイルダイオードチップを外部接続端子側に少しずらしても、IGBTとの熱干渉を良好に軽減することができる。
(変形態様)
図14では、中間冷却部材31、上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33は、素子配列方向一端側にて互いに短辺方向に隣接して入口部311及び出口部312を有しており、冷却流体はこれら冷却部材を素子配列方向に貫通した後、Uターンして出口部312に戻る。この用にすると、入口部311及び出口部312と外部のラジエータなどの冷却器とを接続する配管接続構造を簡素化することができる。
また、この態様では、各相ヒートシンク板間の温度差が平均化するという優れた利点も生じる。なお、この場合、IGBTチップ4を短辺方向入口側(上流側)に配置し、フライホイルダイオードチップ5を短辺方向出口側(下流側)に配置することが好適である。
(変形態様)
図6では、素子配列方向(冷却流体の流れ方向)に所定の相順に配列された各相ヒートシンク板7〜9の素子配列方向幅は等しくされていた。その代わりに、図15に示すように、上流側の相ヒートシンク板7の素子配列方向幅Cを、下流側の相ヒートシンク板8、9の素子配列方向幅よりも小さくすると、各相の素子温度のばらつきを低減するとともに、上流側の相ヒートシンク板7の幅縮小分だけ下流側の相ヒートシンク板8、9の幅を増大できる利点も生じる。これは上流側の相ヒートシンク板7に接する冷却流体温度が相対的に低いためである。
(変形態様)
図4では、外部接続部20〜22と外部接続部23〜25と交流バスバー14〜16とは、それぞれ等しい幅に形成された。その代わりに、図16に示すように、高電位直流端子P及び低電位直流端子Nとの間の距離が小さい外部接続部22、交流バスバー16及び外部接続部25の幅を、他の交流バスバーや外部接続部よりも幅よりも小さくすることができる。このようにすれば、高電位直流端子P及び低電位直流端子Nから遠い相の相電流により相ヒートシンク板や共通ヒートシンク板により生じる相電圧降下の増加を抑制することができる。
(変形態様)
図2では、上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33は、中間冷却部材31と同じ構造としたが、図18〜図20に示すように、放熱構造を簡素化するために上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33を冷却フィン構造としてもよい。この場合、車両走行風又は強制冷却風が素子配列方向に流れるように配置されることが好適である。50は中間冷却部材31、上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33と上アームモジュール1及び下アームモジュール2とを電気絶縁するための絶縁シートである。当然、図2においても絶縁シート50は設けられている。
(変形態様)
図2では、上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33は、中間冷却部材31と同じ構造としたが、図21に示すように、放熱量が相対的に少ない上アーム側冷却部材32及び下アーム側冷却部材33を両端部321、322、331、332が中間冷却部材31に接合される門形(コ字形)の金属(たとえばアルミ合金)材320、330により形成してもよい。
門形金属材320の中央部は上記上アーム側冷却部材32と同様に上アームモジュール1の主面に絶縁シート50を介して密着し、門形金属材330の中央部は上記下アーム側冷却部材33と同様に下アームモジュール2の主面に絶縁シート50を介して密着する。このようにすれば、上アームモジュール1から門形金属材320に伝達された熱はその端部321、322から中間冷却部材31に良好に伝達され、下アームモジュール2から門形金属材330に伝達された熱はその端部331、332から中間冷却部材31に良好に伝達されるので、既述例と同様に上アームモジュール1及び下アームモジュール2の両面冷却効果を奏することができる。なお、中間冷却部材31から門形金属材320、330の端部321、322へ冷却流体を流入させ、端部322、332から中間冷却部材31へ冷却流体を戻す構造を採用してもよい。
(変形態様)
上記実施形態では、たとえば図6に示すように、上アームモジュール1の外部接続部20〜22は、金属板のプレス成形により構成されたが、図22、図23に示すように、相ヒートシンク板7と外部接続部20とを別々に構成して接合してもよいことはもちろんである。
(変形態様)
図4では、外部接続部20〜22、外部接続部23〜25の幅と交流バスバー14〜16の幅とを等しくしたが、図24に示すようにそれらの幅を一致させる必要はない。すなわち、バスバーと外部接続部との位置合わせのずれは接続が可能な範囲で許容される。また、高電位直流端子Pの主面と直流バスバー18の主面とを接合し、低電位直流端子Nの主面と直流バスバー19の主面とを接合してもよい。
実施態様の三相インバータ装置の回路図である。 図1の三相インバータ装置の模式斜視図である。 上アームモジュール1の素子配置図である。 図1の三相インバータ装置のバスバー接続を示す模式側面図である。 図1の上アームモジュール1の素子配置の変形態様を示す模式平面図である。 図1の上アームモジュール1のヒートシンク板構造を示す分解斜視図である。 図1の上アームモジュール1の縦断面図である。 図1の三相インバータ装置のモジュール配置を示す縦断面図である。 図1の三相インバータ装置のモジュール配置の変形態様を示す縦断面図である。 図6のヒートシンク板構造の変形態様を示す分解斜視図である。 図10の一列配置モジュール構造をもつ三相インバータ装置の縦断面図である。 図10の一列配置モジュール構造をもつ上アームモジュールの縦断面図である。 中間冷却部材の縦断面図である。 中間冷却部材の変形態様を示す模式横断面図である。 上アームモジュール1のヒートシンク形状の変形態様を示す分解斜視図である。 外部接続部及び交流バスバーの変形態様を示す側面図である。 制御基板を示す模式平面図である。 上アーム側冷却部材及び下アーム側冷却部材の変形態様を示す断面図である。 上アーム側冷却部材及び下アーム側冷却部材の変形態様を示す断面図である。 上アーム側冷却部材及び下アーム側冷却部材の変形態様を示す斜視図である。 上アーム側冷却部材及び下アーム側冷却部材の変形態様を示す断面図である。 相ヒートシンク板の外部接続部の構造の変形態様を示す断面図である。 相ヒートシンク板の外部接続部の構造の変形態様を示す断面図である。 バスバーと端子との接続構造の変形態様を示す側面図である。
符号の説明
1 上アームモジュール
2 下アームモジュール
P 三相インバータ装置の直流高電位端子(共通ヒートシンク板6の外部接続部)
N 三相インバータ装置の直流低電位端子(共通ヒートシンク板10の外部接続部)
4 IGBTチップ(電力用半導体トランジスタチップ)
5 フライホイルダイオードチップ
6 上アームモジュール1の共通ヒートシンク板、
7〜9 上アームモジュール1の相ヒートシンク板
10 下アームモジュール2の共通ヒートシンク板、
11〜13 下アームモジュール2の相ヒートシンク板
14〜16 三相の交流バスバー
17 三相ケーブル
18、19 直流バスバー
20〜22 相ヒートシンク板7〜9の外部接続部
23〜25 相ヒートシンク板11〜13の外部接続部
31 中間冷却部材
32 上アーム側冷却部材
33 下アーム側冷却部材
34 制御基板
35 信号バスバー
38、39 介在電気伝導板
41〜43 制御IC
44、45 信号バスバー接続位置
50 絶縁シート
311 入口部
312 出口部
320 門形金属材(上アーム側冷却部材)
330 門形金属材(下アーム側冷却部材)
321、322 門形金属材320の端部
331、332 門形金属材330の端部

