JP4259578B2 - 空胴半同軸共振器、それを用いたフィルタ及び通信機装置 - Google Patents

Description

本発明は、空胴半同軸共振器、それを用いたフィルタ及び通信機装置に関する。

外導体及び内導体がアルミニウム若しくはアルミニウム合金によって一体的に形成されたケースを備える空胴半同軸空胴共振器、及びそれを用いたフィルタが実用化されている。これらは、切削加工若しくはダイキャストによって作成され、調整ねじが設けられたパネルを螺設することにより内部を閉空間とし、これによって共振器若しくはフィルタとして動作させる。材料はアルミニウムまたはその合金に限らず、特に切削加工により作成する場合にはインバー、銅、銅合金、鉄など様々なものが用いられ、メッキ等の表面処理を施されて使用される場合が多い。この様なフィルタの構造例が特許文献１に公開されている。

図１に本発明の従来例である空胴半同軸共振器の例を示す。図１（ａ）は空胴半同軸共振器の上部パネル取り除いた場合の平面図であり、図１（ｂ）は中心線ＢＢの断面図である。内導体３１は外導体の底面３２ｂに一体的に形成されている。

外導体及び内導体がアルミニウム若しくはアルミニウム合金によって一体的に形成された空胴半同軸共振器を用いたフィルタでは、材料の線膨張係数が大きいため温度による周波数変動が大きい。特に誘電体共振器と空胴半同軸共振器を複合させたフィルタを作成する場合には、誘電体共振器部の周波数の温度変化が非常に小さいために金属で形成されている空胴半同軸共振器の周波数の温度変化を小さくしないと、温度変化により波形が乱れるという問題点があった。空胴半同軸共振器の部分をインバー材で構成すると、温度による周波数変動がほとんどないフィルタを作成できるが、製造コストがかかり重量も増すという問題点があった。この様な問題点を解決するために特許文献２では、外導体を構成するためのケースをアルミニウムで形成し、空胴半同軸共振器の内導体に鉄材、若しくはインバー合金を用いることにより温度変動による特性変動を小さくしたフィルタの例が開示されている。
特開２００１−２４４０４号公報 特開２００４−２５４０８５号公報

上述したように、外導体であるアルミニウムケースに対して比較的に小さい線膨張係数を持つ金属を内導体に用いた場合、その長さを適正化することにより温度変動が非常に小さい空胴半同軸共振器が得られる。この様な構成では外導体と内導体が別々の金属で構成されるため、必ず内導体と外導体を別々に作成し、所定の表面処理を行った後、外導体に内導体を取り付けなければならない。

外導体と内導体が着接される部分は空胴半同軸共振器において最も強い電流が流れる部分であり、この部分の電気的な接触において部分的に不完全な接触箇所が存在すると強い相互変調歪みを発生させる場合がある。

相互変調歪みはデバイス内で局部的に電圧の変化と電流の変化が非線形となるときに発生し、一般的に強い電流が流れる導体の表面状態が悪いとき、導体に鋭いエッジがあるとき、または導体同士の接触部に欠陥がある時に発生するとされる。特に強い電流が流れる部位の導体同士の接触部の欠陥は強い相互変調歪みを発生させる。

内導体が外導体に螺設される空胴半同軸共振器において相互変調歪みの発生を抑制するためには、内導体の固定部の外周が外導体に対して均一に強い軸力で固定され、電気的に滑らかな接触が全周にわたって達成されていなければならない。

確実に且つ強力に外導体と内導体を着接する手段としては、ねじによる螺設が理想的であり、最も安価で工数も少なくて済む。図２に内導体と外導体が別体で形成された空胴半同軸共振器の内導体と外導体の固定部の断面図の従来例を示す。内導体１９はねじ２により外導体３の底面３ａに螺設されている。この様な形態では、内導体に設けた雌ねじの中心軸の座面２０に対する垂直度、ねじ自体の垂直度、外導体の底面とねじ座面の平行度等の様々な要因により、螺設後の内導体の座面２０と外導体３の底面３ａとの接触部の強度分布には不均一性が生じ、見かけ上接触しているように見えても部分的に電気的に滑らかな接触状態が達成されないため強い相互変調歪みを発生するという問題点があった。

