JP4241870B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、照明器具、ディスプレイ、携帯電話のバックライト、動画照明補助光源、そ
の他の光源などに用いられる発光装置およびその製造方法に関する。

発光ダイオードのような発光素子を利用した発光装置は、小型で電力効率が良く鮮やかな色の発光をする。また、このような発光素子は、電球などと異なり球切れなどの心配がない。さらに、初期駆動特性が優れ、振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）などの発光素子を利用した発光装置は、照明器具、携帯電話のバックライトなどの光源として利用されている。

このような発光装置において、発光素子を過電圧による破壊から保護するため、発光装置にツェナーダイオードなどの保護素子が搭載されることがある。このような保護素子は、発光素子が搭載された支持基板上に、発光素子に隣接して配置され、その発光素子と電気的に接続されている。

例えば、下記特許文献１に開示された発光装置は、極性の異なる第１の電極および第２の電極が設けられた絶縁性基板と、第１の電極の上面側に配置されたＬＥＤチップと、第２の電極に配置された保護素子（例えば、ツェナーダイオード）と、ＬＥＤチップおよび該ＬＥＤチップに接続された導電性ワイヤを被覆する封止樹脂と、を備えている。さらに、ＬＥＤチップの一方の電極は第１の電極と、他方の電極は第２の電極と、それぞれワイヤにて接続されている。一方、保護素子は、上面側の電極が第１の電極と導電性ワイヤにて接続され、下面側の電極が導電性接着剤を介して第２の電極に接続されている。

このような発光装置において、発光素子からの光が保護素子に吸収されたり、保護素子に遮光されたりすることにより、発光装置全体として光取り出し効率が低下することがある。そこで、保護素子の高さが発光素子の高さより低くなるように保護素子の下に凹部を形成して、その凹部内に保護素子を配置すれば、保護素子による光の遮断を少なくすることができる。あるいは、下記特許文献２に開示された発光装置のように、発光素子と保護素子との間に発光素子を被覆する透光性部材とは別の反射部材を配置して発光素子からの光を発光装置の外へ反射させることにより、発光素子から発光装置の外へ取り出される光の経路を保護素子が妨げることが無くなる。なお、複数の半導体素子を支持基板上に実装するときの作業し易さ等を考慮して、保護素子を収納するための凹部は、発光素子が実装される面と同じ面に開口部を有するように支持基板に設けられていることが好ましい。

特開平１１−５４８０４号公報。

特開２００７−１５０２２９号公報。

しかしながら、発光素子の搭載面よりも下に形成した凹部内に保護素子を載置すると、上方に載置された発光素子の端面方向から発光する光の一部が凹部内に閉じこめられる。これにより、発光装置の外部への光の取り出し効率が低下してしまう。さらに、保護素子のボディカラーが発光素子からの光を吸収する場合は、閉じこめられた光が保護素子により吸収されてしまうため、発光装置の出力が著しく低下する。また、光反射性の充填物にて保護素子を収納する凹部を埋設することにより凹部内への光の侵入を阻止しようとすれば、手間や材料費用がかかるため現実的ではない。

そこで、本発明は、優れた信頼性と光学特性とを有する発光装置を提供することを目的とし、また、そのような発光装置を低廉に製造する方法を提供することを目的とする。

以上の目的を達成するために本発明に係る発光装置は、発光素子と、その発光素子を配置するパッケージと、そのパッケージに設けられた電極と上記発光素子の電極とを接続する導電性ワイヤと、を備えており、上記パッケージが上記発光素子を配置する搭載部および上記発光素子とは別の半導体素子を収納する凹部を有する支持体と、その支持体に配置された透光性部材と、を備えている発光装置であって、上記透光性部材は、少なくとも上記発光素子と上記凹部の開口部を被覆しており、上記凹部に収納された半導体素子の側面と上記凹部の内壁面との間に、空洞が設けられていることを特徴とする。上記空洞は、さらに、上記開口部を覆う透光性部材の底面と、上記凹部に収納された半導体素子の上面との間に設けられていることが好ましい。

上記透光性部材は、上記凹部の開口部から上記凹部の底面に向かって凸状の突出部を有していることが好ましい。

上記凹部は、上記発光素子の複数の搭載部に挟まれた領域に設けられており、上記支持体は、上記搭載部の略直下にそれぞれ外部接続電極を備えていることが好ましい。

上記凹部の開口部を平面視した外形と、上記凹部に収納された半導体素子を平面視した外形との相似比は、１．０から２．５であることが好ましい。

以上の目的を達成するために本発明に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、その発光素子を配置するパッケージと、そのパッケージに設けられた電極と上記発光素子の電極とを接続する導電性ワイヤと、を備えており、上記パッケージが上記発光素子を少なくとも被覆する透光性部材と、上記発光素子が配置される搭載部および上記発光素子とは別の半導体素子を収納する凹部を有する支持体と、を備えている発光装置の製造方法であって、上記発光素子が搭載される上面に開口する凹部を有する支持体を形成する第一の工程と、上記半導体素子の上面を上記発光素子の搭載部の上面よりも下に配置して、上記凹部に上記半導体素子を収納する第二の工程と、上記発光素子および上記導電性ワイヤを配置する第三の工程と、上記凹部内に空洞を形成しながら、少なくとも上記発光素子および上記凹部の開口部を覆う透光性部材を上記支持体に配置する第四の工程と、を有することを特徴とする。

上記第四の工程は、上記透光性部材の材料を上記発光素子の搭載面に対して略平行な方向に連続的に供給する工程を含むことが好ましい。

上記透光性部材の材料の粘度は、上記半導体素子の大きさに対する上記凹部の大きさに基づいて、上記第四の工程にて上記凹部に気泡が残存するように調整されていることが好ましい。

上記透光性部材の材料は、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂から選択された少なくとも一種以上の樹脂を含み、その樹脂に粒子状蛍光体が含有されたものであることが好ましい。