Claims (4)

  1. 上アーム側の電力用半導体スイッチング素子からなる上アーム素子の交流側主電極と、下アーム側の電力用半導体スイッチング素子からなる下アーム素子の交流側主電極を三相交流モータの三相端子に接続し、前記上アーム素子の直流側主電極が直流電源の高電位端に接続され、下アーム素子の直流側主電極が前記直流電源の低電位端に接続されて構成されるモータ電流制御用の三相インバータ装置において、
    前記各上アーム素子の直流側主電極に共通接続されて高電位側直流入力端子をなすとともに一主面に露出する共通ヒートシンク板と、前記各上アーム素子の交流側主電極に個別接続されて他主面に露出する相ヒートシンク板とを有するとともに、所定の素子配列方向へ前記各上アーム素子を所定相順にて内蔵するカード状の上アームモジュールと、
    前記各下アーム素子の直流側主電極に共通接続されて低電位側直流入力端子をなすとともに一主面に露出する共通ヒートシンク板と、前記各下アーム素子の交流側主電極に個別接続されて他主面に露出する相ヒートシンク板とを有するとともに、所定の素子配列方向へ前記各下アーム素子を前記各上アーム素子と同一相順にて内蔵するカード状の下アームモジュールと
    前記上アームモジュール及び下アームモジュールの前記素子配列方向端部に形成された入口部及び出口部と、冷却流体を前記素子配列方向へ流す冷却流路とを有し、前記両モジュールの間に前記両モジュールの厚さ方向へ挟設されて前記両モジュールの前記ヒートシンク板から受け取った熱を外部に放熱する中間冷却部材と、
    を備え、
    前記各相ヒートシンク板は、前記モジュールの厚さ方向及び前記素子配列方向に対して略直角かつ互いに同一の方向へ突出する外部接続部を有し、
    前記両モジュールの共通ヒートシンク板は、前記各相ヒートシンク板の外部接続部と同一方向へ突設されるとともに、互いに厚さ方向へ所定間隔を隔てつつ前記素子配列方向において略同一位置に配置される外部接続部をそれぞれ有し、
    前記両モジュールの共通ヒートシンク板の外部接続部は、前記各相ヒートシンク板の複数の外部接続部に対して前記素子配列方向における一端側に配置されることを特徴とする三相インバータ装置。
  2. 請求項1に記載の三相インバータ装置において、
    前記素子配列方向一端側かつ前記共通ヒートシンク板の外部接続部に近接する側の前記相ヒートシンク板の外部接続部又はこの外部接続部に接続されるバスバーは、
    前記素子配列方向他端側かつ前記共通ヒートシンク板の外部接続部から遠隔側の前記相ヒートシンク板の外部接続部又はこの外部接続部に接続されるバスバーよりも通電方向に対して直角方向へ広幅に形成される三相インバータ装置。
  3. 請求項1または2に記載の三相インバータ装置において、
    前記上アームモジュールの前記ヒートシンク板にそれぞれ電気絶縁可能に密着して前記上アームモジュールの熱を外部に放熱する上アーム側冷却部材と、
    前記下アームモジュールの前記ヒートシンク板に電気絶縁可能に密着して前記下アームモジュールの熱を外部に放熱する下アーム側冷却部材と、
    を有する三相インバータ装置。
  4. 請求項3に記載の三相インバータ装置において、
    前記上アーム側冷却部材の素子配列方向の両端部、及び、下アーム側冷却部材の素子配列方向両端部は、
    前記中間冷却部材の前記入口部及び出口部に熱伝導良好に結合される三相インバータ装置。
JP2005181888A 2005-06-22 2005-06-22 三相インバータ装置 Active JP4284625B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005181888A JP4284625B2 (ja) 2005-06-22 2005-06-22 三相インバータ装置
US11/471,618 US7633758B2 (en) 2005-06-22 2006-06-21 Module type multiphase inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005181888A JP4284625B2 (ja) 2005-06-22 2005-06-22 三相インバータ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007006575A JP2007006575A (ja) 2007-01-11
JP4284625B2 true JP4284625B2 (ja) 2009-06-24