上記問題点を解決するために本願の各発明は次のように構成する。

請求項３に係る発明は、内部に空胴部を有する外導体と、前記空胴部の底面に固着され、且つ前記空胴部底面に対向する面とは固着されない柱状の内導体とを備える空胴半同軸共振器であって、前記内導体は内部に孔を有し該孔には雌ねじ部が形成され前記外導体の底面にねじにより螺設されており、前記内導体及び前記外導体の接触面の表面荒さ（Ｒａ）は共に１．６μｍ以下であり、前記接触面の面積をＳ（ｍ2）、前記ねじの締め付けトルクをＴ（Ｎ・ｍ）、該ねじ径をｄ（ｍ）としたとき、５Ｔ／ｄ／Ｓ≧６０（ＭＰａ）であり、前記内導体の前記孔は前記外導体底面の直上に前記ねじと螺合しない空胴を有し、前記空胴の高さは前記ねじの半分以上であり、前記雌ねじ部と前記ねじの螺合部の長さはねじの直径の２倍以下であり、前記柱状の内導体と前記空胴部の底面とが螺設されている部分の該底面の形状が、該柱状の内導体と接触する面の全周に亘って底面から突出しており、前記突出部の外周と前記底面とが連続する箇所全周に亘ってＲが設けられている。

請求項１に係る発明は、内部に空胴部を有する外導体と、前記空胴部の底面に固着され、且つ前記空胴部底面に対向する面とは固着されない柱状の内導体とを備える空胴半同軸共振器であって、前記内導体は内部に孔を有し該孔には雌ねじ部が形成され前記外導体の底面にねじにより螺設されており、前記内導体及び前記外導体の接触面の表面荒さ（Ｒａ）は共に１．６μｍ以下であり、前記接触面の面積をＳ（ｍ2）、前記ねじの締め付けトルクをＴ（Ｎ・ｍ）、該ねじ径をｄ（ｍ）としたとき、５Ｔ／ｄ／Ｓ≧６０（ＭＰａ）であり、前記ねじは、前記外導体の座面の直上に前記内導体の雌ねじ部と螺合しない雄ねじ不形成部を有し、前記雄ねじ不形成部の直径は雄ねじの谷径以下であり、前記雄ねじ不形成部の長さは前記ねじの半径以上であり、前記雌ねじ部と前記ねじの螺合部の長さはねじの直径の２倍以下あることを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１において、前記柱状の内導体と前記空胴部の底面とが螺設されている部分の該底面の形状が、該柱状の内導体と接触する面の全周に亘って底面から突出しており、前記突出部の外周と前記底面とが連続する箇所全周に亘ってＲが設けられていることを特徴とする。

請求項４に係る発明は、請求項１，２，３のうちいずれか１項において、前記外導体はアルミニウム若しくはアルミニウム合金であり、前記内導体はステンレススチールで形成されたことを特徴とする。

請求項５に係る発明は、請求項１、２、３または４に記載の空胴半同軸共振器を複数個連続配置し、入出力接続用手段を具備し、前記空胴半同軸共振器同士の仕切り部には所定の大きさのスリットを設け、段間を結合させて帯域通過フィルタを構成したことを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項１、２、３または４に記載の空胴半同軸共振器を複数個連続配置し、別途設けられた入出力接続用手段を備えた伝送線路に対して、それぞれの空胴半同軸共振器と結合する結合手段を設けて帯域阻止フィルタを構成したことを特徴とする。

請求項７に係る発明は、少なくとも二つのフィルタと、前記フィルタに共通的に接続されるアンテナ接続用手段とを含んでなるデュプレクサであって、前記フィルタの少なくとも一つが請求項５に記載の帯域通過フィルタであることを特徴とする。