上記透光性部材の材料の粘度は、２００Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。

上記凹部の開口部を平面視した外形と、上記凹部に収納された半導体素子を平面視した外形との相似比は、１．０から２．５であり、上記凹部の深さと、上記凹部に収納された半導体素子の高さとの比は、１．０から２．１４であることが好ましい。

本発明にかかる発光装置は、発光素子の実装面より低い凹部の底面に保護素子を配置し、さらに、保護素子が収納された凹部内に空洞を有する。ここで、発光素子を被覆する透光性部材と空洞との間に屈折率差が生じている。そして、屈折率の異なるそれらの境界面で発光素子から放射された光や、蛍光体からの光が反射されて発光装置の外部へ取り出される。すなわち、本発明は、凹部内に設けられた空洞を利用することにより、先行技術と比較して、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。また、それらの光が凹部にて損失することなく発光装置から取り出されることで、発光装置の配光色度のバラつきも小さくなる。

本発明にかかる発光装置は、透光性部材を支持体に配置したことによる空洞を保護素子が収納された凹部内に設けることにより、該凹部内への光の侵入を阻止している。そのため、光反射性の充填物を凹部内に埋設するものや、発光素子と保護素子との間に発光素子を被覆する透光性部材とは別の反射部材を設けるものなどと比較して、本発明は、保護素子を収納する凹部による光損失が少なく、比較的簡単な構成の低廉な発光装置とすることができる。

また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、保護素子を収納する凹部内に光反射性の充填物を埋設するものや発光素子と保護素子との間に反射部材を設けるものと比較して、凹部における光損失が少ない発光装置を比較的簡単かつ低廉に形成することができる。さらに、本発明における発光装置の製造方法は、発光素子を被覆する透光性部材を支持体上にて形成する工程を有することにより、発光素子の実装面より低い底面を有する凹部に気泡を残存させることも同時に行える。そのため、凹部における光損失が少ない発光装置を比較的簡単かつ低廉に製造することができる。

本発明を実施するための最良の形態を説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置およびその製造方法を例示するものであって、本発明は、発光装置およびその製造方法を以下に限定するものではない。

また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。

発光素子と、その発光素子を配置するパッケージと、そのパッケージに設けられた電極と発光素子の電極とを接続する導電性ワイヤと、を備えており、さらにパッケージが、発光素子を配置する搭載部および発光素子とは別の半導体素子を収納する凹部を有する支持体と、少なくとも発光素子を被覆する透光性部材と、を備えている発光装置について、上記凹部による光の損失を低減させるため、本発明者は、種々の検討を行った。その結果、発光素子とは別の半導体素子を収納する凹部の開口部を、発光素子を被覆する透光性部材の一部で覆い、その凹部に空洞を設けたパッケージとすることにより課題を解決するに至った。本発明は、凹部に空洞を有することにより、凹部の開口部を覆う透光性部材と空洞との間に屈折率差が生じる。そして、屈折率の異なるそれらの境界面を反射面として光が反射され発光装置から出射される。このように、本発明は、凹部において光を損失させることがないので、先行技術と比較して発光装置の光取り出し効率が向上する。

さらに、発光装置のパッケージにおける空洞は、凹部の開口部を覆う透光性部材の底面と、凹部に収納された半導体素子の上面との間に設けられていることが好ましい。透光性部材を伝播する光が、凹部内に収納された半導体素子に吸収されることを抑えることができるからである。

透光性部材は、凹部の開口部において突出部を有しており、その突出部が、凹部の底面に向かって凸状の底面を有していることが好ましい。このような突出部により、光を凹部内に入射させることなく、支持体上面の透光性部材のほうに反射させる効果が高まるからである。また、透光性部材やその突出部の底面と、凹部に収納された半導体素子の上面との間に空洞が設けられていることが好ましい。透光性部材の底面と半導体素子の上面との間に、空洞による間隔を設けることにより、凹部外の光は、半導体素子の方まで届かなくなり、凹部内に収納された半導体素子による損失を受けることがなくなる。

凹部の開口部を平面視した外形と、凹部に収納された半導体素子を平面視した外形との相似比は、１．０から２．５であることが好ましい。半導体素子の大きさに対して凹部の開口部の大きさが大きすぎると、凹部内に侵入しようとする光が多くなるからである。また、半導体素子の大きさに対して開口部の大きさが小さすぎると、半導体素子を凹部内に配置する工程の作業性が低下するため、量産性の良い発光装置とすることができないからである。

発光素子と、その発光素子を配置するパッケージと、そのパッケージに設けられた電極と発光素子の電極とを接続する導電性ワイヤと、を備えており、パッケージが発光素子を少なくとも被覆する透光性部材と、発光素子が配置される搭載部および発光素子とは別の半導体素子を収納する凹部を有する支持体と、を備えている発光装置の製造方法について、本発明者は、凹部における光損失が少ない発光装置を比較的簡単かつ低廉に製造するため種々の検討を行った。その結果、本発明にかかる製造方法は、発光素子の搭載面に開口部を有する凹部を支持体に形成する第一の工程と、半導体素子の上面を発光素子の搭載面よりも下に配置して、凹部に半導体素子を収納する第二の工程と、発光素子および導電性ワイヤを配置する第三の工程と、凹部内に空洞を形成しながら、少なくとも発光素子および凹部の開口部を覆う透光性部材を支持体に配置する第四の工程と、を有することを特徴とすることにより、課題を解決するに至った。すなわち、本発明にかかる発光装置の製造方法は、半導体素子を収納する凹部内に光反射性の充填物を埋設する工程を要しないので、凹部における光損失が少ない発光装置を比較的簡単かつ低廉に製造することができる。