Family

ID=37691626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005181888A Active JP4284625B2 (ja) 2005-06-22 2005-06-22 三相インバータ装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7633758B2 (ja)
JP (1) JP4284625B2 (ja)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2589717A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Sanmina-Sci Corporation System and method for base station heat dissipation using chimneys
DE112007000366T5 (de) * 2006-02-17 2009-01-02 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki, Kitakyushu Leistungsumwandlungsvorrichtung mit Sammelschiene
JP4564937B2 (ja) 2006-04-27 2010-10-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置
DE202006008792U1 (de) * 2006-06-01 2007-10-04 Diehl Ako Stiftung & Co. Kg Solarwechselrichter
EP1895824B1 (de) * 2006-08-30 2009-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Baugruppe für ein Automatisierungsgerät
US8089150B2 (en) * 2006-11-14 2012-01-03 Rinehart Lawrence E Structurally robust power switching assembly
JP2008218688A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Denso Corp 半導体装置
US7965508B2 (en) * 2007-03-27 2011-06-21 Denso Corporation Cooling device for electronic component and power converter equipped with the same
JP5057838B2 (ja) * 2007-04-26 2012-10-24 株式会社東芝 パワー半導体素子の冷却装置
EP2151915A1 (en) * 2007-05-29 2010-02-10 Panasonic Corporation Power converter
US7773381B2 (en) 2007-09-26 2010-08-10 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
US20090091892A1 (en) * 2007-09-26 2009-04-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor Device
JP4580997B2 (ja) * 2008-03-11 2010-11-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP4580999B2 (ja) * 2008-03-19 2010-11-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 モータのコントロールユニット
JP4988665B2 (ja) * 2008-08-06 2012-08-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体装置および半導体装置を用いた電力変換装置
JP2010148229A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Sumitomo Electric Ind Ltd ハーフブリッジインバータおよび3相ブリッジインバータ
JP4661966B2 (ja) 2009-03-06 2011-03-30 株式会社デンソー 電力変換装置
DE102009022877B4 (de) * 2009-04-29 2014-12-24 Rogers Germany Gmbh Gekühlte elektrische Baueinheit
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
US8493762B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor module and semiconductor power converter provided with the same
JP5289348B2 (ja) * 2010-01-22 2013-09-11 三菱電機株式会社 車載用電力変換装置
JP5423655B2 (ja) * 2010-02-05 2014-02-19 株式会社デンソー 電力変換装置
JP5423654B2 (ja) * 2010-02-05 2014-02-19 株式会社デンソー 電力変換装置
JP5327195B2 (ja) * 2010-02-05 2013-10-30 株式会社デンソー 電力変換装置
JP5158176B2 (ja) * 2010-02-05 2013-03-06 株式会社デンソー 電力変換装置
JP4924750B2 (ja) * 2010-02-05 2012-04-25 株式会社デンソー 電力変換装置
JP2011165988A (ja) * 2010-02-11 2011-08-25 Denso Corp 半導体装置
JP4951094B2 (ja) * 2010-02-16 2012-06-13 株式会社東芝 電子機器の冷却構造
CN102821998B (zh) * 2010-03-31 2015-02-11 株式会社东芝 电动车控制装置
JP5336413B2 (ja) * 2010-04-02 2013-11-06 株式会社豊田中央研究所 パワーモジュール
JP5201171B2 (ja) * 2010-05-21 2013-06-05 株式会社デンソー 半導体モジュール、および、それを用いた駆動装置
JP5206732B2 (ja) * 2010-05-21 2013-06-12 株式会社デンソー インバータ装置、及び、それを用いた駆動装置
JP5807220B2 (ja) * 2010-12-30 2015-11-10 株式会社ザイキューブ インターポーザ及びそれを用いた半導体モジュール
US8611091B2 (en) * 2011-03-11 2013-12-17 Asia Vital Components Co., Ltd. Thermal module for solar inverter
EP2506421B1 (en) * 2011-03-31 2020-07-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Electric vehicle control device
DE202011100820U1 (de) 2011-05-17 2011-12-01 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter
US9622384B2 (en) * 2011-11-22 2017-04-11 Quantum Fuel Systems Llc Fishtail packaging and cooling
JP5634621B2 (ja) * 2011-11-30 2014-12-03 三菱電機株式会社 半導体装置、及び車載用電力変換装置
US9131630B2 (en) * 2012-03-28 2015-09-08 Delphi Technologies, Inc. Edge seal for electronics assembly suitable for exposure to electrically conductive coolant
JP5696696B2 (ja) * 2012-08-03 2015-04-08 株式会社豊田自動織機 半導体装置
JP2014078599A (ja) * 2012-10-10 2014-05-01 Denso Corp 電力変換装置