請求項８に係る発明は、請求項７に記載のデュプレクサと、該デュプレクサの少なくとも一つの入出力接続用手段に接続される送信用回路と、残りの入出力接続用手段に接続される受信用回路と、前記デュプレクサのアンテナ接続用手段に接続されるアンテナとを含んで通信機装置を構成したことを特徴とする。

この発明によれば、内導体座面と外導体底面が互いに固着されている面の直上にある内導体の内部において、内導体の雌ねじとねじの雄ねじが噛み合わない部分を有する。これによりねじ自体が変形可能となる長さが増す。

内導体の雌ねじの中心軸が内導体の座面に対して完全に垂直でない場合、外導体の底面とねじ座面が完全に平行でない場合、若しくはねじの中心軸に対してねじの座面が完全に垂直でない場合には、これらにより発生する外導体底面に対する内導体座面の微少な傾きをねじの変形により吸収することができる。これにより内導体座面と外導体底面が互いに固着されている部分において、密着強度分布の偏差が緩和される。またさらに、内導体座面と外導体底面の表面荒さ（Ｒａ）を１．６μｍ以下とした上で、接触面圧が６０ＭＰａ以上となるようにねじのトルクを設定することにより内導体の全周がほぼ均一な強度で外導体に接触される。これにより電気的に滑らかな接触が達成され相互変調歪みの発生が抑制される。

〈第１の実施形態〉
図３は本発明の第１の実施形態を示す内導体固定部の断面図を示し、図４に示す空胴半同軸共振器を用いたフィルタにおけるＡＡ断面の部分図を示すものである。

まず図４について説明する。図４（ａ）は空胴半同軸共振器と誘電体共振器を複合させた帯域通過フィルタの平面図を表し、上部導体パネル２１の一部を取り除いて内部を図示したものである。また、図４（ｂ）は図４（ａ）の側面図であり、外導体３の側面の一部を取り除いて内部を図示したものである。

外導体３は一面が開口した空胴を有するキャビティであり、各空胴は仕切りにより仕切られた構造となっている。外導体３の底面３ａには内導体１がねじ２により螺設されている、この詳細については図３を用いて後述する。内導体１は外導体３の底面３ａの対向する上部導体パネル２１の下面には固着されておらず、内導体１の直上には、導体により形成された周波数調整ねじ２３が上部導体パネル２１に対して螺挿され空胴半同軸共振器をなしている。

空胴半同軸共振器同士の仕切りには隣接する共振器との電磁界結合を得るためにスリット２７を有する。スリット２７はその開口部が外導体３の上端面まで達している。また、電磁界結合度を所望の値に調整するために、導体により形成された結合調整ねじ２４が上部パネル２１に螺挿され、スリット２７の部分に突出している。

外導体３の中央部に位置する空胴には低誘電率素材からなる支持台３０を備えた誘電体共振器２５が配置されている。支持台３０は誘電体共振器２５に張り合わされており外導体３に螺設されている。誘電体共振器２５に発生する電磁界は結合プローブ２８及び結合リード２９を介して隣接する半同軸空胴共振器に結合されている。ここで誘電体共振器２５は３重モードをなし、このフィルタは７段の帯域通過フィルタとして動作する。誘電体共振器２５の多重度や設置数、また空胴半同軸共振器の設置数は所望の特性を鑑みて適宜決定されうる。

初段及び終段の空胴半同軸共振器の内導体１には入出力リード２６が取り付けられ、入出力コネクタ２２に接続されている。

図３に戻り、内導体１と外導体３の固定部の詳細について説明する。内導体１は金属により形成された内部に孔を有する柱状であり、孔には雌ねじが形成されている。内導体１は円柱、楕円柱、若しくは多角柱でもよいが接触を安定させる上で好ましくは円柱であり、さらに内導体の外周に対する中心軸と内部の孔の中心軸は一致することが好ましい。