また、本発明は、支持体への透光性部材の形成と空洞の形成を同じ工程で行うことにより発光装置を製造する工程を簡略化することができる。このような方法によるとき、透光性部材を形成する第四の工程は、透光性部材の材料を発光素子の搭載面に対して略平行な方向に連続的に供給する工程を含む。すなわち、発光素子が配置された搭載面に対して略平行な方向に、流動性のある透光性部材の材料を流し込み、その材料を型で成型して硬化させることにより透光性部材を形成する。なお、「略平行」とは、発光素子の搭載面に平行な面に対して±１０°程度の範囲を許容範囲として含むものとする。

透光性部材の材料の粘度は、収納される半導体素子と凹部の大きさに基づいて、第四の工程にて空洞が気泡の残存として形成されるように調整されている。例えば、凹部の大きさおよび深さは、凹部の開口部を平面視した外形と、凹部に収納された半導体素子を平面視した外形との相似比が、１．０から２．５であり、かつ、凹部の深さＤと、凹部に収納された半導体素子の高さＨとの比（Ｄ／Ｈ）が、１．０から２．１４とすることが好ましい。気泡の大きさを、発光装置の信頼性の低下に繋がらない必要最小限とするためである。

さらに、透光性部材の材料の粘度は、２００Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。粘度が低いと、半導体素子を収納した凹部に空洞が形成されることなく、透光性部材の材料にて凹部が満たされてしまう。一方、粘度が高すぎると、透光性部材の材料を配置する工程の作業性が低下するからである。

また、透光性部材の材料の粘度を調整することにより、凹部の開口部から凹部の底面に向かって凸状に材料を延在させて、凹部の開口部に透光性部材の突出部を形成する。そして、透光性部材の突出部における凸状の底面と、凹部に収納された半導体素子の上面との間に空洞を設けた発光装置とすることもできる。

透光性部材の材料は、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂から選択された少なくとも一種以上の樹脂を含み、その樹脂に粒子状蛍光体が含有されたものであることが好ましい。樹脂中の粒子状蛍光体の含有率を調整することにより、粒子状蛍光体を含む樹脂の粘度を容易に調整することができ、透光性部材に蛍光体を含む発光装置について、本発明の空洞を形成させることが容易にできるからである。

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態を説明する。図１は、本形態の発光装置１００を模式的に示す上面図である。図２は、図１のＸ―Ｘ方向における断面を模式的に示す断面図であり、図３は、図１のＹ−Ｙ方向における断面を模式的に示す断面図である。また、図４は、本形態の発光装置１００を模式的に示す底面図である。図５は、本形態の発光装置１００を模式的に示す斜視図である。図６は、本形態の発光装置とは別の発光装置２００について、図２に示される発光装置１００と同じ断面を模式的に示す断面図である。

図１に示されるように、本形態の発光装置１００は、主な構成部材として、二つの発光素子１０１ａ、１０１ｂと、それらの発光素子を配置する支持体１０８と、発光素子と同じ支持体に搭載された別の半導体素子１０２と、半導体素子１０２の電極を支持体の電極に接続する第一の導電性ワイヤ１０５、発光素子の電極を支持体の電極に接続する第二の導電性ワイヤ１０６と、を備える。

本形態において、発光素子とは別に支持体に搭載された半導体素子１０２は、発光素子を過電圧から保護するための保護素子（例えば、ツェナーダイオード）である。支持体１０８は、発光素子１０１ａ、１０１ｂが配置された上面側から底面側に向かって窪んだ凹部１０３を有しており、保護素子は、この凹部１０３内に収納されている。

さらに、支持体１０８の上面には、図２、３、５に示されるように、凹部１０３の開口部を塞ぐように透光性部材１０７が配置されており、この透光性部材１０７は、少なくとも上面側に配置された発光素子１０１ａ、１０１ｂおよびそれに接続する第二の導電性ワイヤ１０６を被覆している。ここで、凹部１０３は、支持体１０８の上面に配置された透光性部材と凹部内壁との間に空洞を有している。ここで、本発明における「空洞」とは、透光性部材１０７の内部または透光性部材１０７と支持体との間に形成され、空気またはその他の気体が含まれた気泡であったり、透光性部材１０７の下面と凹部との間に形成された隙間であったりする。このような空洞は、凹部に配置された半導体素子の外側、特に、半導体素子の上側すなわち開口部の外側から光が進行している方位に配置される。空洞の形状や数は、限定されない。例えば、多数の球状の空洞が凹部内に分散した状態であってもよい。空洞が分散して配置されることにより、透光性部材に拡散剤を含有させたときと同様の効果が得られる。すなわち、透光性部材で光が拡散されることにより凹部の底面方向への光の侵入が抑制される。また、空洞の位置は、開口部における透光性部材の底面と、半導体素子の上面との間に限定されることはない。凹部の開口部を覆う透光性部材と凹部の内壁との間に形成された空洞であればよく、例えば、凹部に収納された半導体素子の側面と、凹部の内壁面との間に空洞が設けられていてもよい。

本形態における発光装置１００は、図２および図３に示されるように、凹部１０３の開口部を覆う透光性部材１０７の下面と、半導体素子１０２の上面と凹部１０３の内壁との間に設けられた空洞１１１を有する。凹部１０３の開口部に形成された空洞１１１と透光性部材１０７との境界面において、その境界面に入射されてくる光を透光性部材１０７の側に反射させることができる。そのため、本形態の発光装置１００は、光を凹部１０３の内部に侵入させることなく、発光装置の外部へ取り出すことができる。

このような空洞１１１は、支持体１０８に透光性部材１０７を形成する工程において一体的に形成させることができる。例えば、支持体１０８の上面に孔版やマスクを配置させた後、透光性部材１０７の材料を印刷することにより形成させることができる。この方法は、支持体の上面に略平行な方向に連続的に材料を供給しながら配置させて、支持体１０８の上面に配置された各部材を被覆する方法である。したがって、凹部１０３が透光性部材１０７の材料で完全に充填されてしまうことなく、凹部１０３に空洞１１１を形成しながら透光性部材１０７の材料を配置する必要がある。本形態の透光性部材１０７の材料は、凹部１０３の開口部の大きさや材料を配置する工程の作業のし易さ等を考慮して、予め所定の粘度に調整されている。例えば、透光性部材に蛍光体を含有する発光装置とするため、蛍光体をＹＡＧ系蛍光体とし、透光性部材の材料をシリコーン樹脂として、両者を混合する。このように作製した材料の粘度は、Ｂ型粘度計による計測で、２００Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下に調整される。