US8867210B2 (en) 2012-10-31 2014-10-21 Deere & Company Cooling apparatus for an electrical substrate
DE102013219433B4 (de) * 2013-09-26 2019-05-29 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches Leistungsmodul mit elastischen Kontakten und Stapelaufbau mit einem solchen Leistungsmodul
US9992915B2 (en) * 2013-10-07 2018-06-05 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Power conversion device
JP5788540B2 (ja) * 2014-01-16 2015-09-30 三菱電機株式会社 電動機駆動装置、及び冷凍空調装置
JP6123722B2 (ja) * 2014-03-26 2017-05-10 株式会社デンソー 半導体装置
JP5862702B2 (ja) * 2014-05-07 2016-02-16 トヨタ自動車株式会社 三相インバータモジュール
US10064310B2 (en) * 2014-06-25 2018-08-28 Hitachi, Ltd. Power-module device, power conversion device, and method for manufacturing power-module device
WO2016002385A1 (ja) 2014-07-03 2016-01-07 日産自動車株式会社 ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
EP2996449B1 (de) * 2014-09-11 2017-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichteranordnung mit einem mehrphasigen Stromrichter
US9978670B2 (en) * 2014-11-27 2018-05-22 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module and semiconductor driving device
CN107155372B (zh) * 2014-11-28 2019-10-01 日产自动车株式会社 半桥功率半导体模块及其制造方法
JP6540496B2 (ja) * 2015-12-17 2019-07-10 株式会社デンソー 電力変換装置
JP6368763B2 (ja) * 2016-12-05 2018-08-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
US10064302B2 (en) * 2017-01-17 2018-08-28 Caterpillar Inc. Power inverter with balanced power flow for multiple electrical machines
JP2019009389A (ja) * 2017-06-28 2019-01-17 パナソニックIpマネジメント株式会社 電気機器及び分電盤
JP6693484B2 (ja) * 2017-08-11 2020-05-13 株式会社デンソー 電力変換装置
DE112018003393B4 (de) * 2017-08-30 2023-05-04 Hitachi Astemo, Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiters
JP2019046899A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置
US11070049B2 (en) 2017-11-08 2021-07-20 Eaton Intelligent Power Limited System, method, and apparatus for power distribution in an electric mobile application using a combined breaker and relay
WO2019092103A2 (en) 2017-11-08 2019-05-16 Eaton Intelligent Power Limited Power distribution unit and fuse management for an electric mobile application
US11108225B2 (en) 2017-11-08 2021-08-31 Eaton Intelligent Power Limited System, method, and apparatus for power distribution in an electric mobile application using a combined breaker and relay
US11368031B2 (en) 2017-11-08 2022-06-21 Eaton Intelligent Power Limited Power distribution and circuit protection for a mobile application having a high efficiency inverter
EP3776779A2 (en) * 2018-04-10 2021-02-17 Eaton Intelligent Power Limited System, method, and apparatus for power distribution in an electric mobile application using a combined breaker and relay
JP7159609B2 (ja) * 2018-05-15 2022-10-25 株式会社デンソー 半導体装置
KR102575151B1 (ko) 2018-07-17 2023-09-06 현대자동차주식회사 인버터의 병렬형 파워모듈용 냉각기 모듈
US11070140B2 (en) * 2018-10-25 2021-07-20 Eaton Intelligent Power Limited Low inductance bus assembly and power converter apparatus including the same
US11670937B2 (en) 2019-02-22 2023-06-06 Eaton Intelligent Power Limited Coolant connector having a chamfered lip and fir tree axially aligned with at least one o-ring
WO2021009217A2 (en) 2019-07-15 2021-01-21 Eaton Intelligent Power Limited Power distribution and circuit protection for a mobile application having a high efficiency inverter
US12027975B2 (en) * 2020-05-22 2024-07-02 Marel Power Solutions Packaged module with sintered switch
FR3114725B1 (fr) * 2020-09-28 2023-11-03 Inst Polytechnique Grenoble Système électronique de puissance
US12068298B2 (en) * 2020-11-02 2024-08-20 Dynex Semiconductor Limited High power density 3D semiconductor module packaging
US11224147B1 (en) * 2020-11-19 2022-01-11 GM Global Technology Operations LLC Direct cooling of inverter switches
DE102022200734A1 (de) 2022-01-24 2023-07-27 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Kühlkörper zur Kühlung von elektronischen Bauelementen und Anordnung mit einem Kühlkörper