また内導体１は必要に応じてめっきが施されており、外導体と同様のめっきがされていることが好ましく、相互変調歪みを効果的に抑制するためには銀めっき若しくは銅めっきとされることが好ましい。さらに、これらのめっきの下地にＮｉ等の磁性材料によるめっきが施されている場合や母材が磁性材料である場合には、表層のめっきの厚みは高周波の表皮効果をδとしたときに３δ以上であることが好ましい。表層のめっきは多層構造としても良い。ここでδは、周波数をｆ（Ｈｚ）、表層めっき金属の導電率をσ（／Ωｍ）、表層めっき金属の透磁率をμとしたとき、δ＝（πｆσμ）-1/2により与えられる。

内導体１は内部空胴５を有し、内部空胴５は内導体１に形成された雌ねじ部を座繰ることにより形成されている。内部空胴５の高さは内導体１の座面４からねじ２の半径以上であることが好ましい。ここでねじ２の半径とはねじの山径の半分を指す。

内導体１は、ねじ２によって外導体３の底面３ａに螺設され、内導体１の座面４が外導体３の底面３ａに電気的に接触されている。内部空胴５の部分では内導体１とねじ２は螺合しておらず、この部分においてねじ２は変形可能である。

ねじ２と内導体１の雌ねじの螺合部の長さはねじの直径の２倍以下であることが好ましい。内部空胴５の高さが高いほどねじ２の変形可能長さが長くなり、内導体の座面４と外導体３の底面３ａとの接触面圧の均一性が増す。

〈第２の実施形態〉
図５は本発明の第２の実施形態を示す内導体固定部の断面図である。第１の実施形態と相違する部分を中心に述べる。内導体６は第１の実施形態で示した内導体１とほぼ同様な構成であるが内部空胴５を有しない。

ねじ７はねじ頭から所定の長さの雄ねじ不形成部９を有し、該雄ねじ不形成部９の直径は雄ねじの谷径以下である。雄ねじ不形成部９の長さは外導体３の厚みを除きねじ７の半径以上であることが好ましい。ここでねじ７の半径とはねじの山径の半分を指す。

内導体６は、ねじ７によって外導体３の底面３ａに螺設され、内導体６の座面８が外導体３の底面３ａに電気的に接触されている。雄ねじ不形成部９は内導体と螺合しておらず、この部分においてねじ７は変形可能である。

これによる効果は第１の実施形態と同様であり、ねじ７と内導体６の雌ねじの螺合部の長さはねじ７の直径の２倍以下であることが好ましい。雄ねじ不形成部９の長さが長いほどねじ７の変形可能長さが長くなり、内導体の座面８と外導体３の底面３ａとの接触面圧の均一性が増す。

〈第３の実施形態〉
図６は本発明の第３の実施形態を示す内導体固定部の断面図である。第１の実施形態と相違する部分を中心に述べる。内導体１０は第１の実施形態で示した内導体１と同様に、ねじ２と螺合しない空胴１２が設けられており、さらに空胴１２より直径の大きい座繰り部１３を有する。内部空胴１２と座繰り部１３の高さの合計は内導体１０の座面４からねじ２の半径以上であることが好ましい。ここでねじ２の半径とはねじの山径の半分を指す。

内導体１０は、ねじ７によって外導体３の底面３ａに螺設され、内導体１０の座面１１が外導体３の底面３ａに電気的に接触されている。

座繰り部１３により内導体１０の座面１１の面積は小さくなり接触面圧が上昇する。これにより接触面圧の分布が均一化する効果と、接触面圧が上昇する効果が相まって、相互変調歪みを抑制する効果がさらに高まる。

〈第４の実施形態〉
図７は本発明の第４の実施形態を示す内導体固定部の断面図である。第１の実施形態と相違する部分を中心に述べる。内導体１４は第１の実施形態で示した内導体１と同様に、ねじ２と螺合しない内部空胴１８が設けられており、さらに外導体３の底面の盛り上がり部１５に設けられた凹部と嵌合するための凸部１７が設けられている。内部空胴１８の高さは内導体１４の座面１６からねじ２の半径以上であることが好ましい。ここでねじ２の半径とはねじの山径の半分を指す。