なお、本形態の製造方法は、透光性部材の材料を支持体上面に配置したとき、発光素子が搭載された支持体上面から窪んだ凹部に気泡の残存による空洞が形成され易いことを利用している。つまり、その窪んだ凹部に保護素子を収納して、その保護素子の周囲に気泡を残存させることにより空洞を形成する。したがって、本形態における発光装置の製造方法により、発光素子を被覆する透光性部材の材料を支持体上面に配置する工程と、発光素子の実装面より低い底面を有する凹部に気泡の残存により空洞を形成させる工程と、を併合することができる。本形態の発光装置は、保護素子を収納する凹部に、光反射性の充填物を埋設するものと比較して、光取り出し効率が高い発光装置を比較的簡単かつ低廉に製造することができる。

また、本形態の発光装置は、図６に示されるように、透光性部材１０７の突出部１１２を凹部１０３の開口部に設けることができる。この突出部１１２は、透光性部材１０７のうち、凹部の底面の方に向かって凸状に出っ張った凸面を有する部位である。さらに、突出部１１２における凸状の底面と、凹部に収納された半導体素子１０２の上面との間に空洞１１１を有することもできる。このような透光性部材の突出部１１２は、ある程度の粘度を有する透光性部材の流動性を利用して形状を整え、その後硬化させることにより形成することができる。すなわち、透光性部材の材料の粘度を調整した後、凹部の開口部から凹部の底面に向かって凸状に流動性の材料を延在させ、所望の形状となったときに硬化させる。また、透光性部材の材料の粘度を適宜調整することにより凹部の底面方向への延在の度合いを調整することもできる。これにより、突出部における凸状の底面と、凹部に収納された半導体素子の上面との間に空洞を形成、あるいはその大きさを調整することができる。

あるいは、本形態における空洞１１１は、予め別の工程で形成された透光性部材１０７を支持体１０８の上面に配置し、その透光性部材１０７の一部で、半導体素子を配置させた凹部の開口部を塞ぐことにより設けることもできる。つまり、発光素子を覆うように支持体１０８の上面に配置させた透光性部材１０７のうち、凹部１０３の開口部を塞ぐ透光性部材１０７の下面と凹部１０３との間に空洞を形成し、透光性部材の下面により光を反射させて外部に取り出すこともできる。なお、生産性の向上を考慮すれば、先に説明したように、発光素子や導電性ワイヤを被覆する透光性部材の形成と同時に空洞も形成される製造方法によることが好ましい。

本明細書において、各部材の上面とは、支持体の外観形状を形成する各面のうち、発光素子が搭載される側の面を上面として、その上面と向かい合う面を底面とする。また、上面と底面を接続する、それらの間の面を側面とする。

本形態の発光装置１００は、外部接続電極１１０ａ、１１０ｃを正負一対備えており、発光装置１００が配線基板（図示せず。）に半田付けされるとき、その半田を介して外部接続電極１１０ａ、１１０ｃが配線基板の電極と接続される。このとき、外部接続電極１１０ａ、１１０ｃは、支持体から半田を経由して配線基板へ向かう放熱経路とすることもできる。

そこで、支持体の底面側に設けられた外部接続電極の略直上に発光素子の搭載部が配置されると放熱経路が短縮できるため、発光装置の放熱性が向上する。さらに、本形態の発光装置１００の如く、複数の発光素子１０１ａ、１０１ｂの搭載部を支持体１０８に設けたとき、支持体は、その上面方向から見て、複数の発光素子をそれぞれ配置する複数の搭載部１０４ｂに挟まれた領域に、発光素子とは別の半導体素子を収納するための凹部の開口部を有する支持体とすることが好ましい。さらに、発光装置１００の正負一対の外部接続電極１１０ａ、１１０ｃが発光素子１０１ａ、１０１ｂの各搭載部１０４ｂの直下まで延設されていることが好ましい。つまり、発光装置１００を構成する支持体１０８の裏面に配置された外部接続電極１１０ａ、１１０ｃの外形は、搭載部１０４ｂの配置パターン外形を、支持体１０８の上面（図１に示される。）から裏面（図４に示される。）に向けて垂直に投影させたとき、その投影形状の少なくとも一部を含む形状であることが好ましく、上記投影形状の全部を含む形状を有することがより好ましい。

例えば、本形態の発光装置は、図４に示されるように、支持体の底面に配置された正負一対の外部接続電極１１０ａ、１１０ｃが、支持体１０８の両端部から発光素子１０１ａ、１０１ｂの搭載部１０４ｂの直下まで延在されている。このような外部接続電極と発光素子の搭載部との配置関係により、支持体に複数の発光素子を搭載したとき、凹部または凹部に設けられた空洞が、発光素子の搭載部から外部接続電極を経由して配線基板へ向かう放熱の妨げとなることがなくなる。そのため、発光装置の放熱性を低下させることがなくなり、発光装置の出力を向上させることができる。

半導体素子が収納される凹部内に正負一対の電極を設け、それらの電極と半導体素子との電気的接続を凹部内にて行うこともできる。凹部内の電極と半導体素子との電極の接続方式は、例えば、凹部の底面に露出された正負一対の電極と、半導体素子の電極を向かい合わせにしてバンプなどにより接合させたり、半導体素子の上面の電極を、凹部底面の電極に導電性ワイヤにて接続したりすることができる。半導体素子の各電極と凹部内の電極に接続させた導電性ワイヤは、その全体が凹部内に収納されることが好ましい。つまり、導電性ワイヤの最頂部が、発光素子が配置された支持体の上面よりも下にあることが好ましい。これにより、透光性部材１０７が導電性ワイヤに影響を及ぼすことが少なくなり、導電性ワイヤの金属疲労による発光装置の信頼性の低下をなくすることができる。