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07131978A (ja) 1993-11-05 1995-05-19 Nissan Motor Co Ltd 電力変換装置
JP2809095B2 (ja) * 1994-03-04 1998-10-08 株式会社デンソー インバータ装置
DE10009171B4 (de) * 2000-02-26 2005-08-11 Robert Bosch Gmbh Stromrichter und sein Herstellverfahren
JP4192396B2 (ja) 2000-04-19 2008-12-10 株式会社デンソー 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置
EP2244289B1 (en) 2000-04-19 2014-03-26 Denso Corporation Coolant cooled type semiconductor device
EP1178593A1 (de) * 2000-08-02 2002-02-06 ABB Industrie AG Halbleiter-Spannstapelsatz
JP3793407B2 (ja) * 2000-09-19 2006-07-05 株式会社日立製作所 電力変換装置
JP2002359329A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Hitachi Ltd 半導体装置
JP3676719B2 (ja) * 2001-10-09 2005-07-27 株式会社日立製作所 水冷インバータ
JP3673776B2 (ja) 2002-07-03 2005-07-20 株式会社日立製作所 半導体モジュール及び電力変換装置
FR2853808B1 (fr) * 2003-04-09 2006-09-15 Alstom Module de commutation de puissance et ondulateur equipe de ce module
US6987670B2 (en) * 2003-05-16 2006-01-17 Ballard Power Systems Corporation Dual power module power system architecture
JP4052197B2 (ja) 2003-07-24 2008-02-27 株式会社デンソー 電力変換装置
JP4003719B2 (ja) 2003-08-22 2007-11-07 株式会社デンソー 電力変換装置
EP2216892B1 (en) * 2003-08-21 2012-01-18 Denso Corporation Mounting structure of a semiconductor device
US7301755B2 (en) * 2003-12-17 2007-11-27 Siemens Vdo Automotive Corporation Architecture for power modules such as power inverters
JP2005332863A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Denso Corp パワースタック