内導体１４は、ねじ２によって外導体の底面に設けられた盛り上がり部１５に螺設され、内導体の座面１６が外導体の盛り上がり部１５に電気的に接触されている。

この形態によれば、外導体底面の盛り上がり部１５に設けられた凹部と、内導体１４に設けられた凸部１７が嵌合するため、外導体３に対して内導体１４を位置決めできる。これにより、ねじ２の締め付け途中による内導体１４のぐらつきが抑制されるため、接触面の擦れあわせによる劣化を抑制できる。このため、ねじ２締結後の接触状態は第１〜第３の実施形態と比較してより改善される。

さらに、盛り上がり部１５を設けたため、空胴半同軸共振器の共振動作時に最も強い電流が横切る部分に導体の接合部が無い。これにより相互変調歪みの発生はより効果的に抑制されることとなる。

以上の実施形態において、発明者らは内導体と外導体の接触面の表面荒さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下であり、且つ螺設による接触部の圧力が６０ＭＰａ以上であればこの部分による相互変調歪みの発生を抑制できる効果があることを実験により検証した。ただし接触面圧を高くしすぎると材料の塑性変形が発生し、逆に接触不良を起こす要因となるので接触面圧は材料の塑性変形耐力を考慮した上で所定の値に定めなければならない。

ここで接触面圧をＰ（Ｐａ）、接触面積をＳ（ｍ2）、ねじの締め付けトルクをＴ（Ｎ・ｍ）、ねじ径をｄ（ｍ）とすると、Ｐ＝５Ｔ／ｄ／Ｓとなる。Ｐが６０ＭＰａ以上であり、内導体の座面及び外導体の底面の変形耐力を越えないように、Ｔ、ｄ、Ｓを所定の値に適宜設定する。

例えば第３の実施形態で説明すれば、内導体１０の外径が１０（ｍｍ）、座繰り部１３の内径が８（ｍｍ）である場合、Ｓ＝２．８３×１０-5（ｍ2）となる。内導体がステンレススチール、外導体がアルミニウムで形成されているとすると、ステンレススチールよりアルミニウムの方が塑性変形耐力が低い。アルミニウムの塑性変形耐力は１１５ＭＰａであるので、使用するねじ２をＭ５とした場合１．７０＜Ｔ＜３．２５（Ｎ・ｍ）となるようにねじ２の締め付けトルクＴを設定しなければならない。

ねじによる螺設は経時変化、またヒートサイクル等によりその軸力は低下する、Ｍ５のステンレスねじを用いた場合、軸力の低下はおよそ１７％であることを発明者らは実験により検証した。従って長期にわたって相互変調歪みの発生を抑制する効果を得るためには、安全率を見込んで必要最低トルクの少なくとも３５％増しのトルクでねじを締め付けることが望ましい。尚、軸力の低下量についてはねじの径、ねじの素材、初期トルクにより変動するので必要に合わせて実験により検証し必要最低トルクを適宜導出し設定する。

〈第５の実施形態〉
図８（ａ）は空胴半同軸共振器と誘電体共振器を複合させた帯域阻止フィルタの平面図を表し、上部導体パネル２１の一部を取り除いて内部を図示したものである。また、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ部分の断面図であり、外導体３の側面の一部を取り除いて内部を図示したものである。

外導体３は、一面が開口した空胴を有するキャビティであり、各空胴は仕切りにより仕切られた構造となっている。外導体３の底面３ａには内導体１がねじ２により螺設されている、内導体１は外導体３の底面３ａの対向する上部導体パネル２１の下面には固着されておらず、内導体１の直上には、導体により形成された周波数調整ねじ２３が上部導体パネル２１に対して螺挿し、合計５つの空胴半同軸共振器を構成している。

２つの入出力コネクタ２２−２２間には、入出力コネクタの中心導体同士を連結する同軸線路中心導体４１を設け、この同軸線路中心導体４１の所定位置と各内導体１との間をＱｅリード４０でそれぞれ接続している。