本形態の発光装置のように、発光素子と、それとは別の発光素子との間に凹部を有する構成においては、発光素子に挟まれた領域で光の量が多くなり、それらが凹部内に侵入すると光の損失も多くなる。そのような構成の発光装置における光の損失を低減させるため、本発明を特に好ましく適用することができる。以下、本形態の発光装置における各構成部材について詳述する。

（発光素子）
本形態では、発光素子および保護素子を支持体に配置させた半導体装置について説明するが、このような形態に限定されることなく、受光素子、その他の保護素子（抵抗、トランジスタあるいはコンデンサなど）、あるいはそれらを少なくとも二種以上組み合わせたものを搭載した半導体装置とすることができる。発光素子、凹部内に収容される保護素子またはその他の半導体素子は、１つでもよいし、複数でもよい。発光素子の発光色は、赤色系、緑色系または青色系のいずれか一種、あるいはそれらの色を組み合わせたものでよい。

本形態における発光素子は、蛍光物質を備えた発光装置とするとき、その蛍光物質を励起可能な波長を発光できる活性層を有する半導体発光素子が好ましい。このような半導体発光素子として、ＺｎＳｅやＧａＮなど種々の半導体を挙げることができるが、蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。

発光素子の材料として窒化物半導体を使用した場合、半導体を積層させるための半導体用基板にはサファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＮなどの材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。このサファイア基板上にＭＯＣＶＤ法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。また、半導体用基板は、半導層を積層した後、取り除くこともできる。

白色系の混色光を発光させる発光装置とするときには、蛍光物質からの発光波長との補色関係や封止樹脂の劣化などを考慮して、発光素子の発光波長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。発光素子と蛍光物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好ましい。

赤色系の光を発する発光素子の材料として、ガリウム・アルミニウム・砒素系の半導体やアルミニウム・インジュウム・ガリウム・燐系の半導体を選択することが好ましい。

なお、フルカラー表示装置とするためには、赤色系の発光波長が６１０ｎｍから７００ｎｍ、緑色系が４９５ｎｍから５６５ｎｍ、青色系の発光波長が４３０ｎｍから４９０ｎｍの発光素子を組み合わせることが好ましい。

発光素子を支持体に固定した後、発光素子の各電極と支持体の導体配線とをそれぞれ導電性ワイヤにて接続する。ここで、発光素子を固定するための接合部材は、特に限定されず、エポキシ樹脂などの絶縁性接着剤や、ＡｕとＳｎとを含有する共晶材、低融点金属等のろう材、導電性材料が含有された樹脂からなる導電性ペーストやガラスなどとすることができる。ここで、導電性ペーストに含有される導電性材料は、Ａｕ、ＳｎあるいはＡｇが好ましく、より好ましくはＡｇの含有量が８０％〜９０％であるＡｇペーストを用いると放熱性にも優れた発光装置が得られる。なお、底面側に電極を有する半導体素子は、銀、金、パラジウムなどの金属材料を含む導電性ペーストによって支持体に接着することができる。

透光性のサファイア基板上に窒化物半導体を積層させて形成された発光素子の場合には、接合部材として、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン等があげられる。このとき、発光素子の底面（すなわち、上記サファイア基板における窒化物半導体が積層された面とは反対側の面。以下、この段落において同じ。）に銀やアルミニウムの金属材料を配置してもよい。例えば、銀やアルミニウムの金属材料を発光素子の底面に蒸着あるいはスパッタリングすることにより金属層を成膜することができる。これにより、発光素子の底面における光反射率が向上するため、接合部材を樹脂材料としたときに発光素子からの光や熱による樹脂の劣化が抑制され、発光装置の光取出し効率が向上する。さらに、発光素子の底面の側から、銀やアルミニウムを材料とする金属層、次にＡｕやＳｎを材料とする共晶層を順に積層させる。これにより、発光素子の底面と共晶層との間で光反射率が向上する。また、共晶材が発光素子からの光の少なくとも一部を吸収する材料を含むとき、発光素子の底面側における光の損失が低減されるので、発光装置の光取出し効率が向上する。

発光素子は、後述する支持体の上面に設けられた発光素子搭載部に接合部材によって固定される。本形態では、発光素子は支持体の上面に設けられた金属部材の上に固定されている。しかし、このような形態に限定されることなく、発光素子は、支持体を構成する絶縁部材の上に実装してもよい。

（導電性ワイヤ）
導電性ワイヤは、発光素子の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ^２）（℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ^２）（℃／ｃｍ）以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下である。透光性部材に蛍光物質を含有させるとき、蛍光物質が含有された部位と、蛍光物質が含有されていない部位との界面で導電性ワイヤが断線しやすい。そのため、導電性ワイヤの直径は、２５μｍ以上がより好ましく、発光素子の発光面積の確保や扱い易さの観点から３５μｍ以下がより好ましい。このような導電性ワイヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。

（支持体）
本形態のパッケージは、半導体素子および電極を配置する支持体と、半導体素子を被覆する透光性部材とから構成される。まず、本形態の発光装置における支持体として、絶縁性基板に導体配線が施された板状の支持体を好適に利用することができる。発光素子は、板状の支持体の主面上に設けられた搭載部に配置される。発光素子の側面方向を包囲する側壁のない支持体とするときには、発光素子の側面方向から出射する光を損失させることなく外部に取り出すことができる。本形態の絶縁性基板は、上面が略矩形である直方体であり、上面の略中央部に上面側から底面側へ窪んだ凹部を有する。また、絶縁性基板の上面には、発光素子を搭載するための金属部材と、正負一対の電極が二対設けられている。凹部は、これらの電極および金属材料の間に設けられている。また、凹部の底面には、絶縁性基板の上面に設けられた電極と電気的に繋がった電極が設けられている。なお、絶縁性基板に設けられた電極および金属部材の形状および位置は、金属部材を搭載部として配置される半導体素子の大きさおよび形状や、導電性ワイヤの張りやすさ等を考慮して適宜調整される。