Also Published As

Publication number Publication date
US7633758B2 (en) 2009-12-15
US20070076355A1 (en) 2007-04-05
JP2007006575A (ja) 2007-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4284625B2 (ja) 三相インバータ装置
US7859103B2 (en) Semiconductor module and inverter device
US7760503B2 (en) Semiconductor module and inverter device
JP5099417B2 (ja) 半導体モジュール及びインバータ装置
JP5350456B2 (ja) 電力変換装置
US8686601B2 (en) Power conversion apparatus for vehicle use
JP5206822B2 (ja) 半導体装置
JP6296888B2 (ja) 電力変換装置
JP6263311B2 (ja) 電力変換装置
JP4699820B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP5243353B2 (ja) 電力変換装置
JP2018022846A (ja) 半導体装置
JP5243354B2 (ja) 電力変換装置
JP2011211017A (ja) 半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置
JP4572247B2 (ja) ハイブリッド車両
JP2004031590A (ja) 半導体装置
JP2011018729A (ja) 半導体素子モジュールの冷却装置
JP5204045B2 (ja) 電力変換装置
JP2009032997A (ja) パワーモジュール
JP2015186438A (ja) 半導体装置
JP2004063681A (ja) 半導体装置
JP2011211018A (ja) 半導体モジュール
JP5381903B2 (ja) 電子部品装置
US12101036B2 (en) Electric power converter
CN219497779U (zh) 半导体功率模块、电机控制器和车辆

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070802

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081010

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090226

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090311

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4284625

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140403

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250