これらのＱｅリードの、同軸線路中心導体に対する接続点は各々の接続点の間隔が略λ／４（λは阻止帯域の中心周波数波長）となるようにしている。この構成により帯域阻止特性を得ている。

〈第６の実施形態〉
図９は空胴半同軸共振器と誘電体共振器を複合させたデュプレクサの平面図を表し、上部導体パネル２１の一部を取り除いて内部を図示したものである。

このデュプレクサは図４に示した構造の帯域通過フィルタを２組分一体に設けたものに相当する。但し、図の上部の帯域通過フィルタは送信用入力コネクタ５１を備える送信フィルタ、下部の帯域通過フィルタは受信用出力コネクタ５２を備える受信フィルタとして用いるので、それぞれの通過帯域の中心周波数は異なっている。

また、上記２つのフィルタを一体化するために、筐体５５およびパネル５４をそれぞれ一体物としている。パネル５４は筐体５５にねじ止めしているが、この図ではねじを省略している。

アンテナコネクタ５０は送受共用の入力コネクタであり、上記受信フィルタへの受信信号の入力部、および上記送信フィルタからの送信信号の出力部として用いる。

中心導体１は、図７の様な形態で筐体５５に螺設されていることが望ましく、特にアンテナコネクタ５０側にある４つの空胴共振器が全て図７の様な形態で螺設されていることが最も好ましい。

なお、上記送信フィルタと受信フィルタは、誘電体３重モード共振器を中間段に有する７段フィルタであるが、この２つのフィルタのうち何れか一方を全段空胴共振器にしても構わない。

〈第７の実施形態〉
図１０は移動体通信基地局で用いる通信機装置の構成を示すブロック図である。送信フィルタ部６２と受信フィルタ部６３とで１つのデュプレクサ７０を構成している。このデュプレクサ７０の送受共用入出力部にケーブルを介してアンテナ６１を接続している。変調器６６の出力にはＰＡ（パワーアンプ）６４を接続し、このパワーアンプ６４の増幅信号を送信フィルタ部６２に入力している。また、受信フィルタ部６３の出力にはＬＮＡ（ローノイズアンプ）６５を接続し、ＬＮＡ６５の出力信号を復調器６７に入力している。

上記デュプレクサ７０には第６の実施形態で示したデュプレクサを適用する。

内導体と外導体が一体化された従来の半同軸共振器を示す説明図である。 従来の空胴半同軸共振器の内導体固定部の中央縦断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る空胴半同軸共振器の内導体固定部の中央縦断面図である。 同空胴半同軸共振器を用いた帯域通過フィルタの構成を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る空胴半同軸共振器の内導体固定部の中央縦断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る空胴半同軸共振器の内導体固定部の中央縦断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る空胴半同軸共振器の内導体固定部の中央縦断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る帯域阻止フィルタの構成を示す図である。 本発明の第６の実施形態に係るデュプレクサの構成を示す図である。 本発明の第７の実施形態に係る通信機装置の構成を示す図である。

符号の説明

１ 内導体
２ ねじ
３ 外導体
３ａ 外導体の底面
４ 内導体座面
５ 内導体内部空胴
６ 内導体
７ ねじ
８ 内導体座面
９ 雄ねじ不形成部
１０ 内導体
１１ 内導体座面
１２ 内導体内部空胴
１３ 内導体座面座繰り部
１４ 内導体
１５ 外導体盛り上がり部
１６ 内導体座面
１７ 内導体位置決め用凸部
１８ 内導体内部空胴
１９ 内導体
２０ 内導体座面
２１ 上部導体パネル
２２ 入出力コネクタ
２３ 周波数調整ねじ
２４ 結合調整ねじ
２５ 誘電体共振器
２６ 入出力リード
２７ スリット
２８ 結合プローブ
２９ 結合リード
３０ 支持台
３１ 内導体
３２ 外導体
３２ａ 外導体側面
３３ａ 外導体底面

Claims (8)