本形態の支持体を構成する絶縁性基板は、半導体素子が搭載される、その上面において、発光素子が搭載される領域の外側の領域に、上面側から底面側へ向かって窪んだ凹部を有している。この凹部に、発光素子とは別の半導体素子として、例えば保護素子が収納されている。本形態における凹部は、その開口部を平面視した外形が略正方形であるが、これに限定されることなく、凹部内に収納される半導体素子の大きさや数や形状に合わせた形状および大きさとすることができる。また、同様に、凹部の深さも、収納する半導体素子の高さおよび凹部内の電極との接続方式によって適宜調節することができる。図１に示されるように、第一の発光素子１０１ａの搭載部１０４ｂと第二の発光素子１０１ｂの搭載部１０４ｂとの間であって、支持体１０８の略中央に凹部１０３を設けることが好ましい。これにより、支持体の隅に凹部を設けた発光装置（例えば、支持体を上面から見て、支持体の長手方向に、第一の発光素子の搭載部、第二の発光素子の搭載部、凹部の順に配置された支持体を有する発光装置など）と比較して、本形態における発光装置は、支持体に凹部を設けたことによる配光性への影響を少なくすることができる。

また、例えば、透光性部材の形成と同時に空洞を形成させるとき、凹部の大きさおよび深さは、凹部の開口部を平面視した外形と、凹部に収納された半導体素子を平面視した外形との相似比が、１．０から２．５であり、かつ、凹部の深さと、凹部に収納された半導体素子の高さとの比が、１．０から２．１４とすることが好ましい。半導体素子の大きさに対して凹部の大きさが大きくなり過ぎれば、空洞を形成している気泡も大きくなる。そして、このような気泡が発光素子の発熱を受けて熱膨張することにより、発光装置の信頼性や光学特性が低下してしまう懸念があるからである。

絶縁性基板の材料として、エポキシ樹脂にガラス成分が含有されてなるガラスエポキシ基板、セラミックスを材料とする基板を好適に利用することができる。

発光装置に高いコントラストが要求される場合、絶縁性基板の母材にＣｒ_２Ｏ_３、ＭｎＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３などの顔料を含有させることにより、絶縁性基板を暗色系にすることが好ましい。あるいは、絶縁性基板に高い光反射率を付与するためには、二酸化チタンなどの白色系の顔料を含有させることが好ましい。

特に、高耐熱性、高耐光性が望まれる場合、セラミックスを絶縁性基板の母材とすることが好ましい。セラミックスの主材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが好ましい。これらの主材料に焼結助剤などが加え、焼結することでセラミックスの基板が得られる。例えば、原料粉末の９０〜９６重量％がアルミナであり、焼結助剤として粘土、タルク、マグネシア、カルシア及びシリカ等が４〜１０重量％添加され１５００〜１７００℃の温度範囲で焼結させたセラミックスや原料粉末の４０〜６０重量％がアルミナで焼結助剤として６０〜４０重量％の硼珪酸ガラス、コージュライト、フォルステライト、ムライトなどが添加され８００〜１２００℃の温度範囲で焼結させたセラミックス等が挙げられる。このようなセラミックス基板は、焼成前のグリーンシート段階で種々の形状をとることができる。そのため、本形態の凹部を有する絶縁性基板を容易に形成することができる。また、焼成前のグリーンシート段階で種々のパターン形状の導体配線を施すことができる。例えば、タングステンを含有するペースト状の材料をスクリーン印刷することにより、導体配線や、半導体素子の搭載部とするための金属材料の下地層を形成することができる。それらの下地層には、セラミックスの材料を焼成した後、銀、金、あるいはアルミニウムを材料とする鍍金やスパッタリングにより最表面の金属材料が配置される。最表面は、発光素子からの光に対して高い反射率を有する金属材料にて被覆されていることが好ましい。

（透光性部材）
透光性部材の材料は、特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、および、それらの樹脂が少なくとも一種以上含有されたハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた透光性樹脂を用いることができる。また、透光性部材は有機物に限られず、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。また、本形態の透光性部材は、粘度増量剤、光拡散剤、顔料、蛍光物質など、用途に応じてあらゆる部材を添加することができる。例えば、発光装置の発光色に応じた着色剤を添加させることができる。また、光拡散剤として例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、二酸化珪素、炭酸カルシウム、および、それらを少なくとも一種以上含む混合物などを挙げることができる。更にまた、透光性部材の光出射面側を所望の形状にすることによってレンズ効果を持たせることができる。具体的には、平板状、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合わせた形状にすることができる。

（蛍光物質）
本形態の発光装置は、透光性部材に蛍光物質を含有させることができる。このような蛍光物質の一例として、以下に述べる希土類元素を含有する蛍光物質がある。

具体的には、Ｙ、Ｌｕ，Ｓｃ、Ｌａ，Ｇｄ、ＴｂおよびＳｍの群から選択される少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの群から選択される少なくとも１つの元素とを有するガーネット（石榴石）型蛍光物質が挙げられる。特に、アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、ＡｌとＹ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｍから選択された少なくとも一つの元素とを含み、かつ希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体であり、発光素子から出射された可視光や紫外線で励起されて発光する蛍光体である。例えば、イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体（ＹＡＧ系蛍光体）の他、Ｔｂ_２．９５Ｃｅ_０．０５Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_２．９０Ｃｅ_０．０５Ｔｂ_０．０５Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_２．９４Ｃｅ_０．０５Ｐｒ_０．０１Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_２．９０Ｃｅ_０．０５Ｐｒ_０．０５Ａｌ_５Ｏ_１２等が挙げられる。これらのうち、特に本実施の形態において、Ｙを含み、かつＣｅあるいはＰｒで付活され組成の異なる２種類以上のイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体が利用される。

また、窒化物系蛍光体は、Ｎを含み、かつＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから選択された少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体である。窒化物系蛍光体として、例えば、（Ｓｒ_０．９７Ｅｕ_０．０３）_２Ｓｉ_５Ｎ_８、（Ｃａ_{０．９８５}Ｅｕ_{０．０１５}）_２Ｓｉ_５Ｎ_８、（Ｓｒ_{０．６７９}Ｃａ_{０．２９１}Ｅｕ_０．０３）_２Ｓｉ_５Ｎ_８、等が挙げられる。

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。

図１は、本実施例における発光装置１００を模式的に示す上面図である。図２は、図１の発光装置１００をＸ―Ｘ方向に切断したときの断面を模式的に示す断面図であり、図３は、図１に示される発光装置１００をＹ−Ｙ方向に切断したときの断面を模式的に示す断面図である。また、図４は、本実施例の発光装置１００を模式的に示す底面図である。図５は、本実施例の発光装置１００を模式的に示す斜視図である。

図１に示されるように、本実施例における発光装置１００は、発光素子に電力を供給する第一の電極１０４ａおよび第二の電極１０４ｃを有する平板状の支持体１０８と、その支持体１０８の上面に設けられた金属部材１０４ｂを搭載部として配置された複数の発光素子１０１ａ、１０１ｂと、第一の発光素子１０１ａおよび第二の発光素子１０１ｂの電極と第一の電極１０４ａおよび第二の電極１０４ｃを接続する第二の導電性ワイヤ１０６と、発光素子１０１ａ、１０１ｂおよび第二の導電性ワイヤ１０６を被覆する透光性部材１０７と、を備える。

本実施例の発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体を材料とする青色系の光を発する２つのＬＥＤチップ１０１ａ、１０１ｂである。これらのＬＥＤチップは、上面を平面視したときの外形が５００μｍ×２９０μｍ（縦×横）の長方形であり、底面側にＡｕおよびＳｎを材料として含む共晶材が配置されている。これらのＬＥＤチップは、それぞれ支持体の上面に設けられた銀を最表面とする搭載部の上に共晶材により接合されている。

支持体は、セラミックスを材料とする絶縁性基板に、タングステンを下地層として、ニッケル、金および銀が順に鍍金されたものである。これらの金属材料の配置により、各電極および金属部材１０４ｂを形成させる。さらに、支持体１０８は、絶縁性基板の上面に、ＬＥＤチップ１０１ａとＬＥＤチップ１０１ｂの２つの搭載部に挟まれた領域に開口部を有する凹部１０３が設けられている。この凹部１０３には、ＬＥＤチップ１０１ａ、１０１ｂを過電圧による破壊から守る保護素子１０２が収納されている。さらに、本実施例の発光装置は、凹部１０３の開口部を覆う透光性部材１０７の下面と、凹部１０３に収納された保護素子１０２の上面との間に空洞１１１を有する。

本実施例の保護素子１０２は、上面と底面に極性が異なる電極を有するツェナーダイオードである。保護素子１０２は、銀ペーストを導電性接着剤として凹部１０３の底面に接着されており、その底面側の電極が導電性接着剤を介して凹部１０３底面にて露出された導体配線と接続されている。また、保護素子１０２の上面の電極は、第一の導電性ワイヤ１０５を介して支持体の上面に設けられた第一の電極１０４ａに接続されている。

図１に示されるように、本実施例の支持体１０８は、発光素子が配置される上面に、第二の導電性ワイヤ１０６を介して発光素子と接続する正負一対の電極（第一の電極１０４ａおよび第二の電極１０４ｃ）と、それらの電極から絶縁されて同じ支持体の上面に設けられた金属部材１０４ｂとを有する。２つのＬＥＤチップ１０１ａ、１０１ｂは、電極とは別に設けられた金属部材１０４ｂに搭載されている。これにより、電極に接続する導体配線の配置パターンとは別に放熱経路を支持体に設けることができるため、放熱性が高い発光装置とすることができる。

図４に示されるように、本実施例の発光装置１００は、その背面方向から見て支持体１０８の長手方向に向かい合った一対の側面が切り欠かれており、その切り欠かれた部位の内面から支持体１０８の中央部にかけて第一の外部接続電極１１０ａおよび第二の外部接続電極１１０ｃが延設されている。これらの第一の外部接続電極１１０ａおよび第二の外部接続電極１１０ｃは、各半導体素子に接続するため支持体１０８の上面に配置された第一の電極１０４ａ、第二の電極１０４ｃおよび凹部１０３底面に配置された電極と導通している。すなわち、第一の外部接続電極１１０ａおよび第二の外部接続電極１１０ｃは、支持体内に埋設された導体配線によって、それぞれ第一の電極１０４ａおよび第二の電極１０４ｃに電気的に接続されている。第一の外部接続電極１１０ａおよび第二の外部接続電極１１０ｃは、発光装置１００を外部の配線基板に半田付けしたとき、その半田を介して配線基板と接続される。

図２および図３に示されるように、本実施例の空洞１１１は、本実施例の発光装置１００の透光性部材１０７を形成する工程において、凹部１０３内に気泡が残存することにより形成されたものである。すなわち、支持体１０８に各半導体素子を配置して導電性ワイヤにて各電極を接続した後、ＹＡＧ系蛍光体を含むシリコーン樹脂を発光素子および導電性ワイヤ並びに凹部の開口部を覆うように印刷することにより形成する。本実施例の発光装置の製造方法は、概ね以下の通りである。