1. 内部に空胴部を有する外導体と、
   前記空胴部の底面に固着され、且つ前記空胴部底面に対向する面とは固着されない柱状の内導体とを備える空胴半同軸共振器であって、
   前記内導体は内部に孔を有し該孔には雌ねじ部が形成され前記外導体の底面にねじにより螺設されており、
   前記内導体及び前記外導体の接触面の表面荒さ（Ｒａ）は共に１．６μｍ以下であり、
   前記接触面の面積をＳ（ｍ2）、前記ねじの締め付けトルクをＴ（Ｎ・ｍ）、該ねじ径をｄ（ｍ）としたとき、５Ｔ／ｄ／Ｓ≧６０（ＭＰａ）であり、
   前記ねじは、前記外導体の座面の直上に前記内導体の雌ねじ部と螺合しない雄ねじ不形成部を有し、前記雄ねじ不形成部の直径は雄ねじの谷径以下であり、
   前記雄ねじ不形成部の長さは前記ねじの半径以上であり、
   前記雌ねじ部と前記ねじの螺合部の長さはねじの直径の２倍以下あることを特徴とする空胴半同軸共振器。
2. 前記柱状の内導体と前記空胴部の底面とが螺設されている部分の該底面の形状が、該柱状の内導体と接触する面の全周に亘って底面から突出しており、
   前記突出部の外周と前記底面とが連続する箇所全周に亘ってＲが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の空胴半同軸共振器。
3. 内部に空胴部を有する外導体と、
   前記空胴部の底面に固着され、且つ前記空胴部底面に対向する面とは固着されない柱状の内導体とを備える空胴半同軸共振器であって、
   前記内導体は内部に孔を有し該孔には雌ねじ部が形成され前記外導体の底面にねじにより螺設されており、
   前記内導体及び前記外導体の接触面の表面荒さ（Ｒａ）は共に１．６μｍ以下であり、
   前記接触面の面積をＳ（ｍ 2 ）、前記ねじの締め付けトルクをＴ（Ｎ・ｍ）、該ねじ径をｄ（ｍ）としたとき、５Ｔ／ｄ／Ｓ≧６０（ＭＰａ）であり、
   前記内導体の前記孔は前記外導体底面の直上に前記ねじと螺合しない空胴を有し、前記空胴の高さは前記ねじの半径以上であり、
   前記雌ねじ部と前記ねじの螺合部の長さはねじの直径の２倍以下であり、
   前記柱状の内導体と前記空胴部の底面とが螺設されている部分の該底面の形状が、該柱状の内導体と接触する面の全周に亘って底面から突出しており、
   前記突出部の外周と前記底面とが連続する箇所全周に亘ってＲが設けられている、空胴半同軸共振器。
4. 前記外導体はアルミニウム若しくはアルミニウム合金であり、前記内導体はステンレススチールで形成されたことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の空胴半同軸共振器。
5. 請求項１、２、３または４のいずれかに記載の空胴半同軸共振器を複数個連続配置し、入出力接続用手段を具備し、前記空胴半同軸共振器同士の仕切り部には所定の大きさのスリットを設け、段間を結合させてなる帯域通過フィルタ。
6. 請求項１、２、３または４のいずれかに記載の空胴半同軸共振器を複数個連続配置し、外導体に取り付けられた入出力接続用手段を備えた伝送線路に対して、それぞれの空胴半同軸共振器と電気的に結合する結合手段を設けたことを特徴とする帯域阻止フィルタ。
7. 少なくとも二つのフィルタと、前記フィルタに共通的に接続されるアンテナ接続用手段とを含んでなるデュプレクサであって、前記フィルタの少なくとも一つが請求項５記載の帯域通過フィルタであることを特徴とするデュプレクサ。
8. 請求項７に記載のデュプレクサと、該デュプレクサの少なくとも一つの入出力接続用手段に接続される送信用回路と、残りの入出力接続用手段に接続される受信用回路と、前記デュプレクサのアンテナ接続用手段に接続されるアンテナとを含んでなることを特徴とする通信機装置。

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