まず、セラミックスを絶縁性基板の材料とする支持体１０８の集合基板に、複数のＬＥＤチップを配列させ、さらに保護素子１０３を凹部に収納して導電性ワイヤなどにより電気的に接続する。なお、保護素子１０３は、銀ペーストを接着剤として、凹部の底面に配置された導体配線に接着されており、保護素子１０３の底面の電極が銀ペーストを介して導体配線と電気的に接続される。

次に、複数のＬＥＤチップを、導電性ワイヤおよび凹部の開口部を纏めて覆うように、ＹＡＧ系蛍光体を含むシリコーン樹脂をＬＥＤチップの配列に沿って直線状に配置する。このとき、ＹＡＧ系蛍光体を含むシリコーン樹脂の粘度を３００Ｐａ・ｓとする。また、本実施例の保護素子は、上面を平面視した外形寸法が２４０μｍ×２４０μｍの正方形であり、凹部の底面に配置したときの高さが０．１４ｍｍである。このような大きさの保護素子を凹部に収納するとき、凹部の開口部の外形寸法は、一辺が０．２４ｍｍ以上０．６０ｍｍ以下の正方形とすることが好ましく、開口部上面から凹部底面までの深さは、０．１５ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下とすることが好ましい。本実施例では、凹部の開口部の外形寸法が０．５０ｍｍ×０．５０ｍｍの正方形であり、深さが０．１５ｍｍである。さらに、シリコーン樹脂を硬化させた後、ダイシングにより透光性部材および絶縁性基板を切断して、所定の大きさに個片化することにより本実施例の発光装置１００を得る。

なお、支持体１０８上面の外形を形成する矩形の四隅または辺にそれぞれ形成させたマーク（直線またはＬ字型形状からなる印）１０９は、発光装置１００に設けられた正負一対の外部接続電極１１０ａ、１１０ｃの極性を識別する標識とすることができる他、集合基板をダイシングして個片化するときのダイシングラインを示す目印として利用することもできる。

本発明は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源などに使用することができる。

図１は、本発明の一実施例にかかる発光装置を模式的に示す上面図である。 図２は、図１に示されるＸ―Ｘ方向における発光装置の断面を模式的に示す断面図である。 図３は、図１に示されるＹ−Ｙ方向における発光装置の断面を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の一実施例における発光装置を模式的に示す底面図である。 図５は、本発明の一実施例にかかる発光装置を模式的に示す斜視図である。 図６は、本発明の別の一実施例にかかる発光装置の断面を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１００、２００・・・発光装置
１０１ａ、１０１ｂ・・・発光素子
１０２・・・半導体素子
１０３・・・凹部
１０４ａ・・・第一の電極
１０４ｂ・・・金属部材
１０４ｃ・・・第二の電極
１０５・・・第一の導電性ワイヤ
１０６・・・第二の導電性ワイヤ
１０７・・・透光性部材
１０８・・・支持体
１０９・・・マーク
１１０ａ・・・第一の外部接続電極
１１０ｃ・・・第二の外部接続電極
１１１・・・空洞
１１２・・・突出部

Claims (11)

1. 発光素子と、その発光素子を配置するパッケージと、そのパッケージに設けられた電極と前記発光素子の電極とを接続する導電性ワイヤと、を備えており、前記パッケージが、前記発光素子を配置する搭載部および前記発光素子とは別の半導体素子を収納する凹部を有する支持体と、その支持体に配置された透光性部材と、を備えている発光装置であって、
   前記透光性部材は、少なくとも前記発光素子と前記凹部の開口部とを被覆しており、前記凹部に収納された半導体素子の側面と前記凹部の内壁面との間に、空洞が設けられていることを特徴とする発光装置。
2. 前記空洞は、さらに、前記凹部の開口部を覆う透光性部材の底面と、前記凹部に収納された半導体素子の上面との間に設けられている請求項１に記載の発光装置。
3. 前記透光性部材は、前記凹部の開口部から前記凹部の底面に向かって凸状の突出部を有している請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記凹部は、前記発光素子の複数の搭載部に挟まれた領域に設けられており、前記支持体は、前記搭載部の略直下にそれぞれ外部接続電極を備えている請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記凹部の開口部を平面視した外形と、前記凹部に収納された半導体素子を平面視した外形との相似比は、１．０から２．５である請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 発光素子と、その発光素子を配置するパッケージと、そのパッケージに設けられた電極と前記発光素子の電極とを接続する導電性ワイヤと、を備えており、前記パッケージが、前記発光素子を少なくとも被覆する透光性部材と、前記発光素子が配置される搭載部および前記発光素子とは別の半導体素子を収納する凹部を有する支持体と、を備えている発光装置の製造方法であって、
   前記発光素子が搭載される上面に開口する凹部を有する支持体を形成する第一の工程と、
   前記半導体素子の上面を前記発光素子の搭載部の上面よりも下に配置して、前記凹部に前記半導体素子を収納する第二の工程と、
   前記発光素子および前記導電性ワイヤを配置する第三の工程と、
   前記凹部内に空洞を形成しながら、少なくとも前記発光素子および前記凹部の開口部を覆う透光性部材を前記支持体に配置する第四の工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
7. 前記第四の工程は、前記発光素子が搭載された上面に対して略平行な方向に、前記透光性部材の材料を連続的に供給する工程を含む請求項６に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記透光性部材の材料の粘度は、前記半導体素子に対する前記凹部の大きさに基づいて、前記第四の工程にて前記凹部に気泡が残存するように調整されている請求項７に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記透光性部材の材料は、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂から選択された少なくとも一種以上の樹脂を含み、その樹脂に粒子状蛍光体が含有されたものである請求項７または８に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記透光性部材の材料の粘度は、２００Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下である請求項８または９に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記凹部の開口部を平面視した外形と、前記凹部に収納された半導体素子を平面視した外形との相似比は、１．０から２．５であり、前記凹部の深さと、前記凹部に収納された半導体素子の高さとの比は、１．０から２．１４である請求項６から１０のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。

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